KR20160108547A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

이상 발생시에 있어서의 기판 처리 장치의 스루풋 저하를 방지하는 기술을 제공한다. 어느 레시피가 처리 유닛에서 실행할 수 없게 되는 사상이 발생한 경우, 발생한 사상의 종류에 따라서는 다른 레시피이면 상기 처리 유닛에서 실행 가능한 경우가 존재한다. 발생 사상의 종류와 실행 중의 레시피를 대체할 수 있는 대체 레시피를 미리 대응시켜 둔다. 이상 발생시에는, 실행 레시피를 다른 레시피로 교체 가능한지, 다른 레시피로 대체할 수 있는 경우에는 그 레시피가 미완료의 작업에 포함되는지를 검토한다. 이들 조건이 만족되는 경우에는, 이후는 상기 처리 유닛에서 대체 레시피를 실행하도록 기판 처리 스케줄을 변경한다. 조건이 만족되지 않은 경우에는 상기 처리 유닛에서의 기판 처리를 중지한다. 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리의 중단을 가능한 한 회피할 수 있다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE}
본 발명은, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치는 각종 존재한다. 예를 들어, 특허 문헌 1에는, 미처리 기판 및 처리 완료 기판을 반송하는 주반송 로봇과, 주반송 로봇에 의해 반송된 기판에 세정 등의 처리를 행하는 처리 유닛을 가지는 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
특허 문헌 1에서는, 처리 유닛에 배치된 센서에 의해 처리 유닛 내의 온습도 등을 검출하고, 그 검출 결과에 의거하여 레시피 데이터를 보정하며, 보정 후의 레시피 데이터에 의거하여 상기 처리 유닛에서의 기판 처리를 실행한다.
일본국 특허 공개 2007-123734호 공보
그러나, 특허 문헌 1에서는 센서 출력에 의거하여 주어진 레시피 데이터의 튜닝을 행하고 있는 것에 지나지 않는다. 따라서, 레시피 데이터의 튜닝만으로는 대응할 수 없는 사상이 발생한 경우에는, 상기 처리 유닛에서의 기판 처리를 중지하지 않을 수 없다. 이렇게 되면, 상기 처리 유닛이 가동하지 않게 되는 만큼, 기판 처리 장치의 가동률 및 스루풋이 저하하게 된다.
본 발명은, 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 일련의 기판의 처리에 있어서, 사상에 따른 기판 처리 스케줄 설정을 가능하게 함으로써, 기판 처리 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있는 기술의 제공을 목적으로 한다.
상기의 과제를 해결하기 위해, 제1 발명은, 기판 처리하는 기판 처리 유닛을 가지는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법으로서, 기판을 기판 처리하기 위한 레시피를 지정하는 레시피 지정 단계와, 상기 레시피에 의거하여, 상기 기판 처리 유닛에서의 기판 처리를 포함하는 기판 처리 스케줄을 설정하는 스케줄 설정 단계와, 상기 기판 처리 유닛의 상태를 검출하는 검출 단계와, 상기 검출 단계의 결과 검출된 상기 기판 처리 유닛의 상태와 상기 레시피에 의거하여, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는 교체 여부 판단 단계와, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체가 필요하다고 판단된 경우에는, 상기 레시피를 다른 레시피로 교체하고, 상기 교체 후의 레시피에 의거하여 상기 기판 처리 스케줄을 재설정하는 스케줄 재설정 단계와, 재설정된 기판 처리 스케줄에 따라, 상기 기판의 기판 처리를 실행하는 기판 처리 단계를 가지는 기판 처리 방법이다.
제2 발명은, 상기 검출 단계에서는, 상기 유닛에 배치된 노즐의 상태를 검출하고, 상기 교체 여부 판단 단계에서는, 상기 레시피가 상기 노즐을 사용하는지 아닌지에 따라, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는, 제1 발명에 기재된 기판 처리 방법이다.
제3 발명은, 상기 검출 단계에서는, 상기 기판 처리 유닛이 마지막에 세정되고 난 후의 상기 기판 처리 유닛에서의 기판 처리 장수를 검출하고, 상기 교체 여부 판단 단계에서는, 상기 기판 처리 장수에 따라, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는, 제1 또는 제2 발명에 기재된 기판 처리 방법이다.
제4 발명은, 기판 처리하는 기판 처리 유닛과 상기 기판 처리 유닛에 대해 기판을 반송하는 기판 반송 수단을 가지는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법으로서, 기판 처리하기 위한 레시피를 지정하는 레시피 지정 단계와, 상기 레시피에 의거하여, 상기 기판 반송 수단에 의한 상기 기판의 반송과 상기 기판 처리 유닛에 의한 상기 기판의 기판 처리를 포함하는 기판 처리 스케줄을 설정하는 스케줄 설정 단계와, 상기 기판 반송 수단의 상태를 검출하는 검출 단계와, 상기 검출 단계의 결과 검출된 상기 기판 반송 수단의 상태와 상기 레시피에 의거하여, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는 교체 여부 판단 단계와, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체가 필요하다고 판단된 경우에는, 상기 레시피를 다른 레시피로 교체하고, 상기 교체 후의 레시피에 의거하여 상기 기판 처리 스케줄을 재설정하는 스케줄 재설정 단계와, 재설정된 기판 처리 스케줄에 따라, 상기 기판의 반송과 기판 처리를 실행하는 단계를 가지는 기판 처리 방법이다.
제5 발명은, 기판 처리하는 기판 처리 유닛을 가지는 기판 처리 장치로서, 기판을 기판 처리하기 위한 레시피를 지정하는 레시피 지정 수단과, 상기 레시피에 의거하여, 상기 기판 처리 유닛에서의 기판 처리를 포함하는 기판 처리 스케줄을 설정하는 스케줄 설정 수단과, 상기 기판 처리 유닛의 상태를 검출하는 검출 수단과, 상기 검출 수단에 의해 검출된 상기 기판 처리 유닛의 상태와 상기 레시피에 의거하여, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는 교체 여부 판단 수단과, 상기 교체 여부 판단 수단에 의해 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체가 필요하다고 판단된 경우에는, 상기 레시피를 다른 레시피로 교체하고, 상기 교체 후의 레시피에 의거하여 상기 기판 처리 스케줄을 재설정하는 스케줄 재설정 수단과, 재설정된 기판 처리 스케줄에 따라, 상기 기판의 기판 처리를 실행하는 처리 실행 수단을 가지는 기판 처리 장치이다.
제6 발명은, 상기 검출 수단은, 상기 유닛에 배치된 노즐의 상태를 검출하는 수단이며, 상기 교체 여부 판단 수단은, 상기 레시피가 상기 노즐을 사용하는지 아닌지에 따라, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는, 제5 발명에 기재된 기판 처리 장치이다.
제7 발명은, 상기 검출 수단은, 상기 기판 처리 유닛이 마지막에 세정되고 난 후의 상기 기판 처리 유닛에서의 기판 처리 장수를 검출하는 수단이며, 상기 교체 여부 판단 수단은, 상기 기판 처리 장수에 따라, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는, 제5 또는 제6 발명에 기재된 기판 처리 장치이다.
제8 발명은, 기판 처리하는 기판 처리 유닛과 상기 기판 처리 유닛에 대해 기판을 반송하는 기판 반송 수단을 가지는 기판 처리 장치로서, 기판 처리하기 위한 레시피를 지정하는 레시피 지정 수단과, 상기 레시피에 의거하여, 상기 기판 반송 수단에 의한 상기 기판의 반송과 상기 기판 처리 유닛에 의한 상기 기판의 기판 처리를 포함하는 기판 처리 스케줄을 설정하는 스케줄 설정 수단과, 상기 기판 반송 수단의 상태를 검출하는 검출 수단과, 상기 검출 수단에 의해 검출된 상기 기판 반송 수단의 상태와 상기 레시피에 의거하여, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는 교체 여부 판단 수단과, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체가 필요하다고 판단된 경우에는, 상기 레시피를 다른 레시피로 교체하고, 상기 교체 후의 레시피에 의거하여 상기 기판 처리 스케줄을 재설정하는 스케줄 재설정 수단과, 재설정된 기판 처리 스케줄에 따라, 상기 기판의 반송과 기판 처리를 실행하는 처리 실행 수단을 가지는 기판 처리 장치이다.
제1 내지 제8 발명에 의하면, 예정되어 있던 레시피로 대응할 수 없는 사상이 발생한 경우에 다른 레시피로의 교체가 행해지기 때문에, 기판 처리 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 전체 구성을 도시하는 모식도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 따른 처리 구획(3)의 측면도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 따른 처리 구획(3)의 측면도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 따른 인덱서 로봇(IR)의 구성을 도시하는 모식도이다.
도 5는 제1 실시 형태에 따른 세정 처리 유닛의 구성을 도시하는 모식도이다.
도 6은 제1 실시 형태에 따른 반전 처리 유닛(RT)의 구성을 도시하는 모식도이다.
도 7은 제1 실시 형태에 따른 센터 로봇(CR)의 구성을 도시하는 모식도이다.
도 8은 제1 실시 형태에 따른 중계부(50)의 측면도이다.
도 9는 제1 실시 형태에 따른 중계부(50)의 상면도이다.
도 10은 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 계통 블럭도이다.
도 11은 제1 실시 형태에 따른 제어부(60)가 구비하는 구성을 도시하는 블럭도이다.
도 12는 제1 실시 형태에 따른 센터 로봇(CR)과 세정 처리 유닛에 있어서의 기판 수도(受渡) 동작을 설명하는 개념도이다.
도 13은 제1 실시 형태에 따른 센터 로봇(CR)과 세정 처리 유닛에 있어서의 기판 수도 동작을 설명하는 개념도이다.
도 14는 제1 실시 형태에 따른 센터 로봇(CR)과 중계부(50)에 있어서의 기판 수도 동작을 설명하는 개념도이다.
도 15는 본 기판 처리 장치(1)에서 실시 가능한 기판 반송 패턴의 예를 나타내는 표이다.
도 16은 제1 실시 형태에 따른 플로우 레시피(FR1)의 데이터 구조를 도시하는 도표이다.
도 17은 제1 실시 형태에 따른 플로우 레시피(FR2)의 데이터 구조를 도시하는 도표이다.
도 18은 제1 실시 형태에 따른 레시피 변경 데이터베이스(CBD)의 데이터 구조를 도시하는 도표이다.
도 19(a)는 제1 실시 형태에 따른 레시피 변경 데이터베이스(CBD)의 데이터 구조를 도시하는 도표이다.
도 19(b)는 제1 실시 형태에 따른 레시피 변경 데이터베이스(CBD)의 데이터 구조를 도시하는 도표이다.
도 19(c)는 제1 실시 형태에 따른 레시피 변경 데이터베이스(CBD)의 데이터 구조를 도시하는 도표이다.
도 19(d)는 제1 실시 형태에 따른 레시피 변경 데이터베이스(CBD)의 데이터 구조를 도시하는 도표이다.
도 20은 제1 실시 형태에 따른 레시피 변경을 행할 때의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다.
도 21(a)는 제1 실시 형태에 따른 스케줄예를 도시하는 타임 차트이다.
도 21(b)는 제1 실시 형태에 따른 스케줄예를 도시하는 타임 차트이다.
도 21(c)는 제1 실시 형태에 따른 스케줄예를 도시하는 타임 차트이다.
이하에서는, 이 발명의 실시 형태를, 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
｛제1 실시 형태｝
＜1. 기판 처리 장치(1)의 개략 구성＞
도 1은, 이 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 레이아웃을 도시하는 평면도이다. 또, 도 2는, 도 1에 있어서의 A-A 단면으로부터 화살표 a 방향으로 본 기판 처리 장치(1)의 측면도이다. 또, 도 3은, 도 1에 있어서의 A-A 단면으로부터 화살표 b 방향으로 본 기판 처리 장치(1)의 측면도이다. 또한, 이 명세서에 첨부한 도면에 있어서, X방향 및 Y방향은 수평면을 규정하는 2차원 좌표축이며, Z방향은 XY면에 수직인 연직 방향을 규정하고 있다.
이 기판 처리 장치(1)는, 반도체 웨이퍼 등의 기판(W)을 1장씩 처리하는 매엽형의 기판 세정 장치이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 인덱서 구획(2)과, 이 인덱서 구획(2)에 결합된 처리 구획(3)을 구비하고 있으며, 인덱서 구획(2)과 처리 구획(3)의 경계 부분에는, 중계부(50)가 배치되어 있다. 중계부(50)는, 인덱서 로봇(IR)과 센터 로봇(CR) 사이에서 기판(W)의 수도를 행하기 위한 중계 유닛(50a), 센터 로봇(CR)과의 사이에서 기판(W)의 반전을 행하는 반전 유닛(RT1), 기판(W)을 반전하면서 인덱서 로봇(IR)과 센터 로봇(CR) 사이에서 기판(W)의 수도를 행하기 위한 반전 수도 유닛(RT2)으로 이루어진다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 중계부(50)는 중계 유닛(50a)의 상방에 반전 유닛(RT1)을 배치하고, 중계 유닛(50a)의 하방에 반전 수도 유닛(RT2)을 배치한 적층 구조를 가지고 있다.
또, 기판 처리 장치(1)에는, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 각 장치의 동작을 제어하기 위한 제어부(60)가 구비되어 있다. 처리 구획(3)은, 후술하는 스크럽 세정 처리 등의 기판 처리를 행하는 구획이며, 기판 처리 장치(1) 전체적으로 매엽형의 기판 세정 장치로 되어 있다.
제어부(60)는, 기판 처리 장치(1)의 외부에 놓여진 호스트 컴퓨터와 LAN을 개재하여 접속되어 있다. 호스트 컴퓨터로부터 제어부(60)로는 기판 처리 장치(1) 내부에서의 개개의 기판(W)의 반송 내용이나 표면 처리부(SS)·이면 처리부(SSR)에서의 기판 처리 내용을 결정하는 플로우 레시피(FR)(도 11)가 송신된다. 제어부(60)는 수신한 플로우 레시피(FR)를 참조하여 기판 처리 장치(1) 내부에서의 각 기판(W)의 반송 스케줄 및 표면 처리부(SS)·이면 처리부(SSR)에서의 기판 처리 스케줄을 작성한다.
