KR20160086857A

KR20160086857A - 전자빔 증발원 및 진공 증착 장치

Info

Publication number: KR20160086857A
Application number: KR1020167014265A
Authority: KR
Inventors: 이세이 우시로다; 타로 야지마; 켄이치 이소노
Original assignee: 가부시키가이샤 아루박
Priority date: 2014-12-10
Filing date: 2015-12-04
Publication date: 2016-07-20
Also published as: KR101849030B1; JP6195662B2; WO2016092788A1; TW201631188A; TWI609094B; JPWO2016092788A1; CN105874097A; CN105874097B

Abstract

광범위하게 비산(飛散)하는 반사 전자를 안정적으로 포착하는 것이 가능한 전자빔 증발원 및 그것을 구비한 진공 증착 장치를 제공한다.
상기 전자빔 증발원은, 증발 재료 보지부와, 전자총과, 자기 회로부를 구비한다. 상기 증발 재료 보지부는, 제1 증발 재료를 보지(保持)하는 것이 가능한 제1 보지 영역을 가진다. 상기 전자총은, 상기 제1 보지 영역과 상기 제1 축 방향으로 나란히 배치되어, 상기 제1 보지 영역에 대해 전자빔을 출사하는 것이 가능하게 구성된다. 상기 자기 회로부는, 연자성(軟磁性) 재료로 구성된 자성판과, 상기 전자빔이 제1 증발 재료에서 반사한 반사 전자를 상기 자성판을 향해 편향시키는 것이 가능한 반사 전자 편향 부재를 가지고, 상기 전자총과 상기 제1 보지 영역을 사이에 두고 상기 제1 축 방향으로 나란히 배치된다.

Description

전자빔 증발원 및 진공 증착 장치{ELECTRON BEAM EVAPORATION SOURCE AND VACUUM DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은, 전자빔 증발원 및 그것을 구비한 진공 증착 장치에 관한 것이다.

진공 증착법은, 박막을 효율 좋게 형성하는 방법으로서, 폭넓은 분야에서 이용되고 있다. 박막을 형성하는 재료(증발 재료, 증착 재료라고 불린다.)를 증발시키기 위한 가열원으로서, 전자빔, 저항 가열, 유도 가열, 이온 빔 등이 이용된다. 전자빔에 의한 가열은, 고융점 금속이나 산화물 등, 많은 재료에 적용되고, 또한, 전자빔에 의한 가열 방식의 경우, 증발 재료 및 도가니 등에 의한 컨태미네이션(contamination)이 적다. 이러한 이유로부터, 전자빔 가열 방식은, 복수의 증발 재료를 하나의 증발원으로 수용하여, 이러한 증발 재료로 이루어진 적층막을 형성하는 경우 등에도 이용된다.

한편, 전자빔이 증발 재료에 조사되는 것에 의해, 반사 전자가 발생하는 것이 알려져 있다. 이러한 반사 전자가 기판에 도달한 경우, 기판의 온도를 상승시켜, 막질 등에 문제가 생길 가능성이 있다. 그래서, 인용문헌 1에는, 개구부와, 양측으로 배치된 요크재를 구비한 상자 모양의 반사 전자 트랩이 기재되어 있다. 반사 전자 트랩은, 개구부로부터 들어온 반사 전자를, 해당 요크재에 근거한 자장에 의해 편향시켜, 상면 및 하면에 충돌시켜 포착한다.

특허문헌 1: 일본 특허 제5280149호

그렇지만, 인용문헌 1에 기재된 반사 전자 트랩은, 개구부에서 벗어난 반사 전자를 트랩할 수 없었다. 또한, 증발원에 수용된 증발 재료 중에 자성 재료가 있던 경우 등에 반사 전자 트랩 주위에 형성될 수 있는 자장의 영향은 고려되어 있지 않았다.

이상과 같은 사정을 감안하여, 본 발명의 목적은, 광범위하게 비산하는 반사 전자를 안정적으로 포착하는 것이 가능한 전자빔 증발원 및 그것을 구비한 진공 증착 장치를 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일형태와 관련되는 전자빔 증발원은, 증발 재료 보지부(保持部)와, 전자총과, 자기 회로부를 구비한다.

상기 증발 재료 보지부는, 제1 증발 재료를 보지(保持)하는 것이 가능한 제1 보지 영역을 가진다.

상기 전자총은, 상기 제1 보지 영역과 상기 제1 축 방향으로 나란히 배치되어, 상기 제1 보지 영역에 대해 전자빔을 출사하는 것이 가능하게 구성된다.

상기 자기 회로부는, 연자성 재료로 구성된 자성판과, 상기 전자빔이 제1 증발 재료에서 반사한 반사 전자를 상기 자성판을 향해 편향시키는 것이 가능한 반사 전자 편향 부재를 가지고, 상기 전자총과 상기 제1 보지 영역을 사이에 두고 상기 제1 축 방향으로 나란히 배치된다.

상기 구성에 의하면, 반사 전자가 자성판을 향해 편향되므로, 반사 전자가 기판에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 반사 전자에 의한 기판의 온도 상승을 방지해, 막질의 열화 등을 방지할 수 있다. 게다가, 자성판이 자기 실드로서의 기능을 가지기 때문에, 자성판 하부에 배치된 자성 재료와 반사 전자 편향 부재와의 상호작용을 방지할 수 있다. 또한, 자기 회로부에 의한 전자빔으로의 자기적인 작용을 방지할 수 있고, 예를 들면 자기 회로부에 의한 전자빔의 빔 스폿(spot)의 변형 등을 방지할 수 있다.

상기 증발 재료 보지부는, 증착 대기 중인 제2 증발 재료를 보지하는 것이 가능한 제2 보지 영역을 더 가지고,

상기 자기 회로부는, 상기 제2 보지 영역과 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향으로 대향해 배치되어도 무방하다.

상기 자성판이 자기 실드로서 기능하는 것에 의해, 제2 증발 재료로서 자성 재료가 포함된 경우여도, 자성 재료가 반사 전자 편향 부재에 의해 흡인되어 떠오르는 등의 불편을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 전자빔 증발원은, 제2 증발 재료의 물성에 관계 없이, 안정되어 운전을 계속할 수 있다.

