KR20170017825A - 코폴리머 및 관련된 층상 물품, 및 디바이스-형성 방법 - Google Patents

코폴리머 및 관련된 층상 물품, 및 디바이스-형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170017825A
KR20170017825A KR1020160100094A KR20160100094A KR20170017825A KR 20170017825 A KR20170017825 A KR 20170017825A KR 1020160100094 A KR1020160100094 A KR 1020160100094A KR 20160100094 A KR20160100094 A KR 20160100094A KR 20170017825 A KR20170017825 A KR 20170017825A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
methyl
copolymer
meth
photoresist layer
substituted
Prior art date
Application number
KR1020160100094A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101838189B1 (ko
Inventor
더블유. 새커리 제임스
두 케
트레포나스 3세 피터
블레이키 이드리스
키이스 휘터커 앤드류
Original Assignee
롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
더 유니버서티 어브 퀸슬랜드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨, 더 유니버서티 어브 퀸슬랜드 filed Critical 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
Publication of KR20170017825A publication Critical patent/KR20170017825A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101838189B1 publication Critical patent/KR101838189B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A24—TOBACCO; CIGARS; CIGARETTES; SIMULATED SMOKING DEVICES; SMOKERS' REQUISITES
    • A24B—MANUFACTURE OR PREPARATION OF TOBACCO FOR SMOKING OR CHEWING; TOBACCO; SNUFF
    • A24B1/00—Preparation of tobacco on the plantation
    • A24B1/04—Sifting, sorting, cleaning or removing impurities from tobacco
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A24—TOBACCO; CIGARS; CIGARETTES; SIMULATED SMOKING DEVICES; SMOKERS' REQUISITES
    • A24B—MANUFACTURE OR PREPARATION OF TOBACCO FOR SMOKING OR CHEWING; TOBACCO; SNUFF
    • A24B13/00—Tobacco for pipes, for cigars, e.g. cigar inserts, or for cigarettes; Chewing tobacco; Snuff
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A24—TOBACCO; CIGARS; CIGARETTES; SIMULATED SMOKING DEVICES; SMOKERS' REQUISITES
    • A24B—MANUFACTURE OR PREPARATION OF TOBACCO FOR SMOKING OR CHEWING; TOBACCO; SNUFF
    • A24B15/00—Chemical features or treatment of tobacco; Tobacco substitutes, e.g. in liquid form
    • A24B15/10—Chemical features of tobacco products or tobacco substitutes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
    • B07C—POSTAL SORTING; SORTING INDIVIDUAL ARTICLES, OR BULK MATERIAL FIT TO BE SORTED PIECE-MEAL, e.g. BY PICKING
    • B07C5/00—Sorting according to a characteristic or feature of the articles or material being sorted, e.g. by control effected by devices which detect or measure such characteristic or feature; Sorting by manually actuated devices, e.g. switches
    • B07C5/34—Sorting according to other particular properties
    • B07C5/342—Sorting according to other particular properties according to optical properties, e.g. colour
    • B07C5/3425—Sorting according to other particular properties according to optical properties, e.g. colour of granular material, e.g. ore particles, grain
    • B07C5/3427—Sorting according to other particular properties according to optical properties, e.g. colour of granular material, e.g. ore particles, grain by changing or intensifying the optical properties prior to scanning, e.g. by inducing fluorescence under UV or x-radiation, subjecting the material to a chemical reaction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
    • B07C—POSTAL SORTING; SORTING INDIVIDUAL ARTICLES, OR BULK MATERIAL FIT TO BE SORTED PIECE-MEAL, e.g. BY PICKING
    • B07C5/00—Sorting according to a characteristic or feature of the articles or material being sorted, e.g. by control effected by devices which detect or measure such characteristic or feature; Sorting by manually actuated devices, e.g. switches
    • B07C5/36—Sorting apparatus characterised by the means used for distribution
    • B07C5/363—Sorting apparatus characterised by the means used for distribution by means of air
    • B07C5/365—Sorting apparatus characterised by the means used for distribution by means of air using a single separation means
    • B07C5/366—Sorting apparatus characterised by the means used for distribution by means of air using a single separation means during free fall of the articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G27/00—Jigging conveyors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1807—C7-(meth)acrylate, e.g. heptyl (meth)acrylate or benzyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • C08F220/285—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing a polyether chain in the alcohol moiety
    • C08F220/286—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing a polyether chain in the alcohol moiety and containing polyethylene oxide in the alcohol moiety, e.g. methoxy polyethylene glycol (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F283/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers provided for in subclass C08G
    • C08F283/06—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers provided for in subclass C08G on to polyethers, polyoxymethylenes or polyacetals
    • C08F283/065—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers provided for in subclass C08G on to polyethers, polyoxymethylenes or polyacetals on to unsaturated polyethers, polyoxymethylenes or polyacetals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D151/00—Coating compositions based on graft polymers in which the grafted component is obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D151/08—Coating compositions based on graft polymers in which the grafted component is obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Coating compositions based on derivatives of such polymers grafted on to macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10L—FUELS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NATURAL GAS; SYNTHETIC NATURAL GAS OBTAINED BY PROCESSES NOT COVERED BY SUBCLASSES C10G, C10K; LIQUEFIED PETROLEUM GAS; ADDING MATERIALS TO FUELS OR FIRES TO REDUCE SMOKE OR UNDESIRABLE DEPOSITS OR TO FACILITATE SOOT REMOVAL; FIRELIGHTERS
    • C10L1/00—Liquid carbonaceous fuels
    • C10L1/003—Marking, e.g. coloration by addition of pigments
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/359—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using near infrared light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55—Specular reflectivity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/6428—Measuring fluorescence of fluorescent products of reactions or of fluorochrome labelled reactive substances, e.g. measuring quenching effects, using measuring "optrodes"
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/6486—Measuring fluorescence of biological material, e.g. DNA, RNA, cells
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/85—Investigating moving fluids or granular solids
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
    • B07C—POSTAL SORTING; SORTING INDIVIDUAL ARTICLES, OR BULK MATERIAL FIT TO BE SORTED PIECE-MEAL, e.g. BY PICKING
    • B07C2501/00—Sorting according to a characteristic or feature of the articles or material to be sorted
    • B07C2501/0018—Sorting the articles during free fall
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • C08F220/281—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing only one oxygen, e.g. furfuryl (meth)acrylate or 2-methoxyethyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2438/00—Living radical polymerisation
    • C08F2438/03—Use of a di- or tri-thiocarbonylthio compound, e.g. di- or tri-thioester, di- or tri-thiocarbamate, or a xanthate as chain transfer agent, e.g . Reversible Addition Fragmentation chain Transfer [RAFT] or Macromolecular Design via Interchange of Xanthates [MADIX]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10N—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS C10M RELATING TO LUBRICATING COMPOSITIONS
    • C10N2040/00—Specified use or application for which the lubricating composition is intended
    • C10N2040/42—Flashing oils or marking oils
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N2021/6417—Spectrofluorimetric devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/6428—Measuring fluorescence of fluorescent products of reactions or of fluorochrome labelled reactive substances, e.g. measuring quenching effects, using measuring "optrodes"
    • G01N2021/6439—Measuring fluorescence of fluorescent products of reactions or of fluorochrome labelled reactive substances, e.g. measuring quenching effects, using measuring "optrodes" with indicators, stains, dyes, tags, labels, marks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
    • G01N21/6456—Spatial resolved fluorescence measurements; Imaging
    • G01N2021/646—Detecting fluorescent inhomogeneities at a position, e.g. for detecting defects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N2021/8411—Application to online plant, process monitoring
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N2021/845—Objects on a conveyor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N2021/8466—Investigation of vegetal material, e.g. leaves, plants, fruits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/85—Investigating moving fluids or granular solids
    • G01N2021/8592—Grain or other flowing solid samples
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/952—Inspecting the exterior surface of cylindrical bodies or wires

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Agronomy & Crop Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

코폴리머는 자외선 흡수 모노머, 및 염기-용해도-향상 모노머를 포함하는 모노머들의 중합에 의해 제조된다. 코폴리머는 전자빔 및 극자외선 리소그래피(lithography)를 위한 톱코트 층을 형성시키기 위해 유용하다. 또한, 톱코트 층을 포함하는 층상 물품, 및 전자 소자를 형성시키는 관련된 방법이 기술된다.

Description

코폴리머 및 관련된 층상 물품, 및 디바이스-형성 방법{COPOLYMER AND ASSOCIATED LAYERED ARTICLE, AND DEVICE-FORMING METHOD}
본 발명은 코폴리머, 코폴리머를 함유하는 포토리소그래픽 톱코트 층(photolithographic topcoat layer), 톱코트 층을 포함하는 층상 물품(layered article), 및 톱코트 층을 사용하여 전자 소자를 형성시키는 방법에 관한 것이다.
극자외선(EUV) 리소그래피 및 전자빔 리소그래피는 20 나노미터 이하의 스케일로 패턴화하기 위한 유망한 기술이다. EUV 방사선의 소스는 또한, 이미징 성능(imaging performance)을 현저하게 악화시킬 수 있는 보다 긴 파장의 방사선, 즉, 소위 대역외(out-of-band; OOB) 방사선을 형성시킨다. 이에 따라, 다른 포토리소그래픽 반응을 과도하게 떨어뜨리지 않으면서 대역외 방사선의 부정적인 영향을 감소시킬 수 있는 조성물이 요구된다. 공동-출원된 미국특허출원번호 제14/820647호에는 자가-격리(self-segregating) OBB 방사선 흡수 블록 폴리머를 포함하는 포토레지스트 조성물(photoresist composition)이 기재되어 있다. 포토레지스트 조성물의 개질을 방지하거나 최소화하는 것이 요망되는 상황을 위하여, 본 출원은 OBB 방사선 흡수, 현상제-가용성 톱코트 층에서 유용한 코폴리머를 기술한다.
일 구현예는 대역외 흡수 모노머(out-of-band absorbing monomer) 및 염기-용해도-향상 모노머(base-solubility-enhancing monomer)를 포함하는 모노머들의 중합 생성물을 포함하는 코폴리머로서, 코폴리머로부터 주조된 막이 150 내지 400 나노미터 범위의 파장에서 0.1 내지 0.5의 소광 계수(extinction coefficient; k)를 갖는 코폴리머이다.
다른 구현예는 2-메틸-2-부탄올, 2-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-2-부탄올 및 2-메틸-2-펜탄올의 조합물, 적어도 90 중량%의 2-메틸-2-부탄올을 함유한 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 2-메틸-2-부탄올의 조합물, 적어도 90 중량%의 2-메틸-2-펜탄올을 함유한 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 2-메틸-2-펜탄올의 조합물, 및 총 적어도 90 중량%의 2-메틸-2-부탄올 및 2-메틸-2-펜탄올을 함유한 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 2-메틸-2-부탄올 및 2-메틸-2-펜탄올의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 용매 중에서, 0.1 내지 3 중량%의 코폴리머를 포함하는 폴리머 용액을 스핀 코팅하는 것을 포함하는, 폴리머 층을 형성시키는 방법이다.
다른 구현예는 기판; 기판 위의 포토레지스트 층; 및 포토레지스트 층 위의 및 이와 접촉하는, 코폴리머를 포함하는 톱코트 층을 포함하는 층상 물품이다.
다른 구현예는 (a) 기판 상에 포토레지스트 층을 적용하는 단계; (b) 포토레지스트 층 상에 코폴리머를 포함하는 톱코트 층을 적용하는 단계; (c) 포토레지스트 층을 톱코트 층을 통해 활성화 방사선(activating radiation)에 패턴-방식으로 노출시키는 단계; 및 (d) 노출된 포토레지스트 층을 현상하여 레지스트 릴리프 이미지(resist relief image)를 제공하는 단계를 포함하는, 전자 소자를 형성시키는 방법이다.
이러한 구현예 및 다른 구현예들은 하기에서 상세히 기술된다.
도 1은 폴리(PEGMA-코-BzMA-코-HFACHOH)의 합성을 위한 반응식이다.
도 2는 폴리(PEGMA-코-BzMA-코-HFACHOH)에 대한 RAFT 말단 기 제거를 위한 반응식이다.
도 3은 RAFT 말단 기 분할(제거) 전 및 후에 폴리(PEGMA-코-BzMA-코-HFACHOH)에 대한 정규화된 자외선-가시광선 스펙트럼을 제공한다.
도 4는 톱코트 폴리머 폴리(PEGMA-코-BzMA-코-HFACHOH)의 1H NMR 스펙트럼이다.
도 5A 및 5B는 도 5A CBP-4 포토레지스트 층; 및 도 5B 톱코트 층에 대한 막 두께(nm) 대 폴리머 농도(중량 퍼센트(wt%))의 플롯을 나타낸다.
도 6은 10 나노미터 톱코트, 30 나노미터 톱코트, CBP-4 + 10 nm 톱코트, CBP-4 + 30 nm 톱코트, 및 CBP-4에 대한 현상 시간(1초 또는 60초)에 따른 접촉각(°)의 플롯이다.
도 7은 10 나노미터 두께 및 30 나노미터 두께를 갖는 톱코트에 대한 소광 계수 대 파장(nm)의 플롯이다.
도 8은 10 나노미터 두께 및 30 나노미터 두께를 갖는 톱코트에 대한 투과율(%) 대 파장(nm)의 플롯이다.
도 9는 (a) CBP-4 포토레지스트, (b) CBP-4 포토레지스트 + 10 nm 톱코트에 대한 선량(마이크로쿨롱/센티미터2(μC/cm2)) 에 따른 정규화된 막 두께(%)의 플롯이다.
도 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 및 10F는 도 10A 51 μC/cm2에서 포토레지스트 CBP-4; 도 10B 53 μC/cm2에서 포토레지스트 CBP-4; 도 10C 55 μC/cm2에서 포토레지스트 CBP-4; 도 10D 51 μC/cm2에서 포토레지스트 CBP-4 + 톱코트; 도 10E 57 μC/cm2에서 포토레지스트 CBP-4 + 톱코트; 10F 60 μC/cm2에서 포토레지스트 CBP-4 + 톱코트에 대한 라인 패턴의 주사전자 현미경 사진(SEM)으로 이루어진 것이다.
본 발명자들은, 특정 코폴리머가 전자빔 또는 극자외선 리소그래피에 대한 톱코트 층의 주요 또는 단독 성분으로서 유용하다는 것을 발견하였다. 이러한 코폴리머는 대역외(OOB) 방사선을 흡수하고 알칼리성 현상제에 용이하게 용해한다.
본원에서 사용되는 용어 "코폴리머"는 랜덤 코폴리머(통계 코폴리머를 포함함), 블록 코폴리머, 및 그라프트 코폴리머를 포함한다. 랜덤 코폴리머는 2, 3, 4, 또는 그 초과의 상이한 타입의 반복 단위를 포함할 수 있다. 블록 코폴리머는 다중블록 코폴리머일 수 있고, 예를 들어, 디블록 코폴리머, 트리블록 코폴리머, 테트라블록 코폴리머, 또는 5개 이상의 블록을 갖는 코폴리머를 포함할 수 있다. 블록은 선형 코폴리머, 골격 상에 분기(branch)가 그라프팅된 분지된 코폴리머(이러한 코폴리머는 또한, 때때로, "콤브(comb) 코폴리머"로 불리워짐), 및 스타(star) 코폴리머(때때로, 방사상 블록 코폴리머라 불리워짐), 등의 일부일 수 있다. 그라프트 코폴리머에서, 주쇄 및 하나 이상의 측쇄의 조성은 조성에 있어서 또는 반복 단위의 순서에 있어서 상이하다.
본원에서 사용되는 용어 "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미한다.
본원에서 사용되는 용어 "하이드로카르빌"은 그 자체로 사용되거나 접두사, 접미사, 또는 다른 용어의 단편으로 사용되든지 간에, 상세하게 "치환된 하이드로카르빌"로서 확인되지 않는 한, 단지 탄소 및 수소를 함유하는 잔기를 지칭한다. 하이드로카르빌 잔기는 지방족 또는 방향족이거나, 직쇄, 환형, 바이시클릭이거나, 분지되거나, 포화되거나 불포화될 수 있다. 이는 또한, 지방족, 방향족, 직쇄, 시클릭, 바이시클릭, 분지된, 포화된 및 불포화된 탄화수소 모이어티들의 조합을 함유할 수 있다. 하이드로카르빌 잔기가 치환된 것으로서 기술될 때, 이는 탄소 및 수소 이외에 헤테로원자를 함유할 수 있다.
달리 명시하는 것을 제외하고, 용어 "치환된"은 적어도 하나의 치환체, 예를 들어, 할로겐(즉, F, Cl, Br, I), 하이드록실, 아미노, 티올, 카복실, 카복실레이트, 에스테르(아크릴레이트, 메타크릴레이트, 및 락톤을 포함함), 아미드, 니트릴, 설파이드, 디설파이드, 니트로, C1-18 알킬, C1-18 알케닐(노르보르네닐 및 아다만틸을 포함함), C1-18 알콕실, C2-18 알케녹실(비닐 에테르를 포함함), C6-18 아릴, C6-18 아릴옥실, C7-18 알킬아릴, 또는 C7-18 알킬아릴옥실을 포함하는 것을 의미한다.
본원에서 사용되는 용어 "불소화된(fluorinated)"은 기에 도입된 하나 이상의 불소 원자를 갖는 것을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 예를 들어, C1-18 플루오로알킬 기가 명시되는 경우에, 플루오로알킬 기는 하나 이상의 불소 원자, 예를 들어, 단일 불소 원자, 두 개의 불소 원자(예를 들어, 1,1-디플루오로에틸 기와 같이), 세 개의 불소 원자(예를 들어, 2,2,2-트리플루오로에틸 기와 같이), 또는 탄소의 각 자유 원자가에서의 불소 원자(예를 들어, 과불소화된 기, 예를 들어, -CF3, -C2F5, -C3F7, 또는 -C4F9와 같이)를 포함할 수 있다.
본원에서 사용되는 용어 "알킬"은 선형 알킬, 분지형 알킬, 환형 알킬, 및 선형, 분지형 및 환형 기의 2-방향 및 3-방향 조합을 조합하는 알킬 기를 포함한다. 알킬 기는 치환되거나 비치환될 수 있다. 알킬 기의 특정 예는 메틸, 에틸, 1-프로필, 2-프로필, 시클로프로필, 1-부틸, 2-부틸, 2 메틸-1-프로필, 3차-부틸, 시클로부틸, 1-메틸시클로프로필, 2-메틸시클로프로필, 1-펜틸, 2-펜틸, 3-펜틸, 2-메틸-1-부틸, 3-메틸-1-부틸, 2-메틸-2-부틸, 3-메틸-2-부틸, 2,2-디메틸-1-프로필 (네오펜틸), 시클로펜틸, 1-메틸시클로부틸, 2-메틸시클로부틸, 3-메틸시클로부틸, 1,2-디메틸시클로프로필, 2,2-디메틸시클로프로필, 2,3-디메틸시클로프로필, 1-헥실, 2-헥실, 3-헥실, 2-메틸-1-펜틸, 3-메틸-1-펜틸, 4-메틸-1-펜틸, 2-메틸-2-펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 2-메틸-3-펜틸, 3-메틸-2-펜틸, 3-메틸-3-펜틸, 2,2-디메틸-1-부틸, 3,3-디메틸-1-부틸, 3,3-디메틸-2-부틸, 2,3-디메틸-1-부틸, 2,3-디메틸-2-부틸, 1,2,2-트리메틸시클로프로필, 2,2,3-트리메틸시클로프로필, (1,2-디메틸시클로프로필)메틸, (2,2-디메틸시클로프로필)메틸, 1,2,3-트리메틸시클로프로필, (2,3-디메틸시클로프로필)메틸, 2,2-디메틸시클로부틸, 2,3-디메틸시클로부틸, (1-메틸시클로부틸)메틸, 1,2-디메틸시클로부틸, 2,3-디메틸시클로부틸, (2-메틸시클로부틸)메틸, 1,3-디메틸시클로부틸, 2,4-디메틸시클로부틸, (3-메틸시클로부틸)메틸, 1-메틸시클로펜틸, 2-메틸시클로펜틸, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실, 1-노르보르닐, 2-노르보르닐, 3-노르보르닐, 1-아다만틸, 2-아다만틸, 옥타하이드로-1-펜탈레닐, 옥타하이드로-2-펜탈레닐, 옥타하이드로-3-펜탈레닐, 옥타하이드로-1-페닐-1-펜탈레닐, 옥타하이드로-2-페닐-2-펜탈레닐, 옥타하이드로-1-페닐-3-펜탈레닐, 옥타하이드로-2-페닐-3-펜탈레닐, 데카하이드로-1-나프틸, 데카하이드로-2-나프틸, 데카하이드로-3-나프틸, 데카하이드로-1-페닐-1 나프틸, 데카하이드로-2-페닐-2-나프틸, 데카하이드로-1-페닐-3-나프틸, 및 데카하이드로-2-페닐-3-나프틸을 포함한다.
일 구현예는 대역외 흡수 모노머 및 염기-용해도-향상 모노머를 포함하는 모노머들의 중합 생성물을 포함하는 코폴리머로서, 코폴리머로부터 주조된 막이 150 내지 400 나노미터 범위의 파장에서 0.1 내지 0.5의 소광 계수(k)를 갖는 코폴리머이다.
본원에서 사용되는 용어 "대역외 흡수 모노머"는 포토레지스트를 노출시키도록 의도된 방사선 보다 더욱 긴 파장에서의 방사선을 흡수하는 모노머를 의미한다. 예를 들어, 노출 디바이스가 13.5 나노미터의 파장에서 극자외선을 사용하는 경우에, 150 내지 400 나노미터, 상세하게, 190 내지 300 나노미터의 파장 범위에서의 자외선 방사선을 흡수하는 모노머는 대역외 흡수 모노머일 것이다. "대역외 흡수 모노머"는 150 내지 400 나노미터 범위에서 흡광도를 갖는 코폴리머를 제공한다. 상세하게, 코폴리머로부터 주조된 막은 150 내지 400 나노미터 범위의 파장(즉, 적어도 하나의 파장)에서 0.1 내지 0.5의 소광 계수(k)를 갖는다. 일부 구현예에서, 150 내지 400 나노미터의 범위에서 소광 계수(k)의 최대 수치는 0.1 내지 0.5이다. 소광 계수(k)가 150 내지 400 나노미터 범위에서의 일부 파장에서 0.1 미만 및 심지어 0(zero)일 수 있는 것으로 이해될 것이다. 대역외 흡수 모노머는 불소 치환된 에스테르 기를 배제한다. 일부 구현예에서, 대역외 흡수 모노머는 불소가 존재하지 않는 치환되거나 비치환된 C6-C18 아릴 기, 치환되거나 비치환된 C2-C17 헤테로아릴 기, C5-C12 디에논 기, 또는 이들의 조합을 포함한다.
일부 구현예에서, 대역외 흡수 모노머는 하기 구조를 갖는다:
Figure pat00001
상기 식에서, R1은 수소 또는 메틸이며; n은 0, 1, 2, 3, 또는 4이며; Ar1은 치환되거나 비치환된 C6-C18 아릴 기이며, 단, 치환된 C6-C18 아릴 기에는 불소가 존재하지 않는다.
대역외 흡수 모노머의 특정 예는 하기 구조식, 및 이들의 조합을 포함한다:
Figure pat00002
코폴리머는 코폴리머에서 전체 반복 단위 100 mole%를 기준으로 하여, 20 내지 60 mole%의, 대역외 흡수 모노머로부터 유도된 반복 단위를 포함할 수 있다. 20 내지 60 mole%의 범위 내에서, 대역외 흡수 모노머로부터 유도된 반복 단위의 함량은 30 내지 50 mole% 일 수 있다.
대역외 흡수 모노머로부터 유도된 반복 단위 이외에, 코폴리머는 염기-용해도-향상 모노머로부터 유도된 반복 단위를 포함한다. 염기-용해도-향상 모노머는 폴리(에틸렌 옥사이드)의 (메트)아크릴레이트 에스테르, 폴리(프로필렌 옥사이드)의 (메트)아크릴레이트 에스테르, 염기 민감성 (메트)아크릴레이트 에스테르, 2 내지 12의 pKa를 갖는 기로 치환된 (메트)아크릴레이트 에스테르, 및 이들의 조합을 포함한다.
폴리(에틸렌 옥사이드) 및 폴리(프로필렌 옥사이드)의 (메트)아크릴레이트 에스테르는 하기 구조를 가질 수 있다:
Figure pat00003
상기 식에서, R1은 수소(아크릴레이트의 경우) 또는 메틸(메타크릴레이트의 경우)이며, R2는 수소(폴리(에틸렌 옥사이드)의 경우) 또는 메틸(폴리(프로필렌 옥사이드)의 경우)이며, n은 3 내지 50, 특히, 5 내지 30이다.
염기-민감성(base-labile) (메트)아크릴레이트 에스테르는 예를 들어, 하기 구조와 같은 락톤-치환된 모노머 및 이들의 조합을 포함한다:
Figure pat00004
2 내지 12의 pKa를 갖는 기로 치환된 (메트)아크릴레이트 에스테르는 카복실산, 페놀, 아릴설폰산, 프탈이미드, 설폰아미드, 설폰이미드, 및 알코올로 치환된 (메트)아크릴레이트 에스테르를 포함한다. 당업자는 이러한 산성 작용기들 중 하나를 포함하는 특정 종이 2 내지 12 범위의 pKa 수치를 갖는 경우를 용이하게 결정할 수 있다. 2 내지 12의 pKa를 갖는 기로 치환된 (메트)아크릴레이트 에스테르의 특정 예는 예를 들어, 하기 구조 및 이들의 조합을 포함한다:
Figure pat00005
Figure pat00006
일부 구현예에서, 염기-용해도-향상 모노머는 폴리(에틸렌 옥사이드)의 (메트)아크릴레이트 에스테르, 및 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로필 기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 에스테르를 포함한다.
코폴리머는 코폴리머 중의 전체 반복 단위 100 mole%를 기준으로 하여, 40 내지 80 mole%의 염기-용해도-향상 모노머로부터 유도된 반복 단위를 포함한다. 40 내지 80 mole%의 범위 내에서, 대역외 흡수 모노머로부터 유도된 반복 단위의 함량은 50 내지 70 mole%일 수 있다. 매우 특정의 구현예에서, 코폴리머는 30 내지 50 mole%의 폴리(에틸렌 옥사이드)의 (메트)아크릴레이트 에스테르, 및 10 내지 30 mole%의 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로필 기로 치환된 (메트)아크릴레이트 에스테르를 포함한다.
일부 구현예에서, 코폴리머는 대역외 흡수 모노머 및 염기-용해도-향상 모노머로부터 유도된 반복 단위들로 이루어진다.
코폴리머는 193 나노미터 파장에서 0.1 내지 0.4의 소광 계수 "k"를 갖는다. 이러한 범위 내에서, 소광 계수 "k"는 193 나노미터 파장에서 0.15 내지 0.35일 수 있다. 소광 계수 "k"를 결정하기 위한 절차는 실시에에 기술되어 있다.
코폴리머의 분자량은 특별히 제한되지 않는다. 분자량 특징분석은 폴리스티렌 표준물 및 테트라하이드로푸란 용매를 사용하는 크기 배제 크로마토그래피에 의해 결정될 수 있다. 일부 구현예에서, 코폴리머는 2,000 내지 100,000 달톤의 수평균 분자량을 갖는다. 이러한 범위 내에서, 수평균 분자량은 3,000 내지 60,000 달톤, 상세하게 4,000 내지 40,000 달톤일 수 있다. 특히, 코폴리머가 본원에 기술된 RAFT 방법을 이용하여 제조될 때, 이는 좁은 분자량 분포를 가질 수 있다. 분자량 분포는 분산도에 의해 특징될 수 있는데, 이는 수평균 분자량에 대한 중량평균 분자량의 비율이다. 일부 구현예에서, 코폴리머는 1.05 내지 1.2의 분산도(Mw/Mn)를 갖는다. 이러한 범위 내에서, 분산도는 1.05 내지 1.15일 수 있다. 그러나, 코폴리머가 의도되는 바와 같이 기능하기 위해 좁은 분자량 분포가 요구되지 않는다. 예를 들어, 일부 구현예에서, 코폴리머는 1.05 내지 2의 분산도를 갖는다.
일부 구현예에서, 코폴리머는 침전, 여과, 용매 교환, 원심분리, 디켄테이션(decantation)(다수의 디켄테이션을 포함함), 이온 교환, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 방법을 이용하여 정제된다.
코폴리머의 매우 특별한 구현예에서, 대역외 흡수 모노머는 하기 구조를 갖는다:
Figure pat00007
상기 식에서, R1은 수소 또는 메틸이며, n은 0, 1, 2, 3, 또는 4이며, Ar1은 불소가 존재하지 않는 치환되거나 비치환된 C6-C18 아릴 기이다. 염기-용해도-향상 모노머는 폴리(에틸렌 옥사이드)의 (메트)아크릴레이트 에스테르 및 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로필 기로 치환된 (메트)아크릴레이트 에스테르를 포함한다. 모노머는 모노머의 총 mole을 기준으로 하여, 30 내지 50 mole%의 대역외 흡수 모노머, 30 내지 50 mole%의 폴리(에틸렌 옥사이드)의 (메트)아크릴레이트 에스테르, 및 10 내지 30 mole%의 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로필 기로 치환된 (메트)아크릴레이트 에스테르를 포함하며, 코폴리머는 1.05 내지 1.2의 분산도(Mw/Mn)를 갖는다.
코폴리머는 전자빔 리소그래피 또는 극자외선 리소그래피를 위한 톱코트 층을 형성시키기 위해 특히 유용하다. 코폴리머는 50 내지 100 중량%의 톱코트 층을 구성할 수 있다. 톱코트 층의 선택적 성분들은 하부 포토레지스트 층으로부터 톱코트 층의 물리적 분리를 향상시키기 위해 소수성 첨가제를 포함한다.
톱코트 층은 5 내지 50 나노미터, 상세하게, 5 내지 40 나노미터의 두께를 가질 수 있다. 층 두께는 스핀 코팅을 위한 용액 중의 코팅 폴리머 농도를 변경시킴으로써 조절될 수 있다.
일 구현예는 2-메틸-2-부탄올, 2-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-2-부탄올 및 2 메틸-2-펜탄올의 조합물, 적어도 90 중량%의 2-메틸-2-부탄올을 함유하는 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 2-메틸-2-부탄올의 조합물, 적어도 90 중량%의 2 메틸-2-펜탄올을 함유하는 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 2-메틸-2-펜탄올의 조합물, 및 총 적어도 90 중량%의 2-메틸-2-부탄올 및 2-메틸-2-펜탄올을 함유하는 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 2 메틸-2-부탄올 및 2-메틸-2-펜탄올의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 용매 중의 0.1 내지 3 중량%의 코폴리머(임의 이의 상술된 변형예)를 포함하는 코폴리머 용액을 스핀 코팅하는 것을 포함하는, 폴리머 층을 형성시키는 방법이다.
본 발명은 기판; 기판 위의 포토레지스트 층; 및 포토레지스트 층 위의 및 이와 접촉하는 임의 이의 상술된 변형예의 코폴리머를 포함하는 톱코트 층을 포함하는 층상 물품을 추가로 포함한다. 이러한 구현예에서, 층 물품은, 선택적으로, 기판과 포토레지스트 층 사이에 하나 이상의 추가 층들을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명은 (a) 기판 상에 포토레지스트를 적용하는 단계; (b) 임의 이의 상술된 변형예의 톱코트 층을 포토레지스트 층 상에 적용하는 단계; (c) 포토레지스트 층을 톱코트 층을 통해 활성화 방사선에 패턴-방식 노출하는 단계; 및 (d) 노출된 포토레지스트 층을 현상하여 레지스트 릴리프 이미지를 제공하는 단계를 포함하는, 전자 소자를 형성시키는 방법을 추가로 포함한다. 이러한 방법은 선택적으로, (e) 하부 기판에 resist relief 패턴을 에칭하는 것을 추가로 포함할 수 있다. 일부 구현예에서, 활성화 방사선은 전자빔 또는 극자외선이다.
기판은 물질, 예를 들어, 반도체, 예를 들어, 실리콘 또는 화합물 반도체(예를 들어, III-V 또는 II-VI), 유리, 석영, 세라믹, 및 구리, 등일 수 있다. 통상적으로, 기판은 표면 상에 형성된 하나 이상의 층들 및 패턴화된 피쳐(feature)들을 갖는, 반도체 웨이퍼, 예를 들어, 단결정 실리콘 또는 화합물 반도체 웨이퍼이다. 선택적으로, 하부 베이스 기판 물질 자체는 예를 들어, 베이스 기판 물질에 트렌치(trench)를 형성시키기 위해 요망될 때, 패턴화될 수 있다. 베이스 기판 물질 위에 형성된 층들은 예를 들어, 하나 이상의 전도성 층, 예를 들어, 알루미늄, 구리, 몰리브덴, 탄탈, 티탄, 텅스텐, 및 합금의 층들, 이러한 금속의 니트라이드 또는 실리사이드, 도핑된 비정질 실리콘 또는 도핑된 폴리실리콘, 하나 이상의 유전층, 예를 들어, 실리콘 옥사이드, 실리콘 니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드 또는 금속 옥사이드의 층들, 반도체 층들, 예를 들어, 단결정 실리콘, 하부층들, 반사방지 층들, 예를 들어, 바닥 반사방지 층들, 및 이들의 조합을 포함할 수 있다. 층들은 다양한 기술들, 예를 들어, 화학적 증기 증착(CVD), 예를 들어, 플라즈마-강화 CVD, 저압 CVD 또는 에피탁셜 성장, 물리적 증기 증착(PVD), 예를 들어, 스퍼터링 또는 증발, 전기도금 또는 스핀-코팅에 의해 형성될 수 있다.
전자빔 또는 극자외선 리소그래피를 위해 적합한 임의 포토레지스트 조성물이 사용될 수 있다.
기판에 포토레지스트 조성물을 적용하는 것은 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 딥 코팅, 및 닥터 블레이딩을 포함하는 임의 적합한 방법에 의해 달성될 수 있다. 일부 구현예에서, 포토레지스트 조성물의 층을 적용하는 것은 코팅 트랙을 이용하여 용매 중에서 포토레지스트를 스핀 코팅함으로써 달성되며, 여기서, 포토레지스트 조성물은 회전 웨이퍼 상에 분배된다. 분배 동안에, 웨이퍼는 분당 4,000회 회전수(rpm) 이하, 상세하게 500 내지 3,000 rpm, 및 더욱 상세하게 1,000 내지 2,500 rpm의 속도로 회전될 수 있다. 코팅된 웨이퍼는 용매를 제거하기 위해 회전되고, 잔부 용매 및 자유 용적을 균일하게 조밀화되게 만들어진 막으로부터 제거하기 위해 고온 플레이트 상에서 베이킹된다.
패턴-방식 노출은 이후에, 노출 툴, 예를 들어, 스텝퍼(stepper)를 이용하여 수행되며, 여기서, 막은 패턴 마스크(pattern mask)를 통해 조사되며, 이에 의해 패턴-방식으로 노출된다. 일부 구현예에서, 방법은 극자외선(EUV) 또는 전자빔(e-빔) 방사선을 포함하는 고분해능의 가능한 파장에서 활성화 방사선을 발생시키는 발전된 노출 툴을 사용한다. 이러한 노출 툴의 해상도는 30 나노미터 미만일 수 있다.
노출된 포토레지스트 층을 현상시키는 것은 이후에 노출된 층 및 오버레이 톱코트 층(overlying topcoat layer)을 톱코트 층을 균일하게 용해시킬 수 있는 적합한 포지티브 톤 현상제(positive tone developer)로 처리하고, 포토레지스트 층의 노출된 부분을 선택적으로 제거함으로써 달성된다. 일부 구현예에서, 포지티브 톤 현상제는 금속-이온 부재 테트라알킬암모늄 하이드록사이드 용액, 예를 들어, 수성 0.26 노르말 테트라메틸암모늄 하이드록사이드이다.
포토레지스트 조성물은 하나 이상의 이러한 패턴-형성 공정에서 사용될 때, 전자 소자 및 광전자 소자, 예를 들어, 메모리 소자, 프로세서 칩(중앙 처리 장치 또는 CPU를 포함함), 그래픽 칩, 및 다른 이러한 소자를 제작하기 위해 사용될 수 있다.
실시예
표 1은 톱코트 코폴리머 및 포토레지스트 코폴리머 합성에서 사용되는 모노머의 화학적 구조 및 두문자어를 제공한다.
표 1
Figure pat00008
RAFT 기술에 의한 폴리 ( PEGMA -코- BzMA -코- HFACHOH ) 통계 코폴리머의 합성. 폴리(PEGMA-코-BzMA-코-HFACHOH)의 RAFT 합성을 위한 반응식은 도 1에 제시되어 있다. PEGMA(4.75 그램, 0.01 mole), 벤질 메타크릴레이트(BzMA, 1.76 그램, 0.01 mole), HFACHOH(1.67 그램, 0.005 mole), 4-시아노-4-[(도데실설파닐티오카보닐)설파닐]펜탄산(CDTPA, RAFT제, 221.8 밀리그램(91% 순도), 5×10-4 mole), 아조이소부티로니트릴(AIBN, 개시제, 8.2 밀리그램, 5×10-5 mole) 및 1,4-디옥산(15 밀리리터)을 자석 교반기가 장착된 50 밀리리터 쉬링크 플라스크(Schlenk flask)에 도입하였다([M]0 : [mCTA]0 : [개시제]0 = 50 : 1 : 0.1, [PEGMA] : [BzMA] : [HFACHOH] = 2:2:1). 반응 혼합물을 얼음욕에서 30분 동안 아르곤으로 퍼징시켜 산소를 제거하고, 이후에 70℃에서 가열하였다. 모노머 전환율을 1H NMR에 의해 계산하고, 폴리머를 헥산 중에서의 이중 침전에 의해 회수하였다. 폴리머를 양성자 핵자기 공명 분광법(1H NMR), 자외선-가시광선 분광법(UV-VIS) 및 폴리스티렌 표준물 및 테트라하이드로푸란 용매를 사용하는 크기 배제 크로마토그래피(SEC)에 의해 특징분석하였다. SEC에서는 1.12의 분산도(Mw/Mn)를 나타내었다. 폴리머 특징분석은 표 2에 요약되어 있다.
표 2
Figure pat00009
폴리 ( PEGMA -코- BzMA -코- HFACHOH )의 RAFT 분할. RAFT 폴리머로부터의 말단 기 제거의 반응식은 도 2에 제시되어 있다. 통계 코폴리머의 말단 기 분할을 하기와 같이 수행하였다. 폴리(PEGMA-코-BzMA-코-HFACHOH)(3 그램, 1.85×10-4 mole), AIBN(0.912 그램, 5.6×10-3 mole, 30 당량) 및 1,4-디옥산(25 밀리리터)을 자석 교반기가 장착된 100 mL 쉬링크 플라스크에 도입하였다. 반응 혼합물을 얼음욕에서 30분 동안 아르곤으로 퍼징시켜 산소를 제거하고, 이후에 70℃에서 가열하였다. 8시간 후에, 폴리머를 메탄올 중의 투석에 의해 정제하고, 이후에 용매를 제거하였다. 폴리머를 1H NMR, UV-VIS, 및 SEC에 의해 특징분석하였다. 1H NMR 스펙트럼은 도 3에 도시되어 있으며, 말단 기 제거 전 및 후의 코폴리머의 UV-VIS 스펙트럼은 도 4에 제시되어 있다.
박막 제조
폴리머 농도에 따른 막 두께의 결정. 포토레지스트 폴리머 CBP-4의 구조는 표 3에 나타내었다. 일련의 포토레지스트 용액을 용매로서 에틸 락테이트 또는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 중의 타겟 농도, 1, 2, 3, 4 및 5 중량%의 포토레지스트 폴리머 CBP-4 용액으로 제조하였다. 예시적인 스핀 코팅 공정을 하기와 같이 수행하였다. 먼저, 실리콘 웨이퍼를 아세톤 및 이소프로판올로 세정하였다. 이후에, 실리콘 웨이퍼를 10분 동안 100℃ 핫플레이트 상에 배치시켰다. 이후에, 실리콘 웨이퍼를 O2 플라즈마 처리에 의해 추가로 세척하였다. 포토레지스트 용액을 실리콘 웨이퍼 상에서 60초 동안 분당 3000회의 회전수(rpm)의 속도로 스핀 코팅하였다. 웨이퍼 상에 포토레지스트 용액의 코팅 후에, 포토레지스트 층을 100℃에서 90초 동안 가열에 의해 건조시켜 포토레지스트 층이 무점착성이 될 때까지 용매를 제거하였다. 막 두께를 SCI Filmtek 4000 분광 반사계(spectroscopic reflectometer) 상에서 측정하였다. 폴리머 농도에 대한 막 두께의 선형 곡선은 도 5a에 제시되어 있다. 곡선에 따르면, 약 50 나노미터의 요망되는 포토레지스트 층 두께를 달성하기 위해 최종 폴리머 농도로서 2.5 내지 3 중량%를 사용하였다.
표 3
Figure pat00010
상이한 톱코트 용매에 의해 야기된 포토레지스트 층의 두께 변화. 이러한 단계의 목적은 톱코트 용매의 선택을 위한 것이다. 일반적으로, 톱코트 용매는 포토레지스트 층을 용해시키지 못할 것이다. 그렇지 않으면, 이러한 용매는 톱코트 스핀 코팅 공정 동안 레지스트 표면을 일부 용해시켜 혼합 층(intermixed layer)을 형성시킬 것이다. 레지스트와 톱코트 간의 용매 혼화성을 평가하기 위한 효과적인 방법은 레지스트 막에 상이한 톱코트 용매를 노출시킴으로써 레지스트의 두께 변화를 측정하는 것이다. 통상적인 공정은 하기와 같다. 먼저, 포토레지스트 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하였다. 적용후 베이크(post-application bake) 후에, 포토레지스트 층의 두께를 측정하였다. 이후에, 상이한 용매를 포토레지스트 층 위에 스핀 코팅에 의해 적용하였다. 다른 적용후 베이크 후에, 막 두께를 측정하였다. 용매 성질을 표 4에 요약하였으며, 여기서, "TMAH"은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 나타낸다. 상이한 용매에 의해 야기된 두께 변화는 표 5에 제시되어 있으며, 여기서, "디(프로필렌 글리콜)모노메틸 에테르 + 2-메틸-2-부탄올"은 11:89 중량비의 디(프로필렌 글리콜)모노메틸 에테르 대 2-메틸-2-부탄올을 지칭한다.
표 4
Figure pat00011
표 5
Figure pat00012
혼합 시험(Intermixing Test)
혼합 시험을 위한 통상적인 공정을 하기와 같이 수행하였다. 먼저, 포토레지스트 용액을 실리콘 웨이퍼 상에서 스핀 코팅하여 50 나노미터 층을 형성시켰다. 적용후 베이크 후에, 포토레지스트 층의 두께를 측정하였다. 이후에, 톱코트 용액(2-메틸-2-부탄올 중 폴리(PEGMA-코-BzMA-코-HFACHOH))을 포토레지스트 층 위에 스핀 코팅하였다. 적용후 베이크 후에, 전체 층 두께를 측정하였다. 현상제 용액(2.38 중량% TMAH 용액)에 톱코트 층을 용해시키고 탈이온수로 세정시킨 후에 "다크 손실(dark loss)"을 측정하였다. "다크 손실"은 톱코트를 제거하기 전 및 제거 후의 포토레지스트 층 두께 간의 차이로서, 측정에서 노출이 수반되지 않기 때문에 다크 손실로 불리워지는 것이다.
혼합 시험의 결과는 표 6에 나타내었다. 베어(bare) 실리콘 기판 상의 폴리(PEGMA-코-BzMA-코-HFACHOH)/2-메틸-2-부탄올 용액의 코팅은 10 나노미터(0.3 중량% 용액) 또는 27 나노미터(0.7 중량% 용액)의 층 두께를 제공하였다. 포토레지스트 층의 두께는 약 50 나노미터였다. 톱코트를 포토레지스트 층 상에 코팅한 후에, 전체 층 두께는 약 60 나노미터(0.3 중량% 톱코트 용액의 경우) 또는 약 80 나노미터(0.7 중량% 용액의 경우)이었다. 2.38% TMAH 용액을 사용하여 톱코트 층을 제거하고 탈이온수로 세정한 후에, 포토레지스트 층의 최종 두께는 이의 본래 두께와 유사하였다. 이러한 결과는, 본원에 기술된 톱코트 층이 포토레지스트 층과 혼합된 층을 형성하지 못하고 현상제 용액을 사용하여 제거될 수 있다는 것을 나타내는 것이다.
표 6
Figure pat00013
접촉각의 측정
접촉각 측정을 위한 샘플을 제조하기 위한 통상적인 절차는 하기와 같다. CBP-4 포토레지스트 용액을 깨끗한 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하였다. 포토레지스트 층 이전에 웨이퍼 상에 접착 증진제 코팅을 적용하지 않았다. 톱코트 용액을 포토레지스트 층 상에 스핀 코팅하여 10 또는 30 나노미터 두께를 갖는 톱코트 층을 형성시켰다. 접촉각을 실온에서 Dataphysics OCA20 접촉각 시스템을 이용하여 측정하였다. 습윤 거동의 측정을 수행하기 위해 탈이온수 방울들(2 마이크로리터)을 샘플 표면 상에 떨어뜨렸다.
도 6에 제시된 결과에서는, 베어 톱코트 층(10 또는 30 나노미터)이 매우 친수성임을 나타내고 있다. 탈이온수 접촉각은 대략 35°이었으며, 탈이온수 방울은 매우 빠르게 퍼졌다. 60초 후에, 탈이온수 접촉각은 약 11°가 되었다. 그러나, 포토레지스트 층 상에 코팅된 톱코트의 경우에, 물 접촉각은 실리콘 웨이퍼 상에 직접적으로 코팅된 베어 톱코트의 접촉과는 상이하였다. 30 나노미터 두께를 갖는 톱코트에 대하여, 물 접촉각(WCA)은 55°이었고, 60초 후에 25°가 되었다. 10 나노미터 두께를 갖는 톱코트 층에 대하여, WCA는 72°이었고, 60초 후에 46°가 되었다. 베어 포토레지스트 층 표면 상에서, WCA는 82°이었고, 60초 후에 일정하게 유지되었다. 실리콘이 공기 중에서 용이하게 산화하고 친수성 표면인 실리콘 옥사이드 층으로 코팅된다는 것은 공지되어 있다. 임의 특정 가설에 의해 한정하고자 하는 것은 아니지만, 본 발명자들은, 도 6의 개략적 이미지에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 표면 상의 친수성 하이드록실 기 수소 원자가 HFACHOH 반복 단위의 하이드록실 기의 산소 원자와 수소 결합할 수 있을 것으로 추측한다. 그 결과, 톱코트 층 표면은 더욱 친수성이 되는 경향을 나타낼 수 있다. 그러나, 톱코트 층이 포토레지스트 층 상에 스핀 코팅될 때, 스핀 코팅 공정 동안 낮은 표면 에너지로 인하여 보다 많은 HFACHOH 반복 단위는 표면으로 이동할 수 있다. 이는 포토레지스트 층 상에 코팅된 톱코트 층이 실리콘 기판 상에 직접적으로 코팅된 톱코트 층에 비해 더욱 소수성인 경향을 나타내는 이유일 수 있다.
VUV VASE 엘립소미터 ( Ellipsometer ) 특징분석
대역외 광에 대한 톱코트 층의 차단 효과를 시험하기 위하여, 톱코트 박막의 광학적 성질을 VUV VASE 엘립소미터에 의해 측정하였다. 광학 상수, n 및 k, 및 막 두께를 J.A. WoollamTM VUV VASETM Spectroscopic Ellipsometer 상에서 측정하였다. VUV VASE 측정을 파장 범위 λ 150 내지 1000 나노미터에 해당하는 1.2 내지 8.3 전자-볼트(eV)의 스펙트럼 범위, 및 65° 내지 75°의 입사각을 이용하여 단차로서 5°로 수행하였다. 전체 광학 경로를 주변 수증기 및 산소로부터의 흡수를 제거하기 위해 건조 질소 퍼지 내측에 둘러쳐졌다. 이러한 연구에서 모델링 및 피팅 절차는 먼저 Cauchy 층을 이용하여 300 내지 1000 나노미터의 스펙트럼의 투명한 영역의 광학 상수 및 두께를 결정하고 이후에 150 내지 300 nm 범위의 곡선을 피팅하기 위한 축점법(point-by-point method)을 이용하여 광학 상수 소광 계수 'k' 및 굴절률 'n'을 획득하는 것으로 이루어졌다. 톱코트 층의 광학 성질은 표 7에 요약되어 있고, 도 7(파장 및 톱코트 층 두께에 따른 소광 계수) 및 도 8(파장 및 톱코트 층 두께에 따른 투과 백분율)에 제시되어 있다. 표 7, 및 도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 13 및 30 나노미터 두께를 갖는 톱코트 층에 대하여, 소광 계수 k는 각각 0.213 및 0.215이었다. 193 나노미터에서의 투과 백분율은 각각 83.2% 및 64%인 것으로 계산되었다. 흡수 계수 α는 13.9 ㎛-1 및 14.0 ㎛-1이었다.
표 7
Figure pat00014
리소그래픽 성능
전자빔 리소그래피(EBL)를 위한 샘플을 하기와 같이 제조하였다. 포토레지스트 폴리머 CBP-4(25 밀리그램) 및 트리이소프로판올아민(0.20 milli그램, CBP-4 코폴리머에서 광산(photoacid) 발생 반복 단위에 대해 20 mole%)을 20 밀리리터 바이알에 도입하였다. 에틸 아세테이트(760 마이크로리터, 786 밀리그램)를 첨가하여 3 중량%의 CBP-4 폴리머 농도를 갖는 용액을 제조하였다. 톱코트 폴리머 폴리(PEGMA-코-BzMA-코-HFACHOH)(10 밀리그램)를 2-메틸-2-부탄올(5 밀리리터, 4.02 그램)에 용해시켜 0.25 중량% 농도를 갖는 용액을 제조하였다.
예시적인 스핀 코팅 공정을 하기와 같이 수행하였다. 먼저, 실리콘 웨이퍼를 아세톤 및 이소프로판올로 세정하였다. 이후에, 실리콘 웨이퍼를 10분 동안 100℃ 핫플레이트 상에 배치시켰다. 이후에, 실리콘 웨이퍼를 O2 플라즈마 처리에 의해 추가로 세척하였다. MicroChemicals로부터 TI/HDMS prime으로서 획득되는 접착 증진제를 깨끗한 실리콘 웨이퍼 상에 20초 동안 3000 rpm의 속도로 스핀 코팅하고, 이후에, 5분 동안 120℃ 핫플레이트 상에서 베이킹시켜 용매를 제거하였다. 포토레지스트 용액을 프라이머 층 상에 60초 동안 3000 rpm의 속도로 스핀 코팅하였다. 웨이퍼 상에 포토레지스트 용액을 코팅한 후에, 이를 100℃에서 90초 동안 가열에 의해 건조시켜 포토레지스트 층이 무점착성이 될 때까지 용매를 제거하였다. 이후에, 톱코트 용액을 포토레지스트 층 상에 60초 동안 3000 rpm의 속도로 스핀 코팅하였다. 적용후 베이크 단계를 위하여, 코팅된 웨이퍼를 90초 동안 100℃ 핫플레이트 상에 배치시켜 잔류 용매를 제거하였다.
톱코트 층을 갖는 포토레지스트를 이후에 패턴화하고 통상적으로 약 10 내지 100 μC/cm2 범위의 노출 에너지를 갖는 활성화 방사선에 노출시켰다. 통상적으로, 전자빔 리소그래피 기술을 패턴을 발생시키기 위한 노출 툴로서 사용하였다.
노출 후에, 톱코트 층을 갖는 포토레지스트를 100℃의 온도에서 60초 동안 베이킹하였다. 이후에, 샘플을 20초 동안 0.26N 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(2.38 중량% TMAH)와 같은 수성 알칼리성 현상제로의 처리에 의해 현상시키고, 이후에 20초 동안 물로 세정하였다.
전자빔 리소그래픽 분석을 15 kV에서 0.8 nm 및 1 kV에서 1.2 nm의 분해능(샘플에 따름)을 갖는, 고온(쇼트키(Schottky)) 전자 건을 구비한 7800 Field Emission Scanning Electron Microscope (FE-SEM)를 이용하여 수행하였다. 여기에는 전자빔 리소그래피를 위한 RAITHTM 시스템이 장착되어 있다.
도 9는 CBP-4 포토레지스트 층, 및 CBP-4 포토레지스트 층 + 10 나노미터 톱코트 층에 대한 콘트라스트(contrast) 곡선을 도시한 것이다. 이러한 곡선으로부터, 레지스트 민감성(resist sensitivity)이 톱코트 층의 존재 하에 변하지 않는다는 것을 알 수 있다. 두 개의 샘플의 선량-대-투명성 수치(dose-to-clear value)는 약 40 μC/cm2이었다. 그러나, 기울기는 CBP-4 포토레지스트 층 + 10 나노미터 톱코트 층에 대한 곡선에서 더욱 높다. 이에 따라, 콘트라스트는 톱코트 층를 첨가한 경우에 개선되었다.
주사전자 현미경법
도 10은 (a) 51 μC/cm2에서 노출된 CBP-4 포토레지스트 층; (b) 53 μC/cm2에서 노출된 CBP-4 포토레지스트 층; (c) 55 μC/cm2에서 노출된 CBP-4 포토레지스트 층; (d) 51 μC/cm2에서 노출된 CBP-4 포토레지스트 층 + 10 nm 톱코트 층; (e) 57 μC/cm2에서 노출된 CBP-4 포토레지스트 층 + 10 nm 톱코트 층; 및 (f) 60 μC/cm2에서 노출된 CBP-4 포토레지스트 층 + 10 nm 톱코트 층에 대한 라인 패턴의 주사전자 현미경 사진(SEM)을 제시한 것이다.

Claims (11)

  1. 코폴리머로서,
    대역외 흡수 모노머(out-of-band absorbing monomer) 및 염기-용해도-향상 모노머(base-solubility-enhancing monomer)를 포함하는 모노머들의 중합 생성물을 포함하되,
    상기 코폴리머로부터 주조된 막이 150 내지 400 나노미터 범위의 파장에서 0.1 내지 0.5의 소광 계수(extinction coefficient)(k)를 갖는, 코폴리머.
  2. 제1항에 있어서, 1.05 내지 1.2의 분산도(dispersity)(Mw/Mn)를 갖는 코폴리머.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 대역외 흡수 모노머가 불소가 존재하지 않는 치환되거나 비치환된 C6-C18 아릴기, 치환되거나 비치환된 C2-C17 헤테로아릴기, C5-C12 디에논기, 또는 이들의 조합을 포함하는, 코폴리머.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 대역외 흡수 모노머가 하기 구조를 갖는, 코폴리머:
    Figure pat00015

    상기 구조에서,
    R1은 수소 또는 메틸이며,
    n은 0, 1, 2, 3, 또는 4이며,
    Ar1은 불소가 존재하지 않는 치환되거나 비치환된 C6-C18 아릴기이다.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 염기-용해도-향상 모노머가 폴리(에틸렌 옥사이드)의 (메트)아크릴레이트 에스테르, 폴리(프로필렌 옥사이드)의 (메트)아크릴레이트 에스테르, 염기 민감성 (메트)아크릴레이트 에스테르, 2 내지 12의 pKa를 갖는 기로 치환된 (메트)아크릴레이트 에스테르, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 코폴리머.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 염기-용해도-향상 모노머가 폴리(에틸렌 옥사이드)의 (메트)아크릴레이트 에스테르 및 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로필기로 치환된 (메트)아크릴레이트 에스테르를 포함하는, 코폴리머.
  7. 제1항에 있어서, 상기 대역외 흡수 모노머가 하기 구조를 가지며;
    상기 염기-용해도-향상 모노머가 폴리(에틸렌 옥사이드)의 (메트)아크릴레이트 에스테르 및 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로필 기로 치환된 (메트)아크릴레이트 에스테르를 포함하며;
    상기 모노머들이, 상기 모노머의 총 몰을 기준으로 하여,
    30 내지 50 몰%의 상기 대역외 흡수 모노머,
    30 내지 50 몰%의 폴리(에틸렌 옥사이드)의 (메트)아크릴레이트 에스테르, 및
    10 내지 30 몰%의 1,1,1,3,3,3 헥사플루오로-2-프로필기로 치환된 (메트)아크릴레이트 에스테르를 포함하며;
    상기 코폴리머가 1.05 내지 1.2의 분산도(Mw/Mn)를 갖는, 코폴리머:
    Figure pat00016

    상기 구조에서, R1은 수소 또는 메틸이며, n은 0, 1, 2, 3, 또는 4이며, Ar1은 불소가 존재하지 않는 치환되거나 비치환된 C6-C18 아릴기이다.
  8. 2-메틸-2-부탄올; 2-메틸-2-펜탄올; 2-메틸-2-부탄올과 2-메틸-2-펜탄올의 조합물, 적어도 90 중량%의 2-메틸-2-부탄올을 함유하는, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르와 2-메틸-2-부탄올의 조합물; 적어도 90 중량%의 2-메틸-2-펜탄올을 함유하는, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르와 2-메틸-2-펜탄올의 조합물; 및 총 적어도 90 중량%의 2-메틸-2-부탄올 및 2-메틸-2-펜탄올을 함유하는, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르와 2-메틸-2-부탄올과 2-메틸-2-펜탄올의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택된 용매 중에서, 0.1 내지 3 중량%의 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 코폴리머를 포함하는 폴리머 용액을 스핀-코팅하는 단게를 포함하는, 폴리머 층을 형성시키는 방법.
  9. 기판;
    상기 기판 위의 포토레지스트 층(photoresist layer); 및
    상기 포토레지스트 층 위의 그리고 상기 포토레지스트 층과 접촉하는 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 코폴리머를 포함하는 톱코트 층(topcoat layer)을 포함하는, 층상 물품(layered article).
  10. (a) 기판 상에 포토레지스트 층을 도포하는(applying) 단계;
    (b) 상기 포토레지스트 층 상에 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 코폴리머를 포함하는 톱코트 층을 도포하는 단계;
    (c) 상기 포토레지스트 층을 상기 톱코트 층을 통해 활성화 방사선(activating radiation)에 패턴-방식으로 노출시키는 단계; 및
    (d) 노출된 상기 포토레지스트 층을 현상하여 레지스트 릴리프 이미지(resist relief image)를 제공하는 단계를 포함하는, 전자 소자(electronic device)를 형성시키는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 활성화 방사선이 전자빔 또는 극자외선(extreme ultraviolet radiation)을 포함하는, 전자 소자를 형성시키는 방법.
KR1020160100094A 2015-08-07 2016-08-05 코폴리머 및 관련된 층상 물품, 및 디바이스-형성 방법 KR101838189B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/820,699 US9957339B2 (en) 2015-08-07 2015-08-07 Copolymer and associated layered article, and device-forming method
US14/820,699 2015-08-07

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180026912A Division KR101898007B1 (ko) 2015-08-07 2018-03-07 코폴리머 및 관련된 층상 물품, 및 디바이스-형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170017825A true KR20170017825A (ko) 2017-02-15
KR101838189B1 KR101838189B1 (ko) 2018-03-13

Family

ID=58048757

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160100094A KR101838189B1 (ko) 2015-08-07 2016-08-05 코폴리머 및 관련된 층상 물품, 및 디바이스-형성 방법
KR1020180026912A KR101898007B1 (ko) 2015-08-07 2018-03-07 코폴리머 및 관련된 층상 물품, 및 디바이스-형성 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180026912A KR101898007B1 (ko) 2015-08-07 2018-03-07 코폴리머 및 관련된 층상 물품, 및 디바이스-형성 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9957339B2 (ko)
JP (2) JP2017036440A (ko)
KR (2) KR101838189B1 (ko)
CN (2) CN110204666A (ko)
TW (2) TWI621632B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190082664A (ko) * 2017-12-31 2019-07-10 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 포토레지스트 탑코트 조성물 및 포토레지스트 조성물의 처리 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9957339B2 (en) * 2015-08-07 2018-05-01 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Copolymer and associated layered article, and device-forming method
US9815930B2 (en) 2015-08-07 2017-11-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Block copolymer and associated photoresist composition and method of forming an electronic device
KR102177417B1 (ko) * 2017-12-31 2020-11-11 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 포토레지스트 조성물 및 방법
FR3092837B1 (fr) * 2019-02-18 2021-08-27 Gaztransport Et Technigaz Copolymeres methacrylates, et leurs utilisations pour la preparation de mousse polyurethane
WO2023089426A1 (en) * 2021-11-16 2023-05-25 3M Innovative Properties Company Methacrylate copolymer and methods of making and using the same

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL87862C (ko) 1951-08-20
US2875047A (en) 1955-01-19 1959-02-24 Oster Gerald Photopolymerization with the formation of coherent plastic masses
US2850445A (en) 1955-01-19 1958-09-02 Oster Gerald Photopolymerization
GB1090142A (en) 1965-02-26 1967-11-08 Agfa Gevaert Nv Photochemical insolubilisation of polymers
US3479185A (en) 1965-06-03 1969-11-18 Du Pont Photopolymerizable compositions and layers containing 2,4,5-triphenylimidazoyl dimers
US3549367A (en) 1968-05-24 1970-12-22 Du Pont Photopolymerizable compositions containing triarylimidazolyl dimers and p-aminophenyl ketones
US4343885A (en) 1978-05-09 1982-08-10 Dynachem Corporation Phototropic photosensitive compositions containing fluoran colorformer
US4442197A (en) 1982-01-11 1984-04-10 General Electric Company Photocurable compositions
ATE37242T1 (de) 1984-02-10 1988-09-15 Ciba Geigy Ag Verfahren zur herstellung einer schutzschicht oder einer reliefabbildung.
US4603101A (en) 1985-09-27 1986-07-29 General Electric Company Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials
US7335456B2 (en) 2004-05-27 2008-02-26 International Business Machines Corporation Top coat material and use thereof in lithography processes
US7781142B2 (en) * 2004-09-30 2010-08-24 Jsr Corporation Copolymer and top coating composition
US20070231751A1 (en) 2006-03-31 2007-10-04 Bristol Robert L Photoresist top coat out-of-band illumination filter for photolithography
US20070231713A1 (en) 2006-03-31 2007-10-04 Bristol Robert L Anti-reflective coating for out-of-band illumination with lithography optical systems
US7951524B2 (en) 2006-04-28 2011-05-31 International Business Machines Corporation Self-topcoating photoresist for photolithography
US8945808B2 (en) 2006-04-28 2015-02-03 International Business Machines Corporation Self-topcoating resist for photolithography
JP4571598B2 (ja) 2006-06-27 2010-10-27 信越化学工業株式会社 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
US20080311530A1 (en) 2007-06-15 2008-12-18 Allen Robert D Graded topcoat materials for immersion lithography
JP4993139B2 (ja) * 2007-09-28 2012-08-08 信越化学工業株式会社 反射防止膜形成材料、反射防止膜及びこれを用いたパターン形成方法
JP2009122325A (ja) 2007-11-14 2009-06-04 Fujifilm Corp トップコート組成物、それを用いたアルカリ現像液可溶性トップコート膜及びそれを用いたパターン形成方法
EP2189846B1 (en) 2008-11-19 2015-04-22 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Process for photolithography applying a photoresist composition comprising a block copolymer
WO2010071081A1 (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 セントラル硝子株式会社 トップコート組成物
EP2204694A1 (en) 2008-12-31 2010-07-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Compositions and processes for photolithography
US8097401B2 (en) * 2009-03-24 2012-01-17 International Business Machines Corporation Self-forming top anti-reflective coating compositions and, photoresist mixtures and method of imaging using same
JP5568258B2 (ja) 2009-07-03 2014-08-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに含フッ素高分子化合物
JP2011074365A (ja) 2009-09-02 2011-04-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US8632948B2 (en) * 2009-09-30 2014-01-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
KR101742815B1 (ko) 2010-07-23 2017-06-01 삼성전자 주식회사 Ｄｕｖ 필터링용 코팅 조성물, 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법
KR101821704B1 (ko) 2010-12-13 2018-01-25 주식회사 동진쎄미켐 감광성 고분자, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴 형성방법
US8568958B2 (en) * 2011-06-21 2013-10-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Underlayer composition and process thereof
US10025181B2 (en) 2011-06-27 2018-07-17 Dow Global Technologies Llc Polymer composition and photoresist comprising same
JP6230217B2 (ja) * 2011-09-06 2017-11-15 Jsr株式会社 レジストパターン形成方法
JP2014531615A (ja) 2011-09-06 2014-11-27 コーネル ユニバーシティー ブロックコポリマー及び該ブロックコポリマーを用いたリソグラフィーパターニング
JP2013068646A (ja) 2011-09-20 2013-04-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5802510B2 (ja) 2011-09-30 2015-10-28 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法
JP5650088B2 (ja) 2011-10-11 2015-01-07 信越化学工業株式会社 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
JP6141620B2 (ja) 2011-11-07 2017-06-07 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 上塗り組成物およびフォトリソグラフィ方法
JP5516557B2 (ja) * 2011-12-06 2014-06-11 信越化学工業株式会社 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
US9170494B2 (en) * 2012-06-19 2015-10-27 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective compositions and methods of using same
JP5850873B2 (ja) 2012-07-27 2016-02-03 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2014174329A (ja) 2013-03-08 2014-09-22 Nissan Chem Ind Ltd リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP6182381B2 (ja) * 2013-07-29 2017-08-16 信越化学工業株式会社 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
US9229319B2 (en) 2013-12-19 2016-01-05 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoacid-generating copolymer and associated photoresist composition, coated substrate, and method of forming an electronic device
JP6308775B2 (ja) 2013-12-25 2018-04-11 株式会社ネオス 含フッ素共重合体
CN106575082B (zh) * 2014-07-24 2020-09-25 日产化学工业株式会社 抗蚀剂上层膜形成用组合物和使用它的半导体装置的制造方法
US9957339B2 (en) * 2015-08-07 2018-05-01 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Copolymer and associated layered article, and device-forming method
US9815930B2 (en) 2015-08-07 2017-11-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Block copolymer and associated photoresist composition and method of forming an electronic device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190082664A (ko) * 2017-12-31 2019-07-10 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 포토레지스트 탑코트 조성물 및 포토레지스트 조성물의 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN106432625A (zh) 2017-02-22
US9957339B2 (en) 2018-05-01
US20180252645A1 (en) 2018-09-06
TWI688580B (zh) 2020-03-21
JP2019070151A (ja) 2019-05-09
TW201819437A (zh) 2018-06-01
KR101898007B1 (ko) 2018-09-12
TW201710307A (zh) 2017-03-16
JP2017036440A (ja) 2017-02-16
US20170037171A1 (en) 2017-02-09
TWI621632B (zh) 2018-04-21
CN106432625B (zh) 2019-08-13
KR20180030486A (ko) 2018-03-23
KR101838189B1 (ko) 2018-03-13
CN110204666A (zh) 2019-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101898007B1 (ko) 코폴리머 및 관련된 층상 물품, 및 디바이스-형성 방법
JP5327217B2 (ja) 縮合芳香族環を含む反射防止膜組成物
TWI639663B (zh) 抗反射塗料組成物及其方法
TWI397773B (zh) 效能改善的含浸式頂部塗料
JP6430954B2 (ja) 安定な金属化合物、その組成物、およびその使用方法
JP5912170B2 (ja) 反射防止コーティング組成物及びそれの方法
JP2019031688A (ja) ブロックコポリマー及び関連フォトレジスト組成物ならびに電子デバイスの形成方法
TWI786656B (zh) 在矽基板上塗佈硬遮罩組合物之方法
TWI382280B (zh) 光阻保護性塗覆材料以及圖形化的方法
JP6311702B2 (ja) 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法
EP2274652A1 (en) A process for shrinking dimensions between photoresist pattern comprising a pattern hardening step
JP6323456B2 (ja) 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法
KR102324679B1 (ko) 금속 산화물을 함유하는 재료, 이것의 제조 방법 및 이것의 사용 방법
TW200903172A (en) Resin for formation of upper antireflective film, composition for formation of upper antireflective film, and resist pattern formation method
TW202349116A (zh) 樹脂組成物、光阻膜、光阻圖案形成方法、電子器件之製造方法、電子器件
WO2020067183A1 (ja) 多層レジストプロセス用下層膜形成組成物及びパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant