KR20150084928A - 마이크로전극들을 구비한 전해 전지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 미분리된 생성물의 생성을 위한 마이크로전극들을 구비한 전해 전지 및 전해 전지를 얻는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 전지 및 마이크로전극들은 마이크로전기기계 시스템들(MEMS)의 생산을 위한 기술을 사용하여 획득된다. 애노드 마이크로전극 및 캐소드 마이크로전극은 전기 촉매 코팅부를 갖고 300μm 미만의 전극간 갭에 상호 삽입된다.
Description
본 발명은 마이크로전극들을 구비한 미분리된 생성물의 생성을 위한 전해 전지 및 전해 전지 제작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 전지 및 마이크로전극들은 마이크로전기기계 시스템들(MEMS)의 생산에서 사용되는 반도체 장치 제작 기술들에 의해 획득된다.
본 발명은 애노드 및 캐소드에서 생성되는 생성물의 분리를 요구하지 않는 방법들에 적합한, 단극 또는 양극 구성으로 배열될 수 있는 전해 전지에 관한 것이다.
마이크로전기기계 시스템들(MEMS)의 생산에 사용되는 반도체 장치를 제작하기 위한 방법들 및 기술들뿐만 아니라 반도체 물질 상에 기초한 기판들 상의 전기화학 반응을 위한 촉매 금속들의 직접 증착 또는 마이크로전극들의 생산을 위한 리소그래피 기술들이 기술 분야에 공지되어 있다. 물 전기 분해에 직접적인 전해 전지의 적용 및 상술한 기술들에 의해 전지 및 마이크로전극들을 획득하는 방법들 및 마이크로전극들은 예를 들어, WO2012078396에 설명되어 있다. 이러한 경우에, 마이크로전극들을 구비한 전해 전지를 통한 물 전기 분해의 방법이 설명되고, 최종 생성물, 수소 및 산소가 분리된다. 마이크로전극 크기 규모의 마이크로미터 순서가 거시적 순서임에도 불구하고, WO2012078396은 전극간 갭, 즉, 애노드 마이크로전극과 캐소드 마이크로전극의 각 쌍 사이의 거리에 내장된 애노드 마이크로전극과 캐소드 마이크로전극을 각각 갖는 한 쌍의 판(plate)들을 설명한다. 이것은 내부에 포함된 애노드 마이크로전극들 및 캐소드 마이크로전극들을 각각 갖는 2개의 판들이, 상기 판들 사이에 개재되어 존재할 때, 다이아프램들 또는 막들의 두께 또는 기계적 허용오차에 기인한 특정한 제한을 넘어 다가갈 수 없기 때문이다. 이 이유 때문에, 전지 전압은 전해질의 저항이 충분히 작다면 실질적으로 유용한 전류 밀도로 적정값들 내에 제한될 수 있다. 동일한 이유로, 또한 종래 유형의 전해 전지들에서, 즉, 전극들이 거시적 순서의 규모의 치수들을 가지는 경우에, 전해질의 저항이 충분히 작다면, 전지 전압은 실질적으로 유용한 전류 밀도로 허용 가능한 값들 내에 제한될 수 있다.
예를 들어, 수소 기포의 크기를 증가시키기 위해서 적절하게 거친 표면들이 구비된 인쇄 회로 기판(PCB)의 면들 중 하나에 인쇄된 오존 생산 회로들(ozone-producing circuit)을 개시하는 US2009/0120863호에 설명된 바와 같은, 현장 오존 마이크로발생기(in situ ozone microgenerator)가 또한 공지되어 있고, 캐소드로 방출된 수소와 생성물 오존의 재결합을 최소화하여, 효과적인 오존 생산을 개선한다. 다른 결점들 중에서, US2009/0120863호의 거친 캐소드들은 주기적으로 재생될 필요가 있고 이 목적을 위해 PCB의 대향면 상에 배열된 가열 요소들이 제공된다. 또한, US2009/0120863호의 오존 발생기는 최소 레벨의 전도율로부터 시작하는 물, 예를 들어, 탈염수 또는 탈이온수로부터 오존을 생산하는데 적합하지 않은 용수 또는 수돗물과 작업할 수 있다.
발명자들은 놀랍게도 마이크로미터 지시의 거리에서 상호 삽입된 단일판 내의 복수의 애노드 마이크로전극 및 캐소드 마이크로전극이 제공된 전해 전지들이, 제공된 다양한 용례들에서 사용하는데 충분한 양으로 오존 및 혼합 산화제들을 생성하는 매우 높은 저항(낮은 전도율)의 수성 전해질과 함께, 마이크로전극들이 예를 들어, 거울같이 매우 매끄러울 때도 작동될 수 있다는 사실을 알아내었다. 또한 거울형 마이크로전극들이 제공된 오존 생성 전지는 어떤 주기적인 재생성을 요구하지 않고, 오존 생성 속도는 훨씬 빨라서 재결합에 기인한 손실된 생성물의 비율은 상당하지 않다. 거울형 마이크로전극들이 제공된 전해 전지는 또한 오존 및 혼합 산화제 생성 외에, 다양한 목적들을 위해 사용될 수 있다. 이러한 유형의 전지 디자인은 종래의 PCB 기술들에 의해 획득될 수 없지만, 물리적 기상 증착 또는 화학적 기상 증착에 의해 결합된 마이크로전기화학 시스템(MEMS)과 같은 더 정교한 치수 제어를 허용하는 진보된 제작 기술들을 필요로 한다.
본 발명의 다양한 양태들은 첨부된 청구항들에 제시된다.
하나의 양태에서, 본 발명은 내부에 내장된 복수의 애노드 마이크로전극 및 캐소드 마이크로전극을 갖는, 예를 들어, 실리콘 기판과 같은 리소그래피 기술로 패턴 형성이 가능한(lithographically-patternable) 기판으로 구성된 미분리된 애노드 및 캐소드 생성물의 생성을 위한 전해 전지에 관한 것이고, 애노드 마이크로전극 및 캐소드 마이크로전극은 100μm 미만의 전극간 갭에 상호 삽입되고 0.05μm 미만의 평균 표면 거칠기(Ra)를 갖는다. 하나의 실시예에서, 애노드 마이크로전극 및 캐소드 마이크로전극은 0.01μm 미만의 평균 표면 거칠기(Ra)를 갖는다.
기판의 표면 내로의 "내장된"이란 용어는 외부 부분이 작동 동안 수성 전해질과의 효과적인 접촉을 위해 노출되는 방식으로 마이크로전극들이 기판 표면 상에 형성된다는 것을 의미하도록 여기서 사용된다.
발명자들은 마이크로 전극간 갭들과 결합된 전극 표면의 거울형 매끄러움이 순수 또는 이온 종들의 매우 감소된 함량을 가진 물과 같은, 매우 낮은 전도율을 갖는 매우 저항성의 전해질을 포함하는, 전해질의 넓은 범위에서 효과적인 전류 밀도로 작동하는 것을 허용함을 관찰했다. 적합하게 촉매 작용된 외부 표면을 갖는 마이크로전극들에서, 놀랍게도 놀라운 양 및 다양한 종들, 예를 들어, 산화종(oxidising species)을 생성하는 것이 가능하다. 본 발명을 특정한 이론으로 제한하려는 바람 없이, 마이크로전극들의 매끄러움이 전체 표면 상에 발생하는 반응을 방지하고 또한 에지들 상의 전류선들을 집중시킨다는 것이 추정될 수 있다. 따라서 국소적 전류 밀도가 마이크로전극 에지들 주위에서, 특히 매우 저항성의 전해질에 의해 매우 높아서, 대응하는 전위가 종래 기술의 전지들에 의해 생성되지 않는 복수의 종들(예를 들어, 산소 라디칼종)의 형성의 시작을 유발한다.
여기서 사용된 바와 같이, 용어 "복수의 마이크로전극들"은 적어도 2개의 마이크로전극들을 의미한다.
여기서 사용된 바와 같이, 용어 "마이크로전극들"은 마이크로 크기 정도, 즉, 100μm 미만의 치수를 갖는 전극들을 의미한다.
하나의 실시예에서, 본 발명에 따른 전해 전지는 진공 증착 붕소 도핑된 다이아몬드 필름으로 구성된 외부층으로 코팅된 마이크로전극들을 갖는다. 이것은 전해 전지가 수용액 내의 오염 유기종의 파괴와 같은 적용에서 매우 효과적인 속도로, 오존을 함유하는 놀라운 반응성의 혼합 산화종의 생성을 선호하는 이점을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 본 발명에 따른 전해 전지는 Pt, Pd, Ir, Ru, Rh, Nb 및 Ti로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 물질로 형성된 외부층으로 코팅된 마이크로전극들을 갖는다. 상기 원소들에 기초한 코팅은 다양한 유형의 전해질로부터 수소, 산소, 과산화수소 및 오존과 같은 복수의 원하는 종들을 생성하는데 매우 효과적임을 입증했다. 염화물 함유 전해질은 또한 예를 들어, 전지의 마이크로전극들을 Ru 및 Pd로 코팅하여, 하이포아염소산염 또는 발생기의 염소와 같은 염소 함유종을 생성하도록 처리될 수 있다. 또한 마이크로캐소드 구성 요소로부터 마이크로애노드를 구별하는, 마이크로전극들의 전기촉매 층의 구성 요소들을 변경할 가능성은 다른 종들을 생성하도록 마이크로전극들의 반응도를 조절한다.
하나의 실시예에서, Co, Cr, Mo, W, Ni, Ti 및 그것들의 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속 물질의 중간층은 외부층과 기판 사이에 개재되고; 이것은 기판에 대한 셀 작동 동안 전해질에 노출된 외부층의 접착을 향상시키는 이점을 가질 수 있다.
기판은 종래 기술의 리소그래피 기술로 패턴 형성이 가능한 기판들 중에서 선택될 수 있다. 기판은 반도체 또는 절연 성질, 유연성 또는 강성일 수 있고, 무기물 - 예를 들어, 실리콘 기반 - 또는 예를 들어, 다른 성질의 폴리머와 같은 유기 구성 요소를 포함할 수 있다. 용어 "리소그래피 기술로 패턴 형성이 가능한 기판"은 사전결정된 패턴에 따라 규정된 크기 및 기하학적 구조의 마이크로 전극들, 예를 들어, 인터디지테이트형(interdigitated) 기하학적 구조에 따라 사전결정된 전극간 갭에서 복수의 전기 연결된 핑거 형태의 캐소드들에 적합하게 삽입된 복수의 전기 연결된 핑거 형태의 애노드들을 형성하도록 MEMS와 같은 진보된 리소그래피 기술들에 의해 처리될 수 있는 기판을 지명하도록 여기서 사용된다. 선택적으로, 실리콘 기반 기판은 0.5 내지 2 μm 두께의 SiO2 층으로 도포된 200 내지 400μm 두께의 Si층을 포함한다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 상술한 바와 같이 전해 전지를 제작하는 방법에 관한 것이고, 방법은:
- 리소그래피 기술에 의해 사전규정된 패턴에 따른 핑거들을 갖는 기판을 제공하는 단계와;
- 물리적 기상 증착 기술 또는 화학적 기상 증착 기술(PVD 또는 CVD)에 의해 Co, Cr, Mo, W, Ni, Ti 및 그것들의 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속의 층으로 상기 핑거들을 선택적으로 코팅하는 단계와;
- 상기 금속 코팅된 핑거들 상에 물리적 기상 증착 기술 또는 화학적 기상 증착 기술에 의해 외부 전극층을 도포하는 단계를 포함한다.
하나의 실시예에서, 외부 전극층은 Pt, Pd, Ir, Ru, Rh, Nb 및 Ti로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 함유하는 물질을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 외부 전극층은 마이크로파 지원(microwave-assisted) 화학적 기상 증착에 의해 도포된 붕소 도핑된 다이아몬드 필름이다. 또 다른 실시예에서, 외부층은 적어도 5000ppm의 붕소 도핑을 함유하는 붕소 도핑된 다이아몬드 필름이다.
하나의 실시예에서, 기판에는 MEMS 포토리소그래피와 MEMS 레이저 에칭 기술 또는 2개의 조합 사이에서 선택된 리소그래피 기술에 의한 사전규정된 패턴에 따른 핑거들이 제공된다.
추가의 양태에서, 본 발명은 상술한 바와 같은 전지에 통합된 마이크로프로세서를 통한 다른 전류 밀도에서 프로그래밍된 어플리케이션을 포함하는 가변적인 구성 요소에서의 산화 혼합물의 생성을 위한 방법에 관한 것이다.
따라서 본 발명은 또한 오존, 산소 라디칼, 발생기의 산소, 과산화물, 하이포아염소산염 이온 및 발생기의 염소 사이에서 선택된 적어도 하나의 종을 함유하는 본 발명에 따른 가변적인 구성 요소에서의 산화 혼합물의 생성을 위한 방법에 관한 것이다. 이것은 의료 장비의 멸균, 정수, 세척기 내의 물의 멸균 등과 같은 멸균 및 살균 분야에서 다양한 용례들에 유용한 발명의 전지를 제작하는 이점을 가질 수 있다.
추가의 양태에서, 본 발명은 본 발명에 따른 적어도 하나의 전지를 구비한 멸균, 살균 또는 세제 물질들을 분배하는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 예시하는 일부 구현들은 이제 첨부된 도면들을 참조하여 설명될 것이고, 도면은 본 발명의 상기 특정 구현들에 대해 비교적 다른 요소들의 상호간 배열을 나타낼 유일한 목적을 가지며; 특히, 도면들은 반드시 축척으로 도시될 필요가 없다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 동일한 기판 내에 내장된 복수의 애노드 마이크로전극과 캐소드 마이크로전극의 단면도.
도 2는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 인터디지테이트형 기하학적 구조 및 대응하는 전극간 갭들을 가진 동일한 리소그래피 기술로 패턴 형성된 기판 내에 내장된 복수의 애노드 마이크로전극과 캐소드 마이크로전극의 평면도.
도 2는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 인터디지테이트형 기하학적 구조 및 대응하는 전극간 갭들을 가진 동일한 리소그래피 기술로 패턴 형성된 기판 내에 내장된 복수의 애노드 마이크로전극과 캐소드 마이크로전극의 평면도.
도 1에서, 전극간 갭(3)에서 인터디지테이트형 기하학적 구조(2)를 가진 리소그래피 기술로 패턴 형성된 동일한 기판 내에 내장된 애노드 마이크로전극들과 캐소드 마이크로전극들일 수 있는, 복수의 마이크로전극들(1)로 구성되는 본 발명의 실시예의 단면도를 도시하고 있다. 애노드 및 캐소드 마이크로전극들(1)은 리소그래피 패턴 형성의 결과로 형성되는 핑거들(4)의 벽들 상에 증착된다. 캐소드 마이크로전극들로부터 애노드 마이크로전극들을 분리하는 영역(5)은 적합하게 절연 물질로 형성된다.
도 2에서, 전극간 갭(3)에서 인터디지테이트형 기하학적 구조를 가진 리소그래피 기술로 패턴 형성된 기판 내에 내장된 복수의 마이크로전극들(1)로 구성된 본 발명의 실시예의 평면도를 도시하고 있다.
다음의 예들은 본 발명의 특정 실시예들을 설명하도록 포함되고, 실행 가능성은 청구 범위에서 주로 확인된다. 구성 요소들 및 기술들이 본 발명의 실행에 있어서 잘 기능하도록 발명자들에 의해 발견된 구성 요소들 및 기술들을 나타내는 예들에 개시된다는 것이 당업자에 의해 이해되어야 하지만; 당업자는 본 발명을 고려하여, 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고서 동일하거나 또는 유사한 결과를 여전히 얻고 개시되는 특정 실시예들에서 많은 변경들이 행해질 수 있음을 이해해야 한다.
예 1
200mm의 직경 및 2mm의 두께를 갖고 1μm의 두꺼운 SiO2 상부층이 제공된 원 형태의 실리콘 웨이퍼 상으로 인터디지테이트형 패턴이 MEMS 포토리소그래피를 통해 이동되었다. 이어서 웨이퍼의 표면은 실온에서 15분 동안 30% KOH로 에칭되었다. 선택된 마이크로전극 패턴에 따른 절연 스크린이 적합하게 제공되어 얻은 웨이퍼 상에, 티타늄층이 물리적 기상 증착(PVD)에 의해 증착되었다. 그 뒤에 2가지 경우들에서 플래티늄의 전기촉매층이 다시 물리적 기상 증착에 의해 증착되었다: 기판 상에 패턴 형성된 핑거들의 제 1 면 상에 전기촉매를 증착하도록, 평면으로부터 45도 경사진 기판(타겟)의 주축을 유지하는 제 1 증착, 및 패턴 형성된 핑거들의 제 2 면 상에 전기촉매를 증착하기 위해 대향 방향으로 평면으로부터 45도 경사진 기판을 유지하는 제 2 경우. 마이크로전지의 후생산 열처리는 아르곤 퍼징된 분위기에서 500℃로 1시간 동안 5℃/min 온도 램프로 실행되었다. 수소 퍼징된 분위기와 같은, 다른 종류의 비활성 또는 환원 환경은 열처리 단계에서 적합할 수도 있다. 100μm의 전극간 갭 및 0.01μm의 평균 전극 표면 거칠기(Ra)는 레이저 기술들에 의해 결정되었다.
60ppm 농도인 KOH 수용액으로 검사되고 획득된 전지에서, 40mA/cm2의 전류 밀도 및 5V의 전지 전압, 5% 오존의 생성을 위한 전류 효율이 측정되었다.
예 2
200mm의 직경 및 2mm의 두께를 갖고 1μm의 두꺼운 SiO2 상부층이 제공된 원 형태의 실리콘 웨이퍼 상에서, 붕소 도핑된 다이아몬드 필름이 6000ppm의 붕소 도핑 레벨로 약 6μm의 두꺼운 전극들을 초래하는 마이크로파 지원(microwave-assisted) 화학적 기상 증착(CVD) 및 레이저 에칭을 사용하여 SiO2 상에서 직접 성장하였다. 86μm의 전극간 갭 및 0.02μm의 평균 전극 표면 거칠기(Ra)는 레이저 기술들에 의해 결정되었다.
60ppm 농도인 KOH 수용액으로 검사되고 획득된 전지에서, 40mA/cm2의 전류 밀도 및 5V의 전지 전압, 4% 오존의 생성을 위한 전류 효율이 측정되었다.
예 3
예 2에 설명된 전지는 5, 10 및 25℃에서 수돗물 내의 메틸 오렌지 용액을 사용하는 EDO(전기화학적 산소 요구) 처리 및 전기화학 산소 생성을 위해 테스트되었다.
10-5 M 메틸 오렌지를 함유하는 125ml의 휴지 상태의(quiescent) 수돗물은 1시간 동안 9kA/m2으로 처리되었다. 용액의 UV 흡수는 이 온도들에서 80 내지 85% 감소를 나타내는, 처리 전 및 후에 측정되었다. 결과의 중요도 외에, EOD 처리의 효율이 이러한 조건들에서 온도 의존적이지 않다는 사실이 놀랍고 전지가 단순히 오존을 생성하는 것만은 아님을 나타낸다. 검사들은 사실상 예상되는 바와 같이 5℃보다 더 높은 온도에서 수차례(25℃에서 약 1.2mg/l 대 0.2) 오존 생성 속도를 측정하는 동안 반복되었다. 상기 결과들은 오존보다 더 활성인 산화종이 이용할 수 있는 기술들에 의해 검출 불가능한, 단수명의 산소 라디칼종과 유사하게 이 조건들에서 전지에 의해 생성된다는 것을 나타낸다.
이전 설명은 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않아야 하고, 본 발명의 범위들로부터 벗어나지 않고서 다른 실시예들에 따라 사용될 수 있고, 그 내용은 첨부된 청구항들에 의해서만 규정된다.
본 출원서의 설명 및 청구항들 전반에 걸쳐서, 용어 "포함하다(comprise)" 및 "포함하는" 및 포함하다(comprises)와 같은 그 변형은 다른 요소들, 구성 요소들 또는 추가의 방법 단계들의 존재를 배제하도록 의도되지 않는다.
문서들, 기록들, 물질들, 장치들, 논문들 등에 관한 논의는 본 발명을 위한 맥락을 제공할 목적으로만 이 설명서에 포함된다. 종래 기술의 부분이 형성한 임의의 또는 모든 사안들이 본 출원의 각각의 청구항의 우선일 전에 본 발명과 관련된 분야에서 기반이 되거나 또는 기술 상식임이 제안 또는 나타나 있지 않다.
Claims (15)
- 표면, 상기 표면 상에 형성된 복수의 애노드 마이크로전극 및 캐소드 마이크로전극을 갖는 리소그래피 기술로 패턴 형성이 가능한(lithographically-patternable) 기판으로 구성된 미분리된 애노드 및 캐소드 생성물의 생성을 위한 전해 전지로서, 상기 애노드 마이크로전극 및 캐소드 마이크로전극은 100μm 미만의 전극간 갭에 상호 삽입되고 0.05μm 미만의 평균 표면 거칠기(Ra)를 갖는 전해 전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 평균 표면 거칠기(Ra)는 0.01μm 미만인 전해 전지.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 적어도 상기 애노드 마이크로전극들은 진공 증착 붕소 도핑된 다이아몬드 필름으로 구성된 외부층을 포함하는 전해 전지.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 마이크로전극들은 Pt, Pd, Ir, Ru, Rh, Nb 및 Ti로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 물질로 형성된 외부층을 포함하는 전해 전지.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 리소그래피 기술로 패턴 형성이 가능한 기판은 반도체 물질로 형성되는 전해 전지.
- 제 4 항에 있어서, 상기 외부층과 상기 리소그래피 기술로 패턴 형성이 가능한 기판 사이에 개재된 Co, Cr, Mo, W, Ni, Ti 및 그것들의 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속 물질의 중간층을 포함하는 전해 전지.
- 제 3 항에 있어서, 상기 외부층은 적어도 5000ppm의 붕소 도핑을 함유하는 붕소 도핑된 다이아몬드 필름으로 구성되는 전해 전지.
- 전해 전지의 제작 방법으로서,
- 리소그래피 기술에 의해 사전규정된 패턴에 따른 핑거들을 갖는 기판을 제공하는 단계와;
- 물리적 기상 증착 기술 또는 화학적 기상 증착 기술에 의해 Co, Cr, Mo, W, Ni, Ti 및 그것들의 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속의 층으로 상기 핑거들을 코팅하는 단계와;
- 상기 금속 코팅된 핑거들 상에 물리적 기상 증착 기술 또는 화학적 기상 증착 기술에 의해 외부 전극층을 도포하는 단계를 포함하는 방법. - 제 8 항에 있어서, 상기 외부 전극층은 Pt, Pd, Ir, Ru, Rh, Nb 및 Ti로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 함유하는 물질을 포함하는 방법.
- 전해 전지의 제작 방법으로서,
- SiO2 층으로 도포된, 리소그래피 기술로 패턴 형성이 가능한 기판을 제공하는 단계와;
- 상기 기판을 마이크로파 지원(microwave-assisted) 화학적 기상 증착에 의해 붕소 도핑된 다이아몬드 필름으로 코팅되는 단계를 포함하는 방법. - 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 리소그래피 기술은 MEMS 포토리소그래피, MEMS 레이저 에칭 또는 상기 2개의 조합인 방법.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 전지에 통합된 마이크로프로세서에 의한 가변 전류 밀도에서 프로그래밍된 직류 어플리케이션을 포함하는 가변적인 구성 요소의 혼합 산화제 용액의 제작 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 혼합 산화제 용액은 오존, 산소 라디칼, 발생기의 산소, 과산화물, 하이포아염소산염 이온 및 발생기의 염소 사이에서 선택된 적어도 하나의 종(species)을 함유하는 방법.
- 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 전지에는 유기 물질로 오염된 수성 전해질이 공급되는 방법.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 전지를 구비한, 멸균, 살균 또는 세제 물질들을 분배하는 장치.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT001909A ITMI20121909A1 (it) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | Cella elettrolitica dotata di microelettrodi |
ITMI2012A001909 | 2012-11-09 | ||
PCT/EP2013/073356 WO2014072458A1 (en) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | Electrolytic cell equipped with microelectrodes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150084928A true KR20150084928A (ko) | 2015-07-22 |
KR102161431B1 KR102161431B1 (ko) | 2020-10-07 |
Family
ID=47522793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157015202A KR102161431B1 (ko) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | 마이크로전극들을 구비한 전해 전지 |
Country Status (19)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11421332B2 (ko) |
EP (1) | EP2917385B1 (ko) |
JP (1) | JP6441225B2 (ko) |
KR (1) | KR102161431B1 (ko) |
CN (1) | CN104769161B (ko) |
AR (1) | AR093389A1 (ko) |
AU (1) | AU2013343480B2 (ko) |
BR (1) | BR112015010179B1 (ko) |
CA (1) | CA2885291C (ko) |
ES (1) | ES2606682T3 (ko) |
HK (1) | HK1207891A1 (ko) |
IL (1) | IL237860A (ko) |
IT (1) | ITMI20121909A1 (ko) |
MX (1) | MX362479B (ko) |
RU (1) | RU2632901C2 (ko) |
SG (1) | SG11201502043XA (ko) |
TW (1) | TWI595117B (ko) |
WO (1) | WO2014072458A1 (ko) |
ZA (1) | ZA201502733B (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL266939B2 (en) | 2016-12-09 | 2023-10-01 | Mfg Systems Limited | Device and methods for controlled electrochemical surface modification |
US11976370B2 (en) | 2018-02-28 | 2024-05-07 | Manufacturing Systems Limited | Apparatus and method of catalysis |
EP3885472A4 (en) * | 2018-11-19 | 2022-01-05 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | METHOD FOR PRODUCING HYDROGEN |
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-
2012
- 2012-11-09 IT IT001909A patent/ITMI20121909A1/it unknown
-
2013
- 2013-10-04 TW TW102135929A patent/TWI595117B/zh active
- 2013-11-07 AR ARP130104076A patent/AR093389A1/es active IP Right Grant
- 2013-11-08 MX MX2015005608A patent/MX362479B/es active IP Right Grant
- 2013-11-08 RU RU2015120786A patent/RU2632901C2/ru active
- 2013-11-08 SG SG11201502043XA patent/SG11201502043XA/en unknown
- 2013-11-08 CN CN201380057692.7A patent/CN104769161B/zh active Active
- 2013-11-08 BR BR112015010179-8A patent/BR112015010179B1/pt active IP Right Grant
- 2013-11-08 WO PCT/EP2013/073356 patent/WO2014072458A1/en active Application Filing
- 2013-11-08 CA CA2885291A patent/CA2885291C/en active Active
- 2013-11-08 US US14/441,336 patent/US11421332B2/en active Active
- 2013-11-08 KR KR1020157015202A patent/KR102161431B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-08 AU AU2013343480A patent/AU2013343480B2/en active Active
- 2013-11-08 EP EP13789767.4A patent/EP2917385B1/en active Active
- 2013-11-08 ES ES13789767.4T patent/ES2606682T3/es active Active
- 2013-11-08 JP JP2015541149A patent/JP6441225B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-22 IL IL237860A patent/IL237860A/en active IP Right Grant
- 2015-04-22 ZA ZA2015/02733A patent/ZA201502733B/en unknown
- 2015-08-31 HK HK15108444.8A patent/HK1207891A1/xx unknown
-
2022
- 2022-07-22 US US17/814,358 patent/US20220356589A1/en active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014072458A1 (en) | 2014-05-15 |
BR112015010179A2 (pt) | 2017-07-11 |
KR102161431B1 (ko) | 2020-10-07 |
ITMI20121909A1 (it) | 2014-05-10 |
TWI595117B (zh) | 2017-08-11 |
CN104769161B (zh) | 2017-05-10 |
AU2013343480B2 (en) | 2017-07-20 |
AR093389A1 (es) | 2015-06-03 |
RU2015120786A (ru) | 2016-12-27 |
JP2016502600A (ja) | 2016-01-28 |
ZA201502733B (en) | 2016-11-30 |
JP6441225B2 (ja) | 2018-12-19 |
HK1207891A1 (en) | 2016-02-12 |
MX362479B (es) | 2019-01-18 |
US11421332B2 (en) | 2022-08-23 |
EP2917385B1 (en) | 2016-09-07 |
AU2013343480A1 (en) | 2015-04-09 |
TW201418523A (zh) | 2014-05-16 |
US20150308003A1 (en) | 2015-10-29 |
ES2606682T3 (es) | 2017-03-27 |
IL237860A (en) | 2016-12-29 |
CN104769161A (zh) | 2015-07-08 |
RU2632901C2 (ru) | 2017-10-11 |
CA2885291A1 (en) | 2014-05-15 |
BR112015010179B1 (pt) | 2021-06-22 |
CA2885291C (en) | 2020-08-25 |
SG11201502043XA (en) | 2015-05-28 |
MX2015005608A (es) | 2015-09-04 |
EP2917385A1 (en) | 2015-09-16 |
US20220356589A1 (en) | 2022-11-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |