KR20170040201A - 반도체 발광 장치의 제조 방법 - Google Patents

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마사유키 다카시마
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스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
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Abstract

반도체 발광 소자의 표면에 실리콘 수지 조성물을 도포하는 공정과, 이 도포된 실리콘 수지 조성물을 열경화시킴으로써 이 반도체 발광 소자의 표면을 덮는 밀봉부를 형성하는 공정을 포함하고; 이 실리콘 수지 조성물은, 구성 성분의 규소 원자가, 실질적으로 산소 원자가 3개 결합한 규소 원자만인 실리콘 수지를, 이 실리콘 수지 조성물의 고형분의 총 질량에 대하여 60질량％ 이상 포함하고; 이 열경화는, 열경화 전의 이 실리콘 수지의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 a ㎝-1로 하고, 열경화 후의 이 실리콘 수지 조성물의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 b ㎝-1로 했을 때, 5<a-b<20을 만족하는 조건에서 행하여지는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.

Description

반도체 발광 장치의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은 반도체 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본원은, 2014년 7월 28일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2014-152879호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
근년, 반도체 발광 소자의 밀봉재로서 실리콘 수지 조성물의 경화물을 사용하는 것이 제안되어 있다. 그러나, 실리콘 수지 조성물의 경화물은 가스 투과성이 높아, 공기 중의 황화수소 가스의 배리어성이 낮다. 이 때문에, 실리콘 수지 조성물의 경화물을 사용하여 밀봉한 경우, 밀봉된 반도체 발광 소자의 배면 반사판인 은막이 공기 중의 황화수소에 의해 부식되어, 반도체 발광 소자의 휘도가 저하된다는 문제가 있다.
상기 문제를 해결하는 실리콘 수지 조성물로서, 경화 후의 실리콘 수지 조성물의 굴절률이 1.50 내지 1.55인 실리콘 수지와, 실리콘 수지 중에 1 내지 30질량％의 농도로 균일하게 분산된 평균 입자 직경 1 내지 10㎛의 산화규소 필러를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화성 실리콘 수지 조성물이 제안되어 있다(특허문헌 1 참조.).
일본 특허 공개 제2012-41496호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 실리콘 수지 조성물은 내균열성 및 내열성이 충분하지 않은 경우가 있다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 실리콘 수지 조성물의 경화물로 형성된 내균열성 및 내열성이 향상된 밀봉부를 구비하는, 광반도체 발광 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 실리콘 수지 조성물을 열경화시키면, Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 소정의 피크의 위치가 변화하는 것을 알아냈다. 또한, 소정의 실리콘 수지 조성물을 재료로 사용하여, 상기 실리콘 수지 조성물을 열경화시킨 경우의 상기 피크의 위치의 변화량을 소정의 범위로 제어함으로써, 실리콘 수지 조성물의 경화물(즉, 광반도체 발광 장치의 밀봉부 또는 광반도체 밀봉용 부재)의 내균열성 및 내열성을 향상시킬 수 있음을 알아내고, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명의 일 형태는, 반도체 발광 소자의 표면에 도포된 실리콘 수지 조성물을 열경화시켜, 상기 반도체 발광 소자의 표면을 덮어서 설치된 밀봉부를 형성하는 공정을 포함하고, 상기 실리콘 수지 조성물의 60질량％ 이상은, 구성 성분의 규소 원자가, 실질적으로 산소 원자가 3개 결합한 규소 원자만인 실리콘 수지이며, 상기 열경화는, 상기 실리콘 수지의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치 a ㎝-1과, 열경화 후의 상기 실리콘 수지 조성물의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치 b ㎝-1이 5<a-b<20을 만족하는 조건에서 행하여지는, 반도체 발광 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 형태에 있어서는, 상기 조건이 8<a-b<20을 만족하는 조건이어도 된다.
즉, 본 발명은 이하에 관한 것이다.
[1] 반도체 발광 소자의 표면에 실리콘 수지 조성물을 도포하는 공정과,
상기 도포된 실리콘 수지 조성물을 열경화시킴으로써 상기 반도체 발광 소자의 표면을 덮는 밀봉부를 형성하는 공정을 포함하고;
상기 실리콘 수지 조성물은, 구성 성분의 규소 원자가, 실질적으로 산소 원자가 3개 결합한 규소 원자만인 실리콘 수지를, 상기 실리콘 수지 조성물의 고형분의 총 질량에 대하여 60질량％ 이상 포함하고;
상기 열경화는, 열경화 전의 상기 실리콘 수지의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 a ㎝-1로 하고, 열경화 후의 상기 실리콘 수지 조성물의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 b ㎝-1로 했을 때, 5<a-b<20을 만족하는 조건에서 행하여지는,
반도체 발광 장치의 제조 방법.
[2] 상기 조건이 8<a-b<20을 만족하는 조건인, [1]에 기재된 제조 방법.
본 발명에 따른 제조 방법은, 실리콘 수지 조성물의 경화물로 형성된 내균열성 및 내열성이 향상된 밀봉부를 구비하는, 광반도체 발광 장치를 제조함에 있어서 유용하다.
도 1은 본 발명에 따른 광반도체 밀봉용 부재의 광투과율의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명에 따른 광반도체 발광 장치의 단면도이다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그의 요지의 범위 내이면 여러가지로 변경하여 실시할 수 있다.
본 발명은 일 실시 형태로서, 반도체 발광 소자의 표면에 도포된 실리콘 수지 조성물을 열경화시켜, 상기 반도체 발광 소자의 표면을 덮어서 설치된 밀봉부를 형성하는 공정을 포함하고, 상기 실리콘 수지 조성물의 60질량％ 이상은, 구성 성분의 규소 원자가, 실질적으로 산소 원자가 3개 결합한 규소 원자만인 실리콘 수지이며, 상기 열경화는, 상기 실리콘 수지의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치 a ㎝-1과, 열경화 후의 상기 실리콘 수지 조성물의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치 b ㎝-1이 5<a-b<20을 만족하는 조건에서 행하여지는, 광반도체 발광 장치의 제조 방법을 제공한다.
본원 발명의 다른 측면은, 도체 발광 소자의 표면에 실리콘 수지 조성물을 도포하는 것과, 상기 도포된 실리콘 수지 조성물을 열경화시킴으로써 상기 반도체 발광 소자의 표면을 덮는 밀봉부를 형성하는 것을 포함하고;
상기 실리콘 수지 조성물은, 구성 성분의 규소 원자가, 실질적으로 산소 원자가 3개 결합한 규소 원자만인 실리콘 수지를, 상기 실리콘 수지 조성물의 고형분의 총 질량에 대하여 60질량％ 이상 포함하고;
상기 열경화는, 열경화 전의 상기 실리콘 수지의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 a ㎝-1로 하고, 열경화 후의 상기 실리콘 수지 조성물의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 b ㎝-1로 했을 때, 5<a-b<20을 만족하는 조건에서 행하여지는,
광반도체 발광 장치의 제조 방법이다.
