KR20170026537A - 지문 인식 칩 패키징 구조 및 패키징 방법 - Google Patents

지문 인식 칩 패키징 구조 및 패키징 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170026537A
KR20170026537A KR1020177002507A KR20177002507A KR20170026537A KR 20170026537 A KR20170026537 A KR 20170026537A KR 1020177002507 A KR1020177002507 A KR 1020177002507A KR 20177002507 A KR20177002507 A KR 20177002507A KR 20170026537 A KR20170026537 A KR 20170026537A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit board
sensing chip
cover layer
sensing
chip
Prior art date
Application number
KR1020177002507A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101881040B1 (ko
Inventor
지기 왕
치옹 유
웨이 왕
Original Assignee
차이나 와퍼 레벨 씨에스피 씨오., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 차이나 와퍼 레벨 씨에스피 씨오., 엘티디. filed Critical 차이나 와퍼 레벨 씨에스피 씨오., 엘티디.
Publication of KR20170026537A publication Critical patent/KR20170026537A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101881040B1 publication Critical patent/KR101881040B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13Sensors therefor
    • G06V40/1306Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F18/00Pattern recognition
    • G06K9/00
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13Sensors therefor
    • G06V40/1329Protecting the fingerprint sensor against damage caused by the finger
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12Fingerprints or palmprints
    • G06V40/1365Matching; Classification
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295Organic, e.g. plastic containing a filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135Double encapsulation or coating and encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05556Shape in side view
    • H01L2224/05558Shape in side view conformal layer on a patterned surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302Disposition
    • H01L2224/13025Disposition the bump connector being disposed on a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45184Tungsten (W) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48105Connecting bonding areas at different heights
    • H01L2224/48106Connecting bonding areas at different heights the connector being orthogonal to a side surface of the semiconductor or solid-state body, e.g. parallel layout
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267Layer and HDI connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/821Forming a build-up interconnect
    • H01L2224/82106Forming a build-up interconnect by subtractive methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92Specific sequence of method steps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/10155Shape being other than a cuboid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Evolutionary Biology (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)

Abstract

본 발명은 지문 인식 칩의 패키징 구조는 및 패키징 방법에 대한 것이다. 패키징 구조는 회로기판 표면을 포함하는 회로기판(200); 상기 회로기판 표면에 결합된 센싱 칩(201), 센싱 칩은 제1 표면 및 상기 제1 표면(210)에 대향하는 제2 표면(220)을 포함하며, 상기 센싱 칩의 제1 표면(210)은 센싱 영역(211)을 포함하고, 상기 센싱 칩(201)의 제2 표면(220)은 회로기판(200) 표면에 위치하며; 상기 센싱 칩의 센싱 영역의 표면 상에 위치하는 캡핑층(capping layer)(202), 상기 캡핑층(202)은 폴리머로 이루어지고; 및 상기 회로기판(200) 표면 및 상기 센싱 칩(201)의 제1 표면에 위치한 적층층(lamination layer)(203), 상기 적층층(203)은 캡핑층(202)을 노출하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 패키징 구조는 센서 칩의 감도에 대한 요구 사항을 줄여 넓게 응용될 수 있다.

Description

지문 인식 칩 패키징 구조 및 패키징 방법{FINGERPRINT RECOGNITION CHIP PACKAGING STRUCTURE AND PACKAGING METHOD}
본 발명은 반도체 제조의 기술 분야에 관한 것으로, 특히 지문 인식 칩의 패키지 구조 및 패키징 방법에 관한 것이다.
현대 사회의 발전에 따라 개인 신원 확인 및 개인 정보 보안의 중요성에 대한 관심이 점차 증가하고 있다. 사람의 지문 고유성과 불변성으로 인해 지문 인식 기술은 높은 보안 성과 높은 신뢰성을 가지며 사용이 간편하고 편리하다. 그 결과, 지문 인식 기술은 다양한 개인 정보 보안 보호 분야에 널리 적용되고 있다. 과학과 기술의 지속적인 발전으로 다양한 전자 제품의 정보 보안 문제는 항상 기술 개발의 초점 포인트 중 하나이다. 특히 휴대 전화, 랩탑 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 디지털 카메라와 같은 모바일 단말기의 정보 보안 요구 사항에 있어서는 더욱 시급한 상황이다.
종래의 지문 인식 장치는 전기 용량(전기장) 방식(capacitive (electrical field))이나 전기 유도 방식으로 센싱(sensing)을 구현하여 사용되었다. 지문 인식 장치는 사용자의 지문을 추출하여 사용자의 지문정보를 획득하고 상기 사용자의 지문을 전기 신호로 출력할 수 있다. 특히, 종래의 지문 인식 장치의 개략적 단면도인 도 1을 참조한다. 지문 인식 장치는 기판 (100)과, 기판 (100)의 표면에 결합된 지문 인식 칩(101)과, 지문 인식 칩(101)의 표면을 덮는 유리 기판 (102)을 포함할 수 있다.
전기용량 지문 인식 칩을 예로 들 수 있다. 지문 인식 칩 (101)은 하나 이상의 평행판 축전지(capacitor plates)를 포함한다. 사용자의 손가락의 표피(epidermis) 또는 피하층(subcutaneous layer)은 돌출부(ridges) 및 함몰부(depressed valleys)를 포함하고, 사용자의 손가락(103)이 유리 기판(102)의 표면에 접촉할 때 지문 인식칩(101)과 돌출부 사이의 거리와 지문 인식 칩(101)과 함몰부 사이의 거리가 다르다. 그러므로, 사용자의 손가락 (103)의 돌출부와 평행판 축전지 사이의 정전용량(capacitance values)은 사용자의 손가락 (103)의 함몰부와 평행판 축전지 사이의 정전용량과 다르다. 지문 인식 칩(101)은 서로 다른 정전용량을 획득하고 정전용량에 대응하는 전기 신호로 변환하여 전기 신호를 출력할 수 있다.
지문 인식 장치는 수신된 전기 신호를 수집한 후에 사용자의 지문 정보를 획득 할 수 있다.
실제로, 종래의 지문 인식 장치는 지문 인식 장치의 제조 및 적용을 제한하는 지문 인식 칩의 감도에 대한 높은 요구를 갖고 있었다.
본 발명은 지문 인식 칩의 패키지 구조 및 패키징 방법에 관한 것으로서, 센싱 칩의 감도 요구도가 감소되어 보다 광범위하게 적용될 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에 따른 지문 인식 칩의 패키지 구조가 제공된다.
패키지 구조는 회로기판 표면(substrate surface)을 포함하는 회로기판을 포함한다. 패키지 구조는 회로기판 표면에 결합 된 센싱 칩(sensing chip)을 더 포함할 수 있다. 센싱 칩은 제1 표면 및 제1 표면에 대향하는 제 2 표면을 포함할 수 있다. 센싱 칩의 제1 표면은 센싱 영역(sensing region)을 포함할 수 있다. 센싱 칩의 제 2 표면은 회로기판 표면 상에 위치할 수 있다. 상기 패키지 구조는 적어도 상기 센싱 칩의 센싱 영역의 표면 상에 위치하는 커버층을 더 포함할 수 있다. 상기 커버층은 폴리머로 이루어질 수 있다. 또한 패키지 구조는 회로기판 표면 및 센싱 칩의 제1 표면에 위치한 플라스틱 패키징 층을 포함할 수 있다. 커버층은 플라스틱 패키징 층으로부터 노출될 수 있다.
선택적으로, 커버층은 20 미크론 내지 100 미크론 범위의 두께를 가질 수 있다. 커버층은 8H 이상의 모스 경도를 가질 수 있다. 커버 층은 7 이상의 유전 상수를 가질 수 있다.
선택적으로, 상기 폴리머는 감광성 재료로 이루어질 수 있다.
선택적으로, 감광성 입자가 커버층에 제공될 수 있다. 상기 감광성 입자는 6 미크론보다 작은 크기를 가질 수 있다.
선택적으로, 상기 센싱 칩의 제1 표면은 센싱 영역을 둘러싸는 주변 영역을 더 포함할 수 있다.
선택적으로, 상기 센싱 칩은 상기 주변 영역에 위치한 에지 홈(edge groove)을 더 포함할 수 있다. 상기 에지 홈은 센싱 칩의 측벽으로부터 노출될 수 있다. 상기 센싱 칩은 상기 센싱 칩의 주변 영역에 위치하는 칩 회로를 더 포함할 수 있다. 칩 회로는 센싱 칩의 주변 영역의 표면 및 에지 홈의 측벽의 표면 및 바닥 표면에 위치할 수 있다. 에지 홈의 바닥에 위치하는 상기 칩 회로의 일부분이 제1 접속 단자를 포함할 수 있다.
선택적으로, 상기 에지 홈은 상기 센싱 영역을 둘러싸는 연속 홈일 수 있다. 또는 상기 에지 홈이 상기 센싱 영역을 둘러싸는 복수의 분리된 홈들을 포함 할 수 있다.
선택적으로, 회로기판 표면에 제2 접속 단자가 설치될 수 있다.
선택적으로, 패키지 구조는 도전성 와이어를 더 포함 할 수 있다. 상기 도전성 와이어의 양 끝단은 상기 제1 접속 단자 및 상기 제2 접속 단자에 각각 접속될 수 있다.
선택적으로, 패키지 구조는 상기 센싱 칩의 측벽의 표면, 상기 회로기판 표면 및 상기 에지 홈에 위치하는 도전층을 더 포함할 수 있다. 상기 도전층의 양 끝단은 제1 접속 단자 및 제2 접속 단자에 각각 접속될 수 있다.
선택적으로, 상기 센싱 칩과 상기 회로기판 사이에 위치하는 제1 본딩층(first bonding layer)을 더 포함할 수 있다.
선택적으로, 상기 센싱 칩을 관통하여 연장되는 도전성 플러그(conductive plug)를 더 포함할 수 있다. 상기 도전성 플러그는 상기 센싱 칩의 제2 표면에 노출되며 상기 도전성 플러그의 끝단 중 하나가 상기 제1 연결 단자에 연결될 수 있다. 상기 센싱 칩의 상기 제2 표면으로부터 노출된 상기 도전성 플러그의 상부에 위치하는 땜납층(solder layer)을 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 접속 단자의 표면에 용접되는 땜납층을 더 포함할 수 있다.
선택적으로, 패키지 구조는 회로기판 표면 상에 배치된 보호링을 더 포함할 수 있다. 상기 보호링은 상기 센싱 칩, 상기 커버층 및 상기 플라스틱 패키징 층을 둘러쌀 수 있다.
선택적으로, 상기 보호링은 금속으로 이루어지고, 상기 보호링은 상기 회로기판을 통해 접지될 수 있다.
선택적으로, 패키지 구조는 플라스틱 패키징 층, 상기 센싱 칩 및 상기 보호링을 감싸는 하우징을 더 포함할 수 있다. 커버층은 하우징으로부터 노출될 수 있으며, 커버층의 색상은 하우징의 색상과 동일 할 수 있다.
선택적으로, 패키지 구조는 상기 플라스틱 패키징 층 및 상기 센싱 칩을 감싸는 하우징을 더 포함할 수 있다. 상기 커버층은 상기 하우징으로부터 노출되며, 상기 커버층의 색상은 상기 하우징의 색상과 동일할 수 있다.
선택적으로, 상기 회로기판은 강성 회로기판 또는 플렉시블 회로기판일 수 있고, 상기 회로기판의 끝단은 상기 센싱 칩과 외부 회로를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함할 수 있다.
따라서, 상기 구조 중 어느 하나를 형성하기 위한 패키징 방법이 본 발명에 따라 제공된다. 상기 방법은 회로기판을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 회로기판은 회로기판 표면을 포함한다. 상기 방법은 센싱 칩을 회로기판 표면에 연결하는 단계를 더 포함할 수 있다. 센싱 칩은 제1 표면 및 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 포함할 수 있다. 센싱 칩의 제1 표면은 센싱 지역을 포함할 수 있다. 센싱 칩의 제 2 표면은 회로기판 표면에 위치할 수 있다. 상기 방법은 센싱 칩의 센싱 영역의 적어도 일부에 커버층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 커버층은 폴리머(polymer)로 이루어질 수 있다. 상기 방법은 회로기판 표면 및 상기 센싱 칩의 제1 표면에 플라스틱 패키징 층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 커버 층은 상기 플라스틱 패키징 층으로부터 노출될 수 있다.
선택적으로, 상기 커버층이 폴리머로 이루어지고, 상기 폴리머가 감광성 재료로 이루어진 경우에 상기 커버 층을 형성하는 공정은 회로기판 표면 및 상기 센싱 칩의 제1 표면에 코팅 공정을 통해 커버 필름을 형성하는 단계 및 상기 회로기판의 표면 및 상기 센싱 영역이 아닌 상기 센싱 칩의 제1 표면의 다른 부분에 상기 커버 필름을 제거하여 상기 센싱 영역의 표면 상에 커버 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
선택적으로, 코팅 공정은 스핀 코팅 공정 또는 스프레이 코팅 공정을 포함 할 수 있다.
본 발명의 기술적 해결 방안은 종래 기술과 비교하여 다음과 같은 장점을 갖는다.
본 발명에 따른 패키지 구조에서, 상기 센싱 칩의 제2 표면은 회로기판 표면에 결합될 수 있으며, 센싱 칩의 제1 표면은 센싱 영역을 포함할 수 있고, 상기 센싱 영역은 사용자의 지문을 추출할 수 있다. 커버층은 센싱 침의 센싱 지역의 표면에 형성될 수 있고, 커버층은 센싱 칩의 센싱 영역을 보호하는 것을 특징으로 할 수 있으며, 사용자의 손가락이 커버층에 닿았을 때 센싱 지역은 사용자의 지문을 추출할 수 있고, 센싱 칩은 사용자의 지문을 전기 신호로 변환하여 전기 신호를 출력할 수 있다. 커버층은 폴리머로 이루어 질 수 있다. 폴리머는 연성, 유연성 및 우수한 피복 성능을 가지므로, 커버층은 얇은 두께를 가질 수 있으며, 센싱 칩을 보호하기에 충분한 높은 경도를 가질 수 있다. 또한, 커버층 표면과 감지 칩 사이의 거리가 줄어들어 감지 칩이 사용자의 지문을 쉽게 감지 할 수 있다. 따라서, 패키지 구조는 센싱 칩의 감도에 대한 요구가 감소되고, 따라서 지문 인식 칩을 위한 패키지 구조가 보다 더 광범위하게 적용될 수 있다. 또한, 커버층이 폴리머로 구성되어 있기 때문에, 커버층의 저비용화가 가능해져, 패키지 구조의 제조 비용을 저감 할 수 있다.
또한, 커버층은 20 미크론 내지 100 미크론 범위의 두께를 가지며, 커버층은 8H 이상의 모스 경도를 가지고, 커버층은 7 이상의 유전 상수를 가질 수 있다. 커버층은 얇은 두께를 가질 수 있고, 센싱 칩의 센싱 영역을 보호하기에 충분한 높은 경도를 가질 수 있다. 센싱 칩이 커버층의 표면상에서 사용자의 지문을 더 쉽게 검출할 수 있으며, 센싱 칩의 감도에 대한 요구가 낮아질 수 있다. 커버층의 유전율이 크기 때문에 커버층은 전기적 절연 용량이 크고, 따라서 커버층은 센싱 칩의 센싱 영역을 보호하기 위하여 큰 용량을 가질 수 있다.
또한, 보호링은 회로기판 표면에 위치할 수 있으며, 보호링은 센싱 칩, 커버층 및 플라스틱 패키징 층을 감쌀 수 있다. 보호링은 센싱 칩에 의해 출력된 신호의 잡음을 제거함으로써 센싱 영역에 의해 감지된 사용자의 지문 데이터의 정확성의 감소를 회피하여 센싱 칩에 대한 정전기 보호를 제공할 수 있으며, 이에 따라 센싱 칩에 의해 출력 된 신호를 더 정확하게 할 수 있다.
본 발명의 패키징 방법에 있어서, 상기 센싱 칩의 제1 표면은 사용자의 지문을 추출하는 센싱 영역을 포함할 수 있고, 상기 센싱 칩의 센싱 영역의 표면에는 상기 커버층이 형성될 수 있으며, 커버층은 센싱 칩의 센싱 영역을 보호하도록 구성될 수 있다. 지문 검출을 수행하기 위해 사용자의 손가락을 커버층의 표면에 놓을 수 있다. 커버층은 폴리머로 이루어질 수 있다. 폴리머는 우수한 연성, 유연성 및 우수한 피복 성능을 가지므로, 형성된 커버층은 두께가 얇고, 센싱 칩을 보호하기에 충분한 경도를 가질 수 있다. 또한, 커버층 표면과 센싱 칩 사이의 거리가 감소하여 센싱 영역이 사용자의 지문 데이터를 더 쉽게 얻을 수 있다. 형성된 패키지 구조는 센싱 칩의 감도에 대한 요구가 감소될 수 있고, 이에 따라서 패키지 방법은 보다 광범위하게 적용될 수 있다. 또한, 커버층이 폴리머로 구성되어 있기 때문에, 커버층의 저비용화가 가능 해져, 패키지 구조의 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한 커버층이 폴리머로 이루어 지고, 폴리머는 직접 노광(exposed) 및 현상(developed)될 수 있는 감광성 재료로 이루어질 수 있고, 상기 커버층을 형성하는 공정은 회로기판 표면 및 상기 센싱 칩의 표면에 코팅 공정을 통해 커버 필름을 형성할 수 있으며, 상기 커버 필름을 직접 노광 및 현상하여 상기 회로기판 표면의 커버 필름 및 센싱 영역이 아닌 센싱 칩의 제1 표면의 다른 부분을 제거할 수 있으며, 센싱 영역의 표면 상에 커버층을 형성할 수 있다. 감지 영역의 표면 상에 커버 층을 형성한다. 커버층을 형성하는 공정은 간단하며, 회로기판 및 감지 칩에 작은 손상만을 야기하게 함으로써 형성된 패키지 구조물의 신뢰성 및 안정성을 향상시키는 것을 용이하게 할 수 있다.
도 1은 종래의 지문 인식 장치의 개략적인 단면도이다;
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 지문 인식 칩의 패키지 구조의 개략도이다;
도 3은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시 예에 따른 지문 인식 칩의 패키지 구조의 개략도이다;
도 4는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시 예에 따른 지문 인식 칩의 패키지 구조의 개략도이다;
도 5는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시 예에 따른 지문 인식 칩의 패키지 구조를 도시 한 개략도이다;
도 6은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시 예에 따른 지문 인식 칩의 패키지 구조를 나타낸 개략도이다; 및
도 7 내지 도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 지문 인식 칩의 패키징 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다;
본 발명은 지문 인식 칩의 패키지 구조 및 패키징 방법에 관한 것으로서, 센싱 칩의 감도 요구도가 감소되어 보다 광범위하게 적용될 수 있다.
배경 기술에서 설명한 바와 같이, 종래의 지문 인식 장치는 지문 인식 칩의 감도에 대한 요구가 높으며, 제조 및 응용에 한계가 있다.
도 1을 참조하면 지문 인식 칩(101)의 표면은 유리 회로기판(102)으로 덮일 수 있다. 유리 회로기판 (102)은 지문 인식 칩 (101)을 보호하도록 구성될 수 있다. 사용자의 손가락 (103)이 유리 회로기판(102)에 직접 접촉하기 때문에, 유리 회로기판 (102)이 충분히 보호될 수 있도록 유리 기판 (102)의 두께가 두꺼워질 수 있다. 실제로, 유리 회로기판(102)의 두께가 두꺼워질 수 있기 때문에, 지문 인식 칩(101)은 사용자의 지문을 정확하게 추출할 수 있도록 높은 감도가 요구된다. 따라서 감도가 높은 지문 인식 칩은 제조가 어렵고 제조원가가 높기 때문에 제조 및 응용에 한계가 있었다.
구체적으로, 전기용량 지문 인식 장치를 일 예로 들 수 있다. 사용자의 손가락(103)이 유리 회로기판(102)의 표면에 놓여지면, 사용자의 손가락(103)과 지문 인식 칩 (101) 내의 평행판 축전지 사이에 축전지가 형성될 수 있다. 사용자의 손가락(103)과 평행판 축전지는 축전지의 두 전극이고, 유리 회로기판(102)은 축전지의 두 전극 사이의 유전체일 수 있다. 유리 회로기판 (102)의 두께가 두껍기 때문에, 사용자의 손가락(103)과 평행판 축전지 사이의 정전용량이 클 수 있다. 사용자의 손가락(103)의 돌출부와 함몰부 사이의 높이 차가 작기 때문에, 돌출부와 평행판 축전지 사이의 정전용량과 함몰부와 평행판 축전지 사이의 정전용량의 차이도 매우 작다. 정전용량의 차이를 정확하게 검출하기 위해서는 지문 인식 칩(101)이 고감도일 필요성이 존재한다.
상기 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에 따른 지문 인식 칩의 패키지 구조 및 패키징 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 패키지 구조에서, 센싱 칩의 센싱 영역의 표면은 커버층으로 덮여 있을 수 있다. 종래의 유리 회로기판을 대체하기 위해 제공된 커버층은 사용자의 손가락이 직접 접촉될 수 있고, 센싱 칩을 보호하도록 구성될 수 있다. 상기 커버 층은 폴리머로 이루어질 수 있다. 상기 폴리머는 연성이 우수하고 유연성이 우수하며 두께가 얇고 센싱 칩을 보호할 수 있는 높은 경도를 가지고 있다. 또한, 커버층의 표면과 센싱 칩 사이의 거리가 감소됨으로 인해 센싱 칩이 사용자의 지문을 쉽게 감지 할 수 있다. 따라서, 패키지 구조는 센싱 칩의 감도에 대한 요구가 감소되고, 이로 인하여 지문 인식 칩을 위한 패키지 구조가 보다 광범위하게 적용될 수 있다.
본 발명의 목적, 특징 및 이점을 더 잘 이해하기 위해, 본 발명의 실시 예를 도면을 참조하여 이하에서 상세하게 설명하도록 한다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 지문 인식 칩의 패키지 구조의 개략도이다.
도 2를 참조한다. 본 발명의 실시 예에 따르면 지문 인식 칩의 패키지 구조는 회로기판(200), 센싱 칩 (201), 커버층 (202) 및 플라스틱 패키징 층(203)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 센싱 칩(201)은 회로기판(200)의 기판 표면에 결합될 수 있다. 센싱 칩(201)은 제1 표면 (210) 및 제1 표면 (210)에 대향하는 제2 표면 (220)을 포함할 수 있다. 센싱 칩 (201)의 제1 표면 (210)은 센싱 영역 (211)을 포함할 수 있다. 센싱 칩 (201)의 제2 표면(220)은 회로기판(200)의 기판 표면에 위치할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 커버층(202)은 적어도 센싱 칩(201)의 센싱 영역(211)의 표면에 위치할 수 있다. 상기 실시 예에 따르면 커버층(202)은 폴리머로 이루어 질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 플라스틱 패키징 층(203)은 회로기판(200)의 기판 표면 및 센싱 칩 (201)의 표면에 위치할 수 있다. 커버층 (202)은 플라스틱 패키징 층 (203)으로부터 노출될 수 있다.
이하, 지문 인식 칩의 패키지 구조에 대하여 상세하게 설명한다.
회로기판(200)은 센싱 칩(201)을 고정하고, 센싱 칩(201)을 다른 장치 또는 회로에 전기적으로 연결할 수 있다. 회로기판(200)은 센싱 칩(201)이 배치 될 장치 또는 단자에 따라 강성 회로기판 또는 플렉시블 회로기판일 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 회로기판 (200)은 강성 회로기판일 수 있다. 강성 회로기판은 PCB 기판, 유리 기판, 금속 기판, 반도체 기판 또는 폴리머 기판일 수 있다.
회로기판(200)의 회로기판 표면(230)을 포함할 수 있다. 센싱 칩(201)은 회로기판 (200)의 회로기판 표면(230)에 연결될 수 있다. 회로기판(200)의 회로기판 표면(230)에는 배선층(도시되지 않음)이 위치할 수 있으며, 회로기판(200)의 회로기판 표면(230)에 위치하는 제2 접속 단자(205)에 배선층이 접속될 수 있다. 제2 접속 단자(205)는 센싱 칩(201)의 표면에 위치한 칩 회로에 연결될 수 있다. 회로기판(200)은 센싱 칩(201)을 고정할 수 있으며, 센싱 칩(201)을 다른 장치 또는 회로에 전기적으로 연결할 수 있다. 회로기판(200)은 센싱 칩(201)이 설치될 장치 또는 단자에 따라 강성 회로기판 또는 플렉시블 회로기판일 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에서, 회로기판 (200)은 강성 회로기판일 수 있다. 강성 회로기판은 PCB 기판, 유리 기판, 금속 기판, 반도체 기판 또는 폴리머 기판일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 회로기판(200)의 끝 단은 연결부(204)를 포함할 수 있다. 연결부(204)는 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 연결부(204)는 외부 회로 또는 장치와 회로기판(200)의 회로기판 표면(230)의 배선층을 통해 연결될 수 있으며, 연결부(204)는 전기 신호를 전송할 수 있다.
센싱칩(201)의 제1 표면(210)에 위치한 센싱 영역(211)은 사용자의 지문 정보를 감지하여 수신하도록 구성될 수 있다. 센싱 영역(211)에는 축전지 구조 또는 인덕터 구조가 제공 될 수 있으며, 축전지 구조 또는 인덕터 구조는 사용자의 지문 정보를 획득하도록 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 적어도 하나의 평행판 축전지가 센싱 영역 (211)에 제공될 수 있다. 사용자의 손가락이 커버층(202)의 표면에 닿으면, 평행판 축전지, 커버층(202) 및 사용자의 손가락에 의해 축전지 구조가 형성될 수 있다. 센싱 영역(211)은 사용자의 손가락 표면의 돌출부와 평행판 축전지 사이의 정전용량 및 사용자의 손가락 표면의 함몰부와 평행판 축전지 사이의 정전용량을 획득할 수 있고, 칩 회로를 통하여 정전용량의 차이를 계산하고, 정전용량의 차이를 출력하여 사용자의 지문 데이터를 획득할 수 있다.
센싱칩(201)의 제1 표면(210)은 센싱 영역(211)을 둘러싸는 주변 영역(212)을 더 포함할 수 있다. 센싱칩(201)의 제1 표면(210)의 주변 영역(212)에는 칩 회로(미도시)가 제공될 수 있다. 칩 회로는 센싱 영역(211)의 축전지 구조 또는 인덕터 구조에 전기적으로 연결되며, 축전지 구조 또는 인덕터 구조에 의해 출력된 전기 신호를 처리할 수 있다.
센싱 칩(201)은 주변 영역(212)에 위치한 에지 홈(206)을 더 포함할 수 있다. 에지 홈(206)은 센싱 칩(201)의 측벽으로부터 노출될 수 있다. 또한 센싱 칩(201)의 주변 영역(212)에 위치한 칩 회로는 에지 홈(206)의 바닥 표면 및 측벽의 표면 상에 위치할 수 있다. 에지 홈(206)의 바닥 표면에 위치하는 칩 회로의 일부는 제1 접속 단자(207)에 연결될 수 있다.
에지 홈(206)은 칩 회로의 출력 단자, 즉 제1 접속 단자(207)를 형성하도록 구성된다. 회로기판(200)의 기판 표면에 제1 접속 단자(207)와 제2 접속 단자(205)를 전기적으로 연결함으로써, 센싱 칩(201)이 회로 기판(200)에 결합될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 에지 홈(206)은 센싱 영역(211)을 둘러싸는 연속적인 홈일 수 있다. 하나 이상의 제1 접속 단자(207)는 연속적인 에지 홈(206)의 바닥 표면에 제공될 수 있다. 본 발명의 다른 실시 예에 따르면 상기 에지 홈(206)는 상기 센싱 영역(211)을 둘러싸는 복수의 분리된 홈들을 포함할 수 있다. 하나 이상의 제1 접속 단자(207)는 개별적인 홈(206)이 각각 제공될 수 있다. 제1 접속 단자 (207)의 수 및 분포는 칩 회로의 특정 회로 레이아웃 요구조건에 기초하여 결정될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 에지 홈(206)의 측벽은 센싱 칩(201)의 표면에 대하여 경사져 있을 수 있다. 에지 홈(206)의 측벽과 바닥 표면 사이의 각은 둔각(obtuse angle)일 수 있다. 에지 홈(206)의 경사진 측벽의 표면은 칩 회로 및 센싱 영역(211)과 제1 연결 단자(207) 사이의 회로 레이아웃을 용이하게 형성할 수 있다.
커버층(202)은 센싱 칩(201)의 센싱 영역(211)을 덮을 수 있다. 커버층(202)는 센싱 영역 (211)을 둘러싸는 주변 영역 (212)의 일부를 덮을 수도 있다. 커버층(202)은 폴리머로 이루어질 수 있다. 폴리머는 양호한 연성, 우수한 유연성 및 피복 성능을 가질 수 있다. 따라서, 커버층(202)은 두께가 얇고 경도가 높기 때문에 사용자의 지문을 감지하고 센싱 영역 (211)을 보호할 수 있는 커버층(202)의 용량을 확보하기 위하여 센싱 칩(201)의 용량을 향상시킬 수 있다.
커버층(202)은 20 미크론 내지 100 미크론 범위의 두께를 가질 수 있다. 커버층(202)의 두께는 작을 수 있다. 사용하는 손가락이 커버층(202)의 표면에 닿을 때, 손가락과 센싱 영역(211) 사이의 거리는 감소된다. 따라서, 센싱 영역(211)에 의해 사용자의 지문을 보다 쉽게 감지할 수 있어 센싱 칩(201)의 감도에 대한 요구를 줄일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 평행판 축전지는 센싱 영역 (211)에 위치할 수 있다. 커버층(202)의 두께가 얇기 때문에 사용자의 손가락과 평행판 축전지 사이의 거리가 감소될 수 있다. 그 결과, 사용자의 손가락과 평행판 축전지 사이의 정전용량은 작아질 수 있으며. 따라서 사용자의 손가락 표면의 돌출부와 평행판 축전지 사이의 정전용량과 함몰부와 평행판 축전지 사이의 정전용량 사이의 차이는 커질 수 있으며, 이에 따라 센싱 영역(211)은 사용자의 지문정보를 쉽게 획득 할 수 있다.
커버층(202)은 8H 이상인 모스 경도를 가질 수 있다. 커버층 (202)의 경도는 높을 수 있다. 따라서, 커버층(202)의 두께가 얇더라도 커버 층(202)은 센싱 칩(201)의 센싱 영역(211)을 보호 할 수 있으며, 센싱 칩(201)은 사용자의 손가락이 커버층(202)의 표면위로 움직일 때 손상을 받지 아니할 수 있다. 또한, 커버층(202)의 경도가 높기 때문에, 커버층(202)에 변형이 발생하기 어렵다. 사용자의 손가락이 커버층 (202)의 표면에 압력을 주더라도, 커버층(202)의 두께는 거의 변화하지 않으므로, 센싱 영역(211)의 검출 결과의 정확성이 보장될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 커버층(202)은 7 이상의 유전 상수를 가질 수 있다. 커버층(202)의 전기적 절연 용량은 크다. 따라서, 센싱 영역(211)을 보호하기 위한 커버층 (202)의 용량은 클 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 커버층(202)의 두께는 얇을 수 있으며, 사용자의 손가락과 평행판 축전기 사이의 정전용량은 커버층(202)의 두께에 반비례하며, 유전 상수에 비례할 수 있다. 따라서, 커버층(202)의 두께가 얇고 유전율이 크면 사용자의 손가락과 평행판 축전기 사이의 정전용량은 센싱 영역(211)에서 감지 할 수 있는 범위 내에 있을 수 있으므로, 정전용량이 너무 크거나 작아서 센싱 영역(211)의 탐색을 실패하는 것을 회피할 수 있다.
또한, 커버층(202)의 두께가 20~100 미크론이고 유전율이 7 이상인 경우에, 커버 층(202)의 유전율은 커버층(202)의 두께가 증가함에 따라 증가하기 때문에, 센싱 영역(211)에 의해 검출 가능한 안정된 범위 내에서 사용자의 손가락과 평행판 축전기 사이의 정전용량을 안정화시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 커버층(202)은 에폭시 수지(epoxy resin), 폴리미드 수지(polyimide resin), 벤조사이클로뷰텐 수지(polybenzoxazole resin), 폴리벤즈옥사졸 수지(Polybenzoxazole resin), 폴리부틸렌테레프탈레이드(polybutylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리올레핀(polyolefin), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리올레핀(polyolefin), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아미드(polyamide), 폴리 우레탄(polyurethane), 에틸렌초산비닐 공중합체(ethylene-vinyl acetate copolymer), 폴리비닐 알코올(polyvinyl alcohol)또는 적합한 폴리머로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 폴리머는 감광성 재료로 만들어 질 수 있다. 감광성 입자는 폴리머 내에 제공되고, 감광성 입자와 함께 폴리머는 노광 및 현상되어 패턴을 형성 할 수 있다. 감광성 입자는 6 미크론보다 작은 크기를 가지므로, 폴리머를 노출시킴으로써 형성된 커버층(202)의 크기는 정확하고 쉽게 제어할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 지문 인식 칩 패키지는 도전성 와이어 (208)를 더 포함할 수 있다. 도전선(208)의 양 끝단은 제1 접속 단자(207) 및 제2 접속 단자(205)에 각각 접속되어 칩 회로와 회로 기판(200)의 기판 표면상 배선층(wiring layer)을 전기적으로 접속 할 수 있다. 배선층은 연결부(204)와 전기적으로 접속될 수 있으며, 센싱 칩(201)의 표면의 칩 회로와 센싱 영역 (211)은 외부 회로 또는 장치와 전기 신호를 송수신할 수 있다. 도전성 와이어(208)는 구리, 텅스텐, 알루미늄, 금 또는 은과 같은 금속으로 만들어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 지문 인식 칩의 패키지 구조는 도전성 와이어(208)를 통해 제1 접속 단자(207)와 제2 접속 단자(205)가 접속 됨으로써 지문 인식 칩의 패키지 구조는 센싱 칩(201)과 회로 기판(200) 사이에 위치하는 제1 본딩층(301)을 더 포함할 수 있다. 상기 본딩층(301)은 회로 기판(200)의 기판 표면(230)위에 센싱 칩(201)을 고정할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 지문 인식 칩의 패키지 구조는 회로 기판(200)의 기판 표면 위에 위치하는 보호링(209)을 더 포함할 수 있다. 보호링(209)은 센싱 칩(201), 커버층(202) 및 플라스틱 패키징 층(203)을 둘러쌀 수 있다. 보호링 (209)은 금속으로 이루어질 수 있다. 보호링(209)은 회로 기판(200)을 통해 접지될 수 있다. 보호링(209)은 회로 기판(200)의 기판 표면(230)위에 고정될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 보호링(209)은 센싱 칩(201), 커버층(202) 및 플라스틱 패키징 층(203) 주위에 위치할 수 있으며 플라스틱 패키징 층(203)의 일부분을 덮을 수 있으며, 커버층(202)의 표면은 보호링으로부터 노출될 수 있다. 또 다른 실시 예에 따르면 보호링은 센싱 칩(201) 및 플라스틱 패키징 층(203) 주위에만 위치될 수 있으며, 플라스틱 패키징 층(203)의 표면 및 커버층(202)의 표면은 보호링으로부터 노출될 수 있다.
보호링(209)은 구리, 텅스텐, 알루미늄, 금 또는 은과 같은 금속으로 제조될 수 있다. 보호링 (209)은 센싱 칩에 대해 정전기 보호를 제공할 수 있다. 보호링 (209)은 금속으로 이루어져 있기 때문에, 보호링 (209)은 도전성을 갖는다. 사용자의 손가락이 커버층(202)에 닿으면 정전기가 발생할 수 있고, 보호링(209)을 통해 회로 기판(200)으로 정전기(electrostatic)가 전달될 수 있고, 이로 인하여 정전기 전압(electrostatic voltage)이 너무 커서 파손되는 것으로부터 커버층(202)을 보호할 수 있다. 이러한 방식으로, 센싱 칩(201)이 보호되고, 지문 검출의 정확성이 향상될 수 있다. 센싱 칩이 출력하는 신호 잡음이 제거되어 센싱 칩이 출력하는 신호가 더욱 정확해질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 도 3에 도시 된 바와 같이 지문 인식 칩의 패키지 구조는 센싱 칩(201)의 측벽 표면, 회로 기판(200)의 제1 표면 (210) 및 에지 홈(206)을 가질 수 있다. 센싱 영역(211)과 회로 기판(200)의 기판 표면상의 배선층과의 전기적 접속을 달성하기 위해, 도전층 (303)의 양 끝단은 제 1 접속 단자 (207) 및 제 2 접속 단자 (205) 및 회로 기판(200)의 기판 표면에 배선층을 포함할 수 있다. 지문 인식 칩의 패키지 구조는 센싱 칩 (201)과 회로 기판(200)사이에 위치하는 제 1 본딩층(301)을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면 도 4에 도시 된 바와 같이 센싱 칩(201)은 센싱 칩(201)을 통해 연장되는 도전성 플러그(conductive plug)(304)를 더 포함할 수 있다. 도전성 플러그 (304)는 센싱 칩(201)의 제2 표면(220)으로부터 노출될 수 있다. 도전성 플러그 (304)의 한쪽 끝단은 제1 접속 단자 (207)에 연결될 수 있다. 센싱 칩(201)은 센싱 칩(201)의 제2 표면 (220)으로부터 노출된 도전성 플러그(304)의 상단에 위치한 땜납층(solder layer)(305)을 더 포함할 수 있다. 센싱 영역(211)과 회로 기판(200)의 기판 표면 상의 배선층 사이와 칩 회로 및 회로 기판(200)의 기판 표면 상의 배선층의 사이에 전기적인 연결을 달성하기 위하여 땜납층(305)은 제2 접속 단자(205)의 표면에 용접될 수 있다. 센싱 칩 (201)은 땜납층 (305)을 통해 회로 기판(200)의 기판 표면(230)에 용접되므로, 센싱 칩(201)은 회로 기판(200)에 고정될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 도 5에 도시 된 바와 같이, 지문 인식 칩의 패키지 구조는 플라스틱 패키징 층(203), 센싱 칩(201) 및 보호링 (209)을 둘러싸는 하우징(400)을 더 포함할 수 있다. 커버층(202)은 하우징(400)으로부터 노출될 수 있으며, 이로 인하여 지문을 검출하기 위하여 사용자의 손가락을 이용하여 커버층(202)의 표면과 접촉될 수 있다. 커버 층(202)의 색은 하우징(400)의 색상과 동일할 수 있다. 예를 들어, 하우징 (400)이 흑색이면, 커버층(202)은 흑색이고; 하우징(400)이 백색 인 경우, 커버 층(202)은 백색일 수 있다. 이와 같이, 지문 인식 칩의 패키지 구조는 전체적으로 조화로운 외관을 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면 도 6에 도시 된 바와 같이 지문 인식 칩의 패키지 구조는 보호링(209)을 포함하지 않을 수 있으며, 지문 인식 칩의 패키지 구조는 플라스틱 패키징 층(203) 및 센싱 칩(201)을 둘러싸는 하우징을 포함할 수 있다. 커버층(202)은 하우징(400)으로부터 노출될 수 있다. 커버 층 (202)의 색상은 하우징 (400)의 색상과 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 센싱 칩의 제2 표면은 회로 기판의 기판 표면에 결합될 수 있으며, 센싱 칩의 제 1 표면은 센싱 영역을 포함하고 센싱 영역은 사용자의 지문을 추출할 수 있다. 커버층은 센싱 칩의 센싱 영역의 표면에 위치할 수 있으며, 커버층은 센싱 칩의 센싱 영역을 보호할 수 있으며, 센싱 영역은 커버층의 표면에 사용자의 손가락이 닿을 때 사용자의 지문을 추출할 수 있고, 센싱 칩은 사용자의 지문을 전기 신호로 변환하여 전기 신호를 출력할 수 있다. 커버층은 폴리머로 이루어질 수 있다. 폴리머는 우수한 연성, 유연성 및 우수한 피복 성능을 가지므로, 커버층의 두께가 얇고, 센싱 칩을 보호하기에 충분한 경도를 가질 수 있다. 또한, 커버층 표면과 센싱 칩 사이의 거리가 줄어들어 센싱 칩이 사용자의 지문을 쉽게 감지 할 수 있다. 따라서, 이러한 패키지 구조는 센싱 칩의 감도에 대한 요구가 감소할 수 있으며, 지문 인식 칩의 패키지 구조가 보다 광범위하게 적용될 수 있다. 또한, 커버층이 폴리머로 이루어질 수 있기 때문에, 커버층의 저비용화가 가능해져, 패키지 구조의 제조 비용을 절감할 수 있다.
이에 대응하여, 도 7 내지 도 12에 도시 된 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따라 상술된 지문 인식 칩의 패키지 구조를 형성하기 위한 패키징 방법이 더 제공된다.
도 7에 도시 된 바와 같이, 회로기판(200)이 제공될 수 있다.
회로 기판(200)은 센싱 칩(201)이 배치될 장치 또는 단자에 따라 강성 회로기판 또는 플렉시블 회로기판일 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 회로기판 (200)은 강성 회로기판일 수 있다. 강성 회로기판은 PCB 기판, 유리 기판, 금속 기판, 반도체 기판 또는 폴리머 기판일 수 있다.
회로 기판(200)은 기판 표면(230)을 포함할 수 있다. 그 후에 형성된 센서 칩은 기판 표면(230)에 결합될 수 있다. 배선층 및 제2 접속 단자(205)는 회로 기판(200)의 기판 표면(230)에 형성될 수 있다. 배선층은 제2 접속 단자(205)에 접속될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 회로 기판 (200)의 한 쪽 끝단에 연결부(204)가 형성될 수 있다. 연결 (204)는 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 배선층은 연결부(204)에 접속될 수 있으며, 이로 인하여 배선층 및 제2 접속 단자는 외부 회로 또는 디바이스에 전기적으로 접속될 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 센싱 칩(201)은 회로 기판(200)의 기판 표면(230)에 고정될 수 있다. 센싱 칩(201)은 제1 표면 (210) 및 제1 표면(210)에 대향하는 제2 표면(220)을 포함할 수 있다. 센싱 칩 (201)의 제1 표면(210)은 센싱 영역(211)을 포함할 수 있다. 센싱 칩(201)의 제2 표면(220)은 회로 기판(200)의 기판 표면에 위치할 수 있다.
센싱 영역(211)은 사용자의 지문 정보를 감지하여 수신할 수 있다. 축전지 구조 또는 인덕터 구조는 센싱 영역(211)에 제공 될 수 있다. 축전지 구조 또는 인덕터 구조는 사용자의 지문 정보를 획득하도록 구성될 수 있다.
센싱 영역(211)은 사용자의 손가락 표면의 돌출부와 평행판 축전기 사이의 정전용량과 사용자의 손가락 표면의 함몰부와 평행판 축전기 사이의 정전용량과의 차이를 구할 수 있으며, 칩 회로를 통해 상기 정전용량들의 차이를 구할 수 있으며, 상기 정전용량들의 차이를 출력하여 사용자의 지문 데이터를 획득할 수 있다.
센싱 칩(201)은 센싱 영역(211)을 둘러싸는 주변 영역(212)을 더 포함할 수 있다. 센싱 칩(201)의 주변 영역(212)에 에지 홈(206)이 형성될 수 있다. 홈 (206)은 센싱 칩 (201)의 측벽으로부터 노출될 수 있다. 제1 접속 단자(207)는 홈(206)의 하단에 형성될 수 있다. 칩 회로는 센싱 칩(201)의 제1 표면(210)에 형성될 수 있다. 칩 회로는 홈(206)의 내부로 연장될 수 있으며, 제1 접속 단자(207)에 접속될 수 있다. 제1 접속 단자(207)는 칩 회로의 출력 단자일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 에지 홈(206)은 센싱 영역(211)을 둘러싸는 연속적인 홈일 수 있다. 연속적인 에지 홈(206)의 바닥 표면에는 하나 이상의 제1 접속 단자(207)가 형성될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면 에지 홈(206)은 센싱 영역(211)을 둘러싸는 복수의 별개의 홈들을 포함할 수 있다. 하나 이상의 제1 연결 단자들(207)은 별개의 에지 홈들(206)에 각각에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 에지 홈(206)의 측벽은 센싱 칩(201)의 표면에 대해 경사져 있을 수 있다. 측벽과 에지 홈(206)의 바닥 사이의 각도는 둔각일 수 있다. 에지 홈(206)에 칩 회로가 형성될 경우에는 칩 회로의 레이아웃 형성을 위해 칩 회로의 재료로 포토리소그래피 (photolithography) 및 에칭(etching) 프로세스를 수행하여 경사진 측벽의 표면을 형성하는 것이 용이하다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 센싱 칩은 제1 본딩층(301)을 통해 회로 기판(200)의 기판 표면(230)에 고정될 수 있다. 이어서, 제1 접속 단자(207)는 도전성 와이어 또는 도전층을 통해 제2 접속 단자(205)에 접속될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면 도 4에 도시 된 바와 같이, 센싱 칩(201)을 관통하여 연장되는 도전성 플러그(304)가 센싱 칩(201)에 형성될 수 있다. 도전성 플러그(304)는 센싱 칩(201)의 제2 표면(220)으로부터 노출될 수 있다. 도전성 플러그(304)의 한쪽 끝단은 제1 접속 단자(207)에 접속될 수 있다. 센싱 칩(201)의 제2 표면(220)으로부터 노출된 도전성 플러그 (304)의 상단에는 땜납층(305)이 형성될 수 있다. 땜납층(305)은 제2 연결 단자(205)의 표면에 용접될 수 있으며, 센싱 칩(201)과 회로 기판(200)을 서로 고정시킬 수 있다.
도 9에 도시 된 바와 같이, 코팅 공정을 통해 회로 기판(200)의 기판 표면과 센싱 칩(201)의 표면에 커버 필름(202a)이 형성될 수 있다. 커버 필름(202a)은 폴리머로 이루어질 수 있다.
커버 필름 (202a)은 이후에 커버층을 형성하도록 구성될 수 있다. 폴리머는 우수한 연성, 유연성 및 유동성을 가지고 있으며 높은 피복 성능을 가지고 있다. 따라서, 두께가 얇은 커버 필름 (202a)은 코팅 공정을 통해 센싱 영역 (211)의 표면에 형성될 수 있으며, 그 결과 이후에 센싱 영역(211)의 표면에 형성될 커버층의 두께가 얇아질 수 있다. 커버층의 두께가 얇으면, 사용자의 지문을 감지하기 위한 센싱 칩(201)의 수용력(capacity)이 향상되고 그에 따라 센싱 칩(201)의 감지 감도에 대한 요구도 낮아질 수 있다.
코팅 공정은 스핀 코팅 공정(spin coating process), 스프레이 코팅 공정(spray coating process) 또는 증발 공정(evaporation process)을 포함할 수 있다. 커버 필름(202a)을 형성하기 위한 재료가 유체이기 때문에, 회로 기판(200)의 기판 표면의 커버 필름(202a)은 큰 두께를 가지는 반면에 센서 칩(201)의 표면에 형성된 커버 필름 (202a)은 얇은 두께를 가질 수 있다. 센싱 칩(201)의 표면에 형성된 커버 필름 (202a)의 두께는 20 ~ 100 미크론일 수 있다.
커버 필름(202a)은 에폭시 수지(epoxy resin), 폴리미드 수지(polyimide resin), 벤조사이클로뷰텐 수지(benzocyclobutene resin), 폴리벤즈옥사졸 수지(Polybenzoxazole resin),폴리부틸렌테레프탈레이드(polybutylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리올레핀(polyolefin), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리올레핀(polyolefin), 폴리에테르술폰polyethersulfone), 폴리아미드(polyamide), 폴리 우레탄(polyurethane), 에틸렌초산비닐 공중합체(ethylene-vinyl acetate copolymer), 폴리비닐 알코올(polyvinyl alcohol)또는 적합한 폴리머로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 폴리머는 감광성 재료로 이루어 질 수 잇다. 감광성 입자는 폴리머 내에서 제공될 수 있으며, 감광성 입자와 함께 폴리머는 노광 및 현상될 수 있다. 따라서, 커버층 (202a)을 직접 노광함으로써 커버층을 형성 할 수 있다. 감광성 입자는 6 미크론보다 작은 크기를 가지므로, 노광에 의해 후속적으로 형성되는 커버층(202)의 크기를 더 정밀하고 쉽게 제어할 수 있다.
도 10에 도시 된 바와 같이, 센싱 영역(211)의 표면에 커버층 (202)을 형성하기 위하여 회로 기판(200)의 기판 표면 및 센싱 영역(211)아닌 센싱 칩(201)의 제1 표면의 다른 부분(도 9에 도시 된 바와 같이)의 커버 필름 (202a)을 제거할 수 있다 (도 9에 도시 된 바와 같이).
본 발명의 일 실시 예에 따르면 커버 필름 (202a)을 형성하기 위한 폴리머는 감광성 재료로 이루어질 수 있으며, 이로 인하여 노광 및 현상 공정을 통해 센싱 영역(211)이외의 커버 필름(202a)을 제거하여 커버층(202)을 형성할 수 있다. 또한, 노광 및 현상 후, 형성된 커버층(202)에 응고 공정(solidification process)을 실시하여 커버층(202)의 재료를 고화시킬 수 있다. 형성된 커버층(202)은 센싱 영역(211)의 표면을 덮을 뿐만 아니라, 센싱 영역(211)을 둘러싸는 주변 영역(212)의 부분도 덮을 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면 커버층(202)을 형성하는 공정은 커버 필름(202a)의 표면에 마스크 층을 형성하는 단계, 상기 마스크 층은 커버층(202)응 형성하기 위한 대응 위치 및 패턴으로 정의될 수 있으며; 커버층(202)을 형성하기 위하여 회로 기판(200)의 기판 표면과 센싱 칩(201)의 표면이 노출될 때까지 마스크 층을 마스크로하여 커버 필름(202a)을 에칭(etching)하는 단계를 포함할 수 있다.
커버층(202)은 20 미크론에서 100 미크론의 두께를 가지므로, 센싱 영역(211)이 사용자의 손가락의 지문 정보를 용이하게 검출할 수 있다.
응고 공정(solidification process) 후에, 커버 필름(202a)은 8H 이상의 모스 경도를 가질 수 있다. 커버층(202)의 경도가 높기 때문에, 사용자의 손가락이 커버층(202)의 표면에서 움직이는 경우에도 센싱 칩 (201)은 손상되지 아니한다. 또한, 커버층(202)의 경도가 높기 때문에, 커버층(202)에 변형이 생기기 어렵다. 사용자의 손가락이 커버층(202)의 표면을 눌러도, 커버 층(202)의 두께의 변화는 거의 생기지 아니한다. 이로 인하여 센싱 영역(211)의 검출 결과에 대한 정밀도가 확보될 수 있다.
커버층(202)은 7 이상의 유전 상수를 가질 수 있다. 커버층(202)의 전기 절연 용량(Electrical isolation capacity)은 클 수 있다. 따라서, 센싱 영역(211)을 보호하기 위한 커버층(202)의 수용력(of the cover layer)은 클 수 있다. 또한, 본 발명이 일 실시 예에 따르면 커버층(202)의 두께가 얇고 유전율이 클 경우, 사용자의 손가락과 평행판 축전기 사이의 정전용량은 센싱 영역(211)에 의해 검출 가능한 범위 내에 있을 수 있으므로, 감지 실패를 회피할 수 있다.
도 11에 도시 된 바와 같이, 커버층(202)이 형성된 후에, 회로 기판(200)은 센싱 칩(201)에 결합될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 센싱 칩(201)은 제1 본딩층(301)을 통해 회로 기판(200)의 기판 표면에 고정될 수 있으며, 회로 기판(200)은 도전성 와이어 또는 도전 층을 통해 센싱 칩(201)에 결합 될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 센싱 칩(201)을 회로 기판(200)의 기판 표면에 결합시키는 과정에서 도전성 와이어(208)를 제공하고, 도전성 와이어 (208)의 양 끝단을 제1 연결 단자(207) 및 제2 연결 단자(205)에 용접을 통하여 연결하는 것을 포함할 수 있다. 도전성 와이어(208)는 구리, 텅스텐, 알루미늄, 금 또는 은과 같은 금속으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 도 3에 도시 된 바와 같이, 센싱 칩(201)을 회로 기판(200)의 기판 표면에 결합시키는 공정은 회로 기판(200)의 기판 표면,센싱 칩(201)의 측벽의 표면, 에지 홈 내부에 도전층(303)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 도전층(303)의 양 끝단은 제1 접속 단자(207) 및 제2 접속 단자(205)에 각각 연결될 수 있다. 도전층 (303)을 형성하는 공정은 증착 공정(deposition process), 도금 공정(plating process) 또는 화학 도금 공정(chemical plating process)를 포함할 수 있으며 도전 필름의 일부분을 에칭하여 도전층(303)을 형성할 수 있다. 도전층(303)은 구리, 텅스텐, 알루미늄, 은, 금, 티탄(titanium), 탄탈(tantalum), 니켈(nickel), 질화티탄 (titanium nitride), 질화탄탈(tantalum nitride )또는 이들의 임의의 조합과 같은 금속으로 이루어 질 수 있다.
도 12에 도시 된 바와 같이, 플라스틱 패키징 층(203)은 회로 기판(200)의 기판 표면 및 센싱 칩(201)의 표면에 형성될 수 있으며. 커버층(202)은 플라스틱 패키징 층(203)으로부터 노출될 수 있다.
플라스틱 패키징 층(203)은 에폭시 수지, 폴리에틸렌, 폴리 프로필렌, 폴리올레핀, 폴리 아미드, 폴리 우레탄 또는 다른 적절한 성형 재료로 제조될 수 있다. 플라스틱 패키징 층(203)을 형성하는 공정은 사출 성형 공정(injection molding process), 트랜스퍼 성형 공정(transfer molding process), 스크린 인쇄 공정(screen printing process) 또는 다른 적절한 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 도 2에 도시 된 바와 같이, 플라스틱 패키징 층(203)이 형성된 후에, 보호링(209)이 회로 기판(200)의 기판 표면에 형성될 수 있다. 보호 링(209)은 센싱 칩(201), 커버층(202) 플라스틱 패키징 층을 둘러쌀 수 있다. 보호 링(209)은 금속으로 이루어질 수 있다. 보호 링 (209)은 기판 (200)을 통해 접지된다. 보호링(209)은 구리, 텅스텐, 알루미늄, 금 또는 은과 같은 금속으로 이루어질 수 있다.
보호링(209)은 너무 큰 정전 전압(electrostatic voltage)으로 인해 커버층(202)이 고장 나버리는 것을 보호하기 위하여 센싱 칩에 정전기 보호를 제공할 수 있다. 이러한 방식으로 센싱 칩(201)은 보호될 수 있으며, 지문 검출의 정확성이 향상될 수 있다. 센싱 칩이 출력하는 신호 잡음이 제거되어 센싱 칩이 출력하는 신호가 더욱 정확해질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면 센싱 칩의 제1 표면은 사용자의 지문을 추출하도록 구성된 센싱 영역을 포함할 수 있으며, 센싱 칩의 센싱 영역의 표면에 커버층이 형성될 수 있고, 센싱 칩의 센싱 영역을 보호하도록 커버층이 구성될 수 있으며, 커버층의 표면은 사용자의 손가락의 지문을 검출을 위해 사용될 수 있다. 커버층은 폴리머로 이루어 질 수 있다. 폴리머는 우수한 연성, 유연성 및 우수한 피복 성능을 가질 수 있으며, 형성된 커버층의 두께가 얇고, 센싱 칩을 보호하기에 충분한 경도를 가질 수 있다. 또한, 커버층의 표면과 센싱 칩 사이의 거리가 감소되어 센싱 영역이 사용자의 지문 데이터를 쉽게 감지할 수 있다. 따라서, 형성된 패키지 구조는 센싱 칩의 감도에 대한 요구가 감소됨으로써 패키지 방법이 보다 광범위하게 적용될 수 있다. 또한, 커버층이 폴리머로 구성되어 있기 때문에, 커버층의 저비용화가 가능해져, 패키지 구조의 제조 비용을 저감 할 수 있다.
본 발명은 상술한 설명에 의해 개시되지만, 이에 한정되지 아니한다. 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변경 및 변형을 수행할 수 있다. 그러므로, 본 개시의 범위는 청구 범위에 의해 한정된다.

Claims (20)

  1. 지문 인식 칩의 패키지 구조에 있어서,
    회로기판 표면을 포함하는 회로기판;
    상기 회로기판 표면에 결합된 센싱 칩, 상기 센싱 칩은 제1 표면 및 상기 제 1 표면에 대향하는 제2 표면을 포함하며, 상기 센싱 칩의 제1 표면은 센싱 영역을 포함하고, 상기 센싱 칩의 제2 표면은 회로기판 표면에 위치하며;
    적어도 상기 센싱 칩의 센싱 영역의 표면에 위치하는 커버층, 상기 커버 층은 폴리머로 이루어지고; 및
    상기 회로기판 표면 및 상기 센싱 칩의 제 1 표면에 위치한 플라스틱 포장 층, 상기 커버 층은 상기 플라스틱 포장 층으로부터 노출되어있는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 커버 층의 두께는 20 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이고, 상기 커버 층의 모스 경도는 8H 이상이며, 상기 커버 층의 유전 상수는 7보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머는 감광성 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 감광성 입자는 상기 커버 층에 제공되고, 상기 감광성 입자는 6 미크론 미만의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 센싱 칩의 제1 표면은 상기 센싱 영역을 둘러싸는 주변 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  6. 제 5 항에 있어서 상기 센싱 칩은,
    에지 홈은 상기 주변 영역에 위치하며, 상기 에지 홈은 센싱 칩의 측벽으로부터 노출되고; 및
    칩 회로는 상기 센싱 칩의 주변 영역 상에 위치하며, 상기 칩 회로는 상기 센싱 칩의 주변 영역의 표면 및 상기 에지 홈의 측벽 및 바닥 표면에 위치하고, 상기 에지 홈의 바닥에 위치하는 상기 칩 회로의 일부분이 제1 접속 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 에지 홈은 상기 센싱 영역을 둘러싸는 연속적인 홈; 또는
    상기 에지 홈이 상기 센싱 영역을 둘러싸는 복수의 분리된 홈들인 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  8. 제 6 항에 있어서,
    회로기판 표면에 제 2 접속 단자가 제공되는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 도전성 와이어를 더 포함하고, 상기 도전성 와이어의 양 끝단은 상기 제1 접속 단자 및 상기 제2 접속 단자에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 센싱 칩의 측벽의 표면, 상기 회로기판 표면 및 상기 에지 홈에 위치하는 도전층을 더 포함하고, 상기 도전층의 양 끝단은 제 1 접속 단자 및 제 2 접속 단자에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 센싱 칩과 상기 회로기판 사이에 위치하는 제1 본딩층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  12. 제 8 항에 있어서 상기 센싱 칩은,
    상기 센싱 칩을 관통하여 연장되는 도전성 플러그를 더 포함하고, 상기 도전성 플러그는 상기 센싱 칩의 제2 표면에 노출되며 상기 도전성 플러그의 끝단 중 하나가 상기 제 1 연결 단자에 연결되고; 및
    상기 센싱 칩의 상기 제2 표면으로부터 노출된 상기 도전성 플러그의 상단에 위치하며, 상기 제 2 접속 단자의 표면에 용접되는 땜납층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 회로기판 표면에 배치된 보호링을 더 포함하고, 상기 보호링은 상기 센싱 칩, 상기 커버층 및 상기 플라스틱 패키징 층을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 보호링은 금속으로 이루어지고, 상기 보호링은 상기 회로기판을 통해 접지되는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 플라스틱 패키징 층, 상기 센싱 칩 및 상기 보호링을 감싸는 하우징을 더 포함하고, 상기 커버층은 상기 하우징으로부터 노출되며, 상기 커버층의 색상은 상기 하우징과 동일한 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라스틱 패키징 층 및 상기 센싱 칩을 감싸는 하우징을 더 포함하고, 상기 커버층은 상기 하우징으로부터 노출되며, 상기 커버층의 색상은 상기 하우징과 동일한 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 회로기판은 강성 회로기판 또는 플렉시블 회로기판이고, 상기 회로기판의 끝단은 상기 센싱 칩과 외부 회로를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키지 구조.
  18. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 따른 구조를 형성하기 위한 패키징 방법에 있어서,
    회로기판 표면을 포함하는 회로기판을 제공하는 단계;
    회로 기판 표면에 센싱 칩을 결합하는 단계, 상기 센싱 칩은 제1 표면 및 1 표면에 대향하는 2 표면을 포함하며, 상기 센싱 칩의 제1 표면은 센싱 영역을 포함하며, 상기 센싱 칩의 제2 표면은 회로기판 표면에 위치하고;
    상기 센싱 칩의 센싱 영역의 적어도 일부에 폴리머로 이루어진 커버층을 형성하는 단계; 및
    상기 회로기판 표면 및 상기 센싱 칩의 제1 표면에 플라스틱 패키징 층을 형성하는 단계, 상기 커버층은 상기 플라스틱 패키징 층으로부터 노출되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키징 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 커버층이 폴리머로 이루어지고, 상기 폴리머가 감광성 재료로 이루어진 경우에 상기 커버층을 형성하는 공정은,
    상기 회로기판 표면 및 상기 센싱 칩의 제1 표면에 코팅 공정을 통해 커버 필름을 형성하는 단계; 및
    상기 회로기판의 표면 및 상기 센싱 영역이 아닌 상기 센싱 칩의 제1 표면의 다른 부분에 상기 커버 필름을 제거하여 상기 센싱 영역의 표면 상에 커버 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키징 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 코팅 공정은 스핀 코팅 공정 또는 스프레이 코팅 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 칩의 패키징 방법.
KR1020177002507A 2014-07-01 2016-06-30 지문 인식 칩 패키징 구조 및 패키징 방법 KR101881040B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410309750.7 2014-07-01
CN201410309750.7A CN104051366B (zh) 2014-07-01 2014-07-01 指纹识别芯片封装结构和封装方法
PCT/CN2015/082714 WO2016000596A1 (zh) 2014-07-01 2015-06-30 指纹识别芯片封装结构和封装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170026537A true KR20170026537A (ko) 2017-03-08
KR101881040B1 KR101881040B1 (ko) 2018-08-16

Family

ID=51504030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177002507A KR101881040B1 (ko) 2014-07-01 2016-06-30 지문 인식 칩 패키징 구조 및 패키징 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10133907B2 (ko)
KR (1) KR101881040B1 (ko)
CN (1) CN104051366B (ko)
TW (1) TWI569384B (ko)
WO (1) WO2016000596A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10809833B2 (en) 2018-01-02 2020-10-20 Samsung Display Co., Ltd. Fingerprint sensor, touch sensor having fingerprint sensor, and display device having touch sensor

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104051366B (zh) 2014-07-01 2017-06-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 指纹识别芯片封装结构和封装方法
CN104201116B (zh) * 2014-09-12 2018-04-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 指纹识别芯片封装方法和封装结构
CN104201115A (zh) * 2014-09-12 2014-12-10 苏州晶方半导体科技股份有限公司 晶圆级指纹识别芯片封装结构及封装方法
CN104615980B (zh) * 2015-01-27 2018-11-23 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种指纹识别装置及其制作方法
CN104615981B (zh) * 2015-01-27 2018-05-22 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种指纹识别模组结构及其制作方法
KR102097179B1 (ko) * 2015-04-07 2020-04-03 앰코테크놀로지코리아(주) 지문센서 패키지 및 그 제조 방법
CN104779223A (zh) * 2015-04-10 2015-07-15 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 具有单边沟槽的指纹识别芯片封装结构与制作方法
TWI584438B (zh) * 2015-04-17 2017-05-21 瑞鼎科技股份有限公司 多功能積體電路之封裝結構及封裝方法
CN104866812A (zh) * 2015-04-17 2015-08-26 麦克思股份有限公司 指纹识别装置及具有指纹识别装置的触控显示装置
CN104966707A (zh) * 2015-04-30 2015-10-07 深圳莱宝高科技股份有限公司 指纹采集封装结构及其封装方法
US10885294B2 (en) 2015-05-14 2021-01-05 Motorola Mobility Llc Finger print sensor with passive proximity detection for power savings in an electronic device
CN104851853A (zh) * 2015-05-19 2015-08-19 苏州晶方半导体科技股份有限公司 指纹识别芯片的封装结构及封装方法
CN104851813A (zh) * 2015-05-19 2015-08-19 苏州晶方半导体科技股份有限公司 指纹识别芯片的封装结构及封装方法
CN104850840A (zh) * 2015-05-19 2015-08-19 苏州晶方半导体科技股份有限公司 芯片封装方法和芯片封装结构
CN106356348A (zh) * 2015-07-24 2017-01-25 晨星半导体股份有限公司 电容式传感器结构、具电容式传感器的电路板结构以及电容式传感器的封装结构
WO2017035765A1 (en) * 2015-09-01 2017-03-09 Shanghai Oxi Technology Co., Ltd Fingerprint imaging device structure and method for packaging the same
US10672937B2 (en) 2015-09-02 2020-06-02 Pixart Imaging Inc. Optical sensor module and sensor chip thereof
CN106531749A (zh) * 2015-09-14 2017-03-22 原相科技股份有限公司 感测芯片封装结构及其制造方法
US10152146B2 (en) * 2015-09-16 2018-12-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Cosmetically hidden electrostatic discharge protection structures
US10402616B2 (en) 2015-10-21 2019-09-03 Motorola Mobility Llc Fingerprint sensor with proximity detection, and corresponding devices, systems, and methods
US10248826B2 (en) 2015-10-21 2019-04-02 Motorola Mobility Llc Fingerprint sensor with proximity detection, and corresponding devices, systems, and methods
CN106068516B (zh) 2016-05-30 2019-06-28 深圳信炜科技有限公司 生物传感芯片及电子设备
CN106062951B (zh) * 2016-05-30 2019-06-28 深圳信炜科技有限公司 生物传感模块、生物传感芯片及电子设备
WO2018000429A1 (zh) * 2016-07-01 2018-01-04 华为技术有限公司 一种防水指纹识别模组和电子设备
CN106409784A (zh) * 2016-08-23 2017-02-15 南通富士通微电子股份有限公司 一种指纹识别模块及其制作方法
TWI631632B (zh) * 2016-08-31 2018-08-01 矽品精密工業股份有限公司 封裝結構及其製法
WO2018082087A1 (zh) * 2016-11-07 2018-05-11 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别模组及指纹识别芯片封装结构
KR20180100277A (ko) 2017-01-19 2018-09-10 선전 구딕스 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 지문 인식 장치
CN106897712B (zh) * 2017-03-13 2020-01-14 Oppo广东移动通信有限公司 指纹模组、显示屏和移动终端
KR101910518B1 (ko) 2017-04-11 2018-10-22 삼성전자주식회사 생체 센서 및 생체 센서를 포함하는 장치
CN109152196A (zh) * 2018-07-25 2019-01-04 江苏凯尔生物识别科技有限公司 一种指纹识别模组安装方法及指纹识别模组
CN113343829B (zh) * 2019-05-29 2024-04-09 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置和电子设备
CN111133444B (zh) * 2019-10-21 2023-10-13 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置和电子设备
CN111524813B (zh) * 2020-05-06 2021-12-17 江苏永鼎股份有限公司 一种生物识别封装结构及其形成方法
TWI730812B (zh) * 2020-06-15 2021-06-11 義隆電子股份有限公司 用於智慧卡之指紋感測晶片模組及其封裝方法
CN113065390A (zh) * 2021-02-03 2021-07-02 深圳阜时科技有限公司 一种窄条状指纹芯片、侧边式指纹芯片模组及电子设备
CN112985471B (zh) * 2021-04-30 2021-11-02 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种电容传感器及其制作方法
CN113611217A (zh) * 2021-08-11 2021-11-05 昆山国显光电有限公司 显示面板和显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1694260A (zh) * 2005-04-15 2005-11-09 宜霖科技股份有限公司 接触式影像截取结构
KR20080062577A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 주식회사 하이닉스반도체 적층 패키지 및 그의 제조 방법
JP2011066649A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Kyocera Kinseki Corp 圧電デバイスの製造方法
CN102244047A (zh) * 2010-05-11 2011-11-16 精材科技股份有限公司 晶片封装体及其形成方法
KR20130043161A (ko) * 2010-06-18 2013-04-29 오쎈테크, 인코포레이티드 감지 영역 위에 캡슐화 층을 포함하는 핑거 센서 및 관련 방법
CN103793689A (zh) * 2014-01-27 2014-05-14 南昌欧菲光科技有限公司 指纹识别传感器封装结构、电子设备及指纹识别传感器的制备方法
CN103886299A (zh) * 2014-03-27 2014-06-25 成都费恩格尔微电子技术有限公司 一种电容式指纹传感器的封装结构

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4024335B2 (ja) 1996-01-26 2007-12-19 ハリス コーポレイション 集積回路のダイを露出させる開口部を有する集積回路装置とその製造方法
CN1164076A (zh) * 1996-01-26 1997-11-05 哈里公司 安全性高的指纹感测盒及有关方法
US6677110B2 (en) * 2001-03-30 2004-01-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Dye-forming coupler, silver halide photographic light-sensitive material, and azomethine dye compound
JP4702586B2 (ja) * 2001-09-10 2011-06-15 日本電気株式会社 指紋センサ及び指紋センサ実装構造並びに該指紋センサを備えた指紋検出器
JP4438265B2 (ja) * 2001-09-28 2010-03-24 日本電気株式会社 画像入力装置及びそれを内蔵した電子機器
JP4258532B2 (ja) * 2006-06-30 2009-04-30 カシオ計算機株式会社 薄膜デバイス基板とその製造方法
US7781852B1 (en) * 2006-12-05 2010-08-24 Amkor Technology, Inc. Membrane die attach circuit element package and method therefor
CN100555646C (zh) * 2006-12-06 2009-10-28 台湾沛晶股份有限公司 薄型影像芯片封装结构
US7705613B2 (en) * 2007-01-03 2010-04-27 Abhay Misra Sensitivity capacitive sensor
TWI384602B (zh) * 2008-06-13 2013-02-01 Unimicron Technology Corp 嵌埋有感光半導體晶片之封裝基板及其製法
NO20093601A1 (no) * 2009-12-29 2011-06-30 Idex Asa Overflatesensor
US20120092279A1 (en) * 2010-10-18 2012-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Touch sensor with force-actuated switched capacitor
TWI529390B (zh) * 2012-11-21 2016-04-11 茂丞科技股份有限公司 生物感測器模組、組件、製造方法及使用其之電子設備
CN104051366B (zh) 2014-07-01 2017-06-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 指纹识别芯片封装结构和封装方法
CN204029788U (zh) * 2014-07-01 2014-12-17 苏州晶方半导体科技股份有限公司 指纹识别芯片封装结构

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1694260A (zh) * 2005-04-15 2005-11-09 宜霖科技股份有限公司 接触式影像截取结构
KR20080062577A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 주식회사 하이닉스반도체 적층 패키지 및 그의 제조 방법
JP2011066649A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Kyocera Kinseki Corp 圧電デバイスの製造方法
CN102244047A (zh) * 2010-05-11 2011-11-16 精材科技股份有限公司 晶片封装体及其形成方法
KR20130043161A (ko) * 2010-06-18 2013-04-29 오쎈테크, 인코포레이티드 감지 영역 위에 캡슐화 층을 포함하는 핑거 센서 및 관련 방법
CN103793689A (zh) * 2014-01-27 2014-05-14 南昌欧菲光科技有限公司 指纹识别传感器封装结构、电子设备及指纹识别传感器的制备方法
CN103886299A (zh) * 2014-03-27 2014-06-25 成都费恩格尔微电子技术有限公司 一种电容式指纹传感器的封装结构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10809833B2 (en) 2018-01-02 2020-10-20 Samsung Display Co., Ltd. Fingerprint sensor, touch sensor having fingerprint sensor, and display device having touch sensor

Also Published As

Publication number Publication date
TWI569384B (zh) 2017-02-01
US10133907B2 (en) 2018-11-20
CN104051366A (zh) 2014-09-17
WO2016000596A1 (zh) 2016-01-07
CN104051366B (zh) 2017-06-20
US20170140195A1 (en) 2017-05-18
KR101881040B1 (ko) 2018-08-16
TW201603207A (zh) 2016-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101881040B1 (ko) 지문 인식 칩 패키징 구조 및 패키징 방법
KR101878695B1 (ko) 지문 인식 칩 패키징 구조 및 패키징 방법
TWI626598B (zh) Fingerprint identification chip packaging structure and packaging method
KR101911710B1 (ko) 지문 인식 칩 패키징 구조 및 패키징 방법
KR101974011B1 (ko) 칩 패키징 방법 및 패키지 구조
US20180108585A1 (en) Chip packaging structure and packaging method
TWI570819B (zh) Fingerprint identification chip packaging structure and packaging method
TWI575668B (zh) Chip package structure and wafer packaging method
CN204029788U (zh) 指纹识别芯片封装结构
CN204029787U (zh) 指纹识别芯片封装结构
CN204029789U (zh) 指纹识别芯片封装结构
CN204179070U (zh) 指纹识别芯片封装结构
CN204179071U (zh) 晶圆级指纹识别芯片封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant