TWI554656B - 待處理材料之濕式化學處理的方法和裝置 - Google Patents

Description

待處理材料之濕式化學處理的方法和裝置

本發明關於用於待處理材料之濕式化學處理的方法及裝置。本發明特別關於此種裝置及方法，其中待處理材料在連續製程工廠中被運送並以處理液體處理。

於處理待處理平面材料中，諸如例如，印刷電路板工業中之印刷電路板，待處理材料之處理經常在濕式化學製程線中發生。在連續製程工廠中，該待處理材料可被運送通過一個處理模組或複數個處理模組，其中該待處理材料以一種處理溶液處理，或連續地以不同處理溶液處理。該處理溶液可藉由幫浦傳輸至該待處理材料且可經由處理構件傳送。大氣氧可由此進入該處理溶液。

在一些處理溶液中，氧導入可減少該處理溶液本身並/或處理該待處理材料之程序。例如氧導入可增進在電解液中的氧化程序。受氧導入影響之處理溶液的一實例為錫溶液。例如於EP 545 216 A2中，其描述自空氣中將氧導入錫浴，由於Sn(II)離子氧化可導致Sn(IV)離子的累積，且導致Cu(I)-硫脲錯合物累積至超過其可溶限度且該錯合物形成沉澱的濃度。

一般來說，某些處理溶液以粒子沉澱且相應的漿料形成於該處理模組中的方式受氧導入影響。這可導致該浴的使用壽命減短，其代表增加用於化學藥品及維持的花費。該漿料可導致對該待處理材料的損傷。該漿料亦可沉降於該製程線中之低流量區域，且移除該漿料可增加在維持方面之花費。

氧導入亦具有在該處理溶液中與該待處理材料反應期間形成有害氣體的影響，其中氣體在該浴中保持溶解且導致反應性的降低。

有氧導入之處理溶液對該處理溶液本身，對處理該待處理材料過程中或對該製程線或處理模組的運轉中具有不利的影響，該處理溶液於下文中稱為氧一或空氣一敏感性處理溶液。

為了減少氧導入處理溶液之影響，DE 101 32 478 C1提出將該等浴與金屬錫接觸，例如，並由此再生該等金屬。在高氧化狀態的金屬離子由此還原成在低氧化狀態的金屬離子。相應的再生劑即是為此目的而提供。

本發明的目的是提供一種用於在連續製程工廠中處理待處理材料的改良方法和改良裝置。特別是對於減少因氧導入而在該處理溶液和/或在處理該待處理材料之過程中和/或在製程線上或處理模組上之運轉中產生的負面影響之方法和裝置有需求。特別是對於在未實質上影響處理速度之連續製程工廠的連續操作期間減少這些問題之方法和裝置有需求。

根據本發明，該目的藉由描述於申請專利範圍獨立項之方法和裝置而達成。該等附屬項定義本發明較佳或有利的實施例。

根據一觀點，提供一種在連續製程工廠中用於待處理材料之濕式化學處理的方法，在該方法中，待處理材料係運送經過處理槽且以處理液體於該處理槽予以處理。根據本發明，惰性氣體饋入該處理槽。

待處理材料特別為待處理平面材料，例如印刷電路板、導電膜、平板材料等。該待處理材料可具有導電結構。該處理液體可特別為一種溶液，其中氧導入該處理溶液對該處理溶液本身和/或對處理該待處理材料過程和/或對該製程線或處理模組之運轉具有不利影響。

饋入該惰性氣體導致在該處理槽中大氣氧的置換。於該方法中，在該處理槽中之氧濃度可降低，且該氧導入該處理液體可相對的減少。特別是氣體緩衝器可在該處理液體之浴上製造且緊密地鄰近該浴表面，該氣體緩衝器包含一小部分的氧或其不包含氧。在連續製程工廠中允詐減少氧導入至該處理溶液，其中該待處理材料被運送入該處理槽並送離該處理槽。

饋入惰性氣體可發生於該處理槽之一個或多個區，其與該區或該等區隔開，其中廢氣自該處理槽排出。例如，該惰性氣體可於該處理槽之至少一個第一區被饋入至該處理槽，同時該惰性氣體自該處理槽排出，例如藉由在與該第一區隔開的該處理槽之第二區吸出或抽出而被移除。藉由該第一區與該第二區之適當排列使氧可能自該處理槽排出。

該惰性氣體可自該處理模組經由該處理槽之一個邊緣區抽出。該邊緣區被安置於該處理槽護套的一段，其限定運送方向中之該處理模組，例如在連續製程工廠中於該處理槽及鄰近處理模組之間的分隔牆上。饋入該惰性氣體至該處理槽至少發生於與該處理槽之護套的兩段間隔之一個區，其限定傳送方向中之該處理槽，且特別是實質上於該兩段間為中心。此允許氧在該處理槽之長度方向上置換。

該處理槽可具有一個入口縫及一個出口縫，該待處理材料經該入口縫被運送至該處理槽，該待處理材料經該出口縫被運送離該處理槽，該惰性氣體自該處理槽經該入口縫和/或該出口縫排出。該惰性氣體特別自該處理槽藉由吸出經該入口縫並經該出口縫移除。允許廢氣自該處理槽經一個縫，且特別是經兩個設置於該處理槽用做該待處理材料之通道的縫排出。因此可避免空氣經該等縫進入該處理槽。

該處理槽之蒸汽空間中之壓力可被調整使其高於該處理槽外之環境壓力。因此，可減少大氣氧自周圍進入該處理槽，例如經該入口縫和/或該出口縫。

該惰性氣體可連續被饋入至該處理槽。因此，在連續製程工廠連續運轉期間，氧可自該處理槽排出。

該惰性氣體至少可被導入至該處理液體以將該惰性氣體饋入至該處理槽。因此允許於處理過程期間形成且溶解於該處理液體中之氧或有害氣體在該惰性氣體被饋入該處埋槽時自該處理液體中排出。

該惰性氣體可於該處理液體浴面下之位置被導入至該處理液體。特別是，該惰性氣體於該浴面下至少10毫米之位置，特別是至少100毫米之位置被導入至該處理液體。因此，可避免泡沫形成，可達到均勻的氣泡分佈及可達到惰性氣體氣泡與該處理液體浴間之長接觸時間。

更者，該惰性氣體以達到該浴漩渦或該處理液體漩渦之方式被導入至該處理液體。因此，可實現仍以剩餘量存在之任何漿料之漩渦，使得漿料之過濾可能更為簡單。維持間隔可以此方式延長以及可實現製程線之更高可利用性。

該處理槽可具有一貯槽，其中該處理液體至少累積至一水位，且該處理液體自該貯槽傳送至處理構件，該惰性氣體在低於該水位處導入至該處理槽。因此，該惰性氣體能有目的地以具有低氧含量之處理液體經由一或多個處理構件傳送和運送之方式導入至該處理液體。以此方法，氧和/或有害氣體可自該處理槽中之大部分的該處理液體中排出。

該惰性氣體可被導入至該處理液體，特別是於傳輸裝置之吸入區內，該傳輸裝置傳送該處理液體至處理構件。尤其，該惰性氣體於一位置或一區被導入至該累積於該貯槽內之處理液體中，該位置或該區有大量液體流入循環該處理液體的傳送裝置，且/或該位置或該區有最後流速至該傳送裝置的吸入口。

該惰性氣體可於設置於該貯槽中高於該傳送裝置之吸入口的一位置或一區，被導入至累積於該貯槽中的處理液體。因此可以防止可能危害該傳輸裝置的氣泡之吸入。

用於饋入該惰性氣體(特別是用於導入該惰性氣體至該處理液體)的饋入裝置，可被配置使得該惰性氣體以微細泡泡的形式被導入。該饋入裝置可具有多孔玻料，該惰性氣體經由該多孔玻料被導入至該處理液體。該饋入裝置亦可具有裝有小洞排列之饋入區，該惰性氣體經由該等小洞被導入至該處理液體。該玻料或該傳送區可為管狀塑膠部件的形式。當該惰性氣體以微細泡泡的形式被導入至該處理液體，可達高程度之惰性氣體使用。此外，可減少不欲之濺污。

為了在該處理槽之蒸汽空間中達到所欲之氧氣濃度，可建立惰性氣體饋入該處理槽之體積流速。該體積流速是可以控制的，例如依照該處理槽之已知尺寸與操作參數而定。該體積流速也是可以調整的，例如依照一種測量該處理模組之蒸汽空間中之氧氣濃度或其他氣體濃度之感應器的輸出訊號。

可建立惰性氣體饋入該處理槽之體積流速，使得於該浴水位上之該處理槽之蒸汽空間內的該氧氣濃度為低於10體積%，特別是低於5體積%，特別是低於2體積%。

在此方法與裝置中，並不需要將該處理槽之該蒸汽空間內的氧氣濃度降低至0體積%。在示例性實施例中，可建立該惰性氣體饋入該處理槽之該體積流速使得該浴水位上之該處理槽之蒸汽空間內的該氧氣濃度在0.1到15體積%範圍內，特別是3到12體積%範圍內，特別是4到8體積%範圍內。即使是以如此之氧氣殘留濃度，也已經證實：可以成功地減少當待處理材料以一種對氧氣或空氣敏感之處理溶液處理時所會產生的問題。

可建立惰性氣體饋入該處理槽每單位時間的量，使得廢氣每單位時間自該處理槽排出的量至少是該惰性氣體每單位時間供應量與該處理液體每單位時間蒸發形成之蒸汽量之總和的80%。廢氣每單位時間自該處理槽之排出量，可以至少是該總和的90%，特別是至少該總和的100%。在示例性實施例中，廢氣每單位時間自該處理槽之移除量，可以是該總和的80%到120%。以該方式，所產生的蒸汽可藉吸抽而安全地移除。

可建立惰性氣體饋入該處理槽之體積流速，使得存在於該處理槽內之該體積流速(以m³/h量測)和處理液體體積(以m³量測)的比值低於20:1，特別是低於10:1。此惰性氣體體積流速，促使當待處理材料以一種對氧氣-或空氣-敏感之處理溶液處理時所會發生的問題得到預防，並且充分地保持惰性氣體之低耗損。

該處理槽可以有維修與保養的開口，且各自都可以備有至少一個關閉元件。該至少一個關閉元件可以是一個襯墊，其可預防氧氣經由維修與保養開口而自處理槽之周圍進入。

例如氮氣或二氧化碳可以作為該惰性氣體。

根據另一種觀點，所提供的是一種用於待處理材料(特別是平面型待處理材料)之濕式化學處理的裝置。該裝置包括用於以處理液體處理該待處理材料之處理槽、用於運送該待處理材料通過該處理槽之運送裝置，以及用於饋入惰性氣體進入該處理槽之饋入裝置。

因為安裝裝置以將惰性氣體饋入該處理槽，該處理槽內的大氣氧可被取代。所以安裝該裝置以減少該處理槽內的氧氣濃度，同時使氧氣導入該處理液體。特別是，含有小部分氧氣或無氧氣的氣體緩衝器會在該處理液體浴上方形成，且即刻緊貼於該浴表面，此造成一連續製程工廠中氧氣導入該處理溶液之減少。

該裝置設置用於實現根據描述於本文中之不同示例性實施例之方法，其可達到描述於有關相對應方法之實施例之效果。該裝置之實施例亦描述於附屬項中，其可達到每一描述於有關相對應方法之實施例之效果。

根據本發明另一觀點，其提供一個物件，特別是印刷電路板或導電箔，其以根據一個觀點或示例性實施例之方法處理。

根據本發明不同示例性實施例之方法與裝置，可減少氧氣導入處理液體，特別是在一連續製程工廠中，其中待處理材料被運送進入處理槽，並以該處理液體處理之後，運送至處理槽外。自氧氣導入該處理液體所產生的問題，可透過不同示例性實施例之方法與裝置而減輕。

本發明的示例性實施例可用於運送待處理材料之工廠，例如化工廠，特別是電化學、印刷電路板之處理、箔類材料、帶狀導線或相似類型的工廠。不過示例性實施例並不僅限於該應用領域。

本發明會透過較佳的或有利的示例性實施例在下文中作更加詳細的解釋，並附上圖片以供參考。

描述於本文中之示例性實施例是用於處理待處理材料之工廠，其中待處理材料是以水平運送平面進行運送。按照慣例，與待處理材料相關的方向與位置是由相關於運送方向而描述。與運送待處理材料之運送方向同向或反向的方向稱為縱向。

圖1與圖2顯示用於處理待處理平面材料10之裝置1的截面圖，例如其可以是印刷電路，諸如印刷電路板、導電箔或其他相似物。在圖1之在截面圖中，所繪平面之排列方向係垂直於該運送方向25，而在圖2之截面圖中，所繪平面之排列方向係平行於該運送方向25。

該裝置1包含具有處理槽2的處理模組，其中該待處理材料以處理液體處理。該處理液體特別可以是一種對氧氣-或對空氣-敏感的處理溶液，例如化學錫浴。具有該處理槽2的該處理模組，可為具備其他處理模組31、32之製程線的部分，其緊鄰於具有處理槽2之該處理模組而配置，且其中待處理材料10則分別以不同的化學程序或沖洗液加以處理。在該處理槽2中，該待處理材料10可以傳統方式與該處理液體接觸。舉例來說，該處理槽2可有貯槽3，其中該處理液體9累積到一水位17。該處理槽2中的另一個區域，在下文稱為蒸汽空間4，則不以處理液體填滿且包含不同的氣體。在實施例中，該蒸汽空間4可被定義為未填滿液體之該處理槽2的部分體積。在該蒸汽空間4中，經蒸發的處理液體也可包含於氣相中。

該處理槽2具有外罩，其定義為該處理槽2的護套，但並不必為氣密。特別是在運送方向25中區分該處理槽2與該鄰接處理模組31的分隔壁35中，該外罩可有入口縫26，經由其該待處理材料10被運送進入該處理槽2。運送方向25中區分該處理槽2之相反端與該鄰接處理模組32的另一個分隔壁36中，該外罩可有出口縫27，經由其該待處理材料10被運送離開該處理槽2。包含例如多對之運送滾輪24之運送元件的運送裝置，是準備用於將待處理材料10運送通過該處理槽2。

在該處理槽2之較低位置，裝設有吸入口6，利用該吸入口6可使處理液體藉由例如泵浦5的運送裝置，自該處理槽2的該貯槽3運送。該泵浦5將該處理液體自該貯槽3運送到可含有流量噴嘴、膨脹噴嘴、噴霧噴嘴或類似物的處理元件7、8。為了以該處理液體處理經導引通過該處理元件7、8的該待處理材料10，該處理液體自該處理元件7、8被運送。為了藉由該泵浦5再次進行循環，該處理液體可自該處理元件7、8或自該待處理材料10流回入該貯槽3。

裝置1更進一步地被安裝使得惰性氣體得以饋入該處理槽2。被饋入的惰性氣體可以例如是氮氣或二氧化碳。為此，該裝置1具有用於饋入該惰性氣體的饋入裝置11。該饋入裝置11具有複數個饋入元件12a、2b、12c，低於水位17的該惰性氣體16可自此被運送，進入該處理槽2中的該貯槽3所累積的該處理液體9。

為運送該惰性氣體16進入該處理液體9，該饋入裝置11的饋入元件12a、12b、12c設置在適當位置使得當該裝置1運轉時，其在該處理液體9於該貯槽3至少累積至該水位17以下運送該惰性氣體。該饋入裝置11的該饋入元件12a、12b、12c可以特別設置在該水位17以下至少10mm，特別是在至少100mm，使其運送該惰性氣體進入該處理液體9。

該饋入裝置11的饋入元件12a、12b、12c進一步適當設置，使其在該泵浦5自該貯槽3運送該處理液體的該吸入口之上運送該惰性氣體至該處理液體。

該饋入裝置11的至少一個饋入元件12b，安裝於該處理槽2之縱向上，距離兩個在該運送方向25上區隔該處理槽2之分隔壁35、36一定距離的位置。該饋入裝置11的該饋入元件12b可以特別安排使其在任何狀況下皆可運送惰性氣體16進入該處理液體9，並且處在該兩個分隔壁35、36之間的中間位置。該惰性氣體藉由處於該處理槽2縱向上遠離入口縫26及出口縫27之位置的該饋入元件12b而被饋入該處理槽2。該饋入裝置11的該饋入元件12a、12c也被安排在相距該運送方向25上區隔該處理槽2之該分隔壁35、36一定距離之處(即該處理槽2之縱向上)，並且在該處理槽2縱向上遠離該入口縫26及該出口縫27之位置將該惰性氣體16饋入該處理槽。

該饋入裝置11的至少一個饋入元件12b，及有利地該饋入裝置11的所有饋入元件12a、12b、12c，適當地設置在處理槽內，以使其在較大量之該處理液體被快速地經由該吸入口6運送至該泵浦5的位置，將該惰性氣體16運送至累積在該貯槽3當中的該處理液體9。因此，該饋入元件12a、12b、12c，可以適當地設置，以使其在所累積之該處理液體9具有一個限定流速18流向該吸入口6的位置，將該惰性氣體16運送至累積在該貯槽3當中的該處理液體9。循此規則，在該處理液體9中氧氣或有害氣體的濃度可以在該處理液體9被饋入該待處理材料10及進入循環之前被減少。這使得該處理槽2中該處理液體之大氣氧與有害氣體快速減少。導入惰性氣體造成累積之處理液體9之漩渦可以預防該處理液體中懸浮之顆粒沈降並且可以促進過濾。

該饋入裝置11的饋入元件12a、12b、12c各自可以是多孔性玻料的形式，或者，該饋入裝置11的饋入元件12a、12b、12c各自可以有一系列組合排列的小洞，透過其運送該惰性氣體16進入該處理液體9。該饋入元件12a、12b、12c可以是塑膠部件形式，特別是管狀塑膠部件的形式。

可調控之裝置或者可調控元件13，例如可調控式閥門，是於一個饋入導管提供給該惰性氣體。藉由該可調控裝置13，可以建立該惰性氣體自惰性氣體儲存槽14到該饋入元件12a、12b、12c的體積流速。控制器15可連接該可調控裝置13以便控制或調整該體積流速。該控制器15可連接該處理槽內的一個感應器37或多個感應器37。可安裝該感應器37或該多個感應器以偵測該蒸汽空間4中至少一種氣體之濃度。例如，可安裝該感應器37以偵測該累積之處理液體9之上該蒸汽空間4中的氧氣濃度，並且提供濃度的指示信號給該控制器15。二擇一地或此外，可安裝該感應器37以偵測該蒸汽空間4中惰性氣體之濃度，並且提供濃度的指示信號給該控制器15。可安裝該感應器37或該多個感應器使其測量出在該處理液體之該水位17以上所對應氣體的單一或多個濃度值，特別是就在該處理液體的該水位17之上處。該控制器15可以隨偵測濃度反應，提供控制訊號給該可調控裝置13，以便根據該濃度值調整該惰性氣體饋入該處理槽2之體積流速。在另一個示例性實施例中，該控制器15可以根據該處理槽2的已知幾何性質，以及可以根據可包含例如該處理槽2中該處理液體9之量的該裝置1的操作參數，進而控制該饋入惰性氣體的體積流速。

藉由該控制器15調整惰性氣體饋入該處理槽之體積流速，使所饋入惰性氣體的體積流速或容量得以被選擇在最小的可能。所饋入惰性氣體之體積流速可以特別被選擇，使得當提供的惰性氣體儘可能越少量時，可以在該處理槽2之蒸汽空間4中獲得一個所欲的氧氣濃度。可調整惰性氣體之饋入，使得不需要一定使氧氣濃度成為零值。舉例來說，若該浴水位17以上該蒸汽空間4中之氧氣濃度低於10體積%，特別是低於5體積%，特別是低於2體積%，對於氧氣導入至該處理液體已展現令人滿意的結果。可調整惰性氣體之饋入，使得該浴水位17以上該蒸汽空間4中之氧氣濃度，在0.1到15體積%範圍內，特別是在3到12體積%範圍內，特別是在4到8體積%範圍內。

仍有其他標準可供該控制器15使用，以調整或控制惰性氣體之饋入。例如，該控制器15可以在該饋入氣體之體積流速(以m³/h量測)與存在於該處理槽內之處理液體的體積(以m³量測)間之比值小於20:1，特別是小於10:1，的條件下調整惰性氣體之饋入。

如圖2圖例所示，廢氣可以透過該入口縫26與出口縫27自該處理槽2移除。該待處理材料10經由該入口縫26與出口縫27被運送進去或離開該處理槽2。經由該入口縫26的廢氣29與經由該出口縫27的廢氣30，基本上可含有在該蒸汽空間4流動到該入口及出口縫26、27之被供應的惰性氣體28、經蒸發的處理液體，以及部分的有害氣體或被吸入該處理槽2的空氣。例如，空氣可以透過未氣密區域進入該處理槽2。

為減少空氣由環境進入該處理槽2，該處理槽2之維修與保養孔可以安裝襯墊。例如，如圖所示，該處理槽2可具有維修孔21，其可藉由外蓋22而被關閉。該外蓋22具有襯墊23以預防空氣進入。

可安裝該裝置1，使得該廢氣29、30自該處理槽2流至鄰接的處理模組31、32。為了防止空氣自該處理模組31、32流入該處理槽2，可以在該裝置1內建立氣體經過該入口縫26及出口縫27的終端流速，將該流速定向，以使該氣體自該處理槽2流向該鄰接的處理模組31、32。在設置於該鄰接模組31、32的吸入區33、34處，該廢氣可以利用經由上下游處理模組31、32的抽吸而自該處理槽2中移除。

如同已經提及的，該處理槽2之該饋入元件12a、12b、12c將該惰性氣體16饋入該處理槽2的區域，被安排在該運送方向25上距該入口縫26及出口縫27一段距離之處。此有助於該惰性氣體16沿著該處理槽2的縱向而分佈，並因此將氧氣取代。

可建立一股抽吸力和/或供應惰性氣體進入該處理槽2，以預防空氣經由該入出口縫26、27而進入該處理槽2。可以選定該抽吸力使得廢氣26、27每單位時間藉由抽吸被移除的量至少相等於惰性氣體每單位時間供應量加上處理液體每單位時間之蒸發量。

對顯示於圖中及詳細描述之示例性實施例之調整可在另外的示例性實施例中執行。

示例性實施例之內容中，已描述以水平方式運送該待處理材料之裝置；然而，也可能在另外的示例性實施例中，以垂直平面運送該待處理材料。

示例性實施例之內容中，已描述惰性氣體被排入累積於貯槽之處理液體的裝置與方法；然而，也可能在另外的示例性實施例中，二擇一地或另外地，將該惰性氣體於沒有累積該處理液體的位置或區域饋入至該處理槽。

示例性實施例之內容中，已描述該等處理元件設置於累積之處理液體液面以上的裝置及方法；然而，在另外的示例性實施例中，待處理材料也可能被施加以浸泡處理，不一定要求設置提供該處理液體給待處理材料之個別處理元件。

根據不同示例性實施例之裝置與方法，可以用於處理具導電性結構的物件，諸如例如印刷電路板、導電箔、太陽能電池或太陽能電池零件等等，但不被限制只用於此。根據不同示例性實施例之裝置與方法，可以特別用於以氧敏感或空氣敏感之處理溶液處理該待處理材料。

1．．．裝置

2．．．處理槽

3．．．貯槽

4．．．蒸汽空間

5．．．傳輸裝置(幫浦)

6．．．吸入口

7．．．處理構件

8．．．處理構件

9．．．處理液體

10．．．待處理材料

11．．．饋入裝置

12a．．．饋入元件(第一區)

12b．．．饋入元件(第一區)

12c．．．饋入元件(第一區)

13．．．可調控元件

14．．．惰性氣體儲存槽

15．．．控制器

16．．．惰性氣體

17．．．水位

18．．．限定流速

21．．．維修孔

22．．．外蓋

23．．．襯墊

24．．．運送滾輪

25．．．運送方向

26．．．排放口(入口縫)

27．．．排放口(出口縫)

28．．．惰性氣體

29．．．廢氣(第二區)

30．．．廢氣(第二區)

31．．．處理模組

32．．．處理模組

33．．．吸入區

34．．．吸入區

35．．．分隔壁(邊緣區域)

36．．．分隔壁(邊緣區域)

37．．．感應器

圖1是根據一個示例性實施例，用於處理待處理平面材料之裝置的截面視圖。

圖2是圖1裝置更加細部的一個截面視圖。

1．．．裝置

2．．．處理槽

3．．．貯槽

4．．．蒸汽空間

5．．．傳輸裝置(幫浦)

6．．．吸入口

7．．．處理構件

8．．．處理構件

9．．．處理液體

10．．．待處理材料

11．．．饋入裝置

12b．．．饋入元件(第一區)

13．．．可調控元件

14．．．惰性氣體儲存槽

15．．．控制器

16．．．惰性氣體

17．．．水位

18．．．限定流速

21．．．維修孔

22．．．外蓋

23．．．襯墊

37．．．感應器

Claims (10)

1. 一種在連續製程工廠用於待處理材料(特別是待處理平面材料)之濕式化學處理的方法，該方法包含以下步驟：將該待處理材料運送通過處理槽且在該處理槽以處理液體處理該待處理材料，其中該處理槽具有貯槽，於該貯槽中該處理液體至少累積至一水位，且該處理液體係經由傳輸裝置自該貯槽饋入處理構件，以及將惰性氣體饋入該處理槽中累積之該處理液體，該惰性氣體係在低於該處理液體累積之該水位處饋入，其中該惰性氣體在位於該傳輸裝置之吸入區內之一位置被饋入至該處理液體中，其中該處理液體具非零之流速至該傳輸裝置的吸入口，其中該惰性氣體在位於高於該傳輸裝置之吸入口的一位置被饋入至該處理液體。
2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該惰性氣體在與該惰性氣體饋入至該處理液體之位置間隔之該處理槽的一區自該處理槽排出。
3. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該惰性氣體經由該處理槽的邊緣區域自該處理槽中被移除。
4. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該處理槽具有入口縫，該待處理材料通過該入口縫運送至該處理槽內，且具有出口縫，使該待處理材料通過該出口縫運送至該處理槽外，該惰性氣體通過該入口縫 和/或該出口縫自該處理槽排出。
5. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該惰性氣體饋入該處理槽之體積流速是被建立於可使該處理槽之蒸汽空間中之氧氣濃度在0.1到15體積%的範圍內，特別是在3到12體積%範圍內，又特別是在4到8體積%範圍內。
6. 一種用於待處理材料(特別是待處理平面材料)之濕式化學處理的裝置，該裝置包含用於以處理液體處理該待處理材料之處理槽，其中該處理槽具有貯槽，以及用於將處理液體從該貯槽傳送至該處理槽之處理構件的傳輸裝置，用於運送該待處理材料通過該處理槽之運送裝置，以及用於將惰性氣體饋入該處理槽之體入裝置，該饋入裝置係配置以將該惰性氣體饋入至累積於該貯槽中的處理液體，其中該饋入裝置係配置以在位於該傳輸裝置之吸入區內之一位置將該惰性氣體饋入至該處理液體，其中該處理液體具非零之流速至該傳輸裝置的吸入口，其中該惰性氣體在位於高於該傳輸裝置之吸入口的一位置被饋入至該處理液體。
7. 如申請專利範圍第6項之裝置，其中該饋入裝置係配置以將該惰性氣體於該處理槽之至少一個饋入區饋入該處理槽，且其中該處理槽具有至少一個用於自該處理槽排出廢氣之排放口，該至少一個排放 口係配置於自該至少一個饋入區之一段距離處。
8. 如申請專利範圍第7項之裝置，其中該至少一個排放口被配置在該處理槽的邊緣區內。
9. 如申請專利範圍第7或8項之裝置，其中該至少一個排放口包含用於將該待處理材料導入至該處理槽的入口縫和/或將該待處理材料從該處理槽中排出的出口縫。
10. 如申請專利範圍第6到8項中任一項之裝置，包含用於建立該惰性氣體的體積流速之控制或調節裝置，以於該處理槽之蒸汽空間內建立一氧氣濃度在0.1到15體積%的範圍內，特別是在3到12體積%範圍內，又特別是在4到8體積%範圍內。