CN112035007B - 触控显示面板及其制备方法 - Google Patents
触控显示面板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112035007B CN112035007B CN202010801404.6A CN202010801404A CN112035007B CN 112035007 B CN112035007 B CN 112035007B CN 202010801404 A CN202010801404 A CN 202010801404A CN 112035007 B CN112035007 B CN 112035007B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- insulating layer
- substrate
- display area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 140
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种触控显示面板及其制备方法，所述触控显示面板包括：基板、多个第一电极、多个第二电极、第一绝缘层、连接层、LED、薄膜晶体管以及保护层。本发明通过主动发光的形式将Mini LED、Micro LED结合触控的新型触控显示面板。本发明将薄膜晶体管与触控电极在基板上进行排布，可以使MicroLED或Mini LED实现三色的显示。本发明在制备的时候，显示区的触控电极结构与非显示区的薄膜晶体管结构一同制备，可以提高制备的效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种主动发光的形式LED的触控显示面板及其制备方法。
背景技术
在现今的信息社会下，许多信息产品已由传统的键盘或鼠标等输入装置，转变为使用触控面板(touch sensing panel)作为输入装置，其中同时具有触控与显示功能的触控显示面板更是成为现今最流行的产品之一。
随着当前Mini LED及Micro LED和大尺寸触控的快速发展，急需要具有主动发光的大尺寸触控显示。
发明内容
本发明一目的是提供一种触控显示面板，以主动发光的形式将Mini LED、MicroLED结合触控的新型触控显示面板。
本发明提供一种触控显示面板，包括：基板，包括主显示区以及非显示区；
多个第一电极，设于所述基板上且对应所述主显示区；多个第二电极，设于所述基板上且对应所述主显示区，所述第一电极与所述第二电极依次间隔设置；第一绝缘层，设于所述基板上且覆盖所述第一电极以及所述第二电极，所述第一绝缘层对应所述第一电极的上方设置有通孔，所述通孔延伸至所述第一电极的上表面；连接层，设于所述第一绝缘层上位于所述通孔中，所述连接层连接所述第一电极；LED，设于所述第一绝缘层上且对应所述第一电极以及所述第二电极；以及薄膜晶体管，设于所述基板的非显示区。
进一步地，所述薄膜晶体管包括：栅极，设于所述基板上；第二绝缘层，设于所述基板上且覆盖所述栅极；有源层，设于所述第二绝缘层上；源漏电极层，设于所述有源层以及所述第二绝缘层上。
进一步地，所述LED包括MicroLED或Mini LED。
进一步地，所述第一电极的材料包括铜或钼；和/或，所述第二电极的材料包括铜或钼；和/或，所述连接层的材料包括铜或钼；和/或，所述第一绝缘层包括SiNx及SiO2。
进一步地，所述栅极、所述第一电极与所述第二电极同层设置；和/或，所述第二绝缘层与所述第一绝缘层同层设置；和/或，所述源漏电极层与所述连接层同层设置。
进一步福，所述第一电极在所述显示区形成第一电极图案；所述第二电极在所述显示区形成第二电极图案；所述第一电极图案横向设置，所述第二电极图案纵向设置，所述第一电极图案与所述第二电极图案互不连接。
进一步地，所述源漏电极层包括源极以及漏级，所述源极以及所述漏级连接所述有源层。
进一步地，所述薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管。
本发明还提供一种触控显示面板的制备方法，包括：提供一基板以及LED，所述基板包括主显示区以及非显示区；形成第一金属层于所述基板上，所述第一金属层包括述依次间隔设置的第一电极、第二电极以及栅极，所述第一电极以及所述第二电极设于所述主显示区，所述栅极设于所述非显示区；形成绝缘层于所述基板上，所述绝缘层包括第一绝缘层以及第二绝缘层，所述第一绝缘层设于所述显示区且覆盖所述第一电极以及所述第二电极，所述第二绝缘层设于所述非显示区且覆盖所述栅极；形成有源层于所述第二绝缘层上，并在所述第一绝缘层对应所述第一电极处开设通孔，所述通孔延伸至所述第一电极的上表面；形成第二金属层于所述绝缘层以及所述有源层上，所述第二金属层包括连接层以及源漏电极层，所述连接层位于所述第一绝缘层上且设于所述通孔中，所述连接层将所述第一电极进行连接，所述源漏电极层设于所述有源层以及所述第二绝缘层上；对所述第一电极以及所述第二电极图形化形成第一电极图案以及第二电极图案；将所述LED打件及设于所述绝缘层上，所述LED对应所述第一电极以及所述第二电极。
进一步地，在所述形成有源层于所述第二绝缘层上，并在所述第一绝缘层对应所述第一电极处开设通孔的步骤中，包括：沉积一层有源材料于所述绝缘层上；光刻所述有源材料图案化形成通孔图案以及所述有源层；在所述通孔图案的区域对所述第一绝缘层开设所述通孔，所述通孔延伸至所述第一电极的上表面。
本发明的有益效果是：本发明一方面提供一种触控显示面板，通过主动发光的形式将Mini LED、Micro LED结合触控的新型触控显示面板。本发明将薄膜晶体管与触控电极在基板上进行排布，可以使MicroLED或Mini LED实现三色的显示。本发明还提供一种触控显示面板的制备方法，在制备的时候，显示区的触控电极结构与非显示区的薄膜晶体管结构一同制备，可以提高制备的效率。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明提供的触控显示面板的结构示意图。
图2为本发明提供第一电极以及第二电极图案的平面图。
图3为本发明提供的触控显示面板制备方法步骤S1的结构示意图。
图4为本发明提供的触控显示面板制备方法步骤S201的结构示意图。
图5为本发明提供的触控显示面板制备方法步骤S202的结构示意图。
图6为本发明提供的触控显示面板制备方法步骤S203的结构示意图。
图7为本发明提供的触控显示面板制备方法步骤S401的结构示意图。
图8为本发明提供的触控显示面板制备方法步骤S402的结构示意图。
图9为本发明提供的触控显示面板制备方法步骤S403的结构示意图。
图10为本发明提供的触控显示面板制备方法步骤S403的结构示意图。
图11为本发明提供的触控显示面板制备方法步骤S5的结构示意图。
图12为本发明提供的触控显示面板制备方法步骤S7的结构示意图。
触控显示面板100；
基板10；第一电极1011；第二电极1012；
第一绝缘层1021；连接层1031；LED106；
保护层107；主显示区110；非显示区120；
栅极1013；第二绝缘层1022；有源层105；
源漏电极层1032；第一金属层101；第二金属层103；
第一电极图案111；第二电极图案112；通孔104；
第一连接线113；第二连接线114。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1所示，本发明提供一种触控显示面板100，包括：基板10、多个第一电极1011、多个第二电极1012、第一绝缘层1021、连接层1031、LED106、薄膜晶体管以及保护层107。
所述基板10包括主显示区110以及非显示区120。
所述第一电极1011设于所述基板10上且对应所述主显示区110，所述第一电极1011为接受电极(Rx)。
所述第二电极1012设于所述基板10上且对应所述主显示区110，所述第一电极1011与所述第二电极1012依次间隔设置，所述第二电极1012为传输电极(Tx)。
所述第一绝缘层1021设于所述基板10上且覆盖所述第一电极1011以及所述第二电极1012，所述第一绝缘层1021对应所述第一电极1011的上方开设通孔104，所述通孔104延伸至所述第一电极1011的上表面。
所述连接层1031设于所述第一绝缘层1021上且设于所述通孔104中，所述连接层1031连接多个所述第一电极1011。
所述LED106设于所述第一绝缘层1021上且对应所述第一电极1011以及所述第二电极1012。所述LED106包括MicroLED或Mini LED。
所述薄膜晶体管设于所述基板10的非显示区120。
所述薄膜晶体管包括：栅极1013、第二绝缘层1022、有源层105以及源漏电极层1032。
所述栅极1013设于所述基板10上。所述栅极1013、所述第一电极1011与所述第二电极1012同层设置，具体设置在第一金属层101中。
所述第二绝缘层1022设于所述基板10上且覆盖所述栅极1013。所述第二绝缘层1022与所述第一绝缘层1021同层设置，具体设置在绝缘层中。
所述有源层105设于所述第二绝缘层1022上。
所述源漏电极层1032设于所述有源层105以及所述第二绝缘层1022上。所述源漏电极层1032与所述连接层1031同层设置，具体设置在第二金属层103中。
所述源漏电极层1032包括源极以及漏级，所述源极以及所述漏级连接所述有源层105。
所述保护层107设于基板10上，覆盖主显示区110以及非显示区120的器件，所述保护层107也可为封装层。
在一实施例中，所述第一电极1011的材料包括铜或钼；和/或，所述第二电极1012的材料包括铜或钼；和/或，所述连接层1031的材料包括铜或钼；和/或，所述绝缘层的材料包括SiNx及SiO2。
如图2所示，在一实施例中，所述第一电极1011在所述显示区形成第一电极图案111；所述第二电极1012在所述显示区形成第二电极图案112；所述第一电极图案111横向设置，所述第二电极图案112纵向设置，所述第一电极图案111与所述第二电极图案112互不连接。
相邻的第一电极图案111通过第一连接线113(图1中连接层1031)进行连接，需要进行跨膜层进行布线；相邻的第二电极图案112通过第二连接线114进行连接，相邻的第二电极图案112的与第二连接线114一同在第一金属层101图案化。第一电极图案111以及第二电极图案112可以实现触控显示面板100的LED106的三色的显示。
本发明提供一种触控显示面板100，通过主动发光的形式将Mini LED、Micro LED结合触控的新型触控显示面板100。本发明将薄膜晶体管与触控电极在基板10上进行排布，可以使MicroLED或Mini LED实现三色的显示。
本发明还提供一种触控显示面板的制备方法，用以制备得到所述触控显示面板100，所述触控显示面板的制备方法具体包括如下步骤。
S1、如图3所示，提供一基板10以及LED106，所述基板10包括主显示区110以及非显示区120，所述LED106包括MicroLED或Mini LED。
S2、形成第一金属层101于所述基板10上，所述第一金属层101包括述依次间隔设置的第一电极1011、第二电极1012以及栅极1013，所述第一电极1011以及所述第二电极1012设于所述主显示区110，所述栅极1013设于所述非显示区120。
具体地，步骤S2包括如下步骤S201～S203。
S201、如图4所示，沉积一金属材料于所述基板10上形成第一金属层101。
S202、如图5所示，涂覆光刻胶于所述第一金属层101上，采用掩膜板对光刻胶曝光显影形成电极图案201(包括主显示区110的第一电极和第二电极图案112，以及非显示区120的栅极图案)。
S203、如图6所示，根据所述电极图案，光刻所述第一金属层101图案化形成所述第一电极1011、所述第二电极1012以及所述栅极1013。
S3、如图7所示，形成绝缘层于所述基板10上，所述绝缘层包括第一绝缘层1021以及所述第二绝缘层1022，所述第一绝缘层1021设于所述显示区且覆盖所述第一电极1011以及所述第二电极1012，所述第二绝缘层1022设于所述非显示区120且覆盖所述栅极1013。
具体地，通过化学气相沉积一SiNx、SiO2等绝缘材料于所述基板10上。
S4、形成有源层105于所述第二绝缘层1022上，并在所述第一绝缘层1021对应所述第一电极1011处开设通孔104，所述通孔104延伸至所述第一电极1011的上表面。
所述形成有源层105于所述第二绝缘层1022上，并在所述第一绝缘层1021对应所述第一电极1011处开设通孔104的步骤中，具体包括如下步骤S401～S403。
S401、如图7所示，沉积一层有源材料于所述绝缘层上，沉积的方法采用化学气相沉积的方法。
S402、如图8所示，在有源金属材料表面涂覆一层光刻胶202，然后通过掩膜板曝光显影形成光刻胶图案(203及204)，所述光刻胶图案包括显示区的通孔图案203以及非显示区120的有源层图案204。
S403、如图9以及图10所示，根据所述光刻胶图案光刻有源金属材料图案化形成有源层105，并在所述第一绝缘层1021与所述第二绝缘层1022之间刻蚀形成一间隙。
在所述通孔图案区域对所述第一绝缘层1021开设通孔104，所述通孔104延伸至所述第一电极1011的上表面。
S5、如图11所示，形成第二金属层103与所述绝缘层以及所述有源层105上，所述第二金属层103包括连接层1031以及源漏电极层，所述连接层1031设于所述第一绝缘层1021上且位于所述通孔104中，所述连接层1031将所述第一电极1011进行连接，所述源漏电极层1032设于所述有源层105以及所述第二绝缘层1022上。
具体地，步骤S5具体包括如下步骤S501～S502。
S501、沉积一金属材料于所述基板10上形成第二金属层103。
S502、光刻所述第二金属层103化形成所述连接层1031以及源漏电极层。
S6、对所述第一电极1011以及所述第二电极1012图形化形成第一电极图案111以及第二电极图案112。
所述第一电极图案111横向设置，所述第二电极图案112纵向设置，所述第一电极图案111与所述第二电极图案112互不连接。
S7、如图12所示，将所述LED106打件及设于所述绝缘层上，所述LED106对应所述第一电极1011以及所述第二电极1012。
本发明提供一种触控显示面板的制备方法，通过将触控电极、Mini LED、MicroLED以及薄膜晶体管结合形成主动发光的形式的触控显示面板100。
在制备的时候，显示区的触控电极结构与非显示区120的薄膜晶体管结构一同制备，可以提高制备的效率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (8)
1.一种触控显示面板，其特征在于，包括：
基板，包括主显示区以及非显示区；
多个第一电极，设于所述基板上且对应所述主显示区；
多个第二电极，设于所述基板上且对应所述主显示区，所述第一电极与所述第二电极依次间隔设置；
第一绝缘层，设于所述基板上且覆盖所述第一电极以及所述第二电极，所述第一绝缘层对应所述第一电极的上方设置有通孔，所述通孔延伸至所述第一电极的上表面；
连接层，设于所述第一绝缘层上且位于所述通孔中，所述连接层连接所述第一电极；
LED，设于所述第一绝缘层上且对应所述第一电极以及所述第二电极；以及
薄膜晶体管，设于所述基板的非显示区；
其中，所述薄膜晶体管包括：
栅极，设于所述基板上；
第二绝缘层，设于所述基板上且覆盖所述栅极；
有源层，设于所述第二绝缘层上；以及
源漏电极层，设于所述有源层以及所述第二绝缘层上；
其中，所述栅极、所述第一电极与所述第二电极同层设置；和/或，
所述第二绝缘层与所述第一绝缘层同层设置；和/或，
所述源漏电极层与所述连接层同层设置。
2.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，
所述LED包括MicroLED或Mini LED。
3.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，
所述第一电极的材料包括铜或钼；和/或，
所述第二电极的材料包括铜或钼；和/或，
所述连接层的材料包括铜或钼；和/或，
所述第一绝缘层包括SiNx及SiO2。
4.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，
所述第一电极在所述显示区形成第一电极图案；
所述第二电极在所述显示区形成第二电极图案；
所述第一电极图案横向设置，所述第二电极图案纵向设置，所述第一电极图案与所述第二电极图案互不连接。
5.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，
所述源漏电极层包括源极以及漏级，所述源极以及所述漏级连接所述有源层。
6.如权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，
所述薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管。
7.一种触控显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基板以及LED，所述基板包括主显示区以及非显示区；
形成第一金属层于所述基板上，所述第一金属层包括述依次间隔设置的第一电极、第二电极以及栅极，所述第一电极以及所述第二电极设于所述主显示区，所述栅极设于所述非显示区；
形成绝缘层于所述基板上，所述绝缘层包括第一绝缘层以及第二绝缘层，所述第一绝缘层设于所述显示区且覆盖所述第一电极以及所述第二电极，所述第二绝缘层设于所述非显示区且覆盖所述栅极；
形成有源层于所述第二绝缘层上，并在所述第一绝缘层对应所述第一电极处开设通孔，所述通孔延伸至所述第一电极的上表面；
形成第二金属层于所述绝缘层以及所述有源层上，所述第二金属层包括连接层以及源漏电极层，所述连接层设于所述第一绝缘层上且位于所述通孔中，所述连接层将所述第一电极进行连接，所述源漏电极层设于所述有源层以及所述第二绝缘层上；
对所述第一电极以及所述第二电极图形化形成第一电极图案以及第二电极图案；
将所述LED打件及设于所述绝缘层上，所述LED对应所述第一电极以及所述第二电极。
8.如权利要求7所述的触控显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述形成有源层于所述第二绝缘层上，并在所述第一绝缘层对应所述第一电极处开设通孔的步骤中，包括：
沉积一层有源材料于所述绝缘层上；
光刻所述有源材料图案化形成通孔图案以及所述有源层；
在所述通孔图案的区域对所述第一绝缘层开设所述通孔，所述通孔延伸至所述第一电极的上表面。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010801404.6A CN112035007B (zh) | 2020-08-11 | 2020-08-11 | 触控显示面板及其制备方法 |
| US16/982,254 US11747937B2 (en) | 2020-08-11 | 2020-09-04 | Touch display panel and manufacturing method thereof |
| PCT/CN2020/113480 WO2022032765A1 (zh) | 2020-08-11 | 2020-09-04 | 触控显示面板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010801404.6A CN112035007B (zh) | 2020-08-11 | 2020-08-11 | 触控显示面板及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112035007A CN112035007A (zh) | 2020-12-04 |
| CN112035007B true CN112035007B (zh) | 2022-02-22 |
Family
ID=73577090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010801404.6A Active CN112035007B (zh) | 2020-08-11 | 2020-08-11 | 触控显示面板及其制备方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11747937B2 (zh) |
| CN (1) | CN112035007B (zh) |
| WO (1) | WO2022032765A1 (zh) |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100553389C (zh) * | 2005-09-29 | 2009-10-21 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光二极管显示面板 |
| KR102562627B1 (ko) * | 2016-03-21 | 2023-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN105845708B (zh) * | 2016-04-20 | 2019-07-16 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性集成触控显示面板及其制作方法 |
| KR20180074985A (ko) * | 2016-12-26 | 2018-07-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 표시장치 |
| TWI668619B (zh) * | 2017-07-07 | 2019-08-11 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 微型led觸控顯示面板 |
| CN107450772B (zh) * | 2017-07-19 | 2020-08-25 | 武汉天马微电子有限公司 | 柔性触摸传感器和柔性触摸显示装置 |
| CN110189642B (zh) * | 2018-02-22 | 2021-10-26 | 和鑫光电股份有限公司 | 显示装置 |
| CN108986678B (zh) * | 2018-09-10 | 2020-11-24 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
| US11502133B2 (en) * | 2019-04-25 | 2022-11-15 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel, manufacturing method thereof, and display device |
| TWI715258B (zh) * | 2019-06-17 | 2021-01-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 顯示裝置 |
| CN114793476A (zh) * | 2019-06-19 | 2022-07-26 | 上海显耀显示科技有限公司 | 用于同轴多色led的系统和方法 |
| WO2021003716A1 (zh) * | 2019-07-10 | 2021-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置 |
| CN111048685A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-04-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN111413819A (zh) * | 2020-04-17 | 2020-07-14 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN111430439B (zh) * | 2020-04-27 | 2022-08-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
-
2020
- 2020-08-11 CN CN202010801404.6A patent/CN112035007B/zh active Active
- 2020-09-04 WO PCT/CN2020/113480 patent/WO2022032765A1/zh active Application Filing
- 2020-09-04 US US16/982,254 patent/US11747937B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022032765A1 (zh) | 2022-02-17 |
| US20230097945A1 (en) | 2023-03-30 |
| CN112035007A (zh) | 2020-12-04 |
| US11747937B2 (en) | 2023-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7486523B2 (ja) | 表示基板及びその製造方法、表示装置 | |
| KR101533098B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| US8426259B2 (en) | Array substrate and method for manufacturing the same | |
| CN106597770B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| JP2008003598A (ja) | 電気泳動表示装置及びその製造方法 | |
| CN110112142B (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示面板及电子装置 | |
| CN109326612A (zh) | 显示基板和显示装置 | |
| KR20140042698A (ko) | 유기 발광 다이오드, 터치 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 | |
| WO2020210939A1 (zh) | 触控显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN108550711A (zh) | Oled器件及其制造方法、oled显示器 | |
| WO2022213420A1 (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、oled显示面板 | |
| KR20100123327A (ko) | 어레이 기판의 제조방법 | |
| US11532264B2 (en) | Driving backplane and method for manufacturing the same, and display panel | |
| CN102420238B (zh) | 有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
| US9640554B2 (en) | Pixel structure | |
| CN110289285A (zh) | 显示用基板及其制备方法、显示面板 | |
| CN111584511B (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
| CN112035007B (zh) | 触控显示面板及其制备方法 | |
| CN110176462B (zh) | 一种透明oled显示器制作方法及显示器 | |
| CN111415963A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| CN112420765B (zh) | 灯板及其制造方法、显示装置 | |
| WO2022041022A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
| US20220399433A1 (en) | Display Substrate and Display Apparatus | |
| CN105633098A (zh) | 一种驱动背板及其制备方法和应用 | |
| KR20060120300A (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |