KR20160032208A - 반도체 웨이퍼 레벨링, 힘 밸런싱 및 접촉 감지를 위한 장치 및 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 레벨링, 힘 밸런싱 및 접촉 감지를 위한 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160032208A
KR20160032208A KR1020167003932A KR20167003932A KR20160032208A KR 20160032208 A KR20160032208 A KR 20160032208A KR 1020167003932 A KR1020167003932 A KR 1020167003932A KR 20167003932 A KR20167003932 A KR 20167003932A KR 20160032208 A KR20160032208 A KR 20160032208A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
upper chuck
chuck
wafer
component
contact
Prior art date
Application number
KR1020167003932A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102186211B1 (ko
Inventor
할레 욘손
그레고리 게오르게
미하엘 브렌넨
Original Assignee
수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 filed Critical 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하
Publication of KR20160032208A publication Critical patent/KR20160032208A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102186211B1 publication Critical patent/KR102186211B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00Chucks or sockets
    • Y10T279/23Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)

Abstract

웨이퍼 접합기 장치는 하부 척, 상부 척, 프로세스 챔버 및 3 개의 조절 메커니즘들을 포함한다. 3 개의 조절 메커니즘들은 서로로부터 이격되어 정상 리드 주위에 배열되고 프로세스 챔버의 외측에 위치된다. 각각의 조절 메커니즘은 상부 척에 대한 접촉을 감지하기 위한 구성요소, 상부 척의 사전 로드 힘을 조절하기 위한 구성요소 및 상부 척을 레벨링하기 위한 구성요소를 포함한다.

Description

반도체 웨이퍼 레벨링, 힘 밸런싱 및 접촉 감지를 위한 장치 및 방법 {APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER LEVELING, FORCE BALANCING AND CONTACT SENSING}
관련 동시 계류 출원들에 대한 교차 참조
본 출원은 2013년 7월 17일에 출원되었고 발명의 명칭이 "반도체 웨이퍼 레벨링, 힘 밸런싱 및 접촉 감지용 장치 및 방법(APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER LEVELING, FORCE BALANCING AND CONTACT SENSING)" 인 미국 가출원 일련번호 제 61/847,118 호의 이익을 주장하며, 그의 내용들은 인용에 의해 본원에 명백하게 포함된다.
본 출원은 2010년 4월 15일에 출원되었고 발명의 명칭이 "웨이퍼 중심맞춤을 위한 디바이스(DEVICE FOR CENTERING WAFERS)" 인 미국 특허 출원 일련번호 제 12/761,044 호의 부분 계속 출원이며, 그의 내용들은 인용에 의해 본원에 명백하게 포함된다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 접합을 위한 장치 및 방법 그리고 더 구체적으로는 척(chuck) 레벨링, 힘 밸런싱(balancing) 및 기판 접촉 감지를 제공하는 웨이퍼 접합 장치 및 방법에 관한 것이다.
웨이퍼 대 웨이퍼(W2W) 접합은 반도체 디바이스들을 형성하기 위한 넓은 범위의 반도체 프로세스 분야들에서 활용된다. 웨이퍼 대 웨이퍼 접합이 적용되는 반도체 프로세스 분야들의 예들은 기판 엔지니어링(engineering) 및 집적 회로들의 제작, 미세 전자 기계 시스템들(micro-electro-mechanical-systems)(MEMS) 및 순수 마이크로일렉트로닉스의 많은 프로세싱된 층들(3D-집적)의 적층을 포함한다. W2W 접합은 2 또는 그 초과의 웨이퍼 표면들을 정렬하는 단계, 이들을 접촉하게 하는 단계 및 이들 사이에 강한 접합 계면을 형성하는 단계를 수반한다. 전체 프로세싱 수율 및 제조된 반도체 디바이스들의 제작 비용 및 이러한 디바이스들을 포함하는 전자 제품들의 최종 가격은 웨이퍼 대 웨이퍼 접합의 품질에 크게 의존한다. W2W 접합의 품질은 웨이퍼들의 정확한 정렬, 웨이퍼 접합 계면들에 걸친 웨이퍼 정렬의 보존 및 웨이퍼 접합 계면들에 걸친 접합 강도의 균일성 및 무결성에 의존한다. 특히, 웨이퍼 표면들 사이의 레벨링, 평면성, 거리 및 텐션은 접합 품질에 있어 중요하다. 따라서, 웨이퍼 접합기 장치에서 서로에 대한 반도체 웨이퍼 표면들의 신뢰할 수 있는 높은 정밀도 및 반복 가능한 위치지정을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명은 척 레벨링, 힘 밸런싱 및 기판 접촉 감지를 포함하는 반도체 웨이퍼 접합을 위한 장치 및 방법을 제공한다.
일반적으로, 하나의 양태에서, 본 발명은, 하부 척, 상부 척, 프로세스 챔버 및 3 개의 조절 메커니즘들을 포함하는 웨이퍼 접합기 장치를 특징으로 한다. 하부 척은 제 1 웨이퍼를 지지하도록 구성되고, 상부 척은 제 2 웨이퍼를 지지하도록 구성되며 제 2 웨이퍼는 제 1 웨이퍼에 대향하여 배열된다. 프로세스 챔버는 상부 척과 하부 척 사이에 형성된다. 3 개의 조절 메커니즘들은 서로 이격되어 정상 리드 주위에 배열되고 프로세스 챔버의 외측에 위치된다. 각각의 조절 메커니즘은 상부 척의 저촉을 감지하기 위한 구성요소, 상부 척의 사전 로드 힘을 조절하기 위한 구성요소 및 상부 척의 레벨링을 위한 구성요소를 포함한다.
본 발명의 이러한 양태의 이행들은 하나 또는 그 초과의 이하를 포함한다. 각각의 조절 메커니즘은 정상 리드를 통과하고 상부 척의 정상 표면에 단단하게 부착되는 말단부 및 정상 리드를 통하여 돌출하는 기단부를 갖는 이송 관통 샤프트를 더 포함한다. 이송 관통 샤프트는 2 x 10-6K-1 미만의 열 팽창 계수(CTE)를 갖는 재료를 포함한다. 이송 관통 샤프트는 인바(Invar) 재료를 포함한다. 이송 관통 샤프트는 열 중단점(thermal break point)을 통하여 상부 척으로부터 열적으로 격리된다.
상부 척의 레벨링을 위한 구성요소는 마이크로미터(micrometer), 마이크로미터 샤프트, 피봇 아암 및 지지 플레이트를 포함한다. 피봇 아암은 지지 플레이트에 피봇식으로 연결되고 마이크로미터 샤프트의 말단부에 연결되는 제 1 단부 및 이송 관통 샤프트에 연결되는 제 2 단부를 갖는다. 마이크로미터는 1 마이크로미터의 해상도를 갖고 마이크로미터 샤프트의 기단부에 부착된다. 마이크로미터의 회전 모션은 마이크로미터 샤프트의 선형 모션을 야기하고 마이크로미터 샤프트의 선형 모션은 이송 관통 샤프트의 선형 모션을 야기하며 이에 의해 부착된 상부 척의 레벨을 조절한다. 상부 척의 레벨링을 위한 구성요소는 마이크로미터의 위치를 잠금하도록 구성되는 마이크로미터 잠금 클램프를 더 포함한다. 각각의 조절 메커니즘은 상부 척 사전 로드 힘을 측정하기 위한 센서를 더 포함한다.
상부 척에 대한 접촉을 감지하기 위한 구성요소는 접촉 센서를 포함하고, 접촉 센서는 이송 관통 샤프트의 기단부에 연결된다. 상부 척의 바닥 표면의 접촉은 상부 척 및 부착된 이송 관통 샤프트가 이동하는 것을 야기하고 접촉 센서는 신호를 등록한다. 상부 척에 대한 접촉을 감지하기 위한 구성요소는 접촉 가이드 및 사전 로드 스프링 및 구형(spherical) 베어링 계면을 더 포함하고, 구형 베어링 계면은 이송 관통 샤프트를 둘러싸는 스러스트 와셔(thrust washer)에 접촉하도록 구성된다.
상부 척의 사전 로드 힘을 조절하기 위한 구성요소는 스크류 및 텐션 스프링을 포함한다. 텐션 스프링은 상부 척의 정상 표면에 연결되는 말단부 및 스크류에 연결되는 기단부를 갖는다. 스크류를 회전하는 것은 스프링 텐션을 조절하고 이에 의해 상부 척의 사전 로드 힘을 조절한다. 스크류는 스위블 베어링 캡쳐(swivel bearing capture)를 갖는 플러그를 더 포함하고 스위블 베어링 캡쳐는 텐션 스프링의 기단부에 연결되는 스위블 베어링을 보유한다. 상부 척의 사전 로드 힘을 조절하기 위한 구성요소는 텐션 스프링의 상방 모션을 제한하도록 구성되는 원형 클립을 더 포함한다.
장치는 3 개의 조절 메커니즘들의 이미지들 및 위치들을 디스플레이(display) 상에 제공하도록, 그리고 접촉 감지를 위한 구성요소를 통하여, 상부 척의 모션을 제어하고 안내하도록 구성되는 컴퓨터 어플리케이션(application)을 더 포함할 수 있다. 상부 척에 대한 접촉이 검출될 때, 접촉이 발생되는 조절 메커니즘들의 이미지들이 켜진다.
하부 척은 정전(electrostatic) 척일 수 있다. 정전 척은 일체형 가열 와이어들, 세라믹 히터의 정상 표면의 얇은 유전체 층 및 전기 상호 연결부들을 갖는 세라믹 히터를 포함한다. 전기 상호 연결부들은 전극 블록 그리고 크림프 페룰(crimp ferrule)에 의해 둘러싸이는 와이어 컨덕터를 포함한다. 전극 블록은 세라믹 히터의 바닥 표면에 납땜되고 크림프 페룰의 정상에 놓이며, 전극 블록, 크림프 페룰 및 와이어 컨덕터는 세라믹 히터의 바닥 표면의 에지에 형성되는 에지 개구 내에 위치된다. 장치는 금속 클램핑 디스크 및 스프링 와셔를 더 포함한다. 금속 클램핑 디스크 및 스프링 와셔는 또한 에지 개구 내에 위치되고 전극 블록은 크림프 페룰에 맞닿아 프레스되고 크림프 페룰은 클램핑 디스크에 맞닿아 프레스되고 클램핑 디스크는 스프링 와셔에 맞닿아 프레스된다.
일반적으로, 다른 양태에서, 본 발명은 이하를 포함하는 웨이퍼 접합 방법을 특징으로 한다. 먼저 제 1 웨이퍼를 지지하도록 구성되는 하부 척을 제공한다. 다음에, 제 2 웨이퍼를 지지하도록 구성되는 상부 척을 제공한다. 제 2 웨이퍼는 제 1 웨이퍼에 대향하여 배열된다. 다음에, 상부 척과 하부 척 사이에 형성되는 프로세스 챔버를 제공한다. 다음에, 서로로부터 120°의 각도로 정상 리드 주위에 배열되고 프로세스 챔버의 외측에 위치되는 3 개의 조절 메커니즘들을 제공한다. 각각의 조절 메커니즘은 상부 척에 대한 접촉을 감지하기 위한 구성요소, 상부 척의 사전 로드 힘을 조절하기 위한 구성요소 및 상부 척의 레벨링을 위한 구성요소를 포함한다. 이 방법은 사전 로드 힘을 수동으로 조절하는 단계 그리고 상부 척을 레벨링하는 단계 및 그 후 컴퓨터 어플리케이션을 통하여 상부 척에 대한 접촉을 안내하는 단계를 더 포함한다. 컴퓨터 어플리케이션은 3 개의 조절 메커니즘들의 이미지들 및 위치들을 디스플레이 상에 제공하도록, 그리고 접촉을 감지하기 위한 구성요소를 통하여 상부 척의 모션을 제어하고 안내하도록 구성된다. 상부 척에 대한 접촉이 검출될 때 접촉이 발생되는 조절 메커니즘들의 이미지들이 켜진다.
일반적으로, 다른 양태에서, 본 발명은 제 1 웨이퍼를 지지하도록 구성되는 하부 척, 그리고 제 2 웨이퍼를 지지하도록 구성되는 상부 척을 포함하며, 제 2 웨이퍼는 제 1 웨이퍼에 대향하여 배열되는 웨이퍼 접합기 장치를 특징으로 한다. 프로세스 챔버는 상부 척과 하부 척 사이에 형성되고 하부 척은 정전 척이다. 정전 척은 일체형 가열 와이어들, 세라믹 히터의 정상 표면의 얇은 유전체 층 및 전기 상호 연결부들을 갖는 세라믹 히터를 포함한다. 전기 상호 연결부들은 전극 블록 그리고 크림프 페룰에 의해 둘러싸이는 와이어 컨덕터를 포함하고, 전극 블록은 세라믹 히터의 바닥 표면에 납땜되고 크림프 페룰의 정상에 놓인다. 전극 블록, 크림프 페룰 및 와이어 컨덕터는 세라믹 히터의 바닥 표면의 에지에 형성되는 에지 개구 내에 위치된다. 장치는 금속 클램핑 디스크 및 스프링 와셔를 더 포함하고 금속 클램핑 디스크 및 스프링 와셔는 또한 에지 개구 내에 위치된다. 전극 블록은 크림프 페룰에 맞닿아 프레스되고 크림프 페룰은 클램핑 디스크에 맞닿아 프레스되고 클램핑 디스크는 스프링 와셔에 맞닿아 프레스된다.
본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예들의 세부사항들은 이하의 첨부된 도면들 및 설명에 명시된다. 본 발명의 다른 특징들, 대상들 및 이점들은 바람직한 실시예들, 도면들의 이후의 설명으로부터 그리고 청구항들로부터 자명해질 것이다.
