CN102687602A - 用于对待处理材料进行湿化学处理的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于对待处理材料(10)特别是待处理的扁平材料(10)进行湿化学处理的装置(1)，所述装置(1)包括用于用处理液(9)处理待处理材料(10)的处理容器(2)、用于将待处理材料(10)运送通过处理容器(2)的运送装置(24)以及用于将惰性气体(16)供入处理容器(2)的供送装置(11)。

Description

用于对待处理材料进行湿化学处理的方法和装置
本发明涉及用于对待处理材料进行湿化学处理的方法和装置。特别地，本发明涉及这样的装置和这样的方法，其中在连续工艺设备中运送并用处理液处理待处理材料。
在对待处理扁平材料(如，例如印刷电路板工业中的印刷电路板)的加工中，在湿化学工艺线中经常发生对待处理材料进行的处理。在连续工艺设备中，可以将待处理材料运送通过一个处理模块或多个处理模块，在所述的一个或多个处理模块中用一种处理溶液或依次用不同的处理溶液处理待处理材料。所述处理溶液可以借助泵被传送到待处理材料并且可以经由处理构件被递送。因此，大气氧气可以进入所述处理溶液中。
在一些处理溶液中，引入氧气可以损害处理溶液自身和/或处理待处理材料的工艺。例如，引入氧气可能促进电解质溶液中的氧化过程。可受引入氧气影响的处理溶液的一个实例是锡溶液。例如，在EP 545216A2中，描述了将氧气从空气引入到锡浴中可引起由Sn(II)离子氧化造成的Sn(IV)离子聚积并引起Cu(I)-硫脲络合物聚积到超过溶解限度的浓度从而该络合物形成沉淀。
总体上，某些处理溶液可以受氧气引入的影响使得在处理模块中颗粒沉淀并且形成相应的浆料。这会导致浴液(bath)的使用寿命缩短，这意味着用于化学品和维护的费用增加。所述浆料可导致对待处理材料的破坏。所述浆料也可能沉积在工艺线的低流量区，而移除浆料会增加维护方面的支出。
氧气引入还会具有这样的效果：在与处理溶液中的待处理材料反应期间可能形成有害气体，所述气体保持溶解在浴液中并且引起反应度降低。
下文中，将这样的处理溶液称作氧气敏感的或空气敏感的处理溶液：在该处理溶液中，将氧气引入处理溶液中对处理溶液自身、对处理待处理材料的工艺、或者对工艺线或处理模块的运行有不利影响。
为了减少由将氧气引入处理溶液中造成的影响，DE 10132478C1中提出使得浴液与例如金属锡接触从而使浴液再生。高氧化态的金属离子因此被还原为低氧化态的金属离子。针对该目的提供了相应的再生器。
作为本发明之基础的目标是提供一种针对连续工艺设备用于处理待处理材料的改进方法和改进装置。特别地，需要这样的方法和这样的装置，其中由氧气而引入造成的对处理溶液和/或对处理待处理材料的工艺和/或对工艺线或处理模块的运行的负面影响得以减轻。特别地，需要这样的方法和这样的装置，其中在连续工艺设备的连续运行过程中能够减少那些问题而基本上不影响处理速率。
根据本发明，通过独立权利要求中所描述的方法和装置实现所述目标。从属权利要求限定了本发明的优选的或有利的实施方案。
根据一个方面，提供了一种用于在连续工艺设备中对待处理材料进行湿化学处理的方法，其中将待处理材料运送通过处理容器并在处理容器中用处理液进行处理。根据本发明，将惰性气体供入处理容器中。
特别地，待处理材料可为待处理的扁平材料，例如印刷电路板、导电膜、片状材料等。待处理材料可具有导电结构。特别地，处理液可以是这样的溶液，其中将氧气引入到处理溶液中对处理溶液自身和/或对处理待处理材料的工艺和/或对工艺线或处理模块的运行有不利影响。
惰性气体的供送引起处理容器中大气氧气的排出。在所述方法中，可降低处理容器中的氧气浓度并因此可减少引入到处理液中的氧气。特别地，能够在处理液的浴液上方且紧邻浴液表面处产生包含少量氧气或不包含氧气的气垫(gas cushion)。这允许在其中将待处理材料运送到处理容器中并从处理容器运送出来的连续工艺设备中引入到处理液中的氧气得以减少。
惰性气体的供送可发生在处理容器的一个区域或多个区域中，所述一个区域或多个区域与废气从处理容器排出的一个区域或多个区域间隔开。例如，可以在处理容器的至少一个第一区域中将惰性气体供入处理容器中，而在处理容器的与第一区域间隔开的第二区域中将惰性气体从处理容器排出，例如通过抽吸移除或抽去。这使得借助于对第一区域和第二区域的适当布置将氧气从处理容器排出成为可能。
惰性气体可以经由处理容器的边缘区域从处理模块抽去。所述边缘区域可以布置在处理容器的外壳的在运送方向上界定处理模块的部分上，例如连续工艺设备中的处理容器与相邻的处理模块之间的分隔壁上。将惰性气体供入处理容器可至少发生在与处理容器的外壳的在运送方向上界定处理容器的两个部分间隔开的区域中，并且特别地，在所述两个部分的基本上中央的位置。这使得氧气沿着处理容器的长度方向上被排出。
所述处理容器可具有入口缝和出口缝，待处理材料通过入口缝被运送到处理容器中，待处理材料通过出口缝从处理容器中被运送出来，惰性气体通过入口缝和/或出口缝从处理容器排出。特别地，可以利用抽吸将惰性气体通过入口缝并通过出口缝从处理容器中移除。这使得废气通过设置在处理容器中用于待处理材料通过的一个槽并且特别地通过两个槽从处理容器排出。从而可以避免空气通过这些槽进入到处理容器中。
可以调整处理容器的蒸气空间中的压力使得所述压力高于处理容器外的环境压力。由此，可以减少大气氧气从环境中例如通过入口缝和/或出口缝进入到处理容器中。
可以将惰性气体连续地供入处理容器中。由此，在连续工艺设备连续运行期间可以将氧气从处理容器排出。
可以将惰性气体至少引入到处理液中以便将惰性气体供入处理容器中。这使得在处理过程中形成的溶解在处理液中的氧气或溶解在处理液中的有害气体能够在惰性气体被供入处理容器时从处理液排出。
可以将惰性气体从布置在处理液的浴液液位下方的位置处引入到处理液中。特别地，可以将惰性气体在布置在浴液液位下方至少10mm特别是至少100mm的位置处引入到处理液中。由此，可以避免泡沫形成，可以实现均匀的气泡分布，并且可以实现惰性气体气泡与处理液的浴液之间的长时间接触。
此外，可以将惰性气体引入到处理液中使得实现浴液的或处理液的涡流。由此，可以实现仍然可能以残留量存在的任何浆料的涡流，使得对所述浆料的过滤可能更简单。从而可以延长维护时间间隔并且可以实现工艺线的较高的可用性。
处理容器可以具有集液槽，处理液在所述集液槽中聚积到至少一定液位并且从所述集液槽中被传送到处理构件中，惰性气体在该液位下方被引入到处理容器中。由此，惰性气体可以被有目的地引入到处理液中使得经由一个或更多个处理构件传送和递送具有低氧含量的处理液。以这种方式，可以将氧气和/或有害气体从处理容器中的大部分处理液中排出。
特别地，可以在传送器装置的引入区将惰性气体引入到处理液中，所述传送器装置将处理液传送到处理构件。特别地，可以在一定的位置处或区域中将惰性气体引入到聚积在集液槽中的处理液中：在所述位置处或区域中存在有流向使处理液循环的传送器装置的大量液体，和/或在所述位置处或区域中存在有向着传送器装置的引入口的有限流速。
可以在布置在集液槽中的高于传送器装置的引入口的位置处或区域中将惰性气体引入到聚积在集液槽中的处理液中。从而可能避免引入气体气泡，引入气体气泡可损坏传送器装置。
用于供送惰性气体特别是用于将惰性气体引入到处理液中的供送装置可以配置为使得惰性气体以小气泡的形式被引入。所述供送装置可以具有多孔熔块(frit)，惰性气体经由所述多孔熔块被引入到处理液中。供送装置也可以具有设置有小孔排列的供送部件，惰性气体经由所述供送部件被引入到处理液中。所述熔块或递送部件可为管状塑料件的形式。当将惰性气体以小气泡的形式引入到处理液中时，可以实现惰性气体的高程度的使用。此外，可以减少不利的飞溅。
可以建立供入处理容器的惰性气体的体积流量，以便在处理容器的蒸气空间中达到期望的氧气浓度。可以例如根据处理容器的已知尺寸和运行参数来控制所述体积流量。也可以例如根据测量处理模块的蒸气空间中的氧气浓度或另一种气体浓度的传感器的输出信号来调节所述体积流量。
可以将供入处理容器的惰性气体的体积流量建立为使得在浴液液位上方的处理容器的蒸气空间中的氧气浓度低于10体积％、特别地低于5体积％、特别地低于2体积％。
所述方法和装置中，不必将处理容器的蒸气空间中的氧气浓度降低到0体积％。在示例性实施方案中，可以将供入处理容器的惰性气体的体积流量建立为使得在处理容器的浴液液位上方的蒸气空间中的氧气浓度在0.1体积％至15体积％的范围中、特别地在3体积％至12体积％的范围中、特别地在4体积％至8体积％的范围中。已经表明即使有这种氧气的残余浓度，也能够成功地减少当用氧气敏感的或空气敏感的处理溶液处理待处理材料时可发生的问题。
可以将每单位时间内供入处理容器的惰性气体的量建立为使得每单位时间内从处理容器排出的废气量为每单位时间内供应的惰性气体和每单位时间内通过处理液蒸发形成的蒸气量的总和的至少80％。每单位时间内从处理容器排出的废气量可以为所述总和的至少90％，特别地为所述总和的至少100％。在示例性实施方案中，每单位时间内从处理容器移除的废气量可以为所述总和的80％至120％。以这种方式，形成的蒸气可以通过抽吸被安全地移除。
可以将供入处理容器的惰性气体的体积流量建立为使得体积流量(以m3/h为单位测量的)与存在于处理容器中的处理液的体积(以m3为单位测量的)之间的比例小于20∶1，特别是小于10∶1。惰性气体的这种体积流量使得避免了当用氧气敏感的或空气敏感的处理溶液处理待处理材料时可发生的问题，并且使惰性气体消耗保持得足够低。
所述处理容器可以具有维护开口和保养开口，每一个开口都可以设置有至少一个封闭元件。所述至少一个封闭元件可设置有垫片。这可避免氧气从处理容器周围经由维护开口和保养开口进入。
例如氮气或二氧化碳可以用作惰性气体。
根据另一方面，提供了一种用于对待处理材料特别是待处理的扁平材料进行湿化学处理的装置。所述装置包括用于用处理液处理待处理材料的处理容器、用于将待处理材料运送通过处理容器的运送装置、以及用于将惰性气体供入处理容器的供送装置。
因为所述装置配置为将惰性气体供入处理容器中，所以可以将处理容器中的大气氧气排出。因此所述装置配置为使处理容器中的氧气浓度降低并据此使处理液中的氧气引入减少。特别地，包含少量氧气或不包含氧气的气垫可以产生在处理液的浴液上方且紧邻浴液表面。这可减少在连续工艺设备中引入到处理溶液中的氧气。
所述装置可以配置为实施根据本文描述的多种示例性实施方案的方法，这可能实现结合所述方法的对应实施方案所描述的效果。从属权利要求中也描述了所述装置的实施方案，在所有情况下都可能实现所描述的与所述方法的相应实施方案相关的效果。
根据本发明的另一方面，提供了一种用根据一方面或示例性实施方案的方法处理的制品，特别是印刷电路板或导电箔。
根据本发明的多种示例性实施方案的方法和装置允许减少引入到处理液中的氧气。特别地，在其中待处理材料被运送到处理容器中而在用处理液处理后被从处理容器中运送出来的连续工艺设备中，借助根据多种示例性实施方案的方法和装置可以减少可由引入到处理液中的氧气所引起的问题。
本发明的示例性实施方案可用于其中待处理材料被运送的装置中，例如用于对印刷电路板、箔式材料、带状导体等进行化学处理特别是电化学处理的装置中。但是，所述示例性实施方案不限于所述应用领域。
在下文中借助优选的或有利的示例性实施方案并参照附图更详细地解释本发明。
图1是根据一个示例性实施方案的用于处理待处理的扁平材料的装置的截面示意图。
图2是图1的装置的又一截面示意图。
在关于处理待处理材料的装置的上下文中对示例性实施方案进行描述，其中在所述装置中，待处理材料沿着水平运送平面被运送。正如常规那样，与待处理材料有关的方向或位置是相对于运送方向来描述的。与关于待处理材料的运送的运送方向相平行或反向平行的方向被称为纵向方向。
图1和图2示出用于处理待处理的扁平材料10的装置1的截面示意图，所述待处理的扁平材料10可为例如印刷电路，如印刷电路板、导电箔等。在图1的截面图中，绘图平面取向为与运送方向25正交，而在图2的截面图中，绘图平面取向为与运送方向25平行。
装置1包括具有处理容器2的处理模块，在所述处理容器2中用处理液处理待处理材料。特别地，处理液可以是氧气敏感的或空气敏感的处理溶液，例如化学锡浴。具有处理容器2的处理模块可以是具有另外的处理模块31、32的工艺线的一部分，所述另外的处理模块31、32布置为与具有处理容器2的处理模块相邻并且在所述另外的处理模块31、32中分别用不同的处理用化学品或用冲洗液来处理待处理材料10。在处理容器2中，可以以常规方式使待处理材料10接触处理液。例如，处理容器2可以具有集液槽3，在所述集液槽3中处理液9聚积到一定液位17。处理容器2中的另外的区域没有填充处理液并且能够容纳各种气体，下文中将该区域称为蒸气空间4。在实施方案中，可以将蒸气空间4限定为处理容器2的没有填充液体的部分体积。在蒸气空间4中，还可以包含具有气相状态的被蒸发的处理液。
处理容器2具有这样的壳体，该壳体限定了处理容器2的外壳而并不需要是气密的。特别地，在在运送方向25上将处理容器2与相邻的处理模块31界定开的分隔壁35中，所述壳体可以有入口缝26，待处理材料10经由所述入口缝26被运送到处理容器2中。在运送方向25上在处理容器2的相对端处将处理容器2与邻近的处理模块32界定开的另外的分隔壁36中，所述壳体可以有出口缝27，待处理材料10经由所述出口缝27从处理容器2中被运送出来。设置了包括运送元件例如运送辊对24的运送装置，用于将待处理材料10传送通过处理容器2。
在处理容器2的下部设置有引入口6，由传送器装置例如泵5通过所述进口6从处理容器2的集液槽3传送处理液。泵5将处理液从集液槽3传送到可包括流量喷嘴、膨胀喷嘴、喷雾嘴等的处理构件7、8。从处理构件7、8递送处理液以便用处理液处理被引导经过处理构件7、8的待处理材料10。处理液可以从处理构件7、8或从待处理材料10流回到集液槽3中以便再一次通过泵5进行循环。
装置1还配置为使得惰性气体可以被供入处理容器2中。例如，供送的惰性气体可为氮气或二氧化碳。为了此目的，装置1具有用于供送惰性气体的供送装置11。供送装置11具有多个供送元件12a、12b、12c，惰性气体16可以通过所述供送元件12a、12b、12c在液位17下方被递送到聚积在处理容器2的集液槽3中的处理液9中。
为了将惰性气体16递送到处理液9中，供送装置11的供送元件12a、12b、12c被定位为使得供送元件12a、12b、12c将惰性气体递送到处理液9在装置1运行期间在集液槽3中至少聚积到的液位17下方。特别地，供送装置11的供送元件12a、12b、12c可以被定位为使得供送元件12a、12b、12c将惰性气体在液位17下方至少10mm特别地至少100mm递送到处理液9中。
供送装置11的供送元件12a、12b、12c还被定位为使得供送元件12a、12b、12c在引入口上方将惰性气体递送至处理液，其中，泵5通过所述进口从集液槽3传送处理液。
供送装置11的至少一个供送元件12b布置为在处理容器2的纵向方向上与两个分隔壁35、36相距一段距离，所述分隔壁35、36在运送方向25上界定处理容器2。特别地，供送装置11的供送元件12b可以布置为使得供送元件12b在任何情况下都能够在两个分隔壁35、36之间的中间位置处将惰性气体16递送到处理液9中。由供送元件12b在处理容器2的纵向方向上与入口缝26和出口缝27间隔开的位置处将惰性气体供入处理容器2中。供送装置11的供送元件12a、12c也布置为在处理容器2的纵向方向上与分隔壁35、36相距一段距离，所述分隔壁35、36在运送方向25上界定处理容器2，并且供送装置11的供送元件12a、12c将惰性气体16在处理容器2的纵向方向上远离入口缝26和出口缝27的位置处供入处理容器中。
将供送装置11的至少一个供送元件12b，有利的是将供送装置11的所有供送元件12a、12b、12c，定位在处理容器中使得所述供送元件在相对大量的处理液经由引入口6被迅速运送到泵5的位置处将惰性气体16递送到聚积在集液槽3中的处理液9中。为了此目的，可以将供送元件12a、12b、12c定位为使得供送元件12a、12b、12c在一定的位置处将惰性气体16递送到聚积在集液槽3中的处理液9中，在所述位置处聚积的处理液9具有有限流速18，并且处理液9以该有限流速18流向引入口6。以这种方式，可以减少在处理液9被供入待处理材料10并被循环之前处理液9中的氧气或有害气体浓度。这使得处理容器2中的处理液中的大气氧气和有害气体迅速减少。由惰性气体的引入引起的聚积的处理液9的涡流可以使悬浮在处理液中的颗粒免于沉淀从而可以便于过滤。
供送装置11的供送元件12a、12b、12c均可为多孔熔块的形式。可替换地，供送装置11的供送元件12a、12b、12c均可有小孔排列，惰性气体16通过所述小孔递送到处理液9中。供送元件12a、12b、12c可为塑料件形式，特别是管状塑料件形式。
在用于惰性气体的供送管中设置有可控装置或可控元件13，例如可控阀门。借助可控装置13，可以建立惰性气体从惰性气体存储器14到供送元件12a、12b、12c的体积流量。控制装置15与可控装置13连接以便控制或调节体积流量。控制装置15可以与处理容器中的一个传感器37或多个传感器37连接。一个或多个传感器37可以配置为检测蒸气空间4中至少一种气体的浓度。例如，传感器37可以配置为检测在聚积的处理液9上方的蒸气空间4中的氧气浓度并且向控制装置15提供对浓度的信号指示。可替换地或此外，传感器37可以配置为检测蒸气空间4中的惰性气体浓度并且向控制装置15提供对浓度的信号指示。一个或多个传感器37可以配置为使得所述传感器测量相应气体在处理液的液位17上方特别是在处理液的液位17正上方的浓度。控制装置15可以响应于检测浓度向可控装置13提供控制信号，以便根据浓度来调节被供入处理容器2中的惰性气体的体积流量。在另一示例性实施方案中，控制装置15可以根据处理容器2的已知几何特性并且根据装置1的运行参数来控制供送的惰性气体的体积流量，所述运行参数可以包括例如处理容器2中的处理液9的量。
借助控制装置15调节被供入处理容器中的惰性气体的体积流量使得被供送入的惰性气体的体积流量或量能够选择为尽可能的小。特别地，可选择被供送的惰性气体的体积流量使得通过供应尽可能少的惰性气体而在处理容器2的蒸气空间4中达到所需的氧气浓度。可以调节对惰性气体的供送使得未必需要达到零氧气浓度。例如，已经示出：如果浴液液位17上方的蒸气空间4中的氧气浓度低于10体积％、特别是低于5体积％、特别是低于2体积％，即可获得关于处理液中氧气引入的满意结果。还可以调节对惰性气体的供送使得浴液液位17上方的蒸气空间4中的氧气浓度在0.1体积％至15体积％的范围中、特别地在3体积％至12体积％的范围中、特别地在4体积％至8体积％的范围中。
控制装置15可以使用另外的标准以便调节或控制惰性气体的供送。例如，控制装置15可以调节惰性气体的供送使得被供送的惰性气体的体积流量(以m3/h为单位测量的)和存在于处理容器中的处理液的体积(以m3为单位测量的)之间的比例低于20∶1，特别地低于10∶1。
如图2中概略地示出的，废气可以经由入口缝26和出口缝27从处理容器2中移除，待处理材料10通过所述入口缝26和出口缝27运送到处理容器2中并从处理容器2中运送出来。通过入口缝26的废气流29和通过出口缝27的废气流30可以基本上包含蒸气空间4中流向入口缝26和出口缝27的被供应的惰性气体28、蒸发的处理液以及被引入到处理容器2中的一定量的有害气体或空气。例如，空气可以经由不防漏的区进入到处理容器2中。
为了减少空气从周围环境进入到处理容器2中，处理容器2的维护开口和保养开口可以设置有垫片。例如，概略式地示出，处理容器2可具有可以借助盖子22而关闭的维护开口21。所述盖子22具有垫片23以避免空气进入。
装置1可以配置为使得废气29、30从处理容器2流到相邻的处理模块31、32中。为了避免空气从处理模块31、32流到处理容器2中，可以在装置1中建立通过入口缝26和出口缝27的气体的有限流速，所述流速被取向为使得气体从处理容器2流到相邻的处理模块31、32中。在设置在相邻的处理模块31、32上的引入区33、34处，废气可以经由上游处理模块31和下游处理模块32通过抽吸从处理容器2中移除。
正如已经提到的，处理容器2中供送元件12a、12b、12c将惰性气体16供入处理容器2中的区域布置为在运送方向25上相距入口缝26和出口缝27一段距离。这有助于惰性气体16沿处理容器2的纵向方向的分布以及相应的氧气的排出。
可以建立抽吸力和/或到处理容器2中的惰性气体供送以便防止空气经由入口26和出口缝27进入到处理容器2中。抽吸力可选择为使得每单位时间内通过抽吸所移除的废气26、27的量至少等于每单位时间内供应的惰性气体量加上每单位时间内处理液蒸发的量。
可以在其他示例性实施方案中实施对图中示出的和详细描述的示例性实施方案的修改。
在示例性实施方案的上下文中，描述了水平地运送待处理材料的装置；然而，在其他示例性实施方案中，也可能沿着垂直平面运送待处理材料。
在示例性实施方案的上下文中，描述了其中惰性气体排入到聚积在集液槽中的处理液中的装置和方法；然而，可替换地或此外，在其他示例性实施方案中，也可将惰性气体供入处理容器中的没有处理液聚积的位置处或区域中。
在示例性实施方案的上下文中，描述了其中处理构件提供在聚积的处理液的液位上方的装置和方法；然而，在其他示例性实施方案中，也可对待处理材料进行浸渍处理。不必需提供将处理液施用到待处理材料的分离的处理构件。
根据各种示例性实施方案的装置和方法可以用于处理具有导电结构的制品，如例如印刷电路板、导电箔、太阳能电池或用于太阳能电池的部件等，而所述装置和方法的用途并不限于此。特别地，根据多种示例性实施方案的装置和方法可以用在用氧气敏感的或空气敏感的处理溶液处理待处理材料中。

Claims (14)

1.一种用于在连续工艺设备中对待处理材料(10)特别是待处理的扁平材料(10)进行湿化学处理的方法，
其中将所述待处理材料(10)运送通过处理容器(2)并在所述处理容器(2)中用处理液(9)处理，
其中将惰性气体(16)供入所述处理容器(2)中。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中在所述处理容器(2)的至少一个第一区域(12a、12b、12c)中将所述惰性气体(16)供入所述处理容器(2)中，在所述处理容器(2)的与所述第一区域间隔开的第二区域(29、30)中将所述惰性气体(16)从所述处理容器(2)排出。
3.根据权利要求1或2所述的方法，
其中经由所述处理容器(2)的边缘区域(35、36)将所述惰性气体(16)从所述处理容器(2)中移除。
4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述处理容器(2)具有入口缝(26)和出口缝(27)，所述待处理材料(10)通过所述入口缝(26)被运送到所述处理容器(2)中，所述待处理材料(10)通过所述出口缝(27)从所述处理容器(2)被运送出来，所述惰性气体(16)通过所述入口缝(26)和/或所述出口缝(27)从所述处理容器(2)排出。
5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中将所述惰性气体(16)至少引入到所述处理液(9)中以便将所述惰性气体(16)供入所述处理容器(2)中。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述处理容器(2)具有集液槽(3)，所述处理液(9)在所述集液槽(3)中聚积到至少一定液位(17)并且所述处理液(9)从所述集液槽(3)被供入处理构件(7、8)，所述惰性气体(16)在所述液位(17)下方被供入所述处理容器(2)中。
7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中供入所述处理容器(2)的所述惰性气体(16)的体积流量被建立为使得所述处理容器(2)的蒸气空间(4)中的氧气浓度在0.1体积％至15体积％的范围中，特别地在3体积％至12体积％的范围中，特别地在4体积％至8体积％的范围中。
8.一种用于对待处理材料(10)特别是待处理的扁平材料(10)进行湿化学处理的装置，包括：
用于用处理液(9)处理所述待处理材料(10)的处理容器(2)，
用于将所述待处理材料(10)运送通过所述处理容器(2)的运送装置(24)，以及
用于将惰性气体(16)供入到所述处理容器(2)中的供送装置(11)。
9.根据权利要求8所述的装置，
其中所述供送装置(11)配置为在所述处理容器(2)的至少一个供送区域中(12a、12b、12c)将所述惰性气体(16)供入所述处理容器(2)中，并且其中所述处理容器(2)具有用于将废气(29、30)从所述处理容器(2)排出的至少一个排出口(26、27)，所述至少一个排出口(26、27)被设置成与所述至少一个供送区域(12a、12b、12c)相距一段距离。
10.根据权利要求9所述的装置，
其中所述至少一个排出口(26、27)设置在所述处理容器(2)的边缘区域(35、36)中。
11.根据权利要求9或10所述的装置，
其中所述至少一个排出口(26、27)包括用于将所述待处理材料(10)引入到所述处理容器(2)中的入口缝(26)和/或用于将所述待处理材料(10)从所述处理容器(2)排出的出口缝(27)。
12.根据权利要求8到10中任一项所述的装置，
其中所述供送装置(11)配置和设置为将所述惰性气体(16)引入到所述处理液(9)中。
13.根据权利要求8到12中任一项所述的装置，
其中所述处理容器(2)具有集液槽(3)和用于将处理液(9)从所述集液槽(3)传送到所述处理容器(2)的处理构件(7、8)的传送器装置(5)，所述供送装置(11)配置为将所述惰性气体(16)引入到聚积在所述集液槽(3)中的处理液(9)中。
14.根据权利要求8到13中任一项所述的装置，
包括控制或调节装置(13、15、37)，所述控制或调节装置(13、15、37)用于建立所述惰性气体(16)的体积流量以便在所述处理容器(2)的蒸气空间(4)中建立在0.1体积％至15体积％的范围中的、特别地在3体积％至12体积％的范围中的、特别地在4体积％至8体积％的范围中的氧气浓度。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017088466A1 (zh) * 2015-11-23 2017-06-01 宇宙电路板设备(深圳)有限公司 印刷电路板湿化学处理设备和印刷电路板湿化学处理方法
CN112299064A (zh) * 2019-07-30 2021-02-02 群翊工业股份有限公司 可防板偏的连续通板的氮气箱

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013207343B3 (de) * 2013-04-23 2014-08-28 Atotech Deutschland Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum nasschemischen Behandeln von flächigem Behandlungsgut
US20160040292A1 (en) * 2014-08-08 2016-02-11 Gary P. Wainwright Roll-to-roll electroless plating system with low dissolved oxygen content
US9719171B2 (en) * 2014-09-12 2017-08-01 Eastman Kodak Company Roll-to-roll electroless plating system with spreader duct
EP3016486B1 (en) * 2014-10-29 2017-08-16 ATOTECH Deutschland GmbH Desmear module of a horizontal process line and a method for separation and removal of desmear particles from such a desmear module
EP3805425B1 (en) * 2019-10-10 2022-08-10 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Method and apparatus for performing immersion tin process in the production of a component carrier

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0251272A1 (de) * 1986-07-04 1988-01-07 Siemens Aktiengesellschaft Galvanisiereinrichtung, insbesondere zum galvanischen Abscheiden von Aluminium
JPS63221693A (ja) * 1987-03-10 1988-09-14 日立化成工業株式会社 無電解前処理液のコンベヤ処理方法
WO2009117226A1 (en) * 2008-03-21 2009-09-24 Macdermid, Incorporated Method of applying catalytic solution for use in electroless deposition

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3023827C2 (de) * 1980-06-25 1985-11-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Anlage zum galvanischen Abscheiden von Aluminium
CA2083196C (en) 1991-11-27 1998-02-17 Randal D. King Process for extending the life of a displacement plating bath
US5304297A (en) * 1993-02-26 1994-04-19 Rockwell International Corporation Reducing agent regeneration system
US5605719A (en) * 1995-03-03 1997-02-25 Rockwell International Corporation Method of transporting and applying a surface treatment liquid using gas bubbles
US5676716A (en) * 1995-10-30 1997-10-14 The Babcock & Wilcox Company Apparatus for mixing a tank and improving air/liquid contact in an oxidized system
DE19736350C1 (de) * 1997-08-21 1999-08-05 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur Konzentrationsregulierung von Stoffen in Elektrolyten und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP2000169970A (ja) * 1998-12-07 2000-06-20 Yoshinobu Abe 不活性雰囲気めっき方法
DE10132478C1 (de) 2001-07-03 2003-04-30 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Abscheiden einer Metallschicht sowie Verfahren zum Regenerieren einer Metallionen in einer hohen Oxidationsstufe enthaltenden Lösung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0251272A1 (de) * 1986-07-04 1988-01-07 Siemens Aktiengesellschaft Galvanisiereinrichtung, insbesondere zum galvanischen Abscheiden von Aluminium
JPS63221693A (ja) * 1987-03-10 1988-09-14 日立化成工業株式会社 無電解前処理液のコンベヤ処理方法
WO2009117226A1 (en) * 2008-03-21 2009-09-24 Macdermid, Incorporated Method of applying catalytic solution for use in electroless deposition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017088466A1 (zh) * 2015-11-23 2017-06-01 宇宙电路板设备(深圳)有限公司 印刷电路板湿化学处理设备和印刷电路板湿化学处理方法
CN112299064A (zh) * 2019-07-30 2021-02-02 群翊工业股份有限公司 可防板偏的连续通板的氮气箱

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