KR20150108686A - 전력모듈 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전력모듈 패키지에 관한 것이다. 패턴이 형성된 베이스기판; 상기 베이스기판의 상면에 적층 되어 형성된 히트스프레더; 및 상기 히트스프레더 상면에 실장된 적어도 1개 이상의 제1 반도체소자를 포함하며, 상기 히트스프레더의 외주면에 코일이 형성된 전력모듈 패키지를 제공한다.

Description

전력모듈 패키지{POWER SEMICONDUCTOR MODULE}
본 발명은 전력모듈 패키지에 관한 것이다.
전 세계적으로 에너지 사용량이 증가함에 따라, 제한된 에너지의 효율적인 사용에 지대한 관심을 가지기 시작했다. 이에 따라 기존 가정용/산업용 제품에서 에너지의 효율적인 전력 변환을 위한 전력모듈 패키지(IPM:Intelligent Power Module)를 적용한 인버터의 채용이 가속화되고 있다. 인버터의 채용 증대와 함께 주목받고 있는 전력모듈 패키지(IPM: Intelligent Power Module)은 인버터에서 DC 정류 및 AC 변환의 기능을 수행하는 핵심 부품으로 냉장고, 세탁기, 에어컨 등과 같은 가전용 어플리케이션으로부터 산업용 모터 등의 산업용 어플리케이션, HEV(Hybrid Electric Vehicle) 등 차세대 어플리케이션에 적용되고 있다. 이와 같은 전력 모듈의 확대에 따라 시장의 요구는 더욱더 고용량화/고 효율화/고신뢰성화 되고 있다.
전력모듈 패키지는 미국특허 공개공보“US2013-0221513”에 개시되어 있다. 전력모듈 패키지(IPM)는 각 전력반도체소자의 균일한 컨트롤 및 반도체소자 간 발열 불균형 등으로 인해 극히 한정된 배치 형태나 한정된 수량으로만 병렬연결하여 사용하고 있는 실정이다.
이때, 병렬연결회로를 구성함에 있어서, 일반적으로 완충회로를 구성하기 위하여 스노버(Snubber)와 인덕터부(코일)가 한 쌍의 회로를 구성하고 있다. 스노버(Snubber)의 경우 전력모듈 패키지 내부에 위치하고 있다. 그러나, 전압을 유도하는 인덕터부(코일)의 크기가 반도체소자보다 커서 별도 공간에 형성하는 문제점이 발생하였다.
US 2013-0221513 A1
본 발명의 목적은, 인덕터부(코일)의 실장공간이 별도로 형성되지 않는 전력모듈 패키지를 제공함을 목적으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 패턴이 형성된 베이스기판; 상기 베이스기판의 상면에 적층 되어 형성된 히트스프레더; 및 상기 히트스프레더 상면에 실장된 적어도 1개 이상의 제1 반도체소자를 포함하며, 상기 히트스프레더의 외주면에 코일이 형성된 전력모듈 패키지를 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 복 수개의 상기 제1 반도체소자는 전기적으로 병렬연결 되도록 형성된다.
본 발명의 일실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 제1 반도체를 전류 및 전압을 제어하면서, 상기 베이스기판의 상면에 실장되도록 형성된 제2 반도체소자를 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 제2 반도체소자는 제1 반도체소자보다 상대적으로 전력을 적게 사용한다.
본 발명의 일실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 제2 반도체소자는 제1 반도체소자에 공급되는 전압을 제어하기 위한 스너버 스위치를 사용한다.
본 발명의 일실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 베이스기판의 하부에는 열을 방출하는 히트 싱크 및 히트플레이트가 실장되도록 형성된다.
본 발명의 일실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 코일은 히트스프레더 외주면을 따라 권선 되도록 형성된다.
본 발명의 일실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 코일은 외부에 절연체가 형성되고, 내부에 금속재질로 형성된다.
본 발명의 제2실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 베이스기판의 상면에 형성되며, 외주면을 따라 안착홈이 형성된 히트스프레더; 상기 안착홈에 삽입되도록 형성된 코일; 및 상기 히트스프레더 상면에 형성된 적어도 1개 이상의 제1 반도체소자를 포함하는 전력모듈 패키지를 제공한다.
본 발명의 제2실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 복 수개의 상기 제1 반도체소자는 전기적으로 병렬연결 되도록 형성된다.
본 발명의 제2실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 제1 반도체를 제어하면서, 상기 베이스기판의 상면에 실장 되도록 형성된 제2 반도체소자를 포함한다.
본 발명의 제2실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 제2 반도체소자는 제1 반도체소자보다 상대적으로 전력을 적게 사용한다.
본 발명의 제2실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 제2 반도체소자는 제1 반도체소자에 공급되는 전압을 제어하기 위한 스너버 스위치를 사용한다.
본 발명의 제2실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 코일은 외부에 절연체가 형성되고, 내부에 금속재질이 형성된다.
본 발명의 제2실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 안착홈과 코일 사이에 절연층이 형성된다.
본 발명의 제2실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 상기 히트스프레더의 일면과 타면을 관통하는 관통홈이 형성되고, 상기 관통홈을 통해 입·출력 코일이 일체로 연결된다.
이러한 해결 수단들은 첨부된 도면에 의거한 다음의 발명의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다. 이에 앞서, 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 따르면, 히트스프레더에의 외주면에 인덕터부(코일)를 형성함으로써, 완충회로가 일체로 형성된 전력모듈 패키지를 구성하는 효과가 있다.
또한, 히트스프레더에의 외주면에 인덕터부(코일)를 형성함으로써, 외부에 형성된 인덕터부(코일)의 실장공간 및 회로배선이 별도로 사용되지 않는 전력모듈 패키지를 제공하는 효과가 있다.
또한, 히트스프레더에의 외주면에 인덕터부(코일)를 형성함으로써, 인덕터와 완충회로가 별도로 형성된 기존 전력모듈 패키지대비, 콤팩트한 전력모듈 패키지를 제공하는 효과가 있다.
또한, 히트스프레더에의 외주면에 인덕터부(코일)를 형성함으로써, 외부충격으로부터 내부 회로가 보호되는 전력모듈 패키지를 제공하는 효과가 있다.
또한, 히트스프레더에의 외주면에 인덕터부(코일)를 형성함으로써, 회로 간에 발생하는 기생 임피던스(Parasitic Impedance)가 감소하는 효과가 있다.
또한, 히트스프레더에의 외주면에 인덕터부(코일)를 형성함으로써, 패키지 내부에 회로를 모두 실장 할 수 있는 전력모듈 패키지를 제공하는 효과가 있다.
또한, 히트스프레더에의 외주면에 인덕터부(코일)를 형성함으로써, 회로 간에 발생하는 기생 임피던스(Parasitic Impedance)가 감소하여 제품의 신뢰성을 화보하는 효과가 있다.
또한, 히트스프레더에의 외주면에 인덕터부(코일)를 형성함으로써, 회로 간에 발생하는 기생 임피던스(Parasitic Impedance)가 감소하여 제품의 효율성을 증가하는 효과가 있다.
또한, 히트스프레더에의 외주면에 인덕터부(코일)를 형성함으로써, 회로 간에 발생하는 기생 임피던스(Parasitic Impedance)의 감소 및 외부충격에 의한 불량을 최소화하는 전력모듈 패키지를 제공하는 효과가 있다 .
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전력모듈 패키지를 나타낸 사시도,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 히트스프레더의 사시도,
도 3은 도 2에 대한 히트스프레더의 측면도,
도 4는 도 2에 대한 A-A´의 단면도,
도 5는 도 2에 대한 B-B´의 단면도,
도 6은 본 발명에 따른 코일의 단면도, 및
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 히트스프레더의 사시도이다.
본 발명의 특이한 관점, 특정한 기술적 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어 지는 이하의 구체적인 내용과 실시 예로부터 더욱 명백해 질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한 "제1", "제2", "일면", "타면" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전력모듈 패키지를 나타낸 사시도, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 히트스프레더의 사시도, 도 3은 도 2에 대한 히트스프레더의 측면도, 도 4는 도 2에 대한 A-A´의 단면도, 도 5는 도 2에 대한 B-B´의 단면도, 도 6은 본 발명에 따른 코일의 단면도, 및 도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 히트스프레더의 사시도이다.
전력모듈 패키지(10)는 MOSFET, IGBT, FRD 등을 포함하는 적어도 한 개의 반도체소자(200: Power device)를 병렬연결한 구성으로 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전력모듈 패키지는, 패턴이 형성된 베이스기판(100); 상기 베이스기판(100)의 상면에 적층 되어 형성된 히트스프레더(300); 및 상기 히트스프레더(300) 상면에 실장 된 적어도 1개 이상의 제1 반도체소자(210)를 포함한다.
베이스기판(100)은 제1 패턴(110)과 제2 패턴(130) 및 제3 패턴(150)이 서로 이격되어 형성된다. 이는, 제1 패턴(110)과 제2 패턴(130) 및 제3 패턴(150)의 형태를 한정하기 위함은 아니다. 제1 패턴(110)과 제2 패턴(130) 및 제3 패턴(150)은 반도체소자(200)와 전기적으로 연결되거나 각각 별도로 연결될 수도 있다. 이때, 제1 패턴(110)과 제2 패턴(130) 및 제3 패턴(150)이 반도체소자(200)와 각각 연결시에 와이어 본딩(Wire Boinding) 방식으로 연결되는 것이 적절하다. 이는, 베이스기판(100)의 전기적 연결 또는 형태를 한정하지 않으며, 당 업계에서 사용하는 베이스기판(100) 및 회로기판이면 어떠한 것도 사용 가능하다.
베이스기판(100)은 인쇄회로기판, 세라믹 기판, 양극 산화층을 갖는 금속기판 일수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 베이스기판(100)은 절연층(170)에 접속 패드를 포함하는 1층 이상의 회로가 형성된 회로기판으로서 바람직하게는 인쇄회로기판일 수 있다. 본 도면에서는 설명의 편의를 위하여 구체적인 내층 회로 패턴의 구성은 생략하여 도시하였으나, 당업자라면 베이스기판으로서 절연층에 적어도 1층 이상의 회로 패턴층이 형성된 회로기판을 사용한다.
절연층(170)은 통상적으로 층간 절연소재로 사용되는 복합 고분자 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 절연층은 프리프레그, ABF(Ajinomoto Build up Film) 및 FR-4, BT(Bismaleimide Triazine) 등의 에폭시계 수지로 형성될 수 있다. 또한, 절연층은 기판 또는 필름의 형태로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명의 실시 예에서 절연층을 형성하는 물질 및 절연층의 형태에 대해서 한정되는 것은 아니다.
베이스기판(100)의 하단부에 열을 외부로 방출하는 히트싱크 또는 방열플레이트(미도시)가 형성될 수도 있다. 베이스기판(100)은 히트스프레더(300)에서 발생된 열을 히트싱크 또는 방열플레이트(미도시)를 통하여 외부로 열을 방출할 수도 있다. 이때, 히트 싱크 또는 방열플레이트는 열을 외부로 방출하는 금속 또는 알루미늄 합금 등의 재질을 사용가능하다.
히트스프레더(300: Heat spreader)는 반도체소자(200)에서 발생 되는 열을 분산하여 베이스기판(100)에 전달한다. 히트스프레더(300)는 베이스기판(100)의 상면에 형성된다. 히트스프레더(300)는 금속재질을 사용한다. 히트스프레더(300)는 열 전달이 우수한 구리, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 금속재질로 형성되는 것이 적절하다.
히트스프레더(300)는 금속재질의 부식을 방지하기 위하여, 보통 크롬 및 니켈 등과 같은 내마모성과 내부 부식성이 강한 재질로 외부를 도금하도록 형성된다. 히트스프레더(300)는 반도체소자의 전자파(EMI)를 차단하는 역할도 수행한다.
히트스프레더(300)는 폭(W)*높이(H)*길이(L)를 갖도록 직사각형태로 형성되는 것이 적절하다. 히트스프레더(300)는 타원형, 정사각형, 사다리꼴 등과 같은 다양한 형태로도 변형이 가능하다. 히트스프레더(300)는 외주면을 따라 일체로 코일(310)이 권선 되도록 형성되는 것이 적절하다. 히트스프레더(300)는 코일(310)의 권선 방식에 따라 다양하게 변형이 가능하다.
히트스프레더(300)는 코일(310)이 안착 되어 고정되는 안착홈(330)과 코일(310)이 일체로 권선 되도록 타면과 연결해주는 관통홈(350)을 포함한다. 히트스프레더(300)는 외주면의 일부를 따라 안착홈(330)이 형성된다. 이때, 히트스프레더(300)의 중간 부근에서 관통홈이 형성된다.
안착홈(330)은 코일(310)이 삽입되어 고정되도록 형성된다. 안착홈(330)과 코일(310)이 접하는 부분은 절연되어 형성된다. 안착홈(330)은 코일(310)이 권선 되도록 형성된다. 이때, 안착홈(330)은 코일(310)이 일체로 권선 되도록 나사산 형태로 형성되는 것이 적절하다(도 3 및 4를 참조). 안착홈(330)과 관통홈(310)의 내부에는 코일(310)을 고정하기 위한 돌기(미도시)가 별도로 형성될 수도 있다.
관통홈(310)은 히트스프레더(300)의 일 구간에만 코일(310)이 일체로 권선 될 수도 있도록 한다(도 6을 참조). 관통홈(310)은 히트스프레더(300)의 일면에서 타면으로 관통하도록 형성된다. 관통홈(310)의 내부에는 코일(310)이 삽입되어 고정된다.
코일(310)은 히트스프레더(300)의 표면 외주 면과 접하도록 형성된다. 이때, 코일(310)의 외주면은 전기적 합선을 방지하기 위하여, 코일(310)의 외주 면에 절연재질(314)가 형성되고, 내부에는 금속재질(312)이 형성되는 것이 적절하다. 이는, 히트스프레더(300)과 전기적으로 합선되는 것을 방지하기 위함이다.
또한, 코일(310)은 히트스프레더(300)의 표면을 권선 시에 접착제를 사용할 수도 있다. 이때, 접착제는 히트스프레더(300)의 열 분산으로 녹지 않는 재질을 사용한다.
코일(310)은 전력모듈 패키지(10)의 전압 용량에 따라 다음의 관계식 1을 갖는다. 코일이 히트스프레더에 감긴 횟수(N), 코일이 히트스프레더에 감긴 면적(A= W*L´), 히트스프레더의 높이(H) 및 히트스프레더 재료의 계수(U)의 관계식을 인용하여 기설정 인덕턴스의 설정 값에 따라 코일(310)을 적절히 조절한다.
[관계식 1]
Figure pat00001

반도체소자(200)는 수동 소자와 능동 소자 등과 같은 다양한 소자들을 포함할 수 있다. 반도체소자(200)는 제1 반도체소자(210)와 제2 반도체소자(230)를 포함한다. 제1 반도체소자(210)와 제2 반도체소자(230)는 전력소자와 제어소자 중 적어도 하나로 사용할 수 있다. 이는 실시예로, 전력모듈 패키지(10)에 실장 되는 반도체소자(200)의 종류를 한정하기 위함은 아니다.
제1 반도체소자(210)는 히트스프레더(300) 상면에 적어도 한개 이상이 형성된다. 이때, 제1 반도체소자(210)는 전기적으로 병렬 연결되도록 형성된다. 제1 반도체소자(210)는 전력 소자계열의 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), MOSFET, FRD, 다이오드(Diode) 등에서 하나를 사용하는 것이 적절하다.
제2 반도체소자(230)는 제어 소자계열의 제어 IC(Control Integrated Circuit)를 사용한다. 제2 반도체소자(230)는 소자에 흐르는 전류의 급격한 변화를 방지한다. 제2 반도체소자(230)는 베이스기판(100)의 상면에 실장 되어 형성되고 제어소자를 사용하도록 형성된다. 제2 반도체소자(230)는 제1 반도체소자(210)에 비해 전력을 적게 사용한다. 이는, 제2 반도체소자(230)는 제1 반도체소자(210)의 전압 및 전류의 급격한 변화를 방지하기 위함이다.
제2 반도체소자(230)는 외부에서 공급되는 전류 및 전압을 제어한다. 제2 반도체소자(230)는 서지 전압이나 링잉 전압을 흡수하는 역할을 수행한다. 이때, 제2 반도체소자(230)는 스너버(snubber)를 사용하는 것이 적절하다. 이는, 제2 반도체소자(230)를 스너버로 한정하기 위함은 아니다. 전력모듈 패키지(10)의 내부에는 다수개의 반도체소자(200)가 실장 될 수 있다. 제2 반도체소자(230)이 코일(310)과 일체로 형성함으로써, 제품의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 히트스프레더에의 외주면에 인덕터부(코일)를 형성함으로써,서 방열특성 등의 개선 외에도 전체적인 사이즈축소와 임피던스(Impedance) 저감이라는 부가적인 효과가 있다.
도 7을 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 제2 실시예의 전력모듈 패키지는, 일실시예의 동일구성요소는 생략하고,본 발명에 따른 제2 실시예의 히트스프레더(300) 구조를 자세히 설명한다.
히트스프레더(300)의 전체 외주면을 따라 안착홈(330)이 형성된다. 안착홈(330)은 코일(310)이 삽입되어 고정되도록 형성된다. 안착홈(330)과 코일(310)이 접하는 부분은 절연되어 형성된다. 안착홈(330)은 코일(310)이 권선 되도록 형성된다. 이때, 안착홈(330)은 코일이 일체로 권선 되도록 나사산 형태로 형성되는 것이 적절하다. 안착홈(330)의 내부에는 코일(310)을 고정하기 위한 돌기가 형성될 수도 있다. 또한, 기존 히트스프레더를 일측면에 연속으로 접하여 형성할 수 있음을 밝혀 둔다.
본 발명에 따른 제3 실시예의 전력모듈 패키지는, 일실시예의 동일구성요소는 생략하고,본 발명에 따른 제3 실시예의 히트스프레더(300)와 임덕터부(코일)의 접합 구조에 대하여 자세히 설명한다.
코일(310)은 히트스프레더(300)의 표면 외주 면과 접하도록 형성된다. 이때, 코일(310)의 외주면은 전기적 합선을 방지하기 위하여, 코일(310)의 외주 면에 절연층이 형성되는 것이 적절하다. 또한, 코일(310)은 히트스프레더(300)의 표면을 권선 시에 접착제를 사용할 수도 있다. 이때, 접착제는 히트스프레더(300)의 열 분산으로 녹지 않는 재질을 사용한다. 또한, 기존 히트스프레더를 일측면에 연속으로 접하여 형성할 수 있음을 밝혀 둔다.
이상 본 발명을 실시 예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 전력모듈 패키지는 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
10: 전력모듈 패키지
100: 베이스기판
110: 제1 패턴 130: 제2 패턴 150: 제3 패턴
200: 반도체 소자
210: 제1 반도체 소자 230: 제2 반도체 소자
300: 히트스프레더
310: 인덕터부(코일) 330: 안착홈 350: 관통홈
312: 절연층 314: 금속 와이어

Claims (16)

  1. 패턴이 형성된 베이스기판;
    상기 베이스기판의 상면에 적층 되어 형성된 히트스프레더; 및
    상기 히트스프레더 상면에 실장된 적어도 1개 이상의 제1 반도체소자를 포함하며,
    상기 히트스프레더의 외주면에 코일이 형성된
    전력모듈 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    복 수개의 상기 제1 반도체소자는 전기적으로 병렬연결 되도록 형성된 전력모듈 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 반도체를 전류 및 전압을 제어하면서, 상기 베이스기판의 상면에 실장되도록 형성된 제2 반도체소자를 포함하는 전력모듈 패키지.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제2 반도체소자는 제1 반도체소자보다 상대적으로 전력을 적게 사용하는 전력모듈 패키지.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 제2 반도체소자는 제1 반도체소자에 공급되는 전압을 제어하기 위한 스너버 스위치를 사용한 전력모듈 패키지.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 베이스기판의 하부에는 열을 방출하는 히트 싱크 및 히트플레이트가 실장되도록 형성된 전력모듈 패키지
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 코일은 히트스프레더 외주면을 따라 권선 되도록 형성된 전력모듈 패키지.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 코일은 외부에 절연체가 형성되고, 내부에 금속재질로 형성된 전력모듈 패키지.
  9. 패턴이 형성된 베이스기판;
    상기 베이스기판의 상면에 형성되며, 외주면을 따라 안착홈이 형성된 히트스프레더;
    상기 안착홈에 삽입되도록 형성된 코일; 및
    상기 히트스프레더 상면에 형성된 적어도 1개 이상의 제1 반도체소자를 포함하는 전력모듈 패키지.
  10. 청구항 9에 있어서,
    복 수개의 상기 제1 반도체소자는 전기적으로 병렬연결 되도록 형성된 전력모듈 패키지.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1 반도체를 제어하면서, 상기 베이스기판의 상면에 실장 되도록 형성된 제2 반도체소자를 포함하는 전력모듈 패키지.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제2 반도체소자는 제1 반도체소자보다 상대적으로 전력을 적게 사용하는 전력모듈 패키지.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 제2 반도체소자는 제1 반도체소자에 공급되는 전압을 제어하기 위한 스너버 스위치를 사용한 전력모듈 패키지.
  14. 청구항 9에 있어서,
    상기 코일은 외부에 절연체가 형성되고, 내부에 금속재질이 형성된 전력모듈 패키지.
  15. 청구항 9에 있어서,
    상기 안착홈과 코일 사이에 절연층이 형성된 전력모듈 패키지.
  16. 청구항 9에 있어서,
    상기 히트스프레더의 일면과 타면을 관통하는 관통홈이 형성되고,
    상기 관통홈을 통해 입·출력 코일이 일체로 연결되는 전력모듈 패키지.
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