이 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에 있어서는, 각 기판의 처리나 반송의 스케줄을 디지털 데이터의 형식으로 작성하기 위한 컴퓨터 프로그램이, 제어부(60)에 미리 기억되어 있다. 그리고, 제어부(60)의 컴퓨터가 이 컴퓨터 프로그램을 실행함으로써, 이 제어부(60)의 하나의 기능으로서, 스케줄 작성 장치가 실현된다. 이들의 상세에 대해서는 후술한다.
＜1.1 인덱서 구획＞
인덱서 구획(2)은, 기판 처리 장치(1)의 외부로부터 수취한 기판(W)(미처리 기판(W))을 처리 구획(3)에 건넴과 더불어, 처리 구획(3)으로부터 수취한 기판(W)(처리 완료 기판(W))을 기판 처리 장치(1)의 외부로 반출하기 위한 구획이다.
인덱서 구획(2)은, 복수장의 기판(W)을 수용할 수 있는 캐리어(C)를 유지할 수 있는 캐리어 유지부(4)와, 기판의 반송 수단인 인덱서 로봇(IR)과, 인덱서 로봇(IR)을 수평으로 이동시키는 인덱서 로봇 이동 기구(5)(이하에서는, 「IR 이동 기구(5)」라고 한다. 도 10 참조)를 구비하고 있다.
캐리어(C)는, 예를 들어 복수장의 기판(W)을 상하로 일정한 간격을 두고 수평으로 유지할 수 있는 것이고, 표면(2개의 주면 중 전자 디바이스를 형성하는 주면)을 위로 향해 복수장의 기판(W)을 유지하고 있다. 복수의 캐리어(C)는, 소정의 배열 방향(제1 실시 형태에 있어서는, Y방향)을 따라 배열된 상태로, 캐리어 유지부(4)에 유지되어 있다. IR 이동 기구(5)는, Y방향을 따라 인덱서 로봇(IR)을 수평으로 이동시킬 수 있다.
각 캐리어 유지부(4)에 대해서는, 미처리 기판(W)을 수납한 캐리어(C)가, 장치 외부로부터, OHT(Overhead Hoist Transfer), AGV(Automated Guided Vehicle) 등에 의해 반입되고 올려놓여진다. 또, 처리 구획(3)에서의 스크럽 세정 처리 등의 기판 처리가 종료한 처리 완료 기판(W)은, 센터 로봇(CR)으로부터 중계부(50)를 개재하여 인덱서 로봇(IR)에 수도되고, 캐리어 유지부(4)에 올려놓여진 캐리어(C)에 재차 격납된다. 처리 완료 기판(W)을 격납한 캐리어(C)는, OHT 등에 의해 장치 외부로 반출된다. 즉, 캐리어 유지부(4)는, 미처리 기판(W) 및 처리 완료 기판(W)을 집적하는 기판 집적부로서 기능한다.
본 실시 형태에 있어서의 IR 이동 기구(5)의 구성에 대해 설명한다. 인덱서 로봇(IR)에는 가동대가 고정 설치되어 있고, 이 가동대는 캐리어(C)의 나열과 평행하게 Y방향을 따라 연장되는 볼 나사에 나사 결합됨과 더불어, 가이드 레일에 대해 슬라이드 자유롭게 설치되어 있다. 따라서, 회전 모터에 의해 볼 나사가 회전하면, 가동대와 고정 설치된 인덱서 로봇(IR)의 전체가 Y축 방향을 따라 수평 이동한다(모두 도시 생략).
이와 같이, 인덱서 로봇(IR)은 Y방향을 따라 자유롭게 이동 가능하므로, 각 캐리어(C)에, 또는, 중계부(50)에 기판의 반입출(이하, 기판의 반입출을 「액세스」라고 칭하는 경우가 있다) 가능한 위치까지 이동할 수 있다.
도 4는, 인덱서 로봇(IR)의 도해적인 측면도이다. 도 4의 각 요소에 붙여진 참조 기호 중, 괄호 안에 나타내는 참조 부호는, 인덱서 로봇(IR)과 거의 같은 자유도를 가지는 로봇 기구를 센터 로봇(CR)으로서 이용하는 경우에 대한, 센터 로봇(CR)에서의 요소의 참조 부호이다. 따라서, 여기에서의 인덱서 로봇(IR)의 구성 설명에 있어서는, 괄호 밖에 있는 참조 부호를 참조한다.
인덱서 로봇(IR)은, 기대(基臺)부(18)를 가지고 있다. 아암(6a) 및 아암(7a)의 일단은 기대부(18)에 장착되어 있고, 각각의 아암의 타단에는 핸드(6b, 6c) 및 핸드(7b, 7c)가, 서로 간섭하지 않도록 상하 방향으로 높이를 어긋나게 하여 배치되어 있다(도 1에서는, 핸드(6b, 6c) 및 핸드(7b, 7c)가 상하로 포개져 있다).
따라서, 핸드(6b, 6c)는, 아암(6a)을 개재하여 기대부(18)에 유지되어 있다. 또, 핸드(7b, 7c)는, 아암(7a)을 개재하여 기대부(18)에 유지되어 있다.
각 핸드(6b, 6c, 7b, 7c)의 선단은, 모두 한 쌍의 핑거부를 가지고 있다. 즉, 각 핸드(6b, 6c, 7b, 7c)의 선단은, 상면으로부터 볼 때 두 갈래의 포크형상으로 형성되어 있고, 기판(W)의 하면을 하방으로부터 지지함으로써 1장의 기판(W)을 수평으로 유지할 수 있다. 또, 본 실시 형태에 있어서는, 핸드(7b, 7c)는 세정 처리를 행하기 전의 미처리 기판을 반송할 때에만 이용하고, 핸드(6b, 6c)는 세정 처리 후의 처리 완료 기판을 반송하는 경우에만 이용한다. 또한, 각 핸드의 한 쌍의 핑거부의 외치수는, 중계부(50)(도 9)에 대향 배치된 한 쌍의 지지 부재(54)의 간격보다 작다. 이로 인해, 후술하는 기판 반입 및 반출 작업에 있어서, 각 핸드(6b, 6c, 7b, 7c)는 이 지지 부재(54)에 간섭하는 일 없이 기판(W)을 중계부(50)에 반입출할 수 있다.
또, 각 핸드(6b, 6c, 7b, 7c)의 한 쌍의 핑거부의 외치수는 기판(W)의 직경보다 작다. 이로 인해 기판(W)을 안정적으로 유지할 수 있다. 따라서, 이 인덱서 로봇(IR)은 4개의 핸드(6b, 6c, 7b, 7c)를 가지고 있지만, 미처리 기판의 동시 반송으로서는 최대 2장의 기판이 가능하고, 처리 완료 기판의 동시 반송으로서도 최대 2장의 기판이 가능한 로봇 기구로 되어 있다.
아암(6a) 및 아암(7a)은, 모두 다관절형의 굴신식 아암이다. 인덱서 로봇(IR)은, 진퇴 구동 기구(8)에 의해, 아암(6a) 및 아암(7a)을 개별적으로 신축시킬 수 있다. 따라서, 상기 아암(6a, 7a)에 대응하는 핸드(6b, 6c 및 7b, 7c)를 따로따로 수평으로 진퇴시킬 수 있다. 또, 기대부(18)에는, 기대부(18)를 연직 축선 둘레로 회전시키기 위한 선회 기구(9)와, 기대부(18)를 연직 방향으로 승강시키기 위한 승강 구동 기구(10)가 내장되어 있다.
이상의 구성으로 되어 있기 때문에, 인덱서 로봇(IR)은, IR 이동 기구(5)에 의해 Y방향을 따라 자유롭게 이동 가능하다. 또, 인덱서 로봇(IR)은, 선회 기구(9) 및 승강 기구(10)에 의해, 수평면에 있어서의 각 핸드의 각도, 및, 연직 방향에 있어서의 각 핸드의 높이를 조절할 수 있다.
그로 인해, 인덱서 로봇(IR)은, 각 핸드(6b, 6c) 및 핸드(7b, 7c)를 캐리어(C)나 중계부(50)에 대향시킬 수 있다. 인덱서 로봇(IR)은, 핸드(6b, 6c) 및 핸드(7b, 7c)가 캐리어(C)에 대향한 상태로, 아암(6a) 또는 아암(7a)을 신장시킴으로써, 상기 아암(6a, 7a)에 대응하는 핸드(6b, 6c) 및 핸드(7b, 7c)를 상기 캐리어(C)나 중계부(50)에 액세스시킬 수 있다.
＜1.2 처리 구획＞
처리 구획(3)은, 인덱서 구획(2)으로부터 반송된 미처리의 기판(W)에 세정 처리를 실시하고, 상기 세정 처리를 실시한 처리 완료 기판(W)을 다시 인덱서 구획(2)으로 반송하는 구획이다.
처리 구획(3)은, 기판의 표면에 한 장씩 세정 처리를 실시하는 표면 세정 처리부(11)와, 기판의 이면에 한 장씩 세정 처리를 실시하는 이면 세정 처리부(12)와, 기판의 반송 수단인 센터 로봇(CR)과, 센터 로봇(CR)을 수평으로 이동시키는 센터 로봇 이동 기구(17)(이하에서는, 「CR 이동 기구(17)」라고 한다. 도 10 참조)를 구비하고 있다. 이하, 처리 구획(3)에 있어서의 각 장치의 구성을 설명한다.
도 1~3에 도시하는 대로, 세정 처리부(11)는, 각각의 쌍이 상하 방향으로 쌓여 4단 구성이 된 2쌍의 표면 세정 처리 유닛(SS1~SS4, SS5~SS8)을 구비하고 있고, 또 세정 처리부(11, 12)는, 각각의 쌍이 상하 방향으로 쌓여 4단 구성이 된 2쌍의 이면 세정 처리 유닛(SSR1~SSR4, SSR5~SSR8)을 구비한 구성이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 표면 세정 처리부(11) 및 이면 세정 처리부(12)는, Y방향으로 소정 거리 이격한 상태로 나란히 배치되어 있다. 센터 로봇(CR)은, 표면 세정 처리부(11)와 이면 세정 처리부(12) 사이에 배치되어 있다.
도 5는, 표면 세정 처리부(11)의 각 세정 처리 유닛(SS1~SS8)에 있어서의, 기판(W) 표면의 스크럽 세정 처리의 모습을 도시한 도이다. 세정 처리 유닛(SS1~SS8)은, 표면이 상측을 향하는 기판(W)을 수평 자세로 유지하고 연직 방향을 따른 축심 둘레로 회전시키는 스핀 척(111), 스핀 척(111) 상에 유지된 기판(W)의 표면에 접촉 또는 근접하여 스크럽 세정을 행하는 세정 브러쉬(112), 기판(W)의 표면에 세정액(예를 들어 순수)을 토출하는 노즐(113), 스핀 척(111)을 회전 구동시키는 스핀 회전 지지부(114), 및, 스핀 척(111) 상에 유지된 기판(W)의 주위를 둘러싸는 컵(도시 생략) 등, 및 이들 부재를 격납하는 유닛 케이스(115)를 구비하고 있다. 유닛 케이스(115)에는 기판(W)을 반입 및 반출하기 위한 슬라이드 개폐 가능한 슬릿(116)이 배치된 게이트(117)가 형성되어 있다.
또한, 각 세정 처리 유닛(SS1~SS8)의 천판이나 측판에는, 유닛(SS1~SS8)의 내부를 세정하기 위한 세정액을 토출하는 유닛 세정액 노즐(118)이 설치되어 있다.
이면 세정 처리부(12)에서는, 기판(W)의 이면의 스크럽 세정 처리를 행한다. 이면 세정 처리 유닛(SSR1~SSR8)도, 표면 세정 처리 유닛(SS1~SS8)과 마찬가지로, 스핀 척, 세정 브러쉬, 노즐, 스핀 모터, 컵, 및 이들 부재를 격납하는 유닛 케이스, 또한 유닛 세정액 노즐을 구비하고 있다. 또, 유닛 케이스에는 기판(W)을 반입 및 반출하기 위한 개폐 가능한 슬릿이 배치된 게이트가 형성되어 있다(모두 도시 생략).
또한, 표면 세정 처리 유닛(SS1~SS8)의 스핀 척(111)은, 기판(W)을 이면측으로부터 유지하기 때문에 진공 흡착 방식인 것이어도 되나, 이면 세정 처리 유닛(SSR1~SSR8)의 스핀 척(111)은, 기판(W)의 표면측으로부터 유지하기 때문에 기판 단 가장자리부를 기계적으로 파지하는 형식인 것이 바람직하다.
세정 브러쉬(112)에 의해 기판(W)의 표면을 세정할 때에는, 도시하지 않은 브러쉬 이동 기구에 의해, 표면을 위로 향해 스핀 척(111)에 유지된 기판(W)의 상방에 세정 브러쉬(112)를 이동시킨다. 그리고, 스핀 척(111)에 의해 기판(W)을 회전시키면서 노즐(113)로부터 기판(W)의 상면에 처리액(예를 들어 순수(탈이온수))을 공급시키고, 세정 브러쉬(112)를 기판(W)의 상면에 접촉시킨다. 또한, 세정 브러쉬(112)를 기판(W)의 상면에 접촉시킨 상태로, 상기 세정 브러쉬(112)를 기판(W)의 상면을 따라 이동시킨다. 이에 의해, 세정 브러쉬(112)에 의해 기판(W)의 상면을 스캔하고, 기판(W)의 표면 전역을 스크럽 세정할 수 있다. 이와 같이 하여, 기판(W)의 표면에 대한 처리가 행해진다. 기판의 이면 세정에 대해서도 마찬가지다.
도시는 생략하나, 세정 처리 유닛(SS(SSR))의 각부에는 노즐(113)이나 스핀 척(114), 스핀 회전 지지부(114)의 이상을 검지하는 센서가 설치되어 있다.
처리 유닛(SS(SSR))에서 실행되는 표준적인 처리의 순서 및 조건은 유닛 레시피로서 미리 결정되어 있다. 제어부(60)의 후술하는 기억 장치(64)에는, 복수의 유닛 레시피를 저장하는 유닛 레시피 데이터베이스(UDB)(도 11)가 설치되어 있다. 유닛 레시피에는 각각 상이한 레시피 번호가 부여되어 있다. 유닛 레시피는 작업자가 입력부(66)를 조작함으로써 작성할 수 있는 것 외에, 호스트 컴퓨터로부터 LAN(65)을 개재하여 제어부(60)에 부여하고, 유닛 레시피 데이터베이스(UDB)에 저장할 수도 있다.
처리 유닛(SS(SSR))에서는, 상기의 기판 처리 이외에, 전처리 및 후처리를 실행할 수 있다.
전처리에서는, 처리 유닛(SS(SSR))에 처리 대상의 기판(W)을 반입하기 전에, 처리 유닛(SS(SSR))의 세정이나 분위기 제어, 온도 제어가 행해진다. 예를 들어, 처리 대상의 기판(W)을 반입하기 전에, 유닛 세정 노즐(118)로부터 유닛 세정액을 토출하여 처리 유닛(SS(SSR))의 각부의 세정을 행한다. 이에 의해, 처리 유닛(SS(SSR))의 내부를 사전에 세정해 둘 수 있다. 또는, 유닛 세정 노즐(118)로부터 온도 조정된 순수 등의 액체를 토출함으로써, 혹은 도시하지 않은 히터를 작동시킴으로써, 처리 유닛(SS(SSR)) 내부의 각 부재나 분위기를, 처리 대상의 기판(W)에 실시되는 기판 처리에 적절한 온도로 설정할 수 있다.
후처리에서는, 처리 유닛(SS(SSR))에, 처리 대상의 기판(W)을 반입한 후에, 처리 유닛(SS(SSR))의 세정이나 분위기 제어, 온도 제어가 행해진다. 예를 들어, 처리 대상의 기판(W)을 반입한 후에, 유닛 세정 노즐(118)로부터 유닛 세정액을 토출하여 처리 유닛(SS(SSR))의 각부의 세정을 행한다. 이에 의해, 기판(W)의 기판 처리에서 사용된 처리액을 처리 유닛(SS(SSR))의 내부로부터 제거할 수 있다. 또는, 유닛 세정 노즐(118)로부터 온도 조정된 순수 등의 액체를 토출함으로써, 혹은 도시하지 않은 히터를 작동시킴으로써, 기판(W)의 기판 처리에 의해 처리 유닛(SS(SSR))의 내부가 가열되었다고 하더라도, 처리 유닛(SS(SSR))의 내부를 일반적인 기판 처리에 적절한 온도(예를 들어 실온 정도)까지 냉각할 수 있다.
처리 유닛(SS(SSR))에서 실행되는 전처리나 후처리의 표준적인 순서나 조건은 미리 결정되어 있다. 이들 순서나 조건도, 기판 처리의 경우와 동일하게, 유닛 레시피로서 정리되어 있다. 전처리나 후처리를 위한 유닛 레시피에도 각각 상이한 레시피 번호가 부여되고, 기억 장치(64)의 유닛 레시피 데이터베이스(UDB)에 저장되어 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 세정 처리부(11, 12) 내의 세정 처리 유닛(SS1~SS8 및 SSR1~SSR8)을 기판(W)에 대한 스크럽 세정을 행하는 장치로서 설명하고 있다. 그러나, 세정 처리부(11, 12) 내의 세정 처리 유닛(SS1~SS8 및 SSR1~SSR8)이 행하는 기판 처리는 상기 스크럽 세정에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 브러쉬 세정을 행하지 않고, 기판의 표면 또는 이면에 대향하는 노즐 등으로부터 토출되는 처리액(세정액·린스액 등) 또는 가스 등의 유체에 의해 기판(W)의 매엽 세정을 행하는 세정 처리 유닛이어도 된다.
도 6은, 반전 유닛(RT1) 및 반전 수도 유닛(RT2)의 도해적인 측면도이다. 반전 유닛(RT1)과 반전 수도 유닛(RT2)은, 전자가 센터 로봇(CR)만으로부터 액세스 가능한 것에 비해, 후자는 센터 로봇(CR)만으로부터가 아닌 인덱서 로봇(IR)으로부터도 액세스 가능한 점에서 상이하기 때문에, 같은 도 6을 이용하여 설명한다.
반전 유닛(RT1)은 센터 로봇(CR)에 의해 반입된 기판(W)에 반전 처리를 실시하는 처리 유닛이며, 반전 유닛(RT1)에 의해 기판(W)이 반전되면, 센터 로봇(CR)이 상기 기판을 반전 유닛(RT1)으로부터 반출한다.
반전 수도 유닛(RT2)은 인덱서 로봇(IR) 및 센터 로봇(CR)의 양방으로부터 액세스 가능하게 되어 있다. 인덱서 로봇(IR)에 의해 반전 수도 유닛(RT2)에 기판(W)이 반입되면, 반전 수도 유닛(RT2)은 상기 기판(W)을 반전한다. 그 후, 센터 로봇(CR)은 상기 기판을 반전 수도 유닛(RT2)으로부터 반출한다. 또, 센터 로봇(CR)에 의해 반전 수도 유닛(RT2)에 기판(W)이 반입되면, 반전 수도 유닛(RT2)은 상기 기판(W)을 반전한다. 그 후, 인덱서 로봇(CR)은 상기 기판을 반전 수도 유닛(RT2)으로부터 반출한다.
제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)에 있어서, 표면 세정 처리부(11) 및 이면 세정 처리부(12)의 각 세정 처리 유닛(SS1~SS8, SSR1~SSR8)에서는, 기판의 상면(기판의 표리와는 관계없으며, 그 시점에서의 연직 방향 상측이 상면, 연직 방향 하측이 하면)에 세정 처리가 실시된다. 그로 인해, 기판의 양면의 세정 처리를 행하는 경우 등은, 세정 처리와는 별도로 기판(W)의 반전 처리를 행할 필요가 있으며, 그때에 이용되는 것이 반전 유닛(RT1) 및 반전 수도 유닛(RT2)이다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 반전 유닛(RT)은, 수평으로 배치된 고정판(33)과, 고정판(33)을 상하로 사이에 끼워 수평으로 배치된 4장의 가동판(34)을 가지고 있다. 고정판(33) 및 4장의 가동판(34)은, 각각, 직사각형 형상이며 평면으로부터 볼 때 서로 포개지도록 배치되어 있다. 고정판(33)은, 지지판(35)에 수평 상태로 고정되어 있고, 각 가동판(34)은, 연직 방향으로 연장되는 가이드(36)를 개재하여, 수평 상태로 지지판(35)에 장착되어 있다.
각 가동판(34)은, 지지판(35)에 대해 연직 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 각 가동판(34)은, 에어 실린더 등의 도시하지 않은 액추에이터에 의해 연직 방향으로 이동된다. 또, 지지판(35)에는, 회전 액추에이터(37)가 장착되어 있다. 고정판(33) 및 4장의 가동판(34)은, 회전 액추에이터(37)에 의해, 지지판(35)과 더불어 수평인 회전 축선 둘레로 일체적으로 회전된다. 회전 액추에이터(37)는, 지지판(35)을 수평인 회전 축선 둘레로 180도 회전시킴으로써, 고정판(33) 및 4장의 가동판(34)의 상하를 반전시킬 수 있다.
또, 고정판(33) 및 4장의 가동판(34)에 있어서, 서로 대향하는 면(예를 들어, 상측의 가동판(34)의 하면과 고정판(33)의 상면)에는, 각각 복수개의 지지 핀(38)이 장착되어 있다. 복수개의 지지 핀(38)은, 각각의 면에 있어서, 기판(W)의 외주 형상에 대응하는 원주 상에서 적당한 간격을 두고 배치되어 있다. 각 지지 핀(38)의 높이(기단부터 선단까지의 길이)는, 일정하게 되어 있고, 핸드(6b, 6c), 핸드(7b, 7c), 및 핸드(13b~16b)의 두께(연직 방향으로의 길이)보다 크게 되어 있다.
고정판(33)은, 복수개의 지지 핀(38)을 개재하여, 그 상방에서 한 장의 기판(W)을 수평으로 지지할 수 있다. 또, 4장의 가동판(34)은, 각각, 하측에 위치하고 있을 때에, 복수개의 지지 핀(38)을 개재하여, 그 상방에서 한 장의 기판(W)을 수평으로 지지할 수 있다. 고정판(33)에 의한 기판 지지 위치와 가동판(34)에 의한 기판 지지 위치의 연직 방향의 간격은, 인덱서 로봇(IR)의 각 핸드(6b, 6c), 핸드(7b, 7c)에 의해 유지되는 2장의 기판(W)의 연직 방향으로의 간격, 및 센터 로봇(CR)의 각 핸드(13b~16b)에 의해 유지되는 2장의 기판(W)의 연직 방향으로의 간격과 동일해지도록 설정되어 있다.
반전 유닛(RT1)이 이상과 같은 구성으로 되어 있기 때문에, 센터 로봇(CR)은, 각 핸드(13b~16b)에 의해 유지되는 기판(W)을 반전 유닛(RT)에 액세스(반입출)시킬 수 있다. 또, 반전 수도 유닛(RT2)이 이상과 같은 구성으로 되어 있기 때문에, 인덱서 로봇(IR) 및 센터 로봇(CR)(이하, 인덱서 로봇(IR) 및 센터 로봇(CR)을 총칭하여 「로봇(IR 및 CR)」이라고 하는 경우가 있다)은, 각 핸드(6b, 6c), 핸드(7b, 7c), 및 각 핸드(13b~16b)에 의해 유지되는 기판(W)을 반전 수도 유닛(RT2)에 액세스(반입출)시킬 수 있다. 또한, 상세한 기판(W)의 수도 동작에 대해서는 후술한다.
인덱서 로봇(IR) 또는 센터 로봇(CR)은, 고정판(33)과 그 직상의 가동판(34)의 간극에 1장째의 기판(W)을, 상기 가동판(34)과 더욱 상방의 가동판(34)의 간극에 2장째의 기판(W)을 삽입한다. 이 상태로 이들 2장의 가동판(34)을 고정판(33)을 향해 이동시킴으로써 이들 2장의 기판(W)을 반전 유닛(RT1) 또는 반전 수도 유닛(RT2)에 유지시킬 수 있다. 마찬가지로, 고정판(33)과 그 직하의 가동판(34)의 간극에 1장째의 기판(W)을, 상기 가동판(34)과 더욱 그 하방의 가동판(34)의 간극에 2장째의 기판(W)을 유지할 수 있다.
그리고, 반전 유닛(RT) 내에 기판(W)이 유지된 상태로, 회전 액추에이터(37)에 의해 지지판(35)을 수평인 회전 축선 둘레로 회전시킴으로써, 유지된 2장의 기판(W)의 상하를 반전시킬 수 있다. 이상 설명한 바와 같이, 반전 유닛(RT1) 및 반전 수도 유닛(RT2)은, 복수장(이 제1 실시 형태에서는, 2장)의 기판(W)을 수평으로 유지하고, 유지한 기판(W)의 상하를 반전시킬 수 있다.
본 실시 형태에 있어서의 CR 이동 기구(17)의 구성은, 기술의 IR 이동 기구(5)의 구성과 같다. 즉, CR 이동 기구(17)는, 도시하지 않은 가동대, X방향으로 장척인 볼 나사·가이드 레일, 및, 볼 나사를 회전시키는 회전 모터에 의해 구성된다. 볼 나사가 회전하면, 가동대와 고정 설치된 센터 로봇(CR)의 전체가, 표면 세정 처리부(11)와 이면 세정 처리부(12) 사이를 횡단하여 처리 구획(3)의 내부를 X방향으로 수평 이동한다. 이와 같이, 센터 로봇(CR)은 X방향을 따라 자유롭게 이동 가능하므로, 각 세정 처리 유닛(SS1~SS8, SSR1~SSR8)에 액세스(반입출) 가능한 위치까지 이동할 수 있다. 또, 마찬가지로, 중계부(50)에 액세스(반입출) 가능한 위치까지 이동할 수도 있다.
센터 로봇(CR)은, 도 4의 인덱서 로봇(IR)과 실질적으로 같은 구성, 즉 상대 고정된 2단 핸드를, 독립하여 진퇴 구동 가능하게 상하에 2쌍 구성으로 한 로봇 기구(이하, 「아암 2쌍 핸드 4개」의 의미로 「2A4H 기구」라고 부른다)를 이용할 수도 있고, 다른 구성을 이용할 수도 있다. 센터 로봇(CR)으로서 2A4H 기구의 로봇을 이용하는 경우의 각 구성 요소는, 도 4에 있어서 인덱서 로봇(IR)에 대해 설명한 것과 같기 때문에, 여기에서의 중복 설명은 생략한다.
도 7(a)는, 4개의 핸드(13b~16b)의 각각을 4개의 아암(13a~16a)으로 독립하여 진퇴 구동 가능한 형식(이하 「4A4H 기구」라고 한다)으로 구성한 경우의 센터 로봇(CR)의 도해적인 측면도이다. 또, 도 7(b)는, 후술하는 기판의 반입 작업 및 반출 작업에 있어서 센터 로봇(CR)이 기판 세정 유닛(SS(SSR))에 액세스하는 모습을 도시하는 도해적인 상면도이다.
도 7(a)에 도시하는 바와 같이, 4A4H 기구로 한 경우의 이 센터 로봇(CR)은, 기대부(28)를 가지고 있다. 각 아암(13a~16a)의 일단은 기대부(28)에 장착되고, 각 아암(13a~16a)의 타단에는 각 핸드(13b~16b)가 장착되어 있다. 따라서, 각 핸드(13b~16b)는, 각각, 각 아암(13a~16a)을 개재하여 기대부(28)에 유지되어 있다.
또, 핸드(13b~16b)는 인접하는 핸드(13b~16b)에 대해 서로 간섭하지 않도록 상하 방향으로 높이를 어긋나게 하여(연직 방향에 서로 동일 거리(h1)로 이격하여) 배치되어 있다. 또한, 각 핸드(13b~16b)의 선단은, 모두 한 쌍의 핑거부를 가지고 있다. 즉, 각 핸드(13b~16b)의 선단은, 상면으로부터 볼 때 두 갈래의 포크형상으로 형성되어 있고, 각 핸드(13b~16b)는, 기판(W)의 하면을 하방으로부터 지지함으로써 1장의 기판(W)을 수평으로 유지할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 핸드(15b, 16b)는 세정 처리를 행하기 전의 미처리 기판을 반송할 때에만 이용하고, 핸드(13b, 14b)는 세정 처리 후의 처리 완료 기판을 반송하는 경우에만 이용한다.
또한, 각 핸드(13b~16b)의 한 쌍의 핑거부의 외치수는 중계부(50)에 있어서의 한 쌍의 대향하는 지지 핀(55)의 간격보다 작다. 이로 인해, 후술하는 기판 반입 및 반출 작업에 있어서, 각 핸드(13b~16b)가 중계부(50)의 지지 부재(54)에 간섭하는 것이 방지되어 있다.
또한, 각 핸드(13b~16b)의 한 쌍의 핑거부 사이에는 부재 통과 영역이 형성되어 있다. 상기 영역은 기판 세정 유닛(SS(SSR))의 스핀 척(111)보다 크다. 이로 인해, 후술하는 기판 반입 및 반출 작업에 있어서, 각 핸드(13b~16b)가 스핀 척(111)에 간섭하는 것이 방지되어 있다(도 7(b) 참조). 또, 각 핸드(13b)의 두께는 스핀 척(111)의 상면과 회전 지지부(114)의 상면의 간격보다 작은 크기로 되어 있다. 또, 아암(13a~16a)은, 모두 다관절형의 굴신식 아암이다. 센터 로봇(CR)은, 각 아암(13a~16a)을 진퇴 구동 기구(29)에 의해 개별적으로 신축시켜, 상기 아암에 대응하는 핸드(13b~16b)를 따로 따로 수평으로 이동시킬 수 있다. 또, 기대부(28)에는, 기대부(28)를 연직 축선 둘레로 회전시키기 위한 선회 기구(31)와, 기대부(28)를 연직 방향으로 승강시키기 위한 승강 구동 기구(32)가 내장되어 있다.
CR 이동 기구(17)에 의해, 각 세정 처리 유닛(SS1~SS8, SSR1~SSR8)에 액세스 가능한 위치까지 센터 로봇(CR)을 이동시킨 후, 선회 기구(31)에 의해 기대부(28)를 회전시켜 각 핸드(13b~16b)를 소정의 연직 축선 둘레로 회전시킴과 더불어, 승강 구동 기구(32)에 의해 기대부(28)를 연직 방향으로 승강시킴으로써, 이들 임의의 핸드(13b~16b)를 원하는 세정 처리 유닛(SS1~SS8, SSR1~SSR8)에 대향시킬 수 있다. 그리고, 핸드(13b~16b)가 세정 처리 유닛에 대향한 상태로, 아암(13a)~아암(16a)을 신장시킴으로써, 상기 아암에 대응하는 핸드(13b~16b)를 상기 세정 처리 유닛에 액세스시킬 수 있다. 마찬가지로, 센터 로봇(CR)은, 임의의 핸드(13b~16b)를 중계부(50)에 액세스시킬 수 있다.
센터 로봇(CR)으로서 2A4H 기구를 채용한 경우도, 4A4H 기구를 채용한 경우도, 중계부(50)로부터 처리 유닛(SS1~SS8, SSR1~SSR8)으로 일괄 반송(동시 반송)할 수 있는 미처리 기판은 최대로 2장이며, 처리 유닛(SS1~SS8, SSR1~SSR8)으로부터 중계부(50)로 일괄 반송할 수 있는 처리 완료 기판은 최대로 2장으로 되어 있다. 따라서, 일괄 반송 가능한 기판의 최대 장수는 모두 동일하기 때문에, 이하에서는, 설명의 편의상, 4A4H 기구로서 구성된 센터 로봇(CR)에 대해 설명하는데, 센터 로봇(CR)으로서 2A4H 기구를 이용한 경우에 대해서도, 인덱서 로봇(IR)의 아암 동작으로부터 유추함으로써, 센터 로봇(CR)에 대한 개개의 아암 동작은 이해 가능하다.
또한, 상기에서는 CR 이동 기구(17)를 병용함으로써 센터 로봇(CR)의 각 핸드(13b~16b)를 처리 유닛(SS, SSR), 및 중계부(50)에 액세스 가능하게 한 형태에 대해 설명했다. 그러나, CR 이동 기구(17)를 이용하지 않고 센터 로봇(CR)의 선회 기구(31)·승강 구동 기구(32)·진퇴 구동 기구(29)에만 의해 센터 로봇(CR)의 각 핸드(13b~16b)를 처리 유닛(SS, SSR), 및 중계부(50)에 액세스 가능하게 하는 것도 물론 가능하다.
또한, IR 이동 기구(5), 인덱서 로봇(IR), CR 이동 기구(17), 센터 로봇(CR)의 각부에는 이들 기구의 동작 이상을 검지하는 센서가 설치되어 있다.
＜1.3 중계 유닛(50a)＞
인덱서 구획(2)과 처리 구획(3)의 경계 부분에는, 인덱서 로봇(IR)과 센터 로봇(CR) 사이에서 기판(W)의 수도를 행하기 위한 중계 유닛(50a)이 배치되어 있다. 중계 유닛부(50a)는 기판 재치(載置)부(PASS1~PASS4)를 구비하는 하우징이며, 인덱서 로봇(IR)과 센터 로봇(CR) 사이에서 기판(W)의 수도가 행해질 때에는, 기판 재치부(PASS1~PASS4) 내에 기판(W)이 일시적으로 올려놓여진다.
도 8은, 제1 실시 형태에 있어서의 중계 유닛(50a)의 측면도이다. 또, 도 9는 도 8에 있어서의 A-A 단면의 화살표 방향으로부터 본 상면도이다. 중계 유닛(50a)의 하우징의 측벽의, 인덱서 로봇(IR)에 대향하는 일측벽에는, 기판(W)을 반입출하기 위한 개구부(51)가 설치되어 있다. 또, 상기 일측벽에 대향하는, 센터 로봇(CR)측에 위치하는 타측벽에도, 같은 개구부(52)가 설치되어 있다.
하우징 내의 개구부(51, 52)에 대향하는 부위에는, 상기 기판(W)을 대략 수평으로 유지하는 기판 재치부(PASS1~PASS4)가 설치되어 있다. 이로 인해, 인덱서 로봇(IR) 및 센터 로봇(CR)은, 각각, 개구부(51, 52)보다, 기판 재치부(PASS1~PASS4)에 액세스 가능하게 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 상측의 기판 재치부(PASS1, PASS2)는, 처리 완료 기판(W)을 처리 구획(3)으로부터 인덱서 구획(2)으로 반송할 때에 이용되고, 하측의 기판 재치부(PASS3, PSS4)는, 미처리 기판(W)을 인덱서 구획(2)으로부터 처리 구획(3)으로 반송할 때에 이용된다.
도 8, 9에 도시하는 바와 같이, 기판 재치부(PASS1~PASS4)는, 하우징 내부의 측벽에 고정 설치되는 한 쌍의 지지 부재(54)와, 상기 지지 부재(54) 상면의 양단부에 2개 1쌍으로 설치되는 합계 4개의 지지 핀(55)으로 구성된다. 또, 지지 부재(54)는, 개구부(51, 52)가 형성된 측벽과 상이한 한 쌍의 측벽에 고정 설치되어 있다. 지지 핀(55)의 상단은 원기둥형상으로 형성되어 있다. 그로 인해, 한 쌍의 지지 핀(55)에는, 기판(W)이 주연부의 4개소를 걸어맞춰 착탈 가능하도록 유지된다.
여기서, PASS1-PASS2 사이, PASS2-PASS3 사이, 및 PASS3-PASS4 사이에 있어서의 각 지지 핀(55)은, 연직 방향에 동일 거리(h2)로 이격하여 설치되어 있다(도 8 참조). 이 거리(h2)는, 상기한 센터 로봇(CR)의 핸드(13b~16b)의 연직 방향의 간격(h1)과 동일하다. 이로 인해, 센터 로봇(CR)을 중계 유닛(50a)에 대향시킨 상태로, 센터 로봇(CR)의 핸드(15b, 16b)를 진퇴 구동 기구(29)에 의해 동시에 신장시킴으로써, 중계 유닛(50a)의 기판 재치부(PASS3, PASS4)로부터 2장의 미처리 기판(W)을 동시에 수취할 수 있다. 마찬가지로, 센터 로봇(CR)의 핸드(13b, 14b)를 진퇴 구동 기구(29)에 의해 동시에 신장시킴으로써, 이들 핸드(13b, 14b)에 유지되어 있는 2장의 처리 완료 기판(W)을, 중계 유닛(50a)의 기판 재치부(PASS1, PASS2)에 동시에 넘겨줄 수 있다.
＜1.4 제어부(60)＞
도 10은, 기판 처리 장치(1)의 전기적 구성을 설명하기 위한 블럭도이다. 또, 도 11은, 제어부(60)의 내부 구성을 설명하기 위한 블럭도이다. 제어부(60)는, 도 11에 도시되는 바와 같이, 예를 들어, CPU(61), ROM(62), RAM(63), 기억 장치(64) 등이, 버스 라인(65)을 개재하여 상호 접속된 일반적인 컴퓨터에 의해 구성된다. ROM(62)은 기본 프로그램 등을 저장하고 있으며, RAM(63)은 CPU(61)가 소정의 처리를 행할 때의 작업 영역으로서 제공된다. 기억 장치(64)는, 플래쉬 메모리, 혹은, 하드 디스크 장치 등의 불휘발성의 기억 장치에 의해 구성된다. 기억 장치(64)에는, 레시피 변경 데이터베이스(CDB), 및 호스트 컴퓨터로부터 제어부(60)에 송신된 플로우 레시피(FR), 플로우 레시피(FR)에 의거하여 작성되는 스케줄 데이터(SD)(후술), 유닛 레시피 데이터베이스(UDB)가 저장되어 있다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 제어부(60)는, 기능적으로, 스케줄링 기능부(71), 처리 실행부(72), 및 레시피 제어부(73)를 구비하고 있다. 제어부(60)는, CPU(61)로 ROM(62) 등에 미리 저장된 제어 프로그램을 실행시킴으로써, CPU(61)를, 스케줄링 기능부(71), 처리 실행부(72), 및 레시피 제어부(73) 등의 기능부로서 기능시킴과 더불어, RAM(63), 기억 장치(64) 등의 기억 수단을, 레시피 변경 데이터베이스(CDB) 기억부, 플로우 레시피(FR) 기억부, 스케줄 데이터(SD) 기억부, 유닛 레시피 데이터베이스(UDB) 기억부, 등의 기능부로서 기능시킨다.
스케줄링 기능부(71)는, 플로우 레시피(FR)에 의거하여, 처리 대상이 되는 각 기판(W)의 스케줄 데이터(SD)를 시계열순으로 배열한 테이블 형식 등으로 작성한다. 또한, 작성된 스케줄 데이터(SD)는, 기억 장치(64)에 저장된다.
처리 실행부(72)는, 스케줄링 데이터(SD)에 따라, 기판 처리 장치(1)의 각종 기능을 작동시켜, 대상 기판(W)의 기판 처리 장치(1) 내에서의 반송이나 처리 유닛(SS(SSR))에서의 세정 처리, 전처리, 후처리 등을 실행한다.
레시피 제어부(73)는, 처리 실행부(72)에 의한 대상 기판(W)의 반송 처리나 세정 처리 등을 감시하고 있고, 각 처리부로부터 처리 상황 등의 정보를 수취하는 기능을 가지고 있다. 레시피 제어부(73)는, 후술하는 레시피 변경 데이터베이스(CDB)를 참조하여, 스케줄 데이터(SD)의 변경을 필요로 하는 사상의 발생을 판단함과 더불어, 스케줄링 기구부(71)에 플로우 레시피(FR) 및 스케줄 데이터(SD)의 변경을 지시하는 기능을 가지고 있다. 제어부(60)에서는, 입력부(66), 표시부(67), 통신부(68)도 버스 라인(65)에 접속되어 있다. 입력부(66)에서는, 각종 스위치, 터치 패널 등에 의해 구성되어 있고, 오퍼레이터로부터 처리 레시피 등의 각종의 입력 설정 지시를 받는다. 표시부(67)는, 액정 표시 장치, 램프 등에 의해 구성되어 있고, CPU(61)에 의한 제어 아래 각종의 정보를 표시한다. 통신부(68)는, LAN(65) 등을 개재한 데이터 통신 기능을 가진다. 제어부(60)에는, 인덱서 로봇(IR), 센터 로봇(CR), IR 이동 기구(5), CR 이동 기구(17), 표면 세정 처리부(11), 이면 세정 처리부(12), 반전 유닛(RT1), 및 반전 수도 유닛(RT2)이 제어 대상으로서 접속되어 있다. 또한, 스케줄 데이터(SD)의 작성 및 변경에 관한 상세한 설명은, 기판 처리 장치(1)의 동작에 관한 설명 후에 행한다.
＜2. 기판 처리 장치(1)의 동작＞
지금까지, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 각 장치의 구성, 및, 각 장치 내에서의 동작(세정 처리나 반전 처리 등)에 대하여 설명을 행했다. 이하, 기판 처리 장치(1) 내부의 각 장치(기판 재치부(PASS), 반전 유닛(RT1), 반전 수도 유닛(RT2), 세정 처리 유닛(SS) 등)와 인덱서 로봇(IR)이나 센터 로봇(CR)과의 기판(W)의 수도 동작, 및, 기판 처리 장치(1) 전체를 통한 기판 처리 동작에 대해 설명한다.
＜2.1 기판(W)의 수도 동작＞
기술했던 대로, 인덱서 로봇(IR) 및 센터 로봇(CR)에는, 이동 기구, 선회 기구, 승강 기구, 진퇴 기구가 설치되어 있으며, 상기 로봇의 각 핸드를 기판 처리 장치(1) 내부의 각 요소에 액세스시키는 것이 가능하다.
이때의 기판의 수도 동작에 대해, 센터 로봇(CR)이 표면 세정 처리 유닛(SS)에 액세스한 경우와, 센터 로봇(CR)이 중계부(50)에 액세스한 경우를 예로 들어 설명한다. 도 12 및 도 13은, 센터 로봇(CR)과 표면 세정 처리 유닛(SS) 사이의 기판 수도 동작의 일 예를 도시한 모식도이다. 또, 도 14는, 센터 로봇(CR)과 PASS(중계부(50)) 사이의 기판 수도 동작을 도시한 모식도이며, 이해를 용이하게 하기 위해, 기판(W)과, 기판 재치부(PASS1~PASS4)의 지지 부재(54)와, 핸드(13b~16b)만으로 기판 수도 동작을 간이적으로 표현하고 있다.
[센터 로봇(CR)과 처리 유닛의 액세스］
도 12(a)에 도시하는 대로, 처리 유닛(SS)의 스핀 척(111) 상에는 처리 완료 기판(W1)이 올려놓여져 있다. 또, 처리 유닛(SS)의 슬릿(116)이 슬라이드하여 게이트(117)가 개방되어 있다. 센터 로봇(CR)이 이러한 표면 세정 처리 유닛(SS)으로부터 처리 완료 기판(W1)을 반출할 때는, 우선, 제어부(60)가 선회 기구(31)를 제어하여, 핸드(13b)를 상기 표면 세정 처리 유닛(SS)에 대향시킨다. 동시에, 제어부(60)는 승강 구동 기구(32)를 제어하여, 핸드(13b)의 상면이 스핀 척(111)의 상면보다 아래이며, 핸드(13b)의 하면이 회전 지지부(114)의 상면보다 위가 되는 높이 위치로 한다(도 12(a) 참조).
다음에, 제어부(60)가 진퇴 구동 기구(29)를 제어하여, 아암(13a)을 신장시킨다. 이에 의해, 핸드(13b)가 수평 이동하여 표면 세정 처리 유닛(SS)의 내부에 들어가, 핸드(13b) 선단의 부재 통과 영역이 스핀 척(111)을 통과하고, 도 12(b)에 도시하는 바와 같이, 핸드(13b)가 스핀 척(111)에 유지된 기판(W1)의 하방에 배치된다. 본 실시 형태의 각 핸드(13b~16b)는 개별적으로 신축 가능하기 때문에, 기판의 반입출 작업에 필요한 핸드(여기에서는 핸드(13b))만을 처리 유닛(SS(SSR))의 유닛 케이스(115) 내로 진입시킬 수 있다. 이에 의해 핸드(13b~16b)가 유닛 케이스(115) 내로 가지고 들어갈 우려가 있는 파티클의 양을 최소한으로 할 수 있다. 또, 스핀 척(111)과 회전 지지부(114)의 스페이스를 1개의 핸드(13b~16b)만이 진입 가능할 정도의 상하폭으로 좁힐 수 있다.
그 후, 제어부(60)가 승강 구동 기구(32)를 제어하여, 핸드(13b)를 상승시킨다. 이에 의해, 도 12(c)에 도시하는 바와 같이, 스핀 척(111) 상에 올려놓여져 있던 기판(W1)이 핸드(13b)의 상측에 건네진다. 계속해서, 제어부(60)가 진퇴 구동 기구(29)를 제어하여, 아암(13a)을 수축시킨다. 이에 의해, 도 12(d)에 도시하는 바와 같이, 핸드(13b)가 표면 세정 처리 유닛(SS)으로부터 퇴피해 나간다. 또, 상술의 일련의 동작에서는, 핸드(13b)를 이용하여 어느 한쪽의 표면 세정 처리 유닛(SS)에 기판(W)을 한 장 반출하는 경우에 대해 설명했는데, 다른 기판 유지 핸드(14b~16b)를 이용할 때에 있어서도, 상술의 1장 반출과 같은 조건이 되도록 승강 기구(32)에 의해 핸드의 높이를 변경하면, 같은 반출 동작을 행할 수 있다.
계속해서, 기판의 반입 동작에 대해 설명한다. 제어부(60)는 승강 구동 기구(32)를 제어하여, 핸드(15b)의 상면에 유지된 미처리 기판(W2)이 스핀 척(111)의 상방이 되는 높이까지 아암(15a)을 상승시킨다(도 13(a)). 다음에, 제어부(60)가 진퇴 구동 기구(29)를 제어하여, 아암(15a)을 신장시킨다. 이에 의해, 핸드(15b)가 수평 이동하여 표면 세정 처리 유닛(SS)의 내부에 들어가, 도 13(b)에 도시하는 바와 같이, 핸드(15b)의 상측에 유지된 기판(W2)이, 스핀 척(111)의 상방에 배치된다. 그 후, 제어부(60)가 승강 구동 기구(32)를 제어하여, 핸드(15b)를 하강시킨다. 이에 의해, 도 13(c)에 도시하는 바와 같이, 핸드(15b)에 유지되어 있던 기판(W2)이 스핀 척(111)에 건네진다. 그리고, 제어부(60)가 진퇴 구동 기구(29)를 제어하여, 아암(15a)을 수축시킨다. 이에 의해, 도 13(d)에 도시하는 바와 같이, 핸드(15b)가 표면 세정 처리 유닛(SS)으로부터 퇴피해 나간다.
또, 상술의 일련의 동작에서는, 핸드(15b)를 이용하여 표면 세정 처리 유닛(SS)에 기판(W)을 한 장 반입하는 경우에 대해 설명했는데, 이 1장 반입 동작은, 이면 세정 유닛(SSR)에 기판(W)을 한 장 반입하는 경우에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 핸드(15b)를 강하시킬 때, 도 13(b), 13(c)에 도시되는 바와 같이, 핸드(15b)는, 측면으로부터 볼 때(수평 방향으로부터 볼 때) 스핀 척(111)과 포개지는 타이밍이 있다. 그러나, 기술한 바와 같이 핸드(15b)가 두 갈래의 포크형상으로 되어 있으므로, 이때, 스핀 척(111)은, 기판 유지 핸드(15b)의 내측에 들어가, 핸드(15b)와 간섭할 일은 없다. 마찬가지로, 기판 재치부(PASS)나 반전 유닛(RT)에 있어서의 지지 핀과 각 핸드의 기판 수도 동작에 있어서도, 측면으로부터 볼 때(수평 방향으로부터 볼 때) 지지 핀과 각 핸드가 서로 포개지는 타이밍은 있으나, 간섭하는 일이 없도록 설계되어 있다.
[센터 로봇(CR)의 중계부(50)로의 액세스］
도 14는, 센터 로봇(CR)에 의해 기판 재치부(PASS1, PASS2)에 기판(W)을 2장 동시에 반입할 때의 동작의 일 예를 설명하기 위한 모식도이다. 센터 로봇(CR)에 의해 기판 재치부(PASS1, PASS2)에 기판(W)을 2장 동시에 반입할 때는, 예를 들어, 핸드(13b, 14b)에 기판(W)을 1장씩 유지시킨 상태로, 2장의 기판(W)을 기판 재치부(PASS1, PASS2)에 동시에 반입한다(2장 반입 동작).
구체적으로는, 제어부(60)가, 선회 기구(9) 및 승강 구동 기구(10)를 제어하여, 핸드(13b, 14b)를 기판 재치부(PASS1, PASS2)에 대향시킨다. 이때, 핸드(13b, 14b)는, 도 14(a)에 도시하는 바와 같이, 핸드(13b, 14b)에 유지된 2장의 기판(W)이, 각각, 기판 재치부(PASS1, PASS2)보다 상방이 되는 높이까지 상승 또는 하강되고 있다.
상술과 같이, 기판 재치부(PASS1~PASS4)에 있어서의 상하의 기판 지지 위치의 연직 방향의 간격이, 센터 로봇(CR)의 각 핸드(13b, 14b)에 의해 유지되는 2장의 기판(W)의 연직 방향으로의 간격과 동일해지도록 설정되어 있다. 따라서, 승강 구동 기구(10)에 의해 핸드(13b)가 유지하는 기판(W)이 기판 재치부(PASS1)의 상방에 오도록 배치하면, 그 외의 핸드(14b)에 대해서도, 각각, 기판 재치부(PASS2)의 상방에 배치시킬 수 있다.
다음에, 제어부(60)가 진퇴 구동 기구(8)를 제어하여 아암(13a) 및 아암(14a)을 동시에 신장시킨다. 이에 의해, 핸드(13b, 14b)가 기판 재치부(PASS1, PASS2)의 내부에 들어가, 도 14(b)에 도시하는 바와 같이, 핸드(13b, 14b)에 각각 유지된 2장의 기판(W)이, 각각, 기판 재치부(PASS1, PASS2)의 상방에 배치된다.
그 후, 제어부(60)가, 승강 구동 기구(10)를 제어하여, 상기 2장의 기판(W)이 PASS1, PASS2에 지지될 때까지, 핸드(13b, 14b)를 강하시킨다. 이에 의해, 도 14(c)에 도시하는 바와 같이, PASS1, PASS2의 도시하지 않은 지지 핀(55) 상에 기판(W)이 동시에 올려놓여지고, 인덱서 로봇(IR)으로부터 기판 재치부(PASS1, PASS2)에 2장의 기판(W)이 동시에 건네진다. 그리고, 제어부(60)가 진퇴 구동 기구(29)를 제어하여 아암(13a) 및 아암(14a)을 동시에 수축시킨다. 이에 의해, 핸드(13b, 14b)가 기판 재치부(PASS3, PASS4)로부터 퇴피해 나간다(2장 반입 동작).
도면을 이용한 설명은 생략하나, 센터 로봇(CR)이 기판 재치부(PASS3, PASS4)로부터 2장의 미처리 기판(W)을 동시에 반출할 때는, 상술의 일련의 동작을 반대로 행한다. 즉, 핸드(15b, 16b)를 기판 재치부(PASS3, PASS4)의 하방으로 신장시킨다. 다음에, 상기 핸드(15b, 16bc)를 상승시키고, 계속해서 아암(15a) 및 아암(16a)을 동시에 수축시킴으로써, 핸드(15b, 16b)를 이용하여 기판 재치부(PASS3, PASS4)로부터 2장의 기판(W)을 동시에 반출할 수 있다(2장 반출 동작).
여기까지, 센터 로봇(CR)과 PASS에 있어서의 기판(W)의 2장 반입 동작 및 2장 반출 동작에 대해 설명했는데, 이 일련의 동작은 센터 로봇(CR)과 다른 유닛 사이에서의 기판의 수도에 대해서도 마찬가지이다. 구체적으로는, 센터 로봇(CR)과 반전 유닛(RT1)에 있어서의 기판의 수도, 인덱서 로봇(IR) 또는 센터 로봇(CR)과 반전 수도 유닛(RT2)에 있어서의 기판의 수도, 인덱서 로봇(IR)과 기판 재치부(PASS)에 있어서의 기판의 수도, 및, 인덱서 로봇(IR)과 캐리어(C)에 있어서의 기판의 수도에 있어서, 기술한 2장 반입 동작 및 2장 반출 동작을 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 각 로봇(CR 또는 IR)의 각 핸드에서는, 유지되는 기판(W)이 세정 처리 전의 미처리 기판인지 세정 처리 완료된 처리 완료 기판인지, 라고 하는 용도 구분이 이루어져 있다. 그로 인해, 미처리 기판용의 핸드인 핸드(7b, 7c), 핸드(15b, 16b)로 처리 완료 기판(W)의 반입이나 반출을 행하는 것은 기술의 반입 동작 및 반출 동작의 원리로서는 가능하기는 하나, 본 실시 형태 중에서는 실시하지 않는다. 처리 완료 기판용의 핸드인 핸드(6b, 6c), 및, 핸드(13b, 14b)에 있어서도 마찬가지이다.
또한, 센터 로봇(CR)이 복수장의 기판(W)을 유지하고 있는 경우, 복수의 세정 처리 유닛(SS)(또는 SSR)에 기판(W)을 1장씩 차례로 반입해 나가는 경우가 있다. 마찬가지로, 센터 로봇(CR)이 복수의 세정 처리 유닛(SS)(또는 SSR)으로부터 기판(W)을 1장씩 반출해 나가는 경우가 있다. 이러한 경우, 개별의 처리 유닛(SS)(또는 SSR)과 센터 로봇(CR)의 관계성에만 주목하면 1장 반입 동작 또는 1장 반출 동작을 행하고 있는데, 복수의 세정 처리 유닛(SS)(또는 SSR)의 총체인 세정 처리부(11)(또는 12)와 센터 로봇(CR)의 관계에 있어서는 2장 반입 동작 또는 2장 반출 동작을 행하고 있다고 간주할 수 있다. 따라서, 본 명세서에서는, 복수의 기판(W)을 유지한 센터 로봇(CR)이 복수의 세정 처리 유닛(SS)(또는 SSR)에 차례로 반입하는 케이스나 복수의 세정 처리 유닛(SS)(또는 SSR)으로부터 복수의 기판(W)을 차례로 반출하고 다른 세그먼트로 이동하는 케이스도, 센터 로봇(CR)이 중계부(50)와 액세스하여 2장 반입(또는 반출) 동작을 행하는 케이스와 마찬가지로, 2장 반입(또는 반출) 동작을 행하고 있는 것과 같은 것으로서 설명을 행한다.
＜2.2 기판 처리의 패턴＞
여기서, 본 기판 처리 장치(1)에 있어서 실시 가능한 기판 처리의 패턴에 대해 설명한다.
본 기판 처리 장치(1)에서는, 「표면 세정만」, 「이면 세정만」, 및 「양면 세정(이면→표면)」 「이면 세정(표면→이면)」 등의 다양한 기판 처리 패턴을 기판(W)에 대해 선택적으로 실시하는 것이 가능하다. 「표면 세정만」의 패턴에서는, 기판(W)을 캐리어(C)로부터 반출한 후, 기판(W)의 표리를 반전하는 일 없이, 기판(W)의 표면의 세정 처리를 행한다. 세정 처리 후는 기판(W)의 표리를 반전하는 일 없이, 캐리어(C)에 반환한다. 「이면 세정만」의 패턴에서는, 기판(W)을 캐리어(C)로부터 반출한 후, 기판(W)의 표리를 반전한 다음 기판(W)의 이면의 세정 처리를 행한다. 세정 처리 후는, 기판(W)의 표리를 반전한 다음, 캐리어(C)에 반환한다. 「양면 세정(이면→표면)」의 패턴에서는, 기판(W)을 캐리어(C)로부터 반출한 후, 기판(W)의 표리를 반전한 다음, 기판(W)의 이면의 세정 처리를 행한다. 그 후, 기판(W)의 표리를 반전하여, 기판(W)의 표면이 위를 향한 상태로 하고, 기판(W)의 표면의 세정 처리를 행한다. 그 후, 기판(W)의 표리를 반전하는 일 없이, 캐리어(C)에 기판을 반환한다. 「양면 세정(표면→이면)」의 패턴에서는, 기판(W)을 캐리어(C)로부터 반출한 후, 기판(W)의 표리를 반전하는 일 없이, 기판(W)의 표면의 세정 처리를 행한다. 그 후, 기판(W)의 표리를 반전하여, 기판(W)의 이면이 위를 향한 상태로 하고, 기판(W)의 이면의 세정 처리를 행한다. 그 후, 기판(W)의 표리를 반전한 다음, 캐리어(C)에 반환한다.
본 기판 처리 장치(1)에서 실시되는, 기판(W)을 캐리어(C)로부터 취출하고, 세정 처리 등을 실행한 후, 캐리어(C)에 반환할 때까지의 일련의 처리 단계는, 도 15에 도시하는 바와 같이, 복수의 세그먼트(S1~S13)로 분할할 수 있다. 세그먼트(S1 및 S13)는, 기판(W)이 캐리어(C)에 격납되어 있는 단계에 대응하고 있다. 세그먼트(S2 및 S12)는, 인덱서 로봇(IR)에 의해 기판(W)을 인덱서 구획(2) 내에서 반송하는 단계에 대응하고 있다. 세그먼트(S3, S5, S7, 및 S11)는, 기판(W)을 중계부(50)에 격납한 단계에 대응하고 있다. 세그먼트(S4, S6, S8, 및 S10)는, 센터 로봇(CR)에 의해 기판(W)을 처리 구획(3) 내에서 반송하는 단계에 대응하고 있다. 도 15에 도시하는 바와 같이, 각 세그먼트에서의 기판(W)의 반송처는 기판(W)의 반송 패턴에 따라 상이한 경우가 있다.
예를 들어, 세그먼트(S3)에서는, 「표면 세정만」 「양면 세정(표면→이면)」의 패턴의 경우이면 기판(W)을 중계 처리 유닛(50a)의 어느 한쪽의 기판 재치부(PASS)에 기판(W)을 반송한다. 「이면 세정만」 「양면 세정(이면→표면)」의 경우이면 반전 수도 유닛(RT2)에 기판(W)을 반송한다. 세그먼트(S5)에서는, 「표면 세정만」 「양면 세정(표면→이면)」의 패턴이면 기판(W)을 표면 세정 처리 유닛(SS1~SS8)의 어느 한쪽에 반송한다. 「이면 세정만」 「양면 세정(이면→표면)」의 패턴이면 이면 세정 처리 유닛(SSR1~SSR8)의 어느 한쪽에 기판(W)을 반송한다. 세그먼트(S7)에서는, 「양면 세정(이면→표면)」 「양면 세정(표면→이면)」의 패턴이면 기판(W)을 반전 처리 유닛(RT1)에 반송한다. 세그먼트(S9)에서는, 「양면 세정(이면→표면)」의 패턴이면 기판(W)을 표면 세정 처리 유닛(SS1~SS8)의 어느 한쪽에 반송한다. 한편, 「양면 세정(표면→이면)」의 패턴이면 기판(W)을 이면 세정 처리 유닛(SSR1~SSR8)의 어느 한쪽에 반송한다. 세그먼트(S11)에서는, 「표면 세정만」 「양면 세정(이면→표면)」의 패턴이면, 기판(W)을 중계 처리 유닛(50a)의 어느 한쪽의 기판 재치부(PASS)에 기판(W)을 반송한다. 「이면 세정만」 「양면 세정(표면→이면)」의 패턴이면, 반전 수도 유닛(RT2)에 기판(W)을 반송한다.
＜3. 플로우 레시피＞
다음에, 도 16 및 도 17을 참조하여, 플로우 레시피(FR)의 데이터 구조를 설명한다. 도 16 및 도 17은 플로우 레시피(FR)의 예(플로우 레시피(FR1) 및 플로우 레시피(FR2))의 데이터 구조를 나타내는 표이다. 도 16 및 도 17에 도시하는 바와 같이, 플로우 레시피(FR)는, 제1 항목 「단계」, 제2 항목 「처리 유닛」, 및 제3 항목 「유닛 레시피」의 데이터 항목을 포함한다.
기술한 바와 같이, 미처리 기판(W)은 중계 유닛(50a)의 기판 재치부(PASS) 등을 경유하여, 센터 로봇(CR)에 의해 처리 유닛(SS(SSR))에 반입된다. 플로우 레시피(FR)의 「Step1」행의 「처리 유닛」은, 기판 재치부(PASS) 등에 올려놓여진 기판(W)이 최초로 반송되는 처리 유닛(SS(SSR))을 규정하는 데이터 항목이다. 플로우 레시피(FR1)(도 16) 및 플로우 레시피(FR2)(도 17)의 예에서는, 「처리 유닛」의 항목에 SS1 및 SS2가 기재되어 있다. 이것은 기판(W)을 표면 세정 처리 유닛(SS1 또는 SS2)의 어느 한쪽에 최초로 반송해야 할 것을 의미하고 있다.
기판(W)은 로트 단위로 미리 준비되어 있고, 인덱서 로봇(IR)에 의해 기판 재치부(PASS) 등에 올려놓여져 간다. 센터 로봇(CR)은 이들 복수의 기판(W)을 처리 실행부(72)(도 10 참조)의 지시에 따라 표면 세정 처리 유닛(SS1 또는 SS2)에 배분하고 반송한다.
본 기판 처리 장치(1)에서는 양면 세정 처리를 행할 수 있다. 이 경우, 기판(W)은 복수의 처리 유닛을 경유하여 처리된다(도 15의 패턴 3 및 패턴 4 참조). 이와 같이, 처리 대상의 기판(W)을 복수의 처리 유닛에 걸쳐 반송하는 경우에는, 기판(W)의 반송처를 추가할 필요가 있다. 이러한 경우, 플로우 레시피(FR)에는 추가된 반송처의 수만큼 단계의 행의 데이터가 추가된다.
「유닛 레시피」란은, 처리 유닛(SS(SSR))에서의 처리를 레시피 번호에 의해 규정한 데이터 항목이다. 기술한 바와 같이, 처리 유닛(SS(SSR))에서는, 전처리, 기판 처리, 및 후처리를 실행할 수 있다. 플로우 레시피(FR)의 기판 처리의 란에서는, 처리 대상의 기판(W)에 실시되는 기판 처리의 내용이 레시피 번호에서 특정되어 있다. 또한, 처리 대상의 기판(W)을 처리 유닛(SS(SSR))에 반입하기 전에 실행해야 할 전처리의 내용, 및 상기 기판(W)을 상기 유닛(SS(SSR))으로부터 반출한 후에 실행해야 할 후처리의 내용도, 레시피 번호에서 특정되어 있다. 플로우 레시피(FR1)(도 16)에서는 전처리를 실행하지 않기 때문에, 전처리의 란에는 공란이 된다. 플로우 레시피(FR2)(도 17)에서는 전처리를 실행하기 때문에, 전처리의 란에는 실행해야 할 전처리의 유닛 레시피에 대응한 레시피 번호 「유닛 레시피(11)」가 지정되어 있다. 또, 플로우 레시피(FR1)의 기판 처리의 란에는 레시피 번호 「유닛 레시피(1)」가, 플로우 레시피(FR2)의 기판 처리의 란에는 레시피 번호 「유닛 레시피(2)」가 각각 지정되어 있다. 플로우 레시피(FR1 및 FR2)의 후처리의 란은 공란이다. 이것은, 플로우 레시피(FR1 및 FR2)에서는 후처리를 실행할 필요가 없는 것을 나타내고 있다.
전처리의 여부나 내용은, 처리 대상의 기판(W)의 특성이나 기판(W)에 실시되는 기판 처리의 내용에 의존한다. 예를 들어, 특히 높은 청정도가 요구되는 기판 처리가 실행되는 경우에는 처리 유닛(SS(SSR))의 내부를 사전에 세정하는 전처리가 필요하다고 판단된다.
후처리의 여부나 내용은, 기판(W)에 실시된 기판 처리의 내용에 의존한다. 예를 들어, 고온의 처리액을 이용한 기판 처리가 실행되는 경우에는, 상기 기판 처리 후에 처리 유닛(SS(SSR))의 내부를 냉각하는 후처리가 필요하다고 판단된다.
다음에, 도 18을 참조하여 레시피 변경 데이터베이스(CDB)에 대해 설명한다. 기술한 바와 같이, 레시피 변경 데이터베이스(CDB)는, 레시피 제어부(73)가 스케줄 데이터(SD)의 변경을 필요로 하는 사상의 발생을 판단할 때에 참조하는 데이터베이스이다. 스케줄 데이터(SD)의 변경을 필요로 하는 사상의 종류로서는, 세정 처리 유닛(SS(SSR))에서 사용하는 처리액의 라이프 상태(변수 V1：처리액 라이프), 세정 처리 유닛(SS(SSR))의 세정의 라이프 상태(변수 V2：유닛 라이프), 세정 처리 유닛(SS(SSR))에 장비된 노즐(113) 등의 부재의 상태(변수 V3：유닛 상태), 인덱서 로봇(IR)이나 센터 로봇(CR) 등의 기판 반송에 따르는 부재의 상태(변수 V4：장치 상태), 특정의 세정 처리 유닛(SS(SSR))에 있어서의 기판 처리의 이력(변수 V5：레시피 실행 상태) 등이 있다.
이러한 사상의 발생이 확인되면, 레시피 제어부(73)는 레시피 변경 데이터베이스(CDB)를 참조하여 플로우 레시피(FR)를 변경한다.
도 18에 도시하는 바와 같이, 레시피 변경 데이터베이스(CDB)는 상위 계층 테이블군(HT)과 하위 계층 테이블군(LT)으로 이루어지는 다계층형의 데이터베이스이다. 상위 계층 테이블군(HT)에 속하는 각 테이블 HT(SS1), HT(SS2), HT(SS3),....는 복수의 세정 처리 유닛(SS(SSR))마다 준비되어 있다. 상위 계층 테이블(HT)을 구성하는 각 레코드는, 상기 테이블에 대응하는 세정 처리 유닛(SS(SSR))에서 실행되는 유닛 레시피마다 설정되어 있다. 각 레코드의 데이터 항목은 기술한 변수(V1~V5)에 대응하고 있다. 각 레코드의 데이터 항목에는 하위 계층 테이블(LT)명을 특정하기 위한 테이블 식별자(ID)의 값이 저장되어 있고, 레시피 제어부(73)는 상기 테이블 식별자(ID)를 키로 하여 참조해야 할 하위 계층 테이블(LT)을 특정하고, 변수(V1~V5)의 구체값을 검색한다.
하위 계층 테이블(LT)을 구성하는 각 레코드는, 대응하는 변수(V)의 구체값마다 설정되어 있다. 각 레코드의 데이터 항목에서는, 변수(V)의 구체값과 변경 후의 유닛 레시피명이 대응되어 있다.
예를 들어, 하위 계층 테이블(LT)(SS1-1-V1)은 세정 처리 유닛(SS1)에서 유닛 레시피(1)를 실행할 때에 참조되는 테이블이다. 하위 계층 테이블(LT)(SS1-1-V1)을 구성하는 각 레코드는, 변수 V1(약액의 라이프 상태)의 구체적인 값마다 설정되어 있다. 약액 라이프 상태는 약액의 생성으로부터 경과한 시간의 길이를 기준으로 하고 있다. 경과 시간이 비교적 짧은 30초의 경우에는 약액의 활성도가 그다지 저하하지 않기 때문에 유닛 레시피는 변경할 필요가 없다. 따라서, 30초에는 「유닛 레시피(1)」가 대응되어 있다. 한편, 경과 시간이 비교적 길어지면 약액의 활성도가 저하하기 때문에, 처리 시간을 연장하지 않으면 원하는 효과가 얻어지지 않게 될 우려가 있다. 이로 인해, 90초에는 처리 시간이 유닛 레시피(1)보다 긴, 유닛 레시피(1)와는 다른 「유닛 레시피(1001)」가 대응되어 있다.
도 19(a)~도 19(d)에 도시되는 하위 계층 테이블(LT)은, 세정 처리 유닛(SS1)에서 유닛 레시피(1)를 실행할 때에 레시피 제어부(73)가 참조하는 테이블의 다른 예이다.
도 19(a)의 하위 계층 테이블(LT)(SS1-1-V2)을 구성하는 각 레코드는, 변수 V2(유닛 라이프)의 구체적인 값마다 설정되어 있다. 유닛 라이프의 구체적인 값은, 해당하는 세정 처리 유닛(SS(SSR))이 마지막에 세정되고 난 후의 상기 세정 처리 유닛(SS(SSR))에서 기판 처리된 기판(W)의 장수를 기준으로 하고 있다. 세정 처리 유닛(SS(SSR))의 내부는 기판 처리를 행할 때마다 오염된다. 그러나, 기판 처리 장수가 비교적 적은 경우(예를 들어 100장)에는 오염의 정도는 그다지 심하지 않기 때문에 기판 처리를 개시하기 전에 전세정을 행할 필요가 없다. 따라서, 100장에는 「유닛 레시피(1)」가 대응되어 있다. 기판 처리 장수가 비교적 증가하는 경우(예를 들어 300장)에는 비교적 청정한 환경을 필요로 하는 「유닛 레시피(1)」로부터 청정도가 그다지 높지 않아도 실행할 수 있는 다른 유닛 레시피(유닛 레시피(2001)로 한다)로 교체하면 된다. 따라서, 300장에는 「유닛 레시피(2001)」가 대응되어 있다. 또한 기판 처리 장수가 증가하는(예를 들어 400장) 경우에는, 기판 처리 전에, 일단 전처리를 실시할 필요가 있다. 따라서, 400장에는, 「전처리 실시→유닛 레시피(1)」가 대응되어 있다.
도 19(b)의 하위 계층 테이블(LT)(SS1-1-V3)을 구성하는 각 레코드는, 변수 3(유닛 상태)의 구체적인 값마다 설정되어 있다. 유닛 상태의 구체적인 값은, 해당하는 세정 처리 유닛(SS(SSR))의 각 요소(세정 브러쉬(112), 노즐(113), 스핀 회전 지지부(114), 컵 등)의 작동 상황이다. 이 하위 계층 테이블(LT)(SS1-1-V3)에서는, 대상이 되는 유닛 레시피의 내용과 발생 사상을 감안하여, 유닛 레시피의 변경 내용 및 중지의 여부가 미리 정해져 있다. 예를 들어, 세정 처리 유닛(SS(SSR))에 이상이 없는 경우에는 유닛 레시피(1)는 변경할 필요가 없다. 따라서, 「이상 없음」의 사상에 대해서는 「유닛 레시피(1)」가 대응되어 있다. 또, 유닛 레시피(1)가 노즐(113)을 사용하는 기판 처리라고 가정하면, 「노즐(113)」에 에러가 발생하면 유닛 레시피(1)는 중지할 필요가 있다. 이 경우, 「노즐(113)」을 사용하는 「유닛 레시피(1)」를 대신하여, 「노즐(113)」을 사용하지 않는 다른 유닛 레시피(유닛 레시피(2)로 한다)를 실행하면 된다. 이로 인해, 「노즐(113)에 에러」라고 하는 사상에 대해서는 「유닛 레시피(2)」가 대응되어 있다. 스핀 척(111)은 모든 유닛 레시피를 실시할 때에 필요한 부재이다. 이로 인해, 스핀 척(111)에 에러가 발생한 경우에는, 유닛 레시피를 다른 레시피로 교체하는 것으로는 대응할 수 없다. 이로 인해, 「스핀 척(111)에 에러」라고 하는 사상에 대해서는 「처리 없음」이 대응되어 있다. 이 경우에는, 본 세정 처리 유닛(SS1)에서 기판 처리할 예정의 기판(W)을 다른 세정 처리 유닛(SS(SSR))에 반송하도록 스케줄이 변경된다.
도 19(c)의 하위 계층 테이블(LT)(SS1-1-V4)을 구성하는 각 레코드는, 변수 4(장치 상태)의 구체적인 값마다 설정되어 있다. 장치 상태의 구체적인 값은, 기판 처리 장치(1)의 각 기구부(반전 수도 유닛(RT), 센터 로봇(CR) 등)의 작동 상황이다. 이 하위 계층 테이블(LT)(SS1-1-V4)에서는, 대상이 되는 유닛 레시피의 내용과 발생 사상을 감안하여, 유닛 레시피의 변경 여부나 중지의 여부가 미리 정해져 있다. 유닛 레시피(1)가 기술의 「이면 세정만」의 패턴의 기판 처리였다고 가정한다(도 15 참조). 유닛 레시피(1)를 실행하는 경우에는, 기판(W)을 반전 유닛(RT1)에 의해 기판을 반전시킬 필요는 없다. 따라서, 「반전 유닛(RT1)에 이상」이라고 하는 사상이 발생하더라도 유닛 레시피(1)를 다른 유닛 레시피로 교체할 필요는 없다. 이로 인해, 「반전 유닛(RT1)에 이상」이라고 하는 사상에 대해서는 「유닛 레시피(1)」가 대응되어 있다.
유닛 레시피(1)를 실행하는 경우에는 대상 기판(W)을 반전 수도 유닛(RT2)으로 반전시킬 필요가 있다. 따라서, 반전 수도 유닛(RT2)에 이상이 발생한 경우에는, 모든 세정 처리 유닛(SS(SSR))에 있어서, 유닛 레시피(1)를 반전 수도 유닛(RT2)을 사용하지 않는 다른 유닛 레시피로 교체하면 된다. 예를 들어, 「표면 세정만」의 패턴의 유닛 레시피는, 반전 수도 유닛(RT2)을 사용하지 않더라도 실시할 수 있다. 이로 인해, 「반전 수도 유닛(RT2)의 이상」이라고 하는 사상이 발생한 경우에는, 유닛 레시피(1)를 「표면 세정만」을 행하는 다른 유닛 레시피(유닛 레시피(1002)로 한다)로 교체하면 된다. 따라서, 「반전 수도 유닛(RT2)의 이상」이라고 하는 사상에 대해서는 「유닛 레시피(1002)」(표면 세정만의 레시피)가 대응되어 있다.
또한, 센터 로봇(CR)에 이상이 발생한 경우에는, 유닛 레시피의 대체로 대응할 수 없으므로 단순히 「처리 없음」이 된다.
도 19(d)의 하위 계층 테이블(LT)(SS1-1-V5)을 구성하는 각 레코드는, 변수 5(레시피 실행 상태)의 구체적인 값마다 설정되어 있다. 레시피 실행 상태의 구체적인 값은, 대상이 되는 세정 처리 유닛(SS(SSR))에서 직전에 실행된 유닛 레시피의 종류이다. 동일한 세정 처리 유닛(SS(SSR))에서 상이한 종류의 기판 처리를 실시할 때, 기피해야 할 약액들의 연속 사용을 방지하는 등의 이유로부터, 연속하여 실시할 수 없는 기판 처리의 조합이 존재한다. 하위 계층 테이블(LT)(SS1-1-V5)은, 유닛 레시피(1)의 직전에 실시되는 유닛 레시피의 종류와, 세정 처리 유닛(SS1)의 대응을 대응시킨 데이터 테이블이다. 예를 들어, 유닛 레시피(1)가 사이에 유닛 세정을 개재시키지 않더라도 연속하여 실행할 수 있는 유닛 레시피라고 가정한다. 이 경우, 전에 실시한 유닛 레시피가 「유닛 레시피(1)」이면, 다음에 실시하려고 하는 유닛 레시피를 변경할 필요가 없다. 이로 인해, 「유닛 레시피(1)」에 대해서는 「유닛 레시피(1)」가 대응되어 있다. 유닛 레시피(2)가 세정 처리 유닛(SS(SSR))의 내부를 오염시키는 종류의 기판 처리이었다고 하자. 이 경우, 다음에 기판 처리를 실시하기 전에 상기 세정 처리 유닛(SS(SSR))에서 전처리를 실시하는 것이 바람직하다. 이로 인해 「유닛 레시피(2)」에 대해 「전처리→유닛 레시피(1)」가 대응되어 있다. 또한, 유닛 레시피(3)에서 사용되는 약액과 유닛 레시피(1)에서 사용되는 약액이 회피해야 할 조합이었다고 가정한다. 이 경우, 유닛 레시피(3)의 직후에 유닛 레시피(1)를 실행할 수 없다. 따라서, 「유닛 레시피(3)」에 대해서는 「유닛 레시피(1)」를 대신하여 「유닛 레시피(3)」가 대응되어 있다. 이 경우, 애초에, 이 세정 처리 유닛(SS1)에서 유닛 레시피(1)에 따른 처리를 실행할 예정이었던 기판(W)은 다른 세정 처리 유닛(SS(SSR))에 보내져, 이 세정 처리 유닛(SS1)에서는 「유닛 레시피(1)」를 대신하여 「유닛 레시피(3)」가 실행되게 된다.
＜4. 기판 처리＞
다음에, 본 실시 형태에 있어서의 기판 처리의 흐름을 도 20의 플로우 차트를 참조하면서 설명한다. 우선, 도시하지 않은 호스트 컴퓨터로부터 제어부(60)에 작업이 주어진다(단계 ST1).
스케줄 기능부(71)는 기억 장치(64)로부터 작업에 의해 지정되는 플로우 레시피(FR)를 판독한다(단계 ST2). 스케줄 기능부(71)는, 판독한 플로우 레시피(FR)와, 플로우 레시피(FR)에 포함되는 레시피 번호에서 특정되는 구체적인 유닛 레시피(기술한 바와 같이 기억 장치(64) 내의 유닛 레시피 데이터베이스(UDB)에 기억되어 있다)의 내용에 의거하여 스케줄 데이터(SD)를 작성한다(단계 ST3). 스케줄 데이터(SD)는, 기판 처리 장치(1)의 동작을 시계열로 기술한 데이터이다.
처리 실행부(72)는 스케줄 데이터(SD)에 의거하여 기판 처리 장치(1)의 각 요소를 동작시킨다(단계 ST4).
레시피 제어부(73)는 레시피 변경 데이터베이스(CDB)를 참조하여 플로우 레시피(FR)의 변경을 필요로 하는 사상의 발생을 감시하고 있다(단계 ST5). 그리고, 플로우 레시피(FR)의 변경을 필요로 하는 사상이 발생한 경우(단계 ST6에서 Yes인 경우), 실행 중의 플로우 레시피(FR)를 미완료된 작업의 플로우 레시피(FR)로 교체할 수 있는지 검토한다(단계 ST7). 단계 ST7가 Yes인 경우, 레시피 제어부(73)는 레시피 변경 데이터베이스(CDB)를 참조하여, 플로우 레시피(FR)를 다른 플로우 레시피(FR)로 교체한다(단계 ST7). 이때, 기판 처리의 내용을 변경할 뿐만 아니라, 필요에 따라 전처리나 후처리를 추가하거나 한다. 한편, 단계 ST7가 No인 경우, 지정 세정 처리 유닛에서의 기판 처리를 정지한다(단계 ST8). 다음에, 스케줄링 기능부(71)는 교체 후의 플로우 레시피(FR)에 의거하여 스케줄 데이터(SD)를 변경한다(단계 ST9). 스케줄 데이터(SD)가 변경되면, 단계 ST4로 돌아와, 처리 실행부(72)는 변경 후의 스케줄 데이터(SD)에 의거하여 본 기판 처리 장치(1)의 각부를 제어한다.
다음에, 본 기판 처리 장치(1)에 의한 기판 처리 스케줄의 변경의 구체적인 예를 설명한다. 도 20의 단계 ST1에서, 호스트 컴퓨터로부터 제어부(60)에, 플로우 레시피(FR1)(도 16)를 지정하는 작업 1 및 플로우 레시피(FR2)(도 17)를 지정하는 작업 2가 주어졌다고 하자. 제어부(60)는, 작업 1을 작업 2에 선행하여 스타트하는 것으로 하고, 스케줄링 기능부(71)는, 작업 1에 대응하는 플로우 레시피(FR1)를 기억 장치(64)로부터 판독한다(도 20의 단계 ST2). 스케줄링 기능부(71)는, 플로우 레시피(FR1)에 의거하여 도 21(a)의 타이밍 차트에 도시하는 스케줄 데이터(SD)를 작성한다(도 20의 단계 ST3).
즉, 시각(t0)에 인덱서 로봇(IR)이 기판(W1) 및 기판(W2)을 카세트(C)로부터 취출하여 기판 재치부(PASS)에 올려놓는다. 시각(t1)에 센터 로봇(CR)이 기판(W1 및 W2)을 기판 재치부(PASS)로부터 동시에 취출한다. 시각(t2)에 센터 로봇(CR)이 기판(W1)을 표면 세정 처리 유닛(SS1)에 반입한다. 시각(t2)~시각(t4)에 걸쳐 표면 세정 처리 유닛(SS1)에 있어서 유닛 레시피(1)의 내용에 대응하는 기판 처리를 기판(W1)에 실시한다. 시각(t3)에 센터 로봇(CR)이 기판(W2)을 표면 세정 처리 유닛(SS2)에 반입한다. 시각(t3)~시각(t5)에 걸쳐 표면 세정 처리 유닛(SS2)에 있어서 유닛 레시피(1)의 내용에 대응하는 기판 처리를 기판(W2)에 실시한다. 시각(t4)에 기판 처리가 완료된 기판(W1)을 센터 로봇(CR)이 표면 세정 처리 유닛(SS1)으로부터 취출한다. 시각(t5)에 기판 처리가 완료된 기판(W2)을 센터 로봇(CR)이 표면 세정 처리 유닛(SS2)으로부터 취출한다. 시각(t6)에 센터 로봇(CR)이 기판(W1 및 W2)을 기판 재치부(PASS)에 동시에 올려놓는다.
이와 같이, 이 스케줄에서는 세정 처리 유닛(SS1 및 SS2)에서 유닛 레시피(1)의 내용에 대응하는 기판 처리를 병행하여 실행하고 있다.
이 스케줄에서는 시각(t0)부터 시각(t6)까지의 처리 사이클을 반복하여 실행한다. 예를 들어, 시각(t0)부터 시각(t6)까지의 처리 사이클이 완료 후, 시각(t7)부터 시각(t13)에 걸쳐, 시각(t0)부터 시각(t6)까지의 처리 사이클과 같은 처리 사이클을 실행하고 있다.
이러한 스케줄 데이터(SD)가 도 20의 플로우 차트의 단계 ST3에서 작성된 후, 처리 실행부(72)에 의한 기판 처리가 개시된다(단계 ST4).
지금 도 21(a)의 스케줄에 따른 기판 처리가 차례차례 실행되고 있다고 하자. 레시피 제어부(73)는, 이것과 병행하여 기판 처리 장치(1)의 각부로부터 정보를 수집하고, 그것을 레시피 변경 데이터베이스(CDB)에 비추어 플로우 레시피의 변경을 필요로 하는 사상이 발생했는지 감시하고 있다(단계 ST5 및 ST6). 단계 ST6가 「No」인 경우, 처리 실행부(72)에 의한 기판 처리가 실행된다. 예를 들어, 챔버 라이프가 100장 미만이면, 유닛 레시피(1)의 변경은 불필요하기 때문에(도 19(a) 참조), 이 경우에는 단계 ST6이 「No」가 된다.
단계 ST6이 「Yes」가 되면, 단계 ST7에 천이한다. 예를 들어, 유닛 레시피(1)의 실행 중에 노즐(113)에 에러가 발생한 경우에는 유닛 레시피(1)의 변경이 필요하다고 판단되어, 단계 ST7에 천이한다(도 19(b) 참조). 단계 ST7에서는, 문제가 발생한 세정 처리 유닛에서 실행 중의 작업의 유닛 레시피를, 미완료의 작업의 유닛 레시피로 교체 가능한지의 여부의 판단이 행해진다. 여기에서는, 시각(t4)의 직전에 세정 처리 유닛(SS1)에서 노즐(113)에 에러가 발생했다고 한다(도 21(b) 참조). 도 19(b)에 도시하는 바와 같이, 하위 계층 테이블 SS1-1-V3은 「노즐(113)에 에러」라고 하는 사상이 발생했을 때에, 유닛 레시피(1)를 「유닛 레시피(2)」로 교체하고 할 수 있다고 정의하고 있다. 따라서, 작업 1의 다음에 실행할 예정의 작업 2가 유닛 레시피(2)를 포함하는 플로우 레시피를 지정하고 있다면 현재 실행 중의 유닛 레시피(1)를 유닛 레시피(2)로 교체할 수 있다. 여기서 작업 2에 의해 지정되는 플로우 레시피(FR2)는 유닛 레시피(2)를 포함하고 있다. 따라서, 이 경우, 단계 ST7이 「Yes」가 되며, 스케줄링 기능부(71)는, 세정 처리 유닛(SS1)에서 실행되는 플로우 레시피를 플로우 레시피(FR1)(작업 1)로부터 플로우 레시피(FR2)(작업 2)로 교체한다. 그리고, 시각(t4) 이후는 세정 처리 유닛(SS1)에서는 플로우 레시피(FR2)가 실행되고, 또한 세정 처리 유닛(SS2)에서는 플로우 레시피(FR1)가 실행되도록, 스케줄링 기능부(71)가 스케줄 데이터(SD)를 변경한다(단계 ST10).
