KR20170132805A - 레지스트패턴 피복용 도포액 및 패턴의 형성방법 - Google Patents

레지스트패턴 피복용 도포액 및 패턴의 형성방법 Download PDF

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Abstract

[과제] 신규한 레지스트패턴 피복용 도포액을 제공한다.
[해결수단] 하기 식(1)로 표시되는 구조단위를 갖는 폴리머, 하기 식(2)로 표시되는 제1급, 제2급 또는 제3급 아민, 그리고 상기 폴리머 및 아민을 용해가능한 하기 식(3)으로 표시되는 에스테르를 포함하는 레지스트패턴 피복용 도포액.
Figure pct00009

[(식(1) 중, R1은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, L은 적어도 1개의 치환기를 가질 수도 있는 2가의 방향족기, -C(=O)-O-기 또는 -C(=O)-NH-기를 나타내고, X는 수소원자, 또는 탄소원자수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기 혹은 알콕시기를 나타내고, 이 알킬기는 적어도 1개의 수소원자가 할로겐원자 또는 하이드록시기로 치환될 수도 있다.)
(식(2) 중, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소원자, 하이드록시기, 또는 탄소원자수 1 내지 16의 직쇄상, 분지쇄상 혹은 환상의 유기기를 나타낸다.) (식(3) 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 탄소원자수 1 내지 16의 직쇄상 또는 분지쇄상의 유기기를 나타낸다.)]

Description

레지스트패턴 피복용 도포액 및 패턴의 형성방법
본 발명은, 홀패턴의 직경 또는 트렌치패턴의 폭을 축소시키는 것 및 라인패턴의 폭을 확대시키는 것이 가능한, 레지스트패턴 피복용 도포액에 관한 것이다. 나아가, 이 도포액을 이용한, 패턴의 형성방법, 및 반전패턴의 형성방법에 관한 것이다.
반도체장치의 제조에 있어서, 레지스트 조성물을 이용한 리소그래피에 의한 미세가공이 행해지고 있다. 상기 미세가공은, 실리콘웨이퍼 등의 반도체기판 상에 포토레지스트 조성물의 박막을 형성하고, 그 위에 디바이스의 패턴이 그려진 마스크패턴을 개재하여 자외선 등의 활성광선을 조사하고, 현상하여, 얻어진 포토레지스트패턴을 보호막으로서 기판을 에칭처리함으로써, 기판표면에, 상기 패턴에 대응하는 미세요철을 형성하는 가공법이다. 최근, 반도체 디바이스의 고집적도화가 진행되고, 사용되는 활성광선도 i선(파장 365nm), KrF엑시머레이저(파장 248nm)로부터 ArF엑시머레이저(파장 193nm)로 단파장화되고 있다. 그리고 현재, 향상된 미세가공기술인, EUV(극단자외선의 약칭, 파장 13.5nm)노광을 채용한 리소그래피가 검토되고 있다. 그러나, 고출력의 EUV광원의 개발지연 등의 이유로 인해, EUV노광을 채용한 리소그래피는 아직 실용화(양산화)에 이르지 않았다.
이 때문에, 종래의 레지스트패턴 형성방법을 이용한 후, 보다 미세한 패턴을 얻기 위한 다양한 기술이 검토되고 있다. 그 중에서 실용적인 방법은, 종래의 방법으로 안정적으로 얻어지는 범위에서 형성한 레지스트패턴을 미세패턴형성용 조성물로 덮고, 레지스트패턴을 확대시켜, 홀패턴의 직경을 축소시키는 것이다(특허문헌 1 내지 특허문헌 5 참조).
일본특허공개 2013-145290호 공보 일본특허공개 2014-071424호 공보 일본특허공개 2008-249741호 공보 일본특허공개 2008-102348호 공보 일본특허공개 2008-180813호 공보
특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재되어 있는, 네가티브현상공정에 의해 제작된 패턴 상에 사용하기 위한, 유기용매에 용해한 수지를 이용한 패턴미세화용 피복제 또는 미세패턴형성용 조성물은, 열에 의한 수축을 이용하고 있다. 이에 따라, 미세화 조성물을 레지스트패턴 상에 도포한 후에 130℃ 이상의 열처리를 필요로 한다. 그 열처리의 온도는, 레지스트를 노광 후, 핫플레이트 상에서 노광후 가열(PEB)을 행하는 온도 이상의 가열온도를 필요로 하기 때문에, 제작한 패턴의 형상을 악화시킬 가능성이 있다. 한편, 수축한 패턴의 사이즈는, 수지의 화학구조에 의존하여, 제어하는 것이 곤란하다.
특허문헌 3 내지 특허문헌 5에 기재되어 있는 미세패턴의 형성방법은, 패턴미세화용 피복제 또는 레지스트기판 처리액으로서 수용액을 이용한다. 레지스트막 형성공정이나 현상공정과, 수용액인 패턴미세화용 피복제 또는 레지스트기판 처리액을 레지스트패턴 상에 도포하는 공정이 동일한 컵을 이용하여 행하는 경우, 레지스트 조성물이 용해된 현상액과, 상기 패턴미세화용 피복제 또는 레지스트기판 처리액이 컵 내에서 혼합됨으로써, 수지 등의 석출이 일어난다. 따라서, 레지스트막 형성공정이나 현상공정과, 상기 패턴미세화용 피복제 또는 레지스트기판 처리액을 레지스트패턴 상에 도포하는 공정은, 각각 다른 컵으로 행할 필요가 있어, 이로 인해 스루풋이 저하된다.
본 발명은 상기와 같은 과제를 감안하여, 특정한 아민을 첨가함으로써, 종래의 미세패턴형성용 조성물 이상으로 미세한 패턴을 형성할 수 있고, 또한, 패턴사이즈의 축소폭을 용이하게 제어할 수 있음과 동시에, 일반적인 포토레지스트 조성물과의 상용성이 우수한 레지스트패턴 피복용 도포액을 제공하고자 하는 것이다. 또한, 이 도포액을 이용한 패턴의 형성방법 및 반전패턴의 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 태양은, 하기 식(1)로 표시되는 구조단위를 갖는 폴리머, 하기 식(2)로 표시되는 제1급, 제2급 또는 제3급 아민, 그리고 상기 폴리머 및 아민을 용해가능한 하기 식(3)으로 표시되는 에스테르를 포함하는 레지스트패턴 피복용 도포액이다.
[화학식 1]
Figure pct00001
(식(1) 중, R1은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, L은 적어도 1개의 치환기를 가질 수도 있는 2가의 방향족기, -C(=O)-O-기 또는 -C(=O)-NH-기를 나타내고, 이 -C(=O)-O-기 또는 -C(=O)-NH-기의 탄소원자는 폴리머의 주쇄와 결합하는 것이며, X는 수소원자, 또는 탄소원자수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기 혹은 알콕시기를 나타내고, 이 알킬기는 적어도 1개의 수소원자가 할로겐원자 또는 하이드록시기로 치환될 수도 있다.)
(식(2) 중, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소원자, 하이드록시기, 또는 탄소원자수 1 내지 16의 직쇄상, 분지쇄상 혹은 환상의 유기기를 나타낸다.)
(식(3) 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 탄소원자수 1 내지 16의 직쇄상 또는 분지쇄상의 유기기를 나타낸다.)]
본 발명의 제1 태양에 있어서, 상기 폴리머는 예를 들어 상기 식(1)로 표시되는 구조단위를 적어도 2종 가지는 공중합체로서, 이 공중합체는 L이 적어도 1개의 치환기를 가질 수도 있는 2가의 방향족기를 나타내는 구조단위와, L이 -C(=O)-O-기를 나타내는 구조단위 및/또는 -C(=O)-NH-기를 나타내는 구조단위를 가진다. 상기 2가의 방향족기는 예를 들어 페닐렌기 또는 나프틸렌기이다.
본 발명의 제2 태양은, 하층막이 형성된 기판 상에 레지스트패턴을 형성하는 공정, 상기 레지스트패턴을 피복하도록 본 발명의 제1 태양의 레지스트패턴 피복용 도포액을 도포하는 공정, 상기 레지스트패턴 피복용 도포액이 도포된 기판을 50℃ 내지 130℃에서 가열하는 공정, 및 상기 가열된 기판을 냉각하고, 유기용매로 현상함으로서 상기 레지스트패턴의 표면을 피복하는 막을 형성하는 공정을 포함하는, 홀패턴, 트렌치패턴 또는 라인패턴의 형성방법이다.
본 발명의 제2 태양에 있어서, 상기 현상 후, 린스액으로 린스처리할 수도 있다.
본 발명의 제3 태양은, 본 발명의 제2 태양의 방법으로 형성된 홀패턴 혹은 트렌치패턴을 충진하도록 또는 본 발명의 제2 태양의 방법으로 형성된 라인패턴의 패턴간을 충진하도록, 폴리실록산과 물 및/또는 알코올류를 함유하는 용매를 포함하는 충진용 도포액을 도포하는 공정, 상기 충진용 도포액에 포함되는 폴리실록산 이외의 성분을 제거하거나 또는 감소시켜 도막을 형성하는 공정, 상기 도막을 에치백하여 상기 홀패턴, 트렌치패턴 또는 라인패턴의 상면을 노출시키는 공정, 및 상면이 노출된 상기 홀패턴, 트렌치패턴 또는 라인패턴을 제거하는 공정을 포함하는 반전패턴의 형성방법이다.
본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액을 이용하여 레지스트패턴을 확대시킴으로써, 보다 미세한 패턴을 형성할 수 있다. 본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액은, 특정한 아민이 첨가됨으로써, 종래의 미세패턴형성용 조성물 이상으로 미세한 패턴을 형성할 수 있고, 또한, 패턴사이즈의 축소폭을 용이하게 제어할 수 있다. 동시에, 본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액은 일반적인 포토레지스트 조성물과의 상용성이 우수한, 즉, 포토레지스트 조성물과 본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액이 혼합되어도 고형분을 석출하지 않으므로, 배관막힘이 일어나기 어려워, 효율적으로 반도체소자를 제조할 수 있다. 또한, 향후 EUV노광이 실용화될 때에는, EUV노광을 이용하여 제작한 레지스트패턴을 더욱 미세화하는 것이 가능해진다.
<폴리머>
본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액에 포함되는 상기 식(1)로 표시되는 구조단위를 갖는 폴리머의 중량평균분자량은, 예를 들어 1000 내지 20000이며, 이 폴리머는 비수용성이다. 본 명세서에 있어서, 비수용성 폴리머란, 수용성 폴리머 이외의 폴리머로서, 1기압하 20℃에서 물과 혼합했을 때, 혼합물이 상분리되는 폴리머라고 정의한다. 이러한 비수용성 폴리머로서, 예를 들어, 하기 식(a-1) 내지 식(a-30)으로 표시되는 구조단위를 갖는 단독중합체(호모폴리머) 또는 공중합체를 들 수 있다.
[화학식 2]
Figure pct00002
[화학식 3]
Figure pct00003
[화학식 4]
Figure pct00004
본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액에 포함되는 상기 폴리머의 함유비율은, 이 도포액 100질량%에 대하여, 예를 들어 0.5질량% 내지 30질량%이며, 바람직하게는 2질량% 내지 15질량%이다.
<아민>
본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액에 포함되는 상기 식(2)로 표시되는 제1급, 제2급 또는 제3급 아민은, 실온에서 액체, 고체의 어떤 상태여도 된다. 이러한 아민으로서, 예를 들어, N-메틸에탄올아민, α-[2-(메틸아미노)에틸]벤질알코올, 1-아세트아미드나프탈렌, 비스(4-tert-부틸페닐)아민, N,N-비스(2-하이드록시에틸)-3-클로로아닐린, 비스(4-요오드페닐)아민, 비스(2-피리딜메틸)아민, 비스(3-피리딜메틸)아민, N-(tert-부톡시카르보닐)티라민, N-카르보벤조옥시하이드록실아민, 5-클로로-2-니트로디페닐아민, N-신나모일-N-(2,3-자일릴)하이드록실아민, 쿠밀아민, 시클로도데실아민, 시클로헵틸아민, 1-아세트아미드아다만탄, O-아세틸-N-카르보벤조옥시하이드록실아민, N-아세틸-3,5-디메틸-1-아다만탄아민, N-아세틸-2-(4-니트로페닐)에틸아민, 1-아다만탄아민, N-알릴벤질아민, 및 2-(디메틸아미노)에탄올을 들 수 있다. 이들 아민은 단독으로 함유할 수도 있고, 또한 2종 이상의 조합으로 함유할 수도 있다. 본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액에 포함되는 아민으로는, 예를 들어 홀패턴의 직경을 축소시키는 효과가 우수한 점에서, 표준비점이 60℃ 내지 300℃인 것이 바람직하다.
본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액에 포함되는 상기 아민의 함유비율은, 이 도포액 중의 폴리머 100질량%에 대하여, 예를 들어 0.5질량% 내지 80질량%이며, 바람직하게는 20질량% 내지 60질량%이다.
<에스테르>
본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액에 포함되는 상기 식(3)으로 표시되는 에스테르는, 상기 비수용성 폴리머 및 아민을 용해가능한 것이면 되고, 이러한 에스테르로서, 예를 들어, 아세트산부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산tert-부틸, 아세트산sec-부틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 유산에틸, 유산부틸, 및 유산프로필을 들 수 있다. 이들 에스테르는 단독으로 함유할 수도 있고, 또한 2종 이상의 조합으로 함유할 수도 있다.
본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액에 포함되는 상기 에스테르의 함유비율은, 이 도포액 100질량%에 대하여, 예를 들어 95질량% 내지 70질량%이며, 바람직하게는 98질량% 내지 85질량%이다.
<기타 첨가제>
본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액에는, 필요에 따라 계면활성제 등의 각종 첨가제를, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 추가로 포함할 수도 있다. 계면활성제는, 기판에 대한 해당 조성물의 도포성을 향상시키기 위한 첨가물이다. 비이온계 계면활성제, 불소계 계면활성제와 같은 공지의 계면활성제를 이용할 수 있다.
상기 계면활성제의 구체예로는, 예를 들어, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬아릴에테르류, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌블록코폴리머류, 솔비탄모노라우레이트, 솔비탄모노팔미테이트, 솔비탄모노스테아레이트, 솔비탄모노올레이트, 솔비탄트리올레이트, 솔비탄트리스테아레이트 등의 솔비탄지방산에스테르류, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리올레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌솔비탄지방산에스테르류 등의 비이온계 계면활성제, 에프톱〔등록상표〕EF301, EF303, EF352〔미쯔비시마테리얼전자화성(주)제〕, 메가팍〔등록상표〕F171, F173, R-30, R-40, R-40-LM(DIC(주)제), 플로라드FC430, FC431(스미토모쓰리엠(주)제), 아사히가드〔등록상표〕AG710, 서프론〔등록상표〕S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106(아사히가라스(주)제) 등의 불소계 계면활성제, 오가노실록산폴리머KP341(신에쯔화학공업(주)제)을 들 수 있다. 이들 계면활성제는 단독으로 첨가할 수도 있고, 또한 2종 이상의 조합으로 첨가할 수도 있다.
본 발명의 레지스트패턴 피복용 도포액이 상기 계면활성제를 포함하는 경우, 그 함유비율은, 이 도포액 중의 폴리머 100질량%에 대하여, 예를 들어 0.1질량% 내지 5질량%이며, 바람직하게는 0.2질량% 내지 3질량% 포함한다.
실시예
본 명세서의 하기 합성예 1 내지 합성예 4에서 얻어지는 중합체의 중량평균분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography, 이하 GPC라고 약칭함)에 의한 측정결과이다. 측정에는 토소(주)제 GPC장치를 이용하고, 측정조건은 하기와 같다.
측정장치: HLC-8020GPC〔상품명〕(토소(주)제)
GPC칼럼: TSKgel〔등록상표〕G2000HXL; 2개, TSKgel G3000HXL; 1개, 및 TSKgel G4000HXL; 1개(이상, 토소(주)제)
칼럼온도: 40℃
용매: 테트라하이드로푸란(THF)
유량: 1.0mL/분
표준시료: 폴리스티렌(토소(주)제)
<합성예 1>
tert-부틸스티렌 24.5g(도쿄화성공업(주)제), 하이드록시프로필메타크릴레이트 5.5g(도쿄화성공업(주)제) 및 아조비스이소부티로니트릴 1.57g(도쿄화성공업(주)제)을 유산에틸 53.7g에 용해시켰다. 그 용액을 가열환류한 유산에틸 125.2g에 천천히 적하하고, 적하 후, 160℃에서 가열환류하여 24시간 반응시켜서, 중합체를 함유하는 용액을 얻었다. 이 반응용액을 물/메탄올 혼합용매 2000g에 침전시키고, 얻어진 백색고체를 여과 후, 60℃에서 하룻밤 감압건조하여, 백색중합체를 얻었다. 이 중합체에 대하여 GPC분석을 행한 결과, 표준폴리스티렌 환산으로 중량평균분자량 2212였다. 얻어진 중합체는 하기 식(a-27)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체라고 추정된다.
[화학식 5]
Figure pct00005
<합성예 2>
tert-부틸스티렌 14.1g(도쿄화성공업(주)제), 하이드록시프로필메타크릴레이트 7.61g(도쿄화성공업(주)제), 메타크릴산1,1,1,3,3,3-헥사플루오로이소프로필 8.3g(도쿄화성공업(주)제) 및 아조비스이소부티로니트릴 1.44g(도쿄화성공업(주)제)을 유산에틸 53.5g에 용해시켰다. 그 용액을 가열환류한 유산에틸 124.7g에 천천히 적하하고, 적하 후, 160℃에서 가열환류하여 24시간 반응시켜서, 중합체를 함유하는 용액을 얻었다. 이 반응용액을 물/메탄올 혼합용매 2000g에 침전시키고, 얻어진 백색고체를 여과 후, 60℃에서 하룻밤 감압건조하여, 백색중합체를 얻었다. 이 중합체에 대하여 GPC분석을 행한 결과, 표준폴리스티렌 환산으로 중량평균분자량 1847이었다. 얻어진 중합체는 하기 식(a-22)로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체라고 추정된다.
[화학식 6]
Figure pct00006
<실시예 1>
상기 합성예 1에서 얻어진 중합체 0.93g에 N-메틸에탄올아민(도쿄화성공업(주)제) 0.47g 및 아세트산부틸 18.6g을 첨가하여 용해시켰다. 그 후 구멍직경 0.05μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서, 레지스트패턴 피복용 도포액을 조제하였다.
<실시예 2>
상기 합성예 2에서 얻어진 중합체 0.86g에 N-메틸에탄올아민(도쿄화성공업(주)제) 0.34g 및 아세트산부틸 18.8g을 첨가하여 용해시켰다. 그 후 구멍직경 0.05μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서, 레지스트패턴 피복용 도포액을 조제하였다.
<실시예 3>
상기 합성예 2에서 얻어진 중합체 0.93g에 α-[2-(메틸아미노)에틸]벤질알코올(도쿄화성공업(주)제) 0.47g 및 아세트산부틸 18.6g을 첨가하여 용해시켰다. 그 후 구멍직경 0.05μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서, 레지스트패턴 피복용 도포액을 조제하였다.
<비교예 1>
상기 합성예 2에서 얻어진 중합체 1.00g에 1-부탄올(도쿄화성공업(주)제) 0.50g 및 아세트산부틸 13.5g을 첨가하여 용해시켰다. 그 후 구멍직경 0.05μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해서, 레지스트패턴 피복용 도포액을 조제하였다.
〔포토레지스트패턴의 형성〕
ARC〔등록상표〕29A(닛산화학공업(주)제)를 스피너에 의해 실리콘웨이퍼 상에 도포하였다. 그 실리콘웨이퍼를 핫플레이트 상에 배치하고, 205℃에서 1분간 가열하여, 막두께 80nm의 레지스트하층막을 형성하였다. 이 레지스트하층막 상에, 네가티브형 레지스트를 스피너에 의해 도포하고, 핫플레이트 상에서 가열하여 포토레지스트막(막두께 0.10μm)을 형성하였다.
이어서, 스캐너((주)니콘제, NSR-S307E(파장 193nm, NA: 0.85, σ: 0.65/0.93))를 이용하고, 포토마스크를 통과하여 노광을 행하였다. 포토마스크는 형성해야 하는 레지스트패턴에 따라 선택된다. 노광 후, 핫플레이트 상에서 노광후 가열(PEB)을 행하고, 냉각 후, 공업규격의 60초 싱글퍼들식 공정에서, 현상액으로서 아세트산부틸을 이용하여 현상하였다. 이상의 공정을 거쳐, 목적으로 하는 레지스트패턴인 콘택트홀패턴을 형성하였다. 형성된 콘택트홀패턴에 대하여, 직경을 측정하였다.
〔콘택트홀패턴 축소프로세스〕
실리콘웨이퍼 상에 형성된 레지스트패턴(패턴의 직경: 인접하는 패턴간의 스페이스=1:3의 콘택트홀패턴) 상에, 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 3, 및 비교예 1에서 조제한 레지스트패턴 피복용 도포액을, 스피너를 이용하여 각각 도포하고, 100℃에서 베이크 후, 현상액으로서 아세트산부틸을 이용하여 현상하였다. 현상 후의 콘택트홀패턴에 대하여, 패턴의 상면의 SEM(주사형 전자현미경)상으로부터, 직경을 측정하고, 상기 레지스트패턴 피복용 도포액을 도포전의 콘택트홀의 직경과 비교하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure pct00007
표 1의 결과로부터, 실시예 1 내지 실시예 3에서 조제한 레지스트패턴 피복용 도포액을 이용함으로써, 콘택트홀패턴의 직경을 축소시킬 수 있었다. 한편, 비교예 1에서 조제한 레지스트패턴 피복용 도포액을 이용하면, 콘택트홀패턴의 직경을 축소시킬 수 없었다.

Claims (10)

  1. 하기 식(1)로 표시되는 구조단위를 갖는 폴리머, 하기 식(2)로 표시되는 제1급, 제2급 또는 제3급 아민, 그리고 상기 폴리머 및 아민을 용해가능한 하기 식(3)으로 표시되는 에스테르를 포함하는 레지스트패턴 피복용 도포액.
    [화학식 1]
    Figure pct00008

    [(식(1) 중, R1은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, L은 적어도 1개의 치환기를 가질 수도 있는 2가의 방향족기, -C(=O)-O-기 또는 -C(=O)-NH-기를 나타내고, 이 -C(=O)-O-기 또는 -C(=O)-NH-기의 탄소원자는 폴리머의 주쇄와 결합하는 것이며, X는 수소원자, 또는 탄소원자수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기 혹은 알콕시기를 나타내고, 이 알킬기는 적어도 1개의 수소원자가 할로겐원자 또는 하이드록시기로 치환될 수도 있다.)
    (식(2) 중, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소원자, 하이드록시기, 또는 탄소원자수 1 내지 16의 직쇄상, 분지쇄상 혹은 환상의 유기기를 나타낸다.)
    (식(3) 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 탄소원자수 1 내지 16의 직쇄상 또는 분지쇄상의 유기기를 나타낸다.)]
  2. 제1항에 있어서,
    상기 폴리머의 중량평균분자량은 1000 내지 20000인 레지스트패턴 피복용 도포액.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 폴리머는 상기 식(1)로 표시되는 구조단위를 적어도 2종 가지는 공중합체로서, 이 공중합체는 L이 적어도 1개의 치환기를 가질 수도 있는 2가의 방향족기를 나타내는 구조단위와, L이 -C(=O)-O-기를 나타내는 구조단위 및/또는 -C(=O)-NH-기를 나타내는 구조단위를 갖는, 레지스트패턴 피복용 도포액.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 2가의 방향족기는 페닐렌기 또는 나프틸렌기인 레지스트패턴 피복용 도포액.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폴리머는 비수용성 폴리머인 레지스트패턴 피복용 도포액.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 아민의 표준비점이 60℃ 내지 300℃인 레지스트패턴 피복용 도포액.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에스테르는 아세트산부틸인 레지스트패턴 피복용 도포액.
  8. 하층막이 형성된 기판 상에 레지스트패턴을 형성하는 공정,
    상기 레지스트패턴을 피복하도록 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트패턴 피복용 도포액을 도포하는 공정,
    상기 레지스트패턴 피복용 도포액이 도포된 기판을 50℃ 내지 130℃에서 가열하는 공정, 및
    상기 가열된 기판을 냉각하고, 유기용매로 현상함으로써 상기 레지스트패턴의 표면을 피복하는 막을 형성하는 공정
    을 포함하는 홀패턴, 트렌치패턴 또는 라인패턴의 형성방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 현상 후, 린스액으로 린스처리하는, 홀패턴, 트렌치패턴 또는 라인패턴의 형성방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 기재된 방법으로 형성된 홀패턴 혹은 트렌치패턴을 충진하도록 또는 제8항 또는 제9항에 기재된 방법으로 형성된 라인패턴의 패턴간을 충진하도록, 폴리실록산과 물 및/또는 알코올류를 함유하는 용매를 포함하는 충진용 도포액을 도포하는 공정,
    상기 충진용 도포액에 포함되는 폴리실록산 이외의 성분을 제거하거나 또는 감소시켜 도막을 형성하는 공정,
    상기 도막을 에치백하여 상기 홀패턴, 트렌치패턴 또는 라인패턴의 상면을 노출시키는 공정, 및
    상면이 노출된 상기 홀패턴, 트렌치패턴 또는 라인패턴을 제거하는 공정을 포함하는 반전패턴의 형성방법.
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