KR102369237B1 - Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package - Google Patents

Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package Download PDF

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Abstract

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 몸체에 서로 이격되어 배치되는 제1 및 제2 프레임; 발광 구조물, 발광 구조물 아래에 배치되는 제1 본딩부, 및 발광 구조물 아래에 제1 본딩부와 이격되어 배치되는 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 발광소자를 둘러싸는 몰딩부재; 및 제1 및 제2 프레임 사이에 배치되는 방열부재; 를 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 몸체의 하면은 제1 및 제2 프레임의 하면들과 동일 평면을 이루고, 제1 본딩부는 제2 본딩부에 가까운 제1 측면, 및 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함하고, 제2 본딩부는 제1 본딩부에 가까운 제3 측면, 및 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 제1 측면 및 제3 측면은 방열부재와 접촉하고, 제2 측면 및 제4 측면은 몰딩부재와 접촉하며, 방열부재의 상면은 발광소자와 접촉하며 제1 방향으로 연장되고, 제1 방향은 발광소자의 상면으로부터 몸체의 하면으로 향하는 방향이며, 발광소자의 상면으로부터 제1 프레임의 하면까지의 제1 거리가 발광소자의 상면으로부터 방열부재의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body; first and second frames spaced apart from each other on the body; a light emitting device including a light emitting structure, a first bonding unit disposed under the light emitting structure, and a second bonding unit disposed spaced apart from the first bonding unit under the light emitting structure; a molding member surrounding the light emitting element; and a heat dissipation member disposed between the first and second frames; may include
According to an embodiment, the lower surface of the body is flush with the lower surfaces of the first and second frames, and the first bonding unit includes a first side close to the second bonding unit, and a second side facing the first side. And, the second bonding unit may include a third side close to the first bonding unit, and a fourth side facing the third side.
According to an embodiment, the first side and the third side contact the heat dissipation member, the second side and the fourth side contact the molding member, the upper surface of the heat dissipation member is in contact with the light emitting element and extends in the first direction, The first direction is a direction from the upper surface of the light emitting element to the lower surface of the body, and the first distance from the upper surface of the light emitting element to the lower surface of the first frame is equal to or greater than the second distance from the upper surface of the light emitting element to the lower surface of the heat dissipation member can be provided greatly.

Description

발광소자 패키지 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package and manufacturing method thereof

실시 예는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a semiconductor device package, a method for manufacturing the semiconductor device package, and a light source device.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.A semiconductor device including a compound such as GaN or AlGaN has many advantages, such as having a wide and easily adjustable band gap energy, and thus can be used in various ways as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.

특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials have developed red, green, and It has the advantage of being able to implement light of various wavelength bands, such as blue and ultraviolet. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material may be implemented as a white light source with good efficiency by using a fluorescent material or combining colors. These light emitting devices have advantages of low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light receiving device such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material, a photocurrent is generated by absorbing light in various wavelength ranges through the development of the device material. By doing so, light of various wavelength ranges from gamma rays to radio wavelength ranges can be used. In addition, such a light receiving element has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness, and easy adjustment of element materials, and thus can be easily used in power control or ultra-high frequency circuits or communication modules.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device can replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp or an incandescent light bulb that replaces a cold cathode fluorescence lamp (CCFL) constituting a transmission module of an optical communication means and a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device. The application is expanding to white light emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, the application of the semiconductor device may be extended to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.A light emitting device (Light Emitting Device) may be provided as a pn junction diode having a property of converting electrical energy into light energy by using, for example, a group 3-5 element or a group 2-6 element on the periodic table, Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are receiving great attention in the field of developing optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, a blue light emitting device, a green light emitting device, an ultraviolet (UV) light emitting device, and a red light emitting device using a nitride semiconductor have been commercialized and widely used.

예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, it is a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm, and is used for sterilization and purification in the case of a short wavelength in the wavelength band, and in the case of a long wavelength, an exposure machine or a curing machine, etc. can be used

자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be divided into UV-A (315nm~400nm), UV-B (280nm~315nm), and UV-C (200nm~280nm) in the order of the longest wavelength. The UV-A (315nm~400nm) area is applied in various fields such as industrial UV curing, printing ink curing, exposure machine, counterfeit detection, photocatalytic sterilization, special lighting (aquarium/agricultural use, etc.), and UV-B (280nm~315nm) ) area is used for medical purposes, and the UV-C (200nm~280nm) area is applied to air purification, water purification, and sterilization products.

한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. Meanwhile, as a semiconductor device capable of providing a high output is requested, research on a semiconductor device capable of increasing the output by applying a high power is being conducted.

또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in a semiconductor device package, research is being conducted on a method for improving the light extraction efficiency of the semiconductor device and improving the luminous intensity at the package end. In addition, in a semiconductor device package, research is being conducted on a method for improving the bonding force between the package electrode and the semiconductor device.

또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in a semiconductor device package, research is being conducted on a method for reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield by improving process efficiency and changing the structure.

실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a semiconductor device package capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics, a method for manufacturing the semiconductor device package, and a light source device.

실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a semiconductor device package, a semiconductor device package manufacturing method, and a light source device capable of improving process efficiency and suggesting a new package structure to reduce manufacturing cost and improve manufacturing yield.

실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법을 제공할 수 있다.The embodiment may provide a semiconductor device package and a method of manufacturing a semiconductor device package capable of preventing a re-melting phenomenon from occurring in a bonding region of the semiconductor device package in a process in which the semiconductor device package is re-bonded to a substrate or the like. there is.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체에 서로 이격되어 배치되는 제1 및 제2 프레임; 발광 구조물, 상기 발광 구조물 아래에 배치되는 제1 본딩부, 및 상기 발광 구조물 아래에 상기 제1 본딩부와 이격되어 배치되는 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 상기 발광소자를 둘러싸는 몰딩부재; 및 상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치되는 방열부재; 를 포함하고, 상기 몸체의 하면은 상기 제1 및 제2 프레임의 하면들과 동일 평면을 이루고, 상기 제1 본딩부는 상기 제2 본딩부에 가까운 제1 측면, 및 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함하고, 상기 제2 본딩부는 상기 제1 본딩부에 가까운 제3 측면, 및 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함하며, 상기 제1 측면 및 상기 제3 측면은 상기 방열부재와 접촉하고, 상기 제2 측면 및 상기 제4 측면은 상기 몰딩부재와 접촉하며, 상기 방열부재의 상면은 상기 발광소자와 접촉하며 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향은 상기 발광소자의 상면으로부터 상기 몸체의 하면으로 향하는 방향이며, 상기 발광소자의 상면으로부터 상기 제1 프레임의 하면까지의 제1 거리가 상기 발광소자의 상면으로부터 상기 방열부재의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body; first and second frames spaced apart from each other on the body; a light emitting device including a light emitting structure, a first bonding portion disposed under the light emitting structure, and a second bonding portion disposed spaced apart from the first bonding portion under the light emitting structure; a molding member surrounding the light emitting device; and a heat dissipation member disposed between the first and second frames. Including, a lower surface of the body forms the same plane as the lower surfaces of the first and second frames, the first bonding portion is a first side close to the second bonding portion, and a first side facing the first side 2 , wherein the second bonding portion includes a third side close to the first bonding portion, and a fourth side facing the third side, wherein the first side and the third side are the heat dissipation member and the second side and the fourth side contact the molding member, the upper surface of the heat dissipation member is in contact with the light emitting device and extends in a first direction, and the first direction is the upper surface of the light emitting device to the lower surface of the body, and the first distance from the upper surface of the light emitting element to the lower surface of the first frame is equal to or greater than the second distance from the upper surface of the light emitting element to the lower surface of the heat dissipation member. can

실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 제1 방향으로 상기 몸체의 상면에서 상기 몸체의 하면을 관통하는 개구부를 포함하고, 상기 방열부재는 상기 개구부에 제공될 수 있다.According to an embodiment, the body may include an opening penetrating the lower surface of the body from the upper surface of the body in the first direction, and the heat dissipation member may be provided in the opening.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 본딩부와 상기 제1 프레임 사이에 배치된 제1 도전층; 상기 제2 본딩부와 상기 제2 프레임 사이에 배치된 제2 도전층; 을 더 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes: a first conductive layer disposed between the first bonding part and the first frame; a second conductive layer disposed between the second bonding part and the second frame; may further include.

실시 예에 의하면, 상기 몰딩부재는 상기 발광소자 아래에 배치된 반사성 수지부와 상기 발광소자 둘레에 배치된 몰딩부를 포함할 수 있다.In an embodiment, the molding member may include a reflective resin part disposed under the light emitting device and a molding part disposed around the light emitting device.

실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부의 하면의 면적 또는 상기 제2 본딩부의 하면의 면적이 상기 개구부의 상부 영역의 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the area of the lower surface of the first bonding part or the area of the lower surface of the second bonding part may be smaller than the area of the upper region of the opening.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재는 에폭시 계열 또는 실리콘 계열의 수지를 포함하고, Al2O3, AlN을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member may include an epoxy-based or silicone-based resin, and may include at least one material selected from the group consisting of Al 2 O 3 and AlN.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재는 절연성 접착제로 제공되고 상기 제1 및 제2 도전층은 도전성 접착제로 제공될 수 있다.In an embodiment, the heat dissipation member may be provided with an insulating adhesive, and the first and second conductive layers may be provided with a conductive adhesive.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 본딩부와 상기 제1 도전층 사이에 배치된 제1 도전체; 상기 제2 본딩부와 상기 제2 도전층 사이에 배치된 제2 도전체; 를 더 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes: a first conductor disposed between the first bonding part and the first conductive layer; a second conductor disposed between the second bonding part and the second conductive layer; may further include.

실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 제1 프레임, 제2 프레임, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치되며 상면과 하면을 관통하는 개구부를 포함하는 몸체를 포함하는 패키지 몸체가 제공되는 단계; 하면에 배치된 제1 본딩부와 제2 본딩부를 포함하는 발광소자가 상기 패키지 몸체 위에 제공되며, 상기 제1 본딩부는 상기 제1 프레임 위에 배치되고, 상기 제2 본딩부는 상기 제2 프레임 위에 배치되는 단계; 상기 개구부를 통해 제공된 방열부재가 상기 발광소자의 하면에 직접 접촉되어 배치되는 단계; 를 포함할 수 있다.The method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment provides a package body including a first frame, a second frame, and a body disposed between the first frame and the second frame and including an opening penetrating an upper surface and a lower surface. becoming a step; A light emitting device including a first bonding portion and a second bonding portion disposed on a lower surface is provided on the package body, the first bonding portion is disposed on the first frame, and the second bonding portion is disposed on the second frame step; disposing the heat dissipation member provided through the opening in direct contact with the lower surface of the light emitting device; may include

실시 예에 의하면, 상기 발광소자의 둘레에 몰딩부재가 제공되는 단계를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the method may further include providing a molding member around the light emitting device.

실시 예에 의하면, 상기 몰딩부재가 제공되는 단계는, 상기 발광소자 아래에 반사성 수지부가 제공되는 단계와, 상기 발광소자 둘레에 몰딩부가 제공되는 단계를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the step of providing the molding member may include providing a reflective resin part under the light emitting device and providing a molding part around the light emitting device.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재가 제공되는 단계에서, 상기 방열부재는 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, in the step of providing the heat dissipation member, the heat dissipation member may be disposed in direct contact with the first bonding unit and the second bonding unit.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the semiconductor device package manufacturing method according to the embodiment, there is an advantage in that light extraction efficiency, electrical characteristics, and reliability can be improved.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the semiconductor device package manufacturing method according to the embodiment, there is an advantage in that process efficiency can be improved and a new package structure can be proposed, thereby reducing the manufacturing cost and improving the manufacturing yield.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.The semiconductor device package according to the embodiment has an advantage in that it is possible to prevent discoloration of the reflector by providing a body having a high reflectance, thereby improving the reliability of the semiconductor device package.

실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 제조방법에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the semiconductor device manufacturing method according to the embodiment, it is possible to prevent a re-melting phenomenon from occurring in the bonding region of the semiconductor device package in the process of re-bonding the semiconductor device package to a substrate or the like. There is this.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 패키지 몸체가 제공된 상태를 설명하는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 발광소자가 제공된 상태를 설명하는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 개구부에 방열부재가 제공된 상태를 설명하는 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 몰딩부재가 제공된 상태를 설명하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 전극 배치를 설명하는 평면도이다.
도 14는 도 13에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이다.
도 18은 도 17에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 단면도이다.1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view taken along line DD of the light emitting device package shown in FIG. 1 .
4 is a view for explaining an arrangement relationship of a first frame, a second frame, and a body applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
5A and 5B are views for explaining a state in which a package body is provided by the method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
6A and 6B are views for explaining a state in which a light emitting device is provided by the method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
7A and 7B are views for explaining a state in which a heat dissipation member is provided in an opening by the method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
8A and 8B are views for explaining a state in which a molding member is provided by the method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
9 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
10 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
11 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
12 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
13 is a plan view illustrating an electrode arrangement of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
14 is a cross-sectional view taken along line FF of the light emitting device shown in FIG. 13 .
15 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
16 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
17 is a plan view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
18 is a cross-sectional view taken along line AA of the light emitting device shown in FIG. 17 .

이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of embodiments, each layer (film), region, pattern or structure is “on/over” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of being described as being formed on, “on/over” and “under” include both “directly” or “indirectly” formed through another layer. do. In addition, the reference for the upper / upper or lower of each layer will be described with reference to the drawings, but the embodiment is not limited thereto.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명한다.Hereinafter, a semiconductor device package and a semiconductor device package manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a case in which a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device will be described.

먼저, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기로 한다. First, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4 .

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이다.1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a line DD of the light emitting device package shown in FIG. 4 is a view for explaining the arrangement relationship of the first frame, the second frame, and the body applied to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 100 according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120 as shown in FIGS. 1 to 4 .

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The package body 110 may include a body 113 . The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The body 113 may function as a kind of electrode separation line. The body 113 may be referred to as an insulating member.

예로서, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)를 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다.For example, the first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other on the body 113 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other with the body 113 interposed therebetween.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111 . Also, the body 113 may be disposed on the second frame 112 .

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by the inclined surface of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to an embodiment, the package body 110 may be provided in a structure having a cavity (C) or may be provided in a structure having a flat top surface without the cavity (C).

예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide9T), silicone, epoxy molding compound (EMC), It may be formed of at least one selected from a group including a silicon molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), and sapphire (Al 2 O 3 ). Also, the body 113 may include a high refractive filler such as TiO 2 and SiO 2 .

상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first frame 111 and the second frame 112 may be provided as conductive frames. The first frame 111 and the second frame 112 may stably provide structural strength of the package body 110 and may be electrically connected to the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(113)는 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 제공될 수 있다. According to an embodiment, as shown in FIGS. 2 to 4 , the body 113 may include an opening TH1. The opening TH1 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The opening TH1 may be provided under the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the light emitting device 120 may include a first bonding unit 121 , a second bonding unit 122 , a light emitting structure 123 , and a substrate 124 .

상기 발광소자(120)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 3 , the light emitting device 120 may include the light emitting structure 123 disposed under the substrate 124 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the package body 110 .

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. The first bonding part 121 may be electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer. In addition, the second bonding part 122 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer.

상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on the package body 110 . The light emitting device 120 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . The light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on a lower surface of the light emitting device 120 . The second bonding part 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed to be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed on the second frame 112 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112 .

상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 may include Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au , Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO using one or more materials or alloys selected from the group consisting of a single layer or It may be formed in multiple layers.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322 . The first conductive layer 321 may be disposed to be spaced apart from the second conductive layer 322 .

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111) 위에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided on the first frame 111 . The first conductive layer 321 may be disposed under the first bonding part 121 .

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제1 프레임(111)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding part 121 . The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding part 121 . The first conductive layer 321 may provide a function of fixing the first bonding part 121 and the first frame 111 .

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be provided on the second frame 112 . The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding part 122 .

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)과 상기 제2 프레임(112)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding part 122 . The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding part 122 . The second conductive layer 322 may provide a function of fixing the second bonding part 122 and the second frame 112 .

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, or the like or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of securing a conductive function may be used as the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 .

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함하는 그룹 중에서 적어도 하나가 선택될 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may be at least one selected from the group consisting of solder paste, silver paste, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 접착제로 지칭될 수도 있다. 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)에 고정시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be referred to as a conductive adhesive. The first and second conductive layers 321 and 322 may fix the first and second bonding portions 121 and 122 to the first and second frames 111 and 112 . In addition, the first and second conductive layers 321 and 322 may electrically connect the first and second bonding portions 121 and 122 and the first and second frames 111 and 112 .

상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322) 사이의 폭(W3)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322) 사이의 폭(W3)은, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 패드 간의 전기적인 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.A width W3 between the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 in the lower surface of the first frame 111 and the second frame 112 may be several hundred micrometers. there is. The width W3 between the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 in the lower surface area of the first frame 111 and the second frame 112 is When the device package 100 is later mounted on a circuit board, a sub-mount, or the like, it may be selected to be provided over a certain distance in order to prevent an electrical short between the pads from occurring.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 방열부재(130)를 포함할 수 있다. The light emitting device package 100 according to the embodiment may include a heat dissipation member 130 .

상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may be disposed between the package body 110 and the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the package body 110 and the lower surface of the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 방열부재(130)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)의 하면은 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 하면들과 동일 평면에 배치될 수 있다. The heat dissipation member 130 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . Also, a lower surface of the body 113 may be disposed on the same plane as lower surfaces of the first and second frames 111 and 112 .

상기 방열부재(130)의 상면은 상기 발광소자(120)와 접촉하며 제1 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 상기 제1 방향은 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 몸체(113)의 하면으로 향하는 방향으로 정의될 수 있다.An upper surface of the heat dissipation member 130 may be in contact with the light emitting device 120 and may be disposed to extend in a first direction. The first direction may be defined as a direction from the upper surface of the light emitting device 120 toward the lower surface of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is the second from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the heat dissipation member 130 . 2 may be provided equal to or greater than the distance.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 개구부(TH1)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include an opening TH1 as shown in FIGS. 1 to 4 .

상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The opening TH1 may be provided in the body 113 . The opening TH1 may be provided through the body 113 . The opening TH1 may be provided through the upper and lower surfaces of the body 113 in the first direction. The opening TH1 may be disposed under the light emitting device 120 . The opening TH1 may be provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

예로서, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역에 배치될 수 있다.For example, the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . When viewed from the upper direction of the light emitting device 120 , the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . The opening TH1 may be disposed in a central region of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be disposed in the opening TH1. The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding unit 121 and a side surface of the second bonding unit 122 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.The first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 접촉될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be in contact with a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the first side surface of the first bonding unit 121 and the third side surface of the second bonding unit 122 .

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다.In addition, the heat dissipation member 130 may be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the second frame 112 . The heat dissipation member 130 may be provided surrounded by the body 113 .

상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113 , for example. In addition, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다. According to the embodiment, as described above, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is, from the upper surface of the light emitting element 120 to the heat dissipation member ( 130) may be provided equal to or greater than the second distance to the lower surface.

예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)의 하면으로부터 상부 방향으로 일정거리 이격되어 배치될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 상부 영역에는 상기 방열부재(130)가 채워진 형태로 제공되고 상기 개구부(TH1)의 하부 영역은 상기 방열부재(130)가 채워지지 않은 빈 공간으로 제공될 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may be disposed to be spaced apart from the lower surface of the opening TH1 by a certain distance in the upper direction. The heat dissipation member 130 may be filled in the upper area of the opening TH1 and the lower area of the opening TH1 may be provided as an empty space in which the heat dissipation member 130 is not filled.

예로서, 상기 방열부재(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 방열부재(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 Al2O3, AlN 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 물질을 포함할 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. Also, as an example, when the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may include white silicone. Also, the heat dissipation member 130 may include a material selected from the group consisting of Al 2 O 3 , AlN, and the like having good thermal conductivity.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시킬 뿐만 아니라, 상기 발광소자(120)에서 생성되는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정될 수 있게 되며, 효과적으로 열 방출이 수행될 수 있으므로 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다.According to an embodiment, when the heat dissipation member 130 includes a material having good thermal conductivity, not only the light emitting device 120 is stably fixed to the package body 110 , but also in the light emitting device 120 . The generated heat can be effectively dissipated. Accordingly, the light emitting device 120 can be stably fixed to the package body 110 , and heat emission can be performed effectively, so that the light extraction efficiency of the light emitting device 120 can be improved.

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 반사물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)의 하면으로 방출되는 광에 대해, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 방열부재(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. In addition, the heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 120 , and when a reflective material is included, the light emitted to the lower surface of the light emitting device 120 . In contrast, a light diffusion function may be provided between the light emitting device 120 and the body 113 . When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120 , the heat dissipation member 130 provides a light diffusion function, thereby improving the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 . .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 방열부재(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may reflect the light emitted from the light emitting device 120 . When the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may be made of a material including TiO 2 , Silicone, or the like.

상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 언더필(Under fill) 공정은 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장한 후 상기 방열부재(130)를 상기 발광소자(120) 하부에 배치하는 공정일 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 방열부재(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. The opening TH1 may provide an appropriate space under the light emitting device 120 in which a kind of underfill process may be performed. Here, the underfill process may be a process of mounting the light emitting device 120 on the package body 110 and then disposing the heat dissipation member 130 under the light emitting device 120 . The opening TH1 may be provided at a first depth or more so that the heat dissipation member 130 may be sufficiently provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the body 113 .

상기 개구부(TH1)의 깊이와 폭(W4)은 상기 방열부재(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 깊이와 폭(W4)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 방열부재(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth and width W4 of the opening TH1 may affect the formation position and fixing force of the heat dissipation member 130 . The depth and width W4 of the opening TH1 may be determined to provide sufficient fixing force by the heat dissipation member 130 disposed between the body 113 and the light emitting device 120 .

예로서, 상기 개구부(TH1)의 깊이는 상기 제1 프레임(111) 또는 상기 제2 프레임(112)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 깊이는 상기 제1 프레임(111) 또는 상기 제2 프레임(112)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.For example, a depth of the opening TH1 may be provided to correspond to a thickness of the first frame 111 or the second frame 112 . The depth of the opening TH1 may be provided to have a thickness capable of maintaining a stable strength of the first frame 111 or the second frame 112 .

또한, 개구부(TH1)의 깊이는 상기 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 깊이는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.Also, the depth of the opening TH1 may be provided to correspond to the thickness of the body 113 . A depth of the opening TH1 may be provided to a thickness capable of maintaining a stable strength of the body 113 .

예로서, 상기 개구부(TH1)의 깊이)는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 깊이는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 개구부(TH1)의 깊이는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the depth of the opening TH1 may be several hundreds of micrometers. The depth of the opening TH1 may be 180 micrometers to 220 micrometers. For example, the depth of the opening TH1 may be 200 micrometers.

또한, 상기 개구부(TH1)의 폭(W4)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 개구부(TH1)의 폭(W4)은 상기 발광소자(120)의 장축 방향으로 제공될 수 있다.Also, the width W4 of the opening TH1 may be several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. Here, the width W4 of the opening TH1 may be provided in the long axis direction of the light emitting device 120 .

상기 개구부(TH1)의 폭(W4)은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 간의 간격에 비해 좁게 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)의 폭(W4)은 140 마이크로 미터 내지 400 마이크로 미터로 제공될 수 있다. A width W4 of the opening TH1 may be provided to be narrower than a gap between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 . The width W4 of the opening TH1 may be 140 micrometers to 400 micrometers.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 may be provided to be less than 10% based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is the sum of the areas of the substrate 124 in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device to increase light extraction efficiency. It may be set to 10% or less based on the upper surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is based on the top surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. may be set to 0.7% or more.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 면적은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)의 면적은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. For example, as shown in FIG. 4 , the area of the first bonding part 121 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 . In addition, as shown in FIG. 4 , the area of the second bonding part 122 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 .

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성 및 방열특성이 좋은 상기 방열부재(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 방열부재(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is provided to be small, the amount of light transmitted through the lower surface of the light emitting device 120 may be increased. In addition, the heat dissipation member 130 having good reflection characteristics and heat dissipation characteristics may be provided under the light emitting device 120 . Accordingly, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the heat dissipation member 130 to be effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, and light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 몰딩부재를 포함할 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 몰딩부재는 수지부(135)와 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a molding member as shown in FIGS. 1 and 3 . For example, the molding member according to the embodiment may include a resin part 135 and a molding part 140 .

실시 예에 따른 몰딩부재는 상기 수지부(135)와 상기 몰딩부(140) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 먼저, 이하의 실시 예에서는 상기 몰딩부재가 상기 수지부(135)와 상기 몰딩부(140)를 모두 포함하는 경우를 기준으로 설명한다.The molding member according to the embodiment may include at least one of the resin part 135 and the molding part 140 . First, in the following embodiment, a case in which the molding member includes both the resin part 135 and the molding part 140 will be described.

그러나, 다른 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부재는 상기 수지부(135)만 포함할 수도 있고, 상기 몰딩부(140)만 포함할 수도 있다. However, according to another embodiment, the molding member may include only the resin part 135 or only the molding part 140 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The resin part 135 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be provided on the bottom surface of the cavity C provided in the package body 110 .

예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 반사성 수지부로 지칭될 수도 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.For example, the resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 . The resin part 135 may be referred to as a reflective resin part. Also, the resin part 135 may be referred to as a reflective molding member.

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The resin part 135 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121 . Also, the resin part 135 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122 . The resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123 .

예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the resin part 135 may be a reflective part that reflects the light emitted from the light emitting device 120 , for example, may be a resin including a reflective material such as TiO 2 , or may be made of white silicone. may include

상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 본딩부(121)의 아래 영역과 상기 제2 본딩부(122)의 아래 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The resin part 135 may seal the periphery of the first bonding part 121 and the second bonding part 122 . In the resin part 135 , the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are outside the area below the first bonding unit 121 and the area below the second bonding unit 122 . It can be prevented from diffusing and moving in the direction of the light emitting device 120 .

상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 diffuse and move toward the outer surface of the light emitting device 120 , the first and second conductive layers 321 and 322 are formed between the active layer of the light emitting device 120 and It may come into contact with it and cause a defect due to a short circuit. Accordingly, when the resin part 135 is disposed, it is possible to prevent a short circuit between the first and second conductive layers 321 and 322 and the active layer, thereby improving the reliability of the light emitting device package according to the embodiment.

또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the resin part 135 includes a material having a reflective characteristic, such as white silicon, the resin part 135 transmits the light provided from the light emitting device 120 in the upper direction of the package body 110 . It is possible to improve the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 by reflecting it.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include the molding unit 140 as shown in FIGS. 1 and 3 .

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120 . The molding unit 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110 .

상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The molding part 140 may include an insulating material. In addition, the molding unit 140 may include a wavelength conversion unit that receives the light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light. For example, the molding unit 140 may include at least one selected from the group consisting of a phosphor, a quantum dot, and the like.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 둘레에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 파장변환 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.The molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . For example, the molding unit 140 may be referred to as a wavelength conversion molding member.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.Also, according to an embodiment, the molding part 140 may be disposed on the resin part 135 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.According to an embodiment, as described above, the first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. . The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면 및 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면은 상기 방열부재(130)와 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(121)의 제2 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제4 측면은 상기 몰딩부재(135, 140)와 접촉되어 배치될 수 있다.For example, a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the heat dissipation member 130 . In addition, the second side surface of the first bonding unit 121 and the fourth side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the molding members 135 and 140 .

한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 몰딩부(140)가 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 직접 접촉되도록 배치될 수도 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)가 별도로 제공되지 않고, 상기 수지부(135)가 상기 발광소자(120)의 둘레 및 상부에 모두 제공될 수도 있다.Meanwhile, as described above, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the molding part 140 is formed by the first frame 111 . ) and the second frame 112 may be disposed to be in direct contact. In addition, the molding part 140 may not be provided separately, but the resin part 135 may be provided both around and above the light emitting device 120 .

또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.Also, according to an embodiment, the light emitting structure 123 may be provided as a compound semiconductor. The light emitting structure 123 may be formed of, for example, a group 2-6 or group 3-5 compound semiconductor. For example, the light emitting structure 123 may include at least two or more elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), arsenic (As), and nitrogen (N). can be

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer.

상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first and second conductivity-type semiconductor layers may be implemented with at least one of a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor. The first and second conductivity type semiconductor layers are formed of, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). can be For example, the first and second conductivity-type semiconductor layers may include at least one selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. . The first conductivity-type semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. The second conductivity-type semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba.

상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The active layer may be implemented with a compound semiconductor. The active layer may be embodied as, for example, at least one of a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor. When the active layer is implemented as a multi-well structure, the active layer may include a plurality of well layers and a plurality of barrier layers that are alternately disposed, and In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1 , 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). For example, the active layer may be selected from the group consisting of InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs. It may include at least one.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package 100 according to the embodiment, power is connected to the first bonding unit 121 through the first conductive layer 321 , and the second bonding unit through the second conductive layer 322 . Power may be connected to 122 .

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . And, the light emitted from the light emitting device 120 can be provided in an upper direction of the package body 110 .

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a sub-mount or a circuit board.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. In this case, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the light emitting device and the lead frame provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical bonding may be weakened.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 및 제2 본딩부는 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first and second bonding portions of the light emitting device according to the embodiment are formed through the first and second conductive layers disposed on the first and second frames. Driving power may be provided. In addition, the melting points of the first and second conductive layers disposed on the first and second frames may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main board or the like through a reflow process, a re-melting phenomenon does not occur, so electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. There is no advantage.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, there is no need to expose the package body 110 to high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being damaged or discolored by exposure to high temperature.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the body 113 can be widened. According to an embodiment, the body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic, but also a relatively inexpensive resin material.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 includes at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. can do.

그러면, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기로 한다.Then, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In describing a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings, descriptions of matters overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 4 may be omitted.

먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110)가 제공될 수 있다.First, according to the method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 5A and 5B , a package body 110 may be provided.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 패키지 몸체가 제공된 상태를 설명하는 평면도 및 단면도이다. 5A and 5B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a state in which a package body is provided by a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.5A and 5B , the package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The package body 110 may include a body 113 . The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 .

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111 . Also, the body 113 may be disposed on the second frame 112 .

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by the inclined surface of the body 113 .

예로서, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)를 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다.For example, the first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other on the body 113 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other with the body 113 interposed therebetween.

상기 몸체(113)는 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The body 113 may include an opening TH1. The opening TH1 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The opening TH1 may be provided through the body 113 . The opening TH1 may be provided through the upper and lower surfaces of the body 113 in the first direction.

예로서, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역에 배치될 수 있다.For example, the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . When viewed from the upper direction of the light emitting device 120 , the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . The opening TH1 may be disposed in a central region of the body 113 .

다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 몸체(110) 위에 발광소자(120)가 제공될 수 있다.Next, according to the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the light emitting device 120 may be provided on the package body 110 as shown in FIGS. 6A and 6B .

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 발광소자가 제공된 상태를 설명하는 평면도 및 단면도이다.6A and 6B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a state in which a light emitting device is provided by a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the light emitting device 120 may include a first bonding unit 121 , a second bonding unit 122 , a light emitting structure 123 , and a substrate 124 .

상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . The light emitting device 120 may be disposed on the body 113 . The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed on the second frame 112 .

예로서, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 제1 및 제2 도전층(321, 322)에 의하여 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 위에 고정될 수 있다.For example, the first and second bonding portions 121 and 122 may be fixed on the first and second frames 111 and 112 by the first and second conductive layers 321 and 322 .

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111) 위에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided on the first frame 111 . The first conductive layer 321 may be disposed under the first bonding part 121 .

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제1 프레임(111)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding part 121 . The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding part 121 . The first conductive layer 321 may provide a function of fixing the first bonding part 121 and the first frame 111 .

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be provided on the second frame 112 . The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding part 122 .

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)과 상기 제2 프레임(112)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding part 122 . The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding part 122 . The second conductive layer 322 may provide a function of fixing the second bonding part 122 and the second frame 112 .

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, or the like or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of securing a conductive function may be used as the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 .

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함하는 그룹 중에서 적어도 하나가 선택될 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may be at least one selected from the group consisting of solder paste, silver paste, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 접착제로 지칭될 수도 있다. 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)에 고정시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be referred to as a conductive adhesive. The first and second conductive layers 321 and 322 may fix the first and second bonding portions 121 and 122 to the first and second frames 111 and 112 . In addition, the first and second conductive layers 321 and 322 may electrically connect the first and second bonding portions 121 and 122 and the first and second frames 111 and 112 .

실시 에에 의하면, 상기 발광소자(120)가 상기 개구부(TH1) 위에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 상기 몸체(113)의 하면에서 상면을 향하는 방향으로 상기 발광 구조물(123)의 하면과 중첩되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the light emitting device 120 may be disposed on the opening TH1. The opening TH1 may be disposed between the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 when viewed from the upper direction of the light emitting device 120 . The opening TH1 may be disposed to overlap the lower surface of the light emitting structure 123 in a direction from the lower surface to the upper surface of the body 113 .

예로서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)에 대한 경화 공정이 수행될 수 있다. 경화 공정에 의하여 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 위에 안정적으로 고정될 수 있다.For example, a curing process may be performed on the first and second conductive layers 321 and 322 . The first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 may be stably fixed on the first and second frames 111 and 112 by a curing process.

다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)에 방열부재(130)가 제공될 수 있다.Next, according to the method for manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, as shown in FIGS. 7A and 7B , the heat dissipation member 130 may be provided in the opening TH1 .

상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may be disposed between the package body 110 and the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the package body 110 and the lower surface of the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 방열부재는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)의 하면은 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 하면들과 동일 평면에 배치될 수 있다. The heat dissipation member may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . Also, a lower surface of the body 113 may be disposed on the same plane as lower surfaces of the first and second frames 111 and 112 .

상기 방열부재(130)의 상면은 상기 발광소자(120)와 접촉하며 제1 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 상기 제1 방향은 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 몸체(113)의 하면으로 향하는 방향으로 정의될 수 있다.An upper surface of the heat dissipation member 130 may be in contact with the light emitting device 120 and may be disposed to extend in a first direction. The first direction may be defined as a direction from the upper surface of the light emitting device 120 toward the lower surface of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is the second from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the heat dissipation member 130 . 2 may be provided equal to or greater than the distance.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be disposed in the opening TH1. The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding unit 121 and a side surface of the second bonding unit 122 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.The first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 접촉될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be in contact with a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the first side surface of the first bonding unit 121 and the third side surface of the second bonding unit 122 .

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다.In addition, the heat dissipation member 130 may be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the second frame 112 . The heat dissipation member 130 may be provided surrounded by the body 113 .

상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113 , for example. In addition, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다. According to the embodiment, as described above, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is, from the upper surface of the light emitting element 120 to the heat dissipation member ( 130) may be provided equal to or greater than the second distance to the lower surface.

예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)의 하면으로부터 상부 방향으로 일정거리 이격되어 배치될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 상부 영역에는 상기 방열부재(130)가 채워진 형태로 제공되고 상기 개구부(TH1)의 하부 영역은 상기 방열부재(130)가 채워지지 않은 빈 공간으로 제공될 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may be disposed to be spaced apart from the lower surface of the opening TH1 by a certain distance in the upper direction. The heat dissipation member 130 may be filled in the upper area of the opening TH1 and the lower area of the opening TH1 may be provided as an empty space in which the heat dissipation member 130 is not filled.

예로서, 상기 방열부재(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 방열부재(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 Al2O3, AlN 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 물질을 포함할 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. Also, as an example, when the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may include white silicone. Also, the heat dissipation member 130 may include a material selected from the group consisting of Al 2 O 3 , AlN, and the like having good thermal conductivity.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시킬 뿐만 아니라, 상기 발광소자(120)에서 생성되는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정될 수 있게 되며, 효과적으로 열 방출이 수행될 수 있으므로 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다.According to an embodiment, when the heat dissipation member 130 includes a material having good thermal conductivity, not only the light emitting device 120 is stably fixed to the package body 110 , but also in the light emitting device 120 . The generated heat can be effectively dissipated. Accordingly, the light emitting device 120 can be stably fixed to the package body 110 , and since heat emission can be effectively performed, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 can be improved.

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 반사물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)의 하면으로 방출되는 광에 대해, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 방열부재(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. In addition, the heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 120 , and when a reflective material is included, the light emitted to the lower surface of the light emitting device 120 . In contrast, a light diffusion function may be provided between the light emitting device 120 and the body 113 . When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120 , the heat dissipation member 130 provides a light diffusion function, thereby improving the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 . .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 방열부재(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may reflect the light emitted from the light emitting device 120 . When the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may be made of a material including TiO 2 , Silicone, or the like.

예로서, 상기 방열부재(130)에 대한 경화 공정이 수행될 수 있다. 상기 경화 공정에 의하여 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 방열부재(130)가 안정적으로 고정될 수 있게 된다.For example, a curing process for the heat dissipation member 130 may be performed. The heat dissipation member 130 can be stably fixed between the light emitting device 120 and the package body 110 by the curing process.

그리고, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 몰딩부재가 형성될 수 있다. And, according to the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, as shown in FIGS. 8A and 8B , a molding member may be formed.

도 8a 및 도 8b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 몰딩부재가 제공된 상태를 설명하는 평면도 및 단면도이다.8A and 8B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a state in which a molding member is provided by the method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 몰딩부재는 수지부(135)와 몰딩부(140) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서는 몰딩부재가 상기 수지부(135)와 상기 몰딩부(140)를 모두 포함하는 경우를 기준으로 설명한다.1 to 4 , the molding member according to the embodiment may include at least one of the resin part 135 and the molding part 140 . Herein, a case in which the molding member includes both the resin part 135 and the molding part 140 will be described.

실시 예에 의하면, 상기 수지부(135)는, 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.According to an embodiment, the resin part 135 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be provided on the bottom surface of the cavity C provided in the package body 110 .

예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 반사성 수지부로 지칭될 수도 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.For example, the resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 . The resin part 135 may be referred to as a reflective resin part. Also, the resin part 135 may be referred to as a reflective molding member.

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The resin part 135 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121 . Also, the resin part 135 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122 . The resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123 .

예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the resin part 135 may be a reflective part that reflects the light emitted from the light emitting device 120 , for example, may be a resin including a reflective material such as TiO 2 , or may be made of white silicone. may include

상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 본딩부(121)의 아래 영역과 상기 제2 본딩부(122)의 아래 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The resin part 135 may seal the periphery of the first bonding part 121 and the second bonding part 122 . In the resin part 135 , the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are outside the area below the first bonding unit 121 and the area below the second bonding unit 122 . It can be prevented from diffusing and moving in the direction of the light emitting device 120 .

상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 diffuse and move toward the outer surface of the light emitting device 120 , the first and second conductive layers 321 and 322 are formed between the active layer of the light emitting device 120 and It may come into contact with it and cause a defect due to a short circuit. Accordingly, when the resin part 135 is disposed, it is possible to prevent a short circuit between the first and second conductive layers 321 and 322 and the active layer, thereby improving the reliability of the light emitting device package according to the embodiment.

또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the resin part 135 includes a material having a reflective characteristic, such as white silicon, the resin part 135 transmits the light provided from the light emitting device 120 in the upper direction of the package body 110 . It is possible to improve the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 by reflecting it.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 상기 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include the molding unit 140 .

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120 . The molding unit 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110 .

상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The molding part 140 may include an insulating material. In addition, the molding unit 140 may include a wavelength conversion unit that receives the light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light. For example, the molding unit 140 may include at least one selected from the group consisting of a phosphor, a quantum dot, and the like.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 둘레에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 파장변환 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.The molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . For example, the molding unit 140 may be referred to as a wavelength conversion molding member.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.Also, according to an embodiment, the molding part 140 may be disposed on the resin part 135 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.According to an embodiment, as described above, the first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. . The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면 및 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면은 상기 방열부재(130)와 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(121)의 제2 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제4 측면은 상기 몰딩부재(135, 140)와 접촉되어 배치될 수 있다.For example, a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the heat dissipation member 130 . In addition, the second side surface of the first bonding unit 121 and the fourth side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the molding members 135 and 140 .

한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 몰딩부(140)가 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 직접 접촉되도록 배치될 수도 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)가 별도로 제공되지 않고, 상기 수지부(135)가 상기 발광소자(120)의 둘레 및 상부에 모두 제공될 수도 있다.Meanwhile, as described above, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the molding part 140 is formed by the first frame 111 . ) and the second frame 112 may be disposed to be in direct contact. In addition, the molding part 140 may not be provided separately, but the resin part 135 may be provided both around and above the light emitting device 120 .

이와 같이, 실시 예에 다른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 방열부재(130)와 상기 몰딩부재(135, 140)에 의하여, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 주위가 안정적으로 밀봉될 수 있게 된다.As described above, according to the light emitting device package manufacturing method according to another embodiment, the circumference of the first and second bonding parts 121 and 122 is stable by the heat dissipation member 130 and the molding members 135 and 140 . can be sealed with

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에서 측면 방향으로 확산되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)의 단락에 의한 불량이 방지되어 발광소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.Therefore, according to the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the diffusion of the first and second conductive layers 321 and 322 from the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122 in the lateral direction is can be prevented, and defects due to a short circuit of the light emitting device 120 can be prevented, so that the reliability of the light emitting device package can be improved.

한편, 이상의 설명에서는, 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이 상기 방열부재(130)가 먼저 형성되고, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이 상기 몰딩부재(135, 140)가 형성되는 경우를 기준으로 설명되었다.Meanwhile, in the above description, as shown in FIGS. 7A and 7B , the heat dissipation member 130 is first formed, and as shown in FIGS. 8A and 8B , the molding members 135 and 140 are formed. described as a basis.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 다른 예에 의하면, 상기 몰딩부재(135, 140)가 먼저 형성되고, 상기 방열부재(130)가 뒤에 형성될 수도 있다.However, according to another example of the method for manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, the molding members 135 and 140 may be formed first, and the heat dissipation member 130 may be formed later.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 또 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 형성되지 않고, 상기 패키지 몸체(110)의 캐비티 내에 상기 몰딩부(140)만 형성될 수도 있다.In addition, according to another example of the method for manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, the resin part 135 may not be formed, but only the molding part 140 may be formed in the cavity of the package body 110 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package 100 according to the embodiment, power is connected to the first bonding unit 121 through the first conductive layer 321 , and the second bonding unit through the second conductive layer 322 . Power may be connected to 122 .

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . In addition, the light emitted from the light emitting device 120 can be provided in an upper direction of the package body 110 .

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting device package 100 according to the embodiment described above may be supplied by being mounted on a sub-mount or a circuit board.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있고 이에 따라 상기 발광소자의 위치가 변할 수 있어, 상기 발광소자 패키지의 광학적, 전기적 특성 및 신뢰성이 저하될 수 있다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. In this case, in the reflow process, a re-melting phenomenon may occur in the bonding region between the frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling may be weakened, and thus the position of the light emitting device may change, and optical and electrical characteristics and reliability of the light emitting device package may be deteriorated.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 본딩부와 제2 본딩부는 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first bonding part and the second bonding part of the light emitting device according to the embodiment are first and second conductive layers disposed on the first and second frames. The driving power may be provided through In addition, the melting points of the first and second conductive layers disposed on the first and second frames may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main board or the like through a reflow process, a re-melting phenomenon does not occur, so electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. There is no advantage.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, there is no need to expose the package body 110 to high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being damaged or discolored by exposure to high temperature.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the body 113 can be widened. According to an embodiment, the body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic, but also a relatively inexpensive resin material.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 includes at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. can do.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 may be provided to be less than 10% based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is the sum of the areas of the substrate 124 in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device to increase light extraction efficiency. It may be set to 10% or less based on the upper surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is based on the top surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. may be set to 0.7% or more.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 면적은 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)의 면적은 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. For example, the area of the first bonding part 121 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 . In addition, the area of the second bonding part 122 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 .

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성 및 방열특성이 좋은 상기 방열부재(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 방열부재(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is provided to be small, the amount of light transmitted through the lower surface of the light emitting device 120 may be increased. In addition, the heat dissipation member 130 having good reflection characteristics and heat dissipation characteristics may be provided under the light emitting device 120 . Accordingly, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the heat dissipation member 130 to be effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, and light extraction efficiency can be improved.

다음으로, 도 9를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9 .

도 9를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 첨부된 도면을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 9 , descriptions of matters overlapping with those described above with reference to the accompanying drawings may be omitted.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 9에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120 as shown in FIG. 9 .

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The package body 110 may include a body 113 . The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The body 113 may function as a kind of electrode separation line.

예로서, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)를 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다.For example, the first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other on the body 113 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other with the body 113 interposed therebetween.

상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first frame 111 and the second frame 112 may be provided as conductive frames. The first frame 111 and the second frame 112 may stably provide structural strength of the package body 110 and may be electrically connected to the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 제공될 수 있다. According to an embodiment, the body 113 may include an opening TH1. The opening TH1 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The opening TH1 may be provided under the light emitting device 120 .

또한, 실시 예에 의하면 상기 제1 프레임(111)의 상면과 상기 제2 프레임(112)의 상면에 단차진 계단 형상이 제공될 수 있다. 예로서, 상기 몸체(113)의 상면은 평탄한 형상으로 제공되고, 상기 제1 프레임(111)의 상면은 높이의 차이가 있는 단차진 계단 형상으로 제공되고, 상기 제2 프레임(112)의 상면은 높이의 차이가 있는 단차진 계단 형상으로 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment, a stepped step shape may be provided on the upper surface of the first frame 111 and the upper surface of the second frame 112 . For example, the upper surface of the body 113 is provided in a flat shape, the upper surface of the first frame 111 is provided in a stepped step shape with a difference in height, and the upper surface of the second frame 112 is It may be provided in a stepped step shape having a difference in height.

실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)의 평탄한 상면, 상기 제1 프레임(111)의 단차진 계단 형상의 상면, 상기 제2 프레임(112)의 단차진 계단 형상의 상면에 의하여 상기 패키지 몸체(110)의 상면에서 하면으로 오목한 리세스 구조가 제공될 수 있다.According to an embodiment, the package body 110 by the flat upper surface of the body 113 , the stepped step-shaped upper surface of the first frame 111 , and the stepped step-shaped upper surface of the second frame 112 . ) may be provided with a recessed structure concave from the upper surface to the lower surface.

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the light emitting device 120 may include a first bonding unit 121 , a second bonding unit 122 , a light emitting structure 123 , and a substrate 124 .

상기 발광소자(120)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 9 , the light emitting device 120 may include the light emitting structure 123 disposed under the substrate 124 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the package body 110 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on a lower surface of the light emitting device 120 . The second bonding part 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed to be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed on the second frame 112 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112 .

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322 . The first conductive layer 321 may be disposed to be spaced apart from the second conductive layer 322 .

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111) 위에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided on the first frame 111 . The first conductive layer 321 may be disposed under the first bonding part 121 .

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제1 프레임(111)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding part 121 . The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding part 121 . The first conductive layer 321 may provide a function of fixing the first bonding part 121 and the first frame 111 .

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be provided on the second frame 112 . The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding part 122 .

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)과 상기 제2 프레임(112)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding part 122 . The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding part 122 . The second conductive layer 322 may provide a function of fixing the second bonding part 122 and the second frame 112 .

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, or the like or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of securing a conductive function may be used as the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 .

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함하는 그룹 중에서 적어도 하나가 선택될 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may be at least one selected from the group consisting of solder paste, silver paste, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 접착제로 지칭될 수도 있다. 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)에 고정시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be referred to as a conductive adhesive. The first and second conductive layers 321 and 322 may fix the first and second bonding portions 121 and 122 to the first and second frames 111 and 112 . In addition, the first and second conductive layers 321 and 322 may electrically connect the first and second bonding portions 121 and 122 and the first and second frames 111 and 112 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 9에 도시된 바와 같이, 방열부재(130)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a heat dissipation member 130 as shown in FIG. 9 .

상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may be disposed between the package body 110 and the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the package body 110 and the lower surface of the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 방열부재(130)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치된 단차진 계단 형상의 리세스 구조에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)의 평탄면 위에 배치될 수 있다. The heat dissipation member 130 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The heat dissipation member 130 may be disposed in a recessed structure having a stepped step shape disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The heat dissipation member 130 may be disposed on a flat surface of the body 113 .

이와 같이, 실시 예에 의하면, 상기 제1 프레임(111)의 상면, 상기 몸체(113)의 상면, 상기 제2 프레임(112)의 상면에 의하여 제공되는 넓은 리세스 영역에 상기 방열부재(130)가 제공될 수 있게 되므로써, 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 방열 특성이 더욱 향상될 수 있게 된다.As described above, according to the embodiment, the heat dissipation member 130 is formed in a wide recess area provided by the upper surface of the first frame 111 , the upper surface of the body 113 , and the upper surface of the second frame 112 . By being able to provide, the heat dissipation characteristics of the light emitting device package according to the embodiment can be further improved.

또한, 상기 몸체(113)의 하면은 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 하면들과 동일 평면에 배치될 수 있다. Also, a lower surface of the body 113 may be disposed on the same plane as lower surfaces of the first and second frames 111 and 112 .

상기 방열부재(130)의 상면은 상기 발광소자(120)와 접촉하며 제1 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 상기 제1 방향은 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 몸체(113)의 하면으로 향하는 방향으로 정의될 수 있다.An upper surface of the heat dissipation member 130 may be in contact with the light emitting device 120 and may be disposed to extend in a first direction. The first direction may be defined as a direction from the upper surface of the light emitting device 120 toward the lower surface of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is the second from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the heat dissipation member 130 . 2 may be provided equal to or greater than the distance.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 9에 도시된 바와 같이, 개구부(TH1)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an opening TH1 as shown in FIG. 9 .

상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The opening TH1 may be provided in the body 113 . The opening TH1 may be provided through the body 113 . The opening TH1 may be provided through the upper and lower surfaces of the body 113 in the first direction. The opening TH1 may be disposed under the light emitting device 120 . The opening TH1 may be provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

예로서, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역에 배치될 수 있다.For example, the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . When viewed from the upper direction of the light emitting device 120 , the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . The opening TH1 may be disposed in a central region of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be disposed in the opening TH1. The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding unit 121 and a side surface of the second bonding unit 122 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.The first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 접촉될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be in contact with a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the first side surface of the first bonding unit 121 and the third side surface of the second bonding unit 122 .

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다.In addition, the heat dissipation member 130 may be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the second frame 112 . The heat dissipation member 130 may be provided surrounded by the body 113 .

상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113 , for example. In addition, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다. According to the embodiment, as described above, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is, from the upper surface of the light emitting element 120 to the heat dissipation member ( 130) may be provided equal to or greater than the second distance to the lower surface.

예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)의 하면으로부터 상부 방향으로 일정거리 이격되어 배치될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 상부 영역에는 상기 방열부재(130)가 채워진 형태로 제공되고 상기 개구부(TH1)의 하부 영역은 상기 방열부재(130)가 채워지지 않은 빈 공간으로 제공될 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may be disposed to be spaced apart from the lower surface of the opening TH1 by a certain distance in the upper direction. The heat dissipation member 130 may be filled in the upper area of the opening TH1 and the lower area of the opening TH1 may be provided as an empty space in which the heat dissipation member 130 is not filled.

예로서, 상기 방열부재(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 방열부재(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 Al2O3, AlN 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 물질을 포함할 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. Also, as an example, when the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may include white silicone. Also, the heat dissipation member 130 may include a material selected from the group consisting of Al 2 O 3 , AlN, and the like having good thermal conductivity.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시킬 뿐만 아니라, 상기 발광소자(120)에서 생성되는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정될 수 있게 되며, 효과적으로 열 방출이 수행될 수 있으므로 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다.According to an embodiment, when the heat dissipation member 130 includes a material having good thermal conductivity, not only the light emitting device 120 is stably fixed to the package body 110 , but also in the light emitting device 120 . The generated heat can be effectively dissipated. Accordingly, the light emitting device 120 can be stably fixed to the package body 110 , and since heat emission can be effectively performed, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 can be improved.

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 반사물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)의 하면으로 방출되는 광에 대해, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 방열부재(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. In addition, the heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 120 , and when a reflective material is included, the light emitted to the lower surface of the light emitting device 120 . In contrast, a light diffusion function may be provided between the light emitting device 120 and the body 113 . When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120 , the heat dissipation member 130 provides a light diffusion function, thereby improving the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 . .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 방열부재(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may reflect the light emitted from the light emitting device 120 . When the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may be made of a material including TiO 2 , Silicone, or the like.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 may be provided to be less than 10% based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is the sum of the areas of the substrate 124 in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device to increase light extraction efficiency. It may be set to 10% or less based on the upper surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is based on the top surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. may be set to 0.7% or more.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 면적은, 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)의 면적은, 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. For example, as described with reference to FIG. 4 , the area of the first bonding part 121 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 . Also, as described with reference to FIG. 4 , the area of the second bonding part 122 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 .

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성 및 방열특성이 좋은 상기 방열부재(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 방열부재(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is provided to be small, the amount of light transmitted through the lower surface of the light emitting device 120 may be increased. In addition, the heat dissipation member 130 having good reflection characteristics and heat dissipation characteristics may be provided under the light emitting device 120 . Accordingly, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the heat dissipation member 130 to be effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, and light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 9에 도시된 바와 몰딩부재를 포함할 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 몰딩부재는 수지부(135)와 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a molding member as shown in FIG. 9 . For example, the molding member according to the embodiment may include a resin part 135 and a molding part 140 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The resin part 135 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be provided on the bottom surface of the cavity C provided in the package body 110 .

예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 반사성 수지부로 지칭될 수도 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.For example, the resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 . The resin part 135 may be referred to as a reflective resin part. Also, the resin part 135 may be referred to as a reflective molding member.

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The resin part 135 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121 . Also, the resin part 135 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122 . The resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123 .

예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the resin part 135 may be a reflective part that reflects the light emitted from the light emitting device 120 , for example, may be a resin including a reflective material such as TiO 2 , or may be made of white silicone. may include

상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 본딩부(121)의 아래 영역과 상기 제2 본딩부(122)의 아래 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The resin part 135 may seal the periphery of the first bonding part 121 and the second bonding part 122 . In the resin part 135 , the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are outside the area below the first bonding unit 121 and the area below the second bonding unit 122 . It can be prevented from diffusing and moving in the direction of the light emitting device 120 .

상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 diffuse and move toward the outer surface of the light emitting device 120 , the first and second conductive layers 321 and 322 are formed between the active layer of the light emitting device 120 and It may come into contact with it and cause a defect due to a short circuit. Accordingly, when the resin part 135 is disposed, it is possible to prevent a short circuit between the first and second conductive layers 321 and 322 and the active layer, thereby improving the reliability of the light emitting device package according to the embodiment.

또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the resin part 135 includes a material having a reflective characteristic, such as white silicon, the resin part 135 transmits the light provided from the light emitting device 120 in the upper direction of the package body 110 . It is possible to improve the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 by reflecting it.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the molding unit 140 as shown in FIG. 9 .

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120 . The molding unit 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110 .

상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The molding part 140 may include an insulating material. In addition, the molding unit 140 may include a wavelength conversion unit that receives the light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light. For example, the molding unit 140 may include at least one selected from the group consisting of a phosphor, a quantum dot, and the like.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 둘레에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 파장변환 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.The molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . For example, the molding unit 140 may be referred to as a wavelength conversion molding member.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.Also, according to an embodiment, the molding part 140 may be disposed on the resin part 135 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.According to an embodiment, as described above, the first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. . The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면 및 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면은 상기 방열부재(130)와 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(121)의 제2 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제4 측면은 상기 몰딩부재(135, 140)와 접촉되어 배치될 수 있다.For example, a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the heat dissipation member 130 . In addition, the second side surface of the first bonding unit 121 and the fourth side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the molding members 135 and 140 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package according to the embodiment, power is connected to the first bonding unit 121 through the first conductive layer 321 , and the second bonding unit 122 through the second conductive layer 322 . may be connected to power.

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . In addition, the light emitted from the light emitting device 120 can be provided in an upper direction of the package body 110 .

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting device package according to the above-described embodiment may be supplied by being mounted on a sub-mount or a circuit board.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. In this case, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the light emitting device and the lead frame provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical bonding may be weakened.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 및 제2 본딩부는 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first and second bonding portions of the light emitting device according to the embodiment are formed through the first and second conductive layers disposed on the first and second frames. Driving power may be provided. In addition, the melting points of the first and second conductive layers disposed on the first and second frames may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다. Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main board or the like through a reflow process, a re-melting phenomenon does not occur, so electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. There is no advantage.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, there is no need to expose the package body 110 to high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being damaged or discolored by exposure to high temperature.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the body 113 can be widened. According to an embodiment, the body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic, but also a relatively inexpensive resin material.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 includes at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. can do.

다음으로, 도 10을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 10 .

도 10을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 10 , descriptions of matters overlapping those described with reference to FIGS. 1 to 9 may be omitted.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 10에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120 as shown in FIG. 10 .

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The package body 110 may include a body 113 . The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The body 113 may function as a kind of electrode separation line.

예로서, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)를 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다.For example, the first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other on the body 113 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other with the body 113 interposed therebetween.

실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 제공될 수 있다. According to an embodiment, the body 113 may include an opening TH1. The opening TH1 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The opening TH1 may be provided under the light emitting device 120 .

도 10에 도시된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 3을 참조하여 설명된 발광소자 패키지에 대비하여, 제1 리세스(R1)와 제2 리세스(R2)를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment shown in FIG. 10 may further include a first recess R1 and a second recess R2 compared to the light emitting device package described with reference to FIG. 3 .

상기 제1 리세스(R1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)는 상기 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The first recess R1 may be provided on an upper surface of the first frame 111 . The first recess R1 may be provided to be concave in a direction from an upper surface to a lower surface of the first frame 111 . The first recess R1 may be spaced apart from the opening TH1.

상기 제2 리세스(R2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The second recess R2 may be provided on the upper surface of the second frame 112 . The second recess R2 may be provided to be concave in a direction from an upper surface to a lower surface of the second frame 112 . The second upper recess R4 may be disposed to be spaced apart from the opening TH1 .

실시 예에 의하면, 상기 제1 리세스(R1)에 상기 제1 도전층(321)이 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 리세스(R1) 영역에 상기 제1 본딩부(121)가 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 리세스(R2)에 상기 제2 도전층(322)이 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제2 리세스(R2) 영역에 상기 제2 본딩부(122)가 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 리세스(R1, R2)는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer 321 may be provided in the first recess R1 . In addition, the first bonding part 121 may be provided in the first recess R1 region. In addition, the second conductive layer 322 may be provided in the second recess R2 . In addition, the second bonding part 122 may be provided in the second recess R2 region. The first and second recesses R1 and R2 may provide sufficient space in which the first and second conductive layers 321 and 322 may be provided.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111) 위에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided on the first frame 111 . The first conductive layer 321 may be disposed under the first bonding part 121 .

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제1 프레임(111)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding part 121 . The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding part 121 . The first conductive layer 321 may provide a function of fixing the first bonding part 121 and the first frame 111 .

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be provided on the second frame 112 . The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding part 122 .

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)과 상기 제2 프레임(112)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding part 122 . The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding part 122 . The second conductive layer 322 may provide a function of fixing the second bonding part 122 and the second frame 112 .

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, or the like or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of securing a conductive function may be used as the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 .

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함하는 그룹 중에서 적어도 하나가 선택될 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may be at least one selected from the group consisting of solder paste, silver paste, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 접착제로 지칭될 수도 있다. 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)에 고정시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be referred to as a conductive adhesive. The first and second conductive layers 321 and 322 may fix the first and second bonding portions 121 and 122 to the first and second frames 111 and 112 . In addition, the first and second conductive layers 321 and 322 may electrically connect the first and second bonding portions 121 and 122 and the first and second frames 111 and 112 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the light emitting device 120 may include a first bonding unit 121 , a second bonding unit 122 , a light emitting structure 123 , and a substrate 124 .

상기 발광소자(120)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 10 , the light emitting device 120 may include the light emitting structure 123 disposed under the substrate 124 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the package body 110 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on a lower surface of the light emitting device 120 . The second bonding part 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed to be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed on the second frame 112 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 10에 도시된 바와 같이, 방열부재(130)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a heat dissipation member 130 as shown in FIG. 10 .

상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may be disposed between the package body 110 and the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the package body 110 and the lower surface of the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 방열부재(130)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 프레임(111)의 상면, 상기 몸체(113)의 상면, 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다.The heat dissipation member 130 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be provided on the upper surface of the first frame 111 , the upper surface of the body 113 , and the upper surface of the second frame 112 .

또한, 상기 몸체(113)의 하면은 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 하면들과 동일 평면에 배치될 수 있다. Also, a lower surface of the body 113 may be disposed on the same plane as lower surfaces of the first and second frames 111 and 112 .

상기 방열부재(130)의 상면은 상기 발광소자(120)와 접촉하며 제1 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 상기 제1 방향은 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 몸체(113)의 하면으로 향하는 방향으로 정의될 수 있다.An upper surface of the heat dissipation member 130 may be in contact with the light emitting device 120 and may be disposed to extend in a first direction. The first direction may be defined as a direction from the upper surface of the light emitting device 120 toward the lower surface of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is the second from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the heat dissipation member 130 . 2 may be provided equal to or greater than the distance.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the opening TH1 as shown in FIG. 10 .

상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The opening TH1 may be provided in the body 113 . The opening TH1 may be provided through the body 113 . The opening TH1 may be provided through the upper and lower surfaces of the body 113 in the first direction. The opening TH1 may be disposed under the light emitting device 120 . The opening TH1 may be provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

예로서, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역에 배치될 수 있다.For example, the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . When viewed from the upper direction of the light emitting device 120 , the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . The opening TH1 may be disposed in a central region of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be disposed in the opening TH1. The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding unit 121 and a side surface of the second bonding unit 122 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.The first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 접촉될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be in contact with a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the first side surface of the first bonding unit 121 and the third side surface of the second bonding unit 122 .

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다.In addition, the heat dissipation member 130 may be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the second frame 112 . The heat dissipation member 130 may be provided surrounded by the body 113 .

상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113 , for example. In addition, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다. According to the embodiment, as described above, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is, from the upper surface of the light emitting element 120 to the heat dissipation member ( 130) may be provided equal to or greater than the second distance to the lower surface.

예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)의 하면으로부터 상부 방향으로 일정거리 이격되어 배치될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 상부 영역에는 상기 방열부재(130)가 채워진 형태로 제공되고 상기 개구부(TH1)의 하부 영역은 상기 방열부재(130)가 채워지지 않은 빈 공간으로 제공될 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may be disposed to be spaced apart from the lower surface of the opening TH1 by a certain distance in the upper direction. The heat dissipation member 130 may be filled in the upper area of the opening TH1 and the lower area of the opening TH1 may be provided as an empty space in which the heat dissipation member 130 is not filled.

예로서, 상기 방열부재(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 방열부재(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 Al2O3, AlN 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 물질을 포함할 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. Also, as an example, when the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may include white silicone. Also, the heat dissipation member 130 may include a material selected from the group consisting of Al 2 O 3 , AlN, and the like having good thermal conductivity.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시킬 뿐만 아니라, 상기 발광소자(120)에서 생성되는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정될 수 있게 되며, 효과적으로 열 방출이 수행될 수 있으므로 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다.According to an embodiment, when the heat dissipation member 130 includes a material having good thermal conductivity, not only the light emitting device 120 is stably fixed to the package body 110 , but also in the light emitting device 120 . The generated heat can be effectively dissipated. Accordingly, the light emitting device 120 can be stably fixed to the package body 110 , and heat emission can be performed effectively, so that the light extraction efficiency of the light emitting device 120 can be improved.

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 반사물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)의 하면으로 방출되는 광에 대해, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 방열부재(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. In addition, the heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 120 , and when a reflective material is included, the light emitted to the lower surface of the light emitting device 120 . In contrast, a light diffusion function may be provided between the light emitting device 120 and the body 113 . When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120 , the heat dissipating member 130 provides a light diffusion function, thereby improving light extraction efficiency of the light emitting device package.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 방열부재(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may reflect the light emitted from the light emitting device 120 . When the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may be made of a material including TiO 2 , Silicone, or the like.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 may be provided to be less than 10% based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is the sum of the areas of the substrate 124 in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device to increase light extraction efficiency. It may be set to 10% or less based on the upper surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is based on the top surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. may be set to 0.7% or more.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 면적은, 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)의 면적은, 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. For example, as described with reference to FIG. 4 , the area of the first bonding part 121 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 . Also, as described with reference to FIG. 4 , the area of the second bonding part 122 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 .

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성 및 방열특성이 좋은 상기 방열부재(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 방열부재(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is provided to be small, the amount of light transmitted through the lower surface of the light emitting device 120 may be increased. In addition, the heat dissipation member 130 having good reflection characteristics and heat dissipation characteristics may be provided under the light emitting device 120 . Accordingly, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the heat dissipation member 130 to be effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, and light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 10에 도시된 바와 몰딩부재를 포함할 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 몰딩부재는 수지부(135)와 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding member as shown in FIG. 10 . For example, the molding member according to the embodiment may include a resin part 135 and a molding part 140 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The resin part 135 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be provided on the bottom surface of the cavity C provided in the package body 110 .

예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 반사성 수지부로 지칭될 수도 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.For example, the resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 . The resin part 135 may be referred to as a reflective resin part. Also, the resin part 135 may be referred to as a reflective molding member.

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The resin part 135 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121 . Also, the resin part 135 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122 . The resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123 .

예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the resin part 135 may be a reflective part that reflects the light emitted from the light emitting device 120 , for example, may be a resin including a reflective material such as TiO 2 , or may be made of white silicone. may include

상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 본딩부(121)의 아래 영역과 상기 제2 본딩부(122)의 아래 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The resin part 135 may seal the periphery of the first bonding part 121 and the second bonding part 122 . In the resin part 135 , the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are outside the area below the first bonding unit 121 and the area below the second bonding unit 122 . It can be prevented from diffusing and moving in the direction of the light emitting device 120 .

상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 diffuse and move toward the outer surface of the light emitting device 120 , the first and second conductive layers 321 and 322 are formed between the active layer of the light emitting device 120 and It may come into contact with it and cause a defect due to a short circuit. Accordingly, when the resin part 135 is disposed, it is possible to prevent a short circuit between the first and second conductive layers 321 and 322 and the active layer, thereby improving the reliability of the light emitting device package according to the embodiment.

또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the resin part 135 includes a material having a reflective characteristic, such as white silicon, the resin part 135 transmits the light provided from the light emitting device 120 in the upper direction of the package body 110 . It is possible to improve the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 by reflecting it.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the molding unit 140 as shown in FIG. 10 .

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120 . The molding unit 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110 .

상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The molding part 140 may include an insulating material. In addition, the molding unit 140 may include a wavelength conversion unit that receives the light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light. For example, the molding unit 140 may include at least one selected from the group consisting of a phosphor, a quantum dot, and the like.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 둘레에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 파장변환 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.The molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . For example, the molding unit 140 may be referred to as a wavelength conversion molding member.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.Also, according to an embodiment, the molding part 140 may be disposed on the resin part 135 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.According to an embodiment, as described above, the first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. . The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면 및 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면은 상기 방열부재(130)와 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(121)의 제2 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제4 측면은 상기 몰딩부재(135, 140)와 접촉되어 배치될 수 있다.For example, a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the heat dissipation member 130 . In addition, the second side surface of the first bonding unit 121 and the fourth side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the molding members 135 and 140 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package according to the embodiment, power is connected to the first bonding unit 121 through the first conductive layer 321 , and the second bonding unit 122 through the second conductive layer 322 . may be connected to power.

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . In addition, the light emitted from the light emitting device 120 can be provided in an upper direction of the package body 110 .

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting device package according to the above-described embodiment may be supplied by being mounted on a sub-mount or a circuit board.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. In this case, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the light emitting device and the lead frame provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical bonding may be weakened.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 및 제2 본딩부는 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first and second bonding portions of the light emitting device according to the embodiment are formed through the first and second conductive layers disposed on the first and second frames. Driving power may be provided. In addition, the melting points of the first and second conductive layers disposed on the first and second frames may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다. Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main board or the like through a reflow process, a re-melting phenomenon does not occur, so electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. There is no advantage.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the package body 110 does not need to be exposed to high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being damaged or discolored by exposure to high temperature.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the body 113 can be widened. According to an embodiment, the body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic, but also a relatively inexpensive resin material.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 includes at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. can do.

다음으로, 도 11을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 11 .

도 11을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 11 , descriptions of matters overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 10 may be omitted.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 11에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120 as shown in FIG. 11 .

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The package body 110 may include a body 113 . The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The body 113 may function as a kind of electrode separation line.

예로서, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)를 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다.For example, the first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other on the body 113 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other with the body 113 interposed therebetween.

실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 제공될 수 있다. According to an embodiment, the body 113 may include an opening TH1. The opening TH1 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The opening TH1 may be provided under the light emitting device 120 .

도 11에 도시된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 9를 참조하여 설명된 발광소자 패키지에 대비하여, 제1 리세스(R1)와 제2 리세스(R2)를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment shown in FIG. 11 may further include a first recess R1 and a second recess R2 compared to the light emitting device package described with reference to FIG. 9 .

상기 제1 리세스(R1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R1)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The first recess R1 may be provided on an upper surface of the first frame 111 . The first recess R1 may be provided to be concave in a direction from an upper surface to a lower surface of the first frame 111 . The first recess R1 may be disposed to be spaced apart from the recess R.

상기 제2 리세스(R2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 리세스(R)로부터 이격되어 배치될 수 있다.The second recess R2 may be provided on the upper surface of the second frame 112 . The second recess R2 may be provided to be concave in a direction from an upper surface to a lower surface of the second frame 112 . The second upper recess R4 may be disposed to be spaced apart from the recess R.

상기 제2 리세스(R2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The second recess R2 may be provided on the upper surface of the second frame 112 . The second recess R2 may be provided to be concave in a direction from an upper surface to a lower surface of the second frame 112 . The second upper recess R4 may be disposed to be spaced apart from the opening TH1 .

실시 예에 의하면, 상기 제1 리세스(R1)에 상기 제1 도전층(321)이 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제1 리세스(R1) 영역에 상기 제1 본딩부(121)가 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 리세스(R2)에 상기 제2 도전층(322)이 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제2 리세스(R2) 영역에 상기 제2 본딩부(122)가 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 리세스(R1, R2)는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer 321 may be provided in the first recess R1 . In addition, the first bonding part 121 may be provided in the first recess R1 region. In addition, the second conductive layer 322 may be provided in the second recess R2 . In addition, the second bonding part 122 may be provided in the second recess R2 region. The first and second recesses R1 and R2 may provide sufficient space in which the first and second conductive layers 321 and 322 may be provided.

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111) 위에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided on the first frame 111 . The first conductive layer 321 may be disposed under the first bonding part 121 .

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제1 프레임(111)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding part 121 . The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding part 121 . The first conductive layer 321 may provide a function of fixing the first bonding part 121 and the first frame 111 .

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be provided on the second frame 112 . The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding part 122 .

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)과 상기 제2 프레임(112)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding part 122 . The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding part 122 . The second conductive layer 322 may provide a function of fixing the second bonding part 122 and the second frame 112 .

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, or the like or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of securing a conductive function may be used as the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 .

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함하는 그룹 중에서 적어도 하나가 선택될 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may be at least one selected from the group consisting of solder paste, silver paste, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 접착제로 지칭될 수도 있다. 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)에 고정시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be referred to as a conductive adhesive. The first and second conductive layers 321 and 322 may fix the first and second bonding portions 121 and 122 to the first and second frames 111 and 112 . In addition, the first and second conductive layers 321 and 322 may electrically connect the first and second bonding portions 121 and 122 and the first and second frames 111 and 112 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the light emitting device 120 may include a first bonding unit 121 , a second bonding unit 122 , a light emitting structure 123 , and a substrate 124 .

상기 발광소자(120)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 10 , the light emitting device 120 may include the light emitting structure 123 disposed under the substrate 124 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the package body 110 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on a lower surface of the light emitting device 120 . The second bonding part 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed to be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed on the second frame 112 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 11에 도시된 바와 같이, 방열부재(130)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a heat dissipation member 130 as shown in FIG. 11 .

상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may be disposed between the package body 110 and the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the package body 110 and the lower surface of the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 방열부재(130)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치된 단차진 계단 형상의 리세스 구조에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)의 평탄면 위에 배치될 수 있다. The heat dissipation member 130 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The heat dissipation member 130 may be disposed in a recessed structure having a stepped step shape disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The heat dissipation member 130 may be disposed on a flat surface of the body 113 .

이와 같이, 실시 예에 의하면, 상기 제1 프레임(111)의 상면, 상기 몸체(113)의 상면, 상기 제2 프레임(112)의 상면에 의하여 제공되는 넓은 리세스 영역에 상기 방열부재(130)가 제공될 수 있게 되므로써, 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 방열 특성이 더욱 향상될 수 있게 된다.As described above, according to the embodiment, the heat dissipation member 130 is formed in a wide recess area provided by the upper surface of the first frame 111 , the upper surface of the body 113 , and the upper surface of the second frame 112 . By being able to provide, the heat dissipation characteristics of the light emitting device package according to the embodiment can be further improved.

또한, 상기 몸체(113)의 하면은 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 하면들과 동일 평면에 배치될 수 있다. Also, a lower surface of the body 113 may be disposed on the same plane as lower surfaces of the first and second frames 111 and 112 .

상기 방열부재(130)의 상면은 상기 발광소자(120)와 접촉하며 제1 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 상기 제1 방향은 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 몸체(113)의 하면으로 향하는 방향으로 정의될 수 있다.An upper surface of the heat dissipation member 130 may be in contact with the light emitting device 120 and may be disposed to extend in a first direction. The first direction may be defined as a direction from the upper surface of the light emitting device 120 toward the lower surface of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is the second from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the heat dissipation member 130 . 2 may be provided equal to or greater than the distance.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the opening TH1 as shown in FIG. 11 .

상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The opening TH1 may be provided in the body 113 . The opening TH1 may be provided through the body 113 . The opening TH1 may be provided through the upper and lower surfaces of the body 113 in the first direction. The opening TH1 may be disposed under the light emitting device 120 . The opening TH1 may be provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

예로서, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역에 배치될 수 있다.For example, the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . When viewed from the upper direction of the light emitting device 120 , the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . The opening TH1 may be disposed in a central region of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be disposed in the opening TH1. The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding unit 121 and a side surface of the second bonding unit 122 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.The first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 접촉될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be in contact with a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the first side surface of the first bonding unit 121 and the third side surface of the second bonding unit 122 .

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다.In addition, the heat dissipation member 130 may be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the second frame 112 . The heat dissipation member 130 may be provided surrounded by the body 113 .

상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113 , for example. In addition, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다. According to the embodiment, as described above, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is, from the upper surface of the light emitting element 120 to the heat dissipation member ( 130) may be provided equal to or greater than the second distance to the lower surface.

예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)의 하면으로부터 상부 방향으로 일정거리 이격되어 배치될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 상부 영역에는 상기 방열부재(130)가 채워진 형태로 제공되고 상기 개구부(TH1)의 하부 영역은 상기 방열부재(130)가 채워지지 않은 빈 공간으로 제공될 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may be disposed to be spaced apart from the lower surface of the opening TH1 by a certain distance in the upper direction. The heat dissipation member 130 may be filled in the upper area of the opening TH1 and the lower area of the opening TH1 may be provided as an empty space in which the heat dissipation member 130 is not filled.

예로서, 상기 방열부재(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 방열부재(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 Al2O3, AlN 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 물질을 포함할 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. Also, as an example, when the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may include white silicone. Also, the heat dissipation member 130 may include a material selected from the group consisting of Al 2 O 3 , AlN, and the like having good thermal conductivity.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시킬 뿐만 아니라, 상기 발광소자(120)에서 생성되는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정될 수 있게 되며, 효과적으로 열 방출이 수행될 수 있으므로 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다.According to an embodiment, when the heat dissipation member 130 includes a material having good thermal conductivity, not only the light emitting device 120 is stably fixed to the package body 110 , but also in the light emitting device 120 . The generated heat can be effectively dissipated. Accordingly, the light emitting device 120 can be stably fixed to the package body 110 , and heat emission can be performed effectively, so that the light extraction efficiency of the light emitting device 120 can be improved.

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 반사물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)의 하면으로 방출되는 광에 대해, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 방열부재(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. In addition, the heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 120 , and when a reflective material is included, the light emitted to the lower surface of the light emitting device 120 . In contrast, a light diffusion function may be provided between the light emitting device 120 and the body 113 . When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120 , the heat dissipation member 130 provides a light diffusion function, thereby improving the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 . .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 방열부재(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may reflect the light emitted from the light emitting device 120 . When the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may be made of a material including TiO 2 , Silicone, or the like.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 may be provided to be less than 10% based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is the sum of the areas of the substrate 124 in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device to increase light extraction efficiency. It may be set to 10% or less based on the upper surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is based on the top surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. may be set to 0.7% or more.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 면적은, 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)의 면적은, 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. For example, as described with reference to FIG. 4 , the area of the first bonding part 121 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 . Also, as described with reference to FIG. 4 , the area of the second bonding part 122 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 .

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성 및 방열특성이 좋은 상기 방열부재(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 방열부재(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is provided to be small, the amount of light transmitted through the lower surface of the light emitting device 120 may be increased. In addition, the heat dissipation member 130 having good reflection characteristics and heat dissipation characteristics may be provided under the light emitting device 120 . Accordingly, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the heat dissipation member 130 to be effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, and light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 11에 도시된 바와 몰딩부재를 포함할 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 몰딩부재는 수지부(135)와 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding member as shown in FIG. 11 . For example, the molding member according to the embodiment may include a resin part 135 and a molding part 140 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The resin part 135 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be provided on the bottom surface of the cavity C provided in the package body 110 .

예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 반사성 수지부로 지칭될 수도 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.For example, the resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 . The resin part 135 may be referred to as a reflective resin part. Also, the resin part 135 may be referred to as a reflective molding member.

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The resin part 135 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121 . Also, the resin part 135 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122 . The resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123 .

예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the resin part 135 may be a reflective part that reflects the light emitted from the light emitting device 120 , for example, may be a resin including a reflective material such as TiO 2 , or may be made of white silicone. may include

상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 본딩부(121)의 아래 영역과 상기 제2 본딩부(122)의 아래 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The resin part 135 may seal the periphery of the first bonding part 121 and the second bonding part 122 . In the resin part 135 , the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are outside the area below the first bonding unit 121 and the area below the second bonding unit 122 . It can be prevented from diffusing and moving in the direction of the light emitting device 120 .

상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 diffuse and move toward the outer surface of the light emitting device 120 , the first and second conductive layers 321 and 322 are formed between the active layer of the light emitting device 120 and It may come into contact with it and cause a defect due to a short circuit. Accordingly, when the resin part 135 is disposed, it is possible to prevent a short circuit between the first and second conductive layers 321 and 322 and the active layer, thereby improving the reliability of the light emitting device package according to the embodiment.

또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the resin part 135 includes a material having a reflective characteristic, such as white silicon, the resin part 135 transmits the light provided from the light emitting device 120 in the upper direction of the package body 110 . It is possible to improve the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 by reflecting it.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the molding unit 140 as shown in FIG. 11 .

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120 . The molding unit 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110 .

상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The molding part 140 may include an insulating material. In addition, the molding unit 140 may include a wavelength conversion unit that receives the light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light. For example, the molding unit 140 may include at least one selected from the group consisting of a phosphor, a quantum dot, and the like.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 둘레에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 파장변환 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.The molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . For example, the molding unit 140 may be referred to as a wavelength conversion molding member.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.Also, according to an embodiment, the molding part 140 may be disposed on the resin part 135 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.According to an embodiment, as described above, the first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. . The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면 및 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면은 상기 방열부재(130)와 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(121)의 제2 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제4 측면은 상기 몰딩부재(135, 140)와 접촉되어 배치될 수 있다.For example, a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the heat dissipation member 130 . In addition, the second side surface of the first bonding unit 121 and the fourth side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the molding members 135 and 140 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package according to the embodiment, power is connected to the first bonding unit 121 through the first conductive layer 321 , and the second bonding unit 122 through the second conductive layer 322 . may be connected to power.

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . In addition, the light emitted from the light emitting device 120 can be provided in an upper direction of the package body 110 .

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting device package according to the above-described embodiment may be supplied by being mounted on a sub-mount or a circuit board.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. In this case, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the light emitting device and the lead frame provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical bonding may be weakened.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 및 제2 본딩부는 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first and second bonding portions of the light emitting device according to the embodiment are formed through the first and second conductive layers disposed on the first and second frames. Driving power may be provided. In addition, the melting points of the first and second conductive layers disposed on the first and second frames may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다. Therefore, even when the light emitting device package 100 according to the embodiment is bonded to the main board or the like through a reflow process, a re-melting phenomenon does not occur, so electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. There is no advantage.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, there is no need to expose the package body 110 to high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being damaged or discolored by exposure to high temperature.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the body 113 can be widened. According to an embodiment, the body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic, but also a relatively inexpensive resin material.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 includes at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. can do.

한편, 도 1 내지 도 11을 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 11 may be supplied by being mounted on a sub-mount or a circuit board.

그러면, 도 12를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 12 .

도 12에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 도 1 내지 도 11을 참조하여 설명된 발광소자 패키지가 회로기판(310)에 실장되어 공급되는 예를 나타낸 것이다. The light emitting device package 300 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 12 shows an example in which the light emitting device package described with reference to FIGS. 1 to 11 is mounted on a circuit board 310 and supplied.

도 12를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 11을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting device package 300 according to an embodiment of the present invention with reference to FIG. 12 , descriptions of matters overlapping those described with reference to FIGS. 1 to 11 may be omitted.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 12에 도시된 바와 같이, 회로기판(310), 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 300 according to the embodiment may include a circuit board 310 , a package body 110 , and a light emitting device 120 as shown in FIG. 12 .

상기 회로기판(310)은 제1 패드(311), 제2 패드(312), 지지기판(313)을 포함할 수 있다. 상기 지지기판(313)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The circuit board 310 may include a first pad 311 , a second pad 312 , and a support substrate 313 . A power supply circuit for controlling driving of the light emitting device 120 may be provided on the support substrate 313 .

상기 패키지 몸체(110)는 상기 회로기판(310) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 본딩부(121)가 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 본딩부(122)가 전기적으로 연결될 수 있다.The package body 110 may be disposed on the circuit board 310 . The first pad 311 and the first bonding part 121 may be electrically connected to each other. The second pad 312 and the second bonding part 122 may be electrically connected to each other.

상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다.The first pad 311 and the second pad 312 may include a conductive material. For example, the first pad 311 and the second pad 312 may be selected from among Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, and Al. It may include at least one selected material or an alloy thereof. The first pad 311 and the second pad 312 may be provided in a single layer or in multiple layers.

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The package body 110 may include a body 113 . The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The body 113 may function as a kind of electrode separation line. The body 113 may be referred to as an insulating member.

예로서, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)를 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다.For example, the first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other on the body 113 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other with the body 113 interposed therebetween.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111 . Also, the body 113 may be disposed on the second frame 112 .

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by the inclined surface of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to an embodiment, the package body 110 may be provided in a structure having a cavity (C) or may be provided in a structure having a flat top surface without the cavity (C).

예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide9T), silicone, epoxy molding compound (EMC), It may be formed of at least one selected from a group including a silicon molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), and sapphire (Al 2 O 3 ). Also, the body 113 may include a high refractive filler such as TiO 2 and SiO 2 .

상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first frame 111 and the second frame 112 may be provided as conductive frames. The first frame 111 and the second frame 112 may stably provide structural strength of the package body 110 and may be electrically connected to the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(113)는 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 제공될 수 있다. According to an embodiment, as shown in FIG. 12 , the body 113 may include an opening TH1. The opening TH1 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The opening TH1 may be provided under the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the light emitting device 120 may include a first bonding unit 121 , a second bonding unit 122 , a light emitting structure 123 , and a substrate 124 .

상기 발광소자(120)는, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 12 , the light emitting device 120 may include the light emitting structure 123 disposed under the substrate 124 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the package body 110 .

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. The first bonding part 121 may be electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer. In addition, the second bonding part 122 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer.

상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on the package body 110 . The light emitting device 120 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . The light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on a lower surface of the light emitting device 120 . The second bonding part 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed to be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed on the second frame 112 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112 .

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322 . The first conductive layer 321 may be disposed to be spaced apart from the second conductive layer 322 .

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111) 위에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided on the first frame 111 . The first conductive layer 321 may be disposed under the first bonding part 121 .

상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제1 프레임(111)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding part 121 . The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding part 121 . The first conductive layer 321 may provide a function of fixing the first bonding part 121 and the first frame 111 .

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be provided on the second frame 112 . The second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding part 122 .

상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)과 상기 제2 프레임(112)을 고정시키는 기능을 제공할 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding part 122 . The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding part 122 . The second conductive layer 322 may provide a function of fixing the second bonding part 122 and the second frame 112 .

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, or the like or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of securing a conductive function may be used as the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 .

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함하는 그룹 중에서 적어도 하나가 선택될 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may be at least one selected from the group consisting of solder paste, silver paste, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 접착제로 지칭될 수도 있다. 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)에 고정시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be referred to as a conductive adhesive. The first and second conductive layers 321 and 322 may fix the first and second bonding portions 121 and 122 to the first and second frames 111 and 112 . In addition, the first and second conductive layers 321 and 322 may electrically connect the first and second bonding portions 121 and 122 and the first and second frames 111 and 112 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 방열부재(130)를 포함할 수 있다. The light emitting device package according to the embodiment may include a heat dissipation member 130 .

상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may be disposed between the package body 110 and the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the package body 110 and the lower surface of the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 방열부재(130)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)의 하면은 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 하면들과 동일 평면에 배치될 수 있다. The heat dissipation member 130 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . Also, a lower surface of the body 113 may be disposed on the same plane as lower surfaces of the first and second frames 111 and 112 .

상기 방열부재(130)의 상면은 상기 발광소자(120)와 접촉하며 제1 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 상기 제1 방향은 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 몸체(113)의 하면으로 향하는 방향으로 정의될 수 있다.An upper surface of the heat dissipation member 130 may be in contact with the light emitting device 120 and may be disposed to extend in a first direction. The first direction may be defined as a direction from the upper surface of the light emitting device 120 toward the lower surface of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is the second from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the heat dissipation member 130 . 2 may be provided equal to or greater than the distance.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12에 도시된 바와 같이, 개구부(TH1)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an opening TH1 as shown in FIG. 12 .

상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The opening TH1 may be provided in the body 113 . The opening TH1 may be provided through the body 113 . The opening TH1 may be provided through the upper and lower surfaces of the body 113 in the first direction. The opening TH1 may be disposed under the light emitting device 120 . The opening TH1 may be provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

예로서, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역에 배치될 수 있다.For example, the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . When viewed from the upper direction of the light emitting device 120 , the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . The opening TH1 may be disposed in a central region of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be disposed in the opening TH1. The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding unit 121 and a side surface of the second bonding unit 122 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.The first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 접촉될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be in contact with a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the first side surface of the first bonding unit 121 and the third side surface of the second bonding unit 122 .

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다.In addition, the heat dissipation member 130 may be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the second frame 112 . The heat dissipation member 130 may be provided surrounded by the body 113 .

상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113 , for example. In addition, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다. According to the embodiment, as described above, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is, from the upper surface of the light emitting element 120 to the heat dissipation member ( 130) may be provided equal to or greater than the second distance to the lower surface.

예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)의 하면으로부터 상부 방향으로 일정거리 이격되어 배치될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 상부 영역에는 상기 방열부재(130)가 채워진 형태로 제공되고 상기 개구부(TH1)의 하부 영역은 상기 방열부재(130)가 채워지지 않은 빈 공간으로 제공될 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may be disposed to be spaced apart from the lower surface of the opening TH1 by a certain distance in the upper direction. The heat dissipation member 130 may be filled in the upper area of the opening TH1 and the lower area of the opening TH1 may be provided as an empty space in which the heat dissipation member 130 is not filled.

예로서, 상기 방열부재(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 방열부재(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 Al2O3, AlN 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 물질을 포함할 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. Also, as an example, when the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may include white silicone. Also, the heat dissipation member 130 may include a material selected from the group consisting of Al 2 O 3 , AlN, and the like having good thermal conductivity.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시킬 뿐만 아니라, 상기 발광소자(120)에서 생성되는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정될 수 있게 되며, 효과적으로 열 방출이 수행될 수 있으므로 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다.According to an embodiment, when the heat dissipation member 130 includes a material having good thermal conductivity, not only the light emitting device 120 is stably fixed to the package body 110 , but also in the light emitting device 120 . The generated heat can be effectively dissipated. Accordingly, the light emitting device 120 can be stably fixed to the package body 110 , and heat emission can be performed effectively, so that the light extraction efficiency of the light emitting device 120 can be improved.

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 반사물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)의 하면으로 방출되는 광에 대해, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 방열부재(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. In addition, the heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 120 , and when a reflective material is included, the light emitted to the lower surface of the light emitting device 120 . In contrast, a light diffusion function may be provided between the light emitting device 120 and the body 113 . When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120 , the heat dissipating member 130 provides a light diffusion function, thereby improving light extraction efficiency of the light emitting device package.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 방열부재(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may reflect the light emitted from the light emitting device 120 . When the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may be made of a material including TiO 2 , Silicone, or the like.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 may be provided to be less than 10% based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is the sum of the areas of the substrate 124 in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device to increase light extraction efficiency. It may be set to 10% or less based on the upper surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is based on the top surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. may be set to 0.7% or more.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 면적은, 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)의 면적은, 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. For example, as described with reference to FIG. 4 , the area of the first bonding part 121 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 . Also, as described with reference to FIG. 4 , the area of the second bonding part 122 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 .

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성 및 방열특성이 좋은 상기 방열부재(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 방열부재(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is provided to be small, the amount of light transmitted through the lower surface of the light emitting device 120 may be increased. In addition, the heat dissipation member 130 having good reflection characteristics and heat dissipation characteristics may be provided under the light emitting device 120 . Accordingly, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the heat dissipation member 130 to be effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, and light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12에 도시된 바와 몰딩부재를 포함할 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 몰딩부재는 수지부(135)와 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a molding member as shown in FIG. 12 . For example, the molding member according to the embodiment may include a resin part 135 and a molding part 140 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The resin part 135 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be provided on the bottom surface of the cavity C provided in the package body 110 .

예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 반사성 수지부로 지칭될 수도 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.For example, the resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 . The resin part 135 may be referred to as a reflective resin part. Also, the resin part 135 may be referred to as a reflective molding member.

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The resin part 135 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121 . Also, the resin part 135 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122 . The resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123 .

예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the resin part 135 may be a reflective part that reflects the light emitted from the light emitting device 120 , for example, may be a resin including a reflective material such as TiO 2 , or may be made of white silicone. may include

상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 본딩부(121)의 아래 영역과 상기 제2 본딩부(122)의 아래 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The resin part 135 may seal the periphery of the first bonding part 121 and the second bonding part 122 . In the resin part 135 , the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are outside the area below the first bonding unit 121 and the area below the second bonding unit 122 . It can be prevented from diffusing and moving in the direction of the light emitting device 120 .

상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 diffuse and move toward the outer surface of the light emitting device 120 , the first and second conductive layers 321 and 322 are formed between the active layer of the light emitting device 120 and It may come into contact with it and cause a defect due to a short circuit. Accordingly, when the resin part 135 is disposed, it is possible to prevent a short circuit between the first and second conductive layers 321 and 322 and the active layer, thereby improving the reliability of the light emitting device package according to the embodiment.

또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the resin part 135 includes a material having a reflective characteristic, such as white silicon, the resin part 135 transmits the light provided from the light emitting device 120 in the upper direction of the package body 110 . It is possible to improve the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 by reflecting it.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the molding unit 140 as shown in FIG. 12 .

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120 . The molding unit 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110 .

상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The molding part 140 may include an insulating material. In addition, the molding unit 140 may include a wavelength conversion unit that receives the light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light. For example, the molding unit 140 may include at least one selected from the group consisting of a phosphor, a quantum dot, and the like.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 둘레에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 파장변환 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.The molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . For example, the molding unit 140 may be referred to as a wavelength conversion molding member.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.Also, according to an embodiment, the molding part 140 may be disposed on the resin part 135 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.According to an embodiment, as described above, the first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. . The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면 및 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면은 상기 방열부재(130)와 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(121)의 제2 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제4 측면은 상기 몰딩부재(135, 140)와 접촉되어 배치될 수 있다.For example, a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the heat dissipation member 130 . In addition, the second side surface of the first bonding unit 121 and the fourth side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the molding members 135 and 140 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package according to the embodiment, power is connected to the first bonding unit 121 through the first conductive layer 321 , and the second bonding unit 122 through the second conductive layer 322 . may be connected to power.

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . In addition, the light emitted from the light emitting device 120 can be provided in an upper direction of the package body 110 .

실시 예에 의하면, 상기 회로기판(310)의 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 도전층(321)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 회로기판(310)의 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 연결될 수 있다.According to an embodiment, the first pad 311 of the circuit board 310 may be electrically connected to the first conductive layer 321 . Also, the second pad 312 of the circuit board 310 may be electrically connected to the second conductive layer 322 .

한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 도전층(321) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 도전층(322) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다.Meanwhile, according to an embodiment, a separate bonding layer may be additionally provided between the first pad 311 and the first conductive layer 321 . In addition, a separate bonding layer may be additionally provided between the second pad 312 and the second conductive layer 322 .

또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 유테틱 본딩에 의하여 상기 회로기판(310)에 실장될 수도 있다.Also, according to another embodiment, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be mounted on the circuit board 310 by eutectic bonding.

이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 및 제2 본딩부는 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. As described above, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first and second bonding parts of the light emitting device according to the embodiment are first and second bonding units disposed on the first and second frames. 2 The driving power may be provided through the conductive layer. In addition, the melting points of the first and second conductive layers disposed on the first and second frames may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, since the light emitting device package according to the embodiment does not cause a re-melting phenomenon even when bonding to the main board or the like through a reflow process, the electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. there is.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the package body 110 does not need to be exposed to high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being damaged or discolored by exposure to high temperature.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the body 113 can be widened. According to an embodiment, the body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic, but also a relatively inexpensive resin material.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 includes at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. can do.

또한, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 패키지 몸체(110)는 상면이 평탄한 지지부재(113)만을 포함하고, 경사지게 배치된 반사부를 포함하지 않도록 제공될 수도 있다. In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment described above, the package body 110 may be provided so as to include only the support member 113 having a flat upper surface and not include the reflective portion disposed at an angle.

다른 표현으로서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)를 제공하는 구조로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)의 제공 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.In other words, according to the light emitting device package according to the embodiment, the package body 110 may be provided in a structure that provides a cavity (C). In addition, the package body 110 may be provided with a flat top surface without providing a cavity (C).

한편, 이상에서 설명된 발광소자 패키지에는 예로서 플립칩 발광소자가 제공될 수 있다. Meanwhile, in the light emitting device package described above, a flip chip light emitting device may be provided as an example.

예로서, 플립칩 발광소자는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있으며, 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자로 제공될 수도 있다. For example, the flip chip light emitting device may be provided as a transmissive flip chip light emitting device that emits light in six directions, or may be provided as a reflective flip chip light emitting device that emits light in five directions.

상기 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자는 상기 패키지 패키지 몸체(110)에 가까운 방향으로 반사층이 배치된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사형 플립칩 발광소자는 제1 및 제2 본딩부와 발광구조물 사이에 절연성 반사층(예를 들어 Distributed Bragg Reflector, Omni Directional Reflector 등) 및/또는 전도성 반사층(예를 들어 Ag, Al, Ni, Au 등)을 포함할 수 있다. The reflective flip-chip light emitting device emitting light in the five-plane direction may have a structure in which a reflective layer is disposed in a direction close to the package package body 110 . For example, in the reflective flip-chip light emitting device, an insulating reflective layer (eg, Distributed Bragg Reflector, Omni Directional Reflector, etc.) and/or a conductive reflective layer (eg, Ag, Al, Ni, Au, etc.) may be included.

또한, 상기 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩부, 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 본딩부를 가지며, 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 사이에서 빛이 방출되는 일반적인 수평형 발광소자로 제공될 수 있다. In addition, the flip-chip light emitting device emitting light in the six-sided direction has a first bonding portion electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer and a second bonding portion electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer, It may be provided as a general horizontal light emitting device in which light is emitted between the first bonding unit and the second bonding unit.

또한, 상기 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는, 상기 제1 및 제2 본딩부 사이에 반사층이 배치된 반사 영역과 빛이 방출되는 투과 영역을 모두 포함하는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있다.In addition, the flip-chip light emitting device emitting light in the six-plane direction is a transmissive flip-chip light emitting device including both a reflective region in which a reflective layer is disposed between the first and second bonding portions and a transmissive region through which light is emitted. can be provided.

여기서, 투과형 플립칩 발광소자는 상부면, 4개의 측면, 하부면의 6면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다. 또한, 반사형 플립칩 발광소자는 상부면, 4개의 측면의 5면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다.Here, the transmissive flip-chip light emitting device refers to a device that emits light to the upper surface, four side surfaces, and six surfaces of the lower surface. In addition, the reflective flip-chip light emitting device refers to a device that emits light to five surfaces of the upper surface and four side surfaces.

그러면, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 예를 설명하기로 한다.Then, an example of a flip-chip light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 13 및 도 14를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 설명하기로 한다. 도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 전극 배치를 설명하는 평면도이고, 도 14는 도 13에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.First, a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 13 and 14 . 13 is a plan view illustrating an electrode arrangement of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line F-F of the light emitting device shown in FIG. 13 .

한편, 이해를 돕기 위해, 도 13을 도시함에 있어, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다.Meanwhile, for better understanding, in FIG. 13 , only the relative arrangement relationship between the first electrode 127 and the second electrode 128 is conceptually illustrated. The first electrode 127 may include a first bonding part 121 and a first branch electrode 125 . The second electrode 128 may include a second bonding part 122 and a second branch electrode 126 .

실시 예에 따른 발광소자는, 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 기판(124) 위에 배치된 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a light emitting structure 123 disposed on a substrate 124 as shown in FIGS. 13 and 14 .

상기 기판(124)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The substrate 124 may be selected from a group including a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge. For example, the substrate 124 may be provided as a patterned sapphire substrate (PSS) having a concave-convex pattern formed on an upper surface thereof.

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층(123aa), 활성층(123b), 제2 도전형 반도체층(123c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(123b)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)과 상기 제2 도전형 반도체층(123c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(123a) 위에 상기 활성층(123b)이 배치되고, 상기 활성층(123b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(123c)이 배치될 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductivity type semiconductor layer 123aa , an active layer 123b , and a second conductivity type semiconductor layer 123c . The active layer 123b may be disposed between the first conductivity-type semiconductor layer 123a and the second conductivity-type semiconductor layer 123c. For example, the active layer 123b may be disposed on the first conductivity type semiconductor layer 123a , and the second conductivity type semiconductor layer 123c may be disposed on the active layer 123b .

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(123a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(123c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(123a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(123c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. According to an embodiment, the first conductivity-type semiconductor layer 123a may be provided as an n-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 123c may be provided as a p-type semiconductor layer. Of course, according to another embodiment, the first conductivity-type semiconductor layer 123a may be provided as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 123c may be provided as an n-type semiconductor layer.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a first electrode 127 and a second electrode 128 as shown in FIGS. 13 and 14 .

상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(127)은 상기 제2 도전형 반도체층(123c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The first electrode 127 may include a first bonding part 121 and a first branch electrode 125 . The first electrode 127 may be electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer 123c. The first branch electrode 125 may be disposed to be branched from the first bonding part 121 . The first branched electrode 125 may include a plurality of branched electrodes branched from the first bonding part 121 .

상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The second electrode 128 may include a second bonding part 122 and a second branch electrode 126 . The second electrode 128 may be electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer 123a. The second branch electrode 126 may be disposed to be branched from the second bonding part 122 . The second branch electrode 126 may include a plurality of branch electrodes branched from the second bonding part 122 .

상기 제1 가지전극(125)와 상기 제2 가지전극(126)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)과 상기 제2 가지전극(126)에 의하여 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(123) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first branched electrode 125 and the second branched electrode 126 may be alternately disposed in a finger shape. Power supplied through the first bonding part 121 and the second bonding part 122 by the first branched electrode 125 and the second branched electrode 126 is transmitted to the entire light emitting structure 123 . spread and can be provided.

상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first electrode 127 and the second electrode 128 may be formed in a single-layer or multi-layer structure. For example, the first electrode 127 and the second electrode 128 may be ohmic electrodes. For example, the first electrode 127 and the second electrode 128 are ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni , Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, may be at least one of Hf or an alloy of two or more of these materials.

한편, 상기 발광 구조물(123)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(124)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.Meanwhile, a protective layer may be further provided on the light emitting structure 123 . The protective layer may be provided on the upper surface of the light emitting structure 123 . In addition, the protective layer may be provided on a side surface of the light emitting structure 123 . The protective layer may be provided such that the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 are exposed. In addition, the protective layer may be selectively provided on the periphery and the lower surface of the substrate 124 .

예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer may be provided with an insulating material. For example, the protective layer is Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y It may be formed of at least one material selected from the group comprising:

실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the light generated in the active layer 123b may be emitted in six directions of the light emitting device. The light generated by the active layer 123b may be emitted in a six-plane direction through the upper surface, the lower surface, and four side surfaces of the light emitting device.

참고로, 도 1 내지 도 12를 참조하여 설명된 발광소자의 상하 배치 방향과 도 13 및 도 14에 도시된 발광소자의 상하 배치 방향은 서로 반대로 도시되어 있다.For reference, the vertical arrangement direction of the light emitting device described with reference to FIGS. 1 to 12 and the vertical arrangement direction of the light emitting device illustrated in FIGS. 13 and 14 are opposite to each other.

도 1 내지 도 12를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이로 방출되는 빛이 상기 몸체(113)) 영역에 배치된 상기 방열부재(130)로 입사될 수 있다. 상기 발광소자의 하부 방향으로 방출된 빛이 상기 방열부재(130)에 의하여 광 확산될 수 있고, 광 추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described with reference to FIGS. 1 to 12 , light emitted between the first bonding part 121 and the second bonding part 122 is disposed in the body 113) area of the heat dissipation member 130 ) can be entered. The light emitted in the downward direction of the light emitting device may be diffused by the heat dissipation member 130, and light extraction efficiency may be improved.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 may be provided to be less than 10% based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is the sum of the areas of the substrate 124 in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device to increase light extraction efficiency. It may be set to 10% or less based on the upper surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is based on the top surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. may be set to 0.7% or more.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(121)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the width of the first bonding part 121 along the long axis of the light emitting device may be several tens of micrometers. The width of the first bonding part 121 may be, for example, 70 micrometers to 90 micrometers. Also, the area of the first bonding part 121 may be several thousand square micrometers.

또한, 상기 제2 본딩부(122)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the width of the second bonding part 122 along the long axis of the light emitting device may be several tens of micrometers. The width of the second bonding part 122 may be, for example, 70 micrometers to 90 micrometers. Also, the area of the second bonding part 122 may be several thousand square micrometers.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 방열특성 및 반사특성이 좋은 상기 방열부재(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 방열부재(130)에서 반사되어 발광소자 패키지의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is provided to be small, the amount of light transmitted through the lower surface of the light emitting device 120 may be increased. In addition, the heat dissipation member 130 having good heat dissipation and reflection characteristics may be provided under the light emitting device 120 . Accordingly, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the heat dissipation member 130 to be effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package, and light extraction efficiency can be improved.

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 직접 접촉되는 경우를 기반으로 설명되었다.On the other hand, the light emitting device package according to the above-described embodiment will be described based on a case in which the first and second bonding portions 121 and 122 are in direct contact with the first and second conductive layers 321 and 322 . became

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 사이에 별도의 도전성 구성요소가 더 배치될 수도 있다.However, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment, a separate conductive component is provided between the first and second bonding portions 121 and 122 and the first and second conductive layers 321 and 322 . may be further disposed.

다음으로, 도 15를 참조하여, 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 15 .

도 15를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 14를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 15 , descriptions of matters overlapping those described with reference to FIGS. 1 to 14 may be omitted.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120 as shown in FIG. 15 .

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The package body 110 may include a body 113 . The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The body 113 may function as a kind of electrode separation line. The body 113 may be referred to as an insulating member.

예로서, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)를 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다.For example, the first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other on the body 113 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other with the body 113 interposed therebetween.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111 . Also, the body 113 may be disposed on the second frame 112 .

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by the inclined surface of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to an embodiment, the package body 110 may be provided in a structure having a cavity (C) or may be provided in a structure having a flat top surface without the cavity (C).

예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide9T), silicone, epoxy molding compound (EMC), It may be formed of at least one selected from a group including a silicon molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), and sapphire (Al 2 O 3 ). Also, the body 113 may include a high refractive filler such as TiO 2 and SiO 2 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the light emitting device 120 may include a first bonding unit 121 , a second bonding unit 122 , a light emitting structure 123 , and a substrate 124 .

상기 발광소자(120)는, 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 15 , the light emitting device 120 may include the light emitting structure 123 disposed under the substrate 124 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the body 113 .

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. The first bonding part 121 may be electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer. In addition, the second bonding part 122 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer.

상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on the package body 110 . The light emitting device 120 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . The light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on a lower surface of the light emitting device 120 . The second bonding part 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed to be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed on the second frame 112 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding part 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111 . The second bonding part 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15에 도시된 바와 같이, 제1 도전체(221)와 제2 도전체(222)를 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a first conductor 221 and a second conductor 222 as shown in FIG. 15 . In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322 . The first conductive layer 321 may be disposed to be spaced apart from the second conductive layer 322 .

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. The first conductor 221 may be disposed under the first bonding part 121 . The first conductor 221 may be electrically connected to the first bonding part 121 . The first conductor 221 may be disposed to overlap the first bonding portion 121 in the first direction.

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 프레임(111) 위에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 도전층(321) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제1 도전층(321)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first conductor 221 may be provided on the first frame 111 . The first conductor 221 may be disposed between the first bonding part 121 and the first conductive layer 321 . The first conductor 221 may be electrically connected to the first bonding part 121 and the first conductive layer 321 .

또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. Also, the second conductor 222 may be disposed under the second bonding part 122 . The second conductor 222 may be electrically connected to the second bonding part 122 . The second conductor 222 may be disposed to overlap the second bonding portion 122 in the first direction.

상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 프레임(112) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 도전층(322) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 및 상기 제2 도전층(322)과 전기적으로 연결될 수 있다.The second conductor 222 may be provided on the second frame 112 . The second conductor 222 may be disposed between the second bonding part 122 and the second conductive layer 322 . The second conductor 222 may be electrically connected to the second bonding part 122 and the second conductive layer 322 .

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 상기 제1 도전층(321)이 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer 321 may be disposed on a lower surface and a side surface of the first conductor 221 . The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with a lower surface and a side surface of the first conductor 221 .

이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제1 도전체(221) 간의 접촉 면적이 증가됨으로써, 상기 제1 도전체(221)에 의하여 상기 제1 도전층(321)과 상기 제1 본딩부(121) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다. As described above, according to the light emitting device package according to the embodiment, the contact area between the first conductive layer 321 and the first conductor 221 is increased, so that the first conductivity is caused by the first conductor 221 . An electrical coupling between the layer 321 and the first bonding part 121 may be more stably provided.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 상기 제2 도전층(322)이 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.Also, according to an embodiment, the second conductive layer 322 may be disposed on a lower surface and a side surface of the second conductor 222 . The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface and side surfaces of the second conductor 222 .

이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)에 의하면, 상기 제2 도전층(322)과 상기 제2 도전체(222) 간의 접촉 면적이 증가됨으로써, 상기 제2 도전체(222)에 의하여 상기 제2 도전층(322)과 상기 제2 본딩부(122) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다.As described above, according to the light emitting device package 200 according to the embodiment, the contact area between the second conductive layer 322 and the second conductor 222 is increased, so that the second conductor 222 creates the Electrical coupling between the second conductive layer 322 and the second bonding part 122 may be more stably provided.

예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 별도의 본딩 물질을 통하여 안정적으로 본딩될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)의 측면 및 하면이 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)에 각각 접촉될 수 있다. For example, the first and second conductors 221 and 222 may be stably bonded to the first and second bonding portions 121 and 122 through separate bonding materials, respectively. In addition, side surfaces and lower surfaces of the first and second conductors 221 and 222 may contact the first and second conductive layers 321 and 322 , respectively.

따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 하면에 각각 직접적으로 접촉되는 경우에 비하여, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)와 각각 접촉되는 면적이 더 커질 수 있게 된다. Accordingly, compared to the case in which the first and second conductive layers 321 and 322 directly contact the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122, respectively, the first and second conductive layers 321 , 322 may contact the first and second conductors 221 and 222, respectively, to increase.

이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)를 통하여 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)으로부터 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 각각 안정적으로 공급될 수 있게 된다.Accordingly, power is stably supplied from the first and second conductive layers 321 and 322 to the first and second bonding units 121 and 122 through the first and second conductors 221 and 222, respectively. can be supplied with

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, or the like or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of securing a conductive function may be used as the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 .

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, or the like, and may be configured as a multi-layer made of different materials or a multi-layer or a single layer made of an alloy.

또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 Ag, Au, Pt, Al 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.In addition, the first and second conductors 221 and 222 may include one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Al, or the like or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of securing a conductive function may be used as the first and second conductors 221 and 222 .

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 방열부재(130)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a heat dissipation member 130 .

상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may be disposed between the package body 110 and the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the package body 110 and the lower surface of the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 방열부재(130)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)의 하면은 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 하면들과 동일 평면에 배치될 수 있다. The heat dissipation member 130 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . Also, a lower surface of the body 113 may be disposed on the same plane as lower surfaces of the first and second frames 111 and 112 .

상기 방열부재(130)의 상면은 상기 발광소자(120)와 접촉하며 제1 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 상기 제1 방향은 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 몸체(113)의 하면으로 향하는 방향으로 정의될 수 있다.An upper surface of the heat dissipation member 130 may be in contact with the light emitting device 120 and may be disposed to extend in a first direction. The first direction may be defined as a direction from the upper surface of the light emitting device 120 toward the lower surface of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is the second from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the heat dissipation member 130 . 2 may be provided equal to or greater than the distance.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15에 도시된 바와 같이, 개구부(TH1)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an opening TH1 as shown in FIG. 15 .

상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The opening TH1 may be provided in the body 113 . The opening TH1 may be provided through the body 113 . The opening TH1 may be provided through the upper and lower surfaces of the body 113 in the first direction. The opening TH1 may be disposed under the light emitting device 120 . The opening TH1 may be provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

예로서, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역에 배치될 수 있다.For example, the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . When viewed from the upper direction of the light emitting device 120 , the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . The opening TH1 may be disposed in a central region of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be disposed in the opening TH1. The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding unit 121 and a side surface of the second bonding unit 122 .

상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.The first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 접촉될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be in contact with a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the first side surface of the first bonding unit 121 and the third side surface of the second bonding unit 122 .

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다.In addition, the heat dissipation member 130 may be provided between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the second frame 112 . The heat dissipation member 130 may be provided surrounded by the body 113 .

상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113 , for example. In addition, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다. According to the embodiment, as described above, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is, from the upper surface of the light emitting element 120 to the heat dissipation member ( 130) may be provided equal to or greater than the second distance to the lower surface.

예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)의 하면으로부터 상부 방향으로 일정거리 이격되어 배치될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 상부 영역에는 상기 방열부재(130)가 채워진 형태로 제공되고 상기 개구부(TH1)의 하부 영역은 상기 방열부재(130)가 채워지지 않은 빈 공간으로 제공될 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may be disposed to be spaced apart from the lower surface of the opening TH1 by a certain distance in the upper direction. The heat dissipation member 130 may be filled in the upper area of the opening TH1 and the lower area of the opening TH1 may be provided as an empty space in which the heat dissipation member 130 is not filled.

예로서, 상기 방열부재(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 방열부재(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 Al2O3, AlN 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 물질을 포함할 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. Also, as an example, when the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may include white silicone. Also, the heat dissipation member 130 may include a material selected from the group consisting of Al 2 O 3 , AlN, and the like having good thermal conductivity.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시킬 뿐만 아니라, 상기 발광소자(120)에서 생성되는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정될 수 있게 되며, 효과적으로 열 방출이 수행될 수 있으므로 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다.According to an embodiment, when the heat dissipation member 130 includes a material having good thermal conductivity, not only the light emitting device 120 is stably fixed to the package body 110 , but also in the light emitting device 120 . The generated heat can be effectively dissipated. Accordingly, the light emitting device 120 can be stably fixed to the package body 110 , and heat emission can be performed effectively, so that the light extraction efficiency of the light emitting device 120 can be improved.

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 반사물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)의 하면으로 방출되는 광에 대해, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 방열부재(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. In addition, the heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 120 , and when a reflective material is included, the light emitted to the lower surface of the light emitting device 120 . In contrast, a light diffusion function may be provided between the light emitting device 120 and the body 113 . When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120 , the heat dissipation member 130 provides a light diffusion function, thereby improving the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 . .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 방열부재(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may reflect the light emitted from the light emitting device 120 . When the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may be made of a material including TiO 2 , Silicone, or the like.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 may be provided to be less than 10% based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is the sum of the areas of the substrate 124 in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device to increase light extraction efficiency. It may be set to 10% or less based on the upper surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is based on the top surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. may be set to 0.7% or more.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221) 및 제2 도전체(222)가 안정적으로 배치될 수 있도록 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the area of the first and second bonding parts 121 and 122 so that the first conductor 221 and the second conductor 222 can be stably disposed. The sum of may be set to 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124 .

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 면적은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)의 면적은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 개구부(TH1)의 상부 영역 면적에 비해 더 작게 제공될 수 있다. For example, as shown in FIG. 4 , the area of the first bonding part 121 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 . In addition, as shown in FIG. 4 , the area of the second bonding part 122 may be smaller than the area of the upper region of the opening TH1 .

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성 및 방열특성이 좋은 상기 방열부재(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 방열부재(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is provided to be small, the amount of light transmitted through the lower surface of the light emitting device 120 may be increased. In addition, the heat dissipation member 130 having good reflection characteristics and heat dissipation characteristics may be provided under the light emitting device 120 . Accordingly, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the heat dissipation member 130 to be effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, and light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는, 도 15에 도시된 바와 같이, 몰딩부재를 포함할 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 몰딩부재는 수지부(135)와 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 15 , the light emitting device package 200 according to the embodiment may include a molding member. For example, the molding member according to the embodiment may include a resin part 135 and a molding part 140 .

실시 예에 따른 몰딩부재는 상기 수지부(135)와 상기 몰딩부(140) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 먼저, 이하의 실시 예에서는 상기 몰딩부재가 상기 수지부(135)와 상기 몰딩부(140)를 모두 포함하는 경우를 기준으로 설명한다.The molding member according to the embodiment may include at least one of the resin part 135 and the molding part 140 . First, in the following embodiment, a case in which the molding member includes both the resin part 135 and the molding part 140 will be described.

그러나, 다른 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부재는 상기 수지부(135)만 포함할 수도 있고, 상기 몰딩부(140)만 포함할 수도 있다. However, according to another embodiment, the molding member may include only the resin part 135 or only the molding part 140 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The resin part 135 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be provided on the bottom surface of the cavity C provided in the package body 110 .

예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 반사성 수지부로 지칭될 수도 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.For example, the resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 . The resin part 135 may be referred to as a reflective resin part. Also, the resin part 135 may be referred to as a reflective molding member.

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The resin part 135 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121 . Also, the resin part 135 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122 . The resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123 .

예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the resin part 135 may be a reflective part that reflects the light emitted from the light emitting device 120 , for example, may be a resin including a reflective material such as TiO 2 , or may be made of white silicone. may include

상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 본딩부(121)의 아래 영역과 상기 제2 본딩부(122)의 아래 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The resin part 135 may seal the periphery of the first bonding part 121 and the second bonding part 122 . In the resin part 135 , the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are outside the area below the first bonding unit 121 and the area below the second bonding unit 122 . It can be prevented from diffusing and moving in the direction of the light emitting device 120 .

상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 diffuse and move toward the outer surface of the light emitting device 120 , the first and second conductive layers 321 and 322 are formed between the active layer of the light emitting device 120 and It may come into contact with it and cause a defect due to a short circuit. Accordingly, when the resin part 135 is disposed, it is possible to prevent a short circuit between the first and second conductive layers 321 and 322 and the active layer, thereby improving the reliability of the light emitting device package according to the embodiment.

또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the resin part 135 includes a material having a reflective characteristic, such as white silicon, the resin part 135 transmits the light provided from the light emitting device 120 in the upper direction of the package body 110 . It is possible to improve the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 by reflecting it.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include the molding unit 140 as shown in FIG. 15 .

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120 . The molding unit 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110 .

상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The molding part 140 may include an insulating material. In addition, the molding unit 140 may include a wavelength conversion unit that receives the light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light. For example, the molding unit 140 may include at least one selected from the group consisting of a phosphor, a quantum dot, and the like.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 둘레에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 파장변환 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.The molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . For example, the molding unit 140 may be referred to as a wavelength conversion molding member.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.Also, according to an embodiment, the molding part 140 may be disposed on the resin part 135 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제2 본딩부(112)에 가까운 제1 측면과 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 본딩부(111)에 가까운 제3 측면과 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함할 수 있다.According to an embodiment, as described above, the first bonding unit 121 may include a first side close to the second bonding unit 112 and a second side facing the first side. . The second bonding unit 122 may include a third side close to the first bonding unit 111 and a fourth side facing the third side.

예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면 및 상기 제2 본딩부(122)의 제3 측면은 상기 방열부재(130)와 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(121)의 제2 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 제4 측면은 상기 몰딩부재(135, 140)와 접촉되어 배치될 수 있다.For example, a first side surface of the first bonding unit 121 and a third side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the heat dissipation member 130 . In addition, the second side surface of the first bonding unit 121 and the fourth side surface of the second bonding unit 122 may be disposed in contact with the molding members 135 and 140 .

한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 몰딩부(140)가 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 직접 접촉되도록 배치될 수도 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)가 별도로 제공되지 않고, 상기 수지부(135)가 상기 발광소자(120)의 둘레 및 상부에 모두 제공될 수도 있다.Meanwhile, as described above, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the resin part 135 is not provided separately, and the molding part 140 is formed by the first frame 111 . ) and the second frame 112 may be disposed to be in direct contact. In addition, the molding part 140 may not be provided separately, but the resin part 135 may be provided both around and above the light emitting device 120 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package according to the embodiment, power is connected to the first bonding unit 121 through the first conductive layer 321 , and the second bonding unit 122 through the second conductive layer 322 . may be connected to power.

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . In addition, the light emitted from the light emitting device 120 can be provided in an upper direction of the package body 110 .

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting device package according to the above-described embodiment may be supplied by being mounted on a sub-mount or a circuit board.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. In this case, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the light emitting device and the lead frame provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical bonding may be weakened.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 및 제2 본딩부는 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first and second bonding portions of the light emitting device according to the embodiment are formed through the first and second conductive layers disposed on the first and second frames. Driving power may be provided. In addition, the melting points of the first and second conductive layers disposed on the first and second frames may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, since the light emitting device package according to the embodiment does not cause a re-melting phenomenon even when bonding to the main board or the like through a reflow process, the electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. there is.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the package body 110 does not need to be exposed to high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being damaged or discolored by exposure to high temperature.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the body 113 can be widened. According to an embodiment, the body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic, but also a relatively inexpensive resin material.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 includes at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. can do.

다음으로, 도 16을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 16 .

도 16을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 15를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 16 , descriptions of matters overlapping those described with reference to FIGS. 1 to 15 may be omitted.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 16에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a package body 110 and a light emitting device 120 as shown in FIG. 16 .

상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a first frame 111 and a second frame 112 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other.

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The package body 110 may include a body 113 . The body 113 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . The body 113 may function as a kind of electrode separation line. The body 113 may be referred to as an insulating member.

예로서, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)에 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 몸체(113)를 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다.For example, the first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other on the body 113 . The first frame 111 and the second frame 112 may be disposed to be spaced apart from each other with the body 113 interposed therebetween.

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The body 113 may be disposed on the first frame 111 . Also, the body 113 may be disposed on the second frame 112 .

상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The body 113 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . A cavity C may be provided on the first frame 111 and the second frame 112 by the inclined surface of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to an embodiment, the package body 110 may be provided in a structure having a cavity (C) or may be provided in a structure having a flat top surface without the cavity (C).

예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the body 113 may include polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide), PCT (Polychloro Triphenyl), LCP (Liquid Crystal Polymer), PA9T (Polyamide9T), silicone, epoxy molding compound (EMC), It may be formed of at least one selected from a group including a silicon molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), and sapphire (Al 2 O 3 ). Also, the body 113 may include a high refractive filler such as TiO 2 and SiO 2 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the light emitting device 120 may include a first bonding unit 121 , a second bonding unit 122 , a light emitting structure 123 , and a substrate 124 .

상기 발광소자(120)는, 도 16에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 16 , the light emitting device 120 may include the light emitting structure 123 disposed under the substrate 124 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the body 113 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 제1 도전체(221)와 제2 도전체(222)를 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.The light emitting device package 100 according to the embodiment may include a first conductor 221 and a second conductor 222 . In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322 . The first conductive layer 321 may be disposed to be spaced apart from the second conductive layer 322 .

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다.The first conductor 221 may be disposed under the first bonding part 121 . The first conductor 221 may be electrically connected to the first bonding part 121 . The first conductor 221 may be disposed to overlap the first bonding portion 121 in the first direction.

상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 프레임(111) 위에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 도전층(321) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제1 도전층(321)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first conductor 221 may be provided on the first frame 111 . The first conductor 221 may be disposed between the first bonding part 121 and the first conductive layer 321 . The first conductor 221 may be electrically connected to the first bonding part 121 and the first conductive layer 321 .

또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. Also, the second conductor 222 may be disposed under the second bonding part 122 . The second conductor 222 may be electrically connected to the second bonding part 122 . The second conductor 222 may be disposed to overlap the second bonding portion 122 in the first direction.

상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 프레임(112) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 도전층(322) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 및 상기 제2 도전층(322)과 전기적으로 연결될 수 있다.The second conductor 222 may be provided on the second frame 112 . The second conductor 222 may be disposed between the second bonding part 122 and the second conductive layer 322 . The second conductor 222 may be electrically connected to the second bonding part 122 and the second conductive layer 322 .

상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, or the like or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of securing a conductive function may be used as the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 .

예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함하는 그룹 중에서 적어도 하나가 선택될 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may be at least one selected from the group consisting of solder paste, silver paste, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 접착제로 지칭될 수도 있다. 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)를 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)에 고정시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be referred to as a conductive adhesive. The first and second conductive layers 321 and 322 may fix the first and second bonding portions 121 and 122 to the first and second frames 111 and 112 . In addition, the first and second conductive layers 321 and 322 may electrically connect the first and second bonding portions 121 and 122 and the first and second frames 111 and 112 .

또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 Ag, Au, Pt, Al 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.In addition, the first and second conductors 221 and 222 may include one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Al, or the like or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of securing a conductive function may be used as the first and second conductors 221 and 222 .

실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)의 하면의 면적이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 직접 접촉되는 면적에 비해 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 도전체(221, 2220에 직접 접촉되는 면적이 더 크게 제공될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)가 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)로부터 상기 발광소자(120)에 공급되는 전원이 더 안정적으로 제공될 수 있게 된다.According to an embodiment, the area of the lower surface of the first and second conductors 221 and 222 may be larger than the area of the lower surface of the first and second bonding parts 121 and 122 . Accordingly, compared to an area in which the first and second conductive layers 321 and 322 directly contact the first and second bonding portions 121 and 122, the first and second conductive layers 321 and 322 are A larger area may be provided in direct contact with the first and second conductors 221 and 2220. Therefore, according to the light emitting device package according to the embodiment, the first and second conductors 221 and 222 ) is provided, the power supplied to the light emitting device 120 from the first and second frames 111 and 112 can be more stably provided.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 방열부재(130)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a heat dissipation member 130 .

상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may be disposed between the package body 110 and the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the package body 110 and the lower surface of the light emitting device 120 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the upper surface of the body 113 and the lower surface of the light emitting device 120 .

상기 방열부재(130)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)의 하면은 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 하면들과 동일 평면에 배치될 수 있다. The heat dissipation member 130 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112 . Also, a lower surface of the body 113 may be disposed on the same plane as lower surfaces of the first and second frames 111 and 112 .

상기 방열부재(130)의 상면은 상기 발광소자(120)와 접촉하며 제1 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 상기 제1 방향은 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 몸체(113)의 하면으로 향하는 방향으로 정의될 수 있다.An upper surface of the heat dissipation member 130 may be in contact with the light emitting device 120 and may be disposed to extend in a first direction. The first direction may be defined as a direction from the upper surface of the light emitting device 120 toward the lower surface of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is the second from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the heat dissipation member 130 . 2 may be provided equal to or greater than the distance.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 16에 도시된 바와 같이, 개구부(TH1)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an opening TH1 as shown in FIG. 16 .

상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The opening TH1 may be provided in the body 113 . The opening TH1 may be provided through the body 113 . The opening TH1 may be provided through the upper and lower surfaces of the body 113 in the first direction. The opening TH1 may be disposed under the light emitting device 120 . The opening TH1 may be provided to overlap the light emitting device 120 in the first direction.

예로서, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다. 상기 개구부(TH1)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역에 배치될 수 있다.For example, the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . When viewed from the upper direction of the light emitting device 120 , the opening TH1 may be provided surrounded by the body 113 . The opening TH1 may be disposed in a central region of the body 113 .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120) 아래에서 수지부(135)에 의하여 둘러싸여 제공될 수 있다According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may be disposed in the opening TH1. The heat dissipation member 130 may be disposed between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed between the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . For example, the heat dissipation member 130 may be provided surrounded by the resin part 135 under the light emitting device 120 .

상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 방열부재(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the package body 110 . The heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the body 113 . The heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 113 , for example. In addition, the heat dissipation member 130 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120 .

실시 예에 의하면, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 제1 프레임(111)의 하면까지의 제1 거리가, 상기 발광소자(120)의 상면으로부터 상기 방열부재(130)의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 크게 제공될 수 있다. According to the embodiment, as described above, the first distance from the upper surface of the light emitting element 120 to the lower surface of the first frame 111 is, from the upper surface of the light emitting element 120 to the heat dissipation member ( 130) may be provided equal to or greater than the second distance to the lower surface.

예로서, 상기 방열부재(130)는 상기 개구부(TH1)의 하면으로부터 상부 방향으로 일정거리 이격되어 배치될 수도 있다. 상기 개구부(TH1)의 상부 영역에는 상기 방열부재(130)가 채워진 형태로 제공되고 상기 개구부(TH1)의 하부 영역은 상기 방열부재(130)가 채워지지 않은 빈 공간으로 제공될 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may be disposed to be spaced apart from the lower surface of the opening TH1 by a certain distance in the upper direction. The heat dissipation member 130 may be filled in the upper area of the opening TH1 and the lower area of the opening TH1 may be provided as an empty space in which the heat dissipation member 130 is not filled.

예로서, 상기 방열부재(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 방열부재(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 Al2O3, AlN 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 물질을 포함할 수도 있다.For example, the heat dissipation member 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. Also, as an example, when the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may include white silicone. Also, the heat dissipation member 130 may include a material selected from the group consisting of Al 2 O 3 , AlN, and the like having good thermal conductivity.

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 열 전도성이 좋은 물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시킬 뿐만 아니라, 상기 발광소자(120)에서 생성되는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정될 수 있게 되며, 효과적으로 열 방출이 수행될 수 있으므로 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다.According to an embodiment, when the heat dissipation member 130 includes a material having good thermal conductivity, not only the light emitting device 120 is stably fixed to the package body 110 , but also in the light emitting device 120 . The generated heat can be effectively dissipated. Accordingly, the light emitting device 120 can be stably fixed to the package body 110 , and heat emission can be performed effectively, so that the light extraction efficiency of the light emitting device 120 can be improved.

또한, 상기 방열부재(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 반사물질을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)의 하면으로 방출되는 광에 대해, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 방열부재(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. In addition, the heat dissipation member 130 may provide a stable fixing force between the body 113 and the light emitting device 120 , and when a reflective material is included, the light emitted to the lower surface of the light emitting device 120 . In contrast, a light diffusion function may be provided between the light emitting device 120 and the body 113 . When light is emitted from the light emitting device 120 to the lower surface of the light emitting device 120 , the heat dissipation member 130 provides a light diffusion function, thereby improving the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 . .

실시 예에 의하면, 상기 방열부재(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 방열부재(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 방열부재(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.According to an embodiment, the heat dissipation member 130 may reflect the light emitted from the light emitting device 120 . When the heat dissipation member 130 includes a reflective function, the heat dissipation member 130 may be made of a material including TiO 2 , Silicone, or the like.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 may be provided to be less than 10% based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is the sum of the areas of the substrate 124 in order to secure a light emitting area emitted from the light emitting device to increase light extraction efficiency. It may be set to 10% or less based on the upper surface area.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding portions 121 and 122 may be 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrate 124 . According to the light emitting device package according to the embodiment, the sum of the areas of the first and second bonding parts 121 and 122 is based on the top surface area of the substrate 124 in order to provide a stable bonding force to the mounted light emitting device. may be set to 0.7% or more.

이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성 및 방열특성이 좋은 상기 방열부재(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 방열부재(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and second bonding portions 121 and 122 is provided to be small, the amount of light transmitted through the lower surface of the light emitting device 120 may be increased. In addition, the heat dissipation member 130 having good reflection characteristics and heat dissipation characteristics may be provided under the light emitting device 120 . Accordingly, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 120 is reflected by the heat dissipation member 130 to be effectively emitted in the upper direction of the light emitting device package 100, and light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 16에 도시된 바와 같이, 몰딩부재를 포함할 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 몰딩부재는 수지부(135)와 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a molding member, as shown in FIG. 16 . For example, the molding member according to the embodiment may include a resin part 135 and a molding part 140 .

실시 예에 따른 몰딩부재는 상기 수지부(135)와 상기 몰딩부(140) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 먼저, 이하의 실시 예에서는 상기 몰딩부재가 상기 수지부(135)와 상기 몰딩부(140)를 모두 포함하는 경우를 기준으로 설명한다.The molding member according to the embodiment may include at least one of the resin part 135 and the molding part 140 . First, in the following embodiment, a case in which the molding member includes both the resin part 135 and the molding part 140 will be described.

그러나, 다른 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부재는 상기 수지부(135)만 포함할 수도 있고, 상기 몰딩부(140)만 포함할 수도 있다. However, according to another embodiment, the molding member may include only the resin part 135 or only the molding part 140 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The resin part 135 may be disposed between the first frame 111 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be disposed between the second frame 112 and the light emitting device 120 . The resin part 135 may be provided on the bottom surface of the cavity C provided in the package body 110 .

예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 반사성 수지부로 지칭될 수도 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 반사성 몰딩부재로 지칭될 수도 있다.For example, the resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 . The resin part 135 may be referred to as a reflective resin part. Also, the resin part 135 may be referred to as a reflective molding member.

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에서 상기 방열부재(130)의 둘레에 배치될 수 있다.The resin part 135 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121 . Also, the resin part 135 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122 . The resin part 135 may be disposed under the light emitting structure 123 . The resin part 135 may be disposed around the heat dissipation member 130 under the light emitting device 120 .

예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the resin part 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the resin part 135 may be a reflective part that reflects the light emitted from the light emitting device 120 , for example, may be a resin including a reflective material such as TiO 2 , or may be made of white silicone. may include

상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The resin part 135 may be disposed under the light emitting device 120 to perform a sealing function. In addition, the resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the first frame 111 . The resin part 135 may improve adhesion between the light emitting device 120 and the second frame 112 .

상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 본딩부(121)의 아래 영역과 상기 제2 본딩부(122)의 아래 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The resin part 135 may seal the periphery of the first bonding part 121 and the second bonding part 122 . In the resin part 135 , the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 are outside the area below the first bonding unit 121 and the area below the second bonding unit 122 . It can be prevented from diffusing and moving in the direction of the light emitting device 120 .

상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second conductive layers 321 and 322 diffuse and move toward the outer surface of the light emitting device 120 , the first and second conductive layers 321 and 322 are formed between the active layer of the light emitting device 120 and It may come into contact with it and cause a defect due to a short circuit. Accordingly, when the resin part 135 is disposed, it is possible to prevent a short circuit between the first and second conductive layers 321 and 322 and the active layer, thereby improving the reliability of the light emitting device package according to the embodiment.

또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the resin part 135 includes a material having a reflective characteristic, such as white silicon, the resin part 135 transmits the light provided from the light emitting device 120 in the upper direction of the package body 110 . It is possible to improve the light extraction efficiency of the light emitting device package 100 by reflecting it.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 16에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a molding unit 140 as shown in FIG. 16 .

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120 . The molding unit 140 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112 . The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110 .

상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The molding part 140 may include an insulating material. In addition, the molding unit 140 may include a wavelength conversion unit that receives the light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light. For example, the molding unit 140 may include at least one selected from the group consisting of a phosphor, a quantum dot, and the like.

상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 둘레에 배치될 수 있다. 또한, 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . Also, according to an embodiment, the molding part 140 may be disposed on the resin part 135 .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package according to the embodiment, power is connected to the first bonding unit 121 through the first conductive layer 321 , and the second bonding unit 122 through the second conductive layer 322 . may be connected to power.

이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 . In addition, the light emitted from the light emitting device 120 can be provided in an upper direction of the package body 110 .

한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting device package according to the above-described embodiment may be supplied by being mounted on a sub-mount or a circuit board.

그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. In this case, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the light emitting device and the lead frame provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical bonding may be weakened.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 및 제2 본딩부는 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 제1 및 제2 프레임에 배치된 제1 및 제2 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first and second bonding portions of the light emitting device according to the embodiment are formed through the first and second conductive layers disposed on the first and second frames. Driving power may be provided. In addition, the melting points of the first and second conductive layers disposed on the first and second frames may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.

따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, since the light emitting device package according to the embodiment does not cause a re-melting phenomenon even when bonding to the main board or the like through a reflow process, the electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. there is.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the package body 110 does not need to be exposed to high temperature in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being damaged or discolored by exposure to high temperature.

이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the body 113 can be widened. According to an embodiment, the body 113 may be provided using not only an expensive material such as ceramic, but also a relatively inexpensive resin material.

예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the body 113 includes at least one material selected from the group consisting of PPA (PolyPhtalAmide) resin, PCT (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, and SMC (Silicone Molding Compound) resin. can do.

다음으로, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of a flip-chip light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이고, 도 18은 도 17에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 단면도이다.17 is a plan view showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line A-A of the light emitting device shown in FIG. 17 .

한편, 이해를 돕기 위해, 도 17을 도시함에 있어, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 아래에 배치되지만, 상기 제1 본딩부(1171)에 전기적으로 연결된 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 본딩부(1172)에 전기적으로 연결된 제2 서브전극(1142)이 보일 수 있도록 도시되었다.Meanwhile, for better understanding, in FIG. 17 , the first sub-electrode is disposed under the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 , but is electrically connected to the first bonding unit 1171 . 1141 and the second sub-electrode 1142 electrically connected to the second bonding part 1172 are shown to be visible.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 기판(1105) 위에 배치된 발광 구조물(1110)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a light emitting structure 1110 disposed on a substrate 1105 as shown in FIGS. 17 and 18 .

상기 기판(1105)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(1105)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The substrate 1105 may be selected from a group including a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge. For example, the substrate 1105 may be provided as a patterned sapphire substrate (PSS) in which an uneven pattern is formed on an upper surface.

상기 발광 구조물(1110)은 제1 도전형 반도체층(1111), 활성층(1112), 제2 도전형 반도체층(1113)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(1112)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 상기 활성층(1112)이 배치되고, 상기 활성층(1112) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 배치될 수 있다.The light emitting structure 1110 may include a first conductivity type semiconductor layer 1111 , an active layer 1112 , and a second conductivity type semiconductor layer 1113 . The active layer 1112 may be disposed between the first conductivity-type semiconductor layer 1111 and the second conductivity-type semiconductor layer 1113 . For example, the active layer 1112 may be disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 1111 , and the second conductivity-type semiconductor layer 1113 may be disposed on the active layer 1112 .

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(1111)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(1113)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(1111)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. According to an embodiment, the first conductivity-type semiconductor layer 1111 may be provided as an n-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 1113 may be provided as a p-type semiconductor layer. Of course, according to another embodiment, the first conductivity-type semiconductor layer 1111 may be provided as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 1113 may be provided as an n-type semiconductor layer.

이하에서는 설명의 편의를 위해 상기 제1 도전형 반도체층(1111)이 n형 반도체층으로 제공되고 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 p형 반도체층으로 제공된 경우를 기준으로 설명하기로 한다.Hereinafter, for convenience of description, it will be described based on a case in which the first conductivity-type semiconductor layer 1111 is provided as an n-type semiconductor layer and the second conductivity-type semiconductor layer 1113 is provided as a p-type semiconductor layer. .

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 18에 도시된 바와 같이, 오믹접촉층(1130)을 포함할 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)은 전류 확산을 향상시켜 광출력을 증가시킬 수 있다. The light emitting device 1100 according to the embodiment may include an ohmic contact layer 1130 as shown in FIG. 18 . The ohmic contact layer 1130 may improve current diffusion to increase light output.

예로서, 상기 오믹접촉층(1130)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)은 투광성의 물질을 포함할 수 있다.For example, the ohmic contact layer 1130 may include at least one selected from the group consisting of a metal, a metal oxide, and a metal nitride. The ohmic contact layer 1130 may include a light-transmitting material.

상기 오믹접촉층(1130)은, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, Pd를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The ohmic contact layer 1130 may be, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), IZO nitride (IZON), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), or IGZO ( indium gallium zinc oxide), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni It may include at least one selected from the group including /IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, and Pd.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 반사층(1160)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 오믹접촉층(1130) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a reflective layer 1160 as shown in FIGS. 17 and 18 . The reflective layer 1160 may include a first reflective layer 1161 , a second reflective layer 1162 , and a third reflective layer 1163 . The reflective layer 1160 may be disposed on the ohmic contact layer 1130 .

상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130)을 노출시키는 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130) 위에 배치된 복수의 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. The second reflective layer 1162 may include a first opening h1 exposing the ohmic contact layer 1130 . The second reflective layer 1162 may include a plurality of first openings h1 disposed on the ohmic contact layer 1130 .

상기 제1 반사층(1161)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상부 면을 노출시키는 복수의 제2 개구부(h2)를 포함할 수 있다.The first reflective layer 1161 may include a plurality of second openings h2 exposing an upper surface of the first conductivity-type semiconductor layer 1111 .

상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제2 반사층(1162)과 연결될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 물리적으로 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The third reflective layer 1163 may be disposed between the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 . For example, the third reflective layer 1163 may be connected to the first reflective layer 1161 . Also, the third reflective layer 1163 may be connected to the second reflective layer 1162 . The third reflective layer 1163 may be disposed in direct physical contact with the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 .

이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제3 반사층(1163) 사이로 방출되는 빛이 도 1 내지 도 12, 도 15를 참조하여 설명된 상기 방열부재(130)로 입사될 수 있다. 상기 발광소자의 하부 방향으로 방출된 빛이 상기 방열부재(130)에 의하여 광 확산될 수 있고, 광 추출효율이 향상될 수 있게 된다.Accordingly, light emitted between the first reflective layer 1161 and the third reflective layer 1163 may be incident on the heat dissipation member 130 described with reference to FIGS. 1 to 12 and 15 . The light emitted in the downward direction of the light emitting device may be diffused by the heat dissipation member 130, and light extraction efficiency may be improved.

또한, 상기 제2 반사층(1162)과 상기 제3 반사층(1163) 사이로 방출되는 빛이 도 1 내지 도 12, 도 15를 참조하여 설명된 상기 방열부재(130)로 입사될 수 있다. 상기 발광소자의 하부 방향으로 방출된 빛이 상기 방열부재(130)에 의하여 광 확산될 수 있고, 광 추출효율이 향상될 수 있게 된다.In addition, light emitted between the second reflective layer 1162 and the third reflective layer 1163 may be incident on the heat dissipation member 130 described with reference to FIGS. 1 to 12 and 15 . The light emitted in the downward direction of the light emitting device may be diffused by the heat dissipation member 130, and light extraction efficiency may be improved.

실시 예에 따른 상기 반사층(1160)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 상부 면에 물리적으로 접촉될 수 있다.The reflective layer 1160 according to an embodiment may contact the second conductivity-type semiconductor layer 1113 through a plurality of contact holes provided in the ohmic contact layer 1130 . The reflective layer 1160 may physically contact the upper surface of the second conductivity-type semiconductor layer 1113 through a plurality of contact holes provided in the ohmic contact layer 1130 .

상기 반사층(1160)은 절연성 반사층으로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반사층(1160)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 ODR(Omni Directional Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 DBR층과 ODR층이 적층되어 제공될 수도 있다.The reflective layer 1160 may be provided as an insulating reflective layer. For example, the reflective layer 1160 may be provided as a distributed Bragg reflector (DBR) layer. In addition, the reflective layer 1160 may be provided as an Omni Directional Reflector (ODR) layer. In addition, the reflective layer 1160 may be provided by stacking a DBR layer and an ODR layer.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a first sub-electrode 1141 and a second sub-electrode 1142 as shown in FIGS. 17 and 18 .

상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 개구부(h2) 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113), 상기 활성층(1112)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(1111)의 일부 영역까지 배치되는 리세스 내에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 배치될 수 있다. The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer 1111 inside the second opening h2 . The first sub-electrode 1141 may be disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 1111 . For example, in the light emitting device 1100 according to the embodiment, the first sub-electrode 1141 passes through the second conductivity-type semiconductor layer 1113 and the active layer 1112 to form a first conductivity-type semiconductor layer ( It may be disposed on the upper surface of the first conductivity-type semiconductor layer 1111 in a recess disposed up to a partial region of 1111 .

상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 반사층(1161)에 제공된 제2 개구부(h2)를 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 개구부(h2)와 상기 리세스는 수직으로 중첩할 수 있고 예로서, 상기 제1 서브전극(1141)은, 도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 복수의 리세스 영역에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the upper surface of the first conductivity-type semiconductor layer 1111 through the second opening h2 provided in the first reflective layer 1161 . The second opening h2 and the recess may vertically overlap. For example, as shown in FIGS. 17 and 18 , the first sub-electrode 1141 may include the first sub-electrode 1141 in the plurality of recess regions. It may be in direct contact with the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 1111 .

상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 서브전극(1142)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 상기 오믹접촉층(1130)이 배치될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer 1113 . The second sub-electrode 1142 may be disposed on the second conductivity-type semiconductor layer 1113 . In an embodiment, the ohmic contact layer 1130 may be disposed between the second sub-electrode 1142 and the second conductivity-type semiconductor layer 1113 .

상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제2 서브전극(1142)은, 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 복수의 P 영역에서 상기 오믹접촉층(1130)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer 1113 through the first opening h1 provided in the second reflective layer 1162 . For example, as shown in FIGS. 16 and 17 , the second sub-electrode 1142 is electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer 1113 through the ohmic contact layer 1130 in the plurality of P regions. can be connected to

상기 제2 서브전극(1142)은, 도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 복수의 P 영역에서 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 복수의 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 오믹접촉층(1130)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.As shown in FIGS. 17 and 18, the second sub-electrode 1142 is connected to the ohmic contact layer ( 1130) may be in direct contact with the upper surface.

실시 예에 의하면, 도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 서로 극성을 가질 수 있고, 서로 이격되어 배치될 수 있다. According to an embodiment, as shown in FIGS. 17 and 18 , the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may have polarities and may be disposed to be spaced apart from each other.

상기 제1 서브전극(1141)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 서브전극(1142)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 이웃된 복수의 제2 서브전극(1142) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 이웃된 복수의 제1 서브전극(1141) 사이에 배치될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be provided in a plurality of line shapes, for example. In addition, the second sub-electrode 1142 may be provided in a plurality of line shapes, for example. The first sub-electrode 1141 may be disposed between a plurality of adjacent second sub-electrodes 1142 . The second sub-electrode 1142 may be disposed between a plurality of adjacent first sub-electrodes 1141 .

상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)이 서로 다른 극성으로 구성되는 경우, 서로 다른 개수의 전극으로 배치될 수 있다. 예를 들어 상기 제1 서브전극(1141)이 n 전극으로, 상기 제2 서브전극(1142)이 p 전극으로 구성되는 경우 상기 제1 서브전극(1141)보다 상기 제2 서브전극(1142)의 개수가 더 많을 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 전기 전도도 및/또는 저항이 서로 다른 경우, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)에 의해 상기 발광 구조물(1110)로 주입되는 전자와 정공의 균형을 맞출 수 있고 따라서 상기 발광소자의 광학적 특성이 개선될 수 있다.When the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 have different polarities, different numbers of electrodes may be disposed. For example, when the first sub-electrode 1141 is an n-electrode and the second sub-electrode 1142 is a p-electrode, the number of the second sub-electrodes 1142 is greater than that of the first sub-electrode 1141 . may be more When the electrical conductivity and/or resistance of the second conductivity type semiconductor layer 1113 and the first conductivity type semiconductor layer 1111 are different from each other, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 Thus, electrons and holes injected into the light emitting structure 1110 may be balanced, and thus, optical properties of the light emitting device may be improved.

상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be formed in a single-layer or multi-layer structure. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be ohmic electrodes. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 are ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO, Ag , at least one of Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, or an alloy of two or more of these materials.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 보호층(1150)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a protective layer 1150 as shown in FIGS. 17 and 18 .

상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)을 노출시키는 복수의 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제3 개구부(h3)는 상기 제2 서브전극(1142)에 제공된 복수의 PB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. The protective layer 1150 may include a plurality of third openings h3 exposing the second sub-electrode 1142 . The plurality of third openings h3 may be disposed to correspond to the plurality of PB regions provided in the second sub-electrode 1142 .

또한, 상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)을 노출시키는 복수의 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제4 개구부(h4)는 상기 제1 서브전극(1141)에 제공된 복수의 NB 영역에 대응되어 배치될 수 있다.Also, the protective layer 1150 may include a plurality of fourth openings h4 exposing the first sub-electrode 1141 . The plurality of fourth openings h4 may be disposed to correspond to the plurality of NB regions provided in the first sub-electrode 1141 .

상기 보호층(1150)은 상기 반사층(1160) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163) 위에 배치될 수 있다.The protective layer 1150 may be disposed on the reflective layer 1160 . The passivation layer 1150 may be disposed on the first reflective layer 1161 , the second reflective layer 1162 , and the third reflective layer 1163 .

예로서, 상기 보호층(1150)은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(1150)은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer 1150 may be made of an insulating material. For example, the protective layer 1150 is Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y It may be formed of at least one material selected from the group comprising:

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 보호층(1150) 위에 배치된 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)를 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a first bonding unit 1171 and a second bonding unit 1172 disposed on the protective layer 1150 as shown in FIGS. 17 and 18 . there is.

상기 제1 본딩부(1171)는 상기 제1 반사층(1161) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제2 반사층(1162) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제1 본딩부(1171)와 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding part 1171 may be disposed on the first reflective layer 1161 . Also, the second bonding part 1172 may be disposed on the second reflective layer 1162 . The second bonding unit 1172 may be disposed to be spaced apart from the first bonding unit 1171 .

상기 제1 본딩부(1171)는 복수의 NB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제4 개구부(h4)를 통하여 상기 제1 서브전극(1141)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역은 상기 제2 개구부(h2)와 수직으로 어긋나도록 배치될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역과 상기 제2 개구부(h2)가 서로 수직으로 어긋나는 경우, 상기 제1 본딩부(1171)로 주입되는 전류가 상기 제1 서브전극(1141)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 NB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. The first bonding part 1171 may contact the upper surface of the first sub-electrode 1141 through the plurality of fourth openings h4 provided in the passivation layer 1150 in the plurality of NB regions. The plurality of NB regions may be vertically displaced from the second opening h2 . When the plurality of NB regions and the second openings h2 are vertically shifted from each other, the current injected into the first bonding portion 1171 may be evenly spread in the horizontal direction of the first sub-electrode 1141, Accordingly, currents may be uniformly injected in the plurality of NB regions.

또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 복수의 PB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제3 개구부(h3)를 통하여 상기 제2 서브전극(1142)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 PB 영역과 상기 복수의 제1 개구부(h1)가 수직으로 중첩되지 않도록 하는 경우 상기 제2 본딩부(1172)로 주입되는 전류가 상기 제2 서브전극(1142)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 PB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. In addition, the second bonding part 1172 may be in contact with the upper surface of the second sub-electrode 1142 through the third openings h3 provided in the protective layer 1150 in the plurality of PB regions. there is. When the plurality of PB regions and the plurality of first openings h1 do not overlap vertically, the current injected into the second bonding part 1172 is evenly spread in the horizontal direction of the second sub-electrode 1142 . Therefore, currents may be uniformly injected in the plurality of PB regions.

이와 같이 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 복수의 제4 개구부(h4) 영역에서 접촉될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)와 상기 제2 서브전극(1142)이 복수의 영역에서 접촉될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 복수의 영역을 통해 전원이 공급될 수 있으므로, 접촉 면적 증가 및 접촉 영역의 분산에 따라 전류 분산 효과가 발생되고 동작전압이 감소될 수 있는 장점이 있다.As described above, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the first bonding portion 1171 and the first sub-electrode 1141 may contact each other in the plurality of fourth openings h4 regions. Also, the second bonding part 1172 and the second sub-electrode 1142 may contact each other in a plurality of regions. Accordingly, according to the embodiment, since power can be supplied through a plurality of regions, there is an advantage that a current dispersion effect occurs and an operating voltage can be reduced according to an increase in the contact area and dispersion of the contact region.

또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 제1 반사층(1161)이 상기 제1 서브전극(1141) 아래에 배치되며, 상기 제2 반사층(1162)이 상기 제2 서브전극(1142) 아래에 배치된다. 이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 발광 구조물(1110)의 활성층(1112)에서 발광되는 빛을 반사시켜 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)에서 광 흡수가 발생되는 것을 최소화하여 광도(Po)를 향상시킬 수 있다.In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, as shown in FIG. 18 , the first reflective layer 1161 is disposed under the first sub-electrode 1141 , and the second reflective layer 1162 . This second sub-electrode 1142 is disposed below. Accordingly, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 reflect light emitted from the active layer 1112 of the light emitting structure 1110 to form a first sub-electrode 1141 and a second sub-electrode ( 1142), the light absorption may be minimized to improve the luminous intensity (Po).

예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 절연성 재료로 이루어지되, 상기 활성층(1112)에서 방출된 빛의 반사를 위하여 반사율이 높은 재료, 예를 들면 DBR 구조를 이룰 수 있다.For example, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 are made of an insulating material, and a material having high reflectivity, for example, a DBR structure, is used for reflection of light emitted from the active layer 1112 . can be achieved

상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 굴절률이 다른 물질이 서로 반복하여 배치된 DBR 구조를 이룰 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 단층 또는 적층 구조로 배치될 수 있다.The first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may form a DBR structure in which materials having different refractive indices are repeatedly disposed. For example, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may include TiO 2 , SiO 2 , Ta 2 O 5 , HfO 2 . It may be arranged in a single-layer or multi-layer structure including at least one of them.

또한, 다른 실시 예에 의하면, 이에 한정하지 않고, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 활성층(1112)에서 발광하는 빛의 파장에 따라 상기 활성층(1112)에서 발광하는 빛에 대한 반사도를 조절할 수 있도록 자유롭게 선택될 수 있다.In addition, according to another embodiment, without being limited thereto, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 emit light from the active layer 1112 according to the wavelength of the light emitted from the active layer 1112 . It can be freely selected to adjust the reflectivity to light.

또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 ODR층으로 제공될 수도 있다. 또 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 DBR층과 ODR층이 적층된 일종의 하이브리드(hybrid) 형태로 제공될 수도 있다.Also, according to another embodiment, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may be provided as ODR layers. According to another embodiment, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may be provided in a hybrid form in which a DBR layer and an ODR layer are stacked.

실시 예에 따른 발광소자가 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지로 구현되는 경우, 상기 발광 구조물(1110)에서 제공되는 빛은 상기 기판(1105)을 통하여 방출될 수 있다. 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에서 반사되어 상기 기판(1105) 방향으로 방출될 수 있다. When the light emitting device according to the embodiment is mounted in a flip chip bonding method and implemented as a light emitting device package, the light provided from the light emitting structure 1110 may be emitted through the substrate 1105 . Light emitted from the light emitting structure 1110 may be reflected by the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 to be emitted toward the substrate 1105 .

또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 발광 구조물(1110)의 측면 방향으로도 방출될 수 있다. 또한, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. In addition, light emitted from the light emitting structure 1110 may also be emitted in a lateral direction of the light emitting structure 1110 . In addition, the light emitted from the light emitting structure 1110 is between the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 among the surfaces on which the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 are disposed. The portion 1172 may be discharged to the outside through an area where the portion 1172 is not provided.

구체적으로, 상기 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163)이 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. Specifically, the light emitted from the light emitting structure 1110 includes the first reflective layer 1161 and the second reflective layer among the surfaces on which the first bonding part 1171 and the second bonding part 1172 are disposed. In 1162 , the third reflective layer 1163 may be emitted to the outside through a region not provided.

이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1100)는 상기 발광 구조물(1110)을 둘러싼 6면 방향으로 빛을 방출할 수 있게 되며, 광도를 현저하게 향상시킬 수 있다.Accordingly, the light emitting device 1100 according to the embodiment can emit light in six directions surrounding the light emitting structure 1110 , and the luminous intensity can be remarkably improved.

한편, 실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 발광소자(1100)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공될 수 있다.On the other hand, according to the light emitting device according to the embodiment, when viewed from the upper direction of the light emitting device 1100, the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 is the first bonding The portion 1171 and the second bonding portion 1172 may be provided equal to or smaller than 60% of the total area of the upper surface of the light emitting device 1100 on which the second bonding portion 1172 is disposed.

예로서, 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적은 상기 발광 구조물(1110)의 제1 도전형 반도체층(1111)의 하부 면의 가로 길이 및 세로 길이에 의하여 정의되는 면적에 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적은 상기 기판(1105)의 상부 면 또는 하부 면의 면적에 대응될 수 있다.For example, the total area of the upper surface of the light emitting device 1100 may correspond to an area defined by the horizontal and vertical lengths of the lower surface of the first conductivity-type semiconductor layer 1111 of the light emitting structure 1110 . . Also, the total area of the upper surface of the light emitting device 1100 may correspond to the area of the upper surface or the lower surface of the substrate 1105 .

이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 빛의 양이 증가될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1100)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다.In this way, by providing the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 equal to or smaller than 60% of the total area of the light emitting device 1100, the first bonding The amount of light emitted to the surface on which the part 1171 and the second bonding part 1172 are disposed can be increased. Accordingly, according to the embodiment, since the amount of light emitted in the direction of six surfaces of the light emitting device 1100 is increased, the light extraction efficiency is improved and the luminous intensity (Po) can be increased.

또한, 상기 발광소자(1100)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)의 면적과 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공될 수 있다.In addition, when viewed from the upper direction of the light emitting device 1100 , the sum of the area of the first bonding part 1171 and the area of the second bonding part 1172 is 30 of the total area of the light emitting device 1100 . It may be provided equal to or greater than %.

이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)를 통하여 안정적인 실장이 수행될 수 있고, 상기 발광소자(1100)의 전기적인 특성을 확보할 수 있게 된다.In this way, the sum of the areas of the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 is equal to or larger than 30% of the total area of the light emitting device 1100, so that the first bonding unit 1172 Stable mounting may be performed through the unit 1171 and the second bonding unit 1172 , and electrical characteristics of the light emitting device 1100 may be secured.

실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 광 추출 효율 및 본딩의 안정성 확보를 고려하여, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상이고 60% 이하로 선택될 수 있다.In the light emitting device 1100 according to the embodiment, the sum of the areas of the first bonding part 1171 and the second bonding part 1172 is the light emitting device 1100 in consideration of securing light extraction efficiency and bonding stability. ) of 30% or more of the total area and may be selected as 60% or less.

즉, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상 내지 100% 이하인 경우, 상기 발광소자(1100)의 전기적 특성을 확보하고, 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하여 안정적인 실장이 수행될 수 있다.That is, when the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 is 30% or more to 100% or less of the total area of the light emitting device 1100, the Stable mounting can be performed by securing electrical characteristics and securing bonding force to be mounted on the light emitting device package.

또한, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 0% 초과 내지 60% 이하인 경우, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 광량이 증가하여 상기 발광소자(1100)의 광추출 효율이 향상되고, 광도(Po)가 증가될 수 있다.In addition, when the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 is greater than 0% to 60% or less of the total area of the light emitting device 1100 , the first bonding portion 1171 ) and the amount of light emitted to the surface on which the second bonding part 1172 is disposed increases, so that the light extraction efficiency of the light emitting device 1100 may be improved, and the luminous intensity Po may be increased.

실시 예에서는 상기 발광소자(1100)의 전기적 특성과 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하고, 광도를 증가시키기 위해, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상 내지 60% 이하로 선택하였다.In the embodiment, the area of the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 is to secure the electrical characteristics of the light emitting device 1100 and the bonding force to be mounted on the light emitting device package, and to increase the luminous intensity. A sum of 30% or more to 60% or less of the total area of the light emitting device 1100 was selected.

또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)의 상기 발광소자(1100)의 장축 방향에 따른 길이(W5)는 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이의 간격에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)의 면적은 예로서 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 10% 이상이고 25% 이하로 제공될 수 있다.Also, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the third reflective layer 1163 may be disposed between the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 . For example, the length W5 of the third reflective layer 1163 along the long axis direction of the light emitting device 1100 corresponds to the interval between the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 . can be placed. In addition, the area of the third reflective layer 1163 may be, for example, 10% or more and 25% or less of the entire upper surface of the light emitting device 1100 .

상기 제3 반사층(1163)의 면적이 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 10% 이상일 때, 상기 발광소자의 하부에 배치되는 패키지 몸체가 변색되거나 균열의 발생을 방지할 수 있고, 25% 이하일 경우 상기 발광소자의 6면으로 발광하도록 하는 광추출효율을 확보하기에 유리하다. When the area of the third reflective layer 1163 is 10% or more of the entire upper surface of the light emitting device 1100, discoloration of the package body disposed under the light emitting device or occurrence of cracks can be prevented, and 25% In the following case, it is advantageous to secure light extraction efficiency to emit light on six surfaces of the light emitting device.

또한, 다른 실시 예에서는 이에 한정하지 않고 상기 광추출효율을 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 0% 초과 내지 10% 미만으로 배치할 수 있고, 상기 패키지 몸체에 변색 또는 균열의 발생을 방지하는 효과를 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 25% 초과 내지 100% 미만으로 배치할 수 있다.In addition, in another embodiment, the area of the third reflective layer 1163 is arranged to be greater than 0% to less than 10% of the entire upper surface of the light emitting device 1100 in order to secure the light extraction efficiency larger, but not limited thereto. In order to secure a greater effect of preventing the occurrence of discoloration or cracks in the package body, the area of the third reflective layer 1163 is more than 25% to 100% of the entire upper surface of the light emitting device 1100 . It can be placed below

또한, 상기 발광소자(1100)의 장축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제2 영역으로 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. In addition, the light emitting structure 1110 generates a second region provided between the first bonding unit 1171 or the second bonding unit 1172 adjacent to the side surface disposed in the long axis direction of the light emitting device 1100 . Light can be transmitted through and emitted.

또한, 상기 발광소자(1100)의 단축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제3 영역으로 상기 발광구조물에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. In addition, light generated by the light emitting structure is transmitted to a third area provided between the first bonding unit 1171 or the second bonding unit 1172 adjacent to the side surface disposed in the minor axis direction of the light emitting device 1100 . It can be permeated and released.

실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)의 크기는 상기 제1 본딩부(1171)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)의 면적은 상기 제1 본딩부(1171)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제1 반사층(1161)의 한 변의 길이는 상기 제1 본딩부(1171)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the size of the first reflective layer 1161 may be several micrometers larger than the size of the first bonding part 1171 . For example, the area of the first reflective layer 1161 may be large enough to completely cover the area of the first bonding part 1171 . In consideration of the process error, the length of one side of the first reflective layer 1161 may be greater than the length of one side of the first bonding part 1171 , for example, by about 4 micrometers to 10 micrometers.

또한, 상기 제2 반사층(1162)의 크기는 상기 제2 본딩부(1172)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(1162)의 면적은 상기 제2 본딩부(1172)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제2 반사층(1162)의 한 변의 길이는 상기 제2 본딩부(1172)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the size of the second reflective layer 1162 may be several micrometers larger than the size of the second bonding part 1172 . For example, the area of the second reflective layer 1162 may be large enough to completely cover the area of the second bonding part 1172 . In consideration of the process error, the length of one side of the second reflective layer 1162 may be greater than the length of one side of the second bonding part 1172, for example, by about 4 micrometers to 10 micrometers.

실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 의하여, 상기 발광 구조물(1110)로부터 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되지 않고 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(1110)에서 생성되어 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되어 손실되는 것을 최소화할 수 있다.According to an embodiment, light emitted from the light emitting structure 1110 by the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 is emitted from the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 . ) can be reflected without being incident on it. Accordingly, according to an embodiment, it is possible to minimize loss of light generated and emitted from the light emitting structure 1110 by being incident on the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 .

또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치되므로, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있게 된다. In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, since the third reflective layer 1163 is disposed between the first bonding part 1171 and the second bonding part 1172, the first bonding part ( 1171) and the amount of light emitted between the second bonding unit 1172 can be adjusted.

앞에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자(1100)는 예를 들어 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지 형태로 제공될 수 있다. 이때, 발광소자(1100)가 실장되는 패키지 몸체가 수지 등으로 제공되는 경우, 상기 발광소자(1100)의 하부 영역에서, 상기 발광소자(1100)로부터 방출되는 단파장의 강한 빛에 의하여 패키지 몸체가 변색되거나 균열이 발생될 수 있다. As described above, the light emitting device 1100 according to the embodiment may be mounted by, for example, a flip chip bonding method and provided in the form of a light emitting device package. At this time, when the package body on which the light emitting device 1100 is mounted is provided with resin or the like, the package body is discolored by strong light of a short wavelength emitted from the light emitting device 1100 in the lower region of the light emitting device 1100 . or cracks may occur.

그러나, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 영역 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있으므로, 상기 발광소자(1100)의 하부 영역에 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있다. However, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, since the amount of light emitted between the region where the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 is disposed can be adjusted, the light emitting device 1100 ) to prevent discoloration or cracking of the package body disposed in the lower region.

실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171), 상기 제2 본딩부(1172), 상기 제3 반사층(1163)이 배치된 상기 발광소자(1100)의 상부 면의 20% 이상 면적에서 상기 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.According to an embodiment, the light emission in an area of 20% or more of the upper surface of the light emitting device 1100 on which the first bonding unit 1171 , the second bonding unit 1172 , and the third reflective layer 1163 are disposed Light generated by the structure 1110 may be transmitted and emitted.

이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1100)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다. 또한, 상기 발광소자(1100)의 하부 면에 근접하게 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있게 된다.Accordingly, according to the embodiment, since the amount of light emitted in the direction of six surfaces of the light emitting device 1100 is increased, the light extraction efficiency is improved and the luminous intensity (Po) can be increased. In addition, it is possible to prevent discoloration or cracking of the package body disposed close to the lower surface of the light emitting device 1100 .

또한, 실시 예예 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 오믹접촉층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 반사층(1160)이 접착될 수 있다. 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있게 됨으로써, 상기 반사층(1160)이 상기 오믹접촉층(1130)에 접촉되는 것에 비하여 접착력이 향상될 수 있게 된다.In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, a plurality of contact holes C1 , C2 , and C3 may be provided in the ohmic contact layer 1130 . The second conductivity type semiconductor layer 1113 and the reflective layer 1160 may be adhered to each other through a plurality of contact holes C1 , C2 , and C3 provided in the ohmic contact layer 1130 . Since the reflective layer 1160 can be in direct contact with the second conductivity-type semiconductor layer 1113 , the adhesive force can be improved compared to when the reflective layer 1160 comes into contact with the ohmic contact layer 1130 .

상기 반사층(1160)이 상기 오믹접촉층(1130)에만 직접 접촉되는 경우, 상기 반사층(1160)과 상기 오믹접촉층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. 예를 들어, 절연층과 금속층이 결합되는 경우, 물질 상호 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. When the reflective layer 1160 is in direct contact with only the ohmic contact layer 1130 , the bonding or adhesive force between the reflective layer 1160 and the ohmic contact layer 1130 may be weakened. For example, when the insulating layer and the metal layer are combined, the bonding force or adhesive force between the materials may be weakened.

예로서, 상기 반사층(1160)과 상기 오믹접촉층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약한 경우, 두 층 간에 박리가 발생될 수 있다. 이와 같이 상기 반사층(1160)과 상기 오믹접촉층(1130) 사이에 박리가 발생되면 발광소자(1100)의 특성이 열화될 수 있으며, 또한 발광소자(1100)의 신뢰성을 확보할 수 없게 된다.For example, when the bonding or adhesive strength between the reflective layer 1160 and the ohmic contact layer 1130 is weak, peeling may occur between the two layers. As such, when peeling occurs between the reflective layer 1160 and the ohmic contact layer 1130 , the characteristics of the light emitting device 1100 may be deteriorated, and reliability of the light emitting device 1100 may not be secured.

그러나, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있으므로, 상기 반사층(1160), 상기 오믹접촉층(1130), 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력 및 접착력이 안정적으로 제공될 수 있게 된다.However, according to an embodiment, since the reflective layer 1160 may be in direct contact with the second conductivity-type semiconductor layer 1113 , the reflective layer 1160 , the ohmic contact layer 1130 , and the second conductivity type semiconductor The bonding force and adhesive force between the layers 1113 may be stably provided.

따라서, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로, 상기 반사층(1160)이 상기 오믹접촉층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로 발광소자(1100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.Therefore, according to the embodiment, since the bonding force between the reflective layer 1160 and the second conductivity-type semiconductor layer 1113 can be stably provided, the reflective layer 1160 is separated from the ohmic contact layer 1130 . can be prevented. In addition, since the coupling force between the reflective layer 1160 and the second conductivity-type semiconductor layer 1113 can be stably provided, the reliability of the light emitting device 1100 can be improved.

한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 오믹접촉층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 활성층(1112)으로부터 발광된 빛은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통해 상기 반사층(1160)에 입사되어 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 활성층(1112)에서 생성된 빛이 상기 오믹접촉층(1130)에 입사되어 손실되는 것을 감소시킬 수 있게 되며 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면 광도가 향상될 수 있게 된다.Meanwhile, as described above, a plurality of contact holes C1 , C2 , and C3 may be provided in the ohmic contact layer 1130 . Light emitted from the active layer 1112 is incident on the reflective layer 1160 through a plurality of contact holes C1 , C2 , and C3 provided in the ohmic contact layer 1130 to be reflected. Accordingly, it is possible to reduce the loss of light generated by the active layer 1112 when it is incident on the ohmic contact layer 1130 , and the light extraction efficiency can be improved. Accordingly, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the luminous intensity can be improved.

한편, 도 1 내지 도 18을 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 18 may be applied to a light source device.

또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. In addition, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, etc. according to an industrial field.

광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.As an example of the light source device, the display device includes a bottom cover, a reflecting plate disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting device, and is disposed in front of the reflecting plate and guides light emitted from the light emitting module to the front A light guide plate, an optical sheet including prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel; It may include a color filter disposed in front. Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. Also, the display device may have a structure in which light emitting devices emitting red, green, and blue light are respectively disposed without including a color filter.

광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp is a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, and is reflected by the reflector It may include a lens that refracts light forward, and a shade that blocks or reflects a portion of light reflected by the reflector and directed to the lens to form a light distribution pattern desired by a designer.

광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.A lighting device that is another example of the light source device may include a cover, a light source module, a heat sink, a power supply unit, an inner case, and a socket. Also, the light source device according to the embodiment may further include any one or more of a member and a holder. The light source module may include a light emitting device package according to an embodiment.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by a person skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example, and does not limit the embodiment, and those of ordinary skill in the art to which the embodiment pertains may find several not illustrated above within a range that does not depart from the essential characteristics of the embodiment. It can be seen that the transformation and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment may be implemented by modification. And the differences related to these modifications and applications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

110 패키지 몸체 111 제1 프레임
112 제2 프레임 113 몸체
120 발광소자 121 제1 본딩부
122 제2 본딩부 123 발광 구조물
124 기판 130 방열부재
135 수지부 140 몰딩부
221 제1 도전체 222 제2 도전체
310 회로기판 311 제1 패드
312 제2 패드 313 지지기판
321 제1 도전층 322 제2 도전층
TH1 개구부 R1 제1 리세스
R2 제2 리세스110 Package body 111 First frame
112 second frame 113 body
120 light emitting element 121 first bonding unit
122 second bonding unit 123 light emitting structure
124 Substrate 130 Heat dissipation member
135 Resin part 140 Molding part
221 first conductor 222 second conductor
310 circuit board 311 first pad
312 second pad 313 support substrate
321 first conductive layer 322 second conductive layer
TH1 opening R1 first recess
R2 second recess

Claims (12)

몸체;
상기 몸체에 서로 이격되어 배치되는 제1 및 제2 프레임;
발광 구조물, 상기 발광 구조물 아래에 배치되는 제1 본딩부, 및 상기 발광 구조물 아래에 상기 제1 본딩부와 이격되어 배치되는 제2 본딩부를 포함하는 발광소자;
상기 발광소자를 둘러싸는 몰딩부재; 및
상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치되는 방열부재; 를 포함하고,
상기 몸체의 하면은 상기 제1 및 제2 프레임의 하면들과 동일 평면을 이루고,
상기 제1 본딩부는 상기 제2 본딩부에 가까운 제1 측면, 및 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함하고,
상기 제2 본딩부는 상기 제1 본딩부에 가까운 제3 측면, 및 상기 제3 측면과 마주보는 제4 측면을 포함하며,
상기 제1 측면 및 상기 제3 측면은 상기 방열부재와 접촉하고,
상기 제2 측면 및 상기 제4 측면은 상기 몰딩부재와 접촉하며,
상기 방열부재의 상면은 상기 발광소자와 접촉하며 제1 방향으로 연장되고,
상기 제1 방향은 상기 발광소자의 상면으로부터 상기 몸체의 하면으로 향하는 방향이며,
상기 발광소자의 상면으로부터 상기 제1 프레임의 하면까지의 제1 거리가 상기 발광소자의 상면으로부터 상기 방열부재의 하면까지의 제2 거리보다 같거나 큰 발광소자 패키지.body;
first and second frames spaced apart from each other on the body;
a light emitting device including a light emitting structure, a first bonding portion disposed under the light emitting structure, and a second bonding portion disposed spaced apart from the first bonding portion under the light emitting structure;
a molding member surrounding the light emitting device; and
a heat dissipation member disposed between the first and second frames; including,
The lower surface of the body forms the same plane as the lower surfaces of the first and second frames,
The first bonding unit includes a first side close to the second bonding unit, and a second side facing the first side,
The second bonding unit includes a third side close to the first bonding unit, and a fourth side facing the third side,
The first side and the third side are in contact with the heat dissipation member,
The second side and the fourth side are in contact with the molding member,
The upper surface of the heat dissipation member is in contact with the light emitting device and extends in a first direction,
The first direction is a direction from the upper surface of the light emitting device toward the lower surface of the body,
A first distance from the upper surface of the light emitting element to the lower surface of the first frame is equal to or greater than a second distance from the upper surface of the light emitting element to the lower surface of the heat dissipation member. 제1항에 있어서,
상기 몸체는 상기 제1 방향으로 상기 몸체의 상면에서 상기 몸체의 하면을 관통하는 개구부를 포함하고,
상기 방열부재는 상기 개구부에 제공된 발광소자 패키지.According to claim 1,
The body includes an opening penetrating through the lower surface of the body from the upper surface of the body in the first direction,
The heat dissipation member is a light emitting device package provided in the opening. 제1항에 있어서,
상기 제1 본딩부와 상기 제1 프레임 사이에 배치된 제1 도전층;
상기 제2 본딩부와 상기 제2 프레임 사이에 배치된 제2 도전층;
을 더 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
a first conductive layer disposed between the first bonding part and the first frame;
a second conductive layer disposed between the second bonding part and the second frame;
A light emitting device package further comprising a. 제1항에 있어서,
상기 몰딩부재는 상기 발광소자 아래에 배치된 반사성 수지부와 상기 발광소자 둘레에 배치된 몰딩부를 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The molding member may include a reflective resin part disposed under the light emitting device and a molding part disposed around the light emitting device. 삭제delete 상기 방열부재는 에폭시 계열의 물질, 실리콘 계열의 물질, 상기 에폭시 계열의 물질과 상기 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드 물질, 화이트 실리콘(white silicone), 및 Al2O3, AlN을 포함하는 그룹 중에서 선택된 물질 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 발광소자 패키지.The heat dissipation member is an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including the epoxy-based material and the silicon-based material, white silicone, and Al 2 O 3 , from the group comprising AlN A light emitting device package comprising at least one selected material. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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