KR20150046173A - Uv 챔버들을 세정하기 위한 방법 및 하드웨어 - Google Patents

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Abstract

UV 챔버를 위한 세정 방법은 제 1 세정 가스, 제 2 세정 가스, 및 퍼지 가스를 챔버의 하나 또는 그 초과의 개구들에 제공하는 단계를 포함한다. 제 1 세정 가스는 카본 잔여물들을 제거하기 위해서, 오존과 같은 산소 함유 가스일 수 있다. 제 2 세정 가스는 실리콘 잔여물들을 제거하기 위해서, O2 및 NF3의 원격 플라즈마일 수 있다. UV 챔버는 2개의 UV 투과성 샤워헤드들을 가질 수 있고, 이 샤워헤드들은 챔버 덮개의 UV 윈도우와 함께, UV 윈도우 근처에 가스 용적을, 그리고 가스 용적 아래에 분배 용적을 정의한다. 세정 가스들 중 하나 또는 그 초과의 세정 가스들이 분배 용적 내로 유동되는 동안, 세정 가스들이 UV 투과성 윈도우에 영향을 미치는 것을 방지하기 위해서 퍼지 가스가 가스 용적을 통해 유동될 수 있다.

Description

UV 챔버들을 세정하기 위한 방법 및 하드웨어{METHOD AND HARDWARE FOR CLEANING UV CHAMBERS}
[0001] 본원에 설명된 실시예들은 일반적으로, 저 유전 상수 재료의 유전 상수를 수복하는(recovering) 방법들 및 장치에 관한 것이다. 챔버 덮개의 UV 윈도우에 영향을 미치지 않고 실리콘 및 카본 잔여물들의 세정을 허용하는, 2개의 UV 투과성(transparent) 가스 분배 샤워헤드들을 갖는 챔버가 설명된다.
[0002] 전자 디바이스들의 크기가 감소되기 때문에, 저 유전 상수(k)를 갖는 새로운 재료들, 예컨대 2.2만큼 낮은 유전 값을 갖는 재료들이, 전자 디바이스들을 형성하는 데에 사용된다.
[0003] 플라즈마-증착된 다공성 저 k 필름들은 그러한 요구 사항을 만족시킬 수 있는 일 종류의(one class) 재료들이다. 낮은 유전 값에 기여하는 기공들(pores) 및 카본의 존재는 상당한 프로세스 통합 난제들을 야기하는데, 이는 기공들이 에칭, 애싱(ashing), 및 플라즈마 손상들에 민감하기 때문이다. 따라서, 다공성 저-k 필름들을 형성 후에 그리고/또는 통합 후에 수복하기 위해, 보통은 k-수복 프로세스가 필요하다.
[0004] 전형적으로, 2개의 상이한 챔버들이 k-수복에 필요하다. 저-k 필름들의, 실릴화와 같은 화학 처리용의, 또는 저-k 필름들의 표면 처리를 위한 얇은 필름의 증착용의 하나의 챔버. UV(자외선) 경화를 사용한 기공 밀봉(sealing)을 위해 다른 챔버가 사용된다. 전형적인 k-수복은 개별 챔버들에서 수행되는데, 이는 화학 표면 처리가, 할로겐 또는 오존을 포함하는 프로세싱 가스를 공급하기 위해서 샤워헤드를 사용하는 반면에, UV 챔버는 할로겐 및 오존과 보통 양립 가능하지 않은 석영 윈도우를 사용하기 때문이다. 그러나, 2개의 챔버 k-수복 프로세스는 2개의 챔버들 및 기판 이송을 위한 부가적인 시간을 요구함으로써 소유의 비용을 증가시킨다.
[0005] 따라서, k-수복 프로세스들을 위한 개선된 장치 및 방법이 필요하다.
[0006] 본원에 개시된 실시예들은 일반적으로, 기판들을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 프로세스 챔버는 제 1 UV 투과성 샤워헤드 및 제 2 UV 투과성 샤워헤드를 특징으로 한다. UV 투과성 윈도우는 샤워헤드들 위에 포지셔닝된다. UV 투과성 윈도우와 제 1 UV 투과성 샤워헤드는 함께 가스 용적을 정의하고, 제 1 UV 투과성 샤워헤드와 제 2 UV 투과성 샤워헤드는 함께 분배 용적을 정의한다. 챔버 측벽 또는 덮개의 가스 개구들은 프로세스 가스들을 위한, 가스 용적 및/또는 분배 용적 내로의 유동 경로를 제공한다. 프로세스 가스들은 제 1 및 제 2 UV 투과성 샤워헤드들을 통해 기판 지지부 근처의 공간 내로 유동한다.
[0007] 그러한 챔버를 위한 세정 방법은 제 1 세정 가스, 제 2 세정 가스, 및 퍼지 가스를 챔버의 하나 또는 그 초과의 개구들에 제공하는 단계를 포함한다. 제 1 세정 가스는 카본 잔여물들을 제거하기 위해서, 오존과 같은 산소 함유 가스일 수 있다. 제 2 세정 가스는 실리콘 잔여물들을 제거하기 위해서, O2 및 NF3의 원격 플라즈마일 수 있다. 퍼지 가스가 가스 용적을 통해 유동될 수 있는 동안 세정 가스들 중 하나 또는 그 초과의 가스들은 분배 용적 내로 유동되어서, 세정 가스들이 UV 투과성 윈도우에 영향을 끼치는 것을 방지한다.
[0008] 본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 일 실시예에 따른 프로세스 챔버(100)의 개략적인 단면도이다.
도 2a는 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116)의 평면도이다.
도 2b는 제 2 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(124)의 평면도이다.
도 2c는 내부에 관통 홀들(208)이 형성된 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(200)의 상세 단면도이다.
도 2d는 다른 실시예에 따른 제 2 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(250)의 평면도이다.
[0010] 도 1은 일 실시예에 따른 프로세싱 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 프로세싱 챔버(100)는 UV 에너지, 하나 또는 그 초과의 프로세싱 가스들, 및 원격으로 생성된 플라즈마를 사용하여 기판을 프로세싱하도록 구성된다.
[0011] 프로세싱 챔버(100)는 챔버 본체(102) 및 챔버 본체 위에 배치된 챔버 덮개(104)를 포함한다. 챔버 본체(102) 및 챔버 덮개(104)는 내측 용적(106)을 형성한다. 내측 용적(106)에는 기판 지지 조립체(108)가 배치된다. 기판 지지 조립체(108)는 프로세싱을 위해서 기판 지지 조립체 상에 기판(110)을 수용하고 지지한다.
[0012] 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116)가, 내측 용적(106)에서 챔버 덮개(104)의 중앙 개구(112)를 통해서 상부 클램핑 부재(118)와 하부 클램핑 부재(120)에 의해 걸려 있다. UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116)는, 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116) 아래에 있는 분배 용적(122)에 걸쳐 하나 또는 그 초과의 프로세싱 가스들을 분배하기 위해서, 기판 지지 조립체(108)를 대면하여 포지셔닝된다. 제 2 UV 투과성 샤워헤드(124)가 내측 용적(106)에서 챔버 덮개(104)의 중앙 개구(112)를 통해서 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116) 아래에 걸려 있다. UV 투과성 가스 분배 샤워헤드들(116 및 124)의 각각은 챔버 덮개(104)에 형성된 리세스에 배치된다. 제 1 리세스(126)가 챔버 덮개(104)의 내부 표면 주위의 환형 리세스이고, 그리고 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116)는 제 1 리세스(126) 내로 끼워맞춤(fit)된다. 마찬가지로, 제 2 리세스(128)가 제 2 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(124)를 수용한다.
[0013] UV 투과성 윈도우(114)가 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116) 위에 배치된다. 윈도우 UV 투과성(114)은 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116) 위에 포지셔닝되어, UV 투과성 윈도우(114)와 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116) 사이에 가스 용적(130)을 형성한다. UV 투과성 윈도우(114)는 임의의 편리한 수단, 예컨대, 클램프들, 스크류들, 또는 볼트들에 의해서 챔버 덮개(104)에 고정될 수 있다.
[0014] UV 투과성 윈도우(114)와 제 1 및 제 2 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드들(116 및 124)은 UV 파장들 내의 열 또는 복사(radiant) 에너지에 적어도 부분적으로 투과적이다. UV 투과성 윈도우(114)는 석영일 수 있거나 또는, 사파이어, CaF2, MgF2, AlON, 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 옥시나이트라이드 재료와 같은, 다른 UV 투과성 실리콘 재료, 또는 다른 투과성 재료일 수 있다.
[0015] UV 소스(150)가 UV 투과성 윈도우(114) 위에 배치된다. UV 소스(150)는 UV 에너지를 생성하도록, 그리고 UV 에너지를 UV 투과성 윈도우(114), 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116), 및 제 2 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(124)를 통하여 기판 지지부(108)를 향해 투사(project)하도록 구성된다. 커버(도시되지 않음)가 UV 소스(150) 위에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 커버는 UV 소스(150)로부터 기판 지지부를 향한 UV 에너지의 투사를 보조하도록 성형될 수 있다.
[0016] 일 실시예에서, UV 소스(150)는 UV 복사선(radiation)을 생성하기 위해서 하나 또는 그 초과의 UV 광원들(lights)(152)을 포함한다. UV 광원들은 램프들, LED 이미터들(emitters), 또는 다른 UV 이미터들일 수 있다. 적합한 UV 소스들의 더 상세한 설명들을 미국 특허 제 7,777,198 호 및 미국 특허 공보 2006/0249175 에서 찾을 수 있다.
[0017] 프로세싱 챔버(100)는 기판 지지부(108) 상에 배치된 기판을 프로세싱하기 위해서 기판 지지부(108)에 걸쳐 하나 또는 그 초과의 프로세싱 가스들을 공급하도록 구성된 유동 채널들을 포함한다. 제 1 유동 채널(132)은, 가스가 가스 용적(130)에 진입하고 그리고 UV 소스(150)로부터의 UV 복사선에 노출되기 위한 유동 경로를 제공한다. 가스 용적(130)으로부터의 가스는 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116)를 통해서 분배 용적(122) 내로 유동할 수 있다. 제 2 유동 채널(134)은, 가스가 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116)를 통과하지 않고 분배 용적(122)에 직접 진입하여, 앞서 가스 용적(130)에서 UV 복사선에 노출되었던 가스와 혼합되도록 하기 위한 유동 경로를 제공한다. 분배 용적(122)에서 혼합된 가스들은, 제 2 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(124)를 통하여 기판 지지부(108) 근처의 공간 내로 유동하기 전에, 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116)를 통해 UV 복사선에 추가적으로 노출된다. 기판 지지부(108) 및 기판 지지부(108) 상에 배치된 기판 근처의 가스는 제 2 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(124)를 통해 UV 복사선에 추가로 노출된다. 가스들은 개구(136)를 통해 배기될 수 있다. 퍼지 가스들이 챔버의 바닥부의 개구(138)를 통해서 제공될 수 있고, 이에 의해 퍼지 가스들은 기판 지지부(108) 주위를 유동하여, 기판 지지부 아래의 공간 내로의 프로세스 가스들의 침입을 효과적으로 방지한다.
[0018] 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116)는, 프로세싱 가스가 가스 용적(130)으로부터 분배 용적(122)으로 유동하게 허용하는 복수의 관통 홀들(through holes; 140)을 포함한다. 또한, 제 2 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(124)는, 프로세싱 가스가 분배 용적(122)으로부터 기판 지지부(108) 근처의 프로세싱 공간 내로 유동하게 허용하는 복수의 관통 홀들(142)을 포함한다. 제 1 및 제 2 가스 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드들의 관통 홀들은 동일한 이격으로 또는 상이한 이격으로 균등하게 분배될 수 있다.
[0019] 도 2a는 제 1 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(116)의 평면도이다. 제 1 샤워헤드(116)는 제 1 샤워헤드(116)의 주변부(periphery)를 향해 배열된 복수의 제 1 관통 홀들(202) 및 제 1 샤워헤드(116)의 중앙 영역을 향해 배열된 복수의 제 2 관통 홀들(204)을 포함할 수 있다. 복수의 제 1 관통 홀들(202) 및 복수의 제 2 관통 홀들(204)은 동심 대열들(concentric ranks)로 배열될 수 있다. 도 2a의 실시예에서, 샤워헤드(116)의 주변부에서의 관통 홀들(202)은 샤워헤드(116)의 중앙 영역에서의 홀들(204)보다 더 큰 직경을 갖는다. 일 실시예에서, 홀들(202)은 약 0.020 인치 내지 약 0.050 인치, 예를 들어 약 0.030 인치의 직경을 갖고, 홀들(204)은 약 0.010 인치 내지 약 0.030 인치, 예를 들어 약 0.020 인치의 직경을 갖는다. 홀들(202)은 제 1 이격(220)을 갖고, 홀들(204)은 제 2 이격(210)을 갖는다. 도 2a의 실시예에서, 이격(210)은 이격(220)보다 더 크다. 도 2a의 실시예에서, 홀 크기 및 이격은 샤워헤드(116)의 주변 영역에서 샤워헤드(116)를 통한 더 빠른 유동을 촉진하여, 챔버 벽들과의 세정 가스들의 접촉을 촉진한다.
[0020] 도 2b는 제 2 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(124)의 평면도이다. 샤워헤드(124)는 샤워헤드(124)를 통한 균일한 유동을 촉진하기 위해서 균일한 크기와 이격을 갖는 복수의 관통 홀들(206)을 포함할 수 있다. 관통 홀들(206)은 약 0.020 인치 내지 약 0.050 인치, 예를 들어 약 0.030 인치의 직경을 가질 수 있다.
[0021] 도 2c는 내부에 관통 홀들(208)이 형성된 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(200)의 상세 단면도이다. 관통 홀들(208)은 관통 홀들(140, 142, 202, 및 204)로서 사용될 수 있고, 플레이트(200)는 플레이트(116 또는 124)로서 사용될 수 있다. 관통 홀들(208)은 테이퍼진(tapered) 진입 부분(222) 및 테이퍼진 출구 부분(224)을 갖는다. 플레이트(200)의 모든 노출되는 표면들 위에 코팅(226)이 배치된다. 코팅(226)은, 사파이어, CaF2, MgF2, AlON 과 같은 플루오린-내성의 코팅, 또는 다른 플루오린-내성의 재료일 수 있고, 그리고 전형적으로 컨포멀(conformal)하다. 코팅은 약 1㎛ 내지 약 10㎛의 두께를 가질 수 있고, 그리고 화학 기상 증착과 같은 기상 증착 프로세스에 의해서 증착될 수 있으며, 그러한 기상 증착 프로세스는 플라즈마 강화될(plasma enhanced) 수 있다. 테이퍼진 진입 부분(222) 및 테이퍼진 출구 부분(224)은 관통 홀(208)의 전체 표면을 코팅하는 것을 용이하게 한다. 도 2c의 실시예에서, 플레이트(200)의 양쪽 주(major) 표면 모두 코팅된다. 대안적인 실시예에서는, 플레이트(200)의 오직 하나의 주 표면만 코팅된다. 그러한 실시예에서, 관통 홀들(208)은 전부 코팅될 수 있거나, 또는 단지 부분적으로만 코팅된다. 다른 대안적인 실시예에서, 관통 홀들(208)은 오직 일 측(side)에서만, 즉, 진입 측 또는 출구 측에서만 테이퍼진다.
[0022] 도 2d는 다른 실시예에 따른 제 2 UV 투과성 가스 분배 샤워헤드(250)의 평면도이다. 샤워헤드(250)는 샤워헤드(124)와 같이 도 1의 장치(100)에 사용될 수 있다. 샤워헤드(250)는 샤워헤드(250)의 중앙 영역에 단일의 대형 개구(255)를 갖는다. 개구(255)는 샤워헤드(250)를 통하는 유동을 허용하고, 그리고 챔버(100)(도 1)에서 프로세싱될 기판에 비례하여(relative to), 개구(255)를 크기 결정하는 것이 기판의 균일한 프로세싱을 촉진한다. 300mm 원형 기판에 대해서, 개구(255)를 약 0.5 인치의 직경으로 크기 결정하는 것은 기판들의 균일한 프로세싱 및 챔버 표면들의 철저한 세정을 허용한다.
[0023] 동작 시에, 프로세싱 가스들은 가스 용적(130) 및 분배 용적(122)에 제공되고 샤워헤드들(116 및 124)을 통과하여, 기판 지지부(108) 상에 배치된 기판에 대한 재료 동작을 수행한다. 프로세스 가스들의 잔여물들은 여러 가지 챔버 표면들, 예컨대 윈도우(114), 가스 용적(130)을 대면하는 측면 상에, 샤워헤드들(116 및 124)의 어느 한 쪽의 측면, 및 챔버 벽들에 영향을 미친다(impinge). 일 양태에서 잔여물들은 카본 및 실리콘을 포함한다.
[0024] 카본 및 실리콘 잔여물들을 석영 또는 실리콘 옥사이드 컴포넌트들을 포함하는 챔버, 예컨대 UV 투과성 윈도우(114)를 갖는 챔버(100)로부터 제거하는 방법은 제 1 세정 가스를 개구부들(132 및 134)을 통해서 가스 용적(130) 및/또는 분배 용적(122)에 제공하는 단계를 포함한다. 제 1 세정 가스는 카본 잔여물들을 제거하기 위해서 산소 함유 가스, 예컨대 오존(O3)을 포함할 수 있다. 제 1 세정 가스는 또한, 챔버(100)의 하부 표면들로부터 카본 잔여물을 제거하기 위해서, 개구(138)를 통해서 기판 지지부(108) 주위에 유동되어, 배기 개구(136)를 통해서 빠져나갈 수 있다. UV 소스(150)는 산소-함유 가스의 산소로부터 산소 라디칼들의 형성을 촉진하기 위해서 세정 프로세스 동안에 활성화될 수 있고, 따라서 카본 제거를 개선한다.
[0025] 실리콘 및 카본 잔여물들을 동시에 제거하기 위해서 챔버(100)에 제 2 세정 가스가 제공될 수 있다. 제 2 세정 가스는, 석영 윈도우(114)와 같은, 챔버(100)의 실리콘 옥사이드 컴포넌트들과 반응하지 않으면서 실리콘 잔여물들을 제거하도록 선택된다. 제 2 세정 가스는 플루오린-함유 가스일 수 있고, 이는 프로세싱 챔버 외부에서 활성화될 수 있다. 일 예에서, 제 2 세정 가스는 플루오린 라디칼들 및 O2 함유 산소 라디칼들 및 NF3 의 원격 플라즈마이다. 산소 라디칼들의 형성과 플루오린 라디칼들로의 이원자 플루오린 분해를 촉진하기 위해서 제 2 세정 가스의 사용 동안에 UV 소스가 활성화될 수 있다. 제 2 세정 가스는 또한, 개구들(132, 134, 및 138)을 통해 제공되어, 개구(136)를 통해 배기될 수 있다.
[0026] 아르곤 또는 헬륨과 같은 퍼지 가스가 세정 가스 대신에 개구(132)를 통해 제공될 수 있다. 재료 동작 동안에, 전구체 가스가 개구(134)를 통해 제공되는 동안 퍼지 가스가 개구(132)를 통해 제공될 수 있다. 퍼지 가스는, 프로세스 가스들을 분배 용적(122)으로 한정함으로써, UV 윈도우(114) 상으로의 프로세스 가스들의 증착을 방지한다. 세정 동작 동안에, UV 윈도우(114)에 대해서 세정이 요구되지 않는 경우, 마찬가지로 퍼지 가스가 가스 용적(130)에서 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 챔버(100)의 하부 표면들에 대해 세정 동작을 수행하기 위해서 세정 가스가 개구(138)를 통해 제공되는 동안 퍼지 가스가 개구들(132 및 134)을 통해 제공될 수 있다. 그러한 실시예에서, 세정 가스들이 제 2 샤워헤드(124)와 기판 지지부(108) 사이의 공간 내로 나오는(emerging) 것을 효과적으로 방지하면서, 기판 지지부(108)의 엣지 주변에서 배기 개구(136) 내로의 퍼지 가스의 에너제틱 유동(energetic flow)을 촉진하기 위해서, 기판 지지부(108)가 챔버 덮개(104)의 제 2 리세스(128) 근처의 포지션으로 이동될 수 있다.
[0027] O2 및 NF3 의 원격 플라즈마가 세정 가스로서 사용될 때, 퍼지 가스는 아르곤 원격 플라즈마일 수 있다. 세정 동안에 퍼지 가스로서 사용될 때, 아르곤 플라즈마는, 라디칼들의 재결합을 촉진하기 위해서, 개구들(132 및/또는 134)을 통해서 진입할 때 높은 압력 강하를 겪을 수 있고, 그러는 동안 세정 가스는 라디칼 장기지속(longevity)을 촉진하기 위해서 낮은 압력 강하를 겪는다.
[0028] 표 1은, 본원에 설명된 방법들에 따른, 전형적인 세정 매트릭스의 요약을 포함한다.
Figure pct00001
[0029] 전술한 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있고, 본 발명의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판을 프로세싱하기 위한 장치로서,
    기판 지지부를 에워싸는 챔버;
    상기 기판 지지부를 조사(illuminate)하도록 포지셔닝된 UV 소스; 및
    챔버 덮개를 포함하고,
    상기 챔버 덮개는,
    상기 UV 소스와 상기 기판 지지부 사이의, UV 복사선에 대해 실질적으로 투과적인 윈도우;
    상기 윈도우와 상기 기판 지지부 사이의 제 1 샤워헤드 － 상기 제 1 샤워헤드는 복수의 관통 홀들을 포함하고, 상기 관통 홀들의 크기는 상기 샤워헤드의 중앙 부분에서보다 상기 샤워헤드의 주변부에서 더 큼 －; 및
    상기 제 1 샤워헤드와 상기 기판 지지부 사이의 제 2 샤워헤드
    를 포함하는,
    기판 프로세싱 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 덮개는 상기 윈도우와 상기 제 1 샤워헤드 사이의 제 1 가스 유동 채널 및 상기 제 1 샤워헤드와 상기 제 2 샤워헤드 사이의 제 2 가스 유동 채널을 더 포함하는,
    기판 프로세싱 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 챔버 덮개는 상기 제 1 샤워헤드를 수용하는 제 1 환형 리세스 및 상기 제 2 샤워헤드를 수용하는 제 2 환형 리세스를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 샤워헤드들의 각각은 UV 복사선에 대해 실질적으로 투과적인,
    기판 프로세싱 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 관통 홀들은 상기 제 1 샤워헤드의 주변 영역의 복수의 제 1 관통 홀들 및 상기 제 1 샤워헤드의 중앙 영역의 복수의 제 2 관통 홀들을 포함하고, 상기 복수의 제 1 의 각각의 관통 홀은 제 1 크기를 가지며, 상기 복수의 제 2 의 각각의 관통 홀은 제 2 크기를 갖고, 상기 제 1 크기는 상기 제 2 크기보다 더 큰,
    기판 프로세싱 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 및 복수의 제 2 의 관통 홀들은 동심의 원형 대열들(ranks)로 배열되고, 상기 복수의 제 1 의 동심의 원형 대열들은 제 1 이격을 가지며, 상기 복수의 제 2 의 동심의 원형 대열들은 제 2 이격을 갖고, 상기 제 2 이격은 상기 제 1 이격보다 더 큰,
    기판 프로세싱 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 샤워헤드는 균일한 크기 및 이격을 갖는 복수의 제 3 관통 홀들을 포함하는,
    기판 프로세싱 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 샤워헤드들의 관통 홀들의 각각은 측벽을 갖고, 상기 제 1 샤워헤드 및 상기 제 2 샤워헤드 중 적어도 하나는 각각의 관통 홀의 적어도 측벽 위에 컨포멀한(conformal) 코팅을 갖는,
    기판 프로세싱 장치.
  9. 기판을 프로세싱하기 위한 장치로서,
    기판 지지부를 에워싸는 챔버;
    상기 기판 지지부를 조사하도록 포지셔닝된 UV 소스;
    상기 기판 지지부로부터 UV 소스를 분리시키는 윈도우;
    상기 윈도우와 상기 기판 지지부 사이의 제 1 샤워헤드 － 상기 제 1 샤워헤드는 상기 제 1 샤워헤드의 주변 부분의 복수의 제 1 관통 홀들 및 상기 제 1 샤워헤드의 중앙 부분의 복수의 제 2 관통 홀들을 갖고, 상기 복수의 제 1 관통 홀들의 각각의 관통 홀은 제 1 직경을 가지며, 상기 복수의 제 2 관통 홀들의 각각의 관통 홀은 제 2 직경을 갖고, 상기 제 1 직경은 상기 제 2 직경보다 더 크며, 상기 복수의 제 1 관통 홀들은 제 1 이격을 갖고, 상기 복수의 제 2 관통 홀들은 제 2 이격을 가지며, 상기 제 1 이격은 상기 제 2 이격보다 더 작음 －; 및
    상기 제 1 샤워헤드와 상기 기판 지지부 사이의 제 2 샤워헤드 － 상기 제 2 샤워헤드는 균일한 크기 및 이격을 갖는 복수의 제 3 관통 홀들을 갖고, 상기 제 1 및 제 2 샤워헤드들은 각각 실질적으로 UV 투과적임 － 를 포함하는,
    기판 프로세싱 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 샤워헤드 및 상기 제 2 샤워헤드 중 적어도 하나는 코팅을 갖는,
    기판 프로세싱 장치.
  11. 내부 공간을 갖는 프로세스 챔버를 세정하는 방법으로서,
    상기 내부 공간의 제 1 부분에 퍼지 가스를 제공하는 단계;
    상기 내부 공간의 제 2 부분에 제 1 세정 가스를 제공하는 단계;
    상기 프로세스 챔버의 외부에 포지셔닝된 UV 램프들로부터의 UV 복사선을 사용하여 제 1 세정 가스를 활성화하는 단계;
    상기 내부 공간의 제 2 부분에 제 2 세정 가스를 제공하는 단계;
    상기 UV 복사선을 사용하여 상기 제 2 세정 가스를 활성화하는 단계; 및
    상기 퍼지 가스, 상기 제 1 세정 가스, 및 상기 제 2 세정 가스를 상기 챔버의 측벽을 통해서 배기하는 단계를 포함하는,
    내부 공간을 갖는 프로세스 챔버 세정 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 가스는 산소-함유 가스이고, 상기 제 2 세정 가스는 플루오린-함유 가스의 원격 플라즈마인,
    내부 공간을 갖는 프로세스 챔버 세정 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 세정 가스는 NF3 및 O2를 포함하는,
    내부 공간을 갖는 프로세스 챔버 세정 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 가스는 O3를 포함하는,
    내부 공간을 갖는 프로세스 챔버 세정 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 가스 및 상기 제 2 세정 가스와 혼합되도록, 상기 퍼지 가스는 상기 제 1 부분으로부터 상기 제 2 부분으로 유동하는,
    내부 공간을 갖는 프로세스 챔버 세정 방법.
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