ITMI20121909A1 - Cella elettrolitica dotata di microelettrodi - Google Patents
Cella elettrolitica dotata di microelettrodi Download PDFInfo
- Publication number
- ITMI20121909A1 ITMI20121909A1 IT001909A ITMI20121909A ITMI20121909A1 IT MI20121909 A1 ITMI20121909 A1 IT MI20121909A1 IT 001909 A IT001909 A IT 001909A IT MI20121909 A ITMI20121909 A IT MI20121909A IT MI20121909 A1 ITMI20121909 A1 IT MI20121909A1
- Authority
- IT
- Italy
- Prior art keywords
- microelectrodes
- electrolytic cell
- substrate
- cell according
- anode
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000645 desinfectant Substances 0.000 claims description 2
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical compound Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000010411 electrocatalyst Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000033458 reproduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
- C25B11/02—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by shape or form
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/278—Diamond only doping or introduction of a secondary phase in the diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
- C25B1/01—Products
- C25B1/13—Ozone
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
- C25B1/01—Products
- C25B1/24—Halogens or compounds thereof
- C25B1/26—Chlorine; Compounds thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
- C25B1/01—Products
- C25B1/28—Per-compounds
- C25B1/30—Peroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
- C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
- C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
- C25B11/051—Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
Description
CELLA ELETTROLITICA DOTATA DI MICROELETTRODI
AMBITO DELL’INVENZIONE
L’invenzione è relativa a una cella elettrolitica per la generazione di prodotti non separati dotata di microelettrodi e al metodo per il suo ottenimento. La cella e i microelettrodi della presente invenzione sono ottenuti tramite tecnologie di fabbricazione di dispositivi a semiconduttore impiegati nella produzione di sistemi microelettromeccanici (MEMS).
ANTECEDENTI DELL’INVENZIONE
L’invenzione è relativa a una cella elettrolitica che può essere in configurazione monopolare o bipolare adatta a processi che non richiedano la separazione dei prodotti generati agli anodi e ai catodi.
Metodi e tecnologie di fabbricazione di dispositivi a semiconduttore impiegati nella produzione di sistemi microelettromeccanici (MEMS), nonché tecniche litografiche per la produzione di microelettrodi o la semplice deposizione di metalli catalitici per reazioni elettrochimiche su substrati a base di materiali semiconduttori sono noti nell’arte. Microelettrodi e metodi per il loro ottenimento tramite le tecniche sopracitate e loro applicazione in celle elettrolitiche dirette all’elettrolisi dell’acqua sono per esempio descritti in WO2012078396. In questo caso è descritto un processo di elettrolisi dell’acqua tramite celle elettrolitiche dotate di microelettrodi, dove i prodotti finali, idrogeno e ossigeno, vengono separati. Sempre in WO2012078396 è descritta una coppia di piatti aventi incorporati rispettivamente microelettrodi anodici e microelettrodi catodici le cui distanze interelettrodiche, cioè le distanze tra ciascuna coppia di microelettrodi anodici e catodici, nonostante le dimensioni di ordine micrometrico dei microelettrodi, sono di ordine macroscopico. Questo perché i due piatti, che hanno incorporati rispettivamente i microelettrodi anodici e i microelettrodi catodici, non possono essere avvicinati oltre un certo limite per ragioni di tolleranze meccaniche o per lo spessore di diaframmi o membrane, quando presenti, interposti tra detti piatti. Per questo motivo la tensione di cella può rimanere a valori ragionevoli con densità di corrente utili nella pratica solo se la solo se la resistività dell’elettrolita è sufficientemente piccola. Per lo stesso motivo anche in celle elettrolitiche di tipo tradizionale, dove cioè anche gli elettrodi hanno dimensioni di ordine macroscopico, la tensione di cella può rimanere a valori ragionevoli con densità di corrente utili nella pratica solo se la solo se la resistività dell’elettrolita è sufficientemente piccola. L’inventore ha sorprendentemente trovato che celle elettrolitiche comprendenti pluralità di microlettrodi anodici e catodici in un unico piatto, ottenuti con tecnologie (MEMS) note nell’arte, reciprocamente intercalati a distanze però di ordine micrometrico, possono funzionare in presenza anche di elettroliti acquosi di altissima resistività (bassissima conducibilità) producendo miscele di prodotto in quantità sufficienti per essere utilizzate in varie applicazioni.
SOMMARIO DELL’INVENZIONE
Vari aspetti della presente invenzione sono enunciati nelle rivendicazioni annesse. Sotto un primo aspetto, l’invenzione è relativa a una cella elettrolitica per la generazione di prodotti anodici e catodici non separati costituita da un substrato modellabile litograficamente avente una superficie, una pluralità di microelettrodi incorporati in detta superficie, detta pluralità di elettrodi essendo costituita da microelettrodi anodici ed microelettrodi catodici comprendenti un rivestimento elettrocatalitico, detti microelettrodi anodici e catodici essendo reciprocamente intercalati a una distanza interelettrodica inferiore a 300 micrometri.
Con il termine “incorporati” nella superficie del substrato, si intende che i microelettrodi sono depositati sulla superficie del substrato in modo tale che la loro parte elettrocatalitica sia esposta in modo da poter entrare in contatto con l’elettrolita acquoso durante il funzionamento.
Il fatto che i microelettrodi anodici e catodici delle celle elettrolitiche secondo l’invenzione siano spaziati da distanze interelettrodiche micrometriche consente di ridurre notevolmente la componente resistiva della tensione di cella, che è infatti proporzionale alla distanza interelettrodica. Di conseguenza, celle elettrolitiche con questa caratteristica hanno il vantaggio di poter essere impiegate con elettroliti molto resistivi, cioè a bassissima conducibilità, come ad esempio acqua pura o acqua contenente bassissime quantità di sali.
Un ulteriore vantaggio della riduzione della componente resistiva della tensione di cella è quello di poter mantenere sotto controllo l’aumento di temperatura dovuto all’effetto Joule, aumento di temperatura che ridurrebbe la formazione di specie ossidanti quali ad esempio ozono e acqua ossigenata.
Con il termine "pluralità di microelettrodi", come qui utilizzato, si vogliono indicare almeno due microelettrodi.
Con il termine "microelettrodi”, come qui utilizzato, si vogliono indicare elettrodi aventi dimensioni di ordine micrometrico, cioè inferiori a 300 micrometri.
In una forma di realizzazione, la cella elettrolitica dell’invenzione ha i microelettrodi anodici e catodici reciprocamente spaziati a una distanza interelettrodica inferiore a 100 micrometri.
In una ulteriore forma di realizzazione la cella elettrolitica secondo l’invenzione ha il rivestimento elettrocatalitico dei microelettrodi contenente un elemento scelto tra Pt, Pd, Ir, Ru, Rh, Nb e loro leghe e loro ossidi.
Con il termine “strato elettrocatalitico”, come qui utilizzato, si intende uno strato di materiale che sia efficace come anodo o come catodo in processi elettrochimici.
La possibilità di variare le composizioni dello strato elettrocataliticho dei microelettrodi, differenziando la composizione relativa ai microanodi da quella dei microcatodi, consente di regolare la reattività dei microelettrodi così da poter produrre diverse specie.
Il substrato può essere scelto tra i substrati litograficamente modellabili dell’arte nota. Può essere di natura semiconduttiva o isolante, rigido o flessibile, può includere composizioni inorganiche, ad esempio contenenti silicio od organiche, ad esempio polimeri di varia natura.
In una ulteriore forma di realizzazione, la cella elettrolitica secondo l’invenzione, il rivestimento elettrocatalitico e detto substrato litograficamente modellabile hanno interposto tra loro uno strato di un elemento scelto tra Co, Cr, Mo, W, Ni, Ti e loro leghe, il quale strato garantisce vantaggiosamente una migliorata adesione dello strato elettrocatalitico esposto all’elettrolita al substrato durante il funzionamento della cella.
Sotto un altro aspetto, l’invenzione è relativa a un metodo per la produzione di una cella elettrolitica secondo l’invenzione come sopra riportato che comprende i seguenti stadi:
modellamento di un substrato tramite una tecnica litografica secondo una geometria predefinita
deposizione fisica o chimica in fase vapore (PVD o CVD) di uno strato di un elemento scelto tra Pt, Rh, Ru, Ir, Pd, Nb e loro ossidi su detto strato di metallo intermedio.
Nel caso in cui si prediliga l'inserimento di uno strato intermedio tra substrato ed elettrocatalizzatore, l’invenzione è relativa anche a un metodo per la produzione di una cella elettrolitica che comprende i seguenti stadi:
modellamento di un substrato tramite una tecnica litografica secondo una geometria predefinita
deposizione fisica o chimica in fase vapore (PVD o CVD) di uno strato di un metallo scelto tra Co, Cr, Mo, W, Ni, Ti e loro leghe su detto substrato
deposizione fisica o chimica in fase vapore (PVD o CVD) di uno strato di metallo scelto tra Pt, Rh, Ru, Ir, Pd, Nb e loro ossidi su detto strato intermedio. Sotto un ulteriore aspetto, l’invenzione è relativa a un metodo per la produzione di miscele ossidanti a composizione variabile comprendente l’applicazione programmabile di diverse densità di corrente tramite un microprocessore integrato a una cella secondo l’invenzione come sopra descritto.
La possibilità di miscelare le varie specie prodotte qualitativamente e quantitativamente, ha il vantaggio di rendere la cella dell’invenzione utile in svariate applicazioni nel campo della sterilizzazione e disinfezione quali ad esempio sterilizzazione di strumentazione medicale, potabilizzazione di acqua, sterilizzazione di acqua nelle lavatrici ecc.
L’invenzione è dunque anche relativa a metodo per la produzione di miscele ossidanti a composizione variabile secondo l’invenzione contenenti almeno una specie scelta tra ozono, radicali di ossigeno, ossigeno nascente, perossidi, ione ipoclorito e cloro nascente.
Sotto un ulteriore aspetto, l’invenzione è relativa a un dispositivo per la erogazione di sostanze sterilizzanti o disinfettanti attrezzato con almeno una cella secondo l’invenzione.
Alcune forme di realizzazione esemplificative dell’invenzione sono descritte nel seguito con riferimento ai disegni allegati, i quali hanno il solo scopo di illustrare la disposizione reciproca dei diversi elementi relativamente a dette forme di realizzazione dell’invenzione; in particolare, i disegni non saranno intesi come riproduzioni in scala.
DESCRIZIONE IN BREVE DELLE FIGURE
La figura 1 mostra una vista in sezione di una molteplicità di microelettrodi anodici e catodici incorporati nello stesso substrato secondo una forma di realizzazione dell'invenzione.
La figura 2 mostra una vista dall’alto di una molteplicità di microelettrodi anodici e catodici incorporati nello stesso substrato modellato per via litografica con geometria interdigitata e corrispondenti distanze interelettrodiche secondo una forma di realizzazione dell'invenzione.
DESCRIZIONE DETTAGLIATA DELLE FIGURE
In figura 1 è mostrata una vista in sezione di una forma di realizzazione dell’invenzione che consiste in una molteplicità di microelettrodi 1 , che possono essere microelettrodi anodici e microelettrodi catodici incorporati nello stesso substrato modellato per via litografica con geometria interdigitata 2 a una distanza interelettrodica 3. I microelettrodi anodici e catodici 1 sono deposita sulle pareti delle dita 4 che vengono a formarsi a seguito della modellazione litografica. La zona che separa i microelettrodi anodici dai microelettrodi catodici 5 è opportunamente di materiale isolante.
In figura 2 è mostrata una vista dall’alto di una forma di realizzazione dell’invenzione che consiste in una molteplicità di microelettrodi 1 incorporati in un substrato modellato per via litografica con geometria interdigitata a una distanza interelettrodica 2.
Alcuni tra i più significativi risultati ottenuti dagli inventori sono presentati nel seguente esempio, che non intende limitare l’ambito dell’invenzione.
ESEMPIO
Su un wafer di silicio a forma circolare avente diametro di 200mm per uno spessore di 2 mm è stato trasferito uno schema interdigitato tramite fotolitografia. La superficie del wafer è stata di seguito sottoposta a etching con KOH al 30% per 15 minuti a temperatura ambiente. Sul wafer così ottenuto è stato depositato uno strato di titanio tramite deposizione fisica in fase vapore (PVD). Successivamente è stato depositato uno strato elettrocatalitico di platino sempre tramite deposizione fisica in fase vapore in due sessioni: una prima deposizione mantenendo l’asse principale del substrato (target) inclinato di 45 gradi rispetto al piano, così da depositare l’elettrocatalizzatore su una prima faccia delle dita sagomate sul substrato, e una seconda sessione mantenendo il substrato inclinato di 45 gradi rispetto al piano nel verso opposto al precedente così da depositare l’elettrocatalizzatore sulla seconda faccia delle dita sagomate. E’ stata misurata una distanza interelettrodica di 100 micrometri.
La cella così ottenuta testata con una soluzione acquosa di KOH con concentrazione 60 ppm, densità di corrente 40 mA/cm<2>, tensione di cella 5V è stata misurata una efficienza di corrente per la produzione di ozono pari al 5%.
La precedente descrizione non intende limitare l’invenzione, che può essere utilizzata secondo diverse forme di realizzazione senza per questo discostarsi dagli scopi e la cui portata è univocamente definita dalle rivendicazioni allegate.
Nella descrizione e nelle rivendicazioni della presente domanda la parola “comprendere” e le sue variazioni quali “comprendente” e “comprende” non escludono la presenza di altri elementi, componenti o stadi di processo aggiuntivi. La discussione di documenti, atti, materiali, apparati, articoli e simili è inclusa nel testo al solo scopo di fornire un contesto alla presente invenzione; non è comunque da intendersi che questa materia o parte di essa costituisse una conoscenza generale nel campo relativo all’invenzione prima della data di priorità di ciascuna delle rivendicazioni allegate alla presente domanda.
Claims (10)
- CELLA ELETTROLITICA DOTATA DI MICROELETTRODI RIVENDICAZIONI 1. Cella elettrolitica per la generazione di prodotti anodici e catodici non separati costituita da un substrato modellabile litograficamente avente una superficie, una pluralità di microelettrodi incorporati in detta superficie, detta pluralità di microelettrodi essendo costituita da microelettrodi anodici ed microelettrodi catodici comprendenti un rivestimento elettrocatalitico, detti microelettrodi anodici e catodici essendo reciprocamente intercalati a una distanza interelettrodica inferiore a 300 micrometri.
- 2. Cella elettrolitica secondo la rivendicazione 1 , ove detti microelettrodi anodici e catodici reciprocamente intercalati sono a una distanza interelettrodica inferiore a 100 micrometri.
- 3. Cella elettrolitica secondo una delle rivendicazioni precedenti, ove detto rivestimento e I ettto rcatal i ti co di detti microelettrodi contiene un elemento scelto tra Pt, Pd, Ir, Ru, Rh, Nb e loro leghe e loro ossidi.
- 4. Cella elettrolitica secondo una delle rivendicazioni precedenti, ove detto substrato litograficamente modellabile è costituto da un materiale semiconduttore.
- 5. Cella elettrolitica secondo una delle rivendicazioni precedenti, ove tra detto rivestimento catalitico e detto substrato litograficamente modellabile è interposto uno strato intermedio di un metallo scelto tra Co, Cr, Mo, W, Ni, Ti e loro leghe.
- 6. Metodo per la produzione di una cella elettrolitica secondo le rivendicazioni 1-4 che comprende i seguenti stadi: modellamento di un substrato tramite una tecnica litografica secondo una geometria predefinita; deposizione fisica o chimica in fase vapore (PVD o CVD) di uno strato un elemento scelto tra Pt, Rh, Ru, Ir, Pd, Nb e loro ossidi su detto strato di metallo intermedio.
- 7. Metodo per la produzione di una cella elettrolitica secondo la rivendicazione 5 che comprende i seguenti stadi: modellamento di un substrato tramite una tecnica litografica secondo una geometria predefinita; deposizione fisica o chimica in fase vapore (PVD o CVD) di uno strato di un metallo scelto tra Co, Cr, Mo, W, Ni, Ti e loro leghe su detto substrato; deposizione fisica o chimica in fase vapore (PVD o CVD) di uno strato di metallo scelto tra Pt, Rh, Ru, Ir, Pd, Nb e loro ossidi su detto strato intermedio.
- 8. Metodo per la produzione di miscele di prodotti a composizione variabile comprendente l'applicazione programmabile di diverse densità di corrente tramite un microprocessore integrato a una cella secondo una delle rivendicazioni da 1 a 5.
- 9. Metodo per la produzione di miscele di prodotti a composizione variabile secondo la rivendicazione 8, ove dette miscele sono miscele ossidanti e contengono almeno una specie scelta tra ozono, radicali di ossigeno, ossigeno nascente, perossidi, ione ipoclorito e cloro nascente.
- 10. Dispositivo per la erogazione di sostanze sterilizzanti o disinfettanti attrezzato con almeno una cella secondo una delle rivendicazioni da 1 a 5.
Priority Applications (20)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT001909A ITMI20121909A1 (it) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | Cella elettrolitica dotata di microelettrodi |
TW102135929A TWI595117B (zh) | 2012-11-09 | 2013-10-04 | 產生不分離陽極和陰極生成物用之電解池及其製造方法和可變組成份的混合氧化劑溶液之製法 |
ARP130104076A AR093389A1 (es) | 2012-11-09 | 2013-11-07 | Celda electrolitica equipada con microelectrodos |
AU2013343480A AU2013343480B2 (en) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | Electrolytic cell equipped with microelectrodes |
JP2015541149A JP6441225B2 (ja) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | 微小電極を備えた電解セル |
PCT/EP2013/073356 WO2014072458A1 (en) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | Electrolytic cell equipped with microelectrodes |
MX2015005608A MX362479B (es) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | Celda electrolitica equipada con microelectrodos. |
CA2885291A CA2885291C (en) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | Electrolytic cell equipped with microelectrodes |
US14/441,336 US11421332B2 (en) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | Electrolytic cell equipped with microelectrodes |
CN201380057692.7A CN104769161B (zh) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | 配备有微电极的电解槽 |
KR1020157015202A KR102161431B1 (ko) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | 마이크로전극들을 구비한 전해 전지 |
BR112015010179-8A BR112015010179B1 (pt) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | Célula eletrolítica para geração de produtos anódicos e catódicos não separados; método de fabricação de uma célula eletrolítica; processo de fabricação de soluções de oxidante misturado de composição variável; e dispositivo |
ES13789767.4T ES2606682T3 (es) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | Celda electrolítica equipada con microelectrodos |
SG11201502043XA SG11201502043XA (en) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | Electrolytic cell equipped with microelectrodes |
EP13789767.4A EP2917385B1 (en) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | Electrolytic cell equipped with microelectrodes |
RU2015120786A RU2632901C2 (ru) | 2012-11-09 | 2013-11-08 | Электролитическая ячейка, оборудованная микроэлектродами |
IL237860A IL237860A (en) | 2012-11-09 | 2015-03-22 | Electrolytic cell equipped with microelectrodes |
ZA2015/02733A ZA201502733B (en) | 2012-11-09 | 2015-04-22 | Electrolytic cell equipped with microelectrodes |
HK15108444.8A HK1207891A1 (en) | 2012-11-09 | 2015-08-31 | Electrolytic cell equipped with microelectrodes |
US17/814,358 US20220356589A1 (en) | 2012-11-09 | 2022-07-22 | Electrolytic cell equipped with microelectrodes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT001909A ITMI20121909A1 (it) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | Cella elettrolitica dotata di microelettrodi |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ITMI20121909A1 true ITMI20121909A1 (it) | 2014-05-10 |
Family
ID=47522793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
IT001909A ITMI20121909A1 (it) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | Cella elettrolitica dotata di microelettrodi |
Country Status (19)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11421332B2 (it) |
EP (1) | EP2917385B1 (it) |
JP (1) | JP6441225B2 (it) |
KR (1) | KR102161431B1 (it) |
CN (1) | CN104769161B (it) |
AR (1) | AR093389A1 (it) |
AU (1) | AU2013343480B2 (it) |
BR (1) | BR112015010179B1 (it) |
CA (1) | CA2885291C (it) |
ES (1) | ES2606682T3 (it) |
HK (1) | HK1207891A1 (it) |
IL (1) | IL237860A (it) |
IT (1) | ITMI20121909A1 (it) |
MX (1) | MX362479B (it) |
RU (1) | RU2632901C2 (it) |
SG (1) | SG11201502043XA (it) |
TW (1) | TWI595117B (it) |
WO (1) | WO2014072458A1 (it) |
ZA (1) | ZA201502733B (it) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200128408A (ko) * | 2018-02-28 | 2020-11-12 | 매뉴팩터링 시스템즈 리미티드 | 촉매작용 장치 및 방법 |
WO2020105369A1 (ja) * | 2018-11-19 | 2020-05-28 | 旭化成株式会社 | 水素製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5154895A (en) * | 1990-03-03 | 1992-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ozone generator in liquids |
CA2547373A1 (en) * | 2006-05-18 | 2007-11-18 | Ozomax Inc. | Miniature ozone generator with internal or external power supply for purifiying water |
US20080296173A1 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Transphorm, Inc. | Electrolysis transistor |
WO2012006240A1 (en) * | 2010-07-04 | 2012-01-12 | Dioxide Materials, Inc. | Novel catalyst mixtures |
US20120149789A1 (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Ut-Battelle, Llc | Apparatus and Method for the Electrolysis of Water |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3914164A (en) * | 1972-08-23 | 1975-10-21 | John W Clark | System and process for bacterial reduction of wastes |
SU1113427A1 (ru) * | 1983-03-02 | 1984-09-15 | Казахский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.С.М.Кирова | Способ получени триселенида натри |
US5403680A (en) * | 1988-08-30 | 1995-04-04 | Osaka Gas Company, Ltd. | Photolithographic and electron beam lithographic fabrication of micron and submicron three-dimensional arrays of electronically conductive polymers |
DE19506242C2 (de) * | 1995-02-23 | 1998-05-20 | Metallgesellschaft Ag | Verfahren zur direkten elektrochemischen Oxidation von sulfithaltigen Lösungen, insbesondere Abwässern aus Gasreinigungsanlagen |
US6093302A (en) * | 1998-01-05 | 2000-07-25 | Combimatrix Corporation | Electrochemical solid phase synthesis |
JP4116726B2 (ja) * | 1999-02-04 | 2008-07-09 | ペルメレック電極株式会社 | 電気化学的処理方法及び装置 |
EP1630257B1 (en) * | 2003-05-26 | 2013-11-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond-coated electrode and method for producing same |
GB0318215D0 (en) * | 2003-08-04 | 2003-09-03 | Element Six Ltd | Diamond microelectrodes |
JP4877641B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2012-02-15 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド局所配線電極 |
EP1868251A4 (en) * | 2005-04-08 | 2009-05-27 | Mitsubishi Chem Corp | SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
US20070193886A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-23 | Ian Acworth | Detection methods and devices |
US8105469B2 (en) * | 2006-03-17 | 2012-01-31 | Andrew John Whitehead | Microelectrode array |
WO2008029258A2 (en) * | 2006-09-05 | 2008-03-13 | Element Six Limited | Solid electrode |
JP5207529B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-06-12 | クロリンエンジニアズ株式会社 | 硫酸電解槽及び硫酸電解槽を用いた硫酸リサイクル型洗浄システム |
KR100862923B1 (ko) | 2008-07-14 | 2008-10-13 | 황부성 | 수소산소 혼합가스 발생시스템 |
ES2517919T3 (es) * | 2008-09-02 | 2014-11-04 | The Governing Council Of The University Of Toronto | Microelectrodos nanoestructurados y dispositivos de biodetección que los incorporan |
GB0821810D0 (en) * | 2008-11-28 | 2009-01-07 | Nanoflex Ltd | Electrode assembly |
GB2479587A (en) * | 2010-04-16 | 2011-10-19 | Diamond Detectors Ltd | Diamond microelectrode |
US9228972B2 (en) * | 2012-02-22 | 2016-01-05 | Advanced Diamond Technologies, Inc. | Electroanalytical sensor based on nanocrystalline diamond electrodes and microelectrode arrays |
-
2012
- 2012-11-09 IT IT001909A patent/ITMI20121909A1/it unknown
-
2013
- 2013-10-04 TW TW102135929A patent/TWI595117B/zh active
- 2013-11-07 AR ARP130104076A patent/AR093389A1/es active IP Right Grant
- 2013-11-08 MX MX2015005608A patent/MX362479B/es active IP Right Grant
- 2013-11-08 SG SG11201502043XA patent/SG11201502043XA/en unknown
- 2013-11-08 JP JP2015541149A patent/JP6441225B2/ja active Active
- 2013-11-08 CA CA2885291A patent/CA2885291C/en active Active
- 2013-11-08 KR KR1020157015202A patent/KR102161431B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-08 EP EP13789767.4A patent/EP2917385B1/en active Active
- 2013-11-08 RU RU2015120786A patent/RU2632901C2/ru active
- 2013-11-08 BR BR112015010179-8A patent/BR112015010179B1/pt active IP Right Grant
- 2013-11-08 WO PCT/EP2013/073356 patent/WO2014072458A1/en active Application Filing
- 2013-11-08 CN CN201380057692.7A patent/CN104769161B/zh active Active
- 2013-11-08 US US14/441,336 patent/US11421332B2/en active Active
- 2013-11-08 ES ES13789767.4T patent/ES2606682T3/es active Active
- 2013-11-08 AU AU2013343480A patent/AU2013343480B2/en active Active
-
2015
- 2015-03-22 IL IL237860A patent/IL237860A/en active IP Right Grant
- 2015-04-22 ZA ZA2015/02733A patent/ZA201502733B/en unknown
- 2015-08-31 HK HK15108444.8A patent/HK1207891A1/xx unknown
-
2022
- 2022-07-22 US US17/814,358 patent/US20220356589A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5154895A (en) * | 1990-03-03 | 1992-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ozone generator in liquids |
CA2547373A1 (en) * | 2006-05-18 | 2007-11-18 | Ozomax Inc. | Miniature ozone generator with internal or external power supply for purifiying water |
US20080296173A1 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Transphorm, Inc. | Electrolysis transistor |
WO2012006240A1 (en) * | 2010-07-04 | 2012-01-12 | Dioxide Materials, Inc. | Novel catalyst mixtures |
US20120149789A1 (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Ut-Battelle, Llc | Apparatus and Method for the Electrolysis of Water |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2015120786A (ru) | 2016-12-27 |
WO2014072458A1 (en) | 2014-05-15 |
AU2013343480A1 (en) | 2015-04-09 |
SG11201502043XA (en) | 2015-05-28 |
US20150308003A1 (en) | 2015-10-29 |
CN104769161B (zh) | 2017-05-10 |
TWI595117B (zh) | 2017-08-11 |
JP2016502600A (ja) | 2016-01-28 |
EP2917385A1 (en) | 2015-09-16 |
AU2013343480B2 (en) | 2017-07-20 |
KR20150084928A (ko) | 2015-07-22 |
CA2885291A1 (en) | 2014-05-15 |
RU2632901C2 (ru) | 2017-10-11 |
CN104769161A (zh) | 2015-07-08 |
BR112015010179A2 (pt) | 2017-07-11 |
CA2885291C (en) | 2020-08-25 |
ZA201502733B (en) | 2016-11-30 |
US20220356589A1 (en) | 2022-11-10 |
IL237860A (en) | 2016-12-29 |
BR112015010179B1 (pt) | 2021-06-22 |
EP2917385B1 (en) | 2016-09-07 |
ES2606682T3 (es) | 2017-03-27 |
MX2015005608A (es) | 2015-09-04 |
KR102161431B1 (ko) | 2020-10-07 |
TW201418523A (zh) | 2014-05-16 |
US11421332B2 (en) | 2022-08-23 |
MX362479B (es) | 2019-01-18 |
AR093389A1 (es) | 2015-06-03 |
JP6441225B2 (ja) | 2018-12-19 |
HK1207891A1 (en) | 2016-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8431006B2 (en) | Method and apparatus for producing ozone-water | |
US8734626B2 (en) | Electrode, ozone generator, and ozone production method | |
US20220356589A1 (en) | Electrolytic cell equipped with microelectrodes | |
Bakr et al. | Removal of bisphenol A by electrochemical carbon-nanotube filter: Influential factors and degradation pathway | |
TWI467057B (zh) | 利用電解硫酸之清洗方法及半導體裝置之製造方法 | |
KR20140074927A (ko) | 전해장치 및 전해방법 | |
JP5100222B2 (ja) | 水酸化第4級アンモニウムの製造方法 | |
TWI652374B (zh) | 雙極電解池及電解過程執行方法 | |
CN109563632A (zh) | 含氯化物的工艺溶液的电化学纯化方法 | |
JP5271345B2 (ja) | 導電性ダイヤモンド電極、これを用いた、硫酸電解方法及び硫酸電解装置 | |
JP2011083655A (ja) | 電気分解水生成器 | |
WO2014141587A1 (ja) | 電解水生成装置 | |
Rahmaninezhad et al. | Modeling and optimizing the photo-electro-catalytic degradation of methylene blue by response surface methodology | |
KR20160116116A (ko) | 수지 가공재를 이용한 전극을 포함하는 전해 이온수 장치 | |
KR101822465B1 (ko) | 수소수 생성을 위한 전극 어셈블리 및 이를 포함하는 휴대용 수소수 제조장치 | |
JP5649948B2 (ja) | 硫酸電解方法及び硫酸電解装置 | |
KR20150051444A (ko) | 터널형 에치피트 형성방법 |