본 발명의 일 실시 형태인 광반도체 발광 장치의 제조 방법에 있어서는, 구성 성분인 규소 원자가, 실질적으로 산소 원자가 3개 결합한 규소 원자만인 실리콘 수지(이하, 「수지 A」라고 하는 경우가 있다.)를 60질량％ 이상 포함하는 실리콘 수지 조성물을, 광반도체 발광 장치의 밀봉부(이하, 광반도체 밀봉용 부재라고 하는 경우도 있다.)의 재료로서 사용한다. 여기서, 「60질량％ 이상」이란, 실리콘 수지 조성물의 고형분의 총 질량에 대하여 수지 A를 60질량％ 이상 포함하는 것을 의미한다. 실리콘 수지 조성물은, 실리콘 수지 조성물의 고형분의 총 질량에 대하여 수지 A를 80질량％ 이상, 100질량％ 이하 포함하는 것이 보다 바람직하고, 90질량％ 이상, 100질량％ 이하 포함하는 것이 더욱 바람직하고, 95질량％ 이상, 100질량％ 이하 포함하는 것이 특히 바람직하다. 이하, 실리콘 수지 조성물에 대하여 설명한다.
[실리콘 수지 조성물]
(실리콘 수지)
일반적으로, 실리콘 수지는 하기 식의 반복 단위를 포함하고 있다. 하기 식 중, R1은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로 알콕시기, 알케닐기, 수소 원자 또는 수산기를 나타낸다.
Figure pct00001
본 명세서에서는, 다른 규소 원자와 결합하고 있는 산소 원자 3개 및 R1과 결합하고 있는 규소 원자를 포함하는 반복 단위를, 반복 단위 A3(상기 식 (A3))이라고 한다.
마찬가지로, 다른 규소 원자와 결합하고 있는 산소 원자 2개, R1 및 R2와 결합하고 있는 규소 원자를 포함하는 반복 단위를, 반복 단위 A2(상기 식 (A2))라고 한다.
또한, 다른 규소 원자와 결합하고 있는 산소 원자 1개, R1 및 2개의 R2와 결합하고 있는 규소 원자를 포함하는 반복 단위를, 반복 단위 A1(상기 식 (A1))이라고 한다.
반복 단위 A1은, 오르가노폴리실록산쇄의 말단을 구성하고 있다. 또한, 반복 단위 A3은, 1 또는 2개의 오르가노폴리실록산쇄에 의한 분지쇄 구조를 구성하고 있다. 즉, 반복 단위 A3은 수지의 그물눈 구조나 환 구조의 일부를 형성하고 있다.
본 발명의 일 실시 형태의 제조 방법에 있어서 사용되는, 「구성 성분의 규소 원자가, 실질적으로 산소 원자가 3개 결합한 규소 원자만인 실리콘 수지(수지 A)」란, 실질적으로 (1) 상기 반복 단위 A3, (2) 상기 반복 단위 A2에 있어서 R2가 알콕시기 또는 수산기인 반복 단위, 및 (3) 상기 반복 단위 A1에 있어서 R2가 알콕시기 또는 수산기인 반복 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1개의 반복 단위만으로 구성되는 실리콘 수지를 의미한다.
여기서, 「실질적으로」란, 실리콘 수지의 제조상 배제하는 것이 곤란한 상기 (1), (2) 또는 (3)의 반복 단위 이외의 반복 단위의 혼입을 허용한다는 의미이다. 예를 들어, 실리콘 수지를 구성하는 반복 단위의 총 몰수에 대하여 95몰％ 이상이 상기 (1), (2) 또는 (3)의 반복 단위이면 좋다.
수지 A는, 바람직하게는 하기 식 (1)로 표시되는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는다.
하기 식 (1) 중, 복수 있는 R1 및 R2는 각각 동종의 기일 수도 있고, 서로 다른 기일 수도 있다. 하기 식 (1) 중, R1은 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로 알콕시기 또는 수산기를 나타내고, p2, q2, r2, a2 및 b2는 각각 독립적으로 0 이상의 정수를 나타내고, p2, q2, r2, a2 및 b2는 동시에 0이 되지는 않고, [a2×q2]/[(p2+b2×q2)+a2×q2+(r2+q2)]=0.5 내지 1.0이 되는 관계가 바람직하다.
Figure pct00002
이하, 상기 식 (1)의 R1 및 R2에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
R1이 알킬기인 경우, 상기 알킬기는 직쇄상일 수도 있고, 분지쇄상일 수도 있고, 환상 구조를 갖고 있을 수도 있다. 또한, 상기 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 탄소수 1 내지 10이 바람직하고, 탄소수 1 내지 6이 보다 바람직하고, 탄소수 1 내지 3이 특히 바람직하다.
상기 알킬기는, 상기 기를 구성하는 1 또는 2 이상의 수소 원자가 다른 기로 치환되어 있을 수도 있다. 상기 알킬기의 치환기로서는, 예를 들어 페닐기, 나프틸기 등의 탄소수 6 내지 10의 아릴기를 들 수 있다.
R1로 표시되는 알킬기로서는, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 비치환된 알킬기, 페닐메틸기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아르알킬기를 들 수 있다.
R1이 아릴기인 경우, 상기 아릴기로서는, 예를 들어 탄소수 6 내지 10의 아릴기를 들 수 있다. 또한, 상기 아릴기는, 상기 기를 구성하는 1 또는 2 이상의 수소 원자가 다른 기로 치환되어 있을 수도 있다. 상기 아릴기의 치환기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 들 수 있다.
R1로 표시되는 아릴기로서는, 구체적으로는 페닐기, 나프틸기 등의 비치환된 아릴기; 메틸페닐기, 에틸페닐기, 프로필페닐기 등의 알킬페닐기와 같은 알킬아릴기 등을 들 수 있다.
R2는 각각 독립적으로 알콕시기 또는 수산기를 나타낸다. R2가 알콕시기인 경우, 상기 알콕시기는 직쇄상일 수도 있고, 분지쇄상일 수도 있고, 환상 구조를 갖고 있을 수도 있다. 또한, 상기 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 탄소수 1 내지 4가 바람직하다. R2로 표시되는 알콕시기로서는, 구체적으로는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, 이소부톡시기, tert-부톡시기를 들 수 있다.
수지 A로서는, 특히 상기 식 (1)로 표시되는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 수지이며, R1로서 메틸기, 에틸기 및 페닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기를 갖고 있으며, R2로서 메톡시기, 에톡시기, 이소프로폭시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기를 갖고 있는 수지가 바람직하고; R1로서 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기를 갖고 있으며, R2로서 메톡시기, 에톡시기, 이소프로폭시기 및 수산기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기를 갖고 있는 수지가 보다 바람직하고; R1로서 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기를 갖고 있으며, R2로서 메톡시기, 에톡시기 및 이소프로폭시기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기와 수산기를 갖고 있는 수지가 더욱 바람직하다.
