KR101575653B1 - Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 디스플레이 용도나 조명 용도로 사용할 수 있는 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제작 방법에 관한 것으로서, 기판; 적어도 하나의 발광 소자가 내부에 안착될 수 있도록 상기 기판의 일면에 펀치 프레스로 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부; 상기 발광 소자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 배선층; 상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 타면이 변형되어 돌출되게 형성되는 변형부; 및 상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 상기 변형부 주변을 지지할 수 있도록 상기 변형부 주변에 설치되는 주변 지지부;를 포함할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device package, a backlight unit, a lighting device, and a method of manufacturing a light emitting device package that can be used for display or illumination. A cup-shaped cup-shaped groove formed on one surface of the substrate so as to be recessed by a punch press so that at least one light-emitting element can be seated therein; A wiring layer extending from one surface of the substrate to the inner surface of the cup-shaped portion so as to be electrically connected to the light-emitting element, the wiring layer including copper or an aluminum component; A deformed portion formed on the other surface of the substrate so as to protrude when the punch press presses the cup portion; And a peripheral support portion provided around the deformed portion so as to support the periphery of the deformed portion of the substrate when the punch press presses the cupped portion.
Description
본 발명은 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제작 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이 용도나 조명 용도로 사용할 수 있는 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제작 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device package, a backlight unit, a lighting device, and a method of manufacturing a light emitting device package, and more particularly to a light emitting device package, a backlight unit, And a manufacturing method thereof.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 광의 지향성이 강하여 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드프레임에 실장한 후, 패키징할 수 있어서 여러 가지 용도로 모듈화하여 각종 조명 장치나 디스플레이 장치 등에 적용할 수 있다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that can emit light of various colors by forming a light emitting source through the formation of a PN diode of a compound semiconductor. Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, has a strong directivity of light, and can be driven at a low voltage. These LEDs are resistant to shocks and vibrations, do not require preheating time and complicated driving, can be packaged after being mounted on various types of boards or lead frames, so they are modularized for various purposes and applied to various lighting devices and display devices can do.
그러나, 종래의 기판 또는 메탈 기판의 적용시 발광 소자 패키지의 구조가 복잡하고 가공 공정 역시 복잡해져서 단가가 크게 상승하고, 방열 문제로 인하여 저출력의 두께가 두꺼운 제품만 생산할 수 있었으며, 고방열로 인하여 신뢰성이 크게 저하되고, 수명이 단축되는 문제점이 있었다.However, when the conventional substrate or the metal substrate is applied, the structure of the light emitting device package is complicated and the processing steps are complicated, so that the unit price is greatly increased and only a product with a low output thickness can be produced due to the heat dissipation problem. And the lifetime is shortened.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 금속 기판에 펀치 프레스로 컵홈부를 형성하여 구조 및 공정을 크게 단순화함으로써 제품의 단가를 낮추고, 두께를 축소하며, 고출력이 가능하고, 내구성이 우수하며, 방열특성이나 광학특성을 크게 향상시킬 수 있고, 펀치 프레스에 의한 변형부 주변을 지지하여 하면을 평평하게 할 수 있는 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제작 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a metal substrate having a cup portion by a punch press to greatly simplify a structure and a process, A light emitting device package, a backlight unit, an illuminating device, and a light emitting device package which are excellent in durability, can greatly improve heat dissipation characteristics and optical characteristics, can support a periphery of a deformed portion by a punch press, And a method thereof. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 기판; 적어도 하나의 발광 소자가 내부에 안착될 수 있도록 상기 기판의 일면에 펀치 프레스로 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부; 상기 발광 소자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 배선층; 상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 타면이 변형되어 돌출되게 형성되는 변형부; 및 상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 상기 변형부 주변을 지지할 수 있도록 상기 변형부 주변에 설치되는 주변 지지부;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package including: a substrate; A cup-shaped cup-shaped groove formed on one surface of the substrate so as to be recessed by a punch press so that at least one light-emitting element can be seated therein; A wiring layer extending from one surface of the substrate to the inner surface of the cup-shaped portion so as to be electrically connected to the light-emitting element, the wiring layer including copper or an aluminum component; A deformed portion formed on the other surface of the substrate so as to protrude when the punch press presses the cup portion; And a peripheral support portion provided around the deformed portion so as to support the periphery of the deformed portion of the substrate when the punch press presses the cupped portion.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 주변 지지부는, 상기 기판의 상기 변형부 주변에 접착층으로 접착되는 금속판일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the peripheral supporting portion may be a metal plate adhered to the periphery of the deformed portion of the substrate as an adhesive layer.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 주변 지지부는, 상기 변형부를 수용할 수 있는 변형부 대응 윈도우가 형성되는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the peripheral supporting portion may be formed with a window corresponding to a deformable portion capable of accommodating the deformable portion.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 주변 지지부는, 상기 변형부 대응 윈도우가 복수개로 형성되는 것일 수 있다.Also, according to an aspect of the present invention, the peripheral supporting portion may have a plurality of windows corresponding to the deformed portions.
또한, 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 르면, 상기 컵홈부의 테두리에 상기 펀치 프레스로 형성되고, 렌즈의 가장자리와 접촉되도록 접촉 높이를 갖는 컵측벽부;를 더 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the present invention may further include a cup side wall formed on the rim of the cup space by the punch press and having a contact height to be in contact with an edge of the lens.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 배선층은, 상기 컵홈부의 저면에서 분리되고, 상기 기판은, 알루미늄 또는 철 성분을 포함하는 금속 기판이고, 상기 기판과 상기 배선층 사이에 절연층이 설치되고, 상기 배선층과 상기 기판 사이에 핫 프레스에 의해 상기 배선층과 상기 기판을 서로 접착시키는 열경화성 접착층이 설치되고, 상기 컵홈부는 내부에 경사면이 형성되고, 상기 경사면에 설치된 상기 배선층의 상면에 설치되는 반사층;을 더 포함하고, 상기 반사층은, 적어도 은, 백금, 금, 수은, 크롬 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 성분을 포함하는 도금층이고, 상기 발광 소자의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부에 충진되는 충진물;을 더 포함하고, 상기 충진물은, 적어도 형광체, 투광성 봉지재, 렌즈층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것이고, 상기 충진물을 제외한 상기 기판 또는 배선층의 표면에 설치되는 절연성 보호층;을 더 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the wiring layer is separated from the bottom surface of the cup portion, the substrate is a metal substrate containing aluminum or an iron component, an insulating layer is provided between the substrate and the wiring layer, A thermosetting adhesive layer for bonding the wiring layer and the substrate to each other by a hot press is provided between the wiring layer and the substrate, and the cup portion is formed with an inclined surface and is provided on the upper surface of the wiring layer provided on the inclined surface Wherein the reflective layer is a plating layer containing a component selected from at least one of silver, platinum, gold, mercury, chromium, and combinations thereof, and is disposed in a light path of the light emitting element, Wherein the filler comprises at least a phosphor, a light-transmitting encapsulant, a lens layer, and a combination thereof Will formed by selecting one or more of Ne, an insulating protective layer is provided on the surface of the substrate or the wiring layer other than the filler may further include a.