KR20150034606A

KR20150034606A - 보호막 검출 장치

Info

Publication number: KR20150034606A
Application number: KR20140115284A
Authority: KR
Inventors: 유키노부 오후라; 노부야스 기타하라
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2013-09-26
Filing date: 2014-09-01
Publication date: 2015-04-03
Also published as: TW201513963A; JP2015065386A

Abstract

본 발명은 레이저 가공되는 피가공물의 피가공면에 보호막이 피복되었는지 여부를 확인할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
피가공물의 보호막(33)측에 적외선(50)을 조사하는 적외선 조사 수단(5)과, 보호막(33)측에 있어서 반사된 적외선의 반사광(60)을 수광하는 위치에 배치된 적외선 촬상 수단(6)과, 화상 처리에 의해 보호막(33)이 피복되어 있는 영역과 보호막(33)이 피복되어 있지 않은 영역(330)의 반사광의 강도차에 의해 보호막(33)이 피복되어 있지 않은 영역(330)을 검출하는 검출 수단을 구비하고, 보호막(33)이 피복되어 있지 않은 영역(330)의 유무를 검출함으로써, 보호막(33)이 적정하게 피복되었는지 여부를 용이하게 확인할 수 있다.

Description

보호막 검출 장치{PROTECTION FILM DETECTING APPARATUS}

본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피가공물의 피가공면에 보호막이 적정하게 피복되었는지 여부를 검출하는 보호막 검출 장치에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼 등의 웨이퍼를 스트리트를 따라 분할하는 방법으로서, 웨이퍼에 형성된 스트리트를 따라 펄스 레이저 광선을 조사함으로써 레이저 가공홈을 형성하고, 그 레이저 가공홈을 따라 메케니컬 브레이킹 장치에 의해 할단(割斷)하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).

이 가공 방법에 있어서는, 웨이퍼의 스트리트를 따라 레이저 광선을 조사하면, 조사된 영역에 열에너지가 집중하여 데브리(debris)가 발생하고, 이 데브리가 디바이스의 표면에 부착되어 디바이스의 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 있다.

이 데브리에 따른 문제를 해소하기 위해서, 웨이퍼의 가공면에 폴리비닐알코올 등의 보호막을 피복하고, 보호막을 통해 웨이퍼에 레이저 광선을 조사함으로써 데브리가 디바이스에 부착되지 않도록 한 레이저 가공기가 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조).

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제10-305420호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2007-201178호 공보

그러나, 보호막의 피복 조건은 웨이퍼의 종류나 로트마다 조정할 필요가 있는데, 그 피복 조건이 적절하지 않은 경우에는, 웨이퍼의 피가공면에 부분적으로 보호막이 피복되지 않는 경우가 있다. 그리고, 피가공면에 부분적으로 보호막이 피복되지 않은 상태에서 레이저 가공이 행해지면, 그 부분에 데브리가 퇴적되어 제품 불량을 초래할 우려가 있다.

본 발명은, 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 주된 기술적 과제는, 피가공물의 피가공면에 보호막이 피복되었는지 여부를 확인할 수 있도록 하는 것에 있다.

본 발명은, 피가공물의 표면에 액상 수지에 의한 보호막이 피복되었는지 여부를 검출하는 보호막 검출 장치로서, 표면에 보호막이 피복된 피가공물을 유지하는 유지 테이블과, 유지 테이블 상에 유지된 피가공물의 보호막측에 적외선을 조사하는 적외선 조사 수단과, 적외선 조사 수단으로부터 조사되어 피가공물의 보호막측에서 반사된 적외선을 수광하는 위치에 배치되어 피가공물의 보호막측을 촬상하는 적외선 촬상 수단과, 적외선 촬상 수단에 의해 촬상된 보호막측의 화상 정보에 대한 화상 처리에 의해, 보호막이 피복되어 있기 때문에 적외선을 흡수하여 적외선 반사가 적은 영역과, 보호막이 피복되어 있지 않기 때문에 적외선 반사가 많은 영역의 광의 강도차에 기초하여, 보호막이 피복되어 있지 않은 영역을 검출하는 검출 수단과, 검출 수단에 의해 보호막이 피복되어 있지 않은 영역이 검출된 경우에 그 검출이 행해진 것을 통지하는 통지 수단을 구비하고 있다.

피가공물이 실리콘 웨이퍼인 경우는, 상기 보호막 검출 장치의 적외선 촬상 수단은 8 ㎛보다 긴 파장 영역을 측정하는 적외선 카메라인 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 보호막 검출 장치는, 피가공물의 보호막측에 적외선을 조사하는 적외선 조사 수단과, 보호막측에 있어서 반사된 적외선의 반사광을 수광하는 위치에 배치된 적외선 촬상 수단과, 보호막이 피복되어 있는 영역과 보호막이 피복되어 있지 않은 영역의 반사광의 강도차에 의해 보호막이 피복되어 있지 않은 영역을 검출하는 검출 수단을 구비하고 있기 때문에, 보호막이 피복되어 있지 않은 영역의 유무를 용이하게 검출할 수 있다.

또한, 피가공물이 실리콘 웨이퍼인 경우에 있어서, 적외선 촬상 수단이 8 ㎛보다 긴 파장 영역을 측정하는 적외선 카메라임에 따라, 보호막이 피복되어 있는 영역과 보호막이 피복되어 있지 않은 영역 사이에서 반사광의 강도차가 명확해지기 때문에, 보호막이 피복되어 있지 않은 영역을 확실하게 검출할 수 있다.

도 1은 보호막 검출 장치를 도시한 사시도.
도 2는 보호막 검출 장치를 도시한 일부 파단 사시도.
도 3은 피가공물에 액상 수지를 적하하는 상태를 도시한 단면도.
도 4는 표면에 보호막이 피복된 피가공물을 도시한 단면도.
도 5는 적외선에 의해 보호막측을 촬상하는 상태를 도시한 사시도.
도 6은 적외선에 의해 보호막측을 촬상하는 상태를 도시한 단면도.
도 7은 보호막 검출 장치의 다른 예를 도시한 단면도.
도 8은 레이저 가공 장치를 도시한 사시도.
도 9는 적외선의 파장과 수용성 레지스트 수지 및 웨이퍼에 있어서의 투과율과의 관계의 실험 결과를 도시한 그래프.
도 10은 적외선의 파장과 투과율과의 관계를 반도체 재료마다 도시한 그래프(「적외선 공학 -기초와 응용- 적외선 기술연구회 지음 오옴사」에서 인용).

도 1 및 도 2에 도시된 보호막 검출 장치(1)는, 유지 테이블(2)에 유지된 피가공물(W)의 피가공면인 표면(W1)에 보호막을 피복하고, 보호막이 적정하게 피복되었는지 여부를 검출하는 장치이다.

유지 테이블(2)은, 피가공물(W)을 흡인 유지하는 흡인부(20)와, 그 외주측에 있어서 피가공물을 고정하기 위한 클램프부(21)를 복수 구비하고 있다. 또한, 유지 테이블(2)은, 회전 가능한 동시에 승강 가능하게 되어 있다. 유지 테이블(2)은, 하강함으로써, 유지 테이블(2)에 유지된 피가공물(W)에 대하여 보호막을 피복하는 피복 위치(도 2에 도시된 위치)로 이동 가능하다. 한편, 유지 테이블(2)은, 피복 위치로부터 상승함으로써, 피복된 보호막을 검출하는 검출 위치(도 1에 도시된 위치)로 이동 가능하게 되어 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 피복 위치에는, 유지 테이블(2)에 유지된 피가공물(W)의 표면(W1)에 대하여 보호막을 피복하는 보호막 분사 수단(3)이 배치되어 있다. 보호막 피복 수단(3)은, 유지 테이블(2)의 면 방향과 평행한 방향으로 연장되는 아암(30)과, 아암(30)의 기단에 연결되어 아암(30)을 유지 테이블(2)의 면 방향으로 이동시키는 구동부(31)와, 아암(30)의 선단에 연결되어 아래쪽을 향해 액상 수지를 분출하는 노즐(32)을 구비하고 있다. 노즐(32)은, 구동부(31)에 의한 구동에 의해 유지 테이블(2)의 위쪽과 유지 테이블(2)의 위쪽으로부터 후퇴한 위치 사이에서 이동 가능하게 되어 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 피복 위치에는, 피가공물(W)의 표면(W1)을 세정 및 건조하는 세정 건조 수단(4)이 배치되어 있다. 세정 건조 수단(4)은, 유지 테이블(2)의 면 방향과 평행한 방향으로 연장되는 아암(40)과, 아암(40)의 기단에 연결되어 아암(40)을 유지 테이블(2)의 면 방향으로 이동시키는 구동부(41)와, 아암(40)의 선단에 연결되어 아래쪽을 향해 액상 수지를 분출하는 노즐(42)을 구비하고 있다. 노즐(42)은, 구동부(41)에 의한 구동에 의해 유지 테이블(2)의 위쪽과 유지 테이블(2)의 위쪽으로부터 후퇴한 위치 사이에서 이동 가능하게 되어 있다.

검출 위치에는, 유지 테이블(2) 상에 유지된 피가공물(W)의 표면(W1)에 피복된 보호막측에 적외선을 조사하는 적외선 조사 수단(5)과, 적외선 조사 수단(5)으로부터 조사되어 피가공물(W)의 보호막측에서 반사된 적외선을 수광하는 위치에 배치되어 피가공물의 보호막측을 촬상하는 적외선 촬상 수단(6)을 구비하고 있다. 적외선 조사 수단(5) 및 적외선 촬상 수단(6)은, 조사 각도 및 촬상 각도를 조절 가능하게 되어 있다.

적외선 조사 수단(5)은, 예컨대 적외선 히터로서, 예컨대 적어도 피가공물(W)의 반경을 직경으로 하는 영역에 적외선을 조사할 수 있고, 유지 테이블(2)을 1 회전시키면서 적외선의 조사를 행함으로써, 피가공물(W)의 보호막측 전체면에 적외선을 조사할 수 있다.

적외선 촬상 수단(6)은, 예컨대, 파장이 8∼14 ㎛인 적외 영역의 광을 촬상할 수 있는 적외선 카메라(영역 센서)로서, 유지 테이블(2)을 1 회전시키면서 촬상을 행함으로써, 피가공물(W)의 보호막측의 전체면을 촬상할 수 있다.

적외선 촬상 수단(6)에는, CPU 및 기억 소자를 구비하여 촬상에 의해 취득한 화상 정보에 대하여 화상 처리를 행함으로써 보호막이 피복되어 있지 않은 영역을 검출하는 검출 수단(7)이 접속되어 있다. 검출 수단(7)은, 보호막이 피복되어 있지 않은 영역을 검출 수단(7)이 검출했을 경우에 그 취지를 통지하는 통지 수단(8)에 접속되어 있다. 통지 수단(8)은, 예컨대 경보음을 울리거나 화면 표시하거나 함으로써 통지를 행한다.

이하에서는, 도 1 및 도 2에 도시된 보호막 검출 장치(1)에 있어서, 유지 테이블(2)에 유지된 피가공물(W)의 디바이스가 형성된 표면(W1)에 보호막을 피복하고, 보호막이 피복되어 있지 않은 영역을 검출하는 방법에 대해서 설명한다.

도 1에 도시된 바와 같이, 피가공물(W)의 이면(W2)을 테이프(T)에 접착시킴으로써, 테이프(T)의 외주부에 접착된 링형의 프레임(F)과 일체화시켜, 프레임(F)에 의해 피가공물(W)을 지지한다. 피가공물(W)의 표면(W1)에는, 분할 예정 라인(L)에 의해 구획되어 디바이스(D)가 형성되어 있다. 테이프(T)측으로부터 유지 테이블(2)에 있어서 흡인 유지하고, 클램프부(21)에 의해 프레임(F)을 고정함으로써, 표면(W1)이 위쪽으로 노출된 상태로 피가공물(W)이 유지된다.

다음에, 도 2에 도시된 피복 위치로 유지 테이블(2)을 하강시키고, 도 3에 도시된 바와 같이, 유지 테이블(2)을 300∼1000 rpm 정도의 회전 속도로 회전시킴과 동시에, 보호막 피복 수단(3)을 구성하는 노즐(32)을 피가공물(W)의 중심부의 위쪽으로 이동시켜, 그 상태에서 액상 수지(320)를 표면(W1)에 적하한다. 액상 수지(320)로서는, 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌옥사이드 등의 수용성 레지스트 수지를 사용할 수 있다. 또한, 액상 수지(320)의 적하량은, 보호막의 소망 두께에 따라 조정한다. 표면(W1)에 적하된 액상 수지는, 유지 테이블(2)의 회전에 따른 원심력에 의해 외주측으로 널리 퍼진 후, 시간 경과에 따라 경화하고, 도 4에 도시된 바와 같이, 표면(W1)에 보호막(33)이 피복된다.

이와 같이 하여 피가공물(W)의 표면(W1)에 보호막(320)이 피복되면, 유지 테이블(2)이 상승하여 도 1에 도시된 검출 위치로 이동한다. 그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 유지 테이블(2)의 회전에 의해 보호막(33)이 피복된 피가공물(W)을 회전시키면서, 적외선 조사 수단(5)으로부터 피가공물(W)의 표면(W1)에 대하여 적외선(50)이 조사되고, 적외선 촬상 수단(6)에 의해 적외선의 반사광이 수광되어 촬상된다. 촬상에 의해 취득된 화상 정보는, 검출 수단(7)으로 전송된다.

보호막(33)은, 적외선의 흡수율이 높다(반사율이 낮다). 한편, 보호막(33)이 피복되어 있지 않은 부분이 있는 경우는, 피가공물(W)의 표면(W1)에 직접 적외선(50)이 조사되지만, 표면(W1)은 회로 패턴 또는 반도체이기 때문에, 보호막(33)보다도 적외선의 흡수율이 낮다(반사율이 높다). 따라서, 보호막(33)이 피복되어 있지 않은 부분이 있는 경우는, 검출 수단(7)이 취득한 화상 정보에는, 보호막(33)이 피복되어 있기 때문에 적외선(50)을 흡수하여 적외선 반사가 적은 영역과, 보호막(33)이 피복되어 있지 않기 때문에 적외선 반사가 많은 영역 사이에서 광의 강도차가 발생하기 때문에, 화상 정보에 대한 화상 처리에 의해, 이 광의 강도차에 기초하여, 보호막이 피복되어 있지 않은 영역을 검출할 수 있다. 화상 정보에 있어서의 보호막(33)이 피복되어 있는 영역과 피복되어 있지 않은 영역과의 콘트라스트를 보다 명확하게 하기 위해서, 검출 수단(7)에서는, 이치화 처리 등의 처리를 행한다.

예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이, 보호막(33)이 피복되어 있지 않은 비피복부(330)가 있는 경우는, 비피복부(330) 이외의 영역에 있어서는 적외선(50)이 거의 흡수되지만, 비피복부(330)에서는 적외선(50)이 반사되어 반사광(60)이 되어 적외선 촬상 수단(6)에 의해 촬상되기 때문에, 비피복부(330)의 유무를 용이하게 검출할 수 있다.

또한, 적외선 촬상 수단(6)에 의해 취득되어 검출 수단(7)에 있어서 판독된 화상 정보로부터 비피복부(330)의 위치를 인식하고, 그 위치 정보를 검출 수단(7)에 구비한 기억 소자에 기억시켜 두는 것이 바람직하다. 이러한 위치 정보를 기억해 둠으로써, 재차 보호막을 피복할 때에, 그 위치에 액상 수지를 적하할 수 있다.

검출 수단(7)에 의해 보호막(33)이 피복되어 있지 않은 영역이 검출되면, 그 취지가 통지 수단(8)에 통지되고, 통지 수단(8)은, 보호막(33)이 피복되어 있지 않은 영역이 검출된 것을, 경보음을 울리거나 화면 표시하거나 함으로써 오퍼레이터에게 통지한다. 통지를 받은 오퍼레이터는, 유지 테이블(2)을 피복 위치로 하강시켜, 보호막을 재차 피복한다. 비피복부(330)의 위치 정보가 검출 수단(7)에 기억되어 있는 경우는, 이러한 위치 정보에 기초하여, 그 위치에 액상 수지를 적하할 수 있다.

