KR20160062057A - 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척 - Google Patents

웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척 Download PDF

Info

Publication number
KR20160062057A
KR20160062057A KR1020167010189A KR20167010189A KR20160062057A KR 20160062057 A KR20160062057 A KR 20160062057A KR 1020167010189 A KR1020167010189 A KR 1020167010189A KR 20167010189 A KR20167010189 A KR 20167010189A KR 20160062057 A KR20160062057 A KR 20160062057A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
suction
wafer
chuck
segment
segments
Prior art date
Application number
KR1020167010189A
Other languages
English (en)
Inventor
마티아스 콘라디
스벤 한센
Original Assignee
수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 filed Critical 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하
Publication of KR20160062057A publication Critical patent/KR20160062057A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/06—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
    • B25J15/0616—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/06—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
    • B25J15/0616—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum
    • B25J15/0625—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum provided with a valve
    • B25J15/0633—Air-flow-actuated valves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

본 발명은 척 및 상기 척에 의한 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법에 관한 것으로, 척은: 여러 석션 세그먼트로 부분분할되는 평탄한 최상면을 포함하고, 석션 세그먼트는 각각 유체를 석션하도록 구성되고; 바닥면을 포함한다. 방법은 2개 또는 그 이상의 석션 세그먼트가 웨이퍼에 의해 커버되고, 적어도 느슨하게 커버되도록 유체 내에서, 웨이퍼 및 척의 최상면을 근처로 이동시키는 단계; 아직 활성화되지 않은 석션 세그먼트로부터, 웨이퍼에 대해 최소 거리를 가지는 석션 세그먼트를 선택하는 단계; 이전 단계에서 선택되는 석션 세그먼트를 활성화하는 단계; 일단 최종-활성화 석션 세그먼트의 영역에서의 웨이퍼가 척의 최상면을 타이트하게 접촉하고 적어도 하나의 석션 세그먼트가 아직 활성화되지 않는 한: 전술한 단계를 반복하는 단계를 포함한다.

Description

웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척{CHUCK FOR SUCTION AND HOLDING A WAFER}
본 발명은 웨이퍼를 석션(suction) 및 홀딩(holding)하기 위한 척(chuck)에 관한 것으로, 상기 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 여러 석션 세그먼트(segment)를 가지는 척에 관한 것으로, 석션 세그먼트의 각각은 별개로 활성가능하고, 상기 척을 사용하기 위한 방법에 관한 것으로, 석션 세그먼트를 활성화하는 순서는 웨이퍼에 대해 최소 거리를 가지는 석션 세그먼트를 선택하는 것에 기초한다.
척 디바이스는 기판 또는 웨이퍼를 홀딩하기 위해 사용되는 한편, 웨이퍼는 집적 회로(IC) 또는 유사한 마이크로 디바이스의 제조 동안 프로세싱된다. 웨이퍼는 전형적으로 슬라이스(slice)의 형태를 가진다. 종종, 예를 들어 웨이퍼의 두께가 다소 낮은 경우에, 그러나 또한 웨이퍼의 제조 프로세스와 같은 다른 이유로, 웨이퍼 그 자체가 완전히 플레이너 슬라이스(planer slice)로서 형상화되지 않고, 및/또는 척에 의해 홀딩될 때 웨이퍼가 만곡되거나 접히게 된다. 그 후에, 웨이퍼는 추가로 왜곡되거나 비틀어질 수 있다.
활 모양으로 휘어지고 및/또는 비틀어진 웨이퍼를 석킹(sucking)하기 위해, 가스켓(gasket)이 지금까지 사용되었다. 이들 가스켓은 웨이퍼/척의 에지 뿐 아니라, 척의 지지 플레이트(진공 컵)의 다양한 포지션(position) 상에 위치될 수 있다. 그에 의해, 가스켓이 서로 다른 진공 회로에 할당될 수 있다. 그 진공 회로(척/진공 컵)는 한번에 또는 연속적으로 스위칭될 수 있거나 활성화될 수 있다.
WO 2006/072453에서, 적어도 2개의 진공 회로를 가지는 엔드 이펙터(end effector)(척)가 설명된다. 그와 같은 어셈블리는 뒤틀린 웨이퍼, 특히 얇고 초박형 웨이퍼를 석킹하기 위해 사용될 수 있다. WO 2006/072453에 따르면, 엔드 이펙터는 다공성 재료, 특히 다공성 신터링 재료(porous sintered material)로 이루어지는 플레이트로서 구성된다.
그러나, 가스켓 또는 립에 의한 석션은 단점을 가진다. 예를 들어, 가스켓 또는 립 시일(lip seal)은 내열성(heat resistant)/내온도성(temperature resistant)이 아닐 수 있고 및/또는 내용제성을 결여할 수 있다. 더욱이, 가스켓 또는 시일 립은 입자를 생산할 수 있다. 또한, 다공성, 예를 들어, 신터링 재료의 표면의 내재하는 조악성 때문에, 그와 같은 엔드 이펙터를 세정하는 것이 종종 어렵고, 또한 엔드 이펙터의 내구성(durability)을 감소시킬 수 있다. 더욱이, 웨이퍼가 엔드 이펙터에 의해 홀딩되면서 엔드 이펙터의 표면에 대해 가압됨에 따라, 엔드 이펙터의 조악한 표면 구조는 웨이퍼의 표면 구조에 과도하게 영향을 미칠 수 있다. 또한, WO 2006/072453에 설명되는 엔드 이펙터의 임의의 2개의 진공 회로는 기학상으로 서로 분리된다. 결과적으로, 진공 회로 각각에 대해, 추가의 진공 연결이 제공되어야 한다. 따라서, 예를 들어 8개의 진공 회로가 사용되면, 취급하기 어려울 수 있는 8개의 대응하는 진공 연결에 대한 진공 공급이 관리되어야 한다.
본 발명의 목적은 웨이퍼가 척에 의해 홀딩될 때 뒤틀림, 만곡, 주름, 접힘 및/또는 왜곡이 회피되도록 웨이퍼를 석킹하는 것을 허용하는, 척 및 상기 척을 사용하기 위한 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 추가적인 목적은 가스켓 및/또는 시일 립을 사용하는 것 및/또는 다공성, 예를 들어 신터링 표면을 가지는 엔드 이펙터의 사용에서의 상술한 단점을 회피하는 것이다.
이 목적은 본 청구범위 세트에 따른 피처를 가지는 척 및 방법에 의해 해결된다.
왜곡/뒤틀린 웨이퍼를 석킹하기 위해, 먼저 그 포지션에서 웨이퍼를 석킹하는 것이 유용하고, 여기서 척의 여러 석션 세그먼트 중 하나는 웨이퍼(의 일부분)에 의해 가장 타이트하게 시일링된다. 다시 말해: 척이 여러 진공 영역 또는 석션 세그먼트로 분할되면, 웨이퍼는 먼저 최저 압력 손실이 발생하는 포지션에서 석킹되어야 한다. 대개, 이 포지션은 웨이퍼가 가능한 한 완전히 각각의 석션 세그먼트를 커버하는 영역이다.
이들 석션 세그먼트는 매우 평활한 표면, 예를 들어 0.002 mm 또는 훨씬 더 양호한 평탄성을 가질 수 있고, 이는 세정을 용이하게 하고, 개선된 내구성 및 부착 웨이퍼와의 개선된 접촉을 허용한다.
웨이퍼의 왜곡/뒤틀림이 웨이퍼의 이전의 제조 프로세스에 의해 정의되는 경우에, 예를 들어 홀딩되는 웨이퍼가 볼록하다면, 석션 세그먼트의 선택 및/또는 그 형상은 웨이퍼가 척 상에 남아있는 포지션에서, 최대 체적 흐름이 제공되도록 선택될 수 있다.
다음의 전반에서, 표현 "진공의 공급(supply of vacuum)"은 유체가 특정 영역으로부터 비워지는 것을 나타낸다. 예를 들어, 석션 세그먼트에 진공을 공급하는 것은 유체, 예를 들어 공기 또는 액체가 석션 세그먼트의 영역에서의 척의 최상면 위의 영역으로부터 비워지는 것을 의미한다. 이것은 각각의 영역에서 낮은 압력을 설정하는 것에 대응한다.
"낮은 압력"은 압력이 기준 압력, 예를 들어, 척의 환경에서의 액체의 압력보다 작은 것을 의미함에 따라, 할당 값이 음의 값(예를 들어, -1 바(bar))이다. 혼란을 회피하기 위해, 다음의 텍스트에서 항상 양의 값(예를 들어, │-1│바 = 1 바)인 낮은 압력의 절대 값으로 지칭되고, 또한 비교 용어("더 높은(higher)", 더 큰(larger)", "더 작은(less than)" 등)는 절대 값을 지칭한다. 예를 들어, 제 1 저압이 제 2 저압보다 "더 높은" 공식은 제 1 저압의 절대값이 제 2 저압의 절대값보다 더 큰 것을 나타낸다.
또한, 용어 "유체(fluid)"는 (공기와 같은) 가스 및 액체 둘 다를 지칭하는 일반적 표현으로서 사용된다.
용어 "주된 진공(main vacuum)"은 척의 최상면을 향해 웨이퍼를 석킹하고 척의 최상면 상에 웨이퍼를 홀딩하는데 충분히 강한 저압을 지칭한다.
