KR20170018866A - Cutting device and method for producing electronic component - Google Patents

Cutting device and method for producing electronic component Download PDF

Info

Publication number
KR20170018866A
KR20170018866A KR1020170018072A KR20170018072A KR20170018866A KR 20170018866 A KR20170018866 A KR 20170018866A KR 1020170018072 A KR1020170018072 A KR 1020170018072A KR 20170018072 A KR20170018072 A KR 20170018072A KR 20170018866 A KR20170018866 A KR 20170018866A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cutting
substrate
cut
workpiece
stage
Prior art date
Application number
KR1020170018072A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101952494B1 (en
Inventor
쇼이치 가타오카
히로토 모치츠키
Original Assignee
토와 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 토와 가부시기가이샤 filed Critical 토와 가부시기가이샤
Publication of KR20170018866A publication Critical patent/KR20170018866A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101952494B1 publication Critical patent/KR101952494B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components

Abstract

A cutting apparatus (1), which uses a twin-cut table method, corrects deviations from the cutting lines right before a cutting operation and executes the cutting operation even when the cutting lines deviate in a pre-alignment point due to thermal deformation of a completely sealed substrate. A cuff-check camera installed to be integrated with a spindle unit (10B) records an aligning mark right before cutting the completely sealed substrate (3). Even when the completely sealed substrate (3) is cooled and shrinks due to the influence of cutting water or cooling water, a control unit (CTL) can correct the deviation of the cutting lines set at the pre-alignment point right before executing a cutting operation based on the location of the recorded aligning mark. Accordingly, the cutting apparatus (1) can cut the completely sealed substrate (3) along the corrected cutting lines.

Description

절단 장치 및 전자 부품의 제조 방법{CUTTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC COMPONENT}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a cutting apparatus and an electronic component manufacturing method,

본 발명은, 피절단물을 절단하여 개편화(個片化)된 복수의 전자 부품을 제조하는 절단 장치 및 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cutting apparatus and a method of manufacturing an electronic part, which cut a piece to be cut to produce a plurality of individual pieces of electronic parts.

프린트 기판이나 리드 프레임 등으로 이루어지는 기판을 격자 형상의 복수의 영역으로 가상적으로 구획하고, 각각의 영역에 칩 형상의 소자를 장착한 후, 기판 전체를 수지 밀봉한 것을 밀봉 완료 기판이라고 한다. 이 밀봉 완료 기판을 회전날 등을 사용한 절단 장치에 의해 절단하여, 각 영역 단위로 개편화한 것이 전자 부품이 된다. A substrate made of a printed board or a lead frame is virtually divided into a plurality of regions in a lattice shape, chips-shaped elements are mounted in each region, and the entire substrate is resin-sealed. The sealed substrate is cut by a cutting apparatus using a rotating blade or the like, and is divided into individual areas, thereby forming an electronic part.

종래부터, 절단 장치를 이용해서 밀봉 완료 기판의 소정 영역을 회전날 등의 절단 기구에 의해 절단하고 있다. 예컨대, BGA(Ball Grid Array Package) 제품은, 다음과 같이 하여 절단된다. 먼저, 기판 배치 위치에 있어서, 밀봉 완료 기판의 기판측의 면[볼면(ball side)]을 위로 한 상태에서 절단용 테이블 상에 배치하여 흡착한다. 다음으로, 밀봉 완료 기판의 볼면을 대상으로 해서 정렬(위치 맞춤)한다. 이때, 볼면에 형성된 정렬 마크를 촬상 기구를 이용해서 검출한다. 정렬 마크와 복수의 영역을 구획하는 가상적인 절단선의 위치 관계는, 설계값으로서 미리 판명되어 있다. 따라서, 이들의 위치 관계에 기초하여, 가상적인 절단선의 위치를 설정한다. 다음으로, 밀봉 완료 기판을 흡착한 절단용 테이블을 기판 절단 위치로 이동시킨다. 기판 절단 위치에 있어서, 절삭수(切削水)를 밀봉 완료 기판의 절단 위치에 분사하고, 절단 기구에 의해 밀봉 완료 기판에 설정된 절단선을 따라 절단한다. 밀봉 완료 기판을 절단함으로써 개편화된 전자 부품이 제조된다.Conventionally, a predetermined region of a sealed substrate is cut by a cutting mechanism such as a rotating blade using a cutting apparatus. For example, a BGA (Ball Grid Array Package) product is cut in the following manner. First, at the substrate disposing position, the surface (the ball side) of the substrate on the side of the sealed substrate is placed on the cutting table in a state of being up, and is adsorbed. Next, the balls are aligned (aligned) with respect to the ball side of the sealed substrate. At this time, an alignment mark formed on the ball surface is detected using an imaging mechanism. The positional relationship between the alignment mark and the virtual cut line for dividing the plurality of regions is determined in advance as a design value. Therefore, the position of the virtual cutting line is set based on the positional relationship between them. Next, the cutting table on which the sealed substrate is sucked is moved to the substrate cutting position. At the substrate cutting position, cutting water (cutting water) is injected at the cutting position of the substrate which has been sealed, and is cut along the cutting line set on the sealed substrate by the cutting mechanism. And the sealed electronic component is cut by cutting the finished electronic component.

절단 장치를 이용해서 밀봉 완료 기판의 절단을 반복하면, 절단 기구에 장착한 회전날에 의해 발생하는 마찰열, 밀봉 완료 기판에 분사하는 절삭수, 절단용 테이블에 대한 열전도 등 여러 가지 요인에 의해 밀봉 완료 기판은 정렬 이후의 온도 변화에 의해 열 변형한다. 따라서, 정렬한 시점 및 절단하기 직전에 밀봉 완료 기판에 설정된 절단선의 위치가 어긋나는 경우가 있다. 절단선의 위치가 어긋난 상태에서 절단하면, 전자 부품의 파손이나 열화를 일으킬 우려가 있다.When the cutting of the sealed substrate is repeated using the cutting device, the sealing is completed by various factors such as the frictional heat generated by the rotary blade attached to the cutting mechanism, the cutting water sprayed on the sealing substrate, and the heat conduction to the cutting table The substrate is thermally deformed by temperature change after alignment. Therefore, there is a case where the position of the cutting line set on the sealed substrate is deviated from the alignment point and immediately before cutting. If the cutting is performed while the position of the cutting line is shifted, there is a possibility that the electronic component is damaged or deteriorated.

절단선의 위치 어긋남을 계측하여 보정하는 기술로서, 「절삭 장치를 이용해서 판형상물을 절삭하는 절삭 방법으로서, 상기 기준선과 상기 블레이드 검출 수단과의 간격을 D로 설정하고, 상기 절삭 예정 위치와 상기 기준선의 위치 맞춤을 실시하며, 상기 절삭 예정 위치와 상기 기준선의 위치 맞춤이 한 번 실시된 상태에서, (중략), 상기 블레이드 검출 수단으로 상기 절삭 블레이드까지의 거리 d를 검출하고, 상기 기준선과 상기 블레이드 검출 수단과의 간격 D에 대하여, 상기 절삭 블레이드의 위치를 (d-D)로 보정하여 판형상물을 절삭하는」 절삭 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1의 단락 [0011]). A cutting method for measuring a positional deviation of a cutting line and correcting the positional deviation of the cutting line by using a cutting device, wherein a distance between the reference line and the blade detecting means is set to D, (Not shown), the distance d to the cutting blade is detected by the blade detecting means, and the distance between the reference line and the blade And cutting the plate-shaped material by correcting the position of the cutting blade to (dD) with respect to the distance D between the cutting means and the detecting means (see, for example, paragraph [0011] of Patent Document 1).

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2009-206362호 공보Patent Document 1: JP-A-2009-206362

그러나, 전술한 바와 같은 절삭 방법에서는, 다음과 같은 과제가 발생한다. 상기 방법에 따르면, 절삭 장치에 있어서 절삭 블레이드의 위치 어긋남은 보정되지만, 판형상물의 열 변형에 대해서는 고려되지 않는다. 판형상물은 절삭 시에 절삭수에 의해 차가워지기 때문에, 판형상물 자체도 열 변형한다(수축한다). 또한, 정렬하는 동안이나 이동하는 동안에, 차가워진 절단용 테이블에 대하여 열전도함으로써 판형상물은 열 변형한다(수축한다). 상기 방법에서는 정렬함으로써 절삭 예정 위치를 설정한 후에는, 판형상물의 열 변형에 의한 절삭 예정 위치의 어긋남 정도를 검출하고 있지 않다. 따라서, 판형상물의 열 변형에 의한 어긋남 정도가 크면 절삭 예정 위치의 위치 어긋남이 발생한 상태에서 판형상물을 절단해 버릴 우려가 있다.However, in the above-described cutting method, the following problems arise. According to the above method, the positional deviation of the cutting blade in the cutting apparatus is corrected, but the thermal deformation of the plate-shaped article is not considered. Since the plate material is cooled by the cutting water at the time of cutting, the plate material itself is thermally deformed (contracted). Further, during the alignment or during the movement, the plate material is thermally deformed (shrunk) by conducting heat to the cooled cutting table. In the above method, after the planned cutting position is set by alignment, the degree of deviation of the planned cutting position due to thermal deformation of the plate material is not detected. Therefore, if the degree of deviation due to thermal deformation of the plate-shaped article is large, there is a possibility that the plate-shaped article is cut in a state where the positional deviation of the planned position is generated.

덧붙여, 최근, 전자 부품의 소형화가 점점 진행되는 한편, 전자 부품의 생산 효율을 높이기 위해서 기판을 대형화하여, 1장의 기판으로부터 취출하는 전자 부품의 수를 늘리고자 하는 요구가 강해지고 있다. 이에 따라, 1장의 기판을 절단하는 데 필요한 시간도 증대하고 있다. 이 과제를 해결하기 위해서, 절단 장치에도 생산성을 향상시키는 것이 요구된다. 그 하나의 대책으로서 절단용 테이블을 2개 설치한, 소위 트윈컷 테이블 방식의 절단 장치가 널리 사용되고 있다.In addition, in recent years, miniaturization of electronic parts has progressed gradually, and in order to increase the production efficiency of electronic parts, there has been a strong demand for increasing the number of electronic parts to be taken out from a single substrate by enlarging the size of the substrate. Thus, the time required for cutting one substrate is also increased. In order to solve this problem, it is required to improve the productivity in the cutting apparatus. As one countermeasure thereto, a so-called twin cut table type cutting device in which two cutting tables are provided is widely used.

트윈컷 테이블 방식의 절단 장치에서는, 한쪽의 절단용 테이블에 있어서 피절단물의 절단이 완료될 때까지, 다른쪽의 절단용 테이블에 있어서는 대기 시간이 발생하는 경우가 있다. 이 대기 시간 동안에, 절삭수 등에 의해 차가워진 절단용 테이블에 대한 열전도에 의해 피절단물에 열 변형이 발생한다. 한쪽의 절단용 테이블에 있어서 피절단물을 절단하는 데 필요한 시간이 길어지면, 다른쪽의 절단용 테이블에 있어서는 대기 시간이 길어져, 피절단물의 절단선의 어긋남 정도가 커진다. 기판이 대형화하여, 1장의 기판을 절단하는 데 필요한 시간이 증가함에 따라, 피절단물의 열 변형에 의한 어긋남이 큰 문제가 되고 있다.In the twin cut table type cutting apparatus, there is a case in which waiting time occurs in the other cutting table until the cutting of the piece to be cut is completed in the one cutting table. During this waiting time, thermal deformation occurs in the material to be cut due to thermal conduction to the cutting table which is cooled by the cutting water or the like. If the time required to cut the object to be cut is long on one cutting table, the waiting time becomes long on the other cutting table and the degree of deviation of the cutting line of the object to be cut becomes large. As the substrate becomes larger and the time required to cut one substrate increases, deviation due to thermal deformation of the workpiece becomes a big problem.

본 발명은 전술한 과제를 해결하는 것으로, 절단 장치에 있어서, 절단 기구에 일체화하여 설치된 촬상 기구를 이용해서 피절단물을 절단하기 직전에 정렬을 행하고, 당초의 정렬 시점으로부터의 어긋남을 보정하여 절단하는 것을 가능하게 하는 절단 장치 및 절단 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a cutting apparatus that aligns a cutting object immediately before cutting a workpiece by using an imaging mechanism integrated with the cutting mechanism, And to provide a cutting apparatus and a cutting method which enable the cutting apparatus to perform the cutting.

전술한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 절단 장치는, In order to solve the above-described problems,

복수의 정렬 마크를 갖는 피절단물을 복수의 절단선을 따라 절단하는 절단 기구와, 상기 피절단물이 배치되는 스테이지와, 상기 스테이지를 기판 배치 위치와 기판 절단 위치 사이에서 이동시키는 이동 기구와, 상기 피절단물이 절단되는 피가공점을 향해 절삭수를 분사하는 분사 수단과, 상기 기판 배치 위치와 상기 기판 절단 위치 사이에서의 상기 스테이지의 이동과 상기 절단 기구에 의한 절단을 적어도 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 절단 기구를 사용해서 상기 기판 절단 위치에 놓여진 상기 피절단물을 절단하는 절단 장치로서,A cutting mechanism for cutting a workpiece having a plurality of alignment marks along a plurality of cutting lines; a stage on which the workpiece is placed; a moving mechanism for moving the stage between a substrate placing position and a substrate cutting position; A control unit for controlling at least the movement of the stage between the substrate disposition position and the substrate disconnection position and disconnection by the disconnection mechanism; And a cutting device for cutting the workpiece placed at the substrate cutting position using the cutting mechanism,

상기 기판 배치 위치에 있어서 상기 피절단물을 촬상하는 제1 촬상 수단과, First pickup means for picking up the object to be cut at the substrate placement position,

상기 기판 절단 위치에 있어서 상기 피절단물을 촬상하는 제2 촬상 수단And a second image pickup means for picking up the object to be cut at the substrate cutting position

을 구비하고,And,

상기 제1 촬상 수단에 의해 촬상된 상기 복수의 정렬 마크 중 적어도 일부의 촬상 데이터를 이용해서, 상기 제어부가 절단선의 위치를 설정하며,The control section sets the position of the cutting line using at least a part of the image pickup data of the plurality of alignment marks captured by the first image pickup section,

상기 제2 촬상 수단에 의해 촬상된 상기 복수의 정렬 마크 중 적어도 일부의 촬상 데이터를 이용해서, 상기 제어부가 상기 절단선의 위치를 보정하고,The control section corrects the position of the cut line using at least part of the image pickup data of the plurality of alignment marks captured by the second image pickup section,

보정된 상기 절단선을 따라 상기 절단 기구가 상기 피절단물을 절단하는 것을 특징으로 한다. And the cutting mechanism cuts the material to be cut along the corrected cutting line.

또한, 본 발명에 따른 절단 장치는, 전술한 절단 장치에 있어서, 상기 스테이지는 2개 설치되고,Further, in the cutting apparatus according to the present invention, in the above-described cutting apparatus, two stages are provided,

상기 2개의 스테이지는 각각 상기 기판 배치 위치와 상기 기판 절단 위치 사이를 이동할 수 있으며,Each of the two stages being movable between the substrate placement position and the substrate cutting position,

상기 2개의 스테이지 중 제1 스테이지가 상기 기판 절단 위치에 위치한 상태에서 상기 피절단물이 절단되는 동안에, 상기 2개의 스테이지 중 제2 스테이지가 상기 기판 배치 위치에 위치한 상태에서 상기 절단선의 위치가 설정되는 것을 특징으로 한다.The position of the cutting line is set while the second stage of the two stages is located at the substrate arrangement position while the workpiece is cut while the first stage of the two stages is located at the substrate cutting position .

본 발명에 따른 절단 장치에 있어서,In the cutting apparatus according to the present invention,

상기 절단 기구는 회전날을 가지며,The cutting mechanism has a rotating blade,

상기 제2 촬상 수단은 상기 회전날이 절단하는 상기 절단선을 촬상하도록 배치되고,The second image pickup means is arranged to pick up the cut line cut by the rotary blade,

상기 제2 촬상 수단은 커프(kerf) 체크용 카메라를 겸하는 양태가 있다.And the second imaging means also serves as a camera for checking a kerf.

본 발명에 따른 절단 장치에 있어서,In the cutting apparatus according to the present invention,

상기 절단 기구와 상기 제2 촬상 수단은 일체로 구성되고, 절단 기구가 이동함으로써 제2 촬상 수단이 이동하는 양태가 있다.The cutting mechanism and the second imaging means are integrally formed and the second imaging means moves as the cutting mechanism moves.

또한, 본 발명에 따른 절단 장치에 있어서,Further, in the cutting apparatus according to the present invention,

피절단물은 밀봉 완료 기판인 양태가 있다.There is an aspect in which the material to be cut is a sealed substrate.

또한, 본 발명에 따른 절단 장치에 있어서,Further, in the cutting apparatus according to the present invention,

피절단물은 반도체 웨이퍼인 양태가 있다.The object to be cut is a semiconductor wafer.

전술한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 절단 방법은,In order to solve the above-mentioned problems, the cutting method according to the present invention is characterized in that,

복수의 정렬 마크를 갖는 피절단물을 스테이지에 배치하는 공정과, 상기 스테이지를 기판 배치 위치와 기판 절단 위치 사이에서 이동시키는 공정과, 상기 피절단물이 절단되는 피가공점을 향해 절삭수를 분사하는 공정과, 상기 기판 절단 위치에 놓여진 상기 피절단물을 복수의 절단선을 따라 절단 기구를 사용해서 절단하는 공정을 포함하는 절단 방법으로서, A step of arranging a workpiece having a plurality of alignment marks on a stage; a step of moving the stage between a substrate disposing position and a substrate disposing position; a step of ejecting cutting water toward a processing point at which the workpiece is cut And a step of cutting the workpiece placed at the substrate cutting position along a plurality of cutting lines using a cutting mechanism,

상기 기판 배치 위치에서 제1 촬상 수단을 사용해서 상기 복수의 정렬 마크 중 적어도 일부를 촬상하는 제1 공정과,A first step of picking up at least a part of the plurality of alignment marks using the first imaging means at the substrate arrangement position,

상기 제1 공정에서 촬상된 상기 정렬 마크의 촬상 데이터를 이용해서 상기 절단선의 위치를 설정하는 공정과,A step of setting a position of the cutting line using imaging data of the alignment mark captured in the first step;

상기 기판 절단 위치에서 상기 제2 촬상 수단을 사용해서 상기 복수의 정렬 마크 중 적어도 일부를 촬상하는 공정과,A step of picking up at least a part of the plurality of alignment marks using the second imaging means at the substrate cutting position,

상기 제2 공정에서 촬상된 상기 정렬 마크의 촬상 데이터를 이용해서 상기 절단선의 위치를 보정하는 공정과,A step of correcting the position of the cutting line using imaging data of the alignment mark captured in the second step,

보정된 상기 절단선을 따라 상기 피절단물을 절단하는 공정A step of cutting the workpiece along the corrected cutting line

을 포함하는 것을 특징으로 한다.And a control unit.

본 발명에 따른 절단 방법에 있어서,In the cutting method according to the present invention,

상기 스테이지는 2개 설치되고,Two stages are provided,

상기 2개의 스테이지 중 제1 스테이지에 제1 피절단물을 배치하는 공정과, Disposing a first workpiece on a first stage of the two stages;

상기 제1 스테이지를 상기 기판 배치 위치와 상기 기판 절단 위치 사이에서 이동시키는 공정과, Moving the first stage between the substrate placement position and the substrate cutting position;

상기 2개의 스테이지 중 제2 스테이지에 제2 피절단물을 배치하는 공정과, Disposing a second workpiece on a second stage of the two stages;

상기 제2 스테이지를 상기 기판 배치 위치와 상기 기판 절단 위치 사이에서 이동시키는 공정과, Moving the second stage between the substrate placing position and the substrate cutting position;

상기 제1 스테이지를 상기 기판 절단 위치에 위치시켜 상기 제1 피절단물을 절단하는 공정과, Cutting the first workpiece by positioning the first stage at the substrate cutting position;

상기 제1 스테이지를 이동시키는 공정과 상기 제1 피절단물을 절단하는 공정의 적어도 일부에서, 상기 제2 스테이지를 상기 기판 배치 위치에 위치시켜 상기 제2 피절단물에 있어서 상기 절단선의 위치를 설정하는 공정The position of the cutting line in the second workpiece is set by positioning the second stage at the substrate arrangement position in at least a part of the step of moving the first stage and the step of cutting the first piece to be cut Process

을 더 포함하는 양태가 있다.And the like.

또한, 본 발명에 따른 절단 방법에 있어서,Further, in the cutting method according to the present invention,

상기 절단 기구는 회전날을 가지며,The cutting mechanism has a rotating blade,

상기 회전날이 절단하는 상기 절단선을 상기 제2 촬상 수단에 의해 촬상하는 공정과, A step of picking up the cutting line cut by the rotary blade by the second image pickup means,

상기 절단선에 있어서의 절단홈에 관한 검사를 행하는 공정A step of inspecting a cut groove in the cut line

을 더 포함하는 양태가 있다.And the like.

또한, 본 발명에 따른 절단 방법에 있어서,Further, in the cutting method according to the present invention,

상기 절단 기구와 상기 제2 촬상 수단은 일체로 구성되고, The cutting mechanism and the second imaging means are integrally formed,

상기 절단 기구를 이동시킴으로써 상기 제2 촬상 수단을 이동시키는 공정A step of moving the second imaging means by moving the cutting mechanism

을 더 포함하는 양태가 있다.And the like.

또한, 본 발명에 따른 절단 방법에 있어서,Further, in the cutting method according to the present invention,

상기 피절단물은 밀봉 완료 기판인 양태가 있다.The object to be cut is a sealed substrate.

또한, 본 발명에 따른 절단 방법에 있어서,Further, in the cutting method according to the present invention,

상기 피절단물은 반도체 웨이퍼인 양태가 있다.The object to be cut is a semiconductor wafer.

본 발명에 따르면, 절단 장치에 있어서, 피절단물의 절단을 개시할 때까지 대기 시간이 발생해도, 정렬한 시점의 정렬 마크의 좌표 위치와 절단하기 직전의 정렬 마크의 좌표 위치를 검출함으로써, 정렬한 시점으로부터의 절단선의 어긋남을 보정할 수 있다. 따라서, 피절단물의 절단선의 위치를 보정하고, 보정한 절단선을 따라 절단하는 것이 가능해진다.According to the present invention, even if a waiting time occurs until cutting of the object to be cut is started, the coordinate position of the alignment mark at the aligned point and the coordinate position of the alignment mark immediately before cutting are detected, The deviation of the cut line from the viewpoint can be corrected. Therefore, it is possible to correct the position of the cut line of the object to be cut and cut along the corrected cut line.

도 1은 본 실시예에 따른 트윈컷 테이블 방식의 절단 장치를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 2는 밀봉 완료 기판의 개요를 도시한 외관도이며, 도 2의 (a)는 기판측에서 본 평면도, 도 2의 (b)는 정면도, 도 2의 (c)는 측면도이다.
도 3은 트윈컷 테이블 방식의 절단 장치에 있어서, 본 실시예에 따른 각 절단용 테이블의 작동을 도시한 개략적인 타임테이블이다.
도 4는 밀봉 완료 기판을 정렬한 상태를 도시한 개략적인 평면도이며, 도 4의 (a)는 사전 정렬 시점의 정렬 상태, 도 4의 (b)는 절단하기 직전의 정렬 상태를 도시한다.
도 5는 밀봉 완료 기판의 변형예를 도시한 도면이며, 도 5의 (a)는 기판측에서 본 평면도, 도 5의 (b)는 정면도이다.
1 is a schematic plan view showing a twin cut table type cutting apparatus according to the present embodiment.
Fig. 2 is an outline view showing the outline of the sealed substrate, Fig. 2 (a) is a plan view seen from the substrate side, Fig. 2 (b) is a front view, and Fig. 2 (c) is a side view.
3 is a schematic time table showing the operation of each cutting table according to the present embodiment in a twin cut table type cutting apparatus.
Fig. 4 is a schematic plan view showing a state in which the sealed substrates are aligned. Fig. 4 (a) shows the aligned state at the pre-alignment time, and Fig. 4 (b) shows the aligned state immediately before the cutting.
Fig. 5 is a view showing a modification of the sealed substrate, Fig. 5 (a) is a plan view seen from the substrate side, and Fig. 5 (b) is a front view.

트윈컷 테이블 방식의 절단 장치에 있어서, 스핀들 유닛에 일체화하여 설치된 커프 체크용 카메라를 이용함으로써, 밀봉 완료 기판을 절단하기 직전에 재차 정렬 마크를 검출한다. 이에 의해, 사전 정렬에 의해 설정한 절단선으로부터의 어긋남을, 밀봉 완료 기판이 수축한 상태에서 보정하여, 절단 직전의 보정한 절단선을 따라 밀봉 완료 기판을 절단한다. In the twin cut table type cutting apparatus, the alignment mark is detected again immediately before cutting the sealed substrate by using a camera for checking the cuff provided integrally with the spindle unit. Thereby, the deviation from the cutting line set by the pre-alignment is corrected while the sealed substrate is contracted, and the sealed substrate is cut along the corrected cutting line just before cutting.

도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 절단 장치의 실시예를 설명한다. 본 출원 서류에 있어서의 어떠한 도면에 대해서도, 이해하기 쉽게 하기 위해서, 적절히 생략하거나 또는 과장하여 모식적으로 그려져 있다. 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 설명을 적절히 생략한다.An embodiment of a cutting apparatus according to the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 5. Fig. Any drawings in the present application are schematically drawn out or exaggerated in order to facilitate understanding. The same components are denoted by the same reference numerals and the description thereof is appropriately omitted.

도 1은, 본 실시예에 따른 트윈컷 테이블 방식의 절단 장치(1)를 도시한 개략적인 평면도이다. 절단 장치(1)는, 피절단물을 복수의 전자 부품으로 개편화한다. 절단 장치(1)는, 수납 유닛(A)과 절단 유닛(B)과 세정 유닛(C)과 검사 유닛(D)과 수용 유닛(E)을, 각각 구성 요소(모듈)로서 갖는다.1 is a schematic plan view showing a cutting apparatus 1 of the twin cut table type according to the present embodiment. The cutting device (1) breaks the piece to be cut into a plurality of electronic parts. The cutting apparatus 1 has a storage unit A, a cutting unit B, a cleaning unit C, an inspection unit D and a storage unit E as constituent elements (modules).

각 구성 요소[각 유닛(A 내지 E)]는, 각각 다른 구성 요소에 대하여 착탈 가능하고 또한 교환 가능하며, 각각이 예상되는 요구 사양에 따른 상이한 복수의 사양을 갖도록 하여 미리 준비된다. 각 구성 요소 A 내지 E를 포함하여 절단 장치(1)가 구성된다.Each of the components (each of the units A to E) is detachable and replaceable with respect to each of the other components, and is prepared in advance so as to have a plurality of different specifications according to the anticipated requirement specifications. The cutting device 1 is constituted including the respective components A to E. [

수납 유닛(A)에는 프리스테이지(2)가 설치된다. 전공정의 장치인 수지 밀봉 장치로부터, 피절단물에 상당하는 밀봉 완료 기판(3)이 프리스테이지(2)에 받아들여진다. 밀봉 완료 기판(3)(예컨대, BGA 방식의 밀봉 완료 기판)은, 기판측의 면(볼면)을 위로 해서 프리스테이지(2)에 배치된다. The storage unit A is provided with a pre-stage 2. The sealed substrate 3 corresponding to the object to be cut is received in the pre-stage 2 from the resin sealing apparatus, which is the principal defining apparatus. The seal-completed substrate 3 (for example, a seal-completed substrate of a BGA type) is disposed on the pre-stage 2 with the substrate-side surface (ball side) facing up.

밀봉 완료 기판(3)은, 리드 프레임이나 프린트 기판 등의 회로 기판과, 회로 기판에 있어서의 격자 형상의 복수의 영역에 장착되며 수동 소자 또는 능동 소자를 포함하는 칩과, 일괄해서 성형된 경화 수지로 이루어지는 밀봉 수지를 갖는다.The encapsulated substrate 3 includes a circuit board such as a lead frame or a printed circuit board, a chip mounted on a plurality of lattice-like areas on the circuit board and including a passive element or an active element, As shown in Fig.

절단 유닛(B)에는 2개의 절단용 테이블(4A, 4B)이 설치된다. 절단 장치(1)는, 소위, 트윈컷 테이블 방식의 절단 장치이다. 2개의 절단용 테이블(4A, 4B)은, 이동 기구(도시 없음)에 의해, 각각 도면의 Y방향으로 이동 가능하고, 또한, θ방향으로 회동 가능하다. 절단용 테이블(4A, 4B) 위에는 절단용 스테이지(5A, 5B)가 설치된다. 절단 유닛(B)은, 기판 배치부(6)와 기판 절단부(7)와 기판 세정부(8)로 구성된다.The cutting unit B is provided with two cutting tables 4A and 4B. The cutting apparatus 1 is a so-called twin cut table type cutting apparatus. The two cutting tables 4A and 4B are movable in the Y direction in the drawings by a moving mechanism (not shown) and are rotatable in the? Direction. Cutting stages 5A and 5B are provided on the cutting tables 4A and 4B. The cutting unit B is constituted by a substrate arranging portion 6, a substrate cutting portion 7, and a substrate cleaning portion 8.

기판 배치부(6)에는, 정렬용 카메라(9)가 설치된다. 카메라(9)는, 기판 배치부(6)에 있어서 독립적으로 X방향으로 이동 가능하다. 밀봉 완료 기판(3)은, 기판 배치부(6)에 있어서 카메라(9)에 의해 볼면에 형성된 정렬 마크가 검출되고, 가상적인 절단선의 위치가 설정된다.In the substrate placement section 6, an alignment camera 9 is provided. The camera 9 is independently movable in the X direction in the substrate arrangement part 6. [ In the sealed substrate 3, an alignment mark formed on the ball surface is detected by the camera 9 in the substrate arrangement portion 6, and the position of the virtual cutting line is set.

기판 절단부(7)에는, 절단 기구로서 2개의 스핀들 유닛(10A, 10B)이 설치된다. 2개의 스핀들 유닛(10A, 10B)은, 독립적으로 X방향 및 Z방향으로 이동 가능하다. 2개의 스핀들 유닛(10A, 10B)에는, 각각 회전날(11A, 11B)이 설치된다. 이들 회전날(11A, 11B)은, 각각 Y방향을 따르는 면 내에 있어서 회전함으로써 밀봉 완료 기판(3)을 절단한다. 따라서, 본 실시예에서는, 2개의 절단 기구[스핀들 유닛(10A, 10B)]가 기판 절단부(7)에 설치된다.The substrate cutting section 7 is provided with two spindle units 10A and 10B as a cutting mechanism. The two spindle units 10A and 10B are independently movable in the X and Z directions. Rotary blades 11A and 11B are provided on the two spindle units 10A and 10B, respectively. These rotary blades 11A and 11B rotate in the plane along the Y direction to cut the sealed substrate 3. Therefore, in the present embodiment, two cutting mechanisms (spindle units 10A and 10B) are provided on the substrate cutting section 7. [

각 스핀들 유닛(10A, 10B)에는, 고속 회전하는 회전날(11A, 11B)에 의해 발생하는 마찰열을 억제하기 위해서 절삭수를 분사하는 절삭수용 노즐(12A, 12B)이 설치된다. 절삭수는 회전날(11A, 11B)이 밀봉 완료 기판(3)을 절단하는 피가공점을 향해 분사된다. 또한, 스핀들 유닛(10B)측에는, 회전날(11B)에 의해 절단된 절단홈(커프)의 위치, 폭, 이지러짐(치핑)의 유무 등을 검사하기 위한 커프 체크용 카메라(13)가 일체화하여 설치된다. 카메라(13)는, 회전날(11B)이 절단하는 절단선 상을 촬상하도록 설치된다. 본 실시예에서는, 스핀들 유닛(10B)측에 카메라(13)를 설치한 경우에 대해서 나타내고 있으나, 스핀들 유닛(10A)측에 설치해도 좋다. 또는, 2개의 스핀들 유닛(10A, 10B) 양측에 카메라(13)를 설치해도 좋다.The spindle units 10A and 10B are provided with cutting and receiving nozzles 12A and 12B for spraying cutting water in order to suppress frictional heat generated by the rotating blades 11A and 11B rotating at a high speed. The cutting water is sprayed toward the processing point at which the rotary blades 11A and 11B cut the finished substrate 3. On the spindle unit 10B side, a cuff-check camera 13 for checking the position, width, and the presence of chipping (chipping) of the cutting groove (cuff) cut by the rotary blade 11B is integrated Respectively. The camera 13 is provided so as to pick up an image of a cutting line cut by the rotary blade 11B. In the present embodiment, the case where the camera 13 is provided on the side of the spindle unit 10B is shown, but it may be provided on the side of the spindle unit 10A. Alternatively, the camera 13 may be provided on both sides of the two spindle units 10A and 10B.

기판 세정부(8)에 있어서는, 밀봉 완료 기판(3)을 절단하여 개편화된 복수의 전자 부품(P)으로 이루어지는 집합체(14)의 볼면을 세정하는 세정 기구(도시 없음)가 설치되어 있다.The substrate cleaning section 8 is provided with a cleaning mechanism (not shown) for cleaning the ball surface of the aggregate 14 composed of a plurality of individual electronic components P cut by the sealed substrate 3.

세정 유닛(C)에는, 개편화된 각 전자 부품(P)의 수지측의 면(몰드면)을 세정하는 세정 기구(15)가 설치되어 있다. 세정 기구(15)에는, Y방향을 축으로 해서 회전 가능하도록 세정 롤러(16)가 설치되어 있다. 몰드면을 세정하는 세정 기구(15)의 상방에는, 복수의 전자 부품(P)으로 이루어지는 집합체(14)가 배치된다. 집합체(14)는, 볼면측이 반송 기구(도시 없음)에 의해 흡착되어 고정된다. 즉, 몰드면을 아래로 해서 반송 기구에 고정되어 있다. 반송 기구는 X방향 및 Z방향으로 이동 가능하다. 이 반송 기구가 하강하여 X방향으로 왕복 이동함으로써, 집합체(14)의 몰드면이 세정 롤러(16)에 의해 세정된다. The cleaning unit C is provided with a cleaning mechanism 15 that cleans the resin-side surface (mold surface) of each individual electronic component P that has been separated. The cleaning mechanism 15 is provided with a cleaning roller 16 so as to be rotatable about the Y direction. An aggregate 14 composed of a plurality of electronic parts P is disposed above the cleaning mechanism 15 for cleaning the mold surface. In the aggregate 14, the ball side is attracted and fixed by a transport mechanism (not shown). In other words, it is fixed to the transport mechanism with the mold surface facing downward. The transport mechanism is movable in the X and Z directions. This conveying mechanism descends and reciprocates in the X direction, so that the mold surface of the aggregate 14 is cleaned by the cleaning roller 16.

검사 유닛(D)에는 검사용 스테이지(17)가 설치된다. 밀봉 완료 기판(3)을 절단하여 개편화된 복수의 전자 부품(P)으로 이루어진 집합체(14)는, 검사용 스테이지(17)에 일괄 이송된다. 검사용 스테이지(17)는 X방향으로 이동 가능하고, 또한, Y방향을 축으로 해서 회전할 수 있도록 구성되어 있다. 개편화된 복수의 전자 부품(P)(예컨대, BGA 제품)으로 이루어지는 집합체(14)는, 수지측의 면(몰드면) 및 기판측의 면(볼면)이 검사용 카메라(18)에 의해 검사되어, 양품과 불량품으로 선별된다. 검사가 완료된 전자 부품(P)으로 이루어지는 집합체(14)는, 인덱스 테이블(19)에 체크 무늬 형상(checker flag pattern 형상) 또는 격자 형상으로 이송된다. 검사 유닛(D)에는, 인덱스 테이블(19)에 배치된 전자 부품(P)을 트레이에 이송하기 위해서 복수의 이송 기구(20)가 설치된다.An inspection stage (17) is provided in the inspection unit (D). The aggregate 14 composed of a plurality of individual electronic components P cut from the sealed substrate 3 is collectively transported to the inspection stage 17. [ The inspection stage 17 is movable in the X direction and is configured to be able to rotate in the Y direction as an axis. The aggregate 14 composed of a plurality of fragmented electronic components P (for example, a BGA product) has a structure in which the resin side surface (mold surface) and the substrate side surface (ball side) And are selected as good and defective products. The aggregate 14 composed of the inspected electronic parts P is transferred to the index table 19 in a checker flag pattern or a lattice pattern. The inspection unit D is provided with a plurality of feed mechanisms 20 for feeding the electronic components P arranged on the index table 19 to the tray.

수용 유닛(E)에는 양품을 수용하는 양품용 트레이(21)와 불량품을 수용하는 불량품용 트레이(도시 없음)가 설치된다. 이송 기구(20)에 의해 양품과 불량품으로 선별된 전자 부품(P)이 각 트레이에 수용된다. 도면에 있어서는, 양품용 트레이(21)를 1개만 도시하고 있으나, 복수 개의 양품용 트레이(21)가 수용 유닛(E) 내에 설치된다.The receiving unit E is provided with a good tray 21 for accommodating good items and a tray for rejecting bad articles (not shown) for receiving defective items. The trays 20 receive the good and the electronic parts P selected as defective in each tray. Although only one good tray 21 is shown in the drawing, a plurality of good trays 21 are provided in the receiving unit E.

절단 장치(1)에 있어서, 밀봉 완료 기판(3)의 이동, 밀봉 완료 기판(3)에 있어서의 절단선의 위치의 설정, 절단 기구에 의한 밀봉 완료 기판(3)의 절단, 세정 기구에 의한 볼면 및 몰드면의 세정, 개편화된 전자 부품(P)의 검사나 수용 등, 모든 처리는, 예컨대, 수납 유닛(A) 내에 설치된 제어부(CTL)에 의해 제어된다. 본 실시예에서는, 수납 유닛(A) 내에 설치된 제어부(CTL)에 의해, 모든 처리가 제어되는 경우를 나타내었다. 이것에 한하지 않고, 다른 유닛 내에 제어부(CTL)를 설치해도 좋다. 또한, 절단으로부터 세정하기까지의 처리, 및 검사로부터 수용하기까지의 처리를, 각각의 제어부를 설치하여 제어하는 것도 가능하다.In the cutting apparatus 1, the movement of the sealed substrate 3, the setting of the position of the cutting line on the sealed substrate 3, the cutting of the sealed substrate 3 by the cutting mechanism, And all the processes such as cleaning of the mold surface and inspection and acceptance of the separated electronic components P are controlled by a control unit CTL provided in the storage unit A. For example, In this embodiment, the case where all the processing is controlled by the control unit CTL provided in the storage unit A is shown. The control unit CTL may be provided in another unit. Further, it is also possible to control the process from cutting to washing, and from the inspection to the reception, by providing respective control units.

도 2는 밀봉 완료 기판(3)의 개요를 도시한 외관도이다. 도 2의 (a)는 밀봉 완료 기판(3)을 기판측에서 본 평면도, 도 2의 (b)는 정면도, 도 2의 (c)는 측면도를 각각 도시한다. 밀봉 완료 기판(3)은, 기판부(22)와 경화 수지로 이루어지는 밀봉 수지부(23)로 구성된다. 밀봉 완료 기판(3)은, 기판측의 면(볼면)(3a)과 수지측의 면(몰드면)(3b)을 갖는다. 밀봉 완료 기판(3)의 볼면(3a)에는, 정렬 마크(24)(도면의 +로 나타낸 마크)가 길이 방향 및 폭 방향을 따라 다수 형성되어 있다. 길이 방향 및 폭 방향을 따라 형성되는 정렬 마크(24)의 수는, 밀봉 완료 기판(3)의 크기나 개편화되는 전자 부품(P)의 수에 대응하여 결정된다.2 is an outline view showing the outline of the sealed substrate 3. 2 (a) is a plan view of the sealed substrate 3 seen from the substrate side, FIG. 2 (b) is a front view, and FIG. 2 (c) is a side view. The sealed substrate 3 is composed of a substrate portion 22 and a sealing resin portion 23 made of a cured resin. The sealed substrate 3 has a surface (ball surface) 3a on the substrate side and a surface (mold surface) 3b on the resin side. On the ball surface 3a of the sealed substrate 3, a plurality of alignment marks 24 (marks shown by + in the drawing) are formed along the length and width directions. The number of alignment marks 24 formed along the longitudinal direction and the width direction is determined corresponding to the size of the sealed substrate 3 or the number of electronic components P to be separated.

기판 배치부(6)에 설치된 정렬용 카메라(9)(도 1 참조)에 의해 정렬 마크(24)의 좌표 위치를 복수 개 검출한 후에, 검출한 이들 정렬 마크(24)의 좌표 위치 데이터를 이용해서, 가상적인 절단선(경계선)(25)의 위치가 설정된다. 절단선(25)은, 밀봉 완료 기판(3)의 폭 방향을 절단하는 절단선(25S)과 길이 방향을 절단하는 절단선(25L)이 각각 설정된다. 절단선(25S)과 절단선(25L)으로 둘러싸인 영역(26)이 각각 전자 부품(P)에 대응한다. 절단선(25S, 25L)을 설정하기 위해서 검출하는 정렬 마크(24)의 수는 제품에 따라 임의로 결정될 수 있다.A plurality of coordinate positions of the alignment marks 24 are detected by the alignment camera 9 (see FIG. 1) provided on the substrate placement section 6 and then the coordinate position data of the alignment marks 24 detected are used , The position of the virtual cutting line (boundary line) 25 is set. The cutting line 25 is set to a cutting line 25S for cutting the width direction of the sealed substrate 3 and a cutting line 25L for cutting the length direction. The region 26 surrounded by the cutting line 25S and the cutting line 25L corresponds to the electronic component P, respectively. The number of alignment marks 24 to be detected for setting the cutting lines 25S and 25L may be arbitrarily determined depending on the product.

도 3은, 도 1에 도시한 본 실시예에 따른 트윈컷 테이블 방식의 절단 장치(1)에 있어서, 절단 유닛(B)에 있어서의 절단용 테이블(4A 및 4B)의 작동을 설명하는 개략적인 타임테이블이며, START로부터 하방으로 시간이 경과해 가는 타임테이블을 나타낸다. 도 3에 있어서, 부호 LD는 로드(Load), PA는 사전 정렬(Pre Alignment), CT는 절단(Cut), WD는 세정 및 건조(Wash & Dry), UL은 언로드(Unload), WT는 대기 시간(Wait), AA는 절단 직전의 추가 정렬(Additional Alignment)의 각 상태를 나타낸다. S1, S2, ‥, S5는, 1장의 밀봉 완료 기판(3)을 대상으로 하여, 절단용 테이블(4A, 4B)에 있어서, 로드(LD)로부터 언로드(UL)까지의 공정들(Steps)을, 각각 1개의 하향의 화살표로 나타낸 것이다.3 is a schematic view for explaining the operation of the cutting tables 4A and 4B in the cutting unit B in the cutting apparatus 1 of the twin cut table type according to the present embodiment shown in Fig. This is a time table, which shows a time table in which time elapses from START to downward. In FIG. 3, reference numerals LD, PS, and WD denote a load, a prealignment, a cut, a wash and dry, a unload, (Wait), and AA represents each state of the additional alignment immediately before cutting. S1, S2, ..., S5 are used to perform steps from the rod LD to the unloading (UL) in the cutting tables 4A, 4B with respect to one sealed substrate 3 as a target. , And each arrow is indicated by a downward arrow.

도 1 내지 도 3을 참조하여, 각 절단용 테이블(4A, 4B)에 있어서 밀봉 완료 기판(3)을 절단하는 일련의 공정에 대해서 설명한다. 처음에, 절단용 테이블(4A)에 있어서 밀봉 완료 기판(3)을 절단하여 복수의 전자 부품(P)으로 개편화하기까지의 작동에 대해서 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 배치부(6)에 있어서, 절단용 테이블(4A)에 설치된 절단용 스테이지(5A)에 밀봉 완료 기판(3)이 볼면(3a)을 위로 해서 배치된다(도 3의 LD1). 다음으로, 정렬용 카메라(9)를 이용해서, 밀봉 완료 기판(3)의 볼면(3a)에 형성된 정렬 마크(24)를 길이 방향 및 폭 방향에 대해서 검출하여 좌표 위치를 측정한다. 검출하는 정렬 마크(24)의 개수는, 밀봉 완료 기판(3)의 크기나 전자 부품(P)의 수에 따라 임의로 결정된다. 이 검출한 정렬 마크(24)의 좌표 위치의 데이터에 기초하여, 밀봉 완료 기판(3)을 절단하는 가상적인 절단선(25S 및 25L)을 폭 방향 및 길이 방향에 대해서 각각 설정한다(도 3의 PA1).A series of steps of cutting the sealed substrate 3 in the respective cutting tables 4A and 4B will be described with reference to Figs. 1 to 3. Fig. Initially, the operation of cutting the sealed substrate 3 in the cutting table 4A until it is separated into a plurality of electronic parts P will be described. 1, the substrate 3 is placed on the cutting stage 5A provided on the cutting table 4A with the ball surface 3a facing upward (see Fig. 3 LD1). Next, the alignment mark 24 formed on the ball surface 3a of the sealed substrate 3 is detected in the longitudinal direction and the width direction using the alignment camera 9, and the coordinate position is measured. The number of alignment marks 24 to be detected is arbitrarily determined according to the size of the sealed substrate 3 and the number of the electronic parts P. [ Virtual cutting lines 25S and 25L for cutting the sealed substrate 3 are set for the width direction and the longitudinal direction, respectively, based on the data of the coordinate positions of the alignment marks 24 thus detected PA1).

다음으로, 절단용 테이블(4A)을 기판 배치부(6)로부터 기판 절단부(7)로 이동시킨다. 기판 절단부(7)에서는, 2개의 스핀들 유닛(10A, 10B)에 설치된 회전날(11A, 11B)에 의해 밀봉 완료 기판(3)을 절단한다. 먼저, 밀봉 완료 기판(3)의 길이 방향을 X방향(도 1 참조)에 대하여 평행하게 배치한 상태에서, 스핀들 유닛(10A, 10B)을 향해(도 1의 +Y 방향으로) 절단용 테이블(4A)을 이동시킨다. 회전날(11A, 11B)에 밀봉 완료 기판(3)을 진입시킴으로써, 밀봉 완료 기판(3)의 폭 방향을 따르는 각 절단선(25S)(도 2 참조)을 따라 밀봉 완료 기판(3)을 절단한다. 절단할 때에는, 절삭수용 노즐(12)로부터 회전날(11A, 11B)과 밀봉 완료 기판(3)이 접촉하는 피가공점에 절삭수를 분사한다. 다음으로, 절단용 테이블(4A)을 90도 회전시켜, 밀봉 완료 기판(3)의 길이 방향을 따르는 각 절단선(25L)(도 2 참조)을 따라 밀봉 완료 기판(3)을 절단한다. 이렇게 해서, 절단용 테이블(4A)에 배치된 밀봉 완료 기판(3)은, 절단선(25S) 및 절단선(25L)을 따라 절단되어, 각 영역(26)을 형성한다. 이 영역(26)이 각각 개편화된 전자 부품(P)이 된다(도 3의 CT1).Next, the cutting table 4A is moved from the substrate placing portion 6 to the substrate cutting portion 7. Next, In the substrate cutting section 7, the sealed substrate 3 is cut by the rotary blades 11A and 11B provided on the two spindle units 10A and 10B. 1) in the direction of the spindle units 10A and 10B (in the + Y direction in Fig. 1) in a state in which the longitudinal direction of the sealed substrate 3 is arranged parallel to the X direction 4A. The sealed substrate 3 is cut along the cutting lines 25S (see FIG. 2) along the width direction of the sealed substrate 3 by advancing the sealed substrate 3 into the rotary blades 11A and 11B do. In cutting, the cutting water is sprayed from the cutting water receiving nozzle 12 to the processing point at which the rotary blades 11A and 11B and the sealed substrate 3 are in contact with each other. Next, the cutting table 4A is rotated 90 degrees, and the sealed substrate 3 is cut along each of the cutting lines 25L (see FIG. 2) along the longitudinal direction of the sealed substrate 3. Then, The sealed substrate 3 disposed on the cutting table 4A is cut along the cutting line 25S and the cutting line 25L to form the respective regions 26. [ This region 26 is an individualized electronic component P (CT1 in Fig. 3).

이 경우에는, 먼저, 밀봉 완료 기판(3)의 폭 방향을 따르는 각 절단선(25S)을 따라 밀봉 완료 기판(3)을 절단하고, 다음으로, 길이 방향을 따르는 각 절단선(25L)을 따라 밀봉 완료 기판(3)을 절단하였다. 이것에 한정하지 않고, 먼저, 길이 방향을 따르는 각 절단선(25L)을 따라 밀봉 완료 기판(3)을 절단하고, 다음으로, 폭 방향을 따르는 각 절단선(25S)을 따라 밀봉 완료 기판(3)을 절단해도 좋다. In this case, first, the sealed substrate 3 is cut along the respective cut lines 25S along the width direction of the sealed substrate 3, and then, along each cut line 25L along the length direction, The sealed substrate 3 was cut. The sealing substrate 3 is first cut along the respective cutting lines 25L along the longitudinal direction and then along the respective cutting lines 25S along the width direction to form the sealing substrate 3 ).

다음으로, 개편화된 복수의 전자 부품(P)으로 이루어지는 집합체(14)를 일괄해서 흡착한 채, 절단용 테이블(4A)을 기판 절단부(7)로부터 기판 세정부(8)로 이동시킨다. 기판 세정부(8)에 있어서는, 전자 부품(P)의 볼면(3a)을 세정하여 건조시킨다(도 3의 WD1). 세정 및 건조가 종료된 전자 부품(P)의 집합체(14)는, 반송 기구(도시 없음)에 의해 볼면(3a)이 일괄해서 흡착되어, 세정 유닛(C)에 반송된다(도 3의 UL1).Next, the cutting table 4A is moved from the substrate cutting portion 7 to the substrate cleaning portion 8 while collectively collecting the aggregates 14 composed of the plurality of individualized electronic components P. In the substrate cleaning section 8, the ball surface 3a of the electronic component P is cleaned and dried (WD1 in FIG. 3). The collecting body 14 of the electronic component P having been cleaned and dried is collectively adsorbed by the transporting mechanism (not shown) to the collecting body 14 and transported to the cleaning unit C (UL1 in Fig. 3) .

지금까지 설명해 온 작동이, 도 3의 S1로 나타낸 바와 같이 절단용 테이블(4A)에 배치된 최초의 밀봉 완료 기판(3)을 개편화하여 세정 공정으로 보내기까지의 일련의 공정을 나타낸다. 즉, 로드(LD1)→사전 정렬(PA1)→절단(CT1)→세정 및 건조(WD1)→언로드(UL1)까지의 공정을 행함으로써, 밀봉 완료 기판(3)은 복수의 전자 부품(P)으로 이루어지는 집합체(14)로 개편화되고, 다음의 세정 유닛(C)에 일괄해서 반송된다.The operation thus far described represents a series of steps from the first sealing completed substrate 3 disposed on the cutting table 4A to the cleaning process, as shown by S1 in Fig. That is, by performing the steps from the load LD1 to the pre-alignment PA1 to the cutting CT1 to the cleaning and drying WD1 to the unloading UL1, And is conveyed to the next cleaning unit C in a lump.

절단용 테이블(4A)의 로드(LD1)가 완료된 후, 절단용 테이블(4B)에 있어서, 동일하게 하여 로드(LD2)→사전 정렬(PA2)→절단(CT2)→세정 및 건조(WD2)→언로드(UL2)까지의 일련의 공정을 개시한다. 그러나, 절단용 테이블(4B)은, 절단용 테이블(4A)의 각 공정에 있어서의 처리가 완료될 때까지는, 그 공정으로 진행할 수 없다. 따라서, 도 3의 S2의 작동에 있어서는, 절단용 테이블(4B)에 있어서의 사전 정렬(PA2)이 완료된 후에 있어서, 절단용 테이블(4A)의 S1에서의 절단(CT1)이 완료될 때까지는 대기 시간(WT2)이 발생한다. 바꿔 말하면, 절단용 테이블(4A)의 절단(CT1)이 완료된 후에, 절단용 테이블(4B)에 있어서 절단(CT2)을 개시한다. 이와 같이, 한쪽의 절단용 테이블에 있어서 절단(CT)이 완료될 때까지는, 다른쪽의 절단용 테이블에 있어서 대기 시간(WT)이 발생한다.After the load LD1 of the cutting table 4A is completed, the load LD2, the pre-alignment PA2, the cut CT2, the cleaning and drying WD2, Unloading (UL2). However, the cutting table 4B can not proceed to that step until the processing in each step of the cutting table 4A is completed. Therefore, in the operation of S2 in Fig. 3, after the pre-alignment PA2 in the cutting table 4B is completed, until the cutting (CT1) in S1 of the cutting table 4A is completed, A time WT2 occurs. In other words, after the cutting (CT1) of the cutting table 4A is completed, the cutting (CT2) starts on the cutting table 4B. Thus, until one of the cutting tables completes the cutting (CT), the waiting time (WT) occurs in the other cutting table.

절단용 테이블(4A, 4B)에 있어서, 절단을 계속해 가면, 절단(CT)을 개시하기까지의 대기 시간(WT) 동안에, 밀봉 완료 기판(3)은 절삭수 등의 영향을 받아 열 변형한다(수축한다). 따라서, 사전 정렬(PA) 시점에 설정한 절단선(25S, 25L)에 대하여, 절단하기 직전의 절단선(25S, 25L)에 있어서 위치 어긋남이 발생할 우려가 있다. 위치 어긋남이 발생한 상태에서 절단을 행하면, 전자 부품(P)의 파손이나 열화를 일으킬 우려가 있다. In the cutting tables 4A and 4B, when the cutting is continued, during the waiting time WT until the cutting (CT) starts, the sealed substrate 3 undergoes thermal deformation under the influence of cutting water or the like Lt; / RTI > Therefore, there is a fear that the positional deviation may occur in the cutting lines 25S, 25L immediately before cutting, with respect to the cutting lines 25S, 25L set at the pre-alignment (PA) timing. If cutting is performed in a state where the positional deviation occurs, there is a possibility that breakage or deterioration of the electronic part P may occur.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판 배치부(6)에 있어서, 밀봉 완료 기판(3)은 상온(20℃∼25℃)의 분위기 하에서 사전 정렬이 행해진다. 한편, 기판 절단부(7)에 있어서는, 회전날(11A, 11B)의 마찰열을 억제하기 위해서 절삭수용 노즐(12A, 12B)로부터 절삭수가 밀봉 완료 기판(3)에 분사된다. 절단하는 조건에 따라 상이하지만, 절삭수는 분위기 온도보다도 저온인 10℃∼15℃로 냉각되는 경우가 있다. 냉각 효과를 높이기 위해서, 절삭수를 더 낮은 온도로 냉각하는 경우도 있다.As shown in Fig. 1, in the substrate arrangement part 6, the sealed substrate 3 is pre-aligned in an ambient temperature (20 DEG C to 25 DEG C) atmosphere. On the other hand, in the substrate cutting portion 7, the cutting water is jetted from the cutting water receiving nozzles 12A and 12B onto the sealed substrate 3 in order to suppress the frictional heat of the rotary blades 11A and 11B. Depending on the cutting conditions, the cutting water may be cooled to 10 ° C to 15 ° C which is lower than the ambient temperature. In order to increase the cooling effect, the cutting water may be cooled to a lower temperature.

냉각 효과를 높이기 위해서, 절삭수용 노즐(12)과는 별도로 회전날(11A, 11B)의 양측으로부터 피가공점에 냉각수를 분사하는 냉각용 노즐(도시 없음)이 설치되는 경우도 있다. 이 냉각용 노즐을 회전날(11A, 11B)의 양측에 1개뿐만 아니라 복수 개 설치함으로써, 냉각 효과를 더욱 높이는 경우도 있다. 냉각수도 절삭수와 마찬가지로 10℃∼15℃로 냉각된다.A cooling nozzle (not shown) for spraying cooling water from the both sides of the rotary blades 11A and 11B to the working point may be provided separately from the cutting water receiving nozzle 12 in order to enhance the cooling effect. By providing a plurality of cooling nozzles on both sides of the rotary blades 11A and 11B as well as a plurality of cooling nozzles, the cooling effect may be further enhanced. Cooling water is also cooled to 10 ° C to 15 ° C as in the case of cutting water.

이 절삭수 및 냉각수에 의해, 밀봉 완료 기판(3), 절단용 테이블(4A, 4B), 절단용 스테이지(5A, 5B)가 냉각된다. 밀봉 완료 기판(3), 절단용 테이블(4A, 4B), 절단용 스테이지(5A, 5B)는, 각각 냉각됨으로써, 이들을 구성하는 재료에 따라 상온의 상태로부터 수축한다.The sealed substrate 3, the cutting tables 4A and 4B, and the cutting stages 5A and 5B are cooled by the cutting water and the cooling water. The sealed substrate 3, the cutting tables 4A and 4B, and the cutting stages 5A and 5B are respectively cooled to shrink from the normal temperature depending on the materials constituting them.

절단용 테이블(4A)은, 절단(CT1) 완료 후, 기판 절단부(7)로부터 기판 세정부(8)로 이동하여 볼면(3a)을 세정 및 건조(WD1)한 후, 기판 배치부(6)로 되돌아온다. 기판 배치부(6)로 되돌아온 절단용 테이블(4A) 및 절단용 스테이지(5A)는, 각각 절삭수 및 냉각수에 의해 차가워진 상태와 거의 동일한 온도를 유지하고 있다. 도 3의 S3으로 나타낸 바와 같이, 기판 배치부(6)에 있어서 새로운 밀봉 완료 기판(3)이 절단용 테이블(4A) 상에 배치된다(LD3). 절단용 테이블(4A) 상에 배치된 밀봉 완료 기판(3)은 상온의 분위기 하에서 사전 정렬(PA3)이 행해진다. 그러나, 다른쪽의 절단용 테이블(4B)에서는 절단(CT2) 중이기 때문에, 이 절단(CT2)이 완료될 때까지, 절단용 테이블(4A)은 절단(CT3)을 기다린다(WT3).The cutting table 4A moves from the substrate cutting section 7 to the substrate cleaning section 8 after completion of the cutting CT1 to clean and dry the ball surface 3a, . The cutting table 4A and the cutting stage 5A returned to the substrate placement section 6 maintain substantially the same temperature as the state of being cooled by the cutting water and the cooling water respectively. 3, the new sealed substrate 3 is placed on the cutting table 4A (LD3) in the substrate arrangement portion 6. As shown in Fig. The sealed substrate 3 disposed on the cutting table 4A is subjected to pre-alignment (PA3) in an ambient temperature atmosphere. However, the cutting table 4A waits for the cutting (CT3) (WT3) until the cutting (CT2) is completed because the other cutting table (4B) is cutting (CT2).

종래의 기술에 따르면, 다음과 같은 문제가 발생한다. 즉, 절단용 테이블(4A) 및 절단용 스테이지(5A)는 절단(CT1) 시에 냉각되기 때문에, 대기 시간(WT3) 동안에, 차가워진 상태의 절단용 테이블(4A) 및 절단용 스테이지(5A)에 대하여 밀봉 완료 기판(3)으로부터 열전도가 발생하고, 그 결과, 밀봉 완료 기판(3)은 차가워져 수축된다. 수축됨으로써, 사전 정렬(PA3) 시점에 설정한 절단선(25S 및 25L)에 대하여 실제의 절단선(25S 및 25L)의 위치에 어긋남이 발생한다. 이 절단선(25S 및 25L)의 어긋남은 대기 시간(WT3)이 길어지면 더욱 커진다. According to the conventional technique, the following problems arise. That is, since the cutting table 4A and the cutting stage 5A are cooled at the time of cutting CT1, during the waiting time WT3, the cutting table 4A and the cutting stage 5A, Heat conduction occurs from the sealed substrate 3 to the sealing substrate 3, and as a result, the sealed substrate 3 becomes cold and shrinks. The displacement of the actual cutting lines 25S and 25L with respect to the cutting lines 25S and 25L set at the time of the prior alignment PA3 occurs. The deviation of the cutting lines 25S and 25L becomes larger as the waiting time WT3 becomes longer.

종래의 기술에 따르면, 예컨대, 도 3의 실시예에 있어서, 로드(LD)는 10초, 사전 정렬(PA)은 30초, 절단(CT)은 120초, 세정 및 건조(WD)는 30초, 언로드(UL)는 10초, 추가 정렬(AA)은 10초의 시간을 필요로 한다. 그러면, S3의 공정에 있어서는, 대기 시간(WT3)은 50초가 되고, 이 동안에 밀봉 완료 기판(3)은 차가워져 수축된다. 최근에는, 밀봉 완료 기판(3)이 대형화하여, 전자 부품(P)의 취득수가 증가하고, 절단선 전체의 길이가 증가하고 있기 때문에, 이 대기 시간(WT)도 길어지는 경향이 있다. 따라서, 밀봉 완료 기판(3)이 수축하는 수축량도 커지고, 절단선(25S, 25L)의 어긋남도 커진다.According to the conventional technique, for example, in the embodiment of FIG. 3, the load LD is 10 seconds, the pre-alignment (PA) is 30 seconds, the cutting (CT) is 120 seconds, the cleaning and drying (WD) , 10 seconds for unload (UL), and 10 seconds for additional alignment (AA). Then, in the process of S3, the waiting time WT3 becomes 50 seconds, and the sealed substrate 3 becomes cold and shrinks during this time. In recent years, since the sealed substrate 3 becomes larger, the number of electronic components P to be obtained increases, and the length of the entire cutting line increases, the waiting time WT also tends to become longer. Therefore, the amount of shrinkage of the sealed substrate 3 shrinks, and the displacement of the cutting lines 25S and 25L also becomes large.

한편, 본 발명에 따르면, S3의 공정에 있어서의 대기 시간(WT3) 동안에 발생한 어긋남을 보정하기 위해서, 절단(CT3) 직전에 추가 정렬(AA3)을 행한다. 바꿔 말하면, 절단용 테이블(4B)에 있어서 절단(CT2)이 완료된 직후에, 절단용 테이블(4A)에 있어서 추가 정렬(AA3)을 행한다. 추가 정렬(AA3)은, 스핀들 유닛(10B)(도 1 참조)에 일체화하여 설치된 커프 체크용 카메라(13)를 이용해서 행한다. 이 커프 체크용 카메라(13)를 추가 정렬(AA3)에 이용함으로써, 절단(CT3) 직전에 절단선(25S, 25L)에 있어서의 어긋남을 보정한다. On the other hand, according to the present invention, an additional alignment (AA3) is performed immediately before the cutting (CT3) in order to correct the deviation occurring during the standby time (WT3) in the step of S3. In other words, additional alignment (AA3) is performed in the cutting table 4A immediately after the cutting (CT2) is completed in the cutting table 4B. The additional alignment AA3 is performed using the cuff-checking camera 13 that is integrated with the spindle unit 10B (see Fig. 1). By using the cuff-checking camera 13 for the additional alignment AA3, the deviation on the cutting lines 25S and 25L is corrected immediately before the cutting CT3.

추가 정렬(AA3)을 행함으로써, 절단(CT3)하기 직전의 정렬 마크(24)의 좌표 위치를 검출하고, 그 좌표 위치 데이터를 이용해서 사전 정렬(PA3) 시점으로부터의 어긋남을 보정하는 것이 가능해진다. 따라서, 절삭수나 냉각수의 영향에 의해 밀봉 완료 기판(3)이 수축한 상태에 있어서도, 사전 정렬(PA3)에 의해 설정한 절단선(25S, 25L)에 기초하여, 밀봉 완료 기판(3)을 절단하기 직전에 절단선(25S, 25L)에 있어서의 어긋남을 보정할 수 있다. 대기 시간(WT3)이 길어지면 길어질수록, 본 발명의 효과는 보다 현저해진다.By performing the additional alignment (AA3), it is possible to detect the coordinate position of the alignment mark 24 immediately before the cutting (CT3), and to correct the deviation from the alignment at the time of the prior alignment (PA3) by using the coordinate position data . Therefore, even when the sealed substrate 3 is contracted due to the influence of the cutting water or the cooling water, the sealed substrate 3 is cut off based on the cutting lines 25S and 25L set by the pre-alignment PA3 It is possible to correct the shift in the cutting lines 25S and 25L immediately before the cutting. The longer the waiting time WT3 becomes, the more remarkable the effect of the present invention becomes.

이렇게 해서, 절단용 테이블(4A, 4B)에 있어서 밀봉 완료 기판(3)을 절단하기 직전에, 추가 정렬(AA)을 행함으로써, 수축한 밀봉 완료 기판(3)의 절단선(25S, 25L)의 위치를 보정하고, 보정한 절단선(25S, 25L)을 따라 절단하는 것이 가능해진다.By performing the additional alignment AA immediately before cutting the sealed substrate 3 in the cutting tables 4A and 4B in this manner, the cut lines 25S and 25L of the shrunk sealed substrate 3 are cut, And it is possible to cut along the corrected cutting lines 25S and 25L.

도 4는, 사전 정렬 시점, 및 절단 직전의 추가 정렬 시점의 정렬 상태에 대해서 도시한다. 도 4의 (a)는 사전 정렬 시점의 밀봉 완료 기판(3)을 기판측에서 본 평면도, 도 4의 (b)는 절단 직전의 추가 정렬 시점의 밀봉 완료 기판(3)을 기판측에서 본 평면도이다. 절단 직전의 밀봉 완료 기판(3)은 길이 방향 및 폭 방향 모두 수축하여 작아진 상태이다. 도 4에서는, 절단용 테이블(4A) 상에 배치된 밀봉 완료 기판(3)의 폭 방향에 있어서의 절단선(25S)에 대하여 설정 및 보정하는 경우에 대해서 설명한다.Fig. 4 shows the alignment state of the pre-alignment point and the additional alignment point just before cutting. FIG. 4A is a plan view of the sealed substrate 3 at the pre-alignment time, and FIG. 4B is a plan view of the sealed substrate 3 at the further aligning time just before cutting, to be. The sealed substrate 3 immediately before cutting is shrunk and contracted in both the longitudinal direction and the width direction. Fig. 4 shows a case where the setting and correction are made for the cutting line 25S in the width direction of the sealed substrate 3 disposed on the cutting table 4A.

도 4의 (a)는, 기판 배치부(6)(도 1 참조)에 설치된 정렬용 카메라(9)를 이용해서 사전 정렬하는 상태를 도시한다. 예컨대, 밀봉 완료 기판(3)의 볼면(3a)에 형성된 정렬 마크(24)를 10개 검출하고, 그 좌표 위치를 측정하는 경우에 대해서 나타낸다. 도 1에 도시된 바와 같이, 정렬용 카메라(9)는 X방향으로만 이동 가능하다. Y방향에 대해서는 절단용 테이블(4A)을 이동시킴으로써, 카메라(9)를 상대적으로 Y방향으로 이동시킬 수 있다. 이와 같이, 카메라(9)를 X방향으로 이동시키고, 또한, 절단용 테이블(4A)을 Y방향으로 이동시킴으로써, 밀봉 완료 기판(3)의 볼면(3a)에 형성된 정렬 마크(24)를 검출하고, 좌표 위치를 측정한다. 카메라(9)는 X방향으로만 이동 가능하며, 정렬 마크(24)는 리니어 스케일을 사용함으로써 기준점으로부터의 X좌표가 측정된다. 이하, 10개의 정렬 마크(24) 각각을, 정렬 마크(24-1, 24-2, 24-3, …, 24-10)라고 칭한다.4A shows a state of pre-aligning using the alignment camera 9 provided on the substrate placement section 6 (see FIG. 1). For example, there is shown a case where ten alignment marks 24 formed on the ball surface 3a of the sealed substrate 3 are detected and their coordinate positions are measured. As shown in Fig. 1, the alignment camera 9 is movable only in the X direction. By moving the cutting table 4A with respect to the Y direction, the camera 9 can be relatively moved in the Y direction. Thus, the alignment mark 24 formed on the ball surface 3a of the sealed substrate 3 is detected by moving the camera 9 in the X direction and moving the cutting table 4A in the Y direction , And the coordinate position is measured. The camera 9 is movable only in the X direction, and the alignment mark 24 uses the linear scale to measure the X coordinate from the reference point. Hereinafter, each of the ten alignment marks 24 is referred to as alignment marks 24-1, 24-2, 24-3, ..., 24-10.

정렬 마크(24-1, 24-2, 24-3, …, 24-10)의 순으로 각 10개의 정렬 마크를 검출하고, 길이 방향에 있어서의 각 위치(A, B, C, D, E)의 X좌표(X1A, X1B, X1C, X1D, X1E)를 2점 측정한다. 먼저, 정렬용 카메라(9)를 X방향으로 이동시켜, 정렬 마크(24-1)의 X좌표(X1A)를 측정한다. 다음으로, 절단용 테이블(4A)을 Y방향으로 이동시켜, 정렬 마크(24-2)의 X좌표(X1A)를 측정한다. 다음으로, 카메라(9)를 X방향으로 이동시켜, 정렬 마크(24-3)의 X좌표(X1B)를 측정한다. 다음으로, 절단용 테이블(4A)을 Y방향으로 이동시켜, 정렬 마크(24-4)의 X좌표(X1B)를 측정한다. 이렇게 해서, 정렬 마크(24-10)까지 10점의 X좌표를 측정한다.10 alignment marks are detected in the order of the alignment marks 24-1, 24-2, 24-3, ..., 24-10, and the respective positions A, B, C, D, E (X1A, X1B, X1C, X1D, and X1E) are measured at two points. First, the alignment camera 9 is moved in the X direction, and the X coordinate (X1A) of the alignment mark 24-1 is measured. Next, the cutting table 4A is moved in the Y direction to measure the X-coordinate (X1A) of the alignment mark 24-2. Next, the camera 9 is moved in the X direction to measure the X-coordinate (X1B) of the alignment mark 24-3. Next, the cutting table 4A is moved in the Y direction, and the X coordinate (X1B) of the alignment mark 24-4 is measured. In this way, the X coordinate of 10 points is measured up to the alignment mark 24-10.

밀봉 완료 기판(3)의 길이 방향의 각 위치(A 내지 E)에 대해서, 정렬 마크(24)의 X좌표가 2점 측정된다. 측정한 2점의 X좌표를 평균하여 각 위치(A 내지 E)의 X좌표를 구한다. 평균한 X좌표 및 각 정렬 마크(24) 사이의 거리에 기초하여, 폭 방향을 따라 절단하는 가상적인 각 절단선(25S)의 X좌표의 위치를 각각 설정한다. Two points of the X coordinate of the alignment mark 24 are measured with respect to the positions A to E in the longitudinal direction of the sealed substrate 3. [ The X coordinates of the two points thus measured are averaged to obtain the X coordinate of each of the positions (A to E). The position of the X coordinate of each virtual cut line 25S to be cut along the width direction is set based on the average X coordinate and the distance between the respective alignment marks 24. [

도 4의 (b)는, 기판 절단부(7)(도 1 참조)에 있어서, 스핀들 유닛(10B)에 설치된 커프 체크용 카메라(13)에 의해, 절단하기 직전의 수축된 밀봉 완료 기판(3)을 정렬하는 상태를 도시한다. 카메라(13)는 X방향으로만 이동 가능하다. 이 경우에는, 카메라(13)를 X방향으로 이동시켜, A 및 E의 위치에 있어서의 정렬 마크(24-2, 24-10)의 X좌표(X2A, X2E)를 측정한다.4B shows a state in which the shrunk sealed substrate 3 immediately before cutting is cut by the cuff check camera 13 provided on the spindle unit 10B in the substrate cutting section 7 As shown in FIG. The camera 13 is movable only in the X direction. In this case, the camera 13 is moved in the X direction to measure X coordinates (X2A, X2E) of the alignment marks 24-2, 24-10 at positions A and E, respectively.

사전 정렬 시점에 측정한 X좌표와 절단하기 직전에 측정한 X좌표를 비교하여 수축한 양을 계산한다. 계산한 수축량에 기초하여 폭 방향을 따르는 각 절단선(25S)의 X좌표를 보정한다. 이렇게 함으로써, 밀봉 완료 기판(3)이 수축한 상태에 있어서도 폭 방향을 절단하는 각 절단선(25S)에 대해서 올바르게 보정하는 것이 가능해진다.The amount of shrinkage is calculated by comparing the X coordinate measured at the pre-alignment point with the X coordinate measured immediately before cutting. The X-coordinate of each cutting line 25S along the width direction is corrected based on the calculated amount of contraction. This makes it possible to correctly correct each cutting line 25S cutting in the width direction even when the sealed substrate 3 is in a contracted state.

본 실시예에서는, 폭 방향의 절단선(25S)의 위치를 설정 및 보정하기 위해서, 사전 정렬 시점에는 10개의 정렬 마크(24-1, 24-2, 24-3, …, 24-10)의 X좌표를 측정하고, 절단 직전의 추가 정렬 시점에는 2개의 정렬 마크(24-2, 24-10)의 X좌표를 측정하였다. 이것에 한정하지 않고, 제품에 따라 더욱 정밀도를 올리고 싶은 경우에는 더 많은 수의 정렬 마크(24)를 측정하여, 폭 방향의 절단선(25S)의 위치를 설정 및 보정해도 좋다. In this embodiment, in order to set and correct the position of the cutting line 25S in the width direction, at the pre-alignment time point, the number of the 10 alignment marks 24-1, 24-2, 24-3, ..., 24-10 The X coordinate was measured, and the X coordinate of the two alignment marks (24-2, 24-10) was measured at the time of further alignment just before cutting. The number of alignment marks 24 may be measured to set and correct the position of the cutting line 25S in the width direction.

동일하게 해서, 길이 방향을 따라 절단하는 각 절단선(25L)(도 2 참조)에 대해서 보정한다. 이와 같이, 본 발명에 따르면, 절삭수나 냉각수의 영향에 의해 열 변형한(수축한) 밀봉 완료 기판(3)을, 절단하기 직전에 절단선(25S, 25L)에 대해서 보정하여 절단하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 전자 부품(P)의 파손이나 열화를 방지할 수 있다. In the same way, correction is made for each of the cutting lines 25L (see Fig. 2) that are cut along the longitudinal direction. As described above, according to the present invention, it is possible to perform cutting by cutting the finished substrate 3 thermally deformed (shrunk) due to the influence of cutting water or cooling water to the cutting lines 25S and 25L immediately before cutting . Thereby, breakage or deterioration of the electronic part P can be prevented.

도 5는 밀봉 완료 기판(3)의 변형예를 도시한다. 도 5의 (a)는 밀봉 완료 기판(3)을 기판측에서 본 평면도, 도 5의 (b)는 정면도를 각각 도시한다. 밀봉 완료 기판(3)은, 기판부(22)와 4개의 블록 단위로 분할된 밀봉 수지부(27)로 구성된다. 기판부(22)와 밀봉 수지부(27)의 선팽창 계수의 차가 큰 경우에는, 밀봉 수지부(27)를 4개의 블록 단위로 분할함으로써, 경화 수지가 경화할 때에 수축하는 것에 기인하는 밀봉 수지부(27)의 휘어짐을 억제할 수 있다. 또한, 리드 프레임 재료로서 Cu(구리) 합금을 이용하는 경우에는, Cu의 선팽창 계수가 크기 때문에, 밀봉 수지부(27)를 복수의 블록 단위로 분할하는 것은 휘어짐의 저감에 효과적이다. 밀봉 완료 기판(3)의 휘어짐을 억제함으로써 정렬의 정밀도를 향상시킬 수 있다.Fig. 5 shows a modification of the sealed substrate 3. Fig. 5 (a) is a plan view of the sealed substrate 3 seen from the substrate side, and Fig. 5 (b) is a front view thereof. The sealed substrate 3 is composed of a substrate portion 22 and a sealing resin portion 27 divided into four block units. When the difference in coefficient of linear expansion between the substrate portion 22 and the sealing resin portion 27 is large, the sealing resin portion 27 is divided into four block units, whereby the sealing resin portion 27, It is possible to suppress the warping of the arm 27. Further, when Cu (copper) alloy is used as the lead frame material, since the coefficient of linear expansion of Cu is large, dividing the sealing resin portion 27 into a plurality of block units is effective in reducing warpage. The accuracy of alignment can be improved by suppressing the warp of the sealed substrate 3. [

기판부(22)에 선팽창 계수가 큰 재료가 사용되면, 절삭수나 냉각수의 영향에 의해 열 변형하는 양(수축량)이 커진다. 수축량이 커지면, 밀봉 완료 기판(3)에 있어서의 절단선(25S, 25L)의 어긋남도 커진다. 따라서, 절단 직전에 절단선(25S, 25L)의 위치를 보정하여 절단하는 것이 보다 중요해진다. 본 발명에 따르면, 기판 재료로서 선팽창 계수가 큰 재료를 이용해도, 절단하기 직전에 절단선(25S, 25L)의 어긋남을 보정할 수 있기 때문에, 수축한 상태에서도 절단해야 할 올바른 절단선(25S, 25L)을 따라 절단하는 것이 가능해진다.When a material having a large coefficient of linear expansion is used for the substrate portion 22, the amount of heat deformation (shrinkage amount) increases due to the influence of cutting water or cooling water. When the amount of shrinkage is large, deviations of the cut lines 25S and 25L in the sealed substrate 3 become large. Therefore, it is more important to correct the position of the cutting lines 25S, 25L immediately before cutting. According to the present invention, even if a material having a large coefficient of linear expansion is used as the substrate material, the deviation of the cutting lines (25S, 25L) can be corrected immediately before the cutting, 25L.

지금까지 설명해 온 바와 같이, 트윈컷 테이블 방식의 절단 장치(1)에 있어서는, 한쪽의 절단 기구가 절단을 완료할 때까지는, 다른쪽의 절단 기구에 대기 시간이 발생한다. 이 대기 시간 동안에, 밀봉 완료 기판(3)은 절삭수나 냉각수에 의해 차가워진 절단용 테이블(4A, 4B)이나 절단용 스테이지(5A, 5B)에 대한 열전도에 의해 차가워진다. 이 영향에 의해, 대기 시간 동안에 밀봉 완료 기판(3)은 열 변형을 받아 수축한다. 따라서, 사전 정렬 시점에 설정된 밀봉 완료 기판(3)의 가상적인 절단선(25S, 25L)의 위치에 어긋남이 발생한다.As described above, in the twin cut table type cutting apparatus 1, waiting time is generated in the other cutting mechanism until one cutting mechanism completes cutting. During this standby time, the sealed substrate 3 is cooled by the heat conduction to the cutting tables 4A and 4B and the cutting stages 5A and 5B that are cooled by the cutting water or the cooling water. Due to this influence, the sealed substrate 3 shrinks due to thermal deformation during the waiting time. Therefore, the positions of the virtual cutting lines 25S and 25L of the sealed substrate 3 set at the pre-alignment time point are shifted.

본 발명에 따르면, 스핀들 유닛(10B)에 일체화하여 설치된 커프 체크용 카메라(13)를 이용함으로써, 밀봉 완료 기판(3)을 절단하기 직전에 정렬 마크(24)를 검출하여 그 좌표 위치를 측정한다. 이에 의해, 절단하기 직전의 밀봉 완료 기판(3)의 절단선(25S, 25L)의 위치를 확인한다. 즉, 사전 정렬 시점에 추가하여 절단하기 직전에 정렬 마크(24)의 좌표 위치를 확인한다. 따라서, 사전 정렬 시점으로부터 밀봉 완료 기판(3)의 절단을 개시하기까지의 대기 시간에 있어서 밀봉 완료 기판(3)이 수축한 경우에 있어서도, 사전 정렬 시점의 절단선(25S, 25L)의 위치와 절단하기 직전의 절단선(25S, 25L)의 위치를 비교하여 사전 정렬 시점으로부터의 어긋남을 보정할 수 있다. 밀봉 완료 기판(3)이 절삭수나 냉각수의 영향에 의해 수축한 상태에 있어서도 절단하기 직전에 절단해야 할 올바른 절단선(25S, 25L)의 위치로 보정하여 절단하는 것이 가능해지며, 전자 부품(P)의 파손이나 열화를 방지할 수 있다.According to the present invention, the alignment mark 24 is detected immediately before cutting the sealed substrate 3 and the coordinate position thereof is measured by using the cuff-checking camera 13 integrated with the spindle unit 10B . Thus, the positions of the cutting lines 25S and 25L of the sealed substrate 3 immediately before cutting are confirmed. That is, the coordinate position of the alignment mark 24 is confirmed immediately before the cutting at the pre-alignment time. Therefore, even when the sealed substrate 3 is shrunk in the waiting time from the pre-alignment time to the start of cutting of the sealed substrate 3, the positions of the cut lines 25S and 25L at the pre- It is possible to compare the positions of the cutting lines 25S and 25L immediately before cutting to correct the deviation from the pre-alignment time. It is possible to correct the position of the seal finished substrate 3 to the position of the correct cutting line 25S or 25L to be cut immediately before the cutting even in the state in which the sealed substrate 3 is contracted due to the influence of the cutting water or the cooling water, It is possible to prevent breakage or deterioration of the semiconductor device.

최근에는, 밀봉 완료 기판(3)의 대형화가 점점 진행되어, 1장의 밀봉 완료 기판(3)으로부터 취출하는 전자 부품(P)의 수도 증가하고 있기 때문에, 절단선 전체의 길이가 증가하고 있다. 이에 의해, 특히, 트윈컷 테이블 방식의 절단 장치에 있어서는, 1장의 밀봉 완료 기판(3)을 절단하는 데 필요한 시간이 증가하고 있다. 따라서, 대기 시간도 증가하는 경향에 있다. 이러한 상황에 있어서는, 사전 정렬 시점으로부터 절단하기 직전까지 발생하는 열 변형에 의해 발생하는 절단선의 어긋남을 정확히 파악하는 것이 중요해진다. 따라서, 본 발명과 같이, 절단하기 직전에 정렬을 행하여 절단선(25S, 25L)의 어긋남을 보정한 후에 밀봉 완료 기판(3)을 절단하는 것은 매우 유효한 방법이 된다.In recent years, since the size of the sealed substrate 3 gradually increases and the number of the electronic parts P taken out from the one sealed substrate 3 increases, the length of the entire cutting line increases. Thus, in particular, in the twin cut table type cutting apparatus, the time required for cutting one sealed substrate 3 is increased. Therefore, the waiting time also tends to increase. In such a situation, it is important to accurately grasp the displacement of the cutting line caused by the thermal deformation occurring from the pre-alignment point to just before cutting. Therefore, as in the present invention, it is very effective to perform the alignment immediately before the cutting to cut the finished substrate 3 after correcting the deviation of the cutting lines 25S and 25L.

한편, 본 실시예에서는 스핀들 유닛(10B)에 설치된 커프 체크용 카메라(13)를 이용해서, 절단하기 직전에 정렬 마크(24)를 검출하여 좌표 위치를 측정하였다. 이것에 한정하지 않고, 사전 정렬 시점에 사용한 정렬용 카메라(9)를 이용해서, 절단하기 직전에 정렬 마크(24)를 검출하는 것도 가능하다.On the other hand, in this embodiment, the alignment mark 24 was detected immediately before cutting using the cuff-checking camera 13 provided on the spindle unit 10B, and the coordinate position was measured. It is also possible to detect the alignment mark 24 immediately before cutting using the alignment camera 9 used at the pre-alignment time point.

또한, 본체 프레임의 일그러짐 등 시간의 경과에 따른 변화가 발생하여, 커프 체크용 카메라(13)의 부착 위치가 변동했다고 해도, 스핀들 유닛(10B)의 회전날(11B)이 절단하는 절단선(25) 상을 촬상하도록 커프 체크용 카메라(13)의 촬상 위치를 조정할 수 있다. 따라서, 정렬 마크(24)의 올바른 좌표 위치를 측정하여 밀봉 완료 기판(3)을 절단할 수 있다.Even if the attachment position of the cuff-checking camera 13 changes due to a change over time, such as a distortion of the main body frame, the cutting edge 25B of the rotating blade 11B of the spindle unit 10B, The image capturing position of the cuff-checking camera 13 can be adjusted. Therefore, the seal-completed substrate 3 can be cut by measuring the correct coordinate position of the alignment mark 24.

또한, 본 발명은 2개의 절단용 테이블을 갖는 트윈컷 테이블 방식의 절단 장치(1)에 한하지 않고, 1개의 절단용 테이블을 갖는 싱글컷 테이블 방식의 절단 장치에 대해서도 적용할 수 있다. Further, the present invention is not limited to the twin cut table type cutting apparatus 1 having two cutting tables, but can also be applied to a single-cut table type cutting apparatus having one cutting table.

피절단물로서는, 밀봉 완료 기판(3) 외에 반도체 웨이퍼를 사용해도 좋다. 반도체 웨이퍼의 각 영역에는 전자 회로가 만들어져 있기 때문에, 절단 후의 각 영역에 상당하는 부분(반도체 칩)이 전자 부품(P)이 된다.As the material to be cut, a semiconductor wafer other than the sealed substrate 3 may be used. Since electronic circuits are formed in the respective regions of the semiconductor wafer, the portions (semiconductor chips) corresponding to the respective regions after the cutting become the electronic parts (P).

본 발명에 따르면, 사전 정렬한 시점의 절단선의 위치를 절단하기 직전에 보정하는 것이 가능해진다. 따라서, 본 발명은 수율의 향상, 신뢰성의 향상, 생산성의 향상에 크게 기여하며, 공업적으로도 매우 가치가 높은 것이다.According to the present invention, it is possible to correct the position of the cut line at the point of pre-alignment immediately before cutting. Therefore, the present invention contributes greatly to the improvement of the yield, the improvement of the reliability, and the improvement of the productivity, and it is industrially very valuable.

또한, 본 발명은, 전술한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서, 필요에 따라, 임의로 또한 적절히 조합하거나, 변경하거나, 또는 선택하여 채용할 수 있는 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be appropriately combined, modified, or selected as necessary, without departing from the gist of the present invention.

1: 절단 장치 2: 프리스테이지
3: 밀봉 완료 기판(피절단물, 제1 피절단물, 제2 피절단물)
3a: 볼면 3b: 기판면
4A, 4B: 절단용 테이블
5A, 5B: 절단용 스테이지(스테이지, 제1 스테이지, 제2 스테이지)
6: 기판 배치부 7: 기판 절단부
8: 기판 세정부
9: 정렬용 카메라(제1 촬상 수단)
10A, 10B: 스핀들 유닛(절단 기구) 11A, 11B: 회전날
12A, 12B: 절삭수용 노즐(분사 수단)
13: 커프 체크용 카메라(제2 촬상 수단)
14: 복수의 전자 부품(P)으로 이루어지는 집합체
15: 세정 기구 16: 세정 롤러
17: 검사용 스테이지 18: 검사용 카메라
19: 인덱스 테이블 20: 이송 기구
21: 양품용 트레이 22: 기판부
23: 밀봉 수지부 24: 정렬 마크
25, 25S, 25L: 절단선 26: 영역
27: 밀봉 수지부 A: 수납 유닛
B: 절단 유닛 C: 세정 유닛
D: 검사 유닛 E: 수용 유닛
P: 전자 부품 CTL: 제어부
LD: 로드(Load) PA: 사전 정렬(Pre Alignment)
CT: 절단(Cut) WD: 세정 및 건조(Wash & Dry)
UL: 언로드(Unload) WT: 대기(Wait)
AA: 추가 정렬(Additional Alignment)
S: 공정(Steps)
1: Cutting device 2: Pre-stage
3: Sealed substrates (workpiece, first workpiece, second workpiece)
3a: Ball surface 3b: substrate surface
4A, 4B: Cutting table
5A, 5B: cutting stage (stage, first stage, second stage)
6: substrate placement part 7: substrate cutting part
8: Substrate cleaning section
9: Alignment camera (first image pickup means)
10A, 10B: Spindle unit (cutting mechanism) 11A, 11B:
12A, 12B: Cutting and receiving nozzle (injection means)
13: camera for cuff check (second image pickup means)
14: an aggregate consisting of a plurality of electronic parts (P)
15: cleaning mechanism 16: cleaning roller
17: stage for inspection 18: camera for inspection
19: Index table 20:
21: Good-quality tray 22:
23: sealing resin portion 24: alignment mark
25, 25S, 25L: cutting line 26: area
27: sealing resin portion A: receiving unit
B: cutting unit C: cleaning unit
D: Inspection unit E: Receiving unit
P: Electronic component CTL:
LD: Load PA: Pre Alignment
CT: Cut WD: Wash & Dry
UL: Unload WT: Wait
AA: Additional Alignment
S: Steps

Claims (18)

복수의 정렬 마크를 갖는 피절단물을 복수의 절단선을 따라 절단하는 절단 기구와, 상기 피절단물이 배치되는 스테이지와, 상기 스테이지를 기판 배치 위치와 기판 절단 위치 사이에서 이동시키는 이동 기구와, 상기 피절단물이 절단되는 피가공점을 향해 절삭수(切削水)를 분사하는 분사 수단과, 상기 기판 배치 위치와 상기 기판 절단 위치 사이에서의 상기 스테이지의 이동과 상기 절단 기구에 의한 절단을 적어도 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 절단 기구를 사용해서 상기 기판 절단 위치에 놓여진 상기 피절단물을 절단하는 절단 장치로서,
상기 기판 배치 위치에서 상기 피절단물을 촬상하는 제1 촬상 수단과,
상기 기판 절단 위치에서 상기 피절단물을 촬상하는 제2 촬상 수단
을 구비하고
상기 제1 촬상 수단에 의해 촬상된 상기 복수의 정렬 마크 중 적어도 일부의 촬상 데이터를 이용해서, 상기 제어부가 상기 절단선의 위치를 설정하며,
상기 제2 촬상 수단에 의해 촬상된 상기 복수의 정렬 마크 중 적어도 일부의 촬상 데이터를 이용해서, 상기 제어부가 상기 절단선의 위치를 보정하고,
상기 기판 배치 위치로부터 상기 피절단물이 이동하는 이동 위치인 상기 기판 절단 위치에서, 보정된 상기 절단선을 따라 상기 절단 기구가 상기 피절단물을 절단하며,
상기 기판 절단 위치에서 상기 절단 기구가 상기 피절단물의 절단을 완료할 때까지, 다음에 절단되어야 할 피절단물에 대기 시간이 발생하는 것을 특징으로 하는 절단 장치.
A cutting mechanism for cutting a workpiece having a plurality of alignment marks along a plurality of cutting lines; a stage on which the workpiece is placed; a moving mechanism for moving the stage between a substrate placing position and a substrate cutting position; (Cutting water) toward a processing point at which the workpiece is to be cut; and a controller for controlling the movement of the stage between the substrate placement position and the substrate cutting position and cutting by the cutting mechanism A cutting device for cutting the workpiece placed at the substrate cutting position using the cutting mechanism,
First pickup means for picking up the object to be cut at the substrate placement position,
And a second image pickup means for picking up the object to be cut at the substrate cutting position
And a
The control section sets the position of the cut line using at least part of the image pickup data of the plurality of alignment marks captured by the first image pickup section,
The control section corrects the position of the cut line using at least part of the image pickup data of the plurality of alignment marks captured by the second image pickup section,
The cutting mechanism cuts the workpiece along the corrected cutting line at the substrate cutting position where the workpiece moves from the substrate arrangement position,
And a waiting time is generated in the workpiece to be cut next until the cutting mechanism completes cutting of the workpiece at the substrate cutting position.
제1항에 있어서,
상기 대기 시간에서 다음에 절단되어야 할 피절단물이 차가워지는 것을 특징으로 하는 절단 장치.
The method according to claim 1,
And the cut material to be cut next is cooled in the waiting time.
제1항에 있어서,
상기 제1 촬상 수단과 상기 제2 촬상 수단은 상이한 것을 특징으로 하는 절단 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first imaging means and the second imaging means are different.
제1항에 있어서,
상기 제1 촬상 수단과 상기 제2 촬상 수단은 공통되는 것을 특징으로 하는 절단 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first imaging means and the second imaging means are common to each other.
제1항에 있어서,
상기 스테이지는 2개 설치되고,
2개의 상기 스테이지는 각각 상기 기판 배치 위치와 상기 기판 절단 위치 사이를 이동할 수 있으며,
2개의 상기 스테이지 중 제1 스테이지가 상기 기판 절단 위치에 위치한 상태에서 상기 피절단물이 절단되는 동안에, 2개의 상기 스테이지 중 제2 스테이지가 상기 기판 배치 위치에 위치한 상태에서 상기 절단선의 위치가 설정되는 것을 특징으로 하는 절단 장치.
The method according to claim 1,
Two stages are provided,
The two stages being each movable between the substrate placement position and the substrate cutting position,
The position of the cutting line is set while the second one of the two stages is located at the substrate placing position while the workpiece is cut while the first one of the two stages is located at the substrate cutting position And a cutting device.
제1항에 있어서,
상기 절단 기구는 회전날을 가지며,
상기 제2 촬상 수단은 상기 회전날이 절단하는 상기 절단선을 촬상하도록 배치되고,
상기 제2 촬상 수단은 커프(kerf) 체크용 카메라를 겸하는 것을 특징으로 하는 절단 장치.
The method according to claim 1,
The cutting mechanism has a rotating blade,
The second image pickup means is arranged to pick up the cut line cut by the rotary blade,
And the second image pickup means also serves as a camera for checking a kerf.
제1항에 있어서,
상기 절단 기구와 상기 제2 촬상 수단은 일체로 구성되고,
상기 절단 기구가 이동함으로써 상기 제2 촬상 수단이 이동하는 것을 특징으로 하는 절단 장치.
The method according to claim 1,
The cutting mechanism and the second imaging means are integrally formed,
And the second imaging means moves as the cutting mechanism moves.
제1항에 있어서,
상기 피절단물은 밀봉 완료 기판인 것을 특징으로 하는 절단 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the object to be cut is a sealed substrate.
제1항에 있어서,
상기 피절단물은 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 절단 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the object to be cut is a semiconductor wafer.
복수의 정렬 마크를 갖는 피절단물을 스테이지에 배치하는 공정과, 상기 스테이지를 기판 배치 위치와 기판 절단 위치 사이에서 이동시키는 공정과, 상기 피절단물이 절단되는 피가공점을 향해 절삭수를 분사하는 공정과, 상기 기판 절단 위치에 놓여진 상기 피절단물을 복수의 절단선을 따라 절단 기구를 사용해서 절단하는 공정을 포함하는, 상기 피절단물을 절단하여 복수의 전자 부품을 제조하는 전자부품의 제조 방법으로서,
상기 기판 배치 위치에서 제1 촬상 수단을 사용해서 상기 복수의 정렬 마크 중 적어도 일부를 촬상하는 제1 공정과,
상기 제1 공정에서 촬상된 상기 정렬 마크의 촬상 데이터를 이용해서 상기 절단선의 위치를 설정하는 공정과,
상기 기판 절단 위치에서 제2 촬상 수단을 사용해서 상기 복수의 정렬 마크 중 적어도 일부를 촬상하는 제2 공정과,
상기 제2 공정에서 촬상된 상기 정렬 마크의 촬상 데이터를 이용해서 상기 절단선의 위치를 보정하는 공정과,
상기 기판 배치 위치로부터 상기 피절단물이 이동하는 이동 위치인 상기 기판 절단 위치에서, 보정된 상기 절단선을 따라 상기 피절단물을 절단하는 공정
을 포함하고,
상기 기판 절단 위치에서 상기 절단 기구가 상기 피절단물의 절단을 완료할 때까지, 다음에 절단되어야 할 피절단물에 대기 시간이 발생하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
A step of arranging a workpiece having a plurality of alignment marks on a stage; a step of moving the stage between a substrate disposing position and a substrate disposing position; a step of ejecting cutting water toward a processing point at which the workpiece is cut And cutting the workpiece placed at the substrate cutting position along a plurality of cutting lines using a cutting mechanism to cut the workpiece to produce a plurality of electronic components As a production method,
A first step of picking up at least a part of the plurality of alignment marks using the first imaging means at the substrate arrangement position,
A step of setting a position of the cutting line using imaging data of the alignment mark captured in the first step;
A second step of picking up at least a part of the plurality of alignment marks using the second imaging means at the substrate cutting position,
A step of correcting the position of the cutting line using imaging data of the alignment mark captured in the second step,
Cutting the workpiece along the corrected cutting line at the substrate cutting position where the workpiece moves from the substrate arrangement position
/ RTI >
Wherein a waiting time is generated in the workpiece to be cut next until the cutting mechanism completes cutting the workpiece at the substrate cutting position.
제10항에 있어서,
상기 대기 시간에서 다음에 절단되어야 할 피절단물이 차가워지는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
And the object to be cut next is cooled in the waiting time.
제10항에 있어서,
상기 제1 촬상 수단과 상기 제2 촬상 수단은 상이한 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the first imaging means and the second imaging means are different from each other.
제10항에 있어서,
상기 제1 촬상 수단과 상기 제2 촬상 수단은 공통되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the first imaging means and the second imaging means are common to each other.
제10항에 있어서,
상기 스테이지는 2개 설치되고,
2개의 상기 스테이지 중 제1 스테이지에 제1 피절단물을 배치하는 공정과,
상기 제1 스테이지를 상기 기판 배치 위치와 상기 기판 절단 위치 사이에서 이동시키는 공정과,
2개의 상기 스테이지 중 제2 스테이지에 제2 피절단물을 배치하는 공정과,
상기 제2 스테이지를 상기 기판 배치 위치와 상기 기판 절단 위치 사이에서 이동시키는 공정과,
상기 제1 스테이지를 상기 기판 절단 위치에 위치시켜 상기 제1 피절단물을 절단하는 공정과,
상기 제1 스테이지를 이동시키는 공정과 상기 제1 피절단물을 절단하는 공정의 적어도 일부에서, 상기 제2 스테이지를 상기 기판 배치 위치에 위치시켜 상기 제2 피절단물에서의 상기 절단선의 위치를 설정하는 공정
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
Two stages are provided,
Disposing a first workpiece on a first stage of the two stages;
Moving the first stage between the substrate placement position and the substrate cutting position;
Disposing a second workpiece on a second stage of the two stages;
Moving the second stage between the substrate placing position and the substrate cutting position;
Cutting the first workpiece by positioning the first stage at the substrate cutting position;
The position of the cutting line in the second object to be cut is set by positioning the second stage at the substrate arrangement position in at least a part of the step of moving the first stage and the step of cutting the first object to be cut Process
Further comprising the steps of:
제10항에 있어서,
상기 절단 기구는 회전날을 가지며,
상기 회전날이 절단하는 상기 절단선을 상기 제2 촬상 수단에 의해 촬상하는 공정과,
상기 절단선에서의 절단홈에 관한 검사를 행하는 공정
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
The cutting mechanism has a rotating blade,
A step of picking up the cutting line cut by the rotary blade by the second image pickup means,
A step of inspecting a cut groove in the cutting line
Further comprising the steps of:
제10항에 있어서,
상기 절단 기구와 상기 제2 촬상 수단은 일체로 구성되고,
상기 절단 기구를 이동시킴으로써 상기 제2 촬상 수단을 이동시키는 공정
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
The cutting mechanism and the second imaging means are integrally formed,
A step of moving the second imaging means by moving the cutting mechanism
Further comprising the steps of:
제10항에 있어서,
상기 피절단물은 밀봉 완료 기판인 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the object to be cut is a sealed substrate.
제10항에 있어서,
상기 피절단물은 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the object to be cut is a semiconductor wafer.
KR1020170018072A 2013-09-02 2017-02-09 Cutting device and method for producing electronic component KR101952494B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-181393 2013-09-02
JP2013181393A JP6218511B2 (en) 2013-09-02 2013-09-02 Cutting apparatus and cutting method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140112987A Division KR101708976B1 (en) 2013-09-02 2014-08-28 Cutting device and cutting method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170018866A true KR20170018866A (en) 2017-02-20
KR101952494B1 KR101952494B1 (en) 2019-02-26

Family

ID=52700103

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140112987A KR101708976B1 (en) 2013-09-02 2014-08-28 Cutting device and cutting method
KR1020170018072A KR101952494B1 (en) 2013-09-02 2017-02-09 Cutting device and method for producing electronic component

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140112987A KR101708976B1 (en) 2013-09-02 2014-08-28 Cutting device and cutting method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6218511B2 (en)
KR (2) KR101708976B1 (en)
CN (1) CN104425369B (en)
TW (1) TWI592267B (en)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6212507B2 (en) * 2015-02-05 2017-10-11 Towa株式会社 Cutting apparatus and cutting method
JP6339514B2 (en) * 2015-03-25 2018-06-06 Towa株式会社 Cutting apparatus and cutting method
JP2016213240A (en) * 2015-04-30 2016-12-15 Towa株式会社 Manufacturing device and manufacturing method
JP2016219520A (en) * 2015-05-18 2016-12-22 Towa株式会社 Semiconductor device and manufacturing method of the same
US20170323708A1 (en) * 2016-05-03 2017-11-09 Texas Instruments Incorporated Component sheet and method of singulating
JP6845038B2 (en) * 2017-02-27 2021-03-17 株式会社ディスコ How to divide the package board
JP6598811B2 (en) * 2017-03-23 2019-10-30 Towa株式会社 Semiconductor package placement apparatus, manufacturing apparatus, semiconductor package placement method, and electronic component manufacturing method
KR102123477B1 (en) 2018-02-28 2020-06-16 공주대학교 산학협력단 Spindle Monitoring System Using Laser Sensor
JP7150401B2 (en) * 2018-11-20 2022-10-11 株式会社ディスコ Workpiece processing method
JP6746756B1 (en) * 2019-05-24 2020-08-26 Towa株式会社 Suction plate, cutting device and cutting method
JP7377092B2 (en) * 2019-12-16 2023-11-09 Towa株式会社 Statistical data generation method, cutting device and system
CN115139368B (en) * 2022-07-07 2023-12-08 深圳市象形科技有限公司 Laminating die-cutting equipment for flexible material and die-cutting method thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040079728A (en) * 2003-03-10 2004-09-16 삼성테크윈 주식회사 Cutting apparatus and mathod for semiconductor package
KR20040096765A (en) * 2003-05-09 2004-11-17 토와 가부시기가이샤 Cutting method of substrate and cutting apparatus of the same
JP2005332990A (en) * 2004-05-20 2005-12-02 Apic Yamada Corp Cutting apparatus, cutting method, and position detecting method
JP2009206362A (en) 2008-02-28 2009-09-10 Disco Abrasive Syst Ltd Method of cutting plate-like material
JP2010245446A (en) * 2009-04-09 2010-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd Method of cutting workpiece
KR20110039288A (en) * 2008-06-30 2011-04-15 토와 가부시기가이샤 Method and apparatus for cutting substrate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4542223B2 (en) * 2000-04-14 2010-09-08 株式会社ディスコ Cutting equipment
JP4796271B2 (en) * 2003-07-10 2011-10-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
JP4456421B2 (en) * 2004-06-22 2010-04-28 株式会社ディスコ Processing equipment
JP2007088028A (en) * 2005-09-20 2007-04-05 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer separation equipment and alignment method of wafer
JP4791787B2 (en) * 2005-09-22 2011-10-12 Towa株式会社 Cutting device using abrasive water jet
JP4664788B2 (en) * 2005-09-26 2011-04-06 株式会社ディスコ Cutting equipment
JP4869864B2 (en) * 2006-10-20 2012-02-08 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2008112884A (en) * 2006-10-31 2008-05-15 Disco Abrasive Syst Ltd Processing method of wafer
JP5192790B2 (en) * 2007-11-28 2013-05-08 Towa株式会社 Substrate cutting method and apparatus
JP2009218397A (en) * 2008-03-11 2009-09-24 Towa Corp Method and device for cutting substrate
SG142402A1 (en) 2008-05-02 2009-11-26 Rokko Ventures Pte Ltd Apparatus and method for multiple substrate processing
JP4780356B1 (en) * 2010-04-20 2011-09-28 Tdk株式会社 Work processing apparatus and method
CN102934216B (en) * 2010-05-04 2016-08-03 韩美半导体株式会社 For the method being directed at semi-conducting material
JP2012114126A (en) 2010-11-19 2012-06-14 Sharp Corp Substrate splitting device and method of manufacturing electronic component

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040079728A (en) * 2003-03-10 2004-09-16 삼성테크윈 주식회사 Cutting apparatus and mathod for semiconductor package
KR20040096765A (en) * 2003-05-09 2004-11-17 토와 가부시기가이샤 Cutting method of substrate and cutting apparatus of the same
JP2005332990A (en) * 2004-05-20 2005-12-02 Apic Yamada Corp Cutting apparatus, cutting method, and position detecting method
JP2009206362A (en) 2008-02-28 2009-09-10 Disco Abrasive Syst Ltd Method of cutting plate-like material
KR20110039288A (en) * 2008-06-30 2011-04-15 토와 가부시기가이샤 Method and apparatus for cutting substrate
JP2010245446A (en) * 2009-04-09 2010-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd Method of cutting workpiece

Also Published As

Publication number Publication date
KR101708976B1 (en) 2017-02-21
TWI592267B (en) 2017-07-21
CN104425369B (en) 2017-09-08
JP2015050345A (en) 2015-03-16
TW201515797A (en) 2015-05-01
KR20150026936A (en) 2015-03-11
CN104425369A (en) 2015-03-18
JP6218511B2 (en) 2017-10-25
KR101952494B1 (en) 2019-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101952494B1 (en) Cutting device and method for producing electronic component
KR101784596B1 (en) Cutting device and cutting method
KR101651002B1 (en) Cutting device and cutting method
JP7108739B2 (en) Electronic component mounting apparatus and mounting method, and package component manufacturing method
JP6212507B2 (en) Cutting apparatus and cutting method
JP6781677B2 (en) Electronic component mounting equipment and mounting method, and package component manufacturing method
JP5457660B2 (en) Cutting method and cutting apparatus
KR101692156B1 (en) Substrate cutting apparatus and substrate cutting method
CN112331582B (en) Chip mounting apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP5362404B2 (en) Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
KR101372378B1 (en) semiconductor manufacturing apparatus and controlling method of the same
JP5647312B2 (en) Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
KR20090105612A (en) Apparatus for Sawing Semiconductor Devices
JP2012160766A (en) Substrate cutting device
KR20130007906A (en) System and method for singulation of semiconductor package

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant