KR20150030175A - Detergent composition for resin mask layer and manufacturing method of circuit board - Google Patents
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Abstract
Description
본 개시는 수지 마스크층용 세정제 조성물 및 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a detergent composition for a resin mask layer and a method for producing a circuit board.
최근, 프린트 배선판이나 세라믹 기판에 대한 전자 부품의 실장에 관해서는, 고밀도화의 요구가 해마다 늘어나고 있으며, 이러한 요구를 만족시키는 방식으로서 베어 칩 실장 방식이 주목받고 있다. 베어 칩 실장 방식에 있어서는, 칩과 기판 배선의 전기적 접속을 와이어 본딩을 통해 달성하는 종래의 페이스 업 실장 대신에, 금속 범프를 통해 달성하는 페이스 다운 실장이 널리 채용되는 경향이 있다. 금속 범프를 통해 페이스 다운 실장하는 이른바 금속 범프법에 의하면, 전자 부품 사이에 저저항의 접속을 형성하는 것을 기대할 수 있다.2. Description of the Related Art In recent years, with respect to mounting electronic components on printed wiring boards and ceramic substrates, demands for higher density have been increasing each year. Bare chip mounting systems are attracting attention as a method for satisfying these demands. In the bare chip mounting method, instead of the conventional face-up mounting which achieves the electrical connection between the chip and the substrate wiring through wire bonding, the face-down mounting achieved through the metal bump tends to be widely adopted. According to the so-called metal bump method in which face-down mounting is performed through metal bumps, it is expected to form a low-resistance connection between the electronic components.
특허문헌 1 에는, 포토레지스트의 박리액으로서, 특정 제 4 급 암모늄수산화물, 수용성 아민 및 하이드록실아민류를 함유하는 수용액으로 이루어지는 박리액이 개시되어 있다.
특허문헌 2 에는, 벤질알코올과 아민 화합물과 물을 함유하는, 땜납 플럭스와 드라이 필름 레지스트를 동시에 세정하는 것이 가능한 양용 세정제가 개시되어 있다.
금속 범프법에 있어서는, 범프의 형성을 위해 사용한 드라이 필름 등의 수지 마스크층 (수지막) 의 제거율의 향상이 요망되고 있다. 기판 표면에 수지 마스크층 (수지막) 이 잔존하면 양호한 전자 부품의 실장을 실시하는 것이 곤란해져 버리기 때문이다.In the metal bump method, it is desired to improve the removal rate of a resin mask layer (resin film) such as a dry film used for forming bumps. If the resin mask layer (resin film) remains on the surface of the substrate, it is difficult to mount good electronic parts.
범프의 형성을 위해 수지 마스크층을 갖는 회로 기판이 가열되면, 수지 마스크층이 열에 의해 고분자량화된다. 특허문헌 1 의 포토레지스트 (수지 마스크층) 의 세정제는, 고분자량화된 수지 마스크층에 대해서는 세정성이 충분하지 않은 경우가 있었다. 또, 땜납의 방식에 대해 충분하지는 않았다. 특허문헌 2 는, 땜납 플럭스와 드라이 필름 레지스트의 세정성에 대해서 추가적인 향상이 요망된다.When the circuit board having the resin mask layer is heated for the formation of bumps, the resin mask layer is heated to have a high molecular weight. The detergent of the photoresist (resin mask layer) of
그래서, 본 개시는, 일 양태에 있어서, 가열 처리된 수지 마스크층 (수지막) 의 잔류 저감과 땜납 부식의 억제가 향상된 수지 마스크층용 세정제 조성물을 제공한다.Thus, the present disclosure provides a detergent composition for a resin mask layer, which is improved in the residual reduction of the heat-treated resin mask layer (resin film) and suppression of solder corrosion in one aspect.
본 발명은, 일 양태에 있어서, 수지 마스크층용 세정제 조성물로서, 세정제 조성물 100 질량부 중, 하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 A) 을 0.5 질량부 이상 3.0 질량부 이하 함유하고, 수용성 아민 (성분 B) 을 3.0 질량부 이상 10.0 질량부 이하 함유하고, 산 또는 그 암모늄염 (성분 C) 을 0.3 질량부 이상 2.5 질량부 이하 함유하고, 물 (성분 D) 을 50.0 질량부 이상 95.0 질량부 이하 함유하는, 수지 마스크층용 세정제 조성물에 관한 것이다.The cleaning agent composition for a resin mask layer according to one embodiment of the present invention contains 0.5 to 3.0 parts by mass of a quaternary ammonium hydroxide (component A) represented by the following formula (I) in 100 parts by mass of a detergent composition (Component D) in an amount of not less than 50.0 parts by mass and not more than 95.0 parts by mass; and a water-soluble amine (component B) in an amount of not less than 3.0 parts by mass and not more than 10.0 parts by mass; Based on the total amount of the cleaning agent composition.
(식 중, R1, R2, R3 은 각각 동일 또는 상이한 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, R4 는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 하이드록실기 치환 알킬기이다)(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same or different alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, and R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a hydroxyl group-substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
본 발명은, 그 밖의 양태에 있어서, 하기의 공정 (1) ∼ (5) 를 포함하는 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a circuit board including the following steps (1) to (5).
공정 (1) : 납땜부가 형성된 기판 표면에 대해 수지 마스크층을 형성하는 공정.Step (1): A step of forming a resin mask layer on the substrate surface on which the soldering portion is formed.
공정 (2) : 상기 수지 마스크층에 상기 납땜부가 노출되도록 개구부를 형성하는 공정.Step (2): a step of forming an opening portion in the resin mask layer so that the soldering portion is exposed.
공정 (3) : 상기 개구부에 땜납 범프 형성 재료를 충전하는 공정.Step (3): A step of filling the openings with the solder bump forming material.
공정 (4) : 가열하여 상기 땜납 범프 형성 재료를 용융시켜 상기 납땜부에 땜납 범프를 고정시키는 공정.Step (4): a step of heating the solder bump forming material to melt the solder bump forming material to fix the solder bump to the soldering portion.
공정 (5) : 공정 (4) 에서 얻어진 기판을, 본 개시에 관련된 수지 마스크층용 세정제 조성물을 사용하여 세정하는 공정.Step (5): the step of cleaning the substrate obtained in the step (4) using a cleaning agent composition for a resin mask layer according to the present disclosure.
본 개시에 관련된 수지 마스크층용 세정제 조성물 및 회로 기판의 제조 방법에 의하면, 드라이 필름 등의 수지 마스크층 (수지막) 을 사용하여 회로 기판의 납땜부 (예를 들어, 전극 등) 에 땜납 범프를 고정화시키는 경우에 있어서, 땜납 범프의 가열 처리 (리플로우) 후의 수지 마스크층 (수지막) 제거의 촉진과 땜납 부식의 억제를 양립시킬 수 있어, 땜납 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다는 효과가 나타날 수 있다.According to the detergent composition for a resin mask layer and the method for producing a circuit board relating to the present disclosure, a resin mask layer (resin film) such as a dry film is used to fix a solder bump to a soldering portion (for example, (Resin film) after the heat treatment (reflow) of the solder bumps can be compatible with suppression of the solder corrosion, and the reliability of the solder connection can be improved.
도 1 은 본 개시에 관련된 회로 기판의 제조 방법의 일 또는 복수의 실시형태를 나타내는 개략 공정 설명도이다.
도 2 는 실시예 10 및 비교예 1 의 세정제 조성물 중에, 땜납이 장착된 기판을 50 ℃ 에서 20 분간 침지한 전후의 땜납 표면을 FE-SEM 에 의해 부식의 유무를 관찰한 사진의 일례이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a schematic process explanatory diagram showing one or more embodiments of a method of manufacturing a circuit board related to the present disclosure; FIG.
Fig. 2 is an example of photographs showing the presence or absence of corrosion by the FE-SEM on the surface of the solder before and after the substrate on which the solder is mounted in the detergent composition of Example 10 and Comparative Example 1 was immersed at 50 캜 for 20 minutes.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 수지 마스크법에 의해 납땜부에 땜납 범프를 형성한 후, 가열 처리된 수지 마스크층을 박리하는 경우에, 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 A) 과 수용성 아민 (성분 B) 과 산 또는 그 암모늄염 (성분 C) 과 물 (성분 D) 을 함유하는 세정제 조성물을 사용함으로써, 가열에 의해 잘 박리되지 않게 된 수지 마스크층을 효율적으로 제거할 수 있고, 또한 땜납 부식을 억제할 수 있으며, 이로써, 땜납 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다는 지견에 기초한다.In the present disclosure, in one embodiment, when the solder bumps are formed in the soldering portion by the resin mask method and then the heat-treated resin mask layer is peeled, the quaternary ammonium hydroxide (component A) and the water- B), an acid or an ammonium salt thereof (component C) and water (component D) is used, the resin mask layer which is not easily peeled off by heating can be efficiently removed and the solder corrosion can be suppressed And it is based on the knowledge that reliability of solder connection can be improved.
즉, 본 개시는, 일 양태에 있어서, 수지 마스크층용 세정제 조성물로서, 세정제 조성물 100 질량부 중, 하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 A) 을 0.5 질량부 이상 3 질량부 이하 함유하고, 수용성 아민 (성분 B) 을 3 질량부 이상 10 질량부 이하 함유하고, 산 또는 그 암모늄염 (성분 C) 을 0.3 질량부 이상 2.5 질량부 이하 함유하고, 물 (성분 D) 을 50 질량부 이상 95 질량부 이하 함유하는, 수지 마스크층용 세정제 조성물 (이하, 「본 개시에 관련된 세정제 조성물」이라고도 한다) 에 관한 것이다.That is, the present disclosure relates to a detergent composition for a resin mask layer, which comprises a quaternary ammonium hydroxide (component A) represented by the following formula (I) in an amount of not less than 0.5 parts by mass and not more than 3 parts by mass (Component B) is contained in an amount of 3 parts by mass or more and 10 parts by mass or less and 0.3 parts by mass or more and 2.5 parts by mass or less of an acid or an ammonium salt thereof (component C), and 50 parts by mass of water (component D) (Hereinafter, also referred to as " detergent composition relating to the present disclosure ") containing not more than 95 parts by mass of the cleaning agent composition.
(식 중, R1, R2, R3 은 각각 동일 또는 상이한 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, R4 는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 하이드록실기 치환 알킬기이다)(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same or different alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, and R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a hydroxyl group-substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서 수지 마스크층의 제거성이 향상되는 작용 기구는 분명하지는 않지만, 이하와 같이 추찰된다. 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 A) 및 수용성 아민 (성분 B) 은 땜납 페이스트나 플럭스 성분에 함유되는 산 성분이나 가열에 의해 고분자량화된 수지 마스크 (레지스트 필름) 를 알칼리 성분에 의해 절단함으로써 저분자량화된다. 그리고, 수용성 아민 (성분 B) 과 물 (성분 D) 이 저분자량화된 레지스트 필름에 침투하여 용해 제거할 수 있는 것으로 생각된다. 또, 땜납의 주성분인 주석 (Sn) 은 강알칼리 수용액에 용해되지만, 산 또는 그 암모늄염의 산 (성분 C) 에 의해, 용해 반응을 억제하고 있는 것으로 추정하고 있다.The mechanism for improving the removability of the resin mask layer in the detergent composition related to the present disclosure is not clear, but is presumed as follows. The quaternary ammonium hydroxide (component A) and the water-soluble amine (component B) are obtained by cutting an acid component contained in a solder paste or a flux component or a resin mask (resist film) made into a high molecular weight by heating with an alkali component, . It is considered that the water-soluble amine (component B) and water (component D) can penetrate and dissolve in a resist film having a reduced molecular weight. It is estimated that tin (Sn), which is the main component of the solder, is dissolved in the strong alkaline aqueous solution but the dissolution reaction is inhibited by the acid or the acid (component C) of the ammonium salt thereof.
