KR20150074409A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 얼라인 마크의 시인성 저하를 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역과, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 가지는 기판의 전면 상에 얼라인 마크를 형성하는 단계와; 상기 기판의 배면 상에 상기 얼라인 마크와 중첩되도록 얼라인 보호 패턴을 형성하는 단계와; 상기 비표시 영역의 상기 기판의 배면 상에 상기 얼라인 보호 패턴과 경계를 이루는 차광 부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 얼라인 마크의 시인성 저하를 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
영상을 표시할 수 있는 평판 표시 장치의 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기발광장치(Organic Light Emitting Device), 전기영동표시장치(Electrophoretic Display : EPD) 등이 있다.
이러한 평판 표시 장치들은 영상을 표시하는 표시 영역과, 표시 영역의 외곽에 형성되는 비표시 영역을 구비한다. 특히, 비표시 영역에는 표시 영역에 구동 신호를 공급하기 위한 다수의 외곽 신호라인들이 형성된다. 이 외곽 신호 라인들에 (외부)광이 입사되면, 외곽 신호 라인들에 의해 (외부)광이 반사되어 시감특성이 저하된다. 이러한 시감 특성 저하를 방지하기 위해, 외곽 신호 라인들이 형성된 베젤 영역을 차광 부재 등을 이용하여 차광하게 되면, 베젤 영역에 위치하는 얼라인 마크의 적어도 일부분이 차광 부재에 의해 가려지게 된다. 이에 따라, 얼라인 마크의 시인성이 저하되어 얼라인 마크를 이용한 후속 공정의 정확도가 저하되는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 얼라인 마크의 시인성 저하를 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역과, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 가지는 기판의 전면 상에 얼라인 마크를 형성하는 단계와; 상기 기판의 배면 상에 상기 얼라인 마크와 중첩되도록 얼라인 보호 패턴을 형성하는 단계와; 상기 비표시 영역의 상기 기판의 배면 상에 상기 얼라인 보호 패턴과 경계를 이루는 차광 부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 얼라인 보호 패턴과 상기 차광 부재는 동일한 잉크젯 장치를 이용하여 연속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 표시 장치는 표시 영역과, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 가지는 기판과; 상기 비표시 영역의 상기 기판의 전면 상에 형성되는 얼라인 마크와; 상기 비표시 영역의 상기 기판의 배면 상에 형성되는 차광 부재와; 상기 얼라인 마크와 중첩되며, 상기 차광 부재와 경계를 이루도록 상기 기판의 배면 상에 형성되는 얼라인 보호 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 얼라인 보호 패턴과 상기 차광 부재 중 어느 하나는 친수성 재질로 형성되며, 나머지 하나는 소수성 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 친수성 재질은 터미널 그룹이 -OH기, -CO2H(카복실기), -NH2(아미노기), -SH(티올기), 또는 -CONH2(아미드기)인 재질로 형성되며, 상기 소수성 재질은 터미널 그룹이 -Cl, -F, -CH3(알킬기), 또는 -C6H5(페닐기)인 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 표시 장치는 상기 얼라인 마크를 기준으로 상기 기판 배면에 부착되는 광학 필름을 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 베젤 영역에 형성되는 차광 부재와 다른 극성을 가지는 얼라인 보호 패턴이 차광 부재와의 중첩없이 차광 부재와 경계를 이루도록 형성된다. 이에 따라, 얼라인 보호 패턴과 중첩되는 얼라인 마크의 시인성이 저하되는 것을 방지할 수 있어 얼라인 마크를 기준으로 정렬되는 광학 필름의 부착 공정이 용이해진다. 또한, 본 발명은 얼라인 마크의 사이즈를 종래보다 작게 형성하여도 얼라인 마크 영역의 금속 비침 영역이 작아지므로 얼라인 마크의 시인성이 향상된다. 뿐만 아니라, 본원 발명은 얼라인 보호 패턴과 차광 부재의 높이가 유사해 기포 발생을 방지할 수 있어 광학 필름의 들뜸현상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 액정 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3에 도시된 얼라인 보호 패턴의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 5a 및 도 5b는 도 3에 도시된 차광 부재의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6a 및 도 6b는 도 3에 도시된 광학 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 7a 내지 도 7d는 도 2에 도시된 얼라인 보호 패턴이 표시 패널에 적용되는 경우를 설명하기 위한 도면들이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 1는 본 발명에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이며, 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 1 및 도 2에서는 표시 장치 중 액정 표시 장치를 예로 들어 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2에 도시된 표시 장치는 표시 영역과, 표시 영역을 제외한 비표시영역으로 구분된다.
표시 영역에는 액정층(178)을 사이에 두고 합착제(168)에 의해 합착되는 상부기판(101) 및 하부 기판(100)을 구비한다.
상부 기판(101) 상에는 컬러 구현을 위한 컬러 필터(124)와, 빛샘 방지를 위한 블랙매트릭스(170)와, 평탄화를 위한 오버 코트층(176)과, 화소 전극(172)과 전계를 형성하는 공통 전극(174)이 형성된다.
하부 기판(100) 상에는 서로 교차되게 형성된 게이트 라인 및 데이터 라인과, 그들의 교차부에 형성된 박막트랜지스터(140)와, 보호막(118) 상에 박막트랜지스터(140)와 접속되는 화소 전극(172)이 형성된다. 여기서, 박막트랜지스터(140)는 도 2에 도시된 바와 같이 게이트 라인과 접속되도록 하부 기판(100) 상에 형성된 게이트 전극(102)과, 게이트 전극(102)을 덮도록 형성된 게이트 절연막(112)과, 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 게이트 전극(102)과 중첩되도록 형성된 산화물 반도체층(114)과, 산화물 반도체층(114)의 손상을 방지하도록 산화물 반도체층(114)상에 형성된 에치 스토퍼(106)과, 데이터 라인과 접속된 소스 전극(108)과, 소스 전극(108)과 마주보며 형성된 드레인 전극(110)을 포함한다. 여기서, 산화물 반도체층(114)은 Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr 중 선택된 적어도 하나 이상의 금속을 포함하는 산화물로 형성된다.
이러한 표시 영역에서는 상부 기판(101)의 전면 상에 형성된 프론트 라이트 유닛(180)으로부터의 광이 액정층(178)을 통과하여 하부 기판의 배면(Bottom)으로 방출하게 되므로 화상이 구현된다.
비표시 영역은 베젤 영역으로서, 표시 영역이 상대적으로 넓게 형성되도록 가능한 작게 형성된다. 이를 위해, 비표시 영역의 4면은 상부 또는 하부 커버 등에 의해 둘러싸이지 않아 화상이 구현되는 하부 기판의 표면에 커버 등에 의한 단차가 없는 4면 보더리스(Boardless) 구조로 형성된다.
이러한 비표시영역에는 다수의 외곽 신호 라인들(158), 차광 부재(154), 얼라인 마크(156) 및 얼라인 보호 패턴(152)이 형성된다.
다수의 외곽 신호 라인들(158)은 표시 영역에 형성된 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속되어 게이트 라인 및 데이터 라인에 구동 신호를 공급한다. 이러한 다수의 외곽 신호 라인들(158)은 라인 온 글래스(Line On Glass) 형태로 하부 기판(100)의 전면 상에 형성된다.
차광 부재(154)는 하부 기판(100)의 배면 상에 외곽 신호 라인들(158)과 중첩되도록 블랙 재질로 형성된다. 이 차광 부재(154)에 의해 외곽 신호 라인들(158)이 형성된 베젤 영역이 차광되므로, (외부)광을 반사시키는 외곽 신호 라인들(158)에 의해 시감 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
얼라인 마크(156)는 하부 기판(100)의 배면 상에 형성되는 광학 필름(162)과, 하부 기판(100)과의 정확한 정렬을 위해 하부 기판(100) 상에 형성된다. 이 얼라인 마크(156)는 하부 기판(100) 상에 형성되는 게이트 라인 및 데이터 라인 중 적어도 어느 하나와 동일 재질로 동일층에 형성된다.
얼라인 보호 패턴(152)은 차광 부재(154)와 반대 극성의 재질로 하부 기판(100)의 배면 상에 얼라인 마크(156)와 중첩되도록 형성된다. 즉, 차광 부재(154)가 친수성 블랙 잉크로 형성되는 경우, 얼라인 보호 패턴(152)은 소수성 잉크로 형성되며, 차광 부재(154)가 소수성 블랙 잉크로 형성되는 경우, 얼라인 보호 패턴(152)은 친수성 잉크로 형성된다. 예를 들어, 차광 부재(154) 및 얼라인 보호 패턴(152) 중 어느 하나는 터미널 그룹이 -Cl, -F, -CH3(알킬기), 또는 -C6H5(페닐기)인 재질로 형성되어 소수성의 특성을 가지며, 나머지 하나는 터미널 그룹이 -OH기, -CO2H(카복실기), -NH2(아미노기), -SH(티올기), 또는 -CONH2(아미드기)인 재질로 형성되어 친수성의 특성을 가진다.
이와 같이, 서로 다른 극성을 가지는 차광 부재(154)와 얼라인 보호 패턴(152) 사이에는 척력이 발생된다. 이에 따라, 차광 부재(154)는 얼라인 보호 패턴(152)과의 중첩없이 얼라인 보호 패턴(152)을 둘러싸도록 형성되므로, 차광 부재(154)는 얼라인 보호 패턴(152)과 경계를 이루게 된다. 얼라인 보호 패턴(152)과 경계를 이루는 차광 부재(154)는 얼라인 마크(156)와의 중첩을 방지할 수 있어 차광 부재(154)에 의한 얼라인 마크(156)의 시인성 저하를 방지할 수 있다. 이에 따라, 얼라인 마크(156)를 기준으로 정렬되는 광학 필름(162)의 부착 공정이 용이해지며, 얼라인 마크(156)의 사이즈를 종래보다 작게, 최소 40㎛로 형성하여도 얼라인 보호 패턴(152)에 의해 차광 부재(154)와의 중첩없이 인식될 수 있다.
한편, 얼라인 보호 패턴(152)은 투명 또는 불투명 재질로 형성된다. 얼라인 보호 패턴(152)이 투명 재질로 형성되는 경우, 얼라인 마크(156)가 외부로 인식되어 얼라인 마크(156)를 기준으로 광학 필름(162)이 정렬된다. 또한, 얼라인 보호 패턴(152)이 불투명 재질로 형성되는 경우, 얼라인 보호 패턴(152)이 외부로 인식되어 얼라인 보호 패턴(152)을 기준으로 광학 필름(162)이 정렬된다.
한편, 도 1 및 도 2에서는 액정 표시 장치를 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 도 3에 도시된 바와 같이 유기 발광 표시 장치에도 적용가능하다.
즉, 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치는 박막트랜지스터(140)와 접속되는 제1 전극(122)과, 제1 전극(122)을 노출시키는 뱅크홀(132)이 형성된 뱅크 절연막(130)과, 제1 전극(122) 상에 유기 발광층(134)과, 유기 발광층(134) 위에 형성된 제2 전극(136)과, 컬러 구현을 위한 컬러 필터(124)를 구비한다.
유기 발광층(134)은 표시 영역에 위치하는 각 서브 화소를 구분하도록 형성된 뱅크 절연막(130)에 의해 마련된 뱅크홀(132)에 의해 노출된 제1 전극(122)과 뱅크 절연막(130) 상에 형성된다. 이러한 유기 발광층(134)은 제1 전극(122) 위에 적층된 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 순으로 또는 역순으로 구성된다. 특히, 발광층에서는 정공 수송층을 통해 공급된 정공과 전자 수송층을 통해 공급된 전자들이 재결합되므로 백색광이 생성된다.
컬러 필터(124)는 표시 영역의 보호막(118) 상에 형성되며, 유기 발광층(134)으로부터의 백색광을 이용하여 해당 서브 화소의 색을 구현한다.
제1 전극(122)은 양극(Anode)으로서, 오버 코트층(126) 상에 ITO 등과 같은 투명 전도성 재질로 형성된다. 이러한 제1 전극(122)은 유기 발광층(134)에서 생성된 광을 투과시켜 하부 기판의 배면으로 방출되도록 한다.
제2 전극(136)은 음극(Cathode)으로서, 뱅크 절연막(130) 상에 알루미늄(Al)과 같이 반사성 금속 재질로 형성된다. 이러한 제2 전극(136)은 유기 발광층(124)에서 생성되어 캡핑층(111) 쪽으로 진행하는 광을 제1 전극(122) 쪽으로 반사시키는 반사 전극의 역할을 한다.
이에 따라, 제1 전극(122)과 제2 전극(136) 사이에 전압을 인가하면 유기 발광층(134)에서 생성되어 컬러 필터(124)를 통과한 빛이 하부 기판(100)의 배면(Bottom)으로 방출하게 된다.
비표시영역에는 게이트 라인 및 데이터 라인에 구동 신호를 공급하는 다수의 외곽 신호 라인들(158), 외곽 신호 라인들(158)이 형성된 베젤 영역을 차광하는 차광 부재(154), 하부 기판(100)과 광학 필름(162)과의 정확한 정렬을 위한 얼라인 마크(156) 및 차광 부재(154)와 반대 극성을 가지는 얼라인 보호 패턴(152)이 형성된다.
이러한 비표시 영역에 형성되는 서로 다른 극성을 가지는 차광 부재(154)와 얼라인 보호 패턴(152) 사이에는 척력이 발생되므로 차광 부재(154)는 얼라인 보호 패턴(152)과 경계를 이루게 된다. 얼라인 보호 패턴(152)과 경계를 이루는 차광 부재(154)는 얼라인 마크(156)와의 중첩을 방지할 수 있어 차광 부재(154)에 의한 얼라인 마크(156)의 시인성 저하를 방지할 수 있다.
도 4a 및 도 6b는 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 도 4a 및 도 6b에서는 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치를 예를 들어 설명하기로 한다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 표시 패널의 하부 기판(100)의 배면 상에 얼라인 보호 패턴(152)이 형성된다.
구체적으로, 하부 기판(100)의 배면 상에 잉크젯 장치(150)가 정렬된다. 정렬된 잉크젯 장치(150)가 일측 방향으로 이동하면서 하부 기판(100)의 배면 상에 얼라인 잉크를 적하한다. 적하된 얼라인 잉크가 열경화 또는 광경화됨으로써 하부 기판(100)의 배면 상에 얼라인 마크(156)와 중첩되는 얼라인 보호 패턴(152)이 형성된다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 얼라인 보호 패턴(152)이 형성된 하부 기판(100)의 배면 상에 차광 부재(154)가 형성된다.
구체적으로, 얼라인 보호 패턴(152)이 형성된 하부 기판(100)의 배면 상에 정렬된 잉크젯 장치(150)가 베젤 영역을 따라 이동하면서 블랙 잉크가 적하된다. 이 때, 블랙 잉크의 퍼짐을 고려하여 새도우마스크(160)를 이용하여 하부 기판(100)의 배면 상에 블랙 잉크를 적하할 수도 있다. 즉, 블랙 잉크의 퍼짐 정도가 높은 경우, 블랙 잉크가 표시 영역으로 확산되지 못하도록 새도우 마스크(160)를 이용하여 하부 기판(100)의 배면 상에 블랙 잉크를 적하한다. 그리고, 블랙 잉크의 퍼짐 정도가 낮은 경우, 새도우 마스크(160) 없이 하부 기판(100)의 배면 상에 블랙 잉크를 적하한다. 적하된 블랙 잉크가 열경화 또는 경화됨으로써 얼라인 보호 패턴(152)과 경계를 이루는 차광 부재(154)가 형성된다. 이 때, 차광 부재(154)와 중첩없이 경계를 이루는 얼라인 보호 패턴(152)에 의해 얼라인 마크는 인식 가능해진다.
여기서, 차광 부재(154)는 얼라인 보호 패턴(152)과 다른 극성의 재질로 형성된다. 즉, 얼라인 보호 패턴(152)이 친수성 얼라인 잉크로 형성되는 경우, 차광 부재(154)는 소수성 블랙 잉크로 형성되고, 얼라인 보호 패턴(152)이 소수성 얼라인 잉크로 형성되는 경우, 차광 부재(154)는 친수성 블랙 잉크로 형성된다.
한편, 차광 부재(154)는 얼라인 보호 패턴(152)과 동일한 잉크젯 장치(150)를 이용하여 형성가능하므로 동일 설비 내에서 연속적으로 공정을 진행할 수 있다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 차광 부재(154)가 형성된 하부 기판(100)의 배면 상에 광학 필름(162)이 형성된다.
구체적으로, 얼라인 마크(156)를 기준으로 하부 기판(100)의 배면 상에 광학 필름(162)이 정확히 정렬된다. 그런 다음, 가압 롤러(164)를 이용하여 하부 기판(100)의 배면 상에 광학 필름(162)을 전면 부착한다. 여기서, 광학 필름(162)은 예를 들어 편광판, 위상차판 및 필름 패턴 리타더 중 적어도 어느 하나로 형성된다.
한편, 얼라인 보호 패턴이 없는 종래의 경우, 차광 부재와 기판 사이에 심한 높이차가 발생된다. 이 경우, 광학 필름 부착시 차광 부재와 기판 사이에 기포가 발생되어 광학 필름이 제대로 부착되지 못하고 들떠 뿌옇게 인식되다. 이에 따라, 종래의 경우, 얼라인 마크의 인식률 저하 및 얼라인 정확도가 저하되는 문제점이 있다.
반면에, 얼라인 보호 패턴(156)을 구비하는 본원 발명의 경우, 차광 부재(154)와 얼라인 보호 패턴(156)의 높이가 유사하므로 광학 필름(162) 부착시 기포 발생을 방지할 수 있다. 이에 따라, 본원 발명은 종래와 대비하여 얼라인 마크(156)의 인식률 향상 및 얼라인 정확도가 향상된다.
한편, 본 발명에서는 광학 필름(162)의 부착시 이용되는 얼라인 마크(156)를 노출시키기 위해, 얼라인 보호 패턴(152)을 형성하는 것을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 표시 패널 내부에 형성된 박막 패턴의 형성시에도 적용가능하다.
구체적으로, 도 7a에 도시된 바와 같이 블랙매트릭스(170) 및 얼라인 마크(156)가 형성된 상부 기판(101) 상에 청색(B) 컬러 필터(124)가 형성된다. 그런 다음, 도 7b에 도시된 바와 같이 잉크젯 장치(150)를 이용하여 얼라인 마크(156)를 덮도록 얼라인 마크(156) 상에 소수성 또는 친수성 잉크를 적하함으로써 얼라인 보호 패턴(152)이 형성된다. 그런 다음, 도 7c에 도시된 바와 같이 얼라인 보호 패턴(152)과 반대 극성을 가지는 적색(R) 컬러 잉크를 스크린 프린팅(Screen Printing), 슬롯 다이 코팅(Slot Die Coating) 또는 스핀 코팅 방식(Spin Coating)을 통해 전면 코팅함으로써 얼라인 보호 패턴(152)을 제외한 나머지 영역에 적색(R) 컬러 잉크가 형성된다. 그런 다음, 얼라인 보호 패턴(152)에 의해 노출되는 얼라인 마크(156)를 기준으로 적색(R) 컬러 잉크가 형성된 상부 기판(101) 상에 포토 마스크가 정렬된다. 그 포토 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정을 통해 적색(R) 컬러 잉크가 패터닝됨으로써 도 7d에 도시된 바와 같이 적색 컬러 필터(124)가 형성된다.
한편, 본 발명에서는 차광 부재(154)와 다른 극성을 가지는 잉크로 형성된 얼라인 보호 패턴(152)을 통해 차광 부재(154)와의 중첩없이 얼라인 마크(156)를 노출시키는 것을 예로 들어 설명하였다. 이외에도 얼라인 마크(156)와 중첩되는 하부 기판(100)의 배면을 차광 부재(154)와 반대 극성으로 표면 처리하면 표면 처리된 하부 기판(100)의 배면이 얼라인 보호 패턴(152)의 역할을 하게 되므로 얼라인 마크(156)의 시인성 저하를 방지할 수 있다.
즉, 도 8a에 도시된 바와 같이 얼라인 마크(156)와 중첩되는 하부 기판(100)의 배면을 불소를 함유하는 SF6 및 CF4 중 적어도 어느 하나를 이용하여 플라즈마 처리함으로써 얼라인 마크(156)와 중첩되는 하부 기판(100)의 배면의 표면은 선택적으로 소수화된다. 이에 따라, 친수성 재질로 형성되는 차광 부재(154)는 소수화된 영역을 제외한 나머지 비표시 영역에 차광 부재(154)와 중첩되지 않게 형성되므로 얼라인 마크(156)의 시인성 저하를 방지할 수 있다.
또한, 도 8b에 도시된 바와 같이 얼라인 마크(156)와 중첩되는 하부 기판(100)의 배면을 O2 플라즈마 처리함으로써 얼라인 마크(156)와 중첩되는 하부 기판(100)의 표면은 선택적으로 친수화된다. 이에 따라, 소수성 재질로 형성되는 차광 부재(154)는 친수화된 영역을 제외한 나머지 비표시 영역에 차광 부재(154)와 중첩되지 않게 형성되므로 얼라인 마크(156)의 시인성 저하를 방지할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
152 : 얼라인 보호 패턴
154 : 차광 부재
156 : 얼라인 마크

Claims (9)

  1. 표시 영역과, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 가지는 기판의 전면 상에 얼라인 마크를 형성하는 단계와;
    상기 기판의 배면 상에 상기 얼라인 마크와 중첩되도록 얼라인 보호 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 비표시 영역의 상기 기판의 배면 상에 상기 얼라인 보호 패턴과 경계를 이루는 차광 부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 얼라인 보호 패턴과 상기 차광 부재 중 어느 하나는 친수성 재질로 형성되며, 나머지 하나는 소수성 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 친수성 재질은 터미널 그룹이 -OH기, -CO2H(카복실기), -NH2(아미노기), -SH(티올기), 또는 -CONH2(아미드기)인 재질로 형성되며,
    상기 소수성 재질은 터미널 그룹이 -Cl, -F, -CH3(알킬기), 또는 -C6H5(페닐기)인 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 얼라인 보호 패턴과 상기 차광 부재는 동일한 잉크젯 장치를 이용하여 연속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 얼라인 마크를 기준으로 상기 기판 배면에 광학 필름을 정렬하여 상기 차광 부재가 형성된 기판 상에 상기 광학 필름을 부착하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  6. 표시 영역과, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 가지는 기판과;
    상기 비표시 영역의 상기 기판의 전면 상에 형성되는 얼라인 마크와;
    상기 비표시 영역의 상기 기판의 배면 상에 형성되는 차광 부재와;
    상기 얼라인 마크와 중첩되며, 상기 차광 부재와 경계를 이루도록 상기 기판의 배면 상에 형성되는 얼라인 보호 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 얼라인 보호 패턴과 상기 차광 부재 중 어느 하나는 친수성 재질로 형성되며, 나머지 하나는 소수성 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 친수성 재질은 터미널 그룹이 -OH기, -CO2H(카복실기), -NH2(아미노기), -SH(티올기), 또는 -CONH2(아미드기)인 재질로 형성되며,
    상기 소수성 재질은 터미널 그룹이 -Cl, -F, -CH3(알킬기), 또는 -C6H5(페닐기)인 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 얼라인 마크를 기준으로 상기 기판 배면에 부착되는 광학 필름을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170078980A (ko) * 2015-12-29 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20190066646A (ko) * 2017-12-05 2019-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20190142118A (ko) * 2018-06-15 2019-12-26 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그를 포함하는 전자 장치
CN111095386A (zh) * 2017-10-04 2020-05-01 株式会社日本显示器 显示装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016101517A1 (de) * 2016-01-28 2017-08-03 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode
CN106409865A (zh) * 2016-06-27 2017-02-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制造方法、以及显示装置
US20180315808A1 (en) * 2017-04-28 2018-11-01 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light emitting (oled) display panels, and the manufacturing methods and display devices thereof
CN107357060A (zh) * 2017-08-29 2017-11-17 惠科股份有限公司 一种显示面板的制造方法及制造设备
US11119370B2 (en) * 2018-01-29 2021-09-14 Himax Display, Inc. Display panel
US10718969B2 (en) * 2018-05-01 2020-07-21 Himax Display, Inc. Display panel
KR102656240B1 (ko) * 2018-11-29 2024-04-09 엘지디스플레이 주식회사 컬러 필터들 및 차광 부재를 포함하는 디스플레이 장치
KR20200086774A (ko) 2019-01-09 2020-07-20 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
CN110783484B (zh) 2019-09-24 2020-11-10 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110783485B (zh) * 2019-09-24 2021-06-18 昆山国显光电有限公司 透光显示面板、显示面板、制作方法、显示装置
US11127889B2 (en) * 2019-10-30 2021-09-21 X Display Company Technology Limited Displays with unpatterned layers of light-absorbing material
CN111025799B (zh) * 2019-12-02 2021-07-27 苏州华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111882988B (zh) * 2020-07-31 2023-01-31 北海惠科光电技术有限公司 一种显示面板、显示面板的制作方法和显示装置
CN113053940B (zh) * 2021-03-02 2022-07-12 Tcl华星光电技术有限公司 一种Mini LED背光板的制作方法及Mini LED背光板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086005A (ja) * 1994-06-15 1996-01-12 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2005326578A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その製造方法、電気光学パネルおよび電子機器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001235738A (ja) * 2000-02-25 2001-08-31 Sony Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US6403401B1 (en) * 2000-08-14 2002-06-11 St Assembly Test Services Pte Ltd Heat spreader hole pin 1 identifier
AU2003281711A1 (en) * 2002-07-29 2004-02-16 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate with parallax barrier layer, method for producing substrate with parallax barrier layer, and three-dimensional display
CN101090866B (zh) * 2004-12-28 2011-08-17 石原产业株式会社 黑色氮氧化钛
EP2063308A4 (en) * 2006-09-07 2010-12-22 Sharp Kk IMAGE DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND PARALLAX BARRIER ELEMENT
KR101331942B1 (ko) * 2007-05-03 2013-11-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
MX2010004737A (es) * 2007-10-31 2010-05-27 Nissha Printing Panel de proteccion con funcion de alimentacion sensible al tacto para ventana de exhibicion de dispositivo electronico, y dispositivo electronico.
JP5203291B2 (ja) * 2009-05-18 2013-06-05 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置および電子機器
JP5605088B2 (ja) * 2009-12-03 2014-10-15 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP5548466B2 (ja) * 2010-01-29 2014-07-16 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示素子
US8431946B2 (en) 2010-05-26 2013-04-30 Hsin-Chih CHIU Chip package and method for forming the same
KR101699530B1 (ko) * 2010-07-27 2017-01-25 삼성디스플레이 주식회사 터치스크린패널 및 이를 구비한 영상표시장치
TWI444943B (zh) * 2011-03-11 2014-07-11 E Ink Holdings Inc 彩色顯示裝置
CN102799018A (zh) * 2012-08-09 2012-11-28 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086005A (ja) * 1994-06-15 1996-01-12 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2005326578A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その製造方法、電気光学パネルおよび電子機器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170078980A (ko) * 2015-12-29 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN111095386A (zh) * 2017-10-04 2020-05-01 株式会社日本显示器 显示装置
KR20190066646A (ko) * 2017-12-05 2019-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20190142118A (ko) * 2018-06-15 2019-12-26 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그를 포함하는 전자 장치

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