또한, 상기 전자빔 증발원은,

상기 제1 보지 영역을 노출하는 개구부를 가지고, 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향으로 상기 증발 재료 보지부와 대향해, 전체적으로 평탄하게 구성된 하스 데크(Hearth Deck)를 더 구비해도 무방하다.

상기 하스 데크에 의해, 증착 중에서의 증발 재료 보지부로의 제1 증발 재료의 부착을 방지할 수 있다. 게다가, 하스 데크가 전체적으로 평탄하게 구성되어 있기 때문에, 제1 증발 재료가 증발할 때에 제1 증발 재료가 하스 데크에 부착되기 어렵다. 덧붙여, 만일 제1 증발 재료가 하스 데크에 부착된 경우에도, 평탄하기 때문에 하스 데크의 클리닝을 용이하게 실시할 수 있다. 따라서, 전자빔 증발원의 메인터넌스(maintenance)성도 향상시킬 수 있다.

이 경우에, 상기 자기 회로부는, 상기 증발 재료 보지부와 상기 하스 데크와의 사이에 배치되어도 무방하다.

이에 따라, 자기 회로부에 대한 제1 증발 재료의 부착을 방지할 수 있고, 전자빔 증발원의 메인터넌스성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 자기 회로부가 장애물이 적은 평탄한 하스 데크 상에 자장을 형성할 수 있어, 반사 전자 편향 부재가 보다 확실히 반사 전자를 편향시킬 수 있다.

게다가, 상기 전자빔 증발원은, 상기 하스 데크를 냉각하는 것이 가능한 냉각부를 구비해도 무방하다.

이에 따라, 편향된 반사 전자가 하스 데크 상에 도달한 경우에, 냉각된 하스 데크에 의해 반사 전자의 에너지가 빼앗긴다. 따라서, 하스 데크가 효율적으로 반사 전자를 포착할 수 있다.

또한, 상기 반사 전자 편향 부재는,

상기 제2 축 방향으로 직교하고 제1 극성인 제1 자성면과,

상기 제2 축 방향으로 직교하고, 상기 제1 극성과는 다른 제2 극성인 제2 자성면을 가지고,

상기 제1 자성면과 상기 제2 자성면은, 제1 축 방향 및 상기 제2 축 방향과 직교하는 제3 축 방향에 따라 배열되어도 무방하다.

이에 따라, 반사 전자 편향 부재가, 제1 자성면 및 제2 자성면 중 어느 한쪽에서 다른 한쪽을 향하고, 또한 제2 축 방향 상향으로 볼록(凸)한 곡선이 되는 자력선으로 표현될 수 있는 자장을 형성할 수 있다. 이에 따라, 반사 전자 편향 부재의 제2 축 방향 상향으로 비산한 반사 전자도 편향시킬 수 있어, 보다 많은 반사 전자를 포착할 수 있다.

보다 구체적으로, 상기 반사 전자 편향 부재는,

상기 제1 자성면이 형성된 제1 자석과,

상기 제2 자성면이 형성되어, 상기 제1 자석과 상기 제3 축 방향으로 이간해 배치된 제2 자석을 가져도 무방하다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 다른 형태와 관련되는 진공 증착 장치는, 진공 챔버와, 지지 기구와, 전자빔 증발원을 구비한다.

상기 지지 기구는, 상기 진공 챔버 내에 배치되어, 증착 대상물을 지지하는 것이 가능하게 구성된다.

상기 전자빔 증발원은, 증발 재료 보지부와, 전자총과, 자기 회로부를 가지고, 상기 지지 기구와 상기 제2 축 방향으로 대향해 상기 진공 챔버 내에 배치된다.

상기 증발 재료 보지부는, 제1 증발 재료를 보지하는 것이 가능한 제1 보지 영역을 가진다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태와 관련되는 진공 증착 장치를 나타내는 모식적인 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태와 관련되는 전자빔 증발원의 전체 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은 상기 전자빔 증발원으로부터, 상기 전자빔 증발원에 포함되는 하스 데크를 제거하고, 냉각부의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4는 상기 전자빔 증발원으로부터, 상기 전자빔 증발원에 포함되는 하스 데크 및 냉각부를 제거한 구성을 나타내는 사시도이다.
도 5는 상기 전자빔 증발원의 반사 전자 편향 부재의 개략 평면도이며, A는 Z축 방향으로부터 본 도면, B는 X축 방향으로부터 본 도면이다.
도 6은 상기 반사 전자 편향 부재에 의해 만들어지는 자속을 나타내는 사시도이다.
도 7은 상기 제1 실시 형태의 반사 전자 편향 부재의 다른 구성예를 Z축 방향으로부터 본 개략 평면도이다.
도 8은 상기 제1 실시 형태의 비교예와 관련되는 전자빔 증발원의 전체 구성을 나타내는 사시도이다.
도 9는 상기 제1 실시 형태의 실험예에서, 진공 증착 장치의 챔버 내의 기판 및 온도 센서를 배치한 위치를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 10은 실험예 1-1의 결과를 나타내는 그래프이며, 실시예 1의 결과를 나타낸다.
도 11은 실험예 1-1의 결과를 나타내는 그래프이며, 비교예 1의 결과를 나타낸다.
도 12는 실험예 1-2의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 13은 발명의 제2 실시 형태와 관련되는 전자빔 증발원의 전체 구성을 나타내는 사시도이다.
도 14는 실험예 2-1의 결과를 나타내는 그래프이다.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시 형태를 설명한다.

＜제1 실시 형태＞

[진공 증착 장치의 구성]

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태와 관련되는 진공 증착 장치를 나타내는 모식적인 도면이다. 또한, 도면 중의 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향은, 직교하는 3축 방향이며, X축 방향은 제1 축 방향이며 전자빔 증발원(100)의 전후 방향, Y축 방향은 제3 축 방향이며 전자빔 증발원(100)의 좌우 방향, Z축 방향은 제2 축 방향이며 연직 방향(상하 방향)에 대응한다.

진공 증착 장치(1)는, 동 도면에 도시한 것처럼, 진공 챔버(11)와, 지지 기구(12)와, 전자빔 증발원(100)을 구비한다.

