JP2011080833A - 湿度検出センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の湿度検出センサは、基板10と、前記基板10上に設けられ、湿度に応じて誘電率が変化する高分子感湿膜22を一対の電極21,23で挟持し、部分的に前記高分子感湿膜22が部分的に外界に露出する感湿領域を持つセンサ部20と、少なくとも前記一対の電極のうちの露出した電極23上に形成された保護層24と、を具備し、前記感湿領域以外の領域において、前記高分子感湿膜22と前記保護層24との間の少なくとも一部に前記一方の電極23が介在していることを特徴とする。
【選択図】図3
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る湿度検出センサの構成を示すブロック図である。図1に示す湿度検出センサは、吸収又は放出した水分量に応じて誘電率が変化する高分子感湿材料を用いた高分子膜湿度センサである。この湿度検出センサは、基板10上に、湿度によって静電容量C20が変化するセンサ部20と、湿度によらず一定の静電容量C30を保持する基準部30と、このセンサ部20と基準部30とに電気的に接続し、該センサ部20と基準部30との間の容量差分ΔC(=C20−C30)を電圧に変換して外部回路に出力する回路部40とを有している。
センサ部20が図3(a)に示す構成であり、基準部30が図3(b)に示す構成である湿度検出センサを作製した。この湿度検出センサは、感湿領域A以外の領域Bにおいて、高分子感湿膜22と保護層24との間の少なくとも一部に上部電極23が介在しており、高分子感湿膜22と保護層24との間の接触部分が少なくなっている。このとき、上部電極及び下部電極は、それぞれ厚さ0.2μmのAl膜とし、高分子感湿膜は、厚さ1.0μmのポリイミド膜とし、保護層は、厚さ1.0μmのSiNx膜とした。この湿度検出センサについて、温度25℃、50℃、85℃における出力(測定湿度)を調べた。その結果を図6(a)に示す。
20 センサ部
21 下部電極
22,31 高分子感湿膜
23,32 上部電極
23a 開口部
24 保護層
25 間隙
26 オーバーラップ部
30 基準部
40 回路部
40a パッド
A 感湿領域
Claims (5)
- 基板と、前記基板上に設けられ、湿度に応じて誘電率が変化する高分子感湿膜を一対の電極で挟持し、部分的に前記高分子感湿膜が部分的に外界に露出する感湿領域を持つセンサ部と、少なくとも前記一対の電極のうちの露出した電極上に形成された保護層と、を具備し、前記感湿領域以外の領域において、前記高分子感湿膜と前記保護層との間の少なくとも一部に前記一方の電極が介在していることを特徴とする湿度検出センサ。
- 基板と、前記基板上に設けられ、湿度に応じて誘電率が変化する高分子感湿膜を一対の電極で挟持し、部分的に前記高分子感湿膜が部分的に外界に露出する感湿領域を持つセンサ部と、少なくとも前記一対の電極のうちの露出した電極上に形成された保護層と、を具備し、前記感湿領域以外の領域において、前記高分子感湿膜と前記保護層とが直接接触する領域の面積が、温度変化による出力変化が起こらない大きさであることを特徴とする湿度検出センサ。
- 前記基板上に設けられ、前記高分子感湿膜を一対の電極で挟持してなり、湿度にかかわらず静電容量が変化しない基準部を有し、前記センサ部と前記基準部との間の容量差分を電圧に変換して出力することを特徴とする請求項1又は請求項2記載の湿度検出センサ。
- 前記感湿領域は、他方の電極よりも広い領域にわたって設けられていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の湿度検出センサ。
- 前記他方の電極は前記センサ部と前記基準部とで共通に設けられており、前記高分子感湿膜及び前記一方の電極は前記センサ部と前記基準部とで個別に設けられていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の湿度検出センサ。
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- 2009-10-06 JP JP2009232414A patent/JP2011080833A/ja not_active Withdrawn
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