KR20160084382A - 광전자 구성요소, 광전자 배열체, 광학적 요소를 생산하기 위한 방법, 및 광전자 구성요소를 생산하기 위한 방법 - Google Patents

광전자 구성요소, 광전자 배열체, 광학적 요소를 생산하기 위한 방법, 및 광전자 구성요소를 생산하기 위한 방법 Download PDF

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토마스 슈바르츠
프랑크 징거
알렉산더 린코프
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오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
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Abstract

본 발명은 방사선-방출 표면을 가지는 광전자 반도체 칩을 포함하는 광전자 구성요소에 관한 것이다. 광학적 요소가 방사선-방출 표면 위에 배열된다. 광학적 요소는, 광-산란 입자가 내부에 통합된 재료를 갖는다. 통합된 광-산란 입자의 농도가, 방사선-방출 표면과 90°가 아닌 각도를 형성하는 구배를 갖는 다.

Description

광전자 구성요소, 광전자 배열체, 광학적 요소를 생산하기 위한 방법, 및 광전자 구성요소를 생산하기 위한 방법{OPTOELECTRONIC COMPONENT, OPTOELECTRONIC ARRANGEMENT, METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 특허 청구항 제1항에서 청구된 바와 같은 광전자 구성요소, 특허 청구항 제8항에서 청구된 바와 같은 광전자 배열체, 특허 청구항 제10항에서 청구된 바와 같은 광학적 요소를 생산하기 위한 방법, 및 특허 청구항 제15항에서 청구된 바와 같은 광전자 구성요소를 생산하기 위한 방법에 관한 것이다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 DE 10 2013 222 702.7의 우선권을 주장하고, 그 개시 내용이 본원에서 참조로서 포함된다.
측방향으로 전자기적 방사선을 방출하도록 구성된, 광전자 구성요소, 예를 들어 발광 다이오드 구성요소가 종래 기술로부터 공지되어 있다. 예를 들어, 액정 디스플레이의 백라이팅을 위해서 그러한 광전자 구성요소를 이용하는 것이 공지되어 있다. 이러한 경우에, 광전자 구성요소에 의해서 방출되는 방사선이 도파관 내로 측방향으로 비춰지는 방식으로, 광전자 구성요소가 배열된다. 공지된 광전자 구성요소의, 방사선의 측방향 편차(deviation)를 위해서 필요한, 광학적 부품이 그러한 공지된 배열체의 두께를 감소시킬 수 있는 가능성을 제한한다.
본 발명의 목적은 광전자 구성요소를 제공하는 것이다. 그러한 목적은 제1항의 특징을 가지는 광전자 구성요소에 의해서 달성된다. 본 발명의 다른 목적은 광전자 배열체를 제공하는 것이다. 이러한 목적은 제8항의 특징을 가지는 광전자 배열체에 의해서 달성된다. 본 발명의 다른 목적은 광학적 요소를 생산하기 위한 방법을 제공하는 것이다. 이러한 목적은 제10항의 특징을 가지는 방법에 의해서 달성된다. 본 발명의 다른 목적은 광전자 구성요소를 생산하기 위한 방법을 제공하는 것이다. 이러한 목적은 제15항의 특징을 가지는 방법에 의해서 달성된다. 여러 가지 개선예가 종속항에서 구체화된다.
광전자 구성요소가 방사선 방출 면(radiation emission face)을 가지는 광전자 반도체 칩을 포함한다. 광학적 요소가 방사선 방출 면 위에 배열된다. 광학적 요소는, 광-산란 입자가 내부에 매립된 재료를 포함한다. 매립된 광-산란 입자의 농도가, 방사선 방출 면과 90°가 아닌 각도를 이루는 구배를 갖는다.
유리하게, 이러한 광전자 구성요소의 광학적 요소의 재료 내에 매립된 광-산란 입자의 경사진 농도 구배(inclined concentration gradient)의 효과는 그 방사선 방출 면에서의 이러한 광전자 구성요소의 광전자 반도체 칩에 의해서 방출되는 전자기적 방사선의 측방향 편차이다. 그에 따라, 광전자 구성요소는, 측방향으로 광전자 구성요소 다음에 배열되고 광전자 반도체 칩의 방사선 방출 면에 평행하게 배향된 도파관 내로 전자기적 방사선을 커플링시키는데 있어서 유리하게 적합하다. 광전자 반도체 칩에 의해서 방출된 전자기적 방사선의 측방향 편차로 인해서, 이러한 경우에, 광전자 반도체 칩의 방사선 방출 면을 도파관을 향해서 회전시킬 필요가 없다. 이는, 광전자 구성요소의 광전자 반도체 칩을 캐리어 상에서 편평하게 배열할 수 있게 하고, 이는 광전자 구성요소의 광전자 반도체 칩의 양호한 열적 연결을 허용한다. 또한, 그에 따라, 광전자 구성요소가, 예를 들어, 표면-장착 가능 SMD 구성요소로서 구성될 수 있을 것이고, 이는 광전자 구성요소의 단순하고 경제적인 장착을 허용한다.
광전자 구성요소의 일 실시예에서, 각도가 35°내지 55°이다. 바람직하게, 각도가 40°내지 50°이다. 예를 들어, 각도가 약 45°일 수 있을 것이다. 이에 의해서 유리하게 달성되는 효과는, 방사선 방출 면에 수직인 방향으로 광전자 구성요소의 광전자 반도체 칩의 방사선 방출 면에서 방출되는 전자기적 방사선이 광학적 요소에 의해서 대략적으로 직각을 통해서 편위된다(deviated)는 것이다.
광전자 구성요소의 일 실시예에서, 그러한 재료가 규소, 폴리카보네이트 또는 유리를 포함한다. 그에 따라, 유리하게, 재료는, 매립된 광-산란 입자를 지지하는 광학적으로 본질적으로 투명한 매트릭스를 형성한다.
광전자 구성요소의 일 실시예에서, 광-산란 입자가 200 nm 내지 50 ㎛의 평균 크기를 갖는다. 그에 따라, 유리하게, 광-산란 입자가 광전자 반도체 칩에 의해서 방출된 전자기적 방사선의 효과적인 산란을 유발한다.
광전자 구성요소의 일 실시예에서, 광-산란 입자가 TiO2, Al2O3, Hf2O5 또는 SiO2 를 포함한다. 그에 따라, 유리하게, 광-산란 입자가 광전자 반도체 칩에 의해서 방출된 전자기적 방사선의 효과적인 산란을 유발한다.
광전자 구성요소의 일 실시예에서, 광학적 요소가, 0.1 mm 내지 1 mm의, 방사선 방출 면에 수직인 방향으로, 방사선 방출 면 위의 두께를 갖는다. 바람직하게는, 광학적 요소가 0.3 mm 미만의 두께를 갖는다. 이는, 유리하게, 전체적으로 매우 얇은 두께(높이)를 가지는 광전자 구성요소를 구성할 수 있게 한다. 광학적 요소의 얇은 두께는, 추가적으로, 광전자 구성요소의 광전자 반도체 칩에 의해서 방출되는 전자기적 방사선을 얇은 두께의 도파관 내로 커플링시킬 수 있게 한다.
광전자 구성요소의 일 실시예에서, 파장-변환 입자가 광학적 요소의 재료 내에 부가적으로 커플링된다. 이러한 경우에, 파장-변환 입자가, 예를 들어, 유기 발광 재료 또는 무기 발광 재료로서 구성될 수 있을 것이다. 파장-변환 입자가 또한 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있을 것이다. 광학적 요소의 재료 내에 매립된 파장-변환 입자를 이용하여, 광전자 구성요소의 광전자 반도체 칩에 의해서 방출된 전자기적 방사선의 파장을 변환할 수 있을 것이다. 예를 들어, 청색 스펙트럼 범위의 파장을 가지는 전자기적 방사선을 방출하도록, 광전자 반도체 칩이 구성될 수 있을 것이다. 예를 들어, 청색 스펙트럼 범위의 파장을 가지는 전자기적 방사선을 백색 스펙트럼 분포를 가지는 전자기적 방사선으로 변환하도록, 파장-변환 입자가 구성될 수 있을 것이다.
광전자 배열체가 전술한 유형의 광전자 구성요소 및 도파관을 포함한다. 도파관은, 이러한 경우에, 측방향으로 광학적 요소 다음에 배열된다. 유리하게, 이러한 광전자 배열체의 광전자 구성요소가 전자기적 방사선, 예를 들어 가시광선을 도파관 내로 커플링시킬 수 있을 것이다. 그에 따라, 광전자 배열체가, 예를 들어, 액정 디스플레이 내의 백그라운드 조명을 위해서 적합하다. 유리하게, 광전자 배열체가 광전자 반도체 칩의 방사선 방출 면에 수직인 방향으로 매우 얇도록 구성될 수 있을 것이다.
광전자 배열체의 일 실시예에서, 도파관이 방사선 방출 면에 평행하게 배향된다. 유리하게, 이러한 방식으로, 광전자 배열체의 광전자 구성요소의 광학적 요소 내에서 편위된 전자기적 방사선이 도파관 내로 커플링될 수 있고 도파관에 의해서 이송될 수 있다.
광학적 요소를 생산하기 위한 방법이 매립된 광-산란 입자를 가지는 재료의 블록을 형성하는 단계로서, 매립된 광-산란 입자의 농도가 구배를 가지는, 재료의 블록을 형성하는 단계, 및 하부 측면을 가지는 광학적 요소를 획득하기 위해서 블록을 분할하는 단계를 포함하고, 구배는 하부 측면과 90°가 아닌 각도를 이룬다. 이러한 방법에 의해서 획득될 수 있는 광학적 요소는 하부 측면에 수직인 방향으로 하부 측면에서 광학적 요소로 진입하는 전자기적 방사선의 편차를 허용한다. 유리하게, 방법은 단순하고 경제적인 광학적 요소의 생산을 허용한다.
방법의 일 실시예에서, 블록을 형성하기 위해서, 매립된 광-산란 입자를 가지는 재료의 층을 제공하는 단계, 농도 구배가 형성되도록 광-산란 입자가 재료 내로 침잠(sink)할 수 있게 하는 단계, 및 블록을 형성하기 위해서 층의 재료를 경화시키는 단계가 실시된다. 유리하게, 이러한 방법은, 농도가 구배를 가지는, 매립된 광-산란 입자를 가지는 블록의 특히 단순하고 경제적인 형성을 허용한다. 이러한 경우에, 구배를 형성하기 위해서, 중력이 유리하게 이용된다.
방법의 일 실시예에서, 블록을 형성하기 위해서, 재료의 제1 층 및 재료의 제2 층을 제공하는 단계로서, 제1 층이 제1 농도의 매립된 광-산란 입자를 가지고 제2 층이 제2 농도의 매립된 광-산란 입자를 가지는, 재료의 제1 층 및 재료의 제2 층을 제공하는 단계, 및 블록을 형성하기 위해서 제1 층 및 제2 층을 편평하게 본딩하는(flat bonding) 단계가 실시된다. 유리하게, 이러한 방법은, 블록의 재료 내에 매립된 광-산란 입자의 농도 구배의 구성의 특히 정확한 제어를 허용한다. 제1 층 및 제2 층의 편평한 본딩은, 예를 들어, 접착제에 의한 층들의 접착 본딩에 의해서 실시될 수 있을 것이다. 대안으로서, 제1 층 및 제2 층의 재료가 완전히 경화되기 전에 제1 층 및 제2 층이 서로 본딩될 수 있을 것이다. 이는 별개의 접착제의 이용을 피할 수 있게 한다.
방법의 일 실시예에서, 블록을 형성하기 위해서, 재료의 제1 층 및 재료의 제2 층을 공동 압출하는(coextruding) 단계가 실시되고, 제1 층이 제1 농도의 매립된 광-산란 입자를 가지고 제2 층이 제2 농도의 매립된 광-산란 입자를 가지며, 제1 층 및 제2 층은 서로 상하로 놓이면서(lying on one another) 공동 압출되어 블록을 형성한다. 유리하게, 이러한 방법은 또한, 블록의 재료 내에 매립된 광-산란 입자의 농도 구배의 구성의 정확한 제어를 허용한다. 블록을 형성하는 층의 공동 압출로 인해서, 유리하게, 층들의 후속 본딩이 필수적이 아니다.
방법의 일 실시예에서, 블록이 둘 초과의 층으로부터 형성된다. 그에 따라, 유리하게, 블록의 재료 내에 매립된 광-산란 입자의 농도 구배의 구성이 특히 미세하게 모델링될 수 있다.
광전자 구성요소를 생산하기 위한 방법이 전술한 유형의 방법에 의해서 광학적 요소를 생산하는 단계, 방사선 방출 면을 가지는 광전자 반도체 칩을 제공하는 단계, 및 방사선 방출 면 위에 광학적 요소를 배열하는 단계를 포함한다. 유리하게, 이는, 단순하고 경제적인 광전자 구성요소의 생산을 허용한다. 이러한 방법에 의해서 얻어질 수 있는 광전자 구성요소의 광학적 요소가 광전자 구성요소의 광전자 반도체 칩에 의해서 방출된 전자기적 방사선을 유리하게 편위시킬 수 있다.
본 발명의 전술한 성질, 특징 및 장점뿐만 아니라, 그러한 것들이 달성되는 방식이, 각각의 경우에 개략적으로 도시된 도면과 관련하여 보다 구체적으로 설명될, 예시적인 실시예에 관한 이하의 설명과 관련하여 보다 명백하고 포괄적으로 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 광전자 배열체의 단면적 측면도를 도시한다.
도 2는 매립된 광-산란 입자를 가지는 재료의 층의 단면적 측면도를 도시한다.
도 3은 광-산란 입자의 침잠 이후의 층의 단면적 측면도를 도시한다.
도 4는 다수의 광학적 요소를 생산하기 위한, 층으로 형성된 블록의 단면적 측면도를 도시한다.
도 5는 블록을 생산하기 위한 다수의 하위층(sublayer)을 도시한다.
도 6은 하위층으로부터 형성된 블록의 단면적 측면도를 도시한다.
도 7은 블록을 생산하기 위한 다수의 공동 압출된 하위층의 단면적 측면도를 도시한다.
도 8은 공동 압출된 하위층으로부터 형성된 블록의 단면적 측면도를 도시한다.
도 1은 광전자 배열체(100)의 개략적인 단면적 측면도를 도시한다. 광전자 배열체(100)가, 예를 들어, 액정 디스플레이(LCD) 내의 백그라운드 조명을 위해서 이용될 수 있을 것이다. 예를 들어, 광전자 배열체(100)가, 휴대용 전자 장치, 예를 들어 셀폰의 액정 디스플레이 내의 백그라운드 조명을 위해서 이용될 수 있을 것이다.
광전자 배열체(100)가 광전자 구성요소(200)를 포함한다. 광전자 구성요소(200)는 전자기적 방사선, 특히 가시광선을 생성 및 안내하기 위해서 이용된다.
광전자 구성요소(200)가 광전자 반도체 칩(210)을 포함한다. 광전자 반도체 칩(210)은 방사선 방출 면(211)을 갖는다. 광전자 반도체 칩(210)은, 전자기적 방사선, 예를 들어 가시광선을 그 방사선 방출 면(211)에서 방출하도록 구성된다. 광전자 반도체 칩(210)이, 예를 들어, 발광 다이오드 칩(LED 칩)으로서 구성될 수 있을 것이다.
광전자 반도체 칩(210)의 땜납 접촉 패드가, 광전자 반도체 칩(210)의, 방사선 방출 면(211)에 대향하는, 하부 측면들 중 하나 상에 형성될 수 있을 것이다. 이러한 경우에, 광전자 구성요소(200)가 표면 장착에 적합한 SMD 구성요소로서 구성될 수 있을 것이다. 광전자 반도체 칩(210)의 하부 측면 상에 배열된 땜납 접촉 패드가, 예를 들어, 리플로우 솔더링(reflow soldering)에 의한 전기적 접촉을 위해서 제공될 수 있을 것이다.
광전자 구성요소(200)가 광학적 요소(300)를 더 포함한다. 광학적 요소(300)가 본질적으로 직육면체 형상으로 구성되고, 상부 측면(301) 및 그러한 상부 측면(301)에 대향하는 하부 측면(302)을 갖는다. 광학적 요소(300)는 제1 측면 면(side face)(304) 및 제1 측면 면(304)에 대향하는 제2 측면 면(305)을 더 구비한다. 제1 측면 면(304) 및 제2 측면 면(305)이 광학적 요소(300)의 상부 측면(301)에 그리고 하부 측면(302)에 수직으로 각각 배향된다.
상부 측면(301) 및 하부 측면(302) 사이에서, 광학적 요소(300)가 하부 측면(302)에 수직으로 측정되는 두께(303)를 갖는다. 광학적 요소(300)의 두께(303)가 바람직하게는 0.1 mm 내지 1 mm이다. 특히 바람직하게는, 광학적 요소(300)의 두께(303)가 0.3 mm 미만이다.
광학적 요소(300)가 광전자 반도체 칩(210)의 방사선 방출 면(211) 위에 배열된다. 이러한 경우에, 광학적 요소(300)의 하부 측면(302)이 방사선 방출 면(211)을 향해서 대면하고 바람직하게 방사선 방출 면과 접촉한다. 광학적 요소(300)의 하부 측면(302)의 크기가 바람직하게 광전자 반도체 칩(210)의 방사선 방출 면(211)의 크기에 대략적으로 상응한다. 광전자 반도체 칩(210)의 방사선 방출 면(211)에서 방출되는 전자기적 방사선이 하부 측면(302)을 통해서 광학적 요소(300) 내로 전달될 수 있다.
광학적 요소(300)가 광학적으로 본질적으로 투명한 재료로 제조된 매트릭스(310)를 갖는다. 예를 들어, 광학적 요소(300)의 매트릭스(310)가 실리콘, 폴리카보네이트 또는 유리를 포함할 수 있을 것이다. 광-산란 입자(320)가 광학적 요소(300)의 매트릭스(310) 내에 매립된다. 광-산란 입자(320)가 예를 들어 TiO2, Al2O3, Hf2O5 또는 SiO2 를 포함할 수 있을 것이다. 광-산란 입자(320)가, 도 1의 개략도에서 매우 과장되어 도시된 평균 크기(321)를 갖는다. 광-산란 입자(320)의 평균 크기(321)가, 예를 들어, 200 nm 내지 50 ㎛일 수 있을 것이다.
광-산란 입자(320)가 광학적 요소(300)의 매트릭스(310) 내에 균질하게 분포되지 않는다. 그 대신에, 광학적 요소(300)의 매트릭스(310) 내에 매립된 광-산란 입자(320)의 농도가 농도 구배(330)를 가지며, 그러한 농도 구배를 따라 매트릭스(310) 내에 매립된 광-산란 입자(320)의 농도가 증가된다. 농도 구배(330)는 광학적 요소(300)의 하부 측면(302)과 각도(331)를 이룬다. 그에 따라, 농도 구배(330)가 또한 광전자 반도체 칩(210)의 방사선 방출 면(211)에 대해서 각도(331)로 배열된다. 각도(331)가 90°가 아닌 값을 갖는다. 그에 따라, 농도 구배(330)는 광학적 요소(300)의 하부 측면(302) 및 광전자 반도체 칩(210)의 방사선 방출 면(211)에 대해서 수직이 아니다. 바람직하게, 각도(331)가 35°내지 55°의 값이다. 특히 바람직하게, 각도(331)가 40°내지 50°의 값을 갖는다. 예를 들어, 각도(331)가 약 45°의 값을 가질 수 있을 것이다.
농도 구배(330)를 따른 매트릭스(310) 내에 매립된 광-산란 입자(320)의 농도 증가로 인해서, 매트릭스(310) 내에 매립된 광-산란 입자(320)가, 광학적 요소(300)의 상부 측면(301) 및 제2 측면 면(305)에 근접하여 배열된, 광학적 요소(300)의 제2 하위영역 내에서보다, 하부 측면(302) 및 제1 측면 면(304)에 근접하여 배열된, 광학적 요소(300)의 제1 하위영역 내에서 더 낮은 농도를 갖는다. 광학적 요소(300)의 제1 하위영역 내에서, 매트릭스(310) 내에 매립된 광-산란 입자(320)의 농도가 예를 들어 0°일 수 있을 것이다. 광학적 요소(300)의 제2 하위영역 내에서, 광-산란 입자(320)의 농도가 예를 들어 25°일 수 있을 것이다.
광학적 요소(300)의 매트릭스(310) 내에 매립된 광-산란 입자(320)의 농도가 농도 구배(330)를 따라서 계속적으로 증가될 수 있을 것이다. 그러나, 광-산란 입자(320)의 농도가 또한 농도 구배(330)를 따라서 단계적으로 증가될 수 있을 것이다. 이러한 경우에, 적은 수의 단계보다 많은 수의 단계가 바람직하다.
광학적 요소(300)의 매트릭스(310) 내에 매립된 광-산란 입자(320)의 농도 구배(330)가 하부 측면(302)에서 광학적 요소(300)로 진입하는 전자기적 방사선의 편차를 유발한다. 그러한 편차는 광-산란 입자(320)에서의 전자기적 방사선의 산란에 의해서 발생된다. 이러한 경우에, 전자기적 방사선이 농도 구배(330)에 반대로 편위된다. 그에 따라, 본질적으로 하부 측면(302)에 수직인 방향으로, 광학적 요소(300)의 하부 측면(302)에서 광학적 요소(300)로 진입하는 전자기적 방사선이 제1 측면 면(304)의 방향으로 광학적 요소(300) 내에서 편위된다. 그에 따라, 광학적 요소(300)의 하부 측면(302)에서 광학적 요소(300)로 진입하는 방사선의 대부분이 제1 측면 면(304)에 본질적으로 수직으로 배향된 방향으로 제1 측면 면(304)을 통해서 광학적 요소(300)를 빠져나갈 수 있다. 하부 측면(302)에서 광학적 요소(300)로 진입하는 방사선의 일부가 광학적 요소(300)의 다른 표면에서 광학적 요소(300)를 빠져나간다.
광전자 구성요소(200) 이외에, 광전자 배열체(100)가 도파관(110)을 포함한다. 도파관(110)이, 예를 들어, 편평한 도파관으로서 구성될 수 있을 것이다. 광전자 구성요소(200)의 광학적 요소(300)의 제1 측면 면(304)에서 나타나는 전자기적 방사선이 도파관(110)으로 진입할 수 있도록 하는 그리고 광전자 배열체(100)의 광전자 구성요소(200)의 광학적 반도체 칩(210)의 방사선 방출 면(211)에 본질적으로 평행하게 배향된 광 안내 방향(light guide direction)(111)으로 도파관(110)에 의해서 추가적으로 안내되도록 하는 방식으로, 도파관(110)이 광전자 구성요소(200) 다음에 배열된다. 도파관(110) 내에서 추가적으로 안내되는 전자기적 방사선이, 예를 들어, 액정 디스플레이의 백그라운드 조명을 위해서 이용될 수 있을 것이다. 광 안내 방향(111)에 수직인 방향으로, 도파관(110)이 광학적 요소(300)의 두께(303)에 대략적으로 상응하는 두께를 바람직하게 갖는다.
광-산란 입자(320) 이외에, 파장-변환 입자가 또한 광학적 요소(300)의 매트릭스(310) 내에 매립될 수 있을 것이다. 파장-변환 입자가, 예를 들어, 유기 또는 무기 발광 재료를 포함할 수 있을 것이다. 파장-변환 입자가 또한 양자점을 포함할 수 있을 것이다. 광전자 구성요소(200)의 광전자 반도체 칩(210)에 의해서 방출된 전자기적 방사선의 파장을 변환하기 위해서, 파장-변환 입자가 제공될 수 있을 것이다. 이러한 목적을 위해서, 제1 파장을 가지는 전자기적 방사선을 흡수하고 후속하여 제2의, 전형적으로 더 긴, 파장을 가지는 전자기적 방사선을 방출하도록, 파장-변환 입자가 구성될 수 있을 것이다. 청색 스펙트럼 범위 내의 파장을 가지는 광전자 반도체 칩(210)에 의해서 방출된 전자기적 방사선을 백색 스펙트럼 분포를 가지는 전자기적 방사선으로 변환하기 위해서, 예를 들어, 광학적 요소(300)의 매트릭스(310) 내에 매립된 파장-변환 입자가 제공될 수 있을 것이다. 그러나, 광학적 요소(300)의 매트릭스(310) 내에 파장-변환 입자를 매립하는 것이 또한 생략될 수 있을 것이다.
광전자 배열체(100)의 광전자 구성요소(200)의 광학적 요소(300)를 생산하기 위한 방법의 변형예가 도 2 내지 도 4 및 도 5 내지 도 6 그리고 도 7 내지 도 8의 도움으로 이하에서 설명될 것이다. 이러한 경우에, 서로 상응하는 부분들이 모든 도면들 내에서 도 1에서와 동일한 참조부호로 제공되고, 다시 구체적으로 설명되지는 않을 것이다.
도 2는 층(410)의 개략적인 단면적 측면도를 도시한다. 층(410)이 상부 측면(401) 및 그러한 상부 측면(401)에 대향하는 하부 측면(402)을 갖는다. 층(410)은, 광학적 요소(300)의 매트릭스(310)의 재료에 상응하는 재료를 포함하거나, 광학적 요소(300)의 매트릭스(310)의 재료를 형성할 수 있는 재료를 포함한다. 층(410)의 재료가 완전히 경화되지 않는다.
광-산란 입자(320)가 층(410) 내에 매립된다. 광-산란 입자가 층(410) 내에서 본질적으로 균질하게 분포될 수 있을 것이다. 그에 따라, 층(410) 내에 매립된 광-산란 입자(320)가 본질적으로 균질한 농도를 가질 수 있을 것이다.
층(410)의 재료가 완전히 경화되지 않기 때문에, 층(410) 내에 매립된 광-산란 입자(320)가 중력의 영향 하에서 층(410)의 하부 측면(402)의 방향으로 층(410) 내로 침잠될 수 있다. 이러한 것이 도 3의 개략적인 단면적 측면도로 도시되어 있다. 층(410) 내에 매립된 광-산란 입자(320)의, 시간 경과에 따라 진행되는, 침잠으로 인해서, 층(410) 내에 매립된 광-산란 입자(320)의 농도의 농도 구배(330)가 층(410) 내에 형성된다. 농도 구배(330)가 층(410)의 상부 측면(401)으로부터 하부 측면(402)으로 향하고 층(410)의 상부 측면(401) 및 하부 측면(402)에 본질적으로 수직으로 지향된다.
층(410) 내에 매립된 광-산란 입자(320)의 농도 구배(330)가 희망 범위까지 형성되자 마자, 층(410)의 재료가 경화될 수 있을 것이다. 층(410)의 재료의 경화가, 예를 들어, 열처리 또는 UV 광을 이용한 처리에 의해서 실시될 수 있을 것이다.
층(410)의 재료 내의 광-산란 입자(320)의 추가적인 침잠이 층(410)의 재료의 경화에 의해서 방지된다. 광-산란 입자(320)가 층(410)의 재료 내에서 고정된다. 그에 따라, 제1 블록(400)이 층(410)의 재료의 경화에 의해서 층(410)으로부터 형성된다. 층(410)의 경화된 재료가 제1 블록(400)의 매트릭스(310)를 형성한다. 제1 블록(400)의 매트릭스(310) 내에 매립된 광-산란 입자(320)가, 농도 구배(330)를 따라서 증가되는 매트릭스(310) 내의 농도를 갖는다. 농도 구배(330)가, 제1 블록(400)의 상부 측면 및 하부 측면을 형성하는, 층(410)의 상부 측면(401) 및 하부 측면(402)에 본질적으로 수직으로 배향된다. 도 4는 제1 블록(400)의 개략적인 단면적 측면도를 도시한다.
후속 프로세싱 단계에서, 다수의 광학적 요소(300)를 획득하기 위해서, 제1 블록(400)이 분할될 수 있을 것이다. 제1 블록(400)의 분할이, 예를 들어, 제1 블록(400)을 컷팅하는 것에 의해서 실시될 수 있을 것이다. 형성된 광학적 요소의 하부 측면(302)이 농도 구배(330)와 90°가 아닌 각도를 형성하는 방식으로, 제1 블록(400)이 분할된다. 그에 따라, 광학적 요소(300)가 제1 블록(400)으로부터 비스듬하게 분리되고, 예를 들어 컷팅된다.
도 5는, 제1 하위층(510), 제2 하위층(520), 제3 하위층(530) 및 제4 하위층(540)의 개략적인 단면적 측면도를 도시한다. 하위층(510, 520, 530, 540)이 얇은 시트의 형태로 구성된다. 이러한 경우에, 하위층(510, 520, 530, 540)이 설정된(established) 두께를 갖는다. 개별적인 하위층(510, 520, 530, 540)의 두께가 서로 상응하거나 서로 상이할 수 있을 것이다.
각각의 하위층(510, 520, 530, 540)이, 광학적 요소(300)의 매트릭스(310)의 재료에 상응하는 재료를 포함한다. 광-산란 입자(320)가 각각의 하위층(510, 520, 530, 540) 내에 매립된다. 제1 하위층(510)의 재료 내에 매립되는 광-산란 입자(320)가 제1 농도를 갖는다. 제2 하위층(520)의 재료 내에 매립되는 광-산란 입자(320)가 제2 농도를 갖는다. 제3 하위층(530)의 재료 내에 매립되는 광-산란 입자(320)가 제3 농도를 갖는다. 제4 하위층(540)의 재료 내에 매립되는 광-산란 입자(320)가 제4 농도를 갖는다. 하위층(510, 520, 530, 540) 내에서, 광-산란 입자(320)의 농도가 각각 본질적으로 일정하다. 그러나, 광-산란 입자(320)의 제2 농도가 광-산란 입자(320)의 제1 농도보다 높다. 다시, 제3 농도가 제2 농도보다 높다. 제4 농도가 제3 농도보다 높다.
하위층(510, 520, 530, 540)이 서로 편평하게 본딩되어 제2 블록(500)을 형성할 수 있을 것이다. 이러한 경우에, 제2 하위층(520)이 제1 하위층(510)과 제3 하위층(530) 사이에 배열된다. 제3 하위층(530)이 제2 하위층(520)과 제4 하위층(540) 사이에 배열된다. 제1 하위층(510)의 상부 측면이 제2 블록(500)의 상부 측면(501)을 형성한다. 제4 하위층(540)의 하부 측면이 제2 블록(500)의 하부 측면(502)을 형성한다.
물론, 제2 블록(500)이 또한 4개 초과의 하위층(510, 520, 530, 540)으로부터 형성될 수 있을 것이다. 이러한 경우에, 개별적인 하위층이 바람직하게, 서로에 대해서 본딩되는 순서로, 각각 증가되는 매립된 광-산란 입자(320)의 농도를 갖는다. 그러나, 또한, 단지 2개의 하위층(510, 520)으로부터 또는 3개의 하위층(510, 520, 530)으로부터 제2 블록(500)을 형성할 수 있다.
제2 블록(500)을 형성하기 위해서 하위층(510, 520, 530, 540)을 본딩하는 것이, 예를 들어, 하위층(510, 520, 530, 540)의 라미네이션(lamination)에 의해서 실시될 수 있을 것이다. 이러한 경우에, 개별적인 하위층(510, 520, 530, 540)이, 예를 들어, 별개의 접착제에 의해서 서로에 대해서 편평하게 본딩될 수 있을 것이다. 이러한 경우에, 하위층(510, 520, 530, 540)의, 매립된 광-산란 입자(320)를 포함하는, 재료가 하위층(510, 520, 530, 540)의 본딩에 앞서서 미리 완전히 경화될 수 있을 것이다.
그러나, 별개의 접착제를 이용하지 않고 제2 블록(500)을 형성하기 위해서, 하위층(510, 520, 530, 540)이 또한 서로에 대해서 본딩될 수 있을 것이다. 이러한 경우에, 하위층(510, 520, 530, 540)의, 매립된 광-산란 입자(320)를 포함하는, 재료가 하위층(510, 520, 530, 540)의 본딩 중에 아직 완전히 경화되지 않고 그에 따라 하위층(510, 520, 530, 540)의 영구적인 본딩을 허용한다. 하위층(510, 520, 530, 540)의 본딩 후에, 하위층(510, 520, 530, 540)의, 매립된 광-산란 입자(320)를 포함하는, 재료가, 예를 들어, 열처리에 의해서 또는 UV 광을 이용한 처리에 의해서 경화될 수 있을 것이다.
도 6은 하위층(510, 520, 530, 540)으로부터 형성된 제2 블록(500)의 개략적인 단면적 측면도를 도시한다. 서로에 대해서 본딩된 하위층(510, 520, 530, 540)의 재료가 제2 블록(500)의 매트릭스(310)를 형성하고, 그러한 매트릭스 내에 광-산란 입자(320)가 매립된다. 제2 블록(500) 내에서, 매립된 광-산란 입자(320)가 농도 구배(330)를 가지며, 그러한 농도 구배는 제2 블록(500)의 상부 측면(501)으로부터 제2 블록(500)의 하부 측면(502)으로 향하고 본질적으로 상부 측면(501)에 그리고 하부 측면(502)에 수직으로 배향된다. 농도 구배(330)를 따라서, 제2 블록(500)의 매트릭스(310) 내에 매립된 광-산란 입자(320)의 농도가 단계적으로 증가된다.
후속 프로세싱 단계에서, 도 4의 도움으로 설명된, 제1 블록(400)의 분할과 유사한 방식으로 제2 블록(500)을 분할하는 것에 의해서, 광학적 요소(300)가 제2 블록(500)으로부터 형성될 수 있을 것이다.
도 7은, 제1 하위층(610), 제2 하위층(620), 제3 하위층(630) 및 제4 하위층(640)의 개략적인 단면적 측면도를 도시한다. 하위층(610, 620, 630, 640)이 압출 다이(650)에 의한 공동 압출에 의해서 얇은 시트의 형태로 형성된다. 각각의 하위층(610, 620, 630, 640)이 설정된 두께를 갖는다. 하위층(610, 620, 630, 640) 각각이 동일한 두께를 가지거나 상이한 두께들을 가질 수 있을 것이다.
각각의 하위층(610, 620, 630, 640)이, 광학적 요소(300)의 매트릭스(310)의 재료에 상응하는 재료를 포함한다. 광-산란 입자(320)가 하위층(610, 620, 630, 640)의 재료 내에 각각 매립된다. 각각의 하위층(610, 620, 630, 640) 내에서, 매립된 광-산란 입자(320)의 농도가 본질적으로 일정하다. 제1 하위층(610) 내에서, 매립된 광-산란 입자(320)가 제1 농도를 갖는다. 제2 하위층(620) 내에서, 매립된 광-산란 입자(320)가 제2 농도를 갖는다. 제3 하위층(630) 내에서, 매립된 광-산란 입자(320)가 제3 농도를 갖는다. 제4 하위층(640) 내에서, 매립된 광-산란 입자(320)가 제4 농도를 갖는다. 제2 농도가 제1 농도보다 높다. 제3 농도가 제2 농도보다 높다. 제4 농도가 제3 농도보다 높다.
공동 압출 중에, 하위층(610, 620, 630, 640)이 편평하게 본딩되어 제3 블록(600)을 형성한다. 이러한 경우에, 제1 하위층(610)의 상부 측면이 제3 블록(600)의 상부 측면(601)을 형성한다. 제4 하위층(640)의 하부 측면이 제3 블록(600)의 하부 측면(602)을 형성한다. 제2 하위층(620)이 제1 하위층(610)과 제3 하위층(630) 사이에 배열된다. 제3 하위층(630)이 제2 하위층(620)과 제4 하위층(640) 사이에 배열된다. 물론, 제3 블록(600)이 또한 4개 미만 또는 초과의 하위층(610, 620, 630, 640)으로부터 형성될 수 있을 것이다.
도 8은 하위층(610, 620, 630, 640)의 공동 압출에 의해서 형성된 제3 블록(600)의 개략적인 단면적 측면도를 도시한다. 하위층(610, 620, 630, 640)의 재료가 제3 블록(600)의 매트릭스(310)를 형성한다. 광-산란 입자(320)가 제3 블록(600)의 매트릭스(310) 내에 매립된다. 매트릭스(310) 내에 매립된 광-산란 입자(320)의 농도가 농도 구배(330)를 갖는다. 농도 구배(330)가 제3 블록(600)의 상부 측면(601)으로부터 하부 측면(602)으로 연장하고 제3 블록(600)의 상부 측면(601) 및 하부 측면(602)에 본질적으로 수직으로 배향된다. 농도 구배(330)를 따라서, 제3 블록(600)의 매트릭스(300) 내에 매립된 광-산란 입자의 농도가 단계적으로 증가된다.
광학적 요소(300)가, 제3 블록(600)을 분할하는 것에 의해서, 제3 블록(600)으로부터 형성될 수 있을 것이다. 이러한 목적을 위해서, 도 4의 도움으로 제1 블록(400)에 대해서 설명된 것과 동일한 방식으로, 제3 블록(600)이 분할된다.
그에 따라, 광학적 요소(300)를 생산하기 위해서, 매트릭스 재료(310) 내에 광-산란 입자(320)가 매립되는 블록(400, 500, 600)이 초기에 형성되고, 매립된 광-산란 입자(320)의 농도가 농도 구배(330)를 갖는다. 후속하여, 하부 측면(302)을 가지는 적어도 하나의 광학적 요소(300)를 획득하기 위해서, 블록(400, 500, 600)이 분할된다. 이러한 경우에, 광학적 요소의 하부 측면(302)이 농도 구배(330)와 90°가 아닌 각도를 형성하는 방식으로, 블록(400, 500, 600)이 분할된다.
바람직한 예시적인 실시예의 도움으로 발명을 구체적으로 도시하고 설명하였다. 그럼에도 불구하고, 발명은 개시된 예로 제한되지 않는다. 오히려, 발명의 보호 범위로부터 벗어나지 않고도, 당업자에 의해서 다른 변경예가 그로부터 안출될 수 있을 것이다.
100 광전자 배열체
110 도파관
111 광 안내 방향
200 광전자 구성요소
210 광전자 반도체 칩
211 방사선 방출 면
300 광학적 요소
301 상부 측면
302 하부 측면
303 두께
304 제1 측면 면
305 제2 측면 면
310 매트릭스
320 광-산란 입자
321 평균 크기
330 농도 구배
331 각도
400 제1 블록
401 상부 측면
402 하부 측면
410 층
500 제2 블록
501 상부 측면
502 하부 측면
510 제1 하위층
520 제2 하위층
530 제3 하위층
540 제4 하위층
600 제3 블록
601 상부 측면
602 하부 측면
610 제1 하위층
620 제2 하위층
630 제3 하위층
640 제4 하위층
650 압출 다이

Claims (15)

  1. 광전자 구성요소(200)로서,
    방사선 방출 면(211)을 갖는 광전자 반도체 칩(210)을 포함하고,
    광학적 요소(300)가 상기 방사선 방출 면(211) 위에 배열되고,
    상기 광학적 요소(300)는, 광-산란 입자들(320)이 내부에 매립된 재료(310)를 포함하며,
    상기 매립된 광-산란 입자들(320)의 농도가, 상기 방사선 방출 면(211)과 90°가 아닌 각도(331)를 이루는 구배(gradient)(330)를 갖는, 광전자 구성요소(200).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 각도(331)가 35°내지 55°, 바람직하게 40°내지 50°인, 광전자 구성요소(200).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 재료(310)가 규소, 폴리카보네이트 또는 유리를 포함하는, 광전자 구성요소(200).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광-산란 입자들(320)이 200 nm 내지 50 ㎛의 평균 크기(321)를 가지는, 광전자 구성요소(200).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광-산란 입자들(320)이 TiO2, Al2O3, Hf2O5 또는 SiO2 를 포함하는, 광전자 구성요소(200).
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학적 요소(300)가, 0.1 mm 내지 1 mm, 바람직하게는 0.3 mm 미만의 두께(303)인, 상기 방사선 방출 면(211)에 수직인 방향으로 상기 방사선 방출 면(211) 위의 두께(303)를 갖는, 광전자 구성요소(200).
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    파장-변환 입자들이 상기 재료(310) 내에 매립되는, 광전자 구성요소(200).
  8. 광전자 배열체(100)로서,
    제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 광전자 구성요소(200), 및
    도파관(110)을 포함하고,
    상기 도파관(110)이, 측방향으로 상기 광학적 요소(300) 다음에 배열되는, 광전자 배열체(100).
  9. 제8항에 있어서,
    상기 도파관(110)이 상기 방사선 방출 면(211)에 평행하게 배향되는, 광전자 배열체(100).
  10. 광학적 요소(300)를 생산하기 위한 방법으로서,
    - 매립된 광-산란 입자들(320)을 가지는 재료(310)의 블록(400, 500, 600)을 형성하는 단계 - 상기 매립된 광-산란 입자들(320)의 농도가 구배(330)를 가짐 - ; 및
    - 하부 측면(302)을 가지는 광학적 요소(300)를 획득하기 위해서 상기 블록(400, 500, 600)을 분할하는 단계 - 상기 구배(330)가 상기 하부 측면(302)과 90°가 아닌 각도(331)를 형성함 -
    를 포함하는, 광학적 요소 생산 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 블록(400)을 형성하기 위해서,
    - 상기 매립된 광-산란 입자들(320)을 가지는 상기 재료(310)의 층(410)을 제공하는 단계;
    - 상기 농도의 구배(330)가 형성되도록 상기 광-산란 입자들(320)이 상기 재료(310) 내에 침잠(sink)되도록 하는 단계; 및
    - 상기 블록(400)을 형성하기 위한 상기 층(410)의 재료(310)를 경화하는 단계가 실시되는, 광학적 요소 생산 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 블록(500)을 형성하기 위해서,
    - 상기 재료(310)의 제1 층(510) 및 상기 재료(310)의 제2 층(520)을 제공하는 단계 - 상기 제1 층(510)이 매립된 광-산란 입자들(320)의 제1 농도를 가지고 상기 제2 층(520)이 매립된 광-산란 입자들(320)의 제2 농도를 가짐 - ; 및
    - 상기 블록(500)을 형성하기 위해서 상기 제1 층(510) 및 상기 제2 층(520)을 편평 본딩(flat bonding)하는 단계가 실시되는, 광학적 요소 생산 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 블록(600)을 형성하기 위해서,
    - 상기 재료(310)의 제1 층(610) 및 상기 재료(310)의 제2 층(620)을 공동 압출(coextruding)하는 단계가 실시되며,
    상기 제1 층(610)이 매립된 광-산란 입자들(320)의 제1 농도를 가지고, 상기 제2 층(620)이 매립된 광-산란 입자들(320)의 제2 농도를 가지며,
    상기 블록(600)을 형성하도록 상기 제1 층(610) 및 상기 제2 층(620)이 서로 상하로 위치되면서 공동 압출되는, 광학적 요소 생산 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 블록(500, 600)이 둘 초과의 층(510, 520, 530, 540, 610, 620, 630, 640)으로부터 형성되는, 광학적 요소 생산 방법.
  15. 광전자 구성요소(200)를 생산하기 위한 방법으로서,
    - 제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해서 광학적 요소(300)를 생산하는 단계;
    - 방사선 방출 면(211)을 갖는 광전자 반도체 칩(210)을 제공하는 단계; 및
    - 상기 광학적 요소(300)를 상기 방사선 방출 면(211) 위에 배열하는 단계
    를 포함하는, 광학적 구성요소 생산 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015109324A1 (de) * 2015-06-11 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren und Anordnung
JP7387949B2 (ja) * 2017-10-16 2023-11-29 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 量子ドット含有樹脂シート又はフィルム、及びその製造方法、並びに、波長変換部材
CN112363267A (zh) * 2020-11-02 2021-02-12 浙江天月科技有限公司 一种柔性导光膜及其制备方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3215218B2 (ja) 1993-04-05 2001-10-02 康博 小池 光散乱導光光源装置
JPH11194204A (ja) * 1997-09-19 1999-07-21 Sekisui Chem Co Ltd 光拡散シート及びその製造方法
JP3976157B2 (ja) * 1998-06-29 2007-09-12 日東電工株式会社 光散乱フィルム、その製造方法及び複屈折性フィルム
JP3951580B2 (ja) * 2000-10-03 2007-08-01 凸版印刷株式会社 光拡散板
JP4246602B2 (ja) * 2003-11-12 2009-04-02 タキロン株式会社 光拡散板
JP2007273090A (ja) * 2004-06-22 2007-10-18 Scalar Corp 導光板、導光板の製造方法、バックライト、液晶表示装置
JP3875247B2 (ja) 2004-09-27 2007-01-31 株式会社エンプラス 発光装置、面光源装置、表示装置及び光束制御部材
JP4839819B2 (ja) 2004-12-20 2011-12-21 三菱瓦斯化学株式会社 プラスチックシート
TWI255566B (en) * 2005-03-04 2006-05-21 Jemitek Electronics Corp Led
KR100593933B1 (ko) 2005-03-18 2006-06-30 삼성전기주식회사 산란 영역을 갖는 측면 방출형 발광다이오드 패키지 및이를 포함하는 백라이트 장치
KR20080049011A (ko) * 2005-08-05 2008-06-03 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 반도체 발광장치
JP5176273B2 (ja) * 2005-12-28 2013-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
TW200741138A (en) 2006-03-10 2007-11-01 Mitsubishi Rayon Co Area light source device
US8840746B2 (en) 2006-05-25 2014-09-23 I2Ic Corporation Method of manufacturing of sheets with varying concentrations of particles
EP2074668B1 (en) * 2006-10-10 2018-02-28 Tridonic Jennersdorf GmbH Phosphor-converted light emitting diode
WO2008087883A1 (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Alps Electric Co., Ltd. 照光装置およびこれを備えた入力装置
JP2009016289A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Sony Corp 光源装置及び光学装置
CN101795860B (zh) * 2007-09-04 2015-01-21 皇家飞利浦电子股份有限公司 光输出器件
JP2009223298A (ja) * 2008-02-19 2009-10-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 光拡散性積層樹脂フィルムおよびその製造方法、ならびに防眩フィルム、防眩性偏光板および画像表示装置
RU2480967C2 (ru) * 2008-02-27 2013-04-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Скрытые органические оптоэлектронные устройства со светорассеивающим слоем
DE102009018088A1 (de) * 2008-04-30 2009-12-24 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Modul zur Homogenisierung von Licht, das von einer Festkörper-Lichtquelle (z.B. einer LED) emittiert wird
JP5383101B2 (ja) * 2008-06-23 2014-01-08 三菱電機株式会社 面状光源装置および表示装置
CN101344234B (zh) * 2008-08-22 2010-09-08 友达光电股份有限公司 显示装置及其可调式发光模块
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
JP5562047B2 (ja) * 2010-01-19 2014-07-30 日東光学株式会社 白色ｌｅｄ照明装置、および光学レンズ
DE102010028246A1 (de) * 2010-04-27 2011-10-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP4851631B1 (ja) * 2010-10-12 2012-01-11 富士フイルム株式会社 導光板および面状照明装置
US8455898B2 (en) * 2011-03-28 2013-06-04 Osram Sylvania Inc. LED device utilizing quantum dots
DE102011016567B4 (de) * 2011-04-08 2023-05-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und derart hergestelltes Bauelement
CN104736930A (zh) * 2012-08-16 2015-06-24 英派尔科技开发有限公司 渐变荧光材料
DE102012108828A1 (de) * 2012-09-19 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, optisches Element und deren Herstellungsverfahren
US8754435B1 (en) * 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods
JP2013157326A (ja) * 2013-03-08 2013-08-15 Koha Co Ltd 光源モジュール及び表示装置

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