진공 챔버(11)는, 도시하지 않은 진공 펌프와 접속되어, 진공으로 유지되는 것이 가능하게 구성된다. 진공 챔버(11)의 천면(天面)의 중심부를, 정부(頂部)(11a)로 한다. 정부(11a)에는, 도시하지 않은 막후(膜厚) 측정용의 수정 진동자가 배치되어도 무방하다.

지지 기구(12)는, 진공 챔버(11) 내에 배치되어, 기판(W) 등의 증착 대상물을 지지하는 것이 가능하게 구성된다. 지지 기구(12)는, 예를 들면 진공 챔버(11)의 정부(11a)를 중심으로 하는 원의 주방향을 따라 배치된 복수의 지지부(13)와, 도시하지 않은 구동부를 가진다. 각 지지부(13)는, 예를 들면 심벌즈와 같은 거의 원형상(圓形狀)이며, 복수의 기판(W)을 보지하는 것이 가능하게 구성된다. 지지 기구(12)는, 예를 들면 3개의 지지부(13)를 가진다. 구동부는, 예를 들면 복수의 지지부(13)를 진공 챔버(11)의 정부(11a)를 중심으로 공전시킴과 동시에, 각 지지부(13)를 자전시킨다. 이에 따라, 복수의 기판(W)에 대해 균일한 증착막을 형성할 수 있다.

전자빔 증발원(100)은, 지지 기구(12)와 Z축 방향으로 대향하여 진공 챔버(11)의 하부에 배치된다. 전자빔 증발원(100)은, 전자빔(B)을 증발 재료에 조사하는 것이 가능하게 구성된다. 전자빔(B)이 조사된 증발 재료는, 가열되어 증발하고 기판(W)에 부착되어, 기판(W) 상에 증착막을 구성할 수 있다.

[전자빔 증발원의 구성]

도 2, 3, 4는, 각각 전자빔 증발원(100)의 구성을 나타내는 사시도이며, 도 2는 전체도, 도 3은 후술하는 냉각부(133)를 나타낸 도면, 도 4는 하스 데크(130)를 제거한 도면이다.

전자빔 증발원(100)은, 동 도면에 도시한 것처럼, 증발 재료 보지부(110)와, 전자총(120)과, 하스 데크(130)와, 냉각부(133)와, 자기 회로부(140)를 구비한다. 전자빔 증발원(100)은, 본 실시 형태에서, 1개 이상의 도가니를 가지는 금속 증착용의 전자빔 증발원으로서 구성된다.

전자빔 증발원(100)은, 예를 들면 X축 방향에 따라 전자총(120)과 증발 재료 보지부(110)가 배치되고 있다. 이하, 전자총(120)측을 X축 방향 전방(前方), 증발 재료 보지부(110)측을 X축 방향 후방(後方)으로 설명한다.

또한, 전자빔 증발원(100)은, Z축 방향에 따라 증발 재료 보지부(110), 자기 회로부(140) 및 하스 데크(130)가 배치되고 있다. 이하, 증발 재료 보지부(110)측을 Z축 방향 하방(下方), 하스 데크(130) 측을 Z축 방향 상방(上方)으로 설명한다.

도 2∼4를 참조해, 증발 재료 보지부(110)는, 예를 들면, 약 200 mm의 지름을 가지는 거의 원반상(圓盤狀)으로 구성되고, 주방향을 따라 형성된 1개 이상의 도가니(110a, 110b, 110c…)를 포함한다. 각 도가니(110a, 110b, 110c…)는, 각각 요상(凹狀)으로 형성되고, 증발 재료를 수용하는 것이 가능하게 구성된다. 증발 재료 보지부(110)는, 이러한 복수의 도가니(110a, 110b, 110c…)를 구획하는 영역으로서, 제1 보지 영역(111)과, 제2 보지 영역(112)을 가진다.

제1 보지 영역(111)은, 증착 대상의 제1 증발 재료를 보지(保持)하는 것이 가능하고, 예를 들면 제1 증발 재료를 수용하는 1개의 도가니(110a)를 포함한다. 「증발 대상」이란, 전자빔(B)이 조사되는 것이 가능한 상태에 있는 것을 말하는 것으로 한다.

제2 보지 영역(112)은, 제1 보지 영역(111)에 인접하고, 증착 대기 중인 제2 증발 재료를 보지하는 것이 가능하게 구성된다. 「증발 대기 중」이란, 증발 재료 보지부(110)에 의해 보지되고는 있지만, 전자빔(B)이 조사되지 않는 상태에 있는 것을 말하는 것으로 한다. 제2 보지 영역(112)은, 예를 들면, 각각 증착 대기 중인 증발 재료를 수용하는 것이 가능한 복수의 도가니(110b, 110c…)를 포함한다. 제2 증발 재료란, 여기에서는, 이러한 증발 재료 중 하나의 증발 재료를 말하는 것으로 한다. 복수의 도가니(110b, 110c…)의 수는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 3∼20개 정도로 할 수 있다.

증발 재료 보지부(110)는, 증발 재료 보지부(110)를 구동시키는 도시하지 않은 구동 기구를 더 가지고, 구동 기구에 의해, Z축 방향에 따른 회전축 주위에 회전하고, 소정 위치에서 정지 가능하게 구성된다. 이에 따라, 증발 재료 보지부(110)는, 제1 보지 영역(111)에 포함되는 도가니(110a, 110b, 110c…)를 변화시켜, 증착 대상의 제1 증발 재료를 변화시킬 수 있다. 또한, 증발 재료 보지부(110)는, 도 1에 도시한 것처럼, 그랜드 전위로 유지되고 있다.

전자총(120)은, 제1 보지 영역(111)과 X축 방향으로 나란히 배치되고, 제1 보지 영역(111)에 대해 전자빔(B)을 출사하는 것이 가능하게 구성된다. 전자총(120)은, 도시하지 않은 필라멘트와 애노드를 포함한다. 전자총(120)은, 고전압의 바이어스 전압이 인가된 구동 전류가 흐름에 따라 표면 온도가 올라간 필라멘트로부터, 애노드와의 전위차에 의해 열전자가 방출됨으로써, 전자빔(B)을 출사한다.