또한, 도 1, 도 2, 도 5 및 도 6에 도시된 적외선 조사 수단(5) 및 적외선 촬상 수단(6) 대신에, 도 7에 도시된 적외선 조사 수단(5a) 및 적외선 촬상 수단(6a)을 이용할 수도 있다. 이 적외선 조사 수단(5a)은 피가공물(W)의 표면(W1)의 면 방향과 평행한 방향으로 이동 가능한 동시에, 아래쪽을 향해 적외선을 조사 가능하다. 한편, 적외선 촬상 수단(6a)은, 유지 테이블(2)의 중심부 위쪽에 배치되고, 광각으로 적외선을 촬상할 수 있다. 이러한 구성에서는, 표면(W1)의 면 방향과 평행한 방향으로 적외선 조사 수단(5a)이 이동하면서 표면(W1)을 향해 적외선을 조사하고, 적외선 촬상 수단(6a)에 의해 촬상을 행함으로써, 보호막(33)의 전면을 촬상할 수 있다.

보호막(33)이 피복된 피가공물(W)은 예컨대 도 8에 도시된 레이저 가공 장치(10)에 의해 레이저 가공된다. 이 레이저 가공 장치(10)는, 피가공물(W)을 유지하여 회전 가능한 유지 수단(11)과, 유지 수단(11)을 X축 방향으로 이동시키는 X축 방향 이동 수단(12)과, 유지 수단(11)을 Y축 방향으로 이동시키는 Y축 방향 이동 수단(13)과, 유지 수단(11)에 유지된 피가공물(W)에 대하여 레이저 광선을 조사하는 레이저 가공 수단(14)을 구비하고 있다.

유지 수단(11)은, 피가공물(W)을 흡인 유지하는 흡인부(110)와, 프레임(F)을 고정하는 클램프부(111)를 구비하고 있다.

X축 방향 이동 수단(12)은, X축 방향으로 연장되는 볼나사(120)와, 볼나사(120)의 일단에 접속된 모터(121)와, 볼나사(120)와 평행하게 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(122)과, 도시하지 않은 내부의 너트가 볼나사(120)에 나사 결합하고, 하부가 가이드 레일(122)에 미끄럼 접촉하는 이동 베이스(123)를 구비하고 있으며, 모터(121)에 의해 구동되어 볼나사(120)가 회동함으로써, 이동 베이스(123)가 가이드 레일(122)에 가이드되어 X축 방향으로 이동하고, 유지 수단(11)을 X축 방향으로 이동시킬 수 있다.

Y축 방향 이동 수단(13)은, Y축 방향으로 연장되는 볼나사(130)와, 볼나사(130)의 일단에 접속된 모터(131)와, 볼나사(130)와 평행하게 배치된 한 쌍의 가이드 레일(132)과, 도시하지 않은 내부의 너트가 볼나사(130)에 나사 결합하고, 하부가 가이드 레일(132)에 미끄럼 접촉하는 이동 베이스(133)를 구비하고 있으며, 모터(131)에 의해 구동되어 볼나사(130)가 회동함으로써, 이동 베이스(133)가 가이드 레일(132)에서 가이드되어 Y축 방향으로 이동하고, 이동 베이스(133) 상에 배치된 유지 수단(11) 및 X축 방향 이동 수단(12)을 Y축 방향으로 이동시킬 수 있다.

레이저 가공 수단(14)은, 아래쪽을 향해 레이저 광선을 조사하는 조사 헤드(140)를 구비하고 있다.

유지 수단(11)에 있어서는, 테이프(T)측이 흡인 유지되어 보호막(33)이 위쪽으로 노출된 상태가 되고, 클램프부(111)에 의해 프레임(F)이 고정된다. 그리고, 유지 수단(11)이 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동하고, 레이저 가공해야 할 분할 예정 라인(L)(도 1 참조)과 조사 헤드(140)와의 Y축 방향의 위치 맞춤을 행한 후, 유지 수단(11)을 X축 방향으로 이동시키면서, 조사 헤드(140)로부터 레이저 광선을 조사하고, 피가공물(W)의 표면(W1)에 집광한다. 그렇게 하면, 분할 예정 라인(L)을 따라 레이저 가공홈이 형성된다. 이러한 가공을 같은 방향의 모든 분할 예정 라인(L)에 대해서 행하고, 유지 수단(11)을 90° 회전시키고 나서 동일한 가공을 더 행하면, 모든 분할 예정 라인(L)을 따라 종횡으로 레이저 가공홈이 형성된다. 이와 같이 하여 행하는 레이저 가공에 있어서는, 집광점 부근에 열에너지가 집중함으로써 데브리가 발생하여 비산되지만, 피가공물(W)의 표면(W)에는 보호막(33)이 피복되어 있기 때문에, 표면(W1)의 디바이스(D)에 데브리가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 보호막(33)이 부분적으로 피복되어 있지 않은 영역이 있었을 경우에는, 보호막 검출 장치(1)에 의해 그것을 검출하여 재차 보호막(33)을 피복하는 작업을 행함으로써, 보호막(33)을 표면(W1)의 일면에 피복할 수 있기 때문에, 디바이스(D)에 데브리가 부착되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.

레이저 가공의 종료 후에는, 레이저 가공홈이 형성된 피가공물(W)을, 테이프(T)를 통해 프레임(F)에 지지된 채의 상태로, 도 2에 도시된 보호막 피복 장치(1)의 유지 테이블(2)에 있어서 유지한다. 그리고, 유지 테이블(2)이 피복 위치에 위치한 상태에서, 유지 테이블(2)을 예컨대 2000∼3000 rpm의 회전 속도로 회전시킴과 더불어, 노즐(42)로부터 세정수를 분출하고, 아암(41)을 요동시킴으로써, 수용성의 보호막(33)을 제거한다.

이와 같이 하여 보호막(33)을 제거한 후, 피가공물(W)에 외력을 가함으로써, 개개의 디바이스(D)로 분할된다.

또한, 본 실시형태에서는, 보호막 검출 장치(1)가 보호막 피복 장치로서의 기능도 갖고 있는 경우에 관해서 설명하였으나, 보호막 검출 장치는, 보호막 검출의 기능만을 갖는 장치여도 좋다. 또한, 보호막 피복 장치는, 레이저 가공 장치에 탑재되어 있어도 좋다.

[실시예 1]

펄킨엘머사의 적외 분광 분석 장치 「Spectrum One」을 사용하여, ATR(Attenuated Total Reflection)법(전반사 측정법)에 의해, 이하의 3종류의 피가공물(웨이퍼)의 각각에 대하여, 파장을 2 ㎛에서 20 ㎛까지 변화시키면서 적외선을 조사하고, 적외선의 투과율을 측정하였다. 또한, 히터의 온도를 50℃, 히터와 웨이퍼와의 거리를 30 ㎜로 하였다.

(1) 표면에 수용성 레지스트 수지가 피복된 베어 실리콘 웨이퍼(이하, 「보호막이 있는 베어 실리콘」이라 함.)

(2) 회로 패턴이 형성된 면에 수용성 레지스트 수지가 피복된 실리콘 웨이퍼(이하, 「보호막이 있는 패턴 웨이퍼」라고 함.)

(3) 회로 패턴이 형성된 면에 수용성 레지스트 수지가 피복되어 있지 않은 실리콘 웨이퍼(이하, 「보호막이 없는 패턴 웨이퍼」라고 함.)

측정 결과는, 도 9에 도시된 바와 같고, 횡축이 파장, 종축이 abs 흡광도를 나타내고 있다. 도 9의 그래프에서는, 파장이 8 ㎛∼10 ㎛ 부근인 경우에 있어서는, 보호막이 있는 패턴 웨이퍼와 보호막이 없는 패턴 웨이퍼의 흡수율의 차가 커서, 보호막의 유무의 판단이 쉬운 것을 알 수 있었다. 따라서, 피가공물이 실리콘 웨이퍼이고, 도 1, 도 2, 도 5, 도 6 및 도 7에 도시된 적외선 조사 수단(5, 5a)으로부터 조사되는 적외선의 파장이 8 ㎛∼10 ㎛인 경우는, 적외선 촬상 수단(6, 6a)에 있어서의 보호막(33)이 피복되어 있는 부분과 피복되어 있지 않은 부분과의 수광량의 차가 커지기 때문에, 보호막(33)이 피복되어 있지 않은 부분을 확실하게 검출할 수 있다.

도 10에 도시된 그래프는, 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 셀렌화아연(ZnSe) 및 클리어트란-황화아연(CLEARTRAN-ZnS)의 적외선 투과율을 나타낸 것으로서, 실리콘에 대해서는, 파장이 8 ㎛보다 길어지면, 투과율이 낮아져서 반사율이 높아지는 것을 나타내고 있다. 이것으로부터도, 실리콘 웨이퍼에 대해서는, 적외선의 파장을 8 ㎛보다 길게 하고, 적외선 촬상 수단(6, 6a)으로서 8 ㎛보다 긴 파장 영역을 측정하는 적외선 카메라를 사용함으로써, 보호막(33)이 피복되어 있지 않은 부분을 확실하게 검출할 수 있는 것을 알 수 있었다.

1 : 보호막 검출 장치
2 : 유지 테이블
20 : 흡인부
21 : 클램프부
3 : 보호막 분사 수단
30 : 아암
31 : 구동부
32 : 노즐
320 : 액상 수지
4 : 세정 건조 수단
40 : 아암
41 : 구동부
42 : 노즐
5, 5a : 적외선 조사 수단
50 : 적외선
6, 6a : 적외선 촬상 수단
60 : 반사광
7 : 검출 수단
8 : 통지 수단
W : 피가공물
W1 : 표면
W2 : 이면
T : 테이프
F : 프레임
33 : 보호막
330 : 비피복부
10 : 레이저 가공 장치
11 : 유지 수단
110 : 흡인부
111 : 클램프부
12 : X축 방향 이동 수단
120 : 볼나사
121 : 모터
122 : 가이드 레일
123 : 이동 베이스
13 : Y축 방향 이동 수단
130 : 볼나사
131 : 모터
132 : 가이드 레일
133 : 이동 베이스
14 : 레이저 가공 수단
140 : 조사 헤드

Claims

피가공물의 표면에 액상 수지에 의한 보호막이 피복되었는지를 검출하는 보호막 검출 장치로서,
표면에 상기 보호막이 피복된 피가공물을 유지하는 유지 테이블과,
상기 유지 테이블 상에 유지된 피가공물의 상기 보호막측에 적외선을 조사하는 적외선 조사 수단과,
상기 적외선 조사 수단으로부터 조사되어 피가공물의 상기 보호막측에서 반사된 적외선을 수광하는 위치에 배치되어 피가공물의 상기 보호막측을 촬상하는 적외선 촬상 수단과,
상기 적외선 촬상 수단에 의해 촬상된 상기 보호막측의 화상 정보에 대한 화상 처리에 의해, 상기 보호막이 피복되어 있기 때문에 적외선을 흡수하여 적외선 반사가 적은 영역과, 상기 보호막이 피복되어 있지 않기 때문에 적외선 반사가 많은 영역의 광의 강도차에 기초하여, 상기 보호막이 피복되어 있지 않은 영역을 검출하는 검출 수단과,
상기 검출 수단에 의해 상기 보호막이 피복되어 있지 않은 영역이 검출된 경우에 그 검출이 행해진 것을 통지하는 통지 수단을 구비하는 보호막 검출 장치.
제1항에 있어서, 피가공물은 실리콘 웨이퍼이고, 상기 적외선 촬상 수단은 8 ㎛보다 긴 파장 영역을 측정하는 적외선 카메라인 것을 특징으로 하는 보호막 검출 장치.