RU2632901C2 - Электролитическая ячейка, оборудованная микроэлектродами - Google Patents

Электролитическая ячейка, оборудованная микроэлектродами Download PDF

Info

Publication number
RU2632901C2
RU2632901C2 RU2015120786A RU2015120786A RU2632901C2 RU 2632901 C2 RU2632901 C2 RU 2632901C2 RU 2015120786 A RU2015120786 A RU 2015120786A RU 2015120786 A RU2015120786 A RU 2015120786A RU 2632901 C2 RU2632901 C2 RU 2632901C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
microelectrodes
electrolytic cell
substrate
less
cell according
Prior art date
Application number
RU2015120786A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2015120786A (ru
Inventor
Андреа Франческо Гулла
Original Assignee
Индустрие Де Нора С.П.А.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Индустрие Де Нора С.П.А. filed Critical Индустрие Де Нора С.П.А.
Publication of RU2015120786A publication Critical patent/RU2015120786A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2632901C2 publication Critical patent/RU2632901C2/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26Deposition of carbon only
    • C23C16/27Diamond only
    • C23C16/278Diamond only doping or introduction of a secondary phase in the diamond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C25B1/01Products
    • C25B1/13Ozone
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C25B1/01Products
    • C25B1/24Halogens or compounds thereof
    • C25B1/26Chlorine; Compounds thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C25B1/01Products
    • C25B1/28Per-compounds
    • C25B1/30Peroxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/02Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by shape or form
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/04Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/04Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
    • C25B11/051Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
  • Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
  • Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
  • Inert Electrodes (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электролитической ячейке для выработки неразделенных анодных и катодных продуктов, состоящая из литографически структурируемой подложки, имеющей поверхность, множество анодных и катодных микроэлектродов, сформированных на упомянутой поверхности, причем упомянутые анодные и катодные микроэлектроды взаимно вставлены один в другой с межэлектродным промежутком менее 100 микрометров и имеют среднюю шероховатость Ra поверхности менее 0,05 мкм. Также изобретение относится к способу изготовления ячейки, способу изготовления растворов смешанных окислителей переменного состава и устройству для дозирования стерилизующих, дезинфицирующих или моющих веществ. Предлагаемая ячейка обладает повышенной скоростью выработки продукта при его меньших потерях. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 пр.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к электролитической ячейке для выработки неразделенных продуктов, снабженной микроэлектродами, и к способу изготовления таковой. Эту ячейку и микроэлектроды по настоящему изобретению получают с помощью технологий изготовления полупроводниковых устройств, используемых в производстве микроэлектромеханических систем (МЭМС).
Предпосылки создания изобретения
Изобретение относится к электролитической ячейке, которая может быть выполнена в монополярной или биполярной конфигурации, пригодной для процессов, не требующих разделения продуктов, вырабатываемых на анодах и катодах.
В области техники хорошо известны способы и технологии изготовления полупроводниковых устройств, используемые в производстве микроэлектромеханических систем (МЭМС), а также методы литографии для производства микроэлектродов или метод прямого осаждения каталитических металлов для электрохимических реакций на подложках на основе полупроводниковых материалов. Микроэлектроды и способы их получения посредством вышеупомянутых методов и их применение в электролитических ячейках, предназначенных для электролиза воды, описываются, например, в WO2012078396. В данном случае описывается процесс электролиза воды посредством электролитической ячейки, оборудованной микроэлектродами, причем конечные продукты, водород и кислород, разделяют. WO2012078396 также описывает пару пластин, имеющих встроенные в них соответственно анодный и катодный микроэлектроды, причем межэлектродный промежуток, т.е. расстояние между каждой парой анодных и катодных микроэлектродов, является величиной макроскопического порядка, несмотря на микрометровый порядок величины размера микроэлектрода. Это связано с тем, что упомянутые две пластины, соответственно имеющие встроенные в них анодные микроэлектроды и катодные микроэлектроды, не могут быть расположены ближе определенного предела из-за механических допусков или толщины диафрагм или мембран, при их наличии, расположенных между упомянутыми пластинами. По этой причине напряжение ячейки может быть ограничено в пределах разумных величин при практически используемой плотности тока, только если удельное сопротивление электролита достаточно небольшое. Также по той же причине в обычных электролитических ячейках, то есть даже где электроды имеют размеры макроскопического порядка величины, напряжение ячейки может быть ограничено в пределах приемлемых величин при практически используемой плотности тока, только если удельное сопротивление электролита достаточно небольшое.
