KR20160076987A - 개선된 습도 센서 - Google Patents

Abstract

개선된 습도 센서
본 발명은 각각 금속 구역 (18) 을 제공하는 적어도 복수의 유전체층들 (16), 및 금속층 (20) 이 배열되는 실리콘 베이스 플레이트 (10) 를 포함하는 습도 센서 (1) 에 관한 것으로, 상기 금속층은 2 개의 전극들 (22) 을 형성하도록 식각되며, 각각의 전극은 다수의 암들이 제공되는 하나의 아마츄어를 포함하며, 이러한 아마츄어들은 서로 반대편에 배치되고 갭들 (22a) 을 갖도록 암들이 인터레이싱된다.

Description

개선된 습도 센서{IMPROVED HUMIDITY SENSOR}

본 발명은 실리콘 베이스 플레이트를 포함하는 습도 센서에 관한 것으로, 실리콘 베이스 플레이트 위에 각각 금속 구역을 제공하는 적어도 복수의 유전체층, 및 금속층이 배열되고, 상기 금속층은 2 개의 전극들을 형성하도록 식각되며, 각각의 전극은 다수의 암들이 제공되는 하나의 아마츄어를 포함하며, 이러한 아마츄어들은 각각의 아마츄어의 암들이 서로 반대편에 위치되는 암들을 갖도록 장착된다.

전자 회로용 습도 센서들은 공지되어 있다. 그러한 습도 센서는 인터디지털 콤 (interdigital comb) 들을 갖는 습도 센서이다.

그러한 센서는 실리콘 웨이퍼 베이스로 구성되며, 실리콘 웨이퍼 베이스 위에 적어도 하나의 레벨간 유전체층 (interlevel dielectric layer; ILD) 이 배치된다. 이러한 레벨간 층 상에는, 복수의 금속간 유전체층 (intermetallic dielectric layer; IMD) 들이 있다. 바람직하게는 3 개인, 이러한 층들은 겹쳐 놓이고, 각각은 전기 전도를 위한 금속 구역들을 포함한다.

이러한 금속간 유전체층들 위에, 인터디지털 콤의 역할을 하는 전도층이 생성되며, 이러한 층은 알루미늄으로 제조될 수 있다. 이러한 알루미늄층은 그러면 상기 콤을 형성하도록 식각된다. 콤이 형성되면, 그 전체가 패시베이션층으로 커버된다.

이러한 식각된 플레이트는 그러면 저장되며, 그 다음에 이용을 위해 준비되는 제 2 제조 페이즈 동안에 이용된다. 이러한 제 2 제조 페이즈는 패시베이션층이 콤의 높이로 그리고 컨택 영역들의 높이로 식각되는 오프닝 단계로 구성된다. 이러한 페시베이션을 식각하는 단계는 콤의 다양한 브랜치들 사이에 위치된 패시베이션층을 식각하는 것을 가능하게 한다.

이러한 단계가 완료되면, 부식에 대비한 알루미늄을 위한 보호층이 퇴적되며, 이러한 층은 옥시나이트라이드 (oxynitride) 의 층일 수 있다.

마지막 단계는 그 전체를 보호하기 위해 폴리아미드층을 퇴적하는 것으로 구성된다.

그러나, 이러한 구성은 단점들을 갖는다. 첫번째 단점은 상기 센서의 2 개의 페이즈들의 제조에서 기인한다. 사실, 센서의 제조를 위한 2 개의 별도의 페이즈들을 갖는다는 사실은 추가의 열 사이클들의 구역재를 필요로 한다. 이러한 추가의 열 사이클들은 상기 습도 센서를 손상시킬 수 있는 플레이트 및 인터디지털 콤 상에서의 추가의 열 응력들의 출연을 야기한다.

두번째 단점은 제 2 페이즈 동안에 식각하는 것에서 기인한다. 사실, 패시베이션층이 식각되는 제 2 페이즈 동안에, 기생 커패시턴스들이 나타난다. 이러한 기생 커패시턴스들은 완벽하지 않은 식각, 즉, 그 가장자리들이 완벽하게 똑바르지 않은 식각에 의해 야기된다. 결과적으로, 패시베이션층의 잔여물들이 구역재하여 성능을 손상시키는 이러한 기생 커패시턴스들의 출연을 야기한다.

이를 위해, 본 발명은 실리콘 베이스 시트를 포함하는 습도 센서로 구성되며, 실리콘 베이스 시트 위에 각각 금속 구역을 제공하는 복수의 유전체층 (dielectric layer) 들 및 금속층이 배열되며, 상기 금속층은 2 개의 전극들을 형성하도록 식각되며, 각각의 전극은 다수의 암들을 제공하는 하나의 아마츄어 (armature) 를 포함하며, 이러한 아마츄어들은 각각의 암마츄어의 암들이 서로 반대편에 위치된 암들을 갖고 갭들에 의해 분리되도록 인터레이싱되고, 상기 센서는 식각된 금속층 위에 퇴적되는 패시베이션층 (24) 을 더 포함하고, 상기 패시베이션층은 서로 반대편에 배치된 암들 사이의 갭들이 파이도록 (hollowed out) 식각되며, 금속층이 퇴적되는 유전체층까지 연장된다.

제 1 유리한 실시형태에서, 센서는 부식으로부터 금속층을 보호하는 부식방지 보호층을 더 포함한다.

제 2 유리한 실시형태에서, 부식방지 보호층은 옥시나이트라이드 (oxynitride) 로 생성된다.

제 3 유리한 실시형태에서, 옥시나이트라이드로 생성된 보호층은 두께를 가지며, 두께의 값은 서로 반대편에 배치된 암들 사이의 갭들의 거리의 많아야 10% 와 동일하다.

제 4 유리한 실시형태에서, 센서는 검출 유전체의 역할을 하는 폴리이미드 (polyimide) 층을 더 포함한다.

제 5 유리한 실시형태에서, 패시베이션층은 비생성 구역들의 높이로 (at the level of) 금속층 상에 직접적으로 삽입되어 퇴적될 수 있다.

다른 유리한 실시형태에서, 센서는 커패시턴스/전압 컨버터, 아날로그-디지털 컨버터, 및 디지털 인터페이스를 포함하는 회로 시스템에 통합되도록 배열된다.

다른 유리한 실시형태에서, 회로 시스템은 회로 시스템이 마이크로제어기에 접속되는 것을 가능하게 하는 컨택 영역들을 더 포함한다.

본 발명은 또한 다음의 단계들:

1) 베이스 플레이트를 제공하는 단계;

2) 적어도 하나의 유전체층을 퇴적하고 (상기 유전체층에는 금속 구역이 제공된다), 마지막 유전체층 위에 금속층을 퇴적하는 단계;

3) 2 개의 전극들을 형성하기 위해 상기 금속층을 식각하는 단계로서, 각각의 전극은 다수의 암들이 제공되는 아마츄어를 포함하며, 각각의 아마츄어의 암들은 서로 반대편에 암들이 위치되고 갭들이 분리되도록 인터레이싱되고 이러한 아마츄어들이 장착되는, 2 개의 전극들을 형성하기 위해 상기 금속층을 식각하는 단계;

4) 상기 식각된 금속층 위에 패시베이션층을 퇴적하는 단계;

5) 2 개의 전극들의 높이로 상기 패시베이션층을 식각하는 단계로서, 상기 식각은, 갭들의 높이로, 서로 반대편에 배치된 암들 사이에서, 금속층이 퇴적되는 유전체층까지 확장되도록 생성되는, 패시베이션층을 식각하는 단계를 포함하는 습도 센서에 대한 제조 방법에 관한 것이다.

제 1 유리한 실시형태에서, 방법은 부식으로부터 금속층을 보호하는 부식방지 보호층을 퇴적하는 것으로 구성되는 단계 6) 을 더 포함한다.

제 2 유리한 실시형태에서, 방법은 단계 3) 에서 식각되는 적어도 하나의 컨택 영역의 높이로 상기 패시베이션층을 식각하는 것으로 구성되는 단계 7) 을 더 포함하다.

제 3 유리한 실시형태에서, 방법은 마지막 퇴적된 층 위에 폴리이미드층을 퇴적하는 것으로 구성되는 단계 8) 을 더 포함한다.

제 4 유리한 실시형태에서, 방법은 컨택 수단을 배열하는 것을 가능하게 하도록 컨택 영역들의 높이로 상기 폴리이미드 층을 식각하는 것으로 구성되는 단계 9) 를 더 포함한다.

다른 유리한 실시형태에서, 방법은 컨택 수단을 배열하는 것으로 구성되는 단계 8a) 를 더 포함한다.

다른 유리한 실시형태에서, 방법은 마지막 퇴적된 층 위에 폴리이미드층을 퇴적하는 것으로 구성되는 단계 10) 을 더 포함한다.

다른 유리한 실시형태에서, 방법은 상기 센서를 세정하는 것으로 구성되는 단계 5a) 를 더 포함한다.

본 발명의 목표들, 이점들, 및 피쳐들은, 단지 예로서 고려하여, 비제한적인 방식으로, 그리고 첨부된 도면들에 의해 예시된, 본 발명의 적어도 하나의 실시형태의 다음의 세부 사항들에서 자명해질 것이다:
도 1 내지 도 9 는 본 발명에 따른 습도 센서를 제조하기 위한 다양한 단계들을 개략적으로 나타낸다.
도 10 은 본 발명에 따른 습도 센서를 제조하는 방법의 단계들의 도면을 나타낸다.

도 1 에서는, 본 발명에 따른 습도 센서 (1) 가 나타내어진다. 그러한 센서는 웨이퍼라고 불리는 실리콘 베이스 플레이트 (10) 를 포함한다. 이러한 베이스 플레이트는 또한 센서가 통합될 회로 시스템을 포함할 수 있다. 이러한 회로 시스템은 커패시턴스/전압 컨버터, 아날로그-디지털 컨버터, 및 디지털 인터페이스로 구성되며, 그 전체는 컨택 영역들을 통해 다른 베이스 플레이트 위에 배열되는 마이크로제어기에 접속될 수 있다. 물론, 센서, 회로 시스템, 및 마이크로제어기가 상이한 베이스 플레이트들 상에 또는 동일한 베이스 플레이트 상에 있거나, 회로 시스템 및 마이크로제어기가 동일한 플레이트 상에 있는 것이 제공될 수 있다. 이러한 베이스 플레이트 (10) 는 상기 센서에 대한 기판 역할을 하고, 제 1 단계는 이러한 베이스 플레이트를 제공하는 것으로 구성된다. 도 10 은 본 발명에 따른 습도 센서를 제조하기 위한 다양한 단계들을 나타낸다.

이러한 기판 (10) 위에, 다양한 층들이 제 2 단계 동안에 연속하여 퇴적된다. 제 1 층 (12) 이 퇴적된다. 이러한 층은 활성으로 불리는 구역 및 이산화규소 (silicon dioxide) 의 구역을 포함한다.

이러한 제 1 층 위에, 레벨간 유전체층 (interlevel dielectric layer; ILD) (14) 이 퇴적된다.

후속하여, 복수의 금속간 유전체층들 (16) (intermetallic dielectric layer; IMD) 이 퇴적된다. 바람직하게는 3 개인, 이러한 금속간 유전체층들 (16) 은 겹쳐 놓이고, 각각은 전기 전도를 위한 금속 구역들을 포함한다. 이러한 금속 구역들 (18) 은 비아 형 (VIA type) (18a) 의 커넥터들에 의해 함께 접속될 수 있다.

이러한 금속간 유전체층들 (16) 위에, 인터디지털 콤의 역할을 하는 전도층 (20) 이 생성되며, 이러한 금속층 (20) 은 제 2 단계 동안에 퇴적되고 도 1 에서 볼 수 있는 바와 같이 알루미늄으로 제조될 수 있다. 이러한 제 2 단계는 당업자에게 공지된 단계이다.

이러한 알루미늄층 (20) 은, 도 2 에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 콤을 형성하기 위해 제 3 단계 동안에 식각된다. 인터디지털 콤은 일반적으로 2 개의 전극들 (22) 에 의해 형성되며, 각각의 전극은 다수의 암들이 제공되는 아마츄어를 포함한다. 이러한 아마츄어들은 각각의 아마츄어의 암들이 인터레이싱되도록 장착된다. 따라서 정전용량 습도 센서가 획득된다.

콤이 형성되면, 제 4 단계는 그 전체를 패시베이션층 (24) 으로 커버하는 것으로 구성된다. 이러한 패시베이션층 (24) 은, 도 3 에서 볼 수 있는 바와 같이, 외부의 공격에 대항하여 알루미늄층 (20) 을 보호하는데 이용된다.

이러한 패시베이션층 (24) 이 식각되면, 오프닝 단계 및 제 5 단계가 달성된다. 유리하게는, 본 발명에 따르면, 오프닝 단계는 동일한 페이즈 동안에, 즉 이전 단계들의 연속에서 일어난다. 따라서, 습도 센서를 획득하는 것을 가능하게 하는 다양한 단계들은 단일 절차적 흐름 동안에 일어난다, 즉 제조 방법의 다양한 단계들은 이러한 단계들을 달성하기 위해 필요한 조건들을 방해하지 않으면서 차례 차례로 달성된다는 것으로 이해된다. 이러한 피쳐들은, 따라서, 사이클 시간을 감소시키는 것을 가능하게 한다.

이러한 오프닝 단계는 식각에 의해 센서 (1) 를 형성하는 인터디지털 콤의 높이로 패시베이션층 (24) 을 제거하는 것으로 구성된다. 이러한 패시베이션층이 제거되면, 본 발명은 편의상 계속적인 식각을 수행한다. 사실, 패시베이션층 (24) 은 콤 위에 퇴적되며, 이러한 층 (24) 은 그러면 콤을 형성하는 아마츄어들의 다양한 암들 사이의 갭 (22a) 에 퇴적된다. 이러한 패시베이션층 (24) 이 제거되는 경우, 도 4a 에서 볼 수 있는 바와 같이, 콤의 일부분의 수직 벽들의 높이로 남아 있도록 완전히 행해지지는 않는다. 서로 반대편에 있는, 콤의 2 개의 암들 사이의 이러한 잔여물들 (24) 은 커패시턴스를 갖는 커패시터를 형성하며:

S: 반대편의 아마츄어들의 표면, d: 아마츄어들 사이의 거리, ε 은 유전율이며, 이러한 커패시턴스는 검출 커패시턴스와 병렬이고 습도 센서의 감도를 감소시킨다.

이러한 오프닝 단계는 콤의 아마츄어의 다양한 부분들 사이의 갭들 (22a) 에서 식각하는 것이 제안된다. 이러한 식각은 편의상 마지막 금속간 유전체층에서 식각하는 것과 마찬가지로 행해지며, 도 4 에서 볼 수 있는 바와 같이, 금속 암들 사이의 공간의 오프닝은, 커패시턴스의 측벽들에 유전체 없이 그리고 적절한 세정을 통한 잔여물들 없이, 이전 금속, 즉 획득된 의사 (quasi)-수직의 슬라이스들의 프로파일들을 갖는 마지막 금속간 유전체층 (16) 의 금속 구역으로부터 멀리 떨어짐으로써 일어난다.

따라서, 유전체층 (16) 을 파냄으로써, 커패시터의 2 개의 아마츄어들 사이의 거리가 증가되며, 본원에서 각각의 아마츄어는 패시베이션층의 잔여물들의 형상을 갖는다. 또한, 패시베이션층보다 더 많이 유전체층 (16) 을 식각함으로써, 아마츄어들을 형성하는 잔여물들의 사이즈가 감소되고 결과적으로 표면이 감소되어, 기생 커패시턴스 값에서의 감소를 수반한다. 따라서, 문헌에서 공개된 이론적 최대치보다 큰 습도 센서 (1) 의 감도가 획득된다.

제 5 단계가 수행될 수 있고, 이는 식각 단계로 인해 구역재하는 불순물들을 없애기 위해 표면을 세정하는 것으로 구성된다.

이러한 제 5 단계가 달성되면, 도 5 에서 볼 수 있는 바와 같이, 보호층 (26) (캡핑층 (capping layer) 또는 커버링층, 습도 베리어 등) 을 퇴적하는 것으로 구성되는 제 6 단계가 수행된다. 사실, 보호층에 후속하여 퇴적된 폴리이미드와 컨택하고 있는 전극들의 알루미늄의 부식, 및 알루미늄의 폴리이미드로의 확산의 위험이 있다. 이러한 보호층은 금속층 (20) 의 알루미늄의 폴리이미드 (29) 로의 확산을 방지하는 것을 가능하게 한다. 우리의 해결책의 경우에, 이러한 보호층은 두께를 갖는 옥시나이트라이드 (SiONx) 로 생성되며, 두께의 값은 서로 반대편에 배치된 암들 사이의 갭의 거리의 많아야 10% 와 동일하다. 일 예에서, 거리가 440 nm 와 동일한 경우, 두께는 20 nm ± 2 nm 일 것이다.

제 7 단계에서, 컨택 영역들 (23) 의 높이로 패시베이션층 (24) 이 오픈된다. 이러한 컨택 영역들 (23) 은 센서가 집적되는 회로 시스템의 컨택 영역들이다. 이러한 영역들은 금속간 유전체 위에 퇴적된 금속의 층 위에 생성된다. 릴리스된 (released) 컨택 영역들은, 따라서, 도 6 및 도 7 에서 볼 수 있는 바와 같이, 컨택 수단을 배치하는 것을 가능하게 한다.

컨택 수단은 2 개의 상이한 형태들로 보이고 포지션에 컨택들을 놓는 동안에 생성된다.

제 1 형태에 따르면, 컨택 수단은 (와이어 본딩이라고도 불리는) 와이어 또는 브리징 케이블링의 방법을 이용하는 접속 와어어이다. 사실, 와이어 또는 브리징 케이블링은 케이싱과 집적 회로 사이에 전기 접속들을 시행하는데 이용되는 기법들 중 하나의 기법이다. 케이블링은 엘리먼트들의 각각에 대해 이러한 이유로 제공된 2 개의 접속 단자들 사이에 용접된 와이어 (또는 브리지) 에 의해 간단하게 생성된다. 용접은 일반적으로 초음파에 의해 생성된다. 와이어의 재료는 알루미늄, 금, 또는 구리이다. 와이어의 직경은 대략 20 ㎛ 이다.

도 8 및 도 9 에서 볼 수 있는 제 2 형태에 따르면, 컨택 수단은 볼의 형상을 갖는다. (솔더 범핑이라고 칭해지는) 이러한 볼 접속 기법은 회로의 컨택 영역들 위에 틴 볼 (tin ball) (30) 을 퇴적하는 것으로 구성되며, 후자는 알루미늄으로 생성될 수 있다. 이러한 볼이 접착되게 하기 위해, 고정층 (28) 을 갖는 것이 제공된다. 그러한 고정층은, 도 8 에서 볼 수 있는 바와 같이, 니켈층 (28a) 으로 구성되며, 니켈층 위에 금층 (gold layer) (28b) 이 배치된다. 볼 (30) 은 그 다음에 도 9 에서 볼 수 있는 바와 같이 이러한 고정층 (28) 위에 배치된다.

고정층을 퇴적하는데 이용되는 기법은 무전해 (electroless) 로 칭해지는 기법이다. 이러한 기법은 산화물들을 제거하기 위해 알루미늄 컨택 영역을 세정하는 제 1 단계를 포함하고 그 다음에 제 2 단계에서 알루미늄 산화물을 제거한다. 제 3 단계는 아연의 층으로 알루미늄을 활성화시키는 것으로 구성되며, 이러한 아연층은 제 4 단계 동안에 제거된다. 제 5 단계는, 다시, 그러면 니켈층을 퇴적하기 위해 알루미늄 컨택 영역을 활성화시키는 단계이다. 마지막으로 금층이 퇴적된다.

이러한 기법은 너무 큰 온도 변화들로 인해 폴리이미드층이 손상되는 위험 및 따라서 센서의 성능이 감소되는 것을 겪지 않도록 다양한 단계들에 대해 유리하게는 화학 전해조들을 이용한다. 사실, 이러한 무전해 기법은 본 발명에 따른 방법의 범위 내에서 이용되는데, 범프들을 제조하는 프로세스 동안에 온도 조건들에서의 균열을 피하는 것을 가능하게 하기 때문이다. 폴리이미드가 그러한 파열에 민감한 것을 고려하면, 이러한 기법들에 대해 전극들을 이용할 필요가 있다.

일 실시형태에 따르면, 제 8 단계는 컨택 영역들의 높이로의 패시베이션층 (24) 의 오프닝 단계 후에 달성된다. 이러한 제 8 단계는, 도 5 에서 볼 수 있는 바와 같이, 폴리이미드층 (29) 으로 회로의 어셈블리를 커버하는 것으로 구성된다. 이러한 폴리이미드층 (29) 은 검출 유전체로 이용된다. 사실, 폴리이미드는 서로 반대편에 배치된 암들 사이의 갭들 (22a) 에서의 유전율을 수정하기 위해 습도와 반응할 층이다. 유전체의 특성들의 이러한 수정은 커패시턴스의 값의 수정을 야기한다. 이 다음에, 컨택들을 포지션에 배치하기 위한 단계 또는 제 9 단계가 시행되고, 제 9 단계는 그 다음에 컨택 영역들의 높이로 폴리이미드 (29) 를 식각하고 그 다음에 고정층 (28) 을 퇴적하고 컨택 수단으로서 작용하는 볼 또는 볼들 (30) 을 포지셔닝하는 것으로 구성된다.

다른 실시형태에 따르면, 단계 8a 로 칭해지는, 컨택들을 포지셔닝하는 단계는, 제 7 단계 후에 시행되고, 컨택 영역들의 높이로 패시베이션층을 식각하고 그 다음에 고정층 (28) 을 퇴적하고 컨택 수단의 역할을 하는 볼 또는 볼들을 포지셔닝하는 것으로 구성된다. 그 후에, 제 10 단계라고 칭해지는 단계가 달성되고, 제 10 단계는 컨택 영역들을 제외하고, 폴리이미드층으로 회로를 커버하는 것으로 구성된다. 이러한 폴리이미드층 (29) 은 젯 (jet) 방법에 의한 국지적 퇴적에 의해 퇴적될 수 있다.

당업자에게 자명한 다양한 수정들 및/또는 개선들 및/또는 조합들이 첨부된 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않으면서 위에서 설명된 본 발명의 다양한 실시형태들에 적용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.

Claims (24)

1. 실리콘 베이스 플레이트 (10) 를 포함하는 습도 센서 (1) 로서,
   상기 실리콘 베이스 플레이트 (10) 상에는 금속 구역 (18) 이 각각 제공된 적어도 복수의 유전체층들 (16) 및 금속층 (20) 이 배열되고, 상기 금속층은 2 개의 전극들 (22) 을 형성하도록 식각되며, 각각의 전극은 다수의 암 (arm) 들이 제공되는 하나의 아마츄어를 포함하고, 상기 아마츄어들은 각각의 아마츄어의 암들이 서로 반대편에 배치되고 갭들 (22a) 에 의해 분리된 암들을 갖도록 인터레이싱되고 장착되며, 상기 센서는 식각된 상기 금속층 (20) 위에 퇴적되는 페시베이션층 (24) 을 더 포함하고, 상기 페시베이션층은 서로 반대편에 배치된 암들 사이의 갭들이 상기 유전체층까지 연장되어 파이도록 식각되며, 상기 유전체층 상에는 상기 금속층이 퇴적되는 것을 특징으로 하는 습도 센서.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 금속층이 부식되는 것으로부터 보호하는 부식방지 보호층 (26) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 부식방지 보호층 (26) 은 옥시나이트라이드로 생성되는 것을 특징으로 하는 습도 센서.
4. 제 3 항에 있어서,
   옥시나이트라이드로 생성된 상기 보호층은 두께를 가지고, 상기 두께의 값은 상기 서로 반대편에 배치된 암들 사이의 상기 갭들 (22a) 의 거리의 많아야 10% 와 동일한 것을 특징으로 하는 습도 센서.
5. 제 1 항에 있어서,
   검출 유전체의 역할을 하는 폴리이미드층 (29) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 페시베이션층 (24) 은 비생성 구역들의 높이로 상기 금속층 위에 직접적으로 삽입되어 퇴적될 수 있는 것을 특징으로 하는 습도 센서.
7. 제 1 항에 있어서,
   커패시턴스/전압 컨버터, 아날로그-디지털 컨버터, 및 디지털 인터페이스를 포함하는 회로 시스템에 통합되도록 배열되는 것을 특징으로 하는 습도 센서.
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 회로 시스템은 상기 회로 시스템이 마이크로제어기에 접속되는 것을 가능하게 하는 컨택 영역들 (23) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서.
9. 습도 센서 (1) 를 제조하는 방법으로서,
   1) 베이스 플레이트 (10) 를 제공하는 단계;
   2) 적어도 하나의 유전체층 (16) 을 퇴적하고 마지막 유전체층 위에 금속층 (20) 을 퇴적하는 단계로서, 상기 유전체층에는 금속 구역 (18) 이 제공되는, 상기 적어도 하나의 유전체층 (16) 을 퇴적하고 마지막 유전체층 위에 금속층 (20) 을 퇴적하는 단계;
   3) 2 개의 전극들 (22) 을 형성하도록 상기 금속층을 식각하는 단계로서, 각각의 전극은 다수의 암들이 제공되는 하나의 아마츄어를 포함하고, 상기 아마츄어는 각각의 아마츄어의 암들이 서로 반대편에 배치된 암들을 갖도록 인터레이싱되고 갭들 (22a) 에 의해 분리되도록 장착되는, 상기 금속층을 식각하는 단계;
   4) 식각된 상기 금속층 위에 페시베이션층 (24) 을 퇴적하는 단계;
   5) 상기 2 개의 전극들의 높이로 상기 페시베이션층 (24) 을 식각하는 단계로서, 상기 식각은, 상기 갭들 (22a) 의 높이로, 상기 서로 반대편에 배치된 암들 사이에서, 상기 유전체층 (16) 까지 연장되도록 생성되고, 상기 유전체층 (16) 상에는 상기 금속층이 퇴적되는, 상기 페시베이션층 (24) 을 식각하는 단계를 포함하는, 습도 센서를 제조하는 방법.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 금속층이 부식되는 것으로부터 보호하는 부식방지 보호층 (26) 을 퇴적하는 것으로 구성되는 단계 6) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
11. 제 9 항에 있어서,
    단계 3) 동안에 식각되는 적어도 하나의 컨택 영역의 높이로 상기 페시베이션층 (24) 을 식각하는 것으로 구성되는 단계 7) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
12. 제 10 항에 있어서,
    단계 3) 동안에 식각되는 적어도 하나의 컨택 영역의 높이로 상기 페시베이션층 (24) 을 식각하는 것으로 구성되는 단계 7) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
13. 제 11 항에 있어서,
    마지막 퇴적된 층 위에 폴리이미드층 (29) 을 퇴적하는 것으로 구성되는 단계 8) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
14. 제 12 항에 있어서,
    마지막 퇴적된 층 위에 폴리이미드층 (29) 을 퇴적하는 것으로 구성되는 단계 8) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
15. 제 13 항에 있어서,
    컨택 수단을 배열하는 것을 가능하게 하기 위해 상기 컨택 영역들 (23) 의 높이로 상기 폴리이미드층 (29) 을 식각하는 것으로 구성되는 단계 9) 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
16. 제 14 항에 있어서,
    컨택 수단을 배열하는 것을 가능하게 하기 위해 상기 컨택 영역들 (23) 의 높이로 상기 폴리이미드층 (29) 을 식각하는 것으로 구성되는 단계 9) 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
17. 제 11 항에 있어서,
    컨택 수단을 배열하는 것으로 구성되는 단계 8a) 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
18. 제 12 항에 있어서,
    컨택 수단을 배열하는 것으로 구성되는 단계 8a) 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
19. 제 17 항에 있어서,
    마지막 퇴적된 층 위에 폴리이미드층 (29) 을 퇴적하는 것으로 구성되는 단계 10) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
20. 제 18 항에 있어서,
    마지막 퇴적된 층 위에 폴리이미드층 (29) 을 퇴적하는 것으로 구성되는 단계 10) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
21. 제 9 항에 있어서,
    상시 센서 (1) 를 세정하는 것으로 구성되는 단계 5a) 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
22. 제 17 항에 있어서,
    상기 컨택 수단을 배열하는 것으로 구성되는 단계 8a) 는, 무전해라고 칭해지는, 고정층에 대한 퇴적 기법을 이용하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
23. 제 18 항에 있어서,
    상기 컨택 수단을 배열하는 것으로 구성되는 단계 8a) 는, 무전해라고 칭해지는, 고정층에 대한 퇴적 기법을 이용하는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.
24. 제 9 항에 있어서,
    상기 단계들은 상기 단계들의 생성에 필요한 조건들을 방해하지 않으면서 차례 차례 뒤따르는 것을 특징으로 하는 습도 센서를 제조하는 방법.

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