KR20160091886A - 에폭시 수지 조성물, 반도체 봉지제 및 반도체 장치 - Google Patents

에폭시 수지 조성물, 반도체 봉지제 및 반도체 장치 Download PDF

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KR20160091886A
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Abstract

에폭시 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지와, (B) 경화제와, (C) 0.1∼10질량％의 평균 입경 10∼100㎚인 실리카 필러와, (D) 40∼75질량％의 평균 입경 0.3㎛∼5㎛인 실리카 필러를 포함하고, 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분을 합계로 40.1∼77질량％ 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

에폭시 수지 조성물, 반도체 봉지제 및 반도체 장치{EPOXY RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SEALING AGENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
〈크로스·레퍼런스〉
본원은 2013년 11월 29일에 출원된 일본 특허출원 「특허출원 2013-247267」에 기초하는 우선권을 주장함과 함께, 참조에 의해 그 내용을 포함한다.
본 발명은 에폭시 수지 조성물, 반도체 봉지제 및 반도체 장치에 관한 것이다.
반도체 소자(반도체 칩)를 기판 (또는 패키지)에 실장하는 방법 중 하나로 플립 칩 실장이 있다. 플립 칩 실장은 반도체 소자와 기판을 범프(땜납 볼)를 사용하여, 전기적으로 접속하는 기술이다. 범프의 주변을 보강하기 위해, 반도체 소자와 기판 사이에는 수지 조성물(이른바, 언더필제)이 충전된다.
반도체 소자의 실장에 있어서, 기판 표면과 봉지제의 젖음성을 개선하기 위해, 봉지제의 도포 전에 기판의 플라스마 처리가 행해지고 있다. 그러나, 플라스마 처리가 이루어진 기판에 봉지제를 도포하면, 봉지제 유래의 액상 성분이 반도체 소자 주변에 배어 나오는 「블리드」라고 불리는 현상이 발생하는 경우가 있었다. 블리드는 외관 불량뿐 아니라, 전극의 도전성 불량을 일으키는 경우가 있었다.
상기 문제를 해결하기 위해, 다양한 수지 조성물이 개발되고 있다. 특허문헌 1은 카르복실기 또는 아미노기를 갖는 액상 실리콘 화합물을 포함하는 액상 봉지 수지 조성물을 개시하고 있다. 특허문헌 2는 실리콘 고무 미세 분말을 포함하는 절연성 페이스트를 개시하고 있다.
특허문헌 3 및 4는 메타크릴산알킬 공중합체, 비반응성 유기 규소 화합물로 표면 처리된 무기 충전제 및 변성 실리콘 수지를 함유하는 사이드필재를 개시하고 있다.
일본 공개특허공보 2006-219575호 일본 공개특허공보 평05-174629호 일본 공개특허공보 2005-36069호 일본 공개특허공보 2005-105243호
이에 대해, 본 발명은 보다 간단한 조성을 갖고, 또한 블리드의 억제에 우수한 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
본 발명은 (A) 에폭시 수지와, (B) 경화제와, (C) 0.1∼10질량％의 평균 입경 10∼100㎚인 실리카 필러와, (D) 40∼75질량％의 평균 입경 0.3㎛∼5㎛인 실리카 필러를 포함하고, 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분을 합계로 40.1∼77질량％ 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분 중 적어도 한 쪽이 실란 커플링제로 표면 처리되어 있어도 된다.
상기 (D) 성분이 식(1)의 식으로 나타내는 아미노실란에 의해 표면 처리되어 있어도 된다.
Figure pct00001
상기 (A) 성분과 상기 (B) 성분의 당량비가 0.5∼1.8이어도 된다.
상기 (B) 성분이 아민 경화제여도 된다.
상기 (A) 성분이 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 및 아미노페놀형 에폭시 수지 중 적어도 하나를 포함해도 된다.
상기 에폭시 수지 조성물의 경화물의 블리드 시험에 있어서 발생하는 블리드가 300㎛ 이상 1900㎛ 미만이어도 된다.
이 에폭시 수지 조성물은 상기 (A) 성분의 적어도 일부에 상기 (C) 성분을 혼합함으로써 마스터 배치를 생성하고, 당해 마스터 배치에 기타 성분을 혼합하여 제조되어도 된다.
또한, 본 발명은 상기의 에폭시 수지 조성물을 사용한 반도체 봉지제를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기의 반도체 봉지제를 사용한 반도체 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 보다 간단한 조성을 갖는 에폭시 수지 조성물을 사용하여 블리드를 억제할 수 있다.
도 1a는 블리드를 설명하는 도면이다.
도 1b는 블리드를 설명하는 도면이다.
1. 블리드에 대해
도 1a 및 b는 반도체 소자의 실장에 있어서 발생한 블리드를 설명하는 도면이다. 여기서는, 기판(1) 위에 반도체 소자(2)를 언더필제에 의해 접합한 예를 나타내고 있다. 도 1a는 칩 상면으로부터 본 도면을 나타내고 있다. 도 1b는 도 1a의 A-A 단면을 나타내고 있다. 반도체 소자(2)의 주변에 언더필제(UF)(봉지제)가 적층된 부분(이하, 「필렛」이라고 한다)이 있다. 그 외측에 발생되어 있는 것이 블리드이다. 블리드는 외관상 변색되어 보일 뿐 아니라, 장치의 특성 및 신뢰성에 영향을 주는 경우가 있다.
블리드의 발생 원인을 조사하기 위해, 본 발명자들은 기판 위에 반도체 소자를 실장함으로써 제작한 시료 위의 블리드부 및 비블리드부를 SEM(Scanning Electron Microscope)으로 관찰하였다. 이 시료의 제작에는 봉지제로서, 에폭시 수지, 경화제, 실리카 필러 및 기타 첨가물을 포함하는 조성물이 사용되었다. 그 결과, 블리드부에는 실리카 필러가 존재하지 않는 것을 알 수 있었다. 또한, 발명자들은 블리드부 및 비블리드부를 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)로 해석하였다. 그 결과, 블리드부와 비블리드부에서, 실리카 필러를 제외하면 특별한 성분의 차이는 관찰할 수 없었다.
상기의 결과로부터, 블리드는 봉지제 중 실리카 필러 이외의 성분(예를 들면, 에폭시 수지 및 경화제)이 필렛 밖으로 배어 나옴으로써 형성되는 것으로 생각된다. 또한, 봉지제의 도포 전에 플라스마 처리가 이루어진 시료와 플라스마 처리가 이루어지지 않은 시료를 비교하였다. 그 결과, 플라스마 처리가 이루어진 시료에서는 블리드가 발생하였다. 그러나, 플라스마 처리가 이루어지지 않은 시료에서는 블리드가 발생하지 않았다.
이상의 점에서, 본 발명자들은 플라스마 처리에 의해 형성된 기판 표면의 미세한 요철에, 필러 이외의 액상 수지 성분이 모세관 현상에 의해 배어 나옴으로써, 블리드가 발생한다고 생각하였다. 이에, 액상 수지 성분의 모세관 현상에 의한 배어 나옴을 억제하기 위해, 미소한 직경의 필러를 사용하여 액상 수지 성분의 배어 나옴을 막는다고 하는 착상에 이르렀다.
2. 수지 조성물
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지와, (B) 경화제와, (C) 소직경 실리카 필러와, (D) 대직경 실리카 필러를 포함한다.
(A) 성분의 예로서, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 실록산형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지 및 히단토인형 에폭시 수지를 들 수 있다. 이 중, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 및 아미노페놀형 에폭시 수지가 바람직하다. 에폭시 수지 조성물에 있어서, 여기서 예시한 화합물은 단독으로 사용되어도 되고, 2개 이상의 것이 혼합되어 사용되어도 된다.
(B) 성분의 예로서, 아민계 경화제, 산무수물계 경화제 및 페놀계 경화제를 들 수 있다. 봉지용 액상 수지 조성물의 내리플로우성 및 내습성이라는 관점에서, 아민계 경화제가 사용되는 것이 바람직하다. (A) 성분과 (B) 성분의 당량비는 0.5∼1.8인 것이 바람직하다.
(C) 성분 및 (D) 성분의 예로서, 비정질 실리카, 결정성 실리카, 용융 실리카, 분쇄 실리카 및 나노 실리카를 들 수 있다. 경화 후의 수지 조성물의 열팽창 계수라는 관점에서 비정질 실리카가 사용되는 것이 바람직하다. (C) 성분 및 (D) 성분의 형상의 예로서, 구형, 비늘형 및 부정형을 들 수 있다. 수지 조성물의 유동성이라는 관점에서 구형의 것이 사용되는 것이 바람직하다. (C) 성분 및 (D) 성분의 평균 입경은, 예를 들면, 동적 광산란식 나노 트랙 입도 분석계에 의해 측정된다. 또한, 여기서 말하는 평균 입경은 D50(메디안 직경)이다.
(C) 성분 및 (D) 성분 중 적어도 한 쪽이 실란 커플링제로 표면 처리되어 있어도 된다. 표면 처리에 사용되는 실란 커플링제로는, 에폭시계, 메타크릴계, 아미노계, 비닐계, 글리시독시계 및 메르캅토계 등 각종 실란 커플링제를 들 수 있다. 이 중, (D) 성분의 표면 처리에는 다음 식(1)의 아미노실란이 사용되는 것이 바람직하다.
Figure pct00002
에폭시 수지 조성물은 (A), (B), (C), 및 (D) 성분을 비롯하여, 이온 트랩제, 안료, 염료, 소포제, 응력 완화제, pH 조정제, 촉진제, 계면활성제 및 커플링제 등의 첨가제를 포함해도 된다.
에폭시 수지 조성물은, 예를 들면, (A) 성분∼(D) 성분 및 기타 첨가제 등을 동시에 또는 개별적으로, 필요에 따라 가열 처리를 가하면서, 교반, 용융, 혼합, 혹은 분산시킴으로써 제조된다. 이들 혼합, 교반 및 분산 등의 방법은 특별히 한정되지 않는다. 교반 및 가열 장치를 구비한 라이카이기, 3본 롤 밀, 볼 밀, 플래니터리 믹서, 혹은 비즈 밀 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 장치를 조합하여 사용해도 된다. 여기서, (A) 성분과 (C) 성분을 혼합함으로써 마스터 배치를 제조해도 된다. 얻어진 마스터 배치를 기타 성분과 혼합함으로써, 에폭시 수지 조성물을 제조할 수 있다.
또한, 에폭시 수지 조성물은 후술하는 블리드 시험에 있어서, 발생하는 블리드가 300 이상 1900 미만의 값을 나타내는 것이 바람직하다.
에폭시 수지 조성물은 반도체 소자 등의 전자 디바이스를 플립 칩 실장 또는 BGA(Ball Grid Array)/CSP(Chip Size Package) 실장할 때의 봉지제(언더필제)로서 사용할 수 있다. 이 에폭시 수지 조성물은 전자 디바이스를 기판 혹은 패키지에 접착할 때의 접착제로서 사용되어도 된다.
플립 칩 실장 또는 BGA/CSP 실장시에, 우선 반도체 소자와 기판 (또는 패키지)이 접합된다. 이어서, 반도체 소자와 기판의 간극에 봉지제가 주입된다. 구체적으로는, 반도체 소자의 외주를 따라 봉지제가 도포된다. 봉지제는 모세관 현상에 의해 간극 내에 퍼진다. 따라서, 봉지제는 이 프로세스가 행해지는 온도에서 액상인 것이 바람직하다. 주입된 봉지제는 가열(예를 들면, 80∼165℃)에 의해 열경화된다.
실시예
3. 실시예
3-1. 에폭시 수지 조성물의 제조
표 1∼4는 실시예 1∼25 및 비교예 1∼6에서 봉지제로서 사용된 에폭시 수지 조성물의 조성을 나타낸다. 또한, 이들 표는 후술하는 봉지제로서의 에폭시 수지 조성물의 평가 결과도 나타낸다. 표 1∼4에 있어서, 에폭시 수지 조성물의 조성은 당량비를 제외하고 질량％로 표시되어 있다.
표 중의 (A) 성분으로는, 에폭시 수지(a1∼a5) 중 어느 것이 사용되었다. 에폭시 수지(a1)로는, 신닛테츠 스미킨 화학 주식회사 제조의 YDF8170이 사용되었다. 에폭시 수지(a2)로는, DIC 주식회사 제조의 850CRP가 사용되었다. 에폭시 수지(a3)으로는, DIC 주식회사 제조의 HP-4032D가 사용되었다. 에폭시 수지(a4)로는, 미츠비시 화학 주식회사 제조의 jer630이 사용되었다. 에폭시 수지(a5)로는, 토토 화성 주식회사 제조의 ZX1658GS가 사용되었다.
표 중의 (B) 성분으로는, 경화제(b1∼b5) 중 어느 것이 사용되었다. 경화제(b1∼b3)은 아민계 경화제이다. 경화제(b4)는 산무수물계 경화제이다. 경화제(b5)는 페놀계 경화제이다. 경화제(b1)로는, 닛폰 화약 주식회사 제조의 카야하드 AA가 사용되었다. 경화제(b2)로는, 주식회사 아데카 제조의 EH105L이 사용되었다. 경화제(b3)으로는, 앨버말(Albermarle)사 제조의 ETHACURE100이 사용되었다. 경화제(b4)로는, 미츠비시 화학 주식회사 제조의 YH307이 사용되었다. 경화제(b5)로는, 메이와 화성 주식회사 제조의 MEH-8005가 사용되었다.
표 중의 (C) 성분으로는, 주식회사 아드마텍스 제조의 YA010C(평균 입경: 10㎚), YA050C(평균 입경: 50㎚) 및 YC100C(평균 입경: 100㎚) 중 어느 것이 사용되었다. 상기 평균 입경은 메디안 직경(D50)이다. 또한, 이 평균 입경은 전계 방사형 주사 전자현미경(FE-SEM)에 의해 측정된 값이다.
표 중의 (D) 성분으로는, 우베 엑시모 주식회사 제조의 하이프레시카 0.2㎛(평균 입경: 0.2㎛), 주식회사 아드마텍스 제조의 SE-1050(평균 입경: 0.3㎛), SE-2300(평균 입경: 0.6㎛), SE-4050(평균 입경: 1㎛) 및 덴키 화학 공업 주식회사 제조의 FB-5D(평균 입경: 5㎛)가 사용되었다. 상기 평균 입경은 메디안 직경(D50)이다. 또한, 이 평균 입경은 레이저 회절 산란식 입도 분포계에 의해 측정된 값이다.
상기 (D) 성분의 표면 처리제로는, 표면 처리제(e1∼e3) 중 어느 것이 사용되었다. 표면 처리제(e1)로는, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조의 KBM403(3-글리시독시프로필트리메톡시실란)이 사용되었다. 표면 처리제(e2)로는, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조의 KBM503(3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란)이 사용되었다. 표면 처리제(e3)으로는, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조의 KBE9103(3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민)이 사용되었다.
상기 (A)∼(D) 성분 외에, 경화 촉진제로서 시코쿠 화성 주식회사 제조의 2P4MZ가 사용되었다.
3-2. 평가 방법
실시예 1∼25 및 비교예 1∼6에서 사용된 에폭시 수지 조성물에 대해, 이하의 평가를 행하였다.
3-2-1. 블리드 시험
시료로서 솔더 레지스트(PSR4000 AUS703)가 형성된 유기 기판(FR-4 기판)을 사용하였다. 우선 시료를 150℃에서 1시간 건조시켰다. 이어서, 이 시료를 플라스마 처리하였다. 플라스마 처리의 조건은 이하와 같다.
가스 종류: Ar
가스 유량: 21sccm
공급 전력: 400W
처리 시간: 300sec
이 시료에 대해, 상기 봉지제로서의 에폭시 수지 조성물(평가용 시료)을 0.5㎎ 적하(도포)하였다. 적하 후, 150℃로 2시간의 조건에서 봉지제를 열경화시켰다. 경화 후, 발생한 블리드의 길이를 측정하였다.
3-2-2. 점도
브룩필드 회전 점도계를 이용하여, 50rpm으로 25℃에 있어서의 상기 에폭시 수지 조성물의 점도를 측정하였다.
3-2-3. TI(틱소트로픽 인덱스)값
5rpm 및 50rpm으로 상기 에폭시 수지 조성물의 점도를 측정하였다. 측정된 5rpm에 있어서의 점도의 값을 50rpm에 있어서의 점도의 값으로 나눈 값을 TI값으로 하였다.
3-2-4. 주입성
110℃에 있어서, 20㎛의 갭(간극)에 상기 에폭시 수지 조성물을 주입하였다. 주입된 에폭시 수지 조성물이 입구로부터 20㎜의 위치에 도달할 때까지의 시간을 측정하였다. 도달까지의 시간이 짧을수록 주입성이 양호하다는 것을 나타내고 있다. 여기서, 주입성의 란에 있는 「×」라는 기재는 에폭시 수지 조성물이 20㎜의 위치까지 도달하지 않은 것(즉, 불량인 것)을 의미한다.
3-2-5. 접착성
FR-4 위에 상기 봉지제로서의 에폭시 수지 조성물(평가용 시료)을 약 0.5㎎ 포팅하였다. 이 봉지제 위에 가로세로 2㎜의 실리콘 칩을 올려 놓았다. 이 상태로, 실리콘 칩을 실온에서 5min 방치하였다. 그 후, 송풍 건조기를 이용하여, 150℃로 120분의 조건에서 봉지제를 경화시켰다. 이와 같이 하여 얻어진 시험편에 대해, 접착 강도를 탁상형 강도 측정기(아이코 엔지니어링(주) 제조 1605HTP)를 이용하여 측정하였다. 여기서, 10회의 측정에 의해 얻어진 측정값의 평균값을 검사값으로 하였다.
3-3. 평가 결과
Figure pct00003
비교예 1은 (C) 성분이 첨가되지 않은 에폭시 수지 조성물을 사용한 예를 나타내고 있다. (C) 성분을 첨가하지 않는 경우, 시료의 블리드 길이는 2000㎛였다. 이하, 이것을 기준으로, 1900㎛ 이상의 블리드 길이를 나타내는 시료를 블리드 시험에 있어서 불량으로 판정하였다. 실시예 1∼4 및 비교예 1∼3은 (C) 성분의 함유량이 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. 수지 조성물 전체량에 대한 (C) 성분의 함유량이 증가할수록, 블리드 길이가 짧아진다. (C) 성분의 함유량이 0.1질량％ 이상이 되면, 블리드 길이가 1900㎛ 미만이 된다. 즉, (C) 성분의 함유량이 0.1질량％ 이상이 되면, 블리드가 억제되었다. 다만, (C) 성분의 함유량이 11질량％가 되면 점도가 121Pa·s가 되었다. 따라서, 봉지제로서의 적당한 점도라는 관점에서, (C) 성분의 함유량은 10질량％ 이하인 것이 바람직하다. 따라서, 에폭시 수지 조성물 전체량에 대한 (C) 성분의 함유량은 0.1∼10질량％인 것이 바람직하다.
실시예 2, 5 및 6, 및 비교예 4는 (C) 성분의 평균 입경이 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. 또한, 비교예 4에 있어서는, (C) 성분을 대신하여 평균 입경 0.2㎛(즉, 200㎚)인 (D) 성분을 사용하고 있다. (C) 성분의 평균 입경이 작아지면, 블리드 길이가 짧아진다. (C) 성분의 평균 입경이 200㎚ 이상이 되면, 블리드 시험에 있어서 불량이 발생한다. 한편, 평균 입경이 10∼100㎚의 범위에 있을 때는 블리드가 억제되었다. 또한, 실시예 2는 이하 때때로 언급되므로, 설명의 편의를 위해 표 1∼4에 실시예 2가 반복적으로 기재되어 있다.
Figure pct00004
비교예 5, 및 실시예 2, 7 및 8은 (D) 성분의 평균 입경이 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. (D) 성분의 평균 입경이 커지면, 점도가 개선된다. (D) 성분의 평균 입경이 0.2㎛ 이하가 되면, 점도가 179Pa·s가 되었다. 봉지제로서의 적당한 점도라는 관점에서, (D) 성분의 평균 입경은 0.3㎛ 이상인 것이 바람직하다.
실시예 2 및 9∼12, 및 비교예 6은 (D) 성분의 함유량이 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. (D) 성분의 함유량이 적어지면, 주입성이 향상된다. (D) 성분의 함유량이 40∼75질량％의 범위에 있을 때 양호한 주입성이 나타나며, 또한 블리드도 억제되었다. 그러나, (D) 성분의 함유량이 76질량％ 이상이 되면, 주입성 시험에 있어서 불량이 발생한다. 따라서, 봉지제로서의 적당한 주입성이라는 관점에서, (D) 성분의 함유량이 75질량％ 이하인 것이 바람직하다. 또한, (C) 성분 및 (D) 성분은 수지 조성물의 전체량에 대해 합계로 40.1∼77질량％ 포함되는 것이 바람직하다.