도 21(c)는, 단계 ST7에서 변경된 후의 스케줄이다. 교체된 플로우 레시피(FR2)는, 「유닛 레시피(11)」의 내용에 대응하는 전처리와 「유닛 레시피(2)」의 내용에 대응하는 기판 처리를 차례차례 실행하는 레시피이다(도 17 참조). 따라서, 시각(t4) 이후는, 세정 처리 유닛(SS1)에서는, 기판 처리 전에 유닛 레시피(11)의 내용에 대응하는 전처리를 행한다(시각 t8~t9). 다음에 유닛 레시피(2)의 내용에 대응하는 기판 처리를 실행한다(시각 t9~t13).
유닛 레시피의 내용 변경에 수반하여, 기판 반송 스케줄도 변경된다. 세정 처리 유닛(SS1)으로는, 작업 2에서 지정된 기판을 반송하도록 기판 반송 스케줄을 변경한다. 또, 유닛 레시피(2)는 유닛 레시피(1)보다 처리 시간이 길기 때문에, 세정 처리 유닛(SS1)에서 유닛 레시피(2)가 완료하는 타이밍(시각 t13)보다 먼저, 세정 처리 유닛(SS2)에서 유닛 레시피(1)가 완료하는 타이밍(시각 t11)이 도래한다. 이로 인해, 센터 로봇(CR)은 세정 처리 유닛(SS2)으로부터의 기판 반출을 먼저 행하고(시각 t11), 다음에 세정 처리 유닛(SS1)으로부터의 기판 반출을 행하는(시각 t13) 스케줄로 변경된다.
상기에서는, 유닛 레시피(1)에 대응하는 내용의 기판 처리를 세정 처리 유닛(SS1)에서 실행하는 것이 예정되어 있던 케이스에 있어서, 「노즐(113)에 에러」라고 하는, 플로우 레시피(FR1)의 변경을 필요로 하는 사상이 발생한 경우의 스케줄 변경의 구체예에 대해 설명했다.
이러한 스케줄 변경은, 다른 세정 처리 유닛(SS(SSR))에서 「노즐(113)에 에러」라고 하는 사상이 발생한 경우에도 실행할 수 있다. 혹은, 세정 처리 유닛(SS1)에서 다른 변수에 대응하는 사상이 발생한 경우에도 대응할 수 있다. 예를 들어, 도 19(b)에 도시하는 바와 같이, 스핀 척(111)에 에러가 발생한 경우에는, 하위 계층 테이블 SS1-1-V3을 참조하여, 애초에 세정 처리 유닛(SS1)에서 기판 처리할 예정이었던 기판(W)을 다른 유닛으로 반송하는 처리가 행해진다.
또, 상기 실시 형태에서는, 기판 처리 유닛의 상태를 검출한 결과(구체적으로는, 노즐(113)에 에러가 발생했다고 하는 것을 검출한 결과)에 따라, 기판 처리 스케줄이 재설정되는 양태에 대해 설명했는데, 이에 한정되는 것은 아니다. 기판 반송 수단(인덱서 로봇(IR), 센터 로봇(CR) 등)의 상태를 검출한 결과에 따라, 기판 처리 스케줄이 재설정되어도 된다.
제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서는, 실행 중의 레시피를 필요에 따라 다른 레시피로 교체함으로써 기판 처리 장치에서의 처리가 가능한 한 중단되지 않도록 하고 있다. 이에 의해 장치의 가동률이 향상하기 때문에, 장치의 스루풋을 개선할 수 있다.
제1 실시 형태에 있어서, 기판 처리 장치(1)로서 스크럽 세정 처리 장치를 예로 스케줄을 작성하는 구성을 설명했는데, 본 발명에 있어서의 기판 처리 장치(1)는 스크럽 세정 처리 장치에 한정되는 것이 아닌, 브러쉬 세정을 수반하지 않는 매엽 기판 세정 장치나, 냉각 처리 장치나 건조 처리 장치 등 여러 가지의 기판 처리 장치에 이용하는 것이 가능하다.
1 기판 처리 장치
2 인덱서 구획
3 처리 구획(처리부)
4 캐리어 유지부
11 표면 세정 처리부
12 이면 세정 처리부
60 제어부(스케줄 작성 장치)
CR 센터 로봇(반송 수단)
71 스케줄링 기능부
72 처리 실행부
73 레시피 제어부
PASS 기판 재치부
RT1 반전 유닛
RT2 반전 수도 유닛
SS(SS1~SS8) 표면 세정 처리 유닛(기판 처리 유닛)
SSR(SSR1~SSR8) 이면 세정 처리 유닛(기판 처리 유닛)

Claims (8)

  1. 기판 처리하는 기판 처리 유닛을 가지는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법으로서,
    기판을 기판 처리하기 위한 레시피를 지정하는 레시피 지정 단계와,
    상기 레시피에 의거하여, 상기 기판 처리 유닛에서의 기판 처리를 포함하는 기판 처리 스케줄을 설정하는 스케줄 설정 단계와,
    상기 기판 처리 유닛의 상태를 검출하는 검출 단계와,
    상기 검출 단계의 결과 검출된 상기 기판 처리 유닛의 상태와 상기 레시피에 의거하여, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는 교체 여부 판단 단계와,
    상기 레시피의 다른 레시피로의 교체가 필요하다고 판단된 경우에는, 상기 레시피를 다른 레시피로 교체하고, 상기 교체 후의 레시피에 의거하여 상기 기판 처리 스케줄을 재설정하는 스케줄 재설정 단계와,
    재설정된 기판 처리 스케줄에 따라, 상기 기판의 기판 처리를 실행하는 기판 처리 단계를 가지는, 기판 처리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 검출 단계에서는, 상기 유닛에 배치된 노즐의 상태를 검출하고,
    상기 교체 여부 판단 단계에서는, 상기 레시피가 상기 노즐을 사용하는지 아닌지에 따라, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는, 기판 처리 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 검출 단계에서는, 상기 기판 처리 유닛이 마지막에 세정되고 난 후의 상기 기판 처리 유닛에서의 기판 처리 장수를 검출하고,
    상기 교체 여부 판단 단계에서는, 상기 기판 처리 장수에 따라, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는, 기판 처리 방법.
  4. 기판 처리하는 기판 처리 유닛과 상기 기판 처리 유닛에 대해 기판을 반송하는 기판 반송 수단을 가지는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법으로서,
    기판 처리하기 위한 레시피를 지정하는 레시피 지정 단계와,
    상기 레시피에 의거하여, 상기 기판 반송 수단에 의한 상기 기판의 반송과 상기 기판 처리 유닛에 의한 상기 기판의 기판 처리를 포함하는 기판 처리 스케줄을 설정하는 스케줄 설정 단계와,
    상기 기판 반송 수단의 상태를 검출하는 검출 단계와,
    상기 검출 단계의 결과 검출된 상기 기판 반송 수단의 상태와 상기 레시피에 의거하여, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는 교체 여부 판단 단계와,
    상기 레시피의 다른 레시피로의 교체가 필요하다고 판단된 경우에는, 상기 레시피를 다른 레시피로 교체하고, 상기 교체 후의 레시피에 의거하여 상기 기판 처리 스케줄을 재설정하는 스케줄 재설정 단계와,
    재설정된 기판 처리 스케줄에 따라, 상기 기판의 반송과 기판 처리를 실행하는 단계를 가지는, 기판 처리 방법.
  5. 기판 처리하는 기판 처리 유닛을 가지는 기판 처리 장치로서,
    기판을 기판 처리하기 위한 레시피를 지정하는 레시피 지정 수단과,
    상기 레시피에 의거하여, 상기 기판 처리 유닛에서의 기판 처리를 포함하는 기판 처리 스케줄을 설정하는 스케줄 설정 수단과,
    상기 기판 처리 유닛의 상태를 검출하는 검출 수단과,
    상기 검출 수단에 의해 검출된 상기 기판 처리 유닛의 상태와 상기 레시피에 의거하여, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는 교체 여부 판단 수단과,
    상기 교체 여부 판단 수단에 의해 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체가 필요하다고 판단된 경우에는, 상기 레시피를 다른 레시피로 교체하고, 상기 교체 후의 레시피에 의거하여 상기 기판 처리 스케줄을 재설정하는 스케줄 재설정 수단과,
    재설정된 기판 처리 스케줄에 따라, 상기 기판의 기판 처리를 실행하는 처리 실행 수단을 가지는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 검출 수단은, 상기 유닛에 배치된 노즐의 상태를 검출하는 수단이며,
    상기 교체 여부 판단 수단은, 상기 레시피가 상기 노즐을 사용하는지 아닌지에 따라, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,
    상기 검출 수단은, 상기 기판 처리 유닛이 마지막에 세정되고 난 후의 상기 기판 처리 유닛에서의 기판 처리 장수를 검출하는 수단이며,
    상기 교체 여부 판단 수단은, 상기 기판 처리 장수에 따라, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는, 기판 처리 장치.
  8. 기판 처리하는 기판 처리 유닛과 상기 기판 처리 유닛에 대해 기판을 반송하는 기판 반송 수단을 가지는 기판 처리 장치로서,
    기판 처리하기 위한 레시피를 지정하는 레시피 지정 수단과,
    상기 레시피에 의거하여, 상기 기판 반송 수단에 의한 상기 기판의 반송과 상기 기판 처리 유닛에 의한 상기 기판의 기판 처리를 포함하는 기판 처리 스케줄을 설정하는 스케줄 설정 수단과,
    상기 기판 반송 수단의 상태를 검출하는 검출 수단과,
    상기 검출 수단에 의해 검출된 상기 기판 반송 수단의 상태와 상기 레시피에 의거하여, 상기 레시피의 다른 레시피로의 교체 여부를 판단하는 교체 여부 판단 수단과,
    상기 레시피의 다른 레시피로의 교체가 필요하다고 판단된 경우에는, 상기 레시피를 다른 레시피로 교체하고, 상기 교체 후의 레시피에 의거하여 상기 기판 처리 스케줄을 재설정하는 스케줄 재설정 수단과,
    재설정된 기판 처리 스케줄에 따라, 상기 기판의 반송과 기판 처리를 실행하는 처리 실행 수단을 가지는, 기판 처리 장치.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190026474A (ko) * 2017-09-05 2019-03-13 세메스 주식회사 자동 연속 테스트 시스템 및 방법
KR20210039454A (ko) * 2018-09-13 2021-04-09 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210042382A (ko) * 2018-09-20 2021-04-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
KR20210042381A (ko) * 2018-09-20 2021-04-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI612259B (zh) * 2016-02-26 2018-01-21 財團法人工業技術研究院 加熱設備以及加熱方法
US10783290B2 (en) * 2017-09-28 2020-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. IC manufacturing recipe similarity evaluation methods and systems
US20220346293A1 (en) * 2019-03-12 2022-10-27 Fuji Corporation Management device, mobile work device, mounting system, and management method
JP7303678B2 (ja) * 2019-07-08 2023-07-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123734A (ja) 2005-10-31 2007-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0837156A (ja) 1994-07-21 1996-02-06 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の保守方法
JP3892493B2 (ja) * 1995-11-29 2007-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JP3773626B2 (ja) 1997-06-30 2006-05-10 住友精密工業株式会社 両面洗浄ユニット及びこれを用いたウエット処理装置
KR20020004732A (ko) 2000-07-07 2002-01-16 윤종용 마이크로 스크래치를 예방하는 연마 패드의 세정 방법
JP4149166B2 (ja) 2002-01-08 2008-09-10 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
KR100877472B1 (ko) * 2002-01-22 2009-01-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 처리방법 및 기판의 처리장치
JP3862596B2 (ja) * 2002-05-01 2006-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
US7174232B2 (en) * 2003-10-30 2007-02-06 Agency For Science, Technology And Research Job release with multiple constraints
US7308329B2 (en) * 2004-12-28 2007-12-11 Olympus Corporation Method and apparatus for inspecting semiconductor wafer
JP4900904B2 (ja) 2006-02-28 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理条件変更方法及び記憶媒体
US20070199655A1 (en) * 2006-02-28 2007-08-30 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, method for modifying substrate processing conditions and storage medium
JP5165878B2 (ja) 2006-10-20 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
JP2008135517A (ja) 2006-11-28 2008-06-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
US20090326704A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 International Business Machines Corporation Processing lots through a cluster tool having multiple processing chambers
US8655472B2 (en) * 2010-01-12 2014-02-18 Ebara Corporation Scheduler, substrate processing apparatus, and method of transferring substrates in substrate processing apparatus
JP6301083B2 (ja) * 2012-09-12 2018-03-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びレシピの作成方法
JP5928283B2 (ja) * 2012-09-28 2016-06-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP5998010B2 (ja) * 2012-10-24 2016-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システム、基板処理装置の制御方法、プログラムおよび記録媒体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123734A (ja) 2005-10-31 2007-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190026474A (ko) * 2017-09-05 2019-03-13 세메스 주식회사 자동 연속 테스트 시스템 및 방법
KR20210039454A (ko) * 2018-09-13 2021-04-09 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210042382A (ko) * 2018-09-20 2021-04-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
KR20210042381A (ko) * 2018-09-20 2021-04-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템
KR20230101941A (ko) * 2018-09-20 2023-07-06 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
US11822318B2 (en) 2018-09-20 2023-11-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method

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