KR20150084780A - 처리될 플랫 재료의 처리를 위한 기기 및 방법 - Google Patents

처리될 플랫 재료의 처리를 위한 기기 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 기기 (1) 는 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 가볍게 처리하기 위해 제안된다. 기기 (1) 는 다음 부품들: 처리 액체 (F) 가 욕 레벨 (M) 까지 축적될 수 있는 적어도 하나의 처리 챔버 (20), 적어도 하나의 처리 챔버 (20) 로 처리 액체 (F) 를 공급하기 위한 적어도 하나의 공급 기기 (7), 적어도 하나의 수송 기기 (30) 로서, 상기 수송 기기로 처리될 재료 (B) 가 적어도 하나의 처리 챔버 (20) 를 통하여 욕 레벨 (M) 아래 수송 평면 (E) 에서 수평 위치로 수송될 수 있는, 상기 적어도 하나의 수송 기기 (30), 처리 액체 (F) 를 위한 적어도 하나의 수용 영역 (4), 및 각각의 배출율로 적어도 하나의 처리 챔버 (20) 로부터 상기 적어도 하나의 수용 영역 (4) 으로 처리 액체를 운반하기 위해 상기 처리 액체 (F) 를 위한 적어도 하나의 배출 개구 (41) 를 각각 구비한 적어도 하나의 배출 기기 (40) 를 갖는다. 적어도 하나의 배출 기기 (40) 는 각각 적어도 하나의 조정 시스템 (43) 을 가지고, 상기 조정 시스템으로 적어도 하나의 배출 개구 (41) 를 통하여 처리 액체 (F) 의 배출율이 조절가능하다.

Description

처리될 플랫 재료의 처리를 위한 기기 및 방법{DEVICE AND METHOD FOR THE TREATMENT OF FLAT MATERIAL TO BE TREATED}
본 발명은, 처리 액체로, 처리될 플랫 재료, 특히 도체 포일들과 같은 낮은 고유 강성을 가지는 판재를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 및 방법에 관한 것이다.
처리될 플랫 재료의 처리를 위해, 예를 들어 금속화 또는 습식 화학적 세정과 같은 습식 화학적 처리를 위해, 처리될 재료는 처리 기기를 통하여 수송 기기에 의해 수송되고 처리 액체와 접촉하게 된다. 이 문맥에서 수송은, 서로 이격되어 있고, 각각 서로 대향하는 여러 수송 롤러들 또는 수송 휠들에 의해 부분적으로 수행되고, 처리될 재료는 그 사이에서 처리 기기에 의해 수송된다. 이 프로세스에서, 처리 액체는 처리될 재료의 표면으로 공급된다. 처리될 재료는, 예를 들어, 수평 위치에서 유지되고 처리 기기를 통하여 연속적으로 수송된다. 이 목적을 위해 사용된 기기들은, 예를 들어, DE 32 36 545 A1, DE 36 24 481 A1 및 DE 196 33 796 A1 에서 기재된다.
처리에 대해, 처리 중 처리 액체가 이동되는 것이 종종 유리하다. 결과적으로, 예를 들어, 습식 화학적 방법에 대해, 충분한 액체 교환과 재료 교환은 각각 처리될 표면, 특히 또한 처리될 재료의 작은 홀들에서 달성된다. 마찬가지로, 처리될 재료의 표면에 존재하는 오염은 세정 프로세스들 중 보다 용이하고 보다 효과적으로 제거될 수 있다. 액체 운동을 발생시키기 위해, 예를 들어, 노즐들이 사용되고, 이 노즐들을 이용해 표면들이 처리 액체로 스트리밍 (stream) 될 수 있다. 노즐 개구들은, 예를 들어, 욕 레벨 아래에 배치될 수 있다 (DE 32 36 545 A1).
하지만, 액체의 운동은, 낮은 고유 강성을 가지는 처리될 재료, 예를 들어 다른 것들 중에서 포일들의 처리를 위해, 처리될 재료가 처리 기기를 통한 수송 중 변형될 수 있어서 그것이 수송 장비, 예를 들어 수송 롤러들 또는 수송 휠들의 영역에서 끼이게 되는 단점을 갖는다. 결과적으로, 처리될 재료는 손상될 수도 있다. 게다가, 처리 기기를 통한 재료 유동은 이러한 고장에 의해 중단된다.
따라서, 본 발명의 목적은 균일하지만 그럼에도 불구하고 전술한 고장을 일으키지 않으면서 처리될 재료에 대한 처리 액체의 효과적인 작용이 달성되는 수단을 찾는 것이다. 처리 기기는 세정 프로세스들에 대해서뿐만 아니라 습식 화학적 프로세스들에 대해서도 최상의 결과로 사용가능해야 한다. 특히, 목적은, 처리될 재료가 가능한 처리 기기를 통하여 안전하게 변형 및 손상 없이 수송될 수 있도록, 특히 처리 중 그리고 처리될 재료를 수송하는 동안, 처리 기기 내에서 처리될 재료의 위치가 안정화되도록 처리될 재료에 대한 처리 액체의 작용 균일성을 보장하는 것으로 구성된다.
용어 "처리될 플랫 재료" 가 상세한 설명과 청구항에서 사용되는 한, 가장 다양한 적용 분야를 위한 금속 포일들 또는 플라스틱 포일들, 특히 인쇄 회로 보드 기술을 위한 도체 포일들과 같은, 낮은 고유 강성을 가지는 재료들을 특히 의미한다. 더욱이, 그것은 또한 회로 보드들과 같은 회로 캐리어들, 태양 광전지들과 같은 광전지들, 및 스크린 패널들의 제조에 사용되는 보다 높은 고유 강성을 가지는 플랫 재료, 예로 회로 보드들, 반도체 웨이퍼들, 유리 판들을 지정한다. 필름형 재료는 밴드나 테이프의 형태로 또는 개별 가공물들의 형태로 이용가능할 수 있다.
하기에서, 보다 읽기 쉽도록, 용어 "적어도 하나" 는 상세한 설명에서 주로 삼가될 것이다. 하지만, 달리 명확히 명시되지 않는 한, 언급한 기기 부품들의 복수 개가 또한 일반적으로 포함된다.
전술한 목적들은 처리될 플랫 재료의 화학적 또는 전해적 처리를 위한 본 발명에 따른 기기 및 본 발명에 따른 방법에 의해 해결된다.
제 1 양태에 따르면, 본 발명은 본 발명에 따른 기기에 관한 것이다. 이 기기는 적어도 다음 부품들을 포함한다:
- 처리 액체가 미리 정해진 욕 레벨까지 축적될 수 있는 적어도 하나의 처리 챔버;
- 상기 적어도 하나의 처리 챔버로 처리 액체를 공급하기 위한 적어도 하나의 공급 기기;
- 적어도 하나의 수송 기기로서, 상기 수송 기기로 상기 처리될 재료는 상기 적어도 하나의 처리 챔버를 통하여 상기 욕 레벨 아래 수송 평면에서 수평 위치로 수송될 수 있는, 상기 적어도 하나의 수송 기기;
- 상기 처리 액체를 수용하기 위한 적어도 하나의 수용 영역; 및
- 각각, 각각의 배출율로 상기 적어도 하나의 처리 챔버로부터 상기 적어도 하나의 수용 영역으로 상기 처리 액체를 운반하기 위해 상기 처리 액체를 위한 적어도 하나의 배출 개구 뿐만 아니라 적어도 하나의 조정 시스템을 각각 구비한 적어도 하나의 배출 기기.
적어도 하나의 배출 개구 (또한 유출 개구) 를 통한 처리 액체의 각각의 배출율은 조정 시스템에 의해 조절/조정될 수 있다.
제 2 양태에 따르면, 본 발명은 처리 액체로 처리될 플랫 재료를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 방법은 특히 처리될 플랫 재료의 처리를 위한 본 발명에 따른 기기로 수행될 수 있다. 본 방법은 적어도 다음 방법 단계들을 포함한다:
- 적어도 하나의 공급 기기에 의하여 처리 챔버로 처리 액체를 공급하는 단계;
- 상기 처리 챔버로부터, 적어도 하나의 수용 영역으로, 각각, 배출 기기의 적어도 하나의 배출 개구를 통하여, 각각의 배출율로 상기 처리 액체를 배출하는 단계;
- 상기 처리 챔버를 통하여 수송 평면 내 수평 위치에서 적어도 하나의 수송 기기에 의하여 상기 처리될 재료를 수송하는 단계로서, 상기 처리될 재료는 상기 처리 챔버에서 상기 처리 액체의 욕 레벨 아래로 수송되는, 상기 처리될 재료를 수송하는 단계; 및
- 조정 시스템에 의하여 상기 처리 챔버로부터 상기 처리 액체의 각각의 배출율을 조절하는 단계.
특히, 본 발명에 따른 기기는, 처리될 플랫 재료가 처리 액체로 처리하는 동안 그리고 처리 기기를 통하여 수송하는 동안 수평 위치로부터 가능한 한 적게 편향되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 기기의 형성 및 본 발명에 따른 프로세스 방안을 통하여, 특히 또한 처리될 재료의 모서리들 및 가장자리들은, 실제로, 처리될 재료로 공급되고 처리 챔버로부터 배출된 처리 액체에 의해 수평 위치로부터 편향되지 않는다. 이것은 처리 기기를 통하여 처리될 재료의 문제없는 수송을 이끈다. 처리될 재료는, 처리될 재료의 끼임 또는 손상 없이, 수송 기기를 통하여 정확한 위치에 안내될 수 있다.
처리될 재료는 처리 챔버를 통하여 수송 평면에서 운반 및 안내된다. 수송 평면은 바람직하게 수평 평면에서 연장된다. 수송 방향은 또한 수평이다. 원칙적으로, 수송 평면에 대해 다른 배향들이 물론 또한 가능하다. 수송 기기는, 바람직하게, 처리 챔버에 위치되고 처리될 재료의 수송 방향에 대해 횡방향으로 연장되는, 샤프트들에 고정된 피동 롤러들 또는 휠들에 의해 형성된다. 처리될 재료가 롤러들 또는 기어 휠 샤프트들 사이를 통하여 안내되고 트랙션 (traction) 을 통해 상부 롤러 또는 상부 휠들의 압력에 의해 전방으로 구동되도록 2 개의 롤러들 또는 기어 휠 샤프트들은 각각 상하로 배치된다. 복수의 롤러 쌍들 또는 기어 휠 샤프트 쌍들은 바람직하게 수송 방향으로 전후로 배치된다. 2 개의 롤러 쌍들 또는 기어 휠 샤프트 쌍들 사이에, 공급 기기들이 각각 배치될 수 있다.
바람직하게 처리 챔버 아래에 배치된 수용 영역은, 바람직하게, 처리 액체를 위한 저장 컨테이너에 형성된다. 처리 챔버로부터 배출 기기를 통하여 수용 영역으로 이동된 처리 액체는 또한 수용 영역으로부터 공급 기기에 의해 처리 챔버로 다시 운반될 수 있다. 소비된 처리 액체를 보충하기 위해서, 화학약품은 적합한 설비에 의해 저장 컨테이너로 공급될 수 있다.
처리 액체를 위한 적어도 하나의 공급 기기는 바람직하게 처리될 재료의 표면(들)에 대향하여 배치되어서, 이 표면들은 처리 챔버로 처리 액체의 공급 중 액체에 의해 스트리밍된다. 이 목적을 위해, 적어도 하나의 공급 기기는 바람직하게 처리될 재료를 위한 스트리밍 설비로서 형성된다. 처리될 재료의 단측 처리를 위해, 적어도 하나의 공급 기기는, 처리될 재료를 위한 수송 평면 측, 즉 이동하는 처리될 재료 위 또는 아래에 배치된다. 양측 처리를 위해, 공급 기기들이 수송 평면의 양측에 배치된다. 적어도 하나의 공급 기기는, 바람직하게, 적어도 하나의 노즐 (스플래시 노즐, 분무 노즐 등) 을 각각 갖는다.
공급된 처리 액체가 처리 액체의 욕 레벨 아래에서 처리 챔버로 스트리밍되도록 공급 기기는 바람직하게 처리될 재료에 배치된다. 게다가, 액체가 처리될 재료의 표면(들)에 직접 운반될 때 유리하다. 욕 레벨 아래에서 유동을 통하여, 처리될 재료로 처리 액체의 균일하고 계량된 공급이 달성되고 처리 액체에 공기와 산소 각각의 임의의 원치 않는 부가적 진입이 회피된다.
배출 기기는, 처리 챔버로부터 수용 영역으로 처리 액체를 배출시키는 역할을 하는 요소들을 포함한다. 그러므로, 배출 기기는 적어도 배출 개구 및 배출 덕트에 의해 형성된다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 적어도 하나의 배출 기기는, 각각, 적어도 하나의 배출 라인 (특히 유출 라인) 을 포함하고, 이 배출 라인은 특히 배출 덕트 (특히 유출 덕트) 를 포함한다. 배출 라인은 예를 들어 튜브, 호스 등으로 형상화될 수 있다. 배출 라인의 배출 덕트는 배출 개구에 직접적으로 또는 간접적으로 연결되고 배출될 액체를 수용 영역으로 안내하도록 형성된다. 이를 위해, 배출 덕트는 직접 수용 영역으로 배출할 수 있다.
본 발명에 따르면, 각각의 배출율을 설정하기 위한 적어도 하나의 조정 시스템 각각의 조정 요소는, 적어도 하나의 배출 라인 상 및/또는 내, 특히 배출 덕트 상 및/또는 내, 즉 배출 덕트의 임의의 위치에, 또는 유동 방향으로 배출 개구 앞, 내부 또는 뒤에 배치된다.
조정 시스템은 조정 요소, 구동부 및 제어 기기를 포함한다. 조정 요소, 예를 들어 밸브, 베인 또는 플랩은 배출될 처리 액체에 작용한다. 구동부, 예를 들어 모터는, 조정 요소를 조절하기 위해서 조정 요소에 작용력 (force) 으로 작용한다. 제어 기기, 예를 들어 전자 컴퓨터는, 이 목적을 위해 조정 요소가 이동하여서 구동부를 조정하는 방법을 규정한다. 특히 바람직하게, 각각의 조정 시스템들은 다음 2 가지 조정 요소들, 즉 펌프 및/또는 배출 덕트의 단면을 변경하는 요소 중 적어도 하나를 갖는다. 이 조정 요소들은 개별적으로 또는 서로 조합하여 제공될 수 있다. 조정 시스템은, 단위 시간당 처리 챔버로부터 배출된 처리 액체의 부피인 처리 액체의 배출율을 미리 정해진 값으로 설정하는 역할을 한다. 조정 시스템에 의해, 특히 처리 챔버에서 일정한 욕 레벨을 발생시키도록 배출 개구를 통한 액체 유동이 조정될 것이다. 욕 레벨을 조정하기 위해, 처리 챔버에 제공된 적어도 하나의 레벨 센서는 조정 시스템에 작용할 수 있다.
조정 요소들은 특히 베인들, 플랩들, 밸브들 등이다. 이 조정 요소들은, 처리 액체의 유량을 조정하도록 배출 덕트 또는 배출 개구의 단면을 변경한다. 이 조정 요소들은, 배출 덕트 내에, 특히 배출 덕트의 단부들 중 하나에, 바람직하게 배치된다. 예를 들어, 조정 요소는 배출 개구 상에 또는 내에 직접 배치될 수 있다. 펌프는 또한 예를 들어 배출 라인에서 조정 요소로서 배치될 수 있다. 배출율은 배출 개구 또는 배출 덕트의 단면을 변경함으로써 설정될 수 있다. 조정 요소에 의하여, 배출 개구 또는 배출 덕트의 큰 단면을 설정할 때 높은 배출율이 달성되고, 작은 단면을 설정할 때 낮은 배출율이 달성된다.
배출 라인과 배출 덕트 각각의 단면을 변경하는 조정 요소와 달리, 펌프는 처리 챔버 및 수용 영역 내 액체의 높이 레벨에 독립적으로 처리 액체의 배출율을 각각 제어 및 조정할 수 있고, 이것은 배출될 처리 유체에 작용하고 처리 액체에 대해 운반율을 설정함으로써 처리 챔버로부터 처리 챔버 아래에 배치된 수용 영역으로 처리 액체의 이송을 촉진한다.
본 발명의 추가 바람직한 실시형태에서, 발명에 따른 기기는 적어도 2 개, 예를 들어 2 개, 3 개, 4 개 또는 심지어 더 많은 배출 기기들을 갖는다. 이 경우에, 적어도 2 개의 배출 기기들을 통하여 처리 챔버로부터 적어도 하나의 수용 영역으로 각각의 배출율은 단일 조정 시스템에 의해 예를 들어 동시에 공동으로 (jointly) 조절가능하다. 이것은 각각의 배출 기기들에 조정 시스템의 전술한 조정 요소들 중 적어도 하나가 부여되도록 달성될 수 있고, 이 요소들은 구동부에 의해 공동으로 작동된다. 조정 요소들로서 매우 특히 바람직한 것은 베인들, 플랩들 및/또는 밸브들이고, 이들은 서로 연결된 구동부들을 통하여 또는 하나의 구동부를 통하여 작동되는 서로 연결된 베인들, 플랩들 및/또는 밸브들을 통하여 공동으로 작동될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 배출율을 각각 제어 및 조정하기 위해서 이웃한 유출 덕트들 또는 배출 개구들의 단면들이 동시에 변경될 수 있다.
본 발명의 추가 바람직한 실시형태에서, 적어도 하나의 조정 시스템은 각각 구동부, 예를 들어 모터를 가지고, 이것은 적어도 하나의 조정 요소로부터, 특히 배출 덕트의 단면을 변경하는 적어도 하나의 요소로부터 공간적으로 분리되어 배치된다. 예를 들어, 배출 덕트의 단면을 변경하는 요소는 처리 챔버 또는 배출 챔버 또는 수용 영역에 배치될 수 있고, 구동부는 이 룸 (room) 외부에, 특히 액체 또는 증기를 가지지 않는 룸에 위치된다. 이것은 한편으로는 대응하여 설치된 구동부가 배출 덕트의 단면을 변경하는 여러 요소들을 위해 사용될 수 있어서, 또한 배출 덕트들의 단면들의 공동 설정이 단순화된다는 장점을 가지고 있다. 게다가, 구동부의 유지보수뿐만 아니라 실링, 조립 및 통합을 위해 낮은 비용이 발생되므로, 처리 기기의 설계가 또한 단순화된다.
본 발명의 추가 바람직한 실시형태에서, 적어도 하나의 배출 기기/배출 덕트는, 거기에서 이용가능한 처리 액체에 의해 형성된 액체 레벨 아래 적어도 하나의 수용 영역에서 끝난다. 예를 들어, 배출 기기의 배출 라인은 수용 영역에 위치된 처리 유체로 침지된다. 이것은, 액체가 떨어짐으로써 처리 액체로 바람직하지 못한 공기 및 산소 각각의 진입을 막는다. 이 진입은 처리 액체의 구성성분이 불리하게도 변화되도록 하고, 예를 들어 분해되도록 할 것이다. 수용 영역은 한편으로는 배출 기기를 통하여 배출된 처리 액체를 수집하는 역할을 하고, 다른 한편으로는, 또한 처리 챔버를 구획하는 측벽들에 형성된 오버플로우 홀들을 통하여 유출되거나 이 측벽들을 통하여 아래로 유동하는 처리 액체를 수집하는 역할을 한다. 오버플로우 홀들은 처리 챔버 내 처리 액체의 욕 레벨 위에 배치된다.
처리 챔버는 바람직하게 적어도 하나의 바닥벽 및 서로 대향하여 세워진 본질적으로 서로 평행하게 배치된 측벽들에 의해 형성되고, 상기 측벽들은 바닥벽에서 수직으로 배치되고, 따라서, 바닥벽을 향하여 누설 방지되게 처리 챔버를 폐쇄한다.
본 발명의 추가 바람직한 실시형태에서, 적어도 하나의 스크린 기기가 처리 챔버와 적어도 하나의 배출 개구 사이에 배치된다. 더욱이, 배출 챔버는 각각 적어도 하나의 스크린 기기와 적어도 하나의 배출 개구 사이에 바람직하게 형성된다. 특정 실시형태에서, 처리 챔버의 스크린 기기 및 따라서 여러 배출 기기들의 복수의 배출 개구들이 제공되는 경우에, 스크린 기기와 복수의 배출 개구들 사이에 배치되는 단일 배출 챔버가 제공될 수 있다. 통로 개구들은 스크린 기기에 형성되고 또는 스크린 기기는 그것과 처리 챔버의 인접한 벽 사이에 통로를 남긴다. 처리 액체는 처리 챔버로부터 통로 개구들을 통하여 배출 챔버로 그리고 거기에서부터 배출 개구(들)를 통하여 배출 기기(들)의 배출 덕트(들)로 이동한다. 따라서, 처리 액체는 처리 챔버로부터 스크린 기기의 적어도 하나의 통로 개구를 통하여 또는 스크린 기기와 처리 챔버를 구획하는 벽들 사이에 배치된 통로 개구를 통하여 배출 챔버로 이동한다.
본 발명의 유리한 설계에서, 적어도 하나의 통로 개구는 처리 챔버에서 욕 레벨 아래에 배치된다. 이것은, 공기가 이 개구들을 통과하여서 배출 개구 및 배출 덕트로 이동하는 것을 방지한다.
스크린 기기 및 배출 챔버에 의하여, 특히 처리 액체의 유동은 처리 챔버에서 영향을 받는다. 본 발명에 따른 기기의 이 부품들은 처리 챔버로부터 처리 액체의 대체로 균일한 유출을 허용한다. 이것은 또한 처리될 재료가 그것의 평면 위치로부터 편향되는 경향을 감소시키거나 방지한다. 따라서, 이 부품들은 유출 처리 액체 내에서 불규칙 유동을 방지하도록 허용하여서, 처리 챔버에서 계속 평면 위치로 처리될 재료의 가이딩이 보장될 수 있다. 특히, 처리될 재료에 대한 일시적으로 가변적인 따라서 불규칙적인 흡입 효과가 회피될 수 있다.
본 발명의 제 1 설계 변형예에서, 스크린 기기는 바람직하게 수직으로 배치될 수도 있다. 그것은 스크린 기기를 통하여 처리 액체를 통과시키고 배출 챔버로 진입시키기 위해 적어도 하나의 통로 개구를 갖는다. 통로 개구(들)는 바람직하게 대략 수송 평면의 높이 레벨에 배치되고 특히 바람직하게 처리될 재료가 안내되는 운반 경로에 인접하여 측방으로, 즉 처리 챔버에서 처리 액체의 욕 레벨 아래에 배치된다. 통로 개구(들)의 이런 배치로 인해, 통과하는 처리될 재료로부터 통로 개구들을 향한 처리 액체의 크로스 플로우 (cross flow) 가 달성된다. 이 크로스 플로우는 수송 평면 (= 처리될 재료를 위한 평면) 에 실제로 평행하게 움직인다. 이것은 또한 처리 챔버 내 처리 액체의 유동이 수송 평면에 수직인 유동 성분들을 가지는 것을 방지한다. 또는, 적어도, 이러한 유동 성분들의 비율이 감소된다. 이것은 또한 수송 평면으로부터 처리될 재료의 편향을 방지한다. 스크린 기기는, 예를 들어, 복수의 통로 개구들을 가지는 홀 벽에 의해 실현될 수 있다. 홀 벽은 처리 챔버를 규정하는 측벽들 중 하나에 의해 형성될 수 있다.
바람직하게, 스크린 기기에 대해 예를 들어 격자 형상으로 큰 표면적에 분배되는 복수의 통로 개구들이 이용가능하다. 이 표면적은, 바람직하게, 처리될 재료가 처리 챔버를 통하여 커버하는 본질적으로 전체 거리에 대해 연장된다. 그리하여, 처리 챔버에서 액체 유동은 큰 룸 영역을 통하여 분배되어서, 이 룸 영역에서 유속은 낮아지고, 그리하여 처리될 재료의 바람직하지 못한 편향을 억제한다.
처리 챔버에서, 처리될 재료를 위한 수송 평면의 근방에서 처리 액체의 유동을 유지하는 역할을 하는 부가적 액체 가이드 요소들이 또한 제공될 수 있다. 이 목적을 위해, 이 요소들은 바람직하게 이 룸 영역에, 즉 바람직하게 처리될 재료가 수송되는 운반 경로와 스크린 기기에서 통로 개구들 사이에 배치된다. 처리될 재료로부터 이격되게 유동한 액체가 통로 개구들을 향해 직접 안내되도록 액체 가이드 요소들은, 예를 들어, 처리 챔버에 배치되는 V 형상의 강판들일 수 있다.
전술한 제 1 설계 변형예의 바람직한 실시형태에서, 적어도 2 개의 스크린 기기들이 제공될 수 있고, 그 중 하나는, 각각, 처리 챔버를 구획하는 본질적으로 대향한 평행 측벽들에서 운반 경로의 양측 중 하나에 배치된다. 각각의 스크린 기기 너머, 배출 챔버 각각과 적어도 하나의 배출 개구 각각은 이 경우에 각각의 스크린 기기 바로 옆에 배치된다.
제 2 설계 변형예에서, 적어도 하나의 스크린 기기는 각각 처리 챔버의 바닥벽을 적어도 부분적으로 형성한다. 예를 들어, 그것은 배출 챔버의 하부벽 구역에 본질적으로 평행하게 연장될 수 있다. 이 설계 변형예에서, 배출 챔버는 스크린 기기 아래에 위치된다. 예를 들어, 컨테이너에서 바닥 가까운 공간의 적어도 일부가 스크린 기기에 의해 컨테이너에서 그 위에 위치된 나머지 공간으로부터 분리되어서, 배출 챔버를 형성하고, 나머지 공간은 스크린 기기 위에 처리 챔버를 형성하도록 배출 챔버가 컨테이너의 바닥 영역에 형성될 수 있다. 바람직하게, 스크린 기기는 배출 챔버의 하부벽 구역 위에 배치되고 배출 챔버를 형성하도록 이 하부벽 구역으로부터 이격되어 있다. 스크린 기기는 수평 방향으로 연장된다. 처리 액체가 처리 챔버에서 배출 챔버로 이동할 수 있는 처리 액체를 위한 원주방향 통로 개구는 스크린 기기와 유출 챔버의 하부벽 구역 사이에 위치된다. 바람직하게, 스크린 기기는, 처리될 재료가 운반되는 운반 경로 아래에 본질적으로 위치된다.
전술한 제 2 설계 변형예의 바람직한 실시형태에서, 적어도 하나의 스크린 기기는, 각각, 배수판에 의해 형성될 수 있다. 적어도 하나의 배수판은, 바람직하게, 예를 들어 폴딩 가장자리로서 형상화된 각각의 배출 챔버의 하부벽 구역을 향하는 각각 적어도 하나의 가이드 요소로 형성된다. 이것은 하부벽 구역과 가이드 요소 사이에 원주방향 통로 개구를 형성한다. 적어도 하나의 가이드 요소와 배출 챔버의 하부벽 구역 사이 통로 거리는, 이 경우에, 가이드 요소의 폭에 의해 감소된다. 가이드 요소는 통로 개구의 단면을 감소시킨다.
이런 제 2 설계 변형예의 추가 바람직한 실시형태에서, 통로 거리는, 배출 개구로부터 더 멀리 있는 적어도 하나의 가이드 요소의 다른 위치들에서보다, 배출 개구에 인접한 적어도 하나의 가이드 요소의 위치들에서 더 작을 수 있다. 따라서, 원주방향 통로 개구의 단면 크기는 배출 개구(들)에 대한 위치에 의존하고: 배출 개구까지 이 위치의 거리가 더 짧을수록 통로 거리는 더 짧고, 거리가 길수록 통로 거리는 더 길다. 이 실시형태를 통하여, 처리 액체의 일부가 배출 개구까지 짧은 경로를 주행해야 하는지 긴 경로를 주행해야 하는지에 관계없이, 유출되는 처리 액체에서 형성되는 유동 벡터들이, 처리 챔버로부터 배출 챔버까지 천이부의 모든 위치들에서, 바람직하게 동일하거나 거의 동일한 양을 가지도록 처리 액체의 배출 유동은 균일하다. 위치-가변 평균 거리로 인해, 배출된 처리 액체의 수직 유동 성분들은 처리 챔버에서 다양한 방식으로 균질화된다. 이것은 또한 처리될 재료에 대한 유출되는 처리 액체의 불규칙적 흡입 효과를 방지한다. 가이드 요소의 적합한 설계에 의하여, 따라서, 특히 단부들 및 가장자리들에서, 처리될 재료의 벤딩을 간단한 방법으로 감소시키거나 방지할 수 있다.
처리될 플랫 재료의 처리를 위한 본 발명에 따른 기기에서, 설명한 스크린 기기들은, 두 가지 설계 변형예들에 따라, 개별적으로 또는 조합하여, 각각, 사용될 수 있다.
전기화학적 처리를 위해, 본 발명에 따른 기기는 다음과 같은 부품들, 즉 적어도 하나의 상대 전극, 처리될 재료로 전류를 공급하기 위한 적어도 하나의 기기, 및 적어도 하나의 전력 공급부를 추가로 갖는다. 상대 전극은 전기화학적 금속 증착 (deposit) 의 경우에 애노드이고, 전기화학적 에칭 또는 애노다이징 프로세스의 경우에 캐소드이다. 바람직하게, 애노드는 처리 조건 하에 불활성인 재료로 만들어지고, 예를 들어 티타늄으로 만들어진 불활성 재료로서 이 조건 하에 거동하는, 예를 들어 귀금속 또는 귀금속이나 혼합 산화물로 코팅된 재료로 만들어진다. 혼합 산화물은, 예를 들어, 이리듐 혼합 산화물일 수 있다. 애노드는 팽창된 메쉬 재료의 형태로 제공될 수 있다. 대안적으로, 후에 특정한 컨테이너들 안에 있고 처리 중 용해되는, 증착될 금속이 또한 재료로서 사용될 수도 있다. 재료로 전류를 공급하기 위한 기기는, 처리 챔버를 통하여 수송하는 동안, 처리될 재료를 동반 및/또는 안내 및/또는 운반하는 클램프들 또는 다른 그리핑 요소들의 형태로 제공될 수 있다. 처리될 재료가 수송 경로의 일측에서만 그리핑될 때, 수송 경로의 타측 및 대향측에 각각 적어도 하나의 유출 기기를 제공하는 것이 유리할 수 있다. 대안적으로, 고정 휠들, 롤러들 등이 또한 가능하다. 전력 공급부는 종래의 방식으로 제조되고 DC 전류/전압 또는 펄스 전류/전압 (단극, 이극) 을 전달한다.
더욱이, 기기는, 공기 주입 시스템, 가열기, 여과 기기들, 펌프들, 물리적 및 화학적 파라미터들 등을 위한, 예를 들어 처리 액체의 온도, 욕 레벨 및 액체 레벨을 위한 센서들과 같은 추가 집합체들 (aggregates) 을 가질 수도 있다. 이러한 센서들은 처리 영역에서 욕 레벨을 조정하는데 사용될 수 있다.
예시적 실시형태들은 이하 첨부 도면들을 참조하여 설명된다.
도 1 은 처리 챔버를 규정하는 하나의 측벽에 스크린 기기를 포함하는 단면도로 처리될 재료의 처리를 위한 본 발명에 따른 기기의 개략도를 나타낸다 (제 1 설계 변형예, 제 1 실시형태).
도 2 는 좌측에서 본 사시도로 제 1 설계 변형예의 단면에서 본 발명에 따른 기기의 개략도를 나타낸다 (제 2 실시형태).
도 3 은 우측에서 본 사시도로 제 1 설계 변형예의 단면에서 본 발명에 따른 기기의 개략도를 나타낸다 (제 3 실시형태).
도 4a 및 도 4b 는 전방에서 비스듬히 본 사시도로 제 2 설계 변형예의 본 발명에 따른 기기의 개략도들을 나타내고, 도 4a 는 제 1 실시형태이고 도 4b 는 제 2 실시형태이다.
도 5a, 도 5b 및 도 5c 는 제 1 실시형태의 단면도에서 제 2 설계 변형예의 본 발명에 따른 기기의 개략도를 나타내고, 도 5a 는 수송 방향에 수직인 이미지 평면이고, 도 5b 는 수송 방향에 평행한 이미지 평면이고, 도 5c 는 도 5b 의 상세도이다.
도 6 은 전방에서 비스듬히 본 사시도로 제 2 설계 변형예의 본 발명에 따른 기기의 개략도를 나타내고, 제 3 실시형태이다.
도면들에서, 동일한 도면 부호들은 동일한 기능을 가지는 요소들 및/또는 동일한 요소들을 지정하고 지칭한다.
도 1 은 제 1 설계 변형예에서 처리될 필름형 재료 (B) 의 처리를 위한 본 발명에 따른 기기 (1) 를 나타낸다. 이 기기, 소위 플레이터 (plater) 는 습식 화학 전기화학적 처리 역할을 하고, 금속은 처리될 재료의 표면에 전기화학적으로 증착된다. 처리 챔버 (20) 의 구획화를 위해, 이 기기는 처리될 재료의 수송 방향에 평행하게 연장되는 측들에 배치되는 측벽들 (21) 뿐만 아니라 처리 챔버를 구획하는 바닥벽 (22) 을 갖는다. 더욱이, 처리 챔버는, 처리될 재료를 옮기기 위한 슬롯들을 가지는, 추가 측벽들에 의해 수송 방향에 대해 횡방향으로 폐쇄된다. 처리 액체 (F) 유출을 막도록 처리 챔버를 실링하기 위해서, 쌍을 이룬 스퀴즈 롤러들이 이 슬롯들에 배치되고, 처리될 재료가 각각 처리 챔버 안으로 운반되거나 처리 챔버 밖으로 운반될 때 롤러들 사이로 안내된다 (미도시).
도 1 은 단면도에서 수평 정렬되는 처리 챔버 (20) 에 위치되어 처리되는 재료 (B), 예를 들어 필름을 나타내고, 수송 평면 (E) 은 수송 방향을 따라 처리 챔버 (20) 에서 수송 방향으로 연장된다. 처리될 재료는 이미지 평면에 수직인 수송 방향으로, 예를 들어, 관찰자 (viewer) 로부터 멀어지게 운반된다. 이 목적을 위해, 처리될 재료는 서로에 대해 임의의 거리로 샤프트들에 장착되는 휠들 (31) 에 의해 운반되고 (미도시), 상기 샤프트들은 수송 방향에 대해 횡방향으로 연장된다. 수송 기기들 (30) 의 부품들인 이 수송 수단은 구동될 수 있고 여기에 나타낸 이미지 평면에 대해 시프팅된다. 처리될 재료의 가장자리들에서 작용하는 휠들 (31) 은 단지 예시로 나타나 있다. 나타낸 휠들 사이에, 추가 휠들이 배치되고, 이것은 서로 이격된 위치들에서 전체 폭에 걸쳐 처리될 재료를 전방으로 접촉하여 그것을 자체 추진을 통하여 전방으로 구동한다.
더욱이, 분해 가공된 (broken-worked) 애노드들 (35) 은 처리될 재료 (B) 위와 아래에 배치된다. 애노드들은 전류 공급부 (미도시) 와 연결된다. 처리될 재료 (B) 는 접촉 클램프들 (36) 을 통하여 전기 접촉하고, 이 클램프들 중 하나는 처리될 재료의 우측 가장자리에서 그리핑된 상태로 나타나 있다. 많은 이러한 클램프들이 수송 방향으로 전후로 배치되고 트럼 (trum; 미도시) 에 의해 구동된다. 클램프들은 차례로 전력 공급부 (역시 미도시됨) 와 연결된다.
애노드들 (35) 너머 수송 평면 (E) 으로부터 보았을 때, 노즐들 (9) 을 가지는 공급 기기들 (7) 은 처리될 재료 (B) 위와 아래에 위치된다. 공급 기기들은 상단 및 바닥 도수로들 (pen stocks) 에 의해 형성되고, 이 도수로들은 양측의 노즐들을 통하여 처리될 재료의 표면들까지 처리 액체 (F) 를 운반한다. 방해없이 처리 액체를 표면들로 이동시킬 수 있도록, 간극들이 애노드들 (35) 에 위치되고, 이 간극들을 통하여 노즐 제트들이 방해받지 않고 통과할 수 있다.
노즐들 (9) 및 나머지 전술한 부품들은 처리 챔버 (20) 에서 욕 레벨 (M) 아래에 배치된다. 이 목적을 위해, 처리 액체 (F) 는 처리 챔버 내에 가두어져 있다. 처리 챔버는, 이 목적을 위해, 측벽들 (21) 에 의해 측방으로 구획되고 도시되지 않은 전방벽들뿐만 아니라 바닥벽 (22) 에 의해 하방으로 구획된다. 처리 챔버로 처리 액체의 공급은, 유출되는 액체가 미리 정해진 욕 레벨을 충족시키도록 연속적으로 공급되도록 한다.
처리 챔버 (20) 를 형성하는 좌측벽 (21) 은, 측방으로 처리될 재료 (B) 옆에, 수송 평면 (E) 의 높이에서 통로 개구들 (62) 을 가지는 스크린 기기 (60) 를 나타낸다. 도 1 에서는, 단 하나의 이러한 통로 개구가 나타나 있다. 이 경우에, 여러 개의 통로 개구들이 스크린 기기 (60) 에서 일렬로 전후로 위치된다. 여러 개의 열들이 또한 존재할 수도 있고, 이를 위해 도 3 이 참조되고, 도 3 에서는, 처리 챔버 (20) 에서 본 스크린 기기가 여러 열들로 복수의 통로 개구들을 가지고 나타나 있다. 도 3 의 실시형태에 따르면, 통로 개구들이 또한 그룹으로 배치될 수도 있다. 복수의 통로 개구들을 갖는 스크린 기기는 홀 벽을 형성한다. 기기의 작동 중 처리 챔버에서 욕 레벨 (M) 은 통로 개구들 (62) 위에 그려진다 (도 3).
배출 챔버/유출 챔버 (61) 는 스크린 기기 (60) 뒤에 링크된다 (도 1). 유출 챔버는, 또한, 배출 덕트/유출 덕트 (47) 가 형성된 배출 라인/유출 라인 (46) 으로 배출 개구/유출 개구 (41) 에 링크된다 (도 1 및 도 3). 유출 개구 및 유출 라인은 배출 기기 (40) 의 부품들이다. 수평 축선 둘레에서 회전가능한 플랩 형태로 배치된 조정 시스템 (43) 의 조정 요소 (44) 가 유출 라인에 또한 존재한다. 유출 라인은 수용 영역 (4) 으로 이어지고 수용 영역에서 액체 레벨 (N) 아래에서 끝난다.
수용 영역 (4) 은 저장 컨테이너 (70) 에 의해 형성된다. 저장 컨테이너에서, 펌프들, 가열기들, 충전 레벨 센서들 등과 같은 추가 집합체들이 또한 배치된다 (미도시). 수용 영역으로 이동한 처리 액체 (F) 는 이를 위해 제공된 펌프 및 액체 라인들에 의하여 처리 챔버 (20) 에서 도수로들 (7) 로 리턴될 수 있다. 그리하여, 액체 회로가 실현된다 (미도시).
기기 (1) 의 작동 중, 처리 액체 (F) 는 도수로들 (7) 의 노즐들 (9) 을 통하여 처리될 재료 (B) 로 공급된다. 그리하여, 액체는 처리 챔버 (20) 에 가두어져 있고, 처리될 재료가 안내되는 수송 평면 (E) 위 뿐만 아니라 도수로들과 애노드들 (35) 위에 욕 레벨 (M) 을 형성한다. 처리 액체는 처리될 재료로부터 횡방향으로 스크린 기기 (60) 의 통로 개구들 (62) 로 유동하고 통로 개구들을 통하여 유출 챔버 (61) 로 이동한다. 거기서부터, 처리 액체는 유출 개구 (41) 를 통하여 유출 라인 (46) 의 유출 덕트 (47) 로, 끝으로 저장 컨테이너 (70) 의 수용 영역 (4) 으로 움직인다. 처리될 재료로부터 통로 개구들을 통하여 유출 챔버로 액체 가이딩으로 인하여, 유동 액체는 수송 평면에 수직이고 수송 방향에 평행한 처리 챔버의 비교적 큰 단면에 대해 균일하게 분배된다. 이것은, 통로 개구들이 처리 액체에 대해 유동 저항을 행사하기 때문이다. 특히, 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 래스터형 (raster-like) 으로 스크린 기기의 비교적 큰 표면적에 대해 분배되는 (예를 들어 도 3 참조), 복수의 통로 개구들이 스크린 기기에 제공될 때, 처리 액체는, 스크린 기기를 통하여 유출될 때, 통로 개구들에 의해 제공된 본질적으로 전체 통로 표면적을 통하여 균일하게 유동하는 경향이 있다. 결과적으로, 처리 챔버에서 배출될 액체의 유속은 비교적 낮은데, 왜냐하면 액체가 처리 챔버의 매우 큰 부분뿐만 아니라 좁게 제한된 영역을 통하여 유동해야 하기 때문이다. 결과적으로, 처리될 재료는, 처리될 재료를 위로 또는 아래로 편향시킬 수 있는, 어떠한 중요한 크로스 플로우도 부여받지 않는다. 따라서, 순차적 수송 수단 (31) 사이에서 처리될 재료의 안내가 용이하게 가능하다.
유출 챔버 (61) 로부터 따라서 또한 처리 챔버 (20) 밖으로 처리 액체 (F) 의 배출율은 회전가능한 플랩 (44) 에 의해 조절된다. 처리 챔버에서 배출율과 따라서 유속은 플랩의 위치를 통하여 조절될 수 있다. 게다가, 처리 챔버로 처리 액체의 정해진 공급률에 대해, 처리 챔버에서 욕 레벨 (M) 은 도수로들 (7) 을 통하여 조절된다.
도 2 는 제 2 실시형태에서 제 1 설계 변형예의 발명에 따른 기기 (1) 의 상세도를 나타낸다. 이 실시형태는 배출율을 조정하는데 사용된 조정 시스템 (43) 에 의해 도 1 에서 나타낸 실시형태와 상이하고, 이 경우에 조정 요소들 (44) 은 유출 개구 (41) 의 영역 내 및 유출 라인들 (46) 외부에 (유출 개구들의 하류에) 배치된다. 도 2 는, 유출 개구들이 위치되고 조정 요소가 배치되는 유출 챔버 (61) 의 후방벽을 나타낸다. 조정 시스템의 조정 요소는 이 경우에 유출 개구들을 폐쇄하거나 해제할 수 있는 베인에 의해 형성된다. 베인의 위치에 따라, 유출 개구들은 완전히 폐쇄될 수 있고, 부분적으로 폐쇄될 수 있고 (여기에 도시된 바와 같음) 또는 완전히 해제될 수 있다. 베인이 배출 기기들의 자유 단면들을 공동으로 조절하도록 베인은 배출 기기들 (40) 의 모든 유출 개구들을 통하여 공동으로 배출율을 조정한다 (중심에 위치된 배출 기기만 단지 나타나 있고, 반면 중심에 위치된 기기에 인접하여 위치된 2 개의 다른 배출 기기들은 나타나 있지 않음). 이 목적을 위해, 베인은 결국 개구들 (48) 을 가지고, 이 개구들은 서로 유출 개구들과 동일한 거리에 배치된다. 게다가, 베인에서 개구들은 유출 개구들과 대략 동일한 단면을 갖는다. 베인을 작동하기 위해서 구동부 (45) 가 제공된다. 구동부는 별도의 건조 룸 (49) 에서 유출 챔버 위에 위치된다. 구동부는 레버 로드 조립체 (80) 를 통하여 베인을 좌측으로 또는 우측으로 움직이고 유출 개구들을 폐쇄하거나 유출 개구들을 부분적으로 또는 완전히 해제한다. 구동부는 유출 챔버 (61) 외부에서 자체 건조 룸 (49) 에 위치된다. 이것은 건조 룸의 보다 용이한 실링을 허용한다.
도 4a, 도 5a, 도 5b 및 도 5c 는 본 발명의 제 2 설계 변형예의 발명에 따른 추가 기기 (1) 의 도면들을 나타낸다. 도 4a 의 도면에서, 처리 챔버 (20) 를 구획하는, 수송 방향 (T) 에 평행한 측벽들 (21) 과 바닥벽 (22) 이 단지 나타나 있다. 전방 및 후방에 배치된 측벽들과 처리될 재료를 안내하기 위해 내부에 포함된 슬롯들은 명확히 나타내기 위해 여기에서 생략되었다. 도 5a 및 도 5b 는 또한 기기를 통하여 운반되는 처리될 재료 (B), 처리될 재료의 위와 아래에 배치된 도수로들 (7) 뿐만 아니라 처리될 재료의 표면들에 작용하고 피동 샤프트들 (미도시됨) 에 의해 지탱되는 휠들 (31, 31') 형태의 수송 기기들을 나타낸다. 처리 액체 (F) 는 처리 챔버를 욕 레벨 (M) 까지 채우고, 이 레벨은 처리될 재료를 위한 수송 평면 (E) 위와 도수로들 위에 있다. 이 목적을 위해, 도수로들은 계속해서 처리 액체를 처리 챔버로 공급한다. 이 점에 있어서, 제 1 설계 변형예의 설명을 참조할 수 있다.
바닥벽 (22) 으로부터 이격되어 바닥벽 위에 배수판들 (63) 로서 형상화된 여러 개의 스크린 기기들 (60) 이 나타나 있고, 배수판들은 처리 챔버 (20) 를 아래로 구획하는 바닥벽 (22) 에 본질적으로 평행하게 배치되고 배수판들 아래에 배출 챔버들/유출 챔버들 (61) 이 형성된다 (도 5b 및 도 5c). 배수판들 (63) 은 국부적으로 처리 챔버의 바닥 영역들을 형성한다. 유출 챔버들은 배수판들에 의해 위로, 그리고 하부벽 구역들 (65) 에 의해 아래로 각각 구획된다. 배수판들은 일 종방향 측에 각각 폴딩 가장자리들 (64) 을 가지고, 이 가장자리들은 중심에서 넓고 좁은 가장자리들을 향하여 점점 가늘어진다. 원주방향 통로 개구들 (62) 은, 각각, 폴딩 가장자리들을 갖는 배수판들 (63) 과 유출 챔버 (61) 의 하부벽 구역 (65) 과 처리 챔버의 바닥벽 (22) 사이에 형성된다. 통로 개구들 (62) 은 폴딩 가장자리들 및 배수판의 주연을 따라 연장된다. 폴딩 가장자리들의 중심 영역에서 통로 개구의 폭 (d') 은 폴딩 가장자리들의 단부 구역들에서 폭 (d) 보다 좁다.
처리 챔버 (20) 의 바닥벽 (22) 아래에 각각의 조정 요소들 (44) 을 가지는 배출 기기들 (40) 이 위치된다 (도 5a). 배출 기기들은 내부에 배출 덕트들/유출 덕트들 (47) 이 뻗어있는 배출 라인들/유출 라인들 (46) 에 의해 형성된다. 유출 라인들은 수용 영역 (4) 으로 이어지고 수용 영역 내 액체 레벨 (N) 아래에서 끝난다. 조정 요소들 (44) 은 유출 덕트들 내, 바람직하게 그것의 하단부들에 위치되고, 플랩들의 형태로 제공된다 (도 5a). 플랩들의 가능한 운동은 플랩들에서 쌍촉 화살표로 나타나 있다. 조정 요소들은 카아던 조인트들 (cardan joints) 을 구비한 조절 축선들 (80) 을 통하여 작동되고, 조절 축선들은 기기 하우징 (70) 에서 외부로 안내된다 (도 4a). 하우징 외부에 구동부들 (45) 이 배치되고, 이 구동부들로 조절 축선들이 회전 시프팅될 수 있고 이 구동부들로 조정 요소들이 설정될 수 있다. 하우징 외부에서 구동부들의 배치로 인해, 수분에 대한 특별한 실링이 필요하지 않다. 조절 축선들과 따라서 플랩들의 회전을 통하여, 처리 챔버로부터 처리 액체 (F) 의 배출율을 조정하도록 유출 덕트들의 유효 단면이 변경된다.
처리될 재료 (B) 는, 각각, 이미지 평면에 수직이고 (도 5a) 이미지 평면에 평행한 (도 5b) 기기 (1) 를 통하여 대향한 수송 기기들 (31) 에 의해 수송되고, 처리될 재료는 수송 평면 (E) 에서 안내된다. 도수로들 (7) 은 처리될 재료에 처리 액체 (F) 를 공급한다. 처리 액체는 처리될 재료의 상측과 하측에 운반되고 거기서부터 처리 챔버 (20) 의 측방향 구역들로 이동하고, 이 측방향 구역들은 처리될 재료가 수송되는 운반 경로 가까이 수송 방향 (T) 에 평행하게 연장된다. 그리하여, 처리될 재료는 단지 그것의 표면에 평행한 액체 유동만 부여받는다. 따라서, 이들 유동에 의한 처리될 재료의 편향은 크게 방지된다. 이 측방향 영역들로부터, 액체는 수송 평면 아래 각각의 통로 개구들 (62) 로 안내되고 통로 개구들을 통하여 배수판들 (63) 아래 유출 챔버들 (61) 로 이동한다. 통로 개구들은, 처리 액체에 대해, 증가된 유출 속도를 방지하는 유동 저항을 나타낸다. 유출 챔버들로 이동하는 액체는 각각의 유출 개구 (41) 를 통하여 유출 라인 (46) 의 유출 덕트 (47) 로 안내된다.
도 4a, 도 5a, 도 5b 및 도 5c 에 나타낸 실시형태에서, 각각의 유출 챔버 (61) 에 단 하나의 단일 유출 개구 (41) 만 부여되고, 이 개구는 유출 챔버로부터 중심에서 벗어나 있다. 통로 개구의 다른 영역들에서 보다 긴 유로로 통과하는 액체에 대해 더 큰 유동 저항이 가해지는 동안, 재료 (B) 피스들의 리딩 가장자리에서 유출되는 처리 액체 (F) 가, 어떠한 상당한 유동 저항도 없이, 유출 개구 옆에 있는 통로 개구 (62) 의 영역을 통과하는 것을 막도록, 이 영역에서 통로 개구는 다른 영역들에서보다 좁다. 이것은 가이드 요소/폴딩 가장자리 (64) 의 특별한 형상에 의해 가능하게 된다. 결과적으로, 통로 개구를 통하여 상이한 유로들의 유동 저항들은 폭넓게 균등하게 되어서, 이 유로들 중 어떤 것에도 바람직하게 액체가 유동하지 않고 전체 액체는 전체 처리 챔버에서 대략 동일한 유속으로 유출 챔버로 유출되고 거기에서 유출 개구를 통하여 유출 라인 (46) 의 유출 덕트 (47) 로 유동한다.
본 발명에 따른 조치 없이, 한 쌍의 수송 휠들 (31) 로부터 다음 쌍 (31') 으로 처리될 재료 (B) 의 이송은 문제가 있는데, 왜냐하면 처리될 재료는 그것의 리딩 가장자리에서 유출되는 처리 액체 (F) 에 의해 편향되고, 하향 편향된 처리될 재료 피스 (b') 로 도 5b 에 나타나 있다 (파선으로 나타냄). 이 편향은, 예를 들어, 처리 챔버 (20) 에서 제어되지 않은 유동 조건들에 의해 유발될 수 있다. 편향의 경우에, 처리될 재료는 쌍을 이룬 수송 휠들 사이에서 정확히 이송되지 않아서, 재료는, 예를 들어, 수송 휠들 또는 기기의 다른 장치들에 의해 끼이게 되고 손상될 수 있다. 이 문제점은 본 발명에 따라 또한 유출 라인들 (46) 에서 조정 요소들 (44) 에 의해 그리고 스크린 기기들 (60), 여기에서 폴딩 가장자리들 (64) 을 갖는 배수판들 (63) 에 의해 해결된다.
도 4b 는, 본질적으로 도 4a, 도 5a, 도 5b, 도 5c 에 나타낸 것처럼 만들어지는, 제 2 설계 변형예에 대응하는 본 발명에 따른 기기의 추가 실시형태의 도면을 나타낸다. 두 실시형태들 사이 차이점은, 단 하나의 유출 개구 대신에, 각각의 배출 챔버 (61) 에 2 개의 유출 개구들 (41) 이 제공되고 이 유출 개구들은 유출 덕트 (47) 를 각각 구비한 유출 라인 (46) 에서 각각 배출한다는 사실에 있다. 유출 라인들은 수용 영역 내 액체 리저버로 연장되고 액체 레벨 아래에서 수용 영역으로 배출된다 (미도시). 처리 챔버 (20) 는 결국 바닥벽 (22) 에 의해 아래에서 폐쇄될 뿐만 아니라 배수판들 (생략됨) 로서 형상화된 스크린 기기들에 의해 유출 챔버들의 영역에서 폐쇄된다. 유출 챔버들 및 따라서 처리 챔버로부터 처리 액체 (F) 의 배출율을 조정하기 위한 조정 시스템들 (43) 은, 각각, 유출 개구들에 접하게 놓이고 유출 개구들을 통하여 유출 덕트들로 액체의 통과를 조정하는 베인 (44) 을 가지고 있다. 베인들은 유출 챔버의 유출 개구들 사이 거리에 대응하는 거리에 개구들 (48) 을 구비한다. 이 개구들은 또한 유출 개구들과 대략 크기가 같다. 따라서, 유출 챔버에서 양 유출 개구들의 자유 유출 단면은 공동으로 설정될 수 있다. 이것은 베인들의 병진 운동에 의해 수행된다 (쌍촉 화살표 참조). 이 목적을 위해, 베인들은 적합한 레버 로드 조립체들 (미도시) 에 의해 작동될 수 있다. 모든 유출 챔버들의 베인들은 마찬가지로 공동으로 작동될 수 있다. 이 목적을 위해, 적합한 레버 로드 조립체가 제공될 수 있다. 나타낸 도면에서, 유출 개구들은 부분적으로 개방되어 있다.
도 6 은 제 2 설계 변형예에서 본 발명에 따른 기기 (1) 의 추가 실시형태를 나타낸다. 수송 기기들 및 도수로들은 명확성을 위해 나타나 있지 않다.
도 4a, 도 4b, 도 5a, 도 5b 및 도 5c 에 나타낸 실시형태들과 달리, 기기는 이 경우에 전후로 배치된 복수의 처리 챔버들 (20) 을 가지고, 이 처리 챔버들은 수송 방향 (T) 에 대해 횡방향으로 연장되는 측벽들 (21) 에 의해 서로 세분화되어 있다. 전방면들에서 처리 챔버들을 폐쇄하는 측벽들은 명확히 나타내기 위해 도시되지 않는다. 게다가, 처리 챔버들은 바닥벽들 (22) 및 배수판들 (63) 각각에 의해 아래에서 폐쇄된다.
더욱이, 각각의 처리 챔버 (20) 는 3 개의 유출 개구들을 갖추고 있고 유출 라인들 (46) 은 각각의 유출 챔버 (61) 에서 거기에 연결된다. 배수판들은 이 경우에 어떠한 폴딩 가장자리들도 가지지 않는데, 왜냐하면 처리될 재료 (B) 가 운반되는 운반 경로의 전체 폭에 대해 유출 개구들이 균일하게 분배되어서, 처리 챔버에서 폴딩 가장자리들 없이 통로 개구들 및 유출 챔버들을 통하여 대체로 균일한 액체 유동이 또한 만들어지기 때문이다. 액체를 유출시키기 위한 통로 개구들은 배수판들 (63) 과 컨테이너 벽들 (21) 사이 슬롯들에 의해 형성된다. 액체 (F) 는 각각 3 개의 유출 개구들을 통하여 유출 챔버들로부터 유출되고 거기에서 유출 덕트들을 통하여 유출 라인들에서 아래로 유동한다. 하지만, 각각의 유출 챔버에 유출 라인을 구비한 단 하나의 유출 개구가 전형적으로 제공된다. 유출 라인들은 저장 컨테이너 (70) 에서 액체 레벨 (N) 아래로 배출한다. 조정 시스템들 (40) 은, 외부 구동부들에 의해 설정될 수 있는 조절 축선들 (80) 에 의해서뿐만 아니라 유출 덕트들에 회전가능하게 장착된 플랩들에 의해서 형성된다.
욕 레벨 (M) 은 처리 챔버들 (20) 의 측벽들 (21) 바로 위에 설정된다. 이 목적을 위해, 처리 액체 (F) 는 도수로들을 통하여 충분히 공급된다. 그리하여, 액체는 측벽들의 상부 가장자리들을 넘쳐 유동하고 저장 컨테이너 (70) 에서 수용 영역 (4) 으로 하향 유출된다. 저장 컨테이너는 명확히 나타내기 위해 수송 방향에 평행한 측벽들만 가지고 수송 방향을 가로지르는 측벽들 없이 도시된다. 처리될 재료 (B) 는 처리 챔버들의 측벽들의 상부 가장자리들 위에 조금 떨어져 액체를 통하여 안내된다.
1 기기
4 수용 영역 / 저장 컨테이너
7 공급 기기, 도수로
9 노즐
20 처리 챔버
21 측벽
22 바닥벽
30 수송 기기
31, 31' 수송 수단 (휠들, 롤러들)
35 애노드들
36 접촉 클램프
40 배출 기기
41 배출 개구
43 조정 시스템
44 조정 요소, 베인, 플랩
45 구동부
46 배출 라인
47 배출 덕트
48 베인의 개구
49 구동부를 위한 하우징
60 스크린 기기
61 배출 챔버
62 통로 개구
63 배수판
64 가이드 요소, 폴딩 가장자리
65 유출 챔버의 하부벽
70 저장 컨테이너, 기기 하우징
80 레버 로드 조립체, 조절 축선
B 처리될 재료
b' 편향된 처리될 재료 피스
E 수송 평면
F 처리 액체
M 처리 챔버 내 욕 레벨
N 액체 레벨
T 수송 방향

Claims (17)

  1. 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1) 로서,
    - 상기 처리 액체 (F) 가 욕 레벨 (M) 까지 축적될 수 있는 적어도 하나의 처리 챔버 (20);
    - 상기 적어도 하나의 처리 챔버 (20) 로 처리 액체 (F) 를 공급하기 위한 적어도 하나의 공급 기기 (7);
    - 적어도 하나의 수송 기기 (30) 로서, 상기 수송 기기로 상기 처리될 플랫 재료 (B) 는 상기 적어도 하나의 처리 챔버 (20) 를 통하여 상기 욕 레벨 (M) 아래 수송 평면 (E) 에서 수평 위치로 수송될 수 있는, 상기 적어도 하나의 수송 기기 (30);
    - 상기 처리 액체 (F) 를 위한 적어도 하나의 수용 영역 (4); 및
    - 각각의 배출율로 상기 적어도 하나의 처리 챔버 (20) 로부터 상기 적어도 하나의 수용 영역 (4) 으로 상기 처리 액체 (F) 를 운반하기 위해 상기 처리 액체 (F) 를 위한 적어도 하나의 배출 개구 (41) 를 각각 구비한 적어도 하나의 배출 기기 (40) 를 가지고,
    상기 적어도 하나의 배출 기기 (40) 는 각각 적어도 하나의 조정 시스템 (43) 을 가지고, 상기 조정 시스템으로 상기 적어도 하나의 배출 개구 (41) 를 통하여 상기 처리 액체 (F) 의 상기 배출율이 조절가능한, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 욕 레벨 (M) 은 상기 조정 시스템 (43) 에 의해 조절가능한, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 배출 기기 (40) 는 각각 적어도 하나의 배출 덕트 (47) 를 가지는 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 조정 시스템 (43) 은 상기 적어도 하나의 배출 덕트 (47) 상 및/또는 내에 배치되는 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 조정 시스템 (43) 은, 펌프 및 상기 적어도 하나의 배출 덕트 (47) 의 단면을 변화시키는 요소를 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나의 조정 요소 (44) 를 가지는 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 배출 덕트 (47) 의 상기 단면을 변화시키는 상기 적어도 하나의 요소 (44) 는 밸브, 플랩 및 베인을 포함하는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  7. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 2 개의 배출 덕트들 (47) 이 제공되고, 배출율들은 상기 적어도 하나의 조정 시스템 (43) 에 의해 상기 적어도 2 개의 배출 덕트들 (47) 을 통하여 공동으로 (jointly) 조절가능한 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  8. 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 배출 덕트 (47) 는 상기 적어도 하나의 수용 영역 (4) 내 액체 레벨 (N) 아래에서 끝나는 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  9. 제 3 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 배출 기기 (40) 는, 각각의 배출 덕트 (47) 를 규정하는 적어도 하나의 배출 라인 (46) 을, 각각, 가지는 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 조정 시스템 (43) 은, 상기 적어도 하나의 조정 요소 (44) 로부터 공간적으로 분리되어 배치되는 각각의 구동부 (45) 를 가지는 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 스크린 기기 (60) 는, 각각, 상기 적어도 하나의 처리 챔버 (20) 와 상기 적어도 하나의 배출 기기 (40) 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  12. 제 11 항에 있어서,
    각각의 배출 챔버 (61) 는 상기 적어도 하나의 스크린 기기 (60) 와 상기 적어도 하나의 배출 개구 (41) 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스크린 기기 (60) 는, 각각, 상기 처리될 재료 (B) 를 위한 상기 수송 평면 (E) 의 높이 레벨에 배치된 상기 적어도 하나의 배출 챔버 (61) 로 상기 처리 액체 (F) 를 통과시키기 위한 적어도 하나의 통로 개구 (62) 를 가지는 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  14. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스크린 기기 (60) 는, 각각, 상기 처리 챔버 (20) 의 바닥을 적어도 부분적으로 형성하고 상기 배출 챔버 (61) 의 하부벽에 본질적으로 평행하게 연장되며 상기 배출 챔버의 하부벽과 이격되어 있어서, 상기 배출 챔버 (61) 의 상기 하부벽과 상기 스크린 기기 (60) 사이에 통로 거리가 형성되고, 상기 스크린 기기 (60) 는 통로 개구 (62) 를 형성하는 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스크린 기기 (60) 는 각각 배수판 (63) 에 의해 형성되고,
    상기 적어도 하나의 배수판 (63) 은, 각각, 각각의 배출 챔버 (61) 의 상기 하부벽을 향하고 있는 적어도 하나의 가이드 요소 (64) 로 형성되어서, 상기 배출 챔버 (61) 의 상기 하부벽과 상기 적어도 하나의 가이드 요소 (64) 사이에 감소된 통로 거리가 형성되고, 상기 통로 거리는 통로 개구 (62) 를 형성하는 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 통로 거리는, 배출 개구 (41) 에 인접한 상기 적어도 하나의 가이드 요소 (64) 의 위치들에서, 상기 배출 개구 (41) 로부터 더 멀리 있는 상기 적어도 하나의 가이드 요소 (64) 의 다른 위치들에서보다 더 작은 것을 특징으로 하는, 처리 액체 (F) 로 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1).
  17. 특히 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 따른 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 기기 (1) 를 사용해, 처리 액체 (F) 로 처리 챔버 (20) 에서 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 방법으로서,
    - 적어도 하나의 공급 기기 (7) 를 통하여 상기 처리 챔버 (20) 로 상기 처리 액체 (F) 를 공급하는 단계;
    - 상기 처리 챔버 (20) 로부터, 적어도 하나의 수용 영역 (4) 으로, 각각, 배출 기기 (40) 의 적어도 하나의 배출 개구 (41) 를 통하여, 각각의 배출율로 상기 처리 액체 (F) 를 배출하는 단계;
    - 상기 처리 챔버 (20) 를 통하여 수송 평면 (E) 내 수평 위치에서 적어도 하나의 수송 기기 (30) 에 의해 상기 처리될 재료 (B) 를 수송하는 단계로서, 상기 처리될 재료 (B) 는 상기 처리 챔버 (20) 에서 상기 처리 액체 (F) 의 욕 레벨 (M) 아래로 수송되는, 상기 처리될 재료 (B) 를 수송하는 단계; 및
    - 조정 시스템 (43) 에 의하여 상기 처리 챔버 (20) 로부터 상기 처리 액체 (F) 의 각각의 배출율을 조절하는 단계를 포함하는, 처리 액체 (F) 로 처리 챔버 (20) 에서 처리될 플랫 재료 (B) 를 화학적 또는 전해적 처리하기 위한 방법.



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