수지 A의 중량 평균 분자량은, 예를 들어 1500 내지 8000이다. 중량 평균 분자량이 상기 범위이면, 얻어지는 광반도체 밀봉용 부재는 내균열성 및 내열성의 향상 외에, 황화수소 가스에 대한 배리어성이 향상되는 경향이 있다. 수지 A의 중량 평균 분자량은 1500 내지 7000이 바람직하고, 2000 내지 5000이 보다 바람직하다.
중량 평균 분자량은, 일반적으로 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정한 값을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 측정 대상의 고분자 샘플을 가용성의 용매에 녹인 후, 세공(포어)이 수많이 존재하는 충전제를 사용한 칼럼 내에 이동상 용액과 함께 통액하고, 칼럼 내에서 분자량의 대소에 따라 분리시키고, 그것을 시차 굴절률계나 UV계, 점도계, 광산란 검출기 등을 검출기로서 사용하여 검출한다. 중량 평균 분자량은, 표준 폴리스티렌 환산값으로 표시하는 것이 일반적이다. 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량은 이 표준 폴리스티렌 환산값으로 표시된 것이다. 사용하는 칼럼은 상정되는 분자량에 따라서 적절히 선택하면 된다.
GPC 측정에 있어서, 실리콘 수지 또는 실리콘 올리고머를 용해시키기 위하여 사용하는 용매로서는, GPC 측정에 사용하는 이동상 용매와 동일 용매가 바람직하고, 구체적으로는 테트라히드로푸란, 클로로포름, 톨루엔, 크실렌, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등을 들 수 있다.
수지 A는, 상술한 각 반복 단위에 대응하여, 실록산 결합을 발생시킬 수 있는 관능기를 갖는 유기 규소 화합물을 출발 원료로 하여 합성할 수 있다. 예를 들어, 반복 단위 A3에 대응하는 유기 규소 화합물로서는, 오르가노트리할로실란이나 오르가노트리알콕시실란 등을 출발 원료로 할 수 있다. 실리콘 수지는 이러한 출발 원료를, 각 반복 단위의 존재비에 대응한 비로 가수분해 축합법으로 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 또한, 이렇게 하여 합성된 실리콘 수지는 공업적으로 시판되고 있다.
본 발명의 일 실시 형태인 반도체 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 광반도체 밀봉용 부재의 재료로서 사용하는 실리콘 수지 조성물은, 실리콘 수지 조성물의 고형분의 총 질량에 대하여 수지 A를 60질량％ 이상 포함하고 있는 한, 다른 성분을 포함하고 있을 수도 있다. 다른 성분으로서는, 예를 들어 실리콘 올리고머, 무기 입자, 형광체, 실란 커플링제, 경화용 촉매 등을 들 수 있다.
(실리콘 올리고머)
실리콘 올리고머에는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 하기 식 (2)로 표시되는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 것을 들 수 있다. 상기 식 (2) 중, 복수 있는 R1 또는 R2는 각각 동종의 기일 수도 있고, 서로 다른 기일 수도 있다. 상기 식 (2) 중, R1은 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 알콕시기 또는 수산기를 나타내고, R3은 각각 독립적으로 알콕시기 또는 수산기를 나타내고, p2, q2, r2, a2 및 b2는 각각 독립적으로 0 이상의 정수를 나타내고, p2, q2, r2, a2 및 b2는 동시에 0이 되지는 않고, [p2+b2×q2]/[(p2+b2×q2)+a2×q2+(r2+q2)]의 값이 0.3 내지 0.7의 범위 내가 되는 관계가 바람직하다.
R1로서의 알킬기는 탄소수 1 내지 3의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기를 들 수 있다. R1로서의 아릴기는 탄소수 6 내지 10의 아릴기가 바람직하고, 구체적으로는 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐기를 들 수 있다.
R1로서의 알콕시기는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기가 바람직하고, 구체적으로는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, tert-부톡시기를 들 수 있다.
R3으로서의 알콕시기는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기가 바람직하고, 구체적으로는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, tert-부톡시기를 들 수 있다.
Figure pct00003
실리콘 올리고머의 중량 평균 분자량은, 예를 들어 1500 미만이면 좋다. 실리콘 올리고머의 중량 평균 분자량이 상기 범위이면, 얻어지는 광반도체 밀봉용 부재의 내균열성이 더욱 향상되는 경향이 있다. 실리콘 올리고머의 중량 평균 분자량은 200 이상 1500 미만이 바람직하고, 250 내지 1000이 보다 바람직하다.
실리콘 수지 조성물에 상기 실리콘 올리고머를 배합함으로써, 광반도체 밀봉용 부재의 가스 배리어성을 손상시킬 일 없이, 내균열성 및 밀착성이 보다 향상되는 경향이 있다. 실리콘 올리고머의 첨가에 의해, 얻어지는 광반도체 밀봉용 부재의 내균열성 및 다른 재질과의 밀착성이 향상되는 이유는 명백하지 않지만, 저분자의 실리콘 올리고머가 수지 A의 고분자 사이를 가교하도록 결합하는 결과, 가요성이 향상됨과 함께, 실리콘 올리고머 중의 관능기에 의해 수지 전체의 극성이 증가함으로써, 다른 재질과의 접착력이 향상되기 때문이라고 추정된다.
실리콘 올리고머는, 상술한 각 반복 단위에 대응하여, 실록산 결합을 발생할 수 있는 관능기를 갖는 유기 규소 화합물을 출발 원료로 하여 합성할 수 있다. 예를 들어, 반복 단위 A3에 대응하는 유기 규소 화합물로서는, 오르가노트리할로실란이나 오르가노트리알콕시실란 등을 출발 원료로 할 수 있다. 실리콘 올리고머는 이러한 출발 원료를, 각 반복 단위의 존재비에 대응한 비로 가수분해 축합법으로 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 또한, 이렇게 하여 합성된 실리콘 올리고머는 공업적으로 시판되고 있다.
실리콘 올리고머의 함유량(고형분)은 실리콘 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여 0 내지 40질량부이면 된다.
수지 A와 실리콘 올리고머의 혼합 방법은 특별히 한정되지 않고 2종류 이상의 고분자 화합물을 혼합할 때에 통상 행하여지는 공지된 방법 중 어느 것을 사용해도 된다. 예를 들어, 수지 A와 실리콘 올리고머(원한다면 기타의 수지를 포함한다)를 동시에 또는 순차적으로 유기 용매에 용해함으로써 혼합할 수 있다.
바람직하게는, 보다 균일하게 혼합시킬 수 있고, 또한 그 후의 수지 용액 (즉, 수지 A와 실리콘 올리고머를 용해시킨 용액)의 안정성을 향상시킬 수 있는 관점에서, 수지 A 등을 일단 휘발성 및 용해성이 높은 유기 용매 중에서 용해한 후, 별도의 용매로 치환하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 먼저, 휘발성이 높은 유기 용매(이하, 유기 용매 P) 중에 수지 A를 투입하고, 유기 용매 P의 비점 부근의 온도까지 가열하고 교반시킴으로써 용해시킨다. 계속해서, 실리콘 올리고머를 투입하고 동일하게 하여 혼합 용해시킨다. 그 후, 유기 용매 P보다도 휘발성이 낮은 용매(이하, 용매 Q)를 투입하고, 유기 용매 P의 농도가 1％ 이하가 될 때까지 가열함으로써, 유기 용매 P로부터 용매 Q로의 용매 치환을 행할 수 있다. 그 때, 보다효율적으로 용매 치환을 행하는 수단으로서, 용기 내를 감압으로 한 상태에서 가열할 수도 있다.
