KR20170118937A

KR20170118937A - 일 방향성 전자 강판의 제조 방법

Info

Publication number: KR20170118937A
Application number: KR1020177027442A
Authority: KR
Inventors: 히로토시 다다; 노부사토 모리시게; 나오토 마스미츠; 주니치 다카오부시; 신 후루타쿠; 마사루 다카하시
Original assignee: 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤
Priority date: 2015-04-02
Filing date: 2016-04-01
Publication date: 2017-10-25
Also published as: US20180282830A1; CN107429307A; EP3279341A4; PL3279341T3; WO2016159349A1; US10669600B2; JP6369626B2; JPWO2016159349A1; CN107429307B; KR101959158B1; BR112017020121A2; EP3279341A1; RU2686725C1; EP3279341B1; BR112017020121B1

Abstract

이 일 방향성 전자 강판의 제조 방법은, 소정의 화학 조성을 갖는 슬래브를 1150℃ 이상 1300℃ 이하의 T1℃로 가열하여 5분 이상 30시간 이하 유지한 후, 상기 슬래브의 온도를 T1-50℃ 이하의 T2℃까지 저하시키고, 그 후, 상기 슬래브를 1280℃ 이상 1450℃ 이하의 T3℃로 가열하여 5분 이상 60분 이하 유지하는 가열 공정과; 가열된 상기 슬래브를 열간 압연하여 열연 강판을 얻는 열연 공정과; 냉연 공정과; 상기 냉연 공정 전, 또는 상기 냉연 공정을 일단 중단하고 상기 냉연 공정의 최종 패스보다 전에, 상기 열연 강판에 적어도 1회의 중간 어닐링을 행하는 중간 어닐링 공정과; 어닐링 분리재 도포 공정과; 2차 피막 도포 공정을 갖고, 상기 냉연 공정에서는, 상기 복수 패스 사이에 유지 처리를 행하고, 상기 유지 처리 중, 170+[Bi]×5000≤T≤300을 만족시키는 온도 T℃에서의 유지가 1회 이상 4회 이하이고, 상기 탈탄 어닐링 공정에 있어서의 가열 속도가 50℃/초 이상이다.

Description

일 방향성 전자 강판의 제조 방법

본 발명은 일 방향성 전자 강판의 제조 방법에 관한 것이다.

본원은 2015년 04월 02일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2015-075839호에 기초하여 우선권을 주장하며, 그 내용을 여기에 원용한다.

일 방향성 전자 강판은 주로 변압기 등의 정지 유도기의 철심 재료로서 이용된다. 그 때문에 일 방향성 전자 강판에는, 그 특성으로서, 교류로 여자했을 때의 에너지 손실(즉, 철손)이 낮을 것이나, 투자율이 높아 용이하게 여자할 수 있을 것, 소음의 원인이 되는 자기 변형이 작을 것이 요구된다. 종래, 이들 여러 특성을 만족시키는 일 방향성 전자 강판을 제조하기 위하여 많은 개발이 이루어져 왔다. 그 결과, 예를 들어 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 강판에 있어서의 {110}<001> 방위 집적도를 향상시키는 것이 특히 효과가 큰 것이 밝혀져 있다.

강판에 있어서의 {110}<001> 방위 집적도를 향상시키기 위해서는, 1차 재결정에 있어서의 정상 입성장을 억제하고, 이어지는 2차 재결정에 있어서 {110}<001> 방위 입자만을 이상 입성장시키는 것이 중요하다. 이를 위해서는, 인히비터라 칭해지는 강 중 미세 석출물이나 입계 석출 원소를 정밀하게 제어하는 것이 효과적이다.

이러한 제어를 실현하는 방법으로서, 슬래브 가열에 의하여 인히비터를 용체화하고, 이어지는 열간 압연 공정, 열연판 어닐링 공정 및 중간 어닐링 공정에 있어서 인히비터를 균일 미세 석출시키는 기술이 잘 알려져 있다. 이러한 인히비터로서, 예를 들어 특허문헌 1에는 MnS와 AlN을 제어하는 방법, 특허문헌 2에는 MnS와 MnSe를 제어하는 방법, 특허문헌 3에는 CuxS, CuxSe 또는 Cux(Se,S)와 (Al,Si)N을 제어하는 방법이 보고되어 있다.

그러나 특허문헌 1 내지 3의 기술에서는, 충분히 우수한 자기 특성을 안정적으로 얻을 수 없다는 문제가 있었다.

특허문헌 4에는, 초고자속 밀도 일 방향성 전자 강판을 안정적으로 얻기 위한 제조 방법에 있어서, 슬래브 중에 Bi를 함유시키는 수단이 개시되어 있다. 그러나 강 중에 Bi를 포함하면, 함유된 Bi에 기인한다고 생각되는 1차 피막의 밀착성의 열화나, 1차 피막이 형성되기 어려워진다는 문제가 있다. 그 때문에 특허문헌 4의 기술에서는, 양호한 자기 특성이 얻어지더라도 1차 피막의 형성이 불충분한 경우가 있다.

또한 이하의 특허문헌 5에는, Bi를 함유하는 열연판 어닐링 후의 강판을, 목적으로 하는 판 두께까지 냉간 압연하는 공정에서 시효 처리를 실시함으로써, 자기 특성을 향상시키는 기술이 개시되어 있다. 그러나 특허문헌 5에서는, 피막 밀착성에 대하여 검토되어 있지 않으며, 시효 처리가 1차 피막에 어떠한 영향을 미치는지는 분명하지는 않다.

특허문헌 6에는, Bi를 함유하는 냉연판을 100℃/초 이상의 속도로 700℃ 이상까지 가열 또는 10초 이내에 700℃ 이상까지 가열하고, 그 후 700℃ 이상의 온도에서 1초 이상 20초 이하 유지하는 예비 어닐링을 실시한 후에 탈탄 어닐링을 실시하고, 그 후 도포하는 어닐링 분리제 중에 첨가하는 TiO₂양을 증가시킴으로써, 양호한 1차 피막을 형성하는 기술이 개시되어 있다. 그러나 특허문헌 6의 기술에서는, 20㎜φ의 환봉을 따라 제품을 구부리더라도 피막이 박리되지 않도록 하기 위해서는, TiO₂ 첨가량이나 어닐링 분리제의 도포량을 극단적으로 증가시킬 필요가 있는 등 과제가 많다.

일본 특허 공고 소40-15644호 공보 일본 특허 공고 소51-13469호 공보 일본 특허 공개 평10-102149호 공보 일본 특허 공개 평6-88171호 공보 일본 특허 공개 평8-253816호 공보 일본 특허 공개 제2003-096520호 공보

본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 본 발명의 목적은, 1차 피막의 밀착성을 향상시키면서 우수한 자기 특성을 갖는 일 방향성 전자 강판을 저렴하게 얻는 것이 가능한, 일 방향성 전자 강판의 제조 방법을 제공하는 데 있다.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위하여, 슬래브 가열 조건, 냉간 압연 공정에 있어서의 강판의 유지 조건, 및 탈탄 어닐링에 있어서의 가열 속도의 영향 등을 상세히 조사하였다. 그 결과, 슬래브 가열 시에 일단 온도를 저하시키고 재가열하여 압연하는 것, 냉간 압연 공정에 있어서 강판을 소정의 온도 영역으로 유지하는 것, 및 탈탄 어닐링 공정에 있어서 가열 속도를 적정하게 제어함으로써 1차 피막의 밀착성이 향상되는 것을 알아내었다.

이하에서 상세히 설명하는 본 발명은 상기 지견에 기초하여 완성된 것이며, 그 요지는 이하와 같다.

(1) 본 발명의 일 양태에 관한 일 방향성 전자 강판의 제조 방법은, 질량%로, C: 0.030 내지 0.150%, Si: 2.50 내지 4.00%, Mn: 0.02 내지 0.30%, S 및 Se 중 1종 또는 2종: 합계로 0.005 내지 0.040%, 산 가용성 Al: 0.015 내지 0.040%, N: 0.0030 내지 0.0150%, Bi: 0.0003 내지 0.0100%, Sn: 0 내지 0.50%, Cu: 0 내지 0.20%, Sb 및 Mo 중 1종 또는 2종: 합계로 0 내지 0.30%를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불순물로 이루어지는 슬래브를 1150℃ 이상 1300℃ 이하의 T1℃로 가열하여 5분 이상 30시간 이하 유지한 후, 상기 슬래브의 온도를 T1-50℃ 이하의 T2℃까지 저하시키고, 그 후, 상기 슬래브를 1280℃ 이상 1450℃ 이하의 T3℃로 가열하여 5분 이상 60분 이하 유지하는 가열 공정과; 가열된 상기 슬래브를 열간 압연하여 열연 강판을 얻는 열연 공정과; 상기 열연 강판에 복수 패스의 냉간 압연을 행하여 판 두께 0.30㎜ 이하의 냉연 강판을 얻는 냉연 공정과; 상기 냉연 공정 전, 또는 상기 냉연 공정을 일단 중단하고 상기 냉연 공정의 최종 패스보다 전에, 상기 열연 강판에 적어도 1회의 중간 어닐링을 행하는 중간 어닐링 공정과; 상기 냉연 강판을 탈탄 어닐링하는 탈탄 어닐링 공정과; 상기 탈탄 어닐링 후의 상기 냉연 강판에 어닐링 분리재를 도포하는 어닐링 분리재 도포 공정과; 상기 어닐링 분리재 도포 공정 후의 상기 냉연 강판에 마무리 어닐링을 행하는 마무리 어닐링 공정과; 상기 마무리 어닐링 후의 상기 냉연 강판에 절연 피막을 도포하는 2차 피막 도포 공정을 갖고, 상기 중간 어닐링 공정에서는, 1000℃ 이상 1200℃ 이하의 온도에서 5초 이상 180초 이하 유지하는 상기 중간 어닐링을 행하고, 상기 냉연 공정에서는, 상기 복수 패스 사이에, 상기 열연 강판을 130℃ 이상 300℃ 이하의 온도에서 3분 이상 120분 이하로 1회 이상 유지하는 유지 처리를 행하고, 상기 유지 처리 중, 하기 식 (a)를 만족시키는 온도 T℃에서의 유지가 1회 이상 4회 이하이고, 상기 탈탄 어닐링 공정에 있어서의 가열 속도가 50℃/초 이상이다.

170+[Bi]×5000≤T≤300 … (a)

여기서, 상기 식 (1)에 있어서, [Bi]는 상기 슬래브에 있어서의 질량%로의 Bi의 함유량이다.

(2) 상기 (1)에 기재된 일 방향성 전자 강판의 제조 방법은, 상기 슬래브가 질량%로, Sn: 0.05 내지 0.50% 함유해도 된다.

(3) 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 일 방향성 전자 강판의 제조 방법은, 상기 슬래브가 질량%로, Cu를 0.01 내지 0.20% 함유해도 된다.

(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 일 방향성 전자 강판의 제조 방법은, 상기 슬래브가 질량%로, Sb 및 Mo 중 1종 또는 2종을 합계로 0.0030 내지 0.30% 함유해도 된다.

(5) 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 한 항에 기재된 일 방향성 전자 강판의 제조 방법은, 상기 마무리 어닐링 공정에 있어서, 하기 식 (b)에서 산출되는 X값을 0.0003N㎥/(h·㎡) 이상으로 해도 된다.

X=분위기 가스 유량/강판 총 표면적 … (b)

본 발명의 상기 양태에 의하면, 1차 피막의 밀착성을 향상시키면서 우수한 자기 특성을 갖는 일 방향성 전자 강판을 저렴하게 얻는 것이 가능해진다.

도 1은 실시예에 있어서의 시효 처리의 최고 온도와 Bi 함유량의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 2는 실시예에 있어서의 식 (1)을 만족시키는 시효 처리 횟수와 130 내지 300℃에서의 시효 처리 횟수의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 3은 실시예에 있어서의 탈탄 어닐링에서의 가열 속도 및 열연판 어닐링 온도의 바람직한 범위를 나타낸 그래프이다.

이하에, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 일 방향성 전자 강판의 제조 방법(본 실시 형태에 관한 일 방향성 전자 강판의 제조 방법이라 하는 경우가 있음)에 대하여 상세히 설명한다.

(강의 화학 조성에 대하여)

먼저, 본 실시 형태에 관한 일 방향성 전자 강판의 제조 방법에서 사용되는 강의 화학 조성(화학 성분)에 대하여 설명한다.

본 실시 형태에 관한 일 방향성 전자 강판의 제조 방법에서는, 질량%로, C: 0.030 내지 0.150%, Si: 2.50 내지 4.00%, Mn: 0.02 내지 0.30%, S 및 Se 중 1종 또는 2종: 합계로 0.005 내지 0.040%, 산 가용성 Al: 0.015 내지 0.040%, N: 0.0030 내지 0.0150%, Bi: 0.0003 내지 0.0100%를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불순물로 이루어지는 슬래브를 사용한다.

본 실시 형태에 관한 일 방향성 전자의 제조 방법에서 사용되는 슬래브는, 상기 원소를 포함하고 잔부가 Fe 및 불순물로 이루어지는 것을 기본으로 하지만, 상기 슬래브는 Fe의 일부 대신 Sn을 0.05 내지 0.50질량% 더 함유하고 있어도 된다. 또한 상기 슬래브는 Fe의 일부 대신 Cu를 0.01 내지 0.20질량% 더 함유하고 있어도 된다. 또한 상기 슬래브는 Fe의 일부 대신 Sb 및 Mo 중 1종 또는 2종을 합계로 0.0030 내지 0.30질량% 더 함유하고 있어도 된다. 단, Sn, Cu, Sb, Mo는 함유되지 않아도 되므로 그 하한은 0%이다.

[C: 0.030 내지 0.150%]

C(탄소)의 함유량이 0.030% 미만이면, 열간 압연에 앞서 슬래브를 가열할 때 결정립이 이상 입성장하고, 그 결과, 제품에 있어서 선상 미립이라 칭해지는 2차 재결정 불량이 발생한다. 한편, C의 함유량이 0.150% 초과이면, 냉연 공정 후에 행해지는 탈탄 어닐링에 있어서, 탈탄 시간이 장시간 필요해져 경제적이지 않을 뿐 아니라 탈탄이 불완전하게 되기 쉽다. 탈탄이 불완전하면, 제품에 있어서 자기 시효라 칭해지는 자성 불량이 발생하므로 바람직하지 않다. 따라서 C의 함유량을 0.030 내지 0.150%로 한다. C의 함유량은 바람직하게는 0.050 내지 0.100%이다.

[Si: 2.50 내지 4.00%]

Si(규소)는 강의 전기 저항을 높여, 철손의 일부를 구성하는 와전류 손실을 저감시키는 데 극히 유효한 원소이다. 그러나 Si의 함유량이 2.50% 미만인 경우에는 제품의 와전류 손실을 억제할 수 없다. 한편, Si의 함유량이 4.00% 초과인 경우에는 강의 가공성이 현저히 열화되어 상온에서의 냉연이 곤란해진다. 따라서 Si의 함유량을 2.50 내지 4.00%로 한다. Si의 함유량은 바람직하게는 2.90 내지 3.60%이다.

[Mn: 0.02 내지 0.30%]

Mn(망간)은, 2차 재결정을 좌우하는 인히비터라 칭해지는 화합물인 MnS 및/또는 MnSe를 형성하는 중요한 원소이다. Mn의 함유량이 0.02% 미만인 경우에는, 2차 재결정을 발생시키는 데 필요한 MnS 및/또는 MnSe의 절대량이 부족하기 때문에 바람직하지 않다. 한편, Mn의 함유량이 0.30% 초과인 경우에는, 슬래브 가열 시에 Mn을 고용시키는 것이 곤란해져 그 후에 석출되는 MnS 및/또는 MnSe의 양이 감소할 뿐 아니라, 석출 사이즈가 조대화되기 쉬워져 인히비터로서의 최적 사이즈 분포가 손상된다. 따라서 Mn의 함유량을 0.02 내지 0.30%로 한다. Mn의 함유량은 바람직하게는 0.05 내지 0.25%이다.

[S 및/또는 Se: 합계로 0.005 내지 0.040%]

S(황)는 상기 Mn과 반응함으로써 인히비터인 MnS를 형성하는 중요한 원소이고, Se(셀레늄)는 상기 Mn과 반응함으로써 인히비터인 MnSe를 형성하는 중요한 원소이다. MnS와 MnSe는 인히비터로서 마찬가지의 효과를 가지므로, S와 Se는 합계의 함유량이 0.005 내지 0.040%의 범위에 있으면, 어느 한쪽만이 함유되어 있어도 되고 S 및 Se의 양쪽이 함유되어 있어도 된다. 한편, S 및/또는 Se의 함유량의 합계(S 및 Se 중 1종 또는 2종의 함유량의 합계)가 0.005% 미만인 경우나 S 및 Se의 함유량의 합계가 0.040% 초과인 경우에는 충분한 인히비터 효과를 얻을 수 없다. 따라서 S 및/또는 Se의 함유량의 합계를 0.005 내지 0.040%로 할 필요가 있다. S 및/또는 Se의 함유량의 합계는 바람직하게는 0.010 내지 0.035%이다.

[산 가용성 Al: 0.015 내지 0.040%]

산 가용성 알루미늄(sol.Al)은, 고자속 밀도 일 방향성 전자 강판을 얻기 위한 주요 인히비터인 AlN의 구성 원소이다. 산 가용성 Al의 함유량이 0.015% 미만이면 인히비터가 양적으로 부족하여 인히비터 강도가 부족하다. 한편, 산 가용성 Al의 함유량이 0.040% 초과인 경우에는 인히비터로서 석출되는 AlN이 조대화되어, 결과로서 인히비터 강도가 저하된다. 따라서 산 가용성 Al의 함유량을 0.015 내지 0.040%로 한다. 산 가용성 Al의 함유량은 바람직하게는 0.018 내지 0.035%이다.

[N: 0.0030 내지 0.0150%]

N(질소)는 상기 산 가용성 Al과 반응하여 AlN을 형성하는 중요한 원소이다. N의 함유량이 0.0030% 미만인 경우나 N의 함유량이 0.0150% 초과인 경우에는 충분한 인히비터 효과를 얻을 수 없다. 따라서 N의 함유량을 0.0030 내지 0.0150%로 한정한다. N의 함유량은 바람직하게는 0.0050 내지 0.0120%이다.

[Bi: 0.0003 내지 0.0100%]

Bi(비스무트)는 본 실시 형태에 관한 일 방향성 전자 강판의 제조에 있어서, 우수한 자속 밀도를 얻기 위하여 슬래브 중에 함유시키는 필수적인 원소이다. Bi의 함유량이 0.0003% 미만이면 자속 밀도 향상 효과를 충분히 얻을 수 없다. 한편, Bi의 함유량이 0.0100% 초과이면, 자속 밀도 향상 효과가 포화될 뿐 아니라 1차 피막의 밀착 불량의 가능성이 높아진다. 따라서 Bi의 함유량을 0.0003 내지 0.0100%로 한다. Bi의 함유량은 바람직하게는 0.0005 내지 0.0090%이고, 더욱 바람직하게는 0.0007 내지 0.0080%이다.

[Sn: 0 내지 0.50%]

Sn(주석)은 반드시 함유시킬 필요는 없지만, 박형 제품의 2차 재결정을 안정적으로 얻는 데 유효한 원소이다. 또한 Sn은 2차 재결정립을 작게 하는 작용을 갖는 원소이기도 하다. 이들 효과를 얻기 위해서는 0.05% 이상의 Sn의 함유가 필요하다. 따라서 Sn을 함유시키는 경우, Sn의 함유량을 0.05% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한 Sn의 함유량을 0.50% 초과로 하더라도 효과가 포화된다. 그 때문에 비용의 관점에서, 함유시키는 경우에도 Sn의 함유량을 0.50% 이하로 하는 것이 바람직하다. Sn의 함유량은, 보다 바람직하게는 0.08 내지 0.30%이다.

[Cu: 0 내지 0.20%]

Cu(구리)는 반드시 함유시킬 필요는 없지만, Sn을 함유하는 강의 1차 피막 향상에 유효한 원소이다. Cu의 함유량이 0.01% 미만인 경우에는 상기 1차 피막 향상 효과가 적으므로, 이 효과를 얻는 경우, Cu의 함유량을 0.01% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 한편, Cu의 함유량이 0.20% 초과로 되면 자속 밀도가 저하되므로 바람직하지 않다. 따라서 함유시키는 경우에도 Cu의 함유량을 0.01 내지 0.20%로 하는 것이 바람직하다. Cu의 함유량은, 보다 바람직하게는 0.03 내지 0.18%이다.

[Sb 및/또는 Mo: 합계로 0 내지 0.30%]

Sb(안티몬) 및 Mo(몰리브덴)은 반드시 함유시킬 필요는 없지만, 박형 제품의 2차 재결정을 안정적으로 얻는 원소로서 유효하다. 상기 효과를 보다 확실히 얻기 위해서는 Sb 및/또는 Mo의 함유량의 합계(Sb 및 Mo 중 1종 또는 2종의 함유량의 합계)를 0.0030% 이상으로 하는 것이 바람직하다. Sb와 Mo는, 어느 한쪽이 함유되어 있어도 되고 Sb 및 Mo의 양쪽이 함유되어 있어도 된다. 한편, Sb 및/또는 Mo의 함유량의 합계가 0.30% 초과로 되면 상기 효과가 포화된다. 따라서 함유시키는 경우에도 Sb 및/또는 Mo의 함유량의 합계는 0.30% 이하로 하는 것이 바람직하다. Sb 및 Mo의 함유량의 합계는, 보다 바람직하게는 0.0050 내지 0.25%이다.

(일 방향성 전자 강판의 제조 공정에 대하여)

계속해서, 본 실시 형태에 관한 일 방향성 전자 강판의 제조 방법이 포함하는 제조 공정에 대하여 상세히 설명한다. 이하에서 상세히 설명하는 제조 공정을 포함하는 제조 방법에 의하면, 트랜스 등의 철심 재료에 사용되는, 자기 특성이 우수한 일 방향성 전자 강판을 저렴하게 제공하는 것이 가능해진다.

<가열 공정>

열간 압연에 앞서, 상기 범위로 성분을 조정한 슬래브를 가열한다. 슬래브는 상기 범위로 성분을 조정한 용강을 주조함으로써 얻어지는데, 주조 방법은 특별히 한정되는 것은 아니며, 일반적인 일 방향성 전자 강판 제조용의 용강의 주조 방법을 적용할 수 있다.

본 실시 형태에 관한 일 방향성 전자 강판의 제조 방법에서는, 상기와 같은 성분을 갖는 슬래브를 가열할 때 슬래브를 1150℃ 이상 1300℃ 이하의 T1℃로 가열하고, T1℃에서 5분 이상 30시간 이하 유지(균열(均熱))한다. 그 후, 슬래브의 온도를 T1-50℃ 이하의 T2℃(즉, T1-T2≥50)까지 저하시킨다. 그 후에 다시 슬래브를 1280℃ 내지 1450℃의 T3℃로 가열하고, T3℃에서 5분 이상 60분 이하 유지한다. T1이 1150℃보다도 낮거나, T3이 1280℃보다도 낮거나, 또는 T1℃ 및/또는 T3℃에서의 유지 시간이 5분 미만으로 짧은 경우에는, 원하는 자기 특성을 얻을 수 없다. 특히 자기 특성은 재가열 후의 유지 온도의 영향이 크므로, T3은 바람직하게는 1300℃ 이상이다. 한편, 가열 온도가 지나치게 높으면 특수한 설비가 필요해져 제조 비용이 증가한다. 그 때문에, T3은 바람직하게는 1400℃ 이하이다.

또한 T1℃ 또는 T3℃에서의 유지 시간이 길면 생산성이 열화되어 제조 비용이 증가한다. 그 때문에, T1℃에서의 유지 시간은 30시간 이하이며, 25시간 이하인 것이 바람직하다. 또한 T3℃에서의 유지 시간은 60분 이하이며, 50분 이하인 것이 바람직하다.

또한 T1-T2가 50℃ 미만(T1-T2<50)인 경우, 피막 밀착성이 열화된다. 이 메커니즘은 분명하지는 않지만, 슬래브 가열 및 열간 압연 중의 스케일 형성 및 탈스케일의 거동이 변화됨으로써 강판의 표면 성상이 변화되는 것에 기인한다고 생각된다. 한편, T1-T2가 지나치게 크면, T2℃로부터 T3℃로 가열하기 위하여 특수한 설비가 필요해진다. 따라서 T1-T2는 200℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 즉, 50≤T1-T2≤200인 것이 바람직하다.

본 실시 형태에 있어서, 슬래브의 온도는 표면 온도이다. 또한 T1℃로부터 T2℃로의 온도의 저하는 수랭, 공랭 등 중 어느 방법으로 행해도 되지만, 공랭(방랭)으로 하는 것이 바람직하다.

<열연 공정>

상기 가열 공정에서 가열된 슬래브를 열간 압연하여 열연 강판을 얻는다. 열간 압연의 조건은 특별히 한정될 필요는 없으며, 일반적인 일 방향성 전자 강판에 적용되는 조건을 채용하면 된다.

<냉연 공정>

냉연 공정에 있어서는, 복수 패스를 포함하는 냉간 압연을 실시하여 판 두께가 0.30㎜ 이하인 냉연 강판을 얻는다. 냉연 공정 후의 판 두께가 0.30㎜ 초과인 경우에는 철손이 열화된다. 따라서 냉연 공정 후의 판 두께는 0.30㎜ 이하로 한다. 냉연 공정 후의 판 두께는 바람직하게는 0.27㎜ 이하이다. 또한 냉연 공정 후의 판 두께 하한값은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 0.10㎜ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.15㎜ 이상이다.

또한 냉연 공정에 있어서는, 패스 사이에 있어서, 강판을 130℃ 이상 300℃ 이하의 온도에서 3분 이상 120분 이하 유지하는 유지 처리(시효 처리)를 1회 이상 행한다. 단, 상기 유지 중, 하기 식 (1)을 만족시키는 온도 T℃에서의 3분 이상 120분 이하의 유지 처리(시효 처리)를 1회 이상 4회 이하 행할 필요가 있다.

170+[Bi]×5000≤T≤300 … (1)

여기서, 상기 식 (1)에 있어서, [Bi]는 슬래브에 있어서의 Bi의 함유량[단위:질량%]이다.

시효 처리를 행하지 않거나, 시효 처리의 온도가 130℃ 미만이거나, 또는 유지 시간이 3분 미만인 경우에는, 원하는 자기 특성을 얻을 수 없다. 한편, 시효 처리 온도를 300℃ 초과로 하는 경우, 특수한 설비가 필요해져 제조 비용이 증가하므로 바람직하지 않다. 또한 유지 시간을 120분 초과로 하면, 생산성이 열화되어 제조 비용이 증가하므로 바람직하지 않다.

또한 상기와 같은 조건의 시효 처리를 1회 이상 실시한 경우에도, 식 (1)을 만족시키는 시효 처리를 포함하지 않거나, 또는 식 (1)을 만족시키는 시효 처리를 4회 초과 실시하면, 피막 밀착성이 열화된다. 바람직한 시효 처리 조건은 이하의 (1')에 나타낸 바와 같다.

냉간 압연 공정의 유지 처리(시효 처리)에 있어서는, 상기 조건 대신 이하의 조건에서 행하는 것이 바람직하다. 즉, 140℃ 이상 300℃ 이하의 온도에서 5분 이상 120분 이하 유지하는 시효 처리를 2회 이상 행하고, 또한 그 시효 처리 중, 하기 식 (1')을 만족시키는 온도 T℃에서 5분 이상 120분 이하 유지하는 시효 처리를 1회 이상 4회 이하로 하는 것이 바람직하다. 이 조건을 만족시킴으로써 보다 안정적으로 피막 밀착성이 향상된다.

175+[Bi]×5000≤T≤300 … (1')

<중간 어닐링 공정>

냉연 공정 전(열연 공정과 냉연 공정 사이), 또는 냉연 공정의 복수 패스 사이(냉연 공정을 일단 중단하고 냉연 공정의 최종 패스보다 전)에, 열연 강판에 적어도 1회(바람직하게는 1회 또는 2회)의 중간 어닐링을 행한다. 즉, 냉간 압연 전의 열연 강판에 어닐링(소위 열연판 어닐링)한 후에 냉간 압연을 행하거나, 또는 열연판 어닐링을 실시하지 않고 중간 어닐링을 포함하는 복수 패스의 냉간 압연을 행하거나, 또는 열연판 어닐링 후에 중간 어닐링을 포함하는 복수 패스의 냉간 압연을 실시하게 된다.

중간 어닐링 공정에서는, 1000℃ 이상 1200℃ 이하의 온도에서 5초 이상 180초 이하 유지하는 어닐링을 실시한다. 어닐링 온도가 1000℃ 미만인 경우에는 원하는 자기 특성 및 피막 밀착성을 얻을 수 없다. 한편, 온도가 1200℃ 초과인 경우에는 특수한 설비가 필요해져 제조 비용이 증가한다. 따라서 어닐링 온도를 1000℃ 이상 1200℃ 이하로 한다. 어닐링 온도는 바람직하게는 1030℃ 이상 1170℃ 이하이다.

또한 어닐링 시간이 5초 미만인 경우에는 원하는 자기 특성 및 피막 밀착성을 얻을 수 없다. 한편, 어닐링 시간이 180초 초과인 경우에는 특수한 설비가 필요해져 제조 비용이 증가한다. 따라서 본 실시 형태에서는, 어닐링 시간은 5초 이상 180초 이하로 한다. 어닐링 시간은 바람직하게는 10초 이상 120초 이하이다.

<탈탄 어닐링 공정>

냉연 공정 후의 냉연 강판에 대하여 탈탄 어닐링을 실시한다. 여기서, 탈탄 어닐링의 가열 시의 가열 속도를 50℃/초 이상으로 한다. 탈탄 어닐링의 가열 온도, 시간 등은, 일반적인 일 방향성 전자 강판에 적용되는 조건을 채용하면 된다.

탈탄 어닐링 시의 가열 속도가 50℃/초 미만인 경우에는, 원하는 자기 특성 및 피막 밀착성을 얻을 수 없다. 따라서 가열 속도를 50℃/초 이상으로 한다. 가열 속도는 바람직하게는 80℃/초 이상이다. 가열 속도의 상한에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 과도하게 가열 속도를 높이기 위해서는 특수한 설비가 필요해지기 때문에 2000℃/초 이하로 하는 것이 바람직하다.

<어닐링 분리재 도포 공정>

<마무리 어닐링 공정>

탈탄 어닐링 후의 냉연 강판에 어닐링 분리재를 도포하고 마무리 어닐링을 행한다. 이것에 의하여 냉연 강판의 표면에 피막(1차 피막)이 형성된다.

마무리 어닐링 시에 사용하는 분위기 가스는 특별히 한정되는 것은 아니며, 질소와 수소가 함유된 가스 등 일반적으로 사용되는 분위기 가스를 사용하면 된다. 또한 어닐링 분리재 도포 및 마무리 어닐링의 방법이나 조건은, 일반적인 일 방향성 전자 강판에 적용되는 방법이나 조건을 채용하면 된다. 어닐링 분리재는, 예를 들어 MgO를 주성분으로 한 어닐링 분리재를 사용하면 되며, 이 경우, 마무리 어닐링 후에 형성되는 피막은 포르스테라이트(Mg₂SiO₄)를 포함하는 것으로 된다.

마무리 어닐링 공정에 있어서는, 이하의 식 (2)에서 산출되는 X값을 0.0003N㎥/(h·㎡) 이상으로 하는 것이 바람직하다. X값이 0.0003N㎥/(h·㎡) 이상이면 보다 피막 밀착성이 향상된다.

X=분위기 가스 유량/강판 총 표면적 … (2)

여기서 분위기 가스 유량이란, 박스 어닐링을 행한 경우에는 분위기 가스의 투입량이다. 또한 강판 총 표면적이란, 분위기와 접촉하는 강판의 면적이며, 박강판에 있어서는, 강판의 표리면의 면적의 합계이다.

상기 식 (2)에서 산출되는 X값은, 보다 바람직하게는 0.0005N㎥/(h·㎡) 이상이다. 한편, X값의 상한에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 제조 비용의 관점에서 0.0030N㎥/(h·㎡) 이하로 하는 것이 바람직하다.

<2차 피막 도포 공정>

1차 피막이 형성된 강판(냉연 강판)에 절연 피막을 도포한다. 이것에 의하여 강판 상에 2차 피막이 형성된다. 도포의 방법에 대해서는 특별히 한정되지 않으며, 일반적인 일 방향성 전자 강판에 적용되는 방법이나 조건을 채용하면 된다.

<레이저 조사 공정>

2차 피막이 형성된 강판에 임의로 레이저 조사를 행해도 된다. 레이저의 조사에 의하여 피막에 홈을 형성하거나 또는 피막에 변형을 부여함으로써, 자구 세분화에 의하여 일 방향성 전자 강판의 자기 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.

이상과 같이 하여 제조되는 일 방향성 전자 강판은, 자속 밀도 B8의 값이 1.92T 이상으로 우수한 자속 밀도를 가지며, 피막 밀착성도 양호해진다.

가열 조건, 최종 냉연 전의 중간 어닐링 조건, 냉간 압연에서의 시효 처리 조건, 탈탄 어닐링에서의 가열 속도 등을 적정한 범위로 함으로써 피막 밀착성이 개선되는 이유는 분명하지는 않지만, 강판의 표면 성상의 변화에 기인한다고 추정된다.

또한 상기 자속 밀도나 각종 철손 등과 같은 자기 특성의 측정 방법에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 JIS C 2550에 규정되어 있는 엡스타인 시험에 기초하는 방법이나, JIS C 2556에 규정되어 있는 단판 자기 특성 시험법(Single Sheet Tester:SST) 등, 공지된 방법에 의하여 측정하는 것이 가능하다.

실시예

이하에, 실시예를 나타내면서 본 발명에 관한 일 방향성 전자 강판의 제조 방법에 대하여 구체적으로 설명한다. 이하에 나타내는 실시예는 본 발명에 관한 일 방향성 전자 강판의 제조 방법의 일례에 불과하다. 그 때문에, 본 발명에 관한 일 방향성 전자 강판의 제조 방법은 이하에 나타내는 실시예에 한정되지 않는다.

(실시예 1)

C: 0.080%, Si: 3.20%, Mn: 0.07%, S: 0.023%, 산 가용성 Al: 0.026%, N: 0.0090%, Bi: 0.0015%를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불순물인 슬래브를 표면 온도로 1130℃ 이상 1280℃ 이하의 온도 T1℃까지 가열하여 5시간 유지하였다. 그 후, 슬래브를 표면 온도로 1050℃ 이상 1220℃ 이하의 온도 T2℃까지 저하시켰다. 그 후, 슬래브를 표면 온도로 1350℃까지 승온하여 20분 유지하였다. 그 후, 슬래브에 열간 압연을 행하여 2.3㎜ 두께의 열연 코일을 얻었다.

그리고 상기 열연 코일에 대하여, 1120℃의 온도에서 20초 유지하는 중간 어닐링(열연판 어닐링)을 실시한 후, 냉간 압연을 행하여 0.22㎜ 두께의 냉연 강판을 얻었다. 그 후, 냉연 강판에 대하여, 가열 온도가 850℃이고 유지 시간이 120초로 되는 조건에서 탈탄 어닐링을 실시하였다. 이때의 가열 속도는 300℃/초로 하였다.

다음으로, MgO를 주성분으로 하는 어닐링 분리재를 냉연 강판에 도포한 후, 질소:수소=3:1로 구성된 분위기 가스 중에서, 가스 유량을 분위기 가스 유량/강판 총 표면적을 0.0008N㎥/(h·㎡)로 하고 마무리 어닐링을 실시하였다. 그 후, 2차 피막(절연 피막)의 도포를 행하였다.

얻어진 강판을 이용하여, JIS C 2556에 규정되어 있는 단판 자기 측정(SST)에 의하여 800A/m로 자화했을 때의 자속 밀도 B8을 측정함과 함께, 피막의 밀착성의 평가를 행하였다. 피막 밀착성은 이하의 평점 A 내지 D로 평가하였다. 즉, 10φ 굽힘 시험에서 박리되지 않은 경우를 A, 20φ 굽힘 시험에서 박리되지 않은 경우를 B, 30φ 굽힘 시험에서 박리되지 않은 경우를 C, 30φ 굽힘 시험에서 박리된 경우를 D로 평가하여, A 및 B를 합격으로 하였다. 또한 자속 밀도 B8은 1.92T 이상을 합격으로 하였다.

결과를 표 1에 나타낸다. 강판 No. 3, 5, 6은 본 발명 범위를 만족시키는 제조 방법이며, 자속 밀도, 피막 평점이 목표값을 만족시키고 있다. 한편, 강판 No. 1은 가열 시의 슬래브 표면 온도(T1)가 소정의 온도보다도 낮아, 원하는 자기 특성이 얻어져 있지 않다. 강판 No. 2는 가열 시의 슬래브 표면 온도(T1)가 소정의 온도보다도 낮고, 또한 T1과 T2의 온도 차가 작았으므로, 원하는 자기 특성과 피막 평점이 얻어져 있지 않다. 강판 No. 4는 T1과 T2의 온도 차가 소정의 범위보다도 작아, 원하는 피막 평점이 얻어져 있지 않다.

(실시예 2)

C: 0.080%, Si: 3.20%, Mn: 0.08%, S: 0.025%, 산 가용성 Al: 0.024%, N: 0.0080%, Bi: 0.0007% 이상 0.015% 이하를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불순물인 슬래브를 표면 온도로 1200℃(T1℃)까지 승온하여 5시간 유지하였다. 그 후, 슬래브를 표면 온도로 1100℃(T2℃)까지 저하시킨 후, 1350℃(T3℃)까지 승온하여 30분 유지한 후, 열간 압연에 의하여 2.3㎜ 두께의 열연 코일로 하였다.

상기 열연 코일에 대하여, 1100℃의 온도에서 30초 유지하는 열연판 어닐링을 실시하고, 시효 처리를 포함하는 냉간 압연에 의하여 0.22㎜ 두께의 냉연 강판으로 하였다. 이때, 시효 처리의 온도, 시간, 횟수를 다양하게 변화시켰다.

그 후, 냉연 강판에 대하여, 850℃에서 유지 시간이 150초로 되도록 탈탄 어닐링을 실시하였다. 탈탄 어닐링의 가열 속도는 350℃/초로 하였다.

다음으로, MgO를 주성분으로 하는 어닐링 분리재를 도포한 후, 질소:수소=3:1로 구성된 분위기 가스 중에서, 가스 유량을 분위기 가스 유량/강판 총 표면적을 0.0006N㎥/(h·㎡)로 하고 마무리 어닐링을 실시하였다. 그 후, 2차 피막 도포를 행하였다.

표 2에 Bi 함유량과, 냉연 공정에 있어서의 시효 처리 조건을 나타낸다.

얻어진 강판을 이용하여, 단판 자기 측정(SST)에 의하여 800A/m로 자화했을 때의 자속 밀도 B8을 측정함과 함께, 피막의 밀착성의 평가를 행하였다. 평가의 방법, 합격의 기준은 실시예 1과 동일하게 하였다.

자속 밀도 B8 및 피막 밀착성을 나타내는 평점을 표 2에 나타낸다. 또한 시효 처리의 최고 온도와 Bi 함유량의 관계를 도 1에 나타내고, 식 (1)을 만족시키는 시효 처리 횟수와 130 내지 300℃의 시효 처리 횟수의 관계를 도 2에 나타내었다.

강판 No. 7에 나타낸 바와 같이, 시효 처리를 실시하지 않았을 경우에는 원하는 자기 특성을 얻을 수 없었다. 강판 No. 8 내지 10에 나타낸 바와 같이, 식 (1)을 만족시키는 온도에서의 시효 처리를 실시하지 않았거나 또는 횟수가 많았을 경우에는 피막 평점이 C 또는 D로 되어 열위였다. 또한 강판 No. 11에 나타낸 바와 같이, Bi 함유량이 0.0100%를 초과한 경우에는 피막 평점이 C로 되어 열위였다.

한편, 강판 No. 12 내지 18에 나타낸 바와 같이, 시효 처리 조건이 적정한 경우에는 자기 특성, 피막 평점이 모두 우수하였다.

(실시예 3)

C: 0.078%, Si: 3.25%, Mn: 0.07%, S: 0.024%, 산 가용성 Al: 0.026%, N: 0.0082%, Bi: 0.0024%를 함유하는 슬래브를, 슬래브 표면 온도가 1180℃(T1℃)로 되기까지 가열하여 1시간 유지하였다. 그 후, 슬래브 표면 온도를 1090℃(T2℃)로 되기까지 저하시킨 후, 슬래브 표면 온도가 1360℃(T3℃)로 되기까지 승온하여 45분 유지하였다. 그 후, 슬래브를 열간 압연에 의하여 2.3㎜ 두께의 열연 코일로 하였다.

상기 열연 코일에 대하여, 950℃ 이상 1150℃ 이하의 온도로 50초 유지하는 열연판 어닐링을 실시한 후, 냉간 압연에 의하여 판 두께 0.22㎜의 냉연 강판으로 하였다. 또한 냉간 압연에 있어서, 160℃의 온도에서 30분 유지하는 시효 처리를 2회, 및 240℃의 온도에서 30분 유지하는 시효 처리를 1회 행하였다.

그 후, 이 냉연 강판에 대하여, 820℃에서 150초 유지하는 탈탄 어닐링을 실시하였다. 이때, 탈탄 어닐링 시의 가열 속도를 20℃/초 이상 400℃/초 이하로 하였다. 다음으로, MgO를 주성분으로 하는 어닐링 분리재를 도포한 후, 질소:수소=2:1로 구성된 분위기 가스에서, 가스 유량을 분위기 가스 유량/강판 총 표면적을 0.0010N㎥/(h·㎡)로 하고 마무리 어닐링을 실시하였다. 그 후, 2차 피막 도포를 행하였다.

표 3에 중간 어닐링(열연판 어닐링) 온도 및 탈탄 어닐링 공정에 있어서의 가열 속도를 나타낸다.

또한 얻어진 강판의 자속 밀도 B8 및 1차 피막의 피막 평점을 상기 실시예 1, 실시예 2와 마찬가지로 하여 평가하였다. 결과를 표 3에 나타낸다. 또한 탈탄 어닐링에서의 가열 속도와 열연판 어닐링 온도의 바람직한 범위를 도 3에 나타낸다.

강판 No. 19 내지 20에 나타낸 바와 같이, 열연판 어닐링 온도가 낮으면 피막 평점이 C로 되어 열위였다. 또한 강판 No. 21에 나타낸 바와 같이, 탈탄 어닐링에서의 가열 속도가 느리면 자기 특성 및 피막 평점의 양쪽이 열위였다.

한편, 강판 No. 22 내지 26에 나타낸 바와 같이, 열연판 어닐링 조건과 탈탄 어닐링에서의 가열 속도가 적정한 범위인 경우에는 자기 특성 및 피막 평점이 모두 우수하였다.

(실시예 4)

표 4에 나타내는 성분의 슬래브(잔부 Fe 및 불순물)를 표면 온도가 1210℃(T1℃)로 되기까지 가열하여 2시간 유지하였다. 그 후, 표면 온도를 1100℃(T2℃)로 저하시킨 후, 표면 온도를 1320℃ 이상 1450℃ 이하의 온도(T3℃)까지 가열하여 10분 유지한 후, 열간 압연을 실시하여 판 두께 2.0㎜ 이상 2.4㎜ 이하의 열연 강판으로 하였다. 이들 열연 강판에, 1000℃ 이상 1150℃ 이하의 온도에서 10초 유지하는 중간 어닐링(열연판 어닐링)을 실시하였다. 이들 어닐링 강판의 일부를 냉간 압연에 의하여 판 두께 0.22㎜로 하며, 나머지는 판 두께 1.9㎜ 이상 2.1㎜ 이하의 중간 판 두께로 하고, 1080℃ 이상 1100℃ 이하의 온도에서 20초 유지하는 중간 어닐링을 실시한 후, 냉간 압연에 의하여 판 두께 0.22㎜로 하였다. 또한 최종 판 두께로 하는 냉간 압연에 있어서, 160℃의 온도에서 20분 유지하는 시효 처리를 1회, 및 250℃의 온도에서 5분 유지하는 시효 처리를 1회 실시하였다. 그 후, 이들 냉연 강판에 800℃의 온도에서 180초 유지하는 탈탄 어닐링을 실시하였다.

다음으로, 냉연 강판에 MgO를 주성분으로 하는 어닐링 분리재를 도포한 후, 질소:수소=1:2로 구성된 분위기 가스 중에서, 가스 유량을 분위기 가스 유량/강판 총 표면적이 0.0025N㎥/(h·㎡)로 되도록 하고 마무리 어닐링을 실시하였다.

그 후, 2차 피막 도포 및 레이저 조사에 의한 자구 세분화 처리를 실시하였다.

표 5에 각 공정에 있어서의 처리 조건을 나타낸다. 또한 자속 밀도 B8 및 피막 평점을 상기 실시예 1 내지 3과 마찬가지로 하여 평가한 결과를 함께 표 5에 나타내었다.

표 5로부터 밝혀진 바와 같이, 강판 No. 27 내지 34는 성분 및 제조 공정의 조건이 소정의 범위 내이기 때문에 원하는 자기 특성 및 피막 평점을 얻을 수 있었다.

이상, 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태 및 실시예에 대하여 상세히 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 본 발명이 속하는 기술의 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 자이면, 특허청구범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에서 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명확하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.

본 발명에 의하면, 1차 피막의 밀착성을 향상시키면서 우수한 자기 특성을 갖는 일 방향성 전자 강판을 저렴하게 얻는 것이 가능해진다.

Claims

질량%로,
C: 0.030 내지 0.150%,
Si: 2.50 내지 4.00%,
Mn: 0.02 내지 0.30%,
S 및 Se 중 1종 또는 2종: 합계로 0.005 내지 0.040%,
산 가용성 Al: 0.015 내지 0.040%,
N: 0.0030 내지 0.0150%,
Bi: 0.0003 내지 0.0100%,
Sn: 0 내지 0.50%,
Cu: 0 내지 0.20%,
Sb 및 Mo 중 1종 또는 2종: 합계로 0 내지 0.30%
를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불순물로 이루어지는 슬래브를 1150℃ 이상 1300℃ 이하의 T1℃로 가열하여 5분 이상 30시간 이하 유지한 후, 상기 슬래브의 온도를 T1-50℃ 이하의 T2℃까지 저하시키고, 그 후, 상기 슬래브를 1280℃ 이상 1450℃ 이하의 T3℃로 가열하여 5분 이상 60분 이하 유지하는 가열 공정과;
가열된 상기 슬래브를 열간 압연하여 열연 강판을 얻는 열연 공정과;
상기 열연 강판에 복수 패스의 냉간 압연을 행하여 판 두께 0.30㎜ 이하의 냉연 강판을 얻는 냉연 공정과;
상기 냉연 공정 전, 또는 상기 냉연 공정을 일단 중단하고 상기 냉연 공정의 최종 패스보다 전에, 상기 열연 강판에 적어도 1회의 중간 어닐링을 행하는 중간 어닐링 공정과;
상기 냉연 강판을 탈탄 어닐링하는 탈탄 어닐링 공정과;
상기 탈탄 어닐링 후의 상기 냉연 강판에 어닐링 분리재를 도포하는 어닐링 분리재 도포 공정과;
상기 어닐링 분리재 도포 공정 후의 상기 냉연 강판에 마무리 어닐링을 행하는 마무리 어닐링 공정과;
상기 마무리 어닐링 후의 상기 냉연 강판에 절연 피막을 도포하는 2차 피막 도포 공정
을 갖고,
상기 중간 어닐링 공정에서는, 1000℃ 이상 1200℃ 이하의 온도에서 5초 이상 180초 이하 유지하는 상기 중간 어닐링을 행하고,
상기 냉연 공정에서는, 상기 복수 패스 사이에, 상기 열연 강판을 130℃ 이상 300℃ 이하의 온도에서 3분 이상 120분 이하로 1회 이상 유지하는 유지 처리를 행하고,
상기 유지 처리 중, 하기 식 (1)을 만족시키는 온도 T℃에서의 유지가 1회 이상 4회 이하이고,
상기 탈탄 어닐링 공정에 있어서의 가열 속도가 50℃/초 이상인
것을 특징으로 하는, 일 방향성 전자 강판의 제조 방법.
170+[Bi]×5000≤T≤300 … (1)
여기서, 상기 식 (1)에 있어서, [Bi]는 상기 슬래브에 있어서의 질량%로의 Bi의 함유량이다.
제1항에 있어서, 상기 슬래브가 질량%로, Sn: 0.05 내지 0.50% 함유하는 것을 특징으로 하는, 일 방향성 전자 강판의 제조 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 슬래브가 질량%로, Cu를 0.01 내지 0.20% 함유하는 것을 특징으로 하는, 일 방향성 전자 강판의 제조 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬래브가 질량%로, Sb 및 Mo 중 1종 또는 2종을 합계로 0.0030 내지 0.30% 함유하는 것을 특징으로 하는, 일 방향성 전자 강판의 제조 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마무리 어닐링 공정에 있어서, 하기 식 (2)에서 산출되는 X값을 0.0003N㎥/(h·㎡) 이상으로 하는 것을 특징으로 하는, 일 방향성 전자 강판의 제조 방법.
X=분위기 가스 유량/강판 총 표면적 … (2)