KR20150129614A - 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법 및 플럭스용 세정제 조성물 - Google Patents

땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법 및 플럭스용 세정제 조성물 Download PDF

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Abstract

회로 기판 상의 일부의 전극에 땜납을 고화시키지 않고 다른 일부의 전극에 땜납을 고화시키는 공정 후, 땜납을 고화시키고 있지 않은 상기 전극의 변색을 억제할 수 있는, 땜납이 고화된 회로 기판의 제공.
하기 공정 (1) ∼ (4) 를 포함하는 회로 기판의 제조 방법.
(1) 지지 기재의 제 1 영역 및 제 2 영역에 회로를 형성하는 전극을 갖는 회로 기판의 금속 도전부를 금속 처리제 A 로 처리하는 공정.
(2) 공정 (1) 에서 얻어진 회로 기판의 제 1 영역의 전극에 플럭스 B 및 땜납을 사용하여 땜납을 고화시키는 공정.
(3) 공정 (2) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 플럭스 잔사를, 글리콜에테르, 알칸올아민인, 및 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 함유하는 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정.
(4) 공정 (3) 에 이어서, 회로 기판의 제 2 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.
Figure pat00012

Description

땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법 및 플럭스용 세정제 조성물{METHOD FOR MANUFACTURING SOLDERED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR MANUFACTURING CIRCUIT BOARD HAVING ELECTRONIC COMPONENT MOUNTED THEREON, AND CLEANING AGENT COMPOSITION FOR FLUX}
본 발명은 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법 및 플럭스용 세정제 조성물에 관한 것이다.
반도체 패키지 등의 전자 기판의 회로를 형성하는 전극은 제조 비용을 저감하기 위해서 구리, 구리 합금 등의 금속이 사용되고 있다.
한편, 프린트 배선판의 실장 방법으로서 실장 밀도를 향상시킨 표면 실장이 널리 채용되고 있다. 이와 같은 표면 실장 방법의 일례로서 양면 표면 실장이 있다. 양면 표면 실장에서는, 프린트 배선판의 양면에 땜납을 고화시키기 위해서, 2 회 이상의 프린트 배선판을 가열하는 공정과 2 회 이상의 프린트 배선판을 세정하는 공정이 필요하다. 또, 프린트 배선판의 동일 면에 있어서도 복수 형성되어 있는 금속제 도전부 중에서 일부의 금속제 도전부가 납땜 처리되고, 플럭스 잔사의 세정 후, 나머지의 금속제 도전부가 납땜 처리되는 경우도 있다. 이와 같이, 동일한 프린트 배선판이어도 모든 금속제 도전부를 동시에 납땜 처리하는 것은 아니고, 복수 회에 걸쳐서 땜납 처리되는 경우도 있다. 프린트 배선판의 회로부를 구성하는 전극의 구리, 구리 합금 등의 금속 표면은 가열됨으로써 산화 피막의 형성이 촉진되고 변색을 일으켜, 그 도전부 표면의 납땜성을 양호하게 유지하지 못하는 경우가 있다.
이 문제에 대해서 전극의 표면을 수용성 프리플럭스 (pre-flux) 로 처리 (Organic Solderability Preservative : OSP 처리) 하는 방법이 있다. 예를 들어, 일본 공개특허공보 2007-308776호에는, 도전부의 표면에 대한 땜납의 젖음성이 양호해지는 금속의 표면 처리제 (금속 처리제) 로서 이미다졸 화합물과 글루콘산 화합물을 함유하는 금속 처리제가 개시되어 있다.
또, 종래부터의 로진계 플럭스에 대해서 수계의 세정제로 세정할 수 있는 수용성 플럭스가 개발되어 있다. 예를 들어, 일본 공개특허공보 2000-42786호에는, 유기산과 다가 알코올의 에스테르를 주성분으로 하는, 성형 땜납을 사용하는 리플로 납땜용 수용성 플럭스가 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 2009-298940호에는, 글리콜에테르와, 알칸올아민과, 알킬벤젠술폰산을 함유하는 플럭스 세정제가 개시되어 있다.
납땜된 전자 부품 등의 플럭스 잔사를 세정하지 않고 그 전자 부품을 장기적으로 사용하면, 마이그레이션 등이 발생되어 전극 간에서의 쇼트나 접착 불량을 일으키는 경우가 있다. 반도체 장치의 집적화·고밀도화에 수반하여 땜납 범프를 사용한 반도체 칩의 실장 방법은 많이 채용되고 있고, 또한, 추가로 고도의 신뢰성이 요구되고 있다. 따라서, 플럭스 잔사의 세정의 반도체 장치의 제조에 있어서의 중요성은 더욱 높아지고 있다. 예를 들어, 반도체 패키지 기판 등의 제조 공정에 있어서는, 땜납 범프 형성을 위해서 금속 처리제에 의해서 전극 표면의 보호가 미리 행해지고, 계속해서, 전극 상에 대한 플럭스 또는 땜납 페이스트의 도포 및 땜납의 배치, 가열, 그리고 플럭스 잔사 제거를 위한 세정이 행해진다. 그러나, 회로 기판 상의 일부의 전극에 땜납 범프를 형성하고, 또한, 일부의 전극에 땜납 범프를 형성하지 않은 경우, 땜납 범프를 형성하지 않은 전극 상의 금속 처리제가 플럭스 잔사 세정시에 제거되는 경우가 있다. 이로써, 땜납 범프를 형성하지 않은 전극은 땜납 범프 형성 공정까지의 동안에서 산화되고, 변색되어, 땜납 범프 형성시에 있어서의 땜납 젖음성이 나빠져 접속 신뢰성을 확보할 수 없게 된다는 문제가 있다.
본 개시에 있어서 「땜납을 고화시킨다」란, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 전자 부품을 납땜하는 것 (납땜 처리) 및/또는 땜납 범프를 형성하는 것을 말한다. 「땜납이 고화되지 않는다」란, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극이 있음에도 불구하고, 전자 부품을 납땜 처리하지 않은 것 및/또는 땜납 범프를 형성하지 않은 것을 말한다.
본 개시는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 회로 기판 상의 일부의 전극에 땜납을 고화시키지 않고 다른 일부의 전극에 땜납을 고화시키는 공정을 포함하고, 상기 공정 후, 땜납을 고화시키고 있지 않은 상기 전극의 변색을 억제할 수 있는 세정제 조성물을 사용하는, 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법 및 플럭스용 세정제 조성물을 제공한다.
본 발명은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 하기 공정 (1) ∼ (4) 를 포함하는 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
(1) 지지 기재의 제 1 영역 및 제 2 영역에 회로를 형성하는 전극을 갖는 회로 기판의 적어도 제 1 영역의 전극을, 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제 A 로 처리하는 공정.
(2) 공정 (1) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 제 1 영역의 전극에 플럭스 B 의 도포 및 땜납의 배치를 한 후, 회로 기판을 땜납의 액상선 온도 이상의 온도로 가열하여 땜납을 용융시키고, 제 1 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.
(3) 공정 (2) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 플럭스 잔사를 글리콜에테르인 성분 a 와, 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하의 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물인 성분 c 를 함유하는 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정.
[화학식 1]
Figure pat00001
(식 (I) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.)
(4) 공정 (3) 에 이어서, 회로 기판의 제 2 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.
본 발명은 그 밖의 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 적어도 1 개의 전자 부품을 회로 기판 상에 탑재하는 공정을 포함하고, 상기 회로 기판의 적어도 1 개가 본 개시에 관련된 제조 방법에 의해서 제조된 회로 기판인, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 그 밖의 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 글리콜에테르인 성분 a 와, 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하의 상기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물인 성분 c 를 함유하는 플럭스용 세정제 조성물에 관한 것이다.
본 개시에 관련된 제조 방법에 의하면, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 땜납이 고화되어 있지 않은 전극에 있어서의 변색을 억제할 수 있다. 전극의 변색을 억제할 수 있으면, 납땜성이 양호해져 접속 신뢰성이 향상된다. 본 개시에 관련된 제조 방법에 의하면, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 변색 억제에 더하여, 추가로 그 전극 상에 대한 플럭스의 젖음성을 향상시킬 수 있고, 이로써 납땜 상태가 더욱 양호해져 접속 신뢰성을 추가로 향상시킬 수 있다.
도 1 은 회로 기판의 제조 플로의 일례를 개략적으로 설명한 도면.
도 2 는 실시예에서 사용한, 일방의 주면 상에 복수의 영역을 갖는 회로 기판의 일례의 개략을 설명한 도면.
반도체 패키지 기판의 제조 공정은 복수 회의 땜납 범프 형성 공정을 포함하는 경우가 있다. 한정되지 않은 일례인 도 1 에 나타내는 플로에서는, 일방의 주면 상에 제 1 영역의 전극을 구비하고, 타방의 주면 상에 제 2 영역의 전극을 구비하는 회로 기판에 대해서, 공정 (1) 에 있어서 금속 처리제 A 를 사용하여 전극의 표면 처리를 행하고, 공정 (2) 에 있어서 제 1 영역에 땜납 범프를 형성하고, 공정 (4) 에 있어서 제 2 영역에 땜납 범프를 형성하고 있다. 공정 (3) 에서는 공정 (2) 에서 발생된 제 1 영역의 플럭스 잔사를 세정하는데, 이 때 공정 (1) 에서 실시한 제 2 영역의 전극의 표면 처리가 손상되고, 시간 경과, 가열 처리 및 세정 등에 의해서 변색하는 경우가 있다. 이로써 공정 (4) 에 있어서의 납땜 상태가 악화되어 접속 신뢰성이 저해되는 경우가 있다. 본 개시는 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (3) 의 세정에 특정 이미다졸 화합물을 함유하는 플럭스용 세정제 조성물을 사용하면, 땜납 범프가 형성되어 있지 않은 제 2 영역의 전극 변색을 억제할 수 있다는 지견에 기초한다. 또한, 본 개시는 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (3) 의 세정에 특정 이미다졸 화합물을 함유하는 플럭스용 세정제 조성물을 사용하면, 제 2 영역의 전극 변색 억제에 추가하여, 제 2 영역의 전극에 있어서의 땜납의 젖음성을 향상시킬 수 있다는 지견에 기초한다.
즉, 본 개시는 일 양태에 있어서, 하기 공정 (1) ∼ (4) 를 포함하는, 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법 (이하, 「본 개시에 관련된 제조 방법」이라고도 한다) 에 관한 것이다.
(1) 지지 기재의 제 1 영역 및 제 2 영역에 회로를 형성하는 전극을 갖는 회로 기판의 적어도 제 1 영역의 전극을, 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제 A 로 처리하는 공정.
(2) 공정 (1) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 제 1 영역의 전극에 플럭스 B 의 도포 및 땜납의 배치를 한 후, 회로 기판을 땜납의 액상선 온도 이상의 온도로 가열하여 땜납을 용융시키고, 제 1 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.
(3) 공정 (2) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 플럭스 잔사를, 글리콜에테르인 성분 a 와, 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하의 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물인 성분 c 를 함유하는 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정.
[화학식 2]
Figure pat00002
(식 (I) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.)
(4) 공정 (3) 에 이어서, 회로 기판의 제 2 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.
본 개시에 있어서의 지지 기재의 제 1 영역의 전극 및 제 2 영역의 전극이란, 반도체 패키지 기판의 제조 공정에 있어서, 각각 상이한 공정에서 땜납의 고화가 이루어지는 영역의 전극을 의미한다. 즉, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 본 개시에 있어서 「전극의 영역」이란, 1 회의 땜납 고화의 공정에서, 땜납이 고화되는 전극의 범위를 말한다.
제 1 영역의 전극 및 제 2 영역의 전극으로는, 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 양면 실장 기판에 있어서의 표면의 전극 및 이면의 전극을 각각 들 수 있다 (도 1 참조). 그 밖의 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 제 1 영역의 전극 및 제 2 영역의 전극으로는 편면 실장 기판의 동일 주면 상에 있어서의 2 개의 영역에 있어서의 전극을 들 수 있다 (도 2 참조). 회로 기판은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일 주면 상에 3 개 이상의 전극 영역을 구비해도 되고, 또, 2 개의 주면 상에 각각 단독 또는 복수의 영역을 구비하고 있어도 된다. 본 개시에 있어서, 제 1 영역, 제 2 영역, 제 3 영역 등에 있어서의 서수사는 각각의 영역을 구별하기 위한 것으로서 특별히 제한은 없다. 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 상기 서수사는 땜납이 고화되는 차례를 의미하는 경우가 있다.
본 개시에 관련된 제조 방법으로부터, 땜납이 고화되지 않은 전극에 있어서의 변색을 억제할 수 있는 메커니즘의 자세한 것은 분명하지 않지만, 아래와 같이 추측된다. 공정 (3) 에 있어서, 세정제 C 중의 글리콜에테르 (성분 a) 와 알칸올아민 (성분 b) 이 플럭스 B 의 세정에 작용하는 바, 세정제 C 가 이미다졸 화합물 (성분 c) 을 함유하지 않는 경우, 전극을 보호하는 금속 처리제 A 가 린스시에 씻겨나가, 열처리 후에 산화에 의해서 변색을 일으킨다고 생각된다. 그리고, 세정제 C 가 특정량의 이미다졸 화합물 (성분 c) 을 함유하는 경우에는, 이미다졸 화합물이 전극 표면에 흡착되어 보호막을 형성하고, 산화에 의한 전극의 변색을 억제한다고 생각된다. 단, 본 개시는 이 메커니즘에 한정하여 해석되지 않아도 된다.
[세정제 C]
본 개시에 있어서, 세정제 C 는 플럭스 잔사를 세정하기 위한 세정제 조성물로서, 글리콜에테르 (성분 a) 와, 알칸올아민 (성분 b) 과, 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하의 상기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물 (성분 c) 을 함유하는 플럭스용 세정제 조성물이다. 세정 대상의 플럭스로는 세정성이 발휘되는 점에서 로진계 플럭스가 바람직하다.
[세정제 C 의 성분 a]
본 개시에 있어서의 세정제 C 중의 성분 a 는 글리콜에테르이다. 성분 a 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성의 관점에서 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 일 또는 복수의 화합물로 이루어지는 것이 바람직하다.
[화학식 3]
R-O-(CH2CH2O)n-H (Ⅱ)
(식 (Ⅱ) 중, R 은 탄소수 3 ∼ 8 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 2 또는 3 을 나타낸다.)
상기 일반식 (Ⅱ) 에 있어서, R 은 탄소수 3 ∼ 8 의 탄화수소기이고, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성의 관점에서 탄소수 3 ∼ 6 의 탄화수소기인 것이 바람직하다. 탄화수소기는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성의 관점에서 바람직하게는 알킬기, 알케닐기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이고, 보다 바람직하게는 알킬기이다. R 은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 프로필기, 부틸기, 펜틸기 및 헥실기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다. 부가 몰수 n 은 플럭스 잔사에 대한 세정성의 관점에서 2 또는 3 이다.
성분 a 로는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르 ; 디에틸렌글리콜모노알릴에테르 등의 디에틸렌글리콜모노알케닐에테르 ; 디에틸렌글리콜모노벤질에테르 등의 디에틸렌글리콜모노아르알킬에테르 ; 트리에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소부틸에테르 등의 트리에틸렌글리콜모노알킬에테르 ; 트리에틸렌글리콜모노알릴에테르 등의 트리에틸렌글리콜모노알케닐에테르 ; 테트라에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 테트라에틸렌글리콜모노알킬에테르 ; 펜타에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 펜타에틸렌글리콜모노알킬에테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다. 이 중에서도, 성분 a 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 및 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 및 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 더욱 바람직하다.
본 개시에 있어서의 세정제 C 중의 성분 a 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상 및 전극의 변색 억제 관점에서 바람직하게는 80.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 85.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 85.5 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 86.4 질량％ 이상이다. 세정제 C 중의 성분 a 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 바람직하게는 90.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 89.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 88.5 질량％ 이하이다. 세정제 C 중의 성분 a 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 80.0 질량％ 이상 90.0 질량％ 이하로서, 바람직하게는 85.0 질량％ 이상 89.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 85.5 질량％ 이상 89.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 86.4 질량％ 이상 88.5 질량％ 이하이다.
성분 a 는 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 적어도 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 (식 (Ⅱ) 에 있어서, R 이 부틸기, n = 2) 를 함유하는 것이 바람직하다. 본 개시에 있어서, 부틸기는 특별히 언급이 없는 경우 n-부틸기를 말한다.
일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 a 중의 함유량은 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상 및 전극의 변색 억제 관점에서 바람직하게는 50.0 질량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 60.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 70.0 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 80.0 질량％ 이상이다. 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 a 중의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 바람직하게는 98.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 95.0 질량％ 이하이다.
본 개시에 있어서의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 세정제 C 중의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상 및 전극의 변색 억제의 관점에서 바람직하게는 50.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 60.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 70.0 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 75.0 질량％ 이상이다. 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 세정제 C 중의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 바람직하게는 90.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 88.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 85.0 질량％ 이하이다.
본 개시에 있어서의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 성분 a 중의 함유량 (디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르가 복수 종류인 경우에는 그 복수 종류의 글리콜에테르의 합계 함유량) 은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사의 세정성 향상 관점에서 바람직하게는 50.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 30.0 질량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 20.0 질량％ 이하이다.
본 개시에 있어서의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 세정제 C 중의 함유량 (디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르가 복수 종류인 경우에는 그 복수 종류의 글리콜에테르의 합계 함유량) 은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사의 세정성 향상 관점에서 바람직하게는 1.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 3.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 4.0 질량％ 이상이고, 그리고 바람직하게는 40 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 30.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 16.0 질량％ 이하이다.
[세정제 C 의 성분 b]
본 개시에 있어서의 세정제 C 중의 성분 b 는 알칸올아민이다. 성분 b 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성의 관점에서 하기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 일 또는 복수의 화합물로 이루어지는 것이 바람직하다.
[화학식 4]
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(식 (Ⅲ) 중, R4 는 수소원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R5 는 수소원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R6 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.)
성분 b 의 알칸올아민으로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 모노에탄올아민, 디에탄올아민과, 이것들의 알킬화물 및 이것들의 아미노알킬화물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 성분 b 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 모노메틸모노에탄올아민, 모노메틸디에탄올아민, 디메틸모노에탄올아민, 모노에틸모노에탄올아민, 모노에틸디에탄올아민, 모노프로필디에탄올아민 및 모노아미노에틸이소프로판올아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 디에탄올아민, 모노에틸모노에탄올아민, 모노메틸디에탄올아민 및 모노아미노에틸이소프로판올아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 모노에틸모노에탄올아민 및 모노메틸디에탄올아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하다.
세정제 C 중의 성분 b 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 바람직하게는 0.3 질량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 질량％ 이상이다. 세정제 C 중의 성분 b 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 바람직하고 5.0 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 4.5 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 4.0 질량％ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 3.5 질량％ 이하이다. 세정제 C 중의 성분 b 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 바람직하게는 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하로서, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상 4.5 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 1.0 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 1.0 질량％ 이상 3.5 질량％ 이하이다. 상기 서술한 바와 같이, 성분 b 로는 상기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 일 또는 복수의 화합물을 사용할 수 있다. 성분 b 에 해당하는 화합물은 다른 성분 (예를 들어 후술하는 성분 d 의 염) 으로부터 발생되는 것도 포함한다.
[세정제 C 의 성분 c]
본 개시에 있어서의 세정제 C 중의 성분 c 는 전극의 변색 억제의 관점에서 상기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물이고, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 상기 일반식 (I) 로 나타내는 일 또는 복수의 이미다졸 화합물로 이루어진다.
상기 일반식 (I) 의 R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다. 상기 일반식 (I) 중에 나타내는 R1 은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 수소원자, 치환 혹은 무치환의 탄소수 5 ∼ 22 의 아릴기, 치환 혹은 무치환의 탄소수 1 ∼ 22 의 알킬기 및 치환 혹은 무치환의 탄소수 1 ∼ 22 의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 알킬기 및 알케닐기는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 직사슬형 혹은 분기 사슬형이다.
상기 일반식 (I) 중에 나타내는 R2 및 R3 은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 서로 독립적으로 동일하거나 또는 상이하고, 수소원자, 치환 혹은 무치환의 탄소수 5 ∼ 22 의 아릴기 및 치환 혹은 무치환의 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다.
상기의 치환이란 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 일 또는 복수의 할로겐 원자에 의한 치환, 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기에 의한 치환을 들 수 있다.
단, 상기 일반식 (I) 중에 나타내는 R1, R2 및 R3 이 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동시에 아릴기인 경우를 제외한다.
성분 c 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 변색 억제 관점에서 이미다졸, 메틸이미다졸, 탄소수 11 의 알킬기로 치환된 이미다졸, 메틸에틸이미다졸 및 페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다.
구체적으로는, 성분 c 로는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-프로필이미다졸, 2-이소프로필이미다졸, 2-부틸이미다졸, 2-t-부틸이미다졸, 2-펜틸이미다졸, 2-헥실이미다졸, 2-헵틸이미다졸, 2-옥틸이미다졸, 2-노닐이미다졸, 2-데실이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-도데실이미다졸, 2-트리데실이미다졸, 2-테트라데실이미다졸, 2-펜타데실이미다졸, 2-헥사데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-(1-메틸펜틸)이미다졸, 2-(1-에틸펜틸)이미다졸, 2-(1-헵틸데실)이미다졸, 2-(5-헥세닐)이미다졸, 2-(9-옥테닐)이미다졸, 2-(8-헵타데세닐)이미다졸, 2-(4-클로로부틸)이미다졸, 2-(9-하이드록시노닐)이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-운데실-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-(1-나프틸)이미다졸, 2-(1-나프틸) -4-메틸이미다졸, 2-(2-나프틸)이미다졸, 2-(2-나프틸)-4-메틸이미다졸, 2-메틸-4-페닐이미다졸, 4-페닐이미다졸, 4-메틸이미다졸, 4-이소프로필이미다졸, 4-옥틸이미다졸, 2,4,5-트리메틸이미다졸, 4,5-디메틸-2-옥틸이미다졸, 2-운데실-4-메틸-5-브로모 이미다졸 및 4,5-디클로로-2-에틸이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다.
성분 c 로서 전극의 변색 억제 관점에서 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 및 4-페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 및 4-페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 및 2-페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 더욱 바람직하고, 2-메틸이미다졸 및 2-에틸-4-메틸이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 더 바람직하다.
세정제 C 중의 성분 c 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 변색 억제의 관점에서 0.005 질량％ 이상이고, 바람직하게는 0.01 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.05 질량％ 이상이다. 세정제 C 중의 성분 c 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 변색 억제 관점에서 4.0 질량％ 이하이고, 바람직하게는 3.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 3.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 2.0 질량％ 이하이다. 세정제 C 중의 성분 c 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 변색 억제 관점에서 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하로서, 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 3.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 3.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.05 질량％ 이상 2.0 질량％ 이하이다. 상기 서술한 바와 같이, 성분 c 로는 상기 일반식 (I) 로 나타내는 일 또는 복수의 이미다졸 화합물을 사용할 수 있다.
[세정제 C 의 물]
세정제 C 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 물을 함유한다. 물은 증류수, 이온 교환수, 또는 초순수 등이 사용될 수 있다. 세정제 C 중의 물의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 인화성을 저감하는 관점에서 바람직하게는 5.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 6.5 질량％ 이상이다. 세정제 C 중의 물의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 바람직하게는 12.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 11.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 10.0 질량％ 이하이다. 세정제 C 중의 물의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성을 향상시키고 인화성을 저감하는 관점에서 바람직하게는 5.0 질량％ 이상 12.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 5.5 질량％ 이상 11.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 6.5 질량％ 이상 10.0 질량％ 이하이다.
[세정제 C 의 성분 d]
세정제 C 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 벤젠술폰산 (알킬벤젠술폰산) 및 그 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 성분 d 를 함유해도 된다. 알킬벤젠술폰산 중에 복수의 알킬기를 가져도 되고, 그 경우에는 복수의 알킬기의 합계 탄소수는 1 ∼ 6 이다. 성분 d 에 있어서의 알킬기의 탄소수는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 관점에서 1 ∼ 6 이며, 1 ∼ 4 가 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 보다 더 바람직하다. 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 알킬벤젠술폰산의 염으로는, 세정제 조성물로서 허용되는 관점에서 나트륨, 칼륨 등의 알칼리 금속염, 암모늄염 및 유기 아민염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 반도체 품질의 안정성 관점에서 암모늄염 및 유기 아민염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 더욱 바람직하다. 유기 아민염이 성분 b 의 알칸올아민염이어도 된다.
성분 d 로는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 관점에서 톨루엔술폰산, 자일렌술폰산, 에틸벤젠술폰산, 프로필벤젠술폰산, 이소프로필벤젠술폰산, 부틸벤젠술폰산, 펜틸벤젠술폰산, 헥실벤젠술폰산, 2,4-디메틸벤젠술폰산, 디프로필벤젠술폰산, 및 이것들의 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 이것들의 알킬기의 치환 위치는 오르토 위치, 메타 위치, 파라 위치의 어느 것이어도 된다. 성분 d 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 p-톨루엔술폰산, 자일렌술폰산, 에틸벤젠술폰산, 부틸벤젠술폰산, 및 이것들의 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, p-톨루엔술폰산이 더욱 바람직하다.
세정제 C 중의 성분 d 의 함유량 (성분 d 가 염인 경우의 세정제 C 중의 성분 d 의 함유량은 산형 (酸型) 으로 환산한 함유량) 은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하이고, 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 관점에서 바람직하게는 0.4 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상이며, 그리고, 동일한 관점에서 바람직하게는 4.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 4.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 3.0 질량％ 이하이다. 성분 d 는 일 또는 복수의 알킬벤젠술폰산 및/또는 그 염을 사용할 수 있다.