이러한 처리를 행함으로써, 수지 A나 실리콘 올리고머를 합성했을 때에 사용한 잔존 용매나 미반응인 채로 남은 물 등이 용매 치환을 행함으로써 동반되어 제거될 수 있어, 수지 용액의 안정성에 유효하다.
유기 용매 P로서는, 비점이 100℃ 미만인 유기 용매가 바람직하다. 구체적으로는, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤계 용매; 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 노르말프로필알코올 등의 알코올계 용매; 헥산, 시클로헥산, 헵탄, 벤젠 등의 탄화수소계 용매; 아세트산메틸, 아세트산에틸 등의 아세트산에스테르계 용매; 디에틸에테르, 테트라히드로푸란 등의 에테르계 용매를 들 수 있다. 이들 중에서도, 알코올계 용매가 바람직하다.
용매 Q로서는, 비점이 100℃ 이상인 유기 용매가 바람직하다. 구체적으로는, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노헥실에테르, 에틸렌글리콜모노에틸헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노벤질에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르, 디에틸렌글리콜모노벤질에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노이소프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노헥실에테르, 프로필렌글리콜모노에틸헥실에테르, 프로필렌글리콜모노페닐에테르, 프로필렌글리콜모노벤질에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노이소프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노헥실에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸헥실에테르, 디프로필렌글리콜모노페닐에테르, 디프로필렌글리콜모노벤질에테르 등의 글리콜에테르계 용매; 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노이소프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노헥실에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸헥실에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노벤질에테르아세테이트 등의, 상기 기재된 글리콜에테르계 용매에 아세트산기를 부가시킨 글리콜에스테르계 용매 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 글리콜에스테르계가 바람직하다.
(무기 입자, 형광체)
실리콘 수지 조성물에, 광에 의해 형광을 발하는 형광체 또는 무기 입자를 함유시킬 수도 있다. 이에 의해, 얻어지는 광반도체 밀봉용 부재는, 발광 소자로부터의 광의 강도를 높이는 것이 가능해진다. 상기 무기 입자는, 광반도체 밀봉용 부재 중에서 광을 산란시켜서 형광체를 효과적으로 여기시킴과 함께, 형광체가 실리콘 수지 조성물 중에서 침강하는 것을 방지한다.
실리콘 수지 조성물에 형광체 및 무기 입자를 혼합시키는 경우, 형광체는 침강하기 쉽기 때문에, 미리 무기 입자를 혼합시켜 두고, 형광체를 혼합한 후에, 빠르게 광반도체 소자의 밀봉에 제공하는 것이 바람직하다.
무기 입자로서는, 규소, 티타늄, 지르코늄, 알루미늄, 철, 아연 등의 산화물; 카본 블랙, 티타늄산바륨, 규산칼슘, 탄산칼슘 등이 바람직하다. 그 중에서도 규소의 산화물, 티타늄의 산화물 및 알루미늄의 산화물이 보다 바람직하다.
무기 입자의 형상으로서는, 대략 구상, 판상, 기둥상, 바늘상, 위스커상, 섬유상 등을 들 수 있다.
무기 입자의 조성은 1종류만일 수도 있고, 2종류 이상일 수도 있다. 또한, 2종류 이상의 입자 직경의 무기 입자를 포함하는 것이 바람직하고, 1차 입자의 평균 입자 직경이 100 내지 500nm인 무기 입자 A와, 1차 입자의 평균 입자 직경이 5nm 이상, 100nm 미만인 무기 입자 B의 적어도 2종류를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 1차 입자의 평균 입자 직경이 서로 다른 2종류 이상의 무기 입자를 포함함으로써, 광의 산란에 의한 형광체의 여기 효율이 보다 향상되고, 형광체의 침강 방지에 효과를 발휘할 수 있다.
여기서 1차 입자의 평균 입자 직경은 전자 현미경 등에 의해 직접 입자를 관찰하는 화상 이미징법 등에 의해 구할 수 있다. 구체적으로는, 측정 대상이 되는 무기 입자를 임의의 용매에 초음파 등을 조사하여 충분히 분산시킨 액을 슬라이드 글래스 등에 적하 건조시킨 것, 또는 접착 테이프의 접착면에 직접 무기 입자를 뿌리는 등에 의해 부착시킨 것을, 주사형 전자 현미경(SEM), 투과형 전자 현미경(TEM) 등에 의해 관찰하고, 그의 형상으로부터 치수를 산출해 내는 것에 의해 얻어진다. 예를 들어, 무기 입자의 투영 면적을 구하고, 이 면적에 상당하는 원의 직경을 구하여 입자 직경으로 해도 된다. 이 경우, 예를 들어 100개 이상(바람직하게는 100개)의 입자에 대하여 입자 직경을 구하여 산술 평균함으로써 평균 입자 직경으로 하면 된다.
무기 입자의 함유량에는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 실리콘 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여 0.01 내지 100 질량일 수도 있고, 0.1 내지 50질량부일 수도 있다.
또한, 형광체의 조성이나 종류에는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 파장 570 내지 700nm의 범위에서 형광을 발하는 적색 형광체, 490 내지 570nm의 범위에서 형광을 발하는 녹색 형광체, 420 내지 480nm의 범위에서 형광을 발하는 청색 형광체 등을 들 수 있다. 또한, 밝기나 색도에 따라 복수의 형광체를 혼합시킬 수도 있다. 형광체의 함유량에는 특별히 제한은 없고, 발광 소자의 광량이나, 반도체 발광 장치로서 필요한 색도나 밝기에 따라 적절히 조정할 수 있다. 형광체의 함유량으로서는, 예를 들어 실리콘 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여 5 내지 40 질량이 바람직하다.
(실란 커플링제)
실란 커플링제는, 실리콘 수지 조성물의 경화물과 반도체 발광 소자나 패키지와의 밀착성을 향상시키는 효과가 있다. 실란 커플링제로서는, 비닐기, 에폭시기, 스티릴기, 메타크릴기, 아크릴기, 아미노기, 우레이도기, 머캅토기, 술피드기 및 이소시아네이트기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기를 갖는 실란 커플링제가 바람직하고, 그 중에서도 에폭시기 및 머캅토기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기를 포함하는 커플링제가 바람직하다.
실란 커플링제로서는, 구체적으로는 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란 및 3-머캅토프로필트리메톡시실란이 바람직하다.
실란 커플링제의 함유량은, 실리콘 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여 예를 들어 0.0001 내지 1.0질량부일 수도 있고, 예를 들어 0.001 내지 0.5질량부일 수도 있다.
상기 실란 커플링제는 실리콘 수지 조성물에 혼합할 수도 있지만, 반도체 발광 소자나 패키지의 표면에 미리 상기 실란 커플링제를 코팅이나 침지 처리에 의해 부착시켜 두고, 그 후 실리콘 수지 조성물을 포팅 등으로 형성하고, 경화시킬 수도 있다.
(경화용 촉매)
경화용 촉매로서는, 실리콘 수지 성분의 가교 반응을 촉진할 수 있는 것이라면 특별히 제한은 없다. 예를 들어, 염산, 황산, 질산, 인산 등의 무기산; 포름산, 아세트산, 옥살산, 시트르산, 프로피온산, 부티르산, 락트산, 숙신산 등의 유기산; 수산화암모늄, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄 등의 알칼리성 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 인산, 아세트산이 바람직하다.
경화용 촉매는 소정의 농도로 첨가하기 위해, 유기 용매, 실리콘 수지 조성물에 친화되기 쉬운 실리콘 단량체나 실리콘 올리고머 등에 의해 희석한 상태에서 실리콘 수지 조성물에 첨가시킬 수 있다.
경화용 촉매의 함유량은 실리콘 수지 조성물의 경화 반응 시의 가열 온도, 반응 시간, 촉매의 종류 등을 고려하여 적절히 조정할 수 있다. 실리콘 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대한 경화용 촉매의 함유량은, 예를 들어 0.0005 내지 20질량부가 바람직하고, 0.001 내지 10질량부가 보다 바람직하다. 경화용 촉매는 경화 반응을 행하기 직전에 실리콘 수지 조성물에 첨가해도 되고, 실리콘 수지 조성물에 원래 함유시켜 두어도 된다.
(기타의 첨가물)
실리콘 수지 조성물은 추가로, 수지 A 및 실리콘 올리고머와는 다른 개질용 실리콘 화합물, 및 첨가제를 포함하고 있을 수도 있다.
개질용 실리콘 화합물로서는, 공업적으로 시판되고 있는 일반적인 실리콘 화합물을 들 수 있다. 개질용 실리콘 화합물을 가함으로써, 예를 들어 광반도체 밀봉용 부재에 유연성을 부여할 수 있다.
실리콘 수지 조성물에 있어서의 개질용 실리콘 화합물의 함유량은, 실리콘 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여 예를 들어 0.1 내지 20질량부(고형분)가 바람직하고, 0.5 내지 10질량부가 보다 바람직하다.
상기 첨가제로서는, 실리콘 수지 조성물의 혼합 시에 발생하는 기포를 억제시키기 위한 소포제 등을 들 수 있다. 실리콘 수지 조성물에 있어서의 소포제의 함유량은, 실리콘 수지 조성물의 고형분 100질량부에 대하여 0.01 내지 5질량부(고형분)가 바람직하고, 0.01 내지 1질량부가 보다 바람직하다.
[실리콘 수지 조성물을 열경화시키는 공정]
실리콘 수지 조성물은 가열함으로써 열경화시킬 수 있다. 실리콘 수지 조성물을 열경화시키기 위한 조건으로서는, 예를 들어 40℃ 내지 250℃에서 5분간 내지 6시간 가열하는 방법을 들 수 있다. 예를 들어, 실리콘 수지 조성물에 경화용 촉매를 첨가한 후, 250℃ 이하의 온도의 분위기 내에 방치함으로써 경화시킬 수도 있고, 예를 들어 40℃ 내지 200℃의 온도의 분위기 내에 방치함으로써 경화시킬 수도 있다. 또한, 경화 시에는, 실리콘 수지 조성물 중에 존재하는 용매나 물을 제거하고, 실리콘 수지의 축합 반응 속도를 제어하기 위해서, 예를 들어 40℃ 내지 60℃에서 5분간 내지 30분간, 계속하여 60℃ 내지 100℃에서 10분간 내지 60분간, 그 후 140℃ 내지 200℃에서 30분간 내지 5시간과 같이, 단계적으로 경화시킬 수도 있다.
열경화는, 열경화 전의 실리콘 수지 조성물 중에, 실리콘 수지 조성물의 고형분의 총 질량에 대하여 60질량％ 이상 포함되는 수지 A 단체의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 a ㎝-1로 하고, 열경화 후의 상기 실리콘 수지 조성물의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 b ㎝-1로 했을 때, 5<a-b<20을 만족하는 조건에서 행한다. 5<a-b이면, 실리콘 수지 조성물 중의 실리콘 수지의 중합이 부족하여, 반도체 발광 장치의 밀봉부의 내균열성이 충분히 얻어지기 어려운 경향이 있다. 또한, a-b<20이면, 반도체 발광 장치의 밀봉부의 내열성이 충분히 얻어지기 어려운 경향이 있다. 즉, 5<a-b이면, 실리콘 수지 조성물 중의 실리콘 수지의 중합이 충분해서, 반도체 발광 장치의 밀봉부의 내균열성이 양호해진다. 또한, a-b<20이면, 반도체 발광 장치의 밀봉부의 내열성이 양호해진다. 상기 조건은, 반도체 발광 장치의 밀봉부의 내균열성이 더욱 향상되는 관점에서, 8<a-b<20을 만족하는 조건일 수도 있다.
상기 피크 위치 b ㎝-1은 열경화의 조건에 따라 변화한다. 예를 들어, 경화용 촉매의 종류나 첨가량을 변화시킴으로써, 상기 피크 위치 b ㎝-1을 변화시킬 수 있다. 또는, 열경화의 온도를 바꿈으로써도 상기 피크 위치 b ㎝-1을 변화시킬 수 있다. 또는, 수지 A나 실리콘 수지 조성물의 조성을 바꿈으로써도 상기 피크 위치 b ㎝-1을 변화시킬 수 있다.
경화용 촉매의 양을 증가시키거나, 열경화의 온도를 높이는 등의, 실리콘 수지 조성물을 보다 빠르게 경화시키는 조건에서는, 상기 a-b의 값이 커지는 경향이 있다.
상기 5<a-b<20을 만족시키기 위해서는, 오븐 내에서 열경화시키는 공정에 있어서, 오븐 내의 용매 농도를 1vol ppm 이상, 1000vol ppm 이하, 보다 바람직하게는 1vol ppm 이상, 500vol ppm 이하, 더욱 바람직하게는 1vol ppm 이상, 100vol ppm 이하가 되도록 제어하는 것이 유효하다. 상기 용매 농도를 달성하기 위해서는, 예를 들어 오븐으로서 강제 송풍 순환식의 오븐을 사용하는 것을 들 수 있다. 또한, 오븐 내의 용적에 대하여 팬의 모터 용량이 0.1W/L 이상인 오븐을 사용하는 것도 유효하다. 또한, 오븐 내의 용적에 대하여 오븐의 개구부 면적이 0.1㎠/L 이상, 0.5㎠/L 이하로 하는 것도 유효하다.
본 실시 형태의 제조 방법에 있어서는, 예비 실험을 행하고, 5<a-b<20을 만족하는 조건을 설정한 다음, 그 조건에 따라서 반도체 발광 장치를 제조하면 좋다.
[밀봉부]
밀봉부는, 실리콘 수지 조성물을 기판 상의 반도체 발광 소자에 도포하고, 그 후 상기 도포된 실리콘 수지 조성물을 경화시킴으로써 얻어진다. 즉, 본원 발명의 일 실시 형태인 반도체 발광 장치의 제조 방법에 의하면, 밀봉부로 밀봉된 반도체 발광 소자를 구비하는 반도체 발광 장치를 제조할 수 있다. 상기 밀봉부는 내균열성이나 내열성이 높고, 더욱이 기판이나 패키지와의 밀착성이 높고, 또한 황화수소 가스에 대한 배리어성이 높다. 이 때문에, 상기 밀봉부에 의해 반도체 발광 소자가 밀봉되어 있는 반도체 발광 장치는 기판이나 패키지와의 계면에서 균열이나 박리가 발생하기 어려운 데다가, 반도체 발광 소자의 배면 반사판인 은막이 변색되기 어려워, 경시적인 휘도 저하가 발생되기 어렵다고 하는 이점을 구비한다.
또한, 본 명세서에 기재하는 「반도체 발광 장치」란, 가시 영역뿐만 아니라, 적외 영역이나 자외 영역의 전자파를 방사하는 소자를 포함한다.
본 명세서에 기재하는 반도체 발광 장치는 기판과, 상기 기판 상에 배치된 은막과, 상기 기판 상에 배치된 반도체 발광 소자와, 상기 반도체 발광 소자의 표면을 덮어서 설치된 밀봉부를 포함한다.
본 발명의 하나의 측면은,
반도체 발광 소자의 표면에 실리콘 수지 조성물을 도포하는 공정, 및
상기 도포된 실리콘 수지 조성물을 열경화시킴으로써 상기 반도체 발광 소자의 표면을 덮는 밀봉부를 형성하는 공정을 포함하고;
상기 실리콘 수지 조성물은, 구성 성분의 규소 원자가, 실질적으로 산소 원자가 3개 결합한 규소 원자만인 실리콘 수지를, 상기 실리콘 수지 조성물의 고형분의 총 질량에 대하여 60질량％ 이상 포함하고;
상기 열경화는, 열경화 전의 상기 실리콘 수지의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 a ㎝-1로 하고, 열경화 후의 상기 실리콘 수지 조성물의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 b ㎝-1로 했을 때, 5<a-b<20, 바람직하게는 8<a-b<20을 만족하는 조건에서 행하여지는,
반도체 발광 장치의 제조 방법이다.
또한, 상기 반도체 발광 장치의 제조 방법은, 열경화에 있어서, 가열 온도는 40℃ 내지 250℃인 것이 바람직하고, 가열 시간은 5분간 내지 6시간인 것이 바람직하다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 다음의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
실리콘 수지로서, 상기 식 (1)로 표시되는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 수지 1(중량 평균 분자량=3500, 상기 식 (1) 중, R1=메틸기, R2=메톡시기 또는 수산기)을 사용하였다. 수지 1의 각 반복 단위의 존재 비율을 표 1에 나타내었다. 수지 1은, 실질적으로 산소 원자가 3개 결합한 규소 원자만을 포함하는 실리콘 수지이다.
Figure pct00004
수지 1의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 측정한 바, 1016.3㎝- 1였다. 적외 흡수 스펙트럼은 다음 조건으로 측정하였다.
<적외 흡수 스펙트럼 측정>
장치명: VARIAN사 제조의 670
어태치먼트: GOLDEN GATE 다이아몬드 ATR
측정 파장: 4000 내지 700㎝-1
분해능: 4㎝-1
백그라운드 측정: 대기
적산 횟수: 32회
워터 배스 내에 설치한 환류기 구비 플라스크 내에, 354g의 상기 수지 1과, 190g의 이소프로필알코올을 투입하고, 액온이 80 내지 85℃에서 이소프로필알코올을 환류시키면서 교반하여 수지를 충분히 용해시켰다.
계속해서, 상기 수지 1의 용액에, 상기 식 (2)로 표시되는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 실리콘 올리고머인 수지 2(중량 평균 분자량=450, 상기 식 (2) 중, R1=메틸기, R2=메톡시기, R3=메톡시기)를 35g 투입하고, 1시간 이상 교반하여 용해시켰다. 수지 2의 각 반복 단위의 존재 비율을, 표 2에 나타내었다.
Figure pct00005
그 후, 얻어진 조성물에, 용매로서 123g의 아세트산2-부톡시에틸을 첨가하고, 실란 커플링제로서 0.1g의 3-글리시독시프로필트리메톡시실란을 첨가한 후, 증발기에 세트하고, 상기 조성물을 온도가 70℃, 압력이 4kPa인 조건에 방치하여, 상기 조성물 중의 이소프로필알코올 농도가 1질량％ 이하가 될 때까지 이소프로필알코올을 증류 제거하였다.
상기 조성물에, 경화용 촉매로서 인산을 15질량％ 포함하는, 하기 식 (3)으로 표시되는 실리콘 올리고머(n=3 내지 7의 정수)를 2질량％ 첨가하고, 충분히 교반 혼합하여, 실리콘 수지 조성물을 얻었다.
Figure pct00006
상기 실리콘 수지 조성물 3.8g를 알루미늄제의 컵에 넣고, 오븐 내에서 10분간에 걸쳐서 40℃로 승온 후 10분간 방치하고, 계속하여 30분간에 걸쳐서 150℃로 승온 후 5시간 방치하여, 실리콘 수지 조성물을 열경화시켜서 광반도체 밀봉용 부재를 얻었다.
오븐으로서 강제 송풍 순환식의 것을 사용하였다. 오븐 내의 용적에 대한 팬의 모터 용량은 0.37W/L였다. 또한, 오븐 내의 용적에 대한 오븐의 개구부 면적은 0.13㎠/L였다.
150℃에서의 가열의 종료 시에, 오븐 내의 가스를 채취하고, 가스 크로마토그래피에 의해, 용매인 아세트산2-부톡시에틸 농도를 측정한 결과, 74vol ppm이었다.
본 실시예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 측정한 바, 1002.8㎝-1였다. 적외 흡수 스펙트럼은, 상기 수지 1과 동일하게 하여 측정하였다.
수지 1의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치와, 본 실시예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 피크 위치의 차는 13.5였다.
[실시예 2]
실리콘 수지로서, 수지 1 대신 하기 수지 3을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 광반도체 밀봉용 부재를 제조하였다.
수지 3은, 상기 식 (1)로 표시되는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 것이다(중량 평균 분자량=3000, 상기 식 (1) 중, R1=메틸기, R2=수산기 또는 에톡시기). 수지 3의 각 반복 단위의 존재 비율을 표 3에 나타내었다. 표 중의 Me는 메틸기이며, R은 수소 원자 또는 에틸기이며, 수소 원자와 에틸기의 존재 비율은 96:4이다.
수지 3은, 실질적으로 산소 원자가 3개 결합한 규소 원자만을 포함하는 실리콘 수지이다.
Figure pct00007
수지 3의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 측정한 바, 1018.2㎝- 1였다. 또한, 본 실시예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 측정한 바, 1004.7㎝- 1였다. 또한, 수지 3의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치와, 본 실시예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 피크 위치의 차는 13.5였다.
[실시예 3]
실리콘 수지로서, 수지 1과 하기 수지 D1의 질량비 70:30의 혼합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 밀봉용 부재를 제조하였다.
수지 D1은, 하기 식 (4)로 표시되는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 것이며(중량 평균 분자량=2100), 상기 식 (2)에 있어서, R1=메틸기, R2=메틸기, R3=수산기에 상당하는 것이다.
Figure pct00008
[식 중, Me는 메틸기이며, n은 1 이상의 정수이다.]
구체적으로는, 워터 배스 내에 설치한 환류기 구비 플라스크 내에, 70g의 수지 1과, 32g의 이소프로필알코올을 투입하고, 액온을 80 내지 85℃에서 이소프로필알코올을 환류시키면서 교반하여 수지를 충분히 용해시켰다. 계속하여 상기 수지를 용해시킨 용액에, 상기 수지 D1을 30g 투입하고, 1시간 이상 교반하여 용해시켰다.
그 후, 얻어진 조성물에, 용매로서 9.9g의 아세트산2-부톡시에틸을 첨가하고, 실란 커플링제로서 0.03g의 3-글리시독시프로필트리메톡시실란을 첨가한 후, 증발기에 세트하고, 상기 조성물의 온도가 80℃, 압력이 4kPa의 조건에 방치하고, 상기 조성물 중의 이소프로필알코올 농도가 1질량％ 이하가 될 때까지 이소프로필알코올을 증류 제거하였다.
상기한 조성물에, 경화용 촉매로서 15％ 인산 용액을 포함하는, 상기 식 (3)으로 표시되는 실리콘 올리고머(n=3 내지 7의 정수)의 혼합물을 2질량％ 첨가하고, 충분히 교반 혼합하여, 실리콘 수지 조성물을 얻었다.
상기한 실리콘 수지 조성물 3.8g를 알루미늄제의 컵에 넣고, 오븐 내에서 10분간에 걸쳐서 40℃로 승온 후 10분간 방치하고, 계속하여 30분간에 걸쳐서 150℃로 승온 후 5시간 방치하여, 실리콘 수지 조성물을 열경화시켜서 광반도체 밀봉용 부재를 얻었다.
수지 1의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치는, 상기한 바와 같이 1016.3이었다. 또한, 본 실시예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 측정한 바, 1004.7㎝- 1였다. 또한, 수지 1의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치와, 본 실시예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 피크 위치의 차는 11.6이었다.
[실시예 4]
실리콘 수지로서, 수지 1과 수지 D1의 질량비 60:40의 혼합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 3과 동일하게 하여 반도체 밀봉용 부재를 제조하였다.
구체적으로는, 실시예 3에 있어서의 70g의 수지 1 대신 60g의 수지 1을 사용하고, 실시예 3에 있어서의 30g의 수지 D1 대신 40g의 수지 D1을 사용하였다.
수지 1의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치는, 상기한 바와 같이 1016.3이었다. 또한, 본 실시예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 측정한 바, 1004.7㎝- 1였다. 또한, 수지 1의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치와, 본 실시예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 피크 위치의 차는 11.6이었다.
[비교예 1]
실리콘 수지로서, 수지 1 대신 하기 수지 4를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 광반도체 밀봉용 부재를 제조하였다.
수지 4는, 상기 식 (1)로 표시되는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 것이다(중량 평균 분자량=7200, 상기 식 (1) 중, R1=메틸기, R2=수산기 또는 메톡시기). 수지 4의 각 반복 단위의 존재 비율을 표 4에 나타내었다. 표 중의 Me는 메틸기이며, R은 수소 원자 또는 메틸기이며, 수소 원자와 메틸기의 존재 비율은 76:24이다.
Figure pct00009
수지 4의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 측정한 바, 1006.7㎝- 1였다. 또한, 본 비교예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 측정한 바, 1004.7㎝- 1였다. 또한, 수지 4의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치와, 본 비교예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 피크 위치의 차는 2.0이었다.
[비교예 2]
실리콘 수지로서, 수지 1 대신 하기 수지 5를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 광반도체 밀봉용 부재를 제조하였다.
수지 5는, 표 5에 나타내는 각 반복 단위를, 표 5에 나타내는 존재 비율로 포함하는 것이다(중량 평균 분자량=58300).
Figure pct00010
수지 6의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 측정한 바, 1016.3㎝- 1였다. 또한, 본 비교예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 측정한 바, 1012.4㎝- 1였다. 또한, 수지 6의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치와, 본 비교예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 피크 위치의 차는 3.9였다.
[비교예 3]
실리콘 수지로서, 수지 1 대신 하기 수지 6을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 광반도체 밀봉용 부재를 제조하였다.
수지 6은, 상기 식 (1)로 표시되는 오르가노폴리실록산 구조를 갖는 것이다(중량 평균 분자량=2300, 상기 식 (1) 중, R1=메틸기, R2=수산기 또는 에톡시기). 수지 6의 각 반복 단위의 존재 비율을 표 6에 나타내었다. 표 중의 Me는 메틸기이며, R은 수소 원자 또는 에틸기이며, 수소 원자와 에틸기의 존재 비율은 90:10이다. 수지 6은, 실질적으로 산소 원자가 3개 결합한 규소 원자만을 포함하는 실리콘 수지이다.
Figure pct00011
수지 6의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 측정한 바, 1022.1㎝- 1였다. 또한, 본 비교예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 측정한 바, 1000.9㎝- 1였다. 또한, 수지 6의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치와, 본 비교예에서 얻어진 광반도체 밀봉용 부재의 피크 위치의 차는 21.2였다.
[실시예 5 내지 9]
경화용 촉매의 양을 표 8에 기재된 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 광반도체 밀봉용 부재를 얻었다. 경화용 촉매로서는, 촉매로서 인산을 15질량％ 포함하는, 상기 식 (3)으로 표시되는 실리콘 올리고머(n=3 내지 7의 정수)를 사용하였다.
[실시예 10 내지 11]
경화용 촉매의 양을 표 8에 기재된 바와 같이 변경하고, 열경화를 이하와 같이 행한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 광반도체 밀봉용 부재를 얻었다. 경화용 촉매로서는, 촉매로서 인산을 15질량％ 포함하는, 상기 식 (3)으로 표시되는 실리콘 올리고머(n=3 내지 7의 정수)를 사용하였다.
표 8 중, 촉매 첨가량은, 실리콘 수지 조성물(용매를 포함한다)에 대한 촉매(고형분)의 질량％로 나타낸다.
열경화는, 오븐 내에서 10분간에 걸쳐서 40℃로 승온 후 10분간 방치하고, 계속하여 30분간에 걸쳐서 200℃로 승온 후 5시간 방치함으로써 행하였다.
[실시예 12 내지 17]
경화용 촉매의 양을 표 8에 기재된 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 광반도체 밀봉용 부재를 얻었다. 경화용 촉매로서는, 알루미늄아세틸아세토네이트(와코준야쿠, 343-00082)의 0.5질량％ 메탄올 용액을 사용하였다.
[실시예 18 내지 22]
경화용 촉매의 양을 표 8에 기재된 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 광반도체 밀봉용 부재를 얻었다. 경화용 촉매로서는, 인산디메틸과 인산모노메틸의 혼합물(다이하치 가가쿠 고교사 제조, 제품명 AP-1)의 15질량％ 아세트산2-부톡시에틸 용액을 사용하였다.
[실시예 23]
경화용 촉매로서, 인산디메틸과 인산모노메틸의 혼합물(다이하치 가가쿠 고교사 제조, 제품명 AP-1)의 15질량％ 아세트산2-부톡시에틸 용액을 사용하고, 이 경화용 촉매(용액)를 실리콘 수지 조성물(용매를 포함한다)에 대하여 2질량％ 첨가하였다. 촉매(고형분)로서는, 실리콘 수지 조성물(용매를 포함한다)에 대하여 0.02×0.15=0.003(0.3질량％) 첨가하게 된다. 계속해서, 실리콘 수지 조성물을 이하와 같이 열경화한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 광반도체 밀봉용 부재를 얻었다.
열경화는, 오븐 내에서 10분간에 걸쳐서 40℃로 승온 후 10분간 방치하고, 계속하여 30분간에 걸쳐서 200℃로 승온 후 5시간 방치함으로써 행하였다.
(내균열성의 평가)
실시예 1 내지 23 및 비교예 1 내지 3의 광반도체 밀봉용 부재에 대해서, 오븐으로부터 취출한 광반도체 밀봉용 부재를 관찰함으로써, 내균열성을 평가하였다. 내균열성의 평가 기준은 다음과 같았다. 결과를 표 7 및 표 8에 나타내었다.
A: 광반도체 밀봉용 부재에 균열의 발생이 없었다.
B: 광반도체 밀봉용 부재에 균열이 발생하고, 알루미늄제의 컵으로부터 취출할 수 없었다.
(내열성의 평가)
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3의 광반도체 밀봉용 부재에 대해서, 다음과 같이 하여 내열성을 평가하였다. 각 광반도체 밀봉용 부재를 오븐에 넣고, 60분간에 걸쳐서 200℃로 승온 후 60시간 방치하였다. 그 후, 각 광반도체 밀봉용 부재를 육안으로 관찰하고, 내열성을 평가하였다.
내열성의 평가 기준은 다음과 같았다. 결과를 표 7 및 표 8에 나타내었다.
A: 광반도체 밀봉용 부재에 변화가 보이지 않았다.
B: 광반도체 밀봉용 부재에 백탁이 보였다.
또한, 도 1에, 실시예 1 및 비교예 3의 광반도체 밀봉용 부재의 광투과율의 측정 결과의 그래프를 나타낸다. 광투과율은 다음 조건으로 측정하였다.
<광투과율 측정>
장치명: 시마즈 세이사꾸쇼사 제조의 UV-3600
어태치먼트: 적분구 ISR-3100
측정 파장: 220 내지 800nm
백그라운드 측정: 대기
측정 속도: 중속
Figure pct00012
Figure pct00013
본 발명은 실리콘 수지 조성물의 경화물로 형성된 내균열성 및 내열성이 향상된 밀봉부를 구비하는, 광반도체 발광 장치를 제조할 수 있으므로, 산업상 매우 유용하다.
100: 반도체 발광 장치
110: 기판
120: 반도체 발광 소자
130: 밀봉부
140: 은막

Claims (2)

  1. 반도체 발광 소자의 표면에 실리콘 수지 조성물을 도포하는 공정과,
    상기 도포된 실리콘 수지 조성물을 열경화시킴으로써 상기 반도체 발광 소자의 표면을 덮는 밀봉부를 형성하는 공정을 포함하고;
    상기 실리콘 수지 조성물은, 구성 성분의 규소 원자가, 실질적으로 산소 원자가 3개 결합한 규소 원자만인 실리콘 수지를, 상기 실리콘 수지 조성물의 고형분의 총 질량에 대하여 60질량％ 이상 포함하고;
    상기 열경화는, 열경화 전의 상기 실리콘 수지의 1000 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 a ㎝-1로 하고, 열경화 후의 상기 실리콘 수지 조성물의 950 내지 1050㎝- 1에 있어서의 Si-O-Si 결합 유래의 적외 흡수 스펙트럼의 피크 위치를 b ㎝-1로 했을 때, 5<a-b<20을 만족하는 조건에서 행하여지는,
    반도체 발광 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조건이 8<a-b<20을 만족하는 조건인, 제조 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012041496A (ja) 2010-08-23 2012-03-01 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 硬化性シリコーン樹脂組成物及びそれを用いた発光ダイオード装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7056989B2 (en) * 2001-05-01 2006-06-06 Korea Institute Of Science And Technology Polyalkylaromaticsilsesquioxane and preparation method thereof
JP2007291273A (ja) 2006-04-26 2007-11-08 Asahi Kasei Corp 封止材用組成物及び光学デバイス
BRPI0808819A2 (pt) * 2007-03-12 2014-08-19 Koninkl Philips Electronics Nv Sistema de iluminação e sistema compreendendo o mesmo
JP5316276B2 (ja) * 2009-01-23 2013-10-16 住友電気工業株式会社 窒化物半導体発光素子、エピタキシャル基板、及び窒化物半導体発光素子を作製する方法
JP2009164636A (ja) * 2009-04-15 2009-07-23 Suzuka Fuji Xerox Co Ltd 半導体素子および半導体装置
JP5425597B2 (ja) * 2009-11-24 2014-02-26 株式会社カネカ 樹脂組成物、その成型体、及び容器
JP5505991B2 (ja) * 2010-04-30 2014-05-28 信越化学工業株式会社 高接着性シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
JP5426482B2 (ja) * 2010-05-31 2014-02-26 信越化学工業株式会社 発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物
TWI552848B (zh) * 2011-01-14 2016-10-11 Jx Nippon Oil & Energy Corp Method for manufacturing a mold for fine pattern transfer and a method for manufacturing a diffraction grating using the same, and a method of manufacturing an organic electroluminescent device having the diffraction grating
WO2012111765A1 (ja) * 2011-02-18 2012-08-23 Jnc株式会社 硬化性樹脂組成物及びこれを用いた色変換材料
WO2012119615A1 (en) * 2011-03-09 2012-09-13 Johannes Kepler Universität Linz Silsesquioxane polymers

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012041496A (ja) 2010-08-23 2012-03-01 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 硬化性シリコーン樹脂組成物及びそれを用いた発光ダイオード装置

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