KR20160065017A - 유지 장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법 - Google Patents

유지 장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법 Download PDF

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Abstract

기판 유지 장치는 기판과의 사이의 공간의 공기를 배기하기 위한 홀을 갖는 유지 부재 및 공간을 규정하기 위해 유지 부재의 단차부의 하위면 상의 환형 시일 부재를 포함한다. 제1 영역은 유지 부재의 평면 도형의 것과 동일한 중심을 갖고 평면 도형의 크기를 2/3 이상 4/5 이하로 축소하여 획득되는 도형의 면적이다. 제2 영역은 제1 영역과 시일 부재 사이에 존재한다. 홀은 (제2 영역에 형성된 흡기 홀의 총 면적/제2 영역의 면적) > (제1 및 제2 영역의 합계 영역의 홀의 총 면적 /제1 및 제2 영역의 합계 영역의 면적)의 관계를 만족하도록 형성되고, 유지 부재의 제1 영역에 대응하는 위치에서 파이프와 연통한다.

Description

유지 장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법{HOLDING DEVICE, LITHOGRAPHY APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING ITEM}
본 발명은 유지 장치, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 제조 공정에 사용되는 노광 장치에는 표면 요철 또는 휘어짐을 갖는 기판이 제공되는 경우가 있다. 진공 흡착에 의해 기판이 유지될 때 기판의 주연 에지의 휘어짐으로 인해 공기 누설이 발생하여 흡착력이 감소될 우려가 있다. 게다가, 흡착력이 작고 기판의 표면 요철 또는 휘어짐이 큰 상태에서 기판 상에 패턴이 전사되는 경우, 전사된 패턴이 변형되어 디바이스 제조의 수율이 저하될 우려가 있다.
일본 특허 공개 제2002-217276호 공보는 기판 유지면의 외주연부에 걸쳐 탄성체인 시일 부재가 배치되는 유지 장치가 개시된다. 기판의 주연 에지의 형상을 따르는 방식으로 시일 부재를 변형시킨 결과, 기판과 기판 유지면의 사이의 공간으로부터의 공기 누설 발생 가능성이 감소되어, 흡착력이 증가된다. 유지 장치의 기판 유지면은 동일한 크기 및 동일한 형상, 및 일정 간격으로 배열된 흡기 홀을 갖는 판상 부재를 포함한다.
일본 특허 공개 제2002-217276호 공보에 개시된 유지 장치와 같이, 동일한 크기 및 동일한 형상, 및 일정 간격으로 배열된 모든 흡기 홀을 사용하여 공기의 흡입이 동시에 실행되는 경우, 기판 유지면에서의 부압 분포가 균일하고, 또는 주연 에지에서의 부압이 다른 부분에서의 부압보다 낮다. 최근 디바이스 제조 공정의 다양화가 증가됨에 따라 크게 변형된(예를 들어, 크게 휜) 기판이 노광 장치로 반입되는 경우가 많아지는 관점에서, 기판 주연 에지에서의 약한 흡착력으로 인해 기판의 주연 에지의 휘어짐을 교정하는 것이 어렵게 될 수 있는 우려가 있다.
본 발명의 양태는 동일한 진공원을 사용하여, 그리고 동일한 크기 및 동일한 형상, 및 일정 간격으로 배열된 모든 흡기 홀을 사용하여 공기 흡입이 동시에 실행되는 경우보다 기판의 휘어짐을 더 많이 교정할 수 있는 기판 유지 장치 및 리소그래피 장치를 제공한다.
본 발명의 양태에 따르는 유지 장치는 기판을 유지하도록 구성되는 유지 장치이며, 기판과의 사이의 공간을 배기하기 위해 사용되는 복수의 흡기 홀이 형성되는 유지 부재, 및 링 형상을 갖고 유지 부재의 단차부의 하위면 상에 배치되며 공간을 규정하는 시일 부재를 포함한다. 유지 부재의 유지면의 평면 도형의 중심과 동심이며 평면 도형의 크기를 2/3 이상 4/5 이하로 축소하여 획득된 도형의 내부 영역을 제1 영역으로 설정하고, 제1 영역과 시일 부재 사이의 영역을 제2 영역으로 설정한 경우, 복수의 흡기 홀은 제2 영역의 면적에 대한, 제2 영역에 형성된 흡기 홀의 총 면적의 비율이, 제2 영역에 가산된 제1 영역을 포함하는 합계 영역에서, 합계 영역의 면적에 대한, 합계 영역에 형성된 흡기 홀의 총 면적의 비율보다 큰 관계를 만족하도록 형성된다.
본 발명의 추가 양태는 첨부 도면을 참조하여 예시적인 실시예의 이후의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 제1 내지 제3 실시예에 따르는 노광 장치를 도시하는 도면.
도 2a 및 도 2b는 각각 제1 실시예에 따르는 유지 장치를 도시하는 도면(수평 방향으로부터 본 단면도).
도 3은 제1 실시예의 변형예에 따르는 유지 장치를 도시하는 도면(수평 방향으로부터 본 단면도).
도 4는 제1 실시예에 따르는 유지 장치를 도시하는 도면(수직으로 위쪽에서 본 도면).
도 5a 및 도 5b는 각각 예에 따르는 유지 장치를 도시하는 도면.
도 6은 제2 실시예에 따르는 유지 장치를 도시하는 도면.
도 7은 제3 실시예에 따르는 유지 장치를 도시하는 도면.
도 8a 및 도 8b는 제3 실시예의 변형예에 따르는 유지 장치를 도시하는 도면.
도 9는 립(lip) 시일의 다른 형상을 도시하는 제1 설명도.
도 10은 립 시일의 다른 형상을 도시하는 제2 설명도.
도 1을 참조하여, 제1 실시예에 따르는 노광 장치(리소그래피 장치)(1)의 구성을 설명한다. 노광 장치(1)는 스텝-앤드-리피트(step-and-repeat) 시스템에 의해 레티클(2) 및 기판(3)을 이동시키면서 레티클(2) 및 기판(3)을 주사하는 방식으로 레티클(2) 및 기판(3) 상에 조명광(빔)(6)으로서 i-선(365nm의 파장을 구비함)을 조사하고 레티클(2) 상에 형성된 패턴(예를 들어, 회로 패턴 등)을 기판(3) 상에 전사하는 투영 노광 장치이다. 도 1에서, 투영 광학계(4)의 광축이 연장하는 방향(제1 실시예에서 수직 방향)에 평행한 축이 Z축이다. Z축에 수직한 평면에서, 조명광(6)에 의해 조사됨으로써 레티클(2)이 주사될 때 레티클(2)이 이동하는 방향이 X 축이고, X축에 수직인 비-주사 방향이 Y 축이다.
조명 광학계(5)에 의해 형성된 조명광(6)은 레티클(2) 및 투영 광학계(4)를 개재하여 기판(3) 상에 조사된다. 기판(3)은 예를 들어 단결정 실리콘의 기판이고, 기판(3)의 표면에 레지스트가 도포된다. 레티클(2)은 스테이지(7)와 함께 이동한다. 간섭계(8)는 미러(9)에 레이저 빔을 조사하고, 미러(9)에 의해 반사된 광을 수광하여 스테이지(7)의 위치를 검출한다. 스테이지(7)는 레티클(2)용 스테이지 상부판(미도시) 및 스테이지 상부판을 이동시키는 이동 기구(미도시)를 포함한다.
기판(3)은 기판(3)을 진공 흡착에 의해 유지하는 유지 장치(10) 및 스테이지(13)과 함께 6축 방향으로 이동한다. 간섭계(11)는 미러(12)를 사용하여, 스테이지(7)의 위치 검출과 마찬가지의 방법으로 스테이지(13)의 위치를 검출한다. 스테이지(13)는 기판(3)용 스테이지 상부판(미도시) 및 스테이지 상부판을 이동시키는 이동 기구(미도시)를 포함한다.
검출계(14)는 기판(3) 상에 형성된 정렬 마크(미도시) 및 스테이지(13) 상에 설치된 마크 테이블(15)에 형성된 기준 마크(미도시)를 검출한다. 검출계(14)는 정렬 마크 및 기준 마크를 검출하고, 후술하는 제어 유닛(18)은 패턴-형성 위치를 설정한다. 검출계(14)는 투영 광학계(4)를 사용하지 않고서 정렬 마크 및 기준 마크를 검출하는 축외(off-axis) 정렬 검출계이다.
유지 장치(10)는 기판(3)을 흡착 유지하는 척(유지 부재)(16), 노광 장치(1)로의 기판(3)의 반입 또는 반출 시 기판(3)을 지지하는 핀(17), 및 척(16)을 Z축 방향으로 승강시키는 승강 기구(미도시)를 포함한다. 척(16)의 승강 동작에 의해, 기판(3)이 노광 장치(1)에 반입될 때 기판(3)은 핀(17)으로부터 척(16)으로 전달되고, 기판(3)이 노광 장치(1)로부터 반출될 때 기판(3)은 척(16)으로부터 핀(17)으로 전달된다. 유지 장치(10)의 구성에 대해 이하에서 상세히 설명한다.
제어 유닛(18)은 스테이지(7, 13), 검출계(14), 간섭계(8, 11) 및 유지 장치(10)에 연결되어 이들을 일체로 제어한다. 예를 들어, 노광 처리가 실행되는 경우, 제어 유닛(18)은 검출계(14)에 의해 획득된 검출 결과에 기초하여 패턴-형성 위치를 설정하고 간섭계(8, 11)에 의해 획득된 스테이지(7, 13)의 위치 정보에 기초하여 스테이지(7, 13)의 이동을 제어한다. 또한, 기판(3)이 노광 장치(1)에 반입 또는 반출되는 경우 제어 유닛(18)은 유지 장치(10) 및 스테이지(13)의 상승 기구의 이동을 제어한다. 제어 유닛(18)은 제어 유닛(18) 이외의 구성 부재가 수용되는 하우징 내에 배치될 수 있고, 또는 이 하우징과 상이한 하우징 내에 배치될 수 있다.
도 2 a 및 도 2b를 참조하여, 기판(3)의 흡착 동작을 설명한다. 도 2a 및 도 2b 각각은 척(16) 및 그 주연 부재를 도시하는, 척(16)의 중심을 통과하는 X-Z 평면의 단면도이다.
도 2a는 기판(3)의 반입이 완료되고 기판(3)이 척(16)으로 전달된 상태를 도시한다. 척(16)은 중앙부(제1 영역) 및 주연 에지부(제2 영역)을 포함한다. 중앙부와 주연 에지부 사이의 경계부는 가상 경계부(38)에 의해 표시된다. 중앙부 및 주연 에지부에는 복수의 흡착 홀(흡기 홀)(32)이 형성된다.
여기서, 제1 실시예에서, 중앙부는 척(16)의 전방면에서 기판(3)과 대향하는 기판 유지면(유지면)이며, 경계부(38)로서 설정되며 기판 유지면의 중심과 동심인 원 내측의 영역이다. 주연 에지부는 경계부(38) 외측 영역이다. 경계부(38)는 중앙부의 면적 및 주연 에지부의 면적이 서로 동일하게 되도록 설정된다. 주연 에지부는 척(16)의 단차부(39a)의 측면(39b)을 포함한다. 측면(39b)은 후술하는 립 시일(31)과 대면하고 있는 영역이고, 립 시일(31)을 배치하는데 사용된다.
모든 흡착 홀(32)은 파이프(33a)를 개재하여 모든 흡착 홀(32)에 대해 공통 파이프인 파이프(33)와 연통한다. 파이프(33)는 흡착 홀(32)의 대응하는 하나에 각각 결합되는 방식으로 분기되는 파이프(33a)를 하나의 파이프에 조합하는 기능을 한다. 파이프(33)는 진공원(33b)에 연결된다. 밸브(34)가 파이프(33)와 진공원(33b) 사이에 배치된다. 파이프(33)를 개재하여 진공원(33b)에 연결된 모든 흡착 홀(32)을 통해 척(16)과 기판(3) 사이의 공간에 존재하는 기체를 배출할지 여부 또는 파이프(33)를 개재하여 밸브(34)에 연결된 모든 흡착 홀(32)을 통해 척(16)과 기판(3) 사이의 공간으로 공기를 보낼지 여부는 밸브(34)를 전환함으로써 선택될 수 있다. 파이프(33)는 척(16)의 중앙부에 대응하는 위치, 즉 경계부(38)에서 척(16)의 두께 방향으로 척(16)이 절단되는 경우 경계부(38) 내측 위치에 배치된다. 특히, 도 2a 및 도 2b 등에 도시된 바와 같이, X-Y 평면에서 흡착 홀(32)과 파이프(33) 사이의 거리가 짧은 위치와, X-Y 평면에서 흡착 홀(32)과 파이프(33) 사이의 거리가 먼 위치 사이에서 배기력의 크기 차이가 발생하는 것을 억제하기 위해, X-Y 평면에서의 파이프(33)의 위치는 중앙부의 중심 근처일 수 있다.
원형 및 링 형상을 갖는 립 시일(시일 부재)(31)이 척(16)의 단차부(39a)의 하위면인 저면(39c) 상에 배치된다. 립 시일(31)은 탄성 부재이며, 접착 시트 등의 바인더를 사용하여 척(16)에 고정된다. 기판(3)이 척(16) 상에 배치되는 경우, 립 시일(31)은 기판(3)의 주연 에지 부근과 접촉하게 된다. 이 구성에 의해, 기판(3)과 기판 유지면 사이의 공간(35)의 영역이 립 시일(31)에 의해 규정된다.
밸브(34)는 대기 공간이 존재하는 측으로 개방된다. 기판(3)의 주연 에지 부근 및 립 시일(31)은 서로 접촉하지만, 이 부분 및 립 시일(31)은 서로 완전히 밀착하지 않고, 기판(3)의 주연 에지의 휘어짐에 따라서 이 부분과 립 시일(31) 사이에 작은 간극이 존재한다.
도 2a에 도시된 상태로부터 밸브(34)를 진공원(33b)이 배치된 측으로 전환함으로써, 공간(35) 내의 공기는 모든 흡착 홀(32)을 개재하여 배기된다. 밸브(34)의 전환 동작은 척(16)이 상승될 때, 즉 기판(3)이 핀(17)로부터 척(16)까지 완전히 전달되기 전의 기간 도중에 실행될 수 있다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 공간(35)에서 증가하는 부압으로 인해, 기판(3)은 대기압에 의해 가압되어 척(16)의 기판 유지면의 형상에 따르도록 변형된다. 이 경우, 립 시일(31)은 기판(3)의 주연 에지 형상을 따라서 변형되고 점차 기판(3)과 밀착된다.
립 시일(31)의 단부가 척(16)의 기판 유지면보다 높이 위치되기 때문에, 기판(3)의 에지가 휘어지는 경우에도 기판(3)의 휘어진 부분 및 립 시일(31)은 서로 쉽게 접촉하게 된다. 그 결과, 공간(35)은 용이하게 밀폐될 수 있고, 공간(35) 내의 공기가 배기될 수 있다. 립 시일(31)이 제공되지 않은 경우에 비해, 공간(35)이 더 많이 밀폐되고, 기판(3)에 인가되는 흡착력이 증가하여, 기판(3)이 편평하게 되도록 교정될 수 있다.
따라서, 립 시일(31)은 용이하게 변형될 수 있으며 신축 가능한 연질 부재일 수 있다. 실리콘 고무 또는 불소 고무 등의 합성 고무를 포함하는 고분자 재료(탄성 고분자 재료)가 사용될 수 있고, 대안적으로, 다른 연질 수지 또는 금속 재료가 사용될 수 있다.
기판(3)이 유지 장치(10)에 의해 척(16)에 흡착된 상태에서, 노광 장치(1)는 노광 처리를 실행한다. 노광 처리가 완료된 이후, 유지 장치(10)가 제어되고 기판(3)은 반출 가능한 상태가 된다.
도 4는 척(16)이 양의 Z축 방향으로부터 관측될 때의 도면이다. 흡착 홀(32) 및 핀 홀(36)은 기판 유지면과 동심인 원으로 형성된다.
핀 홀(36) 각각은 척(16)의 세 부분 중 하나를 통해 연장하는 방식으로 형성된다. 상승 기구가 척(16)을 음의 Z축 방향으로 이동시키는 경우, 핀(17)은 핀 홀(36)의 내측으로부터 상대적으로 돌출된다. 또한, 핀(17)과 핀 홀(36)과의 간극은 시일 부재(미도시) 등에서 항상 막혀 있기 때문에, 기판(3)의 흡착시 누설이 발생하지 않을 것이다.
흡착 홀(32)에 관해, 네 개의 흡착 홀(32)이 척(16)의 중앙부에 형성되고, 16개의 흡착 홀(32)(8개의 흡착 홀(32) × 두 개의 원)이 중앙부를 둘러싸는 주연 에지부에 형성된다. 흡착 홀(32)은 모두 동일한 직경을 갖는다.
영역 내의 모든 흡착 홀(32)의 총 단면적을 총 홀 면적(흡기 홀의 총 면적)이라고 할 때, 흡착 홀(32)은, 주연 에지부의 총 홀 면적이 중앙부의 총 홀 면적보다도 크도록, 즉, 제2 영역에 형성된 흡기 홀의 총 면적이 제1 영역 및 제2 영역의 합한 영역에 형성된 흡기 홀의 총 면적의 50%보다 크도록 형성된다. 따라서, 주연 에지부의 단위 면적당 총 홀 면적은 중앙부 및 주연 에지부를 합한 영역의 단위 면적당 총 홀 면적보다도 크다.
상기 방식으로 내부에 흡착 홀(32)이 형성된 척(16)을 사용함으로써 파이프(33)를 개재하여 진공원(33b)을 사용하여 공간(35)의 배기가 시행되는 경우, 흡착 홀(32)이 더 많은 비율로 형성된 주연 에지부의 흡착력은 중앙부의 흡착력보다 크다.
그 결과, 기판(3)의 휘어짐 양이 크고 기판(3)의 반입된 이후 기판(3)과 립 시일(31) 사이에 큰 간극이 형성되는 경우에도, 간극이 즉시 폐쇄될 수 있고, 공기 누설의 발생이 방지될 수 있다. 기판(3)이 동일한 휘어짐 양을 갖고 동일한 형상을 갖는 흡착 홀이 일정 피치로 배열되는 경우보다 더 우수한 기판(3)의 휘어짐 교정이 실행될 수 있다. 따라서, 휘어짐 등의 기판(3)의 변형으로 인해 전사된 패턴에서 발생할 수 있는 변형이 방지될 수 있다.
적어도 하나의 흡착 홀(32)이 측면(39b) 및 저면(39c) 중 적어도 하나에 형성될 수 있다. 도 3은 흡착 홀(32) 중 적어도 하나가 측면(39b)에 형성된 예시적인 상태를 도시한다.
기판 유지면 및 기판(3)이 서로 접촉하는 상태에서, 기판 유지면에 형성된 흡착 홀(32)을 통해 배기를 실행하는 것은 어렵다. 따라서, 저면(39c)와 기판(3) 사이의 공간의 배기가 충분히 실행될 수 없고, 기판(3)의 휘어짐의 교정이 불충분한 경우가 발생할 수 있다. 흡착 홀(32) 중 적어도 하나가 측면(39b) 및 저면(39c) 중 적어도 하나에 형성되는 경우, 기판(3)의 흡착이 실행되면서 저면(39c)과 기판(3) 사이의 공간의 배기가 실행될 수 있어서, 기판(3)의 휘어짐이 교정될 수 있다.
흡착 홀(32) 중 적어도 하나가 측면(39b)에 형성되는 경우, 수직 방향으로 가공되는 홀의 개수가 적고, 따라서, 흡착 홀(32)의 형성에 요구되는 가공 비용이 감소될 수 있다.
제1 실시예의 유지 장치(10)는, 그릇 형상으로 볼록한 방식으로 아래로 휘어진 기판뿐만 아니라, 역전된 그릇 형상으로 볼록한 방식으로 위로 휘어진 기판 및 비대칭적으로 휘어진 기판의 흡착을 실행할 수 있고, 이들 기판은 편평해지도록 교정될 수 있다.
흡착 홀(32)의 배열을 도시하는 도 4에서, 중앙부는 기판 유지면의 평면 도형의 중심과 동심이며 평면 도형의 크기를 2/3 이상 4/5 이하로 축소함으로써 획득된 도형의 내부 영역으로 설정될 수 있고, 주연 에지부는 중앙부와 립 시일(31) 사이의 영역이 되도록 설정될 수 있다.
이 경우, 흡착 홀(32)의 배치는 (주연 에지부의 총 홀 면적 / 주연 에지부의 면적) > (중앙부 및 주연 에지부의 합계 영역의 총 홀 면적 / 중앙부 및 주연 에지부의 합계 영역의 면적)의 관계를 만족하고, 주연 에지부의 단위 면적당 총 홀 면적은 중앙부 및 주연 에지부의 합계 영역의 단위 면적당 총 홀 면적보다 크다. 즉, 주연 에지부의 면적에 대한, 주연 에지부에 형성되는 흡기 홀(32)의 총 면적의 비율이, 주연 에지부에 추가된 중앙부를 포함하는 합계 영역에서 합계 영역의 면적에 대한, 합계 영역에 형성된 흡기 홀(32)의 총 면적의 비율보다 큰 관계가 만족된다. 그 결과, 흡착 홀(32)이 높은 비율로 형성되는 주연 에지부에서의 흡착력이 증가될 수 있다.
">"은 우측 항보다 좌측 항이 더 큰 것을 나타내는 부등호 기호이고, "/"는 제산 부호인 점에 유의한다. 예를 들어, "(주연 에지부의 총 홀 면적 / 주연 에지부의 면적)"은 주연 에지부의 총 홀 면적을 주연 에지부의 면적으로 제산하여 획득된 수를 나타낸다. 본 개시 내용에서, 기판 유지면의 평면 도형은 기판(3)이 수직 방향에서 노광 장치(1)로 반입되는 측에서 기판 유지면이 관측될 때 기판 유지면의 윤곽 형상을 지칭한다.
흡착 홀(32)의 배치는 제1 실시예의 배치로 한정되지 않고, 다양한 변경예가 이루어질 수 있다. 예를 들어, 도 5a에 도시된 제1 실시예의 변형예와 같이, 이들 흡착 홀(32)이 서로에 대해 일렬로 위치되는 방식으로, 두 개의 흡착 홀(32)이 중앙부에 형성될 수 있고, 네 개의 흡착 홀(32)이 주연 에지부에 형성될 수 있다.
제1 실시예의 예에 대해서 설명한다. 도 5a에 도시된 척(16)을 사용하여 척(16)의 주연 에지부에 형성되는 흡착 홀(32)의 개수가 척(16)의 중앙부에 형성되는 흡착 홀(32)의 개수보다 더 많은 방식으로 흡착 홀(32)을 형성함으로써 획득되는 흡착 효과가 확인된다. 기판(3)의 외주연부가 기판(3)의 중심보다 수직 방향으로 1.7mm만큼 더 높게 위치되는 방식으로 상향으로 휘어지며 그릇 형상을 갖는 기판(3)의 흡착 동작이 실행된다. 또한, 비교예로서 도 5b에 도시한 바와 같이, 중앙부에 형성된 6개의 흡착 홀(48)을 갖는 척(50) 및 척(50)의 외주연부를 따라서 배치된 립 시일(45)을 사용하여 기판(3)이 휘어진 것과 동일한 양으로 휘어진 기판의 흡착 동작이 실행된다.
유량계가 밸브(34)의 부근에 배치되고, 기판(3)을 흡착하기 위해서 필요한 유량이 유량계를 사용하여 계측된다.
그 결과, 도 5a에 도시된 척(16)을 사용하는 경우, 2L/분의 유량이 요구되고, 도 5b에 도시된 척(50)을 사용하는 경우, 20L/분의 유량이 요구된다. 많은 양으로 휘어진 기판을 흡착하는 경우, 척(16)은 척(50)에 비해 비교적 적은 유량으로 기판을 흡착할 수 있다.
결과로부터, 제1 실시예에 따르는 척(16)의 구성에 의해 낮은 배기성능을 갖는 소형 진공원(33b)을 채용할 수 있는 점이 확인되었다. 이는 진공원(33b)의 설치 공간량의 감소 및 진공원(33b)의 제조 비용의 감소의 유리한 효과를 갖는다.
제2 실시예에 대해 설명한다. 제1 실시예의 유지 장치(10)와의 차이점은 흡착 홀(37) 각각이 흡착 홀(32) 각각의 크기와 상이한 크기를 갖고, 흡착 홀(32, 37)의 배치가 상이하다는 점이다.
도 6은 제2 실시예에 따르는 유지 장치(10)를 양의 Z축 방향으로부터 관측될 때의 도면이다. 경계부(38)는 척(16)의 중앙부와 척(16)의 주연 에지부의 경계부를 나타내고, 중앙부는 기판 유지면에의 평면 도형의 크기를 4/5로 축소하여 획득된 도형의 내부 영역이다. 기판 유지면에서, 주연 에지부는 중앙부와 립 시일(31) 사이의 영역이다.
척(16)은 중앙부에 형성된 두 개의 흡착 홀(32) 및 주연 에지부에 형성된 네 개의 흡착 홀(37)을 갖는다. 주연 에지부에 형성된 흡착 홀(37) 중 하나의 홀 면적은 중앙부에 형성된 흡착 홀(32) 중 하나의 홀 면적의 2배 이상이다. 예를 들어, 2배 이상 20배 이하가 바람직하다. 흡착 홀(32)은 Y축 방향을 따라서 배열되고, 흡착 홀(37)은 X축 방향을 따라서 배열된다.
제2 실시예에서도, 주연 에지부에서의 단위 면적당 총 홀 면적은 중앙부 및 주연 에지부를 합한 영역에서의 단위 면적당 총 홀 면적보다 크다. 중앙부가 기판 유지면의 평면 도형의 크기를 4/5로 축소하여 획득된 도형의 내부 영역인 경우에도 상기 관계가 만족될 수 있는 방식으로 흡착 홀(32)을 배열함으로써, 기판(3)의 단부에서의 흡착력이 더욱 증가한다.
이는 제1 실시예와 마찬가지로, 동일한 형상을 갖는 흡착 홀이 일정 간격으로 배치되는 경우에 비해 기판(3)의 휘어짐의 교정을 용이하게 한다. 따라서, 기판(3)의 휘어짐 등의 변형으로 인해 전사된 패턴에서 발생할 수 있는 변형이 방지될 수 있다. 추가로, 낮은 배기율을 갖는 진공원(33b)을 배열함으로써, 진공원(33b)의 설치 공간량의 감소 및 진공원(33b)의 제조 비용의 감소가 달성될 수 있다.
주연 에지부에 형성되는 흡착 홀(37)의 개수는 주연 에지부에 형성된 흡착 홀(37)의 각각의 홀 면적을 증가시킴으로써 감소된다. 척(16) 내에 형성되는 파이프, 척(16)의 중심으로부터 흡착 홀(37)까지 연장하는 파이프의 개수는 감소될 수 있고, 따라서, 가공 비용의 감소가 달성될 수 있다.
흡착 홀(37)은, 도 5a를 참조하여 상술된 바와 같이 모든 흡착 홀(37)(적어도 세 개의 흡착 홀(37))이 서로에 대해 일렬로 존재하지 않는 방식으로 배열된다. 이는 공간(35) 내의 부압 분포가 하나의 축방향으로 치우치게 되는 것을 방지한다.
제1 실시예 및 제2 실시예 모두에서, 흡착 홀(32)이 중앙부에 형성되지 않는 경우에도(주연 에지부에서의 총 홀 면적이 중앙부 및 주연 에지부를 합한 영역의 100%인 경우에도), 기판(3)의 흡착이 실행될 수 있다. 그러나, 적어도 하나의 흡착 홀(32)이 중앙부에 형성될 수 있는데, 이는 흡착 홀(32)이 중앙부에 형성되지 않는 경우 기판(3)이 기판의 단부로부터 시작하여 편평하게 되도록 교정된 결과로서 휘어짐이 여전히 남아 있는 영역이 기판(3)의 중앙에 발생될 우려가 있기 때문이다.
제3 실시예에 대해서 설명한다. 도 7은 제3 실시예에 따르는 유지 장치(10)가 양의 Z축 방향으로부터 관측될 때의 도면이다. 척(16)의 흡착 홀(32)은 동일한 크기 및 동일한 형상을 갖고 일정한 간격으로 배열되도록 형성된다. 도 7에서, 기판 유지면의 평면 도형의 크기를 2/3로 축소하여 획득된 도형의 내부 영역이 중앙부이다. 그러나, 중앙부는 기판 유지면의 평면 도형의 크기를 2/3 이상 4/5이하로 축소하여 획득된 도형의 내부 영역일 수 있다.
척(16)의 중앙부인 제1 영역에 속한 흡착 홀(32)에 연결되는 파이프, 및 척(16)의 주연 에지부인 제2 영역에 속한 흡착 홀(32)에 연결되는 파이프에는 영역 단위로 개폐 가능한 밸브(미도시)가 제공된다. 제어 유닛(55)은 중앙부에 대응하는 밸브 및 주연 에지부에 대응하는 밸브의 개폐를 제어한다. 제어 유닛(55)은 배기 도중 미리 정해진 타이밍에서 (주연 에지부에 형성된 흡착 홀(32)을 개재하여 실행되는 배기의 배기 유량 / 주연 에지부의 면적) > (중앙부 및 주연 에지부의 합계 영역에 형성된 흡착 홀(32)을 개재하여 실행되는 배기의 배기 유량 / 중앙부 및 주연 에지부의 합계 영역의 면적)의 관계를 만족하도록, 중앙부에 형성된 흡착 홀(32)을 통해 배기되는 유량 및 주연 에지부에 형성된 흡착 홀(32)을 통해 배기되는 유량을 제어한다. 즉, 주연 에지부의 면적에 대한, 주연 에지부에 형성된 흡기 홀(32)을 통해 실행되는 배기의 배기 유량의 비율이, 주연 에지부에 추가된 중앙부를 포함하는 합계 영역에서 합계 영역의 면적에 대한, 흡기 홀(32)을 통해 실행되는 배기의 배기 유량의 비율보다 더 큰 관계가 만족된다.
예를 들어, 제어 유닛(55)은 중앙부에 형성된 흡착 홀(32)만을 사용하여 기판(3)을 흡착하고, 중앙부에 형성된 흡착 홀(32)에 연결되는 파이프의 밸브를 폐쇄하고, 이후 주연 에지부에 형성된 흡착 홀(32)만을 사용하여 기판(3)을 흡착한다. 제어 유닛(55)이 이 방식으로 제어를 실행한 결과, 배기는 주연 에지부에 형성된 흡착 홀(32)만을 개재하여 일시적으로 실행된다. 이 방식으로, 주연 에지부에서의 흡착력이 증가될 수 있다. 추가로, 낮은 배기 성능을 갖는 진공원(33b)을 채용함으로써, 진공원(33b)의 설치 공간량의 감소 및 진공원(33b)의 제조 비용의 감소가 달성될 수 있다.
제1 영역에서의 배기 유량의 조정 및 제2 영역에서의 배기 유량의 조정은, 일정 시간에서 주연 에지부에서의 단위 면적당 총 배기 유량이 모든 흡착 홀(32)을 개재하여 배기가 실행될 때의 단위 면적당 총 배기 유량보다 높을 때가 있을 수 있도록, 제1 영역에서의 배기 유량 및 제2 영역에서의 배기 유량이 제어될 수 있는 한, 중앙부에 대응하는 밸브의 개방도 및 주연부에 대응하는 밸브의 개방도를 조정함으로써 각각 실행될 수 있다.
다른 예로서, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 척(16)은 척(16)의 중앙으로부터 외측을 향해 이 순서대로, 척(16) 상에 형성되는 링 형상 돌출부(43, 44)를 포함할 수 있다. 8개의 흡착 홀(32)은 돌출부(43)에 의해 둘러싸인 영역(40), 볼록부(43) 및 볼록부(44)에 의해 둘러싸인 영역(41), 및 돌출부(44) 외측에 위치된 영역(42)의 각각에 형성된다.
영역(40)에 위치된 흡착 홀(32)을 통한 배기는 밸브(45)를 진공원이 배치된 측으로 전환함으로써 실행된다. 영역(41)에 위치된 흡착 홀(32)을 통한 배기는 밸브(46)를 진공원이 배치된 측으로 전환함으로써 실행된다. 영역(42)에 위치된 흡착 홀(32)을 통한 배기는 밸브(47)를 진공원이 배치된 측으로 전환함으로써 실행될 수 있다. 밸브(45, 46, 47)는 제어 유닛(55)에 연결되고, 제어 유닛(55)은 미리 정해진 타이밍에 따라서 기판(3)의 흡착에 사용되는 흡착 홀(32)의 전환을 제어한다.
상술된 제3 실시예는 기판(3)을 척(16)까지 반송하는 반송 핸드(미도시)가 립 시일(31)과 접촉하게 되는 것을 방지하기 위해, 립 시일(31)의 단부의 높이가 기판 유지면의 높이에 대해 매우 높게 설정될 수 없는 경우에 적합하다. 즉, 제3 실시예는 기판(3)의 노광 장치(1)에의 반입 또는 반출시, 핀(17)과 립 시일(31)의 단부 사이의 높이 차이가 작아지는 경우에 적합하다.
립 시일(31)의 높이가 충분히 높은 경우, 립 시일(31)은 기판(3)의 에지의 휘어진 부분과 접촉하는 것이 용이하다. 그러나, 립 시일(31)의 높이가 낮은 경우, 기판(3)의 휘어짐 양에 따라서 립 시일(31)이 기판(3)과 접촉할 수 없어서, 공간(35)의 배기가 충분히 실행될 수 없는 가능성이 있다.
밸브(45, 46, 47)를 이 순서대로 전환함으로써, 립 시일(31)과 기판(3)의 단부 사이의 거리가 점차 감소되는 방식으로 기판(3)이 흡착될 수 있다. 립 시일(31) 및 기판(3)이 서로 접촉하게 된 후, 영역(42)의 흡착 홀(32)의 단위 면적당 배기 유량은 영역(40)에서 흡착 홀(32)의 단위 면적당 배기 유량 및 영역(41)에서 흡착 홀(32)의 단위 면적당 배기 유량보다 커지도록 제어된다.
이 구성에 의해, 립 시일(31)과 반송 핸드 사이의 접촉이 방지될 수 있고, 추가로, 기판(3)의 휘어짐이 교정될 수 있다.
다른 실시예
제1 내지 제3 실시예에서, 기판(3)의 반입이 실행되는 기간 도중, 밸브(34)와 진공원(33b) 사이의 공간의 공기가 배기될 수 있다. 이 경우, 공간(35)의 공기는 배기 동작의 개시시 하나의 스트로크에서 배기될 수 있고, 기판(3)의 흡착은 진공원(33b)이 적은 배기 유량을 갖는 경우에도 용이하게 실행될 수 있다.
제3 실시예와 같이, 흡착 홀(32)이 개방되는 순서가 제어되는 실시예는 흡착 홀(32)이 상술된 실시예 중 하나에 따르는 방식으로 배열되도록 형성되는 척(16)과 조합될 수 있다.
흡착 홀(32)의 각각의 형상은 원 형상에 한정되지 않고, 타원형 또는 사각형일 수 있다. 립 시일(31)은 립 시일(31)의 단부가 규격으로서 형성되는 기준 편평부 또는 노치와 같은 절결부 영역보다 더 내측에 위치되는 방식으로 배열될 수 있다. 노광 광이 립 시일(31)에 직접 조사되지 않도록 함으로써 립 시일(31)의 열화가 방지될 수 있다.
흡착 홀(32)의 배열에 관해, 흡착 홀(32)은 적어도 기판 유지면의 중심을 통과하는 하나의 축에 대해 대칭이 되도록 형성될 수 있다. 이 경우, 기판(3)에 인가되는 흡착력의 분포에 발생하는 불균일의 결과로서 편평하게 되도록 교정될 수 없는 국소적인 영역의 형성이 방지될 수 있다.
척(16)과 일체로 형성될 수 있는 복수의 핀(미도시)은 기판 유지면과 기판(3) 사이의 접촉 면적을 감소시키기 위해 기판 유지면 상에 배치될 수 있다. 기판 유지면과 기판(3) 사이의 접촉 면적을 감소시킴으로써, 유지면 상의 먼지가 기판(3)에 부착되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 립 시일(31)의 공간 밀봉 능력이 불충분한 경우, 척(16)과 함께 일체로 형성되는 돌출 구조부(미도시)가 립 시일(31)보다도 더욱 내측에 위치된 기판 유지면의 부분 상에 형성될 수 있다. 공간을 보조적으로 규정하는 돌출 구조부에 의해 결과, 기판(3)의 중앙부가 편평하게 되도록 용이하게 교정될 수 있다. 그러나, 립 시일(31)보다 더욱 내측에 위치되는 링 형상의 볼록 구조부 외측의 공간의 공기를 배기함으로써 기판(3)의 휘어짐을 교정하는데 사용되는 흡착 홀(32)은 립 시일(31)보다 더욱 내측에 위치되는 링 형상 돌출부 외측 영역에 형성될 필요가 있다.
그러나, 상술된 핀 및 링 형상 돌출 구조부가 형성되는 경우에도, 기판 유지면의 면적, 중앙부의 면적, 및 주연 에지부의 면적에서, 핀 및 링 형상 돌출 구조부에 의한 표면적의 증가는 존재하지 않는다.
척(16) 및 기판 유지면의 평면 도형 각각의 형상은 원형으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 기판 유지면이 사각형인 경우, 중앙부는 사각형의 중심과 동심이며 사각형의 크기를 2/3 이상 4/5 이하로 축소함으로써 획득되는 유사한 도형이다.
립 시일(31)은 제1 내지 제3 실시예에서와 같이 수평면 상에 형성될 필요는 없다. 예를 들어, 립 시일(31)은 척(16)의 측면에 고정될 수 있다.
립 시일(31)은 립 시일(31)의 단부가 척(16)의 중심과 대면하는 형상을 가질 수 있다(도 9). 이 경우, 기판(3)의 흡착 동작에서 립 시일(31)은 중앙부를 향해 변형되기 쉽고, 따라서 기판(3)이 립 시일(31)에 더 많이 밀착하기 쉬워져, 기판(3)의 주연 에지의 휘어짐의 교정이 용이하게 된다.
대안적으로, 립 시일(31)의 단면 형상은 주름 형상일 수 있다(도 10). 립 시일(31)은 낮은 강성을 가질 수 있는데, 이 경우 립 시일(31)과 기판(3) 사이의 밀착성이 개선될 수 있기 때문이다. 그러나, 립 시일(31) 제조 공정에서의 제약으로 인해 미리 정해진 두께 이하의 두께를 갖도록 립 시일(31)을 형성하는 것은 어렵다. 따라서, 기판(3)과 접촉하게 되는 립 시일(31)의 일부분의 강성이 아코디언 형상의 립 시일(31)을 사용함으로써 감소되는 경우, 기판(3)이 립 시일(31)에 밀착하기 쉬워져, 기판(3)의 주연 에지의 휘어짐의 교정이 용이하게 된다. 이 구성은 특히 기판(3)의 중심을 통과하는 하나의 축에 대해 대칭적으로 휘어진 기판(3) 또는 비대칭 형상의 기판(3)의 흡착 경우에 적합하다.
립 시일(31)을 포함하는 유지 장치(10)에서, 립 시일(31) 제조 공정에서 발생되는 개체 차이 또는 장착 오류로 인해 기판(3)을 흡착하는 동작 이전 및 이후에서 가끔씩 기판(3)이 미리 정해진 방향으로 약 10 내지 약 1000㎛ 만큼 변위될 수 있다. 이 경우, 노광 개시 전 검출계(14)를 사용하여 기판(3)의 위치 어긋남이 측정되고, 제어 유닛(18) 등에 포함되는 연산 회로에 의해 보정량이 산출된다. 그리고, 스테이지(7, 13)는 보정량이 제공되어 주사되도록 이동된다. 이는 립 시일(31)로 인해 발생하는 기판(3)의 위치 어긋남의 양을 감소시키고 중첩 정밀도의 악화를 방지할 수 있다.
립 시일(31)의 각도는 도 2a에 도시된 각도로 한정되지 않고 0도 내지 180도의 범위에서 적절히 변경될 수 있다. 기판(3) 및 립 시일(31)의 접촉점보다 기판(3)의 외주연부가 제공되는 측을 향해 더 이격되게 위치된 기판(3)의 일부분을 편평해지도록 교정하는 것이 어렵게 되는 점을 고려하여 립 시일(31)의 각도가 작게 되도록 설정하는 경우, 기판(3) 및 립 (31)은 서로 밀착하기 쉬워진다.
도 4에서, 립 시일(31)은 척(16)에 직접 고정된다. 그러나, 립 시일(31)의 교환은 추가 구성요소를 사용하여 립 시일(31)을 정해진 위치에 고정함으로써 용이하게 될 수 있다. 립 시일(31)은 기판(3)과 접촉하는 부분을 포함하는 단부 부분 및 그 외의 부분으로 립 시일(31)을 분리함으로써 마모된 립 시일(31)의 단부 부분이 개별적으로 교환될 수 있는 구성을 가질 수 있다.
노광 처리가 실행된 이후 노광 장치(1)로부터 기판(3)의 반출시 밸브(34)를 전환함으로써 공기-배출 동작이 실행되는 경우가 상기 실시예에 설명되었으나, 진공원(33b)에 연결되지 않은 작은 홀이 공기를 공간(35)으로 유입시키도록 흡착 홀(32)과 별도로 형성될 수 있다.
본 발명에 따르는 리소그래피 장치로부터 기판(3)으로 조사되는 광은 i-선(365nm의 파장을 구비함)에 한정되지 않고 KrF 광(248nm의 파장을 구비함) 또는 ArF 광(193nm의 파장을 구비함) 등의 원자외선 영역의 광일 수 있고, 또는 가시광 영역의 광인 g-선(436nm의 파장을 구비함)일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르는 리소그래피 장치는 노광 장치로 한정되지 않는다. 본 발명은 하전 입자 빔을 기판에 조사하여 기판 상에 잠상 패턴을 형성하는 장치 또는 임프린트법에 의해 기판에 패턴을 형성하는 장치에 적용될 수 있다.
[물품의 제조 방법]
본 발명의 실시예에 따르는 물품(반도체 집적 회로 소자, 액정 표시 소자, 촬상 소자, 자기 헤드, CD-RW, 광학 소자, 포토마스크 등)의 제조 방법은 리소그래피 장치를 사용하여 기판에 패턴을 형성하도록 기판(웨이퍼, 유리판 등)에 광을 노광하는 단계 및 노광된 기판에 대해 에칭 처리 및 이온 주입 처리 중 적어도 하나를 실행하는 단계를 포함한다. 방법은 다른 공지된 처리 단계(현상, 산화, 성막, 증착, 평탄화, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)를 더 포함할 수 있다.
본 발명이 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시예에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 아래의 청구범위의 범주는 모든 변경과, 등가 구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석에 따라야 한다.

Claims (13)

  1. 기판을 유지하도록 구성된 유지 장치이며,
    유지 부재로서, 기판과 유지 부재 사이의 공간의 공기를 배기하기 위해 사용되는 복수의 흡기 홀이 형성되는 유지 부재, 및
    링 형상을 갖고, 상기 유지 부재의 단차부의 하위면 상에 배치되며, 상기 공간을 규정하는 시일 부재를 포함하고,
    상기 유지 부재의 유지면의 평면 도형의 중심과 동심이며 상기 평면 도형의 크기를 2/3 이상 4/5 이하로 축소하여 획득된 도형의 내부 영역을 제1 영역으로 설정하고, 상기 제1 영역과 상기 시일 부재 사이의 영역을 제2 영역으로 설정하는 경우, 복수의 흡기 홀은,
    상기 제2 영역의 면적에 대한, 상기 제2 영역에 형성된 흡기 홀의 총 면적의 비율이, 상기 제2 영역에 가산된 제1 영역을 포함하는 합계 영역에서 상기 합계 영역에 대한, 상기 합계 영역에 형성된 흡기 홀의 총 면적의 비율보다 큰 관계를 만족하도록 형성되고,
    상기 복수의 흡기 홀은 공통 파이프와 연통하는, 유지 장치.
  2. 기판을 유지하도록 구성된 유지 장치이며,
    유지 부재로서, 기판과 유지 부재 사이의 공간의 공기를 배기하기 위해 사용되는 복수의 흡기 홀이 형성되는 유지 부재,
    링 형상을 갖고, 상기 유지 부재의 단차부의 하위면 상에 배치되며, 상기 공간을 규정하는, 시일 부재, 및
    상기 복수의 흡기 홀을 통해 실행되는 배기 유량을 제어하는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 복수의 흡기 홀은 공통 파이프와 연통하고,
    상기 유지 부재의 유지면의 평면 도형의 중심과 동심이며, 상기 평면 도형의 크기를 2/3 이상 4/5 이하로 축소함으로써 획득되는 도형의 내부 영역을 제1 영역으로 설정하고, 상기 제1 영역과 상기 시일 부재 사이의 영역을 제2 영역으로 설정하는 경우, 상기 제어 유닛은, 상기 제2 영역의 면적에 대한, 상기 제2 영역에 형성된 흡기 홀을 통해 실행되는 배기 유량의 비율이, 상기 제2 영역에 가산된 제1 영역을 포함하는 합계 영역에서, 상기 합계 영역의 면적에 대한, 상기 합계 영역의 흡기 홀을 통해 실행되는 배기 유량의 비율보다 큰 관계를 만족하도록 상기 배기 유량을 제어하는, 유지 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 흡기 홀 중 하나 이상은 상기 제1 영역에 형성되는, 유지 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 영역의 흡기 홀 중 하나의 홀 면적은 상기 제1 영역의 흡기 홀 중 하나의 홀 면적의 2배 이상인, 유지 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역은 상기 평면 도형의 크기를 4/5로 축소함으로써 획득되는 도형의 내부 영역인, 유지 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유지 부재에 형성된 복수의 흡기 홀은 세 개 이상의 흡기 홀이고, 흡기 홀 중 세 개 이상은 서로 일렬로 존재하지 않는, 유지 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 흡기 홀 중 하나 이상은 상기 시일 부재와 대면하는 방식으로 상기 단차부의 측면에 형성되는, 유지 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 흡기 홀 중 하나 이상은 상기 시일 부재와 대면하는 방식으로 상기 단차부의 측면에 형성되는, 유지 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 시일 부재는 탄성 고분자 재료로 제조되는, 유지 장치.
  10. 기판을 유지하도록 구성된 유지 장치이며,
    유지 부재로서, 기판과 유지 부재 사이의 공간의 공기를 배기하기 위해 사용되는 복수의 흡기 홀이 형성되는 유지 부재, 및
    링 형상을 갖고, 상기 유지 부재의 단차부의 하위면 상에 배치되며, 상기 공간을 규정하는, 시일 부재를 포함하고,
    상기 유지 부재의 유지면의 중심과 동심인 원이, 상기 원 내측에 위치된 유지 부재의 제1 영역의 면적 및 상기 원 외측에 위치된 유지 부재의 제2 영역의 면적이 서로 동일하게 되도록 설정되는 경우, 상기 복수의 흡기 홀은 상기 제2 영역에 형성된 흡기 홀의 총 면적이 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 합계 영역에 형성되는 흡기 홀의 총 면적의 50%보다 크도록 형성되는, 유지 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 흡기 홀은, 상기 제2 영역에 형성된 흡기 홀의 총 면적이 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 합계 영역에 형성되는 흡기 홀의 총 면적의 100%이하이도록 형성되는, 유지 장치.
  12. 리소그래피 장치이며,
    제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따르는 유지 장치를 포함하고,
    상기 리소그래피 장치는 상기 유지 장치에 의해 유지되는 기판에 빔을 조사하여 상기 기판 상에 패턴을 형성하는, 리소그래피 장치.
  13. 물품 제조 방법이며,
    제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따르는 유지 장치를 포함하는 리소그래피 장치를 사용하여 기판에 빔을 조사하는 단계, 및
    상기 기판에 대해 에칭 처리 및 이온 주입 처리 중 하나 이상을 실행하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
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