세정제 C 에 있어서 성분 a, b 및 c 의 질량비 (성분 a/성분 b/성분 c) 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 세정제 조성물의 취급성 및 플럭스 잔사에 대한 세정력의 향상 관점에서 바람직하게는 90 ∼ 98/0.5 ∼ 4/0.05 ∼ 4 이다. 단, 성분 a, 성분 b, 성분 c 의 합계는 100.0 이다.
[세정제 C 의 그 밖의 성분]
세정제 C 중의 그 밖의 성분으로서 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 필요에 따라서, 통상적으로 세정제에 사용되는 하이드록시에틸아미노아세트산, 하이드록시에틸이미노2아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산 또는 이것들의 염 등의 아미노카르복실산염계로 대표되는 킬레이트제, 방부제, 녹방지제, 살균제, 항균제, 실리콘계 소포제, 산화 방지제, 야자지방산메틸이나 아세트산벤질 등의 에스테르 혹은 알코올류 등을 적절히 사용할 수 있다.
[세정제 C 의 조제 방법]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은 그 조제 방법에 특별히 제한이 없고, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 성분 a, 성분 b, 성분 c 및 물, 더욱 요약하면 성분 d 나 그 밖의 성분을 혼합함으로써 조제할 수 있다. 세정제 C 는 첨가 작업, 저장 및 수송의 관점에서 농축액으로서 제조 및 보관하고, 사용시에 성분 a, 성분 b 및 성분 c 가 전술한 세정시의 세정액 중의 함유량이 되도록 물로 희석하여 사용할 수 있다. 농축 배율로는 첨가 작업 및 보존 안정성의 관점에서 바람직하게는 50 배 이상, 보다 바람직하게는 67 배 이상, 더욱 바람직하게는 90 배 이상이고, 그리고, 저장 및 수송의 관점에서 바람직하게는 200 배 이하, 보다 바람직하게는 150 배 이하, 더욱 바람직하게는 110 배 이하이다. 희석할 물의 양의 계량을 용이하게 하는 관점에서, 예를 들어 100 배 농축액을 들 수 있다. 본 개시에 있어서, 세정제 C 의 100 배 농축액의 형태로서 개시된 세정제는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 세정시에 바람직하게는 1/50 ∼ 1/200 의 농도, 보다 바람직하게는 1/67 ∼ 1/150 의 농도, 더욱 바람직하게는 1/90 ∼ 1/110 의 농도, 보다 더 바람직하게는 1/100 의 농도로 희석되어 세정제 C 로서 사용될 수 있다. 희석용의 물은 증류수, 이온 교환수, 순수 및 초순수 등이 사용될 수 있다. 본 개시에 있어서 「세정시」란 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 세정을 행할 때를 말한다. 본 개시에 있어서 농축액의 세정제 조성물의 「세정시」란 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 희석된 상태를 말한다.
[세정제 C 의 pH]
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 pH 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 점에서 바람직하게는 pH 8 이상 pH 14 이하이고, 추가로 부식을 억제하는 관점에서 보다 바람직하게는 pH 8 이상 pH 12 이하, 더욱 바람직하게는 pH 8 이상 pH 10 이하, 보다 더 바람직하게는 pH 8 이상 pH 9 이하이다. pH 는 필요에 따라서 질산, 황산 등의 무기산, 옥시카르복실산, 다가 카르복실산, 아미노폴리카르복실산, 아미노산 등의 성분 d 이외의 유기산, 이것들의 금속염 및 암모늄염이나, 암모니아, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 아민 등의 성분 b 이외의 염기성 물질을 적절히 소망량을 배합함으로써 조정할 수 있다.
상기 서술한 세정제 C 를 사용하여 실시되는, 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법의 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 대해서, 도 1 을 참조하여 설명한다.
[공정 (1)]
공정 (1) 은 일방의 주면 상에 제 1 영역의 전극을 구비하고, 타방의 주면 상에 제 2 영역의 전극을 구비하는 회로 기판의 적어도 제 1 영역의 전극을, 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제 A 로 처리하는 공정이다 (도 1 참조).
공정 (1) 에서 사용하는 회로 기판은, 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 반도체 패키지에 있어서 인터포저로서 사용되는 기판을 포함한다. 공정 (1) 에서 사용하는 「지지 기재의 제 1 영역 및 제 2 영역에 회로를 형성하는 전극을 갖는 회로 기판」은, 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 플립 칩 실장에 사용하는 회로 기판이다. 공정 (1) 에서 사용하는 회로 기판은, 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 땜납 범프가 형성되어야 할 전극의 영역을 복수 구비하는 회로 기판이다.
공정 (1) 에서 사용하는 회로 기판의 전극의 금속으로는, 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 구리, 구리 합금을 들 수 있다. 회로 기판의 전극은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 땜납이 고화되는 부위이다.
[공정 (1) 의 금속 처리제 A]
공정 (1) 의 금속 처리제 A 는 이미다졸 화합물을 함유하는 금속의 표면 처리제이다. 금속 처리제 A 로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 공지된 표면 처리제 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2007-308776호에 개시된 것) 및 향후 개발되는 것을 사용할 수 있다. 금속 처리제 A 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 금속의 산화를 억제할 수 있는 화성 피막을 금속 표면에 형성할 수 있는 처리제이다. 공정 (1) 은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 금속 표면의 수용성 프리플럭스 처리이다.
금속 처리제 A 로는 이미다졸 화합물을 함유하는 것이다. 금속 처리제 A 중의 이미다졸 화합물의 함유량은 바람직하게는 0.01 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.1 질량％ 이상이고, 그리고 바람직하게는 10 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 5 질량％ 이하이다.
금속 처리제 A 에 함유되는 이미다졸 화합물로는, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 및 4-페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 및 4-페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 및 2-페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 더욱 보다 바람직하고, 2-메틸이미다졸 및 2-에틸-4-메틸이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 더욱 보다 바람직하다.
금속 처리제 A 는 이미다졸 화합물을 물에 용해 (수용액화) 시키는 관점에서, 유기산 또는 무기산을 함유하는 것이 바람직하다. 유기산으로는 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 글리옥실산, 피루브산, 아세토아세트산, 레불린산, 헵탄산, 카프릴산, 카프르산, 라우르산, 글리콜산, 글리세린산, 락트산, 아크릴산, 메톡시아세트산, 에톡시아세트산, 프로폭시아세트산, 부톡시아세트산, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산, 2-[2-(2-에톡시에톡시)에톡시]아세트산, 2-{2-[2-(2-에톡시에톡시)에톡시]에톡시}아세트산, 3-메톡시프로피온산, 3-에톡시프로피온산, 3-프로폭시프로피온산, 3-부톡시프로피온산, 벤조산, 파라니트로벤조산, 파라톨루엔술폰산, 살리실산, 피크르산, 옥살산, 숙신산, 말레산, 푸마르산, 타르타르산, 아디프산 등을 들 수 있다. 무기산으로는 염산, 인산, 황산, 질산 등을 들 수 있다. 산의 함유량은 금속 처리제 A 중 바람직하게는 0.1 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 1 질량％ 이상이고, 바람직하게는 50 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 30 질량％ 이하이다. 유기산 또는 무기산은 염의 형태로 사용할 수 있다. 유기산 또는 무기산의 염으로는, 예를 들어 암모늄염 및 금속염을 들 수 있다. 금속염으로는 나트륨염, 아연염, 철염, 알루미늄염 등을 들 수 있다.
또한 금속 처리제 A 는 가용화제로서 유기 용매 등을 함유할 수 있다. 유기 용매로는 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 저급 알코올 ; 아세톤 등의 케톤류 ; N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드류 ; 에틸렌글리콜 등의 글리콜에테르류 ; 등의 물과 자유롭게 혼화되는 것을 들 수 있다.
[금속 처리제 A 에 의한 처리 방법]
공정 (1) 에 있어서의 금속 처리제 A 에 의한 회로 기판의 처리 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 금속 처리제 A 를 회로 기판의 전극에 접촉시키는 것을 포함한다. 전극에 대한 금속 처리제 A 의 접촉 조건으로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 회로 기판의 전극에 액온 10 ∼ 70 ℃ 의 금속 처리제 A 를 1 초 ∼ 10 분의 접촉 시간에서 접촉시키는 양태를 들 수 있다. 접촉 방법으로는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 침지, 분무, 도포 등의 방법을 들 수 있다.
[공정 (2)]
공정 (2) 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (1) 에서 얻어진 회로 기판의 제 1 영역의 전극에 플럭스 B 를 도포하고, 땜납을 배치한 후, 회로 기판을 땜납의 액상선 온도 이상의 온도로 가열하여 땜납층을 용융시키고, 제 1 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정이다 (도 1 참조).
공정 (2) 에서 사용하는 플럭스 B 및 땜납에 대해서는, 땜납과 플럭스 B 의 혼합물인 크림납 (땜납 페이스트) 이어도 되고, 플럭스 B 를 전극에 인쇄/도포하여 각상 (角狀) 이나 구상으로 성형한 땜납을 전극 상에 탑재하는 양태로 사용해도 된다. 본 개시에 있어서의 땜납은 종래의 일반적인 주석-납 공정 땜납 합금도 사용할 수 있는데, 주석-은계, 주석-구리계, 주석-은-구리계 등의 납프리 땜납 합금을 사용하는 것이 바람직하다.
[공정 (2) 의 플럭스 B]
공정 (2) 에서 사용하는 플럭스 B 에 대해서는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 접속 신뢰성의 관점에서 플럭스 잔사를 세정할 수 있는 것이 바람직하다. 플럭스 잔사를 세정하는 데에는 세정용 플럭스가 좋고, 세정용 플럭스이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 세정용 플럭스로는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공지된 것 또는 향후 개발되는 것을 사용할 수 있다. 세정용 플럭스에 대해서는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 일본 공개특허공보 평9-1388호에 개시되어 있는 것을 사용할 수 있다. 플럭스 B 를 사용한 땜납 범프의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다.
플럭스 B 로는 바람직하게는 세정용 플럭스이고, 보다 바람직하게는 세정용 로진계 플럭스이다. 플럭스 B 는 송지 (松脂) 를 주성분으로 함유하는 것으로서, 바람직하게는 송지의 함유량이 50 질량％ 이상인 것이다. 플럭스 B 로는 구체적으로는 송지 및 피롤리돈 화합물을 함유하는 플럭스를 들 수 있다. 플럭스 B 중의 송지의 함유량은 바람직하게는 50 질량％ 이상이고, 그리고 바람직하게는 97 질량％ 이하이다. 피롤리돈 화합물로는 피롤리돈, 및 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기 또는 페닐기를 갖는 2 치환 피롤리돈으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다. 플럭스 B 중의 피롤리돈 화합물의 함유량은 바람직하게는 3 질량％, 보다 바람직하게는 5 질량％ 이상이고, 그리고 바람직하게는 40 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 20 질량％ 이하이다.
플럭스 B 는 용제로서 에스테르를 함유할 수 있다. 플럭스 B 중의 에스테르의 함유량은 바람직하게는 30 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 10 질량％ 이하이다. 에스테르로는 세바크산에스테르, 프탈산에스테르, 아비에틴산에스테르 및 스테아르산에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다.
[공정 (3)]
공정 (3) 은 공정 (2) 에 있어서 얻어진 회로 기판에 부착된 플럭스 잔사를 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정이다. 세정제 C 는 상기 서술한 것이다. 공정 (3) 은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (2) 의 땜납을 고화시킬 때 발생되는 플럭스 잔사를 세정제 C 로 세정하는 공정이다 (도 1 참조). 도 1 에 나타내는 바와 같이, 공정 (3) 의 세정시에는 제 2 영역의 전극에는 땜납이 고화되어 있지 않다. 종래의 플럭스용 세정제 조성물을 사용하면, 공정 (3) 의 세정 후, 땜납이 고화되어 있지 않은 전극이 세정 후의 시간 경과와 함께 혹은 세정 후의 열처리에 의해서 산화 및/또는 변색된다는 문제가 있었다. 세정제 C 를 사용하면, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 땜납이 고화되어 있지 않은 전극의 변색을 억제할 수 있다.
따라서, 본 개시는 그 밖의 양태에 있어서 세정제 C 에 관한 것이다. 즉, 본 개시는 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제로 처리되고, 땜납이 고화되어 있지 않은 전극과 함께, 세정용 플럭스를 사용하여 땜납이 고화된 전극을 구비하고, 또한 플럭스 잔사를 갖는 회로 기판을 세정하기 위한 플럭스용 세정제 조성물로서, 글리콜에테르 (성분 a) 와, 알칸올아민 (성분 b) 과, 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하의 상기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물 (성분 c) 을 함유하는 플럭스용 세정제 조성물이다.
[세정제 C 에 의한 세정 방법]
공정 (3) 에 있어서의 세정제 C 를 사용한 세정 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 피세정물 (공정 (2) 에서 얻어진 회로 기판) 을 세정제 C 에 접촉시키는 것을 포함한다. 피세정물에 세정제 C 를 접촉시키는 방법, 즉 피세정물을 세정제 C 로 세정하는 방법으로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 초음파 세정 장치의 욕조 내에서 접촉시키는 방법이나, 세정제 C 를 스프레이상으로 사출하여 접촉시키는 방법 (샤워 방식) 등을 들 수 있다. 세정제 C 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 희석하지 않고 그대로 세정에 사용할 수 있다. 본 개시의 세정 방법은 세정제 C 에 피세정물을 접촉시킨 후, 물로 린스하고 건조시키는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 개시는 그 밖의 양태에 있어서 세정제 C 를 사용한 세정 방법에 관한 것이다. 즉, 본 개시는 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제로 처리되어, 땜납이 고화되어 있지 않은 전극과 함께, 세정용 플럭스를 사용하여 땜납이 고화된 전극을 구비하고, 또한 플럭스 잔사를 갖는 회로 기판의 세정 방법으로서, 상기 회로 기판과, 글리콜에테르 (성분 a), 알칸올아민 (성분 b), 및 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하의 상기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물 (성분 c) 을 함유하는 플럭스용 세정제 조성물 (세정제 C) 을 접촉시키는 것을 포함하는 세정 방법이다.
[공정 (4)]
공정 (4) 는 공정 (3) 에 이어서 회로 기판의 제 2 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정이다. 공정 (4) 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (3) 의 세정에 의해서 변색이 억제된 전극에 땜납 범프를 형성하는 공정이다. 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (4) 에서 땜납을 고화시킴으로써, 땜납을 고화시켜야 할 전극에 땜납을 고화시킨 회로 기판을 제조할 수 있다 (도 1 참조).
공정 (4) 의 땜납 고화에는 플럭스를 사용하는 것이 바람직하다. 사용하는 플럭스 (플럭스 D) 로는 상기 플럭스 B 를 사용해도 되지만, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 접속 신뢰성 관점에서 플럭스 잔사를 세정할 수 있는 플럭스를 사용하는 것이 바람직하다. 플럭스 잔사를 세정하는 플럭스로는 세정용 플럭스가 바람직하고, 추가로 환경 부하를 고려하면, 수계의 세정제로 플럭스 잔사를 세정할 수 있는 수용성 플럭스가 보다 바람직하다. 수용성 플럭스로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 유기산과 다가 알코올의 에스테르를 함유하는 수용성 플럭스를 들 수 있다. 수용성 플럭스는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공지된 것 또는 향후 개발되는 것을 사용할 수 있다. 수용성 플럭스는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 일본 공개특허공보 2000-42786호의 실시예 6 에 개시된 것을 사용할 수 있다. 플럭스 D 를 사용한 땜납을 고화시키는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다.
플럭스 D 의 에스테르를 구성하는 유기산으로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 카프르산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 리놀산 및 올레산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 플럭스 D 의 에스테르를 구성하는 다가 알코올로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 부탄디올, 글리세롤 및 폴리글리세롤로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 구체적으로는, 플럭스 D 로서 라우르산폴리글리세린에스테르, 올레산글리세린에스테르, 소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌글리세린지방산에스테르 등을 사용해도 된다.
플럭스 D 는 용매로서 물, 유기 용매나 다른 첨가제를 함유할 수 있다.
공정 (4) 에서 사용하는 플럭스 D 및 땜납에 대해서는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 땜납과 플럭스 D 의 혼합물인 크림납 (땜납 페이스트) 이어도 되고, 플럭스 D 를 전극에 인쇄하여 땜납을 그 부분에 탑재하는 양태이어도 된다. 땜납은 상기 서술한 것을 사용할 수 있다.
[공정 (E)]
공정 (4) 를 거친 회로 기판에, 땜납 범프를 형성해야 할 전극이 남지 않은 경우, 본 개시에 관련된 제조 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 추가로 세정 공정 (E) 를 포함한다. 즉, 공정 (E) 는 공정 (4) 에서 얻어진 회로 기판의 플럭스 잔사를 세정제 E 로 세정하는 공정이다.
공정 (E) 에 있어서의 세정제 E 로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 물 및 준(準)수계 용제를 들 수 있다. 준수계 용제로는, 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 물-알코올 혼합 용제, 리모넨-물 혼합 용제, 글리콜에테르-물 혼합 용제 등을 들 수 있다. 세정제 E 를 사용한 세정은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 상기 서술한 세정제 C 를 사용한 세정과 동일하게 실시할 수 있다.
[공정 (5)]
공정 (4) 를 거친 후의 회로 기판에, 땜납을 고화시키는 전극 (땜납이 고화되어 있지 않은 전극) 을 포함하는 영역 (예를 들어, 제 3 영역, 제 4 영역 등) 이 남아 있을 경우, 즉 본 개시에 관련된 제법으로 제조하는 대상인 회로 기판이 3 개 이상의 땜납을 고화시키는 전극을 포함하는 구획 (영역) 을 갖고 있을 경우, 본 개시에 관련된 제조 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (3) 및 공정 (4) 를 반복하는 공정 (5) 을 포함할 수 있다. 공정 (5) 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (4) 를 거친 후의 회로 기판의 플럭스 잔사를 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정과, 세정 후의 회로 기판 상의 제 3 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정을 포함한다. 공정 (5) 에 있어서의 조작은 상기 서술한 공정 (3) 및 공정 (4) 에 있어서의 조작과 동일하게 행할 수 있다. 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (5) 에 있어서의 조작은 회로 기판 상에 땜납을 고화시켜야 할 전극을 포함하는 영역이 없어질 때까지 반복될 수 있다. 그 후, 상기 서술한 세정 공정 (E) 으로 이행한다.
[전자 부품의 제조 방법]
본 개시는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 적어도 1 개의 전자 부품을 회로 기판 상에 탑재하는 공정을 포함하고, 상기 회로 기판의 적어도 1 개가 본 개시에 관련된 제조 방법에 의해서 제조된 회로 기판인, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 전자 부품으로는, 예를 들어 반도체 칩, 칩 저항기, 칩 콘덴서, 커넥터 저항체, 칩 코일 혹은 각종 센서 등을 들 수 있다. 전자 부품이 탑재된 회로 기판은 반도체 칩이 탑재되지 않은 반도체 패키지, 반도체 칩이 탑재된 반도체 패키지 및 반도체 장치를 포함한다. 본 개시에 관련된 제조 방법에 의해서 제조된 회로 기판은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 변색이 억제되어 접속 신뢰성이 향상되어 있기 때문에, 본 개시의 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 신뢰성의 높은 전자 부품이 탑재된 회로 기판을 제조할 수 있게 한다.
상기 서술한 실시형태에 관련된 것으로서, 본 개시는 추가로 이하의 조성물, 제조 방법 혹은 용도를 개시한다.
<1> 하기 공정 (1) ∼ (4) 를 포함하는, 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법.
(1) 지지 기재의 제 1 영역 및 제 2 영역에 회로를 형성하는 전극을 갖는 회로 기판의 적어도 제 1 영역의 전극을, 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제 A 로 처리하는 공정.
(2) 공정 (1) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 제 1 영역의 전극에 플럭스 B 의 도포 및 땜납의 배치를 한 후, 회로 기판을 땜납의 액상선 온도 이상의 온도로 가열하여 땜납을 용융시키고, 제 1 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.
(3) 공정 (2) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 플럭스 잔사를, 글리콜에테르인 성분 a 와, 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하의 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물인 성분 c 를 함유하는 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정.
[화학식 5]
Figure pat00004
(식 (I) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.)
(4) 공정 (3) 에 이어서, 회로 기판의 제 2 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.
<2> 공정 (2) 에 있어서의 플럭스 B 가 세정용 플럭스인 <1> 에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<3> 공정 (3) 에 있어서의 세정제 C 중의 성분 a 가 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물인 <1> 또는 <2> 에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
[화학식 6]
R-O-(CH2CH2O)n-H (Ⅱ)
(식 (Ⅱ) 중, R 은 탄소수 3 ∼ 8 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 2 또는 3 을 나타낸다.)
<4> 세정제 C 중의 성분 a 의 함유량이 바람직하게는 80.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 85.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 85.5 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 86.4 질량％ 이상인 <1> 내지 <3> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<5> 세정제 C 중의 성분 a 의 함유량이 바람직하게는 90.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 89.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 88.5 질량％ 이하인 <1> 내지 <4> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<6> 세정제 C 중의 성분 a 의 함유량이 바람직하게는 85.0 질량％ 이상 89.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 85.5 질량％ 이상 89.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 86.4 질량％ 이상 88.5 질량％ 이하인 <1> 내지 <5> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<7> 세정제 C 중의 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 a 중의 함유량이 바람직하게는 50.0 질량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 60.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 70.0 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 80.0 질량％ 이상인 <1> 내지 <6> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<8> 세정제 C 중의 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 a 중의 함유량이 바람직하게는 98.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 95.0 질량％ 이하인 <1> 내지 <7> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<9> 세정제 C 중의 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 세정제 C 중의 함유량이 바람직하게는 50.0 질량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 60.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 70.0 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 75.0 질량％ 이상인 <1> 내지 <8> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<10> 세정제 C 중의 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 세정제 C 중의 함유량이 바람직하게는 90.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 88.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 85.0 질량％ 이하인 <1> 내지 <9> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<11> 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 성분 a 중의 함유량이 바람직하게는 50.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 30.0 질량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 20.0 질량％ 이하인 <1> 내지 <10> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<12> 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 세정제 C 중의 함유량이 바람직하게는 1.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 3.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 4.0 질량％ 이상인 <1> 내지 <11> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<13> 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 세정제 C 중의 함유량이 바람직하게는 40 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 30.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 16.0 질량％ 이하인 <1> 내지 <12> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<14> 세정제 C 중의 성분 b 가 하기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물인 <1> 내지 <13> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
[화학식 7]
Figure pat00005
(식 (Ⅲ) 중, R4 는 수소원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R5 는 수소원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R6 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.)
<15> 세정제 C 중의 성분 b 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 질량％ 이상인 <1> 내지 <14> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<16> 세정제 C 중의 성분 b 의 함유량이, 바람직하게는 5.0 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 4.5 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 4.0 질량％ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 3.5 질량％ 이하인 <1> 내지 <15> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<17> 세정제 C 중의 성분 b 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하로서, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상 4.5 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 1.0 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 1.0 질량％ 이상 3.5 질량％ 이하인 <1> 내지 <16> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<18> 공정 (3) 에 있어서의, 세정제 C 중의 성분 c 가 이미다졸, 메틸이미다졸, 탄소수 11 의 알킬기로 치환된 이미다졸, 메틸에틸이미다졸 및 페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 <1> 내지 <17> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<19> 세정제 C 중의 성분 c 의 함유량이 0.005 질량％ 이상이고, 바람직하게는 0.01 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.05 질량％ 이상인 <1> 내지 <18> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<20> 세정제 C 중의 성분 c 의 함유량이 4.0 질량％ 이하이고, 바람직하게는 3.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 3.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 2.0 질량％ 이하인 <1> 내지 <19> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<21> 세정제 C 중의 성분 c 의 함유량이 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하로서, 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 3.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 3.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.05 질량％ 이상 2.0 질량％ 이하인 <1> 내지 <20> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<22> 세정제 C 중의 물의 함유량이 바람직하게는 5.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 6.5 질량％ 이상인 <1> 내지 <21> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<23> 세정제 C 중의 물의 함유량이 바람직하게는 12.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 11.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 10.0 질량％ 이하인 <1> 내지 <22> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<24> 세정제 C 중의 물의 함유량이 바람직하게는 5.0 질량％ 이상 12.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 5.5 질량％ 이상 11.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 6.5 질량％ 이상 10.0 질량％ 이하인 <1> 내지 <23> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<25> 공정 (3) 에 있어서의, 세정제 C 가, 추가로 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 벤젠술폰산 및 그 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 (성분 d) 을 함유하는 <1> 내지 <24> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<26> 세정제 C 중의 성분 d 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하인 <25> 에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<27> 세정제 C 중의 성분 d 의 함유량이 바람직하게는 0.4 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상인 <25> 또는 <26> 에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<28> 세정제 C 중의 성분 d 의 함유량이 바람직하게는 4.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 4.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 3.0 질량％ 이하인 <25> 내지 <27> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<29> 세정제 C 중의 성분 a, b 및 c 의 질량비를 나타내는 성분 a/성분 b/성분 c 가 바람직하게는 90 ∼ 98/0.5 ∼ 4/0.05 ∼ 4 인 <1> 내지 <28> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<30> 공정 (4) 에 있어서의 땜납 고화에 땜납 플럭스를 사용하고, 당해 플럭스가 수용성 플럭스인 <1> 내지 <29> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.
<31> 적어도 1 개의 전자 부품을 회로 기판 상에 탑재하는 공정을 포함하고, 상기 회로 기판의 적어도 1 개가 <1> 내지 <30> 중 어느 것에 기재된 제조 방법에 의해서 제조된 회로 기판인, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법.
<32> 글리콜에테르인 성분 a 와, 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하의 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물인 성분 c 를 함유하는 플럭스용 세정제 조성물.
[화학식 8]
Figure pat00006
(식 (I) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.)
<33> 성분 a 가 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물인 <32> 에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
[화학식 9]
R-O-(CH2CH2O)n-H (Ⅱ)
(식 (Ⅱ) 중, R 은 탄소수 3 ∼ 8 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 2 또는 3 을 나타낸다.)
<34> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 a 의 함유량이 바람직하게는 80.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 85.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 85.5 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 86.4 질량％ 이상인 <32> 또는 <33> 에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<35> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 a 의 함유량이 바람직하게는 90.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 89.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 88.5 질량％ 이하인 <32> 내지 <34> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<36> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 a 의 함유량이 바람직하게는 85.0 질량％ 이상 89.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 85.5 질량％ 이상 89.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 86.4 질량％ 이상 88.5 질량％ 이하인 <32> 내지 <35> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<37> 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 a 중의 함유량이 바람직하게는 50.0 질량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 60.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 70.0 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 80.0 질량％ 이상인 <32> 내지 <36> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<38> 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 a 중의 함유량이 바람직하게는 98.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 95.0 질량％ 이하인 <32> 내지 <37> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<39> 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 플럭스용 세정제 조성물 중의 함유량이 바람직하게는 50.0 질량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 60.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 70.0 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 75.0 질량％ 이상인 <32> 내지 <38> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<40> 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 플럭스용 세정제 조성물 중의 함유량이 바람직하게는 90.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 88.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 85.0 질량％ 이하인 <32> 내지 <39> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<41> 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 성분 a 중 함유량이 바람직하게는 50.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 30.0 질량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 20.0 질량％ 이하인 <32> 내지 <40> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<42> 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 플럭스용 세정제 조성물 중의 함유량이 바람직하게는 1.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 3.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 4.0 질량％ 이상인 <32> 내지 <41> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<43> 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 플럭스용 세정제 조성물 중의 함유량이 바람직하게는 40 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 30.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 16.0 질량％ 이하인 <32> 내지 <42> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<44> 성분 b 가 하기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물인 <32> 내지 <43> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
[화학식 10]
Figure pat00007
(식 (Ⅲ) 중, R4 는 수소원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R5 는 수소원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R6 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.)
<45> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 b 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 질량％ 이상인 <32> 내지 <44> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<46> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 b 의 함유량이, 바람직하게는 5.0 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 4.5 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 4.0 질량％ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 3.5 질량％ 이하인 <32> 내지 <45> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<47> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 b 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하로서, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상 4.5 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 1.0 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하, 더욱 보다 바람직하게는 1.0 질량％ 이상 3.5 질량％ 이하인 <32> 내지 <46> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<48> 성분 c 가 이미다졸, 메틸이미다졸, 탄소수 11 의 알킬기로 치환된 이미다졸, 메틸에틸이미다졸 및 페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 <32> 내지 <47> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<49> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 c 의 함유량이 0.005 질량％ 이상이고, 바람직하게는 0.01 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.05 질량％ 이상인 <32> 내지 <48> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<50> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 c 의 함유량이 4.0 질량％ 이하이고, 바람직하게는 3.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 3.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 2.0 질량％ 이하인 <32> 내지 <49> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<51> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 c 의 함유량이 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하로서, 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 3.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 3.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.05 질량％ 이상 2.0 질량％ 이하인 <32> 내지 <50> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<52> 추가로 물을 함유하고, 플럭스용 세정제 조성물 중의 물의 함유량이 바람직하게는 5.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 6.5 질량％ 이상인 <32> 내지 <51> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<53> 추가로 물을 함유하고, 플럭스용 세정제 조성물 중의 물의 함유량이 바람직하게는 12.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 11.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 10.0 질량％ 이하인 <32> 내지 <52> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<54> 플럭스용 세정제 조성물 중의 물의 함유량이 바람직하게는 5.0 질량％ 이상 12.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 5.5 질량％ 이상 11.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 6.5 질량％ 이상 10.0 질량％ 이하인 <32> 내지 <53> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<55> 추가로 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 벤젠술폰산 및 그 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 성분 d 를 함유하는 <32> 내지 <54> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<56> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 d 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하인 <55> 에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<57> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 d 의 함유량이 바람직하게는 0.4 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상인 <55> 또는 <56> 에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<58> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 d 의 함유량이 바람직하게는 4.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 4.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 3.0 질량％ 이하인 <55> 내지 <57> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
<59> 성분 a, b 및 c 의 질량비를 나타내는 성분 a/성분 b/성분 c 가 바람직하게는 90 ∼ 98/0.5 ∼ 4/0.05 ∼ 4 인 <32> 내지 <58> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.
[실시예]
1. 기판의 프리플럭스 처리
시험 기판의 전극에 대해서, 하기 공정 및 조건에서 금속 처리제 A 를 사용하여 프리플럭스 처리를 행하였다.
[시험 기판]
시험 기판으로는 도 2 에 나타내는 회로 기판 (1) 을 사용하였다. 회로 기판 (1) 은 일 주면 상에 제 1 영역 A 의 구리 전극 (2) 과, 제 2 영역 B 의 구리 전극 (3) 과, 배선 (4) 을 구비하는 기판이다. 제 1 영역 A 의 전극 (2) 은 Land 가 0.36 ㎜, 피치가 1.0 ㎜ 이다.
[공정 (1) : 프리플럭스 처리]
프리플럭스 처리는 하기 공정 (a) ∼ 공정 (d) 를 포함하는 순서로 실시하였다.
(a) 탈지 공정
시험 기판을 탈지액 (시코쿠 화성 공업 주식회사 제조, 상품명 : 터프 클리너 W40G) 에 20 ∼ 30 ℃ 에서 30 초간 침지한 후, 기판을 꺼내어 1 분간 수세하였다.
(b) 소프트 에칭 공정
상기 기판을 소프트 에칭액 (시코쿠 화성 공업 주식회사 제조, 상품명 : 터프 클리너 GB-1400, 황산-과산화수소계 타입) 에 30 ℃ 에서 30 초간 침지한 후, 기판을 꺼내어 1 분간 수세하였다.
(c) 산세정 공정
상기 기판을 산세정액 (5 ％ 황산 수용액) 에 20 ∼ 30 ℃ 에서 30 초간 침지한 후, 꺼내어 1 분간 수세하였다. 그 후, 에어 나이프로 기판을 탈수하였다.
(d) 프리플럭스 처리 공정
상기 기판을 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제 A (수용성 프리플럭스, 시코쿠 화성 공업 주식회사 제조, 상품명 : 터프 에이스 F2(LX)PK) 에 40 ℃ 에서 30 ∼ 90 초간 침지한 후, 기판을 꺼내어 1 분간 수세하였다. 이어서, 에어 나이프로 기판을 탈수한 후, 100 ℃ 에서 1 분간 건조시켰다. 구리 표면 상에 두께 약 0.1 ∼ 0.3 ㎛ 의 화성 피막을 형성시켰다.
상기와 같이 수용성 프리플럭스에 의한 화성 피막을 형성하는 처리를 행한 시험 기판 (이하, 「프리플럭스 처리한 시험 기판」) 을 사용하여, 이하의 시험을 행하였다.
2. 세정용 플럭스를 사용한 땜납 범프의 형성 및 세정
[공정 (2) : 제 1 영역 A 에 있어서의 땜납 범프의 형성]
프리플럭스 처리한 시험 기판의 제 1 영역 A 의 전극 (2) 의 구리 패드에, 스텐실 마스크를 이용하여, 세정용 플럭스 B (센쥬 금속 공업사 제조, 상품명 : 델타 락스 MB-T100) 를 100 ㎛ 두께로 인쇄하고, Sn-3Ag-0.5Cu (각 수치는 질량％) 조성의 300 ㎛ 의 땜납 볼을 플럭스 인쇄 지점에 탑재하고, 리플로로를 사용하여 승온 속도를 2.5 ℃/sec, 피크 온도를 250 ℃ 에서 리플로하였다 (산소 농도는 100 ppm).
[세정제 C 의 조제]
하기 표 1 에 나타내는 글리콜에테르 (성분 a), 알칸올아민 (성분 b), 이미다졸 화합물 (성분 c), 물과, 필요에 따라서 알킬벤젠술폰산 및/또는 그 염 (성분 d) 그리고 그 밖의 성분을 표 1 에 나타내는 함유량이 되도록 혼합하여 세정제 C (실시예 1 ∼ 17 및 비교예 1 ∼ 8) 를 조제하였다.
[공정 (3) : 플럭스 B 잔사의 세정]
리플로 후의 땜납 범프를 하기 조건에서 세정하고, 플럭스 세정성을 확인하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
세정 방법 : 세정제 C 에 침지 → 프리린스 → 린스 → 마무리 린스 → 에어 퍼지 → 건조 → 판정
액온도 = 모두 60 ℃
물리력 = 모두 초음파, 40 ㎑, 400 W
세정 시간 = 각 공정 1 min 택트
에어 퍼지 = 0.3 ㎫, N2, 25 ℃, 15 sec
세정성의 판정은, 세정 전의 플럭스 잔사가 부착되어 있는 주변의 면적을, 주식회사 키엔스 제조의 DIGITAL MICROSCOPE VHX-2000 을 사용하여 200 배로 관찰하고, 세정 전 및 세정 후의 플럭스 잔사의 면적을 부속된 색의 식별에 의한 면적 산출 모드로 구하여 플럭스 잔사 세정율을 산출하였다.
[판정 기준]
A : 완전 세정 (세정율 100 ％)
B : 세정율 98 ∼ 100 ％ 미만
C : 세정율 95 ∼ 98 ％ 미만
D : 세정율 95 ％ 미만
3. 제 2 영역 B 의 구리 전극 (3) 에 있어서의 세정 후의 변색성
상기 2 의 세정 후의 기판 상의, 땜납 범프를 형성하지 않았던 제 2 영역 B 의 구리 전극 (3) 의 변색을, 상기 세정 직후 및 175 ℃ 에서 6 시간 대기 베이킹 (열처리) 후에 육안으로 각각 판정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
[판정 기준]
A : 색 불균일이 없고, 변색이 없다.
B : 색 불균일이 없고, 변색이 보인다.
C : 변색이 보이고, 일부가 갈색화되어 있다.
D : 전체가 갈색화되어 있다.
4. 제 2 영역 B 의 구리 전극 (3) 에 있어서의 땜납의 젖음성
[공정 (4) : 제 2 영역 B 에 있어서의 땜납 범프의 형성]
상기 2 의 세정 후의 기판 상의, 땜납 범프를 형성하지 않았던 제 2 영역 B 의 구리 전극 (3) 에 스텐실 마스크를 사용하여 수용성 플럭스 (플럭스 D) 를 100 ㎛ 두께로 인쇄하고, Sn-3Ag-0.5Cu 조성의 직경 300 ㎛ 의 땜납 볼을 플럭스 인쇄 지점에 탑재하고, 리플로로를 사용하여 승온 속도를 2.5 ℃/sec, 피크 온도를 250 ℃ 에서 리플로하였다. 이 때의 리플로로 내의 산소 농도는 100 ppm 이었다.
수용성 플럭스 (플럭스 D) 로서 일본 공개특허공보 2000-42786호의 실시예 6 에서 사용되는 수용성 플럭스 (라우르산 폴리글리세롤에스테르 : 99 중량％, 세바크산 : 1 중량％) 를 사용하였다. 수용성 플럭스로는 시판되는 수용성 플럭스 (센쥬 금속 공업사 제조, 상품명 : 스파클 플럭스 WF-6317) 도 사용할 수 있다.
[젖음성의 판정]
리플로 후의 땜납이 확산된 종횡의 길이를 주식회사 키엔스 제조의 DIGITAL MICROSCOPE VHX-500 을 사용하여 측정하고 (N = 12), 비교예 3 의 경우와 비교하여 확산 면적의 저하율을 산출하고, 하기 기준으로 판정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
[판정 기준]
A : 확대 면적이 동일 ∼ 1 ％ 미만의 저하
B : 확대 면적이 1 ％ ∼ 3 ％ 미만의 저하
C : 확대 면적이 3 ％ ∼ 5 ％ 미만의 저하
D : 확대 면적이 5 ％ 이상 저하
Figure pat00008
표 1 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 17 의 세정제 C 를 사용한 경우, 비교예 1 ∼ 8 에 비하여, 땜납 범프를 형성하지 않은 제 2 영역 B 의 전극 3 의 열처리 후의 변색을 현저하게 억제할 수 있었다. 또, 실시예 1 ∼ 5, 7, 8 및 10 ∼ 17 의 세정제 C 를 사용한 경우, 실시예 6 및 9 에 비하여 땜납의 젖음성이 향상되어 있었다. 반도체 패키지 기판의 제조에서는, 플럭스의 인쇄/도포, 땜납 범프 형성을 위한 가열 및 잔류된 플럭스 제거를 위한 세정을 포함하는 사이클이 복수 회 반복되는 경우가 있고, 이러한 경우에는 다음의 땜납 범프 형성시의 땜납의 젖음성이 접속 신뢰성에 더욱 영향을 준다고 할 수 있다.

Claims (18)

  1. 하기 공정 (1) ∼ (4) 를 포함하는, 땜납이 고화된, 회로 기판의 제조 방법.
    (1) 지지 기재의 제 1 영역 및 제 2 영역에 회로를 형성하는 전극을 갖는 회로 기판의 적어도 제 1 영역의 전극을, 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제 A 로 처리하는 공정.
    (2) 공정 (1) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 제 1 영역의 전극에 플럭스 B 의 도포 및 땜납의 배치를 한 후, 회로 기판을 땜납의 액상선 온도 이상의 온도로 가열하여 땜납을 용융시키고, 제 1 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.
    (3) 공정 (2) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 플럭스 잔사를, 글리콜에테르인 성분 a 와, 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하의 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물인 성분 c 를 함유하는 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정.
    [화학식 1]
    Figure pat00009

    식 (I) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.
    (4) 공정 (3) 에 이어서, 회로 기판의 제 2 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.
  2. 제 1 항에 있어서,
    공정 (2) 에 있어서의, 플럭스 B 가 세정용 플럭스인, 회로 기판의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    공정 (3) 에 있어서의, 세정제 C 중의 성분 a 가 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물인, 회로 기판의 제조 방법.
    [화학식 2]
    R-O-(CH2CH2O)n-H (Ⅱ)
    식 (Ⅱ) 중, R 은 탄소수 3 ∼ 8 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 2 또는 3 을 나타낸다.
  4. 제 1 항에 있어서,
    공정 (3) 에 있어서의, 세정제 C 중의 성분 b 가 하기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물인, 회로 기판의 제조 방법.
    [화학식 3]
    Figure pat00010

    식 (Ⅲ) 중, R4 는 수소원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R5 는 수소원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R6 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.
  5. 제 1 항에 있어서,
    공정 (3) 에 있어서의, 세정제 C 중의 성분 c 가 이미다졸, 메틸이미다졸, 탄소수 11 의 알킬기로 치환된 이미다졸, 메틸에틸이미다졸 및 페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, 회로 기판의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    전극의 금속이 구리 또는 구리 합금인, 회로 기판의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    세정제 C 중의 성분 a, b 및 c 의 질량비를 나타내는 성분 a/성분 b/성분 c 가 90 ∼ 98/0.5 ∼ 4/0.05 ∼ 4 이고, 성분 a, 성분 b, 성분 c 의 합계가 100.0 인, 회로 기판의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    세정제 C 중의 성분 a 의 함유량이 85.0 질량％ 이상 89.0 질량％ 이하인, 회로 기판의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    세정제 C 중의 성분 b 의 함유량이 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하인, 회로 기판의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    공정 (3) 에 있어서의, 세정제 C 가 추가로 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 벤젠술폰산 및 그 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 성분 d 를 함유하는, 회로 기판의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    세정제 C 중의 성분 d 의 함유량이 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하인, 회로 기판의 제조 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    세정제 C 가 물을 함유하고, 세정제 C 중의 물의 함유량이 5.0 질량％ 이상 12.0 질량％ 이하인, 회로 기판의 제조 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    금속 처리제 A 중의 이미다졸 화합물의 함유량이 0.01 질량％ 이상 10 질량％ 이하인, 회로 기판의 제조 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    공정 (1) 에 있어서, 회로 기판의 전극에 액온 10 ∼ 70 ℃ 의 금속 처리제 A 를 1 초 ∼ 10 분의 접촉 시간에서 접촉시키는, 회로 기판의 제조 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    공정 (4) 에 있어서의 땜납 고화에 플럭스를 사용하고, 당해 플럭스가 수용성 플럭스인, 회로 기판의 제조 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    공정 (4) 에서 얻어진 회로 기판을 세정제 E 로 세정하는 공정을 추가로 갖는, 회로 기판의 제조 방법.
  17. 적어도 1 개의 전자 부품을 회로 기판 상에 탑재하는 공정을 포함하고, 상기 회로 기판의 적어도 1 개가, 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의해서 제조된 회로 기판인, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법.
  18. 글리콜에테르인 성분 a 와, 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하의 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물 성분 c 를 함유하는, 플럭스용 세정제 조성물.
    [화학식 4]
    Figure pat00011

    식 (I) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.
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