Известны также микрогенераторы озона на месте, например, такой как описанный в US2009/0120863, раскрывающем озонопроизводящие схемы, напечатанные на одной из сторон печатной платы (ПП), снабженной подходящими шероховатыми поверхностями ради увеличения размеров пузырьков водорода, благодаря чему минимизируют рекомбинацию получаемого озона с выделяемым на катоде водородом, тем самым повышая эффективность производства озона. Из других недостатков следует отметить, что шероховатые катоды по US2009/0120863 нуждаются в периодической регенерации и с этой целью их снабжают нагревательными элементами, расположенными на противоположной стороне ПП. Кроме того, генератор озона по US2009/0120863 может работать только с водой, начиная от минимального уровня удельной проводимости, например, с родниковой или водопроводной водой, и не пригоден для производства озона из деминерализованной или деионизированной воды.
Изобретатели неожиданно обнаружили, что электролитические ячейки, снабженные многочисленными анодными и катодными микроэлектродами на единой пластине, взаимно вставленными один в другой на расстояниях микрометрового порядка, могут работать даже с водными электролитами с очень высоким удельным сопротивлением (низкой удельной проводимостью), производя озон и смешанные окислители в количествах, достаточных для использования в различных применениях, при условии, что поверхности этих микроэлектродов являются чрезвычайно гладкими, например, зеркальными. Кроме того, производящие озон ячейки, снабженные зеркальными микроэлектродами, не требуют никакой периодической регенерации, при этом скорость производства озона значительно выше, так что доля потерь продукта вследствие рекомбинации незначительна. Электролитические ячейки, снабженные зеркальными микроэлектродами, также могут быть использованы для различных целей кроме выработки озона и смешанных окислителей. Конструкция ячейки такого типа не может быть получена посредством традиционных технологий ПП, а требует передовых методов изготовления, обеспечивающих возможность более точного контроля размеров, такого как у микроэлектромеханических систем (МЭМС), связанных с физическим или химическим осаждением из газовой фазы.
Сущность изобретения
Различные особенности изобретения изложены в прилагаемой формуле изобретения.
В соответствии с одним аспектом изобретение относится к электролитической ячейке для выработки неразделенных анодных и катодных продуктов, состоящей из литографически структурируемой подложки, например кремниевой подложки, имеющей поверхность с множеством встроенных в нее анодных микроэлектродов и катодных микроэлектродов, причем эти анодные и катодные микроэлектроды взаимно вставлены один в другой с межэлектродным промежутком менее 100 мкм и имеют среднюю шероховатость Ra поверхности менее 0,05 мкм. В одном варианте осуществления эти микроэлектроды имеют среднюю шероховатость Ra поверхности менее 0,01 мкм.
Термин «встроенные» в поверхность подложки применяют здесь в том смысле, что упомянутые микроэлектроды сформированы на поверхности подложки таким образом, что их внешняя часть открыта для обеспечения эффективного контакта с водным электролитом в процессе работы.
Изобретатели установили, что зеркальная гладкость поверхности электрода в сочетании с микрометровыми межэлектродными зазорами обеспечивает работу при эффективных плотностях тока с широким диапазоном электролитов, включая высокорезистивные электролиты, т.е. обладающие очень низкой удельной электропроводностью, такие как чистая вода или вода с чрезвычайно сниженным содержанием ионных частиц. С помощью микроэлектродов, имеющих соответствующим образом катализированную внешнюю поверхность, оказалось возможным произвести неожиданное количество и разнообразие веществ, например окисляющих веществ. Не желая ограничивать изобретение конкретной теорией, можно предположить, что гладкость микроэлектродов предотвращает реакции, протекающие на всей их поверхности, и концентрирует линии тока на их кромках. В результате локальная плотность тока становится настолько высокой вокруг кромок микроэлектродов, особенно при применении высокорезистивных электролитов, что соответствующий электрический потенциал инициирует начальный момент формирования ряда веществ (например, частиц кислородных радикалов), которые обычно не вырабатываются ячейками предшествующего уровня техники.
Термин «множество микроэлектродов», как используется здесь, предназначен для обозначения по меньшей мере двух микроэлектродов.
Термин «микроэлектроды», как используется здесь, предназначен для обозначения электродов, имеющих размеры микрометрового порядка величины, т.е. менее 100 микрометров.
В одном варианте осуществления электролитическая ячейка в соответствии с изобретением имеет микроэлектроды, покрытые внешним слоем, состоящим из осажденной в вакууме пленки легированного бором алмаза. Это может иметь преимущество, способствуя производству неожиданно реакционно-способных веществ из смешанных окислителей, содержащих озон, на такой скорости, что упомянутая электролитическая ячейка становится чрезвычайно эффективной в таких практических применениях, как разрушение загрязняющих среду органических веществ в водных растворах. В другом варианте осуществления электролитическая ячейка в соответствии с изобретением имеет микроэлектроды, покрытые внешним слоем, выполненным из материала, содержащего по меньшей мере один элемент, выбранный из группы, состоящей из Pt, Pd, Ir, Ru, Rh, Nb и Ti. Покрытия на основе вышеуказанных элементов оказались очень эффективными для выработки ряда желаемых веществ, таких как водород, кислород, пероксид водорода и озон из электролитов различных типов. Также для производства хлорсодержащих веществ, таких как гипохлорит или выделяющийся хлор, могут быть обработаны хлоридсодержащие электролиты, например, за счет покрытия упомянутых микроэлектродов ячейки Ru или Pd. Кроме того, возможность изменения составов электрокаталитического слоя микроэлектродов, дифференциации состава микроанода от микрокатода позволяет регулировать реакционную способность микроэлектродов с тем, чтобы производить различные вещества.
В одном варианте осуществления между внешним слоем и подложкой расположен промежуточный слой из металлического материала, выбранного из группы, состоящей из Co, Cr, Mo, W, Ni, Ti и их сплавов; это может иметь преимущество за счет повышения адгезии внешнего слоя к подложке, открытого электролиту в процессе работы ячейки.
Подложка может быть выбрана из литографически структурируемых подложек предшествующего уровня техники. Она может быть полупроводящей или изолирующей природы, гибкой или жесткой, и может включать в себя неорганические, например, на основе кремния, или органические составы, например полимеры различной природы. Термин «литографически структурируемая подложка» используется здесь для обозначения подложки, которая может быть обработана современными методами литографии, такими как МЭМС, чтобы сформировать микроэлектроды ограниченного размера и геометрии в соответствии с заданным рисунком, например, в виде множества электрически соединенных пальцеобразных анодов, соответствующим образом вставленных во множество электрически соединенных пальцеобразных катодов с заданным межэлектродным промежутком в соответствии с встречно-гребенчатой геометрией.
Необязательно, подложка на основе кремния включает в себя слой Si толщиной 200-400 мкм, покрытый слоем SiO2 толщиной 0,5-2 мкм.
В соответствии с другим аспектом изобретение относится к способу изготовления описанной выше электролитической ячейки, включающему в себя этапы:
- снабжение подложки пальцами методом литографии в соответствии с заранее заданным рисунком;
- необязательно, покрытие упомянутых пальцев слоем металла, выбранного из группы, состоящей из Co, Cr, Mo, W, Ni, Ti и их сплавов, методом физического (ФОГФ) или химического (ХОГФ) осаждения из газовой фазы;
- нанесение внешнего электродного слоя методом физического или химического осаждения из газовой фазы на упомянутые покрытые металлом пальцы.
В одном варианте осуществления внешний электродный слой включает в себя материал, содержащий по меньшей мере один элемент, выбранный из группы, состоящей из Pt, Pd, Ir, Ru, Rh, Nb и Ti. В другом варианте осуществления внешний электродный слой является пленкой легированного бором алмаза, нанесенной методом активированного микроволнами химического осаждения из газовой фазы. В другом варианте осуществления внешний слой является пленкой легированного бором алмаза, содержащей по меньшей мере 5000 млн-1 легирующей примеси бора.
В одном варианте осуществления подложку снабжают пальцами в соответствии с предварительно заданным рисунком методом литографии, выбранным между методом МЭМС-фотолитографии и методом МЭМС-лазерного травления или сочетанием этих двух методов.
В соответствии с дополнительным аспектом изобретение относится к способу производства окислительных смесей переменного состава, включающему в себя программируемую подачу тока различной плотности посредством микропроцессора, встроенного в описанную выше ячейку.
Таким образом, изобретение относится также к способу производства окислительных смесей переменного состава в соответствии с изобретением, содержащим по меньшей мере одно вещество, выбранное среди озона, кислородных радикалов, выделяющегося кислорода, пероксидов, гипохлорит-иона и выделяющегося хлора. Это может иметь преимущество для выполнения ячейки по изобретению, пригодной в различных практических применениях в области стерилизации и дезинфекции, таких как стерилизации медицинского оборудования, очистки воды, стерилизации воды в моечных машинах и так далее.
В соответствии с дополнительным аспектом изобретение относится к устройству для дозирования стерилизующих, дезинфицирующих или моющих средств, оборудованному по меньшей мере одной ячейкой в соответствии с изобретением.
Некоторые примерные реализации, иллюстрирующие изобретение, теперь будут описаны со ссылкой на прилагаемые чертежи, единственная цель которых - иллюстрация взаимного расположения различных элементов по отношению к упомянутым конкретным реализациям изобретения; в частности, чертежи не обязательно выполнены в масштабе.
Краткое описание чертежей
Фиг. 1 показывает вид в разрезе множества анодных и катодных микроэлектродов, встроенных в одну и ту же подложку в соответствии с вариантом осуществления изобретения.
Фиг. 2 показывает вид сверху множества анодных и катодных микроэлектродов, встроенных в одну и ту же литографически структурированную подложку с встречно-гребенчатой геометрией и с соответствующими межэлектродными промежутками в соответствии с одним вариантом осуществления изобретения.
Подробное описание чертежей
На фиг. 1 показан вид в разрезе варианта осуществления изобретения, состоящего из множества микроэлектродов 1, которые могут быть анодными микроэлектродами и катодными микроэлектродами, встроенными в одну и ту же подложку, литографически структурированную с встречно-гребенчатой геометрией 2 с межэлектродным промежутком 3. Анодные и катодные микроэлектроды 1 осаждены на стенках пальцев 4, которые сформированы в результате литографического структурирования. Участки 5, которые отделяют анодные микроэлектроды от катодных микроэлектродов, выполнены подходящим методом из изолирующего материала.
На фиг. 2 показан вид сверху варианта осуществления изобретения, состоящего из множества микроэлектродов 1, встроенных в литографически структурированную подложку с встречно-гребенчатой геометрией с межэлектродным промежутком 3.
Следующие примеры представлены для демонстрации конкретных вариантов осуществления изобретения, реализуемость которых была в значительной степени подтверждена в заявленном диапазоне величин. Специалистам в данной области техники следует принять во внимание, что составы и методы, раскрытые в последующих примерах, представляют составы и методы, открытые изобретателями, чтобы хорошо функционировать при практическом применении изобретения; однако специалисты в данной области техники должны, в свете настоящего раскрытия, принимать во внимание, что в раскрытых конкретных вариантах осуществления можно выполнить много изменений и тем не менее получить аналогичный или похожий результат в пределах объема изобретения.
Пример 1
На кремниевую пластину круглой формы диаметром 200 мм и толщиной 2 мм, снабженную верхним слоем SiO2 толщиной 1 мкм, с помощью МЭМС-фотолитографии переносили встречно-гребенчатую структуру. Затем поверхность пластины подвергали травлению 30%-ным KOH в течение 15 минут при комнатной температуре. На полученную таким образом пластину, надлежаще снабженную изолирующим экраном, соответствующим выбранному рисунку микроэлектродов, посредством физического осаждения из газовой фазы (ФОГФ) наносили слой титана. Далее, снова с помощью физического осаждения из газовой фазы наносили электрокаталитический слой платины в две стадии: при первом осаждении удерживали главную ось подложки (мишени) наклоненной под углом 45° к горизонтальной плоскости так, чтобы осадить электрокатализатор на первую сторону пальцев, сформированных рисунком на подложке, а на второй стадии удерживали подложку наклоненной под углом 45° к горизонтальной плоскости в противоположном направлении так, чтобы осадить электрокатализатор на вторую сторону сформированных рисунком пальцев. После производственную термообработку микроячейки выполняли в атмосфере аргона при 500°C в течение 1 часа со скоростью спада температуры 5°C/мин. Для этапа термообработки могут быть подходящими другие виды инертных или восстановительных окружающих сред, как то атмосфера водорода. Межэлектродный промежуток в 100 мкм и среднюю шероховатость Ra поверхности электрода в 0,01 мкм определяли с помощью лазерных методов.
В полученной таким методом ячейке, исследуемой в водном растворе KOH c концентрацией 60 млн-1 (миллионных долей), при плотности тока 40 мА/см² и напряжении ячейки 5 В, измеряли выход по току при производстве озона, который составил 5%.
Пример 2
На кремниевой пластине круглой формы диаметром 200 мм и толщиной 2 мм, снабженной верхним слоем SiO2 толщиной 1 мкм, непосредственно на SiO2 выращивали пленку легированного бором алмаза, используя метод активированного микроволнами химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) и лазерное травление, с получением электродов толщиной приблизительно 6 мкм с уровнем легирования бором 6000 млн-1. Межэлектродный промежуток в 86 мкм и среднюю шероховатость Ra поверхности электрода в 0,02 мкм определяли с помощью лазерных методов.
В полученной таким методом ячейке, исследуемой в водном растворе KOH с концентрацией 60 млн-1, при плотности тока 40 мА/см² и напряжении ячейки 5 В, измеряли выход по току при производстве озона, который составил 4%.
Пример 3
Ячейку, описанную в Примере 2, исследовали на электрохимическое производство окислителя и обработку EOD (электрохимическое потребление кислорода), используя раствор метилового оранжевого в водопроводной воде при 5, 10 и 25°C.
125 мл покоящейся водопроводной воды, содержащей 10-5 М метилового оранжевого, обрабатывали в течение 1 часа при 9 кА/м². УФ-поглощение раствора измеряли до и после обработки, регистрируя снижение на 80-85% при трех упомянутых температурах. Кроме величины этого результата, тот факт, что эффективность EOD-обработки не зависит от температуры в таких условиях, является неожиданным и указывает на то, что эта ячейка является производящей не только озон. Эти исследования фактически повторяли, измеряя скорость производства озона, которая, как и ожидалось, была в несколько раз выше при 5°C (примерно 1,2 мг/л против 0,2 мг/л при 25°C). Вышеупомянутые результаты указывают, что в этих условиях ячейкой производятся более активные, чем озон, вещества-окислители, при этом весьма вероятно, что короткоживущие формы кислородных радикалов не обнаруживаются с помощью доступных методов.
Предыдущее описание не предназначено для ограничения изобретения, которое может быть использовано в соответствии с различными вариантами осуществления, не выходя за его рамки, и объем которого ограничен исключительно приложенной формулой изобретения.
Во всем описании и формуле настоящей заявки термин «включать в себя» и его варианты, такие как «включающий в себя» и «включает в себя», не предназначен для исключения присутствия других элементов, компонентов или дополнительных этапов процесса.
Обсуждение документов, действий, материалов, устройств, деталей и подобного включены в техническое описание исключительно с целью обеспечения контекста для настоящего изобретения. Оно не предполагает или не представляет, что любой или все эти вопросы составляли часть основы предшествующего уровня техники или являлись общеизвестным знанием в области, относящейся к настоящему изобретению до даты приоритета каждого пункта данной заявки.

Claims (17)

1. Электролитическая ячейка для выработки неразделенных анодных и катодных продуктов, состоящая из литографически структурируемой подложки, имеющей поверхность, множество анодных и катодных микроэлектродов, сформированных на упомянутой поверхности, причем упомянутые анодные и катодные микроэлектроды взаимно вставлены один в другой с межэлектродным промежутком менее 100 микрометров и имеют среднюю шероховатость Ra поверхности менее 0,05 мкм.
2. Электролитическая ячейка по п. 1, в которой упомянутая средняя шероховатость Ra поверхности составляет менее 0,01 мкм.
3. Электролитическая ячейка по п. 1, в которой по меньшей мере упомянутые анодные микроэлектроды включают в себя внешний слой, состоящий из осажденной в вакууме пленки легированного бором алмаза.
4. Электролитическая ячейка по п. 1, в которой упомянутые микроэлектроды включают в себя внешний слой, выполненный из материала, содержащего по меньшей мере один элемент, выбранный из группы, состоящей из Pt, Pd, Ir, Ru, Rh, Nb и Ti.
5. Электролитическая ячейка по любому из предшествующих пунктов, в которой упомянутая литографически структурируемая подложка выполнена из полупроводникового материала.
6. Электролитическая ячейка по п. 4, включающая в себя промежуточный слой из металлического материала, выбранного из группы, состоящей из Co, Cr, Mo, W, Ni, Ti и их сплавов, расположенный между упомянутым внешним слоем и упомянутой литографически структурируемой подложкой.
7. Электролитическая ячейка по п. 3, в которой упомянутый внешний слой состоит из пленки легированного бором алмаза, содержащей по меньшей мере 5000 млн-1 легирующей примеси бора.
8. Способ изготовления электролитической ячейки, включающий в себя следующие этапы:
- снабжение подложки пальцами методом литографии в соответствии с заранее заданным рисунком;
- нанесение внешнего электродного слоя методом физического или химического осаждения из газовой фазы на упомянутые пальцы для получения анодных и катодных микроэлектродов, которые взаимно вставлены один в другой с межэлектродным промежутком менее 100 микрометров и имеют среднюю шероховатость Ra поверхности менее 0,05 мкм.
9. Способ по п. 8, в котором упомянутый внешний электродный слой включает в себя материал, содержащий по меньшей мере один элемент, выбранный из группы, состоящей из Pt, Pd, Ir, Ru, Rh, Nb и Ti, необязательно с промежуточным слоем металла, выбранного из группы, состоящей из Co, Cr, Mo, W, Ni, Ti и сплавов, нанесенный методом физического или химического осаждения из газовой фазы.
10. Способ по п. 8, в котором упомянутую подложку покрывают слоем SiO2, а упомянутый внешний электродный слой получают, покрывая упомянутую подложку пленкой легированного бором алмаза методом активированного микроволнами химического осаждения из газовой фазы.
11. Способ по любому из пп. 8-10, в котором упомянутый метод литографии является МЭМС-фотолитографией, МЭМС-лазерным травлением или сочетанием этих двух методов.
12. Способ изготовления растворов смешанных окислителей переменного состава, включающий в себя программируемую подачу постоянного электрического тока при переменной плотности тока посредством микропроцессора, встроенного в ячейку по любому из пп. 1-7.
13. Способ по п. 12, в котором упомянутые растворы смешанных окислителей содержат по меньшей мере одно вещество, выбранное из озона, кислородных радикалов, выделяющегося кислорода, пероксидов, гипохлорит-иона и выделяющегося хлора.
14. Способ по п. 12 или 13, в котором в упомянутую ячейку подают водный электролит, загрязненный органическими веществами.
15. Устройство для дозирования стерилизующих, дезинфицирующих или моющих веществ, оборудованное по меньшей мере одной ячейкой по любому из пп. 1-7.
RU2015120786A 2012-11-09 2013-11-08 Электролитическая ячейка, оборудованная микроэлектродами RU2632901C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT001909A ITMI20121909A1 (it) 2012-11-09 2012-11-09 Cella elettrolitica dotata di microelettrodi
ITMI2012A001909 2012-11-09
PCT/EP2013/073356 WO2014072458A1 (en) 2012-11-09 2013-11-08 Electrolytic cell equipped with microelectrodes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015120786A RU2015120786A (ru) 2016-12-27
RU2632901C2 true RU2632901C2 (ru) 2017-10-11

Family

ID=47522793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015120786A RU2632901C2 (ru) 2012-11-09 2013-11-08 Электролитическая ячейка, оборудованная микроэлектродами

Country Status (19)

Country Link
US (2) US11421332B2 (ru)
EP (1) EP2917385B1 (ru)
JP (1) JP6441225B2 (ru)
KR (1) KR102161431B1 (ru)
CN (1) CN104769161B (ru)
AR (1) AR093389A1 (ru)
AU (1) AU2013343480B2 (ru)
BR (1) BR112015010179B1 (ru)
CA (1) CA2885291C (ru)
ES (1) ES2606682T3 (ru)
HK (1) HK1207891A1 (ru)
IL (1) IL237860A (ru)
IT (1) ITMI20121909A1 (ru)
MX (1) MX362479B (ru)
RU (1) RU2632901C2 (ru)
SG (1) SG11201502043XA (ru)
TW (1) TWI595117B (ru)
WO (1) WO2014072458A1 (ru)
ZA (1) ZA201502733B (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3551784A4 (en) 2016-12-09 2020-12-16 Manufacturing Systems Limited APPARATUS AND METHODS FOR MODIFYING A REGULATED ELECTROCHEMICAL SURFACE
SG11202007846PA (en) * 2018-02-28 2020-09-29 Mfg Systems Limited Apparatus and method of catalysis
AU2019385031B2 (en) * 2018-11-19 2022-08-04 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Hydrogen production method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1113427A1 (ru) * 1983-03-02 1984-09-15 Казахский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.С.М.Кирова Способ получени триселенида натри
US20080296173A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Transphorm, Inc. Electrolysis transistor
US20090152109A1 (en) * 2006-03-17 2009-06-18 Andrew John Whitehead Microelectrode array

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3914164A (en) * 1972-08-23 1975-10-21 John W Clark System and process for bacterial reduction of wastes
US5403680A (en) * 1988-08-30 1995-04-04 Osaka Gas Company, Ltd. Photolithographic and electron beam lithographic fabrication of micron and submicron three-dimensional arrays of electronically conductive polymers
KR920003216B1 (en) * 1990-03-03 1992-04-24 Samsung Electronic Apparatus for the production of ozone
DE19506242C2 (de) * 1995-02-23 1998-05-20 Metallgesellschaft Ag Verfahren zur direkten elektrochemischen Oxidation von sulfithaltigen Lösungen, insbesondere Abwässern aus Gasreinigungsanlagen
US6093302A (en) * 1998-01-05 2000-07-25 Combimatrix Corporation Electrochemical solid phase synthesis
JP4116726B2 (ja) 1999-02-04 2008-07-09 ペルメレック電極株式会社 電気化学的処理方法及び装置
KR20060009811A (ko) 2003-05-26 2006-02-01 스미토모덴키고교가부시키가이샤 다이아몬드 피복 전극 및 그의 제조 방법
GB0318215D0 (en) * 2003-08-04 2003-09-03 Element Six Ltd Diamond microelectrodes
JP4877641B2 (ja) 2004-08-31 2012-02-15 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド局所配線電極
KR100923034B1 (ko) * 2005-04-08 2009-10-22 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 소자 및 그 제조 방법
US20070193886A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-23 Ian Acworth Detection methods and devices
CA2547373A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-18 Ozomax Inc. Miniature ozone generator with internal or external power supply for purifiying water
JP5503287B2 (ja) * 2006-09-05 2014-05-28 エレメント シックス リミテッド 固体電極
JP5207529B2 (ja) * 2008-06-30 2013-06-12 クロリンエンジニアズ株式会社 硫酸電解槽及び硫酸電解槽を用いた硫酸リサイクル型洗浄システム
KR100862923B1 (ko) 2008-07-14 2008-10-13 황부성 수소산소 혼합가스 발생시스템
WO2010025547A1 (en) * 2008-09-02 2010-03-11 The Governing Council Of The University Of Toronto Nanostructured microelectrodes and biosensing devices incorporating the same
GB0821810D0 (en) * 2008-11-28 2009-01-07 Nanoflex Ltd Electrode assembly
US9566574B2 (en) * 2010-07-04 2017-02-14 Dioxide Materials, Inc. Catalyst mixtures
GB2479587A (en) * 2010-04-16 2011-10-19 Diamond Detectors Ltd Diamond microelectrode
US9011651B2 (en) * 2010-12-09 2015-04-21 Ut-Battelle, Llc Apparatus and method for the electrolysis of water
US9228972B2 (en) * 2012-02-22 2016-01-05 Advanced Diamond Technologies, Inc. Electroanalytical sensor based on nanocrystalline diamond electrodes and microelectrode arrays

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1113427A1 (ru) * 1983-03-02 1984-09-15 Казахский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.С.М.Кирова Способ получени триселенида натри
US20090152109A1 (en) * 2006-03-17 2009-06-18 Andrew John Whitehead Microelectrode array
US20080296173A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Transphorm, Inc. Electrolysis transistor

Also Published As

Publication number Publication date
ZA201502733B (en) 2016-11-30
CA2885291C (en) 2020-08-25
TWI595117B (zh) 2017-08-11
JP2016502600A (ja) 2016-01-28
KR20150084928A (ko) 2015-07-22
BR112015010179B1 (pt) 2021-06-22
ITMI20121909A1 (it) 2014-05-10
IL237860A (en) 2016-12-29
SG11201502043XA (en) 2015-05-28
AR093389A1 (es) 2015-06-03
ES2606682T3 (es) 2017-03-27
WO2014072458A1 (en) 2014-05-15
AU2013343480A1 (en) 2015-04-09
JP6441225B2 (ja) 2018-12-19
MX362479B (es) 2019-01-18
KR102161431B1 (ko) 2020-10-07
CN104769161B (zh) 2017-05-10
US20220356589A1 (en) 2022-11-10
EP2917385B1 (en) 2016-09-07
TW201418523A (zh) 2014-05-16
MX2015005608A (es) 2015-09-04
EP2917385A1 (en) 2015-09-16
US20150308003A1 (en) 2015-10-29
AU2013343480B2 (en) 2017-07-20
BR112015010179A2 (pt) 2017-07-11
RU2015120786A (ru) 2016-12-27
CA2885291A1 (en) 2014-05-15
HK1207891A1 (en) 2016-02-12
CN104769161A (zh) 2015-07-08
US11421332B2 (en) 2022-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220356589A1 (en) Electrolytic cell equipped with microelectrodes
JP4903405B2 (ja) オゾン水生成方法及びオゾン水生成装置
KR100504412B1 (ko) 전해용전극및당해전극을사용하는전해조
JP5480542B2 (ja) 導電性ダイヤモンド電極並びに導電性ダイヤモンド電極を用いたオゾン生成装置
Chen et al. Influence of a nanoscale gold thin layer on Ti/SnO2-Sb2O5 electrodes
JP5358303B2 (ja) 電解硫酸による洗浄方法及び半導体装置の製造方法
JP4535822B2 (ja) 導電性ダイヤモンド電極及びその製造方法
JPH11333458A (ja) 電解水製造装置
KR20080024988A (ko) 전해용 전극 및 그것을 이용한 전해 방법 및 그것을 이용한전해 장치
TWI453302B (zh) 硫酸電解方法
JP5271345B2 (ja) 導電性ダイヤモンド電極、これを用いた、硫酸電解方法及び硫酸電解装置
JP4782793B2 (ja) 電気化学的酸化のために改善されたcod除去法
JP2010007151A5 (ru)
KR101822465B1 (ko) 수소수 생성을 위한 전극 어셈블리 및 이를 포함하는 휴대용 수소수 제조장치
JP2005272910A (ja) 電解用電極
JP2017051935A (ja) 電解水素水の溶存水素量向上方法
JP2021155776A (ja) 電解装置
JP2020012122A (ja) 電解用電極およびそれを備えた電気機器