도면들을 참조하면, 유사한 숫자들은 몇몇 도들 전반에 걸쳐 유사한 부분들을 나타낸다 :
도 1은 일시적인 접합기 모듈의 개략적인 횡단면도를 묘사하고;
도 2는 본 발명에 따른 일시적인 접합기 모듈을 묘사하고;
도 3은 로드 방향에 대해 수직인 도 2의 일시적인 웨이퍼 접합기 모듈의 횡단면도를 묘사하고;
도 4는 로드 방향에 의한 라인의 도 2의 일시적인 웨이퍼 접합기 모듈의 횡단면도를 묘사하고;
도 5a는 폐쇄 위치의 사전 정렬 아암들을 갖는 웨이퍼 중심맞춤 디바이스를 묘사하고;
도 5b는 도 5a의 웨이퍼 중심맞춤 디바이스에서 사용되는 노치 검색 메커니즘을 묘사하고;
도 5c는 웨이퍼 노치에 완전하게 맞물린 노치 검색기를 갖는 300 ㎜ 웨이퍼를 묘사하고;
도 5d는 웨이퍼 노치에 완전하지 않게 맞물린 노치 검색기를 갖는 300 ㎜ 웨이퍼를 묘사하고;
도 6은 도 2의 일시적인 웨이퍼 접합기 모듈의 정상 척의 횡단면도를 묘사하고;
도 7은 도 2의 일시적인 웨이퍼 접합기 모듈의 정상 사시도를 묘사하고;
도 8은 도 2의 일시적인 웨이퍼 접합기 모듈의 정상 리드(lid)를 묘사하고;
도 9는 도 2의 일시적인 웨이퍼 접합기 모듈의 정상 척을 묘사하고;
도 10a는 제 위치에 있는 정상 리드 그리고 제거된 커버를 갖는 도 9의 정상 척의 조절 구성요소들을 묘사하고;
도 10b는 제거된 정상 리드 및 커버를 갖는 도 9의 정상 척의 조절 구성요소들을 묘사하고;
도 11a는 도 9의 정상 척의 조절 구성요소들의 사시도이고;
도 11b는 도 11a의 조절 구성요소들의 횡단면도이고;
도 12는 도 11a의 조절 구성요소들의 다른 사시도이고;
도 13은 텐션 조절 구성요소, 척 위치지정 구성요소 및 접촉 센서 구성요소의 상세한 횡단면도이고;
도 14는 레벨링 조절 구성요소 및 접촉 센서 구성요소의 상세한 횡단면도이고;
도 15는 정상 척 정렬 구성요소의 상세한 횡단면도이고;
도 16은 텐션 조절 구성요소의 상세한 횡단면도이고;
도 17은 웨이퍼 조절 적용의 스크린샷(screenshot)이고;
도 18a는 하부 히터/정전 척을 통한 도 2의 일시적인 접합기 모듈의 상호 연결의 측면 횡단면도이고;
도 18b는 도 17의 일시적인 접합기 모듈의 하부 히터/정전 척 구역(A)의 평면도이고;
도 19a는 도 18b의 구역(A)의 확대도이고;
도 19b는 도 18b의 구역(A)의 확대된 측면 횡단면도이고;
도 20은 도 18b의 구역(A)의 횡단면도이고;
도 21은 도 18b의 구역(A)의 분해도이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 일시적인 웨이퍼 접합 모듈(210)은 정상 리드(212a)를 갖는 하우징(212), 로드 도어(load door)(211), 상부 블록 조립체(220) 및 대향하는 하부 블록 조립체(230)를 포함한다. 상부 및 하부 블록 조립체들(220, 230)은 4 개의 Z-안내 포스트들(242)에 이동 가능하게 연결된다. 텔레스코핑 커튼 시일(telescoping curtain seal)(235)이 상부 블록 조립체(220)와 하부 블록 조립체(230) 사이에 배치된다. 일시적인 접합 챔버(202)는 상부 조립체(220)와 하부 조립체(230) 그리고 텔레스코핑 커튼 시일(235) 사이에 형성된다. 커튼 시일(235)은 일시적인 접합 챔버 구역(202)의 외측에 있는 많은 프로세스 구성요소들을 프로세스 챔버 온도, 압력, 진공 및 대기로부터 절연되는 것을 유지한다. 챔버 구역(202)의 외측의 프로세스 구성요소들은, 다른 것들 중에서도, 안내 포스트들(242), Z-축선 구동부(243), 조명소스들, 기계적 사전 정렬 아암들(460a, 460b) 및 웨이퍼 중심맞춤 조들(461a, 461b)을 포함한다. 이러한 실시예에서, 챔버(210)는 접합 챔버 구역(202)의 외측에 위치되고 정상 리드(212a)의 외측으로부터 접근 가능한 3 개의 조절 메커니즘들(110A, 110B, 110C)을 또한 포함한다. 이하에 설명될 바와 같이, 조절 메커니즘들(110A, 110B, 110C)은 기판 접촉을 감지하기 위해, 척 하방 사전 로드를 조절하기 위해 그리고 정상 척(222)의 레벨링을 위해 사용되는 구성요소들을 포함한다.
도 3을 참조하면, 하부 블록 조립체(230)는 웨이퍼(20)를 지지하는 히터 플레이트(하부 척)(232), 절연층(236), 수냉식(water cooled) 지지 플랜지(237), 전달 핀 스테이지(238), 전달 핀들(240) 및 Z-축선 블록(239)을 포함한다. 히터 플레이트(232)는 세라믹 플레이트이고 저항성 히터 요소들(233) 및 통합적 공랭부(234)를 포함한다. 히터 요소들(233)은 2 개의 상이한 가열 영역들이 형성되도록 배열된다. 제 1 가열 영역(233B)은 200 ㎜ 웨이퍼 또는 300 ㎜ 웨이퍼의 중심 영역을 가열하도록 구성되고 제 2 가열 영역(233A)은 300 ㎜ 웨이퍼의 둘레를 가열하도록 구성된다. 가열 영역(233A)은 2 개의 적층된 웨이퍼들 사이의 전체 접합 계면 전반에 걸쳐 열 균일성을 달성하기 위해 그리고 웨이퍼 적층의 에지들에서의 열 손실들을 완화하기 위해 가열 영역(233B)과 독립적으로 제어된다. 히터 플레이트(232)는 각각 200 ㎜ 및 300 ㎜ 웨이퍼들을 유지하기 위한 2 개의 상이한 진공 영역들을 또한 포함한다. 수냉식 열 격리(isolation) 지지 플랜지(237)는 절연층(236)에 의해 히터 플레이트로부터 분리된다. 전달 핀 스테이지(238)는 하부 블록 조립체(230) 밑에 배열되고 4 개의 포스트들(242)에서 이동 가능하게 지지된다. 전달 핀 스테이지(238)는 전달 핀들이 상이한 크기의 웨이퍼들을 상승시키거나 하강시킬 수 있도록 배열된 전달 핀들(240)을 지지한다. 하나의 예에서, 전달 핀들(240)은 이들이 200 ㎜ 및 300 ㎜ 웨이퍼들을 상승시키거나 하강시킬 수 있도록 배열된다. 전달 핀들(240)은 직선 샤프트들이고, 일부 실시예들에서 이들의 중심을 통하여 연장하는 진공 이송 개구를 갖는다. 전달 핀 개구들을 통하여 빼내어지는 진공은 웨이퍼들의 이동 동안 지지된 웨이퍼들을 전달 핀들 상의 제 위치로 유지하고 웨이퍼들의 오정렬을 방지한다. Z-축선 블록(239)은 볼 스크류를 갖는 Z-축선 구동부(243), 선형 캠 디자인, 미크론 미만의 위치 제어를 위한 선형 엔코더(encoder) 피드백(244) 및 도 4에 도시된 기어박스를 갖는 서보 모터(246)를 포함한다.
도 6을 참조하면, 상부 블록 조립체(220)는 상부 세라믹 척(222), 커튼(235)이 맞닿아서 시일 요소(235a)를 밀봉하는 정상 정적 챔버 벽(221), 200 ㎜ 막 층(224a) 및 300 ㎜ 막 층(224b)을 포함한다. 막 층들(224a, 224b)은 각각 클램프들(215a, 215b)에 의해 정상 하우징 벽(213)과 상부 척(222) 사이에서 클램핑되고, 각각 200 ㎜ 및 300 ㎜ 웨이퍼들을 유지하도록 구성되는 2 개의 별개의 진공 영역들(223a, 223b)을 형성한다. 막 층들(224a, 224b)은 엘라스토머 재료 또는 금속 벨로우즈로 만들어진다. 상부 세라믹 척(222)은 매우 편평하고 얇다. 이는 적층된 웨이퍼들(20, 30)에 균일한 압력을 가하기 위해 낮은 질량을 갖고 반연성(semi-compliant)이다. 상부 척(222)은 3 개의 조절 메커니즘들(110A, 110B, 110C)에 의해 가볍게 사전 로딩된다. 조절 메커니즘들(110A, 110B, 110C)은 120°로 원형으로 배열되고 척 사전 부하 힘을 조절하고, 기판들의 접촉 또는 결합을 검출하고 하부 척(232)에 대한 상부 척(222)의 레벨을 조절하는데 사용된다. 상부 척(222)은 처음에 하부 척(232)과 접촉한 채로 레벨링되어서, 이는 하부 척(232)에 대하여 평행하다.
