KR102432217B1

KR102432217B1 - Light emitting device package and lighting apparatus

Info

Publication number: KR102432217B1
Application number: KR1020170147071A
Authority: KR
Inventors: 김원중; 송준오; 김기석; 임창만
Original assignee: 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2017-11-07
Filing date: 2017-11-07
Publication date: 2022-08-12
Also published as: KR20190051426A

Abstract

실시예는 발광소자 패키지 및 조명장치에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 제1 개구부를 포함하는 제1 프레임; 상기 제1 프레임과 이격되고, 제2 개구부를 포함하는 제2 프레임; 상기 제1 및 제2 프레임을 지지하는 몸체; 및 상기 제1 및 제2 프레임을 상에 배치되는 발광소자;를 포함하고, 상기 제1 및 제2 개구부는 상기 발광소자와 서로 중첩될 수 있다.
상기 발광소자는, 서로 반대측에 배치된 제1반사 구조 및 제2반사 구조와, 상기 제1반사 구조와 상기 제2반사 구조 사이에 배치된 발광 구조물 및 상기 제1반사 구조와 상기 제2반사 구조 중 적어도 하나의 외측에 배치된 적어도 하나의 패드를 포함할 수 있다.The embodiment relates to a light emitting device package and a lighting device.
A light emitting device package according to an embodiment includes a first frame including a first opening; a second frame spaced apart from the first frame and including a second opening; a body supporting the first and second frames; and a light emitting device disposed on the first and second frames, wherein the first and second openings may overlap the light emitting device.
The light emitting device includes a first reflective structure and a second reflective structure disposed on opposite sides of each other, a light emitting structure disposed between the first reflective structure and the second reflective structure, and the first reflective structure and the second reflective structure It may include at least one pad disposed on the outside of at least one of the.

Description

Light emitting device package and lighting device including the same

실시예는 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광소자, 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a semiconductor device, and more particularly, to a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting device including the same.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.A semiconductor device containing a compound such as GaN or AlGaN has many advantages, such as having a wide and easily adjustable band gap energy, and thus can be used in various ways as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.

특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials have developed red, green, and It has the advantage of being able to implement light of various wavelength bands, such as blue and ultraviolet. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-5 or Group II-6 compound semiconductor material may be implemented as a white light source with good efficiency by using a fluorescent material or combining colors. These light emitting devices have advantages of low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light receiving device such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material, a photocurrent is generated by absorbing light in various wavelength ranges through the development of the device material. This makes it possible to use light of various wavelength ranges from gamma rays to radio wavelength ranges. In addition, such a light receiving element has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness, and easy adjustment of element materials, and thus can be easily used in power control or ultra-high frequency circuits or communication modules.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device can replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp or an incandescent light bulb that replaces a cold cathode fluorescence lamp (CCFL) constituting a transmission module of an optical communication means and a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device. The application is expanding to white light emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, the application of the semiconductor device may be extended to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.A light emitting device (Light Emitting Device) may be provided as a p-n junction diode having a property of converting electrical energy into light energy by using, for example, a group 3-5 element or a group 2-6 element on the periodic table, Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are receiving great attention in the field of developing optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, a blue light emitting device, a green light emitting device, an ultraviolet (UV) light emitting device, and a red light emitting device using a nitride semiconductor have been commercialized and widely used.

예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, it is a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm. can be used

자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be divided into three types in the order of the longest wavelength: UV-A (315nm~400nm), UV-B (280nm~315nm), and UV-C (200nm~280nm). The UV-A (315nm~400nm) area is applied in various fields such as industrial UV curing, printing ink curing, exposure machine, counterfeit detection, photocatalytic sterilization, special lighting (aquarium/agricultural use, etc.), and UV-B (280nm~315nm) ) area is used for medical purposes, and the UV-C (200nm~280nm) area is applied to air purification, water purification, and sterilization products.

종래기술에서는 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있으나 적절한 해결방안이 미비한 상태이다. In the prior art, as a semiconductor device capable of providing a high output is requested, research on a semiconductor device capable of increasing the output by applying a high power is being conducted, but an appropriate solution is insufficient.

한편, 종래기술에서는 휴대폰, 조명장치 등에서 고 출력이면서 초 박형 CSP(Chip Scale Package)의 수요가 요구되고 있는데, 발광소자 자체를 초 박형으로 제공하는데 기술적 어려움이 있다.On the other hand, in the prior art, there is a demand for a high output and ultra-thin CSP (Chip Scale Package) in mobile phones and lighting devices, and there is a technical difficulty in providing the light emitting device itself in an ultra-thin shape.

또한 종래기술에 의하면, 발광소자 패키지의 전극 구조에서 초 박형으로 제작하는데 기술적 어려움이 있다.In addition, according to the prior art, there is a technical difficulty in producing an ultra-thin electrode structure of a light emitting device package.

또한, 발광소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. In addition, in the light emitting device package, research is being conducted on a method for improving the light extraction efficiency of the semiconductor device and improving the luminous intensity at the package end.

또한, 발광소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in the light emitting device package, research on a method for improving the bonding force between the package electrode and the semiconductor device is being conducted.

또한, 발광소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in the light emitting device package, research is being conducted on a method for reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield by improving process efficiency and changing the structure.

실시예는 고 출력을 제공할 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공하고자 한다.Embodiments are to provide a light emitting device package capable of providing high output, a method of manufacturing the light emitting device package, and a light source device.

또한 실시예는 고 출력이면서 초 박형 CSP(Chip Scale Package)에 효과적으로 대응할 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공하고자 한다.In addition, the embodiment intends to provide a light emitting device package, a light emitting device package manufacturing method, and a light source device capable of effectively responding to a high output and ultra-thin chip scale package (CSP).

또한 실시예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a light emitting device package, a light emitting device package manufacturing method, and a light source device capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics.

또한 실시예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공하고자 한다.Further, embodiments are intended to provide a light emitting device package, a light emitting device package manufacturing method, and a light source device capable of improving process efficiency and suggesting a new package structure to reduce manufacturing cost and improve manufacturing yield.

또한 실시예는 발광소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 발광소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment provides a light emitting device package and a light emitting device package manufacturing method that can prevent a re-melting phenomenon from occurring in the bonding region of the light emitting device package in the process of re-bonding the light emitting device package to a substrate. do.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 제1 개구부(TH1)를 포함하는 제1 프레임(111); 상기 제1 프레임(111)과 이격되고, 제2 개구부(TH2)를 포함하는 제2 프레임(112); 상기 제1 및 제2 프레임(112)을 지지하는 몸체(113); 및 상기 제1 및 제2 프레임(112)을 상에 배치되는 발광소자(10);를 포함하고, 상기 제1 및 제2 개구부는 상기 발광소자와 서로 중첩될 수 있다. A light emitting device package according to the embodiment includes a first frame 111 including a first opening TH1; a second frame 112 spaced apart from the first frame 111 and including a second opening TH2; a body 113 supporting the first and second frames 112; and a light emitting device 10 disposed on the first and second frames 112 , wherein the first and second openings may overlap the light emitting device.

상기 발광소자(10)는, 서로 반대측에 배치된 제1반사 구조(31) 및 제2반사 구조(41)와, 상기 제1반사 구조(31)와 상기 제2반사 구조(41) 사이에 배치된 발광 구조물(21) 및 상기 제1반사 구조(31)와 상기 제2반사 구조(41) 중 적어도 하나의 외측에 배치된 적어도 하나의 패드를 포함할 수 있다.The light emitting device 10 is disposed between a first reflective structure 31 and a second reflective structure 41 disposed on opposite sides of each other, and the first reflective structure 31 and the second reflective structure 41 . light emitting structure 21 and at least one pad disposed outside at least one of the first reflective structure 31 and the second reflective structure 41 .

실시예에 따른 조명장치는 상기 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device according to the embodiment may include the light emitting device package.

실시예는 고 출력의 구현이 가능한 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a light emitting device package capable of realizing high output, a method of manufacturing the light emitting device package, and a light source device.

또한 실시예는 고 출력이면서 초 박형 CSP(Chip Scale Package)에 효과적으로 대응할 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment may provide a light emitting device package, a light emitting device package manufacturing method, and a light source device capable of effectively responding to a high output and ultra-thin chip scale package (CSP).

또한 실시예에 의하면, 금속간 화합물의 원료물질이 미세(fine)한 상태에서 공정이 진행됨에 따라 균일한 금속간 화합물을 얻을 수 있어 저전류 등의 신뢰성이 개선될 수 있다. In addition, according to the embodiment, as the process proceeds in a state in which the raw material of the intermetallic compound is fine, a uniform intermetallic compound can be obtained, so that reliability such as low current can be improved.

또한 실시예에 의하면, 금속간 화합물의 원료물질이 미세(fine)한 상태에서 열처리 공정이 진행됨에 따라 종래보다 낮은 온도에서도 금속간 화합물이 형성됨에 따라 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.In addition, according to the embodiment, as the heat treatment process proceeds in a state in which the raw material of the intermetallic compound is fine, the intermetallic compound is formed even at a lower temperature than in the prior art, thereby further improving reliability.

또한 실시예에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the embodiment, there is an advantage of improving light extraction efficiency, electrical characteristics, and reliability.

또한 실시예에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the embodiment, there is an advantage of improving process efficiency and suggesting a new package structure to reduce the manufacturing cost and improve the manufacturing yield.

또한 실시예는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 발광소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.In addition, by providing a body having a high reflectance, the embodiment can prevent the reflector from discoloration, thereby improving the reliability of the light emitting device package.

또한 실시예에 의하면, 발광소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 발광소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the embodiment, there is an advantage in that it is possible to prevent a re-melting phenomenon from occurring in the bonding region of the light emitting device package in the process of re-bonding the light emitting device package to a substrate or the like.

도 1은 도 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 4 내지 도 6a는 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하는 도면.
도 6b는 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.도 7은 실시예에 따른 복수의 발광소자 패키지가 몸체 상에 배치된 반도체 모듈의 사시도.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the embodiment of FIG.
4 to 6A are views for explaining a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment.
6B is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment. FIG. 7 is a perspective view of a semiconductor module in which a plurality of light emitting device packages according to the embodiment are disposed on a body.

이하 상기의 과제를 해결하기 위한 구체적으로 실현할 수 있는 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments that can be specifically realized for solving the above problems will be described with reference to the accompanying drawings.

실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment, in the case where it is described as being formed in "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (on or under) is It includes both elements in which two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are disposed between the two elements indirectly. In addition, when expressed as "up (up) or down (on or under)", it may include the meaning of not only an upward direction but also a downward direction based on one element.

반도체 소자는 발광소자, 수광 소자 등 각종 전자 소자 포함할 수 있으며, 발광소자와 수광소자는 모두 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 반도체 소자는 발광소자일 수 있다. 발광소자는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드갭에 의해서 결정된다. 따라서, 방출되는 빛은 상기 물질의 조성에 따라 다를 수 있다.The semiconductor device may include various electronic devices such as a light emitting device and a light receiving device, and both the light emitting device and the light receiving device may include a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer. The semiconductor device according to the present embodiment may be a light emitting device. The light emitting device emits light by recombination of electrons and holes, and the wavelength of this light is determined by the material's inherent energy bandgap. Accordingly, the emitted light may vary depending on the composition of the material.

(실시예)(Example)

도 1은 도 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package 100 according to the embodiment of FIG.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 패키지 몸체(110)와 발광소자(10)를 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)와, 제1 프레임(111) 및 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a light emitting device package 100 according to an embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 10 . The package body 110 may include a body 113 , a first frame 111 and a second frame 112 .

예를 들어, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 제1 개구부(TH1)를 포함하는 제1 프레임(111)과, 상기 제1 프레임(111)과 이격되고, 제2 개구부(TH2)를 포함하는 제2 프레임(112)과, 상기 제1 및 제2 프레임(112)을 지지하는 몸체(113) 및 상기 제1 및 제2 프레임(112)을 상에 배치되는 발광소자(10)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 발광소자(10)와 서로 중첩될 수 있다. 상기 발광소자(10)는 서로 반대측에 배치된 제1반사 구조(31) 및 제2반사 구조(41)와, 상기 제1반사 구조(31)와 상기 제2반사 구조(41) 사이에 배치된 발광 구조물(21) 및 상기 제1반사 구조(31)와 상기 제2반사 구조(41) 중 적어도 하나의 외측에 배치된 적어도 하나의 패드를 포함할 수 있다. For example, the light emitting device package 100 according to the embodiment includes a first frame 111 including a first opening TH1, spaced apart from the first frame 111, and a second opening TH2. a second frame 112 including a body 113 supporting the first and second frames 112 and a light emitting device 10 disposed on the first and second frames 112 can do. The first and second openings TH1 and TH2 may overlap the light emitting device 10 . The light emitting device 10 includes a first reflective structure 31 and a second reflective structure 41 disposed on opposite sides of each other, and disposed between the first reflective structure 31 and the second reflective structure 41 . It may include a light emitting structure 21 and at least one pad disposed outside at least one of the first reflective structure 31 and the second reflective structure 41 .

이하 도 1을 중심으로 실시예에 따른 발광소자 패키지의 특징을 설명하되, 필요시 도 2 내지 도 6a도 함께 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the characteristics of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 1, but if necessary, it will be described with reference to FIGS. 2 to 6A as well.

<패키지 몸체(몸체, 제1 프레임, 제2 프레임)><Package body (body, first frame, second frame)>

실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110)를 포함할 수 있고, 상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)와, 제1 프레임(111) 및 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다.The light emitting device package 100 according to the embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2 , may include a package body 110 , wherein the package body 110 includes a body 113 and a first frame. It may include a 111 and a second frame 112 .

도 2를 참조하면, 상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The package body 110 may include a body 113 . The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The body 113 may function as a kind of electrode separation line. The body 113 may be referred to as an insulating member.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111 . Also, the body 113 may be disposed on the second frame 112 .

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by the inclined surface of the body 113 .

실시예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있으나, 소정의 캐비티를 포함한 구조로 제공될 수도 있다.According to an embodiment, the package body 110 may be provided with a flat top surface without a cavity, or may be provided with a structure including a predetermined cavity.

예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al₂O₃) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO₂와 SiO₂와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide9T), silicone, epoxy molding compound (EMC), At least one selected from a group including a silicon molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), and sapphire (Al ₂ O ₃ ) may be formed. Also, the body 113 may include a high refractive filler such as TiO ₂ and SiO ₂ .

다음으로, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(10)에 전기적으로 연결될 수 있다.Next, the first frame 111 and the second frame 112 may be provided as conductive frames. The first frame 111 and the second frame 112 may stably provide structural strength of the package body 110 and may be electrically connected to the light emitting device 10 .

한편, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first opening TH1 and a second opening TH2 as shown in FIGS. 1 and 2 . For example, the first frame 111 may include the first opening TH1 . The second frame 112 may include the second opening TH2 .

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in the first frame 111 . The first opening TH1 may be provided through the first frame 111 . The first opening TH1 may be provided through the upper and lower surfaces of the first frame 111 in the first direction.

상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be provided in the second frame 112 . The second opening TH2 may be provided through the second frame 112 . The second opening TH2 may be provided through the upper and lower surfaces of the second frame 112 in the first direction.

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(10)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be disposed to be spaced apart from each other under the lower surface of the light emitting device 10 .

상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 인접하여 배치된 상부 영역 및 상기 제1 프레임(111)의 하면에 인접하여 배치된 하부 영역을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역 둘레는 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역 둘레보다 작게 제공될 수 있다.The first opening TH1 may include an upper region disposed adjacent to an upper surface of the first frame 111 and a lower region disposed adjacent to a lower surface of the first frame 111 . For example, the circumference of the upper area of the first opening TH1 may be smaller than the circumference of the lower area of the first opening TH1 .

상기 제1 개구부(TH1)는 제1 방향의 둘레가 제일 작은 제1 지점을 포함하고, 상기 제1 지점은 상기 제1 방향과 수직한 방향을 기준으로 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역 보다 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역에 더 가깝게 배치될 수 있다.The first opening TH1 includes a first point having the smallest circumference in the first direction, and the first point is larger than a lower area of the first opening TH1 in a direction perpendicular to the first direction. It may be disposed closer to the upper region of the first opening TH1.

또한, 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 인접하여 배치된 상부 영역 및 상기 제2 프레임(112)의 하면에 인접하여 배치된 하부 영역을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역 둘레는 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역 둘레보다 작게 제공될 수 있다.Also, the second opening TH2 may include an upper region disposed adjacent to a top surface of the second frame 112 and a lower region disposed adjacent to a lower surface of the second frame 112 . For example, the circumference of the upper area of the second opening TH2 may be smaller than the circumference of the lower area of the second opening TH2 .

상기 제2 개구부(TH2)는 제1 방향의 둘레가 제일 작은 제1 지점을 포함하고, 상기 제1 지점은 상기 제1 방향과 수직한 방향을 기준으로 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역 보다 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역에 더 가깝게 배치될 수 있다.The second opening TH2 includes a first point having the smallest circumference in the first direction, and the first point is larger than a lower area of the second opening TH2 in a direction perpendicular to the first direction. It may be disposed closer to an upper region of the second opening TH2 .

도 2에 도시된 발광소자 패키지는, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 형성하는 공정에서, 상기 제1 및 제2 리드 프레임(111, 112)의 상면 방향과 하면 방향에서 식각이 각각 수행된 경우를 나타낸 것이다.In the light emitting device package shown in FIG. 2 , in the process of forming the first and second openings TH1 and TH2, etching is performed in the upper surface direction and the lower surface direction of the first and second lead frames 111 and 112. Each case is shown.

상기 제1 및 제2 리드 프레임(111, 112)의 상면 방향과 하면 방향에서 각각 식각이 진행됨에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 형상이 일종의 눈사람 형상으로 제공될 수 있다.As etching proceeds in the upper and lower directions of the first and second lead frames 111 and 112, respectively, the shapes of the first and second openings TH1 and TH2 may be provided as a kind of snowman shape. .

상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 하부 영역에서 중간 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 증가되다가 다시 감소될 수 있다. 또한, 폭이 감소된 중간 영역에서 다시 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 증가되다가 다시 감소될 수 있다.The widths of the first and second openings TH1 and TH2 may gradually increase from the lower region to the middle region and then decrease again. In addition, the width may be gradually increased and then decreased again as the width is decreased from the middle region to the upper region again.

앞에서 설명된 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 제1 지점은 눈사람 형상에서 개구부의 크기가 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 작아졌다가 다시 커지는 경계 영역을 지칭할 수 있다.The first point of the first and second openings TH1 and TH2 described above may refer to a boundary region in which the size of the opening decreases from the lower region to the upper region in the snowman shape and then increases again.

상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 각각의 상면에 배치된 제1 영역, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 각각의 하면에 배치된 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역의 상면의 폭은 상기 제2 영역의 하면의 폭 보다 작게 제공될 수 있다.The first and second openings TH1 and TH2 are a first area disposed on an upper surface of each of the first and second frames 111 and 112 , and a lower surface of each of the first and second frames 111 and 112 . It may include a second region disposed on the . A width of an upper surface of the first region may be smaller than a width of a lower surface of the second region.

또한, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)은 지지부재와 상기 지지부재를 감싸는 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)을 포함할 수 있다. In addition, the first and second frames 111 and 112 may include a support member and first and second metal layers 111a and 112a surrounding the support member.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 형성하는 식각 공정이 완료된 후, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 구성하는 상기 지지부재에 대한 도금 공정 등을 통하여 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 구성하는 지지부재의 표면에 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)이 형성될 수 있다. According to the embodiment, after the etching process for forming the first and second openings TH1 and TH2 is completed, a plating process for the support members constituting the first and second frames 111 and 112 is performed. The first and second metal layers 111a and 112a may be formed therethrough. Accordingly, the first and second metal layers 111a and 112a may be formed on the surfaces of the support members constituting the first and second frames 111 and 112 .

상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)은 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 상면 및 하면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 접하는 경계 영역에 제공될 수도 있다.The first and second metal layers 111a and 112a may be provided on upper and lower surfaces of the first and second frames 111 and 112 . Also, the first and second metal layers 111a and 112a may be provided in boundary regions in contact with the first and second openings TH1 and TH2.

한편, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 접하는 경계 영역에 제공된 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공되는 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 결합되어 제1 및 제2 합금층(111b, 112b)으로 형성될 수 있다. On the other hand, the first and second metal layers 111a and 112a provided in boundary regions in contact with the first and second openings TH1 and TH2 are provided in the first and second openings TH1 and TH2. and the second conductive layers 321 and 322 may be combined to form first and second alloy layers 111b and 112b.

예로서, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)은 기본 지지부재로서 Cu층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)은 Ni층, Ag층 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the first and second frames 111 and 112 may be provided with a Cu layer as a basic support member. In addition, the first and second metal layers 111a and 112a may include at least one of a Ni layer, an Ag layer, and the like.

상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)이 Ni층을 포함하는 경우, Ni층은 열 팽창에 대한 변화가 작으므로, 패키지 몸체가 열 팽창에 의하여 그 크기 또는 배치 위치가 변화되는 경우에도, 상기 Ni층에 의하여 상부에 배치된 발광소자의 위치가 안정적으로 고정될 수 있게 된다. 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)이 Ag층을 포함하는 경우, Ag층은 상부에 배치된 발광소자에서 발광되는 빛을 효율적으로 반사시키고 광도를 향상시킬 수 있다.When the first and second metal layers 111a and 112a include a Ni layer, since the Ni layer has a small change in thermal expansion, even when the size or arrangement position of the package body is changed by thermal expansion, The position of the light emitting device disposed thereon can be stably fixed by the Ni layer. When the first and second metal layers 111a and 112a include an Ag layer, the Ag layer may efficiently reflect light emitted from the light emitting device disposed thereon and improve luminous intensity.

한편, 앞서 배경기술에서 언급한 바와 같이, 종래기술에서는 휴대폰, 조명장치 등에서 고 출력이면서 초 박형 CSP(Chip Scale Package)의 수요가 요구되고 있는데, 발광소자 자체를 초 박형으로 제공하는데 기술적 어려움이 있으며, 또한 종래기술에 의하면, 발광소자 패키지의 전극 구조에서 초 박형으로 제작하는데 기술적 어려움이 있다.On the other hand, as mentioned in the background art, in the prior art, there is a demand for a high output and ultra-thin CSP (Chip Scale Package) in mobile phones, lighting devices, etc., but there are technical difficulties in providing the light emitting device itself in an ultra-thin shape. In addition, according to the prior art, there is a technical difficulty in manufacturing the electrode structure of the light emitting device package to be ultra-thin.

이에 따라 실시예의 기술적 과제 중의 하나는 고 출력이면서 초 박형 CSP(Chip Scale Package)에 효과적으로 대응할 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공하고자 함이다.Accordingly, one of the technical problems of the embodiment is to provide a light emitting device package, a light emitting device package manufacturing method, and a light source device that can effectively respond to a high output and ultra-thin CSP (Chip Scale Package).

잠시 도 6a를 참조하여 실시예에서 제1 및 제 2 도전층(321, 322)이 형성되는 과정 또는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 상기 제1 및 제2 프레임(211, 112) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성되는 공정을 설명하기로 한다.Briefly referring to FIG. 6A in the embodiment, in the process of forming the first and second conductive layers 321 and 322 or in the heat treatment process after the first and second conductive layers 321 and 322 are provided, the first and A process in which an intermetallic compound (IMC) layer is formed between the second conductive layers 321 and 322 and the first and second frames 211 and 112 will be described.

예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 이루는 물질과 상기 제1 및 제2 프레임(211, 112)의 제1 및 제2 금속층(211a, 112a) 간의 결합에 의해 제1 및 제2 합금층(211b, 112b)이 형성될 수 있다.For example, the first and second conductive layers 321 and 322 are formed by bonding between the first and second metal layers 211a and 112a of the first and second frames 211 and 112 and and second alloy layers 211b and 112b may be formed.

이에 따라, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제1 프레임(211)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 제1 도전층(321), 상기 제1 합금층(211b), 상기 제1 프레임(211)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다.Accordingly, the first conductive layer 321 and the first frame 211 may be physically and electrically stably coupled. The first conductive layer 321 , the first alloy layer 211b , and the first frame 211 may be physically and electrically stably coupled to each other.

또한, 상기 제2 도전층(322)과 상기 제2 프레임(212)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 제2 도전층(322), 상기 제2 합금층(212b), 상기 제2 프레임(212)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다.In addition, the second conductive layer 322 and the second frame 212 may be physically and electrically stably coupled. The second conductive layer 322 , the second alloy layer 212b , and the second frame 212 may be physically and electrically stably coupled to each other.

예로서, 상기 제1 및 제2 합금층(211b, 112b)은 AgSn, CuSn, AuSn 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 제1 및 제2 금속층(211a, 112a) 또는 상기 제1 및 제2 프레임(211, 112)의 지지부재로부터 제공될 수 있다.For example, the first and second alloy layers 211b and 112b may include at least one intermetallic compound layer selected from the group consisting of AgSn, CuSn, AuSn, and the like. The intermetallic compound layer may be formed by combining a first material and a second material, the first material may be provided from the first and second conductive layers 321 and 322 , and the second material may be the first material. and the second metal layers 211a and 112a or the support members of the first and second frames 211 and 112 .

상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 Sn 물질을 포함하고 상기 제1 및 제2 금속층(211a, 112a)이 Ag 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Ag 물질의 결합에 의하여 AgSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 include a Sn material and the first and second metal layers 211a and 112a include an Ag material, the first and second conductive layers 321 and 321 include an Ag material. 322) may be provided or an intermetallic compound layer of AgSn may be formed by combining the Sn material and the Ag material in the heat treatment process after the provision.

또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 Sn 물질을 포함하고 상기 제1 및 제2 금속층(211a, 112a)이 Au 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Au 물질의 결합에 의하여 AuSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 include a Sn material and the first and second metal layers 211a and 112a include an Au material, the first and second conductive layers ( 321 and 322) may be provided or an intermetallic compound layer of AuSn may be formed by combining the Sn material and the Au material in the heat treatment process after being provided.

또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 Sn 물질을 포함하고 상기 제1 및 제2 프레임(211, 112)의 지지부재가 Cu 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Cu 물질의 결합에 의하여 CuSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 include a Sn material and the support members of the first and second frames 211 and 112 include a Cu material, the first and second conductive layers 321 and 322 include a Cu material. An intermetallic compound layer of CuSn may be formed by combining the Sn material and the Cu material in a process in which the conductive layers 321 and 322 are provided or in a heat treatment process after the provision.

또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 Ag 물질을 포함하고 상기 제1 및 제2 금속층(211a, 111b) 또는 상기 제1 및 제2 프레임(211, 112)의 지지부재가 Sn 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Ag 물질과 Sn 물질의 결합에 의하여 AgSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.In addition, the first and second conductive layers 321 and 322 include Ag material, and the support members of the first and second metal layers 211a and 111b or the first and second frames 211 and 112 are formed of Ag material. When the Sn material is included, the AgSn intermetallic compound layer may be formed by combining the Ag material and the Sn material in a process in which the first and second conductive layers 321 and 322 are provided or in a heat treatment process after being provided.

이상에서 설명된 금속간 화합물층은 일반적인 본딩 물질에 비해 더 높은 용융점을 가질 수 있다. 또한, 상기 금속한 화합물층이 형성되는 열처리 공정은 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 낮은 온도에서 수행될 수 있다.The intermetallic compound layer described above may have a higher melting point than a general bonding material. In addition, the heat treatment process in which the metal compound layer is formed may be performed at a lower temperature than the melting point of a general bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main board or the like through a reflow process, a re-melting phenomenon does not occur, so that electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. There are advantages.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, there is no need to expose the package body to high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body from being damaged or discolored by exposure to high temperature.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection of materials constituting the body 113 can be widened. According to an embodiment, the body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic, but also a relatively inexpensive resin material.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 includes at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. can do.

한편, 앞서 언급한 바와 같이, 실시예의 기술적 과제 중의 하나는 고 출력이면서 초 박형 CSP(Chip Scale Package)에 효과적으로 대응할 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공하고자 함인데, On the other hand, as mentioned above, one of the technical tasks of the embodiment is to provide a light emitting device package, a light emitting device package manufacturing method, and a light source device that can effectively respond to a high output and ultra-thin CSP (Chip Scale Package),

이건 발명을 적용함에 있어서, 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 금속간 화합물(Intermetallic compound)를 형성함에 있어서, 제1 개구부(TH1) 또는 제2 개구부(TH2)는 소정 이상의 홀 사이즈를 확보해야 하는 발전적 기술적 문제를 발견하게 되었다.In applying the present invention, in forming the intermetallic compound of the first and second conductive layers 321 and 322 , the first opening TH1 or the second opening TH2 has a hole size greater than or equal to a predetermined hole size. A developmental technical problem has been discovered that must secure the

예를 들어, Ag 페이스트(paste), Cu 페이스트, Sn 페이스트 등의 전도성 물질로 인젝션(Injection) 금속간 화합물을 형성하기 위해서, 제1 개구부(TH1) 또는 제2 개구부(TH2)는 적어도 수백 ㎛ 이상의 직경이 필요함을 연구를 통해 알게 되었다.For example, in order to form an injection intermetallic compound with a conductive material such as Ag paste, Cu paste, Sn paste, etc., the first opening TH1 or the second opening TH2 is at least several hundred μm or more. It was found through research that a diameter was required.

예를 들어, 전도성 물질로 인젝션(Injection) 금속간 화합물을 형성하기 위해서, 제1 개구부(TH1) 또는 제2 개구부(TH2)는 적어도 250 ㎛ 이상의 직경이 필요하다는 것이 현재 기술적 수준의 한계이고, 이에 따라 초 박형 CSP(Chip Scale Package)에 효과적으로 대응할 수 있는 발광소자 패키지를 제공하기 어려운 점을 발견하게 되었다.For example, in order to form an injection intermetallic compound with a conductive material, it is a limitation of the current technical level that the first opening TH1 or the second opening TH2 needs to have a diameter of at least 250 μm, and thus Accordingly, it has been found that it is difficult to provide a light emitting device package that can effectively respond to an ultra-thin chip scale package (CSP).

즉, 금속간 화합물이 형성되는 개구부의 직경은 금속간 화합물의 원료물질(서로 뭉쳐진 사이즈 기준)의 약 5 배 이상의 직경이 확보되어야 금속간 화합물이 정상적으로 형성됨을 알게 되었다. 종래기술에서는 금속간 화합물의 원료물질이 혼합된 상태에서 소정의 플럭스(flux)로 캡핑 후 열처리를 진행함에 따라 금속간 화합물의 원료물질의 사이즈가 상대적으로 비대하고, 이에 따라 개구부의 직경은 적어도 250 ㎛ 이상의 직경이 필요하다는 것을 알게 되었다. 실시예에서 채용하는 플럭스는 계면활성제, 글리세롤, 폴리에틸렌글리콜, 에틸렌옥사이드 중합체 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 금속간 화합물을 형성하기 위한 열처리 공정에서 휘발될 수 있다.That is, it was found that the diameter of the opening in which the intermetallic compound is formed must be about 5 times larger than the diameter of the raw material of the intermetallic compound (based on the aggregated size) for the intermetallic compound to be formed normally. In the prior art, as the raw material of the intermetallic compound is capped with a predetermined flux in a mixed state and heat treatment is performed, the size of the raw material of the intermetallic compound is relatively enlarged, and accordingly, the diameter of the opening is at least 250 It has been found that a diameter greater than or equal to [mu]m is required. The flux employed in the embodiment may be a surfactant, glycerol, polyethylene glycol, ethylene oxide polymer, etc., but is not limited thereto, and may be volatilized in a heat treatment process for forming an intermetallic compound.

이에 이건 발명의 발명자들은 이러한 발전적 기술적 과제를 해결하기 위해, 금속간 화합물을 형성하기 위한 원료물질 들이 혼합된 상태가 아닌, 개별 원료물질 상태에서 소정의 플럭스로 캡핑하여 인젝션(Injection) 또는 디스펜싱(Dispensing) 할 수 있다. 예를 들어, 솔더 볼에서 채용되는 인젝션(Injection) 또는 디스펜싱(Dispensing) 장비를 이용하여 개별 원료물질 상태에서 소정의 플럭스로 캡핑하여 인젝션(Injection) 또는 디스펜싱(Dispensing)하게 되면 솔더 볼 사이즈(Solder ball Size)에 의하여 프레임의 개구부 사이즈도 정할 수 있기 때문에, 현재 기술에 비해 현저히 작은 사이즈의 개구부에서도 안정적인 금속간 화합물을 형성이 가능할 수 있다.Therefore, the inventors of the present invention, in order to solve these developmental technical problems, capped with a predetermined flux in the state of individual raw materials, not in the state in which the raw materials for forming the intermetallic compound are mixed, and inject or dispensing (injection or dispensing) Dispensing) can be done. For example, when injection or dispensing is performed by capping with a predetermined flux in the state of individual raw materials using injection or dispensing equipment employed in solder balls, the solder ball size ( Since the size of the opening of the frame can also be determined by the solder ball size), it is possible to form a stable intermetallic compound even in an opening having a size significantly smaller than that of the current technology.

이에 따라 실시예에 의하면, 고 출력이면서 초 박형 CSP(Chip Scale Package)에 효과적으로 대응할 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Accordingly, according to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package, a light emitting device package manufacturing method, and a light source device capable of effectively responding to a high output and ultra-thin chip scale package (CSP).

예를 들어, 실시예에 의하면 프레임의 개구부의 직경이 100㎛ 이하 사이즈의 구현도 가능하며, 예를 들어 약 50 ㎛ 내지 약 100㎛ 사이즈 구현이 가능하며, 이에 따라 고 출력이면서 초 박형 CSP(Chip Scale Package)에 효과적으로 대응할 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.For example, according to the embodiment, it is also possible to implement a size of 100 μm or less of the diameter of the opening of the frame, for example, about 50 μm to about 100 μm size is possible, and accordingly, high output and ultra-thin CSP (Chip) It is possible to provide a light emitting device package, a light emitting device package manufacturing method, and a light source device that can effectively respond to scale package).

한편, 실시예에서 상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은 예로서 100 마이크로 미터 내지 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다. Meanwhile, in the embodiment, the width W3 between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface area of the first frame 111 and the second frame 112 is several hundred micrometers. can be provided. The width W3 between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface area of the first frame 111 and the second frame 112 is, for example, 100 micrometers to 150 micrometers. can be provided as

상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 패드 간의 전기적인 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.The width W3 between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface of the first frame 111 and the second frame 112 is the light emitting device package ( When 100) is later mounted on a circuit board, a sub-mount, or the like, it may be selected to be provided over a certain distance in order to prevent an electrical short between the pads from occurring.

다시 도 2와 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 리세스(R)를 포함할 수 있으며, 상기 리세스(R)에 제1 수지층(130)을 포함할 수 있다. Referring back to FIGS. 2 and 3 , the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a recess R, and may include the first resin layer 130 in the recess R. have.

상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(10) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(10)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recess R may be provided in the body 113 . The recess R may be provided between the first opening TH1 and the second opening TH2 . The recess R may be provided to be concave in the direction from the upper surface to the lower surface of the body 113 . The recess R may be disposed under the light emitting device 10 . The recess R may be provided to overlap the light emitting device 10 in the first direction.

다음으로, 도 3과 같이, 상기 제1 수지층(130)은 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지층(130)은 상기 발광소자(10)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지층(130)은 상기 발광소자(10)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지층(130)은 상기 발광소자(10)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1 수지층(130)은 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지층(130)은 상기 발광소자(10)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.Next, as shown in FIG. 3 , the first resin layer 130 may be disposed in the recess (R). The first resin layer 130 may be disposed between the light emitting device 10 and the body 113 . The first resin layer 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 10 and the package body 110 . The first resin layer 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 10 and the body 113 . The first resin layer 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113 , for example. In addition, the first resin layer 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 10 .

예로서, 상기 제1 수지층(130)은 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1 수지층(130)이 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the first resin layer 130 includes at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. can do. Also, for example, when the first resin layer 130 includes a reflective function, the adhesive may include white silicone.

상기 제1 수지층(130)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(10) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(10)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(10)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(10)로부터 상기 발광소자(10)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1 수지층(130)은 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지층(130)은 상기 발광소자(10)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1 수지층(130)이 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1 수지층(130)은 TiO₂, SiO₂ 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.The first resin layer 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 10 , and when light is emitted to the lower surface of the light emitting device 10 , the light emitting device 10 . ) and the body 113 may provide a light diffusion function. When light is emitted from the light emitting device 10 to the lower surface of the light emitting device 10, the first resin layer 130 provides a light diffusion function to improve the light extraction efficiency of the light emitting device package 100. can Also, the first resin layer 130 may reflect the light emitted from the light emitting device 10 . When the first resin layer 130 includes a reflective function, the first resin layer 130 may be made of a material including TiO ₂ , SiO ₂ , and the like.

도 2를 참조하면, 실시예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)에 비해 작게 제공될 수 있다. Referring to FIG. 2 , according to the embodiment, the depth T1 of the recess R is greater than the depth T2 of the first opening TH1 or the depth T2 of the second opening TH2. can be provided in small amounts.

상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 제1 수지층(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(10)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙(crack)이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the first resin layer 130 . In addition, the recess (R) depth (T1) is a crack (crack) in the light emitting device package 100 by the heat emitted from the light emitting device 10 and/or considering the stable strength of the body 113 and/or ) can be determined not to occur.

상기 리세스(R)는 상기 발광소자(10) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 언더필(Under fill) 공정은 발광소자(10)를 패키지 몸체(110)에 실장한 후 상기 제1 수지층(130)을 상기 발광소자(10) 하부에 배치하는 공정일 수 있고, 상기 발광소자(10)를 패키지 몸체(110)에 실장하는 공정에서 상기 제1 수지층(130)을 통해 실장하기 위해 상기 제1 수지층(130)을 상기 리세스(R)에 배치 후 상기 발광소자(10)를 배치하는 공정일 수 있다.The recess R may provide an appropriate space under the light emitting device 10 in which a kind of underfill process may be performed. Here, the underfill process may be a process of mounting the light emitting device 10 on the package body 110 and then disposing the first resin layer 130 under the light emitting device 10 , In the process of mounting the light emitting device 10 on the package body 110 , the first resin layer 130 is disposed in the recess R in order to be mounted through the first resin layer 130 , and then the light emitting device It may be a process of arranging (10).

상기 리세스(R)는 상기 발광소자(10)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 제1 수지층(130)이 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may be provided at a first depth or more so that the first resin layer 130 may be sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 10 and the upper surface of the body 113 . In addition, the recess (R) may be provided to a second depth or less in order to provide a stable strength of the body (113).

상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 제1 수지층(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(10) 사이에 배치되는 상기 제1 수지층(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth T1 and the width W4 of the recess R may affect the formation position and fixing force of the first resin layer 130 . The depth T1 and the width W4 of the recess R are such that sufficient fixing force is provided by the first resin layer 130 disposed between the body 113 and the light emitting device 10 . can be decided.

예로서, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. For example, the depth T1 of the recess R may be several tens of micrometers. A depth T1 of the recess R may be 40 micrometers to 60 micrometers.

또한, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 발광소자(10)의 장축 방향으로 제공될 수 있다.In addition, the width W4 of the recess R may be provided in a range of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. Here, the width W4 of the recess R may be provided in the long axis direction of the light emitting device 10 .

상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 상기 제1 프레임(111)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 상기 제1 프레임(111)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. A depth T2 of the first opening TH1 may be provided to correspond to a thickness of the first frame 111 . A depth T2 of the first opening TH1 may be provided to have a thickness capable of maintaining a stable strength of the first frame 111 .

상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 제2 프레임(112)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 제2 프레임(112)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.A depth T2 of the second opening TH2 may be provided to correspond to a thickness of the second frame 112 . A depth T2 of the second opening TH2 may be provided to have a thickness capable of maintaining a stable strength of the second frame 112 .

상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 및 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 및 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.A depth T2 of the first opening TH1 and a depth T2 of the second opening TH2 may be provided to correspond to the thickness of the body 113 . A depth T2 of the first opening TH1 and a depth T2 of the second opening TH2 may be provided to have a thickness capable of maintaining a stable strength of the body 113 .

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the depth T2 of the first opening TH1 may be several hundreds of micrometers. A depth T2 of the first opening TH1 may be 180 micrometers to 220 micrometers. For example, the depth T2 of the first opening TH1 may be 200 micrometers.

예로서, 상기 (T2-T1)의 두께는 적어도 100 마이크로 미터 이상으로 선택될 수 있다. 이는 상기 몸체(113)의 크랙 프리(crack free)를 제공할 수 있는 사출 공정 두께가 고려된 것이다. For example, the thickness of (T2-T1) may be selected to be at least 100 micrometers or more. This is in consideration of the thickness of the injection process that can provide crack-free (crack-free) of the body (113).

실시예에 의하면, T1 두께와 T2 두께의 비(T2/T1)는 2 내지 10으로 제공될 수 있다. 예로서, T2의 두께가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, T1의 두께는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the ratio (T2/T1) of the thickness T1 to the thickness T2 may be 2 to 10. For example, when the thickness of T2 is provided as 200 micrometers, the thickness of T1 may be provided as 20 micrometers to 100 micrometers.

다음으로, 도 4와 같이, 발광소자(10)가 패키지 몸체(110) 상에 배치될 수 있다. 도 5a는 실시예에서 발광소자(10)의 사시도이며, 도 5b는 발광소자(10)와 확대도이다.Next, as shown in FIG. 4 , the light emitting device 10 may be disposed on the package body 110 . 5A is a perspective view of the light emitting device 10 in the embodiment, and FIG. 5B is an enlarged view of the light emitting device 10 .

이하 도 5a와 도 5b를 중심으로 실시예에서 발광소자(10)를 설명하기로 한다.Hereinafter, the light emitting device 10 in the embodiment will be described with reference to FIGS. 5A and 5B .

도 5a 내지 도 5b를 참조하면, 발광소자(10)는 발광 구조물(21), 상기 발광 구조물(21)의 서로 반대측에 배치된 제1 및 제2반사 구조(31,41)를 포함할 수 있다. 5A to 5B , the light emitting device 10 may include a light emitting structure 21 and first and second reflective structures 31 and 41 disposed on opposite sides of the light emitting structure 21 . .

이에 따라, 상기 제1 반사 구조(31)와 상기 제2 반사구조(41)은 마주보도록 배치될 수 있다. 상기 제1반사 구조(31)와 상기 발광 구조물(21) 사이에 기판(11)이 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(21)은 상기 기판(11)과 상기 제2반사 구조(41) 사이에 배치될 수 있다.Accordingly, the first reflective structure 31 and the second reflective structure 41 may be disposed to face each other. A substrate 11 may be disposed between the first reflective structure 31 and the light emitting structure 21 . The light emitting structure 21 may be disposed between the substrate 11 and the second reflective structure 41 .

상기 발광소자(10)는 측면 방향으로 광을 방출할 수 있다. 상기 기판(11) 및 상기 발광 구조물(21)의 측면은 상기 제1 및 제2반사 구조(31,41) 사이의 외 측면으로서, Y축 방향과 Z축 방향으로 광이 출사되는 면일 수 있다.The light emitting device 10 may emit light in a lateral direction. A side surface of the substrate 11 and the light emitting structure 21 is an outer side between the first and second reflective structures 31 and 41 , and may be a surface through which light is emitted in the Y-axis direction and the Z-axis direction.

상기 기판(11)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al₂O₃), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga₂O₃ 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(11)은 금속 또는 비 금속 재질의 기판일 수 있다.The substrate 11 may use a light-transmitting, insulating, or conductive substrate, for example, sapphire (Al ₂ O ₃ ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga ₂ O ₃ At least one is available. The substrate 11 may be a metal or non-metal substrate.

도 5b를 참조하면, 상기 발광 구조물(21)은 제1도전형 반도체층, 활성층(A1) 및 제2도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층, 활성층(A1) 및 제2도전형 반도체층은 상기 기판(11)과 제2반사 구조(41) 사이에 적층될 수 있다.Referring to FIG. 5B , the light emitting structure 21 may include a first conductive semiconductor layer, an active layer A1 and a second conductive semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer, the active layer A1 and the second conductive semiconductor layer may be stacked between the substrate 11 and the second reflective structure 41 .

상기 발광 구조물(21)은, II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(21)은 II족 및 VI족 원소의 화합물 반도체 또는 III족 및 V족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층 및 상기 제2도전형 반도체층은 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체를 이용한 반도체층 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP 중 적어도 한 층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층은 n형 반도체층을 포함하며, 상기 제2도전형 반도체층은 p형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 활성층은 자외선, 가시광선 및 적외선 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. 상기 활성층은 예컨대, 청색, 녹색, 적색 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 구조물(21)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. The light emitting structure 21 may be formed using a compound semiconductor of a group II to group VI element. The light emitting structure 21 may be formed using a compound semiconductor of group II and group VI element or a compound semiconductor of group III and group V element. The first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer are, for example, semiconductor layers using a group III-V group element compound semiconductor, for example, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP. , GaAs, GaAsP, AlGaInP, may be formed of at least one layer or multiple layers of GaP. The first conductivity-type semiconductor layer may include an n-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer may include a p-type semiconductor layer. The active layer may emit at least one of ultraviolet light, visible light, and infrared light. The active layer may include, for example, at least one of blue, green, and red, but is not limited thereto. The light emitting structure 21 may be implemented as any one of an N-P junction structure, a P-N junction structure, an N-P-N junction structure, and a P-N-P junction structure.

상기 발광소자(10)는 패드(51,61)를 포함하며, 상기 패드(51,61)는 제1 및 제2반사 구조(31,41) 중 적어도 하나의 외측에 적어도 하나가 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 패드(51,61)는 제1도전형 반도체층에 연결된 제1패드(51), 및 상기 제2도전형 반도체층에 연결된 제2패드(61)를 포함할 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층은 기판(11)에 인접하거나 접촉되어 배치될 수 있고, 상기 제2도전형 반도체층은 제2반사 구조(341)에 인접하거나 접촉되어 배치될 수 있다. The light emitting device 10 may include pads 51 and 61 , and at least one of the pads 51 and 61 may be disposed outside at least one of the first and second reflective structures 31 and 41 . . For example, the pads 51 and 61 may include a first pad 51 connected to the first conductivity type semiconductor layer and a second pad 61 connected to the second conductivity type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer may be disposed adjacent to or in contact with the substrate 11 , and the second conductive semiconductor layer may be disposed adjacent to or in contact with the second reflective structure 341 .

상기 제1패드(51)와 상기 제1도전형 반도체층 사이에는 상기 제1반사 구조(31)를 관통하는 비아 구조 또는 홀 구조를 갖고 연결되는 하나 또는 복수의 연결 전극이 배치될 수 있으며, 상기 제2패드(61)와 상기 제2도전형 반도체층 사이에는 상기 제2반사 구조(41)를 관통하는 비아 구조 또는 홀 구조를 갖고 연결되는 하나 또는 복수의 연결 전극이 배치될 수 있다. One or a plurality of connection electrodes may be disposed between the first pad 51 and the first conductivity type semiconductor layer and connected to each other having a via structure or a hole structure penetrating the first reflective structure 31 . One or a plurality of connection electrodes may be disposed between the second pad 61 and the second conductive semiconductor layer having a via structure or a hole structure penetrating through the second reflective structure 41 and connected thereto.

예를 들어, 도 5b와 같이, 상기 제1패드(51)는 상기 제1반사 구조(31)와 상기 기판(11)을 관통하여 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 비아 구조(51b)를 포함할 수 있으며, 상기 제1 비아구조(51b)는 복수로 형성될 수 있다. For example, as shown in FIG. 5B , the first pad 51 penetrates through the first reflective structure 31 and the substrate 11 and has a first via structure electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer ( 51b), and the first via structure 51b may be formed in plurality.

또한 상기 제2패드(61)는 상기 제2반사 구조(21)를 관통하여 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 비아 구조(61b)를 포함할 수 있으며, 상기 제2 비아구조(61b)는 복수로 형성될 수 있다.In addition, the second pad 61 may include a second via structure 61b passing through the second reflective structure 21 to be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer, and the second via structure ( 61b) may be formed in plurality.

상기 제1 비아구조(51b)와 상기 제2 비아구조(61b)는 전도성 물질, 예컨대, Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 등 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The first via structure 51b and the second via structure 61b may be formed of a conductive material, for example, Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag. , Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO using one or more materials or alloys It may be formed in a single layer or in multiple layers.

또한 실시예에 의하면, 상기 제2 비아구조(61b)와 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 오믹층을 추가로 구비할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, according to an embodiment, an ohmic layer may be additionally provided between the second via structure 61b and the second conductivity type semiconductor layer, but is not limited thereto.

또한, 실시예에서 발광 구조물(21)과 패드 간의 전기적 연결관계는 상기 비아홀 구조에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 메사에칭에 의해 제1 도전형 반도체층이 일부 노출되고, 노출된 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제3 패드(미도시), 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제3 패드(미도시)를 포함하는 전기적 연결관계도 가능할 수 있다.In addition, in the embodiment, the electrical connection relationship between the light emitting structure 21 and the pad is not limited to the via hole structure. For example, the first conductivity-type semiconductor layer is partially exposed by mesa etching, and a third pad (not shown) electrically connected to the exposed first conductivity-type semiconductor layer and electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer. An electrical connection relationship including a connected third pad (not shown) may also be possible.

상기 패드는 상기 발광소자(10)의 바닥 방향에 배치될 수 있다. 상기 패드의 바닥은 상기 발광소자(10)의 바닥 면과 같은 평면에 배치될 수 있다.The pad may be disposed in a bottom direction of the light emitting device 10 . The bottom of the pad may be disposed on the same plane as the bottom surface of the light emitting device 10 .

상기 발광 구조물(21)과 상기 제2반사 구조(41) 사이에는 투광성 전극층 또는/및 반사성 전극층이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(11)과 상기 제1반사 구조(31) 사이에는 투광성 재질 또는 반사성 재질의 물질이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A transmissive electrode layer and/or a reflective electrode layer may be disposed between the light emitting structure 21 and the second reflective structure 41 , but the present disclosure is not limited thereto. A transmissive material or a reflective material may be disposed between the substrate 11 and the first reflective structure 31 , but is not limited thereto.

상기 발광소자(10)에서 제1방향은 Y축 방향의 길이이며, 제2방향은 X축 방향의 두께이며, 제3방향은 Z축 방향의 길이일 수 있다. 상기 Y축 방향은 X축 방향과 Z축 방향과 직교하는 방향일 수 있다. 상기 Y축 방향의 길이는 X축 방향의 길이보다 크며, 상기 Z축 방향의 길이는 Y축 방향의 길이와 같거나 보다 클 수 있다. 상기 발광소자(10)의 두께는 1mm 미만일 수 있어, 박막형 소자를 제공할 수 있다.In the light emitting device 10 , a first direction may be a length in a Y-axis direction, a second direction may be a thickness in an X-axis direction, and a third direction may be a length in the Z-axis direction. The Y-axis direction may be a direction perpendicular to the X-axis direction and the Z-axis direction. The length in the Y-axis direction may be greater than the length in the X-axis direction, and the length in the Z-axis direction may be equal to or greater than the length in the Y-axis direction. The thickness of the light emitting device 10 may be less than 1 mm, thereby providing a thin film device.

상기 발광소자(10)는 바닥측 제4측면(S4)의 반대측 제1측면(S1), 서로 반대측 제2 및 제3측면(S2,S3)과, 도 2와 같이 서로 반대측 제5 및 제6측면(S5,S6)이 배치될 수 있다. 상기 제1,4,5,6측면(S1,S4,S5,S6)은 상기 제1 및 제2반사 구조(31,41) 사이의 외측 방향이거나 Y축 방향과 Z축 방향으로 노출될 수 있다. The light emitting device 10 has a first side S1 opposite to the bottom side fourth side S4, second and third sides S2 and S3 opposite to each other, and fifth and sixth sides opposite to each other as shown in FIG. 2 . Sides S5 and S6 may be disposed. The first, 4, 5, and 6 side surfaces S1, S4, S5, and S6 may be exposed in the outward direction between the first and second reflective structures 31 and 41 or in the Y-axis direction and the Z-axis direction. .

상기 발광 구조물(21) 및 상기 기판(11)은 제2 및 제3측면(S2,S3) 방향으로는 제1,2반사 구조(31,41)에 의해 차단되며, 제1,4,5,6측면(S1,S4,S5,S6)이 노출될 수 있다. 상기 제4측면(S4)은 상기 발광소자(10)의 바닥 면으로서, 회로 기판(도 7의 81)과 대면하는 면일 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(10)는 회로 기판(도 7의 81) 상에 배치될 때, 적어도 3면 예컨대, 제1,5,6 측면(S1,S5,S6)을 통해 광이 방출될 수 있다.The light emitting structure 21 and the substrate 11 are blocked by the first and second reflective structures 31 and 41 in the second and third side (S2, S3) directions, Six side surfaces S1, S4, S5, and S6 may be exposed. The fourth side S4 is a bottom surface of the light emitting device 10 , and may be a surface facing the circuit board ( 81 in FIG. 7 ). Accordingly, when the light emitting device 10 is disposed on the circuit board 81 in FIG. 7 , light may be emitted through at least three surfaces, for example, the first, fifth, and sixth side surfaces S1 , S5 and S6 . .

상기 제1패드(51)는 상기 제1반사 구조(31)의 외측 제2측면(S2)에 배치되며, 상기 제2패드(61)는 상기 제2반사 구조(41)의 외측 제3측면(S3)에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2패드(51,61)는 상기 발광소자(10)의 서로 반대측 제2 및 제3측면(S2,S3)에 배치되고, 서로 대응되거나 서로 어긋난 위치에 배치될 수 있다. The first pad 51 is disposed on the outer second side S2 of the first reflective structure 31 , and the second pad 61 is disposed on the third outer side S2 of the second reflective structure 41 . S3) may be disposed. The first and second pads 51 and 61 may be disposed on the second and third sides S2 and S3 opposite to each other of the light emitting device 10 , and may be disposed at positions corresponding to each other or displaced from each other.

한편, 상기 제1 및 제2패드(51,61)는 발광소자(10)의 Z축 방향의 중심 위치에 배치되거나, 제1패드(51)는 상기 제1반사 구조(31) 상에 복수로 배치되어 서로 분리되거나 암(arm) 패턴으로 서로 연결되거나, 상기 제2패드(61)는 상기 제2반사 구조(41) 상에 복수로 배치되거나 서로 분리되거나 암 패턴으로 서로 연결될 수도 있다. 상기 제1 및 제2패드(51,61)는 금속 예컨대, Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 등 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. Meanwhile, the first and second pads 51 and 61 are disposed at a central position in the Z-axis direction of the light emitting device 10 , or a plurality of first pads 51 are disposed on the first reflective structure 31 . The second pads 61 may be disposed and separated from each other or connected to each other in an arm pattern, or a plurality of the second pads 61 may be disposed on the second reflective structure 41 , separated from each other, or connected to each other in an arm pattern. The first and second pads 51 and 61 may be formed of a metal, for example, Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf. , Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO may be formed as a single layer or multiple layers using one or more materials or alloys. have.

도 5b와 같이, 상기 제1반사 구조(31)는 서로 다른 굴절률을 갖는 제1층(32)과 제2층(33)이 교대로 배치된 DBR(distributed Bragg reflection) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층(32)은 SiO₂, Si₃N₄, Al₂O₃, TiO₂,Ta₂O₅ 중에서 어느 하나이며, 상기 제2층(33)은 상기 제1층(32) 이외의 물질 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 제1층(32) 및 제2층(33)의 페어는 5페어 이상 예컨대, 5페어 내지 50페어일 수 있으며, 예컨대 TiO₂와 SiO₂ 또는 Ta₂O₅와 SiO₂로 제공될 수 있다. 상기 제1층(32)이 SiO₂인 경우 50nm 이상일 수 있으며, 상기 제2층(33)이 TiO₂인 경우 30nm 이상일 수 있다. 5B, the first reflective structure 31 may be formed of a distributed Bragg reflection (DBR) structure in which a first layer 32 and a second layer 33 having different refractive indices are alternately disposed, The first layer 32 is SiO ₂ , Si ₃ N ₄ , Al ₂ O ₃ , TiO ₂ ,Any one of Ta ₂ O ₅ , and the second layer 33 may be formed of any material other than the first layer 32 . The pair of the first layer 32 and the second layer 33 may be 5 or more pairs, for example, 5 to 50 pairs, and may be provided of, for example, TiO ₂ and SiO ₂ or Ta ₂ O ₅ and SiO ₂ . . When the first layer 32 is SiO ₂ , it may be 50 nm or more, and when the second layer 33 is TiO ₂ , it may be 30 nm or more.

도 5b와 같이, 상기 제2반사 구조(41)는 서로 다른 굴절률을 갖는 제3층(42)과 제4층(43)이 교대로 배치된 DBR(distributed Bragg reflection) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제3층(42)은 SiO₂, Si₃N₄, Al₂O₃, TiO₂ 중에서 어느 하나이며, 상기 제4층(43)은 상기 제3층(42) 이외의 물질 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 제3층(42) 및 제4층(43)의 페어는 5페어 이상 예컨대, 5페어 내지 50페어일 수 있다. 상기 제3층(42)이 SiO₂인 경우 50nm 이상일 수 있으며, 상기 제4층(43)이 TiO₂인 경우 30nm 이상일 수 있다. 5B, the second reflective structure 41 may be formed of a distributed Bragg reflection (DBR) structure in which a third layer 42 and a fourth layer 43 having different refractive indices are alternately disposed, The third layer 42 is any one of SiO ₂ , Si ₃ N ₄ , Al ₂ O ₃ , and TiO ₂ , and the fourth layer 43 is formed of any material other than the third layer 42 . can be A pair of the third layer 42 and the fourth layer 43 may be 5 or more pairs, for example, 5 to 50 pairs. When the third layer 42 is SiO ₂ , it may have a thickness of 50 nm or more, and when the fourth layer 43 is TiO ₂ , it may have a thickness of 30 nm or more.

상기 제1 및 제2 반사 구조(31,41) 중 적어도 하나는 ODR(Omni-directional reflection)일 수 있다. 상기 ODR 구조는 예컨대, SiO₂/ITO/Ag의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 반사 구조(31,41) 중 적어도 하나는 DBR과 ODR를 갖는 복합 반사 구조일 수 있으며, 상기 복합 반사 구조는 SiO₂/TiO₂의 다층 페어 구조와 ITO/Ag 구조를 포함할 수 있다.At least one of the first and second reflective structures 31 and 41 may be omni-directional reflection (ODR). The ODR structure may include, for example, a stacked structure of SiO ₂ /ITO/Ag. At least one of the first and second reflective structures 31 and 41 may be a complex reflective structure having DBR and ODR, and the complex reflective structure includes a multilayer pair structure of SiO ₂ /TiO ₂ and an ITO/Ag structure. can do.

상기 제1 및 제2 반사 구조(31,41)는 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1반사 구조(31)의 제2측면(S2)의 면적은 상기 발광 구조물(21)의 상면 또는 하면의 면적이나, 상기 기판(11)의 상면 또는 하면의 면적과 같을 수 있다. 상기 제1반사 구조(31)의 제2측면(S2)의 면적은 상기 제2반사 구조(41)의 제3측면(S3)의 면적은 같을 수 있다. 이러한 제1 및 제2 반사 구조(31,41)가 동일한 면적으로 배치되므로, 상기 발광 구조물(21)로부터 X축 방향으로 방출된 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 상기 제1,2반사 구조(31,41)에 의해 반사된 광들은 발광소자(10)의 측 방향으로 방출될 수 있다. The first and second reflective structures 31 and 41 may be disposed parallel to each other. The area of the second side surface S2 of the first reflective structure 31 may be the same as the area of the upper surface or the lower surface of the light emitting structure 21 or the area of the upper surface or the lower surface of the substrate 11 . The area of the second side surface S2 of the first reflective structure 31 may be the same as the area of the third side surface S3 of the second reflection structure 41 . Since the first and second reflective structures 31 and 41 are disposed in the same area, light emitted from the light emitting structure 21 in the X-axis direction may be effectively reflected. Lights reflected by the first and second reflective structures 31 and 41 may be emitted in a lateral direction of the light emitting device 10 .

실시 예는 발광 구조물의 서로 반대측에 반사 구조를 배치하여, 측 방향으로의 광을 방출시키는 효과가 있다. The embodiment has an effect of emitting light in a lateral direction by disposing a reflective structure on opposite sides of the light emitting structure.

실시 예는 측 방향으로 광을 방출하는 발광소자(10)를 이용하여 사이드 뷰 타입의 소자로 제공할 수 있다. The embodiment may provide a side view type device by using the light emitting device 10 that emits light in a lateral direction.

도 5c를 참조하면, 발광소자 패키지(10A)는 상기 발광소자(10)와 그 표면에 배치된 형광체층(71)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(71)은 상기 발광소자(10)의 바닥인 제4측면(S4)을 제외한 표면에 형성될 수 있다. 상기 형광체층(71)은 상기 제1반사 구조(31)의 표면, 상기 제2반사 구조(41)의 표면, 상기 기판(11) 및 발광 구조물(21)의 측면에 배치되어, 입사되는 광의 파장을 변환할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(10A)의 두께는 1.2mm 이하 예컨대, 0.8mm 내지 1.2mm범위일 수 있어, 박막형 패키지를 제공할 수 있다. 이러한 패키지의 두께를 박형으로 제공함으로써, 핸드폰이나 다른 휴대용 제품에 적용되어, 사이즈를 줄여줄 수 있다.Referring to FIG. 5C , the light emitting device package 10A may include the light emitting device 10 and a phosphor layer 71 disposed on the surface thereof. The phosphor layer 71 may be formed on a surface of the light emitting device 10 , excluding the fourth side S4 , which is the bottom. The phosphor layer 71 is disposed on the surface of the first reflective structure 31 , the surface of the second reflective structure 41 , and side surfaces of the substrate 11 and the light emitting structure 21 , and the wavelength of the incident light can be converted The thickness of the light emitting device package 10A may be 1.2 mm or less, for example, 0.8 mm to 1.2 mm, to provide a thin film package. By providing such a package with a thin thickness, it can be applied to a mobile phone or other portable products, thereby reducing the size.

상기 형광체층(71)은 상기 제1패드(51) 및 제2패드(61)의 외측에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(71)은 상기 발광소자(10)의 바닥을 제외한 영역에 배치되므로, 상기 제1 및 제2패드(51,61)의 바닥은 노출될 수 있다.The phosphor layer 71 may be disposed outside the first pad 51 and the second pad 61 . Since the phosphor layer 71 is disposed in an area except for the bottom of the light emitting device 10 , the bottom of the first and second pads 51 and 61 may be exposed.

상기 형광체층(71)은 투광성 수지 재료 내에 첨가된 형광체를 포함할 수 있다. 상기 투광성 수지 재료는 실리콘 또는 에폭시와 같은 물질을 포함하며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 한 종류 또는 서로 다른 종류의 형광체를 포함할 수 있다.The phosphor layer 71 may include a phosphor added to a light-transmitting resin material. The light-transmitting resin material may include a material such as silicone or epoxy, and the phosphor may be selectively formed from among YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride-based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, or different kinds of phosphors.

상기 형광체층(71)은 서로 다른 형광체층을 포함할 수 있으며, 상기 서로 다른 형광체층은 제1층이 적색, 황색, 녹색 형광체층 어느 한 형광체층이고, 제2층이 상기 제1층 위에 형성되며 상기 제1층과 다른 형광체층으로 형성될 수 있다. The phosphor layer 71 may include different phosphor layers. In the different phosphor layers, a first layer is any one of red, yellow, and green phosphor layers, and a second layer is formed on the first layer. and may be formed of a phosphor layer different from that of the first layer.

상기 형광체층(71) 내에는 고 굴절 재질의 비드(bead)와 같은 확산제를 포함할 수 있다. A diffusing agent such as a bead of a high refractive material may be included in the phosphor layer 71 .

실시예는 발광 구조물 및 반사 구조의 표면에 형광체층을 배치하여, 측 방향으로 파장 변환된 광을 방출시켜 줄 수 있는 효과가 있다. In the embodiment, a phosphor layer is disposed on the surface of the light emitting structure and the reflective structure, thereby emitting the wavelength-converted light in the lateral direction.

<제1 도전층, 제2 도전층, 제1 및 제2 합금층><First conductive layer, second conductive layer, first and second alloy layer>

다음으로, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 및 도 6a에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.Next, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322 as shown in FIGS. 1 and 6A . The first conductive layer 321 may be disposed to be spaced apart from the second conductive layer 322 .

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 하면은 하부에서 상부 방향으로 오목한 형상으로 배치될 수 있다.The first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1 . The second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2 . The second conductive layer 322 may be disposed to be surrounded by the second frame 112 . A lower surface of the second conductive layer 322 may be disposed in a concave shape from the bottom to the top.

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of securing a conductive function may be used as the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 .

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, or the like, and may be configured as a multi-layer made of different materials or a multi-layer or a single layer made of an alloy. For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include a Sn-Ag-Cu (SAC) material.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제 2 도전층(321, 322)이 형성되는 과정 또는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성될 수 있다.According to an embodiment, in a process in which the first and second conductive layers 321 and 322 are formed or in a heat treatment process after the first and second conductive layers 321 and 322 are provided, the first and second conductive layers An intermetallic compound (IMC) layer may be formed between the layers 321 and 322 and the first and second frames 111 and 112 .

예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 이루는 물질과 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 제1 및 제2 금속층(111a, 112a) 간의 결합에 의해 제1 및 제2 합금층(111b, 112b)이 형성될 수 있다.For example, by coupling between the material constituting the first and second conductive layers 321 and 322 and the first and second metal layers 111a and 112a of the first and second frames 111 and 112 , the first and second alloy layers 111b and 112b may be formed.

이에 따라, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제1 프레임(111)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 제1 도전층(321), 상기 제1 합금층(111b), 상기 제1 프레임(111)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다.Accordingly, the first conductive layer 321 and the first frame 111 may be physically and electrically stably coupled. The first conductive layer 321 , the first alloy layer 111b , and the first frame 111 may be physically and electrically stably coupled to each other.

또한, 상기 제2 도전층(322)과 상기 제2 프레임(112)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 제2 도전층(322), 상기 제2 합금층(212b), 상기 제2 프레임(112)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다.In addition, the second conductive layer 322 and the second frame 112 may be physically and electrically stably coupled. The second conductive layer 322 , the second alloy layer 212b , and the second frame 112 may be physically and electrically stably coupled to each other.

예로서, 상기 제1 및 제2 합금층(111b, 112b)은 AgSn, CuSn, AuSn 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a) 또는 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 지지부재로부터 제공될 수 있다.For example, the first and second alloy layers 111b and 112b may include at least one intermetallic compound layer selected from the group consisting of AgSn, CuSn, AuSn, and the like. The intermetallic compound layer may be formed by combining a first material and a second material, the first material may be provided from the first and second conductive layers 321 and 322 , and the second material may be the first material. and the second metal layers 111a and 112a or the support members of the first and second frames 111 and 112 .

상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 Sn 물질을 포함하고 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)이 Ag 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Ag 물질의 결합에 의하여 AgSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 include a Sn material and the first and second metal layers 111a and 112a include an Ag material, the first and second conductive layers 321 and 321 include an Ag material. 322) may be provided or an intermetallic compound layer of AgSn may be formed by combining the Sn material and the Ag material in the heat treatment process after the provision.

또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 Sn 물질을 포함하고 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 112a)이 Au 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Au 물질의 결합에 의하여 AuSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 include a Sn material and the first and second metal layers 111a and 112a include an Au material, the first and second conductive layers ( 321 and 322) may be provided or an intermetallic compound layer of AuSn may be formed by combining the Sn material and the Au material in the heat treatment process after being provided.

또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 Sn 물질을 포함하고 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 지지부재가 Cu 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Cu 물질의 결합에 의하여 CuSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 include a Sn material and the support members of the first and second frames 111 and 112 include a Cu material, the first and second conductive layers 321 and 322 include a Cu material. An intermetallic compound layer of CuSn may be formed by combining the Sn material and the Cu material in a process in which the conductive layers 321 and 322 are provided or in a heat treatment process after the provision.

또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 Ag 물질을 포함하고 상기 제1 및 제2 금속층(111a, 111b) 또는 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 지지부재가 Sn 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Ag 물질과 Sn 물질의 결합에 의하여 AgSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.In addition, the first and second conductive layers 321 and 322 include Ag material, and the support members of the first and second metal layers 111a and 111b or the first and second frames 111 and 112 are When the Sn material is included, the AgSn intermetallic compound layer may be formed by combining the Ag material and the Sn material in a process in which the first and second conductive layers 321 and 322 are provided or in a heat treatment process after being provided.

따라서, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, in the light emitting device package 100 according to the embodiment, even when bonding to the main board or the like through a reflow process, a re-melting phenomenon does not occur, so that electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. There are advantages.

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the package body 110 does not need to be exposed to high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being damaged or discolored by exposure to high temperature.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection of materials constituting the body 113 can be widened. According to the embodiment, the body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic, but also a relatively inexpensive resin material.

즉, 금속간 화합물이 형성되는 개구부의 직경은 금속간 화합물의 원료물질(서로 뭉쳐진 사이즈 기준)의 약 5 배 이상의 직경이 확보되어야 금속간 화합물이 정상적으로 형성됨을 알게 되었다. 종래기술에서는 금속간 화합물의 원료물질이 혼합된 상태에서 소정의 플럭스(flux)로 캡핑 후 열처리를 진행함에 따라 금속간 화합물의 원료물질의 사이즈가 상대적으로 비대하고, 이에 따라 개구부의 직경은 적어도 250 ㎛ 이상의 직경이 필요하다는 것을 알게 되었다. 실시예에서 채용하는 플럭스는 계면활성제, 글리세롤, 폴리에틸렌글리콜, 에틸렌옥사이드 중합체 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 금속간 화합물을 형성하기 위한 열처리 공정에서 휘발될 수 있다.That is, it was found that the diameter of the opening in which the intermetallic compound is formed must be about 5 times larger than the diameter of the raw material of the intermetallic compound (based on the aggregated size) for the intermetallic compound to be formed normally. In the prior art, as the raw material of the intermetallic compound is capped with a predetermined flux in a mixed state and heat treatment is performed, the size of the raw material of the intermetallic compound is relatively enlarged, and thus the diameter of the opening is at least 250 It has been found that a diameter greater than or equal to [mu]m is required. The flux employed in the embodiment may be a surfactant, glycerol, polyethylene glycol, ethylene oxide polymer, etc., but is not limited thereto, and may be volatilized in a heat treatment process for forming an intermetallic compound.

예를 들어, 실시예에 의하면 프레임의 개구부의 직경이 100㎛ 이하 사이즈의 구현도 가능하며, 예를 들어 약 50 ㎛ 내지 약 100㎛ 사이즈 구현이 가능하며, 이에 따라 고 출력이면서 초 박형 CSP(Chip Scale Package)에 효과적으로 대응할 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.For example, according to the embodiment, it is also possible to implement a size of 100 μm or less of the diameter of the opening of the frame, for example, about 50 μm to about 100 μm size is possible, and accordingly, high output and ultra-thin CSP (Chip) It is possible to provide a light emitting device package, a light emitting device package manufacturing method, and a light source device that can effectively cope with the scale package.

다음으로, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 6a에 도시된 바와 같이, 제1 하부 리세스(R11)와 제2 하부 리세스(R12)를 포함할 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)와 상기 제2 하부 리세스(R12)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.Next, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first lower recess R11 and a second lower recess R12 as shown in FIG. 6A . The first lower recess R11 and the second lower recess R12 may be spaced apart from each other.

상기 제1 하부 리세스(R11)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first lower recess R11 may be provided on a lower surface of the first frame 111 . The first lower recess R11 may be provided to be concave from the lower surface of the first frame 111 toward the upper surface. The first lower recess R11 may be spaced apart from the first opening TH1.

상기 제1 하부 리세스(R11)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The first lower recess R11 may have a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the first lower recess R11. The resin part filled in the first lower recess R11 may be made of, for example, the same material as that of the body 113 .

다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the resin part may be provided by being selected from materials having poor adhesion and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322 . Alternatively, the resin part may be provided by being selected from materials having a low surface tension with the first and second conductive layers 321 and 322 .

예로서, 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, the resin part filled in the first lower recess R11 may be provided in a process in which the first frame 111 , the second frame 112 , and the body 113 are formed through an injection process or the like. can

상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부는 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제1 프레임(111)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin part filled in the first lower recess R11 may be disposed around a lower surface area of the first frame 111 providing the first opening TH1 . The lower surface area of the first frame 111 providing the first opening TH1 may have an island shape and may be disposed separately from the surrounding lower surface of the first frame 111 .

예로서, 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제1 프레임(111)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.For example, the lower surface area of the first frame 111 providing the first opening TH1 is surrounded by the resin part filled in the first lower recess R11 and the body 113 . It may be isolated from the frame 111 .

따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)로부터 벗어나, 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Therefore, the resin part is made of a material having poor adhesion and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322, or a material having a low surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322. When disposed, the first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 deviates from the first opening TH1, and the resin part or the body 113 filled in the first lower recess R11. It can be prevented from spreading beyond the

이는 상기 제1 도전층(321)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 제1 프레임(111)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This indicates that the adhesive relationship between the first conductive layer 321 and the resin part and the body 113 or the wettability and surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322 is not good. it will be used That is, a material forming the first conductive layer 321 may be selected to have good adhesion properties to the first frame 111 . In addition, a material constituting the first conductive layer 321 may be selected to have poor adhesion properties with the resin part and the body 113 .

이에 따라, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. Accordingly, the first conductive layer 321 overflows from the first opening TH1 in the direction of the region where the resin part or the body 113 is provided, and is outside the region where the resin part or the body 113 is provided. It is prevented from overflowing or spreading, and the first conductive layer 321 can be stably disposed in the region where the first opening TH1 is provided.

따라서, 상기 제1 개구부(TH1)에 배치되는 제1 도전층(321)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제1 하부 리세스(R11)의 바깥 영역으로 상기 제1 도전층(321)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, when the first conductive layer 321 disposed in the first opening TH1 overflows, the first conductive layer 321 flows into the outer region of the first lower recess R11 provided with the resin part or the body 113 . It is possible to prevent the conductive layer 321 from expanding.

따라서, 상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.Therefore, when the light emitting device package is mounted on a circuit board, it is possible to prevent a problem that the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 come into contact with each other and short circuit, and the first and second conductive layers ( In the process of disposing 321 and 322 , it may be very easy to control the amounts of the first and second conductive layers 321 and 322 .

또한, 상기 제2 하부 리세스(R12)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다.Also, the second lower recess R12 may be provided on a lower surface of the second frame 112 . The second lower recess R12 may be provided to be concave from a lower surface to an upper surface of the second frame 112 . The second lower recess R12 may be spaced apart from the second opening TH2.

상기 제2 하부 리세스(R12)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부는 예로서 상기 몸체(113)와 동일 물질로 제공될 수 있다. The second lower recess R12 may have a width of several micrometers to several tens of micrometers. A resin part may be provided in the second lower recess R12. The resin part filled in the second lower recess R12 may be made of, for example, the same material as that of the body 113 .

예로서, 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.For example, the resin part filled in the second lower recess R12 may be provided in a process in which the first frame 111 , the second frame 112 , and the body 113 are formed through an injection process or the like. can

상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부는 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제2 프레임(112)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.The resin part filled in the second lower recess R12 may be disposed around a lower surface area of the second frame 112 providing the second opening TH2 . A lower surface area of the second frame 112 providing the second opening TH2 may have an island shape and may be disposed separately from a lower surface constituting the surrounding second frame 112 .

예로서, 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부와 상기 몸체(113)에 의하여 주변의 상기 제2 프레임(112)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.For example, the lower surface area of the second frame 112 providing the second opening TH2 may be surrounded by the resin part filled in the second lower recess R12 and the body 113 . It may be isolated from the frame 112 .

따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)로부터 벗어나, 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부 또는 상기 몸체(113)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다. Therefore, the resin part is made of a material having poor adhesion and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322, or a material having a low surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322. When disposed, the second conductive layer 322 provided in the second opening TH2 departs from the second opening TH2, and the resin part or the body 113 filled in the second lower recess R12. It can be prevented from spreading beyond the

이는 상기 제2 도전층(322)과 상기 수지부 및 상기 몸체(113)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 제2 프레임(112)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 몸체(113)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.This indicates that the adhesive relationship between the second conductive layer 322 and the resin part and the body 113 or the wettability and surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322 is not good. it will be used That is, a material forming the second conductive layer 322 may be selected to have good adhesion properties to the second frame 112 . In addition, a material constituting the second conductive layer 322 may be selected to have poor adhesion properties with the resin part and the body 113 .

이에 따라, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)에서 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다. Accordingly, the second conductive layer 322 overflows from the second opening TH2 in the direction of the region where the resin part or the body 113 is provided, and is outside the region where the resin part or the body 113 is provided. It is prevented from overflowing or spreading, and the second conductive layer 322 can be stably disposed in the region where the second opening TH2 is provided.

따라서, 상기 제2 개구부(TH2)에 배치되는 제2 도전층(322)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 몸체(113)가 제공된 제2 하부 리세스(R12)의 바깥 영역으로 상기 제2 도전층(322)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, when the second conductive layer 322 disposed in the second opening TH2 overflows, the second conductive layer 322 flows into an area outside of the second lower recess R12 provided with the resin part or the body 113 . It is possible to prevent the conductive layer 322 from expanding.

한편, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 제1 수지층(130)이, 상기 발광소자(10)의 하부면과 상기 패키지 몸체(110)의 상부면 사이에 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(10)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 수지층(130)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 둘레에 제공될 수 있다. On the other hand, according to the light emitting device package 100 according to the embodiment, the first resin layer 130 provided in the recess (R), the lower surface of the light emitting device 10 and the package body (110) It may be provided between the upper surfaces. Also, when viewed from the upper direction of the light emitting device 10 , the first resin layer 130 may be provided around the first and second openings TH1 and TH2 .

다음으로, 도 6a와 같이, 실시예는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 배치된 제2 수지층(115)을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지층(115)은 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 아래에 배치될 수 있다.Next, as shown in FIG. 6A , the embodiment may include the second resin layer 115 disposed in the first and second openings TH1 and TH2 . The second resin layer 115 may be disposed under the first and second conductive layers 321 and 322 .

상기 제2 수지층(115)은 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 보호할 수 있다. 상기 제2 수지층(115)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 밀봉시킬 수 있다. 상기 제2 수지층(115)은 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1. TH2) 하부로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The second resin layer 115 may protect the first and second conductive layers 321 and 322 . The second resin layer 115 may seal the first and second openings TH1 and TH2. The second resin layer 115 may prevent the first and second conductive layers 321 and 322 from diffusing and moving under the first and second openings TH1 and TH2.

예로서, 상기 제2 수지층(115)은 상기 몸체(113)와 유사한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지층(115)은 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the second resin layer 115 may include a material similar to that of the body 113 . The second resin layer 115 may include at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. can

또한, 상기 제2 수지층(115)은 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.한편, 도 6b는 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.In addition, the second resin layer 115 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. Meanwhile, FIG. 6B is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another exemplary embodiment.

도 6b에 도시된 실시예는 도 6a에 도시된 발광소자 패키지의 기술적 특징을 채용할 수 있다. The embodiment shown in FIG. 6B may employ the technical features of the light emitting device package shown in FIG. 6A.

한편, 도 6b에 도시된 실시예는 도 6a에 도시된 실시예와 달리 프레임을 구비하지 않을 수 있다.Meanwhile, the embodiment shown in FIG. 6B may not include a frame unlike the embodiment shown in FIG. 6A .

예를 들어, 도 6b에 도시된 실시예는 프레임 프리(Frame Free) 구조일 수 있으며, 제1, 제2 관통홀(TH1, TH2) 내에 결합력을 강화하기 위해 별도의 금속층(111b, 112b)을 코팅하고 그 코팅된 금속층과 제1 및 제 2 도전층(321, 322) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)이 형성될 수 있다.For example, the embodiment shown in FIG. 6B may have a frame free structure, and separate metal layers 111b and 112b are formed in the first and second through holes TH1 and TH2 to strengthen the bonding force. After coating, an intermetallic compound (IMC) may be formed between the coated metal layer and the first and second conductive layers 321 and 322 .

예를 들어, 도 6b와 같이, 제1 및 제 2 도전층(321, 322)이 형성되는 과정 또는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 상기 제1 및 제2 금속층(111b, 112b) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 6B , in the process in which the first and second conductive layers 321 and 322 are formed or in the heat treatment process after the first and second conductive layers 321 and 322 are provided, the first and An intermetallic compound (IMC) layer may be formed between the second conductive layers 321 and 322 and the first and second metal layers 111b and 112b.

도 7은 실시 예에 따른 복수의 발광소자 패키지가 패키지 몸체(110) 상에 배치된 반도체 모듈의 측 단면도이다. 상기 패키지 몸체(110)는 회로 기판일 수도 있다.7 is a side cross-sectional view of a semiconductor module in which a plurality of light emitting device packages are disposed on a package body 110 according to an embodiment. The package body 110 may be a circuit board.

도 7을 참조하면, 반도체 모듈은 패키지 몸체(110) 상에 복수의 발광소자 패키지(10A,10B,10C)가 배열된 예이다. 상기 복수의 발광소자 패키지(10A,10B,10C)는 서로 이격되거나, 서로 밀착되어 배치될 수 있다.Referring to FIG. 7 , a semiconductor module is an example in which a plurality of light emitting device packages 10A, 10B, and 10C are arranged on a package body 110 . The plurality of light emitting device packages 10A, 10B, and 10C may be spaced apart from each other or disposed in close contact with each other.

상기 복수의 발광소자 패키지(10A,10B,10C)는 청색, 녹색 및 적색의 광이 각각 방출될 수 있다. 이 경우 상기 복수의 발광소자 패키지(10A,10B,10C)는 단위 픽셀로 정의될 수 있으며, 상기 각 발광소자 패키지(10A,10B,10C)는 서브 픽셀일 수 있다. 이러한 픽셀들은 일 방향으로 배열되거나 도 7과 같이 매트릭스 형태의 픽셀(15)로 배열될 수 있다. The plurality of light emitting device packages 10A, 10B, and 10C may emit blue, green, and red light, respectively. In this case, the plurality of light emitting device packages 10A, 10B, and 10C may be defined as a unit pixel, and each of the light emitting device packages 10A, 10B, and 10C may be a sub-pixel. These pixels may be arranged in one direction or may be arranged in a matrix form of pixels 15 as shown in FIG. 7 .

상기 복수의 발광소자 패키지(10A,10B,10C)는 동일한 컬러 예컨대, 청색, 녹색, 적색 또는 백색을 발광할 수 있다. 이러한 반도체 모듈은 출사 방향에 도광판이나 광학 시트와 같은 광학 부재가 배치될 수 있다. 상기 반도체 모듈 상에는 광학 렌즈가 배치되어, 입사된 광을 확산시켜 줄 수 있다. The plurality of light emitting device packages 10A, 10B, and 10C may emit light of the same color, for example, blue, green, red, or white. In such a semiconductor module, an optical member such as a light guide plate or an optical sheet may be disposed in an emission direction. An optical lens may be disposed on the semiconductor module to diffuse incident light.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다. 상기 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 차량 램프 예컨대, 안개등, 차폭등, 방향 지시등, 브레이크등, 후미등, 후진등, 상향등, 하향등, 안개등과 같은 램프에 적용될 수 있다. The light emitting device package according to the embodiment may be applied to a light source device. The light source device may be applied to a display device, a lighting device, a vehicle lamp, such as a fog lamp, a side lamp, a turn indicator, a brake lamp, a tail lamp, a reversing lamp, a high beam, a low beam, and a fog lamp according to an industrial field.

상기의 광원 장치는 광 출사 영역에 광학 렌즈 또는 도광판를 갖는 광학 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 반도체 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.The light source device may include at least one of an optical lens and an optical sheet having a light guide plate in the light emission area. As an example of the light source device, the display device includes a bottom cover, a reflecting plate disposed on the bottom cover, a semiconductor module that emits light and includes a light emitting device, and is disposed in front of the reflecting plate and guides the light emitted from the light emitting module to the front. A light guide plate, an optical sheet including prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel; It may include a color filter disposed in front. Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. Also, the display device may have a structure in which light emitting devices emitting red, green, and blue light are respectively disposed without including a color filter.

광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 반도체 소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 반도체 모듈, 반도체 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp is a semiconductor module including a semiconductor device or a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector that reflects light irradiated from the semiconductor module in a predetermined direction, for example, forward, and a reflector. The lens may include a lens that refracts the light reflected by the front panel, and a shade that blocks or reflects a portion of the light reflected by the reflector and directed to the lens to form a light distribution pattern desired by the designer.

광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. A lighting device, which is another example of the light source device, may include a cover, a light source module, a heat sink, a power supply unit, an inner case, and a socket. In addition, the light source device according to the embodiment may further include any one or more of a member and a holder.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the embodiment, and those of ordinary skill in the art to which the embodiment pertains may find several not illustrated above within the range that does not depart from the essential characteristics of the embodiment. It can be seen that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment may be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

제1 개구부(TH1), 제1 프레임(111),
제2 개구부, 제2 프레임(112), 몸체(113),
발광소자(10), 제1반사 구조(31), 제2반사 구조(41), 발광 구조물(21) a first opening TH1, a first frame 111,
The second opening, the second frame 112, the body 113,
Light emitting device 10 , first reflective structure 31 , second reflective structure 41 , light emitting structure 21 .

Claims

a first frame including a first opening;
a second frame spaced apart from the first frame and including a second opening;
a body supporting the first and second frames; and
and a light emitting device disposed on the first and second frames;
The first and second openings overlap each other with the light emitting device,
The light emitting device,
A first reflective structure and a second reflective structure disposed on opposite sides of each other, a light emitting structure disposed between the first reflective structure and the second reflective structure, a light emitting structure disposed outside the first reflective structure and a first of the light emitting structure a first pad connected to the conductive semiconductor layer, and a second pad disposed outside the second reflective structure and connected to the second conductive semiconductor layer of the light emitting structure,
The bottom surface of the light emitting device is disposed on the body,
The first pad or the second pad is disposed on a side adjacent to the bottom surface of the light emitting device outside at least one of the first and second reflective structures, and is electrically connected to the light emitting structure,
An outer side surface of the light emitting structure is opened from the first and second reflecting structures to the outside between the first and second reflecting structures.

The method of claim 1,
The bottom of the first and second pads is a light emitting device package disposed on the same plane as the bottom surface of the light emitting device.

The method of claim 1,
A light emitting device package including a first resin layer disposed between the body and the light emitting device.

4. The method of claim 3,
The body overlaps the light emitting element in a vertical direction and includes a recess concave in a direction from an upper surface to a lower surface of the body,
The first resin layer is a light emitting device package disposed in the recess.

The method of claim 1,
The light emitting device includes a substrate disposed between the first reflective structure and the light emitting structure,
The light emitting structure is disposed between the substrate and the second reflective structure,
The light emitting structure is a light emitting device package including the first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer disposed between the substrate and the second reflective structure.

A lighting device comprising a light emitting unit having the light emitting device package according to any one of claims 1 to 5.

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