KR20170109718A - 디스플레이 장치 - Google Patents

디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170109718A
KR20170109718A KR1020160033302A KR20160033302A KR20170109718A KR 20170109718 A KR20170109718 A KR 20170109718A KR 1020160033302 A KR1020160033302 A KR 1020160033302A KR 20160033302 A KR20160033302 A KR 20160033302A KR 20170109718 A KR20170109718 A KR 20170109718A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
disposed
touch
touch sensor
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020160033302A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102562627B1 (ko
Inventor
복승룡
김무겸
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160033302A priority Critical patent/KR102562627B1/ko
Priority to US15/373,877 priority patent/US10338712B2/en
Priority to CN202111151192.2A priority patent/CN113920887A/zh
Priority to CN201710169205.6A priority patent/CN107230434B/zh
Publication of KR20170109718A publication Critical patent/KR20170109718A/ko
Priority to US16/420,660 priority patent/US11500484B2/en
Priority to US17/986,718 priority patent/US11861092B2/en
Priority to KR1020230098938A priority patent/KR20230117314A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102562627B1 publication Critical patent/KR102562627B1/ko
Priority to US18/530,598 priority patent/US20240103653A1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412Digitisers structurally integrated in a display
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338Input devices, e.g. touch panels
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H05B33/145Arrangements of the electroluminescent material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40OLEDs integrated with touch screens
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04105Pressure sensors for measuring the pressure or force exerted on the touch surface without providing the touch position
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

디스플레이 장치를 개시한다. 본 발명은 복수의 서브 픽셀 영역이 배치된 디스플레이 기판;과, 디스플레이 기판 상에 배치된 발광 다이오드;와, 디스플레이 기판 상에 배치되며, 적어도 하나의 터치 전극을 가지는 터치 센서 전극;과, 서브 픽셀 영역들을 분리하는 뱅크;를 포함하되, 서브 픽셀 영역은 발광 다이오드가 배치된 제 1 영역과, 터치 센서 전극이 배치된 제 2 영역을 포함한다.

Description

디스플레이 장치{Display device}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 P-N 다이오드에 순방향으로 전압을 인가하면, 정공과 전자가 주입되고, 정공과 전자의 재결합으로 발생되는 에너지를 빛 에너지로 변환시키는 반도체 소자이다.
발광 다이오드는 스마트 폰, 랩 탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 휴대 정보 단말기, 태블릿 퍼스널 컴퓨터, 와치(watch)와 같은 모바일 장치나, 데스크 탑 컴퓨터, 텔레비전, 옥외 광고판, 전시용 디스플레이 장치, 자동차용 계기판, 헤드업 디스플레이(Head UP Display, HUD)와 같은 전자 장치에 이용할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 발광 다이오드를 이용하여 화상을 표시하고, 터치 스크린을 이용하여 터치 기능을 실행하는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 디스플레이 장치는, 복수의 서브 픽셀 영역이 배치된 디스플레이 기판;과, 상기 디스플레이 기판 상에 배치된 발광 다이오드;와, 상기 디스플레이 기판 상에 배치되며, 적어도 하나의 터치 전극을 가지는 터치 센서 전극;와, 상기 서브 픽셀 영역들을 분리하는 뱅크;를 포함하되, 상기 서브 픽셀 영역은 상기 발광 다이오드가 배치된 제 1 영역과, 상기 터치 센서 전극이 배치된 제 2 영역을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 각각의 서브 픽셀 영역은 상기 뱅크에 의하여 둘러싸인 개구부에 배치되며, 상기 발광 다이오드가 배치된 제 1 영역과, 상기 터치 센서 전극이 배치된 제 2 영역은 각 서브 픽셀 영역 내에 인접하게 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광 다이오드는 제 1 컨택 전극, 제 2 컨택 전극, 및 제 1 컨택 전극 과 제 2 컨택 전극 사이에 배치된 p-n 다이오드를 포함하며, 상기 제 1 컨택 전극은 상기 발광 다이오드의 하부에 배치되며, 박막 트랜지스터에 연결된 제 1 전극에 전기적으로 접속되고, 상기 제 2 컨택 전극은 상기 발광 다이오드 상부에 배치된 제 2 전극에 전기적으로 접속될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극은 상기 제 1 전극과 동일한 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극은 상기 제 2 전극과 동일한 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 개구부에는 상기 발광 다이오드를 매립하는 충진층이 배치되고, 상기 터치 센서 전극은 상기 충진층 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극은 단일 터치 전극의 커패시턴스 변화량을 감지하는 셀프 정전 용량 방식으로 구동하는 전극에 대응되며, 상기 터치 센서 전극에는 이의 전기적 신호를 외부 장치와 상호 전달하는 각각의 터치 센서 배선이 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극은 상기 제 1 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 개구부에는 상기 발광 다이오드 및 터치 센서 전극을 매립하는 충진층이 배치되고, 상기 충진층 상에는 컨택 홀을 통하여 상기 터치 센서 전극에 전기적으로 연결된 상기 터치 센서 배선이 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 개구부에는 상기 발광 다이오드를 매립하는 충진층이 배치되고, 상기 터치 센서 전극은 상기 충진층 상에 배치되고, 상기 제 2 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 터치 센서 전극 상에는 상기 터치 센서 배선이 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극은 상기 제 1 터치 전극 및 제 2 터치 전극 상호 간에 형성된 커패시턴스 변화량을 감지하는 상호 정전 용량 방식으로 구동하는 전극에 대응될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 터치 전극 및 제 2 터치 전극은 상기 제 1 전극, 또는, 제 2 전극과 동일한 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 복수의 제 1 터치 전극은 상기 제 1 터치 전극에 대하여 다른 층에 배치된 연결 배선에 의하여 전기적으로 연결되며, 제 2 터치 전극은 각각의 터치 센서 배선에 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 터치 전극과 제 2 터치 전극은 서로 다른 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 터치 전극은 상기 박막 트랜지스터에 구비된 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극중 어느 하나의 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 제 2 터치 전극은 상기 제 1 전극, 또는, 제 2 전극과 동일한 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극은 X 축 및 X 축에 교차하는 Y 축으로 정전 용량 변화를 감지하는 전극에 대응되며, 상기 디스플레이 기판 상에는 상기 X 축 및 Y 축에 수직인 Z축으로 상기 터치 센서 전극과 함께 정전 용량 변화에 따른 압력을 감지하는 압력 감지 전극이 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 디스플레이 기판 상에는 상기 서브 픽셀 영역을 커버하는 적어도 하나의 기능층이 배치되며, 상기 압력 감지 전극은 상기 기능층 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 압력 감지 전극은 전도성 고분자 물질을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 압력 감지 전극의 적어도 일면에는 상기 압력 감지 전극의 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지는 굴절률 매칭층이 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 뱅크는 제 1 뱅크 및 상기 제 1 뱅크 상에 배치된 제 2 뱅크를 구비하며, 상기 발광 다이오드는 제 1 뱅크에 의하여 둘러싸인 개구부에 배치되며, 상기 제 1 뱅크 상에는 상기 발광 다이오드의 주변을 매립하는 제 2 뱅크가 배치되며, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 뱅크 상에서 상기 발광 다이오드에 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 서브 픽셀 영역의 하부에 배치된 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 제 1 터치 전극은 상기 제 1 전극, 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극중 어느 하나의 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 제 2 터치 전극은 상기 제 2 전극과 동일한 층에 배치될 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 디스플레이 장치는 서브 픽셀 영역 내에 발광 다이오드가 배치된 발광 영역과, 터치 센서 전극이 배치된 터치 센싱 영역이 배치되므로, 디스플레이 장치의 효율이 향상되고, 제조 공정이 단순해질 수 있다. 본 발명의 효과는 상술한 내용 이외에도, 도면을 참조하여 이하에서 설명할 내용으로부터도 도출될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널을 일부 절제하여 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드와, 터치 센서 전극이 배치된 것을 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 일 서브 픽셀을 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드와 터치 센서 전극이 배치된 것을 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드와 터치 센서 전극이 배치된 것을 도시한 평면도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 일 서브 픽셀을 도시한 단면도이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드와 터치 센서 전극이 배치된 것을 도시한 평면도이다.
도 12는 도 11의 일 서브 픽셀을 도시한 단면도이다.
도 13 내지 도 18은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 단면도이다.
도 19 및 도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 일 서브 픽셀을 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되어서는 안된다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, “포함한다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면 번호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)를 도시한 사시도이다.
도면을 참조하면, 상기 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 패널(110)을 포함한다. 상기 디스플레이 패널(110)은 화상을 표시하는 활성 영역(Active Area, AA)과, 상기 활성 영역(AA)의 바깥으로 연장되는 비활성 영역(Inactive Area, IAA)을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 상기 비활성 영역(IAA)은 상기 활성 영역(AA)을 둘러싸고 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 활성 영역(AA)은 디스플레이 패널(110)의 길이 방향(X 방향)으로 연장될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 있어서, 상기 디스플레이 패널(110)은 리지드(Rigidity)한 패널, 또는, 플렉서블(Flexibility)한 패널일 수 있다.
상기 디스플레이 장치(100)는 사용자의 접촉에 의하여 위치를 인지할 수 있는 터치 스크린 패널(Touch Screen Panel, TSP)을 포함한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널(200)을 일부 절제하여 도시한 사시도이다.
도면을 참조하면, 상기 터치 스크린 패널(200)은 복수의 터치 센서 전극(230)을 포함한다. 복수의 터치 센서 전극(230)은 복수의 제 1 터치 전극(210) 및 복수의 제 2 터치 전극(220)을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 스크린 패널(200)은 도 1의 디스플레이 패널(110) 상에 복수의 터치 센서 전극(230)이 배치된 온-셀 터치 스크린 패널(On-cell touch screen panel, 온-셀 TSP)을 예를 들어 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 상기 터치 스크린 패널(200)은 도 1의 디스플레이 패널(110) 내부에 터치 센서 전극(230)이 배치된 인-셀 터치 스크린 패널(In-Cell Touch Screen Panel, 인-셀 TSP)이거나, 온-셀 구조 및 인-셀 구조가 혼용된 하이브리드 터치 스크린 패널일 수 있는등 어느 하나에 한정되는 것은 아니다.
기판(201) 상에는 복수의 제 1 터치 전극(210)과, 복수의 제 2 터치 전극(220)이 교대로 배치될 수 있다. 상기 기판(201)은 도 1의 디스플레이 패널(110)에 구비된 밀봉 기판일 수 있다. 복수의 제 1 터치 전극(210)과 복수의 제 2 터치 전극(220)은 서로 교차하는 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제 1 터치 전극(210)은 Tx 전극일 수 있으며, 제 2 터치 전극(220)은 Rx 전극일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 스크린 패널(200)은 복수의 터치 센서 전극(230)이 교차하는 지점에 형성된 정전 용량(Capacitance)의 변화를 측정하는 상호 정전 용량(Mutual-Capacitance) 감지 구조를 예를 들어 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 터치 인식을 위한 각 픽셀마다 하나의 터치 센서 전극(230)을 사용하여 정전 용량의 변화를 측정하는 셀프 정전 용량(Self-Capacitance)을 이용하는 감지 구조일 수 있는등 어느 하나에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 1 터치 전극(210)과, 제 2 터치 전극(220)은 상기 기판(201) 상의 동일한 층에 배치될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 제 1 터치 전극(210)과, 제 2 터치 전극(220)은 서로 다른 층에 배치될 수 있다.
기판(201) 상에 인접하게 배치된 한 쌍의 제 1 터치 전극(210)은 제 1 터치 연결부(211)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다. 기판(201) 상에 인접하게 배치된 한 쌍의 제 2 터치 전극(220)은 제 2 터치 연결부(221)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다. 한 쌍의 제 2 터치 전극(220)은 상기 제 1 터치 전극(210)과의 간섭을 피하기 위하여 컨택 홀(241)을 통하여 다른 층에 배치된 제 2 터치 연결부(221)에 의하여 연결될 수 있다.
한편, 상기 기판(201) 상에는 상기 제 1 터치 전극(210)과, 제 2 터치 전극(220)을 덮는 절연층(250)이 배치될 수 있다.
상기 터치 스크린 패널(200)은 사용자의 손가락이나, 펜 같은 입력 수단이 상기 기판(201) 상에 근접하거나, 접촉하면, 상기 제 1 터치 전극(210)과 제 2 전극(220) 사이에서 변화하는 정전 용량을 측정하여 터치 위치를 검출할 수 있다.
최근 들어서는, 터치 스크린 패널을 구비한 디스플레이 장치에 마이크로 발광 다이오드(Micro-LED)를 적용하는 디스플레이 장치가 연구 개발중이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(300)의 발광 다이오드(325)와, 터치 센서 전극(326)이 배치된 것을 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3의 일 서브 픽셀을 도시한 단면도이다.
본 실시예에 있어서, 서브 픽셀들은 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)와, 적어도 하나의 마이크로 발광 다이오드를 가진다. 상기 박막 트랜지스터는 반드시 도 3의 구조로만 가능한 것은 아니며, 그 수와 구조는 다양하게 변형가능하다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 디스플레이 장치(300)는 복수의 서브 픽셀 영역(301)을 포함한다. 상기 서브 픽셀 영역(301)은 디스플레이 기판(311)의 X 방향 및 Y 방향으로 이격되게 배열될 수 있다. 상기 서브 픽셀 영역(301)은 적어도 한 층의 뱅크(323)에 의하여 분리될 수 있다. 상기 서브 픽셀 영역(301)은 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(302)과, 터치 센서 전극(326)이 배치된 제 2 영역(303)을 포함한다.
상기 디스플레이 기판(311)은 리지드한 글래스 기판이나, 플렉서블한 글래스 기판이나, 플렉서블한 폴리머 기판중 어느 하나일 수 있다. 상기 디스플레이 기판(311)은 투명하거나, 반투명하거나, 불투명할 수 있다.
상기 디스플레이 기판(311) 상에는 버퍼막(312)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼막(312)은 상기 디스플레이 기판(311)의 윗면을 전체적으로 덮을 수 있다. 상기 버퍼막(312)은 무기막, 또는, 유기막으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼막(312)은 단일막, 또는, 다층막일 수 있다.
상기 버퍼막(311) 상에는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)가 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터는 반도체 활성층(313), 게이트 전극(318), 소스 전극(320), 및 드레인 전극(321)을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 박막 트랜지스터는 탑 게이트 타입(Top Gate Type)을 예를 들어 설명하나, 바텀 게이트 타입(Bottom Gate Type) 등 다른 구조의 박막 트랜지스터가 구비될 수 있다.
상기 버퍼막(312) 상에는 반도체 활성층(313)이 배치될 수 있다.
상기 반도체 활성층(313)은 N형 불순물 이온, 또는, P형 불순물 이온을 도핑하는 것에 의하여 배치되는 소스 영역(314)과, 드레인 영역(315)을 포함한다. 상기 소스 영역(314)과, 드레인 영역(315) 사이의 영역은 불순물이 도핑되지 않는 채널 영역(316)일 수 있다. 상기 반도체 활성층(313)은 유기 반도체나, 무기 반도체나, 비정질 실리콘(amorphous silicon)일 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 반도체 활성층(313)은 산화물 반도체일 수 있다.
상기 반도체 활성층(313) 상에는 게이터 절연막(317)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 절연막(317)은 무기막으로 형성될 수 있다. 상기 게이트 절연막(317)은 단일막, 또는, 다층막일 수 있다.
상기 게이트 절연막(317) 상에는 게이트 전극(318)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(318)은 도전성이 우수한 금속재로 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(318)은 단일막, 또는, 다층막일 수 있다.
상기 게이트 전극(318) 상에는 층간 절연막(319)이 배치될 수 있다. 상기 층간 절연막(319)은 무기막, 또는, 유기막으로 형성될 수 있다.
상기 층간 절연막(319) 상에는 소스 전극(320)과, 드레인 전극(321)이 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 게이트 절연막(317)의 일부 및 층간 절연막(319)의 일부를 제거하는 것에 의하여 컨택 홀을 형성하고, 컨택 홀을 통하여 소스 영역(314)에 대하여 소스 전극(320)이 전기적으로 연결되고, 드레인 영역(315)에 대하여 드레인 전극(321)이 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 소스 전극(320)과, 드레인 전극(321) 상에는 평탄화막(322)이 배치될 수 있다. 상기 평탄화막(322)은 무기막, 또는, 유기막으로 형성될 수 있다.