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 백라이트 유닛은, 기판; 상기 기판의 일면에 펀치 프레스로 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부; 상기 컵홈부에 적어도 하나 안착되는 발광 소자; 상기 발광 소자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 배선층; 상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 타면이 변형되어 돌출되게 형성되는 변형부; 상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 상기 변형부 주변을 지지할 수 있도록 상기 변형부 주변에 설치되는 주변 지지부; 및 상기 발광 소자의 광 경로에 설치되는 도광판;를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a backlight unit comprising: a substrate; A cup-shaped cup-shaped groove formed on one surface of the substrate by a punch press; At least one light emitting element that is seated in the cup groove; A wiring layer extending from one surface of the substrate to the inner surface of the cup-shaped portion so as to be electrically connected to the light-emitting element, the wiring layer including copper or an aluminum component; A deformed portion formed on the other surface of the substrate so as to protrude when the punch press presses the cup portion; A peripheral supporting portion provided around the deformed portion so as to support the periphery of the deformed portion of the substrate when the punch press presses the cup portion; And a light guide plate installed in an optical path of the light emitting device.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 조명 장치는, 기판; 상기 기판의 일면에 펀치 프레스로 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부; 상기 컵홈부에 적어도 하나 안착되는 발광 소자; 상기 발광 소자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 배선층; 상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 타면이 변형되어 돌출되게 형성되는 변형부; 및 상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 상기 변형부 주변을 지지할 수 있도록 상기 변형부 주변에 설치되는 주변 지지부;를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a lighting apparatus comprising: a substrate; A cup-shaped cup-shaped groove formed on one surface of the substrate by a punch press; At least one light emitting element that is seated in the cup groove; A wiring layer extending from one surface of the substrate to the inner surface of the cup-shaped portion so as to be electrically connected to the light-emitting element, the wiring layer including copper or an aluminum component; A deformed portion formed on the other surface of the substrate so as to protrude when the punch press presses the cup portion; And a peripheral support portion provided around the deformed portion so as to support the periphery of the deformed portion of the substrate when the punch press presses the cupped portion.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지의 제작 방법은, 기판의 일면에 전도성 재질의 배선층을 설치하는 단계; 상기 기판의 변형부 주변에 주변 지지부를 설치하는 단계; 상기 주변 지지부가 상기 기판의 변형부 주변을 지지할 수 있도록 펀치 프레스를 이용하여 상기 기판의 일면에 오목하게 컵형상의 컵홈부를 형성하는 단계; 상기 컵홈부 내부의 상기 배선층의 일부분에 반사층을 설치하는 단계; 및 상기 컵홈부 내부의 상기 배선층에 발광 소자를 안착시켜서 상기 배선층과 상기 발광 소자를 전기적으로 연결시키는 단계;를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a light emitting device package, including: providing a wiring layer of a conductive material on a surface of a substrate; Providing a peripheral support around the deformation of the substrate; Forming a cup-shaped cup portion concave on one surface of the substrate by using a punch press so that the peripheral supporting portion can support the periphery of the deformed portion of the substrate; Providing a reflective layer on a portion of the wiring layer inside the cup groove portion; And placing the light emitting element on the wiring layer inside the cup groove portion to electrically connect the wiring layer and the light emitting element.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판의 변형부 주변에 주변 지지부를 설치하는 단계는, 상기 기판의 상기 변형부 주변에 접착층으로 금속판을 접착하는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the step of installing the peripheral supporting portion around the deformed portion of the substrate may include adhering a metal plate to the adhesive layer around the deformed portion of the substrate.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 제품의 단가를 낮추고, 두께를 축소하며, 고출력이 가능하고, 내구성이 우수하며, 방열특성이나 광학특성을 크게 향상시킬 수 있고, 펀치 프레스에 의한 변형부 주변을 지지하여 하면을 평평하게 할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, it is possible to reduce the unit cost of the product, reduce the thickness, enable high output, provide excellent durability, greatly improve the heat dissipation characteristics and optical characteristics, So that the lower surface can be flattened. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제작 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 제작 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.
도 14는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 제작 방법을 나타나는 순서도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
FIGS. 2 to 8 are cross-sectional views illustrating steps of fabricating a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to some other embodiments of the present invention.
10 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
FIGS. 11 to 13 are cross-sectional views illustrating steps of fabricating a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
14 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to still another embodiment of the present invention.
15 is a flowchart showing a method of manufacturing a light emitting device package according to some embodiments of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified in various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, region or substrate is referred to as being "on", "connected to", "laminated" or "coupled to" another element, It will be appreciated that elements may be directly "on", "connected", "laminated" or "coupled" to another element, or there may be other elements intervening therebetween. On the other hand, when one element is referred to as being "directly on", "directly connected", or "directly coupled" to another element, it is interpreted that there are no other components intervening therebetween do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "top" or "above" and "under" or "below" can be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the Figures. Relative terms are intended to include different orientations of the device in addition to those depicted in the Figures. For example, if the element is inverted in the figures, the elements depicted as being on the upper surface of the other elements will have a direction on the lower surface of the other elements. Thus, the example "top" may include both "under" and "top" directions depending on the particular orientation of the figure. If the elements are oriented in different directions (rotated 90 degrees with respect to the other direction), the relative descriptions used herein can be interpreted accordingly.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light
도 2 내지 도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제작 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.FIGS. 2 to 8 are cross-sectional views illustrating steps of fabricating the light
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자용 기판(100)은, 크게 기판(10)과, 컵홈부(11)와, 배선층(20), 충진물(50), 변형부(13) 및 주변 지지부(70)을 포함할 수 있다.1, a
여기서, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)은, 발광 소자(30)를 지지할 수 있도록 적당한 기계적 강도와 절연성을 갖는 재료나 전도성 재료로 제작될 수 있다.Here, as shown in FIG. 1, the
예를 들어서, 상기 기판(10)은, 절연 처리된 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 기판 등이 적용될 수 있으며, 플레이트 형태나 리드 프레임 형태의 금속 기판들이 적용될 수 있다.For example, the
이외에도, 상기 기판(10)은, 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)일 수 있다. 또한, 상기 기판(10)은, 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다.In addition, the
또한, 상기 기판(10)은, 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지 기판이나, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 기판이 적용될 수 있다. The
더욱 구체적으로 예시하면, 상기 기판(10)은, 비교적 저렴한 재질인 알루미늄, 철, 또는 구리 성분을 포함하는 바(bar) 타입의 금속 기판일 수 있고, 상기 기판(10)의 표면에는 각종 산화 공정을 수행하여 각종 절연층(12)을 형성할 수 있다.More specifically, the
이외에도, 상기 기판(10)은, 가공성을 향상시키기 위해서 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.In addition, the
한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 컵홈부(11)는, 적어도 하나의 상기 발광 소자(30)가 내부에 안착될 수 있도록 상기 기판(10)의 일면(10-1)에 도 4의 펀치 프레스(PP)로 오목하게 형성되는 부분일 수 있다.1, the
또한, 상기 컵홈부(11)는 내부에 경사면(11a)이 형성될 수 있다. 이를 위해서 상기 도 4의 펀치 프레스(PP)에는 상기 컵홈부(11)의 형상과 대응되는 돌출 부분이 형성될 수 있고, 상기 돌출 부분에는 상기 컵홈부(11)의 경사면(11a)과 대응되는 경사면이 형성될 수 있다.In addition, the
한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 배선층(20)은, 상기 발광 소자(30)와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판(10)의 일면(10-1)에서 상기 컵홈부(11)의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함할 수 있다.1, the
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 배선층(20)은, 상기 기판(10)의 일면에서 상기 컵홈부(11)의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 전도성 시트일 수 있다.1, the
여기서, 상기 배선층(20)은, 상기 컵홈부(11)의 저면에서 전극분리선에 의해 분리되고, 상기 기판(10)과 상기 배선층(20) 사이에 절연층(12)이 설치될 수 있다.The
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 배선층(20)과 상기 기판(10) 사이에 핫 프레스에 의해 상기 배선층(20)과 상기 기판(10)을 서로 접착시키는 열경화성 접착층(21)이 설치될 수 있다.1, a thermosetting
이러한 상기 열경화성 접착층(21)은 시트 형상의 상기 배선층(20)의 후면에 설치되어, 상기 핫 프레스의 가압력에 의해서 상기 기판(10)과 열접착될 수 있다.The thermosetting
여기서, 상기 열경화성 접착층(21)은 프리프레그(prepreg) 접착층일 수 있다. 이외에도, 상기 열경화성 접착층(21)은 폴리에스테르 아미드 공중합체나 유리, 카본, 카본 섬유, 종이 등의 복합체나 폴리비닐 아세테이트, 폴리아마이드, 폴리카보네이트, 폴리아세탈, 폴리페닐렌 옥사이드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리알릴레이트, 폴리에스테르, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리에테르 이미드, 폴리술폰, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 에테르 케톤, 폴리에테르 케톤 케톤, 폴리아라미드, 폴리벤조이미다졸, 폴리에틸렌 폴리프로필렌, 폴리아마이드, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 부티레이트 등의 유기물 입자들을 포함할 수 있다.Here, the thermosetting
또한, 상기 발광 소자(30)는, 복수개가 상기 컵홈부(11)에 안착되는 것으로 상기 배선층(20)과 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, a plurality of the
여기서, 상기 발광 소자(30)는, 상기 기판(10)의 상기 컵홈부(11)에 안착될 수 있는 것으로서, 상기 기판(10)에는 복수개의 발광 소자(30)들이 안착될 수 있고, 이외에도 1개의 발광 소자(30)만 안착될 수도 있다.The
이러한, 상기 발광 소자(30)는, 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)으로 나타내진다.The
또한, 상기 발광 소자(30)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(30)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(30)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.The nitride semiconductor such as InN, AlN, InGaN, AlGaN, or InGaAlN is epitaxially grown on a sapphire substrate for growth or a silicon carbide substrate by a vapor phase growth method such as MOCVD To grow. In addition to the nitride semiconductor, the
여기서, 상기 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.Here, as the growth substrate, an insulating, conductive or semiconductor substrate may be used if necessary. For example, the growth substrate may be sapphire, SiC, Si, MgAl 2 O 4, MgO, LiAlO 2, LiGaO 2, GaN. A GaN substrate, which is a homogeneous substrate, is preferable for epitaxial growth of a GaN material, but a GaN substrate has a problem of high production cost due to its difficulty in manufacturing.
이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.Sapphire and silicon carbide (SiC) substrates are mainly used as the different substrates. Sapphire substrates are more utilized than expensive silicon carbide substrates. When using a heterogeneous substrate, defects such as dislocation are increased due to the difference in lattice constant between the substrate material and the thin film material. Also, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the substrate material and the thin film material, warping occurs at a temperature change, and warping causes a crack in the thin film. This problem may be reduced by using a buffer layer between the substrate and the GaN-based light emitting laminate.
또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.In addition, the substrate for growth may be completely or partially removed or patterned in order to improve the optical or electrical characteristics of the LED chip before or after the growth of the LED structure.
예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.For example, in the case of a sapphire substrate, the substrate can be separated by irradiating the laser to the interface with the semiconductor layer through the substrate, and the silicon or silicon carbide substrate can be removed by a method such as polishing / etching.
또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.Another supporting substrate may be used for removing the growth substrate. In order to improve the light efficiency of the LED chip on the opposite side of the growth substrate, the supporting substrate may be bonded using a reflective metal, As shown in FIG.
또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.In addition, patterning of the growth substrate improves the light extraction efficiency by forming irregularities or slopes before or after the LED structure growth on the main surface (front surface or both sides) or side surfaces of the substrate. The size of the pattern can be selected from the range of 5 nm to 500 μm and it is possible to make a structure for improving the light extraction efficiency with a rule or an irregular pattern. Various shapes such as a shape, a column, a mountain, a hemisphere, and a polygon can be adopted.
상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001과 4.758 이며, C면, A면, R면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.In the case of the sapphire substrate, the crystals having a hexagonal-rhombo-cubic (Hexa-Rhombo R3c) symmetry have lattice constants of 13.001 and 4.758 in the c-axis direction and the a-axis direction, respectively, and have C plane, A plane and R plane. In this case, the C-plane is relatively easy to grow the nitride film, and is stable at high temperature, and thus is mainly used as a substrate for nitride growth.
또한, 상기 성장용 기판의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다.Another material of the growth substrate is a Si substrate, which is more suitable for large-scale curing and relatively low in cost, so that mass productivity can be improved.
또한, 상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판 등의 지지기판을 추가로 형성하여 사용한다.In addition, since the silicon (Si) substrate absorbs light generated from the GaN-based semiconductor and the external quantum efficiency of the light emitting device is lowered, the substrate may be removed as necessary, and Si, Ge, SiAl, A support substrate such as a metal substrate is further formed and used.
상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 성장용 기판과 발광적층체 사이에 버퍼층을 배치시킬 수 있다. 상기 버퍼층은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.When a GaN thin film is grown on a different substrate such as the Si substrate, the dislocation density increases due to the lattice constant mismatch between the substrate material and the thin film material, and cracks and warpage Lt; / RTI > The buffer layer may be disposed between the growth substrate and the light emitting stack for the purpose of preventing dislocation and cracking of the light emitting stack. The buffer layer also functions to reduce the scattering of the wavelength of the wafer by adjusting the degree of warping of the substrate during the growth of the active layer.
여기서, 상기 버퍼층은 AlxInyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.Herein, the buffer layer may be made of Al x In y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, x + y? 1), in particular GaN, AlN, AlGaN, InGaN or InGaNAlN. Materials such as ZrB2, HfB2, ZrN, HfN and TiN can also be used as needed. Further, a plurality of layers may be combined, or the composition may be gradually changed.
또한, 도시하지는 않았으나, 상기 발광 소자(30)는, 범프나 패드나 솔더 등의 신호전달매체를 갖는 플립칩 형태의 발광 소자들일 수 있고, 이외에도 와이어 등의 신호전달매체를 갖는 수직형 및 수평형 등 다양한 형태의 발광 소자들이 적용될 수 있다.Although not shown, the
한편, 상기 충진물(50)은, 상기 발광 소자(30)의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부(11)에 충진되는 물질로서, 형광체나 투광성 봉지재 또는 이들의 혼합물일 수 있다.The filling
여기서, 상기 형광체는 아래와 같은 조성식 및 컬러를 가질 수 있다.Here, the phosphor may have the following composition formula and color.
산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:CeOxide system: yellow and green Y3Al5O12: Ce, Tb3Al5O12: Ce, Lu3Al5O12: Ce
실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce(Ba, Sr) 2SiO4: Eu, yellow and orange (Ba, Sr) 3SiO5: Ce
질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 L3Si6O11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:EuEu, Sr2Si5N8: Eu, SrSiAl4N7: Eu, Eu3O3: Eu, Eu3O3: Eu,
이러한, 상기 형광체의 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y은 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다, 또한 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제등이 추가로 적용될 수 있다.The composition of the phosphor should basically correspond to stoichiometry, and each element may be substituted with another element in each group on the periodic table. For example, Sr can be substituted with Ba, Ca, Mg, etc. of the alkaline earth (II) group, and Y can be replaced with lanthanum series of Tb, Lu, Sc, Gd and the like. Ce, Tb, Pr, Er, Yb and the like, and the active agent may be used alone or as a negative active agent for the characteristic modification.
또한, 상기 형광체의 대체 물질로 양자점(Quantum Dot) 등의 물질들이 적용될 수 있으며, LED에 형광체와 QD를 혼합 또는 단독으로 사용될 수 있다.As a substitute for the phosphor, materials such as a quantum dot may be used. Alternatively, a fluorescent material and QD may be mixed with the LED or used alone.
QD는 CdSe, InP 등의 코어(3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 쉘(0.5 ~ 2nm)및 코어, 쉘의 안정화를 위한 리간드(Ligand)의 구조로 구성될 수 있으며, 크기에 따라 다양한 칼라를 구현할 수 있다.QD can be composed of a core (3 to 10 nm) such as CdSe and InP, a shell (0.5 to 2 nm) such as ZnS and ZnSe, and a ligand for stabilizing the core and the shell. Can be implemented.
또한, 상기 형광체 또는 양자점(Quantum Dot)의 도포 방식은 크게 LED 칩 또는 발광소자에 뿌리는 방식, 또는 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 세라믹 형광체 등의 시트 형태를 부착하는 방식 중 적어도 하나를 사용 할 수 있다.In addition, the coating method of the fluorescent material or the quantum dot may include at least one of a method of being applied to an LED chip or a light emitting device, a method of covering the material in a film form, a method of attaching a sheet form such as a film or a ceramic fluorescent material .
뿌리는 방식으로는 디스펜싱, 스프레이 코팅 등이 일반적이며 디스펜싱은 공압방식과 스크류(Screw), 리니어 타입(Linear type) 등의 기계적 방식을 포함한다. 제팅(Jetting) 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. 웨이퍼 레벨 또는 발광 소자 기판상에 스프레이 방식으로 형광체를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다. Dispensing and spray coating are common methods of spraying, and dispensing includes mechanical methods such as pneumatic method and screw, linear type. It is also possible to control the amount of dyeing through a small amount of jetting by means of a jetting method and control the color coordinates thereof. The method of collectively applying the phosphor on the wafer level or the light emitting device substrate by the spray method can easily control productivity and thickness.
발광 소자 또는 LED 칩 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, 스크린 프린팅 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며 LED 칩 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다.The method of directly covering the light emitting device or the LED chip in a film form can be applied by a method of electrophoresis, screen printing or phosphor molding, and the method can be different according to necessity of application of the side of the LED chip.
발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 중 단파장에서 발광하는 광을 재 흡수하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, LED 칩과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화하기 위하여 각 층 사이에 DBR(ODR)층을 포함 할 수 있다.In order to control the efficiency of the long-wavelength light-emitting phosphor that reabsers light emitted from a short wavelength among two or more kinds of phosphors having different emission wavelengths, two or more kinds of phosphor layers having different emission wavelengths can be distinguished. A DBR (ODR) layer may be included between each layer to minimize absorption and interference.
균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 LED 칩 또는 발광 소자 위에 부착할 수 있다. In order to form a uniform coating film, the phosphor may be formed into a film or ceramic form and then attached onto the LED chip or the light emitting device.
광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 리모트 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이 때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치한다.In order to make a difference in light efficiency and light distribution characteristics, a photoelectric conversion material may be located in a remote format. In this case, the photoelectric conversion material is located together with a transparent polymer, glass, or the like depending on its durability and heat resistance.
이러한, 상기 형광체 도포 기술은 발광 소자에서 광특성을 결정하는 가장 큰 역할을 하게 되므로, 형광체 도포층의 두께, 형광체 균일 분산 등의 제어 기술들이 다양하게 연구되고 있다. QD 또한 형광체와 동일한 방식으로 LED 칩 또는 발광 소자에 위치할 수 있으며, 유리 또는 투광성 고분자 물질 사이에 위치하여 광 변환을 할 수 있다.Since the phosphor coating technique plays a major role in determining the optical characteristics in the light emitting device, control techniques such as the thickness of the phosphor coating layer and the uniform dispersion of the phosphor have been studied variously. QD can also be placed in the LED chip or the light emitting element in the same manner as the phosphor, and can be positioned between the glass or translucent polymer material for light conversion.
또한, 투광성 봉지재는, 적어도 EMC, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.The translucent encapsulant may be at least one selected from the group consisting of EMC, an epoxy resin composition, a silicone resin composition, a modified epoxy resin composition, a modified silicone resin composition, a polyimide resin composition, a modified polyimide resin composition, a polyphthalamide (PPA), a polycarbonate resin, At least one of phenylene sulfide (PPS), liquid crystal polymer (LCP), ABS resin, phenol resin, acrylic resin, PBT resin, bragg reflection layer, air gap, total reflection layer, metal layer, As shown in FIG.
또한, 상기 투광성 봉지재는, 패이스트의 형태로 상기 컵홈부(11)에 도포되거나, 별도의 적층 공정을 이용하여 적층되거나, 시트 재질을 가압하여 이루어질 수 있다.The transparent encapsulant may be applied to the
한편, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 경사면(11a)에 설치된 상기 배선층(20)의 상면에 설치되는 반사층(40) 및 상기 충진물(50)을 제외한 상기 기판(10) 또는 배선층(20)의 표면에 설치되는 절연성 보호층(60)을 더 포함할 수 있다.1, a light emitting
여기서, 상기 반사층(40)은, 상기 발광 소자(30)로부터 방출되는 빛을 상방으로 반사시킬 수 있도록 반사율이 높은 적어도 은, 백금, 금, 수은, 크롬 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 성분을 포함할 수 있다.Here, the
이외에도, 상기 반사층(40)은, 적어도 EMC, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.The
따라서, 상기 반사층(40)은 빛을 상방으로 반사하기 위하여 최대한 얇은 두께로 제작될 수 있고, 빛을 반사시키는 역할 이외에도 상기 배선층(20)의 산화나 변형을 보호할 수 있는 역할을 할 수 있다.Therefore, the
또한, 상기 절연성 보호층(60)은, 상기 배선층(20)의 표면에 설치되어 상기 배선층(20)의 산화나 변형을 보호하고, 외부의 충격으로부터 보호할 수 있는 역할을 할 수 있다.The insulating
이러한, 상기 절연성 보호층(60)은, EMC, 적어도 반사물질이 포함된 EMC, 반사물질이 포함된 화이트 실리콘, PSR(Photoimageable Solder Resist) 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.The insulating
또한, 더욱 구체적으로는, 예를 들어서, 상기 절연성 보호층(60)은, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등의 수지 등이 적용될 수 있다.More specifically, for example, the insulating
또한, 이들 수지 중에, 산화 티타늄, 이산화규소, 이산화티탄, 이산화지르코늄, 티타늄산 칼륨, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 멀라이트, 크롬, 화이트 계열이나 금속 계열의 성분 등 광 반사성 물질을 함유시킬 수 있다.It is also possible to add a light reflecting material such as titanium oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite, chromium, have.
그러므로, 상술된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 금속 재질의 기판(10)에 펀치 프레스(PP)로 컵홈부(11)를 형성하여 구조 및 공정을 크게 단순화함으로써 제품의 단가를 낮추고, 두께를 축소하며, 고출력이 가능하고, 내구성이 우수하며, 방열특성이나 광학특성을 크게 향상시킬 수 있다 Therefore, as described above, according to the present invention, the
한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 변형부(13)는, 상기 컵홈부(11)를 상기 펀치 프레스(PP)가 가압할 때, 상기 기판(10)의 타면(10-2)이 변형되어 돌출되게 형성될 수 있다.1, when the punch press PP presses the
한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 주변 지지부(70)는, 상기 컵홈부(11)를 상기 펀치 프레스(PP)가 가압할 때, 상기 기판(10)의 상기 변형부(13) 주변을 지지할 수 있도록 상기 변형부(13) 주변에 설치될 수 있다.1, the peripheral supporting
여기서, 상기 주변 지지부(70)는, 상기 기판(10)의 상기 변형부(13) 주변에 접착층(70-1)으로 접착되는 금속판일 수 있다.Here, the peripheral supporting
이러한 상기 접착층(70-1)은, 프리프레그(prepreg) 접착층일 수 있다. 이외에도, 상기 접착층(70-1)은 폴리에스테르 아미드 공중합체나 유리, 카본, 카본 섬유, 종이 등의 복합체나 폴리비닐 아세테이트, 폴리아마이드, 폴리카보네이트, 폴리아세탈, 폴리페닐렌 옥사이드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리알릴레이트, 폴리에스테르, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리에테르 이미드, 폴리술폰, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 에테르 케톤, 폴리에테르 케톤 케톤, 폴리아라미드, 폴리벤조이미다졸, 폴리에틸렌 폴리프로필렌, 폴리아마이드, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 부티레이트 등의 유기물 입자들을 포함할 수 있다.The adhesive layer 70-1 may be a prepreg adhesive layer. In addition, the adhesive layer 70-1 may be made of a polyester amide copolymer, a composite of glass, carbon, carbon fiber, paper or the like, a composite of polyvinyl acetate, polyamide, polycarbonate, polyacetal, polyphenylene sulfide , Polyarylate, polyester, polyamideimide, polyimide, polyether imide, polysulfone, polyether sulfone, polyether ether ketone, polyether ketone ketone, polyaramid, polybenzimidazole, polyethylene polypropylene, poly Amide, cellulose acetate, cellulose butyrate, and the like.
또한, 상기 주변 지지부(70)는, 펀치 프레스 가공 후, 상기 기판(10)의 상기 컵홈부(11)의 반대면에 돌출되는 상기 변형부(13)와 동일한 평면 상에 설치될 수 있다.The peripheral supporting
이를 위하여, 상기 주변 지지부(70)는, 상기 변형부(13)를 수용하는 변형부 대응 윈도우(W)가 형성될 수 있다.To this end, the
또한, 상기 변형부 대응 윈도우(W)는 상기 기판(10)의 규격이나 재질이나 가공 환경이나, 상기 컵홈부(11)의 형상이나 상기 펀치 프레스(PP)의 가압력이나 형상 등에 따라 달라질 수 있지만, 경험적으로 상기 기판(10)의 변형부 주변을 충분히 지지하기 위해서는, 상기 기판(10)의 타면으로부터 들어간 여유 부피가 상기 컵홈부(11)의 함몰 부피의 50 내지 80퍼센트일 수 있다.The deformed portion corresponding window W may vary depending on the size of the
또한, 상기 기판(10)의 두께가 두꺼우면 두꺼울 수록 상기 주변 지지부(70)의 높이가 높아지거나 상기 윈도우(W)의 폭이 넓어질 수 있다.In addition, the thicker the
따라서, 도 2 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제작 과정을 설명하면, 먼저, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)의 일면(10-1)에 전도성 재질의 배선층(20)을 설치할 수 있다.2 and FIG. 3, a manufacturing process of the light emitting
이 때, 상기 배선층(20)과 상기 기판(10) 사이에 설치된 열경화성 접착층(21)이 상기 배선층(20)과 상기 기판(10)을 서로 접착시키도록 상기 배선층(20)과 상기 기판(10)을 핫 프레스로 가압할 수 있다.At this time, a thermosetting
이어서, 이와 동시 또는 이후에, 상기 기판(10)의 타면(10-2)에 상기 기판(10)의 변형부 주변을 지지할 수 있도록 상기 기판(10)의 컵홈부(11) 주변과 대응되는 주변 지지부(70)를 설치할 수 있다.At the same time as or after this, the other surface (10-2) of the substrate (10) is matched with the periphery of the cup groove portion (11) of the substrate (10) so as to support the periphery of the deformed portion of the substrate The peripheral supporting
이 때, 상기 주변 지지부(70)와 상기 기판(10) 사이, 즉 상기 기판(10)의 상기 변형부(13)의 주변에 상기 접착층(70-1)이 상기 주변 지지부(70)과 상기 기판(10)을 서로 접착시키도록 상기 주변 지지부(70)와 상기 기판(10)을 핫 프레스로 가압할 수 있다.At this time, the adhesive layer 70-1 is formed between the peripheral supporting
이어서, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 주변 지지부(70)가 상기 기판(10)의 변형에 의한 변형부(13) 주변을 지지할 수 있도록 펀치 프레스(PP)를 이용하여 상기 기판(10)의 일면에 오목하게 컵형상의 컵홈부(11)를 형성하면서, 동시에 상기 컵홈부(11)의 내부에 상기 배선층(20)이 연장될 수 있도록 상기 기판(10) 및 상기 배선층(20)을 동시에 펀치 프레스(PP)로 가공할 수 있다.4 and 5, a punch press PP is used to support the
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 컵홈부(11) 내부의 상기 배선층(20)의 일부분에 반사층(40)을 도금 방식으로 설치할 수 있다.6, a
이어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 컵홈부(11) 내부의 상기 배선층(20)에 발광 소자(30)를 안착시켜서 범프나 솔더나 와이어 등을 이용하여 상기 배선층(20)과 상기 발광 소자(30)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.7, the
이어서, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(30)를 덮을 수 있도록 상기 컵홈부(11)에 충진물(50)을 충진시킬 수 있다.Next, as shown in FIG. 8, the
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 주변 지지부(70)은, 상기 기판(10)의 상기 컵홈부(11)에 대응하는 하나의 윈도우(W)를 갖는 것일 수 있다.3, the peripheral supporting
도 9는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200)를 나타내는 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting
도 9에 도시된 바와 같이, 상기 주변 지지부(70)는, 상기 변형부 대응 윈도우(W1)(W2)(W3)가 복수개로 형성될 수 있다. 이러한 복수개의 변형부 대응 윈도우(W1)(W2)(W3)를 갖는 상기 주변 지지부(70)는, 상기 기판(10)의 변형을 단계적으로 수용하여 상기 기판(10)의 충격을 완화시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 변형부 대응 윈도우(W1)(W2)(W3)의 설치 개수나 형태는 도 9에서는 3개의 각진 형태를 예시하였으나 이외에도 다양한 개수 및 형태로 형성될 수 있는 등 도면에 국한되지 않는다.As shown in FIG. 9, the peripheral supporting
도 10은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(400)를 나타내는 단면도이다.10 is a cross-sectional view illustrating a light emitting
도 10에 도시된 바와 같이, 상기 주변 지지부(70)는, 상술된 윈도우(W) 대신 상기 컵홈부(11)와 대응되는 위치에 오목홈부(70-2)가 형성될 수 있다. 이러한 상기 오목홈부(70)-2)의 형상은 둥글게 오목한 형상 이외에도, 단면 형상은 사각 형상이나, 삼각 형상이나, 다각 형상이나 볼록하게 둥근 형상 등 상기 기판(10)의 변형부 주변을 지지하기 위한 매우 다양한 형태로 형성될 수 있는 것으로서, 반드시 도면에 국한되지 않는다.10, the peripheral supporting
도 11 내지 도 13은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(400)의 제작 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.FIGS. 11 to 13 are cross-sectional views illustrating steps of fabricating a light emitting
도 11 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(400)는, 상기 컵홈부(11)의 테두리에 상기 펀치 프레스(PP)로 형성되고, 렌즈(80)의 가장자리와 접촉되도록 접촉 높이(H1)를 갖는 컵측벽부(90)를 더 포함할 수 있다.11 to 13, the light emitting
따라서, 도 11 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(400)의 제작 과정을 설명하면, 먼저, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)의 일면(10-1)에 전도성 재질의 배선층(20)을 설치하고, 상기 기판(10)의 타면(10-2)에 상기 기판(10)의 변형된 변형부 주변을 지지할 수 있도록 주변 지지부(70)를 설치할 수 있다.11 to 13, a manufacturing process of the light emitting
이어서, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 주변 지지부(70)가 상기 기판(10)의 변형된 변형부 주변을 지지할 수 있도록 펀치 프레스(PP)를 이용하여 상기 기판(10)의 일면에 오목하게 컵형상의 컵홈부(11)를 형성할 수 있다.12, a concave portion is formed on one surface of the
이 때, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 펀치 프레스(PP)는 상기 컵측벽부(90)와 대응되는 돌기부(PPa)가 형성되어 상기 컵홈부(11)의 테두리에 렌즈(80)의 가장자리와 접촉되도록 접촉 높이(H1)를 갖는 컵측벽부(90)가 형성될 수 있다.11, the punch press PP has a projection PPa corresponding to the
따라서, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(30)를 덮을 수 있도록 상기 렌즈 소재의 도포시, 상기 컵측벽부(90)의 높이(H1)로 인하여 상기 렌즈 소재가 상방으로 안내되어 상기 렌즈(80)의 두께가 두꺼워질 수 있고, 상기 렌즈 소재의 유동을 원활하게 유도하며, 상기 렌즈(80)의 보다 견고한 고정을 가능하게 할 수 있다.13, when the lens material is coated so as to cover the
도 14는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(500)를 나타내는 단면도이다.14 is a cross-sectional view illustrating a light emitting
도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(500)는 플립 칩 형태의 LED 대신 수평형(lateral) 칩 형태의 LED를 와이어(WR)로 서로 연결시키고, 상기 LED를 봉지재로 봉지할 수 있다. 이외에도 수직형 등 매우 다양한 형태의 LED가 적용될 수 있다.14, a light emitting
도 15는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제작 방법을 나타나는 순서도이다.15 is a flow chart showing a method of manufacturing a light emitting
도 1 내지 도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 제작 방법은, 먼저, 기판(10)의 일면(10-1)에 전도성 재질의 배선층(20)을 설치하는 단계(S1)와, 이어서, 상기 기판의(10) 타면(10-2)에 상기 기판(10)의 변형부(13) 주변을 지지하는 주변 지지부(70)를 설치하는 단계(S2)와, 이어서, 상기 주변 지지부(70)가 상기 기판(10)의 변형부(13)을 수용할 수 있도록 펀치 프레스(PP)를 이용하여 상기 기판(10)의 일면에 오목하게 컵형상의 컵홈부(11)를 형성하는 단계(S3)와, 이어서, 상기 컵홈부(11) 내부의 상기 배선층(20)의 일부분에 반사층(40)을 설치하는 단계(S4) 및 상기 컵홈부(11) 내부의 상기 배선층(20)에 발광 소자(30)를 안착시켜서 상기 배선층(20)과 상기 발광 소자(30)를 전기적으로 연결시키는 단계(S5)를 포함할 수 있다.1 to 15, a method of manufacturing a light emitting
여기서, 상기 기판(10)의 타면(10-2)에 상기 기판(10)의 컵홈부(11) 주변과 대응되는 주변 지지부(70)를 설치하는 단계(S2)는, 상기 기판(10)의 상기 변형부(13) 주변에 접착층(70-1)으로 금속판을 접착하여 이루어질 수 있다.The step S2 of installing the peripheral supporting
한편, 도시하지 않았지만, 본 발명은 상술된 발광 소자 패키지들을 포함하는 백라이트 유닛 및 조명 장치를 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛은 상기 발광 소자(30)의 광 경로에 설치되는 도광판을 더 포함할 수 있고, 상기 백라이트 유닛 및 상기 조명 장치의 구성 요소들은 상술된 본 발명의 발광 소자 패키지의 그것들과 구성과 역할이 동일할 수 있다. 따라서, 상세한 설명은 생략한다.On the other hand, although not shown, the present invention can include a backlight unit including the above-described light emitting device packages and a lighting device. Here, the backlight unit according to some embodiments of the present invention may further include a light guide plate installed in the optical path of the
이러한, 본 발명의 상기 백라이트 유닛은, LCD 패널 등 디스플레이 패널에 설치되어 디스플레이 패널 방향으로 빛을 투사하는 것으로서, 상기 도광판은 상기 발광 소자(30)에서 발생된 빛의 경로에 설치되어, 상기 발광 소자(30)에서 발생된 빛을 보다 넓은 면적으로 전달할 수 있다.The backlight unit of the present invention is installed in a display panel such as an LCD panel and projects light in the direction of the display panel. The light guide plate is installed in a path of light generated from the
또한, 상기 도광판은, 그 재질이 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등이 적용될 수 있고, 이외에도 각종 투광성 수지 계열을 재질이 적용될 수 있다. 또한, 상기 도광판은, 표면에 미세 패턴이나 미세 돌기나 확산막등을 형성하거나, 내부에 미세 기포를 형성하는 등 다양한 방법으로 이루어질 수 있다. 이외에도 도시하지 않았지만, 본 발명의 상기 백라이트 유닛은, 각종 렌즈나 확산 시트, 프리즘 시트, 필터 등이 추가로 설치될 수 있다.The light guide plate may be made of polycarbonate, polysulfone, polyacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, polynorbornene, polyester, or the like. A translucent resin-based material can be applied. Further, the light guide plate may be formed by various methods such as forming fine patterns, fine protrusions, diffusion films, or the like on the surface, or forming fine bubbles therein. Although not shown in the drawings, the backlight unit of the present invention may further include various lenses, diffusion sheets, prism sheets, filters, and the like.
이러한 본 발명의 일부 실시예들에 따른 백라이트 유닛은, 상기 발광 소자(30)가 상기 도광판의 하방에 설치되는 직하형 백라이트 유닛이거나, 상기 발광 소자가 상기 도광판의 측방에 설치되는 에지형 백라이트 유닛일 수 있다.The backlight unit according to some embodiments of the present invention may be a direct-type backlight unit in which the light-emitting
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
10: 기판
11: 컵홈부
11a: 경사면
12: 절연층
13: 변형부
20: 배선층
21: 열전도성 접착층
30: 발광 소자
40: 반사층
50: 충진물
60: 절연성 보호층
70: 주변 지지부
70-1: 접착층
70-2: 오목홈부
W, W1, W2, W3: 변형부 대응 윈도우
100: 발광 소자 패키지
PP: 펀치 프레스
PPa: 변형부
90: 컵측벽부
H1; 높이
100, 200, 300, 400, 500: 발광 소자 패키지10: substrate
11: cup groove
11a:
12: Insulation layer
13:
20: wiring layer
21: thermally conductive adhesive layer
30: Light emitting element
40: reflective layer
50: packing
60: Insulating protective layer
70: peripheral support
70-1: Adhesive layer
70-2: concave groove
W, W1, W2, W3: Window corresponding to the deformed part
100: Light emitting device package
PP: Punch press
PPa:
90: cup side wall portion
H1; Height
100, 200, 300, 400, 500: Light emitting device package
Claims (10)
적어도 하나의 발광 소자가 내부에 안착될 수 있도록 상기 기판의 일면에 펀치 프레스로 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부;
상기 발광 소자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 배선층;
상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 타면이 변형되어 돌출되게 형성되는 변형부;
상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 상기 변형부 주변을 지지할 수 있도록 상기 변형부 주변에 설치되는 주변 지지부;
상기 발광 소자의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부에 충진되는 충진물; 및
상기 컵홈부의 테두리에 상기 펀치 프레스로 형성되고, 상기 충진물의 가장자리와 접촉되도록 접촉 높이를 갖는 컵측벽부;를 포함하고,
상기 컵홈부와 상기 컵측벽부는 상기 펀치 프레스가 가압할 때 동시에 형성되고,
상기 컵측벽부의 접촉 높이로 인하여 상기 충진물이 상방으로 안내됨으로써 상기 컵홈부의 바닥부로부터 상기 충진물의 최상부까지의 높이가 증가되고,
상기 컵측벽부에 상기 충진물의 가장자리가 접촉함으로써 상기 충진물의 접촉면적이 증가되어 상기 충진물이 상기 기판에 고정되는, 발광 소자 패키지.Board;
A cup-shaped cup-shaped groove formed on one surface of the substrate so as to be recessed by a punch press so that at least one light-emitting element can be seated therein;
A wiring layer extending from one surface of the substrate to the inner surface of the cup-shaped portion so as to be electrically connected to the light-emitting element, the wiring layer including copper or an aluminum component;
A deformed portion formed on the other surface of the substrate so as to protrude when the punch press presses the cup portion;
A peripheral supporting portion provided around the deformed portion so as to support the periphery of the deformed portion of the substrate when the punch press presses the cup portion;
A filler disposed in a light path of the light emitting device and filled in the cup groove; And
And a cup side wall portion formed at the rim of the cup portion by the punch press and having a contact height to be in contact with an edge of the filling material,
Wherein the cup groove portion and the cup side wall portion are formed at the same time when the punch press is pressed,
The height of the filling material from the bottom of the cup space to the top of the filling material is increased by guiding the filling material upward due to the contact height of the cup side wall part,
The contact area of the filler is increased by the contact of the edge of the filler to the cup side wall portion, so that the filler is fixed to the substrate.
상기 주변 지지부는,
상기 기판의 상기 변형부 주변에 접착층으로 접착되는 금속판인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
The peripheral supporting portion
And a metal plate adhered as an adhesive layer around the deformed portion of the substrate.
상기 주변 지지부는, 상기 변형부를 수용할 수 있는 변형부 대응 윈도우가 형성되는 것인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the peripheral supporting portion is formed with a window corresponding to the deformable portion capable of accommodating the deformable portion.
상기 주변 지지부는, 상기 변형부 대응 윈도우가 복수개로 형성되는 것인, 발광 소자 패키지.The method of claim 3,
Wherein the peripheral supporting portion has a plurality of windows corresponding to the deformed portions.
상기 배선층은, 상기 컵홈부의 저면에서 분리되고,
상기 기판은, 알루미늄 또는 철 성분을 포함하는 금속 기판이고,
상기 기판과 상기 배선층 사이에 절연층이 설치되고,
상기 배선층과 상기 기판 사이에 핫 프레스에 의해 상기 배선층과 상기 기판을 서로 접착시키는 열경화성 접착층이 설치되고,
상기 컵홈부는 내부에 경사면이 형성되고,
상기 경사면에 설치된 상기 배선층의 상면에 설치되는 반사층;을 더 포함하고,
상기 반사층은, 적어도 은, 백금, 금, 수은, 크롬 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 성분을 포함하는 도금층이고,
상기 충진물은, 적어도 형광체, 투광성 봉지재, 렌즈층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것이고,
상기 충진물을 제외한 상기 기판 또는 배선층의 표면에 설치되는 절연성 보호층;을 더 포함하는, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
The wiring layer is separated from the bottom surface of the cup portion,
Wherein the substrate is a metal substrate comprising aluminum or an iron component,
An insulating layer is provided between the substrate and the wiring layer,
A thermosetting adhesive layer for bonding the wiring layer and the substrate to each other is provided between the wiring layer and the substrate by hot pressing,
Wherein the cup portion has an inclined surface formed therein,
And a reflective layer provided on an upper surface of the wiring layer provided on the inclined surface,
Wherein the reflective layer is a plating layer containing a component selected from at least one of silver, platinum, gold, mercury, chromium, and combinations thereof,
The filler is selected from at least one of a phosphor, a light-transmitting encapsulant, a lens layer, and a combination thereof.
And an insulating protective layer provided on a surface of the substrate or wiring layer excluding the filling material.
상기 기판의 일면에 펀치 프레스로 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부;
상기 컵홈부에 적어도 하나 안착되는 발광 소자;
상기 발광 소자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 배선층;
상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 타면이 변형되어 돌출되게 형성되는 변형부;
상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 상기 변형부 주변을 지지할 수 있도록 상기 변형부 주변에 설치되는 주변 지지부;
상기 발광 소자의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부에 충진되는 충진물;
상기 컵홈부의 테두리에 상기 펀치 프레스로 형성되고, 상기 충진물의 가장자리와 접촉되도록 접촉 높이를 갖는 컵측벽부; 및
상기 발광 소자의 광 경로에 설치되는 도광판;을 포함하고,
상기 컵홈부와 상기 컵측벽부는 상기 펀치 프레스가 가압할 때 동시에 형성되고,
상기 컵측벽부의 접촉 높이로 인하여 상기 충진물이 상방으로 안내됨으로써 상기 컵홈부의 바닥부로부터 상기 충진물의 최상부까지의 높이가 증가되고,
상기 컵측벽부에 상기 충진물의 가장자리가 접촉함으로써 상기 충진물의 접촉면적이 증가되어 상기 충진물이 상기 기판에 고정되는, 백라이트 유닛.Board;
A cup-shaped cup-shaped groove formed on one surface of the substrate by a punch press;
At least one light emitting element that is seated in the cup groove;
A wiring layer extending from one surface of the substrate to the inner surface of the cup-shaped portion so as to be electrically connected to the light-emitting element, the wiring layer including copper or an aluminum component;
A deformed portion formed on the other surface of the substrate so as to protrude when the punch press presses the cup portion;
A peripheral supporting portion provided around the deformed portion so as to support the periphery of the deformed portion of the substrate when the punch press presses the cup portion;
A filler disposed in a light path of the light emitting device and filled in the cup groove;
A cup side wall portion formed at the rim of the cup portion by the punch press and having a contact height to be in contact with an edge of the filling material; And
And a light guide plate installed in a light path of the light emitting device,
Wherein the cup groove portion and the cup side wall portion are formed at the same time when the punch press is pressed,
The height of the filling material from the bottom of the cup space to the top of the filling material is increased by guiding the filling material upward due to the contact height of the cup side wall part,
And the contact area of the filler is increased by the contact of the edge of the filler to the cup side wall portion, so that the filler is fixed to the substrate.
상기 기판의 일면에 펀치 프레스로 오목하게 형성되는 컵형상의 컵홈부;
상기 컵홈부에 적어도 하나 안착되는 발광 소자;
상기 발광 소자와 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 기판의 일면에서 상기 컵홈부의 내면까지 연장되고, 구리 또는 알루미늄 성분을 포함하는 배선층;
상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 타면이 변형되어 돌출되게 형성되는 변형부;
상기 컵홈부를 상기 펀치 프레스가 가압할 때, 상기 기판의 상기 변형부 주변을 지지할 수 있도록 상기 변형부 주변에 설치되는 주변 지지부;
상기 발광 소자의 빛의 경로에 배치되고, 상기 컵홈부에 충진되는 충진물; 및
상기 컵홈부의 테두리에 상기 펀치 프레스로 형성되고, 상기 충진물의 가장자리와 접촉되도록 접촉 높이를 갖는 컵측벽부;를 포함하고,
상기 컵홈부와 상기 컵측벽부는 상기 펀치 프레스가 가압할 때 동시에 형성되고,
상기 컵측벽부의 접촉 높이로 인하여 상기 충진물이 상방으로 안내됨으로써 상기 컵홈부의 바닥부로부터 상기 충진물의 최상부까지의 높이가 증가되고,
상기 컵측벽부에 상기 충진물의 가장자리가 접촉함으로써 상기 충진물의 접촉면적이 증가되어 상기 충진물이 상기 기판에 고정되는, 조명 장치.Board;
A cup-shaped cup-shaped groove formed on one surface of the substrate by a punch press;
At least one light emitting element that is seated in the cup groove;
A wiring layer extending from one surface of the substrate to the inner surface of the cup-shaped portion so as to be electrically connected to the light-emitting element, the wiring layer including copper or an aluminum component;
A deformed portion formed on the other surface of the substrate so as to protrude when the punch press presses the cup portion;
A peripheral supporting portion provided around the deformed portion so as to support the periphery of the deformed portion of the substrate when the punch press presses the cup portion;
A filler disposed in a light path of the light emitting device and filled in the cup groove; And
And a cup side wall portion formed at the rim of the cup portion by the punch press and having a contact height to be in contact with an edge of the filling material,
Wherein the cup groove portion and the cup side wall portion are formed at the same time when the punch press is pressed,
The height of the filling material from the bottom of the cup space to the top of the filling material is increased by guiding the filling material upward due to the contact height of the cup side wall part,
The contact area of the filler is increased by the contact of the edge of the filler to the cup side wall portion, thereby fixing the filler to the substrate.
상기 기판의 변형부 주변에 주변 지지부를 설치하는 단계;
상기 주변 지지부가 상기 기판의 변형부 주변을 지지할 수 있도록 펀치 프레스를 이용하여 상기 기판의 일면에 오목하게 컵형상의 컵홈부를 형성하는 단계;
상기 컵홈부 내부의 상기 배선층의 일부분에 반사층을 설치하는 단계;
상기 컵홈부 내부의 상기 배선층에 발광 소자를 안착시켜서 상기 배선층과 상기 발광 소자를 전기적으로 연결시키는 단계; 및
상기 컵홈부를 채우는 충진물을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 컵홈부를 형성하는 단계는, 상기 컵홈부의 테두리에 상기 펀치 프레스로 형성되고, 상기 충진물의 가장자리와 접촉되도록 접촉 높이를 갖는 컵측벽부를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 컵홈부와 상기 컵측벽부는 상기 펀치 프레스가 가압할 때 동시에 형성되고,
상기 컵측벽부의 접촉 높이로 인하여 상기 충진물이 상방으로 안내됨으로써 상기 컵홈부의 바닥부로부터 상기 충진물의 최상부까지의 높이가 증가되고,
상기 컵측벽부에 상기 충진물의 가장자리가 접촉함으로써 상기 충진물의 접촉면적이 증가되어 상기 충진물이 상기 기판에 고정되는, 발광 소자 패키지의 제작 방법.Providing a wiring layer of a conductive material on one surface of a substrate;
Providing a peripheral support around the deformation of the substrate;
Forming a cup-shaped cup portion concave on one surface of the substrate by using a punch press so that the peripheral supporting portion can support the periphery of the deformed portion of the substrate;
Providing a reflective layer on a portion of the wiring layer inside the cup groove portion;
Placing a light emitting element on the wiring layer inside the cup groove portion to electrically connect the wiring layer and the light emitting element; And
And forming a filling material filling the cup space,
The step of forming the cup portion includes forming a cup side wall portion formed by the punch press at an edge of the cup portion and having a contact height so as to be in contact with an edge of the filler,
Wherein the cup groove portion and the cup side wall portion are formed at the same time when the punch press is pressed,
The height of the filling material from the bottom of the cup space to the top of the filling material is increased by guiding the filling material upward due to the contact height of the cup side wall part,
Wherein a contact area of the filler is increased by contacting an edge of the filler to the cup side wall portion, thereby fixing the filler to the substrate.
상기 기판의 변형부 주변에 주변 지지부를 설치하는 단계는, 상기 기판의 상기 변형부 주변에 접착층으로 금속판을 접착하는 것인, 발광 소자 패키지의 제작 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the step of installing the peripheral supporting portion around the deformation portion of the substrate is to adhere a metal plate to the adhesive layer around the deformation portion of the substrate.
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Citations (1)
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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