KR20150059610A - 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150059610A
KR20150059610A KR1020140161566A KR20140161566A KR20150059610A KR 20150059610 A KR20150059610 A KR 20150059610A KR 1020140161566 A KR1020140161566 A KR 1020140161566A KR 20140161566 A KR20140161566 A KR 20140161566A KR 20150059610 A KR20150059610 A KR 20150059610A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phase shift
film
shift mask
pattern
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020140161566A
Other languages
English (en)
Korean (ko)
Inventor
세이지 즈보이
유따까 요시까와
마사오 우시다
Original Assignee
호야 가부시키가이샤
호야 일렉트로닉스 말레이지아 센드리안 베르하드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 호야 가부시키가이샤, 호야 일렉트로닉스 말레이지아 센드리안 베르하드 filed Critical 호야 가부시키가이샤
Publication of KR20150059610A publication Critical patent/KR20150059610A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
KR1020140161566A 2013-11-22 2014-11-19 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 Ceased KR20150059610A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013242209A JP6266322B2 (ja) 2013-11-22 2013-11-22 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法
JPJP-P-2013-242209 2013-11-22

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170134755A Division KR101935171B1 (ko) 2013-11-22 2017-10-17 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150059610A true KR20150059610A (ko) 2015-06-01

Family

ID=53378379

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140161566A Ceased KR20150059610A (ko) 2013-11-22 2014-11-19 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
KR1020170134755A Active KR101935171B1 (ko) 2013-11-22 2017-10-17 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170134755A Active KR101935171B1 (ko) 2013-11-22 2017-10-17 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6266322B2 (enExample)
KR (2) KR20150059610A (enExample)
TW (3) TWI655670B (enExample)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180076296A (ko) * 2016-12-27 2018-07-05 호야 가부시키가이샤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 이것을 사용한 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
KR20180084635A (ko) * 2017-01-16 2018-07-25 호야 가부시키가이샤 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR20180099601A (ko) * 2015-09-26 2018-09-05 호야 가부시키가이샤 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 및 표시 장치의 제조 방법
KR20190078506A (ko) * 2017-12-26 2019-07-04 호야 가부시키가이샤 포토마스크 블랭크 및 포토마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6767735B2 (ja) * 2015-06-30 2020-10-14 Hoya株式会社 フォトマスク、フォトマスクの設計方法、フォトマスクブランク、および表示装置の製造方法
JP6626813B2 (ja) * 2016-03-16 2019-12-25 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク
CN108319104B (zh) * 2017-01-16 2023-05-02 Hoya株式会社 显示装置制造用相移掩模坯料、显示装置制造用相移掩模的制造方法及显示装置的制造方法
CN108319103B (zh) * 2017-01-16 2023-11-28 Hoya株式会社 相移掩模坯料及使用其的相移掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法
JP7176843B2 (ja) * 2017-01-18 2022-11-22 Hoya株式会社 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
KR102568807B1 (ko) * 2017-03-28 2023-08-21 호야 가부시키가이샤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그것을 사용한 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 그리고 패턴 전사 방법
NL2021927B1 (en) 2017-11-06 2019-10-04 Asml Netherlands Bv Metal-Silicide-Nitridation for Stress Reduction
JP7037919B2 (ja) * 2017-11-14 2022-03-17 アルバック成膜株式会社 マスクブランク、ハーフトーンマスクおよびその製造方法
JP2018173644A (ja) * 2018-05-31 2018-11-08 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
JP6927177B2 (ja) * 2018-09-26 2021-08-25 信越化学工業株式会社 位相シフト型フォトマスクブランク及び位相シフト型フォトマスク
JP6840807B2 (ja) * 2019-09-10 2021-03-10 Hoya株式会社 フォトマスクの設計方法および製造方法、並びに表示装置の製造方法
JP7731678B2 (ja) 2020-03-16 2025-09-01 Hoya株式会社 フォトマスク、及び表示装置の製造方法
US12366798B2 (en) * 2021-06-07 2025-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography mask and methods
JP7346527B2 (ja) * 2021-11-25 2023-09-19 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び表示装置の製造方法
JP2023108276A (ja) * 2022-01-25 2023-08-04 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び表示装置の製造方法
US20230317452A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Nanya Technology Corporation Hard mask structure

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5674647A (en) * 1992-11-21 1997-10-07 Ulvac Coating Corporation Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask
US7011910B2 (en) * 2002-04-26 2006-03-14 Hoya Corporation Halftone-type phase-shift mask blank, and halftone-type phase-shift mask
US7045255B2 (en) * 2002-04-30 2006-05-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photomask and method for producing the same
JP3727331B2 (ja) * 2002-04-30 2005-12-14 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4249509B2 (ja) * 2003-02-27 2009-04-02 大日本印刷株式会社 位相シフトレチクルの製造方法および位相シフター欠陥修正方法
KR101143005B1 (ko) * 2004-12-14 2012-05-08 삼성전자주식회사 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 및 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법
JP2007271696A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Hoya Corp グレートーンマスクブランク及びフォトマスク
JP4840879B2 (ja) * 2007-08-10 2011-12-21 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド グレートーンブランクマスク及びグレートーンフォトマスク並びにそれらの製造方法
JP4849276B2 (ja) * 2008-08-15 2012-01-11 信越化学工業株式会社 グレートーンマスクブランク、グレートーンマスク、及び製品加工標識又は製品情報標識の形成方法
WO2010032753A1 (ja) * 2008-09-18 2010-03-25 株式会社ニコン 開口絞り、光学系、露光装置及び電子デバイスの製造方法
TWI440964B (zh) * 2009-01-27 2014-06-11 Hoya Corp 多調式光罩、多調式光罩之製造方法及圖案轉印方法
JP5662032B2 (ja) * 2010-02-05 2015-01-28 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス及びハーフトーンマスク
TWI461833B (zh) * 2010-03-15 2014-11-21 Hoya Corp 多調式光罩、多調式光罩之製造方法及圖案轉印方法
WO2012043695A1 (ja) * 2010-09-30 2012-04-05 Hoya株式会社 マスクブランク及びその製造方法並びに転写用マスク
KR101151685B1 (ko) * 2011-04-22 2012-07-20 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 포토마스크
JP5286455B1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-11 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクおよびこれらの製造方法
JP5538513B2 (ja) * 2012-12-12 2014-07-02 Hoya株式会社 多階調フォトマスク、パターン転写方法及び薄膜トランジスタの製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180099601A (ko) * 2015-09-26 2018-09-05 호야 가부시키가이샤 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 및 표시 장치의 제조 방법
KR20180076296A (ko) * 2016-12-27 2018-07-05 호야 가부시키가이샤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 이것을 사용한 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
KR20180084635A (ko) * 2017-01-16 2018-07-25 호야 가부시키가이샤 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR20190078506A (ko) * 2017-12-26 2019-07-04 호야 가부시키가이샤 포토마스크 블랭크 및 포토마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101935171B1 (ko) 2019-01-03
TW201727354A (zh) 2017-08-01
TW201527866A (zh) 2015-07-16
TWI605299B (zh) 2017-11-11
JP2015102633A (ja) 2015-06-04
TW201801148A (zh) 2018-01-01
KR20170119324A (ko) 2017-10-26
JP6266322B2 (ja) 2018-01-24
TWI655670B (zh) 2019-04-01
TWI591422B (zh) 2017-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101935171B1 (ko) 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
KR101049624B1 (ko) 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크를 이용한 패턴 전사 방법
TWI461830B (zh) 相位偏移光罩母模、相位偏移光罩及相位偏移光罩母模之製造方法
CN111742259B (zh) 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
CN111801618B (zh) 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
JP7176843B2 (ja) 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
JP7095157B2 (ja) 位相シフトマスクブランクおよびこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
TWI758382B (zh) 相移光罩基底、相移光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法
JP2022191475A (ja) フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法
TWI789999B (zh) 遮罩基底、轉印用遮罩及半導體元件之製造方法
KR20160046285A (ko) 플랫 패널 디스플레이용 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
JP6532919B2 (ja) 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク、及び表示装置の製造方法
KR20180109697A (ko) 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그것을 사용한 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 그리고 패턴 전사 방법
JP7126836B2 (ja) 位相シフトマスクブランク及びそれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法
JP2014006469A (ja) マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
CN108319104B (zh) 显示装置制造用相移掩模坯料、显示装置制造用相移掩模的制造方法及显示装置的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20141119

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
AMND Amendment
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20160122

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20141119

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20161004

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20170525

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20161004

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20170525

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20170104

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20160122

Comment text: Amendment to Specification, etc.

PX0601 Decision of rejection after re-examination

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX06014S01D

Patent event date: 20170719

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX06012R01I

Patent event date: 20170626

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX06011S01I

Patent event date: 20170525

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX06012R01I

Patent event date: 20170104

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PX06013S01I

Patent event date: 20161004

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX06012R01I

Patent event date: 20160122

A107 Divisional application of patent
J201 Request for trial against refusal decision
PA0107 Divisional application

Comment text: Divisional Application of Patent

Patent event date: 20171017

Patent event code: PA01071R01D

PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20171017

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20170719

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Patent event date: 20170525

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Appeal identifier: 2017101005021

Request date: 20171017

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2017101005021; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20171017

Effective date: 20190722

PJ1301 Trial decision

Patent event code: PJ13011S01D

Patent event date: 20190722

Comment text: Trial Decision on Objection to Decision on Refusal

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Request date: 20171017

Decision date: 20190722

Appeal identifier: 2017101005021