KR20150102937A - 감광성 수지 조성물, 감광성 필름 및 레지스트 패턴의 형성 방법 - Google Patents

감광성 수지 조성물, 감광성 필름 및 레지스트 패턴의 형성 방법 Download PDF

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야스하루 무라카미
하나코 요리
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Abstract

(A)성분 : 페놀성 수산기를 가지는 수지, (B)성분 : 2개 이상의 옥시란환을 가지는, 지방족 또는 지환식 에폭시 화합물, (C)성분 : 감광응성 산발생제, 및 (D)성분 : 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물로, 상기 (A)성분 100질량부에 대하여, 상기 (B)성분 20~70질량부를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.

Description

감광성 수지 조성물, 감광성 필름 및 레지스트 패턴의 형성 방법{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE FILM, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN}
본 발명은, 감광성 수지 조성물, 감광성 필름 및 레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
감광성 수지 조성물은, 현재, 다양한 반도체 및 미세 가공 용도에 있어서 널리 사용되고 있다. 이러한 용도에 있어서, 기판 상의 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광 후, 적절한 현상액으로 처리함으로써 노광부 또는 미노광부를 선택적으로 제거하여, 레지스트 패턴이 형성된다. 이 처리 중, 감광성 수지 조성물의 용해성 변화를 유발시킴으로써 광 가공이 달성된다. 감광성 수지 조성물은, 포지티브형 또는 네가티브형 중 어느 하나로 할 수 있으며, 활성 광선을 이용하는 노광은, 그 용도에 따라 현상액 중으로의 용해성을 각각 증가 또는 감소시키기 위해 실시된다.
종래에, 이들의 재료계로서, 아크릴계 광경화제와 에폭시계 열경화제를 조합한 재료가 사용되어 왔다. 예를 들면, 특허문헌 1 및 3에는, 노볼락 수지, 에폭시 수지, 광산발생제를 함유하는 감광성 수지 조성물이 개시되었고, 특허문헌 4에는 카르복실기를 가지는 알칼리 가용성 에폭시 화합물과 광양이온 중합개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 반도체의 표면 보호막 또는 층간 절연막에 관한 감광성 수지 조성물이 기재되어 있다.
특허문헌 1 : 일본 공개특허 평09-087366호 공보 특허문헌 2 : 일본 공개특허 2003-215802호 공보 특허문헌 3 : 일본 공표특허 2007-522531호 공보 특허문헌 4 : 국제공개 제2008/010521호
그런데, 전자기기의 고속화에 따라, 배선판 재료의 고밀도화가 해마다 진행되고 있다. 이에 따라, 배선판에 사용되는 솔더레지스트 및 층간 절연막에도 미세 가공에 대한 요구가 높아지고 있다. 그 때문에, 감광성 수지 조성물에는, 감광성, 내열성, 전기특성, 기기특성 등이 우수할 것이 요구되고 있다. 하지만, 상기 선행기술문헌에 기재된 감광성 수지 조성물에서는, 절연 신뢰성 등이 우수한 반면, 후막화했을 때의 고해상도화가 곤란하였다. 예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 감광성 수지 조성물에서는, 도막의 두께가 50㎛일 때, 스페이스 폭이 40㎛ 정도의 해상성 밖에 얻을 수 없다. 또한, 특허문헌 2에 기재된 감광성 수지 조성물에서는, 도막의 두께가 10㎛일 때, 스페이스 폭이 5㎛ 정도의 양호한 해상성을 얻을 수 있지만, 막후화했을 때에는 양호한 해상성을 얻을 수 없다.
본 발명의 목적은, 상기와 같은 종래기술에 수반하는 문제점을 해결하고, 20㎛를 초과하는 두께를 가지는 도막을 형성한 경우이어도, 해상성 및 내열성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다. 더욱이, 본 발명은 이와 같은 감광성 수지 조성물을 경화시킨 경화물(절연막)을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명자들은, 상기 문제점을 해결하고자 예의연구한 결과, 우수한 특성을 가지는 감광성 수지 조성물을 발견하기에 이르렀다. 즉, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A)성분 : 페놀성 수산기를 가지는 수지, (B)성분 : 2개 이상의 옥시란환을 가지는, 지방족 또는 지환식 에폭시 화합물, (C)성분 : 광감응성 산발생제, 및 (D)성분 : 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물로서, 상기 (A)성분 100질량부에 대하여, 상기 (B)성분 20~70질량부를 함유하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 (B)성분은, 2개 이상의 글리시딜에테르기를 가지는 것이 바람직하며, 3개 이상의 글리시딜에테르기를 가지는 것이, 더욱 바람직하다.
본 발명은 또한, 지지체와, 그 지지체 상에 설치되는 상기 감광성 수지 조성물로 형성되는 감광층을 구비하는, 감광성 필름을 제공한다.
더욱이, 본 발명은, 상기 감광성 수지 조성물의 경화물을 제공한다. 그 경화물은, 솔더레지스트 또는 층간 절연막으로서 적절하게 사용할 수 있다.
본 발명은, 상기 감광성 수지 조성물을 기재 상에 도포하고, 도포된 감광성 수지 조성물을 건조하여 감광층을 형성하는 공정과, 상기 감광층을 소정의 패턴으로 노광하고, 노광 후 가열처리를 실시하는(이하, 이 가열처리를「노광 후 베이크」라고도 한다.) 공정과, 가열처리 후의 감광층을 현상하여, 얻어진 수지 패턴을 가열처리하는 공정을 포함하는, 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다.
더욱이, 본 발명은, 기판 상에, 상기 감광성 필름의 감광층을 형성하는 공정과, 상기 감광층을 소정의 패턴으로 노광하고, 노광 후 가열처리를 실시하는 공정과, 가열처리 후의 감광층을 현상하여, 얻어진 수지 패턴을 가열처리하는 공정을 포함하는, 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다.
고밀도 상호 접속체를 필요로 하는 선진적인 전자 패키지의 제작을 포함하는 용도에서는, 높은 애스펙트비(“형성한 상의 높이/형성한 상의 폭”으로 정의됨)의 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물이 요구된다. 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의하면, 20㎛를 초과하는 두께를 가지는 도막을 형성한 경우이어도, 해상성 및 내열성이 우수하고, 높은 애스펙트비의 레지스트 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
[도 1] 본 발명의 일 실시형태의 다층 프린트 배선판의 제조 방법을 나타내는 모식도이다.
[도 2] 실시예 4의 감광성 수지 조성물을 사용하여 수지 패턴을 형성했을 때의 금속 현미경 사진이다.
[도 3] 실시예 4의 감광성 수지 조성물을 사용하여 수지 패턴을 형성했을 때의 주사형 전자 현미경 사진이다.
[도 4] 비교예 3의 감광성 수지 조성물을 사용하여 수지 패턴을 형성했을 때의 금속 현미경 사진이다.
이하에, 본 발명의 일 실시형태에 관하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다.
[감광성 수지 조성물]
본 실시형태의 감광성 수지 조성물은, (A)페놀성 수산기를 가지는 수지, (B)2개 이상의 옥시란환을 가지는, 지방족 또는 지환식 에폭시 화합물, (C)광감응성 산발생제, 및 (D)용제를 함유한다. 또한, 본 실시형태의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라서, (E)성분 : 가교제, (F)성분 : 증감제 등을 함유해도 된다.
본 실시형태의 감광성 수지 조성물에 의하여, 높은 애스펙트비의 수지 패턴을 형성할 수 있는 이유를 본 발명자들은 이하와 같다고 생각하고 있다. 우선, 미노광부에서는 (A)페놀성 수산기를 가지는 수지의 현상액에 대한 용해성이 (B)성분의 첨가에 의해 대폭 향상된다. 다음으로 노광부에서는, (C)광감응성 산발생제로부터 발생된 산에 의하여, (B)성분에서의 2개 이상의 옥시란환이 반응하여 가교할 뿐만 아니라, (A)성분의 페놀성 수산기와도 반응하여, 현상액에 대한 조성물의 용해성이 대폭 저하된다. 이에 따라, 현상했을 때, 미노광부 및 노광부의 현상액에 대한 용해성의 차가 현저해지며, 충분한 해상성을 얻을 수 있고, 또한 현상 후 패턴의 가열처리에 의해 (B)성분의 가교, (A)성분과의 반응이 더욱 진행되어, 충분한 내열성을 가지는 수지 패턴을 얻을 수 있을 것이라고, 본 발명자들은 추찰한다.
〈(A)성분〉
(A)성분인 페놀성 수산기를 가지는 수지로서는, 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 수용액에 가용(可溶)인 수지인 것이 바람직하며, 노볼락 수지가 특히 바람직하다. 이와 같은 노볼락 수지는 페놀류와 알데히드류를 촉매 존재 하에서, 축합시킴으로써 얻을 수 있다.
상기 페놀류로서는, 예를 들면, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, o-부틸페놀, m-부틸페놀, p-부틸페놀, 2,3-크실레놀, 2,4-크실레놀, 2,5-크실레놀, 2,6-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, 카테콜, 레소시놀, 피로갈롤, α-나프톨, β-나프톨 등을 들 수 있다.
또한, 상기 알데히드류로서는, 예를 들면, 포름알데히드, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드 등을 들 수 있다.
이러한 노볼락 수지의 구체예로서는, 페놀/포름알데히드 축합 노볼락 수지, 크레졸/포름알데히드 축합 노볼락 수지, 페놀-나프톨/포름알데히드 축합 노볼락 수지 등을 들 수 있다.
또한, 노볼락 수지 이외의 (A)성분으로서는, 예를 들면, 폴리히드록시스티렌 및 그 공중합체, 페놀-크실렌글리콜 축합 수지, 크레졸-크실렌글리콜 축합 수지, 페놀-디시클로펜타디엔 축합 수지 등을 들 수 있다. (A)성분은 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
(A)성분은, 얻어지는 경화막의 해상성, 현상성, 열충격성, 내열성 등의 관점에서, 중량 평균 분자량이 100000 이상인 것이 바람직하며, 1000~80000인 것이 보다 바람직하고, 2000~50000인 것이 더욱 바람직하며, 2000~20000인 것이 특히 바람직하고, 5000~15000인 것이 매우 바람직하다.
본 실시형태의 감광성 수지 조성물에 있어서, (A)성분의 함유량은, (D)성분을 제외한 감광성 수지 조성물의 전량 100질량부에 대하여, 30~90질량부인 것이 바람직하며, 40~80질량부인 것이 보다 바람직하다. (A)성분의 비율이 상기 범위라면, 얻어지는 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 막은 알칼리 수용액에 의한 현상성이 보다 뛰어나다.
〈(B)성분〉
(B)성분인 2개 이상의 옥시란환을 가지는, 지방족 또는 지환식 에폭시 화합물은, 중량 평균 분자량이 1000 이하의 에폭시 화합물인 것이 바람직하다. 또한, (B)성분은, 2개 이상의 글리시딜에테르기를 가지는 화합물인 것이 바람직하며, 3개 이상의 글리시딜에테르기를 가지는 화합물인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서,「지방족 또는 지환식 에폭시 화합물」이란, 주골격이 지방족 골격 및/또는 지환식 골격이며, 방향환 또는 복소환을 포함하지 않는 것을 말한다.
(B)성분으로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 트리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 글리세린디글리시딜에테르, 펜타에리스리톨테트라글리시딜에테르, 트리메틸올에탄트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 글리세롤프로폭실레이트트리글리시딜에테르, 디시클로펜타디엔디옥사이드, 1,2,5,6-디에폭시시클로옥탄, 1,4-시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르, 디글리시딜1,2-시클로헥산디카르복실레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸3',4'-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 비즈(3,4-에폭시시클로헥실메틸)아디페이트 및 시클로헥센옥시드형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
(B)성분 중에서도, 감도 및 해상성이 뛰어난 점에서, 트리메틸올에탄트리글리시딜에테르 또는 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르가 바람직하다.
(B)성분은, 예를 들면, 에폴라이트 40E, 에폴라이트 100E, 에폴라이트 70P, 에폴라이트 200P, 에폴라이트 1500NP, 에폴라이트 1600, 에폴라이트 80MF, 에폴라이트 100MF(이상, 교에이샤가가쿠(주)제, 상품명), 알킬형 에폭시 수지 ZX-1542(신닛테츠스미킨가가쿠(주)제, 상품명), 데나콜 EX-212L, 데나콜 EX-214L, 데나콜 EX-216L, 데나콜 EX-321L 및 데나콜 EX-850L(이상, 나가세켐테크(주)제, 상품명)로서 상업적으로 입수 가능하다. (B)성분은 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 감광성 수지 조성물에 있어서, (B)성분의 함유량은, (A)성분 100질량부에 대하여, 20~70질량부이고, 25~65질량부인 것이 바람직하며, 35~55질량부인 것이 보다 바람직하다. (B)성분의 함유량이 20질량부 이상에서는, 노광부에서의 가교가 충분해지므로 해상성이 보다 향상되기 쉽고, 70질량부 이하에서는, 감광성 수지 조성물을 원하는 지지체 상에 성막하기 쉽게 할 수 있으며, 해상성도 저하되기 어려운 경향이 있다.
〈(C)성분〉
(C)성분인 광감응성 산발생제는, 활성 광선 등의 조사에 의하여 산을 발생시키는 화합물이며, 발생한 산에 의해 (B)성분끼리가 가교할 뿐 아니라, (B)성분이 (A)성분의 페놀성 수산기와도 반응하여, 현상액에 대한 조성물의 용해성이 대폭 저하한다.
(C)성분은 활성 광선의 조사에 의하여 산을 발생시키는 화합물이라면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 오늄염 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조케톤 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 화합물, 술폰이미드 화합물 및 디아조메탄 화합물 등을 들 수 있다. 그중에서도, 입수의 용이함이라는 관점에서, 오늄염 화합물 또는 술폰이미드 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 특히, (F)성분 : 용제에 대한 용해성의 관점에서, 오늄염 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이하, 그 구체예를 나타낸다.
오늄염 화합물 :
오늄염 화합물로서는, 예를 들면, 요오드늄염, 술포늄염, 포스포늄염, 디아조늄염 및 피리디늄염을 들 수 있다. 바람직한 오늄염 화합물의 구체예로서는, 디페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오드늄p-톨루엔술포네이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오드늄테트라플루오로보레이트 등의 디아릴요오드늄염; 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄p-톨루엔술포네이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트 등의 트리아릴술포늄염; 4-t-부틸페닐-디페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트; 4-t-부틸페닐-디페닐술포늄p-톨루엔술포네이트; 4,7-디-n-부톡시나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트 등을 들 수 있다.
할로겐 함유 화합물 :
할로겐 함유 화합물로서는, 예를 들면, 할로알킬기 함유 탄화수소 화합물 및 할로알킬기 함유 복소환식 화합물을 들 수 있다. 바람직한 할로겐 함유 화합물의 구체예로서는, 1,10-디브로모-n-데칸, 1,1-비스(4-클로로페닐)-2,2,2-트리클로로에탄; 페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 4-메톡시페닐-비스(트리클로로메틸) -s-트리아진, 스티릴-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 나프틸-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 s-트리아진 유도체를 들 수 있다.
디아조케톤 화합물 :
디아조케톤 화합물로서는, 예를 들면, 1,3-디케토-2-디아조 화합물, 디아조벤조퀴논 화합물, 디아조나프토퀴논 화합물 등을 들 수 있다. 구체예로서는, 페놀류인 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산에스테르 화합물을 들 수 있다.
술폰 화합물 :
술폰 화합물로서는, 예를 들면, β-케토술폰 화합물, β-술포닐술폰 화합물 및 이들의 화합물인 α-디아조 화합물을 들 수 있다. 구체예로서는, 4-트릴펜아실술폰, 메시틸펜아실술폰, 비스(펜아실술포닐)메탄 등을 들 수 있다.
술폰산 화합물 :
술폰산 화합물로서는, 예를 들면, 알킬술폰산에스테르류, 할로알킬술폰산에스테르류, 아릴술폰산에스테르류, 이미노술포네이트류 등을 들 수 있다. 바람직한 구체예로서는, 벤조인p-톨루엔술포네이트, 피로갈롤트리스트리플루오로메탄술포네이트, o-니트로벤질트리플루오로메탄술포네이트, o-니트로벤질p-톨루엔술포네이트 등을 들 수 있다.
술폰이미드 화합물 :
술폰이미드 화합물의 구체예로서는, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2,3-디카르복시이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프탈이미드, N-(p-톨루엔술포닐옥시)-1,8-나프탈이미드, N-(10-캠퍼-술포닐옥시)-1,8-나프탈이미드 등을 들 수 있다.
디아조메탄 화합물 :
디아조메탄 화합물의 구체예로서는, 비스(트리플루오로메틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄 및 비스(페닐술포닐)디아조메탄을 들 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 감도 및 해상성이 우수한 점에서 (C)성분은 트리플루오로메탄술포네이트기, 헥사플루오로안티모네이트기, 헥사플루오로포스페이트기 또는 테트라플루오로보레이트기를 가지고 있는 화합물인인 것이 바람직하다. 또한, (C)성분은 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 감광성 수지 조성물에 있어서, (C)성분의 함유량은, 본 실시형태의 감광성 수지 조성물의 감도, 해상도, 패턴 형상 등을 확보하는 관점으로부터 (A)성분 100질량부에 대하여, 0.1~15질량부인 것이 바람직하며, 0.3~10질량부인 것이 보다 바람직하다.
〈(D)성분〉
(D)성분인 용제는, 감광성 수지 조성물의 취급성을 향상시키거나, 점도 및 보존 안정성을 조절하거나 하기 위해 첨가된다. (D)성분은, 유기 용제인 것이 바람직하다. 그 유기 용제의 종류는, 상기 성능을 발휘할 수 있는 것이라면 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디프로필에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브 등의 셀로솔브류, 부틸카르비톨 등의 카르비톨류; 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산n-프로필, 락트산이소프로필 등의 락트산에스테르류; 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산n-아밀, 아세트산이소아밀, 프로피온산이소프로필, 프로피온산n-부틸, 프로피온산이소부틸 등의 지방족 카르본산에스테르류; 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸 등 다른 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 2-부타논, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 시클로헥사논 등의 케톤류; N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다. 상기 유기 용제는, 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 감광성 수지 조성물에 있어서, (D)성분의 함유량은, (D)성분을 제외한 감광성 수지 조성물의 전량 100질량부에 대하여, 30~200질량부인 것이 바람직하며, 60~120질량부인 것이 보다 바람직하다.
〈(E)성분〉
본 실시형태의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라서, (E)성분인 가교제를 더 함유하여도 된다. (E)성분을 함유함으로써, 수지 패턴 형성 후의 감광층을 가열하여 경화할 때에, (E)성분이 (A)성분과 반응하여 가교 구조가 형성되어, 수지 패턴의 취약화 및 수지 패턴의 변형을 방지할 수 있다.
또한, (E)성분으로서는, 구체적으로는, 페놀성 수산기를 가지는 화합물(단, (A)성분은 포함되지 않음), 히드록시메틸아미노기를 가지는 화합물을 바람직한 것으로서 사용할 수 있다. (E)성분은 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
(E)성분으로서 사용하는「페놀성 수산기를 가지는 화합물」은, 메틸롤기 또는 알콕시알킬기를 더 가지는 것이 바람직하다. (E)성분으로서의 페놀성 수산기를 가지는 화합물은, 알칼리 수용액으로 현상할 때의 미노광부의 용해속도를 증가시켜, 감도를 향상시킬 수 있다. 그 페놀성 수산기를 가지는 화합물의 중량 평균 분자량은, 2000 이하가 바람직하다. 알칼리 수용액에 대한 용해성, 감광성 및 기계특성과의 밸런스를 고려하여, 수평균 분자량으로 94~2000이 바람직하며, 108~2000이 보다 바람직하고, 108~1500이 더욱 바람직하다.
(E)성분으로서 사용하는「페놀성 수산기를 가지는 화합물」로서는, 종래 공지의 것을 사용할 수 있지만, 하기 일반식 (1)로 나타내지는 화합물이, 미노광부의 용해 촉진 효과와 가열에 의한 경화 후의 수지 패턴의 변형을 방지하는 효과의 밸런스가 뛰어난 점에서 바람직하다.
Figure pct00001
[일반식 (1) 중, Z는 단결합 또는 2가의 유기기를 나타내며, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 1가의 유기기를 나타내며, a 및 b는 각각 독립적으로 1~3의 정수를 나타내고, c 및 d는 각각 독립적으로 0~3의 정수를 나타낸다.]
일반식 (1)에 있어서, Z가 단결합인 화합물은, 비페놀(디히드록시비페닐) 유도체이다. 또한, Z으로 나타내지는 2가의 유기기로서는, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기 등의 탄소 원자수가 1~10인 알킬렌기, 에틸리덴기 등의 탄소 원자수가 2~10인 알킬리덴기, 페닐렌기 등의 탄소 원자수가 6~30인 아릴렌기, 이들 탄화 수소기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소 원자 등의 할로겐 원자로 치환한 기, 술포닐기, 카르보닐기, 에테르결합, 술파이드결합, 아미드결합 등을 들 수 있다. 이들 중에서, Z는 하기 일반식 (2)로 나타내지는 2가의 유기기인 것이 바람직하다.
Figure pct00002
[일반식 (2) 중, X는, 단결합, 알킬렌기(예를 들면, 탄소 원자수가 1~10인 알킬렌기), 알킬리덴기(예를 들면, 탄소 원자수가 2~10인 알킬리덴기), 그들의 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자로 치환한 기, 술포닐기, 카르보닐기, 에테르결합, 술파이드결합 또는 아미드결합을 나타낸다. R5는, 수소 원자, 히드록실 기, 알킬기 또는 할로알킬기를 나타내며, e는 1~10의 정수를 나타낸다. 복수의 R5는 서로 동일해도 상이해도 된다.]
상기 히드록시메틸아미노기를 가지는 화합물로서는, (폴리)(N-히드록시메틸)멜라민, (폴리)(N-히드록시메틸)글리콜우릴, (폴리)(N-히드록시메틸)벤조구아나민, (폴리)(N-히드록시메틸)요소 등의 메틸올기의 전부 또는 일부를 알킬에테르화한 함질소 화합물을 들 수 있다. 여기서, 알킬에테르의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 부틸기, 또는 이들을 혼합한 것을 들 수 있으며, 일부 자기축합하여 이루어지는 올리고머 성분을 함유하여도 된다. 구체적으로는, 헥사키스(메톡시메틸)멜라민, 헥사키스(부톡시메틸)멜라민, 테트라키스(메톡시메틸)글리콜우릴, 테트라키스(부톡시메틸)글리콜우릴, 테트라키스(메톡시메틸)요소 등을 들 수 있다.
본 실시형태의 감광성 수지 조성물에 있어서, (E)성분의 함유량은, (A)성분 100질량부에 대하여, 5~50질량부인 것이 바람직하며, 5~30질량부인 것이 보다 바람직하다.
〈(F)성분〉
본 실시형태의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라서, (F)성분으로서 증감제를 더 함유하고 있어도 된다. (F)성분을 함유함으로써, 감광성 수지 조성물의 감도를 향상시킬 수 있다. 증감제로서는, 예를 들면, 9,10-디부톡시안트라센 등을 들 수 있다. 또한, (F)성분은 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태의 감광성 수지 조성물에 있어서, (F)성분의 함유량은, (A)성분 100질량부에 대하여, 0.01~1.5질량부인 것이 바람직하며, 0.05~0.5질량부인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 실시형태의 감광성 수지 조성물은, (A)성분에 더하여, 분자량이 1000 미만인 페놀성 저분자 화합물(이하,「페놀 화합물 (a)」라고 한다.)을 함유하고 있어도 된다. 예를 들면, 4,4'-디히드록시디페닐메탄, 4,4'-디히드록시디페닐에테르, 트리스(4-히드록시페닐)메탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-페닐에탄, 트리스(4-히드록시페닐)에탄, 1,3-비스[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]벤젠, 1,4-비스[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]벤젠, 4,6-비스[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]-1,3-디히드록시벤젠, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-[4-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸 }페닐]에탄, 1,1,2,2-테트라(4-히드록시페닐)에탄 등을 들 수 있다. 이들의 페놀 화합물 (a)는, (A)성분에 대하여 0~40질량%, 특히 0~30질량%의 범위로 함유할 수 있다.
본 실시형태의 감광성 수지 조성물은, 상기 서술한 성분 이외의 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 성분으로서는, 무기 필러, 밀착 조제, 레벨링제 등을 들 수 있다.
[감광성 필름]
다음으로, 본 실시형태의 감광성 필름에 관하여 설명한다.
본 실시형태에 관련된 감광성 필름은, 지지체와, 그 지지체 상에 형성된 상기 서술한 감광성 수지 조성물로 형성되는 감광층을 구비하는 것이다. 감광층 상에는, 그 감광층을 피복하는 보호 필름을 더 구비하고 있어도 된다.
상기 지지체로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에스테르 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체 필름을 사용할 수 있다. 상기 지지체(중합체 필름)의 두께는, 5~25㎛로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 중합체 필름은, 하나를 지지체로 하고, 다른 하나를 보호 필름으로 하여 감광층의 양면에 적층하여 사용해도 된다.
상기 보호 필름으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에스테르 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체 필름을 사용할 수 있다.
상기 감광층은, 상기 감광성 수지 조성물을 지지체 또는 보호 필름 상에 도포함으로써 형성할 수 있다. 도포 방법으로서는, 예를 들면, 디핑법, 스프레이법, 바코트법, 롤코트법, 스핀코트법 등을 들 수 있다. 상기 감광층의 두께는 용도에 따라 상이하지만, 감광층을 건조한 후에 10~100㎛인 것이 바람직하며, 15~60㎛인 것이 보다 바람직하고, 20~50㎛인 것이 특히 바람직하다.
[레지스트 패턴의 형성 방법]
다음으로, 본 실시형태의 레지스트 패턴의 형성 방법을 설명한다.
우선, 레지스트를 형성할 기재(수지 부착 동박, 동장적층판, 금속스퍼터막을 부착한 실리콘웨이퍼, 알루미나기판 등) 상에, 상기 서술한 감광성 수지 조성물로 형성되는 감광층을 형성한다. 그 감광층의 형성 방법으로서는, 상기 감광성 수지 조성물을 기재에 도공하고, 건조하여 용제 등을 발휘시켜 도막(감광층)을 형성하는 방법, 상기 서술한 감광성 필름에서의 감광층을 기재 상에 전사하는 방법을 들 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물을 기재에 도포하는 방법으로서는, 예를 들면, 디핑법, 스프레이법, 바코트법, 롤코트법, 스핀코트법 등의 도포 방법을 사용할 수 있다. 또한, 도막의 두께는, 도포 수단, 감광성 수지 조성물의 고형분 농도 및 점도를 조절함으로써, 적절하게 제어할 수 있다.
다음으로, 소정의 마스크를 통하여, 상기 감광층을 소정의 패턴으로 노광한다. 노광에 사용되는 활성 광선으로서는, 예를 들면, g선 스테퍼의 광선; 저압 수은등, 고압 수은등, 메탈할라이드램프, i선 스테퍼 등의 자외선; 전자선; 레이저 광선 등을 들 수 있으며, 노광량으로서는 사용하는 광원 및 도막의 두께 등에 따라 적절하게 선정되지만, 예를 들면 고압 수은등으로부터의 자외선 조사인 경우, 도막의 두께 10~50㎛에서는, 1000~20000J/㎡ 정도이다.
더욱이, 노광 후에 가열 처리(노광 후 베이크)를 실시한다. 노광 후 베이크를 실시함으로써, 발생된 산에 의한 (A)성분과 (B)성분과의 경화 반응을 촉진시킬 수 있다. 노광 후 베이크의 조건은 감광성 수지 조성물의 함유량, 도막의 두께 등에 따라서 상이하지만, 통상, 70~150℃에서 1~60분 정도 가열하는 것이 바람직하며, 80~120℃에서 1~60분 정도 가열하는 것이 보다 바람직하다.
다음으로, 노광 후 베이크를 실시한 도막을 알칼리성 현상액에 의해 현상하여, 광경화부 이외(미노광부)의 영역을 용해, 제거함으로써 원하는 수지 패턴을 얻는다. 이 경우의 현상 방법으로서는, 샤워 현상법, 스프레이 현상법, 침지 현상법, 패들 현상법 등을 들 수 있다. 현상 조건으로서는 통상, 20~40℃에서 1~10분 정도이다.
상기 알칼리성 현상액으로서는, 예를 들면, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 테트라메틸암모늄히드록시드, 콜린 등의 알칼리성 화합물을 농도가 1~10질량% 정도가 되도록 물에 용해한 알칼리성 수용액, 암모니아수 등의 알칼리성 수용액 등을 들 수 있다. 상기 알칼리성 수용액으로는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용제 또는 계면활성제 등을 적량 첨가할 수도 있다. 아울러, 알칼리성 현상액으로 현상한 후에는, 물로 세정하고, 건조한다. 알칼리성 현상액은, 해상성이 뛰어난 점에서, 테트라메틸암모늄히드록시드가 바람직하다.
더욱이, 절연막 특성을 발현시키기 위해 가열 처리를 실시함으로써, 경화막(레지스트 패턴)을 얻는다. 상기 감광성 수지 조성물의 경화 조건은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 경화물의 용도에 따라서, 50~200℃에서 30분~10시간 정도 가열하여, 감광성 수지 조성물을 경화시킬 수 있다.
또한, 경화를 충분히 진행시키거나, 얻어진 수지 패턴 형상의 변형을 방지하기 위해 2단계로 가열할 수도 있다. 예를 들면, 제1 단계에서, 50~120℃에서 5분~2시간 정도 가열하고, 제2 단계에서, 80~200℃에서 10분~10시간 정도 더 가열하여 경화시킬 수도 있다.
상기 서술한 경화 조건이라면, 가열 설비로서 특별히 제한은 없으며, 일반적인 오븐, 적외선로 등을 사용할 수 있다.
[다층 프린트 배선판]
본 실시형태의 감광성 수지 조성물로 형성되는 경화물은, 예를 들면, 다층 프린트 배선판에서의 솔더레지스트 및/또는 층간 절연막으로서 적합하게 사용할 수 있다. 도 1은, 본 실시형태의 감광성 수지 조성물의 경화물을 솔더레지스트 및/또는 층간 절연막으로서 포함하는 다층 프린트 배선판의 제조 방법을 나타내는 도이다. 도 1 (f)에 나타내는 다층 프린트 배선판 100A는 표면 및 내부에 배선 패턴을 갖는다. 다층 프린트 배선판 100A는, 동장적층체, 층간 절연막 및 금속박 등을 적층함과 동시에 에칭법 또는 세미애디티브법에 의해 배선 패턴을 적절히 형성함으로써 얻을 수 있다. 이하, 다층 프린트 배선판 100A의 제조 방법을 도 1에 근거하여 간단히 설명한다.
우선, 표면에 배선 패턴(102)을 가지는 동장적층체(101)의 양면에 층간 절연막(103)을 형성한다(도 1 (a) 참조). 층간 절연막(103)은, 감광성 수지 조성물을 스크린 인쇄기 또는 롤코터를 이용하여 인쇄함으로써 형성해도 되며, 상기 서술한 감광성 필름을 미리 준비하고, 라미네이터를 이용하여, 이 감광성 필름에서의 감광층을 프린트 배선판의 표면에 첩부하여 형성할 수도 있다. 이어서, 외부와 전기적으로 접속하는 것이 필요한 개소에, YAG 레이저 또는 탄산가스 레이저를 이용하여 개구부(104)를 형성한다(도 1 (b) 참조). 개구부(104) 주변의 스미어(잔사)는 디스미어 처리에 의해 제거한다. 이어서, 무전해 도금법에 의해 시드층(105)을 형성한다(도 1 (c) 참조). 상기 시드층(105) 상에 상기 서술한 감광성 수지 조성물로 형성되는 감광층을 적층하고, 소정의 개소를 노광, 현상 처리하여 배선 패턴(106)을 형성 한다(도 1 (d) 참조). 이어서, 전해 도금법에 의해 배선 패턴(107)을 형성하고, 박리액에 의해 감광성 수지 조성물의 경화물을 제거한 후, 상기 시드층(105)을 에칭에 의해 제거한다(도 1 (e) 참조). 이상의 조작을 반복 실시하고, 가장 바깥쪽 표면에 상기 서술한 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 솔더레지스트(108)를 형성함으로써 다층 프린트 배선판(100A)을 제작할 수 있다(도 1 (f) 참조).
이와 같이 하여 얻어진 다층 프린트 배선판(100A)은, 대응하는 개소에 반도체 소자가 실장되어, 전기적인 접속을 확보하는 것이 가능하다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 하등 한정되는 것이 아니다. 또한, 이하의 실시예 및 비교예에서의 부는 특별히 언급하지 않는 한 질량부의 의미로 사용한다.
〈알칼리 용해성의 평가〉
노볼락 수지(A-1) 100질량부, 에폭시 화합물(B-1~B-7, B'-8~B'-13) 43질량부 및 용제(D-1) 100질량부를 혼합하여, 수지 조성물을 얻었다.
이 수지 조성물을 6인치의 실리콘 웨이퍼에 스핀 코트하고, 핫플레이트 상에서 65℃에서 2분간, 이어서 95℃에서 8분간 가열하여, 두께가 25㎛의 균일한 도막을 제작하였다. 제작한 도막을 샬레 안(中), 23℃에서 2.38질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 침지시키고, 완용(完溶) 시간을 측정하였다. 용해 속도(㎚/초)는, 성막 후의 막두께/완용 시간으로부터 계산하였다. 또한, 용해성을 이하의 기준에 따라 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
〈용해성의 평가 기준〉
○ : 균일하게 용해
△ : 백탁하며 용해
× : 불용
Figure pct00003
표 1에 기재된 각 성분은, 이하와 같다.
A-1 : 노볼락 수지(아사히 유키자이고교(주)제, 상품명 : MXP5560BF, 중량 평균 분자량=7800)
B-1 : 디시클로펜타디엔디옥시드(알드리치사제, 상품명)
B-2 : 1,4-시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르(알드리치사제, 상품명)
B-3 : 프로필렌글리콜디글리시딜에테르(교에이샤가가쿠(주)제, 상품명 : 에폴라이트 70P)
B-4 : 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르(교에이샤가가쿠(주)제, 상품명 : 에폴라이트 1500NP)
B-5 : 트리메틸올에탄트리글리시딜에테르(알드리치사제, 상품명)
B-6 : 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르(신닛테츠스미킨가가쿠(주)제, 상품명 : ZX-1542, 하기 식 (3) 참조)
Figure pct00004
B-7 : 시클로헥센옥시드형 에폭시 수지 ((주)다이세루제, 상품명 : CEL2021P, 하기 식 (4) 참조)
Figure pct00005
B'-8 : 에틸글리시딜에테르(도쿄가세이고교(주)제, 상품명)
B'-9 : 페닐글리시딜에테르(와코쥰야쿠고교(주)제, 상품명)
B'-10 : 레소시놀디글리시딜에테르(알드리치사제, 상품명)
B'-11 : 트리스(4-히드록시페닐)메탄트리글리시딜에테르(알드리치사제, 상품명)
B'-12 : 비페닐아랄킬형 에폭시 수지(니폰카야쿠(주)제, 상품명 : NC-3000H, 하기 식 (5) 참조)
Figure pct00006
B'-13 : 이소시아눌형 에폭시 수지(시코쿠가세이고교(주)제, 상품명 : MA-DGIC, 하기 식 (6) 참조)
Figure pct00007
D-1 : 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(와코쥰야쿠고교(주)제, 상품명)
이상의 결과로부터, (B)성분을 첨가하지 않은 참고예 8에 비하여 참고예 1~7은 알칼리 수용액에 대한 용해성은 양호하고 용해 속도가 향상하였다. 한편, (B)성분 이외의 에폭시 화합물을 첨가한 참고예 9~14는 용해속도가 저하하였고, 참고예 10~14는 알칼리 수용액에 대한 용해성이 저하하였다.
〈해상성의 평가〉
노볼락 수지(A-1~A-3) 100질량부에 대하여, 에폭시 화합물(B-1~B-7, B'-8~B'-10), 광감응성 산발생제(C-1), 용제(D-1) 및 증감제(F-1)를 표 2에 나타낸 소정량으로 배합하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
상기 감광성 수지 조성물을 6인치의 실리콘 웨이퍼에 스핀 코트하고, 핫플레이트 상에서 65℃에서 2분간, 이어서 95℃에서 8분간 가열하여, 두께가 25㎛로 균일한 도막을 제작하였다. 제작한 도막에, i선 스테퍼(캐논(주)제, 상품명 : FPA-3000iW)를 이용하여 i선(파장 365㎚)으로, 마스크를 통해, 축소 투영 노광을 실시하였다. 마스크로서는, 노광부 및 미노광부의 폭비가 1:1과 같이 되는 패턴을, 2㎛:2㎛~30㎛:30㎛까지 1㎛ 단위로 가지는 것을 사용하였다. 또한, 노광량은, 50~950mJ/㎠의 범위에서, 50mJ/㎠씩 변화시키면서 축소 투영 노광을 실시하였다.
이어서, 노광된 도막을 65℃에서 1분간, 이어서 95℃에서 4분간 가열하고(노광후 베이크), 2.38질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 이용하여 최소 현상 시간(미노광부가 제거되는 최소 시간)의 1.5배에 상당하는 시간으로 침지함으로써 현상하였고, 미노광부를 제거하여 현상 처리를 실시하였다. 현상 처리 후, 금속 현미경을 이용하여 형성된 레지스트 패턴을 관찰하였다. 스페이스 부분(미노광부)이 깨끗하게 제거되고, 또한 라인 부분(노광부)이 사행(蛇行) 또는 결함을 발생시키는 일 없이 형성된 수지 패턴 중, 가장 작은 스페이스폭의 값을 최소 해상도라고 함과 동시에, 그 때의 노광량을 평가하였다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
표 2의 결과로부터, 실시예 1~7은 비교예 1~5에 비하여 적은 노광량으로 고해상도 패턴을 얻을 수 있었다. 또한 실시예 4, 5에 비하여 비교예 4, 5는 고해상도 패턴을 얻을 수 없음을 알 수 있었다.
아울러, 도 2는, 실시예 4의 감광성 수지 조성물을 사용하여 수지 패턴을 형성했을 때의 금속 현미경 사진이다. 또한, 도 3은, 실시예 4의 감광성 수지 조성물을 사용하여 수지 패턴을 형성했을 때의 주사형 전자 현미경 사진이다. 이에 대하여, 도 4는, 비교예 3의 감광성 수지 조성물을 사용하여 수지 패턴을 형성했을 때의 금속 현미경 사진이다. 이들 도면으로부터 분명한 바와 같이, 실시예 4의 감광성 수지 조성물을 사용하면, 스페이스 부분이 깨끗하게 제거되어, 해상도 5㎛의 수지 패턴이 형성되었다. 한편, 비교예 3의 감광성 수지 조성물을 사용하면, 형성된 수지 패턴에는 사행 또는 박리가 발생하며, 그 해상도는 14㎛이었다.
〈내열성의 평가〉
다음으로, 실시예 4의 감광성 수지 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(데이진듀퐁필름(주)제, 상품명 : 퓨렉스 A53) 상에 균일하게 도포하고, 90℃의 열풍대류식 건조기로 10분간 건조하여, 건조 후의 두께가 40㎛인 감광층을 형성하였다. 이어서 고압 수은등을 가지는 노광기((주)오크세이사쿠쇼제, 상품명 : EXM-1201)를 이용하여, 조사 에너지량이 400mJ/㎠가 되도록 감광층을 노광하였다. 노광된 감광층을 핫플레이트 상에서 65℃에서 2분간, 이어서 95℃에서 8분간 가열하고, 열풍대류식 건조기로 180℃에서 60분간 가열 처리를 한 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로부터 박리하여 경화막을 얻었다. 열기계적 분석장치(세이코인스트루먼츠(주)제, 상품명 : TMA/SS6000)를 이용하여, 승온 속도 5℃/분으로 온도를 상승시켰을 때의 그 경화막의 열팽창률을 측정하였고, 그 곡선으로부터 얻어지는 변곡점을 유리 전이 온도 Tg로 하여 구하였다. 아울러, 열팽창률의 측정 조건을 이하에 나타낸다.
샘플 폭 : 2㎜
샘플 길이 : 20㎜
척 간 거리 : 10㎜
하중 : 5gf(0.05N)
인장 속도 : 5㎜/min
측정 온도 범위 : 18~420℃
그 결과, 실시예 1~10의 유리 전이 온도는 90℃ 이상으로, 내열성이 뛰어남을 알 수 있었다. 그 밖의 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pct00008
＊1 : 수지 패턴을 형성할 수 없음, 또는 경화막이 약하여, 측정 불가
표 2에 기재된 조성은, 이하와 같다.
A-2 : 크레졸노볼락 수지(아사히유키자이고교(주)제, 상품명 : EP4050G)
A-3 : 크레졸노볼락 수지(아사히유키자이고교(주)제, 상품명 : EP4020G)
C-1 : 트리아릴술포늄염(산아프로(주)제, 상품명 : CPI-101A)
F-1 : 9,10-디부톡시안트라센(가와사키가세이고교(주)제, 상품명 : DBA)
표 2로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1~10은, 경화에 필요한 노광량이 80mJ/㎠ 이하이며, 최소 현상도가 9 이하이고, 내열성이 양호하였다. 한편, 2개 이상의 옥시란환을 가지는, 지방족 또는 지환식 에폭시 화합물을 함유하고 있지 않은 비교예 1~3 및 7은, 실시예 1~10과 비교하여, 경화에 필요한 노광량이 높아, 최소 해상도가 컸다. 더욱이, (A)성분 100질량부에 대하여 (B)성분 20~70질량부를 함유하는 실시예 4, 5, 9 및 10은, 비교예 4~6과 비교하면, 경화에 필요한 노광량, 해상성 및 내열성의 밸런스가 우수하였다.
산업상의 이용 가능성
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 배선판 재료의 솔더레지스트 혹은 층간 절연막, 또는 반도체 소자 등의 표면 보호막(오버코트막) 혹은 층간 절연막(패시베이션막)에 사용되는 재료로서 적용된다. 특히, 상기 감광성 수지 조성물은, 감도, 해상도 및 경화 후의 내열성이 모두 양호하기 때문에, 세선화 및 고밀도화된 고밀도 패키지 기판 등에 적합하게 사용된다.
100A…다층 프린트 배선판, 101…동장적층체, 102, 106, 107…배선 패턴, 103…층간 절연막, 104…개구부, 105…시트층, 108…솔더레지스트.

Claims (8)

  1. (A)성분 : 페놀성 수산기를 가지는 수지,
    (B)성분 : 2개 이상의 옥시란환을 가지는, 지방족 또는 지환식 에폭시 화합물,
    (C)성분 : 광감응성 산발생제, 및
    (D)성분 : 용제
    를 함유하는 감광성 수지조성물로서,
    상기 (A)성분 100질량부에 대하여, 상기 (B)성분 20~70질량부를 함유하는, 감광성 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (B)성분이, 2개 이상의 글리시딜에테르기를 가지는, 감광성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (B)성분이, 3개 이상의 글리시딜에테르기를 가지는, 감광성 수지 조성물.
  4. 지지체와, 그 지지체 상에 설치되는 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물로 형성되는 감광층을 구비하는 감광성 필름.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물의 경화물.
  6. 제5항에 있어서,
    솔더레지스트 또는 층간 절연막으로서 사용되는 경화물.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기재 상에 도포하고, 도포된 감광성 수지 조성물을 건조하여 감광층을 형성하는 공정과,
    상기 감광층을 소정의 패턴으로 노광하고, 노광 후 가열처리를 실시하는 공정과,
    가열처리 후의 감광층을 현상하여, 얻어진 수지 패턴을 가열처리하는 공정 을 포함하는, 레지스트 패턴의 형성 방법.
  8. 기판 상에, 제4항에 기재된 감광성 필름의 감광층을 형성하는 공정과,
    상기 감광층을 소정의 패턴으로 노광하고, 노광 후 가열처리를 실시하는 공정과,
    가열처리 후의 감광층을 현상하여, 얻어진 수지 패턴을 가열처리하는 공정을 포함하는, 레지스트 패턴의 형성 방법.
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