또한, 전자총(120)은, 전자빔용 편향 부재는 편향용 자극(121)과 도시하지 않은 편향용 자석을 가지고, 전자빔(B)을, 예를 들어 180∼270° 편향하여, 제1 보지 영역(111)으로 조사시키는 것이 가능하게 구성된다. 도시하지 않은 편향용 자석은, 전자석 혹은 영구자석으로 구성되어도 무방하다.

도 2에 도시한 바와 같이, 하스 데크(130)는, 증발 재료 보지부(110)와 Z축 방향으로 대향해 배치되어, 전체적으로 평탄하게 구성된다. 하스 데크(130)는, 평탄면(130a)과, 제1 보지 영역(111)을 노출하는 개구부(131)를 가진다. 개구부(131)는, 본 실시 형태에서 평탄면(130a)으로부터 Z축 방향 하방으로 형성된다. 하스 데크(130)는, 제2 보지 영역(112)을 피복해 제1 증발 재료의 다른 증발 재료로의 비산을 방지함과 동시에, 후술하는 반사 전자를 포착하는 것이 가능하게 구성된다. 하스 데크(130)의 재료는, 예를 들면 동등의 금속재료가 적용될 수 있다.

냉각부(133)는, 하스 데크(130)를 냉각하는 것이 가능하게 구성된다. 냉각부(133)에 의해, 충돌한 반사 전자의 에너지를 저하시켜 반사 전자의 포착을 용이하게 할 수 있다.

도 3에 도시한 바와 같이, 냉각부(133)는, 본 실시 형태에서, 수냉식(水冷式)의 냉각 기구이며, 액상(液狀)의 냉각 매체를 도입 및 배출하는 것이 가능한 냉각용 단자(134)와, 해당 냉각 매체를 순환시키는 것이 가능한 냉각관(135)을 가진다. 냉각관(135)은, 하스 데크(130) 내부에 배치되어, 냉각 매체를 순환시킴으로써 하스 데크(130)를 냉각한다. 냉각 매체로서는, 예를 들어 물(水)을 적용할 수 있다. 냉각용 단자(134) 및 냉각관(135)의 배치는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 도 3에 도시한 것처럼, 냉각 매체가 X축 방향 후방으로부터 전방을 지나, 다시 X축 방향 후방으로 유출(流出)되도록 배치해도 무방하다. 이에 따라, 하스 데크(130) 전체를 냉각할 수 있다.

도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 자기 회로부(140)는, 전자총(120)과 제1 보지 영역(111)을 사이에 두고 X축 방향으로 나란히 배치되고, 본 실시 형태에서 제2 보지 영역(112)과 Z축 방향으로 대향해 배치된다. 자기 회로부(140)는, 자성판(141)과, 반사 전자 편향 부재(142)를 가진다.

자성판(141)은, 연자성 재료로 구성되고, 본 실시 형태에서 철(鐵)을 포함하는 재료로 구성된다. 자성판(141)은, 제2 보지 영역(112)의 적어도 일부를 피복하고, 후술한 것처럼, 증발 재료 보지부(110)를 차폐(遮蔽)하는 자기 실드로서 기능한다. 자성판(141)의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 거의 구형(矩形)으로 형성되고, Y축 방향에 따른 폭이 약 200 mm(즉, 증발 재료 보지부(110)의 지름과 동일한 정도)로 형성될 수 있다. 또한, 자성판(141)의 두께도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 2 mm 정도로 할 수 있다.

반사 전자 편향 부재(142)는, 전자빔(B)이 제1 증발 재료에서 반사한 반사 전자를 자성판(141)을 향해 편향시키는 것이 가능하게 구성된다. 반사 전자 편향 부재(142)는, 본 실시 형태에서, 자성판(141) 상에 배치된다.

도 5는, 반사 전자 편향 부재(142)의 개략 평면도이며, A는 Z축 방향으로부터 본 도면, B는 X축 방향으로부터 본 도면이다. 또한, 도 6은, 반사 전자 편향 부재(142)에 의해 만들어지는 자속(滋束)을 나타내는 사시도이다. 또한, 도 5의 B 및 도 6에서는, 설명을 위해, 대표적인 자속 만을 나타내고 있다.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 반사 전자 편향 부재(142)는, Z축 방향으로 직교하고 제1 극성인 제1 자성면(143)과, Z축 방향으로 직교하고 제1 극성과는 다른 제2 극성인 제2 자성면(144)을 가진다. 제1 극성은, 예를 들어 N극으로 하고, 제2 극성은 예를 들어 S극으로 한다.

보다 구체적으로, 반사 전자 편향 부재(142)는, 제1 자성면(143)이 형성된 제1 자석(145)과, 제2 자성면(144)이 형성되어 제1 자석(145)과 Y축 방향으로 이간해 배치된 제2 자석(146)을 가진다. 예를 들면, 제1 자석(145) 및 제2 자석(146) 각각은, 본 실시 형태에서, 거의 직방체상(直方體狀)의 2개의 영구자석으로 구성된다. 영구자석으로서는, 예를 들면, 페라이트 자석, 네오디뮴 자석, 알니코 자석 등을 적절히 적용할 수 있다. 도 5의 A에 도시한 것처럼, 본 실시 형태에서, 제1 자석(145) 및 제2 자석(146)은, 자성판(141)의 X축 방향에 따른 변(邊)을 따라 배치된다.

도 5의 A, B 및 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 자석(145)에 형성된 제1 자성면(143)과 제2 자석(146)에 형성된 제2 자성면(144)은, Y축 방향으로 서로 이간해 배치된다.

본 실시 형태에서, 도 5의 A에 도시한 것처럼, 제1 자성면(143)과 제2 자성면(144)과의 Y축 방향에 따라 이간하는 폭(W1)은, 증발 재료 보지부(110)의 제1 보지 영역(111)의 Y축 방향에 따른 길이(W2) 보다 길어지도록 구성된다. 여기서, 폭(W1)은, 제1 자성면(143)과 제2 자성면(144)과의 Y축 방향에 따라 이간하는 폭 가운데, Y축 방향에 따라 가장 짧은 폭을 말하고, 길이(W2)는, 제1 보지 영역(111) 가운데, Y축 방향에 따라 가장 긴 부분의 길이를 말하는 것으로 한다.

또한, 제1 자성면(143)과 제2 자성면(144)과의 Y축 방향에 따라 이간하는 폭은, X축 방향 후방으로 향함에 따라, 일정해지도록 구성되어도 무방하다. 즉, 제1 자성면(143)과 제2 자성면(144)은, 각각, X축 방향에 따라 평행하게 연재(延在)될 수 있다. 또한, 제1 자성면(143)과 제2 자성면(144)은, 각각, X축 방향에 따라 증발 재료 보지부(110)의 후단까지 배치될 수 있다.

도 5의 B 및 도 6에 도시한 바와 같이, 반사 전자 편향 부재(142)에 의해 형성되는 자장은, 제1 자성면(143)에서 제2 자성면(144)을 향하는 자력선(M)에 의해 표현된다. 보다 구체적으로는, 반사 전자 편향 부재(142)에 의해, 제1 자성면(143)에서는 Z축 방향 상방으로 향하는 자장이, 제1 자성면(143) 및 제2 자성면(144) 사이에서는 Y축 방향으로 거의 평행한 방향의 자장이, 제2 자성면(144)에서는 Z축 방향 하방으로 향하는 자장이, 각각 발생한다. 즉, 각 자력선(M)은, YZ 평면 상에서의 Z축 방향 상방을 볼록(凸)하게 하는 곡선으로 표현된다. 이에 따라, 도 6에 도시한 것처럼, X축 방향 후방을 향해 반사한 부(負)의 전하를 가지는 반사 전자(Re)는, 반사 전자 편향 부재(142)가 형성하는 자장에 의해, 자성판(141)으로 향하는 방향의 로렌츠력(F)을 받는다. 이에 따라, 반사 전자(Re)가 하스 데크(130)(도 6에서 도시하지 않음)에 포착된다.

만일, 자기 회로부(140)를 갖지 않는 전자빔 증발원에서는, 하스 데크(130) 상에서 반사 전자(Re)가 반사하고, 해당 반사 전자(Re)가 Z축 방향 상방으로 배치된 기판(W)에 입사할 우려가 있다. 반사 전자(Re)가 기판(W)에 입사한 경우, 반사 전자(Re)의 에너지에 의해 기판(W)이 가열되어, 형성된 증착막의 막질(膜質)을 저하시킬 우려가 있다.

그래서, 본 실시 형태에 의하면, 자기 회로부(140)에 의해 반사 전자(Re)를 편향시켜, 하스 데크(130)에서 포착할 수 있다. 이에 따라, 증착 중인 기판(W)의 온도 상승을 억제하고, 증착막의 막질을 양호하게 유지할 수 있다.

또한, 만일, 개구부를 구비한 상형(箱型)의 반사 전자 트랩에 의해 반사 전자를 포착하려고 한 경우에는(특허문헌 1 참조), 개구부에 들어가지 않는 반사 전자를 포착할 수 없기 때문에, 개구부 외로 비산한 반사 전자가 기판으로 도달할 우려가 있었다. 게다가, 반사 전자 트랩의 외부나 내부에 부착한 증착 재료 등의 클리닝 등을 실시할 필요가 있어, 메인터넌스의 수고가 컸다.

그래서, 본 실시 형태에 의하면, 자기 회로부(140) 상(上)이 개방된 공간이며, 또한 도 5의 B, 도 6에 도시한 것처럼, 반사 전자 편향 부재(142)에 의해, 돔상(dome shape)으로, 전자빔 증발원(100)의 Z축 방향 상방으로도 자장을 형성할 수 있다. 이에 따라, 반사 전자 편향 부재(142)가, Z축 방향 상방으로 비산한 반사 전자도 자장의 영향을 미쳐 편향시킬 수 있다. 따라서, 전자총 장치(100)가, 보다 광범위한 범위로 비산한 반사 전자를 포착할 수 있다. 게다가, 본 실시 형태에 의하면, 자기 회로부(140)가 Z축 방향 상방을 향해 개방된 구성이며, 또한, 자기 회로부(140)가 하스 데크(130)에 피복되어 있기 때문에, 상기 메인터넌스의 수고를 생략할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 의하면, 제1 자성면(143)과 제2 자성면(144)과의 Y축 방향에 따라 이간하는 폭(W1)이, 증발 재료 보지부(110)의 제1 보지 영역(111)의 Y축 방향에 따른 길이(W2) 보다 길어지도록 구성되고, 또한, 상기 폭(W1)이, X축 방향 후방을 향함에 따라, 일정해지도록 구성된다. 이에 따라, 제1 증발 재료의 표면에서 반사한 복수의 반사 전자를 Y축 방향에 관해 수속(收束)시키지 않고, 복수의 반사 전자의 궤도를, Y축 방향에 관해 거의 평행하게 제어할 수 있다. 따라서, 복수의 반사 전자가, 하스 데크(130) 상의 넓은 범위에 포착되어 효율적으로 냉각됨으로써, 반사 전자의 에너지를 효율적으로 저하시켜, 반사 전자의 재반사 등이 방지될 수 있다.

또한, 도 7은, 본 실시 형태의 자기 회로부(140)의 다른 구성예를 나타내는 Z축 방향으로부터 본 개략 평면도이다. 동 도면에 도시한 것처럼, 제1 자성면(143)과 제2 자성면(144)과의 Y축 방향에 따라 이간하는 폭은, 예를 들면 X축 방향 후방으로 향함에 따라, 점증(漸增)하도록 구성되어도 무방하다.

이에 따라, 반사 전자 편향 부재(142)에 의해 형성되는 자력선에 대해서는, X축 방향 후방으로 향함에 따라 큰 곡선을 그리는 자력선이 증가한다. 따라서, 반사 전자 편향 부재(142)가, Z축 방향 상방으로 높게 비산한 반사 전자나 Y축 방향 우방(友方)이나 좌방(左方)으로 비산한 반사 전자를 편향시키는 것이 용이해져, 반사 전자를 큰 편향경(偏向徑)으로 편향시킬 수 있다.

