JP6611362B2 - 容量式湿度センサ - Google Patents

Description

本発明は、湿度ヒステリシスの少ない容量式湿度センサに関するものである。

特公平４−６４４２５号公報（特許文献１）や、ＷＯ２０１０／１１３７１１（特許文献２）等に示された従来の容量式湿度センサでは、基板の上に下部電極を形成し、その上に感湿膜を形成し、さらに感湿膜の上に上部電極を形成している。そして特許文献２に示された従来の湿度センサでは、さらに上部電極の上に非透湿保護膜を形成している。いずれの容量式湿度センサでも、基板上に設けた接続電極との電気的な接続のために上部電極を基板上に延ばしている。

特公平４−６４４２５号公報 ＷＯ２０１０／１１３７１１

しかしながら従来の容量式湿度センサでは、湿度ヒステリシスに影響を与える余分な湿気の浸入及び排出を防止するために、非透湿性保護膜を形成する必要がある。また上部電極を基板の表面上に延ばした場合、上部電極と基板の表面との密着性が悪い場合には、基板の表面から上部電極の延長部分が剥がれる問題が発生する。

本発明の目的は、非透湿保護膜を形成しなくても、余分な湿気の浸入及び排出を防止することができる容量式湿度センサを提供することにある。

上記目的に加えて、本発明の他の目的は、上部電極の基板表面からの剥がれを防止できる容量式湿度センサを提供することにある。

本発明の容量式湿度センサは、絶縁基板と、絶縁基板との密着性が良好な材料で形成された下地電極層を含んで形成された下部電極及びこの下部電極と電気的に接続された第１の接続電極を含む下部電極パターンと、下部電極を全体的に覆う感湿膜を含む感湿膜パターンと、感湿膜を部分的に露出させるようにして覆う上部電極を含む上部電極パターンとを備えている。特に、本発明の容量式湿度センサでは、上部電極パターンが、感湿膜パターンの周縁部の大部分を覆うように形成されている。

このようにすると、感湿膜パターンの周縁部の大部分が上部電極パターンによって覆われた状態になるので、感湿膜の外周部からの余分な吸湿及び排湿が無くなり、非透湿保護膜を形成しなくても、感湿膜のヒステリシス特性が改善される。

下部電極パターンは、下部電極と電気的に接続された第１の接続電極を含んでいる。そして下地電極層を有して下部電極パターンと同じ構造で形成され、下部電極の周縁部の大部分との間に間隔を開けて絶縁基板上に形成されて下部電極の周縁部の大部分を囲む包囲電極及び該包囲電極と電気的に接続された第２の接続電極を含む包囲電極パターンをさらに備えているのが好ましい。この場合、感湿膜パターンは、包囲電極と下部電極の周縁部の大部分との間に形成された第１のスリットを埋め且つ包囲電極に沿って該包囲電極を連続的に露出させる第２のスリットを形成するように形成されているのが好ましい。そして上部電極パターンは、第２のスリットを埋めるように形成されているのが好ましい。このようにすると、第２のスリットの下には包囲電極があり、上部電極は包囲電極と密着し、絶縁基板と接触することがない。したがって上部電極が剥がれることを防止できる。また上部電極パターンが第２のスリットを埋めた状態においては、感湿膜パターンの周縁部の大部分が上部電極パターンによって覆われた状態となる。その結果、感湿膜の外周部から吸湿及び排湿が無くなり、感湿膜のヒステリシス特性が改善される。

下部電極パターンは、下部電極と第１の接続電極との間を接続する第１の接続部を備えており、この第１の接続部の幅寸法は第１の接続電極の幅寸法よりも短いことが好ましい。また包囲電極は、第１の接続部との間に間隔をあけて延びて第１のスリットを延長する一対の延長部を備えているのが好ましい。この場合、感湿膜パターンは、延長部によって延長された第１のスリットの延長部分を埋め且つ一対の延長部に沿って該一対の延長部を連続的に露出させて第２のスリットを延長するように形成されているのが好ましい。そして上部電極パターンは、第２のスリットの延長部分を埋めるように形成されているのが好ましい。このように構成すると、第１の接続電極を設ける場合において形成される湿度の検出に利用される感湿膜部分までの湿度進入路の長さを長くすることができる。その結果湿度ヒステリシス特性をさらに改善することができる。