용어 "보조 진공(auxiliary vacuum)"은 주된 진공보다 약한 진공을 지칭하고, 보조 진공은 척의 최상면에 대한 웨이퍼의 특정 영역의 거리에 관한 측정을 위해서만 사용되고, 보조 진공은 척의 최상면/ 척의 각각의 석션 세그먼트를 향해 웨이퍼를 석킹하기 위해 적응되지 않는다.
표현 "석션 세그먼트를 활성화(activating a suction segment)"는 상기 석션 세그먼트에 주된 진공이 공급됨(cf. 상기의 "진공의 공급"의 정의)을 나타낸다. 특히, 용어 "활성화"는 웨이퍼가 야기된 유체의 체적 흐름에 의해 석킹될 수 있는 진공 공급을 지칭한다. 즉, "보조 진공"에 의해 야기되는 유체 흐름은, 보조 진공이 측정 목적만을 위한 것이고 전형적으로 웨이퍼를 석킹하기 위해 충분히 강하지 않기 때문에, 석션 세그먼트를 "활성화"하지 않는다.
웨이퍼와 석션 세그먼트 사이의 용어 "거리(distance)"에 대해, 여러 정의가 동일하게 가능하다. 예를 들어, 2개의 객체 사이의 거리의 수학적 표준 정의가 사용될 수 있다: 그 후에, 임의의 2개 포인트 사이의 모든 거리의 세트의 최소 엘리먼에 의해 거리가 정해지고, 여기서 포인트 중 하나는 기하학적으로 웨이퍼에 속하고, 다른 포인트는 척의 석션 세그먼트에 속한다. 본원에 유사하게 사용될 수 있는 다른 정의는 다음과 같은데, 석션 세그먼트의 (웨이퍼를 대면하는) 표면이 기하학적으로 평면으로서 형상화되면: 석션 세그먼트의 표면의 포인트와 웨이퍼 표면의 포인트 사이의 거리 각각의 세트를 고려하고, 여기서 상기 포인트 둘 다는 석션 세그먼트의 표면에 수직인 직선상에 위치된다. 그 후에, 웨이퍼와 석션 세그먼트 사이의 거리는 세트의 모든 엘리먼트의 평균 값, 예를 들어, 세트의 산술 평균으로서 정의될 수 있다. (이 정의는 또한 웨이퍼가 완전히 석션 세그먼트를 커버하지 않을 때 적용함을 주목한다.) 물론, 웨이퍼와 석션 세그먼트 사이 거리의 임의의 다른 적합한 정의가 유사하게 사용될 수 있다. 다음의 전반에서, 석션 세그먼트와 웨이퍼 사이에 위치되는 유체의 저압(보조 진공)을 측정함으로써 웨이퍼와 석션 세그먼트 사이의 거리가 적어도 대략 결정될 수 있음이 가정될 수 있다.
본 발명의 일 양상은 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척에 관한 것으로, 척은 여러 석션 세그먼트로 부분분할되는 평탄한 최상면을 포함하고, 석션 세그먼트는 각각 유체를 석션하기 위해 구성되고; 및 바닥면을 포함하고, 2개 이상의 석션 세그먼트가 웨이퍼에 의해, 커버, 적어도 부분적으로 느슨하게 커버되도록 웨이퍼 근처 내로 유체 내에서 발생하도록 구성되고; 석션 세그먼트의 각각은 별개로 활성화가능하다.
석션 세그먼트가 웨이퍼에 의해 "커버되는" 표현은 다음에서 웨이퍼(또는 그 일부)가 석션 세그먼트의 최상면의 측면 상의 영역에 위치되고, 석션 세그먼트가 활성화될 때 웨이퍼(또는 그 일부)가 석션 세그먼트에 의해 끌어당겨진다. 따라서, 그 표현은 반드시 웨이퍼(또는 그 각각의 부분)가 석션 세그먼트를 터치함을 나타내는 것은 아니다.
그러나, 웨이퍼(또는 그 각각의 일부)가 석션 세그먼트를 접촉할 때, 석션 세그먼트는 웨이퍼에 의해 커버된다.
용어 "느슨하게 커버됨"은 특정 석션 세그먼트가 웨이퍼에 의해 "커버됨"을 나타내고, 웨이퍼는 그러나, 석션 세그먼트의 최상면을 접촉하지 않는다.
표현 "웨이퍼 근처로 척의 최상면을 이동시킴"은 2개 또는 그 이상의 석션 세그먼트가 웨이퍼에 의해 커버되거나, 적어도 느슨하게 커버되도록 웨이퍼에 대한 최상면의 임의의 이동을 나타낸다. 주로, 척의 최상면에 대한 웨이퍼의 임의의 포지션(position) 및/또는 배향이 그 방식 동안 선택될 수 있다. 그러나, 웨이퍼의 대부분의 포인트에 대해, 각각의 접선 벡터(tangential vector)가 척의 최상면에 평행한 배향으로부터 소량만, 예를 들어 30도 미만으로 벗어나도록 척의 최상면이 웨이퍼에 접근하는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 최상면은 금속 또는 서로 다른 금속 또는 폴리머의 합금과 같은 고체 재료 표면에 관련할 수 있다. 특히, 상기 고체 재료는 예를 들어, 신터링 재료와 같은 다공성 재료에 관련하지 않을 수 있다.
척은 또한: 석션 세그먼트의 각각에 보조 진공을 공급하도록 구성되는 수단, 바람직하게는 스로틀(throttle); 바람직하게는, 석션 세그먼트 중 임의의 하나에서, 보조 진공을 공급받을 때 각각의 석션 세그먼트에 의해 석킹되는 유체의 체적 흐름의 저압 또는 흐름 속도를 측정하도록 구성되는 적어도 하나의 압력 검출 수단 또는 적어도 하나의 흐름 속도 검출 수단을 포함하는 수단; 및 보조 진공이 공급될 때, 석션 세그먼트의 어느 곳에서 저압의 최대 절대값 또는 유체의 최소 체적 흐름이 측정되는지를 결정하도록 구성되는, 저압 또는 흐름 속도를 측정하기 위해 구성되는 상기 수단의 각각에 연결되는 수단, 바람직하게는 기계적 및/또는 전기적 수단을 포함할 수 있다.
여기서, 전기적 수단은 예를 들어, 전자 회로 또는 집적 회로(IC) 뿐 아니라, 마이크로제어기, 컴퓨터 등일 수 있다.
척의 바람직한 실시예에서, 척의 최상면은 디스크이고; 내부 석션 세그먼트는 최상면의 중심 포인트 주변에 배치되고; 그리고 추가적인 석션 세그먼트는 내부 석션 세그먼트 주변에 링으로서 배치되고; 바람직하게는 석션 세그먼트 각각이 다른 석션 세그먼트로부터 분리된다.
척의 일 실시예에서, 석션 세그먼트의 각각은 척의 최상면 상에 배치되는 상호연결 그루브(groove)의 시스템을 포함하고, 여기서 바람직하게는 상호연결 그루브의 각 시스템은 최상면의 중심 포인트 주변의 동심 원으로서 형상화되는 하나 또는 그 이상의 그루브를 포함한다.
척의 일 실시예에서, 여러 석션 세그먼트는 석션 세그먼트 중 하나 내의 포인트에서 기원하고 최상면의 에지에 대해 루핑하는 가상 나선-형상 경로가 최상면 상에 진행하도록 최상면 상에 배치되고, 여기서 경로는 석션 세그먼트 중 임의의 하나를 그리고 한번만 진입하고 및/또는 떠난다.
척의 바람직한 실시예에서, 각 석션 세그먼트는 척의 바닥면에 배치되고 석션 세그먼트의 각각에 진공을 공급하도록 구성되는 주된 진공 분배 수단에 연결되고; 및 가능하게는 하나의 석션 세그먼트를 제외하고, 석션 세그먼트 각각의 공급이 밸브에 의해 제어가능하다.
척의 일 실시예에서, 주된 진공 공급 수단은 진공을 공급받도록 구성되는 유입구를 가지는 주된 진공 채널을 포함한다(유입구를 통해 공급되는 주된 진공은 또한 다음에서 "제 1 척 진공"으로 지칭될 수 있다); 석션 세그먼트의 각각은 주된 진공 채널에 대한 접합을 가지는 측면 도관(side conduit)에 의해 주된 진공 채널에 연결된다; 임의의 2개의 인접한 접합부 사이에서, 밸브는 주된 진공 채널이 밸브에 의해 분리되는 여러 섹션을 나타내도록 주된 진공 채널 내에 배치된다; 그리고 측면 도관은 주된 진공 채널의 임의의 2개의 인접한 섹션이 이웃한 석션 세그먼트에 연결되도록 배치된다.
척의 바람직한 실시예에서, 상기 밸브 각각은 체크 밸브(check valve)인데, 예를 들어 볼 체크 밸브(ball check valve), 다이어프램 체크 밸브(diaphragm check valve), 스윙 체크 밸브(swing check valve), 경사 디스크 체크 밸브(tilting disc check valve), 스톱 체크 밸브(stop check valve), 리프트 체크 밸브(lift check valve), 인-라인 체크 밸브(in-line check valve), 또는 덕빌 밸브(duckbill valve) 중 하나이다; 체크 밸브의 각각은 주된 진공 채널의 유입구를 향하는 방향으로 체크 밸브 옆의 섹션에서 저압의 절대값이 사전 정의된 값과 같거나 그 이상인 경우에 자동으로 개방하도록 구성된다; 그리고 바람직하게는 체크 밸브의 각각은 주된 진공 채널의 유입구를 향하는 방향으로 체크 밸브 옆의 섹션에서 저압의 절대값이 상태에 대응하는 값인 경우에만 자동으로 개방하도록 구성되고, 웨이퍼는 유입구를 향하는 방향으로 체크 밸브 옆의 섹션에 연결되는 석션 세그먼트를 타이트하게 접촉한다.
본 발명의 다른 양상은 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법에 관한 것으로, 척은: 여러 석션 세그먼트로 부분분할되는 평탄한 최상면을 포함하고, 석션 세그먼트는 각각 유체를 석션하도록 구성되고; 바닥면을 포함한다. 방법은:
(9a) 2개 또는 그 이상의 석션 세그먼트가 웨이퍼에 의해 커버되고, 적어도 느슨하게 커버되도록 유체 내에서, 웨이퍼 및 척의 최상면을 근처로 이동시키는 단계;
(9b) 아직 활성화되지 않은 석션 세그먼트로부터, 웨이퍼에 대해 최소 거리를 가지는 석션 세그먼트를 선택하는 단계;
(9c) 단계 (9b)에서 선택되는 석션 세그먼트를 활성화하는 단계;
(9d) 일단 최종-활성화 석션 세그먼트의 영역에서의 웨이퍼가 척의 최상면을 타이트하게 접촉하고 적어도 하나의 석션 세그먼트가 아직 활성화되지 않는 한:
단계 (9b) 내지 (9d)를 반복하는 단계를 포함한다.
단계 (9b)에 관하여: 웨이퍼에 대한 최소 거리를 가지는 여러 석션 세그먼트가 존재하는 경우에, "선택하는"은 웨이퍼에 대한 최소 거리를 가지는 여러 석션 세그먼트 중 하나가 선택되어야 하는 판정(decision)을 포함한다. 예를 들어, 이 알고리즘은 웨이퍼에 대한 최소 거리를 가지는 여러 석션 세그먼트로부터, 척의 최상면의 중심 포인트에 가장 가깝게 위치되는 것이 선택되는 판정 단계를 포함할 수 있다. 대안적으로, 알고리즘은 단계를 포함할 수 있고, 웨이퍼에 대한 최소 거리를 가지는 석션 세그먼트 중 하나가 랜덤하게 선택된다.
방법의 바람직한 실시예에서, 웨이퍼에 대한 최소 거리를 가지는 석션 세그먼트를 선택하는 단계 (9b)는:
(10a) 각각의 석션 세그먼트를 대면하는 웨이퍼의 표면에 대한 석션 세그먼트의 각각의 거리를 측정하는 단계;
(10b) 아직 활성화되지 않은 석션 세그먼트로부터, 웨이퍼에 대한 최소 거리를 가지는 석션 세그먼트를 결정하는 단계를 포함한다.
방법의 일 실시예에서, 거리를 측정하는 단계 (10a)는:
(11a) 바람직하게는 스로틀에 의해, 아직 활성화되지 않은 석션 세그먼트 각각에 보조 진공을 공급하는 단계;
(11b) 단계(11a)에서 보조 진공을 공급받는 석션 세그먼트의 각각에 대해, 바람직하게는 압력 검출 수단 또는 흐름 속도 검출 수단에 의해 석킹되는 유체의 체적 흐름의 저압 또는 흐름 속도를 측정하는 단계를 포함하고; 및
최소 거리를 결정하는 단계 (10b)는:
(11c) 바람직하게는 압력 검출 수단의 각각 또는 흐름 속도 검출 수단의 각각에 연결되는 기계적 및/또는 전기적 수단에 의해, 보조 진공을 공급받는 석션 세그먼트의 어느 곳에서 저압의 최대 절대값 또는 유체의 최소 체적 흐름이 측정되는지를 결정하는 단계를 포함한다.
여기서, 전기적 수단은 예를 들어, 전자 회로 또는 집적 회로(IC) 뿐 아니라, 마이크로제어기, 컴퓨터 등일 수 있다.
방법의 대안적인 실시예에서, 단계 (9b)에서 선택되는 석션 세그먼트의 시퀀스는 웨이퍼의 알려진 형상에 따라 사전 정의된다.
방법의 바람직한 실시예에서, 척의 최상면은 디스크이다; 내부 석션 세그먼트는 최상면의 중심 포인트 주변에 배치된다; 또한 석션 세그먼트는 내부 석션 세그먼트 주변의 링으로서 배치된다. 바람직하게는, 석션 세그먼트의 각각은 다른 석션 세그먼트와 분리된다.
방법의 일 실시예에서, 석션 세그먼트의 각각은 척의 최상면 상에 배치되는 상호연결 그루브의 시스템을 포함한다. 바람직하게는, 상호연결 그루브의 각 시스템은 최상면의 중심 포인트 주변에 동심원으로서 형상화되는 하나 또는 그 이상의 그루브를 포함한다.
방법의 일 실시예에서, 석션 세그먼트 중 하나 내의 포인트에서 기원하고 최상면의 에지에 대해 루핑하는 가상 나선-형상 경로가 최상면 상에 진행하도록 여러 석션 세그먼트가 최상면 상에 배치되고, 여기서 경로는 석션 세그먼트 중 임의의 하나를 그리고 한번만 진입하고 및/또는 떠난다; 그리고 단계 (9b)에서 선택되는 석션 세그먼트의 시퀀스가 가상 나선-형상 경로에 후속하고, 여기서 제 1 석션 세그먼트는 가상 나선-형상 경로의 원점을 가지는 석션 세그먼트이다.
바람직하게는, 각 석션 세그먼트는 척의 바닥면에 배치되고 석션 세그먼트의 각각에 진공을 공급하도록 구성되는 주된 진공 분배 수단에 연결되고; 및 가능하게는 하나의 석션 세그먼트를 제외하고, 석션 세그먼트 각각의 공급이 밸브에 의해 제어가능하다. 그 후에, 방법은:
(16a) 주된 진공 분배 수단에 진공을 공급하는 단계를 포함하고, 이 단계는 단계 (9c) 이전에 또는 그와 함께 시작되고 웨이퍼가 척에 의해 홀딩되는 한 실행된다; 그리고 석션 세그먼트를 활성화하는 단계 (9c)는:
(16b) 석션 세그먼트가 밸브에 의해 제어가능하다면: 각각의 석션 세그먼트를 제어하도록 구성되는 밸브를 개방하거나, 그렇지 않으면: 단계 (16a)를 시작하는 단계를 포함할 수 있다.
방법의 일 실시예에서, 주된 진공 공급 수단은 진공을 공급받도록 구성되는 유입구를 가지는 주된 진공 채널을 포함한다; 석션 세그먼트의 각각은 주된 진공 채널에 대한 접합부를 가지는 측면 도관에 의해 주된 진공 채널에 연결된다; 임의의 2개의 인접한 접합부 사이에서, 밸브는 주된 진공 채널이 밸브에 의해 분리되는 여러 섹션을 나타내도록 주된 진공 채널 내에 배치된다; 측면 도관은 주된 진공 채널의 임의의 2개의 인접한 섹션이 이웃한 석션 세그먼트에 연결되도록 배치된다; 그리고 석션 세그먼트를 선택하는 단계 (9b)는:
방법의 수행 동안 먼저 단계 (9b)가 실행된다면: 유입구 옆의 주된 진공 채널의 섹션에 연결되는 석션 세그먼트를 선택하는 단계;
그렇지 않다면: 단계 (9b)에서 이전에 선택되는 석션 세그먼트에 연결되는 섹션 옆의 주된 진공 채널의 섹션에 연결되는 석션 세그먼트를 선택하는 단계를 포함한다.
바람직하게는, 상기 밸브 각각은 체크 밸브인데, 예를 들어 볼 체크 밸브, 다이어프램 체크 밸브, 스윙 체크 밸브, 경사 디스크 체크 밸브, 스톱 체크 밸브, 리프트 체크 밸브, 인-라인 체크 밸브, 또는 덕빌 밸브 중 하나이다; 체크 밸브의 각각은 주된 진공 채널의 유입구를 향하는 방향으로 체크 밸브 옆의 섹션에서 저압의 절대값이 사전 정의된 값과 같거나 그 이상인 경우에 자동으로 개방하도록 구성된다; 그리고 바람직하게는 체크 밸브의 각각은 주된 진공 채널의 유입구를 향하는 방향으로 체크 밸브 옆의 섹션에서 저압의 절대값이 상태에 대응하는 값인 경우에만 자동으로 개방하도록 구성되고, 웨이퍼는 유입구를 향하는 방향으로 체크 밸브 옆의 섹션에 연결되는 석션 세그먼트를 타이트하게 접촉한다.
바람직한 실시예에서, 방법은 또한:
(19a) 웨이퍼가 척에 의해 완전히 홀딩될 때: 유입구에 반대편인 측면으로부터 주된 진공 채널에 추가적인 진공(또한 "제 2 척 진공"으로 지칭됨)을 공급하는 단계를 포함한다.
다른 양상, 피처 및 장점은 상기 요약뿐 아니라, 도면 및 청구범위를 포함하는 후속하는 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 진공 분배기를 가지는 척을 도시한다.
도 2는 기능적 원리를 도시한다.
도 3은 후속적으로 석션 세그먼트를 활성화하고 그에 따라 웨이퍼 상에 충분히 강한 압력을 제공하기 위해 최대 체적 흐름 속도를 발생시키는 절차를 도시한다.
도 4는 서로 다른 석션 세그먼트 위의 압력 쇠퇴의 도시를 나타낸다.
도 5는 추가적인 진공의 적용에 의해 압력 쇠퇴를 회피하는 것을 나타낸다.
도 6은 추가적인 진공에 의해 획득되는 일정한 압력의 도시를 나타낸다.
도 7은 웨이퍼와 석션 세그먼트 사이의 거리를 측정하기 위한 회로의 스케치를 나타낸다.
도 8은 척의 최상면의 복수의 석션 세그먼트로의 가능한 분할을 나타낸다.
도 9는 척의 실시예(최상면)의 포토그래프이다.
도 10은 척의 실시예(주된 진공 채널 및 체크 밸브를 가지는 바닥면)의 포토그래프이다.
체크 밸브와의 캐스캐이드 연결( cascade connection )
석션 세그먼트의 각각에서의 가능한 높은 체적 흐름을 달성하기 위해, 상기 석션 세그먼트는 체크 밸브, 예를 들어 볼 체크 밸브에 의해 분리될 수 있다. 본 발명에 따른 척의 일 실시예에서, 척은 진공(저압)을 공급받도록 구성되는 유입구를 가지는 주된 진공 채널을 포함한다. 주된 진공 채널은 그 후에 여러 부분으로 부분분할되고, 임의의 2개의 이웃 부분 사이에, 체크 밸브가 설치된다. 예를 들어, 주된 진공 채널을 N개의 부분으로 분할하기 위해 N-1개의 체크 밸브가 전형적으로 요구된다. 그 후에, 측면 도관을 통해, 부분의 각각은 석션 세그먼트 중 하나에 연결된다. 이 어셈블리는 본 문서 전반에서 "캐스캐이드 연결"로 지칭된다.
다음에서, (명확성 및 간략성을 위해) 체크 밸브 및 주된 채널의 일부분의 넘버링(numbering)은 유입구에 대한 포지션에 대응한다: 주된 진공 채널의 제 1 부분은 사이에 체크 밸브 없이 유입구에 직접 연결된다. 그 후에, 제 1 체크 밸브는 주된 진공 채널의 제 2 부분으로부터 제 1 부분을 분리시킨다. 제 2 부분은 그 후에 제 2 체크 밸브 등에 의해 제 3 부분으로부터 분리된다. 또한, 특정 석션 세그먼트의 넘버링은 석션 세그먼트가 측면 도관을 통해 연결되는 부분의 넘버링에 대응할 것이다.
척에 의해 웨이퍼를 석킹하기 위해, 유입구를 통해 캐스캐이드 연결부에 진공이 공급된다. 제 1 체크 밸브가 여전히 닫혀 있음으로 인해, "완전한" 유체 체적 흐름(예를 들어, 공기 흐름)이 각각의 측면 도관 및 주된 진공 채널의 제 1 부분을 통해 제 1 석션 세그먼트로부터 유입구에 연결되는 진공 공급부로 발생한다. 이것은 웨이퍼가 제 1 석션 세그먼트의 영역에서의 척의 방향으로 석킹되게 야기시킨다. 마지막으로, 웨이퍼는 제 1 석션 세그먼트를 타이트하게 시일링하는데, 즉 제 1 석션 세그먼트의 영역에서 완전히 석킹된다.
이상적으로, 제 1 석션 세그먼트에서의 웨이퍼가 완전히 석킹될 때, (제 1) 체크 밸브만이 개방한다. 후속적으로, "완전한" 체적 흐름이 제 2 석션 세그먼트에서 발생한다. 그 후에, 웨이퍼가 제 2 석션 세그먼트에 고정되고 완전히 시일링할 때만, 다음의 석션 세그먼트가 다음의 체크 밸브의 개구에 의해 활성화될 것이다. 이 절차는 (자동으로) 최종 체크 밸브가 개방되고 "풀(full)" 체적 흐름이 최종 석션 세그먼트에서 발생할 때까지 반복한다. 마지막으로, (웨이퍼의 크기가 석션 세그먼트의 각각을 커버하는데 충분히 크다면) 웨이퍼는 석션 세그먼트의 각각에 의해 석킹되고 홀딩된다.
임의의 체크 밸브가 압력 손실을 야기함에 따라, 최종 석션 세그먼트에서의 (저압의 절대값에 의해 측정되는, 저압의) 진공은 제 1 석션 세그먼트의 진공(저압)에 비교하여 비교적 낮을 수 있다. 이를 보상하기 위해, 최종 석션 세그먼트는 웨이퍼가 완전히 석킹되고 척에 의해 홀딩된 후에 추가적인 진공을 공급받을 수 있다.
석션 세그먼트를 활성화하는 시퀀스
이미 상기에 논의된 바와 같이, 웨이퍼(의 일부분)에 의해 가장 타이트하게 커버되는 석션 세그먼트의 영역에서 먼저 웨이퍼를 석킹하는 것이 유용하다. 본 발명에 따른 척의 일 실시예에서, 이 영역을 결정하기 위해 보조 진공이 사용된다.
예를 들어, 다음의 어셈블리가 고려될 수 있다. 채널에 진공을 공급하도록 구성되는 유입구를 가지는 채널인 주된 진공 채널은 여러 분기로 분리되고, 분기의 각각은 척의 최상면 상에 배치되는 석션 세그먼트에 연결된다. 분기의 각각은 주된 진공 채널에 대한 각각의 석션 세그먼트의 연결을 스위칭 온 및 오프하도록 구성되는 스위치(밸브)를 포함한다. 따라서, 석션 세그먼트의 각각은 대응하는 분기에서 스위치를 스위칭 온 또는 오프함으로써, 그리고 그에 따라 주된 진공 채널로부터 진공(저압)을 가지는 석션 세그먼트의 진공 공급을 설정하거나 컷팅함으로써 독립적으로 활성화/활성화해제될 수 있다. 또한, 석션 세그먼트의 각각은 석션 세그먼트에 보조 진공을 공급하도록 구성되는 채널 시스템에 연결된다. 예를 들어, 보조 진공 채널 시스템이 주된 진공 채널에 연결되고 스로틀을 포함한다.
그 후에, 주된 진공에 의해 야기되는 체적 흐름(예를 들어, 공기 흐름)과 비교하여, 보조 진공의 체적 흐름은 스로틀에 의해 감소된다. 보조 진공은 체크 밸브 및 압력 게이지(gauge)를 통해 복수의 석션 세그먼트에 연결된다. 그 후에, 석션 세그먼트가 웨이퍼에 의해 커버될수록, 이 석션 세그먼트에서의 압력은 더 감소한다(또는 다시 말해: 저압의 절대값이 증가한다). 나머지 석션 세그먼트와 비교하여 가장 타이트하게 웨이퍼에 의해 시일링되는 석션 세그먼트에서, 저압(의 절대 값)은 최대값을 가질 것이다.
일단 웨이퍼에 의해 가장 타이트하게 시일링되는 석션 세그먼트가 결정되면, 대응하는 체크 밸브가 활성화될 것이고, 웨이퍼가 각각의 석션 세그먼트를 타이트하게 시일링할 때까지 이 영역에서 웨이퍼가 부분적으로 석킹된다.
그 후에, 나머지 석션 세그먼트의 각각에 대해, 보조 진공의 (낮은) 압력이 측정되고 저압(의 절대 값)이 최대값을 가지는 석션 엘리먼트가 다시 결정된다. 이러한 석션 세그먼트는 주된 진공 채널로부터 석션 세그먼트로 진공을 공급하도록 각각의 스위치를 개방함으로써 활성화될 것이다. 웨이퍼는 그 후에 이 석션 세그먼트의 영역에서 석킹될 것이고, 그 절차는 석션 세그먼트의 각각이 활성화되고 웨이퍼가 완전히 석킹될 때까지 반복될 수 있다.
나선형 석션
웨이퍼가 예를 들어, 이전의 제조 프로세스로 인해, 항상 동일하거나 유사한 뒤틀림을 나타낸다면, 석션 세그먼트의 형상 및/또는 석션 세그먼트에 척에서의 진공을 공급하는 시퀀스는 이러한 뒤틀림 또는 변형에 대해 적응될 수 있다.
예를 들어, 오목한 웨이퍼의 경우에, 척의 최상면 내부로부터 최상면의 에지까지 바깥으로 웨이퍼를 석킹하는 것이 유용할 수 있다.
이것은 척의 최상면 아래에 배치되고 척의 최상면의 중심 포인트로부터 에지까지 나선형으로 발생하는 높은 체적 진공에 의해 실현될 수 있다. 또한, 진공 그루브는 척의 최상면 상에 배치된다. 진공 그루브 또는 진공 그루브의 다양한 시스템(그룹)은 서로 분리된다. 추가로, 척은 서로 다른 석션 영역 또는 석션 세그먼트에서 부분분할될 수 있다. 이것은 고도로 변형/뒤틀린 웨이퍼를 석킹하기 위해 필요하다.
캐스캐이드 연결 및 나선형 섹션의 조합
나선형 섹션은 상술한 캐스캐이드 연결과 조합될 수 있다. 이것은 진공 체크 밸브의 감소를 허용한다. 예를 들어, 그 후에 3개 또는 그 이상의 체크 밸브 대신에 2개의 체크 밸브만을 가지는 고도로 뒤틀린 웨이퍼를 석킹할 수 있다.
예를 들어, 이것은 경제적인 이유로 및/또는 척을 제어하는 소프트웨어가 임의의 구성, 즉 상기 척의 채널의 정렬, 체크 밸브 등에 대해 적응되어야 하기 때문에 체크 밸브를 절감시키기 위해 특히 유용할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 척의 일 실시예의 2개 부분을 도시한다. 척의 최상면(10)은 디스크로서 형성된다. 디스크 상에, 여러 그루브가 배치된다. 원형 그루브(11)는 동심원의 시스템을 형성하도록 척의 최상면의 중심 포인트 주변에 배치된다. 더욱이, (최상면(10)의 중심 포인트에 대해) 방사 방향으로의 그루브는 척의 최상면(10) 상에 배치된다. 예를 들어, 방사상으로 배향된 그루브(12a, 12b, 12c 및 12d)는 최상면(10)의 중심 포인트로부터 (중심 포인트로부터 에지로 카운팅되는) 제 3 원형 그루브까지 아스트랄로 진행한다. 따라서, 방사상 그루브(12a 내지 12d)는 3개의 내부 원형 그루브의 시스템을 연결한다. 유사하게, 제 4 내지 제 7 원형 그루브가 방사 방향으로 그루브에 의해 상호연결되고, 여기서 이들 그루브는 그러나, 3개의 최내측 원형 그루브 및 방사 그루브(12a 내지 12d)의 시스템에 연결되지 않는다. 또한, 제 8 내지 제 11 원형 그루브는 방사 그루브에 의해 상호연결된다. 마지막으로, 제 12 내지 제 15 원형 그루브는 방사상으로 배향되는 그루브에 의해 상호연결된다. 이와 같이, 척의 최상면 상에 배치되는 그루브의 4개의 독립적인 시스템(즉, 상호연결되지 않는 시스템)이 존재한다. 이들 시스템 각각은 독립적으로 활성화가능한 석션 세그먼트로 고려될 수 있다.
도 1은 또한 캐스캐이드 연결을 커버하는 하우징(16)을 도시한다. 하우징(16)은 주된 진공 공급부에 연결되도록 구성되는 유입구(18) 및 네 개의 배출구(17a, 17b, 17c 및 17d)를 포함하고, 배출구 각각은 척의 최상면 상에 배치되는 그루브의 상술한 시스템 중 하나에 연결되도록 구성된다.
도 2는 척의 최상면을 통한 컷뿐 아니라 도 1의 하우징(16)을 통한 컷을 도시한다. 하우징(216)은 유체가 안내될 수 있는 주된 진공 채널(250)을 포함한다. 유체는 유입구(218)를 통해 이 채널(250)로부터 비워질 수 있다. 채널(250) 내에서, 3개의 체크 밸브(220a, 220b 및 220c)가 제공된다. 3개의 체크 밸브(220a, 220b 및 220c)는 4개 부분으로 채널(250)을 분할한다. 부분의 각각은 측면 도관을 통해 배출구(217a 내지 217d) 중 하나에 연결된다. 추가적인 유입구(219)는 유입구(218)에 대해 반대편에 위치되는 채널(250)의 측면에 제공된다. 추가적인 유입구(219)는 주된 진공 채널(250)에 추가적인 진공을 추가로 공급하는 것을 허용한다.
예시적인 체크 밸브(200)를 통한 컷이 도 2의 삽도에 도시된다. 체크 밸브(200)는 하우징(201)을 포함한다. 하우징(201) 내에서, 체크 밸브(200)를 닫힌 상태로 유지하는 포지션에 나선형 스프링(203)에 의해 홀딩되는 피스톤 또는 플런저(plunger)(202)가 배치된다. 그러나, 나선형 스프링(203)에 대해 반대편인 플런저(202)의 측면 상의 압력이 플런저(202) 상에 스프링(203)으로부터 가해진 압력을 초과할 때, 체크 밸브(200)가 개방하고, 유체는 체크 밸브(200)를 통과할 수 있다.
척의 최상면(210) 상에, 그루브의 4개 시스템(211, 212, 213, 214)이 배치된다. 이들 그루브의 시스템은 유입구(221, 222, 223 및 224)를 통해 진공을 공급함으로써 독립적으로 활성화될 수 있다. 이들 유입구(221 내지 224)의 각각이 그루브의 그룹 중 하나에 도관을 통해 연결된다. 예를 들어, 유입구(221)는 3개의 최내측 원형 그루브를 포함하는 그루브(211)의 시스템에 도관(230)을 통해 연결된다. 그 후에, 척의 제 1 석션 세그먼트를 형성하는 그루브의 최내측 시스템은 유입구(218)에 가장 가깝게 위치되는 캐스캐이드 연결의 채널(250) 부분에 유입구(221) 및 배출구(217a)를 통해 연결될 수 있다. 또한, (최상면(210)의 중심으로부터 에지까지 카운트되는) 그루브(212)의 제 2 시스템은 유입구(218)로부터의 단 하나의 체크 밸브(220a)에 의해 분리되는 채널(250)의 일부분에 유입구(222) 및 배출구(217b)를 통해 연결될 수 있다. 유사하게, 그루브(213)의 제 3 시스템은 채널(250)의 제 3 부분에 연결될 수 있고, 마지막으로 그루브(214)의 외측(제 4) 시스템은 유입구(218)로부터의 모든 체크 밸브에 의해 분리되는 채널(250)의 일부분에 유입구(224) 및 배출구(217d)를 통해 연결될 수 있다.
이러한 구성으로 인해, 유체가 내부 석션 세그먼트(211)로부터 석킹될 수 있는 한, 주된 진공이 유입구(218)를 통해 공급될 때 어떠한 체크 밸브도 개방하지 않을 것이다. 그러나, 내부 석션 세그먼트(211)가 웨이퍼(도시되지 않은 웨이퍼)에 의해 타이트하게 시일링될 때, 제 2 석션 세그먼트(212)가 웨이퍼의 일부분에 의해 타이트하게 커버되지 않고, 체적 흐름이 제 2 석션 세그먼트(212)에서 발생하는 한, 제 1 체크 밸브(220a)가 개방할 것이다. 제 2 체크 밸브(220b)는 그러나, 여전히 닫힌 상태에 있다. 그 후에, 제 2 석션 세그먼트(212)의 영역에서 웨이퍼 상에 최강의 (낮은) 압력을 가하면서, "풀" 진공이 제 2 석션 세그먼트(212)에 제공된다. 제 2 석션 세그먼트(212)가 웨이퍼(의 일부분)에 의해 타이트하게 시일링된 후에, 제 2 체크 밸브(220b)는 개방할 것이고 풀인 주된 진공은 제 3 석션 세그먼트(213)에 제공될 것이다. 제 3 섹션 세그먼트(213)가 웨이퍼의 일부분에 의해 타이트하게 커버된 후에, 제 3 체크 밸브(220c)가 개방하고 풀 진공이 그 후에 척의 최상면(210)의 최외측 석션 세그먼트(214)에 제공된다. 이러한 방식으로, 웨이퍼는 바깥을 향해 척의 최상면(210)의 내부로부터 평활하게 석킹될 수 있다.
마지막으로, 웨이퍼가 석션 세그먼트의 각각에 의해 완전히 홀딩될 때, 웨이퍼를 안정하게 홀딩하기 위해 석션 세그먼트의 각각에 충분한 저압을 제공하도록 캐스캐이드 연결의 추가적인 유입구(219)에 의해 추가적인 진공이 적용된다.
이 절차는 도 3에 의해 더 도시된다. 먼저, 웨이퍼(36)는 형상(36a)에 따라 척의 최상면(39)을 커버하는데, 즉 웨이퍼(36)는 최상면(39)의 중심 주변 영역에서만 최상면(39)을 접촉한다. 그 후에, 캐스캐이드 연결(38)에는 주된 진공(30)이 공급된다. 먼저, 최상면(39)의 중심 주변에 석션 세그먼트(32a)에 진공(31a)이 제공된다. 따라서, 웨이퍼(36)는 유체가 더 이상 이 영역 내에서 석킹될 수 없도록 석션 세그먼트(32a)의 영역에서 타이트하게 석킹된다. 웨이퍼는 그 후에 형상(36b)의 상태에 있다. 결과적으로, 체크 밸브(33a)가 개방하고 제 2 석션 세그먼트(32b)에 진공(31b)이 제공된다. 그 후에, 유체는 석션 세그먼트(32b)의 영역에서 석킹되고 웨이퍼가 석션 세그먼트(32b)를 커버하고 타이트하게 시일링할 때까지 웨이퍼가 제 2 석션 세그먼트(32b)를 향해 끌어당겨진다. 그 후에, 웨이퍼는 형상(36c)의 상태에 있다. 후속적으로, 절차는 체크 밸브(32b)를 개방하고 석션 세그먼트(32d)의 영역에서 웨이퍼를 석킹함으로써, 그리고 마지막으로 체크 밸브(32c)를 개방하고 석션 세그먼트(32d)의 영역에서 웨이퍼를 석킹함으로써 반복한다. 그 후에, 웨이퍼가 체크 밸브에 의해 그리고 평탄한 상태(36d)로 완전히 석킹된다.
그러나, 모든 체크 밸브는 진공 채널(41)의 (낮은) 압력의 (절대) 값의 쇠퇴를 야기시킨다. 도 4는 석션 세그먼트(42a, 42b, 42c 및 42d)가 웨이퍼(45)에 의해 타이트하게 시일링되도록 웨이퍼(45)가 척에 의해 완전히 석킹되는 상황을 도시한다. 그 후에, 주된 진공 공급부에 직접 연결되는 제 1 석션 세그먼트(42a)에서, 마이너스 1 바의 저압이 존재한다. 그러나, 제 1 체크 밸브(42a)를 통해 주된 진공에 연결되는 제 2 석션 세그먼트(42b)에서, 저압의 (절대) 값은 감소하고 합계가 단지 -0.7 바로 된다. 제 3 석션 세그먼트(42c)에서, 저압(의 절대 값)은 다시 감소하고 합계가 -0.5 바로 되는데, 이는 제 3 석션 세그먼트(42c)가 2개의 체크 밸브(42a 및 42b)를 통해 주된 진공 공급부에 연결된다는 사실에 기인한다. 마지막으로, 3개의 체크 밸브(42a 내지 42c)를 통해 주된 진공 공급부에 연결되는 최종 (외측) 석션 세그먼트(42d)에서, 저압의 절대 값은 단지 내부 석션 세그먼트(42a)에서의 대응하는 값의 1/4 합계인데, 즉 석션 세그먼트(42d)에서의 저압이 -0.25 바이다. 결과적으로, 웨이퍼(45)가 척의 최상면 상에 홀딩되는 압력은 최상면 위에 일정하지 않고, 척의 중심으로부터 에지까지 감소한다. 따라서, 웨이퍼(45)를 홀딩하는 것은 최상면의 내부 구역(석션 세그먼트(42a))에서의 척의 최상면의 외측 구역(석션 세그먼트(42d))에서 덜 안정할 수 있다.
척(56)의 최상면 상에 웨이퍼(55)를 안정화하기 위해, 추가적인 진공(52, 53)은 캐스캐이드 연결에 적용될 수 있다. 도 5는 다시 웨이퍼(55)가 척에 의해 이미 완전히 석킹되고 최상면(56) 상의 모든 석션 세그먼트를 타이트하게 시일링하는 상황을 도시한다. 주된 진공(50)은 캐스캐이드 연결에 공급되고 진공(51a, 51b, 51c 및 51d)에 의해 석션 세그먼트(57a, 57b, 57c 및 57d)의 각각에 분배된다. 도 4의 문맥에서 상기에 설명된 바와 같이, 최강 진공(51a)이 내부 석션 세그먼트(57a)에 제공된다. 척의 최상면(56)의 에지를 향해, 석션 세그먼트(57b 내지 57d)에 제공되는 진공이 감소한다. 이 효과를 보상하기 위해, 추가적인 진공이 적용될 수 있다. 예를 들어, 주된 진공 공급부(50)에 대해 반대편 측에서 캐스캐이드 연결에 추가적인 진공(52)이 적용될 수 있다. 그 후에, 외부 석션 세그먼트(57d)는 추가적인 진공(52)에 직접(즉 체크 밸브를 통하지 않음) 연결되고, 그 강도는 이 영역에서 웨이퍼(55)를 안정하게 홀딩하기 위해 석션 세그먼트(57d)에서 충분한 저압을 제공하도록 선택될 수 있다. 더욱이, 추가적인 진공(53)은 나머지 석션 세그먼트(57a 내지 57c)의 각각에 또는 석션 세그먼트 사이에 위치되는 영역에 추가적으로 적용될 수 있다. 그 후에, 일정하고 충분한 저압이 석션 세그먼트의 각각에 적용되고, 웨이퍼(55)는 척의 최상면(56)에 의해 안정하게 홀딩된다.
이 상황은 또한 도 6에 의해 도시된다. 상술한 상황과 유사한 방식으로, 주된 진공(61) 및 추가적인 진공(62)이 캐스캐이드 연결(63)에 적용된다. 석션 세그먼트(66a 내지 66d) 아래에 스케치되는 게이지에 의해 도시된 바와 같이, 이들 석션 세그먼트(66a 내지 66d) 중 임의의 것에 적용되는 진공(저압)은 합계가 -1 바이다.
도 7은 웨이퍼가 가장 타이트하게 각각의 석션 세그먼트를 커버하는 석션 세그먼트(71a, 71b 및 71c)를 측정하기 위한 회로의 실시예를 도시한다. 따라서, 스로틀(75)을 통해 주된 진공(77)으로부터 분기 오프되는 보조 진공(76)이 제공된다. 체크 밸브(73a 내지 73c)를 통해, 석션 세그먼트(71a 내지 71c)의 각각에 보조 진공이 적용된다. 석션 세그먼트의 각각에서의 저압은 그 후에 측정 수단(72a, 72b 및 72c)에 의해 측정된다. 후속적으로, 어느 석션 세그먼트에서 저압의 절대값이 최대인지가 결정된다. 그 후에, 주된 진공(77)을 각각의 석션 세그먼트에 제공하기 위해 각각의 스위치(74a, 74b 또는 74c)가 동작된다. 웨이퍼가 이러한 석션 세그먼트에서 석킹될 때, 절차가 반복될 것인데, 즉 (나머지) 석션 세그먼트의 어느 것에서 저압의 절대 값이 최대 값을 가지고, 각각의 스위치를 스위칭 온함으로써 이러한 석션 세그먼트에 주된 진공이 적용되는 것이 다시 체크된다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 척의 최상면(80)의 가능한 분할을 도시한다. 최상면(80)이 원형 디스크로서 형성된다. 분할에 의해, 최상면(80)이 복수의 석션 세그먼트로 분할된다. 예를 들어, 디스크의 중심 포인트 근처에서, 원형 석션 세그먼트(81)가 배치된다. 최상면(80)의 중심 포인트 주변에 중심과 유사하게, 상기 더 큰 원형 영역을 3개의 동일하게 사이징된 석션 세그먼트(82a, 82b 및 82c)로 분할하는 최상면(80)의 중심 포인트에 대해 방사상 배향을 가지는 3개의 직선을 따라 부분분할되는 더 큰 원형 영역이 배치된다. 물론, 이들 석션 세그먼트의 영역은 내부 석션 세그먼트(81)의 영역과 중복하지 않는다; 다시 말해, 내부 석션 세그먼트(81)의 영역은 석션 세그먼트(82a 내지 82c)의 영역으로부터 크롭핑(cropped)된다. 추가적인 영역이 석션 세그먼트(82a 내지 82c)와 척의 최상면(80)의 에지 반경 사이에 위치된다. 이 영역은 최상면(80)의 중심 포인트에 대해 방사상으로 배향되는 4개의 직선에 의해 4개의 동일하게 사이징된 석션 세그먼트(83a, 83b, 83c 및 83d)로 부분분할된다.
도 9는 이미 그 문맥에서 논의된 도 1 및 2에 도시된 최상면의 실시예의 포토그래프를 도시한다. 포토그래프에서, 그루브(92)에서의 복수의 포지션에서, 도 1 및 2의 문맥에서 설명된 바와 같은 진공을 공급하기 위해 척의 최상면(93) 아래에 배치되는 유입구(도시되지 않음)를 가지는 그루브(92)를 연결하는 관통 홀(91)이 인식가능하다.
도 10은 척의 일 실시예의 바닥면(100)의 포토그래프를 도시한다. 주된 진공 채널(101)이 바닥면(100) 상에 나선형으로 배치된다. 진공 채널(101)은 체크 밸브(102)에 의해 서로로부터 분리되는 여러 부분으로 분할된다. 어셈블리는 도 2 및 3의 문맥에서 도시되고 설명된 바와 같은 캐스캐이드 연결의 일 실시예를 형성한다.
본 발명은 도면 및 전술한 설명에서 상세하게 도시되고 설명된 한편, 그와 같은 도시 및 설명은 도시되거나 예시적인 것으로 고려되어야 하고 제한적이 아니다. 후속하는 청구범위의 범위 내에서 당업자에 의해 변경 및 수정이 이루어질 수 있음이 이해될 것이다. 특히, 본 발명은 상술한 그리고 아래의 서로 다른 실시예로부터의 피처의 임의의 조합을 가지는 추가적인 실시예를 커버한다.
더욱이, 청구범위에서 용어 "포함하는"은 다른 엘리먼트 또는 단계를 배제하지 않고, 부정관사 "a" 또는 "an"은 복수를 배제하지 않는다. 단일 유닛은 청구범위에서 인용되는 여러 피처의 기능을 실현할 수 있다. 속성 또는 값과 관련하여 용어 "본질적으로", "약", "대략" 등은 특히 또한 정확하게 그 속성 또는 정확하게 그 값을 각각 정의한다. 청구범위에서의 임의의 참조 부호는 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.