또한, 자성판(141)이 연자성 재료로 구성되므로, 만일 제2 증발 재료로서 자성 재료가 포함되어 있던 경우여도, 해당 자성 재료가 반사 전자 편향 부재(140)에 의해 자기적으로 흡인되어 도가니 등에서 떠오르는 등의 결함을 방지할 수 있다. 따라서, 전자빔 증발원(100)은, 제2 증발 재료에 관계 없이, 안정되어 운전을 계속할 수 있다. 또한, 자성판(141)에 의해, 자기 회로부(140)에 의한 전자빔(B)으로의 자기적인 작용을 방지할 수 있다. 이에 따라, 예를 들면 자기 회로부(140)에 의한 전자빔(B)의 빔 스폿의 변형 등을 방지할 수 있다.

덧붙여, 하스 데크(130)는, 냉각부(133)에 의해 냉각되고 있기 때문에, 반사 전자의 에너지를 효율적으로 저하시켜, 반사 전자를 포착하는 확실성을 높일 수 있다.

도 8은, 본 실시 형태의 비교예의 전자빔 증발원을 나타내는 사시도이다. 또한, 전자빔 증발원(100)과 같은 구성에 대해서는 동일한 부호를 교부해 설명을 생략한다.

도 8에 나타내는 전자빔 증발원(300)은, 전자빔 증발원(100)과 같은 구성의 증발 재료 보지부(110)와, 전자총(120)을 구비하지만, 자기 회로부를 가지지 않으며, 하스 데크(330)의 구성이 다르다. 하스 데크(330)는, 실시예와 같은 개구부(131) 및 냉각부(133)(도 8에서 도시하지 않음)를 가지지만, 전체적으로 평탄하게 구성되지 않으며, 볼록부(凸部)(332)를 가진다.

상기 구성의 전자빔 증발원(300)에 의하면, 제1 증발 재료가 증발할 때, 비산하는 각도에 따라서는 제1 증발 재료가 하스 데크(330)의 볼록부(332)에 부착될 가능성이 있었다. 또한, 제1 증발 재료가 하스 데크(330)에 부착되었을 때, 볼록부(332)나 볼록부(332)를 고정하는 나사 등의 존재에 의해, 부착된 재료를 없애는 것이 어려웠다.

그래서, 본 실시 형태에 의하면, 하스 데크(130)를 전체적으로 평탄하게 구성 함으로써, 제1 증발 재료가 하스 데크(130)에 부착될 가능성을 큰 폭으로 저감할 수 있다. 게다가, 제1 증발 재료가 하스 데크(130)에 부착되었을 때에도 용이하게 클리닝 할 수 있어 메인터넌스성을 높일 수 있다.

[실험예]

계속해서, 본 실시 형태와 관련되는 전자빔 증발원(100)을 실시예 1, 도 8에 나타낸 전자빔 증발원(300)을 비교예 1로서 이용하여, 본 실시 형태의 작용 효과를 확인하기 위한 실험을 실시하였다.

(실험예 1-1)

전자빔 증발원(100, 300)을 챔버(11) 내에 배치해 전자총(120)을 구동하고, 챔버(11)의 소정의 위치에 배치한 기판에 복수의 온도 센서를 마련해 각 기판에서의 온도의 상승을 확인하였다. 또한, 기판으로서 유리 기판을 이용하였다.

도 9는, 챔버(11) 내의 기판 및 온도 센서를 배치한 위치를 모식적으로 나타내는 도면이다. 온도 센서(T1)는, 챔버(11)의 정부(11a)에 배치되었다. 온도 센서(T1)와 제1 보지 영역(111)과의 거리는, 약 650 mm였다. 온도 센서(T2)는, 1개의 지지부(13)의 거의 중앙부에 배치되었다. 온도 센서(T2)와 제1 보지 영역(111)과의 거리는, 약 600 mm이며, 온도 센서(T2)와 제1 보지 영역(111)을 묶는 직선의 X축 방향과 이루는 각도 θ2는, 약 70°였다. 온도 센서(T3)는, 상기 지지부(13)의 Z축 방향 하방에 배치되었다. 온도 센서(T3)와 제1 보지 영역(111)과의 거리는, 약 600 mm이며, 온도 센서(T3)와 제1 보지 영역(111)을 묶는 직선의 X축 방향과 이루는 각도 θ3은, 약 45°였다.

또한, 지지 기구(12)는 구동하지 않았다.

우선, 전자빔의 파워를 일정하게 유지했을 때의, 각 온도 센서(T1, T2, T3)의 온도를 조사하였다. 전자빔의 파워는, 전자빔을 발생할 때의 바이어스 전압치에, 출사된 전자빔에 의한 전류값을 곱한 값이며, 본 실험예에서, 바이어스 전압치를 10 kV, 전류치를 300 mA로 유지하고, 파워를 3 kW로 유지하였다. 또한, 진공 챔버(11) 내의 압력은 6.5×10^- ³ Pa, 제1 증발 재료는 몰리브덴(Mo)으로 하고, 이러한 조건으로 각 전자빔 증발원(100, 300)을 25분간 운전한 후의 결과를 조사하였다.

표 1 및 도 10, 11에 실험예 1-1의 결과를 나타낸다. 이하의 Δt는, 운전 개시부터의 온도 상승량을 나타낸다.

도 10은, 실시예 1의 결과를 나타내고, 도 11은, 비교예 1의 결과를 나타낸다. 또한, 어느 그래프도, 종축은 온도 센서(T1, T2, T3)에 의해 검출된 온도를 나타내고, 횡축은 시간을 나타낸다.

표 1 및 도 10, 11에 도시한 바와 같이, 실시예 1의 각 온도 센서(T1, T2, T3)에 의해 검출된 온도는, 비교예 1과 비교해서 큰 폭으로 낮은 결과가 되었다. 실시예 1과 비교예 1은, 전자빔의 파워 및 증착 재료가 동일하기 때문에, 증착 재료의 표면에서 동일하게 반사 전자가 발생하는 것으로 생각할 수 있다. 따라서, 비교예 1에서는 반사 전자가 기판에 도달해, 그 반사 전자의 에너지에 의해 기판의 온도가 상승하는 반면, 실시예 1에서는, 자기 회로부(140)에 의해 반사 전자가 포착되어, 기판에 도달하는 반사 전자가 적은 것으로 생각할 수 있다.

(실험예 1-2)

계속해서, 실험예 1-2에서는, 하스 데크 상에, XY 평면과 이루는 각도가 다른 검출 전극을 설치하고, 각 검출 전극에 흐르는 전류치를 검출하였다. 검출 전극은, XY 평면과 이루는 각도가 각각 20°, 30°, 40°, 50°, 60°, 70°, 80°, 및 90°가 되도록 설치되어, 각각 그랜드 전위에 접속되었다.

실험예 1-2에서는, 실시예 1, 비교예 1, 2와 관련되는 전자빔 증발원을 챔버(11) 내에 배치해 증착을 실시하였다.

비교예 2와 관련되는 전자빔 증착원은, 전자빔 증발원(100)과 같은 구성의 증발 재료 보지부(110)와, 전자총(120)과, 하스 데크(130)를 구비하지만, 자기 회로부를 가지지 않는다.

도 12에 실험예 1-2의 결과를 나타낸다. 도 12의 그래프에서, 종축은 전류치, 횡축은 각 전극의 각도를 나타낸다.

도 12에 도시한 것처럼, 실시예 1에 대해, 어느 전극으로부터도 거의 전류를 검출할 수 없었다. 이에 따라, 거의 모든 반사 전자가 자기 회로부(140)에 의해 포착되는 것이 확인되었다. 한편으로, 비교예 2에 대해, 20°에서 60°의 비교적 낮은 각도의 전극에서 큰 전류가 검출되고, 반사 전자가 이러한 영역을 중심으로 대량으로 비산하는 것이 확인되었다. 또한, 비교예 1에 관해서도, 비교예 2 보다 검출한 전류치가 작기는 하지만, 90°를 제외한 각 각도에서 실시예 1 보다 큰 전류치가 검출되어, 반사 전자가 비산하는 것이 확인되었다.

이상의 실험예 1-1∼1-3으로부터, 실시예 1에서는, 반사 전자가 자기 회로부(140)에 의해 포착되어, 반사 전자의 기판으로의 도달을 억제할 수 있음이 확인되었다. 이에 따라, 본 실시 형태와 관련되는 실시예 1에 의하면, 평탄한 하스 데크(130)에 의해 메인터넌스를 용이하게 실시할 수 있음과 동시에, 기판의 온도 상승을 방지하여, 반사 전자에 의한 증착막의 막질의 열화 등도 방지할 수 있다.

＜제2 실시 형태＞

[전자빔 증발원의 구성]

도 13은, 본 발명의 제2 실시 형태와 관련되는 전자빔 증발원의 구성을 나타내는 사시도이다. 또한, 이하의 설명에서 전자빔 증발원(100)과 같은 구성에 대해서는 동일한 부호를 교부해 설명을 생략한다.

동 도면에 도시한 것처럼, 전자빔 증발원(200)은, 전자빔 증발원(100)과 같은 구성의 증발 재료 보지부(110)와, 전자총(120)과, 하스 데크(130)를 구비하지만, 자기 회로부(240)의 배치 및 구성이 다르다. 또한, 도시는 하지 않지만, 전자빔 증발원(200)은, 냉각부(133)를 구비하고 있어도 무방하다.

도 13에 도시한 바와 같이, 자기 회로부(140)는, 전자총(120)과 제1 보지 영역(111)을 사이에 두고 X축 방향으로 나란히 배치된다. 자기 회로부(240)는, 자성판(141)과, 반사 전자 편향 부재(242)와, 커버(243)를 가진다. 자성판(141)의 배치 및 구성은 제1 실시 형태와 같다.

반사 전자 편향 부재(242)는, 본 실시 형태에서, 하스 데크(130) 상에 배치된다. 반사 전자 편향 부재(142)는, 전자빔(B)이 제1 증발 재료에서 반사한 반사 전자를 자성판(141)을 향해 편향시키는 것이 가능하게 구성된다. 반사 전자 편향 부재(242)는, 예를 들면, 도 4 등에 도시한 제1 자석(145)과, 제2 자석(146)을 가져도 무방하다(도 13에서 도시하지 않음).

커버(243)는, 하스 데크(130) 상에 배치된 반사 전자 편향 부재(242)를 피복한다. 커버(243)의 재료는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 동(銅) 등으로 구성된다. 커버(243)에 의해, 증착 시, 반사 전자 편향 부재(242)에 비산한 제1 증발 재료가 부착되는 것을 방지할 수 있다.

이러한 구성의 전자빔 증발원(200)으로도, 반사 전자 편향 부재(242)에 의해 반사 전자에 로렌츠력을 미쳐, 하스 데크(130)나 커버(243)에서 반사 전자를 포착할 수 있다.

[실험예]

계속해서, 본 실시 형태와 관련되는 전자빔 증발원(200)의 작용 효과를 확인하기 위한 실험을 실시하였다. 또한, 전자빔 증발원(200)을 실시예 2로서 이용하였다.

(실험예 2-1)

제1 실시 형태의 실험예 1-1과 같은 실험을 실시하였다. 즉, 전자빔 증발원(200)을 챔버(11) 내에 배치해 전자총(120)을 구동하고, 챔버(11)의 소정의 위치에 배치한 기판에 설치된 온도 센서(T1, T2, T3)에 의해 온도의 상승을 확인하였다. 온도 센서(T1, T2, T3)의 배치는, 실험예 1-1과 같이 하였다.

우선, 전자빔의 파워를 일정하게 유지했을 때의, 각 온도 센서(T1, T2, T3)의 온도를 조사하였다. 전자총의 파워를 3 kW로 유지하고, 진공 챔버(11) 내의 압력은 6.5×10^- ³ Pa, 제1 증발 재료는 몰리브덴(Mo)으로 하고, 이러한 조건 하에서 전자빔 증발원을 25분간 운전한 후의 결과를 조사하였다.

표 2 및 도 14에 실험예 2-1의 결과를 나타낸다. 또한, 표 2에는, 상술의 비교예 1의 결과도 기재하고 있다.

표 2 및 도 14에 도시한 것처럼, 실시예 2에서의 각 온도 센서(T1, T2, T3)에 의해 검출된 온도는, 비교예 1과 비교해서 낮은 결과가 되었다. 이에 따라, 실시예 2에서도, 자기 회로부(240)에 의해 반사 전자가 포착되어 기판의 온도 상승을 억제할 수 있음이 확인되었다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상에 근거해 다양한 변형이 가능하다.

증발 재료 보지부는, 복수의 도가니를 가지는 구성으로 한정되지 않으며, 예를 들면, 도가니가 1개로 링(ring) 상으로 구성된 링 하스나 단일의 도가니를 가지는 구성, 혹은, 증발 재료를 Z축 방향 하방에서 상향을 향해 압상(押上)하여 용해하는 기구 등을 가지는 구성이어도 무방하다.

또한, 증발 재료 보지부는, 복수의 증발 재료를 보지하는 구성으로 한정되지 않으며, 1개의 증발 재료 만을 보지하는 구성이어도 무방하다. 이것으로도, 자기 회로부가 자성판에 의해 하방으로 발생하는 자장의 영향을 억제하여, 안정되어 반사 전자를 포착할 수 있다.

또한, 반사 전자 편향 부재의 배치는 상술의 배치로 한정되지 않는다. 예를 들면, 양단부에 N극 및 S극을 가지는 막대자석이 Y축 방향에 따라 배치되어도 무방하다. 이러한 구성에 의해, 해당 막대자석의 일단부(一端部)에 제1 자성면이, 타단부에 제2 자성면이 형성되어, 반사 전자를 자성판을 향해 편향시킬 수 있다. 또한, 이러한 막대자석을 X축 방향에 따라 복수 배열함으로써, X축 방향 후방까지 자장을 형성할 수 있다.

혹은, 반사 전자 편향 부재의 제1 자석과 제2 자석의 Y축 방향으로 이간하는 폭은, X축 방향에 따라 거의 일정하지 않아도 무방하고, 예를 들면 상기 폭이 X축 방향 후방을 향해 퍼져 가도록 제1 자석과 제2 자석이 배치되어도 무방하다.

또한, 하스 데크는 필수 구성은 아니다. 예를 들면, 전자빔 증발원이 하스 데크를 가지지 않고, 자성판이 반사 전자를 포착하고, 또한 증발 재료 보지부에 대한 증발 재료의 비산을 방지하는 기능을 가져도 무방하다.

또한, 냉각부는, 수냉식으로 한정되지 않는다. 혹은, 전자빔 증발원이, 냉각부를 갖지 않는 구성으로 해도 무방하다.

1 … 진공 증착 장치
11 … 진공 챔버
12 … 지지 기구
100, 200 … 전자빔 증발원
110 … 증발 재료 보지부
111 … 제1 보지 영역
112 … 제2 보지 영역
120 … 전자총
130 … 하스 데크
133 … 냉각부
140, 240 … 자기 회로부
141 … 자성판
142, 242 … 반사 전자 편향 부재
143 … 제1 자성면
144 … 제2 자성면
145 … 제1 자석
146 … 제2 자석

Claims

제1 증발 재료를 보지(保持)하는 것이 가능한 제1 보지 영역을 가지는 증발 재료 보지부와,
상기 제1 보지 영역과 상기 제1 축 방향으로 나란히 배치되어, 상기 제1 보지 영역에 대해 전자빔을 출사하는 것이 가능한 전자총과,
연자성(軟磁性) 재료로 구성된 자성판과, 상기 전자빔이 제1 증발 재료에서 반사한 반사 전자를 상기 자성판을 향해 편향시키는 것이 가능한 반사 전자 편향 부재를 가지고, 상기 전자총과 상기 제1 보지 영역을 사이에 두고 상기 제1 축 방향에 나란히 배치된 자기 회로부
를 구비하는 전자빔 증발원.
제1항에 있어서,
상기 증발 재료 보지부는, 증착 대기 중인 제2 증발 재료를 보지하는 것이 가능한 제2 보지 영역을 더 가지고,
상기 자기 회로부는, 상기 제2 보지 영역과 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향으로 대향해 배치되는
전자빔 증발원.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 보지 영역을 노출하는 개구부를 가지고, 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향으로 상기 증발 재료 보지부와 대향하고, 전체적으로 평탄하게 구성된 하스 데크(Hearth Deck)를 더 구비하는
전자빔 증발원.
제3항에 있어서,
상기 자기 회로부는, 상기 증발 재료 보지부와 상기 하스 데크와의 사이에 배치되는
전자빔 증발원.
제4항에 있어서,
상기 하스 데크를 냉각하는 것이 가능한 냉각부를 더 구비하는
전자빔 증발원.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반사 전자 편향 부재는,
상기 제2 축 방향으로 직교하고 제1 극성인 제1 자성면과,
상기 제2 축 방향으로 직교하고, 상기 제1 극성과는 다른 제2 극성인 제2 자성면을 가지고,
상기 제1 자성면과 상기 제2 자성면은, 제1 축 방향 및 상기 제2 축 방향과 직교하는 제3 축 방향에 따라 배열되는
전자빔 증발원.
제6항에 있어서,
상기 반사 전자 편향 부재는,
상기 제1 자성면이 형성된 제1 자석과,
상기 제2 자성면이 형성되어, 상기 제1 자석과 상기 제3 축 방향으로 이간해 배치된 제2 자석을 가지는
전자빔 증발원.
진공 챔버와,
상기 진공 챔버 내에 배치되어, 증착 대상물을 지지하는 것이 가능한 지지 기구와,
제1 증발 재료를 보지하는 것이 가능한 제1 보지 영역과, 상기 제1 보지 영역과 제1 축 방향으로 인접해 제2 증발 재료를 보지하는 것이 가능한 제2 보지 영역을 가지는 증발 재료 보지부와,
상기 제1 보지 영역과 상기 제1 축 방향으로 나란히 배치되어, 상기 제1 보지 영역에 대해 전자빔을 출사하는 것이 가능한 전자총과,
연자성 재료로 구성된 자성판과, 상기 전자빔이 제1 증발 재료에서 반사한 반사 전자를 상기 자성판을 향해 편향시키는 것이 가능한 반사 전자 편향 부재를 가지고, 상기 제2 보지 영역과 상기 제1 축 방향과 직교하는 제2 축 방향으로 대향해 배치된 자기 회로부
를 가지고, 상기 지지 기구와 상기 제2 축 방향으로 대향해 상기 진공 챔버 내에 배치된 전자빔 증발원
을 구비하는 진공 증착 장치.