包囲電極パターンは、包囲電極と第２の接続電極とを接続する接続部を備えているのが好ましい。この場合、感湿膜パターンは、下部電極パターンの第１の接続部及び包囲電極パターンの第２の接続部及び一対の延長部を覆い且つ第１の接続電極及び第２の接続電極の周囲を覆うように形成されているのが好ましい。このような構造を採用すると、感湿膜パターンが、下部電極パターンが形成された絶縁基板のほぼ全面を覆うことになり、上部電極が成膜時に基板に接触しないため、上部電極が基板から剥がれることなく加工できる。

下部電極パターン及び包囲電極パターンの下地電極層は、ＮｉＣｒ、Ｃｒ及びＴｉのいずれか１つからなり、下地電極層の上にＡｕまたはＰｔからなる表面電極層が形成されているのが好ましい。このような材料の組み合わせであれば、下部電極パターンが基板表面から剥がれることを防止することができ、しかも上部電極が包囲電極から剥がれることを確実に防止できる。また下部電極パターン及び包囲電極パターンの下地電極層は、ＮｉＣｒ、Ｃｒ及びＴｉのいずれか１つからなる薄膜からなり、下地電極層の上にＴａ等からなる拡散防止層が薄膜により形成され、拡散防止層の上にＡｕまたはＰｔ（５０００Å）からなる表面電極層が形成されているのが好ましい。拡散防止層を設けると、下地電極層と表面電極層の相互の拡散が防止され、膜の信頼性が向上する。

感湿膜パターンが、ポリイミドから形成されている場合には、コストを下げることができる。

また第１の接続電極及び第２の接続電極が、ワイヤボンディングの電極パッドとなる大きさを有していれば、ワイヤボンディングによる接続が可能になる。

そして第１のスリットの幅寸法は、１０〜２０μｍ以上であり、第２のスリットの幅寸法は、１０μｍ〜２０μｍ以上であるのが好ましい。そして下部電極パターン及び上部電極パターンは、６０００Å以下の薄膜により形成されており、感湿膜パターンは、０．２ミクロン以上〜２ミクロン以下の薄膜により形成されているのが好ましい。

本発明の第１の実施の形態の容量式湿度センサの平面図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、図１のＡ−Ａ´線断面図及びＢ−Ｂ´線断面図である。 （Ａ）乃至（Ｄ）は、図１の実施の形態で用いる下部電極パターン及び包囲電極パターン、感湿膜パターン並びに上部電極パターンをそれぞれ示す図である。 下部電極パターンの層構造を示す図である。 第１の実施の形態の容量式湿度センサの湿度ヒステリシスと従来の構造の容量式湿度センサの湿度ヒステリシスとを測定した結果を示す図である。 （Ａ）乃至（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態の容量式湿度センサで用いる下部電極パターン及び包囲電極パターンと温度補償をするための基準容量式湿度センサを形成するための下部電極パターン及び包囲電極パターンの平面図と、感湿膜パターンの平面図と、上部電極パターンの平面図である。 第２の実施の形態の等価回路を示した図である。 （Ａ）乃至（Ｅ）は、本発明の第３の実施の形態の容量式湿度センサで用いる下部電極パターン及び包囲電極パターンの平面図と、感湿膜パターンの図と、上部電極パターンと、下部電極パターンを感湿膜パターンで覆った状態を示す平面図と、下部電極パターンを覆った感湿膜パターンの上に上部電極パターンを形成した状態を示す平面図である。

以下図面を参照して、本発明の容量式湿度センサの実施の形態を説明する。

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態の容量式湿度センサ１の平面図であり、図２（Ａ）及び（Ｂ）は図１のＡ−Ａ´線断面図及びＢ−Ｂ´線断面図であり、図３（Ａ）乃至（Ｄ）は、図１の実施の形態で用いる下部電極パターン３及び包囲電極パターン５と、感湿膜パターン７並びに上部電極パターン９をそれぞれ示している。なお図１乃至図３は、実施の形態を説明するために作成したものであって、各部の寸法や孔の数等は実際のものとは異なる。

本実施の形態の容量式湿度センサ１は、ガラス、表面酸化されたシリコンウエハ、セラミック等の材料で形成されて表面が滑らかな絶縁基板２を備えている。そして絶縁基板２の表面上には、下部電極パターン３と包囲電極パターン５が形成されている。下部電極パターン３は、下部電極３１と、第１の接続電極３３と、下部電極３１と第１の接続電極３３との間を接続する第１の接続部３２とを備えている。第１の接続部３２の幅寸法は第１の接続電極３３の幅寸法よりも短い。また包囲電極パターン５は、下部電極３１の周縁部の大部分との間に間隔を開けて絶縁基板２上に形成されて下部電極３１の周縁部の大部分を囲む包囲電極５１及び該包囲電極５１と電気的に接続された第２の接続電極５３と、包囲電極５１と第２の接続電極５３とを接続する第２の接続部５２と、下部電極パターン３の第１の接続部３２との間に間隔をあけて延びて後述する第１のスリット４を延長する一対の延長部５４及び５５を備えている［図２（Ｂ）参照］。包囲電極５１と下部電極３１の周縁部の大部分との間には第１のスリット４が形成されている。

下部電極パターン３は、図４に示すように、絶縁基板２の表面との密着性が良好な材料で形成された下地電極層３ａと、下地電極層３ａの上に形成された拡散防止層３ｂと、拡散防止層３ｂの上に形成された表面電極層３ｃとを含んで形成されている。拡散防止層３ｂは、下地電極層３ａと表面電極層３ｃとが相互に拡散することを防止する。包囲電極パターン５も下部電極パターンと同じ構造を有している。したがって下部電極パターン３と包囲電極パターンとは、同じ製造工程で同時に形成される。まずスパッタまたは蒸着で絶縁基板２の表面全面に下地電極層３ａを形成するためにＮｉＣｒ、Ｃｒ及びＴｉのいずれか１つの薄膜層を形成し、その上に拡散防止層３ｂを形成するためにＴａからなる薄膜層を形成し、さらにその上に表面電極層３ｃを形成するためにＡｕまたはＰｔからなる薄膜層を形成することにより、多層薄膜を形成する。次に多層薄膜の上に、レジスト（感光性物質膜）をスピンコート等で形成した後パターン露光を行ってポジ型を形成する。その後現像とリンスを行って余分なレジストを除去し、その後エッチングを行った後レジストの除去を行って、下地電極パターン３を形成する。このとき同時に包囲電極パターン５も形成される。

感湿膜パターン７は、下部電極３１を全体的に覆う感湿膜７１を含んでいる。感湿膜パターン７は、包囲電極５１と下部電極３１の周縁部の大部分との間に形成された第１のスリット４を埋め且つ包囲電極５１に沿って該包囲電極５１を連続的に露出させる第２のスリット８を形成するように形成されている。感湿膜パターン７は、一対の延長部５４及び５５によって延長された第１のスリット４の延長部分４１及び４２を埋め且つ一対の延長部５４及び５５に沿って該一対の延長部を連続的に露出させて第２のスリット８を延長するように形成されている。そして本実施の形態では、感湿膜パターン７が、包囲電極パターンの第２の接続部５２を覆い且つ第１の接続電極３３及び第２の接続電極５３の周囲を覆う被覆部７２をさらに備えている。本実施の形態では、感湿膜パターン７をポリイミドで形成しているが、ポリイミド系有機化合物、セルロース、セルロース系有機化合物、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等を用いて感湿膜パターンを形成してもよいのは勿論である。感湿膜パターン７の形成は、下部電極パターン３の形成と同様に、絶縁基板２の下部電極パターンの上にポリイミド膜を全面的に形成し、フォトリソ技術を用いて所定のパターンをエッチングにより形成する。

上部電極パターン９は、感湿膜７１を部分的に露出させるようにして覆う上部電極９１を含んでいる。本実施の形態では、上部電極パターン９が、ＡｕまたはＰｔの薄膜により感湿膜７１の周縁部の大部分を覆うように形成されている。上部電極９１には、湿気を感湿膜７１に出入りさせるための複数の貫通孔１０が形成されている。また上部電極パターン９は、感湿膜パターン７の第２のスリット８を埋めるように形成されている。さらに上部電極パターン９は、第２のスリット８の延長部分８１及び８２を埋めるように形成されている。このようにすると、第２のスリット８の下には包囲電極５１があり、上部電極９１は包囲電極５１と密着し、絶縁基板２と接触することがない。したがって上部電極９１が剥がれることを防止できる。また上部電極パターン９が第２のスリット８及び第２のスリット８の延長部分８１及び８２を埋めた状態においては、感湿膜７１の周縁部の大部分が上部電極パターン９によって覆われた状態となる。その結果、感湿膜７１の外周部から吸湿及び排湿が無くなり、感湿膜７１のヒステリシス特性が改善される。図５は本実施の形態の容量式湿度センサの湿度ヒステリシスと従来の構造の容量式湿度センサの湿度ヒステリシスとを測定した結果を示す図である。ここで従来の構造の容量式湿度センサは、上部電極により感湿膜の周縁部を覆っていない構造を有している。図５において、曲線Ｘは従来の構造の容量式湿度センサの湿度ヒステリシスであり、Ｙが本実施の形態の容量式湿度センサの湿度ヒステリシスである。図５には、湿度を１０％から９０％まで増加させる場合における実際の湿度に対するセンサが測定した湿度との相対的な差を示している。湿度を９０％から１０％に減少させると、縦軸のマイナス側に相対差が現れる。湿度ヒステリシスがなければ相対的な差は湿度１０％から９０％の範囲において相対差は０になる。本実施の形態では、上部電極パターン９が、第１の接続電極３３及び第２の接続電極５３の表面を覆う電極被覆部９２及び９３を備えている。このような電極被覆部９２及び９３を設けると、接続電極へのワイヤボンディングの接続が良好になる。

上記実施の形態において、絶縁基板２の寸法は５ｍｍ×７ｍｍ×１ｍｍである。また第１の接続電極３３及び第２の接続電極５３は、ワイヤボンディングの電極パッドとなる大きさを有している。また第１のスリット４の幅寸法は、１０〜２０μｍであり、第２のスリット８の幅寸法は、１０〜２０μｍである。そして下部電極パターン３及び上部電極パターン９は、６０００Å以下の薄膜により形成されており、感湿膜パターンは、０．２μｍ以上〜２μｍ以下の薄膜により形成されている。また上部電極７１に形成する貫通孔の直径は１０μｍである。

［第２の実施の形態］
図６（Ａ）乃至（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態の容量式湿度センサで用いる下部電極パターン１３及び包囲電極パターン１５と、感湿膜パターン１７と上部電極パターン１９と、温度補償をするための基準容量式湿度センサを形成するための下部電極パターン１３´及び包囲電極パターン１５´と、感湿膜パターン１７´と上部電極パターン１９´を示している。これらのパターンは、上記第１の実施の形態における各パターンと同様の材質を用いて同様の方法で形成されている。図６において、図１乃至図４に示した第１の実施の形態の構成要素と同様の構成要素には、図１乃至図４に付した符号の数に１０または１００の数を付した符号を付して詳細な説明を省略する。また図６において、基準容量式湿度センサを構成する構成要素には、容量式湿度センサに用いた符号にダッシュ「´」を付して詳細な説明を省略する。

これらのパターンを重ねて形成されるセンサの等価回路は図７に示す通りである。図７の等価回路においてＣ１が、容量式湿度センサの容量であり、Ｃ２が基準容量式センサの容量である。そして端子部Ｔ１が第１の実施の形態における第１の接続電極３３に相当する。そのため図６には、符号１３３を符号Ｔ１に付記してある。また端子部Ｔ２が第１の実施の形態における第２の接続電極１５３に相当する。そのため図６には、符号１５３を符号Ｔ２１に付記してある。Ｔ３は基準容量式センサの端子部であり、Ｔ４は電極パターン全体に対する包囲電極１６０の端子部である。

本実施の形態では、下部電極パターン１３の下部電極１３１と下部電極パターン１３´の下部電極１３１´とが接続部１３２によって電気的に接続されている。包囲電極１５１は、下部電極１３１の周囲の大部分を囲んで端子部Ｔ２に接続されている。下部電極パターン１３及び１３´には、第１のスリット１４及び１４´が形成されている。感湿膜パターン１７中の感湿膜１７１及び１７１´は第１のスリット１４及び１４´を埋め且つ包囲電極１５１及び１５１´に沿って該包囲電極１５１及び１５１´を連続的に露出させる第２のスリット１８及び１８´を形成するように構成されている。

上部電極パターン１９は、感湿膜１７１を部分的に露出させるようにして覆う上部電極１９１と、感湿膜１７１´を覆う上部電極１９１´と、端子部Ｔ１乃至Ｔ４を覆う被覆電極部１９２乃至１９５を含んでいる。上部電極１９１にはコの字またはＵ字状のスリットによって囲まれた接続部１９１Ａが含まれており、上部電極１９１´にはコの字またはＵ字状のスリットによって囲まれた接続部１９１Ｂ及び１９１Ｃが含まれている。接続部１９１Ａは下部電極パターン１３に含まれる接続部１３３と接続され、接続部１９１Ｂは下部電極パターン１３に含まれる接続部１３４と接続され、接続部１９１Ｃは下部電極パターン１３に含まれる接続部１３５と接続されている。これらの接続部の接続により、包囲電極１５１及び１５１´がそれぞれ連続したパターンになる。

本実施の形態においては、第２のスリット１８及び１８´の下には包囲電極１５１及び１５１´があり、上部電極１９１及び１９１´は包囲電極１５１及び１５１´と密着し、絶縁基板と接触することがない。したがって上部電極１９１及び１９１´が剥がれることを防止できる。また上部電極パターン１９が第２のスリット１８及び１８´を埋めた状態においては、感湿膜１７１及び１７１´の周縁部の大部分が上部電極パターン１９及び１９´によって覆われた状態となる。その結果、感湿膜１７１及び１７１´の外周部から吸湿及び排湿が無くなり、感湿膜１７１及び１７１´のヒステリシス特性が改善される。

上記実施の形態では、包囲電極１６０を設けることにより、出力中に混入するノイズ削減という効果があるが、この包囲電極１６０は必ずしも設ける必要はない。

［第３の実施の形態］
図８（Ａ）乃至（Ｅ）は、本発明の第３の実施の形態の容量式湿度センサで用いる下部電極パターン２１３及び包囲電極パターン２１５と、感湿膜パターン２１７と上部電極パターン２１９と、下部電極パターン２１３を感湿膜パターン２１７で覆った状態を示す平面図と、感湿膜パターン２１７の上に上部電極パターン２１９を形成した状態を示す平面図を示している。これらのパターン（２１３，２１５、２１７，２１９）は、上記第１の実施の形態における各パターンと同様の材質を用いて同様の方法で形成されている。図８において、図６に示した第２の実施の形態の構成要素と同様の構成要素には、図６に付した符号の数に２００の数を付した符号を付してある。

本実施の形態では、包囲電極パターン２１５の包囲電極３５１は、下部電極３３１の周囲の大部分を囲んで端子部Ｔ２に接続されている。下部電極パターン２１３には、第１のスリット２１４が形成されている。感湿膜パターン２１７中の感湿膜３７１は第１のスリット２１４を埋め且つ包囲電極３５１に沿って該包囲電極３５１を連続的に露出させる第２のスリット２１８を形成するように構成されている。

上部電極パターン２１９は、感湿膜３７１を部分的に露出させるようにして覆う上部電極３９１と端子部Ｔ１，Ｔ２及びＴ４を覆う被覆電極部３９２、３９３及び３９５を含んでいる。上部電極３９１にはコの字またはＵ字状のスリットによって囲まれた接続部３９１Ａが含まれている。接続部３９１Ａは下部電極パターン２１３に含まれる接続部３３３と接続されている。これらの接続部の接続により、包囲電極３５１が連続したパターンになる。

本実施の形態においても、第２のスリット２１８の下には包囲電極３５１があり、上部電極３９１は包囲電極３５１と密着し、絶縁基板と接触することがない。したがって上部電極３９１が剥がれることを防止できる。また上部電極パターン２１９が第２のスリット２１８を埋めた状態においては、感湿膜３７１の周縁部の大部分が上部電極パターン２１９によって覆われた状態となる。その結果、感湿膜３７１の外周部から吸湿及び排湿が無くなり、感湿膜３７１のヒステリシス特性が改善される。

上記実施の形態でも包囲電極３６０を設けることにより、出力中に混入するノイズ削減という効果がある。この包囲電極３６０は必ずしも設ける必要はない。

また第１乃至第３の実施の形態では、下部電極パターンに含まれる接続電極を上部電極パターンで覆っているが、この構成も必ずしも採用する必要はない。

また第１及び第２の実施の形態では、下部電極パターンに含まれる接続電極を上部電極パターンで覆っているが、この構成も必ずしも採用する必要はない。

本発明によれば、感湿膜パターンの周縁部の大部分が上部電極パターンによって覆われた状態になるので、感湿膜の外周部からの余分な吸湿及び排湿が無くなり、非透湿保護膜を形成しなくても、感湿膜のヒステリシス特性が改善される。

１ 容量式湿度センサ
２ 絶縁基板
３ 下部電極パターン
３ａ 下地電極層
３ｂ 拡散防止層
３ｃ 表面電極層
４ スリット
５ 包囲電極パターン
７ 感湿膜パターン
８ スリット
９ 上部電極パターン
１０ 貫通孔
１３ 下部電極パターン
１４ スリット
１５ 包囲電極パターン
１７ 感湿膜パターン
１８ スリット
１９ 上部電極パターン
３１ 下部電極
３２ 第１の接続部
３３ 接続電極
４１ 延長部分
５１ 包囲電極
５２ 第２の接続部
５３ 接続電極
５４ 延長部
７１ 感湿膜
７２ 被覆部
８１ 延長部分
９１ 上部電極
９２ 電極被覆部

Claims (7)

1. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板との密着性が良好な材料で形成された下地電極層を含んで形成された下部電極及び前記下部電極と電気的に接続された第１の接続電極を含む下部電極パターンと、
   前記下部電極を全体的に覆う感湿膜を含む感湿膜パターンと、
   前記絶縁基板との密着性が悪い材料で形成され、前記感湿膜を部分的に露出させるようにして覆う上部電極を含む上部電極パターンとを備えてなる容量式湿度センサであって、
   前記下部電極パターンと同じ構造を有し、前記下部電極の周縁部の大部分との間に間隔を開けて前記絶縁基板上に形成されて前記下部電極の前記周縁部の大部分を囲む包囲電極及び該包囲電極と電気的に接続された第２の接続電極を含む包囲電極パターンを備え、
   前記感湿膜パターンは、前記包囲電極と前記下部電極の周縁部の大部分との間に形成された第１のスリットを埋め且つ前記包囲電極に沿って該包囲電極を連続的に露出させる第２のスリットを形成するように形成されており、
   前記上部電極パターンは、前記第２のスリットを埋めるように形成されていることを特徴とする容量式湿度センサ。
2. 前記下部電極パターンは、前記下部電極と前記第１の接続電極との間を接続する第１の接続部を備えており、前記第１の接続部の幅寸法は前記第１の接続電極の幅寸法よりも短く、
   前記包囲電極パターンは、前記包囲電極と前記第２の接続電極とを接続する第２の接続部と、前記第１の接続部との間に間隔をあけて延びて前記第１のスリットを延長する一対の延長部を備えており、
   前記感湿膜パターンは、前記延長部によって延長された前記第１のスリットの延長部分を埋め且つ前記延長部に沿って該延長部を連続的に露出させて第２のスリットを延長するように形成されており、
   前記上部電極パターンは、前記第２のスリットの延長部分を埋めるように形成されている請求項１に記載の容量式湿度センサ。
3. 前記包囲電極パターンは、前記包囲電極と前記第２の接続電極とを接続する接続部を備えており、
   前記感湿膜パターンは、前記包囲電極パターンの前記接続部、前記延長部と前記下部電極パターンの前記接続部を覆い且つ前記第１の接続電極及び第２の接続電極の周囲を覆うように形成されている請求項２に記載の容量式湿度センサ。
4. 前記下部電極パターン及び包囲電極パターンの前記下地電極層は、ＮｉＣｒ、Ｃｒ及びＴｉのいずれか１つからなり、前記下地電極層の上にＡｕからなる表面電極層が形成されている請求項１に記載に記載の容量式湿度センサ。
5. 前記下部電極パターン及び包囲電極パターンの前記下地電極層は、ＮｉＣｒ、Ｃｒ及びＴｉのいずれか１つからなる薄膜からなり、前記下地電極層の上にＴａからなる拡散防止層が薄膜により形成され、前記拡散防止層の上にＡｕからなる表面電極層が形成されている請求項１に記載の容量式湿度センサ。
6. 前記感湿膜パターンは、ポリイミドから形成されている請求項１に記載の容量式湿度センサ。
7. 前記第１の接続電極及び前記第２の接続電極は、ワイヤボンディングの電極パッドとなる大きさを有している請求項１に記載の容量式湿度センサ。
   

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