상기 평탄화막(322) 상에는 서브 픽셀 영역(301)을 분리하는 적어도 한 층의 뱅크(323)가 배치될 수 있다. 상기 뱅크(323)는 무기막, 또는, 유기막으로 형성될 수 있다. 상기 뱅크(323)는 투명, 또는, 불투명할 수 있다. 상기 뱅크(323)는 광 흡수 물질이나, 광 반사 물질이나, 광 산란 물질을 포함할 수 있다. 상기 뱅크(323)는 광 투과율이 낮은 광차단층으로 기능할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에는 상기 뱅크(323)의 일부를 제거하여 개구부(324)가 형성될 수 있다. 상기 뱅크(323)가 제거되어 노출된 평탄화막(322) 상에는 제 1 전극(333)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 전극(333)은 평탄화막(322)에 형성된 컨택 홀을 통하여 드레인 전극(321)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 1 전극(333)은 투명 전극, 또는, 금속 전극을 포함한다. 상기 제 1 전극(333)은 다양한 형상의 패턴일 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전극(333)은 아일랜드 형상으로 패터닝될 수 있다.
상기 서브 픽셀 영역(301)은 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(302)과, 상기 터치 센서 전극(326)이 배치된 제 2 영역(303)을 포함한다. 상기 발광 다이오드(325) 및 터치 센서 전극(326)은 상기 서브 픽셀 영역(301) 내에 다같이 배치될 수 있다.
구체적으로, 각각의 서브 픽셀 영역(301)은 상기 뱅크(323)에 의하여 둘러싸인 개구부(324) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(302)과, 상기 터치 센서 전극(326)이 배치된 제 2 영역(303)은 각각의 서브 픽셀 영역(301) 내에 인접하게 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제 2 영역(303)의 크기는 상기 제 1 영역(302)의 크기보다 클 수 있다.
상기 발광 다이오드(325)는 자외선으로부터 가시광선까지의 파장 영역에 속하는 소정 파장의 광을 방출할 수 있다. 상기 발광 다이오드(325)는 마이크로 LED일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 발광 다이오드(325)는 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED, 백색 LED, 또는, UV LED일 수 있다.
상기 발광 다이오드(325)는 제 1 컨택 전극(328), 제 2 컨택 전극(329), 및 제 1 컨택 전극(328)과 제 2 컨택 전극(329) 사이에 배치된 p-n 다이오드(327)를 포함한다.
상기 p-n 다이오드(327)는 하부의 p-도핑층(330), 상부의 n-도핑층(331), 및 상기 p-도핑층(330)과 n-도핑층(331) 사이에 배치된 적어도 하나의 양자 우물층(Quantum Well Layer, 332)을 포함한다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 상부 도핑층(331)이 p-도핑층이 되고, 하부 도핑층(330)이 n-도핑층이 될 수 있다.
상기 제 1 컨택 전극(328)은 상기 하부의 p-도핑층(330) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 컨택 전극(328)은 상기 제 1 전극(333)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 컨택 전극(329)은 상기 상부의 n-도핑층(331) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 컨택 전극(329)은 제 2 전극(334)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 전극(334)은 투명 전극, 또는, 금속 전극을 포함한다. 상기 제 2 전극(334)은 다양한 형상의 패턴일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제 2 전극(334)은 공통 전극일 수 있다.
상기 터치 센서 전극(326)은 각각의 서브 픽셀 영역(301) 내의 제 2 영역(303)에 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(326)은 금속막으로 형성할 수 있다. 투명 디스플레이 장치인 경우, 상기 터치 센서 전극(326)은 ITO와 같은 투명 도전막으로 형성될 수 있다.
상기 터치 센서 전극(326)은 도 2의 터치 센서 전극(230)에 대응될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(326)은 인접한 서브 픽셀 영역(301)에 걸쳐서 연장될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극(326)은 도 2의 제 1 터치 전극(210), 또는, 제 2 터치 전극(220)의 일부일 수 있다.
상기 터치 센서 전극(326)은 상기 제 1 전극(333)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(326)은 상기 제 1 전극(333)과 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극(326)은 별도의 금속 물질로 패터닝할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극(326)은 상기 제 1 전극(333)에 전기적으로 연결될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극(326)은 별도의 전기적 신호를 인가할 수 있다.
상기 터치 센서 전극(326)은 연결 방식에 따라 상호 정전 용량 방식으로 구동하거나, 셀프 정전 용량 방식으로 구동할 수 있다.
상호 정전 용량 방식의 경우, 상기 터치 센서 전극(326)은 도 2의 제 1 터치 전극(210)과, 제 2 터치 전극(220)과 같은 복수의 터치 전극 사이의 커패시턴스 변화량을 감지하는 전극에 대응될 수 있다. 복수의 터치 전극은 디스플레이 기판(311) 상의 동일한 층에 배치될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 복수의 터치 전극은 디스플레이 기판(311) 상의 다른 층에 배치될 수 있다.
셀프 정전 용량 방식의 경우, 상기 터치 센서 전극(326)은 단일 터치 전극을 이용하여 단일 터치 전극의 정전 용량의 변화를 측정할 수 있는 전극에 대응될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 서브 픽셀 영역(301)의 제 2 영역(303)에는 접지 배선(미도시)이 더 배치될 수 있다.
한편, 상기 개구부(324)에는 상기 발광 다이오드(325) 및 터치 센서 전극(326)을 다같이 매립할 수 있는 충진층(335)이 채워질 수 있다. 상기 충진층(335)은 유기 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이처럼, 상기 서브 픽셀 영역(301) 내의 제 1 영역(302)에는 발광 다이오드(325)가 배치될 수 있다. 상기 서브 픽셀 영역(301) 내의 제 2 영역(303)에는 터치 센서 전극(326)이 배치될 수 있다.
이하, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 참조번호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리키므로, 중복되는 설명을 생략하며, 각각의 실시예의 주요 특징부만 선택적으로 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 디스플레이 장치(500)를 도시한 평면도이다.
도면을 참조하면, 서브 픽셀 영역(301)은 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(302)과, 터치 센서 전극(526)이 배치된 제 2 영역(303)을 포함한다. 뱅크(323)가 제거된 개구부(324)에는 충진층(335)이 채워질 수 있다.
상기 충진층(335)은 상기 발광 다이오드(325)를 매립할 수 있다. 상기 터치 센서 전극(526)은 상기 충진층(335) 상에 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(526)은 상기 제 2 전극(334)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(526)은 상기 제 2 전극(334)과 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(526)은 연결 방식에 따라 상호 정전 용량 방식으로 구동하거나, 셀프 정전 용량 방식으로 구동할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 서브 픽셀 영역(301) 내의 제 2 영역(303)에는 접지 배선(536)이 더 배치될 수 있다. 상기 접지 배선(536)은 상기 터치 센서 전극(526)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 접지 배선(536)은 픽셀 구동으로 인한 노이즈를 제거하기 위하여 형성될 수 있다. 상기 접지 배선(536)이 배치되면, 정전 용량이 작아져서 노이즈를 줄일 수 있다.
상기 접지 배선(536)은 ELVSS와 같이 일정한 전압이 흐르는 전원 라인으로부터 전기적 신호를 전달받을 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 접지 배선(536)에는 접지 전압이 인가될 수 있다. 또 다른 일 실시예에 있어서, 상기 접지 배선(536)은 플로팅 상태일 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드(625)와, 터치 센서 전극(626)이 배치된 것을 도시한 평면도이다.
도면을 참조하면, 각각의 서브 픽셀 영역(601)에는 발광 다이오드(325) 및 터치 센서 전극(626)이 배치될 수 있다. 상기 각 발광 다이오드(325)는 각각의 서브 픽셀 영역(601)에 배치되며, 상기 터치 센서 전극(626)은 인접한 서브 픽셀 영역(601)에 걸쳐서 연장될 수 있다.
서로 다른 발광에 관여하며, X 방향으로 인접한 한 쌍의 발광 다이오드(325) 사이의 간격(g)을 넓게 하는 것에 의하여 상기 터치 센서 전극(626)의 면적을 확대시킬 수 있다. 상기 터치 센서 전극(626)의 면적이 넓게 되면, 터치 민감도에 유리할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 각 서브 픽셀에 배치된 발광 다이오드(325)은 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED, 백색 LED, 및, UV LED중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 발광 다이오드(325) 상에는 각각의 발광 다이오드(325)에 대응되는 색상을 가지는 컬러 필터층이 더 배치될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(700)를 도시한 것이다.
도면을 참조하면, 상기 디스플레이 장치(700)는 복수의 서브 픽셀 영역(701)을 포함한다. 상기 서브 픽셀 영역(701)은 X 방향 및 Y 방향으로 이격되게 배열될 수 있다. 상기 서브 픽셀 영역(701)은 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(702)과, 터치 센서 전극(726)이 배치된 제 2 영역(703)을 포함한다. 상기 터치 센서 전극(726)은 인접한 서브 픽셀 영역(701)에 걸쳐서 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극(726)은 셀프 정전 용량(Self-Capacitance) 감지 구조일 수 있다. 상기 터치 센서 전극(726)은 단일 터치 전극의 커패시턴스 변화량을 감지하는 전극에 대응될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(726) 상에는 터치 센서 배선(727)이 배치될 수 있다. 예컨대, Y 방향으로 따라 배열된 서브 픽셀 영역(701)에는 복수의 터치 센서 배선(727)이 배치될 수 있다.
상기 터치 센서 배선(727)은 Y 방향을 따라 연장될 수 있고, Y 방향으로 연속적으로 배치된 각각의 터치 센서 전극(726)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 터치 센서 배선(727)은 터치 센서 전극(726) 및 외부 장치(미도시)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 터치 센서 전극(726)으로부터 변화된 정전 용량은 상기 터치 센서 배선(727)을 통하여 외부 장치로 전달될 수 있으며, 외부 장치로부터 생성된 감지 전압은 터치 센서 전극(726)으로 전달될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 배선(727)은 상기 터치 센서 전극(726)상에서 상기 터치 센서 전극(726)에 직접, 또는, 간접적으로 연결될 수 있다.
도 8을 참조하면, 서브 픽셀 영역(301)은 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(302)과, 터치 센서 전극(826)이 배치된 제 2 영역(303)을 포함한다. 뱅크(323)가 제거된 개구부(324)에는 충진층(335)이 채워질 수 있다.
상기 터치 센서 전극(826)은 상기 제 1 전극(333)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 터치 센서 배선(827)은 상기 충진층(335) 상에 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 배선(827)은 상기 제 2 영역(303)에 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 배선(827)은 상기 충진층(335)에 형성된 컨택 홀(828)을 통하여 상기 터치 센서 전극(826)에 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 배선(827)은 상기 게이트 전극(318), 소스 전극(320), 및 드레인 전극(321)중 어느 하나의 전극과 동일한 층에 형성할 수 있는등 어느 하나의 위치에 한정되는 것은 아니다.
도 9를 참조하면, 서브 픽셀 영역(301)은 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(302)과, 터치 센서 전극(926)이 배치된 제 2 영역(303)을 포함한다. 뱅크(323)가 제거된 개구부(324)에는 충진층(335)이 채워질 수 있다.
상기 터치 센서 전극(926)은 상기 충진층(335) 상에 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(926)은 상기 제 2 전극(334)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 터치 센서 배선(927)은 상기 터치 센서 전극(926) 상에 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 배선(927)은 상기 터치 센서 전극(926)에 직접적으로 연결될 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드(325)와, 터치 센서 전극(1026)이 배치된 것을 도시한 평면도이다.
도면을 참조하면, 상기 디스플레이 장치(1000)는 복수의 서브 픽셀 영역(1001)을 포함한다. 상기 서브 픽셀 영역(1001)은 X 방향 및 Y 방향으로 이격되게 배열될 수 있다. 상기 서브 픽셀 영역(1001)은 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(1002)과, 터치 센서 전극(1026)이 배치된 제 2 영역(1003)을 포함한다. 상기 터치 센서 전극(1026)은 인접한 서브 픽셀 영역(1001)에 걸쳐서 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극(1026)은 상호 정전 용량(Mutual-Capacitance) 감지 구조일 수 있다. 상기 터치 센서 전극(1026)은 제 1 터치 전극(1028)과, 제 2 터치 전극(1029) 사이에 형성된 커패시턴스 변화량을 감지하는 전극에 대응될 수 있다. 상기 제 1 터치 전극(1028)과 제 2 터치 전극(1029)은 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제 1 터치 전극(1028)과 제 2 터치 전극(1029)은 X 방향으로 교대로 배치될 수 있다. 상기 제 2 터치 전극(1029)을 사이에 두고 X 방향으로 이격된 한 쌍의 제 1 터치 전극(1028)은 상기 제 1 터치 전극(1028)에 대하여 다른 층에 배치된 연결 배선(1027)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 연결 배선(1027)은 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극중 어느 하나의 전극과 동일한 물질일 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 연결 배선(1027)은 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극중 어느 하나의 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제 2 터치 전극(1029)은 별도의 터치 센서 배선에 각각 연결되거나, 또는, 디스플레이 장치(100)의 일 가장자리에서 터치 IC에 직접적으로 연결될 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1100)를 도시한 것이고, 도 12는 도 11의 일 서브 픽셀을 도시한 단면도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 상기 디스플레이 장치(1100)는 복수의 서브 픽셀 영역(1101)을 포함한다. 상기 서브 픽셀 영역(1101)은 X 방향 및 Y 방향으로 이격되게 배열될 수 있다. 상기 서브 픽셀 영역(1101)은 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(1102)과, 터치 센서 전극(1126)이 배치된 제 2 영역(1103)을 포함한다. 상기 터치 센서 전극(1126)은 인접한 서브 픽셀 영역(1001)에 걸쳐서 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극(1126)은 상호 정전 용량 감지 구조일 수 있다. 상기 터치 센서 전극(1126)은 제 1 터치 전극(1128)과, 제 2 터치 전극(1129)을 포함한다. 상기 제 1 터치 전극(1128)과 제 2 터치 전극(1129)은 X 방향으로 교대로 배치될 수 있다. 도 10과는 달리, 상기 제 1 터치 전극(1128)과 제 2 터치 전극(1129)은 서로 다른 층에 배치될 수 있다.
상기 제 1 터치 전극(1128)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)에 구비된 어느 하나의 전극과 동일한 층에 배치된 금속 전극일 수 있다. 예컨대, 상기 제 1 터치 전극(1128)은 상기 소스 전극(320), 또는, 드레인 전극(321)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제 1 터치 전극(1128)은 상기 소스 전극(320), 또는, 드레인 전극(321)과 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 제 1 터치 전극(1128)은 게이트 전극(318)과 동일한 층에 배치된 금속 전극일 수 있다.
상기 제 2 터치 전극(1129)은 상기 제 1 전극(333)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제 2 터치 전극(1129)은 상기 제 1 전극(333)과 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 제 2 터치 전극(1129)은 상기 제 2 전극(334)과 동일한 층에 배치되며, 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.
또 다른 일 실시예에 있어서, 상기 제 1 터치 전극(1128)은 별도의 금속막, 예컨대, 투명 도전막을 포함하고, 상기 제 2 터치 전극(1129)은 게이트 전극(318), 소스 전극(320), 드레인 전극(321), 제 1 전극(333), 제 2 전극(334)중 어느 하나와 동일한 층에 배치될 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1300)를 도시한 것이다.
도면을 참조하면, 상기 디스플레이 기판(311) 상에는 서브 픽셀 영역(301)을 밀봉하는 제 1 기능층(1301)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제 1 기능층(1301)은 밀봉층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제 1 기능층(1301) 상에는 매개층(1302)을 사이에 두고 제 2 기능층(1303)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 기능층(1303)은 윈도우 커버일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 매개층(1302)은 사용자의 접촉시 압력이 인가될 수 있고, 또한, 쿠션 기능을 가지는 물질일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 매개층(1302)은 공기층일 수 있으나, 이에 한정되는 것을 아니다. 상기 제 1 기능층(1301)과 제 2 기능층(1303) 사이에는 셀 갭을 유지하기 위한 스페이서(1304)가 배치될 수 있다. 상기 제 1 기능층(1301)과 제 2 기능층(1303)의 마주보는 가장자리에는 씰런트(1305)가 배치될 수 있다.
상기 서브 픽셀 영역(301)은 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(302)과, 터치 센서 전극(326)이 배치된 제 2 영역(303)을 포함한다. 상기 터치 센서 전극(326)은 상기 제 1 전극(333)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극(326)은 상기 제 2 전극(334)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 터치 센서 전극(326)은 수평 방향인 X축 및 X축에 교차하는 Y축으로 정전 용량 변화를 감지하는 전극에 대응될 수 있다. 상기 디스플레이 기판(311) 상에는 상기 X축 및 Y축에 수직인 Z축으로 상기 터치 센서 전극(326)과 함께 정전 용량을 형성하고, 정전 용량 변화에 따른 압력을 감지하는 압력 감지 전극(Force Sensing Electrode, 1306)이 더 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 압력 감지 전극(1306)은 상기 제 1 기능층(1301)에 마주보는 제 2 기능층(1303)의 일면에 배치될 수 있다.
상기 터치 센서 전극(236)과, 상기 압력 감지 전극(1306) 사이에는 정전 용량을 형성하여 Z축의 감지가 가능하다. 구체적으로, 입력 수단이 접촉시, 상기 터치 센서 전극(326)과 압력 감지 전극(1306) 사이의 정전 용량 변화에 따라 인가되는 압력을 감지할 수 있다.
상기 압력 감지 전극(1306)은 상기 제 2 기능층(103) 상에 특정 패턴으로 패턴화시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 디스플레이 장치(1300)에 가해지는 압력에 따른 각 위치를 감지하기 위하여, 상기 압력 감지 전극(1306)은 서로 다른 면적을 가지는 복수의 패턴으로 패턴화시킬 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 압력 감지 전극(1306)은 압력만 감지하기 위하여 상기 제 2 기능층(103) 상에 전체적으로 형성될 수 있다.
상기 압력 감지 전극(1306)은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜, Poly(3,4-ethylenedioxy thiophene, PEDOT)나, 폴리 아세틸렌(Polyacetylene)나, 폴리피롤(Polypyrrole)과 같은 전도성 고분자 물질을 포함한다. 상기 압력 감지 전극(1306)은 ITO막과 같은 투명 도전막보다 단위 면적당 저항이 100배 이상 크고, 전기 전도성을 가질 수 있으므로, 터치 스크린 패널의 전극으로 적용가능하다.
한편, 상기 제 1 기능층(1301)과 제 2 기능층(1303) 사이에는 상기 압력 감지 전극(1306)에 전기적으로 연결되는 연결부(1307)가 배치될 수 있다. 상기 연결부(1307)는 제 1 기능층(1301)에 형성된 컨택 홀(1038)을 통하여 디스플레이 기판(311) 상의 패드에 연결되어서, 압력 감지 신호를 외부 장치로 전달할 수 있다.
이처럼, 상기 터치 센서 전극(326)을 이용하여 X축 및 Y축으로 위치를 감지하며, 또한, 압력 감지 전극(1306)을 이용하여 Z축으로 가해지는 압력을 감지하는 구조는 다양한 디스플레이 장치에 적용할 수 있다.
도 14를 참조하면, 디스플레이 장치(1400)는 유기 발광 디스플레이 장치일 수 있다. 구체적으로, 디스플레이 기판(1401) 상에 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자가 배치된 디스플레이부(1402)가 배치되고, 상기 디스플레이부(1402) 상에는 터치 센서 전극(1403)이 배치되며, 상기 터치 센서 전극(1403) 상에는 엔캡슐레이션(encapsulation)에 대응되는 제 1 기능층(1404)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 기능층(1404) 상에는 매개층(1405)을 사이에 두고 윈도우 커버에 대응되는 제 2 기능층(1406)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 기능층(1404)에 마주보는 제 2 기능층(1406)의 일면에는 압력 감지 전극(1407)이 배치될 수 있다.
상기 터치 센서 전극(1403)은 디스플레이부(1402)에 형성된 컨택 홀(1408)을 통하여 디스플레이 기판(1401) 상의 패드에 연결되어서, 감지 신호를 외부 장치로 전달할 수 있다. 또한, 상기 압력 감지 전극(1407)은 연결부(1409)에 연결되어서, 압력 감지 신호를 외부 장치로 전달할 수 있다.
상기한 구조는 상기 터치 센서 전극(1403)과 압력 감지 전극(1407) 사이의 정전 용량 변화에 따른 가해지는 압력을 감지할 수 있다.
도 15를 참조하면, 디스플레이 장치(1500)는 유기 발광 디스플레이 장치일 수 있다. 구체적으로, 디스플레이 기판(1501) 상에 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자가 배치된 디스플레이부(1502)가 배치될 수 있다. 도 14와 달리, 상기 디스플레이부(1502) 상에는 엔캡슐레이션에 대응되는 제 1 기능층(1504)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 기능층(1504) 상에는 터치 센서 전극(1503)이 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(1503) 상에는 매개층(1505)을 사이에 두고 윈도우 커버에 대응되는 제 2 기능층(1506)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 기능층(1506)의 일면에는 압력 감지 전극(1507)이 배치될 수 있다. 상기 압력 감지 전극(1507)은 연결부(1509)에 연결되며, 압력 감지 신호를 외부 장치로 전달할 수 있다.
상기한 구조는 상기 터치 센서 전극(1503)과 압력 감지 전극(1507) 사이의 정전 용량 변화에 따른 가해지는 압력을 감지할 수 있다.
도 16을 참조하면, 디스플레이 장치(1600)는 액정 디스플레이 장치일 수 있다. 구체적으로, 디스플레이기판(1601) 상에 액정 디스플레이 소자가 배치된 디스플레이부(1602)가 배치되고, 상기 디스플레이부(1602) 상에는 터치 센서 전극(1603)이 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(1603) 상에는 컬러 필터 기판에 대응되는 기능층(1604)이 배치되며, 상기 기능층(1604) 상에는 압력 감지 전극(1605)이 배치될 수 있다. 상기 압력 감지 전극(1605)은 연결부(1606)에 연결되어서, 압력 감지 신호를 외부 장치로 전달될 수 있다.
상기한 구조는 상기 터치 센서 전극(1603)과 압력 감지 전극(1607) 사이의 정전 용량 변화로 가해지는 압력을 감지할 수 있다.
도 17을 참조하면, 디스플레이 장치(1700)는 액정 디스플레이 장치일 수 있다. 구체적으로, 디스플레이 기판(1701) 상에 액정 디스플레이 소자가 배치된 디스플레이부(1702)가 배치될 수 있다. 도 16과는 달리, 상기 디스플레이부(1702) 상에는 컬러 필터 기판에 대응되는 제 1 기능층(1704)이 배치되며, 상기 제 1 기능층(1704) 상에는 터치 센서 전극(1703)이 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(1703) 상에는 매개층(1707)을 사이에 두고, 윈도우 커버와 같은 제 2 기능층(1708)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 기능층(1708)의 일면에는 압력 감지 전극(1705)이 배치될 수 있다. 상기 압력 감지 전극(1705)은 연결부(1706)에 연결되어서, 압력 감지 신호를 외부 장치로 전달할 수 있다.
상기한 구조는 상기 터치 센서 전극(1703)과 압력 감지 전극(1705) 사이의 정전 용량 변화로 가해지는 압력을 감지할 수 있다.
도 18을 참조하면, 디스플레이 장치(1800)는 디스플레이 기판(1801)을 포함한다. 디스플레이 기판(1801) 상에는 디스플레이부(1802)가 배치될 수 있다. 상기 디스플레이부(1802)는 마이크로 LED를 포함한다. 상기 디스플레이부(1802) 상에는 터치 센서 전극(1803)이 배치될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 디스플레이부(1802)는 LCD 소자, 또는,유기 발광 소자를 포함할 수 있다. 또 다른 일 실시예에 있어서, 상기 디스플레이(1802) 상에는 컬러 필터 기판, 또는, 엔캡슐레이션과 같은 기능층이 배치될 수 있다.
상기 터치 센서 전극(1803) 상에는 매개층(1810)을 사이에 두고 윈도우 커버에 대응되는 기능층(1809)이 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(1803)에 마주보는 기능층(1809) 상에는 압력 감지 전극(1805)이 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 매개층(1810)은 공기층을 포함한다. 공기층으로 인한 반사율을 개선하기 위하여, 상기 압력 감지 전극(1805)의 적어도 일면에는 굴절률 매칭층(Index Matching Layer, IML, 1806)이 배치될 수 있다. 상기 굴절률 매칭층(1806)은 상기 터치 센서 전극(1803)에 마주보는 압력 감지 전극(1805)의 일면에 배치된 제 1 굴절률 매칭층(1807)과, 상기 기능층(1809)에 마주보는 압력 감지 전극(1805)의 타면에 배치된 제 2 굴절률 매칭층(1808)을 포함한다.
상기 굴절률 매칭층(1806)은 실리콘 옥사이드(SiO2)나, 실리콘 나이트라이드(SiNx)를 포함한다. 상기 제 1 굴절률 매칭층(1807)의 굴절률과, 제 2 굴절률 매칭층(1808)의 굴절률은 상기 압력 감지 전극(1805)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 상기 매개층(1810) 상에 저굴절인 굴절률 매칭층(1806) 및 고굴절인 압력 감지 전극(1805)이 교대로 배치됨에 따라서, 디스플레이 장치(1800)의 반사율이 개선되며, 터치 센서 전극(1803)의 비침 불량을 개선할 수 있다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1900)를 도시한 것이다.
도면을 참조하면, 디스플레이 장치(1900)는 복수의 서브 픽셀 영역(301)을 포함한다. 상기 서브 픽셀 영역(301)은 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(302)과, 터치 센서 전극(1926)이 배치된 제 2 영역(303)을 포함한다. 상기 터치 센서 전극(1926)은 인접한 서브 픽셀 영역(301)에 걸쳐서 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극(1926)은 제 1 터치 전극(1927)과, 제 2 터치 전극(1928)을 포함한다. 상기 제 1 터치 전극(1927)은 제 1 전극(333)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 제 1 터치 전극(1927)은 박막 트랜지스터에 구비된 게이트 전극(318), 소스 전극(320), 및 드레인 전극(321)중 어느 하나의 전극과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 서브 픽셀 영역(301)의 둘레에는 제 1 뱅크(1903)가 설치될 수 있다. 상기 제 1 뱅크(1903)가 제거된 개구부(324)에는 상기 발광 다이오드(325) 및 제 1 터치 전극(1927)이 배치될 수 있다.
상기 제 1 뱅크(1903) 상에는 제 2 뱅크(1904)가 더 설치될 수 있다. 상기 제 2 뱅크(1904)는 상기 발광 다이오드(325) 및 제 1 터치 전극(1927)을 매립할 수 있다. 상기 제 2 뱅크(1904)는 발광 다이오드(235)의 상부면을 평활화시킬 수 있다.
상기 제 2 전극(334)은 상기 제 2 뱅크(1904) 상에서 상기 발광 다이오드(325)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 터치 전극(1928)은 상기 제 2 전극(333)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 터치 센서 전극(1926)은 상기 제 1 터치 전극(1927)과 제 2 터치 전극(1928) 사이의 정전 용량의 변화를 감지하는 전극에 대응될 수 있다.
상기 발광 다이오드(325) 상에는 컬러 필터(1901)가 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(1901)는 상기 발광 다이오드(325)로부터 방출된 빛을 변환시키거나, 색순도를 높일 수 있다.
상기 컬러 필터(1901)의 가장자리에는 블랙 매트릭스(1902)가 배치될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(1902)는 상기 발광 다이오드(325)의 둘레를 감쌀 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 블랙 매트릭스(1902)는 이웃하는 서브 픽셀 영역(301) 사이에 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(1901)와, 블랙 매트릭스(1902)가 설치됨에 따라 편광판이 필요하지 않고, 외광 반사를 개선할 수 있다.
한편, 상기 디스플레이 기판(311)의 최외곽에는 디스플레이 기판(311) 상에 배치된 각 소자들을 보호하기 위하여 밀봉층(1905)이 배치될 수 있다. 상기 밀봉층(1905)은 적어도 하나의 무기물, 및, 적어도 하나의 유기물이 적층될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 밀봉층(1905)은 무기물로 형성될 수 있다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(2000)를 도시한 것이다.
도면을 참조하면, 디스플레이 장치(2000)는 복수의 서브 픽셀 영역(301)을 포함한다. 상기 서브 픽셀 영역(301)은 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(302)과, 터치 센서 전극(2026)이 배치된 제 2 영역(303)을 포함한다. 상기 터치 센서 전극(2026)은 인접한 서브 픽셀 영역(301)에 걸쳐서 연장될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서 전극(2026)은 제 1 터치 전극(2027)과, 제 2 터치 전극(2028)을 포함한다. 상기 제 1 터치 전극(2027)은 제 1 전극(333)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 제 1 터치 전극(2027)은 박막 트랜지스터에 구비된 게이트 전극(318), 소스 전극(320), 및 드레인 전극(321)중 어느 하나의 전극과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 서브 픽셀 영역(301)의 둘레에는 제 1 뱅크(2003)가 설치될 수 있다. 상기 제 1 뱅크(2003)는 인접하는 서브 픽셀 영역(301)에 걸쳐서 연장될 수 있다. 상기 제 1 뱅크(2003)가 제거된 개구부(324)에는 상기 발광 다이오드(325) 및 제 1 터치 전극(2027)이 배치될 수 있다.
상기 제 1 뱅크(2003) 상에는 제 2 뱅크(2004)가 더 설치될 수 있다. 상기 제 2 뱅크(2004)는 상기 발광 다이오드(325) 및 제 1 터치 전극(2027)을 매립할 수 있다. 상기 제 2 뱅크(2004)는 상기 발광 다이오드(325)를 매립하도록 각각의 서브 픽셀 영역(301)에 독립적으로 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 뱅크(2004)는 상기 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(302)으로부터 터치 센서 전극(2026)이 배치된 제 2 영역(302)으로 연장될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 제 2 뱅크(2004)는 상기 발광 다이오드(325)가 배치된 제 1 영역(302)에만 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 뱅크(2004)는 산란 물질을 포함하거나, 색변환 물질을 포함할 수 있다.
상기 제 2 전극(333)은 상기 제 2 뱅크(2004) 상에서 상기 발광 다이오드(325)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 터치 전극(2028)은 상기 제 2 전극(333)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제 2 터치 전극(2028)은 상기 제 1 터치 전극(2027)과 제 2 터치 전극(2028) 사이의 정전 용량의 변화를 감지하는 전극에 대응될 수 있다.
상기 발광 다이오드(325) 상에는 컬러 필터(2001)가 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(2001)는 상기 발광 다이오드(325)로부터 방출된 빛을 변환시키거나, 색순도를 높일 수 있다.
상기 컬러 필터(2001)의 가장자리에는 블랙 매트릭스(2002)가 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 블랙 매트릭스(2002)는 상기 발광 다이오드(325)의 둘레를 감쌀 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 상기 블랙 매트릭스(2002)는 이웃하는 서브 픽셀 영역(3011) 사이에 배치될 수 있다.
한편, 상기 디스플레이 기판(311)의 최외곽에는 디스플레이 기판(311) 상에 배치된 각 소자를 보호하기 위하여 밀봉층(2005)이 배치될 수 있다. 상기 밀봉층(2005)은 적어도 하나의 무기물, 및 적어도 하나의 유기물이 적층될 수 있다.
300...디스플레이 장치 301...서브 픽셀 영역
302...제 1 영역 303...제 2 영역
311...디스플레이 기판 324...개구부
325...발광 다이오드 326...터치 센서 전극
327...p-n 다이오드 328...제 1 컨택 전극
329...제 2 컨택 전극 333...제 1 전극
334...제 2 전극 335...충진층

Claims (20)

  1. 복수의 서브 픽셀 영역이 배치된 디스플레이 기판;
    상기 디스플레이 기판 상에 배치된 발광 다이오드;
    상기 디스플레이 기판 상에 배치되며, 적어도 하나의 터치 전극을 가지는 터치 센서 전극; 및
    상기 서브 픽셀 영역들을 분리하는 뱅크;를 포함하되,
    상기 서브 픽셀 영역은 상기 발광 다이오드가 배치된 제 1 영역과, 상기 터치 센서 전극이 배치된 제 2 영역을 포함하는 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    각각의 서브 픽셀 영역은 상기 뱅크에 의하여 둘러싸인 개구부에 배치되며, 상기 발광 다이오드가 배치된 제 1 영역과, 상기 터치 센서 전극이 배치된 제 2 영역은 각 서브 픽셀 영역 내에 인접하게 배치된 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 제 1 컨택 전극, 제 2 컨택 전극, 및 제 1 컨택 전극 과 제 2 컨택 전극 사이에 배치된 p-n 다이오드를 포함하며,
    상기 제 1 컨택 전극은 상기 발광 다이오드의 하부에 배치되며, 박막 트랜지스터에 연결된 제 1 전극에 전기적으로 접속되고, 상기 제 2 컨택 전극은 상기 발광 다이오드 상부에 배치된 제 2 전극에 전기적으로 접속된 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 터치 센서 전극은 상기 제 1 전극과 동일한 층에 배치된 디스플레이 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 터치 센서 전극은 상기 제 2 전극과 동일한 층에 배치된 디스플레이 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 개구부에는 상기 발광 다이오드를 매립하는 충진층이 배치되고, 상기 터치 센서 전극은 상기 충진층 상에 배치된 디스플레이 장치.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 터치 센서 전극은 단일 터치 전극의 커패시턴스 변화량을 감지하는 셀프 정전 용량 방식으로 구동하는 전극에 대응되며, 상기 터치 센서 전극에는 이의 전기적 신호를 외부 장치와 상호 전달하는 각각의 터치 센서 배선이 전기적으로 연결된 디스플레이 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 터치 센서 전극은 상기 제 1 전극과 동일한 층에 배치되며,
    상기 개구부에는 상기 발광 다이오드 및 터치 센서 전극을 매립하는 충진층이 배치되고, 상기 충진층 상에는 컨택 홀을 통하여 상기 터치 센서 전극에 전기적으로 연결된 상기 터치 센서 배선이 배치된 디스플레이 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 개구부에는 상기 발광 다이오드를 매립하는 충진층이 배치되고, 상기 터치 센서 전극은 상기 충진층 상에 배치되고, 상기 제 2 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 터치 센서 전극 상에는 상기 터치 센서 배선이 배치된 디스플레이 장치.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 터치 센서 전극은 상기 제 1 터치 전극 및 제 2 터치 전극 상호 간에 형성된 커패시턴스 변화량을 감지하는 상호 정전 용량 방식으로 구동하는 전극에 대응되는 디스플레이 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 터치 전극 및 제 2 터치 전극은 상기 제 1 전극, 또는, 제 2 전극과 동일한 층에 배치된 디스플레이 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    복수의 제 1 터치 전극은 상기 제 1 터치 전극에 대하여 다른 층에 배치된 연결 배선에 의하여 전기적으로 연결되며, 제 2 터치 전극은 각각의 터치 센서 배선에 전기적으로 연결된 디스플레이 장치.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 터치 전극과 제 2 터치 전극은 서로 다른 층에 배치된 디스플레이 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 터치 전극은 상기 박막 트랜지스터에 구비된 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극중 어느 하나의 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 제 2 터치 전극은 상기 제 1 전극, 또는, 제 2 전극과 동일한 층에 배치된 디스플레이 장치.
  15. 제 3 항에 있어서,
    상기 터치 센서 전극은 X 축 및 X 축에 교차하는 Y 축으로 정전 용량 변화를 감지하는 전극에 대응되며, 상기 디스플레이 기판 상에는 상기 X 축 및 Y 축에 수직인 Z축으로 상기 터치 센서 전극과 함께 정전 용량 변화에 따른 압력을 감지하는 압력 감지 전극이 배치된 디스플레이 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 디스플레이 기판 상에는 상기 서브 픽셀 영역을 커버하는 적어도 하나의 기능층이 배치되며, 상기 압력 감지 전극은 상기 기능층 상에 배치된 디스플레이 장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 압력 감지 전극은 전도성 고분자 물질을 포함하는 디스플레이 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 압력 감지 전극의 적어도 일면에는 상기 압력 감지 전극의 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지는 굴절률 매칭층이 배치된 디스플레이 장치.
  19. 제 3 항에 있어서,
    상기 뱅크는 제 1 뱅크 및 상기 제 1 뱅크 상에 배치된 제 2 뱅크를 구비하며, 상기 발광 다이오드는 제 1 뱅크에 의하여 둘러싸인 개구부에 배치되며, 상기 제 1 뱅크 상에는 상기 발광 다이오드의 주변을 매립하는 제 2 뱅크가 배치되며, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 뱅크 상에서 상기 발광 다이오드에 전기적으로 연결된 디스플레이 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 서브 픽셀 영역의 하부에 배치된 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하며,
    상기 제 1 터치 전극은 상기 제 1 전극, 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극중 어느 하나의 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 제 2 터치 전극은 상기 제 2 전극과 동일한 층에 배치된 디스플레이 장치.
KR1020160033302A 2016-03-21 2016-03-21 디스플레이 장치 KR102562627B1 (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160033302A KR102562627B1 (ko) 2016-03-21 2016-03-21 디스플레이 장치
US15/373,877 US10338712B2 (en) 2016-03-21 2016-12-09 Display device
CN202111151192.2A CN113920887A (zh) 2016-03-21 2017-03-21 显示装置
CN201710169205.6A CN107230434B (zh) 2016-03-21 2017-03-21 显示装置
US16/420,660 US11500484B2 (en) 2016-03-21 2019-05-23 Display device
US17/986,718 US11861092B2 (en) 2016-03-21 2022-11-14 Display device
KR1020230098938A KR20230117314A (ko) 2016-03-21 2023-07-28 디스플레이 장치
US18/530,598 US20240103653A1 (en) 2016-03-21 2023-12-06 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160033302A KR102562627B1 (ko) 2016-03-21 2016-03-21 디스플레이 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230098938A Division KR20230117314A (ko) 2016-03-21 2023-07-28 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170109718A true KR20170109718A (ko) 2017-10-10
KR102562627B1 KR102562627B1 (ko) 2023-08-03

Family

ID=59855517

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160033302A KR102562627B1 (ko) 2016-03-21 2016-03-21 디스플레이 장치
KR1020230098938A KR20230117314A (ko) 2016-03-21 2023-07-28 디스플레이 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230098938A KR20230117314A (ko) 2016-03-21 2023-07-28 디스플레이 장치

Country Status (3)

Country Link
US (4) US10338712B2 (ko)
KR (2) KR102562627B1 (ko)
CN (2) CN107230434B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10733408B2 (en) 2016-09-23 2020-08-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11742470B2 (en) 2019-12-23 2023-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10665578B2 (en) 2015-09-24 2020-05-26 Apple Inc. Display with embedded pixel driver chips
WO2017146477A1 (ko) * 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR102562627B1 (ko) * 2016-03-21 2023-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102521876B1 (ko) * 2016-04-12 2023-04-18 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치 및 이의 제조 방법
KR102610028B1 (ko) * 2016-04-12 2023-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10079252B2 (en) * 2016-06-14 2018-09-18 Innolux Corporation Display apparatus
US11916096B2 (en) * 2017-02-09 2024-02-27 Vuereal Inc. Circuit and system integration onto a micro-device substrate
KR102318953B1 (ko) * 2017-05-08 2021-10-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109213360B (zh) * 2017-07-07 2021-12-24 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 微型led触控显示面板
KR102460376B1 (ko) * 2017-10-27 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
TW201918844A (zh) * 2017-10-31 2019-05-16 瑞鼎科技股份有限公司 內嵌式電容觸控面板
TWI652534B (zh) * 2017-12-21 2019-03-01 友達光電股份有限公司 畫素結構與顯示面板
CN108335638B (zh) * 2018-02-02 2020-07-28 深圳市奥拓电子股份有限公司 Led显示模组及led显示屏
CN117525060A (zh) * 2018-02-28 2024-02-06 苹果公司 具有嵌入式像素驱动器芯片的显示器
WO2020021978A1 (ja) * 2018-07-27 2020-01-30 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置付き表示機器
TWI667602B (zh) * 2018-07-31 2019-08-01 友達光電股份有限公司 電容觸控顯示裝置及其驅動方法
KR102533666B1 (ko) * 2018-09-14 2023-05-17 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR102653262B1 (ko) * 2018-10-16 2024-04-01 삼성전자 주식회사 개구부가 형성된 터치 레이어를 포함하는 전자 장치
KR20200045913A (ko) * 2018-10-23 2020-05-06 한국유리공업 주식회사 투명 디스플레이부 및 유리 조립체
CN109346507B (zh) * 2018-11-09 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 Oled触控显示基板、制作方法、驱动方法及显示装置
TWI679569B (zh) * 2018-11-26 2019-12-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
US10892257B2 (en) 2019-01-21 2021-01-12 Innolux Corporation Foldable display device
TWI685829B (zh) * 2019-02-21 2020-02-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
US11637219B2 (en) 2019-04-12 2023-04-25 Google Llc Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate
CN111857395A (zh) * 2019-04-30 2020-10-30 群创光电股份有限公司 触控显示设备
CN110231888B (zh) * 2019-06-24 2022-05-03 信利(惠州)智能显示有限公司 触控显示模组及触控显示屏
CN110491910B (zh) * 2019-07-30 2022-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
US11437415B2 (en) * 2019-08-30 2022-09-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
CN110854152A (zh) * 2019-10-29 2020-02-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种封装结构、封装结构制程方法及显示面板
CN111158518A (zh) * 2019-12-12 2020-05-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控模组及触控显示面板
KR20210082316A (ko) 2019-12-24 2021-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
CN111540755B (zh) * 2020-04-24 2022-12-13 昆山国显光电有限公司 阵列基板、显示面板及制备方法
CN115885332A (zh) * 2020-06-29 2023-03-31 日亚化学工业株式会社 图像显示装置的制造方法以及图像显示装置
KR20220004849A (ko) 2020-07-02 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112035007B (zh) * 2020-08-11 2022-02-22 惠州市华星光电技术有限公司 触控显示面板及其制备方法
KR20220022512A (ko) 2020-08-18 2022-02-28 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20220037045A (ko) * 2020-09-16 2022-03-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
TW202213311A (zh) * 2020-09-18 2022-04-01 許華珍 一種顯示裝置
CN114356149A (zh) 2020-10-13 2022-04-15 群创光电股份有限公司 透明触控显示装置
JPWO2022162490A1 (ko) * 2021-01-28 2022-08-04
CN112864184B (zh) * 2021-03-22 2023-04-07 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种发光基板、显示装置和制作方法
US20220413654A1 (en) * 2021-04-09 2022-12-29 Pixart Imaging Inc. Capacitive touchpad

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100007717A (ko) * 2008-07-11 2010-01-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120073140A (ko) * 2010-12-24 2012-07-04 성균관대학교산학협력단 그래핀을 이용한 압력 및 위치 동시감지 터치센서
KR20160017336A (ko) * 2014-08-05 2016-02-16 엘지디스플레이 주식회사 인 셀 타입의 터치 구조를 갖는 유기발광표시장치

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101124397B1 (ko) 2005-06-01 2012-03-20 엘지디스플레이 주식회사 전도성 고분자 물질을 이용한 컬러필터 기판 및 그제조방법
KR100722116B1 (ko) 2005-11-07 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 양면발광형 유기 발광표시장치
EP2330491A3 (en) * 2006-06-09 2011-08-31 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
KR101031713B1 (ko) * 2006-12-22 2011-04-29 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판과 이의 제조방법
US8149207B2 (en) * 2008-07-09 2012-04-03 Chi Hsin Electronics Corp. Touch signal transmission circuit for touch LCD
US8928597B2 (en) 2008-07-11 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US20100026655A1 (en) * 2008-07-31 2010-02-04 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Capacitive Touchscreen or Touchpad for Finger or Stylus
US8363618B2 (en) * 2008-08-29 2013-01-29 Ciright Systems, Inc. Content distribution platform
KR101022206B1 (ko) 2008-10-09 2011-03-16 광 석 서 굴절율이 낮은 티오펜계 전도성 고분자
US20100108409A1 (en) 2008-11-06 2010-05-06 Jun Tanaka Capacitive coupling type touch panel
KR100962253B1 (ko) 2008-12-01 2010-06-11 한국과학기술원 터치 무기전계발광 장치, 터치 무기전계발광 시스템 및 터치 무기전계발광 방법
KR101030991B1 (ko) * 2008-12-31 2011-04-22 삼성에스디아이 주식회사 반도체 패키지의 장착구조 및 이를 적용한 플라즈마 디스플레이 장치
JP5140018B2 (ja) * 2009-02-24 2013-02-06 株式会社ジャパンディスプレイイースト 入力機能付き液晶表示装置
KR20110024531A (ko) 2009-09-02 2011-03-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101058109B1 (ko) 2009-09-15 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
GB2476671B (en) * 2010-01-04 2014-11-26 Plastic Logic Ltd Touch-sensing systems
KR101108170B1 (ko) 2010-03-15 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101204121B1 (ko) 2010-03-29 2012-11-22 삼성전기주식회사 상호 정전용량방식 터치패널
US9898121B2 (en) * 2010-04-30 2018-02-20 Synaptics Incorporated Integrated capacitive sensing and displaying
KR20120038824A (ko) 2010-10-14 2012-04-24 삼성전기주식회사 정전용량방식 터치패널
US9287339B2 (en) 2010-10-28 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR20120045581A (ko) 2010-10-29 2012-05-09 삼성전기주식회사 저항막식 터치스크린
JP5789113B2 (ja) * 2011-03-31 2015-10-07 株式会社Joled 表示装置および電子機器
KR101407587B1 (ko) 2011-06-02 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
WO2013062385A1 (en) 2011-10-27 2013-05-02 Lg Innotek Co., Ltd. Touch panel
US8646505B2 (en) 2011-11-18 2014-02-11 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head
US9618782B2 (en) * 2012-08-17 2017-04-11 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Touch sensor, in-cell touch liquid crystal display panel and liquid crystal display
KR102061569B1 (ko) * 2013-05-16 2020-01-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 구동방법
KR102059940B1 (ko) 2012-11-29 2019-12-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9178123B2 (en) * 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
CN103941495B (zh) * 2013-01-25 2017-10-10 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板、触控显示装置
JP2014174760A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Japan Display Inc タッチ検出機能付き表示装置及び電子機器
JP6101123B2 (ja) * 2013-03-18 2017-03-22 アルプス電気株式会社 静電容量式タッチパッド
US9484504B2 (en) * 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
TW201445379A (zh) * 2013-05-21 2014-12-01 Wintek Corp 觸控面板
US8987765B2 (en) * 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US8928021B1 (en) 2013-06-18 2015-01-06 LuxVue Technology Corporation LED light pipe
TWI499952B (zh) * 2013-08-08 2015-09-11 Innolux Corp 陣列基板及應用其之顯示面板
TWI534993B (zh) * 2013-09-25 2016-05-21 友達光電股份有限公司 無機發光二極體之畫素結構
KR20150073539A (ko) * 2013-12-23 2015-07-01 삼성전자주식회사 전자장치의 입력 감지장치 및 방법
CN103713792B (zh) 2013-12-23 2016-06-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和触摸显示装置
KR102177128B1 (ko) 2013-12-30 2020-11-10 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 일체형 표시장치
US9836165B2 (en) * 2014-05-16 2017-12-05 Apple Inc. Integrated silicon-OLED display and touch sensor panel
WO2015175013A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Wrostix Technologies Llc Structure for integrated touch screen
CN104698701B (zh) 2015-04-01 2017-10-20 上海天马微电子有限公司 阵列基板以及显示装置
CN104779267A (zh) * 2015-04-01 2015-07-15 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板以及有机发光显示器
CN204650473U (zh) * 2015-05-12 2015-09-16 京东方科技集团股份有限公司 Oled触控基板及显示设备
KR102562627B1 (ko) * 2016-03-21 2023-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100007717A (ko) * 2008-07-11 2010-01-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120073140A (ko) * 2010-12-24 2012-07-04 성균관대학교산학협력단 그래핀을 이용한 압력 및 위치 동시감지 터치센서
KR20160017336A (ko) * 2014-08-05 2016-02-16 엘지디스플레이 주식회사 인 셀 타입의 터치 구조를 갖는 유기발광표시장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10733408B2 (en) 2016-09-23 2020-08-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11232275B2 (en) 2016-09-23 2022-01-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11742470B2 (en) 2019-12-23 2023-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102562627B1 (ko) 2023-08-03
CN107230434B (zh) 2021-10-26
US20230069851A1 (en) 2023-03-09
US20190286270A1 (en) 2019-09-19
US11500484B2 (en) 2022-11-15
KR20230117314A (ko) 2023-08-08
US10338712B2 (en) 2019-07-02
US20240103653A1 (en) 2024-03-28
CN113920887A (zh) 2022-01-11
CN107230434A (zh) 2017-10-03
US11861092B2 (en) 2024-01-02
US20170269749A1 (en) 2017-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11861092B2 (en) Display device
JP7477357B2 (ja) 表示装置
CN102081247B (zh) 具有触摸设备的显示器
US20160132159A1 (en) Display device
US20110242027A1 (en) Display with in-cell touch sensor
KR20210101347A (ko) 표시 장치
US10437373B2 (en) Display substrate, display panel and display device
KR20160087981A (ko) 표시 장치
US20230298380A1 (en) Electronic device
CN112701232A (zh) 显示装置
US20230289020A1 (en) Electronic apparatus
US11733819B2 (en) Electronic apparatus
KR20220022926A (ko) 표시 장치
KR20210018680A (ko) 표시 장치
CN114385031A (zh) 具有带交叉线元件的输入传感器的显示装置
KR20230025562A (ko) 표시 장치 및 이를 포함하는 센싱 시스템
CN114092981A (zh) 用于显示装置的指纹传感器、显示装置及其制造方法
KR20210083841A (ko) 터치 디스플레이 장치
US11251256B2 (en) Display apparatus
KR20220083915A (ko) 감지 센서를 포함하는 표시 장치 및 감지 센서 제조 방법
KR20210147136A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220045756A (ko) 디스플레이 장치
CN217822812U (zh) 电子装置
KR20220089019A (ko) 터치 표시 패널
KR20240049763A (ko) 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법 및 지문 센서

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right