웨이퍼들의 로딩 및 사전 정렬은, 도 5a에 도시된 기계적 중심맞춤 디바이스(460)에 의해 용이하게 된다. 중심맞춤 디바이스(460)는, 도 5의 폐쇄 위치에 도시된, 2 개의 회전 가능한 사전 정렬 아암들(460a, 460b) 및 선형으로 이동하는 정렬 아암(460c)을 포함한다. 각각의 아암(460a, 460b)의 단부들에는, 기계적 조들(461a, 461b)이 있다. 기계적 조들(461a, 461b)은 각각 300 ㎜ 웨이퍼 및 200 ㎜ 웨이퍼의 곡선 에지에 합치하는 테이퍼진 표면들(462 및 463)을 갖는다. 선형으로 이동하는 아암(460c)은 또한 원형 웨이퍼들의 곡선 에지에 합치하는 테이퍼진 곡선 내부 표면을 갖는 조(461c)를 갖는다. 조(461c)는 원형 웨이퍼의 곡선 에지에 형성되는 노치들(469)을 위치시키는 노치 검색 메커니즘을 또한 포함한다. 지지 척(464)의 중심(465)을 향하여 아암들(460a, 460b)을 회전시키고 및 지지 척(464)의 중심(465)을 향하는 아암(460c)을 선형으로 이동시키는 것은 기계적 조들(461a, 461b)의 테이퍼진 표면들 그리고 조(461c)의 테이퍼진 곡선 내부 표면이 지지 척(464) 상의 웨이퍼의 외부 둘레 및 웨이퍼의 중심들과 접촉하는 것을 야기한다. 3 개의 아암들(460a, 460b, 460c)은 지지 척(464) 주위에 120°로 배열된다. 다른 실시예에서, 중심맞춤 디바이스(460)는 3 개의 회전 가능한 사전 정렬 아암들을 포함하고, 각각의 아암의 단부들에는 기계적 조들이 있다. 지지 척(464)의 중심을 향하여 아암들을 회전시키는 것은 기계적 조들의 테이퍼진 표면들이 지지 척(464) 상의 웨이퍼의 외부 둘레 및 웨이퍼의 중심들과 접촉하는 것을 야기한다. 웨이퍼들의 로딩 및 사전 정렬에 대한 다른 실시예들은 2010년 4월 15일에 출원되었고, 발명의 명칭이 "웨이퍼 중심맞춤을 위한 디바이스(DEVICE FOR CENTERING WAFERS)" 인 미국 특허 출원 일련 번호 제 12/761,044 에 설명되고, 그의 내용들은 인용에 의해 본원에 명백하게 포함된다.
도 5b를 참조하면, 노치 검색 메커니즘(470)은 노치 검색기(472), 위치 센서(476), 플로팅 조인트 연결(477), 롤러 노우즈(nose) 캐리지들(478), 모션 캠 플레이트(479), 서비스 루프 격실(480), 피스톤 또는 모터(474) 및 전방 플레이트들(488)을 포함한다. 전방 플레이트들(488)은 롤러 노우즈 캐리지들(478)을 지지한다. 노치 검색기(472)는 기다란 구성요소(473a) 및 삼각형 구성요소(473b)를 포함한다. 기다란 구성요소(473a)는 삼각형 구성요소(473b)의 베이스를 부분적으로 형성한다. 기다란 구성요소(473a)는 구성요소(473a)의 전방 표면으로부터 연장하고 이들이 웨이퍼 노치(469)의 형상에 상응하거나 웨이퍼 둘레에서 편평한 피처를 갖도록 형상을 갖는 3 개의 돌출부들(472a, 472b, 472c)을 또한 포함한다. 웨이퍼 둘레에 편평한 피처를 갖는 웨이퍼의 경우에 대하여, 측면 돌출부들(472a, 472c)은 중심 돌출부(472b)의 약간 앞으로 위치되고 기판 편평한 피처를 위치지정하는데 사용된다. 도 5c에 도시된 바와 같이, 노치 검색기(472)는 피스톤 또는 모터(474)에 의해 앞으로 구동되고 구성요소(473a)의 후방 표면(487)과 전방 플레이트(488)의 전방 표면(488a) 사이의 상대 거리(486)는 위치 센서(476)에 의해 측정된다. 하나의 예에서, 위치 센서(476)는 선형 전위차계이다. 플로팅 조인트 연결부(477)는 위치 센서(476)의 전방을 구성요소(473a)의 후방 표면에 연결한다. 롤러 노우즈 캐리지(478)는, 도 5c 및 도 5d에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 둘레 주위에서 롤링하는 롤러들(478a, 478b)을 포함한다. 상대 거리(486)는, 노치 맞물림 위치들이 상이한 크기의 웨이퍼들에 대하여 동일하지 않기 때문에, 상이한 크기들을 갖는 웨이퍼들(즉, 200 ㎜ 및 300 ㎜ 웨이퍼들)을 가능하게 하기 위해 전방 플레이트(488)의 전방 표면(488a)으로부터 측정된다. 하나의 예에서, 300 ㎜ 웨이퍼에서 돌출부(472b)와 노치(469) 사이에 완전한 맞물림이 있을 때, 도 5c에 도시된 바와 같이, 거리(486)는 6.77 ㎜ 이다. 돌출부(472b)와 노치(469) 사이에 완전한 맞물림이 없을 때, 도 5d에 도시된 바와 같이 거리(486)는 더 작다(즉, 6.02 ㎜). 이러한 거리 측정은 웨이퍼(20)의 노치 검색기(472)와 노치(469) 사이에 완전한 맞물림이 있는지 아닌지 여부를 확인하는데 사용된다.
도 7 내지 도 16을 참조하면, 챔버(210)는 스크류들(109)에 의해 챔버(210)의 정상부(109)에 제거 가능하게 부착되는 정상 리드(212a)를 포함한다. 상기 언급되었던 바와 같이, 3 개의 조절 메커니즘들(110A, 110B, 110C)이 프로세스 챔버 구역(202)의 외측에 위치되고 정상 리드(212a)의 외측으로부터 접근 가능하다. 각각의 조절 메커니즘(110A, 110B, 110C)은 제거 가능한 커버(111) 그리고 접촉(130)을 감지하기 위해, 텐션(140)을 조절하기 위해 그리고 정상 척(222)을 레벨링(120)하기 위해 사용되는 구성요소들을 포함한다. 도 10a에 도시된 바와 같이, 커버(111)는 제거되고 3 개의 구성요소들(120, 130, 140)의 조절 요소들(122, 132, 142) 각각은 이들이 상부 척(222)의 레벨링, 접촉 및 텐션을 조절하기 위해 정상으로부터 작동될 수 있도록 노출된다. 모든 조절들은 챔버(210)가 진공 압력에 또는 대기압에 있는 동안 수행될 수 있다.
도 10b 내지 도 12를 참조하면, 조절 메커니즘(110A)은 레벨링 조절 구성요소(120), 접촉 감지 구성요소(130) 및 텐션 조절 구성요소(140)를 포함한다. 도 11b에 도시된 바와 같이, 구성요소 진공 시일 커버(114)를 통한 이송 관통 디자인(150)은 대응하는 조절 요소들 및 센서들(122, 132, 142)이 프로세스 챔버(202)의 외측에 위치되는 것을 가능하게 한다. 각각의 조절 메커니즘은, 도 11a에 도시된 바와 같이, 척(222) 사전 로드 힘을 정확하게 측정하기 위한 로드 셀(160)을 또한 포함한다. 향상된 저마찰 베어링을 통하여 안내되는 척 정렬 핀(240)이 도 11b에 또한 도시된다.
도 12 및 도 14에 도시된 바와 같이, 레벨링 구성요소(120)는 레벨링 조절 마이크로미터(122), 마이크로미터 샤프트(126) 및 마이크로미터 잠금 클램프(124)를 포함한다. 마이크로미터(122)는 1 마이크로미터의 해상도를 갖고 잠금 클램프(124)는 마이크로미터가 바람직한 레벨로 설정된 후에 마이크로미터의 위치를 잠금하는데 사용된다. 마이크로미터 샤프트(126)는 지지 플레이트(115)의 개구를 통과하고 피봇 아암(116)의 단부(116a)에 접촉하는 말단부(126a)를 갖는다. 피봇 아암(116)은 피봇(118)을 통하여 지지 플레이트(115)에 피봇식으로 연결된다. 단부(116a)는 척 사전 로드 힘을 정확하게 측정하는데 사용되는 힘 로드 셀(160)을 또한 포함한다. 피봇 아암(116)의 대향 단부(116b)는 접촉 센서(132)의 이송 관통 샤프트(138)에 연결된다. 이송 관통 샤프트(138)는 피봇 아암의 단부(116b)에 형성되는 개구를 통과한다. 접촉 감지 구성요소(130)는 케이블(134) 및 접지부(136)를 통하여 제공되는 24V 신호를 통하여 전력이 공급되는 접촉 센서(132)를 포함한다. 접촉 센서(132)는 벨로우(137)에 의해 둘러싸이는 이송 관통 샤프트(138)에 연결된다. 접촉 감지 구성요소(130)는 접촉 가이드 및 사전 로드 스프링(135), 및 구형(spherical) 베어링 계면(133)을 또한 포함한다. 구형 베어링 계면(133)은 이송 관통 샤프트(138)를 둘러싸고 피봇 아암 단부(116b)에 의해 지지되는 스러스트 와셔(thrust washer)(131)와 접촉한다. 이송 관통 샤프트(138)의 말단부(138a)는 상부 척(222)의 정상 표면에 단단하게 부착된다. 이송 관통 샤프트(138)는 낮은 열 팽창 계수(CTE)를 갖는 재료로 만들어진다. 하나의 예에서, 이송 관통 샤프트(138)는 인바(invar)로 만들어진다. 상부 척(222)과 이송 관통 샤프트(138) 사이의 열 격리가 열 중단점(thermal break point)(166)를 통하여 제공된다.
마이크로미터(122)를 시계방향으로 회전시키는 것은 마이크로미터 샤프트(126)를 방향(127a)을 따라 아래로 이동시킨다. 상기 언급되었던 바와 같이, 마이크로미터 샤프트(126)의 말단부(126a)는 피봇(118) 주위에서 피봇하는 피봇 아암(116)의 단부(116a)에 연결된다. 마이크로미터 샤프트(126)를 방향(127a)을 따라 아래로 이동시키는 것은, 피봇 아암(116)의 단부(116a)를 아래로 그리고 단부(116b)를 위로 이동시킨다. 피봇 아암(116)의 단부(116b)가 이송 관통 샤프트(138)에 연결되기 때문에, 단부(116b)의 상방 모션은 이송 관통 샤프트(138)를 방향(139a)을 따라 위로 이동시킨다. 마이크로미터(122)를 반시계방향으로 회전시키는 것은, 마이크로미터 샤프트(126)를 방향(127b)을 따라 위로 이동시킨다. 마이크로미터 샤프트(126)를 방향(127b)을 따라 위로 이동시키는 것은, 피봇 아암(116)의 단부(116a)를 위로 그리고 단부(116b)를 아래로 이동시킨다. 단부(116b)의 하방 모션은 이송 관통 샤프트(138)를 방향(139b)을 따라 아래로 이동시킨다. 상부 척(222) 및 상부 척(222)에 단단하게 부착되는 이송 관통 샤프트(138)의 말단부(138a)가 하부 척 또는 기판을 유지하고 있는 하부 척의 접근에 의해 상방으로 이동될 때, 접촉 센서(132)가 신호를 등록한다.
도 15를 참조하면, 각각의 척 정렬 핀(240)은 향상된 저마찰 베어링을 통하여 안내된다. 저마찰 베어링은 볼 베어링 부싱(170), 볼 베어링 케이스(171) 및 이동하는 안내 샤프트(174)를 둘러싸는 베이스 블록(172)을 포함한다. 핀들(240)은 상부 척 위치지정 블록들(179)에 접촉하는 척 보유(retention) 하드웨어(176)를 또한 포함한다. 각각의 핀(240)은 또한 안내 핀 개구(177)를 또한 포함한다.
도 16을 참조하면, 텐션 조절 구성요소(140)는 방향(145)을 따라 텐션 스프링(144)을 연장 또는 수축시킴으로써 척(222) 상방 텐션을 조절하기 위해 회전되는 스크류(142)를 포함한다. 스크류(142)는 관통공(142b) 내에 보유되고 스위블(swivel) 베어링 캡쳐(capture)(149)를 갖는 플러그(148)를 포함한다. 스위블 베어링 캡쳐(149)는 스위블 베어링(147)을 보유한다. 스위블 베어링(147)은 스프링(144)의 기단부(144b)에서 루프를 캡쳐하는 말단부(147a)에 후크를 갖는다. 스프링(144)의 말단부(144a)는 상부 척 위치지정 블록(141)에 위치되는 스프링 앵커(141a)에 형성되는 후크와 맞물리는 후크를 갖는다. 스크류(142)는 외부 나사산들(142a)을 포함하고 이 나사산들은 이들이 베이스 블록(152) 및 시일 커버(114)에 형성되는 이송 관통 개구(158)의 내부 벽에 형성되는 내부 나사산들(158a)과 맞물리도록 위치되고 구성된다. 텐션 스프링(144)의 상방 모션은 원형 클립들(146)에 의해 제한된다.
작동시, 정상 척(222)의 레벨링, 텐셔닝 및 포지셔닝은 3 개의 조절 메커니즘(110A, 110B, 110C)의 레벨링, 텐션 및 접촉 구성요소들에 의해 제어된다. 하나의 실시예에서, 레벨링 및 텐션 구성요소들은 각각 마이크로미터(122) 및 스크류(142)를 회전시킴으로써 수동으로 조절되고, 접촉은 컴퓨터 어플리케이션(50)을 통하여 안내된다. 도 17을 참조하면, 컴퓨터 어플리케이션(50)의 스크린(51)은 대응하는 조절 메커니즘(110a, 110B, 110C)의 3 개의 접촉 센서들(A, B, C)의 이미지(52), 이들의 위치(54), 평균값(56) 및 델타 값(57)을 포함한다. 정상 척(222)은 블록 구역(58)에서 설정된 높이로 이동하도록 설정되고 그 후 접촉은 조절 메커니즘들(110A, 110B, 110C)의 접촉 센서들을 통하여 안내된다. 2 개의 웨이퍼들(20, 30)이 서로 접촉할 때, 정상 척(222)은 상방으로 이동하여 센서(132)가 접지부(136)로부터 분리되는 것을 야기하고 따라서 접촉 센서(132)는 신호를 등록한다. 센서(132)가 신호를 등록할 때 대응하는 센서(A, B, C)의 이미지(52)는 스크린(51)에서 빛나게 된다. 모션의 속도는 정상 척의 예상되는 접촉 위치 전에 사용자 정의 거리에서 느려진다. 도 17의 예에서, 정상 척(222)은 13400 마이크로미터의 접촉 위치(59)로 이동하도록 설정된다. 접착제를 포함하는 2 개의 웨이퍼 적층의 두께(62)는 1700 마이크로미터이다. 접촉 위치에서 웨이퍼 적층의 두께를 빼는 것은 11700 마이크로미터의 최종 위치(61)를 초래한다. 어플리케이션(50)은 구성 가능한 "접근" 위치로 이동하기 위한 제어기에 대한 것이고 그 후 이는 접촉이 센서들(A, B 및 C)에 의해 검출될 때까지 구성 가능한 더 느린 속도 동작을 사용한다. 각각의 센서를 위한 접촉 위치는 컬럼들(54), 컬럼(56)의 평균 및 컬럼(57)의 델타에 표시된다. 다른 실시예들에서, 레벨링 및 텐션 구성요소들은 컴퓨터 어플리케이션(50)을 통하여 또한 조절된다.
도 18a 내지 도 21을 참조하면, 하나의 실시예에서, 하부 블록 조립체(230)는 정전 하부 히터 척(232)을 포함한다. 정전 척(232)은 웨이퍼(20)를 단단하게 잠금된 위치로 유지하고 챔버의 진동들, 열 팽창 또는 가스 유동으로 인한 우발적인 웨이퍼 이동을 방지한다. 정전 척(232)은 일체형 가열 와이어들 및 얇은 유전체 층(270)을 정상부에 갖는 세라믹 히터를 포함한다. 전력은 전기 상호 연결부들(260)을 통하여 정전 척(232)에 제공된다. 이러한 실시예에서 전기 상호 연결부들(260)은 전극 블록(262) 및 크림프 페룰(crimp ferrule)(264)에 의해 둘러싸이는 와이어 컨덕터(263)를 포함한다. 전극 블록(262)은 세라믹 히터(232)의 바닥에서 납땜되고 크림프 페룰(264) 및 컨덕터(263)의 정상에 놓인다. 블록(262), 페룰(264) 및 컨덕터(263)는, 도 19b에 도시된 바와 같이, 에지들에 형성되는 개구(267) 내에 그리고 하부 척 표면 아래에 하우징된다. 블록(262)은 컨덕터(263)에 맞닿아 프레스하고 컨덕터(263)는 개구(26)의 바닥에 위치되는 금속 클램핑 디스크(265)에 맞닿아 프레스한다. 금속 클램핑 디스크는 웨이브 타입 스프링 와셔(266)에 맞닿아 프레스한다.
