KR20150104383A - Lead frame, light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 리드 프레임, 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 용도나 조명 용도로 사용할 수 있는 리드 프레임, 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드프레임에 실장한 후, 패키징할 수 있어서 여러 가지 용도로 모듈화하여 백라이트 유닛(backlight unit)이나 각종 조명 장치 등에 적용할 수 있다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that can emit light of various colors by forming a light emitting source through the formation of a PN diode of a compound semiconductor. Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, and can be driven at a low voltage. In addition, these LEDs are resistant to shock and vibration, do not require preheating time and complicated driving, can be packaged after being mounted on a substrate or lead frame in various forms, so that they can be modularized for various purposes and used as a backlight unit A lighting device, and the like.
그러나, 종래의 발광 소자 패키지는 리드 프레임 위에 솔더 페이스트를 디스펜싱 하는 경우, 솔더 페이스트의 정밀한 공급이 어려워서 솔더 페이스트가 너무 적게 도포되면 기판과 발광 소자 사이의 접착 강도가 낮아져서 단락 현상이 발생될 수 있고, 솔더 페이스트가 너무 많이 도포되면 발광 소자 안착시 발광 소자에 의해 눌려지면서 솔더 페이스트가 기판을 따라 전극분리선을 넘어 퍼지게 되고, 이로 인하여 쇼트가 발생되는 문제점이 있었다.However, in the conventional light emitting device package, when dispensing the solder paste onto the lead frame, it is difficult to precisely supply the solder paste, so that when too little solder paste is applied, the bonding strength between the substrate and the light emitting element is lowered, When the solder paste is applied too much, the solder paste is spread over the electrode dividing line as the solder paste is pressed by the light emitting device when the light emitting device is seated, resulting in a short circuit.
또한, 종래의 발광 소자 패키지는 반사 봉지재 몰딩 후, 반사 봉지재의 요철면 등에 의해서 솔더 페이스트를 스크린 인쇄하기가 어려웠었던 문제점이 있었다.Further, in the conventional light emitting device package, it has been difficult to screen the solder paste by the uneven surface of the reflective encapsulant after molding the reflective encapsulant.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 공정을 간략화하고, 본딩 매체의 접착성을 향상시키는 동시에 쇼트를 방지할 수 있게 하는 리드 프레임, 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a lead frame, a light emitting device package, a backlight unit, a lighting unit, and the like which simplify a process, improve a bonding property of a bonding medium, And a method of manufacturing the light emitting device package. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 전극 분리 공간을 기준으로 일측 방향에 제 1 전극이 설치되고, 타측 방향에 제 2 전극이 설치되며, 상기 제 1 전극에 제 1 수용 컵부가 형성되고, 상기 제 2 전극에 제 2 수용 컵부가 형성되는 리드 프레임을 준비하는 단계; 상기 제 1 수용 컵부 및 상기 제 2 수용 컵부에 각각 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 형성하는 단계; 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체가 형성된 상기 리드 프레임에 반사 봉지재를 몰딩 성형하는 단계; 제 1 패드가 상기 제 1 본딩 매체와 접촉되고, 제 2 패드가 상기 제 2 본딩 매체와 접촉될 수 있도록 상기 발광 소자를 상기 리드 프레임에 안착시키는 단계; 및 상기 제 1 패드가 상기 제 1 본딩 매체와 전기적 및 물리적으로 견고하게 연결되고, 상기 제 2 패드가 상기 제 2 본딩 매체와 전기적 및 물리적으로 견고하게 연결될 수 있도록 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 리플로우(reflow)하는 단계;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device package, the method comprising: providing a first electrode on one side of the electrode separation space, a second electrode on the other side of the electrode separation space, Preparing a lead frame in which a first accommodating cup portion is formed and a second accommodating cup portion is formed in the second electrode; Forming the first bonding medium and the second bonding medium in a solid state in the first accommodating cup portion and the second accommodating cup portion, respectively; Molding a reflective encapsulant into the first bonding medium in solid state and the lead frame in which the second bonding medium is formed; Placing the light emitting element on the lead frame such that the first pad is in contact with the first bonding medium and the second pad is in contact with the second bonding medium; And a second bonding medium, wherein the first pad is electrically and physically rigidly connected to the first bonding medium, and wherein the first bonding medium and the second bonding medium are bonded to each other to electrically and physically connect the second pad to the second bonding medium. And reflowing the bonding medium.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 리드 프레임을 준비하는 단계는, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 식각 또는 프레스 가공하여 상기 제 1 수용 컵부 및 상기 제 2 수용 컵부를 형성하는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the step of preparing the lead frame may include etching or pressing the first electrode and the second electrode to form the first accommodating cup portion and the second accommodating cup portion .
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 수용 컵부 및 상기 제 2 수용 컵부에 각각 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 형성하는 단계 이전에, 상기 제 1 수용 컵부 및 상기 제 2 수용 컵부와 대응되는 스크린의 관통홀을 통해서 유동 상태의 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 도포하고, 이를 밀대로 밀어서 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 스크린 프린팅하는 단계; 및 스크린 프린팅된 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 경화시키도록 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 예비 리플로우하는 단계;를 더 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, before forming the first bonding medium and the second bonding medium in solid state in the first accommodating cup portion and the second accommodating cup portion, The first bonding medium and the second bonding medium in a flowing state are applied through the through holes of the screen corresponding to the second accommodating cup portion and the first bonding medium and the second bonding medium are screen printed by pushing the first bonding medium and the second bonding medium step; And preliminarily reflowing the first bonding medium and the second bonding medium to cure the screen-printed first bonding medium and the second bonding medium.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 수용 컵부 및 상기 제 2 수용 컵부에 각각 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 형성하는 단계는, 상기 제 1 수용 컵부 및 상기 제 2 수용 컵부와 대응되는 마스크의 관통홀을 통해서 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 증착시키는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the step of forming the first bonding medium and the second bonding medium in a solid state in the first accommodating cup portion and the second accommodating cup portion, respectively, The first bonding medium and the second bonding medium may be deposited through the through-holes of the mask corresponding to the second accommodating cup portion.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체가 형성된 상기 리드 프레임에 반사 봉지재를 몰딩 성형하는 단계에서, 상기 반사 봉지재의 몰딩 성형시, 금형의 가열 온도는 상기 반사 봉지재의 몰딩 소재의 용융 온도 보다 높고, 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체의 용융 온도 보다 낮은 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, in the step of molding the reflective encapsulant into the lead frame formed with the first bonding medium and the second bonding medium in a solid state, at the time of molding the reflective encapsulant, The temperature may be higher than the melting temperature of the molding material of the reflective encapsulant and lower than the melting temperature of the first bonding medium and the second bonding medium.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 패드가 상기 제 1 본딩 매체와 전기적으로 연결되며, 제 2 패드가 상기 제 2 본딩 매체와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 발광 소자를 상기 리드 프레임에 안착시키는 단계 이전에, 상기 제 1 패드 및 상기 제 2 패드 및/또는 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체에 플럭스(flux)를 도포하는 단계;를 더 포함하는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the first pad is electrically connected to the first bonding medium, and the light emitting element is seated on the lead frame so that the second pad can be electrically connected to the second bonding medium Applying the flux to the first pad and the second pad and / or the first bonding medium and the second bonding medium prior to the step.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 제 1 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의해 제조될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package comprising: a light emitting device package;
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 조명 장치는, 제 1 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의해 제조된 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package including a light emitting device package manufactured by the manufacturing method according to any one of
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 조명 장치는, 제 1 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의해 제조된 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package including a light emitting device package manufactured by the manufacturing method according to any one of
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 리드 프레임은, 전극 분리 공간을 기준으로 일측 방향에 설치되는 제 1 전극; 상기 전극 분리 공간을 기준으로 타측 방향에 설치되는 제 2 전극; 상기 제 1 전극에 오목하게 형성되는 제 1 수용 컵부; 상기 제 2 전극에 오목하게 형성되는 제 2 수용 컵부; 상기 제 1 수용 컵부에 충전되어 고체 상태를 이루고, 반사 봉지재의 몰딩 성형시 녹지 않을 정도로 높은 용융점을 갖는 제 1 본딩 매체; 및 상기 제 2 수용 컵부에 충전되어 고체 상태를 이루고, 상기 반사 봉지재의 몰딩 성형시 녹지 않을 정도로 높은 용융점을 갖는 제 2 본딩 매체;를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a lead frame comprising: a first electrode provided on one side of an electrode separation space; A second electrode provided in the other direction with respect to the electrode separation space; A first accommodating cup portion formed concavely in the first electrode; A second receiving cup portion formed concavely in the second electrode; A first bonding medium filled in the first accommodating cup to be in a solid state and having a melting point as high as not melting during molding of the reflective encapsulant; And a second bonding medium having a melting point that is filled in the second accommodating cup portion to be in a solid state and has a melting point that is high enough not to be melted during the molding of the reflective encapsulant.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 반사 봉지재의 몰딩 이전에 리드 프레임에 수용 컵부를 형성하고 여기에 솔더 페이스트를 스크린 프린팅하여 정확한 양만큼만 정밀 공급함으로써 공정을 간략화하고, 본딩 매체의 접착성을 향상시키는 동시에 쇼트를 방지할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, the process is simplified by forming a receiving cup portion in the lead frame before molding the reflective encapsulant and screen-printing the solder paste thereon to precisely supply the correct amount, And at the same time, it is possible to prevent a shot. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 리드 프레임을 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 부품 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 발광 소자 패키지의 II-II 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1의 발광 소자 패키지의 제 1 본딩 매체 및 제 2 본딩 매체를 나타내는 평면도이다.
도 5 내지 도 8는 발광 소자 패키지의 다양한 실시예들에 따른 제 1 본딩 매체 및 제 2 본딩 매체를 나타내는 평면도들이다.
도 9 내지 도 16은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.
도 17은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 18은 도 10의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 19는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 20은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 21은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.1 is a perspective view illustrating a lead frame in accordance with some embodiments of the present invention.
2 is an exploded perspective view of a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a light emitting device package of FIG. 2 taken along line II-II.
4 is a plan view showing a first bonding medium and a second bonding medium of the light emitting device package of FIG.
5 to 8 are plan views showing a first bonding medium and a second bonding medium according to various embodiments of the light emitting device package.
9 to 16 are cross-sectional views illustrating steps of manufacturing the light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
17 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to some embodiments of the present invention.
18 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to another embodiment of FIG.
19 is a flowchart showing a method of manufacturing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
20 is a flow chart illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to some other embodiments of the present invention.
21 is a flowchart showing a method of manufacturing a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified in various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, region or substrate is referred to as being "on", "connected to", "laminated" or "coupled to" another element, It will be appreciated that elements may be directly "on", "connected", "laminated" or "coupled" to another element, or there may be other elements intervening therebetween. On the other hand, when one element is referred to as being "directly on", "directly connected", or "directly coupled" to another element, it is interpreted that there are no other components intervening therebetween do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "top" or "above" and "under" or "below" can be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the Figures. Relative terms are intended to include different orientations of the device in addition to those depicted in the Figures. For example, if the element is inverted in the figures, the elements depicted as being on the upper surface of the other elements will have a direction on the lower surface of the other elements. Thus, the example "top" may include both "under" and "top" directions depending on the particular orientation of the figure. If the elements are oriented in different directions (rotated 90 degrees with respect to the other direction), the relative descriptions used herein can be interpreted accordingly.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 리드 프레임(20)을 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing a
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 리드 프레임(20)은, 크게, 제 1 전극(21)과, 제 2 전극(22)과, 제 1 수용 컵부(21a)와, 제 2 수용 컵부(22a)와, 제 1 본딩 매체(B1) 및 제 2 본딩 매체(B2)를 포함할 수 있다.1, a
여기서, 상기 제 1 전극(21)은, 전극 분리 공간을 기준으로 일측 방향에 설치되는 리드 프레임의 일부분일 수 있다.Here, the
또한, 상기 제 2 전극(22)은, 상기 전극 분리 공간을 기준으로 타측 방향에 설치되는 리드 프레임의 타부분일 수 있다.In addition, the
또한, 상기 제 1 수용 컵부(21a)는, 상기 제 1 전극(21)에 오목하게 형성되는 부분일 수 있다.Also, the first
또한, 상기 제 2 수용 컵부(22a)는, 상기 제 2 전극(22)에 오목하게 형성되는 부분일 수 있다.In addition, the second
또한, 상기 제 1 본딩 매체(B1)는, 상기 제 1 수용 컵부(21a)에 충전되어 고체 상태를 이루고, 반사 봉지재(30)의 몰딩 성형시 녹지 않을 정도로 높은 고용융점을 갖는 부재로서, 솔더 성분을 포함할 수 있다.The first bonding medium B1 is a member filled with the first
또한, 상기 제 2 본딩 매체는, 상기 제 2 수용 컵부(22a)에 충전되어 고체 상태를 이루고, 상기 반사 봉지재(30)의 몰딩 성형시 녹지 않을 정도로 높은 고용융점을 갖는 솔더 성분을 포함할 수 있다.The second bonding medium may include a solder component filled in the second
여기서, 상기 제 1 본딩 매체(B1)는, 상기 제 1 수용 컵부(21a)에 유동 상태인 솔더 페이스트(solder paste) 또는 솔더 크림으로 프린팅되어 경화되고, 상기 제 2 본딩 매체(B2)는, 상기 제 2 수용 컵부(22a)에 유동 상태인 솔더 페이스트(solder paste) 또는 솔더 크림으로 그 패턴이 프린팅되어 경화될 수 있다.Here, the first bonding medium B1 is printed with a solder paste or solder cream in a fluid state in the first
이외에도, 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)는, 솔더 페이스트나 솔더 크림은 물론이고, 본딩시 유동이 가능한 유동 상태이나, 냉각시 또는 가열시 또는 건조시 경화될 수 있는 모든 경화성 재질인 전도성 본딩 매체일 수 있다.In addition, the first bonding medium B1 and the second bonding medium B2 may be in a fluidized state during bonding, as well as in a solder paste or a solder cream, or may be cured upon cooling, The conductive bonding medium may be any hardenable material.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)는 사각판 형상일 있다.Also, as shown in FIG. 1, the first bonding medium B1 and the second bonding medium B2 may have a rectangular plate shape.
도 5 내지 도 8는 발광 소자 패키지의 다양한 실시예들에 따른 제 1 본딩 매체(B1) 및 제 2 본딩 매체(B2)를 나타내는 평면도들이다.5 to 8 are plan views showing a first bonding medium B1 and a second bonding medium B2 according to various embodiments of the light emitting device package.
이외에도, 상기 리드 프레임(20)과 본딩 매체(B1)(B2) 간의 접촉 면적을 늘리기 위해서 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)는 각각, 도 5에 도시된 바와 같이, 행방향으로 배치되는 복수개(도면에서는 3개)의 가늘고 긴 사각판 형상일 수 있고, 도 6에 도시된 바와 같이, 열방향으로 배치되는 복수개(도면에서는 2개)의 짧은 사각판 형상일 수 있고, 도 7에 도시된 바와 같이, 행과 열방향으로 배치되는 복수개(도면에서는 6개)의 가늘고 긴 사각판 형상일 수 있으며, 도 8에 도시된 바와 같이, 행과 열방향으로 배치되는 복수개(도면에서는 14개)의 짧은 사각판 형상일 수 있다. 이외에도 이러한 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)의 형태는 매우 다양할 수 있다.In addition, in order to increase the contact area between the
따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상기 리드 프레임(20)은, 후술될 반사 봉지재(30)가 몰딩 성형되기 이전에, 이미 상기 제 1 본딩 매체(B1)가, 상기 제 1 수용 컵부(21a)에 유동 상태인 솔더 페이스트(solder paste) 또는 솔더 크림으로 프린팅되어 경화되고, 상기 제 2 본딩 매체(B2)가, 상기 제 2 수용 컵부(22a)에 유동 상태인 솔더 페이스트(solder paste) 또는 솔더 크림으로 그 패턴이 프린팅되어 경화되어 제품화된 것일 수 있다.1, the
따라서, 작업자는 종래처럼 몰딩 성형 후, 솔더 페이스트를 도포하거나 디스펜싱할 필요 없이, 간단하게 본 발명의 리드 프레임(20)을 제품 단위로 구매하여 여기에 반사 봉지재(30)를 몰딩한 다음, 바로 발광 소자를 안착 및 리플로우하여 발광 소자 패키지를 완성할 수 있다.Therefore, the operator simply purchases the
그러므로, 작업자는 라인에서 본딩 매체의 도포 또는 디스펜싱 공정을 생략할 수 있고, 본 발명의 리드 프레임(20)의 생산시, 솔더 페이스트나 솔더 크림을 정밀하게 스크린 프린팅할 수 있기 때문에 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)에 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 정확하게 채워서 단락이나 쇼트가 발생되지 않을 만큼, 즉 최적의 양만큼만 정밀하게 형성할 수 있다. Therefore, the operator can omit the application or dispensing process of the bonding medium in the line, and can precisely screen-print the solder paste or the solder cream during the production of the
한편, 상기 리드 프레임(20)은, 전극 분리 공간을 기준으로 일측 방향에 제 1 전극(21)이 설치되고, 타측 방향에 제 2 전극(22)이 설치되는 기판의 일종일 수 있다.Meanwhile, the
이러한, 상기 리드 프레임(20)은, 상기 발광 소자(10)를 지지하거나 수용할 수 있는 적당한 기계적 강도와 절연성을 갖는 재료나 전도성 재료로 제작될 수 있다.The
예를 들어서, 상기 리드 프레임(20)은, 절연 처리된 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 재질이 적용될 수 있으며, 천공되거나 절곡된 플레이트 형태일 수 있다.For example, the
이외에도, 상기 리드 프레임(20)을 대신하여 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)이 적용될 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임(20)은, 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.In addition, a printed circuit board (PCB) in which an epoxy resin sheet is formed in multiple layers in place of the
이외에도, 상기 리드 프레임(20) 대신, 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지 기판이나, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 기판이 적용될 수 있다.In addition, instead of the
또한, 상기 리드 프레임(20)은, 가공성을 향상시키기 위해서 부분적 또는 전체적으로 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.In order to improve workability, the
도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)를 나타내는 부품 분해 사시도이고, 도 3은 도 2의 발광 소자 패키지(100)의 II-II 절단면을 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 제 1 본딩 매체(B1) 및 제 2 본딩 매체(B2)를 나타내는 평면도이다.2 is a fragmentary exploded perspective view showing a light emitting
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 상술된 본 발명의 상기 리드 프레임(20)을 포함하는 것으로서, 크게 발광 소자(10)와, 리드 프레임(20)과, 제 1 본딩 매체(B1) 및 제 2 본딩 매체(B2)를 포함할 수 있다.2 to 4, the light emitting
여기서, 상기 발광 소자(10)는, 제 1 패드(P1)와 제 2 패드(P2)를 갖는 플립칩(flip chip) 형태의 LED(Light Emitting Diode)일 수 있다.Here, the
이러한, 상기 발광 소자(10)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED, 적외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)으로 나타내진다.The
또한, 상기 발광 소자(10)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(10)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(10)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.The
여기서, 상기 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.Here, as the growth substrate, an insulating, conductive or semiconductor substrate may be used if necessary. For example, the growth substrate may be sapphire, SiC, Si, MgAl 2 O 4, MgO, LiAlO 2, LiGaO 2, GaN. A GaN substrate, which is a homogeneous substrate, is preferable for epitaxial growth of a GaN material, but a GaN substrate has a problem of high production cost due to its difficulty in manufacturing.
이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.Sapphire and silicon carbide (SiC) substrates are mainly used as the different substrates. Sapphire substrates are more utilized than expensive silicon carbide substrates. When using a heterogeneous substrate, defects such as dislocation are increased due to the difference in lattice constant between the substrate material and the thin film material. Also, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the substrate material and the thin film material, warping occurs at a temperature change, and warping causes a crack in the thin film. This problem may be reduced by using a buffer layer between the substrate and the GaN-based light emitting laminate.
또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.In addition, the substrate for growth may be completely or partially removed or patterned in order to improve the optical or electrical characteristics of the LED chip before or after the growth of the LED structure.
예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.For example, in the case of a sapphire substrate, the substrate can be separated by irradiating the laser to the interface with the semiconductor layer through the substrate, and the silicon or silicon carbide substrate can be removed by a method such as polishing / etching.
또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.Another supporting substrate may be used for removing the growth substrate. In order to improve the light efficiency of the LED chip on the opposite side of the growth substrate, the supporting substrate may be bonded using a reflective metal, As shown in FIG.
또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.In addition, patterning of the growth substrate improves the light extraction efficiency by forming irregularities or slopes before or after the LED structure growth on the main surface (front surface or both sides) or side surfaces of the substrate. The size of the pattern can be selected from the range of 5 nm to 500 μm and it is possible to make a structure for improving the light extraction efficiency with a rule or an irregular pattern. Various shapes such as a shape, a column, a mountain, a hemisphere, and a polygon can be adopted.
상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.In the case of the sapphire substrate, the crystals having a hexagonal-rhombo-cubic (Hexa-Rhombo R3c) symmetry have lattice constants of 13.001 and 4.758 in the c-axis direction and the a-axis direction, respectively, and have C plane, A plane and R plane. In this case, the C-plane is relatively easy to grow the nitride film, and is stable at high temperature, and thus is mainly used as a substrate for nitride growth.
또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.Another material of the growth substrate is a Si substrate, which is more suitable for large-scale curing and relatively low in cost, so that mass productivity can be improved.
또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.In addition, since the silicon (Si) substrate absorbs light generated from the GaN-based semiconductor and the external quantum efficiency of the light emitting device is lowered, the substrate may be removed as necessary, and Si, Ge, SiAl, A support substrate such as a metal substrate is further formed and used.
상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.When a GaN thin film is grown on a different substrate such as the Si substrate, the dislocation density increases due to the lattice constant mismatch between the substrate material and the thin film material, and cracks and warpage Lt; / RTI > The buffer layer may be disposed between the growth substrate and the light emitting stack for the purpose of preventing dislocation and cracking of the light emitting stack. The buffer layer also functions to reduce the scattering of the wavelength of the wafer by adjusting the degree of warping of the substrate during the growth of the active layer.
여기서, 상기 버퍼층은 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.Herein, the buffer layer may be made of Al x In y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, x + y? 1), in particular GaN, AlN, AlGaN, InGaN or InGaNAlN. Materials such as ZrB2, HfB2, ZrN, HfN and TiN can also be used as needed. Further, a plurality of layers may be combined, or the composition may be gradually changed.
또한, 도시하지 않았지만, 상기 발광 소자(10)는, 상기 패드(P1)(P2) 이외에도 펌프나 솔더 등의 신호전달매체를 갖는 플립칩 형태일 수 있고, 이외에도, 단자에 본딩 와이어가 적용되거나, 부분적으로 제 1 단자 또는 제 2 단자에만 본딩 와이어가 적용되는 발광 소자나, 수평형, 수직형 발광 소자 등이 모두 적용될 수 있다.Although not shown, the
제 1 패드(P1)와 제 2 패드(P2)는 도 2에 도시된 사각 형상 이외에 다양한 형상으로 변형될 수 있고, 예컨대 하나의 암 상에 다수 핑거들이 구비된 핑거 구조를 가질 수도 있다.The first pad P1 and the second pad P2 may be deformed into various shapes other than the rectangular shape shown in FIG. 2, and may have a finger structure having a plurality of fingers on one arm, for example.
또한, 상기 발광 소자(10)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 리드 프레임(20)에 1개가 설치될 수도 있고, 이외에도 상기 리드 프레임(20)에 복수개가 설치되는 것도 가능하다.As shown in FIG. 2, the
또한, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 또한, 상기 발광 소자(10)의 제 1 패드(P1)의 일부분이 상기 리드 프레임(20)의 제 1 전극(21)과 직접 접촉되고, 상기 발광 소자(10)의 제 2 패드(P2)의 일부분이 상기 리드 프레임(20)의 제 2 전극(22)과 직접 접촉될 수 있도록 상기 제 1 수용 컵부(21a)의 입구 폭(W2) 또는 길이는 상기 제 1 패드(P1)의 폭(W1) 또는 길이 보다 작고, 상기 제 2 수용 컵부(22a)의 입구 폭(W2) 또는 길이는 상기 제 2 패드(P2)의 폭(W1) 또는 길이 보다 작은 것일 수 있다.2 to 4, a part of the first pad P1 of the
따라서, 상기 발광 소자(10)의 제 1 패드(P1)의 일부분이 상기 리드 프레임(20)의 제 1 전극(21)과 직접 접촉되고, 상기 발광 소자(10)의 제 2 패드(P2)의 일부분이 상기 리드 프레임(20)의 제 2 전극(22)과 직접 접촉될 수 있기 때문에 발광 소자 안착시 상기 발광 소자(10)의 양측 패드(P1)(P2)가 상기 리드 프레임(20)에 직접 접촉되어 상기 발광 소자(10)가 기울어지거나 틀어지지 않아서 발광축을 정확하게 정렬시킬 수 있다. A part of the first pad P1 of the
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)는, 상기 제 1 패드(P1) 및 상기 제 2 패드(P2)의 풋프린트(footprint) 영역(A1)(A2) 이내에 위치될 수 있다.4, the first
따라서, 상기 발광 소자(10)의 제 1 패드(P1)의 테두리 부분이 상기 리드 프레임(20)의 제 1 전극(21)과 직접 접촉되어 빈 틈이 없고, 상기 발광 소자(10)의 제 2 패드(P2)의 테두리 부분이 상기 리드 프레임(20)의 제 2 전극(22)과 직접 접촉되어 빈 틈이 없기 때문에 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)가 밀봉되어 리플로우시, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)의 외부로 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)가 누출되지 않는다.The rim of the first pad P1 of the
이와 동시에, 리플로우시, 기타 형광체나, 투명 봉지재나, 반사 부재나, 기타 몰딩 소재들이 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)의 내부로 침투되는 것을 방지할 수 있다.At the same time, it is possible to prevent other phosphors, transparent encapsulant, reflection member, and other molding materials from penetrating into the first and second
물론, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)는, 상기 발광 소자(10)의 풋프린트 영역(A3) 이내에 위치되는 것은 자명할 것이다. Of course, it is obvious that the first
여기서, 예컨데 상기 제 1 패드(P1)의 풋프린트 영역이란 평면도 상에서 상기 제 1 패드(P1)가 상기 리드 프레임(20)에 투영된 영역을 나타내는 것으로서, 상기 제 1 패드(P1)가 상기 리드 프레임(20) 상에서 차지하는 밑면적을 의미할 수 있다.Herein, for example, the foot pad region of the first pad P1 indicates a region where the first pad P1 is projected onto the
한편, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 발광 소자 패키지(100)는, 상기 전극 분리 공간에 충전되어 전극 분리벽(31)을 형성하고, 상기 발광 소자의 실장시 상기 발광 소자(10)가 정위치에 정렬될 수 있도록 상기 발광 소자(10)의 측면 둘레와 대응되는 형상의 반사컵부(32)를 형성하는 반사 봉지재(30)를 더 포함할 수 있다.2 to 4, the light emitting
또한, 상기 반사 봉지재(30)는, 상기 전극 분리벽(31) 및 상기 반사컵부(32)가 금형에 의해서 일체로 몰딩 형성될 수 있다.In the
이외에도, 상기 반사 봉지재(30)는, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(Bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.In addition, the
또한, 상기 반사 봉지재(30)는, 적어도 반사물질이 포함된 EMC, 반사물질이 포함된 화이트 실리콘, PSR(Photoimageable Solder Resist) 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.The
또한, 더욱 구체적으로는, 예를 들어서, 상기 반사 봉지재(30)은, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등의 수지 등이 적용될 수 있다.More specifically, for example, the
또한, 이들 수지 중에, 산화 티타늄, 이산화규소, 이산화티탄, 이산화지르코늄, 티타늄산 칼륨, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 멀라이트, 크롬, 화이트 계열이나 금속 계열의 성분 등 광 반사성 물질을 함유시킬 수 있다.It is also possible to add a light reflecting material such as titanium oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite, chromium, have.
또한, 도 16에 도시된 바와 같이, 상기 반사컵부(32)에는 충전재(40)가 충전될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 16, the
여기서, 상기 충전재는, 입자의 크기가 상대적으로 작고 치밀한 재질인, 적어도 실리콘, 투명 에폭시, 형광체 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.Here, the filler may be selected from at least one selected from the group consisting of silicon, transparent epoxy, phosphor, and combinations thereof, which are relatively small in particle size and dense materials.
이외에도, 상기 충전재는, 유리, 아크릴, 에폭시 수지는 물론, EMC, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등을 선택하여 이루어질 수 있다.In addition, the filler may be selected from the group consisting of EMC, epoxy resin composition, silicone resin composition, modified epoxy resin composition, modified silicone resin composition, polyimide resin composition, modified polyimide resin composition, polyphthalamide PPA), polycarbonate resin, polyphenylene sulfide (PPS), liquid crystal polymer (LCP), ABS resin, phenol resin, acrylic resin, PBT resin and the like.
또한, 상기 충전재는 형광체를 포함할 수 있다.In addition, the filler may include a phosphor.
여기서, 상기 형광체는 아래와 같은 조성식 및 컬러를 가질 수 있다.Here, the phosphor may have the following composition formula and color.
산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:CeOxide system: yellow and green Y3Al5O12: Ce, Tb3Al5O12: Ce, Lu3Al5O12: Ce
실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce(Ba, Sr) 2SiO4: Eu, yellow and orange (Ba, Sr) 3SiO5: Ce
질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 L3Si6O11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:EuEu, Sr2Si5N8: Eu, SrSiAl4N7: Eu, Eu3O3: Eu, Eu3O3: Eu,
이러한, 상기 형광체의 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y은 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다, 또한 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제등이 추가로 적용될 수 있다.The composition of the phosphor should basically correspond to stoichiometry, and each element may be substituted with another element in each group on the periodic table. For example, Sr can be substituted with Ba, Ca, Mg, etc. of the alkaline earth (II) group, and Y can be replaced with lanthanum series of Tb, Lu, Sc, Gd and the like. Ce, Tb, Pr, Er, Yb and the like, and the active agent may be used alone or as a negative active agent for the characteristic modification.
또한, 상기 형광체는 양자점(Quantum Dot) 등의 물질들을 포함할 수 있다. 이러한 형광체는 전술한 산화물계, 질화물계, 실리케이트계, QD 물질을 단독 또는 혼합으로 사용할 수 있다.In addition, the phosphor may include materials such as a quantum dot. The above-mentioned oxides, nitrides, silicates, and QD materials may be used alone or as a mixture of these phosphors.
QD는 CdSe, InP 등의 코어(3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 쉘(0.5 ~ 2nm)및 코어, 쉘의 안정화를 위한 리간드(Ligand)의 구조로 구성될 수 있으며, 크기에 따라 다양한 칼라를 구현할 수 있다.QD can be composed of a core (3 to 10 nm) such as CdSe and InP, a shell (0.5 to 2 nm) such as ZnS and ZnSe, and a ligand for stabilizing the core and the shell. Can be implemented.
또한, 상기 형광체의 도포 방식은 크게 LED 칩 또는 발광소자에 뿌리는 방식, 또는 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 세라믹 형광체 등의 시트 형태를 부착하는 방식 중 적어도 하나를 사용 할 수 있다.In addition, the application method of the phosphor may be at least one of a method of being applied to an LED chip or a light emitting device, a method of covering the LED chip, a method of covering the LED chip, a method of attaching a sheet form such as a film or a ceramic phosphor.
뿌리는 방식으로는 디스펜싱, 스프레이 코팅 등이 일반적이며 디스펜싱은 공압방식과 스크류(Screw), 리니어 타입(Linear type) 등의 기계적 방식을 포함한다. 제팅(Jetting) 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. 웨이퍼 레벨 또는 발광 소자 기판상에 스프레이 방식으로 형광체를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다. Dispensing and spray coating are common methods of spraying, and dispensing includes mechanical methods such as pneumatic method and screw, linear type. It is also possible to control the amount of dyeing through a small amount of jetting by means of a jetting method and control the color coordinates thereof. The method of collectively applying the phosphor on the wafer level or the light emitting device substrate by the spray method can easily control productivity and thickness.
발광 소자 또는 LED 칩 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, 스크린 프린팅 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며 LED 칩 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다.The method of directly covering the light emitting device or the LED chip in a film form can be applied by a method of electrophoresis, screen printing or phosphor molding, and the method can be different according to necessity of application of the side of the LED chip.
발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 중 단파장에서 발광하는 광을 재 흡수하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, LED 칩과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화하기 위하여 각 층 사이에 DBR(ODR)층을 포함 할 수 있다.In order to control the efficiency of the long-wavelength light-emitting phosphor that reabsers light emitted from a short wavelength among two or more kinds of phosphors having different emission wavelengths, two or more kinds of phosphor layers having different emission wavelengths can be distinguished. A DBR (ODR) layer may be included between each layer to minimize absorption and interference.
균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 LED 칩 또는 발광 소자 위에 부착할 수 있다. In order to form a uniform coating film, the phosphor may be formed into a film or ceramic form and then attached onto the LED chip or the light emitting device.
광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 리모트 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이 때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치한다.In order to make a difference in light efficiency and light distribution characteristics, a photoelectric conversion material may be located in a remote format. In this case, the photoelectric conversion material is located together with a transparent polymer, glass, or the like depending on its durability and heat resistance.
이러한, 상기 형광체 도포 기술은 발광 소자에서 광특성을 결정하는 가장 큰 역할을 하게 되므로, 형광체 도포층의 두께, 형광체 균일 분산 등의 제어 기술들이 다양하게 연구되고 있다. QD 또한 형광체와 동일한 방식으로 LED 칩 또는 발광 소자에 위치할 수 있으며, 유리 또는 투광성 고분자 물질 사이에 위치하여 광 변환을 할 수 있다.Since the phosphor coating technique plays a major role in determining the optical characteristics in the light emitting device, control techniques such as the thickness of the phosphor coating layer and the uniform dispersion of the phosphor have been studied variously. QD can also be placed in the LED chip or the light emitting element in the same manner as the phosphor, and can be positioned between the glass or translucent polymer material for light conversion.
도 17은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)을 나타내는 단면도이다.17 is a cross-sectional view illustrating a
도 17에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)은, 제 1 패드(P1)와 제 2 패드(P2)를 갖는 플립칩(flip chip) 형태의 발광 소자(10)와, 전극 분리 공간을 기준으로 일측 방향에 제 1 전극(21)이 설치되고, 타측 방향에 제 2 전극(22)이 설치되며, 상기 발광 소자(10)가 안착되는 리드 프레임(20)과, 상기 발광 소자(10)의 제 1 패드(P1)와 상기 리드 프레임(20)의 제 1 전극(21)이 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 제 1 패드(P1)와 상기 제 1 전극(21) 사이에 설치되는 제 1 본딩 매체(B1)와, 상기 발광 소자(10)의 제 2 패드(P2)와 상기 리드 프레임(20)의 제 2 전극(22)이 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 제 2 패드(P2)와 상기 제 2 전극(22) 사이에 설치되는 제 2 본딩 매체(B2) 및 상기 발광 소자(10)의 광경로에 설치되는 도광판(50)을 포함하고, 상기 리드 프레임(20)의 제 1 전극(21)은 제 1 수용 컵부(21a)가 형성되고, 상기 리드 프레임(20)의 제 2 전극(22)은 제 2 수용 컵부(22a)가 형성되며, 상기 제 1 본딩 매체(B1)는, 상기 제 1 수용 컵부(21a)에 유동 상태로 그 패턴이 프린팅되어 경화되고, 상기 제 2 본딩 매체(B2)는, 상기 제 2 수용 컵부(22a)에 유동 상태로 그 패턴이 프린팅되어 경화되될 수 있다.17, a
여기서, 상기 발광 소자(10)와, 상기 리드 프레임(20)과, 상기 제 1 본딩 매체(B1)와, 상기 제 2 본딩 매체(B2)와, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상술된 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 구성 요소들과 그 역할 및 구성이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.Here, the
또한, 상기 도광판(50)은, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛을 유도할 수 있도록 투광성 재질로 제작될 수 있는 광학 부재일 수 있다.In addition, the
이러한, 상기 도광판(50)은, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛의 경로에 설치되어, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛을 보다 넓은 면적으로 전달할 수 있다.The
이러한, 상기 도광판(50)은, 그 재질이 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등이 적용될 수 있고, 이외에도 각종 투광성 수지 계열의 재질이 적용될 수 있다. 또한, 상기 도광판(50)은, 표면에 미세 패턴이나 미세 돌기나 확산막등을 형성하거나, 내부에 미세 기포를 형성하는 등 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.The
여기서, 도시하지 않았지만, 상기 도광판(50)의 상방에는 각종 확산 시트, 프리즘 시트, 필터 등이 추가로 설치될 수 있다. 또한, 상기 도광판(50)의 상방에는 LCD 패널 등 각종 디스플레이 패널이 설치될 수 있다.Although not shown, various diffusion sheets, prism sheets, filters, and the like may be additionally provided above the
한편, 도시하지 않았지만, 본 발명은 상술된 상기 발광 소자 패키지(100)를 포함하는 조명 장치를 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상기 조명 장치의 구성 요소들은 상술된 본 발명의 발광 소자 패키지의 그것들과 구성과 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.Although not shown, the present invention may include a lighting device including the light emitting
도 9 내지 도 16은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.9 to 16 are cross-sectional views illustrating steps of manufacturing the light emitting
도 9 내지 도 16에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제조 과정을 단계적으로 설명하면, 먼저, 도 9에 도시된 바와 같이, 전극 분리 공간을 기준으로 일측 방향에 제 1 전극(21)이 설치되고, 타측 방향에 제 2 전극(22)이 설치되며, 상기 제 1 전극(21)에 제 1 수용 컵부(21a)가 형성되고, 상기 제 2 전극(22)에 제 2 수용 컵부(22a)가 형성되는 리드 프레임(20)을 준비할 수 있다.9 to 16, the manufacturing process of the light emitting
이 때, 상기 제 1 전극(21) 및 상기 제 2 전극(22)을 식각 또는 프레스 가공하여 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)를 형성할 수 있다.At this time, the first
이어서, 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)에 각각 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 형성할 수 있다.10 to 12, the first bonding medium (B1) and the second bonding medium (B1), which are in a solid state, respectively, are formed in the first
이 때, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)와 대응되는 스크린(S)의 관통홀(Sa)을 통해서 유동 상태의 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 도포하고, 도 11에 도시된 바와 같이, 이를 밀대(R)로 밀어서 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 스크린 프린팅하며, 도 12에 도시된 바와 같이, 스크린 프린팅된 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 경화시키도록 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 제 1 히터(H1)로 예비 리플로우할 수 있다.10, through the through holes Sa of the screen S corresponding to the first
도 18은 도 10의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.18 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to another embodiment of FIG.
이외에도, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 스크린 프린팅 방법을 대신하여, 도 18에 예시된 바와 같이, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)와 대응되는 마스크(M)의 관통홀(Ma)을 통해서 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 스퍼터링으로 금속 이온 입자(P)를 증착시키는 것도 가능하다.18, instead of the screen printing method, a mask M corresponding to the first
이어서, 도 13에 도시된 바와 같이, 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)가 형성된 상기 리드 프레임(20)에 반사 봉지재(30)를 몰딩 성형할 수 있다.13, the
이 때, 상기 반사 봉지재(30)의 몰딩 성형시, 금형의 가열 온도는 상기 반사 봉지재(30)의 몰딩 소재 용융 온도 보다 높고, 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)의 용융 온도 보다 낮은 것일 수 있다.At this time, at the time of molding the
또한, 상기 제 1 패드(P1) 및 상기 제 2 패드(P2) 및/또는 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)에 플럭스(F)(flux)를 도포할 수 있다.Also, a flux (F) may be applied to the first pad (P1) and the second pad (P2) and / or the first bonding medium (B1) and the second bonding medium .
따라서, 상기 반사 봉지재(30)의 몰딩 성형시, 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)는 금형의 가열 온도 환경 하에서 녹지 않고, 그 형태를 그대로 유지할 수 있다.Therefore, when molding the
이어서, 도 14에 도시된 바와 같이, 제 1 패드(P1)가 상기 제 1 본딩 매체(B1)와 접촉되고, 제 2 패드(P2)가 상기 제 2 본딩 매체(B2)와 접촉될 수 있도록 상기 발광 소자(10)를 상기 리드 프레임(20)에 안착시킬 수 있다.14, the first pad P1 is brought into contact with the first bonding medium B1 and the second pad P2 is brought into contact with the second bonding medium B2, The
이어서, 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 패드(P1)가 상기 제 1 본딩 매체(B1)와 전기적 및 물리적으로 견고하게 연결되고, 상기 제 2 패드(P2)가 상기 제 2 본딩 매체(B2)와 전기적 및 물리적으로 견고하게 연결될 수 있도록 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 국부적 또는 전체적으로 제 2 히터(H2)로 리플로우(reflow)할 수 있다.Next, as shown in FIG. 15, the first pad P1 is electrically and physically connected to the first bonding medium B1, and the second pad P2 is electrically connected to the second bonding medium The first bonding medium B1 and the second bonding medium B2 can be reflowed locally or globally to the second heater H2 so that the first bonding medium B1 and the second bonding medium B2 can be electrically and physically connected to the second bonding medium B2.
이 때, 리플로우 온도는 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)의 용융 온도 보다 높을 수 있다.At this time, the reflow temperature may be higher than the melting temperature of the first bonding medium (B1) and the second bonding medium (B2).
따라서, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)에 각각 충전된 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)는 전기적 및 물리적으로 상기 제 1 패드(P1) 및 상기 제 2 패드(P2)에 견고하게 고정되어 연결될 수 있다. 이 과정에서 상술된 플럭스는 상호간의 결합력을 높이고 기화될 수 있다.The first bonding medium B1 and the second bonding medium B2 filled in the first
도 19는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.19 is a flowchart showing a method of manufacturing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
도 19에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 전극 분리 공간을 기준으로 일측 방향에 제 1 전극(21)이 설치되고, 타측 방향에 제 2 전극(22)이 설치되며, 상기 제 1 전극(21)에 제 1 수용 컵부(21a)가 형성되고, 상기 제 2 전극(22)에 제 2 수용 컵부(22a)가 형성되는 리드 프레임(20)을 준비하는 단계(S1)와, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)에 각각 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 형성하는 단계(S2)와, 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)가 형성된 상기 리드 프레임(20)에 반사 봉지재(30)를 몰딩 성형하는 단계(S3)와, 제 1 패드(P1)가 상기 제 1 본딩 매체(B1)와 접촉되고, 제 2 패드(P2)가 상기 제 2 본딩 매체(B2)와 접촉될 수 있도록 상기 발광 소자(10)를 상기 리드 프레임(20)에 안착시키는 단계(S4) 및 상기 제 1 패드(P1)가 상기 제 1 본딩 매체(B1)와 전기적 및 물리적으로 견고하게 연결되고, 상기 제 2 패드(P2)가 상기 제 2 본딩 매체(B2)와 전기적 및 물리적으로 견고하게 연결될 수 있도록 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 제 2 히터(H2)로 리플로우(reflow)하는 단계(S5)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 19, a method of manufacturing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention includes the steps of providing a first electrode 21 on one side with respect to an electrode separation space, A lead frame 20 in which a first receiving cup portion 21a is formed on the first electrode 21 and a second receiving cup portion 22a is formed on the second electrode 22, (B1) and the second bonding medium (B2) are formed in the first accommodating cup portion (21a) and the second accommodating cup portion (22a), respectively, A step S3 of molding the reflective encapsulant 30 into the lead frame 20 in which the first bonding medium B1 and the second bonding medium B2 are formed in a solid state; The light emitting element 10 is arranged such that the first pad P1 is in contact with the first bonding medium B1 and the second pad P2 is in contact with the second bonding medium B2, (S4) of placing the first pad (P1) on the lead frame (20), and the first pad (P1) is electrically and physically connected to the first bonding medium Reflowing the first bonding medium B1 and the second bonding medium B2 to the second heater H2 so as to be electrically and physically connected to the second bonding medium B2, S5).
여기서, 상기 리드 프레임(20)을 준비하는 단계(S1)는, 상기 제 1 전극(21) 및 상기 제 2 전극(22)을 식각 또는 프레스 가공하여 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)를 형성하는 것일 수 있다.The step S1 of preparing the
또한, 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)가 형성된 상기 리드 프레임(20)에 반사 봉지재(30)를 몰딩 성형하는 단계(S3)에서, 상기 반사 봉지재(30)의 몰딩 성형시, 금형의 가열 온도는 상기 반사 봉지재(30)의 몰딩 소재 용융 온도 보다 높고, 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)의 용융 온도 보다 낮은 것일 수 있다.In the step S3 of molding the
도 20은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.20 is a flow chart illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to some other embodiments of the present invention.
도 20에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)에 각각 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 형성하는 단계(S2) 이전에, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)와 대응되는 스크린(S)의 관통홀(Sa)을 통해서 유동 상태의 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 도포하고, 이를 밀대(R)로 밀어서 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 스크린 프린팅하는 단계(S6) 및 스크린 프린팅된 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 경화시키도록 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 제 1 히터(H1)로 예비 리플로우하는 단계(S7)를 더 포함할 수 있다.20, a manufacturing method of a light emitting device package according to some other embodiments of the present invention is characterized in that the first and second
이외에도, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)에 각각 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 형성하는 단계(S2)는, 상기 제 1 수용 컵부(21a) 및 상기 제 2 수용 컵부(22a)와 대응되는 마스크(M)의 관통홀(Ma)을 통해서 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)를 스퍼터링으로 금속 이온 입자(P)를 증착시키는 것일 수 있다.18, the first bonding medium B1 and the second bonding medium B2, which are in a solid state, are provided in the first
도 21은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.21 is a flowchart showing a method of manufacturing a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
도 21에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 상기 제 1 패드(P1)가 상기 제 1 본딩 매체(B1)와 전기적으로 연결되며, 제 2 패드(P2)가 상기 제 2 본딩 매체(B2)와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 발광 소자(10)를 상기 리드 프레임(20)에 안착시키는 단계(S4) 이전에, 상기 제 1 패드(P1) 및 상기 제 2 패드(P2) 및/또는 상기 제 1 본딩 매체(B1) 및 상기 제 2 본딩 매체(B2)에 플럭스(F)(flux)를 도포하는 단계(S8)를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 21, in a method of manufacturing a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention, the first pad P1 is electrically connected to the first bonding medium B1, (P1) before the step (S4) of placing the light emitting element (10) on the lead frame (20) so that the first pad (P2) can be electrically connected to the second bonding medium (B2) And applying a flux (F) to the second pad (P2) and / or the first bonding medium (B1) and the second bonding medium (B2).
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
10: 발광 소자
20: 리드 프레임
21: 제 1 전극
22: 제 2 전극
21a: 제 1 수용 컵부
22a: 제 2 수용 컵부
B1: 제 1 본딩 매체
B2: 제 2 본딩 매체
30: 반사 봉지재
S: 스크린
Sa: 관통홀
R: 밀대
M: 마스크
Ma: 관통홀
40: 충진물
50: 도광판
100: 발광 소자 패키지
1000: 백라이트 유닛10: Light emitting element
20: Lead frame
21: first electrode
22: second electrode
21a: first receiving cup portion
22a: the second receiving cup portion
B1: First bonding medium
B2: Second bonding medium
30: Reflective bag material
S: Screen
Sa: Through hole
R: Pusher
M: Mask
Ma: Through hole
40: packing
50: light guide plate
100: Light emitting device package
1000: Backlight unit
Claims (10)
상기 제 1 수용 컵부 및 상기 제 2 수용 컵부에 각각 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 형성하는 단계;
고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체가 형성된 상기 리드 프레임에 반사 봉지재를 몰딩 성형하는 단계;
제 1 패드가 상기 제 1 본딩 매체와 접촉되고, 제 2 패드가 상기 제 2 본딩 매체와 접촉될 수 있도록 상기 발광 소자를 상기 리드 프레임에 안착시키는 단계; 및
상기 제 1 패드가 상기 제 1 본딩 매체와 전기적 및 물리적으로 견고하게 연결되고, 상기 제 2 패드가 상기 제 2 본딩 매체와 전기적 및 물리적으로 견고하게 연결될 수 있도록 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 리플로우(reflow)하는 단계;
를 포함하는, 발광 소자 패키지의 제조 방법.A first electrode is provided on one side of the electrode separation space, a second electrode is provided on the other side of the electrode, a first receiving cup is formed on the first electrode, a second receiving cup is formed on the second electrode, Preparing a leadframe to be formed;
Forming the first bonding medium and the second bonding medium in a solid state in the first accommodating cup portion and the second accommodating cup portion, respectively;
Molding a reflective encapsulant into the first bonding medium in solid state and the lead frame in which the second bonding medium is formed;
Placing the light emitting element on the lead frame such that the first pad is in contact with the first bonding medium and the second pad is in contact with the second bonding medium; And
Wherein the first pad is electrically and physically connected to the first bonding medium and the first pad is electrically and physically connected to the first bonding medium and the second pad is electrically and physically connected to the second bonding medium, Reflowing the medium;
Emitting device package.
상기 리드 프레임을 준비하는 단계는,
상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 식각 또는 프레스 가공하여 상기 제 1 수용 컵부 및 상기 제 2 수용 컵부를 형성하는 것인, 발광 소자 패키지의 제조 방법.The method according to claim 1,
The step of preparing the lead frame includes:
Wherein the first accommodating cup portion and the second accommodating cup portion are formed by etching or pressing the first electrode and the second electrode.
상기 제 1 수용 컵부 및 상기 제 2 수용 컵부에 각각 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 형성하는 단계 이전에,
상기 제 1 수용 컵부 및 상기 제 2 수용 컵부와 대응되는 스크린의 관통홀을 통해서 유동 상태의 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 도포하고, 이를 밀대로 밀어서 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 스크린 프린팅하는 단계; 및
스크린 프린팅된 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 경화시키도록 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 예비 리플로우하는 단계;
를 더 포함하는, 발광 소자 패키지의 제조 방법.The method according to claim 1,
Before forming the first bonding medium and the second bonding medium in solid state in the first accommodating cup portion and the second accommodating cup portion,
The first bonding medium and the second bonding medium in a flowing state through a through hole of a screen corresponding to the first accommodating cup portion and the second accommodating cup portion and pushing the first bonding medium and the second bonding medium, 2 screen printing the bonding medium; And
Pre-reflowing the first bonding medium and the second bonding medium to cure the screen-printed first bonding medium and the second bonding medium;
Emitting device package.
상기 제 1 수용 컵부 및 상기 제 2 수용 컵부에 각각 고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 형성하는 단계는,
상기 제 1 수용 컵부 및 상기 제 2 수용 컵부와 대응되는 마스크의 관통홀을 통해서 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체를 증착시키는 것인, 발광 소자 패키지의 제조 방법.The method according to claim 1,
The forming of the first bonding medium and the second bonding medium in the solid state in the first accommodating cup portion and the second accommodating cup portion, respectively,
Wherein the first bonding medium and the second bonding medium are vapor-deposited through the through-holes of the mask corresponding to the first accommodating cup portion and the second accommodating cup portion.
고체 상태인 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체가 형성된 상기 리드 프레임에 반사 봉지재를 몰딩 성형하는 단계에서,
상기 반사 봉지재의 몰딩 성형시, 금형의 가열 온도는 상기 반사 봉지재의 몰딩 소재의 용융 온도 보다 높고, 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체의 용융 온도 보다 낮은 것인, 발광 소자 패키지의 제조 방법.The method according to claim 1,
In the step of molding the reflective encapsulant into the solid state first bonding medium and the lead frame formed with the second bonding medium,
Wherein the heating temperature of the mold during the molding of the reflective encapsulant is higher than the melting temperature of the molding material of the reflective encapsulant and lower than the melting temperature of the first bonding medium and the second bonding medium .
상기 제 1 패드가 상기 제 1 본딩 매체와 전기적으로 연결되며, 제 2 패드가 상기 제 2 본딩 매체와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 발광 소자를 상기 리드 프레임에 안착시키는 단계 이전에,
상기 제 1 패드 및 상기 제 2 패드 및/또는 상기 제 1 본딩 매체 및 상기 제 2 본딩 매체에 플럭스(flux)를 도포하는 단계;를 더 포함하는, 발광 소자 패키지의 제조 방법.The method according to claim 1,
Before the step of seating the light emitting element on the lead frame so that the first pad is electrically connected to the first bonding medium and the second pad is electrically connected to the second bonding medium,
And applying a flux to the first pad and the second pad and / or the first bonding medium and the second bonding medium.
상기 전극 분리 공간을 기준으로 타측 방향에 설치되는 제 2 전극;
상기 제 1 전극에 오목하게 형성되는 제 1 수용 컵부;
상기 제 2 전극에 오목하게 형성되는 제 2 수용 컵부;
상기 제 1 수용 컵부에 충전되어 고체 상태를 이루고, 반사 봉지재의 몰딩 성형시 녹지 않을 정도로 높은 용융점을 갖는 제 1 본딩 매체; 및
상기 제 2 수용 컵부에 충전되어 고체 상태를 이루고, 상기 반사 봉지재의 몰딩 성형시 녹지 않을 정도로 높은 용융점을 갖는 제 2 본딩 매체;
를 포함하는, 리드 프레임.A first electrode provided on one side of the electrode separation space;
A second electrode provided in the other direction with respect to the electrode separation space;
A first accommodating cup portion formed concavely in the first electrode;
A second receiving cup portion formed concavely in the second electrode;
A first bonding medium filled in the first accommodating cup to be in a solid state and having a melting point as high as not melting during molding of the reflective encapsulant; And
A second bonding medium filled in the second accommodating cup to be in a solid state and having a melting point as high as not melting during the molding of the reflective encapsulant;
And a lead frame.
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