Claims (19)

  1. 웨이퍼(wafer)를 석션(suction) 및 홀딩(holding)하기 위한 척(chuck)에 있어서,
    유체를 석션하도록 각각 구성된 여러 석션 세그먼트로 부분분할되는 평탄한 최상면;및
    바닥면을 포함하고,
    상기 최상면은 유체 내에서, 2개 이상의 석션 세그먼트가 웨이퍼에 의해 커버, 적어도 느슨하게 커버되도록 웨이퍼 근처 내로 이동되도록 구성되고;
    상기 석션 세그먼트의 각각은 각각 활성화가능한, 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 척은:
    상기 석션 세그먼트의 각각에 보조 진공(auxiliay vacuum)을 공급받도록 구성되는 수단, 바람직하게는 스로틀(throttle);
    상기 보조 진공을 공급받을 때 상기 각각의 석션 세그먼트에 의해 석킹되는 유체의 체적 흐름의 흐름 속도 또는 저압을 상기 석션 세그먼트 중 임의의 하나에서 측정하도록 구성되는, 바람직하게는 적어도 하나의 압력 검출 수단 또는 적어도 하나의 흐름 속도 검출 수단을 포함하는 수단; 및
    상기 보조 진공이 공급될 때, 석션 세그먼트의 어느 곳에서 저압의 최대 절대값 또는 유체의 최소 체적 흐름이 측정되는지를 결정하도록 구성되는, 저압 또는 흐름 속도를 측정하기 위해 구성되는 상기 수단의 각각에 연결되는 수단, 바람직하게는 기계적 및/또는 전기적 수단을 더 포함하는, 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 척의 최상면이 디스크(disc)이고;
    내부 석션 세그먼트는 상기 최상면의 중심 포인트 주변에 배치되고;
    또한 석션 세그먼트는 상기 내부 석션 세그먼트 주변의 링으로서 배치되고, 바람직하게는 상기 석션 세그먼트의 각각이 상기 다른 석션 세그먼트로부터 분리되는, 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 석션 세그먼트의 각각은 상기 척의 최상면 상에 배치되는 상호연결 그루브의 시스템을 포함하고, 바람직하게는 상호연결 그루브의 각 시스템은 상기 최상면의 중심 포인트 주변의 동심원으로서 형상화되는 하나 이상의 그루브를 포함하는, 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 여러 석션 세그먼트는 상기 석션 세그먼트 중 하나 내의 포인트에서 기원하고 최상면의 에지에 대해 루핑하는 가상 나선-형상 경로(virtual spiral-shaped path)가 최상면 상에 진행하도록 상기 최상면 상에 배치되고, 여기서 상기 경로는 석션 세그먼트 중 임의의 하나를 그리고 한번만 진입하고 및/또는 떠나는, 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 석션 세그먼트는 상기 척의 바닥면에 배치되는 주된 진공 분배 수단에 연결되고 상기 석션 세그먼트의 각각에 진공을 공급하도록 구성되고; 및
    상기 석션 세그먼트 각각의 공급은 가능하게는 하나의 석션 세그먼트를 제외하고, 밸브에 의해 제어가능한, 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척.
  7. 제5항을 인용하는 경우, 제6항에 있어서,
    상기 주된 진공 공급 수단은 진공을 공급받도록 구성되는 유입구를 가지는 주된 진공 채널을 포함하고;
    상기 석션 세그먼트의 각각은 상기 주된 진공 채널에 대한 접합부(junction)를 가지는 측면 도관에 의해 상기 주된 진공 채널에 연결되고;
    임의의 2개의 인접한 접합부 사이에서, 밸브는 상기 주된 진공 채널이 상기 밸브에 의해 분리되는 여러 섹션을 나타내도록 상기 주된 진공 채널 내에 배치되고;
    상기 측면 도관은 상기 주된 진공 채널의 임의의 2개의 인접한 섹션이 이웃한 석션 세그먼트에 연결되도록 배치되는, 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 밸브 각각은 체크 밸브이고, 예를 들어, 예를 들어 볼 체크 밸브(ball check valve), 다이어프램 체크 밸브(diaphragm check valve), 스윙 체크 밸브(swing check valve), 경사 디스크 체크 밸브(tilting disc check valve), 스톱 체크 밸브(stop check valve), 리프트 체크 밸브(lift check valve), 인-라인 체크 밸브(in-line check valve), 또는 덕빌 밸브(duckbill valve) 중 하나이고;
    상기 체크 밸브의 각각은 주된 진공 채널의 유입구를 향하는 방향으로 체크 밸브 옆의 섹션에서 저압의 절대값이 사전 정의된 값과 같거나 그 이상인 경우에 자동으로 개방하도록 구성되고; 및
    바람직하게는 상기 체크 밸브의 각각은 상기 주된 진공 채널의 유입구를 향하는 방향으로 상기 체크 밸브 옆의 섹션에서 저압의 절대값이 상태에 대응하는 값인 경우에만 자동으로 개방하도록 구성되고, 상기 웨이퍼는 상기 유입구를 향하는 방향으로 상기 체크 밸브 옆의 섹션에 연결되는 상기 석션 세그먼트를 타이트하게 접촉하는, 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척.
  9. 척(chuck)에 의해 웨이퍼(wafer)를 석션(suction) 및 홀딩(holding)하기 위한 방법에 있어서,
    상기 척은:
    유체를 석션하도록 각각 구성되는 여러 석션 세그먼트로 부분분할되는 평탄한 최상면(top face); 및
    바닥면을 포함하고,
    상기 방법은:
    (9a) 2개 이상의 석션 세그먼트가 웨이퍼에 의해 커버되고, 적어도 느슨하게 커버되도록, 유체 내에서, 웨이퍼 및 척의 최상면을 근처로 이동시키는 단계;
    (9b) 아직 활성화되지 않은 석션 세그먼트로부터, 웨이퍼에 대해 최소 거리를 가지는 석션 세그먼트를 선택하는 단계;
    (9c) 단계 (9b)에서 선택되는 석션 세그먼트를 활성화하는 단계;
    (9d) 일단 최종-활성화 석션 세그먼트의 영역에서의 웨이퍼가 척의 최상면을 타이트하게 접촉하고 적어도 하나의 석션 세그먼트가 아직 활성화되지 않는 한:
    단계 (9b) 내지 (9d)를 반복하는 단계를 포함하는, 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 웨이퍼에 대한 최소 거리를 가지는 석션 세그먼트를 선택하는 단계 (9b)는:
    (10a) 각각의 석션 세그먼트를 대면하는 웨이퍼의 표면에 대한 석션 세그먼트의 각각의 거리를 측정하는 단계;
    (10b) 아직 활성화되지 않은 석션 세그먼트로부터, 웨이퍼에 대한 최소 거리를 가지는 석션 세그먼트를 결정하는 단계를 포함하는, 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 거리를 측정하는 단계 (10a)는:
    (11a) 바람직하게는 스로틀에 의해, 아직 활성화되지 않은 상기 석션 세그먼트 각각에 보조 진공을 공급하는 단계;
    (11b) 단계(11a)에서 보조 진공을 공급받는 상기 석션 세그먼트의 각각에 대해, 바람직하게는 압력 검출 수단 또는 흐름 속도 검출 수단에 의해 석킹되는 유체의 체적 흐름의 저압 또는 흐름 속도를 측정하는 단계를 포함하고;
    최소 거리를 결정하는 단계 (10b)는:
    (11c) 바람직하게는 상기 압력 검출 수단의 각각 또는 상기 흐름 속도 검출 수단의 각각에 연결되는 기계적 및/또는 전기적 수단에 의해, 상기 보조 진공을 공급받는 상기 석션 세그먼트의 어느 곳에서 상기 저압의 최대 절대값 또는 상기 유체의 최소 체적 흐름이 측정되는지를 결정하는 단계를 포함하는, 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 단계 (9b)에서 선택되는 석션 세그먼트의 시퀀스는 상기 웨이퍼의 알려진 형상에 따라 사전 정의되는, 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법.
  13. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 척의 최상면은 디스크(disc)이고;
    내부 석션 세그먼트는 상기 최상면의 중심 포인트 주변에 배치되고;
    추가적인 석션 세그먼트가 상기 내부 석션 세그먼트 주변에 링으로서 배치되고, 바람직하게는 상기 석션 세그먼트의 각각은 상기 다른 석션 세그먼트로부터 분리되는, 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 석션 세그먼트의 각각은 상기 척의 최상면 상에 배치되는 상호연결 그루브(interconnected groove)의 시스템을 포함하고, 바람직하게는 상호연결 그루브의 각 시스템은 상기 최상면의 중심 포인트 주변에 동심원으로서 형상화되는 하나 이상의 그루브를 포함하는, 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 여러 석션 세그먼트는 상기 석션 세그먼트 중 하나 내의 포인트에서 기원하고 최상면의 에지에 대해 루핑하는 가상 나선-형상 경로(virtual spiral-shaped path)가 최상면 상에 진행하도록 최상면 상에 배치되고, 여기서 경로는 상기 석션 세그먼트 중 임의의 하나를 그리고 한번만 진입하고 및/또는 떠나고; 및
    단계 (9b)에서 선택되는 석션 세그먼트의 시퀀스가 상기 가상 나선-형상 경로에 후속하고, 상기 제 1 석션 세그먼트는 상기 가상 나선-형상 경로의 원점을 가지는 석션 세그먼트인, 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법.
  16. 제9항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    각 석션 세그먼트는 상기 척의 바닥면에 배치되는 주된 진공 분배 수단에 연결되고 상기 석션 세그먼트의 각각에 진공을 공급받도록 구성되고;
    상기 석션 세그먼트의 각각에의 공급은 가능하게는 하나의 석션 세그먼트를 제외하고, 밸브에 의해 제어가능하고;
    상기 방법은:
    (16a) 상기 주된 진공 분배 수단에 진공을 공급하되, 단계 (9c) 이전에 또는 그와 함께 시작되고 상기 웨이퍼가 상기 척에 의해 홀딩되는 한 실행되는 단계; 및
    상기 석션 세그먼트를 활성화하는 단계 (9c)는:
    (16b) 상기 석션 세그먼트가 밸브에 의해 제어가능하다면: 상기 각각의 석션 세그먼트를 제어하도록 구성되는 밸브를 개방하거나, 그렇지 않으면: 단계 (16a)를 시작하는 단계를 포함하는, 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법.
