KR102359818B1 - Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 86
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 263
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 263
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 97
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 94
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 187
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 187
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 748
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 177
- 230000008569 process Effects 0.000 description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 67
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 58
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 37
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 33
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 29
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 28
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 27
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 23
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 22
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 22
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 17
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 229920001123 polycyclohexylenedimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 6
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920006128 poly(nonamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 InGaN/InGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 상면과 하면을 관통하는 제1 개구부를 포함하는 제1 프레임, 상면과 하면을 관통하는 제2 개구부를 포함하는 제2 프레임, 제1 프레임과 제2 프레임 사이에 배치되며 상면에서 하면으로 오목한 리세스를 포함하는 몸체를 형성하는 단계; 리세스에 접착제가 제공되는 단계; 제1 본딩부와 제2 본딩부를 포함하는 발광소자가 몸체 위에 제공되며, 제1 본딩부는 제1 개구부 위에 배치되고, 제2 본딩부는 제2 개구부 위에 배치되고, 발광소자의 하면이 접착제에 접촉되어 부착되는 단계; 접착제를 경화시키는 단계; 제1 및 제2 프레임의 상에서 제1 및 제2 본딩부 주위에 수지부가 제공되는 단계; 제1 및 제2 개구부에 제1 및 제2 도전층이 각각 제공되는 단계; 를 포함할 수 있다.A light emitting device package manufacturing method according to an embodiment includes a first frame including a first opening penetrating an upper surface and a lower surface, a second frame including a second opening penetrating the upper surface and a lower surface, the first frame and the second frame forming a body disposed therebetween and including a recess concave from an upper surface to a lower surface; providing the recess with an adhesive; A light emitting device including a first bonding unit and a second bonding unit is provided on the body, the first bonding unit is disposed over the first opening, the second bonding unit is disposed over the second opening, and the lower surface of the light emitting device is in contact with the adhesive attaching; curing the adhesive; providing a resin portion around the first and second bonding portions on the first and second frames; providing first and second conductive layers in the first and second openings, respectively; may include.
Description
실시 예는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a semiconductor device package, a method for manufacturing the semiconductor device package, and a light source device.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.A semiconductor device including a compound such as GaN or AlGaN has many advantages, such as having a wide and easily adjustable band gap energy, and thus can be used in various ways as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials have developed red, green, and It has the advantage of being able to implement light of various wavelength bands, such as blue and ultraviolet. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material may be implemented as a white light source with good efficiency by using a fluorescent material or combining colors. These light emitting devices have advantages of low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light receiving device such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material, a photocurrent is generated by absorbing light in various wavelength ranges through the development of the device material. By doing so, light of various wavelength ranges from gamma rays to radio wavelength ranges can be used. In addition, such a light receiving element has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness, and easy adjustment of element materials, and thus can be easily used in power control or ultra-high frequency circuits or communication modules.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device can replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp or an incandescent light bulb that replaces a cold cathode fluorescence lamp (CCFL) constituting a transmission module of an optical communication means and a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device. The application is expanding to white light emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, the application of the semiconductor device may be extended to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.A light emitting device (Light Emitting Device) may be provided as a pn junction diode having a property of converting electrical energy into light energy by using, for example, a group 3-5 element or a group 2-6 element on the periodic table, Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are receiving great attention in the field of developing optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, a blue light emitting device, a green light emitting device, an ultraviolet (UV) light emitting device, and a red light emitting device using a nitride semiconductor have been commercialized and widely used.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, it is a light emitting diode that emits light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm. can be used
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be divided into UV-A (315nm~400nm), UV-B (280nm~315nm), and UV-C (200nm~280nm) in the order of the longest wavelength. The UV-A (315nm~400nm) area is applied in various fields such as industrial UV curing, printing ink curing, exposure machine, counterfeit detection, photocatalytic sterilization, special lighting (aquarium/agricultural use, etc.), and UV-B (280nm~315nm) ) area is used for medical purposes, and the UV-C (200nm~280nm) area is applied to air purification, water purification, and sterilization products.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. Meanwhile, as a semiconductor device capable of providing a high output is requested, research on a semiconductor device capable of increasing the output by applying a high power is being conducted.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in a semiconductor device package, research is being conducted on a method for improving the light extraction efficiency of the semiconductor device and improving the luminous intensity at the package end. In addition, in a semiconductor device package, research is being conducted on a method for improving the bonding force between the package electrode and the semiconductor device.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in a semiconductor device package, research is being conducted on a method for reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield by improving process efficiency and changing the structure.
실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a semiconductor device package capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics, a method for manufacturing the semiconductor device package, and a light source device.
실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a semiconductor device package, a semiconductor device package manufacturing method, and a light source device capable of improving process efficiency and suggesting a new package structure to reduce manufacturing cost and improve manufacturing yield.
실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법을 제공할 수 있다.The embodiment may provide a semiconductor device package and a method of manufacturing a semiconductor device package capable of preventing a re-melting phenomenon from occurring in a bonding region of the semiconductor device package in a process in which the semiconductor device package is re-bonded to a substrate or the like. have.
실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 상면과 하면을 관통하는 제1 개구부를 포함하는 제1 프레임, 상면과 하면을 관통하는 제2 개구부를 포함하는 제2 프레임, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치되며 상면에서 하면으로 오목한 리세스를 포함하는 몸체를 형성하는 단계; 상기 리세스에 접착제가 제공되는 단계; 제1 본딩부와 제2 본딩부를 포함하는 발광소자가 상기 몸체 위에 제공되며, 상기 제1 본딩부는 상기 제1 개구부 위에 배치되고, 상기 제2 본딩부는 상기 제2 개구부 위에 배치되고, 상기 발광소자의 하면이 상기 접착제에 접촉되어 부착되는 단계; 상기 접착제를 경화시키는 단계; 상기 제1 및 제2 프레임의 상에서 상기 제1 및 제2 본딩부 주위에 수지부가 제공되는 단계; 상기 제1 및 제2 개구부에 제1 및 제2 도전층이 각각 제공되는 단계; 를 포함할 수 있다.A light emitting device package manufacturing method according to an embodiment includes a first frame including a first opening penetrating an upper surface and a lower surface, a second frame including a second opening penetrating the upper surface and a lower surface, the first frame and the second frame forming a body disposed between the two frames and including a recess concave from an upper surface to a lower surface; providing an adhesive to the recess; A light emitting device including a first bonding portion and a second bonding portion is provided on the body, the first bonding portion is disposed on the first opening, the second bonding portion is disposed on the second opening, and a step of attaching the lower surface in contact with the adhesive; curing the adhesive; providing a resin part around the first and second bonding parts on the first and second frames; providing first and second conductive layers in the first and second openings, respectively; may include.
실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 상면과 하면을 관통하는 제1 개구부를 포함하는 제1 프레임, 상면과 하면을 관통하는 제2 개구부를 포함하는 제2 프레임, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치되며 상면에서 하면으로 오목한 리세스를 포함하는 몸체를 포함하는 패키지 몸체가 제공되는 단계; 상기 몸체의 상기 리세스에 접착제가 제공되는 단계; 하면에 배치된 제1 본딩부와 제2 본딩부를 포함하는 발광소자가 상기 패키지 몸체 위에 제공되며, 상기 제1 본딩부는 상기 제1 개구부 위에 배치되고, 상기 제2 본딩부는 상기 제2 개구부 위에 배치되고, 상기 발광소자의 하면이 상기 접착제에 직접 접촉되어 부착되는 단계; 상기 제1 프레임의 상면과 상기 제1 본딩부의 측면 사이 및 상기 제2 프레임의 상면과 상기 제2 본딩부의 측면 사이에 수지부가 제공되는 단계; 상기 제1 개구부에 제1 도전층이 제공되고 상기 제2 개구부에 제2 도전층이 제공되는 단계; 를 포함할 수 있다.A light emitting device package manufacturing method according to an embodiment includes a first frame including a first opening penetrating an upper surface and a lower surface, a second frame including a second opening penetrating the upper surface and a lower surface, the first frame and the second frame providing a package body disposed between the two frames and including a body including a recess concave from an upper surface to a lower surface; providing an adhesive to the recess of the body; A light emitting device including a first bonding portion and a second bonding portion disposed on a lower surface is provided on the package body, the first bonding portion is disposed on the first opening portion, the second bonding portion is disposed on the second opening portion, and , the step of attaching the lower surface of the light emitting device in direct contact with the adhesive; providing a resin part between an upper surface of the first frame and a side surface of the first bonding unit and between an upper surface of the second frame and a side surface of the second bonding unit; providing a first conductive layer in the first opening and a second conductive layer in the second opening; may include
실시 예에 의하면, 상기 수지부는 상기 제1 개구부로부터 이격되어 배치되며 상기 제1 프레임의 상면에서 상기 제1 프레임의 하면 방향으로 오목하게 제공된 제1 상부 리세스와 상기 제2 개구부로부터 이격되어 배치되며 상기 제2 프레임의 상면에서 상기 제2 프레임의 하면 방향으로 오목하게 제공된 제2 상부 리세스에 형성될 수 있다.According to an embodiment, the resin part is disposed to be spaced apart from the first opening and spaced apart from the first upper recess and the second opening provided concavely from the upper surface of the first frame to the lower surface of the first frame, It may be formed in a second upper recess provided to be concave in a direction from an upper surface of the second frame to a lower surface of the second frame.
실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 상기 수지부가 제공되는 단계 이후에, 상기 발광소자 위에 몰딩부가 제공되는 단계를 더 포함할 수 있다.The method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment may further include, after the step of providing the resin part, a step of providing a molding part on the light emitting device.
실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 상기 제1 개구부에 제1 도전층이 제공되고 상기 제2 개구부에 제2 도전층이 제공되는 단계 이후에, 상기 발광소자 위에 몰딩부가 제공되는 단계를 더 포함할 수 있다.In the light emitting device package manufacturing method according to an embodiment, after the step of providing a first conductive layer in the first opening and providing a second conductive layer in the second opening, the step of providing a molding part on the light emitting device is further performed. may include
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층은 도전성 페이스트 형태로 상기 제1 개구부 및 제2 개구부에 제공될 수 있다.In example embodiments, the first conductive layer and the second conductive layer may be provided in the first opening and the second opening in the form of a conductive paste.
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부에 제1 도전층이 제공되고 상기 제2 개구부에 제2 도전층이 제공되는 단계는, 제1 도전성 페이스트가 상기 제1 및 제2 개구부에 제공되는 단계; 및 제2 도전성 페이스트가 상기 제1 및 제2 개구부에 더 제공되는 단계; 를 포함하고, 상기 제1 도전성 페이스트와 상기 제2 도전성 페이스트는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the providing of the first conductive layer in the first opening and the second conductive layer in the second opening may include: providing a first conductive paste to the first and second openings; and providing a second conductive paste to the first and second openings. and, the first conductive paste and the second conductive paste may include different materials.
실시 에에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격되어 배치되며 제1 및 제2 개구부를 각각 포함하는 제1 및 제2 프레임; 상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치되며 리세스를 포함하는 몸체; 상기 리세스 상에 배치되는 접착제; 상기 접착제 상에 배치되며, 제1 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 및 상기 제1 및 제2 본딩부 상에 각각 배치된 제1 및 제2 도전체; 를 포함하고, 상기 제1 및 제2 본딩부는 상기 제1 및 제2 개구부 상에 각각 배치되고, 상기 제1 및 제2 도전체는 상기 제1 및 제2 개구부 내부까지 각각 배치되며, 상기 제1 및 제2 개구부는 상기 제1 및 제2 프레임 각각의 상면에 배치된 제1 영역, 상기 제1 및 제2 프레임 각각의 하면에 배치된 제2 영역을 더 포함하고, 상기 제1 영역의 상면의 폭은 상기 제2 영역의 하면의 폭보다 작게 제공될 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes first and second frames spaced apart from each other and including first and second openings, respectively; a body disposed between the first and second frames and including a recess; an adhesive disposed over the recess; a light emitting device disposed on the adhesive and including first and second bonding parts; and first and second conductors respectively disposed on the first and second bonding portions; including, wherein the first and second bonding portions are respectively disposed on the first and second openings, and the first and second conductors are respectively arranged up to the inside of the first and second openings, and the first and the second opening further includes a first area disposed on an upper surface of each of the first and second frames, and a second area disposed on a lower surface of each of the first and second frames, the upper surface of the first area A width may be provided to be smaller than a width of a lower surface of the second region.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격되어 배치된 제1 및 제2 프레임; 상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 제1 본딩부 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 및 상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치되는 접착제; 를 포함하고, 상기 제1 프레임은 상기 제1 프레임의 상면과 하면을 관통하는 제1 개구부와, 상기 제1 개구부로부터 이격되어 배치되며 상기 제1 프레임의 상면에서 상기 제1 프레임의 하면 방향으로 오목한 제1 상부 리세스를 포함하고, 상기 제2 프레임은 상기 제2 프레임의 상면과 하면을 관통하는 제2 개구부와, 상기 제2 개구부로부터 이격되어 배치되며 상기 제2 프레임의 상면에서 상기 제2 프레임의 하면 방향으로 오목한 제2 상부 리세스를 포함하고, 상기 몸체는 상면에서 하면으로 오목한 리세스를 포함하고, 상기 접착제는 상기 리세스에 배치되고, 상기 제1 본딩부는 상기 제1 개구부 상에 배치되고, 상기 제2 본딩부는 상기 제2 개구부 상에 배치되고, 상기 제1 상부 리세스와 상기 제1 본딩부의 측면 사이 및 상기 제2 상부 리세스와 상기 제2 본딩부의 측면 사이에 배치된 수지부를 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes first and second frames spaced apart from each other; a body disposed between the first and second frames; a light emitting device including a first bonding unit and a second bonding unit; and an adhesive disposed between the body and the light emitting device. Including, wherein the first frame has a first opening penetrating the upper and lower surfaces of the first frame, is disposed spaced apart from the first opening, and is concave from the upper surface of the first frame to the lower surface of the first frame. a first upper recess, wherein the second frame includes a second opening penetrating the upper and lower surfaces of the second frame, the second opening spaced apart from the second opening, and the second frame from the upper surface of the second frame a second upper recess concave in a lower surface direction of and a resin part disposed on the second opening part and disposed between the first upper recess and a side surface of the first bonding part and between the second upper recess and a side surface of the second bonding part. can do.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 개구부에 제공되며 상기 제1 본딩부의 하면과 직접 접촉되어 배치된 제1 도전층; 상기 제2 개구부에 제공되며 상기 제2 본딩부의 하면과 직접 접촉되어 배치된 제2 도전층; 을 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes: a first conductive layer provided in the first opening and disposed in direct contact with a lower surface of the first bonding part; a second conductive layer provided in the second opening and disposed in direct contact with a lower surface of the second bonding part; may include
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층은 상기 제1 개구부의 상부 영역에 제공된 제1 상부 도전층과 상기 제1 개구부의 하부 영역에 제공된 제1 하부 도전층을 포함하고, 상기 제1 상부 도전층과 상기 제1 하부 도전층은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.In an embodiment, the first conductive layer includes a first upper conductive layer provided in an upper region of the first opening and a first lower conductive layer provided in a lower region of the first opening, and the first upper conductive layer and the first lower conductive layer may include different materials.
실시 예에 의하면, 상기 수지부는 화이트 실리콘을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the resin part may include white silicone.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 본딩부의 아래에 배치되며 상기 제1 본딩부와 전기적으로 연결된 제1 도전체; 상기 제2 본딩부의 아래에 배치되며 상기 제2 본딩부와 전기적으로 연결된 제2 도전체; 상기 제1 개구부에 제공되며 상기 제1 도전체의 하면과 측면에 직접 접촉되어 배치된 제1 도전층; 상기 제2 개구부에 제공되며 상기 제2 도전체의 하면과 측면에 직접 접촉되어 배치된 제2 도전층; 을 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes: a first conductor disposed under the first bonding unit and electrically connected to the first bonding unit; a second conductor disposed under the second bonding unit and electrically connected to the second bonding unit; a first conductive layer provided in the first opening and disposed in direct contact with a lower surface and a side surface of the first conductor; a second conductive layer provided in the second opening and disposed in direct contact with a lower surface and a side surface of the second conductor; may include
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층은 상기 제1 본딩부의 하면에 직접 접촉되어 배치되고, 상기 제2 도전층은 상기 제2 본딩부의 하면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first conductive layer may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding part, and the second conductive layer may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding part.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전체는 상기 제1 개구부 내에 배치되고, 상기 제2 도전체는 상기 제2 개구부 내에 배치될 수 있다.In an embodiment, the first conductor may be disposed in the first opening, and the second conductor may be disposed in the second opening.
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부는 상부 영역의 폭이 하부 영역의 폭에 비하여 더 작게 제공되고, 상기 하부 영역에서 상기 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 좁아지는 경사면을 포함할 수 있다.In example embodiments, the first opening may include an inclined surface in which the width of the upper region is smaller than the width of the lower region, and the width gradually narrows from the lower region to the upper region.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the semiconductor device package manufacturing method according to the embodiment, there is an advantage in that light extraction efficiency, electrical characteristics, and reliability can be improved.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the semiconductor device package manufacturing method according to the embodiment, there is an advantage in that process efficiency can be improved and a new package structure can be proposed, thereby reducing the manufacturing cost and improving the manufacturing yield.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.The semiconductor device package according to the embodiment has an advantage in that it is possible to prevent discoloration of the reflector by providing a body having a high reflectance, thereby improving the reliability of the semiconductor device package.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 제조방법에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to the semiconductor device package and the semiconductor device manufacturing method according to the embodiment, it is possible to prevent a re-melting phenomenon from occurring in the bonding region of the semiconductor device package in the process of re-bonding the semiconductor device package to a substrate or the like. There is this.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 패키지 몸체가 제공된 상태를 설명하는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 발광소자가 제공된 상태를 설명하는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 개구부에 도전층이 제공된 상태를 설명하는 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 몰딩부가 제공된 상태를 설명하는 도면이다.
도 9 내지 도 11은 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 변형 예를 설명하는 도면이다.
도 12 내지 도 14는 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 다른 변형 예를 설명하는 도면이다.
도 15 내지 도 17은 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 또 다른 변형 예를 설명하는 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 19는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 평면도이다.
도 22는 도 21에 도시된 발광소자의 A-A 선에 다른 단면도이다.
도 23a 및 도 23b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하여 반도체층이 형성된 단계를 설명하는 도면이다.
도 24a 및 도 24b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하여 오믹접촉층이 형성된 단계를 설명하는 도면이다.
도 25a 및 도 25b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하여 반사층이 형성된 단계를 설명하는 도면이다.
도 26a 및 도 26b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하여 제1 서브전극과 제2 서브전극이 형성된 단계를 설명하는 도면이다.
도 27a 및 도 27b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하여 보호층이 형성된 단계를 설명하는 도면이다.
도 28a 및 도 28b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하여 제1 전극과 제2 전극이 형성된 단계를 설명하는 도면이다.
도 29는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 전극 배치를 설명하는 평면도이다.
도 30은 도 29에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.
도 31은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 32는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 33은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view taken along line DD of the light emitting device package shown in FIG. 1 .
4 is a view for explaining an arrangement relationship of a first frame, a second frame, and a body applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
5A and 5B are views for explaining a state in which a package body is provided by the method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
6A and 6B are views for explaining a state in which a light emitting device is provided by the method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
7A and 7B are views for explaining a state in which a conductive layer is provided in an opening by the method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
8A and 8B are views for explaining a state in which a molding part is provided by the method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
9 to 11 are views for explaining a modified example of the body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3 .
12 to 14 are views for explaining another modified example of a body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3 .
15 to 17 are views for explaining another modified example of a body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3 .
18 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
19 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
20 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
21 is a plan view illustrating an example of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
22 is a cross-sectional view taken along line AA of the light emitting device shown in FIG. 21 .
23A and 23B are views for explaining a step in which a semiconductor layer is formed by a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
24A and 24B are views for explaining a step in which an ohmic contact layer is formed by the method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
25A and 25B are views for explaining a step in which a reflective layer is formed by a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
26A and 26B are views for explaining a step in which the first sub-electrode and the second sub-electrode are formed by the method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
27A and 27B are views for explaining a step in which a protective layer is formed by the method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
28A and 28B are views for explaining a step in which a first electrode and a second electrode are formed by the method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
29 is a plan view illustrating an electrode arrangement of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
30 is a cross-sectional view taken along line FF of the light emitting device shown in FIG.
31 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
32 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
33 is a view showing another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of embodiments, each layer (film), region, pattern or structure is “on/over” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of being described as being formed on, “on/over” and “under” include both “directly” or “indirectly” formed through another layer. do. In addition, the reference for the upper / upper or lower of each layer will be described with reference to the drawings, but the embodiment is not limited thereto.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명한다.Hereinafter, a semiconductor device package and a semiconductor device package manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a case in which a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device will be described.
먼저, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기로 한다. First, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4 .
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지의 D-D 선에 따른 단면도이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 제1 프레임, 제2 프레임, 몸체의 배치 관계를 설명하는 도면이다.1 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a line DD of the light emitting device package shown in FIG. 4 is a view for explaining the arrangement relationship of the first frame, the second frame, and the body applied to the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to an embodiment, the
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다.The
또한, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)이 절연성 프레임으로 형성되는 경우와 도전성 프레임으로 형성되는 경우의 차이점에 대해서는 뒤에서 더 설명하기로 한다.Differences between a case in which the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the
상기 발광소자(120)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 3 , the
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed under the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be disposed to be spaced apart from each other under the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. According to an embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width W1 of the
따라서, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(111)이 더 견고하게 부착될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(112)이 더 견고하게 부착될 수 있다.Accordingly, the
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.Also, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1. Also, the width of the upper region of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower region of the second opening TH2 .
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.For example, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be several tens of micrometers to several hundred micrometers. Also, the width W2 of the lower region of the first opening TH1 may be tens of micrometers to several hundreds of micrometers greater than the width W1 of the upper region of the first opening TH1.
또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 may be several tens of micrometers to several hundred micrometers. Also, the width of the lower region of the second opening TH2 may be tens of micrometers to several hundreds of micrometers greater than the width of the upper region of the second opening TH2.
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)에 비해 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다. Also, the width W2 of the lower region of the first opening TH1 may be wider than the width W1 of the upper region of the first opening TH1 . The first opening TH1 may be provided with a constant width by a predetermined depth in the upper region, and may be provided in an inclined shape toward the lower region.
또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비해 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다.In addition, the width of the lower region of the second opening TH2 may be wider than the width of the upper region of the second opening TH2 . The second opening TH2 may be provided with a constant width by a predetermined depth in the upper area, and may be provided in an inclined shape toward the lower area.
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. For example, the first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. Also, the second opening TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
또한, 실시 예에 의하면, 도 33에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 하부 영역이 양쪽 모두 경사진 면을 포함할 수도 있다.Also, according to an embodiment, as shown in FIG. 33 , both of the lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may include inclined surfaces.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and the inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different inclinations, and the inclined surfaces may be disposed with curvature. .
상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역의 폭(W1)과 하부 영역의 폭(W2)의 크기 변화에 대한 효과는 뒤에서 더 살펴 보기로 한다.Effects of changes in the width W1 of the upper region and the width W2 of the lower region of the first and second openings TH1 and TH2 will be described later.
상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은 예로서 100 마이크로 미터 내지 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다. A width W3 between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surfaces of the
상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 패드 간의 전기적인 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.The width W3 between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 접착제(130)를 포함할 수 있다. The light emitting
상기 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recess R may be provided in the
본 실시예에 의하면, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to this embodiment, the adhesive 130 may be disposed in the recess (R). The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.In addition, the adhesive 130 may be provided between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . Also, as an example, when the adhesive 130 includes a reflective function, the adhesive may include white silicone.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the
또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있고, 상기 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)으로 구성될 수 있다.In addition, the adhesive 130 may reflect light emitted from the
실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)에 비해 작게 제공될 수 있다. In some embodiments, a depth T1 of the recess R may be smaller than a depth T2 of the first opening TH1 or a depth T2 of the second opening TH2.
상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 접착제(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙(crack)이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the adhesive 130 . In addition, the recess R has a depth T1 in consideration of the stable strength of the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 언더필(Under fill) 공정은 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장한 후 상기 접착제(130)를 상기 발광소자(120) 하부에 배치하는 공정일 수 있고, 상기 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장하는 공정에서 상기 접착제(130)를 통해 실장하기 위해 상기 접착제(130)를 상기 리세스(R)에 배치 후 상기 발광소자(120)를 배치하는 공정일 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide an appropriate space under the
상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 접착제(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 접착제(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth T1 and the width W4 of the recess R may affect the formation position and fixing force of the adhesive 130 . A depth T1 and a width W4 of the recess R may be determined to provide sufficient fixing force by the adhesive 130 disposed between the
예로서, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. For example, the depth T1 of the recess R may be several tens of micrometers. The depth T1 of the recess R may be 40 micrometers to 60 micrometers.
또한, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 고정력을 확보하기 위하여 상기 발광소자(120)의 장축 방향으로 제공될 수 있다.In addition, the width W4 of the recess R may be provided in a range of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. Here, the width W4 of the recess R may be provided in the longitudinal direction of the
상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 간의 간격에 비해 좁게 제공될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 장축 길이에 대해 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 5% 이상 내지 80% 이하로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 폭(W4)이 상기 발광소자(120)의 장축 길이의 5% 이상으로 제공될 때 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 확보할 수 있고, 80% 이하로 제공될 때 상기 접착제(130)가 상기 리세스(R)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이의 제1 및 제2 프레임(111, 112) 각각에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 리세스(R)와 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이의 제1 및 제2 프레임(111, 112)과 상기 발광소자(120) 간의 고정력을 확보할 수 있다.A width W4 of the recess R may be provided to be narrower than a gap between the
상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 상기 제1 프레임(111)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 상기 제1 프레임(111)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. A depth T2 of the first opening TH1 may be provided to correspond to a thickness of the
상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 제2 프레임(112)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 제2 프레임(112)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.A depth T2 of the second opening TH2 may be provided to correspond to a thickness of the
상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 및 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 및 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.A depth T2 of the first opening TH1 and a depth T2 of the second opening TH2 may be provided to correspond to the thickness of the
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 180 마이크로 미터 내지 500 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 500 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the depth T2 of the first opening TH1 may be several hundreds of micrometers. A depth T2 of the first opening TH1 may be 180 micrometers to 500 micrometers. For example, the depth T2 of the first opening TH1 may be 500 micrometers.
예로서, 상기 (T2-T1)의 두께는 적어도 100 마이크로 미터 이상으로 선택될 수 있다. 이는 상기 몸체(113)의 크랙 프리(crack free)를 제공할 수 있는 사출 공정 두께가 고려된 것이다. For example, the thickness of (T2-T1) may be selected to be at least 100 micrometers or more. This is in consideration of the thickness of the injection process that can provide crack free (crack free) of the body (113).
실시 예에 의하면, T1 두께와 T2 두께의 비(T2/T1)는 2 내지 10으로 제공될 수 있다. 예로서, T2의 두께가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, T1의 두께는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 T1 두께와 T2 두께의 비(T2/T1)가 2 이상이 되어야 상기 몸체(113)에 크랙(Crack)이 발생하지 않거나 단절되지 않도록 기계적 강도 확보할 수 있다. 또한, 상기 T1 두께와 T2 두께의 비(T2/T1)가 10 이하가 되어야 상기 리세스(R) 내에 배치되는 접착제(130)의 양을 충분히 배치할 수 있고, 따라서 상기 발광소자(120)와 상기 발광소자 패키지(110)간의 고정력을 개선할 수 있다.According to an embodiment, the ratio (T2/T1) of the thickness T1 to the thickness T2 may be 2 to 10. For example, when the thickness of T2 is provided as 200 micrometers, the thickness of T1 may be provided as 20 micrometers to 100 micrometers. When the ratio (T2/T1) of the T1 thickness to the T2 thickness is 2 or more, mechanical strength can be secured so that cracks do not occur or break in the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
참고로, 도 1을 도시함에 있어, 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 몸체(113)의 배치관계가 잘 나타날 수 있도록, 상기 몰딩부(140)는 도시하지 아니하였다.For reference, in FIG. 1 , the
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The
상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상부 영역의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.The first
상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상부 영역의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.The second
상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다.For example, the first
실시 예에 의하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 각각 제공될 수 있다. According to an embodiment, as shown in FIG. 3 , the first and second
이상에서 설명된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 제 1 영역과 제2 영역을 가질 수 있고, 상기 제1 영역의 상면의 폭(W1)은 상기 제2 영역의 하면의 폭(W2)보다 작게 제공될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공되는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 부피도 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 제2 영역에 비해 제1 영역에 더 작게 제공될 수 있다.As described above, the first and second openings TH1 and TH2 may have a first area and a second area, and the width W1 of the upper surface of the first area is equal to the width W1 of the lower surface of the second area. It may be provided to be smaller than the width W2 of . Accordingly, the volumes of the first and second
예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상기 제1 영역은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역에 대응될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상기 제2 영역은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 하부 영역에 대응될 수 있다.For example, the first regions of the first and second openings TH1 and TH2 may correspond to upper regions of the first and second openings TH1 and TH2. Also, the second regions of the first and second openings TH1 and TH2 may correspond to lower regions of the first and second openings TH1 and TH2.
이와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역의 폭이 좁게 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 접촉 면적이 작아질 수 있게 된다. 따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에서 상기 발광소자(120)의 측면 방향으로 확산되는 것이 방지될 수 있게 된다. As described above, as the widths of the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2 are narrowed, the first and
상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에서 측면 방향으로 확산되는 경우, 확산된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다.When the first and second
그러나, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 접촉 면적을 작게 함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에서 상기 발광소자(120)의 측면 방향으로 확산되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)의 단락에 의한 불량이 방지되어 발광소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.However, according to the embodiment, by reducing the contact area between the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 제2 영역의 하면 폭이 제1 영역의 상면 폭에 비하여 더 넓게 제공됨에 따라, 상기 제2 영역의 하면을 통해 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 배치하는 공정이 쉽게 진행될 수 있다.Further, according to an embodiment, since the width of the lower surface of the second region of the first and second openings TH1 and TH2 is wider than the width of the upper surface of the first region, the width of the second region is provided through the lower surface of the second region. The process of disposing the first and second
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역의 폭이 좁게 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역에 제공되는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 부피가 감소될 수 있게 된다. In addition, according to an embodiment, as the widths of the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2 are narrow, the first and second openings provided in the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2 are narrow. The volume of the first and second
따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 사용량이 감소될 수 있으므로, 안정적으로 전기적 연결이 수행되면서도 제조 비용이 절감될 수 있게 된다.Accordingly, since the amount of use of the first and second
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 상부 리세스(R3)와 제2 상부 리세스(R4)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first upper recess R3 and a second upper recess R4 as shown in FIGS. 1, 3 and 4 .
상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 상기 패키지 몸체(110)의 외측 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. The first upper recess R3 may be provided on an upper surface of the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 측면은 경사면을 가질 수 있고, 곡률을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 상부 리세스(R3)가 구형 형상으로 구성되고, 그 측면이 원형 형상으로 구성될 수 있다. 이에 따르는 효과는 후술하도록 한다.Also, according to an embodiment, a side surface of the first upper recess R3 may have an inclined surface or a curvature. Also, the first upper recess R3 may have a spherical shape, and a side surface thereof may have a circular shape. The following effects will be described later.
상기 제1 상부 리세스(R3)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 패키지 몸체(110)의 외측면과 상기 패키지 몸체의 내측면, 그리고 상기 외측면과 내측면을 연결하며 상기 리세스(R)가 연장되는 방향과 평행하게 배치된 연장측면을 포함할 수 있다. 상기 내측면은 상기 제1 본딩부(121)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 외측면은 상기 패키지 몸체(110) 단축 방향의 서로 마주보는 두 변과 장축 방향의 외곽 영역에 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R3)는 3 개의 외측면과 3 개의 내측면, 2개의 연장 측면을 가질 수 있고, 상기 제1 본딩부(121)의 주변에 “[” 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)이 상기 제1 개구부(TH1)를 가질 때, 상기 제1 개구부(TH1)와 이격 거리를 가질 수 있도록 구성되어야 상기 발광소자(120) 등을 지지하기 위한 제1 프레임(111)의 기계적 강도를 확보할 수 있다. 따라서, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 구성은 상기 제1 본딩부(121)의 일부 영역을 감싸며 배치되기 위해 상술한 구성을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 상부 리세스(R3)가 상기 제1 본딩부(121)의 일부 영역을 감싸며 배치되는 경우 얻을 수 있는 효과는 후술하도록 한다.The first upper recess (R3), as shown in FIG. 4, when viewed from the upper direction, the outer surface of the
상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 상기 패키지 몸체(110)의 외측 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. The second upper recess R4 may be provided on the upper surface of the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 상부 리세스(R4)의 측면은 경사면을 가질 수 있고, 곡률을 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 상부 리세스(R4)가 구형 형상으로 구성되고, 그 측면이 원형 형상으로 구성될 수 있다. 이에 따르는 효과는 후술하도록 한다.Also, according to an embodiment, a side surface of the second upper recess R4 may have an inclined surface or a curvature. Also, the second upper recess R4 may have a spherical shape, and a side surface thereof may have a circular shape. The following effects will be described later.
상기 제2 상부 리세스(R4)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 패키지 몸체(110)의 외측면과 상기 패키지 몸체의 내측면, 그리고 상기 외측면과 내측면을 연결하며 상기 리세스(R)가 연장되는 방향과 평행하게 배치된 연장측면을 포함할 수 있다. 상기 내측면은 상기 제2 본딩부(122)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 상부 리세스(R4)의 외측면은 상기 패키지 몸체(110) 단축 방향의 서로 마주보는 두 변과 장축 방향의 외곽 영역에 인접하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 상부 리세스(R4)는 3 개의 외측면과 3 개의 내측면, 2개의 연장 측면을 가질 수 있고, 상기 제2 본딩부(122)의 주변에 “]” 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2 프레임(112)이 상기 제2 개구부(TH2)를 가질 때, 상기 제2 개구부(TH2)와 이격 거리를 가질 수 있도록 구성되어야 상기 발광소자(120) 등을 지지하기 위한 제2 프레임(112)의 기계적 강도를 확보할 수 있다. 따라서, 상기 제2 상부 리세스(R4)의 구성은 상기 제2 본딩부(122)의 일부 영역을 감싸며 배치되기 위해 상술한 구성을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제2 상부 리세스(R4)가 상기 제2 본딩부(122)의 일부 영역을 감싸며 배치되는 경우 얻을 수 있는 효과는 후술하도록 한다.The second upper recess (R4), as shown in FIG. 4, when viewed from the upper direction, the outer surface of the
예로서, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있고, 상기 발광소자(120) 및/또는 상기 발광소자 패키지(100)의 크기에 따라 다양하게 제공될 수 있다.For example, the first upper recess R3 and the second upper recess R4 may be provided with a width of several tens of micrometers to several hundred micrometers, and the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 수지부(135)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting
상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면 상에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)에 제공될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)가 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)제1 본딩부(121)의 외측과 상기 발광소자(120)의 외측면 사이에서 상기 발광 구조물(123) 하부에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)가 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 외측과 상기 발광소자(120)의 외측면 사이에서 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.Also, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 일부 영역이 발광소자(120)의 일부 영역과 제1 방향으로 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩부(121)에 인접한 상기 제1 상부 리세스(R3)의 내측면 은 상기 발광 구조물(123) 내측에 배치될 수 있다.In addition, in the light emitting device package according to the embodiment, as shown in FIG. 4 , when viewed from an upper direction, a partial region of the first upper recess R3 is a partial region of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 상부 리세스(R4)의 일부 영역이 상기 발광 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 본딩부(122)에 인접한 상기 제2 상부 리세스(R4)의 측면 영역이 상기 발광 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다.In addition, in the light emitting device package according to the embodiment, as shown in FIG. 4 , when viewed from an upper direction, a partial region of the second upper recess R4 overlaps the
또한, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)가 상기 발광소자(120) 아래에 상기 수지부(135)가 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다.In addition, the first upper recess R3 and the second upper recess R4 may provide sufficient space for the
이에 따라, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 채워진 상기 수지부(135)가 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 주변을 효과적으로 밀봉할 수 있게 된다.Accordingly, the
또한, 상기 몸체(113)의 리세스 내에 배치되는 상기 접착제(130)를 통해 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110)을 고정한 후 상기 수지부(135)를 상기 제1 및 제2 상부 리세스(R3, R4)에 배치하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 주변을 밀봉할 수 있다. 선술한 바와 같이 상기 제1 및 제2 리세스(R3, R4)가 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 일부 영역을 감싸며 배치되고 상기 제작 순서로 공정을 진행할 경우, 이어지는 공정인 상기 제1 및 제2 도전층 (321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 연장되어 활성층에 접함으로 발생할 수 있는 단락 문제를 더 효과적으로 개선할 수 있다.In addition, after fixing the
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
또한, 상술한 바와 같이 상기 제1 프레임(111)이 구형 형상을 갖고, 그 측단면이 원형 형상으로 구성되는 경우, 상기 수지부가 상기 제1 프레임과 직접적으로 및/또는 간접적으로 접하는 면적이 증가하기 때문에 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 더 향상시킬 수 있다. 여기서, 직접적으로 접하는 것은 상기 제1 프레임(111)과 상기 수지부(135)가 직접 접하는 것을 의미할 수 있고, 간접적으로 접하는 것은 상기 제1 프레임(111)이 상기 제1 프레임(111)을 구성하는 물질과 다른 물질로 코팅되는 실시 예를 의미할 수 있고, 상기 수지부(135)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 다른 물질이 배치되는 실시 예를 의미할 수 있다.In addition, as described above, when the
상기 제1 프레임(111)과 상기 수지부(135) 사이의 접착력이 부족한 경우, 상기 제1 프레임(111)과 상기 수지부(135) 사이에 다른 물질이 배치될 수 있고, 상기 수지부(135) 및 상기 제1 프레임(111)과 접착력이 좋은 물질로 상기 제1 프레임(111)을 코팅할 수 있다.When the adhesive force between the
상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치된 후 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 배치하는 제조 공정에 의하면 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second
또한, 상기 수지부(135)가 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있도록 화이트 실리콘으로 구성되거나 TiO2와 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)가 상기 제1 및 제2 상부 리세스(R3, R4)를 채우도록 배치되는 경우, 선술한 바와 같이 상기 제1 및 제2 상부 리세스(R3, R4)가 상기 발광소자(120)의 일부 영역을 감싸며 배치되기 때문에 상기 제1 및 제2 상부 리세스(R3, R4)가 배치된 영역에서 반사율이 높아질 수 있다. 따라서, 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율이 개선될 수 있다.In addition, when the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.Also, according to an embodiment, the
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 몰딩부(140)가 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 직접 접촉되도록 배치될 수도 있다.On the other hand, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.Also, according to an embodiment, the
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first and second conductivity-type semiconductor layers may be implemented with at least one of a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor. The first and second conductivity type semiconductor layers are formed of, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). can be For example, the first and second conductivity-type semiconductor layers may include at least one selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. . The first conductivity-type semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. The second conductivity-type semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba.
상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The active layer may be implemented with a compound semiconductor. The active layer may be embodied as, for example, at least one of a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor. When the active layer is implemented as a multi-well structure, the active layer may include a plurality of well layers and a plurality of barrier layers that are alternately disposed, and In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1 , 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). For example, the active layer may be selected from the group consisting of InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs. It may include at least one.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. In this case, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the light emitting device and the lead frame provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical bonding may be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 전극과 제2 전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first electrode and the second electrode of the light emitting device according to the embodiment may receive driving power through the conductive layer disposed in the opening. In addition, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
그러면, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기로 한다.Then, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In describing a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings, descriptions of matters overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 4 may be omitted.
먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110)가 제공될 수 있다.First, according to the method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 5A and 5B , a
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 패키지 몸체가 제공된 상태를 설명하는 평면도 및 단면도이다. 5A and 5B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a state in which a package body is provided by a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.5A and 5B , the
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The
또한, 상기 제1 프레임(111)은 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Also, the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be provided in the
상기 패키지 몸체(110)는 상기 몸체(113)에 제공된 리세스(R)를 포함할 수 있다.The
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The recess R may be provided in the
실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 길이(L2)가 상기 제1 개구부(TH1)의 길이(L1) 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 길이(L1)에 비해 더 크게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the length L2 of the recess R may be greater than the length L1 of the first opening TH1 or the length L1 of the second opening TH2. .
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 리세스(R)에 접착제(130)가 제공될 수 있다.Next, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, an adhesive 130 may be provided in the recess R as shown in FIGS. 5A and 5B .
상기 접착제(130)는 상기 리세스(R) 영역에 도팅(doting) 방식 등을 통하여 제공될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)가 형성된 영역에 일정량 제공될 수 있으며, 상기 리세스(R)를 넘치도록 제공될 수 있다.The adhesive 130 may be provided to the recess (R) region through a dotting method or the like. For example, the adhesive 130 may be provided in a predetermined amount in the region where the recess R is formed, and may be provided to overflow the recess R.
또한, 실시 예에 의하면, 도 5a에 도시된 바와 같이, 상기 리세스(R)의 길이(L2)는 상기 제2 개구부(TH2)의 길이(L1)에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 길이(L1)는 상기 발광소자(120)의 단축 방향 길이에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)의 길이(L2)는 상기 발광소자(120)의 단축 방향 길이에 비해 더 크게 제공될 수 있다. Also, according to an embodiment, as shown in FIG. 5A , the length L2 of the recess R may be greater than the length L1 of the second opening TH2. The length L1 of the second opening TH2 may be smaller than the length of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조공정에서, 상기 발광소자(120) 하부에 제공되는 상기 접착제(130)의 양이 많을 경우, 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)의 하부에 접착되면서 넘치는 부분은 상기 리세스(R)의 길이(L2) 방향으로 이동될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 접착제(130)의 양이 설계에 비해 많게 도포되는 경우에도, 상기 발광소자(120)가 상기 몸체(113) 로부터 들뜨지 않고 안정적으로 고정될 수 있게 된다. In the light emitting device package manufacturing process according to the embodiment, when the amount of the adhesive 130 provided under the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1 상부 리세스(R3)와 제2 상부 리세스(R4)를 포함할 수 있다.Also, the light emitting device package according to the embodiment may include a first upper recess R3 and a second upper recess R4 as shown in FIGS. 5A and 5B .
상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 상기 패키지 몸체(110)의 외측 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.The first upper recess R3 may be provided on an upper surface of the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 측면은 경사면을 가질 수 있고, 곡률을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 상부 리세스(R3)가 구형 형상으로 구성되고, 그 측면이 원형 형상으로 구성될 수 있다.Also, according to an embodiment, a side surface of the first upper recess R3 may have an inclined surface or a curvature. Also, the first upper recess R3 may have a spherical shape, and a side surface thereof may have a circular shape.
상기 제1 상부 리세스(R3)는, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 패키지 몸체(110)의 외측면과 상기 패키지 몸체의 내측면, 그리고 상기 외측면과 내측면을 연결하며 상기 리세스(R)가 연장되는 방향과 평행하게 배치된 연장측면을 포함할 수 있다. 상기 내측면은 상기 제1 개구부(TH1)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 외측면은 상기 패키지 몸체(110) 단축 방향의 서로 마주보는 두 변과 장축 방향의 외곽 영역에 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 개구부(TH1)의 주변에 “[” 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)이 상기 제1 개구부(TH1)를 가질 때, 상기 제1 개구부(TH1)와 이격 거리를 가질 수 있도록 구성되어야 상기 발광소자(120) 등을 지지하기 위한 제1 프레임(111)의 기계적 강도를 확보할 수 있다. 따라서, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 구성은 상기 제1 개구부(TH1)의 일부 영역을 감싸며 배치되기 위해 상술한 구성을 포함할 수 있다. The first upper recess R3 connects the outer surface of the
상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 상기 패키지 몸체(110)의 외측 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. The second upper recess R4 may be provided on the upper surface of the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 상부 리세스(R4)의 측면은 경사면을 가질 수 있고, 곡률을 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 상부 리세스(R4)가 구형 형상으로 구성되고, 그 측면이 원형 형상으로 구성될 수 있다. 이에 따르는 효과는 후술하도록 한다.Also, according to an embodiment, a side surface of the second upper recess R4 may have an inclined surface or a curvature. Also, the second upper recess R4 may have a spherical shape, and a side surface thereof may have a circular shape. The following effects will be described later.
상기 제2 상부 리세스(R4)는, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 패키지 몸체(110)의 외측면과 상기 패키지 몸체의 내측면, 그리고 상기 외측면과 내측면을 연결하며 상기 리세스(R)가 연장되는 방향과 평행하게 배치된 연장측면을 포함할 수 있다. 상기 내측면은 상기 제2 개구부(TH2)의 세 변에 인접하게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 상부 리세스(R4)의 외측면은 상기 패키지 몸체(110) 단축 방향의 서로 마주보는 두 변과 장축 방향의 외곽 영역에 인접하게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 상부 리세스(R4)는 3 개의 외측면과 3 개의 내측면, 2개의 연장 측면을 가질 수 있고, 상기 제2 개구부(TH2)의 주변에 “]” 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제2 프레임(112)이 상기 제2 개구부(TH2)를 가질 때, 상기 제2 개구부(TH2)와 이격 거리를 가질 수 있도록 구성되어야 상기 발광소자(120) 등을 지지하기 위한 제2 프레임(112)의 기계적 강도를 확보할 수 있다. 따라서, 상기 제2 상부 리세스(R4)의 구성은 상기 제2 개구부(TH2)의 일부 영역을 감싸며 배치되기 위해 상술한 구성을 포함할 수 있다.The second upper recess R4 connects the outer surface of the
그리고, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 몸체(110) 위에 발광소자(120)가 제공될 수 있다. And, according to the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 발광소자가 제공된 상태를 설명하는 평면도 및 단면도이다.6A and 6B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a state in which a light emitting device is provided by a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치되는 과정에서 상기 리세스(R)는 일종의 정렬키(align key) 역할을 하도록 활용될 수도 있다.According to an embodiment, the recess R may be utilized to serve as a kind of align key while the
상기 발광소자(120)는 상기 접착제(130)에 의하여 상기 몸체(113)에 고정될 수 있다. 상기 리세스(R)에 제공된 상기 접착제(130)의 일부는 상기 발광소자(120)의 제1 본딩부(121) 및 제2 본딩부(122) 방향으로 이동되어 경화될 수 있다. The
이에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이의 넓은 영역에 상기 접착제(130)가 제공될 수 있으며, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 고정력이 향상될 수 있게 된다.Accordingly, the adhesive 130 may be provided in a wide area between the lower surface of the
실시 예에 의하면, 도 3을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.According to an embodiment, as described with reference to FIG. 3 , the first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed under the
그리고, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 수지부(135)가 형성될 수 있다.And, according to the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, as shown in FIGS. 6A and 6B , the
상기 수지부(135)는, 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)에 제공될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)가 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)가 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.Also, the
상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 수지부(135)가 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다. The first upper recess R3 and the second upper recess R4 may provide a sufficient space for the
이에 따라, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 채워진 상기 수지부(135)가 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 주변을 효과적으로 밀봉할 수 있게 된다. Accordingly, the
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있다. 상기 수지부(135)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the
실시 예에 의하면 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치된 후 상기 접착제(130)에 대한 경화가 수행될 수 있다. 그리고, 상기 접착제(130)에 대한 경화가 수행된 후, 상기 수지부(135)가 형성되고 상기 수지부(135)에 대한 경화가 별도로 수행될 수도 있다.According to an embodiment, after the
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 형성된 후에, 상기 접착제(130) 및 상기 수지부(135)에 대한 경화가 동시에 수행될 수도 있다.In addition, according to another embodiment, after the
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 형성될 수 있다.Next, according to the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, as shown in FIGS. 7A and 7B , a first
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 개구부에 도전층이 제공된 상태를 설명하는 평면도 및 단면도이다.7A and 7B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a state in which a conductive layer is provided in an opening by a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 상기 제1 개구부(TH1)를 통하여 상기 제1 본딩부(121)의 하면이 노출될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)를 통하여 상기 제2 본딩부(122)의 하면이 노출될 수 있다.In the light emitting
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)에 상기 제1 도전층(321)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)에 상기 제2 도전층(322)이 형성될 수 있다.According to an embodiment, the first
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수도 있다. 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 솔더 페이스트(solder paste) 또는 실버 페이스트(silver paste) 등을 통하여 형성될 수도 있다.For example, the first
한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 제2 영역의 하면 폭에 비해 제1 영역의 상면 폭이 더 작게 제공될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공되는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 양도 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 하부 영역에 비해 상부 영역에 더 작게 제공될 수 있다.Meanwhile, according to an embodiment, the first and second openings TH1 and TH2 may be provided so that the width of the upper surface of the first region is smaller than the width of the lower surface of the second region. Accordingly, the amounts of the first and second
이와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역의 폭이 좁게 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 접촉 면적이 작아질 수 있게 된다. 따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에서 측면 방향으로 확산되는 것이 방지될 수 있게 된다.As described above, as the widths of the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2 are narrowed, the first and
상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에서 측면 방향으로 확산되는 경우, 확산된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다.When the first and second
그러나, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 접촉 면적을 작게 함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에서 측면 방향으로 확산되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)의 단락에 의한 불량이 방지되어 발광소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.However, according to the embodiment, by reducing the contact area between the first and
또한, 선술한 바와 같이 상기 수지부(135)를 상기 제1 및 제2 리세스에 배치한 후 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 배치하는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(312, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 확산 또는 흘러 넘치는 것을 상기 수지부(135)가 방지할 수 있다.Also, as described above, when the first and second
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 하부 영역의 폭이 상부 영역의 폭에 비하여 더 넓게 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 통하여 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 형성하는 공정이 쉽게 진행될 수 있다.In addition, according to the embodiment, since the width of the lower region of the first and second openings TH1 and TH2 is wider than the width of the upper region, the first and second openings TH1 and TH2 are formed. Through this, the process of forming the first and second
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역의 폭이 좁게 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역에 제공되는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 양이 감소될 수 있게 된다. In addition, according to an embodiment, as the widths of the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2 are narrow, the first and second openings provided in the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2 are narrow. The amount of the first and second
따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 사용량이 감소될 수 있으므로, 안정적으로 전기적 연결이 수행되면서도 제조 비용이 절감될 수 있게 된다.Accordingly, since the amount of use of the first and second
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 위에 몰딩부(140)가 제공될 수 있다.Next, according to the method of manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, the
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하여 몰딩부가 제공된 상태를 설명하는 평면도 및 단면도이다.8A and 8B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a state in which a molding part is provided by a method for manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다.The
이와 같이, 실시 예에 다른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 접착제(130)와 상기 수지부(135)에 의하여, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 주위가 안정적으로 밀봉될 수 있게 된다.As such, according to the light emitting device package manufacturing method according to another embodiment, the periphery of the first and
이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 통하여 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)가 형성되는 공정에서. 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면 방향으로 확산되는 것이 효과적으로 방지될 수 있게 된다.Accordingly, in the process of forming the first and second
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에서 측면 방향으로 확산되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)의 단락에 의한 불량이 방지되어 발광소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.Therefore, according to the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the diffusion of the first and second
한편, 이상의 설명에서는, 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 먼저 형성되고, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이 상기 몰딩부(140)가 형성되는 경우를 기준으로 설명되었다.Meanwhile, in the above description, as shown in FIGS. 7A and 7B , the first
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)와 상기 몰딩부(140)가 먼저 형성되고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 뒤에 형성될 수도 있다.However, according to another example of the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 또 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 형성되지 않고, 상기 패키지 몸체(110)의 캐비티 내에 상기 몰딩부(140)만 형성될 수도 있다.In addition, according to another example of the method for manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, the
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 먼저 형성되고, 상기 수지부(135)와 상기 몰딩부(140)가 나중에 형성될 수도 있다.Also, according to another embodiment, the first and second
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있고 이에 따라 상기 발광소자의 위치가 변할 수 있어, 상기 발광소자 패키지의 광학적, 전기적 특성 및 신뢰성이 저하될 수 있다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. In this case, in the reflow process, a re-melting phenomenon may occur in the bonding region between the frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling may be weakened, and thus the position of the light emitting device may change, and optical and electrical characteristics and reliability of the light emitting device package may be deteriorated.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 본딩부와 제2 본딩부는 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 따라서, 상기 발광소자와 상기 패키지 몸체(110) 사이의 접착 물질과 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 및 상기 발광소자 패키지와 회로 기판 사이의 접착 물질이 서로 다르기 때문에 리멜팅(Re-melting) 문제를 방지할 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110)의 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 통해 회로 기판과 전기적으로 연결되기 때문에 상기 리멜팅(Re-melting) 문제를 방지할 수 있다. 또한, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first bonding part and the second bonding part of the light emitting device according to the embodiment may receive driving power through the conductive layer disposed in the opening. Therefore, since the adhesive material between the light emitting device and the
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 저하되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 다양한 변형 예를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiments described above may include various modifications.
먼저, 도 9 내지 도 17을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 변형 예들에 대해 살펴 보기로 한다. 도 9 내지 도 17을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.First, with reference to FIGS. 9 to 17, modifications of the body applied to the light emitting device package according to the embodiment will be described. In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIGS. 9 to 17 , descriptions of matters overlapping those described with reference to FIGS. 1 to 8 may be omitted.
도 9 내지 도 11은 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체(113)의 변형 예를 설명하는 도면이다. 9 to 11 are views for explaining a modified example of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 도 9에 도시된 바와 같이, 몸체(113)는 상면에 제공된 적어도 2 개의 리세스를 포함할 수 있다.According to the light emitting
예로서, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제1 프레임(111) 쪽에 배치된 제1 리세스(R11)를 포함할 수 있다. 상기 제1 리세스(R11)는 상기 제1 프레임(111)의 끝단에 접하여 제공될 수 있다.For example, the
또한, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제2 프레임(112) 쪽에 배치된 제2 리세스(R12)를 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스(R12)는 상기 제2 프레임(112)의 끝단에 접하여 제공될 수 있다.In addition, the
상기 제1 리세스(R11)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 제1 프레임(111)의 상면으로부터 아래 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 제2 프레임(112)의 상면으로부터 아래 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The first recess R11 may be provided to be concave downward from the upper surface of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 접착제(130)가 상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)에 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to the light emitting
상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. The first recess R11 and the second recess R12 may provide an appropriate space under the
상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The first recess R11 and the second recess R12 have a first depth so that the adhesive 130 can be sufficiently provided between the lower surface of the
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
또한, 상기 제1 리세스(R11) 및 상기 접착제(130)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이에 배치된 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 리세스(R12) 및 상기 접착제(130)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이에 배치된 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 도전층(321)의 이동 또는 상기 제2 도전층(322)의 이동에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락(short) 되거나 열화되는 것을 방지할 수 있다.In addition, in the first recess R11 and the adhesive 130 , the first
또한, 상기 접착제(130)을 상기 제1 및 제2 리세스(R11, R12) 사이에 배치하고 상기 발광소자(120)을 상기 접착제(130) 상에 배치할 경우, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 방향으로 흐를 수 있다. 이 때 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 상에서 들뜨는 현상을 방지할 수 있도록 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 방향으로 흐르는 접착제(130)가 상기 제1 및 제2 리세스(R11, R12)로 흐르도록 제작할 수 있다.In addition, when the adhesive 130 is disposed between the first and second recesses R11 and R12 and the
한편, 도 9는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 몸체(113)의 단면도를 나타낸 것이고, 도 10 및 도 11은 도 9에 도시된 상기 몸체(113)의 평면도를 나타낸 것이다.Meanwhile, FIG. 9 is a cross-sectional view of the
예로서, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 평행하게 배치될 수 있다.For example, as shown in FIG. 10 , the first recess R11 and the second recess R12 may be disposed to be spaced apart from each other with a central region of the
또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 한편, 상기 제1 리세스(R11)와 상기 제2 리세스(R12)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 가운데 두고, 그 둘레에서 폐루프 형상으로 서로 연결되어 배치될 수도 있다.Also, as shown in FIG. 11 , the first recess R11 and the second recess R12 may be disposed to be spaced apart from each other with a central region of the
한편, 도 12 내지 도 14는 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 다른 변형 예를 설명하는 도면이다. Meanwhile, FIGS. 12 to 14 are views for explaining another modified example of the body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3 .
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 도 12에 도시된 바와 같이, 몸체(113)는 상면에 제공된 적어도 3 개의 리세스를 포함할 수 있다.According to the light emitting
예로서, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제1 프레임(111) 쪽에 배치된 제1 리세스(R21)를 포함할 수 있다. 상기 제1 리세스(R21)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.For example, the
또한, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제2 프레임(112) 쪽에 배치된 제3 리세스(R23)를 포함할 수 있다. 상기 제3 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.In addition, the
또한, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역에 배치된 제2 리세스(R22)를 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스(R22)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R22)는 상기 제1 리세스(R21)와 상기 제3 리세스(R23) 사이에 배치될 수 있다.In addition, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 접착제(130)가 상기 제1 리세스(R21), 상기 제2 리세스(R22), 상기 제3 리세스(R23)에 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to the light emitting
상기 제1 리세스(R21), 상기 제2 리세스(R22), 상기 제3 리세스(R23)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체에 부착하기 위해 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. The first recess R21 , the second recess R22 , and the third recess R23 are a kind of a type under the
상기 제1 리세스(R21), 상기 제2 리세스(R22), 상기 제3 리세스(R23)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 리세스(R21), 상기 제2 리세스(R22), 상기 제3 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The first recess R21 , the second recess R22 , and the third recess R23 are disposed between the lower surface of the
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
또한, 상기 제1 리세스(R21) 및 상기 접착제(130)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이에 배치된 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제3 리세스(R23) 및 상기 접착제(130)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이에 배치된 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 도전층(321)의 이동 또는 상기 제2 도전층(322)의 이동에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락(short) 되거나 열화되는 것을 방지할 수 있다.In addition, in the first recess R21 and the adhesive 130 , the first
또한, 상기 접착제(130)을 상기 제1 및 제3 리세스(R21, R23) 사이에 배치하고 상기 발광소자(120)을 상기 접착제(130) 상에 배치할 경우, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 방향으로 흐를 수 있다. 이 때 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 상에서 들뜨는 현상을 방지할 수 있도록 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 방향으로 흐르는 접착제(130)가 상기 제1 및 제3 리세스(R21, R23)로 흐르도록 제작할 수 있다.In addition, when the adhesive 130 is disposed between the first and third recesses R21 and R23 and the
한편, 도 12는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 몸체(113)의 단면도를 나타낸 것이고, 도 13 및 도 14는 도 12에 도시된 상기 몸체(113)의 평면도를 나타낸 것이다.Meanwhile, FIG. 12 is a cross-sectional view of the
예로서, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R21), 상기 제2 리세스(R22), 상기 제3 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 상면에서 서로 이격되어 일 방향으로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1 리세스(R21), 상기 제2 리세스(R22), 상기 제3 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 상면에서 일 방향으로 연장되어 배치될 수 있다.For example, as shown in FIG. 13 , the first recess R21 , the second recess R22 , and the third recess R23 are spaced apart from each other on the upper surface of the
또한, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R21)와 상기 제3 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 한편, 상기 제1 리세스(R21)와 상기 제3 리세스(R23)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 가운데 두고, 그 둘레에서 폐루프 형상으로 서로 연결되어 배치될 수도 있다. 또한, 상기 제2 리세스(R22)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 리세스(R22)는 상기 제1 리세스(R21)와 상기 제3 리세스(R23)에 의하여 둘러 쌓여진 공간 내에 배치될 수도 있다.Also, as shown in FIG. 14 , the first recess R21 and the third recess R23 may be disposed to be spaced apart from each other with the central region of the
한편, 도 15 내지 도 17은 도 3에 도시된 발광소자 패키지에 적용된 몸체의 또 다른 변형 예를 설명하는 도면이다.Meanwhile, FIGS. 15 to 17 are views for explaining another modified example of a body applied to the light emitting device package shown in FIG. 3 .
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 도 15에 도시된 바와 같이, 몸체(113)는 상면에 제공된 적어도 2 개의 리세스를 포함할 수 있다.According to the light emitting
예로서, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제1 프레임(111) 쪽에 배치된 제1 리세스(R31)를 포함할 수 있다. 상기 제1 리세스(R31)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(R31)는 상기 제1 프레임(111)의 끝단으로부터 이격되어 배치될 수 있다. For example, the
또한, 상기 몸체(113)는 상면 중앙 영역으로부터 상기 제2 프레임(112) 쪽에 배치된 제2 리세스(R32)를 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 상면으로부터 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(R32)는 상기 제2 프레임(112)의 끝단으로부터 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 접착제(130)가 상기 제1 리세스(R31), 상기 제2 리세스(R32)에 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.According to the light emitting
상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. The first recess R31 and the second recess R32 may provide an appropriate space in which a kind of underfill process may be performed under the
상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The first recess R31 and the second recess R32 have a first depth so that the adhesive 130 can be sufficiently provided between the lower surface of the
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
또한, 상기 제1 리세스(R31) 및 상기 접착제(130)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이에 배치된 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 리세스(R32) 및 상기 접착제(130)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 사이에 배치된 상기 발광소자(120) 하부 영역으로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 도전층(321)의 이동 또는 상기 제2 도전층(322)의 이동에 의하여 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락(short) 되거나 열화되는 것을 방지할 수 있다.In addition, in the first recess R31 and the adhesive 130 , the first
또한, 상기 접착제(130)을 상기 제1 및 제2 리세스(R31, R32) 사이에 배치하고 상기 발광소자(120)를 상기 접착제(130) 상에 배치할 경우, 상기 접착제(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 방향으로 흐를 수 있다. 이 때 상기 발광소자(120)가 상기 패키지 몸체(110) 상에서 들뜨는 현상을 방지할 수 있도록 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 방향으로 흐르는 접착제(130)가 상기 제1 및 제2 리세스(R31, R32)로 흐르도록 제작할 수 있다.In addition, when the adhesive 130 is disposed between the first and second recesses R31 and R32 and the
한편, 도 15는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 몸체(113)의 단면도를 나타낸 것이고, 도 16 및 도 17은 도 15에 도시된 상기 몸체(113)의 평면도를 나타낸 것이다.Meanwhile, FIG. 15 is a cross-sectional view of a
예로서, 도 16에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 상면에서 서로 이격되어 일 방향으로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 상면에서 일 방향으로 연장되어 배치될 수 있다.For example, as shown in FIG. 16 , the first recess R31 and the second recess R32 may be spaced apart from each other on the upper surface of the
또한, 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 배치될 수 있다. 한편, 상기 제1 리세스(R31)와 상기 제2 리세스(R32)는 상기 몸체(113)의 중앙 영역을 가운데 두고, 그 둘레에서 폐루프 형상으로 서로 연결되어 배치될 수도 있다. Also, as shown in FIG. 17 , the first recess R31 and the second recess R32 may be disposed to be spaced apart from each other with the central region of the
다음으로, 도 18을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 18 .
도 18을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 17을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 18 , descriptions of matters overlapping those described with reference to FIGS. 1 to 17 may be omitted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다.The
또한, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)이 절연성 프레임으로 형성되는 경우와 도전성 프레임으로 형성되는 경우의 차이점에 대해서는 뒤에서 더 설명하기로 한다.Differences between a case in which the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the
상기 발광소자(120)는, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 18 , the
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may include a first opening TH1 and a second opening TH2 as shown in FIG. 18 . The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed under the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be disposed to be spaced apart from each other under the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width W1 of the
따라서, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(111)이 더 견고하게 부착될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(112)이 더 견고하게 부착될 수 있다.Accordingly, the
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.Also, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1. Also, the width of the upper region of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower region of the second opening TH2 .
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.For example, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be several tens of micrometers to several hundred micrometers. Also, the width W2 of the lower region of the first opening TH1 may be tens of micrometers to several hundreds of micrometers greater than the width W1 of the upper region of the first opening TH1.
또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 may be several tens of micrometers to several hundred micrometers. Also, the width of the lower region of the second opening TH2 may be tens of micrometers to several hundreds of micrometers greater than the width of the upper region of the second opening TH2.
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)에 비해 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다. Also, the width W2 of the lower region of the first opening TH1 may be wider than the width W1 of the upper region of the first opening TH1 . The first opening TH1 may be provided with a constant width by a predetermined depth in the upper region, and may be provided in an inclined shape toward the lower region.
또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비해 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다.In addition, the width of the lower region of the second opening TH2 may be wider than the width of the upper region of the second opening TH2 . The second opening TH2 may be provided with a constant width by a predetermined depth in the upper area, and may be provided in an inclined shape toward the lower area.
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. For example, the first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. Also, the second opening TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and the inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different inclinations, and the inclined surfaces may be disposed with a curvature. .
상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은 예로서 100 마이크로 미터 내지 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다. A width W3 between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surfaces of the
상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭(W3)은, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 패드 간의 전기적인 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.The width W3 between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18에 도시된 바와 같이, 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130 as shown in FIG. 18 .
상기 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a recess R as shown in FIG. 18 .
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recess R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.For example, the adhesive 130 may be disposed in the recess (R). The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.In addition, the adhesive 130 may be provided between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, the adhesive 130 may include white silicone.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the
또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.In addition, the adhesive 130 may reflect light emitted from the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(113)의 상면 사이에 상기 접착제(130)가 충분히 제공될 수 있도록 제1 깊이 이상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 제공하기 위하여 제2 깊이 이하로 제공될 수 있다.The recess R may provide an appropriate space under the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 18 , the light emitting device package according to the embodiment may include a first
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상부 영역의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.The first
상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상부 영역의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.The second
상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있다.For example, the first
한편, 실시 예에 따른 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은, 도 18에 도시된 바와 같이, 복수의 층으로 제공될 수도 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 18 , the first
예로서, 상기 제1 도전층(321)은 제1 상부 도전층(321a)과 제1 하부 도전층(321b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 상부 도전층(321a)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역에 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 도전층(321b)은 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역에 제공될 수 있다.For example, the first
또한, 상기 제2 도전층(322)은 제2 상부 도전층(322a)과 제2 하부 도전층(322b)을 포함할 수 있다. 상기 제2 상부 도전층(322a)은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역에 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 도전층(322b)은 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역에 제공될 수 있다.In addition, the second
실시 예에 의하면, 상기 제1 상부 도전층(321a)과 상기 제1 하부 도전층(321b)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 상부 도전층(321a)과 상기 제1 하부 도전층(321b)은 서로 다른 용융점을 가질 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 도전층(321a)의 용융점이 상기 제1 하부 도전층(321b)의 용융점에 비해 더 높게 선택될 수 있다.According to an embodiment, the first upper
예컨대, 상기 제1 상부 도전층(321a)을 형성하는 도전성 페이스트와 상기 제1 하부 도전층(321b)을 형성하는 도전성 페이스트가 서로 다르게 제공될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 상부 도전층(321a)은 예로서 실버 페이스트를 이용하여 형성하고, 상기 제1 하부 도전층(321b)은 예로서 솔더 페이스트를 이용하여 형성할 수 있다.For example, a conductive paste for forming the first upper
실시 예에 의하면, 상기 제1 상부 도전층(321a)이 실버 페이스트로 형성되는 경우에, 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 실버 페이스트가 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(111) 사이로 확산되어 침투되는 정도가 약하거나 없는 것으로 검출되었다. According to an embodiment, when the first upper
따라서, 상기 제1 상부 도전층(321a)이 실버 페이스트로 형성되는 경우, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되거나 열화되는 것을 방지할 수 있게 된다. Accordingly, when the first upper
또한, 상기 제1 상부 도전층(321a)은 실버 페이스트로 형성하고, 상기 제1 하부 도전층(321b)은 솔더 페이스트로 형성하게 되면, 전체 제1 도전층(321)을 실버 페이스트로 형성하는 경우에 비해 제조비용이 절감될 수 있는 장점도 있다.Also, when the first upper
유사하게, 상기 제2 상부 도전층(322a)을 형성하는 도전성 페이스트와 상기 제2 하부 도전층(322b)을 형성하는 도전성 페이스트가 서로 다르게 제공될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 상부 도전층(322a)은 예로서 실버 페이스트를 이용하여 형성하고, 상기 제2 하부 도전층(322b)은 예로서 솔더 페이스트를 이용하여 형성할 수 있다.Similarly, the conductive paste for forming the second upper
실시 예에 의하면, 상기 제2 상부 도전층(322a)이 실버 페이스트로 형성되는 경우에, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 실버 페이스트가 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(112) 사이로 확산되어 침투되는 정도가 약하거나 없는 것으로 검출되었다. According to an embodiment, when the second upper
따라서, 상기 제2 상부 도전층(322a)이 실버 페이스트로 형성되는 경우, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되거나 열화되는 것을 방지할 수 있게 된다. Accordingly, when the second upper
또한, 상기 제2 상부 도전층(322a)은 실버 페이스트로 형성하고, 상기 제2 하부 도전층(321b)은 솔더 페이스트로 형성하게 되면, 전체 제2 도전층(322)을 실버 페이스트로 형성하는 경우에 비해 제조비용이 절감될 수 있는 장점도 있다.Also, when the second upper
실시 예에 의하면, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 각각 제공될 수 있다. According to an embodiment, as shown in FIG. 18 , the first and second
이상에서 설명된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 하부 영역의 폭(W2)에 비해 상부 영역의 폭(W1)이 더 작게 제공될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공되는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 양도 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 하부 영역에 비해 상부 영역에 더 작게 제공될 수 있다.As described above, the width W1 of the upper region of the first and second openings TH1 and TH2 may be smaller than the width W2 of the lower region. Accordingly, the amounts of the first and second
이와 같이, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역의 폭이 좁게 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 접촉 면적이 작아질 수 있게 된다. 따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에서 측면 방향으로 확산되는 것이 방지될 수 있게 된다.As described above, as the widths of the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2 are narrowed, the first and
상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에서 측면 방향으로 확산되는 경우, 확산된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다.When the first and second
그러나, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 접촉 면적을 작게 함으로써, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에서 측면 방향으로 확산되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)의 단락에 의한 불량이 방지되어 발광소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.However, according to the embodiment, by reducing the contact area between the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 하부 영역의 폭이 상부 영역의 폭에 비하여 더 넓게 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 형성하는 공정이 쉽게 진행될 수 있다.In addition, according to an embodiment, as the width of the lower region of the first and second openings TH1 and TH2 is wider than the width of the upper region, the first and second openings TH1 and TH2 The process of forming the first and second
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역의 폭이 좁게 제공됨에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역에 제공되는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 양이 감소될 수 있게 된다. In addition, according to an embodiment, as the widths of the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2 are narrow, the first and second openings provided in the upper regions of the first and second openings TH1 and TH2 are narrow. The amount of the first and second
따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 사용량이 감소될 수 있으므로, 안정적으로 전기적 연결이 수행되면서도 제조 비용이 절감될 수 있게 된다.Accordingly, since the amount of use of the first and second
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18에 도시된 바와 같이, 제1 상부 리세스(R3)와 제2 상부 리세스(R4)를 포함할 수 있다.Also, as shown in FIG. 18 , the light emitting device package according to the embodiment may include a first upper recess R3 and a second upper recess R4 .
상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The first upper recess R3 may be provided on an upper surface of the
상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The second upper recess R4 may be provided on the upper surface of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 18에 도시된 바와 같이 수지부(135)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)에 제공될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)가 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)가 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.Also, the
또한, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)가 상기 발광소자(120) 아래에 상기 수지부(135)가 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다.In addition, the first upper recess R3 and the second upper recess R4 may provide sufficient space for the
이에 따라, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 채워진 상기 수지부(135)가 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 주변을 효과적으로 밀봉할 수 있게 된다. Accordingly, the
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있다. 상기 수지부(135)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 개구부(TH1) 영역과 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다.The
상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 18에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 수지부(135) 위에 배치될 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package according to the embodiment, power is connected to the
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. In this case, in the reflow process, a re-melting phenomenon may occur in the bonding region between the light emitting device and the lead frame provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical bonding may be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 전극과 제2 전극은 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first electrode and the second electrode of the light emitting device according to the embodiment may receive driving power through the conductive layer disposed in the opening. In addition, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, even when the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 도 1 내지 도 18을 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting
그러면, 도 19를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 19 .
도 19에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 도 1 내지 도 18을 참조하여 설명된 발광소자 패키지가 회로기판(310)에 실장되어 공급되는 예를 나타낸 것이다. The light emitting
도 19를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 18을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 회로기판(310), 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 회로기판(310)은 제1 패드(311), 제2 패드(312), 지지기판(313)을 포함할 수 있다. 상기 지지기판(313)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The
상기 패키지 몸체(110)는 상기 회로기판(310) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 본딩부(121)가 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 본딩부(122)가 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다.The
또한, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the
상기 패키지 몸체(110)는 상면으로부터 하면까지 제1 방향으로 관통하는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be provided in the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed under the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be disposed to be spaced apart from each other under the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. According to an embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width W1 of the
따라서, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(111)이 더 견고하게 부착될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(112)이 더 견고하게 부착될 수 있다.Accordingly, the
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.Also, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1. Also, the width of the upper region of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower region of the second opening TH2 .
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.For example, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be several tens of micrometers to several hundred micrometers. Also, the width W2 of the lower region of the first opening TH1 may be tens of micrometers to several hundreds of micrometers greater than the width W1 of the upper region of the first opening TH1.
또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 may be several tens of micrometers to several hundred micrometers. Also, the width of the lower region of the second opening TH2 may be tens of micrometers to several hundreds of micrometers greater than the width of the upper region of the second opening TH2.
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)에 비해 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다. Also, the width W2 of the lower region of the first opening TH1 may be wider than the width W1 of the upper region of the first opening TH1 . The first opening TH1 may be provided with a constant width by a predetermined depth in the upper region, and may be provided in an inclined shape toward the lower region.
또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비해 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다.In addition, the width of the lower region of the second opening TH2 may be wider than the width of the upper region of the second opening TH2 . The second opening TH2 may be provided with a constant width by a predetermined depth in the upper area, and may be provided in an inclined shape toward the lower area.
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. For example, the first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. Also, the second opening TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and the inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different inclinations, and the inclined surfaces may be disposed with curvature. .
실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recess R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.For example, the adhesive 130 may be disposed in the recess (R). The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.In addition, the adhesive 130 may be provided between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, the adhesive 130 may include white silicone.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(300)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the
또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.In addition, the adhesive 130 may reflect light emitted from the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는, 도 19에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상부 영역의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.The first
상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상부 영역의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.The second
상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first
실시 예에 의하면, 상기 회로기판(310)의 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 도전층(321)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 회로기판(310)의 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 연결될 수 있다.According to an embodiment, the
한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 도전층(321) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 도전층(322) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다.Meanwhile, according to an embodiment, a separate bonding layer may be additionally provided between the
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 유테틱 본딩에 의하여 상기 회로기판(310)에 실장될 수도 있다.Also, according to another embodiment, the first
도 19를 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 상기 회로기판(310)으로부터 공급되는 전원이 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)을 통하여 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)에 각각 전달된다. 이때, 상기 회로기판(310)의 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 도전층(321)이 직접 접촉되고 상기 회로기판(310)의 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 도전층(322)이 직접 접촉된다.In the light emitting
따라서, 도 19에 도시된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)에 의하면, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)이 절연성 프레임으로 형성될 수도 있다. 또한, 도 19에 도시된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)에 의하면, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)이 전도성 프레임으로 형성될 수도 있다.Accordingly, according to the light emitting
이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 본딩부와 제2 본딩부는 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. As described above, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first bonding part and the second bonding part of the light emitting device according to the embodiment receive driving power through the conductive layer disposed in the opening. can be provided. In addition, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, since the light emitting device package according to the embodiment does not cause a re-melting phenomenon even when bonding to the main board or the like through a reflow process, the electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. have.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 도 20에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 도 1 내지 도 18을 참조하여 설명된 발광소자 패키지(100)가 회로기판(410)에 실장되어 공급되는 다른 예를 나타낸 것이다. On the other hand, the light emitting
도 20을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 19를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 회로기판(410), 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 회로기판(410)은 제1 패드(411), 제2 패드(412), 기판(413)을 포함할 수 있다. 상기 지지기판(313)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The
상기 패키지 몸체(110)는 상기 회로기판(410) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드(411)와 상기 제1 본딩부(121)가 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 패드(412)와 상기 제2 본딩부(122)가 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 제1 패드(411)와 상기 제2 패드(412)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 패드(411)와 상기 제2 패드(412)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 패드(411)와 상기 제2 패드(412)는 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.The
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 상면으로부터 하면까지 제1 방향으로 관통하는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be provided in the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed under the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be disposed to be spaced apart from each other under the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. According to an embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width W1 of the
따라서, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(111)이 더 견고하게 부착될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(112)이 더 견고하게 부착될 수 있다.Accordingly, the
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.Also, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1. Also, the width of the upper region of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower region of the second opening TH2 .
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.For example, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be several tens of micrometers to several hundred micrometers. Also, the width W2 of the lower region of the first opening TH1 may be tens of micrometers to several hundreds of micrometers greater than the width W1 of the upper region of the first opening TH1.
또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 may be several tens of micrometers to several hundred micrometers. Also, the width of the lower region of the second opening TH2 may be tens of micrometers to several hundreds of micrometers greater than the width of the upper region of the second opening TH2.
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)에 비해 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다. Also, the width W2 of the lower region of the first opening TH1 may be wider than the width W1 of the upper region of the first opening TH1 . The first opening TH1 may be provided with a constant width by a predetermined depth in the upper region, and may be provided in an inclined shape toward the lower region.
또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비해 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다.In addition, the width of the lower region of the second opening TH2 may be wider than the width of the upper region of the second opening TH2 . The second opening TH2 may be provided with a constant width by a predetermined depth in the upper area, and may be provided in an inclined shape toward the lower area.
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. For example, the first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. Also, the second opening TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and the inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different inclinations, and the inclined surfaces may be disposed with curvature. .
실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 접착제(130)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recess R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.For example, the adhesive 130 may be disposed in the recess (R). The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.In addition, the adhesive 130 may be provided between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . For example, the adhesive 130 may include white silicone.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(300)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the
또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.In addition, the adhesive 130 may reflect light emitted from the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 상부 영역의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.The first
상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The first
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 상부 영역의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.The second
상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러 쌓이게 배치될 수 있다.The second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first
실시 예에 의하면, 상기 회로기판(410)의 상기 제1 패드(411)와 상기 제1 도전층(321)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 회로기판(410)의 상기 제2 패드(412)와 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 연결될 수 있다.According to an embodiment, the
상기 제1 패드(411)가 상기 제1 프레임(111)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 패드(412)가 상기 제2 프레임(112)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 패드(411)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제2 패드(412)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 별도의 본딩층이 추가로 제공될 수도 있다.Meanwhile, according to an embodiment, a separate bonding layer may be additionally provided between the
도 20을 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(400)는 상기 회로기판(410)으로부터 공급되는 전원이 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)을 통하여 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)에 각각 전달된다. 이때, 상기 회로기판(410)의 상기 제1 패드(411)와 상기 제1 프레임(111)이 직접 접촉되고 상기 회로기판(410)의 상기 제2 패드(412)와 상기 제2 프레임(112)이 직접 접촉될 수 있다.In the light emitting
이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 본딩부와 제2 본딩부는 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. As described above, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first bonding part and the second bonding part of the light emitting device according to the embodiment receive driving power through the conductive layer disposed in the opening. can be provided. In addition, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, since the light emitting device package according to the embodiment does not cause a re-melting phenomenon even when bonding to the main board or the like through a reflow process, the electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. have.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 경우, 각 본딩부 아래에 하나의 개구부가 제공된 경우를 기준으로 설명되었다. On the other hand, in the case of the light emitting device package according to the embodiment described above, the description has been made based on a case in which one opening is provided under each bonding unit.
그러나, 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 각 본딩부 아래에 복수의 개구부가 제공될 수도 있다. 또한, 복수의 개구부는 서로 다른 폭을 갖거나 동일한 폭을 갖는 개구부로 제공될 수도 있다.However, according to the light emitting device package according to another embodiment, a plurality of openings may be provided under each bonding unit. In addition, the plurality of openings may have different widths or may be provided as openings having the same width.
또한, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 패키지 몸체(110)는 상면이 평탄한 지지부재(113)만을 포함하고, 경사지게 배치된 반사부를 포함하지 않도록 제공될 수도 있다. In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment described above, the
다른 표현으로서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)를 제공하는 구조로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)의 제공 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.In other words, according to the light emitting device package according to the embodiment, the
또한, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)의 제1 및 제2 프레임(111, 112)에 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공되는 경우를 기반으로 설명되었으나, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 패키지 몸체(110)의 몸체(113)에 제공될 수도 있다. In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment described above, when the first and second openings TH1 and TH2 are provided in the first and
이와 같이 상기 패키지 몸체(110)의 몸체(113)에 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공되는 경우에, 상기 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 상기 몸체(113)의 상면 길이는 상기 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122) 사이의 길이에 비해 더 크게 제공될 수 있다.As described above, when the first and second openings TH1 and TH2 are provided in the
또한, 상기 패키지 몸체(110)의 몸체(113)에 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제공되는 경우에, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제1 및 제2 프레임(111, 112)을 포함하지 않을 수도 있다.In addition, when the first and second openings TH1 and TH2 are provided in the
한편, 이상에서 설명된 발광소자 패키지에는 예로서 플립칩 발광소자가 제공될 수 있다. Meanwhile, in the light emitting device package described above, a flip chip light emitting device may be provided as an example.
예로서, 플립칩 발광소자는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있으며, 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자로 제공될 수도 있다. For example, the flip chip light emitting device may be provided as a transmissive flip chip light emitting device that emits light in six directions, or may be provided as a reflective flip chip light emitting device that emits light in five directions.
상기 5면 방향으로 빛이 방출되는 반사형 플립칩 발광소자는 상기 패키지 패키지 몸체(110)에 가까운 방향으로 반사층이 배치된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사형 플립칩 발광소자는 제1 및 제2 본딩부와 발광구조물 사이에 절연성 반사층(예를 들어 Distributed Bragg Reflector, Omni Directional Reflector 등) 및/또는 전도성 반사층(예를 들어 Ag, Al, Ni, Au 등)을 포함할 수 있다. The reflective flip-chip light emitting device emitting light in the five-plane direction may have a structure in which a reflective layer is disposed in a direction close to the
또한, 상기 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩부, 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 본딩부를 가지며, 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 사이에서 빛이 방출되는 일반적인 수평형 발광소자로 제공될 수 있다. In addition, the flip-chip light emitting device emitting light in the six-sided direction has a first bonding portion electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer and a second bonding portion electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer, It may be provided as a general horizontal light emitting device in which light is emitted between the first bonding unit and the second bonding unit.
또한, 상기 6면 방향으로 빛이 방출되는 플립칩 발광소자는, 상기 제1 및 제2 본딩부 사이에 반사층이 배치된 반사 영역과 빛이 방출되는 투과 영역을 모두 포함하는 투과형 플립칩 발광소자로 제공될 수 있다.In addition, the flip-chip light emitting device emitting light in the six-plane direction is a transmissive flip-chip light emitting device including both a reflective region in which a reflective layer is disposed between the first and second bonding portions and a transmissive region through which light is emitted. can be provided.
여기서, 투과형 플립칩 발광소자는 상부면, 4개의 측면, 하부면의 6면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다. 또한, 반사형 플립칩 발광소자는 상부면, 4개의 측면의 5면으로 빛이 방출되는 소자를 의미한다.Here, the transmissive flip-chip light emitting device refers to a device that emits light to the upper surface, four side surfaces, and six surfaces of the lower surface. In addition, the reflective flip-chip light emitting device refers to a device that emits light to five surfaces of the upper surface and four side surfaces.
그러면, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 예를 설명하기로 한다.Then, an example of a flip-chip light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
먼저, 도 21 및 도 22를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 설명하기로 한다. 도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이고, 도 22는 도 21에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 단면도이다.First, a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 21 and 22 . 21 is a plan view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 22 is a cross-sectional view taken along line A-A of the light emitting device shown in FIG. 21 .
한편, 이해를 돕기 위해, 도 21을 도시함에 있어, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 아래에 배치되지만, 상기 제1 본딩부(1171)에 전기적으로 연결된 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 본딩부(1172)에 전기적으로 연결된 제2 서브전극(1142)이 보일 수 있도록 도시되었다.Meanwhile, for better understanding, in FIG. 21 , the first sub-electrode is disposed under the
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 기판(1105) 위에 배치된 반도체 구조물(1110)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a
상기 기판(1105)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(1105)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The
상기 반도체 구조물(1110)은 제1 도전형 반도체층(1111), 활성층(1112), 제2 도전형 반도체층(1113)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(1112)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 상기 활성층(1112)이 배치되고, 상기 활성층(1112) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 배치될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(1111)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(1113)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(1111)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. According to an embodiment, the first conductivity-
이하에서는 설명의 편의를 위해 상기 제1 도전형 반도체층(1111)이 n형 반도체층으로 제공되고 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 p형 반도체층으로 제공된 경우를 기준으로 설명하기로 한다.Hereinafter, for convenience of description, it will be described based on a case in which the first conductivity-
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 22에 도시된 바와 같이, 오믹접촉층(1130)을 포함할 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)은 전류 확산을 향상시켜 광출력을 증가시킬 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)의 배치 위치 및 형상에 대해서는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하면서 더 살펴 보기로 한다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include an
예로서, 상기 오믹접촉층(1130)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)은 투광성의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
상기 오믹접촉층(1130)은, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, Pd를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 반사층(1160)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 오믹접촉층(1130) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a
상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130)을 노출시키는 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130) 위에 배치된 복수의 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. The second
상기 제1 반사층(1161)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상부 면을 노출시키는 복수의 제2 개구부(h2)를 포함할 수 있다.The first
상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제2 반사층(1162)과 연결될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 물리적으로 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The third
예로서, 상기 제3 반사층(1163)의 폭(W5)은 도 1 내지 도 20을 참조하여 설명된 상기 리세스(R)의 폭(W4)에 비하여 더 작게 제공될 수 있다. For example, the width W5 of the third
이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제3 반사층(1163) 사이로 방출되는 빛이 상기 리세스(R) 영역에 배치된 상기 제1 접착제(130)로 입사될 수 있다. 상기 발광소자의 하부 방향으로 방출된 빛이 상기 제1 접착제(130)에 의하여 광 확산될 수 있고, 광 추출효율이 향상될 수 있게 된다.Accordingly, light emitted between the first
또한, 상기 제2 반사층(1162)과 상기 제3 반사층(1163) 사이로 방출되는 빛이 상기 리세스(R) 영역에 배치된 상기 제1 접착제(130)로 입사될 수 있다. 상기 발광소자의 하부 방향으로 방출된 빛이 상기 제1 접착제(130)에 의하여 광 확산될 수 있고, 광 추출효율이 향상될 수 있게 된다.In addition, light emitted between the second
실시 예에 따른 상기 반사층(1160)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 상부 면에 물리적으로 접촉될 수 있다.The
실시 예에 따른 오믹접촉층(1130)의 형상 및 상기 반사층(1160)의 형상은 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하면서 더 살펴 보기로 한다.The shape of the
상기 반사층(1160)은 절연성 반사층으로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반사층(1160)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 ODR(Omni Directional Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 반사층(1160)은 DBR층과 ODR층이 적층되어 제공될 수도 있다.The
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a first sub-electrode 1141 and a second sub-electrode 1142 as shown in FIGS. 21 and 22 .
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 개구부(h2) 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113), 상기 활성층(1112)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(1111)의 일부 영역까지 배치되는 리세스 내에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 배치될 수 있다. The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the first conductivity-
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 반사층(1161)에 제공된 제2 개구부(h2)를 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 개구부(h2)와 상기 리세스는 수직으로 중첩할 수 있고 예로서, 상기 제1 서브전극(1141)은, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 복수의 리세스 영역에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the upper surface of the first conductivity-
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 서브전극(1142)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 상기 오믹접촉층(1130)이 배치될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductivity-
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제2 서브전극(1142)은, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 복수의 P 영역에서 상기 오믹접촉층(1130)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductivity-
상기 제2 서브전극(1142)은, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 복수의 P 영역에서 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 복수의 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 오믹접촉층(1130)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.As shown in FIGS. 21 and 22, the second sub-electrode 1142 is connected to the ohmic contact layer ( 1130) may be in direct contact with the upper surface.
실시 예에 의하면, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 서로 극성을 가질 수 있고, 서로 이격되어 배치될 수 있다. According to an embodiment, as shown in FIGS. 21 and 22 , the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may have polarities and may be disposed to be spaced apart from each other.
상기 제1 서브전극(1141)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 서브전극(1142)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 이웃된 복수의 제2 서브전극(1142) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 이웃된 복수의 제1 서브전극(1141) 사이에 배치될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be provided in a plurality of line shapes, for example. In addition, the second sub-electrode 1142 may be provided in a plurality of line shapes, for example. The first sub-electrode 1141 may be disposed between a plurality of adjacent second sub-electrodes 1142 . The second sub-electrode 1142 may be disposed between a plurality of adjacent first sub-electrodes 1141 .
상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)이 서로 다른 극성으로 구성되는 경우, 서로 다른 개수의 전극으로 배치될 수 있다. 예를 들어 상기 제1 서브전극(1141)이 n 전극으로, 상기 제2 서브전극(1142)이 p 전극으로 구성되는 경우 상기 제1 서브전극(1141)보다 상기 제2 서브전극(1142)의 개수가 더 많을 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 전기 전도도 및/또는 저항이 서로 다른 경우, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)에 의해 상기 반도체 구조물(1110)로 주입되는 전자와 정공의 균형을 맞출 수 있고 따라서 상기 발광소자의 광학적 특성이 개선될 수 있다.When the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 have different polarities, different numbers of electrodes may be disposed. For example, when the first sub-electrode 1141 is an n-electrode and the second sub-electrode 1142 is a p-electrode, the number of the second sub-electrodes 1142 is greater than that of the
상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be formed in a single-layer or multi-layer structure. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be ohmic electrodes. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 are ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO, Ag , at least one of Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, or an alloy of two or more of these materials.
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 보호층(1150)을 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a
상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)을 노출시키는 복수의 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제3 개구부(h3)는 상기 제2 서브전극(1142)에 제공된 복수의 PB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. The
또한, 상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)을 노출시키는 복수의 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제4 개구부(h4)는 상기 제1 서브전극(1141)에 제공된 복수의 NB 영역에 대응되어 배치될 수 있다.Also, the
상기 보호층(1150)은 상기 반사층(1160) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163) 위에 배치될 수 있다.The
예로서, 상기 보호층(1150)은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(1150)은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 상기 보호층(1150) 위에 배치된 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)를 포함할 수 있다.The light emitting device 1100 according to the embodiment may include a
상기 제1 본딩부(1171)는 상기 제1 반사층(1161) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제2 반사층(1162) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제1 본딩부(1171)와 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(1171)는 복수의 NB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제4 개구부(h4)를 통하여 상기 제1 서브전극(1141)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역은 상기 제2 개구부(h2)와 수직으로 어긋나도록 배치될 수 있다. 상기 복수의 NB 영역과 상기 제2 개구부(h2)가 서로 수직으로 어긋나는 경우, 상기 제1 본딩부(1171)로 주입되는 전류가 상기 제1 서브전극(1141)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 NB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. The
또한, 상기 제2 본딩부(1172)는 복수의 PB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 복수의 상기 제3 개구부(h3)를 통하여 상기 제2 서브전극(1142)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 복수의 PB 영역과 상기 복수의 제1 개구부(h1)가 수직으로 중첩되지 않도록 하는 경우 상기 제2 본딩부(1172)로 주입되는 전류가 상기 제2 서브전극(1142)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 상기 복수의 PB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. In addition, the
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 복수의 제4 개구부(h4) 영역에서 접촉될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)와 상기 제2 서브전극(1142)이 복수의 영역에서 접촉될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 복수의 영역을 통해 전원이 공급될 수 있으므로, 접촉 면적 증가 및 접촉 영역의 분산에 따라 전류 분산 효과가 발생되고 동작전압이 감소될 수 있는 장점이 있다.As described above, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 도 22에 도시된 바와 같이, 상기 제1 반사층(1161)이 상기 제1 서브전극(1141) 아래에 배치되며, 상기 제2 반사층(1162)이 상기 제2 서브전극(1142) 아래에 배치된다. 이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 반도체 구조물(1110)의 활성층(1112)에서 발광되는 빛을 반사시켜 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)에서 광 흡수가 발생되는 것을 최소화하여 광도(Po)를 향상시킬 수 있다.In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, as shown in FIG. 22 , the first
예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 절연성 재료로 이루어지되, 상기 활성층(1112)에서 방출된 빛의 반사를 위하여 반사율이 높은 재료, 예를 들면 DBR 구조를 이룰 수 있다.For example, the first
상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 굴절률이 다른 물질이 서로 반복하여 배치된 DBR 구조를 이룰 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 단층 또는 적층 구조로 배치될 수 있다.The first
또한, 다른 실시 예에 의하면, 이에 한정하지 않고, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 상기 활성층(1112)에서 발광하는 빛의 파장에 따라 상기 활성층(1112)에서 발광하는 빛에 대한 반사도를 조절할 수 있도록 자유롭게 선택될 수 있다.In addition, according to another embodiment, without being limited thereto, the first
또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 ODR층으로 제공될 수도 있다. 또 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 DBR층과 ODR층이 적층된 일종의 하이브리드(hybrid) 형태로 제공될 수도 있다.Also, according to another embodiment, the first
실시 예에 따른 발광소자가 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지로 구현되는 경우, 상기 반도체 구조물(1110)에서 제공되는 빛은 상기 기판(1105)을 통하여 방출될 수 있다. 상기 반도체 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에서 반사되어 상기 기판(1105) 방향으로 방출될 수 있다. When the light emitting device according to the embodiment is mounted in a flip-chip bonding method and implemented as a light emitting device package, the light provided from the
또한, 상기 반도체 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 상기 반도체 구조물(1110)의 측면 방향으로도 방출될 수 있다. 또한, 상기 반도체 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. In addition, light emitted from the
구체적으로, 상기 반도체 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 상기 제1 반사층(1161), 상기 제2 반사층(1162), 상기 제3 반사층(1163)이 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. Specifically, the light emitted from the
이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1100)는 상기 반도체 구조물(1110)을 둘러싼 6면 방향으로 빛을 방출할 수 있게 되며, 광도를 현저하게 향상시킬 수 있다.Accordingly, the light emitting device 1100 according to the embodiment can emit light in six directions surrounding the
한편, 실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 발광소자(1100)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공될 수 있다.On the other hand, according to the light emitting device according to the embodiment, when viewed from the upper direction of the light emitting device 1100, the sum of the areas of the
예로서, 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적은 상기 반도체 구조물(1110)의 제1 도전형 반도체층(1111)의 하부 면의 가로 길이 및 세로 길이에 의하여 정의되는 면적에 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체 면적은 상기 기판(1105)의 상부 면 또는 하부 면의 면적에 대응될 수 있다.For example, the total area of the upper surface of the light emitting device 1100 may correspond to an area defined by the horizontal and vertical lengths of the lower surface of the first conductivity-
이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 빛의 양이 증가될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1100)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다.In this way, by providing the sum of the areas of the
또한, 상기 발광소자(1100)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 본딩부(1171)의 면적과 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공될 수 있다.In addition, when viewed from the upper direction of the light emitting device 1100 , the sum of the area of the
이와 같이, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공되도록 함으로써, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)를 통하여 안정적인 실장이 수행될 수 있고, 상기 발광소자(1100)의 전기적인 특성을 확보할 수 있게 된다.In this way, the sum of the areas of the
실시 예에 따른 발광소자(1100)는, 광 추출 효율 및 본딩의 안정성 확보를 고려하여, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상이고 60% 이하로 선택될 수 있다.In the light emitting device 1100 according to the embodiment, the sum of the areas of the
즉, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상 내지 100% 이하인 경우, 상기 발광소자(1100)의 전기적 특성을 확보하고, 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하여 안정적인 실장이 수행될 수 있다.That is, when the sum of the areas of the
또한, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 0% 초과 내지 60% 이하인 경우, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 광량이 증가하여 상기 발광소자(1100)의 광추출 효율이 향상되고, 광도(Po)가 증가될 수 있다.In addition, when the sum of the areas of the
실시 예에서는 상기 발광소자(1100)의 전기적 특성과 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하고, 광도를 증가시키기 위해, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 상기 발광소자(1100)의 전체 면적의 30% 이상 내지 60% 이하로 선택하였다.In the embodiment, the area of the
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제3 반사층(1163)의 상기 발광소자(1100)의 장축 방향에 따른 길이(W5)는 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이의 간격에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 반사층(1163)의 면적은 예로서 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 10% 이상이고 25% 이하로 제공될 수 있다.Also, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the third
상기 제3 반사층(1163)의 면적이 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 10% 이상일 때, 상기 발광소자의 하부에 배치되는 패키지 몸체가 변색되거나 균열의 발생을 방지할 수 있고, 25% 이하일 경우 상기 발광소자의 6면으로 발광하도록 하는 광추출효율을 확보하기에 유리하다. When the area of the third
또한, 다른 실시 예에서는 이에 한정하지 않고 상기 광추출효율을 더 크게 확보하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 0% 초과 내지 10% 미만으로 배치할 수 있고, 상기 패키지 몸체에 변색 또는 균열의 발생을 방지하기 위해 상기 제3 반사층(1163)의 면적을 상기 발광소자(1100)의 상부 면 전체의 25% 초과 내지 100% 미만으로 배치할 수 있다.In addition, in another embodiment, the area of the third
또한, 상기 발광소자(1100)의 장축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제2 영역으로 상기 반도체 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. In addition, a second region provided between the
또한, 상기 발광소자(1100)의 단축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 상기 제1 본딩부(1171) 또는 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제3 영역으로 상기 발광구조물에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. In addition, light generated by the light emitting structure is transmitted to a third area provided between the
실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)의 크기는 상기 제1 본딩부(1171)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사층(1161)의 면적은 상기 제1 본딩부(1171)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제1 반사층(1161)의 한 변의 길이는 상기 제1 본딩부(1171)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the size of the first
또한, 상기 제2 반사층(1162)의 크기는 상기 제2 본딩부(1172)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 반사층(1162)의 면적은 상기 제2 본딩부(1172)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 상기 제2 반사층(1162)의 한 변의 길이는 상기 제2 본딩부(1172)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the size of the second
실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)에 의하여, 상기 반도체 구조물(1110)로부터 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되지 않고 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 반도체 구조물(1110)에서 생성되어 방출되는 빛이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 입사되어 손실되는 것을 최소화할 수 있다.According to an embodiment, light emitted from the
또한, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이에 배치되므로, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172) 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있게 된다. In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, since the third
앞에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자(1100)는 예를 들어 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지 형태로 제공될 수 있다. 이때, 발광소자(1100)가 실장되는 패키지 몸체가 수지 등으로 제공되는 경우, 상기 발광소자(1100)의 하부 영역에서, 상기 발광소자(1100)로부터 방출되는 단파장의 강한 빛에 의하여 패키지 몸체가 변색되거나 균열이 발생될 수 있다. As described above, the light emitting device 1100 according to the embodiment may be mounted by, for example, a flip chip bonding method and provided in the form of a light emitting device package. At this time, when the package body on which the light emitting device 1100 is mounted is provided with resin or the like, the package body is discolored by strong light of a short wavelength emitted from the light emitting device 1100 in the lower region of the light emitting device 1100 . or cracks may occur.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 배치된 영역 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있으므로, 상기 발광소자(1100)의 하부 영역에 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있다. However, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, since the amount of light emitted between the region where the
실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171), 상기 제2 본딩부(1172), 상기 제3 반사층(1163)이 배치된 상기 발광소자(1100)의 상부 면의 20% 이상 면적에서 상기 반도체 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.According to an embodiment, in an area of 20% or more of the upper surface of the light emitting device 1100 on which the
이에 따라, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(1100)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다. 또한, 상기 발광소자(1100)의 하부 면에 근접하게 배치된 패키지 몸체가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있게 된다.Accordingly, according to the embodiment, since the amount of light emitted in the direction of six surfaces of the light emitting device 1100 is increased, the light extraction efficiency is improved and the luminous intensity (Po) can be increased. In addition, it is possible to prevent discoloration or cracking of the package body disposed close to the lower surface of the light emitting device 1100 .
또한, 실시 예예 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 오믹접촉층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)과 상기 반사층(1160)이 접착될 수 있다. 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있게 됨으로써, 상기 반사층(1160)이 상기 오믹접촉층(1130)에 접촉되는 것에 비하여 접착력이 향상될 수 있게 된다.In addition, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, a plurality of contact holes C1 , C2 , and C3 may be provided in the
상기 반사층(1160)이 상기 오믹접촉층(1130)에만 직접 접촉되는 경우, 상기 반사층(1160)과 상기 오믹접촉층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. 예를 들어, 절연층과 금속층이 결합되는 경우, 물질 상호 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. When the
예로서, 상기 반사층(1160)과 상기 오믹접촉층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약한 경우, 두 층 간에 박리가 발생될 수 있다. 이와 같이 상기 반사층(1160)과 상기 오믹접촉층(1130) 사이에 박리가 발생되면 발광소자(1100)의 특성이 열화될 수 있으며, 또한 발광소자(1100)의 신뢰성을 확보할 수 없게 된다.For example, when the bonding or adhesive strength between the
그러나, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)이 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있으므로, 상기 반사층(1160), 상기 오믹접촉층(1130), 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력 및 접착력이 안정적으로 제공될 수 있게 된다.However, according to an embodiment, since the
따라서, 실시 예에 의하면, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로, 상기 반사층(1160)이 상기 오믹접촉층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 상기 반사층(1160)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로 발광소자(1100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.Therefore, according to the embodiment, since the bonding force between the
한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 상기 오믹접촉층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 상기 활성층(1112)으로부터 발광된 빛은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통해 상기 반사층(1160)에 입사되어 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 활성층(1112)에서 생성된 빛이 상기 오믹접촉층(1130)에 입사되어 손실되는 것을 감소시킬 수 있게 되며 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면 광도가 향상될 수 있게 된다.Meanwhile, as described above, a plurality of contact holes C1 , C2 , and C3 may be provided in the
그러면, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하기로 한다. 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명함에 있어, 도 21 및 도 22를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Then, a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. In describing a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment, descriptions of matters overlapping with those described with reference to FIGS. 21 and 22 may be omitted.
먼저, 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하면, 도 23a 및 도 23b에 도시된 바와 같이, 기판(1105) 위에 반도체 구조물(1110)이 형성될 수 있다. 도 23a는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 따라 형성된 반도체 구조물(1110)의 형상을 나타낸 평면도이고, 도 23b는 도 23a에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 공정 단면도를 나타낸 것이다.First, according to the method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment, a
실시 예에 의하면, 상기 기판(1105) 위에 반도체 구조물(1110)이 형성될 수 있다. 예로서, 상기 기판(1105) 위에 제1 도전형 반도체층(1111), 활성층(1112), 제2 도전형 반도체층(1113)이 형성될 수 있다.According to an embodiment, a
실시 예에 의하면, 메사 식각 공정을 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 일부 영역이 노출되도록 형성될 수 있다. 상기 반도체 구조물(1110)은 메사 식각에 의하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)을 노출시키는 복수의 메사 개구부(M)를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 메사 개구부(M)는 복수의 원 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 메사 개구부(M)는 리세스로 지칭될 수도 있다. 상기 메사 개구부(M)는 원 형상뿐만 아니라, 타원형 또는 다각형 등의 다양한 형상으로 제공될 수도 있다.According to an embodiment, a partial region of the first conductivity-
다음으로, 도 24a 및 도 24b에 도시된 바와 같이, 오믹접촉층(1130)이 형성될 수 있다. 도 24a는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 따라 형성된 오믹접촉층(1130)의 형상을 나타낸 평면도이고, 도 24b는 도 24a에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 공정 단면도를 나타낸 것이다.Next, as shown in FIGS. 24A and 24B , an
실시 예에 의하면, 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 상기 오믹접촉층(1130)이 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(1130)은 상기 메사 개구부(M)에 대응되는 영역에 제공된 복수의 개구부(M1)를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the
예로서, 상기 개구부(M1)는 복수의 원 형상으로 제공될 수 있다. 상기 개구부(M1)는 원 형상뿐만 아니라, 타원형 또는 다각형 등의 다양한 형상으로 제공될 수도 있다.For example, the opening M1 may be provided in a plurality of circular shapes. The opening M1 may be provided not only in a circular shape, but also in various shapes such as an oval or a polygon.
상기 오믹접촉층(1130)은 제1 영역(R1), 제2 영역(R2), 제3 영역(R3)을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역(R1)과 상기 제2 영역(R2)은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 영역(R3)은 상기 제1 영역(R1)과 상기 제2 영역(R2) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제1 영역(R1)은 상기 반도체 구조물(1110)의 메사 개구부(M)에 대응되는 영역에 제공된 복수의 개구부(M1)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 영역(R1)은 복수의 제1 컨택홀(C1)을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 컨택홀(C1)은 상기 개구부(M1) 주변에 복수로 제공될 수 있다.The first region R1 may include a plurality of openings M1 provided in a region corresponding to the mesa opening M of the
상기 제2 영역(R2)은 상기 반도체 구조물(1110)의 메사 개구부(M)에 대응되는 영역에 제공된 복수의 개구부(M1)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 영역(R2)은 복수의 제2 컨택홀(C2)을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 컨택홀(C2)은 상기 개구부(M1) 주변에 복수로 제공될 수 있다.The second region R2 may include a plurality of openings M1 provided in a region corresponding to the mesa opening M of the
상기 제3 영역(R3)은 상기 반도체 구조물(1110)의 메사 개구부(M)에 대응되는 영역에 제공된 복수의 개구부(M1)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 영역(R1)은 복수의 제1 컨택홀(C1)을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 컨택홀(C1)은 상기 개구부(M1) 주변에 복수로 제공될 수 있다.The third region R3 may include a plurality of openings M1 provided in a region corresponding to the mesa opening M of the
실시 예에 의하면, 상기 제1 컨택홀(C1), 상기 제2 컨택홀(C2), 상기 제3 컨택홀(C3)은 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 직경으로 제공될 수 있다. 상기 제1 컨택홀(C1), 상기 제2 컨택홀(C2), 상기 제3 컨택홀(C3)은 예로서 7 마이크로 미터 내지 20 마이크로 미터의 직경으로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the first contact hole C1 , the second contact hole C2 , and the third contact hole C3 may have a diameter of several micrometers to several tens of micrometers. The first contact hole C1 , the second contact hole C2 , and the third contact hole C3 may have, for example, a diameter of 7 micrometers to 20 micrometers.
상기 제1 컨택홀(C1), 상기 제2 컨택홀(C2), 상기 제3 컨택홀(C3)은 원 형상뿐만 아니라, 타원형 또는 다각형 등의 다양한 형상으로 제공될 수도 있다.The first contact hole C1 , the second contact hole C2 , and the third contact hole C3 may be provided not only in a circular shape but also in various shapes such as an ellipse or a polygon.
실시 예에 의하면, 상기 제1 컨택홀(C1), 상기 제2 컨택홀(C2), 상기 제3 컨택홀(C3)에 의하여 상기 오믹접촉층(1130) 아래에 배치된 상기 제2 도전형 반도체층(1113)이 노출될 수 있다.According to an embodiment, the second conductivity type semiconductor disposed under the
상기 개구부(M1), 상기 제1 컨택홀(C1), 상기 제2 컨택홀(C2), 상기 제3 컨택홀(C3)의 기능에 대해서는 뒤에서 후속 공정을 설명하면서 더 살펴보기로 한다.The functions of the opening M1 , the first contact hole C1 , the second contact hole C2 , and the third contact hole C3 will be further described later while a subsequent process is described.
다음으로, 도 25a 및 도 25b에 도시된 바와 같이, 반사층(1160)이 형성될 수 있다. 도 25a는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 따라 형성된 반사층(1160)의 형상을 나타낸 평면도이고, 도 25b는 도 25a에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 공정 단면도를 나타낸 것이다.Next, as shown in FIGS. 25A and 25B , a
상기 반사층(1160)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 오믹접촉층(1130) 위에 배치될 수 있다. 상기 반사층(1160)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. The
상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162)은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 반사층(1162) 사이에 배치될 수 있다.The first
상기 제1 반사층(1161)은 상기 오믹접촉층(1130)의 제1 영역(R1) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 반사층(1161)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 제1 컨택홀(C1) 위에 배치될 수 있다. The first
상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130)의 제2 영역(R2) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 제2 컨택홀(C2) 위에 배치될 수 있다.The second
상기 제3 반사층(1163)은 상기 오믹접촉층(1130)의 제3 영역(R3) 위에 배치될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 제3 컨택홀(C3) 위에 배치될 수 있다.The third
상기 제2 반사층(1162)은 복수의 개구부를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 반사층(1162)은 복수의 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제1 개구부(h1)를 통해 상기 오믹접촉층(1130)이 노출될 수 있다. The second
또한, 상기 제1 반사층(1161)은 복수의 제2 개구부(h2)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제2 개구부(h2)를 통해 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상부 면이 노출될 수 있다. 상기 복수의 제2 개구부(h2)는 상기 반도체 구조물(1110)에 형성된 상기 복수의 메사 개구부(M) 영역에 대응되어 제공될 수 있다. 또한, 상기 복수의 제2 개구부(h2)는 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 복수의 개구부(M1) 영역에 대응되어 제공될 수 있다.Also, the first
한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 반사층(1161)은 상기 오믹접촉층(1130)의 제1 영역(R1) 위에 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 반사층(1161)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 상기 제1 컨택홀(C1)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 반사층(1161)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 접착력이 향상될 수 있으며, 상기 제1 반사층(1161)이 상기 오믹접촉층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다.Meanwhile, according to an embodiment, the first
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130)의 제2 영역(R2) 위에 제공될 수 있다. 상기 제2 반사층(1162)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 상기 제2 컨택홀(C2)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 반사층(1162)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 접착력이 향상될 수 있으며, 상기 제2 반사층(1162)이 상기 오믹접촉층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다.Also, according to an embodiment, the second
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제3 반사층(1163)은 상기 오믹접촉층(1130)의 제3 영역(R3) 위에 제공될 수 있다. 상기 제3 반사층(1163)은 상기 오믹접촉층(1130)에 제공된 상기 제3 컨택홀(C3)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 제3 반사층(1163)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 접착력이 향상될 수 있으며, 상기 제3 반사층(1163)이 상기 오믹접촉층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다.Also, according to an embodiment, the third
이어서, 도 26a 및 도 26b에 도시된 바와 같이, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)이 형성될 수 있다. 도 26a는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 따라 형성된 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)의 형상을 나타낸 평면도이고, 도 26b는 도 26a에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 공정 단면도를 나타낸 것이다.Subsequently, as shown in FIGS. 26A and 26B , a first sub-electrode 1141 and a second sub-electrode 1142 may be formed. 26A is a plan view showing the shapes of the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 formed according to the method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 26B is a line AA of the light emitting device shown in FIG. 26A. A cross-sectional view of the process is shown.
실시 예에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be disposed to be spaced apart from each other.
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 일부와 상기 활성층(1112)의 일부가 제거되어 노출된 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 배치될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the first conductivity-
상기 제1 서브전극(1141)은 예를 들어 선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 서브전극(1141)은 선 형상의 다른 영역에 비해 상대적으로 면적이 넓은 N 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 서브전극(1141)의 N 영역은 추후 형성될 제1 본딩부(1171)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be formed, for example, in a linear shape. Also, the first sub-electrode 1141 may include an N region having a relatively larger area than other linear regions. The N region of the first sub-electrode 1141 may be electrically connected to a
상기 제1 서브전극(1141)은 상기 제1 반사층(1161)에 제공된 제2 개구부(h2)를 통하여 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제1 서브전극(1141)은, 복수의 N 영역에서 상기 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the upper surface of the first conductivity-
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 서브전극(1142)과 상기 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 상기 오믹접촉층(1130)이 배치될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductivity-
상기 제2 서브전극(1142)은 예를 들어 선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 서브전극(1142)은 선 형상의 다른 영역에 비해 상대적으로 면적이 넓은 P 영역을 포함할 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)의 P 영역은 추후 형성될 제2 본딩부(1172)와 전기적으로 연결될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be formed, for example, in a linear shape. Also, the second sub-electrode 1142 may include a P region having a relatively larger area than other linear regions. The P region of the second sub-electrode 1142 may be electrically connected to a
상기 제2 서브전극(1142)은 상기 제2 반사층(1162)에 제공된 제1 개구부(h1)를 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제2 서브전극(1142)은, 복수의 P 영역에서 상기 오믹접촉층(1130)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 서브전극(1142)은 복수의 P 영역에서 상기 오믹접촉층(1130)의 상부 면에 직접 접촉될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the upper surface of the second conductivity-
다음으로, 도 27a 및 도 27b에 도시된 바와 같이, 보호층(1150)이 형성될 수 있다. 도 27a는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 따라 형성된 보호층(1150)의 형상을 나타낸 평면도이고, 도 27b는 도 27a에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 공정 단면도를 나타낸 것이다.Next, as shown in FIGS. 27A and 27B , a
상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)과 상기 제2 서브전극(1142) 위에 배치될 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 반사층(1160) 위에 배치될 수 있다.The
상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)의 상부 면을 노출시키는 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제1 서브전극(1141)의 복수의 NB 영역을 노출시키는 복수의 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. The
상기 제4 개구부(h4)는 상기 제1 반사층(1161)이 배치된 영역 위에 제공될 수 있다. 또한, 상기 제4 개구부(h4)는 상기 오믹접촉층(1130)의 제1 영역(R1) 위에 제공될 수 있다.The fourth opening h4 may be provided on an area in which the first
상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)의 상부 면을 노출시키는 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다. 상기 보호층(1150)은 상기 제2 서브전극(1142)의 복수의 PB 영역을 노출시키는 복수의 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다.The
상기 제3 개구부(h3)는 상기 제2 반사층(1162)이 배치된 영역 위에 제공될 수 있다. 또한, 상기 제3 개구부(h3)는 상기 오믹접촉층(1130)의 제2 영역(R2) 위에 제공될 수 있다.The third opening h3 may be provided on an area in which the second
이어서, 도 28a 및 도 28b에 도시된 바와 같이, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)가 형성될 수 있다. 도 28a는 실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 따라 형성된 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)의 형상을 나타낸 평면도이고, 도 28b는 도 28a에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 공정 단면도를 나타낸 것이다.Subsequently, as shown in FIGS. 28A and 28B , a
실시 예에 의하면, 도 28a에 도시된 형상으로 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)가 형성될 수 있다. 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 보호층(1150) 위에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the
상기 제1 본딩부(1171)는 상기 제1 반사층(1161) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제2 반사층(1162) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(1172)는 상기 제1 본딩부(1171)와 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(1171)는 복수의 NB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 상기 제4 개구부(h4)를 통하여 상기 제1 서브전극(1141)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 상기 제2 본딩부(1172)는 복수의 PB 영역에서 상기 보호층(1150)에 제공된 상기 제3 개구부(h3)를 통하여 상기 제2 서브전극(1142)의 상부 면에 접촉될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제2 본딩부(1172)에 전원이 인가됨에 따라, 상기 반도체 구조물(1110)이 발광될 수 있게 된다.According to an embodiment, as power is applied to the
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자(1100)에 의하면, 상기 제1 본딩부(1171)와 상기 제1 서브전극(1141)이 복수의 영역에서 접촉될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(1172)와 상기 제2 서브전극(1142)이 복수의 영역에서 접촉될 수 있다. 이에 따라, 실시 예에 의하면, 복수의 영역을 통해 전원이 공급될 수 있으므로, 접촉 면적 증가 및 접촉 영역의 분산에 따라 전류 분산 효과가 발생되고 동작전압이 감소될 수 있는 장점이 있다.As described above, according to the light emitting device 1100 according to the embodiment, the
다음으로, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of a flip-chip light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
먼저, 도 29 및 도 30을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자를 설명하기로 한다. 도 29는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 전극 배치를 설명하는 평면도이고, 도 30은 도 29에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.First, a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 29 and 30 . 29 is a plan view illustrating an electrode arrangement of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 30 is a cross-sectional view taken along line F-F of the light emitting device shown in FIG.
한편, 이해를 돕기 위해, 도 29를 도시함에 있어, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다.Meanwhile, for better understanding, in FIG. 29 , only the relative arrangement relationship between the
도 21 의 플립칩 발광소자를 배치한 실시 예와 다르게 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2 본딩부(121,122)의 면적과 상기 발광소자(120)의 발광 구조물(123)의 면적의 비율이 상이할 수 있다. 도 21 에서 나타난 플립칩 발광소자를 적용하는 경우, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적과 상기 발광 구조물(123)의 면적 간의 비율이 상기 도 29 에서 나타난 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적과 상기 발광 구조물(123)의 면적 간의 비율보다 더 클 수 있다. 상기 도 29에 나타난 발광소자(120)의 경우 제조 단가를 낮추고, 하면으로 방출되는 광의 광 추출 효율을 개선하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 상기 도 21 에서 나타나는 발광소자에 비해 더 작을 수 있다.Unlike the embodiment in which the flip-chip light emitting device of FIG. 21 is disposed, the ratio of the area of the first and
실시 예에 따른 발광소자는, 도 29 및 도 30에 도시된 바와 같이, 기판(124) 위에 배치된 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a
상기 기판(124)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층(123aa), 활성층(123b), 제2 도전형 반도체층(123c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(123b)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)과 상기 제2 도전형 반도체층(123c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(123a) 위에 상기 활성층(123b)이 배치되고, 상기 활성층(123b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(123c)이 배치될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(123a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(123c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(123a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(123c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. According to an embodiment, the first conductivity-
실시 예에 따른 발광소자는, 도 29 및 도 30에 도시된 바와 같이, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a
상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(127)은 상기 제2 도전형 반도체층(123c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The
상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The
상기 제1 가지전극(125)와 상기 제2 가지전극(126)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)과 상기 제2 가지전극(126)에 의하여 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(123) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first
상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(127)과 상기 제2 전극(128)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The
한편, 상기 발광 구조물(123)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(123)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(124)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.Meanwhile, a protective layer may be further provided on the
예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer may be provided with an insulating material. For example, the protective layer is Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y It may be formed of at least one material selected from the group comprising:
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the light generated in the
상기 발광소자의 상면으로 방출되는 빛은, 도 1 내지 도 20을 참조하여 설명된 리세스(R) 영역으로 입사될 수 있다. The light emitted to the upper surface of the light emitting device may be incident into the recess (R) region described with reference to FIGS. 1 to 20 .
참고로, 도 1 내지 도 20을 참조하여 설명된 발광소자의 상하 배치 방향과 도 29 및 도 30에 도시된 발광소자의 상하 배치 방향은 서로 반대로 도시되어 있다.For reference, the vertical arrangement direction of the light emitting device described with reference to FIGS. 1 to 20 and the vertical arrangement direction of the light emitting device illustrated in FIGS. 29 and 30 are opposite to each other.
도 1 내지 도 20을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이로 방출되는 빛이 상기 리세스(R) 영역에 배치된 상기 접착제(130)로 입사될 수 있다. 상기 발광소자의 하부 방향으로 방출된 빛이 상기 접착제(130)에 의하여 광 확산될 수 있고, 광 추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described with reference to FIGS. 1 to 20 , the light emitted between the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and
예로서, 상기 제1 본딩부(121)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 본딩부(121)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the width of the
또한, 상기 제2 본딩부(122)의 상기 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the width of the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 직접 접촉되는 경우를 기반으로 설명되었다.On the other hand, the light emitting device package according to the above-described embodiment will be described based on a case in which the first and
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 사이에 별도의 도전성 구성요소가 더 배치될 수도 있다.However, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment, a separate conductive component is provided between the first and
다음으로, 도 31을 참조하여, 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 31 .
도 31을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 30을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In the description of the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 31 , descriptions of matters overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 30 may be omitted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 31에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to an embodiment, the
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the
상기 발광소자(120)는, 도 31에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(113) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 31 , the
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 상면으로부터 하면까지 제1 방향으로 관통하는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be provided in the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed under the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be disposed to be spaced apart from each other under the lower surface of the
실시 예에 의하면, 상기 광 추출 효율을 개선하기 위해 발광소자(120)의 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기를 상기 도 21 에서 나타난 발광소자(120)보다 작게 배치할 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. According to an embodiment, in order to improve the light extraction efficiency, the size of the first and
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.Also, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1. Also, the width of the upper region of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower region of the second opening TH2 .
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.For example, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be several tens of micrometers to several hundred micrometers. Also, the width W2 of the lower region of the first opening TH1 may be tens of micrometers to several hundreds of micrometers greater than the width W1 of the upper region of the first opening TH1.
또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 may be several tens of micrometers to several hundred micrometers. Also, the width of the lower region of the second opening TH2 may be tens of micrometers to several hundreds of micrometers greater than the width of the upper region of the second opening TH2.
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)에 비해 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다. Also, the width W2 of the lower region of the first opening TH1 may be wider than the width W1 of the upper region of the first opening TH1 . The first opening TH1 may be provided with a constant width by a predetermined depth in the upper region, and may be provided in an inclined shape toward the lower region.
또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비해 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다.In addition, the width of the lower region of the second opening TH2 may be wider than the width of the upper region of the second opening TH2 . The second opening TH2 may be provided with a constant width by a predetermined depth in the upper area, and may be provided in an inclined shape toward the lower area.
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. For example, the first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. Also, the second opening TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and the inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different inclinations, and the inclined surfaces may be disposed with curvature. .
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 31에 도시된 바와 같이, 제1 도전체(221)와 제2 도전체(222)를 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. The
상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 도전층(321) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제1 도전층(321)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 제1 도전체(221)의 하면은 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)의 하면은 상기 제1 도전층(321)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. A lower surface of the
상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 개구부(TH1) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)에서 상기 제1 개구부(TH1) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. Also, the
상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 도전층(322) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 및 상기 제2 도전층(322)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 제2 도전체(222)의 하면은 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)의 하면은 상기 제2 도전층(322)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.A lower surface of the
상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 개구부(TH2) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)에서 상기 제2 개구부(TH2) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 상기 제1 도전층(321)이 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221)에 의하여 상기 제1 도전층(321)과 상기 제1 본딩부(121) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다. As described above, according to the light emitting device package according to the embodiment, an electrical coupling between the first
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 상기 제2 도전층(322)이 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.Also, according to an embodiment, the second
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)에 의하면, 상기 제2 도전체(222)에 의하여 상기 제2 도전층(322)과 상기 제2 본딩부(122) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다.As described above, according to the light emitting device package 200 according to the embodiment, the electrical coupling between the second
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 별도의 본딩 물질을 통하여 안정적으로 본딩될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)의 측면 및 하면이 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)에 각각 접촉될 수 있다. For example, the first and
따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 하면에 각각 직접적으로 접촉되는 경우에 비하여, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)와 각각 접촉되는 면적이 더 커질 수 있게 된다. Accordingly, compared to the case in which the first and second
이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)를 통하여 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)으로부터 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 각각 안정적으로 공급될 수 있게 된다.Accordingly, power is stably supplied from the first and second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다.For example, the first
또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 Ag, Au, Pt, Al 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.In addition, the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 접착제(130)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130 .
상기 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 31에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recess R may be provided in the
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.For example, the adhesive 130 may be disposed in the recess (R). The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.In addition, the adhesive 130 may be provided between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . Also, as an example, when the adhesive 130 includes a reflective function, the adhesive may include white silicone.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the
또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.In addition, the adhesive 130 may reflect light emitted from the
실시 예에 의하면, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 또는 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)에 비해 작게 제공될 수 있다. In some embodiments, a depth T1 of the recess R may be smaller than a depth T2 of the first opening TH1 or a depth T2 of the second opening TH2.
상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 상기 접착제(130)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)이 깊이(T1)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙(crack)이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. The depth T1 of the recess R may be determined in consideration of the adhesive force of the adhesive 130 . In addition, the recess R has a depth T1 in consideration of the stable strength of the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 언더필(Under fill) 공정은 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장한 후 상기 접착제(130)를 상기 발광소자(120) 하부에 배치하는 공정일 수 있고, 상기 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장하는 공정에서 상기 접착제(130)를 통해 실장하기 위해 상기 접착제(130)를 상기 리세스(R)에 배치 후 상기 발광소자(120)를 배치하는 공정일 수 있다. The recess R may provide an appropriate space under the
상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 접착제(130)의 형성 위치 및 고정력에 영향을 미칠 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)와 폭(W4)은 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치되는 상기 접착제(130)에 의하여 충분한 고정력이 제공될 수 있도록 결정될 수 있다.The depth T1 and the width W4 of the recess R may affect the formation position and fixing force of the adhesive 130 . A depth T1 and a width W4 of the recess R may be determined to provide sufficient fixing force by the adhesive 130 disposed between the
예로서, 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 깊이(T1)는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. For example, the depth T1 of the recess R may be several tens of micrometers. The depth T1 of the recess R may be 40 micrometers to 60 micrometers.
또한, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 발광소자(120)의 장축 방향으로 제공될 수 있다.In addition, the width W4 of the recess R may be provided in a range of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. Here, the width W4 of the recess R may be provided in the long axis direction of the
상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 간의 간격에 비해 좁게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 폭 또는 직경에 비해 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수도 있다. 예로서, 상기 리세스(R)의 폭(W4)은 300 마이크로 미터 내지 400 마이크로 미터로 제공될 수 있다. A width W4 of the recess R may be provided to be narrower than a gap between the
상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 상기 제1 프레임(111)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 상기 제1 프레임(111)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. A depth T2 of the first opening TH1 may be provided to correspond to a thickness of the
상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 제2 프레임(112)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 제2 프레임(112)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.A depth T2 of the second opening TH2 may be provided to correspond to a thickness of the
상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 및 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2) 및 상기 제2 개구부(TH2)의 깊이(T2)는 상기 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.A depth T2 of the first opening TH1 and a depth T2 of the second opening TH2 may be provided to correspond to the thickness of the
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이(T2)는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the depth T2 of the first opening TH1 may be several hundreds of micrometers. A depth T2 of the first opening TH1 may be 180 micrometers to 220 micrometers. For example, the depth T2 of the first opening TH1 may be 200 micrometers.
예로서, 상기 (T2-T1)의 두께는 적어도 100 마이크로 미터 이상으로 선택될 수 있다. 이는 상기 몸체(113)의 크랙 프리(crack free)를 제공할 수 있는 사출 공정 두께가 고려된 것이다. For example, the thickness of (T2-T1) may be selected to be at least 100 micrometers or more. This is in consideration of the thickness of the injection process that can provide crack free (crack free) of the body (113).
실시 예에 의하면, T1 두께와 T2 두께의 비(T2/T1)는 2 내지 10으로 제공될 수 있다. 예로서, T2의 두께가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, T1의 두께는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the ratio (T2/T1) of the thickness T1 to the thickness T2 may be 2 to 10. For example, when the thickness of T2 is provided as 200 micrometers, the thickness of T1 may be provided as 20 micrometers to 100 micrometers.
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221) 및 제2 도전체(222)가 안정적으로 배치될 수 있도록 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the area of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the overlapping area of the adhesive 130 with the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 31에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The
상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 31에 도시된 바와 같이, 제1 상부 리세스(R3)와 제2 상부 리세스(R4)를 포함할 수 있다. Also, as shown in FIG. 31 , the light emitting device package according to the embodiment may include a first upper recess R3 and a second upper recess R4 .
상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The first upper recess R3 may be provided on an upper surface of the
상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다. The second upper recess R4 may be provided on the upper surface of the
예로서, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다.For example, the first upper recess R3 and the second upper recess R4 may have a width of several tens of micrometers to several hundred micrometers.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 31에 도시된 바와 같이 수지부(135)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)에 제공될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)가 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)가 배치된 영역까지 연장되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다.Also, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 일부 영역이 발광 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩부(121)에 인접한 상기 제1 상부 리세스(R3)의 측면 영역이 상기 발광 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다.Also, in the light emitting device package according to the embodiment, when viewed from the top, a partial region of the first upper recess R3 may be provided to overlap the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 상부 리세스(R4)의 일부 영역이 상기 발광 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 본딩부(122)에 인접한 상기 제2 상부 리세스(R4)의 측면 영역이 상기 발광 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다.Also, in the light emitting device package according to the embodiment, when viewed from an upper direction, a partial region of the second upper recess R4 may be provided to overlap the
또한, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)가 상기 발광소자(120) 아래에 상기 수지부(135)가 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다.In addition, the first upper recess R3 and the second upper recess R4 may provide sufficient space for the
이에 따라, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 채워진 상기 수지부(135)가 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 주변을 효과적으로 밀봉할 수 있게 된다.Accordingly, the
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 개구부(TH1) 영역과 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 외측면 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다. The
상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second
또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 하면과 둘레에 보호층이 제공될 수도 있다. 이와 같은 경우, 상기 활성층의 표면에 절연성의 보호층이 제공되므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동되는 경우에도 상기 발광소자(120)의 활성층에 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to an embodiment, a protective layer may be provided on the lower surface and the circumference of the
한편, 상기 발광소자(120)의 하면 및 둘레에 절연성의 보호층이 배치되는 경우에도, 상기 발광소자(120)의 상부 측면 또는 상기 기판(124) 둘레에는 절연성 보호층이 배치되지 않는 경우도 있을 수 있다. 이때, 상기 기판(124)이 전도성 물질로 제공되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 상부 측면 또는 상기 기판(124)에 접하게 되면 단락에 의한 불량이 발생될 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 상기 발광소자(120)의 상부 측면 또는 상기 기판(124)에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.On the other hand, even when the insulating protective layer is disposed on the lower surface and the circumference of the
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 몰딩부(140)가 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 직접 접촉되도록 배치될 수도 있다.On the other hand, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package according to the embodiment, power is connected to the
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting device package 200 according to the above-described embodiment may be supplied by being mounted on a sub-mount or a circuit board.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. In this case, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the light emitting device and the lead frame provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical bonding may be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 본딩부와 제2 본딩부는 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first bonding part and the second bonding part of the light emitting device according to the embodiment may receive driving power through the conductive layer disposed in the opening. In addition, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, since the light emitting device package according to the embodiment does not cause a re-melting phenomenon even when bonding to the main board or the like through a reflow process, the electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. have.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221) 및 제2 도전체(222)가 안정적으로 배치될 수 있도록 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the area of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the overlapping area of the adhesive 130 with the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and
다음으로, 도 32를 참조하여, 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.Next, another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIG. 32 .
도 32를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 31을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 32 , descriptions of matters overlapping with those described with reference to FIGS. 1 to 31 may be omitted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 패키지 몸체(110)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(113)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(113)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(113)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. The
상기 몸체(113)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(113)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 캐비티(C)가 제공될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to an embodiment, the
예로서, 상기 몸체(113)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체(113)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다.The
또한, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the
상기 발광소자(120)는, 도 32에 도시된 바와 같이, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)가 배치될 수 있다.As shown in FIG. 32 , the
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.The
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.The
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 32에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment may include a first opening TH1 and a second opening TH2 as shown in FIG. 32 . The
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in the
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed under the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be provided in the
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed under the
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be disposed to be spaced apart from each other under the lower surface of the
도 32에 도시된 발광소자 패키지는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 형성하는 공정에서, 제1 및 제2 리드 프레임(111, 112)의 상면 방향과 하면 방향에서 식각이 각각 수행된 경우를 나타낸 것이다.In the light emitting device package shown in FIG. 32 , in the process of forming the first and second openings TH1 and TH2, etching is performed in the upper surface direction and the lower surface direction of the first and second lead frames 111 and 112, respectively. case is indicated.
상기 제1 및 제2 리드 프레임(111, 112)의 상면 방향과 하면 방향에서 각각 식각이 진행됨에 따라, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 형상이 일종의 눈사람 형상으로 제공될 수 있다.As etching proceeds in the upper and lower directions of the first and second lead frames 111 and 112, respectively, the shapes of the first and second openings TH1 and TH2 may be provided as a kind of snowman shape. .
상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 하부 영역에서 중간 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 증가되다가 다시 감소될 수 있다. 또한, 폭이 감소된 중간 영역에서 다시 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 증가되다가 다시 감소될 수 있다.The widths of the first and second openings TH1 and TH2 may gradually increase from the lower region to the middle region and then decrease again. Also, the width may be gradually increased and then decreased again while going back to the upper region from the reduced width of the middle region.
상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 각각의 상면에 배치된 제1 영역, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112) 각각의 하면에 배치된 제2 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역의 상면의 폭은 상기 제2 영역의 하면의 폭 보다 작게 제공될 수 있다.The first and second openings TH1 and TH2 may include a first region disposed on an upper surface of each of the first and
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭에 비해 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되는 제1 영역과, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공되는 제2 영역을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 측면이 곡률을 갖는 원형 형상으로 구성될 수 있고, 상기 제1 영역 상면의 폭은 상기 제2 영역 하면의 폭보다 좁을 수 있다. 또한, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역이 접하는 부분은 절곡부를 가질 수 있다.In addition, the width of the lower region of the first opening TH1 may be wider than the width of the upper region of the first opening TH1 . The first opening TH1 may include a first area provided with a constant width by a predetermined depth from the upper area, and a second area provided with an inclined shape toward the lower area. In addition, the first region and the second region may have a circular shape having a side surface having a curvature, and a width of an upper surface of the first region may be narrower than a width of a lower surface of the second region. In addition, a portion in which the first region and the second region contact may have a bent portion.
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 형성하는 식각 공정이 완료된 후, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)에 대한 도금 공정이 수행될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 표면에 제1 및 제2 도금층(111a, 112a)이 형성될 수 있다.Also, according to an embodiment, after the etching process for forming the first and second openings TH1 and TH2 is completed, a plating process for the first and
상기 제1 및 제2 도금층(111a, 112a)은 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)의 상면 및 하면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도금층(111a, 112a)은 상기 제1 및 제2 개부부(TH1, TH2)와 접하는 경계 영역에 제공될 수 있다.The first and
예로서, 상기 제1 및 제2 프레임(111, 112)은 기본 지지부재로서 Cu층으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도금층(111a, 112a)은 Ni층, Ag층 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the first and
상기 제1 및 제2 도금층(111a, 112a)이 Ni층을 포함하는 경우, Ni층은 열 팽창에 대한 변화가 작으므로, 패키지 몸체가 열 팽창에 의하여 그 크기 또는 배치 위치가 변화되는 경우에도, 상기 Ni층에 의하여 상부에 배치된 발광소자의 위치가 안정적으로 고정될 수 있게 된다. 상기 제1 및 제2 도금층(111a, 112a)이 Ag층을 포함하는 경우, Ag층은 상부에 배치된 발광소자에서 발광되는 빛을 효율적으로 반사시키고 광도를 향상시킬 수 있다.When the first and
실시 예에 의하면, 상기 광 추출 효율을 개선하기 위해 발광소자(120)의 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기를 작게 배치하는 경우, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 크거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 크거나 같게 제공될 수 있다. According to an embodiment, when the first and
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.In addition, the width of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width of the lower region of the first opening TH1 . Also, the width of the upper region of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower region of the second opening TH2 .
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.For example, the width of the upper region of the first opening TH1 may be several tens of micrometers to several hundred micrometers. In addition, the width of the lower region of the first opening TH1 may be tens of micrometers to several hundreds of micrometers greater than the width of the upper region of the first opening TH1 .
또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭은 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비하여 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다.In addition, the width of the upper region of the second opening TH2 may be several tens of micrometers to several hundred micrometers. Also, the width of the lower region of the second opening TH2 may be tens of micrometers to several hundreds of micrometers greater than the width of the upper region of the second opening TH2.
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭에 비해 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다.In addition, the width of the lower region of the first opening TH1 may be wider than the width of the upper region of the first opening TH1 . The first opening TH1 may be provided with a constant width by a predetermined depth in the upper region, and may be provided in an inclined shape toward the lower region.
또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭에 비해 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭이 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상부 영역에서 소정 깊이만큼 일정한 폭으로 제공되고, 하부 영역으로 가면서 경사진 형상으로 제공될 수 있다.In addition, the width of the lower region of the second opening TH2 may be wider than the width of the upper region of the second opening TH2 . The second opening TH2 may be provided with a constant width by a predetermined depth in the upper area, and may be provided in an inclined shape toward the lower area.
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다.For example, the first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region. Also, the second opening TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different inclinations, and the inclined surfaces may be disposed with curvature. .
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 32에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작을 경우, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에 배치될 수 있다. In the light emitting device package according to the embodiment, as shown in FIG. 32 , when the areas of the first and
이 때, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작기 때문에 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 접착력이 확보되기 어려울 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 접촉 면적을 더 확보하기 위해서 제1 도전체(221)와 제2 도전체(222)를 포함할 수 있다. In this case, since the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a first
상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. The
상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 도전층(321) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제1 도전층(321)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 제1 도전체(221)의 하면은 상기 제1 개구부(TH1)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 도전체(221)의 하면은 상기 제1 도전층(321)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. A lower surface of the
상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 개구부(TH1) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전체(221)는 상기 제1 본딩부(121)에서 상기 제1 개구부(TH1) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The
또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 배치될 수 있다. Also, the
상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 도전층(322) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122) 및 상기 제2 도전층(322)과 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 제2 도전체(222)의 하면은 상기 제2 개구부(TH2)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2 도전체(222)의 하면은 상기 제2 도전층(322)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다.A lower surface of the
상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 개구부(TH2) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 도전체(222)는 상기 제2 본딩부(122)에서 상기 제2 개구부(TH2) 내부까지 연장되어 배치될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 상기 제1 도전층(321)이 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 도전체(221)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The first
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221)에 의하여 상기 제1 도전층(321)과 상기 제1 본딩부(121) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다. As described above, according to the light emitting device package according to the embodiment, an electrical coupling between the first
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 상기 제2 도전층(322)이 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 도전체(222)의 하면 및 측면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.Also, according to an embodiment, the second
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 크게 제공될 수 있다.The second
이와 같이 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)에 의하면, 상기 제2 도전체(222)에 의하여 상기 제2 도전층(322)과 상기 제2 본딩부(122) 간에 전기적 결합이 더 안정적으로 제공될 수 있다.As described above, according to the light emitting device package 200 according to the embodiment, the electrical coupling between the second
예로서, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 각각 별도의 본딩 물질을 통하여 안정적으로 본딩될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)의 측면 및 하면이 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)에 각각 접촉될 수 있다. For example, the first and
따라서, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 하면에 각각 직접적으로 접촉되는 경우에 비하여, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)와 각각 접촉되는 면적이 더 커질 수 있게 된다. Accordingly, compared to the case in which the first and second
이에 따라, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)를 통하여 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)으로부터 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)에 전원이 각각 안정적으로 공급될 수 있게 된다.Accordingly, power is stably supplied from the first and second
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다. The first
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다.For example, the first
또한, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)는 Ag, Au, Pt, Al 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 도전체(221, 222)로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.In addition, the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 접착제(130)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include an adhesive 130 .
상기 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다.The adhesive 130 may be disposed between the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 32에 도시된 바와 같이, 리세스(R)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting
상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향에서 중첩되어 제공될 수 있다.The recess R may be provided in the
상기 리세스(R)의 측면은 경사면을 가질 수 있고, 곡률을 가질 수 있다. 또한, 상기 리세스(R)가 구형 형상으로 제공되고, 그 측면이 원형 형성으로 제공될 수도 있다.A side surface of the recess R may have an inclined surface or a curvature. In addition, the recess R may be provided in a spherical shape and a side surface thereof may be provided in a circular shape.
예로서, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 리세스(R)로부터 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)가 배치된 방향으로 확산되어 제공될 수도 있다. 예로서, 상기 접착제(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면과 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수도 있다.For example, the adhesive 130 may be disposed in the recess (R). The adhesive 130 may be disposed between the light emitting
또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에 제공될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.In addition, the adhesive 130 may be provided between the light emitting
상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 접착제(130)는 예로서 상기 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the light emitting
예로서, 상기 접착제(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the adhesive 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. . Also, as an example, when the adhesive 130 includes a reflective function, the adhesive may include white silicone.
상기 접착제(130)는 상기 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(113) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 접착제(130)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. The adhesive 130 may provide a stable fixing force between the
또한, 상기 접착제(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착제(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제(130)는 TiO2, Silicone 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.In addition, the adhesive 130 may reflect light emitted from the
상기 리세스(R)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 언더필(Under fill) 공정은 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장한 후 상기 접착제(130)를 상기 발광소자(120) 하부에 배치하는 공정일 수 있고, 상기 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장하는 공정에서 상기 접착제(130)를 통해 실장하기 위해 상기 접착제(130)를 상기 리세스(R)에 배치 후 상기 발광소자(120)를 배치하는 공정일 수 있다. The recess R may provide an appropriate space under the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221) 및 제2 도전체(222)가 안정적으로 배치될 수 있도록 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the area of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the overlapping area of the adhesive 130 with the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 32에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The
상기 몰딩부(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 32에 도시된 바와 같이, 제1 상부 리세스(R3)와 제2 상부 리세스(R4)를 포함할 수 있다.Also, as shown in FIG. 32 , the light emitting device package according to the embodiment may include a first upper recess R3 and a second upper recess R4 .
상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 끝단은 둥근 형상으로 제공될 수 있다.The first upper recess R3 may be provided on an upper surface of the
상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제2 상부 리세스(R4)의 끝단은 둥근 형상으로 제공될 수 있다.The second upper recess R4 may be provided on the upper surface of the
예로서, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다.For example, the first upper recess R3 and the second upper recess R4 may have a width of several tens of micrometers to several hundred micrometers.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 32에 도시된 바와 같이 수지부(135)를 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 수지부(135)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 프레임(112)과 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 패키지 몸체(110)에 제공된 캐비티(C)의 바닥 면에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있다.The
상기 수지부(135)는 상기 제1 상부 리세스(R3)에 제공될 수 있으며, 상기 제1 본딩부(121)가 배치된 영역까지 확산되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 연장되어 배치될 수 있다.The
또한, 상기 수지부(135)는 상기 제2 상부 리세스(R4)에 제공될 수 있으며, 상기 제2 본딩부(122)가 배치된 영역까지 확산되어 제공될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광 구조물(123)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 연장되어 배치될 수 있다.In addition, the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 상부 리세스(R3)의 일부 영역이 발광 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 본딩부(121)에 인접한 상기 제1 상부 리세스(R3)의 측면 영역이 상기 발광 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다.Also, in the light emitting device package according to the embodiment, when viewed from the top, a partial region of the first upper recess R3 may be provided to overlap the
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제2 상부 리세스(R4)의 일부 영역이 상기 발광 구조물(123)과 수직 방향에서 중첩되게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제2 본딩부(122)에 인접한 상기 제2 상부 리세스(R4)의 측면 영역이 상기 발광 구조물(123) 아래로 연장되어 제공될 수 있다.Also, in the light emitting device package according to the embodiment, when viewed from an upper direction, a partial region of the second upper recess R4 may be provided to overlap the
또한, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)가 상기 발광소자(120) 아래에 상기 수지부(135)가 제공될 수 있는 충분한 공간을 제공할 수 있다. 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다.In addition, the first upper recess R3 and the second upper recess R4 may provide sufficient space for the
이에 따라, 상기 제1 상부 리세스(R3)와 상기 제2 상부 리세스(R4)에 채워진 상기 수지부(135)가 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 주변을 효과적으로 밀봉할 수 있게 된다.Accordingly, the
예로서, 상기 수지부(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 반사부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치되어 실링(sealing) 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 프레임(111) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2 프레임(112) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. The
상기 수지부(135)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)의 주위를 밀봉시킬 수 있다. 상기 수지부(135)는 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)이 상기 제1 개구부(TH1) 영역과 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 벗어나 상기 발광소자(120) 외측면 방향으로 확산되어 이동되는 것을 방지할 수 있다. The
상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동할 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)이 상기 발광소자(120)의 활성층과 접할 수 있어 단락에 의한 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 활성층에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.When the first and second
또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 하면과 둘레에 보호층이 제공될 수도 있다. 이와 같은 경우, 상기 활성층의 표면에 절연성의 보호층이 제공되므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측면 방향으로 확산되어 이동되는 경우에도 상기 발광소자(120)의 활성층에 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to an embodiment, a protective layer may be provided on the lower surface and the circumference of the
한편, 상기 발광소자(120)의 하면 및 둘레에 절연성의 보호층이 배치되는 경우에도, 상기 발광소자(120)의 상부 측면 또는 상기 기판(124) 둘레에는 절연성 보호층이 배치되지 않는 경우도 있을 수 있다. 이때, 상기 기판(124)이 전도성 물질로 제공되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 상부 측면 또는 상기 기판(124)에 접하게 되면 단락에 의한 불량이 발생될 수 있다. 따라서, 상기 수지부(135)가 배치되는 경우 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과 상기 발광소자(120)의 상부 측면 또는 상기 기판(124)에 의한 단락을 방지할 수 있어 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.On the other hand, even when the insulating protective layer is disposed on the lower surface and the circumference of the
또한, 상기 수지부(135)가 화이트 실리콘과 같은 반사 특성이 있는 물질을 포함하는 경우, 상기 수지부(135)는 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛을 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 반사시켜 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예에 의하면, 상기 수지부(135)가 별도로 제공되지 않고, 상기 몰딩부(140)가 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)에 직접 접촉되도록 배치될 수도 있다.On the other hand, according to another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제1 개구부(TH1) 영역을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2) 영역을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. In the light emitting device package according to the embodiment, power is connected to the
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.Accordingly, the
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.On the other hand, the light emitting device package 200 according to the above-described embodiment may be supplied by being mounted on a sub-mount or a circuit board.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.However, when a conventional light emitting device package is mounted on a sub-mount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. In this case, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the light emitting device and the lead frame provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical bonding may be weakened.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 본딩부와 제2 본딩부는 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. However, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the first bonding part and the second bonding part of the light emitting device according to the embodiment may receive driving power through the conductive layer disposed in the opening. In addition, the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than that of a general bonding material.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.Therefore, since the light emitting device package according to the embodiment does not cause a re-melting phenomenon even when bonding to the main board or the like through a reflow process, the electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. have.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, the
이에 따라, 몸체(113)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(113)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Accordingly, the selection range for materials constituting the
예를 들어, 상기 몸체(113)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.For example, the
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 패드전극(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.Also, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the sum of the areas of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 도전체(221) 및 제2 도전체(222)가 안정적으로 배치될 수 있도록 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적의 합은 상기 기판(124)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the area of the first and
실시 예에 의하면, 상기 접착제(130)가 상기 발광소자(120)와 상기 제1 방향을 기준으로 중첩되는 면적은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)이 중접되는 영역의 면적에 비해 더 크게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the overlapping area of the adhesive 130 with the
이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120) 아래에는 반사특성이 좋은 상기 접착제(130)가 제공될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(120)의 하부 방향으로 방출된 빛은 상기 접착제(130)에서 반사되어 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 효과적으로 방출되고 광추출효율이 향상될 수 있게 된다.As described above, as the area of the first and
한편, 도 1 내지 도 33을 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 33 may be applied to a light source device.
또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. In addition, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, etc. according to an industrial field.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.As an example of the light source device, the display device includes a bottom cover, a reflecting plate disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, and is disposed in front of the reflecting plate and guides light emitted from the light emitting module to the front A light guide plate, an optical sheet including prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel; It may include a color filter disposed in front. Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. Also, the display device may have a structure in which light emitting devices emitting red, green, and blue light are respectively disposed without including a color filter.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp is a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, and is reflected by the reflector It may include a lens that refracts light forward, and a shade that blocks or reflects a portion of light reflected by the reflector and directed to the lens to form a light distribution pattern desired by a designer.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.A lighting device, which is another example of the light source device, may include a cover, a light source module, a heat sink, a power supply unit, an inner case, and a socket. Also, the light source device according to the embodiment may further include any one or more of a member and a holder. The light source module may include a light emitting device package according to an embodiment.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by a person skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the embodiment.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and not a limitation on the embodiment, and those of ordinary skill in the art to which the embodiment belongs may find several not illustrated above within the range that does not deviate from the essential characteristics of the embodiment. It can be seen that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And the differences related to these modifications and applications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.
110 패키지 몸체
111 제1 프레임
112 제2 프레임
113 몸체
120 발광소자
121 제1 본딩부
122 제2 본딩부
123 발광 구조물
124 기판
130 접착제
135 수지부
140 몰딩부
221 제1 도전체
222 제2 도전체
310 회로기판
311 제1 패드
312 제2 패드
313 지지기판
321 제1 도전층
321a 제1 상부 도전층
321b 제1 하부 도전층
322 제2 도전층
322a 제2 상부 도전층
322b 제2 하부 도전층
R 리세스
R3 제1 상부 리세스
R4 제2 상부 리세스
TH1 제1 개구부
TH2 제2 개구부110 package body
111 first frame
112 second frame
113 body
120 light emitting element
121 first bonding unit
122 second bonding unit
123 light emitting structure
124 board
130 glue
135 resin part
140 molding part
221 first conductor
222 second conductor
310 circuit board
311 first pad
312 second pad
313 support substrate
321 first conductive layer
321a first upper conductive layer
321b first lower conductive layer
322 second conductive layer
322a second upper conductive layer
322b second lower conductive layer
R recess
R3 first upper recess
R4 second upper recess
TH1 first opening
TH2 second opening
Claims (12)
상기 제1 및 제2 프레임 사이에 배치되며 리세스를 포함하는 몸체;
상기 리세스 상에 배치되는 접착제;
상기 접착제와 접촉하도록 상기 접착제 상에 배치되며, 제1 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 및
상기 제1 및 제2 본딩부 상에 각각 배치된 제1 및 제2 도전체; 를 포함하고,
상기 제1 및 제2 본딩부는 상기 제1 및 제2 개구부 상에 각각 배치되고,
상기 제1 및 제2 도전체는 상기 제1 및 제2 개구부 내부까지 각각 배치되며,
상기 제1 및 제2 개구부는 상기 제1 및 제2 프레임 각각의 상면에 배치된 제1 영역, 상기 제1 및 제2 프레임 각각의 하면에 배치된 제2 영역을 더 포함하고,
상기 제1 영역의 상면의 폭은 상기 제2 영역의 하면의 폭보다 작은 발광소자 패키지.a first frame disposed to be spaced apart from each other, a first frame including a first opening, and a second frame including a second opening;
a body disposed between the first and second frames and including a recess;
an adhesive disposed over the recess;
a light emitting device disposed on the adhesive so as to be in contact with the adhesive and including first and second bonding parts; and
first and second conductors respectively disposed on the first and second bonding portions; including,
The first and second bonding portions are respectively disposed on the first and second openings,
The first and second conductors are respectively disposed up to the inside of the first and second openings,
The first and second openings further include a first area disposed on an upper surface of each of the first and second frames, and a second area disposed on a lower surface of each of the first and second frames,
A width of an upper surface of the first region is smaller than a width of a lower surface of the second region.
상기 제1 개구부에 제공되며 상기 제1 본딩부의 하면과 직접 접촉되어 배치된 제1 도전층;
상기 제2 개구부에 제공되며 상기 제2 본딩부의 하면과 직접 접촉되어 배치된 제2 도전층;
을 포함하는 발광소자 패키지.8. The method of claim 7,
a first conductive layer provided in the first opening and disposed in direct contact with a lower surface of the first bonding part;
a second conductive layer provided in the second opening and disposed in direct contact with a lower surface of the second bonding part;
A light emitting device package comprising a.
상기 제1 도전층은 상기 제1 개구부의 상부 영역에 제공된 제1 상부 도전층과 상기 제1 개구부의 하부 영역에 제공된 제1 하부 도전층을 포함하고,
상기 제1 상부 도전층과 상기 제1 하부 도전층은 서로 다른 물질을 포함하는 발광소자 패키지.9. The method of claim 8,
the first conductive layer includes a first upper conductive layer provided in an upper region of the first opening and a first lower conductive layer provided in a lower region of the first opening;
The first upper conductive layer and the first lower conductive layer include different materials from each other.
상기 제1 개구부에 제공되며 상기 제1 도전체의 하면과 측면에 직접 접촉되어 배치된 제1 도전층;
상기 제2 개구부에 제공되며 상기 제2 도전체의 하면과 측면에 직접 접촉되어 배치된 제2 도전층;
을 포함하는 발광소자 패키지.8. The method of claim 7,
a first conductive layer provided in the first opening and disposed in direct contact with a lower surface and a side surface of the first conductor;
a second conductive layer provided in the second opening and disposed in direct contact with a lower surface and a side surface of the second conductor;
A light emitting device package comprising a.
상기 제1 도전층은 상기 제1 본딩부의 하면에 직접 접촉되어 배치되고, 상기 제2 도전층은 상기 제2 본딩부의 하면에 직접 접촉되어 배치된 발광소자 패키지.12. The method of claim 11,
The first conductive layer is disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding part, and the second conductive layer is disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding part.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170093031A KR102359818B1 (en) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package |
| US16/041,081 US10497827B2 (en) | 2017-07-21 | 2018-07-20 | Light emitting device package |
| TW107125226A TWI778103B (en) | 2017-07-21 | 2018-07-20 | Light emitting device package |
| CN201810811647.0A CN109285932B (en) | 2017-07-21 | 2018-07-23 | Light emitting device package |
| CN202311244096.1A CN117374190A (en) | 2017-07-21 | 2018-07-23 | Light emitting device package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170093031A KR102359818B1 (en) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190010352A KR20190010352A (en) | 2019-01-30 |
| KR102359818B1 true KR102359818B1 (en) | 2022-02-08 |
Family
ID=65276677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170093031A KR102359818B1 (en) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102359818B1 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100723144B1 (en) | 2005-12-24 | 2007-05-30 | 삼성전기주식회사 | Light emitting diode package |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100696851B1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-03-19 | 엘지전자 주식회사 | Stucture for light emitting device array |
| KR101591991B1 (en) * | 2010-12-02 | 2016-02-05 | 삼성전자주식회사 | Light emitting device package and method thereof |
| KR101797560B1 (en) * | 2011-03-17 | 2017-11-15 | 서울바이오시스 주식회사 | Wafer level led package and method of fabricating the same |
| KR101824034B1 (en) * | 2011-05-24 | 2018-01-31 | 엘지이노텍 주식회사 | A light emitting device package |
| KR101997247B1 (en) * | 2012-11-14 | 2019-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device and light apparatus having thereof |
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- 2017-07-21 KR KR1020170093031A patent/KR102359818B1/en active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100723144B1 (en) | 2005-12-24 | 2007-05-30 | 삼성전기주식회사 | Light emitting diode package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190010352A (en) | 2019-01-30 |
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