본 발명의 몇몇 실시예들이 설명되었다. 그럼에도불구하고, 다양한 수정들이 본 발명의 사상 및 범주로부터 이탈함이 없이 이루어질 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 다른 실시예들은 이하의 청구항들의 범주 내에 있다.

Claims (25)

  1. 웨이퍼 접착기 장치로서,
    제 1 웨이퍼를 지지하도록 구성되는 하부 척(chuck);
    제 2 웨이퍼를 지지하도록 구성되는 상부 척으로서, 제 2 웨이퍼는 제 1 웨이퍼에 대향하여 배열되는, 상부 척;
    상기 상부 척과 하부 척 사이에 형성되는 프로세스 챔버;
    서로로부터 이격되어 정상 리드 주위에 배열되며 상기 프로세스 챔버의 외측에 위치되는 3 개의 조절 메커니즘들을 포함하고,
    각각의 조절 메커니즘은
    상기 상부 척에 대한 접촉을 감지하기 위한 구성요소;
    상기 상부 척의 사전 로드 힘(pre-load force)을 조절하기 위한 구성요소; 및
    상기 상부 척을 레벨링(leveling)하기 위한 구성요소를 포함하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    각각의 조절 메커니즘은 정상 리드를 통과하고 상부 척의 정상 표면에 단단하게 부착되는 말단부 및 정상 리드를 통하여 돌출하는 기단부를 포함하는 이송 관통 샤프트를 더 포함하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 이송 관통 샤프트는 2 x 10-6K-1 미만의 열 팽창 계수(CTE)를 갖는 재료를 포함하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 이송 관통 샤프트는 인바(Invar) 재료를 포함하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이송 관통 샤프트는 열 중단점(thermal break point)들을 통하여 상부 척으로부터 열적으로 격리되는, 웨이퍼 접착기 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 척의 레벨링을 위한 구성요소는 마이크로미터, 마이크로미터 샤프트, 피봇 아암 및 지지 플레이트를 포함하고, 상기 피봇 아암은 지지 플레이트에 피봇식으로 연결되고 마이크로미터 샤프트의 말단부에 연결되는 제 1 단부, 및 이송 관통 샤프트에 연결되는 제 2 단부를 포함하고, 상기 마이크로미터는 적어도 1 마이크로미터의 해상도를 포함하고 마이크로미터 샤프트의 기단부에 부착되고, 상기 마이크로미터의 회전 모션은 마이크로미터 샤프트의 선형 모션을 야기하고, 상기 마이크로미터 샤프트의 선형 모션은 이송 관통 샤프트의 선형 모션을 야기하고, 이에 의해 부착된 상부 척의 레벨을 조절하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 척의 레벨링을 위한 구성요소는 마이크로미터의 위치를 잠금하도록 구성되는 마이크로미터 잠금 클램프를 더 포함하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 조절 메커니즘은 상부 척 사전 로드 힘을 측정하기 위한 센서를 더 포함하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 척에 대한 접촉을 감지하기 위한 구성요소는 접촉 센서를 포함하고, 상기 접촉 센서는 이송 관통 샤프트의 기단부에 연결되고, 상부 척의 바닥 표면의 접촉은 상부 척 및 부착된 이송 관통 샤프트가 이동하는 것을 야기하고, 상기 접촉 센서가 신호를 등록하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 상부 척에 대한 접촉을 감지하기 위한 구성요소는 접촉 가이드 및 사전 로드 스프링, 및 구형(spherical) 베어링 계면을 더 포함하고, 상기 구형 베어링 계면은 이송 관통 샤프트를 둘러싸는 스러스트 와셔(thrust washer)에 접촉하도록 구성되는, 웨이퍼 접착기 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 척의 사전 로드 힘을 조절하기 위한 구성요소는 스크류 및 텐션 스프링을 포함하고, 상기 텐션 스프링은 상부 척의 정상 표면에 연결되는 말단부 및 스크류에 연결되는 기단부를 갖고, 상기 스크류를 회전하는 것은 스프링 텐션을 조절하고, 이에 의해 상부 척의 사전 로드 힘을 조절하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 스크류는 스위블 베어링 캡쳐(swivel bearing capture)를 갖는 플러그를 더 포함하고, 상기 스위블 베어링 캡쳐는 텐션 스프링의 기단부에 연결되는 스위블 베어링을 보유하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 상부 척의 사전 로드 힘을 조절하기 위한 구성요소는 텐션 스프링의 상방 모션을 제한하도록 구성되는 원형 클립을 더 포함하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 3 개의 조절 메커니즘들의 이미지들 및 위치들을 디스플레이(display) 상에 제공하도록, 그리고 접촉 감지를 위한 구성요소를 통하여, 상부 척의 모션을 제어하고 안내하도록 구성되는 컴퓨터 어플리케이션(application)을 더 포함하고, 상기 상부 척에 대한 접촉이 검출될 때, 접촉이 발생되는 조절 메커니즘들의 이미지들이 켜지는, 웨이퍼 접착기 장치.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 척은 정전(electrostatic) 척을 포함하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 정전 척은 일체형 가열 와이어들, 세라믹 히터의 정상 표면의 얇은 유전체 층 및 전기 상호 연결부들을 갖는 세라믹 히터를 포함하는, 웨이퍼 접착기 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 전기 상호 연결부들은 전극 블록, 그리고 크림프 페룰(crimp ferrule)에 의해 둘러싸이는 와이어 컨덕터를 포함하고, 상기 전극 블록은 세라믹 히터의 바닥 표면에 납땜되고 크림프 페룰의 정상에 놓이며, 상기 전극 블록, 크림프 페룰 및 와이어 컨덕터는 세라믹 히터의 바닥 표면의 에지에 형성되는 에지 개구 내에 위치되는, 웨이퍼 접착기 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    금속 클램핑 디스크 및 스프링 와셔를 더 포함하고, 상기 금속 클램핑 디스크 및 스프링 와셔는 또한 에지 개구 내에 위치되고, 상기 전극 블록은 크림프 페룰에 맞닿아 프레스되고, 상기 크림프 페룰은 클램핑 디스크에 맞닿아 프레스되고, 상기 클램핑 디스크는 스프링 와셔에 맞닿아 프레스되는, 웨이퍼 접착기 장치.
  19. 웨이퍼 접합 방법으로서,
    제 1 웨이퍼를 지지하도록 구성되는 하부 척을 제공하는 단계;
    제 2 웨이퍼를 지지하도록 구성되는 상부 척을 제공하는 단계로서, 상기 제 2 웨이퍼는 제 1 웨이퍼에 대향하여 배열되는, 상부 척을 제공하는 단계;
    상기 상부 척과 하부 척 사이에 형성되는 프로세스 챔버를 제공하는 단계;
    서로로부터 120°의 각도로 정상 리드 주위에 배열되고 프로세스 챔버의 외측에 위치되는 3 개의 조절 메커니즘들을 제공하는 단계를 포함하며, 각각의 조절 메커니즘은 상부 척에 대한 접촉을 감지하기 위한 구성요소, 상부 척의 사전 로드 힘을 조절하기 위한 구성요소, 및 상부 척의 레벨링을 위한 구성요소를 포함하는, 웨이퍼 접합 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 사전 로드 힘을 수동으로 조절하고, 상기 상부 척을 레벨링하며, 컴퓨터 어플리케이션을 통하여 상부 척에 대한 접촉을 안내하는 단계를 더 포함하는, 웨이퍼 접합 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 컴퓨터 어플리케이션은 3개의 조절 메커니즘들의 이미지들 및 위치들을 디스플레이 상에 제공하도록, 그리고 접촉을 감지하기 위한 구성요소를 통하여 상부 척의 모션을 제어하고 안내하도록 구성되고, 상기 상부 척에 대한 접촉이 검출될 때 접촉이 발생되는 조절 메커니즘들의 이미지들이 켜지는, 웨이퍼 접합 방법.
  22. 웨이퍼 접합기 장치로서,
    제 1 웨이퍼를 지지하도록 구성되는 하부 척;
    제 2 웨이퍼를 지지하도록 구성되는 상부 척으로서, 상기 제 2 웨이퍼는 제 1 웨이퍼에 대향하여 배열되는, 상부 척;
    상부 척과 하부 척 사이에 형성되는 프로세스 챔버를 포함하며,
    상기 하부 척은 정전 척을 포함하는, 웨이퍼 접합기 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 정전 척은 일체형 가열 와이어들, 세라믹 히터의 정상 표면의 얇은 유전체 층 및 전기 상호 연결부들을 갖는 세라믹 히터를 포함하는, 웨이퍼 접합기 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 전기 상호 연결부들은 전극 블록, 그리고 크림프 페룰에 의해 둘러싸이는 와이어 컨덕터를 포함하고, 상기 전극 블록은 세라믹 히터의 바닥 표면에 납땜되고 크림프 페룰의 정상에 놓이고, 상기 전극 블록, 크림프 페룰 및 와이어 컨덕터는 세라믹 히터의 바닥 표면의 에지에 형성되는 에지 개구 내에 위치되는, 웨이퍼 접합기 장치. .
  25. 제 24 항에 있어서,
    금속 클램핑 디스크 및 스프링 와셔를 더 포함하고, 상기 금속 클램핑 디스크 및 스프링 와셔는 또한 에지 개구 내에 위치되고, 상기 전극 블록은 크림프 페룰에 맞닿아 프레스되고, 상기 크림프 페룰은 클램핑 디스크에 맞닿아 프레스되고, 상기 클램핑 디스크는 스프링 와셔에 맞닿아 프레스되는, 웨이퍼 접합기 장치.
KR1020167003932A 2013-07-17 2014-07-16 반도체 웨이퍼 레벨링, 힘 밸런싱 및 접촉 감지를 위한 장치 및 방법 KR102186211B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361847118P 2013-07-17 2013-07-17
US61/847,118 2013-07-17
US14/330,536 US9837295B2 (en) 2010-04-15 2014-07-14 Apparatus and method for semiconductor wafer leveling, force balancing and contact sensing
US14/330,536 2014-07-14
PCT/EP2014/065315 WO2015007803A2 (en) 2013-07-17 2014-07-16 Apparatus and method for semiconductor wafer leveling, force balancing and contact sensing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160032208A true KR20160032208A (ko) 2016-03-23
KR102186211B1 KR102186211B1 (ko) 2020-12-04

Family

ID=51390092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167003932A KR102186211B1 (ko) 2013-07-17 2014-07-16 반도체 웨이퍼 레벨링, 힘 밸런싱 및 접촉 감지를 위한 장치 및 방법

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9837295B2 (ko)
JP (1) JP6337108B2 (ko)
KR (1) KR102186211B1 (ko)
CN (1) CN105474379B (ko)
AT (1) AT517895B1 (ko)
DE (1) DE112014003320B4 (ko)
WO (1) WO2015007803A2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110729219A (zh) * 2019-10-25 2020-01-24 江苏佳晟精密设备科技有限公司 一种半导体研磨机组件
KR102218347B1 (ko) * 2019-08-20 2021-02-22 주식회사 씨이텍 척 레벨링 시스템

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017103212B4 (de) * 2016-02-24 2024-01-25 Suss Microtec Lithography Gmbh Halbleiterstruktur-Bondungsvorrichtung und zugehörige Techniken
KR102395194B1 (ko) 2017-06-21 2022-05-06 삼성전자주식회사 웨이퍼 본딩 장치 및 그 장치를 포함한 웨이퍼 본딩 시스템
CN107598802B (zh) * 2017-08-25 2019-04-09 北京理工大学 一种用于精密装配的柔性保护夹具
CN107984328A (zh) * 2017-12-27 2018-05-04 常州市好利莱光电科技有限公司 一种倒角工装及倒角机
KR102068639B1 (ko) * 2018-11-15 2020-01-21 무진전자 주식회사 웨이퍼 가압력 사전 측정 장치
CN114334700A (zh) * 2020-09-29 2022-04-12 长鑫存储技术有限公司 半导体设备电极板的安装治具
CN112309916B (zh) * 2020-10-28 2024-01-26 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 芯片拼接基版调平方法
CN115816264B (zh) * 2022-12-20 2023-07-28 杭州天桴光电技术有限公司 氟化物晶体锭圆柱体端面快速抛光加工装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020180466A1 (en) * 2000-05-26 2002-12-05 Yasuji Hiramatsu Semiconductor manufacturing and inspecting device
JP2007005335A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板接合方法および基板接合装置
US20090141418A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Jae Seok Hwang Electrostatic chuck and apparatus having the same
US8267143B2 (en) * 2009-04-16 2012-09-18 Suss Microtec Lithography, Gmbh Apparatus for mechanically debonding temporary bonded semiconductor wafers

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4189230A (en) 1977-10-26 1980-02-19 Fujitsu Limited Wafer holder with spring-loaded wafer-holding means
JP2862754B2 (ja) 1993-04-19 1999-03-03 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び回転部材
US6183354B1 (en) 1996-11-08 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
JP3578194B2 (ja) 1997-03-18 2004-10-20 株式会社東京精密 ウェーハ位置決め方法及び装置
US8092707B2 (en) 1997-04-30 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication
US6398621B1 (en) 1997-05-23 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Carrier head with a substrate sensor
US6073576A (en) 1997-11-25 2000-06-13 Cvc Products, Inc. Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment
US6216883B1 (en) 1998-07-24 2001-04-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wafer holding hand
US6217034B1 (en) 1998-09-24 2001-04-17 Kla-Tencor Corporation Edge handling wafer chuck
US6143147A (en) 1998-10-30 2000-11-07 Tokyo Electron Limited Wafer holding assembly and wafer processing apparatus having said assembly
US20020066475A1 (en) 2000-06-26 2002-06-06 Steven Verhaverbeke Chuck for holding wafer
US6485248B1 (en) 2000-10-10 2002-11-26 Applied Materials, Inc. Multiple wafer lift apparatus and associated method
US6692219B2 (en) 2000-11-29 2004-02-17 Tokyo Electron Limited Reduced edge contact wafer handling system and method of retrofitting and using same
US6827092B1 (en) 2000-12-22 2004-12-07 Lam Research Corporation Wafer backside plate for use in a spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same
US6612590B2 (en) 2001-01-12 2003-09-02 Tokyo Electron Limited Apparatus and methods for manipulating semiconductor wafers
AT502233B1 (de) 2001-06-07 2007-04-15 Thallner Erich Vorrichtung zum lösen eines trägers von einer halbleiterscheibe
US20040186622A1 (en) * 2001-07-12 2004-09-23 Takashi Aiuchi Wafer processing apparatus and transfer device adjustment system
US6652656B2 (en) 2001-07-24 2003-11-25 Tokyo Electron Limited Semiconductor wafer holding assembly
US6682113B2 (en) 2001-11-16 2004-01-27 Applied Materials, Inc. Wafer clamping mechanism
US6638835B2 (en) 2001-12-11 2003-10-28 Intel Corporation Method for bonding and debonding films using a high-temperature polymer
JP3918556B2 (ja) 2001-12-28 2007-05-23 三菱電機株式会社 貼付けウエハ分離装置および貼付けウエハ分離方法
JP3956350B2 (ja) 2002-03-25 2007-08-08 東京エレクトロン株式会社 位置決め機能を有する基板処理装置及び位置決め機能を有する基板処理方法
US7367773B2 (en) 2002-05-09 2008-05-06 Maxtor Corporation Apparatus for combining or separating disk pairs simultaneously
US7534498B2 (en) 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
US6638391B1 (en) 2002-06-19 2003-10-28 United Microelectronics Corp. Wafer carrier assembly for a chemical mechanical polishing apparatus and a polishing method using the same
US6932558B2 (en) 2002-07-03 2005-08-23 Kung Chris Wu Wafer aligner
US7018555B2 (en) 2002-07-26 2006-03-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
US7410919B2 (en) 2003-06-27 2008-08-12 International Business Machines Corporation Mask and substrate alignment for solder bump process
US7654596B2 (en) 2003-06-27 2010-02-02 Mattson Technology, Inc. Endeffectors for handling semiconductor wafers
JP2005026608A (ja) 2003-07-02 2005-01-27 Tokyo Electron Ltd 接合方法および接合装置
JP2005051055A (ja) 2003-07-29 2005-02-24 Tokyo Electron Ltd 貼合せ方法および貼合せ装置
US7578886B2 (en) 2003-08-07 2009-08-25 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus
JP4130167B2 (ja) 2003-10-06 2008-08-06 日東電工株式会社 半導体ウエハの剥離方法
JP4405246B2 (ja) 2003-11-27 2010-01-27 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体チップの製造方法
JP2005209954A (ja) 2004-01-23 2005-08-04 Kawasaki Heavy Ind Ltd 基板保持装置
US7296777B2 (en) 2004-03-24 2007-11-20 Nikon Corporation Acceleration clamp assist
JP3909770B2 (ja) 2004-03-29 2007-04-25 川崎重工業株式会社 基板把持装置
US7201642B2 (en) 2004-06-17 2007-04-10 Systems On Silicon Manufacturing Co. Pte. Ltd. Process for producing improved membranes
US7703823B2 (en) 2004-07-12 2010-04-27 Rudolph Technologies, Inc. Wafer holding mechanism
KR100583522B1 (ko) 2005-01-05 2006-05-25 삼성에스디아이 주식회사 기판 고정 트레이, 이를 이용한 기판 정렬 시스템 및 그방법
US8545165B2 (en) 2005-03-30 2013-10-01 Brooks Automation, Inc. High speed substrate aligner apparatus
JP5155517B2 (ja) 2005-04-21 2013-03-06 株式会社荏原製作所 ウエハ受渡装置及びポリッシング装置
US7462552B2 (en) 2005-05-23 2008-12-09 Ziptronix, Inc. Method of detachable direct bonding at low temperatures
US7589406B2 (en) 2005-06-27 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Stacked semiconductor component
US7712808B2 (en) 2005-09-29 2010-05-11 Brooks Automation, Inc. End effector with centering grip
DE102005055769A1 (de) 2005-11-21 2007-05-24 Tesa Ag Verfahren zur temporären Fixierung eines polymeren Schichtmaterials auf rauen Oberflächen
JP4687566B2 (ja) 2006-05-24 2011-05-25 ティアック株式会社 ディスク装置
DE102006031434B4 (de) 2006-07-07 2019-11-14 Erich Thallner Handhabungsvorrichtung sowie Handhabungsverfahren für Wafer
US20080014532A1 (en) 2006-07-14 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Laminate body, and method for manufacturing thin substrate using the laminate body
US20080200011A1 (en) 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
JP2008108991A (ja) 2006-10-27 2008-05-08 Daihen Corp ワーク保持機構
US7750657B2 (en) * 2007-03-15 2010-07-06 Applied Materials Inc. Polishing head testing with movable pedestal
US7789443B2 (en) 2007-03-16 2010-09-07 Axcelis Technologies, Inc. Workpiece gripping device
US20080302481A1 (en) 2007-06-07 2008-12-11 Tru-Si Technologies, Inc. Method and apparatus for debonding of structures which are bonded together, including (but not limited to) debonding of semiconductor wafers from carriers when the bonding is effected by double-sided adhesive tape
US7935780B2 (en) 2007-06-25 2011-05-03 Brewer Science Inc. High-temperature spin-on temporary bonding compositions
US20090017323A1 (en) 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
FR2925978B1 (fr) 2007-12-28 2010-01-29 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de separation d'une structure.
CN101925996B (zh) 2008-01-24 2013-03-20 布鲁尔科技公司 将器件晶片可逆地安装在载体基片上的方法
DE102008018536B4 (de) 2008-04-12 2020-08-13 Erich Thallner Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger
JP4796182B2 (ja) 2008-11-21 2011-10-19 三菱重工業株式会社 ウェハ接合装置
US8752872B2 (en) 2009-09-14 2014-06-17 Fabworx Solutions, Inc. Edge grip end effector
JP5491834B2 (ja) 2009-12-01 2014-05-14 川崎重工業株式会社 エッジグリップ装置、及びそれを備えるロボット。
US8801069B2 (en) 2010-02-26 2014-08-12 Brooks Automation, Inc. Robot edge contact gripper
US8702142B2 (en) 2011-01-05 2014-04-22 Electro Scientific Industries, Inc. Apparatus and method for handling a substrate
JP5845618B2 (ja) * 2011-04-27 2016-01-20 株式会社ニコン 基板貼り合わせ装置、基板貼り合わせ方法および重ね合わせ基板
KR102011159B1 (ko) 2011-08-12 2019-08-14 엔테그리스, 아이엔씨. 웨이퍼 캐리어
KR102073802B1 (ko) * 2012-04-25 2020-02-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 에지 측정 및 제어
US8776363B2 (en) 2012-05-23 2014-07-15 United Microelectronics Corp. Method for supporting semiconductor wafer and wafer supporting assembly
JP2014086472A (ja) 2012-10-19 2014-05-12 Sinfonia Technology Co Ltd クランプ装置及びワーク搬送ロボット
TWI636518B (zh) 2013-04-23 2018-09-21 荏原製作所股份有限公司 基板處理裝置及處理基板之製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020180466A1 (en) * 2000-05-26 2002-12-05 Yasuji Hiramatsu Semiconductor manufacturing and inspecting device
JP2007005335A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板接合方法および基板接合装置
US20090141418A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Jae Seok Hwang Electrostatic chuck and apparatus having the same
US8267143B2 (en) * 2009-04-16 2012-09-18 Suss Microtec Lithography, Gmbh Apparatus for mechanically debonding temporary bonded semiconductor wafers

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102218347B1 (ko) * 2019-08-20 2021-02-22 주식회사 씨이텍 척 레벨링 시스템
CN110729219A (zh) * 2019-10-25 2020-01-24 江苏佳晟精密设备科技有限公司 一种半导体研磨机组件
CN110729219B (zh) * 2019-10-25 2021-12-07 江苏佳晟精密设备科技有限公司 一种半导体研磨机组件

Also Published As

Publication number Publication date
JP6337108B2 (ja) 2018-06-06
AT517895B1 (de) 2019-07-15
AT517895A1 (de) 2017-05-15
US10580678B2 (en) 2020-03-03
DE112014003320T5 (de) 2016-03-31
CN105474379A (zh) 2016-04-06
WO2015007803A3 (en) 2015-03-19
KR102186211B1 (ko) 2020-12-04
CN105474379B (zh) 2018-06-22
US20180102270A1 (en) 2018-04-12
DE112014003320B4 (de) 2021-12-16
JP2016525285A (ja) 2016-08-22
US9837295B2 (en) 2017-12-05
WO2015007803A2 (en) 2015-01-22
US20140318683A1 (en) 2014-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102186211B1 (ko) 반도체 웨이퍼 레벨링, 힘 밸런싱 및 접촉 감지를 위한 장치 및 방법
KR102287894B1 (ko) 웨이퍼의 정렬 및 중심맞춤을 위한 장치 및 방법
JP6071027B2 (ja) プローバ
US8149005B2 (en) Jig for detecting position
JP2004140296A (ja) 被検査体を温度制御するプローブ装置及びプローブ検査方法
JP4836684B2 (ja) 検査ステージ及び検査装置
JP4234190B1 (ja) 基板測定用ステージ
KR20110138144A (ko) 위치 결정 장치, 기판 처리 장치 및 기준 부재의 고정 방법
KR20220005507A (ko) 탑재대, 검사 장치 및 온도 교정 방법
WO2016159156A1 (ja) プローバ
JPH11111787A (ja) ウエハ用検査装置
KR101452121B1 (ko) 디스플레이 셀들을 검사하기 위한 장치
US20200049762A1 (en) Probe apparatus, probe inspection method, and storage medium
TW200424093A (en) Method for positioning a substrate and inspecting apparatus using same
KR102350557B1 (ko) 다이 본딩 방법 및 다이 본딩 장치
JP4959669B2 (ja) プローブ装置
JP2022175805A (ja) プローバ及びプローブアライメント方法
TW202401025A (zh) 電子構件處理裝置及電子構件測試裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right