  17. 제12항을 인용하는 경우, 제16항에 있어서,
    상기 주된 진공 공급 수단은 진공을 공급받도록 구성되는 유입구를 가지는 주된 진공 채널을 포함하고;
    상기 석션 세그먼트의 각각은 상기 주된 진공 채널에 대한 접합부를 가지는 측면 도관에 의해 상기 주된 진공 채널에 연결되고;
    임의의 2개의 인접한 접합부 사이에, 밸브는 상기 주된 진공 채널이 상기 밸브에 의해 분리되는 여러 섹션을 나타내도록 주된 진공 채널 내에 배치되고;
    상기 측면 도관은 상기 주된 진공 채널의 임의의 2개의 인접한 섹션이 이웃한 석션 세그먼트에 연결되도록 배치되고; 및
    석션 세그먼트를 선택하는 단계 (9b)는:
    방법의 수행 동안 먼저 단계 (9b)가 실행된다면:
    상기 유입구 옆의 상기 주된 진공 채널의 섹션에 연결되는 석션 세그먼트를 선택하는 단계;
    그렇지 않다면:
    단계 (9b)에서 이전에 선택되는 상기 석션 세그먼트에 연결되는 섹션 옆의 상기 주된 진공 채널의 섹션에 연결되는 석션 세그먼트를 선택하는 단계를 포함하는, 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 밸브의 각각은 체크 밸브인데, 예를 들어 볼 체크 밸브, 다이어프램 체크 밸브, 스윙 체크 밸브, 경사 디스크 체크 밸브, 스톱 체크 밸브, 리프트 체크 밸브, 인-라인 체크 밸브, 또는 덕빌 밸브 중 하나이고;
    상기 체크 밸브의 각각은 상기 주된 진공 채널의 유입구를 향하는 방향으로 상기 체크 밸브 옆의 섹션에서 저압의 절대값이 사전 정의된 값과 같거나 그 이상인 경우에 자동으로 개방하도록 구성되고; 및
    바람직하게는 상기 체크 밸브의 각각은 상기 주된 진공 채널의 유입구를 향하는 방향으로 상기 체크 밸브 옆의 섹션에서 저압의 절대값이 상태에 대응하는 값인 경우에만 개방하도록 구성되고, 상기 웨이퍼는 상기 유입구를 향하는 방향으로 상기 체크 밸브 옆의 섹션에 연결되는 상기 석션 세그먼트를 타이트하게 접촉하는, 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서,
    (19a) 상기 웨이퍼가 상기 척에 의해 완전히 홀딩될 때: 상기 유입구에 반대편인 측면으로부터 상기 주된 진공 채널에 추가적인 진공을 공급하는 단계를 더 포함하는, 척에 의해 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 방법.
KR1020167010189A 2013-09-26 2013-09-26 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척 KR20160062057A (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2013/070092 WO2015043638A1 (en) 2013-09-26 2013-09-26 Chuck for suction and holding a wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160062057A true KR20160062057A (ko) 2016-06-01

Family

ID=49474374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167010189A KR20160062057A (ko) 2013-09-26 2013-09-26 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20160240414A1 (ko)
JP (1) JP2016532282A (ko)
KR (1) KR20160062057A (ko)
CN (1) CN105765708B (ko)
AT (1) AT517792A3 (ko)
DE (1) DE112013007462T5 (ko)
TW (1) TW201526151A (ko)
WO (1) WO2015043638A1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI570025B (zh) * 2015-07-14 2017-02-11 迅智自動化科技股份有限公司 流體出入裝置及貼標籤機
JP6654850B2 (ja) * 2015-10-13 2020-02-26 株式会社ディスコ 加工装置
KR101960854B1 (ko) * 2016-02-05 2019-03-21 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 정렬 장치 및 웨이퍼 이송 장치
CN108604066B (zh) 2016-02-08 2021-06-29 Asml荷兰有限公司 光刻设备、用于卸载衬底的方法和用于装载衬底的方法
CN106455326A (zh) * 2016-10-10 2017-02-22 中山新诺科技股份有限公司 一种真空吸板系统
KR102339079B1 (ko) * 2017-09-28 2021-12-14 가부시키가이샤 신가와 흡착 스테이지
US11247309B2 (en) * 2018-03-19 2022-02-15 Tokyo Electron Limited Substrate holding apparatus and method for shape metrology
CN108724234A (zh) * 2018-06-14 2018-11-02 芜湖易泽中小企业公共服务股份有限公司 一种机器人用吸盘装置
JP7303635B2 (ja) * 2019-01-07 2023-07-05 株式会社ディスコ ワークの保持方法及びワークの処理方法
JP7348744B2 (ja) * 2019-04-24 2023-09-21 キヤノン株式会社 基板保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP2021044445A (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 株式会社ディスコ リングフレームの保持機構
CN111168515B (zh) * 2020-01-09 2021-08-10 湖南科鑫泰电子有限公司 一种晶圆多工位边缘抛光设备
US11551970B2 (en) * 2020-10-22 2023-01-10 Innolux Corporation Method for manufacturing an electronic device

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3955163A (en) * 1974-06-24 1976-05-04 The Computervision Corporation Method of positioning a semiconductor wafer for contact printing
JPS5946030A (ja) * 1982-09-08 1984-03-15 Canon Inc ウェハの吸着固定方法
DE69130434T2 (de) * 1990-06-29 1999-04-29 Canon Kk Platte zum Arbeiten unter Vakuum
JPH04280619A (ja) * 1991-03-08 1992-10-06 Canon Inc ウエハ保持方法およびその保持装置
JPH0567551A (ja) * 1991-09-05 1993-03-19 Canon Inc ウエハチヤツク
JPH05144709A (ja) * 1991-11-22 1993-06-11 Canon Inc 減圧装置
JPH08124844A (ja) * 1994-10-27 1996-05-17 Sony Corp ウエハステージ
US5899445A (en) * 1996-04-18 1999-05-04 Kimble; Alvin J. Locking ring vacuum clamping system with load/unload capabilities
JPH1167882A (ja) * 1997-08-22 1999-03-09 Nikon Corp 基板吸着装置及び基板吸着方法
US6271676B1 (en) * 1999-03-02 2001-08-07 Tsk America, Inc. Spiral chuck
JP2002009139A (ja) * 2000-06-20 2002-01-11 Nikon Corp 静電チャック
KR20030028985A (ko) * 2001-10-05 2003-04-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조용 장비에서의 웨이퍼 척
JP4104111B2 (ja) * 2002-01-29 2008-06-18 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置台及び被処理体の吸着方法
JP2007511781A (ja) * 2004-01-16 2007-05-10 シャープ株式会社 基板吸着装置及び基板貼り合わせ装置
US7214548B2 (en) * 2004-08-30 2007-05-08 International Business Machines Corporation Apparatus and method for flattening a warped substrate
JP4600655B2 (ja) * 2004-12-15 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 基板保持方法
DE102004063855A1 (de) 2004-12-30 2006-07-13 Supfina Grieshaber Gmbh & Co.Kg Halter mit porösem Greifer
JP4781901B2 (ja) * 2006-05-08 2011-09-28 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法，プログラム及び熱処理装置
US8336188B2 (en) * 2008-07-17 2012-12-25 Formfactor, Inc. Thin wafer chuck
JP5265291B2 (ja) * 2008-10-03 2013-08-14 住友化学株式会社 枚葉シートの塗布方法
US8851133B2 (en) * 2009-03-31 2014-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus of holding a device
US8962084B2 (en) * 2012-05-31 2015-02-24 Corning Incorporated Methods of applying a layer of material to a non-planar glass sheet

Also Published As

Publication number Publication date
DE112013007462T5 (de) 2016-06-30
CN105765708B (zh) 2018-08-31
AT517792A3 (de) 2018-04-15
WO2015043638A1 (en) 2015-04-02
JP2016532282A (ja) 2016-10-13
US20160240414A1 (en) 2016-08-18
AT517792A2 (de) 2017-04-15
TW201526151A (zh) 2015-07-01
CN105765708A (zh) 2016-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160062057A (ko) 웨이퍼를 석션 및 홀딩하기 위한 척
US7370664B2 (en) Flow control device
TWI530585B (zh) 真空控制系統及真空控制閥
JP5523326B2 (ja) 静電チャックアセンブリ
US20190226588A1 (en) High conductance valve for fluids and vapors
JP6336345B2 (ja) ダイヤフラム弁、流体制御装置、半導体製造装置および半導体製造方法
JP6335685B2 (ja) ダイヤフラム弁、流体制御装置、半導体製造装置および半導体製造方法
TW201341585A (zh) 容室密封構件
TWI587358B (zh) 處理腔室氣體流動的裝置、系統及方法
US9991152B2 (en) Wafer-handling end effectors with wafer-contacting surfaces and sealing structures
JP4454964B2 (ja) 分圧制御システム及び流量制御システム
US10665430B2 (en) Gas supply system, substrate processing system and gas supply method
JP2019086151A (ja) 金属弁座を有するダイヤフラム弁
US20210351060A1 (en) Apparatus and Methods for Real-Time Wafer Chucking Detection
US20140000731A1 (en) Flow Control Valve Assemblies with Check Valves
US11680646B2 (en) Fluid control valve, fluid control device, valve element, and method of manufacturing valve element
JP6673642B2 (ja) 管状体
US20160109027A1 (en) Valve seat and valve disc with cascaded geometries
CN116153840B (zh) 一种卡盘
EP1308661A1 (en) Vacuum flange o-ring centering ring
TW202111237A (zh) 隔膜、閥、及成膜方法
JP2024506585A (ja) 反ったワークピースを捕捉するためのチャック
TW202117214A (zh) 隔膜、閥、及隔膜的製造方法
JP2018132194A (ja) ダイヤフラム弁、流体制御装置、半導体制御装置および半導体制御方法
TWM352660U (en) Sealing gasket exclusively used for differential pressure valve

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination