KR101524046B1 - Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method - Google Patents
Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- KR101524046B1 KR101524046B1 KR1020130142038A KR20130142038A KR101524046B1 KR 101524046 B1 KR101524046 B1 KR 101524046B1 KR 1020130142038 A KR1020130142038 A KR 1020130142038A KR 20130142038 A KR20130142038 A KR 20130142038A KR 101524046 B1 KR101524046 B1 KR 101524046B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- light emitting
- solder cream
- emitting device
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
Abstract
Description
본 발명은 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제작 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 용도나 조명 용도로 사용할 수 있는 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제작 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device package, a backlight unit, a lighting device, and a method of manufacturing a light emitting device package, and more particularly to a light emitting device package, a backlight unit, And a manufacturing method thereof.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드프레임에 실장한 후, 패키징할 수 있어서 여러 가지 용도로 모듈화하여 백라이트 유닛(backlight unit)이나 각종 조명 장치 등에 적용할 수 있다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that can emit light of various colors by forming a light emitting source through the formation of a PN diode of a compound semiconductor. Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, and can be driven at a low voltage. In addition, these LEDs are resistant to shock and vibration, do not require preheating time and complicated driving, can be packaged after being mounted on a substrate or lead frame in various forms, so that they can be modularized for various purposes and used as a backlight unit A lighting device, and the like.
그러나, 종래의 발광 소자 패키지는 플립칩 형태의 발광 소자를 기판에 부착하는 경우, 일반적으로 고온의 환경에 장시간 노출되는 발광 소자 패키지의 특성상, 기판의 열팽창 계수와 봉지재의 열팽창 계수의 차이로 열적 스트레스로 인해 발광 소자에 크랙이 발생되거나, 본딩 부재가 파손되는 등의 문제점이 있었다.However, in a conventional light emitting device package, when a flip chip type light emitting device is attached to a substrate, due to the characteristics of a light emitting device package that is exposed to a high temperature environment for a long time, thermal stress There is a problem that cracks are generated in the light emitting element or the bonding member is broken.
또한, 종래의 발광 소자 패키지는 반사컵부에 충진되는 충진물이 발광 소자와 기판 사이의 공간에 충분히 충진되지 못하고, 기포를 형성하여 제품 성능을 크게 떨어뜨리는 문제점이 있었다. In addition, in the conventional light emitting device package, the filling material filled in the reflection cup portion is not sufficiently filled in the space between the light emitting device and the substrate, and bubbles are formed, thereby greatly degrading the product performance.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 기판과 열팽창 계수의 차이가 상대적으로 작고, 반사컵부를 형성하는 동시에 전극 분리부를 형성할 수 있는 화이트 EMC 재질의 반사 봉지재를 기판에 몰딩하여 열적 스트레스를 최소화하고, 원심력 및 Step Cure(저점도 구간)을 이용하여 충진물의 기포 형성을 방지할 수 있으며, 발광 소자의 단자 구조를 개선하여 열적 스트레스로 인한 발광 소자나 본딩 부재의 파손이나 손상을 방지할 수 있게 하는 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제작 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a reflective encapsulant of white EMC material capable of forming a reflective cup portion and an electrode separation portion, It is possible to minimize the thermal stress by molding on the substrate and prevent the formation of bubbles in the filling material by using the centrifugal force and the step cure (low viscosity region), and improve the terminal structure of the light emitting device, A backlight unit, an illumination device, and a method of manufacturing a light emitting device package that can prevent breakage or damage of the light emitting device package. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 전극 분리 공간을 기준으로 일측에 제 1 전극 및 타측에 제 2 전극이 형성되는 기판; 플립칩 형태의 발광 소자의 제 1 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 1 전극에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅(dotting) 또는 정밀 도포될 수 있도록 액상의 용제와 혼합되어 도팅 점도를 갖는 제 1 솔더 크림(solder cream); 및 상기 발광 소자의 제 2 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 2 전극에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅 또는 정밀 도포될 수 있도록 액상의 용제와 혼합되어 도팅 점도를 갖는 제 2 솔더 크림;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package comprising: a substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side, with reference to an electrode separation space; The first electrode of the substrate may be electrically connected to the first terminal of the flip-chip type light emitting device. The first electrode may be dotted or precisely coated with a dipping pin so as to have a dotting viscosity A first solder cream; And a second solder cream which is provided on a second electrode of the substrate so as to be electrically connected to the second terminal of the light emitting device and which has a dotting viscosity mixed with a liquid solvent so as to be dotted or precisely coated by a dying pin; . ≪ / RTI >
또한, 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 발광 소자에서 발생된 빛을 반사하는 반사컵부를 형성할 수 있도록 상기 기판에 몰딩 설치되고, 상기 전극 분리 공간에 충진되어 전극 분리선을 형성하는 반사 봉지재;를 더 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the present invention may be formed by molding a reflective cup part that reflects light generated from the light emitting device, And an encapsulating material.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 전극 분리선은 그 높이가 상기 기판의 높이 보다 큰 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the height of the electrode separation line may be larger than the height of the substrate.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 솔더 크림은, 상기 기판의 상기 제 1 전극의 표면에 복수개가 동시에 다점 도팅될 수 있다.According to an aspect of the present invention, a plurality of the first solder creams may be simultaneously dots-dotted on a surface of the first electrode of the substrate.
또한, 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 상기 제 1 솔더 크림은, 상기 기판의 상기 제 1 전극의 솔더 크림 수용홈부 또는 솔더 크림 높이 제한 돌기에 설치될 수 있다.Further, in the light emitting device package according to the present invention, the first solder cream may be provided in the solder cream receiving groove of the first electrode of the substrate or the solder cream height restricting protrusion.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 제 1 솔더 크림은, 상기 기판의 상기 제 1 전극의 솔더 크림 수용 요철면에 설치될 수 있다.According to an aspect of the present invention, the first solder cream may be provided on the uneven surface of the first electrode of the substrate for receiving the solder cream.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 백라이트 유닛은, 플립칩 형태의 발광 소자; 전극 분리 공간을 기준으로 일측에 제 1 전극 및 타측에 제 2 전극이 형성되는 기판; 상기 발광 소자의 제 1 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 1 전극에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅(dotting) 또는 정밀 도포되어 경화된 제 1 솔더 크림(solder cream) 경화물; 상기 발광 소자의 제 2 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 2 전극에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅 또는 정밀 도포되어 경화된 제 2 솔더 크림 경화물; 및 상기 발광 소자의 광 경로에 설치되는 도광판;을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a backlight unit including: a light emitting device in the form of a flip chip; A substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side based on an electrode separation space; A first solder cream cured product provided on the first electrode of the substrate so as to be electrically connected to the first terminal of the light emitting device, the first solder cream being dotted or precisely coated by a dying pin; A second solder cream cured product provided on a second electrode of the substrate so as to be electrically connected to the second terminal of the light emitting device, the second solder cream hardened by being diced or precisely coated by a dying pin; And a light guide plate installed in an optical path of the light emitting device.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 조명 장치는, 플립칩 형태의 발광 소자; 전극 분리 공간을 기준으로 일측에 제 1 전극 및 타측에 제 2 전극이 형성되는 기판; 상기 발광 소자의 제 1 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 1 전극에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅(dotting) 또는 정밀 도포되어 경화된 제 1 솔더 크림(solder cream) 경화물; 및 상기 발광 소자의 제 2 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 2 전극에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅 또는 정밀 도포되어 경화된 제 2 솔더 크림 경화물;을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an illumination device including: a light emitting device in the form of a flip chip; A substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side based on an electrode separation space; A first solder cream cured product provided on the first electrode of the substrate so as to be electrically connected to the first terminal of the light emitting device, the first solder cream being dotted or precisely coated by a dying pin; And a second solder cream cured product provided on a second electrode of the substrate so as to be electrically connected to the second terminal of the light emitting device, the second solder cream hardened by being diced or precisely coated by a dying pin.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지의 제작 방법은, 전극 분리 공간을 기준으로 일측에 제 1 전극 및 타측에 제 2 전극이 형성되는 기판을 준비하는 단계; 반사컵부를 형성할 수 있고, 상기 전극 분리 공간에 충진되어 전극 분리부를 형성하는 반사 봉지재를 상기 기판에 몰딩하는 단계; 플립칩 형태의 발광 소자의 제 1 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 액상의 용제와 혼합되어 도팅 점도를 갖는 제 1 솔더 크림(solder cream)을 상기 기판의 제 1 전극에 도팅 또는 정밀 도포하고, 상기 발광 소자의 제 2 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 액상의 용제와 혼합되어 도팅 점도를 갖는 제 2 솔더 크림을 상기 기판의 제 2 전극에 도팅 또는 정밀 도포하는 단계; 상기 발광 소자를 상기 기판에 안착시키는 단계; 도팅 또는 정밀 도포된 상기 제 1 솔더 크림 및 상기 제 2 솔더 크림이 경화되도록 다단계의 온도로 다단 배기하면서 상기 기판을 리플로우하는 단계; 및 상기 반사컵부에 충진물을 충진하는 단계;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device package, the method including preparing a substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side based on an electrode separation space; Molding a reflective encapsulant, which is capable of forming a reflective cup part and filled in the electrode separation space to form an electrode separation part, onto the substrate; A first solder cream having a dotting viscosity mixed with a liquid solvent so as to be electrically connected to a first terminal of a flip chip type light emitting device is applied to the first electrode of the substrate or is precisely coated, Applying or precisely coating a second solder cream having a dotting viscosity to a second electrode of the substrate, the second solder cream being mixed with a liquid solvent so as to be electrically connected to a second terminal of the device; Placing the light emitting device on the substrate; Reflowing the substrate while cascading to a multi-stage temperature so that the first solder cream and the second solder cream, which are dated or precisely applied, are cured; And filling the filler into the reflection cup portion.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 반사컵부에 충진물을 충진하는 단계 이후에, 상기 충진물이 상기 제 1 솔더 크림 및 상기 제 2 솔더 크림 사이에 충진되도록 상기 충진물의 저점도 온도 구간에서 상기 기판을 회전시켜서 상기 충진물에 원심력을 인가하는 단계;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: filling a filler in the reflective cup portion, and filling the filler between the first solder cream and the second solder cream; And applying a centrifugal force to the filling material by rotating the filling material.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 반사 봉지재의 구조와 재질을 개선하여 열적 스트레스를 최소화하고, 원심력을 이용하여 충진물의 기포 형성을 방지할 수 있으며, 발광 소자의 단자 구조를 개선하여 열적 스트레스로 인한 발광 소자의 본딩 부재 구역을 봉지재로 충진하여 발광소자의 파손이나 손상을 방지할 수 있고, 플립칩의 본딩을 용이하게 하여 제품의 내구성을 향상시키고, 플립칩 발광 소자 제품의 양산성 및 생산성을 극대화할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, it is possible to improve the structure and material of the reflective encapsulant material to minimize thermal stress, prevent the formation of bubbles in the encapsulant by using centrifugal force, It is possible to prevent breakage or damage of the light emitting device by filling the bonding member region of the light emitting device due to thermal stress with the sealing material and to improve the durability of the product by facilitating the bonding of the flip chip, Thereby maximizing mass productivity and productivity. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 발광 소자 패키지의 제 1 솔더 크림 및 제 2 솔더 크림의 설치 과정을 단계적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 발광 소자 패키지의 기판을 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 1의 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 6은 도 1의 다른 일례에 따른 기판을 나타내는 확대 단면도이다.
도 7은 도 1의 다른 일례에 따른 기판을 나타내는 확대 단면도이다.
도 8은 도 1의 다른 일례에 따른 기판을 나타내는 확대 단면도이다.
도 9는 도 1의 발광 소자 패키지의 리플로우 과정의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 10은 도 1의 발광 소자 패키지의 충진물 충진 과정의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛을 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제작 방법을 나타내는 순서도이다.1 is a cross-sectional view conceptually showing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
FIGS. 2 and 3 are cross-sectional views illustrating steps of installing the first solder cream and the second solder cream of the light emitting device package of FIG. 1, respectively.
4 is a plan view showing the substrate of the light emitting device package of FIG.
5 is a perspective view of the light emitting device package of FIG.
6 is an enlarged cross-sectional view showing a substrate according to another example of FIG.
7 is an enlarged cross-sectional view showing a substrate according to another example of FIG.
8 is an enlarged cross-sectional view showing a substrate according to another example of FIG.
9 is a perspective view illustrating an example of a reflow process of the light emitting device package of FIG.
10 is a plan view showing an example of a filler filling process of the light emitting device package of FIG.
11 is a cross-sectional view conceptually showing a backlight unit according to some embodiments of the present invention.
12 is a flowchart showing a method of manufacturing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, region or substrate is referred to as being "on", "connected to", "laminated" or "coupled to" another element, It will be appreciated that elements may be directly "on", "connected", "laminated" or "coupled" to another element, or there may be other elements intervening therebetween. On the other hand, when one element is referred to as being "directly on", "directly connected", or "directly coupled" to another element, it is interpreted that there are no other components intervening therebetween do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "top" or "above" and "under" or "below" can be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the Figures. Relative terms are intended to include different orientations of the device in addition to those depicted in the Figures. For example, if the element is inverted in the figures, the elements depicted as being on the upper surface of the other elements will have a direction on the lower surface of the other elements. Thus, the example "top" may include both "under" and "top" directions depending on the particular orientation of the figure. If the elements are oriented in different directions (rotated 90 degrees with respect to the other direction), the relative descriptions used herein can be interpreted accordingly.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)를 개념적으로 나타내는 단면도이다. 그리고, 도 2 및 도 3은 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 제 1 솔더 크림(31-1) 및 제 2 솔더 크림(32-1)의 설치 과정을 단계적으로 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 3의 발광 소자 패키지(100)의 기판(20)을 나타내는 평면도이고, 도 5는 도 1의 발광 소자 패키지의 사시도이다.1 is a cross-sectional view conceptually showing a light
먼저, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 크게 발광 소자(10)와, 기판(20)과, 본딩 부재(30)와, 반사 봉지재(40) 및 충진물(50)을 포함할 수 있다.1 to 5, a light
여기서, 상기 발광 소자(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 하면에 제 1 단자(11) 및 제 2 단자(12)가 설치되는 플립칩 형태의 LED(Light Emitting Diode)일 수 있다.Here, the
이러한, 상기 발광 소자(10)는, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)으로 나타내진다.As shown in FIGS. 1 to 5, the
또한, 상기 발광 소자(10)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(10)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(10)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.The
여기서, 상기 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.Here, as the growth substrate, an insulating, conductive or semiconductor substrate may be used if necessary. For example, the growth substrate may be sapphire, SiC, Si, MgAl 2 O 4, MgO, LiAlO 2, LiGaO 2, GaN. A GaN substrate, which is a homogeneous substrate, is preferable for epitaxial growth of a GaN material, but a GaN substrate has a problem of high production cost due to its difficulty in manufacturing.
이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.Sapphire and silicon carbide (SiC) substrates are mainly used as the different substrates. Sapphire substrates are more utilized than expensive silicon carbide substrates. When using a heterogeneous substrate, defects such as dislocation are increased due to the difference in lattice constant between the substrate material and the thin film material. Also, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the substrate material and the thin film material, warping occurs at a temperature change, and warping causes a crack in the thin film. This problem may be reduced by using a buffer layer between the substrate and the GaN-based light emitting laminate.
또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.In addition, the substrate for growth may be completely or partially removed or patterned in order to improve the optical or electrical characteristics of the LED chip before or after the growth of the LED structure.
예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.For example, in the case of a sapphire substrate, the substrate can be separated by irradiating the laser to the interface with the semiconductor layer through the substrate, and the silicon or silicon carbide substrate can be removed by a method such as polishing / etching.
또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.Another supporting substrate may be used for removing the growth substrate. In order to improve the light efficiency of the LED chip on the opposite side of the growth substrate, the supporting substrate may be bonded using a reflective metal, As shown in FIG.
또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.In addition, patterning of the growth substrate improves the light extraction efficiency by forming irregularities or slopes before or after the LED structure growth on the main surface (front surface or both sides) or side surfaces of the substrate. The size of the pattern can be selected from the range of 5 nm to 500 μm and it is possible to make a structure for improving the light extraction efficiency with a rule or an irregular pattern. Various shapes such as a shape, a column, a mountain, a hemisphere, and a polygon can be adopted.
상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.In the case of the sapphire substrate, the crystals having a hexagonal-rhombo-cubic (Hexa-Rhombo R3c) symmetry have lattice constants of 13.001 and 4.758 in the c-axis direction and the a-axis direction, respectively, and have C plane, A plane and R plane. In this case, the C-plane is relatively easy to grow the nitride film, and is stable at high temperature, and thus is mainly used as a substrate for nitride growth.
또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.Another material of the growth substrate is a Si substrate, which is more suitable for large-scale curing and relatively low in cost, so that mass productivity can be improved.
또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.In addition, since the silicon (Si) substrate absorbs light generated from the GaN-based semiconductor and the external quantum efficiency of the light emitting device is lowered, the substrate may be removed as necessary, and Si, Ge, SiAl, A support substrate such as a metal substrate is further formed and used.
상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.When a GaN thin film is grown on a different substrate such as the Si substrate, the dislocation density increases due to the lattice constant mismatch between the substrate material and the thin film material, and cracks and warpage Lt; / RTI > The buffer layer may be disposed between the growth substrate and the light emitting stack for the purpose of preventing dislocation and cracking of the light emitting stack. The buffer layer also functions to reduce the scattering of the wavelength of the wafer by adjusting the degree of warping of the substrate during the growth of the active layer.
여기서, 상기 버퍼층은 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.Here, the buffer layer may be made of Al x In y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, x + y? 1), in particular GaN, AlN, AlGaN, InGaN or InGaNAlN. Materials such as ZrB2, HfB2, ZrN, HfN and TiN can also be used as needed. Further, a plurality of layers may be combined, or the composition may be gradually changed.
또한, 도시하지 않았지만, 상기 발광 소자(10)는, 범프나 패드나 솔더 등의 신호전달매체를 갖는 플립칩 형태일 수 있고, 이외에도, 수평형, 수직형 등 제 1 단자 및 제 2 단자에 모두 본딩 와이어가 적용되거나, 부분적으로 제 1 단자 또는 제 2 단자에만 본딩 와이어가 적용되는 발광 소자들이 모두 적용될 수 있다.Although not shown, the
또한, 상기 발광 소자(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기판(20)에 1개가 설치될 수도 있고, 이외에도 상기 기판(20)에 복수개가 설치되는 것도 가능하다.As shown in FIG. 1, the
한편, 상기 기판(20)은, 예컨데, 도 1에 도시된 바와 같이, 전극 분리 공간을 기준으로 일측에 제 1 전극(21) 및 타측에 제 2 전극(22)이 형성되는 리드 프레임을 포함할 수 있다.1, the
이러한, 상기 기판(20)은, 상기 발광 소자(10)를 지지할 수 있도록 적당한 기계적 강도를 갖는 전도성 재료로 제작될 수 있다.The
예를 들어서, 상기 기판(20)은, 절연 처리된 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 기판 등이 적용될 수 있으며, 플레이트 형태나 리드 프레임 형태의 기판들이 적용될 수 있다.For example, the
이외에도, 상기 기판(20)은, 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)일 수 있다. 또한, 상기 기판(20)은, 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.In addition, the
또한, 상기 기판(20)은, 가공성을 향상시키기 위해서 부분적 또는 전체적으로 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.The
한편, 상기 본딩 부재(30)는, 상기 발광 소자(10)와 상기 기판(20)을 전기적으로 서로 연결기시키는 역할을 할 수 있다.Meanwhile, the bonding
예를 들면, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 본딩 부재(30)는, 제 1 도전성 본딩 부재(31) 및 제 2 도전성 본딩 부재(32)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIGS. 1 to 5, the bonding
즉, 상기 제 1 도전성 본딩 부재(31)는, 상기 발광 소자(10)의 상기 제 1 단자(11)와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판(20)의 제 1 전극(21)에 설치되는 본딩 부재일 수 있다.That is, the first
또한, 상기 제 2 도전성 본딩 부재(32)는, 상기 발광 소자(10)의 상기 제 2 단자(12)와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판(20)의 제 2 전극(22)에 설치되는 본딩 부재일 수 있다.The second
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 도전성 본딩 부재(31)는, 상기 발광 소자(10)의 제 1 단자(11)와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판(20)의 제 1 전극(21)에 설치되고, 도팅 핀(DP)에 의해 도팅(dotting)될 수 있도록 액상의 용제와 혼합되어 도팅 점도를 갖는 제 1 솔더 크림(31-1)(solder cream)일 수 있다.2 and 3, the first
또한, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 도전성 본딩 부재(32)는, 상기 발광 소자(10)의 제 2 단자(12)와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판(20)의 제 2 전극(22)에 설치되고, 도팅 핀(DP)에 의해 도팅(dotting)될 수 있도록 액상의 용제와 혼합되어 도팅 점도를 갖는 제 2 솔더 크림(32-1)일 수 있다.2 and 3, the second
따라서, 먼저 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 도팅 핀(DP)들이 도팅액 수용 용기(도시하지 않음)에 수용된 솔더 크림을 찍어서 그 선단에 방울 형태의 상기 제 1 솔더 크림(31-1) 및 상기 제 2 솔더 크림(32-1)을 형성한 후, 상기 기판(20)의 정위치에 정렬되면, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 도팅 핀(DP)이 하강하여 상기 도팅 핀(DP)의 선단에 묻은 상기 제 1 솔더 크림(31-1) 및 상기 제 2 솔더 크림(32-1)을 상기 기판(20)에 도팅할 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 2, the solder cream contained in the plating solution receiving container (not shown) is dipped into the dosing pins DP so that the first solder cream 31-1 and the first solder cream 3, after the second solder cream 32-1 is formed, the dowing pins DP are lowered to form the dowel pins DP as shown in Fig. 3, The first solder cream 31-1 and the second solder cream 32-1 may be diced onto the
이 때, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 솔더 크림(31-1)은, 상기 기판(20)의 상기 제 1 전극(21)의 표면에 복수개가 동시에 다점 도팅되고, 상기 제 2 솔더 크림(32-1)은, 상기 기판(20)의 상기 제 2 전극(22)의 표면에 복수개가 동시에 다점 도팅될 수 있다.4, a plurality of the first solder creams 31-1 are simultaneously dots-dotted on the surface of the
이러한 초정밀 도팅 핀(DP)을 이용하여 상기 기판(20)에 솔더 크림을 도팅하는 방법을 초정밀 전사 방식이나 초정밀 스템핑(stamping) 방식이라 할 수 있고, 이외에도 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 방식, 스텐실 프린팅(stencil printing) 방식, 스퀴즈 프린팅(squeeze printing) 방식 등 각종 프린트 방식으로 상기 솔더 크림을 상기 기판(20)에 도포할 수 있다. The method of applying the solder cream to the
한편, 상기 반사 봉지재(40)는, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛을 반사하는 반사컵부(C)를 형성할 수 있도록 상기 기판(20)에 몰딩 설치되고, 상기 전극 분리 공간에 충진되어 전극 분리부(41)를 형성하는 몰딩 성형물이다.The
여기서, 상기 반사 봉지재(40)는, 상기 기판(20)의 제 1 전극(21) 및 제 2 전극(22)의 열팽창계수와의 차이가 80 퍼센트 이내의 열팽창계수를 갖는 열경화성 수지일 수 있고, 예를 들어 화이트 EMC(Epoxy Molding Compound) 또는 SMC(Silicone Molding Compound)일 수 있다.The
즉, 상기 기판(20)의 제 1 전극(21) 및 제 2 전극(22)의 열팽창 계수가 대략 10 ppm/℃ 일 때, 종래의 수지류들은 대략 50 ppm/℃으로 열팽창 계수의 차이가 커서 과도한 열적 스트레스로 인하여 부품이 파손되거나 손상되는 등의 문제점이 있었으나, 화이트 EMC의 열팽창 계수는 최대 30 ppm/℃인 것으로 실험적으로 상기 기판(20)의 제 1 전극(21) 및 제 2 전극(22)의의 열팽창계수와의 차이가 80퍼센트 이내일 때, 열적 스트레스를 최소화하여 부품의 파손이나 손상을 방지할 수 있다.That is, when the thermal expansion coefficient of the
또한, 상기 반사 봉지재(40)는, 상술된 바와 같이, 상기 전극 분리부를 형성하는 것으로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 전극 분리부(41)는 그 높이(H2)가 상기 기판(20)의 높이(H1) 보다 높은 것일 수 있다. 따라서, 상기 전극 분리부(41)가 상기 제 1 솔더 크림(31-1) 및 상기 제 2 솔더 크림(32-1)의 도팅 시, 상기 제 1 솔더 크림(31-1)과 상기 제 2 솔더 크림(32-1)의 분리벽을 형성하여 쇼트 불량을 방지하고, 상기 제 1 솔더 크림(31-1)과 상기 제 2 솔더 크림(32-1)을 정위치로 안내하는 역할을 할 수 있다. 다만, 반사 봉지재(40)의 형상은 다양하게 변형될 수 있고, 예컨대 두 높이(H1, H2)가 기판(20)의 높이와 동일할 수도 있다.1, the
이외에도, 상기 반사 봉지재(40)는, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(Bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.In addition, the
또한, 상기 반사 봉지재(40)는, 적어도 반사물질이 포함된 EMC, 반사물질이 포함된 화이트 실리콘, PSR(Photoimageable Solder Resist) 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.The
또한, 더욱 구체적으로는, 예를 들어서, 상기 반사 봉지재(40)은, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등의 수지 등이 적용될 수 있다.More specifically, for example, the
또한, 이들 수지 중에, 산화 티타늄, 이산화규소, 이산화티탄, 이산화지르코늄, 티타늄산 칼륨, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 멀라이트, 크롬, 화이트 계열이나 금속 계열의 성분 등 광 반사성 물질을 함유시킬 수 있다.Further, a light reflecting material such as titanium oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite, chromium, have.
한편, 상기 충진물(50)은, 상기 반사컵부(C) 및 상기 제 1 도전성 본딩 부재(31)와 상기 제 2 도전성 본딩 부재(32) 사이에 충진되는 물질로서, 상기 반사컵부(C)에 디스펜싱되거나 도포될 수 있다.The filling
여기서, 상기 충진물(50)은, 상기 발광 소자(10)와 상기 기판(20) 사이에 충진될 수 있도록 입자의 크기가 상대적으로 작고 치밀한 재질인, 적어도 실리콘, 투명 에폭시, 형광체 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.The filling
이외에도, 상기 충진물(50)은, 유리, 아크릴, 에폭시 수지는 물론, EMC, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등을 선택하여 이루어질 수 있다.In addition, the
또한, 상기 충진물(50)은 형광체를 포함할 수 있다.In addition, the
여기서, 상기 형광체는 아래와 같은 조성식 및 컬러를 가질 수 있다.Here, the phosphor may have the following composition formula and color.
산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:CeOxide system: yellow and green Y3Al5O12: Ce, Tb3Al5O12: Ce, Lu3Al5O12: Ce
실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce(Ba, Sr) 2SiO4: Eu, yellow and orange (Ba, Sr) 3SiO5: Ce
질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 L3Si6O11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:EuEu, Sr2Si5N8: Eu, SrSiAl4N7: Eu, Eu3O3: Eu, Eu3O3: Eu,
이러한, 상기 형광체의 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y은 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다, 또한 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제등이 추가로 적용될 수 있다.The composition of the phosphor should basically correspond to stoichiometry, and each element may be substituted with another element in each group on the periodic table. For example, Sr can be substituted with Ba, Ca, Mg, etc. of the alkaline earth (II) group, and Y can be replaced with lanthanum series of Tb, Lu, Sc, Gd and the like. Ce, Tb, Pr, Er, Yb and the like, and the active agent may be used alone or as a negative active agent for the characteristic modification.
또한, 상기 형광체의 대체 물질로 양자점(Quantum Dot) 등의 물질들이 적용될 수 있으며, LED에 형광체와 QD를 혼합 또는 단독으로 사용될 수 있다.As a substitute for the phosphor, materials such as a quantum dot may be used. Alternatively, a fluorescent material and QD may be mixed with the LED or used alone.
QD는 CdSe, InP 등의 코어(3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 쉘(0.5 ~ 2nm)및 코어, 쉘의 안정화를 위한 리간드(Ligand)의 구조로 구성될 수 있으며, 크기에 따라 다양한 칼라를 구현할 수 있다.QD can be composed of a core (3 to 10 nm) such as CdSe and InP, a shell (0.5 to 2 nm) such as ZnS and ZnSe, and a ligand for stabilizing the core and the shell. Can be implemented.
또한, 상기 형광체 또는 양자점(Quantum Dot)의 도포 방식은 크게 LED 칩 또는 발광소자에 뿌리는 방식, 또는 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 세라믹 형광체 등의 시트 형태를 부착하는 방식 중 적어도 하나를 사용 할 수 있다.In addition, the coating method of the fluorescent material or the quantum dot may include at least one of a method of being applied to an LED chip or a light emitting device, a method of covering the material in a film form, a method of attaching a sheet form such as a film or a ceramic fluorescent material .
뿌리는 방식으로는 디스펜싱, 스프레이 코팅 등이 일반적이며 디스펜싱은 공압방식과 스크류(Screw), 리니어 타입(Linear type) 등의 기계적 방식을 포함한다. 제팅(Jetting) 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. 웨이퍼 레벨 또는 발광 소자 기판상에 스프레이 방식으로 형광체를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다. Dispensing and spray coating are common methods of spraying, and dispensing includes mechanical methods such as pneumatic method and screw, linear type. It is also possible to control the amount of dyeing through a small amount of jetting by means of a jetting method and control the color coordinates thereof. The method of collectively applying the phosphor on the wafer level or the light emitting device substrate by the spray method can easily control productivity and thickness.
발광 소자 또는 LED 칩 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, 스크린 프린팅 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며 LED 칩 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다.The method of directly covering the light emitting device or the LED chip in a film form can be applied by a method of electrophoresis, screen printing or phosphor molding, and the method can be different according to necessity of application of the side of the LED chip.
발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 중 단파장에서 발광하는 광을 재 흡수하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, LED 칩과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화하기 위하여 각 층 사이에 DBR(ODR)층을 포함 할 수 있다.In order to control the efficiency of the long-wavelength light-emitting phosphor that reabsers light emitted from a short wavelength among two or more kinds of phosphors having different emission wavelengths, two or more kinds of phosphor layers having different emission wavelengths can be distinguished. A DBR (ODR) layer may be included between each layer to minimize absorption and interference.
균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 LED 칩 또는 발광 소자 위에 부착할 수 있다. In order to form a uniform coating film, the phosphor may be formed into a film or ceramic form and then attached onto the LED chip or the light emitting device.
광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 리모트 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이 때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치한다.In order to make a difference in light efficiency and light distribution characteristics, a photoelectric conversion material may be located in a remote format. In this case, the photoelectric conversion material is located together with a transparent polymer, glass, or the like depending on its durability and heat resistance.
이러한, 상기 형광체 도포 기술은 발광 소자에서 광특성을 결정하는 가장 큰 역할을 하게 되므로, 형광체 도포층의 두께, 형광체 균일 분산 등의 제어 기술들이 다양하게 연구되고 있다. QD 또한 형광체와 동일한 방식으로 LED 칩 또는 발광 소자에 위치할 수 있으며, 유리 또는 투광성 고분자 물질 사이에 위치하여 광 변환을 할 수 있다.Since the phosphor coating technique plays a major role in determining the optical characteristics in the light emitting device, control techniques such as the thickness of the phosphor coating layer and the uniform dispersion of the phosphor have been studied variously. QD can also be placed in the LED chip or the light emitting element in the same manner as the phosphor, and can be positioned between the glass or translucent polymer material for light conversion.
도 6은 도 1의 다른 일례에 따른 기판(20)을 나타내는 확대 단면도이다.6 is an enlarged cross-sectional view showing a
도 6에 도시된 바와 같이, 다른 일례에 따른 기판(20)은 솔더 크림 수용홈부(21a)가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 6, the
이러한 상기 솔더 크림 수용홈부(21a)는, 절삭기, 프레스, 식각 장치, 레이져 장치 등의 장비로 함몰 깊이(D1)을 갖도록 상기 기판(20)의 제 1 전극(21)에 형성할 수 있다. The solder
즉, 상기 제 1 솔더 크림(31)은, 상기 기판의 상기 제 1 전극(21)의 상기 솔더 크림 수용홈부(21a)에 설치되어 상기 솔더 크림 수용홈부(21a)를 벗어나지 않거나 벗어나더라도 크게 벗어나지 않고 정위치에 쉽게 안내되어 안착될 수 있다.That is, the
도 7은 도 1의 또 다른 일례에 따른 기판(20)을 나타내는 확대 단면도이다.7 is an enlarged cross-sectional view showing a
도 7에 도시된 바와 같이, 또 다른 일례에 따른 기판(20)은 솔더 크림 높이 제한 돌기(21b)가 설치될 수 있다.As shown in Fig. 7, the
이러한 상기 솔더 크림 높이 제한 돌기(21b)는, 절삭기, 프레스, 식각 장치, 레이져 장치 등의 장비로 돌출 높이(H3)을 갖도록 상기 기판(20)의 제 1 전극(21)에 형성할 수 있다. The solder cream
즉, 상기 제 1 솔더 크림(31)은, 상기 기판의 상기 제 1 전극(21)의 상기 솔더 크림 높이 제한 돌기(21b)에 설치되어 일정한 높이를 유지할 수 있게 함으로써 상기 솔더 크림이 너무 납작해지지 않고, 상기 솔더 크림 높이 제한 돌기(21b)를 벗어나지 않거나 벗어나더라도 크게 벗어나지 않고 정위치에 안착될 수 있다.That is, the
도 8은 도 1의 또 다른 일례에 따른 기판(20)을 나타내는 확대 단면도이다.8 is an enlarged cross-sectional view showing a
도 8에 도시된 바와 같이, 또 다른 일례에 따른 기판(20)은 솔더 크림 수용 요철면(21c)이 설치될 수 있다.As shown in FIG. 8, the
이러한 상기 솔더 크림 수용 요철면(21c)는, 연마기, 표면 처리 장치, 절삭기, 프레스, 식각 장치, 레이져 장치 등의 장비로 거친 표면을 갖도록 상기 기판(20)의 제 1 전극(21)에 형성할 수 있다. The solder cream containing
즉, 상기 제 1 솔더 크림(31)은, 상기 기판의 상기 제 1 전극(21)의 상기 솔더 크림 수용 요철면(21c)에 설치되어 보다 견고하게 고착될 수 있고, 박리 현상을 방지할 수 있으며, 상기 솔더 크림 높이 수용 요철면(21c)를 벗어나지 않거나 벗어나더라도 크게 벗어나지 않고 정위치에 견고하게 안착될 수 있다.That is, the
도 9는 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 리플로우 과정의 일례를 나타내는 사시도이다.9 is a perspective view showing an example of a reflow process of the light emitting
도 9에 도시된 바와 같이, 도 1의 발광 소자 패키지(100)는 리플로우 과정에서 상술된 솔더 크림 등에서 발생할 수 있는 플럭스(flux)나 흄(fume) 등의 이물질들이 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있도록 다단계로 온도를 제어하면서 흄을 제거시킬 수 있는 리플로우 장치(RL)를 이용할 수 있다.As shown in FIG. 9, the light emitting
예를 들어서, 상기 리플로우 장치(RL)는 복수개의 단계별 처리실(R1)(R2)(R3)(R4)들이 설치될 수 있다. 여기서, 이러한 처리실(R1)(R2)(R3)(R4)들은 상기 발광 소자 패키지(100) 또는 스트립들이 인라인으로 이송될 수 있도록 연달아서 설치될 수 있고, 칸막이, 분리벽, 에어커튼 등으로 각각의 처리실들의 온도 환경이 차별될 수 있도록 구획될 수 있다.For example, the reflow apparatus RL may include a plurality of step-by-step process chambers R1, R2, R3, and R4. Here, the processing chambers R1, R2, R3, and R4 may be sequentially installed to allow the light emitting
이러한, 상기 처리실(R1)(R2)(R3)(R4)들은 도 9의 온도 그래프에 도시된 바와 같이, 각각 개별적으로 제어되는 히터들을 이용하여 구간별로 제 1 온도(T1), 제 2 온도(T2), 제 3 온도(T3), 제 4 온도(T4)를 유지하면서 인라인 이송되는 상기 발광 소자 패키지(100) 또는 스트립들을 단계적으로 가열 또는 냉각시킬 수 있다.As shown in the temperature graph of FIG. 9, the processing chambers R1, R2, R3, and R4 are divided into a first temperature T1 and a second temperature T1 by using individually controlled heaters The light emitting
더욱 구체적으로 예시하면, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 온도(T1) 보다 상기 제 2 온도(T2)가 높고, 상기 제 2 온도 보다 상기 제 3 온도(T3)가 높을 수 있고, 상기 제 4 온도(T4)는 상기 제 1 온도(T1)와 같을 수 있다.More specifically, as shown in FIG. 9, the second temperature (T2) may be higher than the first temperature (T1), the third temperature (T3) may be higher than the second temperature, The fourth temperature T4 may be equal to the first temperature T1.
따라서, 상기 발광 소자 패키지(100) 또는 스트립들에서 배출되는 흄 가스 등은 다단계로 배출라인을 따라 외부로 배출되어 플럭스(flux)나 흄(fume) 등의 이물질들이 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있기 때문에 별도의 세정공정이 불필요할 수 있다.Therefore, the fume gas or the like discharged from the light emitting
도 10은 도 1의 발광 소자 패키지(100)의 충진물 충진 과정의 일례를 나타내는 평면도이다.10 is a plan view showing an example of a filler filling process of the light emitting
도 10에 도시된 바와 같이, 상기 충진물(50)은, 원심가압기(M)의 원심력(F)에 의해서 상기 제 1 도전성 본딩 부재(31)와 상기 제 2 도전성 본딩 부재(32) 사이에 충진될 수 있다. 여기서, 이러한 상기 원심가압기(M)는 상기 충진물에서 발생되는 흄(fume) 가스 등을 외부로 배출시킬 수 있도록 별도의 가스 배기 장치가 설치될 수 있다.10, the filling
도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)을 개념적으로 나타내는 단면도이다.11 is a cross-sectional view conceptually showing a
도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛(1000)은, 플립칩 형태의 발광 소자(10)와, 전극 분리 공간을 기준으로 일측에 제 1 전극(21) 및 타측에 제 2 전극(22)이 형성되는 기판(20)과, 상기 발광 소자(10)의 제 1 단자(11)와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판(20)의 제 1 전극(21)에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅(dotting)되어 경화된 제 1 솔더 크림(solder cream)(31-1) 경화물과, 상기 발광 소자(10)의 제 2 단자(12)와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판(20)의 제 2 전극(22)에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅되어 경화된 제 2 솔더 크림(32-1) 경화물 및 상기 발광 소자(10)의 광 경로에 설치되는 도광판(90)을 포함할 수 있다.11, the
여기서, 상기 제 1 솔더 크림(31-1) 경화물 및 상기 제 2 솔더 크림(32-1) 경화물은, 상술된 상기 제 1 솔더 크림 및 상기 제 2 솔더 크림(32-1)이 각각 리플로우 과정을 거쳐서 경화된 구조물일 수 있다.Here, the cured product of the first solder cream 31-1 and the cured product of the second solder cream 32-1 may be the same as those of the first solder cream 32-1 and the second solder cream 32-1, And may be a hardened structure through a low-speed process.
또한, 상기 발광 소자(10)와, 상기 기판(20)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 상술된 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 구성 요소들과 그 역할 및 구성이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.1, the
또한, 상기 도광판(90)은, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛을 유도할 수 있도록 투광성 재질로 제작될 수 있는 광학 부재일 수 있다.In addition, the
이러한, 상기 도광판(90)은, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛의 경로에 설치되어, 상기 발광 소자(10)에서 발생된 빛을 보다 넓은 면적으로 전달할 수 있다.The
이러한, 상기 도광판(90)은, 그 재질이 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등이 적용될 수 있고, 이외에도 각종 투광성 수지 계열의 재질이 적용될 수 있다. 또한, 상기 도광판(90)은, 표면에 미세 패턴이나 미세 돌기나 확산막등을 형성하거나, 내부에 미세 기포를 형성하는 등 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.The
여기서, 도시하지 않았지만, 상기 도광판(90)의 상방에는 각종 확산 시트, 프리즘 시트, 필터 등이 추가로 설치될 수 있다. 또한, 상기 도광판(90)의 상방에는 LCD 패널 등 각종 디스플레이 패널이 설치될 수 있다.Although not shown, various diffusion sheets, prism sheets, filters, and the like may be additionally provided above the
한편, 도시하지 않았지만, 본 발명은 상술된 상기 발광 소자 패키지(100)를 포함하는 조명 장치를 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상기 조명 장치의 구성 요소들은 상술된 본 발명의 발광 소자 패키지의 그것들과 구성과 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.Although not shown, the present invention may include a lighting device including the light emitting
도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제작 방법을 나타내는 순서도이다.12 is a flowchart showing a method of manufacturing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제작 방법은, 전극 분리 공간을 기준으로 일측에 제 1 전극(21) 및 타측에 제 2 전극(22)이 형성되는 기판(20)을 준비하는 단계(S1)와, 반사컵부(C)를 형성할 수 있고, 상기 전극 분리 공간에 충진되어 전극 분리부(41)를 형성하는 반사 봉지재(40)를 상기 기판(20)에 몰딩하는 단계(S2)와, 플립칩 형태의 발광 소자(10)의 제 1 단자(11)와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판(20)의 제 1 전극(21)에 제 1 솔더 크림(31-1)을 도팅하고, 상기 발광 소자(10)의 제 2 단자(12)와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 2 전극(22)에 제 2 솔더 크림(32-1)를 도팅하는 단계(S3)와, 상기 발광 소자(10)를 상기 기판(20)에 안착시키는 단계(S4)와, 본딩된 상기 제 1 솔더 크림(31-1) 및 상기 제 2 솔더 크림(32-1)이 경화되도록 상기 기판(20)을 리플로우하는 단계(S5)와, 상기 반사컵부(C)에 충진물(50)을 충진하는 단계(S6) 및 상기 충진물(50)이 상기 제 1 도전성 본딩 부재(31) 및 상기 제 2 도전성 본딩 부재(32) 사이에 충진되도록 상기 기판(20)을 회전시켜서 상기 충진물(50)에 원심력을 인가하는 단계(S7)를 포함할 수 있다.12, a method of fabricating a light emitting device package according to some embodiments of the present invention includes forming a
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
10: 발광 소자
11: 제 1 단자
12: 제 2 단자
20: 기판
21: 제 1 전극
21a: 솔더 크림 수용홈부
21b: 솔더 크림 높이 제한 돌기
21c: 솔더 크림 수용 요철면
22: 제 2 전극
30: 본딩 부재
31: 제 1 도전성 본딩 부재
31-1: 제 1 솔더 크림
32: 제 2 도전성 본딩 부재
32-1: 제 2 솔더 크림
C: 반사컵부
40: 반사 봉지재
41; 전극 분리부
50: 충진물
DP: 도팅 핀
H1, H2; 높이
RL: 리플로우 장치
R1, R2, R3, R4: 처리실
M: 원심가압기
F: 원심력
90: 도광판
100: 발광 소자 패키지
1000: 백라이트 유닛10: Light emitting element
11: First terminal
12: second terminal
20: substrate
21: first electrode
21a: Solder cream receiving groove
21b: Solder cream height restricting projection
21c: Uneven surface for solder cream
22: second electrode
30:
31: first conductive bonding member
31-1: First solder cream
32: second conductive bonding member
32-1: Second solder cream
C: Reflective cup portion
40: Reflective bag material
41; Electrode separation portion
50: packing
DP:
H1, H2; Height
RL: Reflow device
R1, R2, R3, R4: Process chamber
M: Centrifugal pressurizer
F: Centrifugal force
90: light guide plate
100: Light emitting device package
1000: Backlight unit
Claims (10)
플립칩 형태의 발광 소자의 제 1 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 1 전극에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅(dotting) 또는 정밀 도포될 수 있도록 액상의 용제와 혼합되어 도팅 점도를 갖는 제 1 솔더 크림(solder cream);
상기 발광 소자의 제 2 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 2 전극에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅 또는 정밀 도포될 수 있도록 액상의 용제와 혼합되어 도팅 점도를 갖는 제 2 솔더 크림; 및
상기 발광 소자에서 발생된 빛을 반사하는 반사컵부를 형성할 수 있도록 상기 기판에 몰딩 설치되고, 상기 전극 분리 공간에 충진되어 전극 분리선을 형성하는 반사 봉지재;
를 포함하고,
상기 전극 분리선은 그 높이가 상기 기판의 높이 보다 큰 것인, 발광 소자 패키지.A substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side based on an electrode separation space;
The first electrode of the substrate may be electrically connected to the first terminal of the flip-chip type light emitting device. The first electrode may be dotted or precisely coated with a dipping pin so as to have a dotting viscosity A first solder cream;
A second solder cream provided on the second electrode of the substrate so as to be electrically connected to the second terminal of the light emitting device and mixed with a liquid solvent so as to be dotted or precisely coated by a dying pin and having a dotting viscosity; And
A reflective encapsulant that is molded in the substrate to form a reflective cup portion that reflects light emitted from the light emitting device and is filled in the electrode separation space to form an electrode separation line;
Lt; / RTI >
And the height of the electrode separation line is larger than the height of the substrate.
상기 제 1 솔더 크림은,
상기 기판의 상기 제 1 전극의 표면에 복수개가 동시에 다점 도팅되는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
The first solder cream may contain,
Wherein a plurality of light emitting elements are simultaneously dewaxed on the surface of the first electrode of the substrate.
상기 제 1 솔더 크림은, 상기 기판의 상기 제 1 전극의 솔더 크림 수용홈부 또는 솔더 크림 높이 제한 돌기에 설치되는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first solder cream is installed in a solder cream receiving groove of the first electrode of the substrate or in a solder cream height restricting projection.
상기 제 1 솔더 크림은, 상기 기판의 상기 제 1 전극의 솔더 크림 수용 요철면에 설치되는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first solder cream is provided on the uneven surface of the first electrode of the substrate for receiving the solder cream.
전극 분리 공간을 기준으로 일측에 제 1 전극 및 타측에 제 2 전극이 형성되는 기판;
상기 발광 소자의 제 1 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 1 전극에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅(dotting) 또는 정밀 도포되어 경화된 제 1 솔더 크림(solder cream) 경화물;
상기 발광 소자의 제 2 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 2 전극에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅 또는 정밀 도포되어 경화된 제 2 솔더 크림 경화물;
상기 발광 소자에서 발생된 빛을 반사하는 반사컵부를 형성할 수 있도록 상기 기판에 몰딩 설치되고, 상기 전극 분리 공간에 충진되어 전극 분리선을 형성하는 반사 봉지재; 및
상기 발광 소자의 광 경로에 설치되는 도광판;
를 포함하고,
상기 전극 분리선은 그 높이가 상기 기판의 높이 보다 큰 것인, 백라이트 유닛.A flip chip type light emitting element;
A substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side based on an electrode separation space;
A first solder cream cured product provided on the first electrode of the substrate so as to be electrically connected to the first terminal of the light emitting device, the first solder cream being dotted or precisely coated by a dying pin;
A second solder cream cured product provided on a second electrode of the substrate so as to be electrically connected to the second terminal of the light emitting device, the second solder cream hardened by being diced or precisely coated by a dying pin;
A reflective encapsulant that is molded in the substrate to form a reflective cup portion that reflects light emitted from the light emitting device and is filled in the electrode separation space to form an electrode separation line; And
A light guide plate installed in an optical path of the light emitting element;
Lt; / RTI >
Wherein the height of the electrode separation line is larger than the height of the substrate.
전극 분리 공간을 기준으로 일측에 제 1 전극 및 타측에 제 2 전극이 형성되는 기판;
상기 발광 소자의 제 1 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 1 전극에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅(dotting) 또는 정밀 도포되어 경화된 제 1 솔더 크림(solder cream) 경화물;
상기 발광 소자의 제 2 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 제 2 전극에 설치되고, 도팅 핀에 의해 도팅 또는 정밀 도포되어 경화된 제 2 솔더 크림 경화물; 및
상기 발광 소자에서 발생된 빛을 반사하는 반사컵부를 형성할 수 있도록 상기 기판에 몰딩 설치되고, 상기 전극 분리 공간에 충진되어 전극 분리선을 형성하는 반사 봉지재;
를 포함하고,
상기 전극 분리선은 그 높이가 상기 기판의 높이 보다 큰 것인, 조명 장치.A flip chip type light emitting element;
A substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side based on an electrode separation space;
A first solder cream cured product provided on the first electrode of the substrate so as to be electrically connected to the first terminal of the light emitting device, the first solder cream being dotted or precisely coated by a dying pin;
A second solder cream cured product provided on a second electrode of the substrate so as to be electrically connected to the second terminal of the light emitting device, the second solder cream hardened by being diced or precisely coated by a dying pin; And
A reflective encapsulant that is molded in the substrate to form a reflective cup portion that reflects light emitted from the light emitting device and is filled in the electrode separation space to form an electrode separation line;
Lt; / RTI >
And the height of the electrode separation line is larger than the height of the substrate.
반사컵부를 형성할 수 있고, 상기 전극 분리 공간에 충진되어 전극 분리부를 형성하는 반사 봉지재를 상기 기판에 몰딩하는 단계;
플립칩 형태의 발광 소자의 제 1 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 액상의 용제와 혼합되어 도팅 점도를 갖는 제 1 솔더 크림(solder cream)을 상기 기판의 제 1 전극에 도팅 또는 정밀 도포하고, 상기 발광 소자의 제 2 단자와 전기적으로 연결될 수 있도록 액상의 용제와 혼합되어 도팅 점도를 갖는 제 2 솔더 크림을 상기 기판의 제 2 전극에 도팅 또는 정밀 도포하는 단계;
상기 발광 소자를 상기 기판에 안착시키는 단계;
도팅 또는 정밀 도포된 상기 제 1 솔더 크림 및 상기 제 2 솔더 크림이 경화되도록 상기 기판을 리플로우하는 단계; 및
상기 반사컵부에 충진물을 충진하는 단계;
를 포함하고,
상기 전극 분리선은 그 높이가 상기 기판의 높이 보다 큰 것인, 발광 소자 패키지의 제작 방법.Preparing a substrate having a first electrode on one side and a second electrode on the other side based on an electrode separation space;
Molding a reflective encapsulant, which is capable of forming a reflective cup part and filled in the electrode separation space to form an electrode separation part, onto the substrate;
A first solder cream having a dotting viscosity mixed with a liquid solvent so as to be electrically connected to a first terminal of a flip chip type light emitting device is applied to the first electrode of the substrate or is precisely coated, Applying or precisely coating a second solder cream having a dotting viscosity to a second electrode of the substrate, the second solder cream being mixed with a liquid solvent so as to be electrically connected to a second terminal of the device;
Placing the light emitting device on the substrate;
Reflowing the substrate to harden the first solder cream and the second solder cream, which are dated or precisely applied; And
Filling the filler in the reflection cup;
Lt; / RTI >
Wherein the height of the electrode separation line is greater than the height of the substrate.
상기 반사컵부에 충진물을 충진하는 단계 이후에,
상기 충진물이 상기 제 1 솔더 크림 및 상기 제 2 솔더 크림 사이에 충진되도록 상기 기판을 회전시켜서 상기 충진물에 원심력을 인가하는 단계;
를 포함하는, 발광 소자 패키지의 제작 방법.
10. The method of claim 9,
After filling the filler into the reflection cup,
Rotating the substrate so that the filler is filled between the first solder cream and the second solder cream to apply a centrifugal force to the filler;
Emitting device package.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130142038A KR101524046B1 (en) | 2013-11-21 | 2013-11-21 | Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method |
PCT/KR2014/011210 WO2015076591A1 (en) | 2013-11-21 | 2014-11-20 | Light-emitting device package, backlight unit, lighting device, and method for manufacturing light-emitting device package |
US15/038,042 US9831407B2 (en) | 2013-11-21 | 2014-11-20 | Light emitting device package, backlight unit, illumination apparatus, and method of manufacturing light emitting device package |
US15/792,523 US10074788B2 (en) | 2013-11-21 | 2017-10-24 | Light emitting device package, backlight unit, illumination apparatus, and method of manufacturing light emitting device package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130142038A KR101524046B1 (en) | 2013-11-21 | 2013-11-21 | Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101524046B1 true KR101524046B1 (en) | 2015-06-01 |
Family
ID=53490694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130142038A KR101524046B1 (en) | 2013-11-21 | 2013-11-21 | Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101524046B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10546986B2 (en) | 2014-09-29 | 2020-01-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting device package and light-emitting apparatus comprising same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR950015673A (en) * | 1993-11-08 | 1995-06-17 | 김주용 | Bump Formation Method for Flip Chip |
JP2007184426A (en) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
JP4996096B2 (en) * | 2006-01-06 | 2012-08-08 | 新光電気工業株式会社 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
-
2013
- 2013-11-21 KR KR1020130142038A patent/KR101524046B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR950015673A (en) * | 1993-11-08 | 1995-06-17 | 김주용 | Bump Formation Method for Flip Chip |
JP2007184426A (en) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
JP4996096B2 (en) * | 2006-01-06 | 2012-08-08 | 新光電気工業株式会社 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10546986B2 (en) | 2014-09-29 | 2020-01-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting device package and light-emitting apparatus comprising same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101501020B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101443870B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101568757B1 (en) | Lead frame, light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101567927B1 (en) | Surface light source displayer, illumination device and backlight unit having it | |
KR101578760B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, and illumination device | |
KR20150044307A (en) | Side type light emitting device package, backlight unit and its manufacturing method | |
KR101557944B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device, its manufacturing method and molding jig | |
KR101606818B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101607139B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method | |
KR101504168B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit and lighting device | |
KR101578752B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method | |
KR101575653B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101469052B1 (en) | Light emitting device package and its manufacturing method | |
KR101690203B1 (en) | Light emitting element package | |
KR101504306B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101553341B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method | |
KR101524046B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method | |
KR101623558B1 (en) | Light emitting device package and its manufacturing method | |
KR101524048B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101524044B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit and illumination device | |
KR20150141337A (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101623042B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101713683B1 (en) | Light emitting device package | |
KR101547548B1 (en) | Phosphor encapsulation type light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method | |
KR20160061297A (en) | Light emitting device package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180319 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190311 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200309 Year of fee payment: 6 |