Figure pct00005
실시예 2 및 13∼15는 (D) 성분의 표면 처리제가 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. 표면 처리를 행함으로써, 블리드가 더욱 억제된다. 또한, 표면 처리제(e1)을 사용함으로써, 점도 및 주입성이 개선되었다.
실시예 2, 16, 및 17은 에폭시 수지((A) 성분)와 경화제((B) 성분)의 당량비가 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. 당량비가 0.5∼1.8의 범위에 있을 때, 블리드가 억제되고 있다.
Figure pct00006
실시예 2 및 18∼21은 (A) 성분이 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. 에폭시 수지(a1∼a5) 중 어느 것을 사용해도, 블리드가 억제되어 있다.
실시예 2 및 22∼25는 (B) 성분이 변화하고 있는 예를 나타내고 있다. 경화제(b1∼b5) 중 어느 것을 사용해도, 블리드가 억제되어 있다.
또한, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 이하의 제1 내지 제8 에폭시 수지 조성물이어도 된다.
상기 제1 에폭시 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지와, (B) 경화제와, (C) 0.1∼10질량％의 평균 입경 10∼100㎚인 실리카 필러와, (D) 40∼75질량％의 평균 입경 0.3㎛∼5㎛인 실리카 필러를 갖고, 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분을 합계로 40.1∼77질량％ 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물이다.
상기 제2 에폭시 수지 조성물은 상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분의 적어도 한 쪽이 실란 커플링제로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 제1 에폭시 수지 조성물이다.
상기 제3 에폭시 수지 조성물은 상기 (D) 성분이 식(1)의 구조의 아미노실란으로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 제1 또는 제2의 에폭시 수지 조성물이다.
Figure pct00007
상기 제4 에폭시 수지 조성물은 상기 (A) 성분과 상기 (B) 성분의 당량비가 0.5∼1.8인 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제3 중 어느 하나에 기재된 에폭시 수지 조성물이다.
상기 제5 에폭시 수지 조성물은 상기 (B) 성분이 아민 경화제인 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제4 중 어느 하나의 에폭시 수지 조성물이다.
상기 제6 에폭시 수지 조성물은 상기 (A) 성분이 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제5 중 어느 하나의 에폭시 수지 조성물이다.
상기 제7 에폭시 수지 조성물은 경화물의 블리드 시험에 있어서, 발생하는 블리드가 300㎛ 이상 1900㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제6 중 어느 하나의 에폭시 수지 조성물이다.
상기 제8 에폭시 수지 조성물은 상기 (A) 성분의 적어도 일부에 상기 (C) 성분을 혼합해 마스터 배치를 생성하고, 당해 마스터 배치에 기타 성분을 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 상기 제1 내지 제7 중 어느 하나의 에폭시 수지 조성물이다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 봉지제는 상기 제1 내지 제8 중 어느 하나의 에폭시 수지 조성물을 사용한 반도체 봉지제여도 된다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 장치는 상기 제9의 반도체 봉지제를 사용한 반도체 장치여도 된다.

Claims (10)

  1. (A) 에폭시 수지와,
    (B) 경화제와,
    (C) 0.1∼10질량％의 평균 입경 10∼100㎚인 실리카 필러와,
    (D) 40∼75질량％의 평균 입경 0.3㎛∼5㎛인 실리카 필러를 포함하고,
    상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분을 합계로 40.1∼77질량％ 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (C) 성분 및 상기 (D) 성분 중 적어도 한 쪽이 실란 커플링제로 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (D) 성분이 식(1)의 구조식으로 나타내는 아미노실란에 의해 표면 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pct00008
    .
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (A) 성분과 상기 (B) 성분의 당량비가 0.5∼1.8인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (B) 성분이 아민 경화제인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (A) 성분이 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 및 아미노페놀형 에폭시 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 에폭시 수지 조성물의 경화물의 블리드 시험에 있어서, 발생하는 블리드가 300㎛ 이상 1900㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (A) 성분의 적어도 일부에 상기 (C) 성분을 혼합함으로써 마스터 배치를 생성하고, 당해 마스터 배치에 기타 성분을 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 에폭시 수지 조성물을 사용한 반도체 봉지제.
  10. 제 9 항의 반도체 봉지제를 사용한 반도체 장치.
KR1020167010974A 2013-11-29 2014-11-28 에폭시 수지 조성물, 반도체 봉지제 및 반도체 장치 KR102197914B1 (ko)

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