〔성분 A〕[Component A]
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 성분 A 인 제 4 급 암모늄수산화물로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 카티온과 하이드록사이드로 이루어지는 염 등을 예시할 수 있다. 또, 카티온으로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 테트라메틸암모늄, 테트라에틸암모늄, 테트라(n- 또는 i-)프로필암모늄, 테트라(n- 또는 i-)부틸암모늄, 테트라펜틸암모늄, 테트라헥실암모늄, 트리메틸에틸암모늄 등의 테트라알킬암모늄 카티온 (알킬의 탄소수 1 ∼ 6) 을 들 수 있고, 또 트리메틸(2-하이드록시에틸)암모늄 및 트리에틸(2-하이드록시에틸)암모늄 등의 하이드록시알킬기를 갖는 알킬암모늄 카티온 (알킬의 탄소수 1 ∼ 6) 을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수지 마스크층 제거성의 향상 및 땜납의 부식을 억제하는 관점에서, 테트라메틸암모늄이 바람직하다. 제 4 급 암모늄수산화물로서, 구체적으로는 테트라메틸암모늄수산화물, 테트라에틸암모늄수산화물, 테트라프로필암모늄수산화물, 테트라부틸암모늄수산화물, 테트라펜틸암모늄수산화물, 테트라헥실암모늄수산화물, 트리메틸에틸암모늄수산화물, 트리메틸(2-하이드록시에틸)암모늄수산화물, 트리에틸(2-하이드록시에틸)암모늄수산화물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수지 마스크층 제거성의 향상 및 땜납의 부식을 억제하는 관점에서, 테트라메틸암모늄수산화물이 바람직하다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 한 종류 또는 복수 종류의 성분 A 를 함유한다.As the quaternary ammonium hydroxide which is the component A of the detergent composition according to the present disclosure, salts or the like comprising cation and hydroxide in one or more embodiments can be exemplified. In one or more embodiments, the cation may be at least one selected from the group consisting of tetramethylammonium, tetraethylammonium, tetra (n- or i-) propylammonium, tetra (n- or i-) butylammonium, tetrapentylammonium, (2-hydroxyethyl) ammonium, triethyl (2-hydroxyethyl) ammonium, and the like can be given. And alkylammonium cationides having a hydroxyalkyl group (having 1 to 6 carbon atoms in the alkyl group). Of these, tetramethylammonium is preferable from the viewpoints of improving the removability of the resin mask layer and suppressing the corrosion of the solder. Specific examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrapentylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, trimethylethylammonium hydroxide, trimethyl (2- Hydroxyethyl) ammonium hydroxides, triethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxides and the like. Of these, tetramethylammonium hydroxide is preferable from the viewpoints of improving the removability of the resin mask layer and suppressing corrosion of the solder. The detergent composition according to the present disclosure contains one or more components A in one or more embodiments.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 A 인 제 4 급 암모늄수산화물의 함유량은 세정제 조성물 100 질량부 중에서 0.5 질량부 이상이고, 수지 마스크층 제거성의 향상 및 땜납의 부식을 억제하는 관점에서, 바람직하게는 0.7 질량부 이상이다. 그리고, 동일한 관점에서, 세정제 조성물 100 질량부 중, 성분 A 인 제 4 급 암모늄수산화물의 함유량은 3.0 질량부 이하이고, 바람직하게는 2.0 질량부 이하, 보다 바람직하게는 1.5 질량부 이하이다.The content of the quaternary ammonium hydroxide as the component A in the detergent composition according to the present disclosure is 0.5 part by mass or more in 100 parts by mass of the detergent composition and is preferably from 0.5 to 5 parts by mass, Is at least 0.7 part by mass. From the same viewpoint, in the 100 parts by mass of the detergent composition, the content of the quaternary ammonium hydroxide as the component A is 3.0 parts by mass or less, preferably 2.0 parts by mass or less, and more preferably 1.5 parts by mass or less.
〔성분 B〕[Component B]
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 성분 B 인 수용성 아민으로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 알킬아민, 알칸올아민, 폴리아민, 고리형 아민 등을 들 수 있으며, 수지 마스크층 제거성의 향상 및 땜납의 부식을 억제하는 관점에서, 알칸올아민이 바람직하다. 알칸올아민으로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 모노에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-n-부틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, N,N-디부틸에탄올아민, N-t-부틸에탄올아민, N-메틸에탄올아민 등을 예시할 수 있다. 이들 중에서도, 수지 마스크층 제거성의 향상 및 땜납의 부식을 억제하는 관점에서, 모노에탄올아민이 바람직하다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 한 종류 또는 복수 종류의 성분 B 를 함유한다.Examples of the water-soluble amine as the component B of the detergent composition related to the present disclosure include alkylamine, alkanolamine, polyamine, cyclic amine and the like in one or more embodiments, From the viewpoint of suppressing the corrosion of the anode, the alkanolamine is preferable. Examples of the alkanolamine include monoethanolamine, N-ethylethanolamine, Nn-butylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, N, N-dibutylethanolamine, Nt -Butylethanolamine, N-methylethanolamine, and the like. Of these, monoethanolamine is preferred from the viewpoints of improving the removability of the resin mask layer and suppressing corrosion of the solder. The detergent composition according to the present disclosure contains one or more kinds of component B in one or more embodiments.
성분 B 인 수용성 아민은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 하기 식 (Ⅱ) 로 나타내는 아민 화합물이 바람직하다.In one or more embodiments, the water-soluble amine as the component B is preferably an amine compound represented by the following formula (II).
(식 중, R5 는 각각 동일 또는 상이하고 수소 원자, 수산기, 탄소수 1 ∼ 6 의 탄화수소기, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 또는, 탄소수 1 ∼ 6 의 아미노알킬기이고, R6, R7 은 각각 동일 또는 상이하고 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 탄화수소기, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 또는, 탄소수 1 ∼ 6 의 아미노알킬기이고, R5, R6, R7 은 동시에 수소 원자는 되지 않는다)(Wherein R 5 is the same or different and is a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 6 and R 7 Is a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 5 , R 6 and R 7 , Not)
상기 식 (Ⅱ) 의 R5 는 바람직하게는 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 탄화수소기, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 또는, 탄소수 1 ∼ 6 의 아미노알킬기이다.R 5 in the formula (II) is preferably a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
상기 식 (Ⅱ) 로 나타내는 아민 화합물의 구체예로는, 25 ℃ 의 수용액에 있어서의 산 해리 정수 pKa 가 9.0 이상인 아민 화합물이 바람직하고, 모노에탄올아민 (pKa = 9.55), N,N-디에틸에탄올아민 (pKa = 9.87), N-메틸에탄올아민 (pKa = 9.95), 에틸아미노에탄올 (pKa = 9.9) 등의 하이드록시알킬기를 갖는 아민, 프로판디아민 (pKa = 10.6) 등의 아미노알킬기를 갖는 아민을 예시할 수 있다. 이들 중에서도, 수지 마스크층 제거성의 향상 및 땜납의 부식을 억제하는 관점에서, N-메틸에탄올아민, 프로판디아민이 바람직하고, N-메틸에탄올아민이 보다 바람직하다.Specific examples of the amine compound represented by the formula (II) include an amine compound having an acid dissociation constant pKa of 9.0 or more in an aqueous solution at 25 ° C, and monoethanolamine (pKa = 9.55), N, Amine having a hydroxyalkyl group such as ethanolamine (pKa = 9.87), N-methylethanolamine (pKa = 9.95), ethylaminoethanol (pKa = 9.9) or the like and propanediamine (pKa = 10.6) Can be exemplified. Of these, N-methylethanolamine and propanediamine are preferable, and N-methylethanolamine is more preferable from the viewpoint of improving the removability of resin mask layer and suppressing corrosion of solder.
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 성분 B 인 수용성 아민의 함유량은 세정제 조성물 100 질량부 중에서 3.0 질량부 이상이고, 수지 마스크층 제거성의 향상 및 땜납의 부식을 억제하는 관점에서, 바람직하게는 4.0 질량부 이상이다. 그리고, 성분 B 인 수용성 아민의 함유량은 세정제 조성물 100 질량부 중에서 14.0 질량부 이하이고, 동일한 관점에서 바람직하게는 12.0 질량부 이하, 보다 바람직하게는 10.0 질량부 이하이고, 더욱 바람직하게는 8.0 질량부 이하, 더욱더 바람직하게는 7.0 질량부 이하이다.The content of the water-soluble amine as the component B of the detergent composition related to the present disclosure is preferably not less than 3.0 parts by mass in 100 parts by mass of the detergent composition, more preferably not less than 4.0 parts by mass from the viewpoint of improving the removability of the resin mask layer and suppressing corrosion of the solder to be. The content of the water-soluble amine as the component B is 14.0 parts by mass or less in 100 parts by mass of the detergent composition and is preferably 12.0 parts by mass or less, more preferably 10.0 parts by mass or less, and still more preferably 8.0 parts by mass And even more preferably not more than 7.0 parts by mass.
〔성분 C〕[Component C]
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 C 인 산 또는 그 암모늄염으로는, 유기산 및 무기산 또는 그 암모늄염을 들 수 있고, 유기산으로서 포름산, 아세트산, 옥살산, 숙신산 및 시트르산, 무기산으로서 탄산, 황산, 질산 및 인산을 들 수 있다. 산의 암모늄염은 암모니아의 산염이어도 된다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 한 종류 또는 복수 종류의 성분 C 를 함유한다. 성분 C 는 구체적으로는 포름산암모늄, 아세트산암모늄, 옥살산암모늄, 숙신산암모늄, 시트르산암모늄, 탄산암모늄, 황산암모늄, 질산암모늄 및 인산암모늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이 이상의 화합물이 바람직하다.Examples of the acid or its ammonium salt as the component C in the detergent composition relating to the present disclosure include organic acids and inorganic acids or ammonium salts thereof, and organic acids such as formic acid, acetic acid, oxalic acid, succinic acid and citric acid, inorganic acids such as carbonic acid, Phosphoric acid. The ammonium salt of the acid may be an acid salt of ammonia. The detergent composition according to the present disclosure contains one or more kinds of component C in one or more embodiments. Component C is specifically at least one compound selected from the group consisting of ammonium formate, ammonium acetate, ammonium oxalate, ammonium succinate, ammonium citrate, ammonium carbonate, ammonium sulfate, ammonium nitrate and ammonium phosphate.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 C 인 산 또는 그 암모늄염의 함유량은 세정제 조성물 100 질량부 중에서 바람직하게는 0.3 질량부 이상이고, 땜납의 부식을 억제하는 관점에서, 바람직하게는 0.6 질량부 이상, 보다 바람직하게는 0.8 질량부 이상, 더욱 바람직하게는 0.9 질량부 이상이다. 그리고, 산 또는 그 암모늄염의 함유량은 세정제 조성물 100 질량부 중에서 2.5 질량부 이하이고, 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서, 바람직하게는 1.5 질량부 이하이다.The content of the acid C or the ammonium salt thereof in the detergent composition related to the present disclosure is preferably 0.3 part by mass or more in 100 parts by mass of the detergent composition and is preferably 0.6 part by mass or more from the viewpoint of suppressing corrosion of the solder More preferably 0.8 part by mass or more, and even more preferably 0.9 part by mass or more. The content of the acid or its ammonium salt is 2.5 parts by mass or less in 100 parts by mass of the detergent composition and is preferably 1.5 parts by mass or less from the viewpoint of sufficiently cleaning the resin mask layer.
〔성분 D〕[Component D]
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 D 인 물로는, 이온 교환수, 초순수 등의 이온성 물질을 억제한 것을 들 수 있다. 세정제 조성물에 있어서의 물의 함유량은 세정제 조성물 100 질량부 중에서 50.0 질량부 이상이고, 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서, 바람직하게는 70.0 질량부 이상, 보다 바람직하게는 75.0 질량부 이상, 더욱 바람직하게는 80.0 질량부 이상이고, 또 세정제 조성물에 있어서의 물의 함유량은 박리제 조성물 100 질량부 중에서 95.0 질량부 이하이고, 땜납의 부식을 억제하는 관점에서, 바람직하게는 93.0 질량부 이하이다.The water as the component D in the detergent composition according to the present disclosure includes water containing ionic substances such as ion-exchanged water and ultrapure water. The content of water in the detergent composition is 50.0 parts by mass or more in 100 parts by mass of the detergent composition and is preferably 70.0 parts by mass or more, more preferably 75.0 parts by mass or more, still more preferably 75.0 parts by mass or more, Is 80.0 parts by mass or more and the content of water in the detergent composition is 95.0 parts by mass or less in 100 parts by mass of the stripper composition and preferably 93.0 parts by mass or less from the viewpoint of suppressing corrosion of the solder.
〔pH〕[PH]
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 pH 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서, 바람직하게는 10.0 이상, 보다 바람직하게는 10.5 이상이고, 땜납의 부식을 억제하는 관점에서, 바람직하게는 14 이하, 보다 바람직하게는 13.5 이하, 더욱 바람직하게는 13.0 이하이다. pH 는 예를 들어 (A) ∼ (C) 성분의 함유량으로 조정할 수 있다.The pH of the detergent composition according to the present disclosure is preferably 10.0 or more, more preferably 10.5 or more, from the viewpoint of sufficiently cleaning the resin mask layer in one or a plurality of embodiments, , Preferably not more than 14, more preferably not more than 13.5, further preferably not more than 13.0. The pH can be adjusted, for example, by adjusting the contents of components (A) to (C).
〔그 밖의 성분 : 유기 용매〕[Other components: organic solvent]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 수지 마스크의 용해성의 관점에서 유기 용매를 함유할 수 있다. 유기 용매로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸에테르, 디메틸술폭사이드를 들 수 있다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 유기 용매는, 수지 마스크층 제거성의 향상 및 땜납의 부식을 억제하는 관점에서, 세정제 조성물 100 질량부 중에서 0 질량부 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.4 질량부 이상, 더욱 바람직하게는 0.8 질량부 이상이고, 동일한 관점에서 35.0 질량부 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20.0 질량부 이하, 더욱 바람직하게는 10.0 질량부 이하이다.The detergent composition according to the present disclosure may contain an organic solvent in view of the solubility of the resin mask in one or more embodiments. As one or more organic solvents, diethylene glycol methyl ether, diethylene glycol butyl ether, and dimethylsulfoxide may be mentioned. The organic solvent in the detergent composition according to the present disclosure is preferably not less than 0 part by mass, more preferably not less than 0.4 part by mass in 100 parts by mass of the detergent composition from the viewpoints of improving the removability of the resin mask layer and suppressing corrosion of the solder, More preferably 0.8 part by mass or more, and from the same viewpoint, it is preferably 35.0 parts by mass or less, more preferably 20.0 parts by mass or less, and still more preferably 10.0 parts by mass or less.
〔그 밖의 성분 : 함질소 복소 방향족 화합물〕[Other components: nitrogen-containing complex aromatic compound]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 땜납의 부식을 억제하는 관점에서 함질소 복소 방향족 화합물을 함유할 수 있다. 함질소 복소 방향족 화합물로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 1H-벤조트리아졸, 1-메틸-1H-벤조트리아졸, 1,2,3-트리아졸을 들 수 있다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 함질소 복소 방향족 화합물은, 수지 마스크층 제거성의 향상 및 땜납의 부식을 억제하는 관점에서, 세정제 조성물 100 질량부 중에서 0.01 질량부 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.02 질량부 이상, 더욱 바람직하게는 0.03 질량부 이상이고, 동일한 관점에서 1 질량부 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.8 질량부 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 질량부 이하이다.The detergent composition according to the present disclosure may contain a nitrogen-containing heteroaromatic compound in view of suppressing the corrosion of the solder in one or more embodiments. As the nitrogen-containing heteroaromatic compound, in one or more embodiments, 1H-benzotriazole, 1-methyl-1H-benzotriazole and 1,2,3-triazole can be mentioned. The nitrogen-containing heteroaromatic compound in the detergent composition according to the present disclosure is preferably 0.01 parts by mass or more in 100 parts by mass of the detergent composition from the viewpoints of improving the removability of the resin mask layer and suppressing corrosion of the solder, More preferably not less than 0.02 parts by mass, more preferably not less than 0.03 parts by mass, and from the same viewpoint, not more than 1 part by mass, more preferably not more than 0.8 parts by mass, further preferably not more than 0.5 parts by mass.
〔세정제 조성물의 조제 방법〕[Preparation method of detergent composition]
즉, 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 세정제 조성물 100 질량부 중, 하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 A) 을 0.5 질량부 이상 3 질량부 이하, 수용성 아민 (성분 B) 을 3 질량부 이상 10 질량부 이하, 산 또는 그 암모늄염 (성분 C) 을 0.3 질량부 이상 2.5 질량부 이하, 물 (성분 D) 을 50 질량부 이상 95 질량부 이하 배합하여 이루어지는, 수지 마스크층용 세정제 조성물로 할 수 있다.That is, the detergent composition according to the present disclosure may contain, in one or more embodiments, 0.5 part by mass or more and 3 parts by mass or less of a quaternary ammonium hydroxide (component A) represented by the following formula (I) in 100 parts by mass of the detergent composition: (Component B) in an amount of not less than 3 parts by mass and not more than 10 parts by mass, an acid or an ammonium salt thereof (component C) in an amount of not less than 0.3 parts by mass and not more than 2.5 parts by mass, water (component D) in an amount of not less than 50 parts by mass and not more than 95 parts by mass Based on the total weight of the cleaning composition for a resin mask layer.
함유하는 공정.Containing process.
(식 중, R1, R2, R3 은 각각 동일 또는 상이한 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, R4 는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 하이드록실기 치환 알킬기이다)(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same or different alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, and R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a hydroxyl group-substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 한정되지 않는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 상기 서술한 성분 A ∼ D 를 상기 서술한 함유량의 범위에서 배합하고, 균일하게 혼합함으로써 조제할 수 있다. 또한, 본 개시의 세정제 조성물은 성분 D 의 물의 양을 줄인 농축물로서 조제해도 된다. 세정제 조성물의 농축물은, 수송 및 저장의 관점에서, 3 배 이상으로 농축하는 것이 바람직하고, 생산 및 보존 안정성의 관점에서 10 배 이하로 농축하는 것이 바람직하다. 농축물로 한 세정제 조성물은 사용시에는 본 발명 범위의 임의의 농도로 희석하여 사용할 수 있다.The detergent composition according to the present disclosure can be prepared by blending the components A to D described above within the range of the content described above and uniformly mixing them in one or more embodiments which are not limited. The detergent composition of the present disclosure may also be formulated as a concentrate which reduces the amount of water in component D. From the viewpoint of transportation and storage, the concentrate of the detergent composition is preferably concentrated to 3 times or more, and it is preferable to concentrate the concentrate to 10 times or less in view of production and storage stability. The concentrated detergent composition may be diluted to any concentration within the scope of the present invention when it is used.
[회로 기판의 제조 방법][Method of manufacturing circuit board]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 땜납 범프가 형성되는 회로 기판의 제조에 사용할 수 있다. 즉, 본 개시는, 일 양태에 있어서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 사용하여 세정하는 공정을 포함하는 회로 기판의 제조 방법 (이하, 「본 개시에 관련된 제조 방법」이라고도 한다) 에 관한 것이다.The detergent compositions in accordance with the present disclosure can be used in the manufacture of circuit boards in which solder bumps are formed, in one or more embodiments. That is, this disclosure relates to a method of manufacturing a circuit board (hereinafter also referred to as " manufacturing method related to this disclosure ") comprising a step of cleaning in one aspect using a detergent composition related to the present disclosure.
본 개시에 관련된 제조 방법의 일 또는 복수의 실시형태를 도 1 에 기초하여 설명한다. 도 1 은 본 개시에 관련된 제조 방법의 일 또는 복수의 실시형태를 나타내는 개략 공정 설명도이다. 도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 의 표면에 솔더 레지스트막 (3) (절연층) 이 형성되어 강고하게 고정된다. 솔더 레지스트막 (3) 에 형성한 개구부 (7) 로부터 전극 (2) 이 노출되어 있는 기판 (1) 의 표면에, 노광에 의해 전극 (2) 의 부분을 제외하고 레지스트 필름으로 수지 마스크층 (4) 을 형성한다. 이어서, 도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 의 표면에 땜납 범프 형성 재료 (5) 를 도포한다. 혹은, 땜납 범프 형성 재료 대신에 땜납 볼을 상기 개구부 (7) 에 배치해도 된다. 이어서, 가열하여, 도 1(c) 에 나타내는 바와 같이, 땜납을 상기 전극 (2) 의 표면에 석출시켜 땜납 범프 (6) 를 형성한다. 그리고, 도 1(d) 에 나타내는 바와 같이 수지 마스크층 (4) 을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 박리하여, 땜납 범프 (6) 가 형성된 회로 기판 (1) 을 얻는다. 또한, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 필요에 따라 도 1(e) 에 나타내는 바와 같이 땜납 범프 (6) 의 플래트닝을 실시한다.One or a plurality of embodiments of the manufacturing method related to the present disclosure will be described with reference to Fig. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic process explanatory view showing one or more embodiments of the production method related to the present disclosure. Fig. As shown in Fig. 1A, a solder resist film 3 (insulating layer) is formed on the surface of the
따라서, 본 개시에 관련된 제조 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 하기의 공정 (1) ∼ (5) 를 포함하는 회로 기판의 제조 방법이다.Therefore, the manufacturing method related to the present disclosure is a manufacturing method of a circuit board including one or more of the following steps (1) to (5) in one or a plurality of embodiments.
공정 (1) : 납땜부가 형성된 기판 표면에 대해 수지 마스크층을 형성하는 공정.Step (1): A step of forming a resin mask layer on the substrate surface on which the soldering portion is formed.
공정 (2) : 상기 수지 마스크층에 상기 납땜부가 노출되도록 개구부를 형성하는 공정.Step (2): a step of forming an opening portion in the resin mask layer so that the soldering portion is exposed.
공정 (3) : 상기 개구부에 땜납 범프 형성 재료를 충전하는 공정.Step (3): A step of filling the openings with the solder bump forming material.
공정 (4) : 가열하여 상기 땜납 범프 형성 재료를 용융시켜 상기 납땜부에 땜납 범프를 고정시키는 공정.Step (4): a step of heating the solder bump forming material to melt the solder bump forming material to fix the solder bump to the soldering portion.
공정 (5) : 공정 (4) 에서 얻어진 기판을, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 사용하여 세정하는 공정.Step (5): A step of cleaning the substrate obtained in the step (4) using the detergent composition related to the present disclosure.
[공정 (1)][Step (1)]
공정 (1) 은 납땜부가 형성된 기판 표면에 대해 수지 마스크층을 형성하는 공정이다. 납땜부가 형성된 기판은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 땜납 범프를 형성해야 할 납땜부가 형성된 형성된 회로 기판을 들 수 있으며, 상기 납땜부는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 전극부이다. 상기 기판은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 의 표면이 솔더 레지스트막 (3) 에 덮이고, 전극부 (2) 가 표면에 노출되어 있는 형태를 들 수 있으며, 솔더 레지스트막 (3) 은 기판 (1) 의 표면에 강고하게 고정되어 있다. 솔더 레지스트막 (3) 으로는, 한정되지 않는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 에폭시계, 아크릴계, 폴리이미드계 등의 수지가 사용된다. 또, 솔더 레지스트막 (3) 은 공정 (2) 전에 전극부 (2) 를 노출시키기 위해 개구부가 형성되어도 되고, 혹은 공정 (2) 와 동시 또는 그 후에 전극부 (2) 를 노출시키기 위해 개구부가 형성되어도 된다.Step (1) is a step of forming a resin mask layer on the surface of the substrate on which the soldering portion is formed. In the substrate on which the soldering portion is formed, in one or more embodiments, there is a circuit board on which a soldering portion for forming solder bumps is formed, and the soldering portion is an electrode portion in one or more embodiments. 1 (a), the surface of the
수지 마스크층을 형성하는 수지 재료로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 균일한 후막 형성의 관점에서 필름상의 감광성 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 레지스트 필름이 보다 바람직하다. 레지스트 필름은 범용의 것을 사용할 수 있다.As the resin material forming the resin mask layer, in one or more embodiments, it is preferable to use a photosensitive resin on a film from the viewpoint of forming a uniform thick film, and a resist film is more preferable. A general-purpose resist film can be used.
수지 마스크층의 두께는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 석출 땜납에 의해 범프를 형성하기 위해 필요해지는 땜납 석출량의 관점에서, 바람직하게는 10 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 30 ㎛ 이상이다. 또, 수지 마스크층의 두께는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 수지 마스크층을 바닥부까지 경화시키는 관점에서, 바람직하게는 300 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150 ㎛ 이하이다.The thickness of the resin mask layer is preferably 10 占 퐉 or more, and more preferably 30 占 퐉 or more, from the viewpoint of the solder deposit amount required for forming bumps by deposition solder in one or more embodiments. The thickness of the resin mask layer is preferably 300 占 퐉 or less, more preferably 150 占 퐉 or less, from the viewpoint of curing the resin mask layer to the bottom portion in one or more embodiments.
[공정 (2)][Step (2)]
공정 (2) 는 공정 (1) 에서 형성한 수지 마스크층에 상기 납땜부가 노출되도록 개구부를 형성하는 공정이다. 개구부의 형성은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 노광ㆍ현상 처리에 의해 실시할 수 있다. 또, 공정 (2) 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 솔더 레지스트막의 개구부를 동시 또는 계속해서 노광ㆍ현상 처리에 의해 형성해도 된다. 공정 (2) 에 의해, 도 1(a) 에 나타내는 일 또는 복수의 실시형태와 같이, 회로 기판 (1) 의 표면에 솔더 레지스트막 (3) 및 수지 마스크층 (4) 이 형성되고, 이들 솔더 레지스트막 (3) 및 수지 마스크층 (4) 에 형성된 개구부 (7) 로부터 전극부 (2) 가 노출되어 있는 기판을 얻을 수 있다.Step (2) is a step of forming an opening so that the soldering portion is exposed on the resin mask layer formed in the step (1). The formation of the openings can be carried out by exposure and development in one or a plurality of embodiments. In the step (2), the openings of the solder resist film may be formed simultaneously or continuously by exposure and development in one or more embodiments. The solder resist film 3 and the resin mask layer 4 are formed on the surface of the
[공정 (3)][Step (3)]
공정 (3) 은 공정 (2) 에서 형성한 개구부에 땜납 범프 형성 재료를 충전하는 공정이다. 땜납 범프 형성 재료는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 땜납 페이스트이고, 예를 들어 페이스트 인쇄법에 의해 충전될 수 있다. 또, 땜납 범프 형성 재료는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 땜납 볼로서, 예를 들어 볼 탑재법에 의해 충전될 수 있다.Step (3) is a step of filling the openings formed in step (2) with the solder bump forming material. The solder bump forming material is a solder paste in one or more embodiments and can be filled, for example, by a paste printing method. The solder bump forming material may be filled in the solder ball in one or more embodiments, for example, by a ball mounting method.
땜납 페이스트로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, (a) 주석 분말과, 납, 구리, 은 등의 금속염을 함유한 땜납 페이스트, 혹은 (b) 주석 분말과, 은 이온 및 구리 이온에서 선택되는 적어도 1 종과, 아릴포스핀류, 알킬포스핀류 및 아졸류에서 선택되는 적어도 1 종의 착물을 함유한 땜납 페이스트를 들 수 있다. 상기 (a) 의 금속염과 (b) 의 착물은 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 주석 분말이라고 할 때에는, 금속 주석 분말 외에, 예를 들어 은을 함유하는 주석-은계 주석 합금 분말이나 구리를 함유하는 주석-구리계 주석 합금 분말 등도 포함하는 것으로 한다. 상기 금속염으로는, 유기 카르복실산염, 유기 술폰산염 등을 들 수 있다.As solder paste, solder paste containing (a) a tin powder and a solder paste containing a metal salt such as lead, copper, silver, or the like, or (b) a tin powder and a silver ion and a copper ion And at least one kind of complex selected from the group consisting of arylphosphines, alkylphosphines and azoles. The metal salt of (a) and the complex of (b) may be mixed and used. The tin powder includes tin-silver tin alloy powder containing silver, tin-copper tin alloy powder containing copper, and the like, in addition to metal tin powder. Examples of the metal salt include an organic carboxylic acid salt and an organic sulfonic acid salt.
땜납 범프 형성 재료에 함유되는 땜납 합금은 전형적으로는 주석 베이스의 땜납 합금이지만, 예를 들어, 인듐계 합금 등의 비주석계 땜납 합금도 본 개시에서 사용할 수 있다. 종래의 일반적인 주석-납 공정 (共晶) 땜납 합금의 입자도 사용할 수 있지만, 바람직하게는 납 프리 땜납 합금의 입자를 사용한다. 바람직한 납 프리 땜납 합금으로는, 주석-은계, 주석-구리계, 주석-은-구리계 등이 예시된다. 대표적인 조성예를 들면, 다음과 같다 (％ 는 질량％) : The solder alloy contained in the solder bump forming material is typically a tin-based solder alloy, but non-ferrous solder alloys such as indium-based alloys may also be used in the present disclosure. Particles of conventional tin-lead eutectic solder alloys may also be used, but preferably lead-free solder alloy particles are used. Preferred examples of the lead-free solder alloy include tin-silver system, tin-copper system, tin-silver-copper system and the like. A typical composition is as follows (% by mass%):
Sn : 잔부, Ag : 0.3 ％, Cu : 0.5 ％ Sn: balance, Ag: 0.3%, Cu: 0.5%
Sn : 잔부, Ag : 3.5 ％, Cu : 0.7 ％ Sn: balance, Ag: 3.5%, Cu: 0.7%
Sn : 잔부, Ag : 3.5 ％ Sn: balance, Ag: 3.5%
Sn : 잔부, Cu : 0.7 ％.Sn: balance, Cu: 0.7%.
땜납 페이스트에는, 추가로 플럭스 성분이나 용제를 혼합할 수도 있다. 플럭스 성분으로는, 통상적으로, 주석-납계, 주석-은계, 주석-구리계 등의 땜납 재료에 사용되는 것을 사용할 수 있고, 용제로는 조성물 중의 다른 성분을 용해시켜 점도나 농도를 조정할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 공정 (3) 에 의해, 도 1(b) 에 나타내는 일 또는 복수의 실시형태와 같이, 회로 기판 (1) 의 표면에 솔더 레지스트막 (3) 및 수지 마스크층 (4) 이 형성되고, 또 회로 기판 (1) 의 표면의 전극부 (2) 상의 개구부에 땜납 형성 재료 (5) 가 충전 또는 배치된 회로 기판 (1) 을 얻을 수 있다.The solder paste may be further mixed with a flux component or a solvent. As the flux component, those generally used for solder materials such as tin-lead, tin-silver, tin-copper and the like can be used, and as the flux, those capable of adjusting viscosity and concentration by dissolving other components in the composition And is not particularly limited. The solder resist film 3 and the resin mask layer 4 are formed on the surface of the
[공정 (4)][Step (4)]
공정 (4) 는 공정 (3) 에서 충전한 땜납 범프 형성 재료를 가열하여 용융시켜 상기 납땜부에 땜납 범프를 고정시키는 공정이다. 가열 온도는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 200 ℃ 이상, 회로 기판의 내열성을 고려하여 200 ℃ ∼ 260 ℃ 를 들 수 있다. 땜납 범프 형성 재료의 액상선 온도는 통상적으로 200 ℃ 이상이고, 가열 온도는, 그 밖의 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 상기 땜납 범프 형성 재료의 액상선 온도 이상, 회로 기판의 내열성을 고려하여 상기 액상선 온도 이상 260 ℃ 이하를 들 수 있다. 가열 시간은 땜납 범프 형성 재료의 조성 등에 따라 결정되며, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 바람직하게는 30 초 ∼ 10 분 정도, 보다 바람직하게는 1 분 ∼ 5 분 정도이다. 회로 기판의 생산성의 관점에서, 1 회의 가열 처리로 범프를 고정시키는 것이 바람직하다. 공정 (4) 에 의해, 도 1(c) 에 나타내는 일 또는 복수의 실시형태와 같이, 회로 기판 (1) 의 표면에 솔더 레지스트막 (3) 및 수지 마스크층 (4) 이 형성되고, 또 회로 기판 (1) 의 표면의 전극부 (2) 상에는 땜납 범프 (6) 가 형성된 기판을 얻을 수 있다.Step (4) is a step of heating and melting the solder bump forming material filled in step (3) to fix the solder bumps to the soldering part. The heating temperature may be 200 占 폚 or higher and 200 占 폚 to 260 占 폚 in consideration of the heat resistance of the circuit board in one or more embodiments. The liquidus temperature of the solder bump forming material is usually not lower than 200 DEG C and the heating temperature is not lower than the liquidus temperature of the solder bump forming material and the heat resistance of the circuit board in one or more other embodiments Liquid-phase temperature not less than 260 캜. The heating time is determined depending on the composition of the solder bump forming material and the like. In one or more embodiments, the heating time is preferably about 30 seconds to 10 minutes, more preferably about 1 minute to 5 minutes. From the viewpoint of the productivity of the circuit board, it is preferable to fix the bumps by one heat treatment. The solder resist film 3 and the resin mask layer 4 are formed on the surface of the
[공정 (5)][Step (5)]
공정 (5) 는 공정 (4) 에서 얻어진 기판을, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 사용하여 세정하는 공정이다. 세정제 조성물로 기판을 세정하는 방법으로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 초음파 세정법, 스프레이법, 침지 요동법, 침지법, 타올법의 각종의 세정 수단을 들 수 있다. 회로 기판의 종류에 맞춰 이들 수단을 단독으로 또는 적절히 조합해도 된다. 회로 기판에 대한 영향을 억제하는 관점 및 세정성의 관점에서는, 스프레이법, 침지 요동법 또는 침지법이 바람직하다.Step (5) is a step of cleaning the substrate obtained in the step (4) by using the detergent composition related to the present disclosure. As a method of cleaning the substrate with the cleaning composition, in one or a plurality of embodiments, various cleaning means such as an ultrasonic cleaning method, a spraying method, a dipping oscillation method, a dipping method and a toweling method may be mentioned. These means may be used alone or in combination as appropriate in accordance with the type of circuit board. From the viewpoint of suppressing the influence on the circuit board and from the viewpoint of the cleaning property, the spraying method, immersion oscillation method, or dipping method is preferable.
공정 (5) 에 있어서의 세정시의 온도는, 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서, 바람직하게는 25 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 40 ℃ 이상이다. 또, 수분의 증발을 억제하는 관점에서, 90 ℃ 이하가 바람직하고, 80 ℃ 이하가 보다 바람직하다. 또, 공정 (5) 에 있어서의 세정시의 pH 는, 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서, 바람직하게는 10.0 이상, 보다 바람직하게는 11.0 이상, 더욱 바람직하게는 12.0 이상이고, 바람직하게는 14.0 이하, 보다 바람직하게는 13.5 이하, 더욱 바람직하게는 13.0 이하이다.The temperature at the time of cleaning in the step (5) is preferably 25 占 폚 or higher, and more preferably 40 占 폚 or higher, from the viewpoint of sufficiently cleaning the resin mask layer. Further, from the viewpoint of suppressing the evaporation of moisture, 90 deg. C or lower is preferable, and 80 deg. C or lower is more preferable. The pH at the time of cleaning in the step (5) is preferably 10.0 or more, more preferably 11.0 or more, further preferably 12.0 or more, and preferably 14.0 or more, from the viewpoint of sufficiently cleaning the resin mask layer. Or less, more preferably 13.5 or less, and further preferably 13.0 or less.
공정 (5) 에 있어서의 세정 시간은 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서 1 분 이상이 바람직하고, 3 분 이상이 보다 바람직하고, 5 분 이상이 더욱 바람직하고, 회로 기판의 제조 시간을 단축시키는 관점에서, 30 분 이하가 바람직하고, 20 분 이하가 보다 바람직하다.The cleaning time in the step (5) is preferably 1 minute or longer, more preferably 3 minutes or longer, and still more preferably 5 minutes or longer from the viewpoint of sufficiently cleaning the resin mask layer, , It is preferably 30 minutes or less, and more preferably 20 minutes or less.
공정 (5) 는, 추가로 세정 처리가 종료된 후, 회로 기판 상에 잔존하고 있는 세정제 조성물에 가용화된 오염 및/또는 세정제 조성물의 성분을 회로 기판으로부터 제거하는 관점에서, 헹굼 처리 (이하, 공정 (5a) 라고도 한다) 를 실시하는 것이 바람직하다. 헹굼 처리에서는 물 또는 알코올을 사용하는 것이 바람직하다. 헹굼 처리에서의 pH 는 중성 부근 (예를 들어, pH 6.0 ∼ 8.0 또는 pH 6.5 ∼ 7.5) 에서 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 세정 처리 또는 헹굼 처리가 종료된 후, 회로 기판 표면에 잔존하고 있는 수분을 제거하기 위해, 건조 처리 (이하, 공정 (5b) 라고도 한다) 를 실시하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of removing the contamination and / or the components of the detergent composition dissolved in the detergent composition remaining on the circuit board from the circuit board after the completion of the cleaning treatment, the step (5) (Hereinafter also referred to as " a " 5a). In the rinsing treatment, it is preferable to use water or alcohol. The pH in the rinsing treatment is preferably carried out in the vicinity of neutral (for example, pH 6.0 to 8.0 or pH 6.5 to 7.5). Further, it is preferable to carry out a drying process (hereinafter also referred to as process (5b)) in order to remove moisture remaining on the surface of the circuit board after the rinsing process or the rinsing process is completed.
헹굼 처리의 방법으로는, 침지법, 초음파 세정법, 침지 요동법, 스프레이법의 각종의 방법을 들 수 있다. 헹굼성의 관점에서, 스프레이법 및 침지법이 바람직하고, 스프레이법 및 침지법을 병용하는 것이 보다 바람직하다. 린스 처리의 온도는, 헹굼성의 관점에서, 바람직하게는 25 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 40 ℃ 이상이고, 또 수분의 증발을 억제하는 관점에서, 90 ℃ 이하가 바람직하고, 80 ℃ 이하가 보다 바람직하다. 헹굼 처리의 시간은 헹굼성의 관점에서 3 분 이상이 바람직하고, 5 분 이상이 보다 바람직하고, 회로 기판의 제조 시간을 단축시키는 관점에서, 30 분 이하가 바람직하고, 20 분 이하가 보다 바람직하다.As the rinsing treatment method, various methods such as dipping method, ultrasonic washing method, immersion swinging method, and spraying method can be mentioned. From the viewpoint of the rinsability, the spraying method and the dipping method are preferable, and it is more preferable to use the spraying method and the dipping method together. The temperature of the rinsing treatment is preferably not lower than 25 占 폚, more preferably not lower than 40 占 폚 in terms of rinsability and is preferably not higher than 90 占 폚 and not higher than 80 占 폚 Do. The rinsing time is preferably 3 minutes or longer from the viewpoint of rinsing property, more preferably 5 minutes or longer, and more preferably 30 minutes or shorter and 20 minutes or shorter from the viewpoint of shortening the circuit board production time.
또, 건조 처리에 있어서의 건조 방법으로는, 예를 들어, 오븐이나 송풍 건조기로 건조시키는 방법을 들 수 있고, 그 건조 온도는 건조성의 관점에서 80 ℃ 이상이 바람직하고, 회로 기판에 대한 영향을 억제하는 관점에서 120 ℃ 이하로 가열하는 것이 바람직하고, 100 ℃ 이하가 보다 바람직하다.As a drying method in the drying treatment, for example, there is a method of drying with an oven or an air blow dryer. The drying temperature is preferably 80 ° C or higher from the viewpoint of drying property, It is preferable to heat it to 120 DEG C or less from the standpoint of suppressing it, and more preferably 100 DEG C or less.
[공정 (6)][Step (6)]
본 개시에 관련된 제조 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 수지 마스크층이 높은 제거율로 제거된, 땜납 범프가 형성된 회로 기판을 얻는 관점에서, 하기 공정 (6) 을 포함하는 것이 바람직하다.The manufacturing method according to the present disclosure preferably includes the following step (6) from the viewpoint of obtaining a circuit board on which solder bumps are formed, in which the resin mask layer has been removed at a high removal rate in one or a plurality of embodiments.
공정 (6) : 공정 (5) 에서 얻어진 기판을, 디메틸술폭사이드 (DMSO) (성분 S), 글리콜에테르 (성분 T), 25 ℃ 의 수용액에 있어서의 산 해리 정수 pKa 가 9.0 이상인 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 및 물 (성분 V) 을 함유하는 세정제 조성물을 사용하여 세정하는 공정.Step (6): The substrate obtained in the step (5) is treated with dimethylsulfoxide (DMSO) (component S), glycol ether (component T), an amine having an acid dissociation constant pKa of 9.0 or more in an aqueous solution at 25 캜 and / A cleaning agent composition containing quaternary ammonium hydroxide (component U) and water (component V).
공정 (6) 을 실시함으로써, 수지 마스크층이 높은 제거율로 제거된, 땜납 범프가 형성된 회로 기판이 얻어진다. 즉, 공정 (6) 에 의해, 도 1(d) 에 나타내는 일 또는 복수의 실시형태와 같이, 회로 기판 (1) 의 표면의 전극부 (2) 상에 땜납 범프 (6) 가 형성되고, 또한 회로 기판 (1) 의 표면으로부터 솔더 레지스트막 (3) 으로부터 수지 마스크층이 높은 제거율로 제거된 기판을 얻을 수 있다.By carrying out the step (6), the circuit board on which the solder bumps are formed, in which the resin mask layer is removed with a high removal rate, is obtained. That is, the solder bumps 6 are formed on the
공정 (6) 에 있어서, 공정 (5) 에서 얻어진 기판을 세정제 조성물로 세정하는 방법으로는, 초음파 세정법, 스프레이법, 침지 요동법, 침지법, 타올법의 각종의 세정 수단을 들 수 있다. 회로 기판의 종류에 맞춰 이들 수단을 단독으로 또는 적절히 조합하여 수지 배리어층을 세정할 수 있다. 회로 기판에 대한 영향을 억제하는 관점과 세정성의 관점에서 스프레이법, 침지 요동법 또는 침지법이 바람직하다.As the method for cleaning the substrate obtained in the step (5) with the cleaning composition in the step (6), various cleaning means such as an ultrasonic cleaning method, a spraying method, a dipping oscillation method, a dipping method and a toweling method may be mentioned. The resin barrier layer can be cleaned by these means alone or in a suitable combination according to the type of the circuit board. From the viewpoint of suppressing the influence on the circuit board and from the viewpoint of the cleaning property, the spray method, immersion oscillation method, or dipping method is preferable.
공정 (6) 에 있어서의 세정시의 온도는, 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서, 바람직하게는 25 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 40 ℃ 이상이고, 또 수분의 증발을 억제하는 관점에서, 90 ℃ 이하가 바람직하고, 80 ℃ 이하가 보다 바람직하다. 또, 공정 (6) 에 있어서의 세정시의 pH 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서, 바람직하게는 11 이상, 보다 바람직하게는 12 이상이다.From the viewpoint of sufficiently cleaning the resin mask layer, the temperature at the time of cleaning in the step (6) is preferably at least 25 DEG C, more preferably at least 40 DEG C, and from the viewpoint of suppressing the evaporation of water, Deg.] C or lower, more preferably 80 deg. C or lower. The pH at the time of cleaning in the step (6) is preferably 11 or more, and more preferably 12 or more, from the viewpoint of sufficiently cleaning the resin mask layer in one or a plurality of embodiments.
공정 (6) 에 있어서의 세정 시간은 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서 1 분 이상이 바람직하고, 3 분 이상이 보다 바람직하고, 5 분 이상이 더욱 바람직하고, 회로 기판의 제조 시간을 단축시키는 관점에서, 30 분 이하가 바람직하고, 20 분 이하가 보다 바람직하다.The cleaning time in the step (6) is preferably 1 minute or longer, more preferably 3 minutes or longer, and still more preferably 5 minutes or longer from the viewpoint of sufficiently cleaning the resin mask layer, , It is preferably 30 minutes or less, and more preferably 20 minutes or less.
[공정 (6) 의 세정제 조성물][Cleaning Agent Composition of Process (6)] [
공정 (6) 에서 사용하는 세정제 조성물은 디메틸술폭사이드 (DMSO) (성분 S), 글리콜에테르 (성분 T), 25 ℃ 의 수용액에 있어서의 산 해리 정수 pKa 가 9.0 이상인 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 및 물 (성분 V) 을 함유한다. 그 세정제 조성물은 디메틸술폭사이드 (성분 S), 글리콜에테르 (성분 T), 상기 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 및 물 (성분 V) 을 예를 들어 25 ℃ 에서 혼합함으로써 조제할 수 있다. 또, 디메틸술폭사이드 (성분 S), 글리콜에테르 (성분 T), 및 상기 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 을 함유하는 농후액을 미리 조제해 두고, 물 (성분 V) 로 희석하여 공정 (6) 의 세정제 조성물로서 사용해도 된다.The detergent composition used in the step (6) is a mixture of dimethylsulfoxide (DMSO) (component S), glycol ether (component T), an amine having an acid dissociation constant pKa of 9.0 or more in an aqueous solution at 25 캜 and / Hydroxide (component U) and water (component V). The detergent composition is prepared by mixing dimethylsulfoxide (component S), glycol ether (component T), amine and / or quaternary ammonium hydroxide (component U) and water (component V) . It is also possible to prepare in advance a thickener containing dimethylsulfoxide (component S), glycol ether (component T) and the amine and / or quaternary ammonium hydroxide (component U) and diluted with water (component V) And may be used as the detergent composition of the step (6).
〔성분 S〕[Component S]
성분 S 는 디메틸술폭사이드 (DMSO) 이다. 상기 세정제 조성물에 있어서의 디메틸술폭사이드의 함유량은, 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서, 세정제 조성물 100 질량부 중에서 바람직하게는 10.0 질량부 이상, 보다 바람직하게는 30.0 질량부 이상, 더욱 바람직하게는 35.0 질량부 이상, 더욱더 바람직하게는 39.0 질량부 이상이다. 또, 동일한 관점에서, 세정제 조성물 100 질량부 중에서 바람직하게는 50.0 질량부 이하, 보다 바람직하게는 43.0 질량부 이하이다.Component S is dimethylsulfoxide (DMSO). The content of dimethylsulfoxide in the detergent composition is preferably 10.0 parts by mass or more, more preferably 30.0 parts by mass or more, and most preferably 30.0 parts by mass or more in 100 parts by mass of the detergent composition from the viewpoint of sufficiently cleaning the resin mask layer More preferably 35.0 parts by mass or more, and even more preferably 39.0 parts by mass or more. From the same viewpoint, it is preferably 50.0 parts by mass or less, and more preferably 43.0 parts by mass or less, in 100 parts by mass of the detergent composition.
〔성분 T〕[Component T]
성분 T 는 글리콜에테르이다. 성분 T 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 하기 식 (Ⅲ) 으로 나타내는 글리콜에테르인 것이 바람직하다.Component T is a glycol ether. In one or more embodiments, the component T is preferably a glycol ether represented by the following formula (III).
R8O(AO)nR9 (Ⅲ)R 8 O (AO) n R 9 (III)
(식 중, R8 은 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 15 의 아릴기, R9 는 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, AO 는 탄소수 2 또는 3 의 알킬렌옥시기, n 은 평균 부가 몰수로서 1 ∼ 4 이다)(Wherein, R 8 is aryl group or having 6 to 15 of carbon number of 1 to 6 groups, R 9 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, AO is an alkylene group having 2 or 3, n is added average 1 to 4 as the number of moles)
또, 성분 T 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, (폴리)알킬렌글리콜의 알킬에테르 또는 아릴에테르이다. (폴리)알킬렌글리콜로서 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌글리콜을 들 수 있다. 알킬에테르로서 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르, 모노이소부틸에테르, 모노헥실에테르, 디메틸에테르, 디에틸에테르, 부틸메틸에테르, 에틸프로필에테르, 부틸에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르를 들 수 있다. 아릴에테르로서 모노페닐에테르, 모노벤질에테르를 들 수 있다. (성분 T 는, 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노부틸에테르, 모노이소부틸에테르, 모노벤질에테르가 바람직하고, 구체적으로는, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르 및 에틸렌글리콜모노벤질에테르가 바람직하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르가 보다 바람직하다. 성분 T 는 상기 식 (Ⅲ) 으로 나타내는 단독의 화합물이어도 되고, 복수 종류의 화합물로 이루어지는 것이어도 된다.Component T is an alkyl ether or aryl ether of (poly) alkylene glycol in one or more embodiments. (Poly) alkylene glycols include ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, and tripropylene glycol. As the alkyl ether, monoethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether, monoisobutyl ether, monohexyl ether, dimethyl ether, diethyl ether, butyl methyl ether, ethyl propyl ether, butyl ethyl ether, , And dibutyl ether. As the aryl ether, monophenyl ether and monobenzyl ether can be given. (Component T is preferably ethylene glycol, diethylene glycol, triethyleneglycol monomethyl ether, monoethyl ether, monobutyl ether, monoisobutyl ether or monobenzyl ether from the viewpoint of sufficiently cleaning the resin mask layer, Specifically, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, and ethylene glycol monobenzyl ether are preferable, and diethylene glycol monobutyl ether is more preferable. Component T is the sole Or may be composed of a plurality of kinds of compounds.
세정제 조성물에 있어서의 성분 T 의 함유량은, 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서, 세정제 조성물 100 질량부 중에서 바람직하게는 30.0 질량부 이상, 보다 바람직하게는 35.0 질량부 이상이다. 그리고, 동일한 관점에서, 성분 T 의 함유량은 세정제 조성물 100 질량부 중에서 바람직하게는 70.0 질량부 이하, 보다 바람직하게는 50.0 질량부 이하, 더욱 바람직하게는 43.0 질량부 이하이다.The content of the component T in the detergent composition is preferably 30.0 parts by mass or more, and more preferably 35.0 parts by mass or more, in 100 parts by mass of the detergent composition from the viewpoint of thoroughly cleaning the resin mask layer. From the same viewpoint, the content of component T is preferably 70.0 parts by mass or less, more preferably 50.0 parts by mass or less, and further preferably 43.0 parts by mass or less, in 100 parts by mass of the detergent composition.
성분 S 와 성분 T 의 질량비〔(S)/(T)〕는, 수지 마스크층 제거성의 관점에서, 바람직하게는 0.15 이상, 보다 바람직하게는 0.30 이상, 더욱 바람직하게는 0.50 이상이고, 그리고 바람직하게는 2.00 이하, 보다 바람직하게는 1.50 이하, 더욱 바람직하게는 1.20 이하이다.The mass ratio [(S) / (T)] of the component S and the component T is preferably 0.15 or more, more preferably 0.30 or more, further preferably 0.50 or more from the viewpoint of the removability of the resin mask layer, Is not more than 2.00, more preferably not more than 1.50, still more preferably not more than 1.20.
〔성분 U〕[Component U]
성분 U 는 25 ℃ 의 수용액에 있어서의 산 해리 정수 pKa 가 9.0 이상인 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물이다. 성분 U 는, 땜납 부식 억제의 관점에서, 아민이 바람직하고, 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서, 제 4 급 암모늄수산화물이 바람직하다. 성분 U 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 하기 식 (Ⅳ) 로 나타내고 또한 25 ℃ 의 수용액에 있어서의 산 해리 정수 pKa 가 9.0 이상인 아민, 및/또는, 하기 식 (Ⅴ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄수산화물이다. pKa 는 예를 들어, 『화학 편람 기초편』(일본 화학회편 마루젠 주식회사) 등에 기재되어 있다. pKa 는 바람직하게는 9.5 이상, 보다 바람직하게는 9.8 이상이고, 그리고 바람직하게는 12.0 이하, 보다 바람직하게는 11.5 이하, 더욱 바람직하게는 11.0 이하이다.Component U is an amine and / or a quaternary ammonium hydroxide having an acid dissociation constant pKa of 9.0 or more in an aqueous solution at 25 占 폚. From the viewpoint of solder corrosion inhibition, the component U is preferably an amine, and quaternary ammonium hydroxide is preferred from the viewpoint of sufficiently cleaning the resin mask layer. The component U may be an amine having an acid dissociation constant pKa of 9.0 or more in an aqueous solution at 25 캜 represented by the following formula (IV) and / or an amine represented by the following formula (IV) Ammonium hydroxide. The pKa is described, for example, in "Chemical Handbook Fundamentals" (Maruzen Co., Ltd., Japan Chemical Society). The pKa is preferably 9.5 or more, more preferably 9.8 or more, and is preferably 12.0 or less, more preferably 11.5 or less, further preferably 11.0 or less.
(R10)3N (Ⅳ)(R < 10 >) 3 N (IV)
(식 중, R10 은 각각 동일 또는 상이한 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 또는, 탄소수 1 ∼ 6 의 아미노알킬기이고, 3 개의 R10 은 동시에 수소 원자는 되지 않는다)(Wherein, R 10 are each the same or different hydrogen atom, an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon alkyl group, a C 1 -
[(R11)3-N-R12]+OH- (Ⅴ)[(R 11 ) 3 -NR 12 ] + OH - (V)
(식 중, R11 은 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, R12 는 1 ∼ 3 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 하이드록시알킬기를 나타낸다)(Wherein R 11 represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, R 12 represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms)
상기 식 (Ⅳ) 로 나타내는 25 ℃ 의 수용액에 있어서의 산 해리 정수 pKa 가 9.0 이상인 아민 화합물의 구체예로는, 모노에탄올아민 (pKa = 9.55), N,N-디에틸에탄올아민 (pKa = 9.87), N-메틸에탄올아민 (pKa = 9.95), 에틸아미노에탄올 (pKa = 9.9) 등의 하이드록시알킬기를 갖는 아민, 프로판디아민 (pKa = 10.6) 등의 아미노알킬기를 갖는 아민을 예시할 수 있다. 이들 중에서도, 수지 마스크 제거의 관점에서, N-메틸에탄올아민, 프로판디아민이 바람직하고, N-메틸에탄올아민이 보다 바람직하다. pKa 가 9.0 이상인 아민류를 사용함으로써 알칼리에 의해 수지 마스크층의 저분자량화에 작용하는 것으로 생각된다.Specific examples of the amine compound having an acid dissociation constant pKa of 9.0 or more in the aqueous solution at 25 캜 represented by the formula (IV) include monoethanolamine (pKa = 9.55), N, N-diethylethanolamine (pKa = 9.87 Amine having a hydroxyalkyl group such as N-methylethanolamine (pKa = 9.95) and ethylaminoethanol (pKa = 9.9), and propanediamine (pKa = 10.6). Among them, N-methylethanolamine and propanediamine are preferable, and N-methylethanolamine is more preferable from the viewpoint of resin mask removal. it is considered that the use of amines having a pKa of 9.0 or more serves to lower the molecular weight of the resin mask layer by alkali.
상기 식 (Ⅴ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄수산화물로는, 이하의 카티온과 하이드록사이드로 이루어지는 염 등을 예시할 수 있다. 또, 상기 카티온으로는, 예를 들어 테트라알킬암모늄 카티온 (알킬의 탄소수 1 ∼ 6) 과 같은 테트라메틸암모늄, 테트라에틸암모늄, 테트라(n- 또는 i-)프로필암모늄, 테트라(n- 또는 i-)부틸암모늄, 테트라펜틸암모늄, 테트라헥실암모늄, 트리메틸에틸암모늄을 들 수 있고, 또 하이드록시알킬기를 갖는 알킬암모늄 카티온 (알킬의 탄소수 1 ∼ 6) 과 같은 트리메틸(2-하이드록시에틸)암모늄 및 트리에틸(2-하이드록시에틸)암모늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 테트라메틸암모늄이 바람직하다. 제 4 급 암모늄수산화물로서 구체적으로는, 테트라메틸암모늄수산화물, 테트라에틸암모늄수산화물, 테트라프로필암모늄수산화물, 테트라부틸암모늄수산화물, 테트라펜틸암모늄수산화물, 테트라헥실암모늄수산화물, 트리메틸에틸암모늄수산화물, 트리메틸(2-하이드록시에틸)암모늄수산화물, 트리에틸(2-하이드록시에틸)암모늄수산화물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수지 마스크 제거의 관점에서, 테트라메틸암모늄수산화물이 바람직하다.Examples of quaternary ammonium hydroxides represented by the above formula (V) include the following salts of a cation and a hydroxide. Examples of the cation include tetramethylammonium, tetraethylammonium, tetra (n- or i-) propylammonium, tetra (n- or i-propylammonium) such as tetraalkylammonium cation i-butylammonium, tetrapentylammonium, tetrahexylammonium and trimethylethylammonium, and trimethyl (2-hydroxyethyl) amines such as alkylammonium cationides having a hydroxyalkyl group (having 1 to 6 carbon atoms in the alkyl group) Ammonium and triethyl (2-hydroxyethyl) ammonium, and the like. Of these, tetramethylammonium is preferred. Specific examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrapentylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, trimethylethylammonium hydroxide, trimethyl (2- Hydroxyethyl) ammonium hydroxides, triethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxides and the like. Of these, tetramethylammonium hydroxide is preferable from the viewpoint of removing the resin mask.
세정제 조성물에 있어서의 성분 U 의 함유량은, 수지 마스크층 제거성의 관점에서, 세정제 조성물 100 질량부 중에서 바람직하게는 0.5 질량부 이상, 보다 바람직하게는 1.0 질량부 이상, 더욱 바람직하게는 3.0 질량부 이상이고, 그리고 세정제 조성물 100 질량부 중에서 바람직하게는 20.0 질량부 이하, 보다 바람직하게는 15.0 질량부 이하이다.The content of the component U in the detergent composition is preferably 0.5 parts by mass or more, more preferably 1.0 parts by mass or more, further preferably 3.0 parts by mass or more And is preferably 20.0 parts by mass or less, more preferably 15.0 parts by mass or less, in 100 parts by mass of the detergent composition.
〔성분 V〕[Component V]
성분 V 는 물로 이온 교환수, 초순수 등의 이온성 물질을 억제한 것이 바람직하다. 세정제 조성물에 있어서의 성분 V 의 함유량은, 수지 마스크층 제거성의 관점에서, 세정제 조성물 100 질량부 중에서 바람직하게는 3.0 질량부 이상, 보다 바람직하게는 8.0 질량부 이상, 더욱 바람직하게는 12.0 질량부 이상이고, 그리고 세정제 조성물 100 질량부 중에서 바람직하게는 20.0 질량부 이하, 보다 바람직하게는 18.0 질량부 이하이다.It is preferable that the component V suppresses ionic substances such as ion exchange water and ultrapure water by water. The content of the component V in the detergent composition is preferably 3.0 parts by mass or more, more preferably 8.0 parts by mass or more, and further preferably 12.0 parts by mass or more in 100 parts by mass of the detergent composition from the viewpoint of removability of the resin mask layer And is preferably 20.0 parts by mass or less, more preferably 18.0 parts by mass or less, in 100 parts by mass of the detergent composition.
성분 U 와 성분 V 의 질량비〔(U)/(Ⅴ)〕는, 수지 마스크층 제거성의 관점에서, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상이고, 그리고 바람직하게는 1.5 이하, 보다 바람직하게는 0.9 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.6 이하이다.The mass ratio [(U) / (V)] of the component U and the component V is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, and more preferably 1.5 or less, Is not more than 0.9, and more preferably not more than 0.6.
성분 S 와 성분 T 의 합계와 성분 U 와 성분 V 의 합계의 질량비 [〔(S) ＋ (T)〕/〔(U) ＋ (Ⅴ)〕] 는, 수지 마스크층 제거성의 관점에서, 바람직하게는 1.0 이상, 보다 바람직하게는 2.0 이상이고, 그리고 바람직하게는 10.0 이하, 보다 바람직하게는 5.0 이하이다.The mass ratio [((S) + (T)] / [(U) + (V)] of the sum of the components S and T and the sum of the components U and V is preferably Is 1.0 or more, more preferably 2.0 or more, and is preferably 10.0 or less, and more preferably 5.0 or less.
〔pH〕[PH]
세정제 조성물의 pH 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 수지 마스크층을 충분히 세정하는 관점에서, 바람직하게는 11 이상, 보다 바람직하게는 12 이상이다. pH 는 성분 U 의 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물의 함유량으로 조정할 수 있다.The pH of the detergent composition is preferably 11 or more, and more preferably 12 or more, from the viewpoint of sufficiently cleaning the resin mask layer in one or more embodiments. The pH can be adjusted to the content of the amine of component U and / or the quaternary ammonium hydroxide.
또한, 공정 (6) 은, 세정 처리가 종료된 후, 회로 기판 상에 잔존하고 있는 세정제 조성물로 가용화된 오염 및/또는 세정제 조성물의 성분을 회로 기판으로부터 제거하는 관점에서, 헹굼 처리〔이하, 공정 (6a) 라고도 한다〕를 실시하는 것이 바람직하다. 헹굼 처리에서는, 물 또는 알코올을 사용하는 것이 바람직하다. 헹굼 처리에서의 pH 는 중성 부근 (예를 들어, pH 6.0 ∼ 8.0 또는 pH 6.5 ∼ 7.5) 에서 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 세정 처리 또는 헹굼 처리가 종료된 후, 회로 기판 표면에 잔존하고 있는 수분을 제거하기 위해, 건조 처리〔이하, 공정 (6b) 라고도 한다〕를 실시하는 것이 바람직하다.The step (6) is a rinsing treatment (hereinafter referred to as " cleaning step ") from the viewpoint of removing the contamination and / or the components of the cleaning agent composition solubilized in the cleaning agent composition remaining on the circuit board, (Hereinafter also referred to as " 6a "). In the rinsing treatment, it is preferable to use water or alcohol. The pH in the rinsing treatment is preferably carried out in the vicinity of neutral (for example, pH 6.0 to 8.0 or pH 6.5 to 7.5). Further, after the cleaning process or the rinsing process is completed, it is preferable to perform a drying process (hereinafter also referred to as process (6b)) in order to remove moisture remaining on the surface of the circuit board.
헹굼 처리의 방법으로는, 침지법, 초음파 세정법, 침지 요동법, 스프레이법의 각종의 방법을 들 수 있다. 헹굼성의 관점에서, 스프레이법 및 침지법이 바람직하고, 스프레이법 및 침지법을 병용하는 것이 보다 바람직하다. 린스 처리의 온도는, 헹굼성의 관점에서, 바람직하게는 25 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 40 ℃ 이상이고, 또 수분의 증발을 억제하는 관점에서, 90 ℃ 이하가 바람직하고, 80 ℃ 이하가 보다 바람직하다. 헹굼 처리의 시간은 헹굼성의 관점에서 3 분 이상이 바람직하고, 5 분 이상이 보다 바람직하고, 회로 기판의 제조 시간을 단축시키는 관점에서, 30 분 이하가 바람직하고, 20 분 이하가 보다 바람직하다.As the rinsing treatment method, various methods such as dipping method, ultrasonic washing method, immersion swinging method, and spraying method can be mentioned. From the viewpoint of the rinsability, the spraying method and the dipping method are preferable, and it is more preferable to use the spraying method and the dipping method together. The temperature of the rinsing treatment is preferably not lower than 25 占 폚, more preferably not lower than 40 占 폚 in terms of rinsability and is preferably not higher than 90 占 폚 and not higher than 80 占 폚 Do. The rinsing time is preferably 3 minutes or longer from the viewpoint of rinsing property, more preferably 5 minutes or longer, and more preferably 30 minutes or shorter and 20 minutes or shorter from the viewpoint of shortening the circuit board production time.
또, 건조 처리에 있어서의 건조 방법으로는, 예를 들어, 오븐이나 송풍 건조기로 건조시키는 방법을 들 수 있고, 그 건조 온도는 건조성의 관점에서 80 ℃ 이상이 바람직하고, 회로 기판에 대한 영향을 억제하는 관점에서 120 ℃ 이하로 가열하는 것이 바람직하고, 100 ℃ 이하가 보다 바람직하다.As a drying method in the drying treatment, for example, there is a method of drying with an oven or an air blow dryer. The drying temperature is preferably 80 ° C or higher from the viewpoint of drying property, It is preferable to heat it to 120 DEG C or less from the standpoint of suppressing it, and more preferably 100 DEG C or less.
[전자 부품의 접합][Junction of electronic parts]
본 개시에 관련된 회로 기판의 제조 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 추가로, 상기 공정 (5) 에서 얻어진 기판 상에 전자 부품을 올리고 상기 땜납 범프의 액상선 온도 260 ℃ 이하의 온도로 가열하여 전자 부품의 납땜부와 기판의 납땜부를 접합하여, 전자 부품이 접합된 기판을 얻는 공정을 포함한다. 이 실시형태에 의하면, 전자 부품이 접합된 회로 기판을 제조할 수 있다.The method of manufacturing a circuit board according to one or more embodiments of the present disclosure may further include the step of placing the electronic component on the substrate obtained in the step (5) and heating the solder bump to a liquidus temperature of 260 캜 or less And bonding the soldered portion of the electronic component to the soldered portion of the substrate by heating so as to obtain a substrate bonded with the electronic component. According to this embodiment, a circuit board to which electronic parts are bonded can be manufactured.
[수지 마스크층의 제거 방법][Method of removing resin mask layer]
본 개시는, 그 밖의 양태에 있어서, 수지 마스크층이 형성된 회로 기판으로부터 그 수지 마스크층을 제거하는 방법으로서, 상기 기판을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 세정하는 것을 포함하는 방법에 관한 것이다. 박리제 조성물 및 세정제 조성물의 구체적인 구성, 및 그들을 사용한 세정 방법은 상기 서술한 바와 같이 할 수 있다.The present disclosure relates, in another aspect, to a method of removing a resin mask layer from a circuit board on which a resin mask layer is formed, comprising cleaning the substrate with a detergent composition related to the present disclosure. The specific constitution of the exfoliating agent composition and the detergent composition and the cleaning method using them may be as described above.
[키트][Kit]
본 개시는, 또한 그 밖의 양태에 있어서, 본 개시에 관련된 회로 기판의 제조 방법 및/또는 본 개시에 관련된 수지 마스크층의 제거 방법에 사용하기 위한 키트로서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 성분 A ∼ D 의 적어도 한 성분을 배합하기 전의 상태에서 포함하는 키트에 관한 것이다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 구체적인 구성, 및 그들을 사용한 세정 방법은 상기 서술한 바와 같이 할 수 있다.The present disclosure also provides a kit for use in a method of manufacturing a circuit board and / or a method of removing a resin mask layer in accordance with the present disclosure, in a further aspect, D in a state before compounding at least one component. The specific constitution of the detergent composition according to the present disclosure and the cleaning method using them can be carried out as described above.
상기 서술한 실시형태에 관하여, 본 개시는 또한 이하의 일 또는 복수의 실시형태에 관련된 조성물, 제조 방법 혹은 용도를 개시한다.With respect to the above-described embodiment, the disclosure also discloses a composition, a manufacturing method, or use according to one or more of the following embodiments.
〈1〉하기의 공정 (1) ∼ (5) 를 포함하는 회로 기판의 제조 방법.≪ 1 > A method for producing a circuit board comprising the following steps (1) to (5).
공정 (1) : 납땜부가 형성된 기판 표면에 대해 수지 마스크층을 형성하는 공정.Step (1): A step of forming a resin mask layer on the substrate surface on which the soldering portion is formed.
공정 (2) : 상기 수지 마스크층에 상기 납땜부가 노출되도록 개구부를 형성하는 공정.Step (2): a step of forming an opening portion in the resin mask layer so that the soldering portion is exposed.
공정 (3) : 상기 개구부에 땜납 범프 형성 재료를 충전하는 공정.Step (3): A step of filling the openings with the solder bump forming material.
공정 (4) : 가열하여 상기 땜납 범프 형성 재료를 용융시켜 상기 납땜부에 땜납 범프를 고정시키는 공정.Step (4): a step of heating the solder bump forming material to melt the solder bump forming material to fix the solder bump to the soldering portion.
공정 (5) : 공정 (4) 에서 얻어진 기판을, 세정제 조성물을 사용하여 세정하는 공정으로서, 상기 세정제 조성물이, 세정제 조성물 100 질량부 중, 하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 A) 을 0.5 질량부 이상 3.0 질량부 이하 함유하고, 수용성 아민 (성분 B) 을 3.0 질량부 이상 14.0 질량부 이하 함유하고, 산 또는 그 암모늄염 (성분 C) 을 0.3 질량부 이상 2.5 질량부 이하 함유하고, 물 (성분 D) 을 50.0 질량부 이상 95.0 질량부 이하 함유하는 공정.Step (5): A step of cleaning the substrate obtained in the step (4) with a detergent composition, wherein the detergent composition is a quaternary ammonium hydroxide represented by the following formula (I) (Component B) in an amount of not less than 3.0 parts by mass and not more than 14.0 parts by mass, and contains an acid or an ammonium salt thereof (Component C) in an amount of not less than 0.3 parts by mass and not more than 2.5 parts by mass , And water (component D) in an amount of not less than 50.0 parts by mass and not more than 95.0 parts by mass.
(식 중, R1, R2, R3 은 각각 동일 또는 상이한 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, R4 는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 하이드록실기 치환 알킬기이다)(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same or different alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, and R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a hydroxyl group-substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
〈2〉상기 성분 A 인 제 4 급 암모늄수산화물이 테트라메틸암모늄수산화물, 테트라에틸암모늄수산화물, 테트라프로필암모늄수산화물, 테트라부틸암모늄수산화물, 테트라펜틸암모늄수산화물, 테트라헥실암모늄수산화물, 트리메틸에틸암모늄수산화물, 트리메틸(2-하이드록시에틸)암모늄수산화물, 트리에틸(2-하이드록시에틸)암모늄수산화물, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는,〈1〉에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<2> The composition according to <2>, wherein the quaternary ammonium hydroxide as the component A is at least one selected from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrapentylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, trimethylethylammonium hydroxide, (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, triethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, and combinations thereof.
〈3〉상기 성분 A 인 제 4 급 암모늄수산화물의 함유량이 세정제 조성물 100 질량부 중에서 0.5 질량부 이상, 바람직하게는 0.7 질량부 이상이고, 및/또는, 3.0 질량부 이하, 바람직하게는 2.0 질량부 이하, 보다 바람직하게는 1.5 질량부 이하인,〈1〉또는〈2〉에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<3> The content of the quaternary ammonium hydroxide as the component A is 0.5 parts by mass or more, preferably 0.7 parts by mass or more, and / or 3.0 parts by mass or less, and preferably 2.0 parts by mass or less, in 100 parts by mass of the detergent composition Or less, more preferably 1.5 parts by mass or less, based on the total mass of the circuit board.
〈4〉상기 성분 B 인 수용성 아민이 알킬아민, 알칸올아민, 폴리아민, 고리형 아민, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되고, 바람직하게는 알칸올아민이며, 및/또는, 상기 알칸올아민은 모노에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-n-부틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, N,N-디부틸에탄올아민, N-t-부틸에탄올아민, N-메틸에탄올아민, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되고, 바람직하게는 모노에탄올아민인,〈1〉내지〈3〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.The water-soluble amine as the component B is selected from the group consisting of alkylamines, alkanolamines, polyamines, cyclic amines, and combinations thereof, and is preferably an alkanolamine and / or the alkanolamine Is preferably selected from the group consisting of monoethanolamine, N-ethylethanolamine, N-butylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, N, N-dibutylethanolamine, Nt-butylethanolamine, Wherein the monoethanolamine is selected from the group consisting of monoethanolamine and monoethanolamine, and preferably monoethanolamine.
〈5〉상기 성분 B 인 수용성 아민이 수용성 아민 (성분 B) 이 하기 식 (Ⅱ) 로 나타내는 아민인,〈1〉내지〈4〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<5> The method for producing a circuit board according to any one of <1> to <4>, wherein the water-soluble amine as the component B is an amine represented by the following formula (II)
〈6〉상기 성분 B 인 수용성 아민의 함유량이 세정제 조성물 100 질량부 중에서 3.0 질량부 이상, 바람직하게는 4.0 질량부 이상이고, 및/또는, 14.0 질량부 이하, 바람직하게는 12.0 질량부 이하, 보다 바람직하게는 10.0 질량부 이하이며, 더욱 바람직하게는 8.0 질량부 이하, 더욱더 바람직하게는 7.0 질량부 이하인,〈1〉내지〈5〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<6> The content of the water-soluble amine as the component B is 3.0 parts by mass or more, preferably 4.0 parts by mass or more and / or 14.0 parts by mass or less, and preferably 12.0 parts by mass or less in 100 parts by mass of the detergent composition The method for producing a circuit board according to any one of <1> to <5>, wherein the amount is 10.0 parts by mass or less, more preferably 8.0 parts by mass or less, and still more preferably 7.0 parts by mass or less.
〈7〉상기 성분 C 인 산 또는 그 암모늄염의 함유량이 세정제 조성물 100 질량부 중에서 0.3 질량부 이상, 바람직하게는 0.6 질량부 이상, 보다 바람직하게는 0.8 질량부 이상, 더욱 바람직하게는 0.9 질량부 이상이고, 2.5 질량부 이하, 바람직하게는 1.5 질량부 이하인,〈1〉내지〈6〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<7> The content of the acid C or the ammonium salt of the component C is 0.3 part or more, preferably 0.6 part or more, more preferably 0.8 part or more, and still more preferably 0.9 part or more , And 2.5 parts by mass or less, preferably 1.5 parts by mass or less, based on the total mass of the circuit board.
〈8〉상기 성분 D 인 물의 함유량이 세정제 조성물 100 질량부 중에서 50.0 질량부 이상, 바람직하게는 70.0 질량부 이상, 보다 바람직하게는 75.0 질량부 이상, 더욱 바람직하게는 80.0 질량부 이상이고, 및/또는, 95.0 질량부 이하, 바람직하게는 93.0 질량부 이하인,〈1〉내지〈7〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<8> The water content of the component D is 50.0 parts by mass or more, preferably 70.0 parts by mass or more, more preferably 75.0 parts by mass or more, and even more preferably 80.0 parts by mass or more in 100 parts by mass of the detergent composition, and / Or less, or 95.0 parts by mass or less, and preferably 93.0 parts by mass or less, based on the total mass of the circuit board.
〈9〉상기 공정 (4) 에 있어서의 가열 온도가 바람직하게는 200 ℃ 이상 및/또는 바람직하게는 260 ℃ 이하인,〈1〉내지〈8〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<9> The method for producing a circuit board according to any one of <1> to <8>, wherein the heating temperature in the step (4) is preferably 200 ° C. or more and / or preferably 260 ° C. or less.
〈10〉상기 공정 (4) 에 있어서의 가열 온도가 바람직하게는 상기 땜납 범프 형성 재료의 액상선 온도 이상 260 ℃ 이하의 온도인,〈1〉내지〈9〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<10> The method for manufacturing a circuit board according to any one of <1> to <9>, wherein the heating temperature in the step (4) is preferably a liquidus temperature of the solder bump forming material and a temperature of 260 ° C. or lower Way.
〈11〉상기 공정 (5) 에 있어서의 세정시의 pH 가 바람직하게는 10.0 이상, 보다 바람직하게는 11.0 이상, 더욱 바람직하게는 12.0 이상이고, 및/또는, 바람직하게는 14.0 이하, 보다 바람직하게는 13.5 이하, 더욱 바람직하게는 13.0 이하인,〈1〉내지〈10〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<11> The pH at the time of washing in the step (5) is preferably 10.0 or more, more preferably 11.0 or more, further preferably 12.0 or more, and / or preferably 14.0 or less, Is not more than 13.5, more preferably not more than 13.0. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
〈12〉상기 공정 (5) 에 있어서의 세정시의 온도가 바람직하게는 25 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 40 ℃ 이상이고, 및/또는, 바람직하게는 90 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 80 ℃ 이하인,〈1〉내지〈11〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.It is preferable that the temperature at the time of cleaning in the step (5) is 25 ° C. or more, more preferably 40 ° C. or more, and / or preferably 90 ° C. or less, more preferably 80 ° C. or less The method of manufacturing a circuit board according to any one of < 1 > to < 11 >.
〈13〉공정 (5) 는, 추가로, 세정 처리가 종료된 후, 헹굼 처리 (공정 (5a)) 및/또는 건조 처리 (공정 (5b)) 를 실시하는 것을 포함하는,〈1〉내지〈12〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.The step (5) further comprises the steps of: performing the rinsing treatment (step (5a)) and / or the drying treatment (step (5b)) after the rinsing treatment is completed. The method comprising the steps of:
〈14〉추가로, 하기의 공정 (6) 을 포함하는,〈1〉내지〈13〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<14> The method for producing a circuit board according to any one of <1> to <13>, further comprising the following step (6).
공정 (6) : 공정 (5) 에서 얻어진 기판을, 디메틸술폭사이드 (DMSO) (성분 S), 글리콜에테르 (성분 T), 25 ℃ 의 수용액에 있어서의 산 해리 정수 pKa 가 9.0 이상인 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 및 물 (성분 V) 을 함유하는 세정제 조성물을 사용하여 세정하는 공정.Step (6): The substrate obtained in the step (5) is treated with dimethylsulfoxide (DMSO) (component S), glycol ether (component T), an amine having an acid dissociation constant pKa of 9.0 or more in an aqueous solution at 25 캜 and / A cleaning agent composition containing quaternary ammonium hydroxide (component U) and water (component V).
〈15〉공정 (6) 의 세정제 조성물의 글리콜에테르 (성분 T) 가 하기 식 (Ⅲ) 으로 나타내는 글리콜에테르인,〈14〉에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<15> The method for producing a circuit board according to <14>, wherein the glycol ether (component T) of the detergent composition of the step (6) is a glycol ether represented by the following formula (III).
R8O(AO)nR9 (Ⅲ)R 8 O (AO) n R 9 (III)
(식 중, R8 은 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 15 의 아릴기, R9 는 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, AO 는 탄소수 2 또는 3 의 알킬렌옥시기, n 은 평균 부가 몰수로서 1 ∼ 4 이다)(Wherein, R 8 is aryl group or having 6 to 15 of carbon number of 1 to 6 groups, R 9 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, AO is an alkylene group having 2 or 3, n is added average 1 to 4 as the number of moles)
〈16〉상기 공정 (6) 의 세정제 조성물의 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 이 하기 식 (Ⅳ) 로 나타내는 아민, 및/또는, 하기 식 (Ⅴ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄수산화물인,〈14〉또는〈15〉에 기재된 회로 기판의 제조 방법.The amine and / or the quaternary ammonium hydroxide (component U) of the detergent composition of the step (6) may be an amine represented by the following formula (IV) and / or a quaternary ammonium Or a hydroxide thereof. ≪ 14 >
(R10)3N (Ⅳ)(R < 10 >) 3 N (IV)
(식 중, R10 은 각각 동일 또는 상이하고 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 탄화수소기, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 또는, 탄소수 1 ∼ 6 의 아미노알킬기이고, 3 개의 R10 은 동시에 수소 원자는 되지 않는다)(Wherein, R 10 are each the same or different amino represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms hydrocarbon group, having from 1 to 6 hydroxy alkyl group, or 1 to 6 carbon atoms in the three R 10 are simultaneously hydrogen Atoms are not)
[(R11)3-N-R12]+OH- (Ⅴ)[(R 11 ) 3 -NR 12 ] + OH - (V)
(식 중, R11 은 각각 동일 또는 상이한 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, R12 는 1 ∼ 3 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 하이드록시알킬기이다)(Wherein R 11 is the same or different alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, R 12 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms)
〈17〉상기 공정 (6) 의 세정제 조성물이, 그 세정제 조성물 100 질량부에 대해, 디메틸술폭사이드 (성분 S) 를 10.0 질량부 이상, 바람직하게는 30.0 질량부 이상, 보다 바람직하게는 35.0 질량부 이상, 더욱 바람직하게는 39.0 질량부 이상 및/또는 50.0 질량부 이하, 바람직하게는 43.0 질량부 이하 함유하고, 글리콜에테르 (성분 T) 를 30.0 질량부 이상, 바람직하게는 35.0 질량부 이상 및/또는 70.0 질량부 이하, 바람직하게는 50.0 질량부 이하, 보다 바람직하게는 43.0 질량부 이하 함유하고, 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 을 0.5 질량부 이상, 바람직하게는 1.0 질량부 이상, 보다 바람직하게는 3.0 질량부 이상 및/또는 20.0 질량부 이하, 바람직하게는 15.0 질량부 이하 함유하고, 물 (성분 V) 을 3.0 질량부 이상, 바람직하게는 8.0 질량부 이상, 보다 바람직하게는 12.0 질량부 이상 및/또는 20.0 질량부 이하, 바람직하게는 18.0 질량부 이하 함유하는,〈14〉내지〈16〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.The detergent composition of the step (6) preferably contains 10.0 parts by mass or more, preferably 30.0 parts by mass or more, and more preferably 35.0 parts by mass or more, of dimethylsulfoxide (component S) per 100 parts by mass of the detergent composition. More preferably not less than 39.0 parts by mass and / or not more than 50.0 parts by mass, preferably not more than 43.0 parts by mass, and the glycol ether (component T) is not less than 30.0 parts by mass, preferably not less than 35.0 parts by mass, and / Preferably not more than 50.0 parts by mass, more preferably not more than 43.0 parts by mass, and the amine and / or quaternary ammonium hydroxide (component U) in an amount of not less than 0.5 parts by mass, preferably not less than 1.0 parts by mass , More preferably not less than 3.0 parts by mass and / or not more than 20.0 parts by mass, preferably not more than 15.0 parts by mass, and water (component V) in an amount of not less than 3.0 parts by mass, preferably not less than 8.0 parts by mass, 12.0 parts by mass or more and / or 20.0 mass parts or less, preferably method for manufacturing a circuit board as set forth in any one of which contains more than 18.0 parts by mass of <14> to <16>.
〈18〉상기 공정 (6) 의 세정제 조성물에 있어서의 디메틸술폭사이드 (성분 S) 와 글리콜에테르 (성분 T) 의 질량비 [(S)/(T)] 가 0.15 이상, 바람직하게는 0.30 이상, 보다 바람직하게는 0.50 이상이고, 및/또는, 2.00 이하, 바람직하게는 1.50 이하, 보다 바람직하게는 1.20 이하인,〈14〉내지〈17〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.The mass ratio [(S) / (T)] of dimethylsulfoxide (component S) and glycol ether (component T) in the detergent composition of the step (6) is 0.15 or more, preferably 0.30 or more The circuit board manufacturing method according to any one of the items <14> to <17>, wherein the width of the circuit board is 0.50 or more and / or 2.00 or less, preferably 1.50 or less, more preferably 1.20 or less.
〈19〉상기 공정 (6) 의 세정제 조성물의 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 의, 25 ℃ 의 수용액에 있어서의 산 해리 정수 pKa 가 바람직하게는 9.5 이상, 보다 바람직하게는 9.8 이상이고, 및/또는, 바람직하게는 12.0 이하, 보다 바람직하게는 11.5 이하, 더욱 바람직하게는 11.0 이하인,〈14〉내지〈18〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.The acid dissociation constant pKa of the amine and / or the quaternary ammonium hydroxide (component U) in the detergent composition of the step (6) in an aqueous solution at 25 ° C is preferably 9.5 or more, more preferably 9.8 or more Or more, and / or preferably 12.0 or less, more preferably 11.5 or less, further preferably 11.0 or less.
〈20〉상기 공정 (6) 의 세정제 조성물에 있어서의 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 의 함유량이 세정제 조성물 100 질량부 중에서 0.5 질량부 이상, 바람직하게는 1.0 질량부 이상, 보다 바람직하게는 3.0 질량부 이상 및/또는 20.0 질량부 이하, 바람직하게는 15.0 질량부 이하인,〈14〉내지〈19〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.The content of the amine and / or the quaternary ammonium hydroxide (component U) in the detergent composition of the step (6) is preferably 0.5 part by mass or more, more preferably 1.0 part by mass or more, The method for producing a circuit board according to any one of <14> to <19>, wherein the amount is not less than 3.0 parts by mass and / or not more than 20.0 parts by mass, preferably not more than 15.0 parts by mass.
〈21〉상기 공정 (6) 의 세정제 조성물에 있어서의 물 (성분 V) 의 함유량이 3.0 질량부 이상, 바람직하게는 8.0 질량부 이상, 보다 바람직하게는 12.0 질량부 이상 및/또는 20.0 질량부 이하, 바람직하게는 18.0 질량부 이하인,〈14〉내지〈20〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.The content of water (component V) in the detergent composition of the step (6) is 3.0 parts by mass or more, preferably 8.0 parts by mass or more, more preferably 12.0 parts by mass or more and 20.0 parts by mass or less , And preferably not more than 18.0 parts by mass, based on the total mass of the circuit board.
〈22〉성분 U 와 성분 V 의 질량비〔(U)/(Ⅴ)〕가 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상이고, 및/또는, 바람직하게는 1.5 이하, 보다 바람직하게는 0.9 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.6 이하인,〈14〉내지〈21〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<22> The mass ratio [(U) / (V)] of the component U and the component V is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, and / or preferably 1.5 or less, more preferably 0.9 or less And more preferably not more than 0.6. The method of manufacturing a circuit board according to any one of < 14 >
〈23〉성분 S 와 성분 T 의 합계와, 성분 U 와 성분 V 의 합계의 질량비 [〔(S) ＋ (T)〕/〔(U) ＋ (Ⅴ)〕] 가 바람직하게는 1.0 이상, 보다 바람직하게는 2.0 이상이고, 및/또는, 바람직하게는 10.0 이하, 보다 바람직하게는 5.0 이하인,〈14〉내지〈22〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.(23) The sum of the components S and T and the mass ratio [((S) + (T)] / [(U) + (V)] of the total of the components U and V are preferably 1.0 or more The circuit board manufacturing method according to any one of the < 14 > to < 22 >, wherein the thickness of the circuit board is preferably 2.0 or more, and / or preferably 10.0 or less, more preferably 5.0 or less.
〈24〉상기 공정 (6) 의 세정제 조성물의 pH 가 바람직하게는 11 이상, 보다 바람직하게는 12 이상인,〈14〉내지〈23〉중 어느 하나에 기재된 제조 방법.<24> The production method according to any one of <14> to <23>, wherein the pH of the detergent composition of the step (6) is preferably 11 or more, and more preferably 12 or more.
〈25〉상기 공정 (5) 와 상기 공정 (6) 사이에, 헹굼 처리의 공정을 포함하는,〈14〉내지〈24〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<25> A method for producing a circuit board according to any one of <14> to <24>, which comprises a step of rinsing treatment between the step (5) and the step (6).
〈26〉세정제 조성물 100 질량부 중,In 100 parts by mass of the detergent composition,
하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 A) 을 0.5 질량부 이상 3.0 질량부 이하 함유하고, (Component A) represented by the following formula (I) in an amount of not less than 0.5 parts by mass and not more than 3.0 parts by mass,
수용성 아민 (성분 B) 을 3.0 질량부 이상 14.0 질량부 이하 함유하고,A water-soluble amine (component B) in an amount of not less than 3.0 parts by mass and not more than 14.0 parts by mass,
산 또는 그 암모늄염 (성분 C) 을 0.3 질량부 이상 2.5 질량부 이하 함유하고,An acid or an ammonium salt thereof (component C) in an amount of not less than 0.3 parts by mass and not more than 2.5 parts by mass,
물 (성분 D) 을 50.0 질량부 이상 95.0 질량부 이하 함유하는, 세정제 조성물.And 50.0 parts by mass or more and 95.0 parts by mass or less of water (component D).
(식 중, R1, R2, R3 은 각각 동일 또는 상이한 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, R4 는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 하이드록실기 치환 알킬기이다)(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same or different alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, and R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a hydroxyl group-substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
〈27〉〈1〉내지〈25〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법의 공정 (5) 에 있어서의 세정제 조성물로서의,〈26〉에 기재된 세정제 조성물의 사용.<27> Use of the detergent composition according to <26> as the detergent composition in the step (5) of the method for producing a circuit board according to any one of <1> to <25>.
〈28〉디메틸술폭사이드 (DMSO) (성분 S), 글리콜에테르 (성분 T), 25 ℃ 의 수용액에 있어서의 산 해리 정수 pKa 가 9.0 이상인 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 및 물 (성분 V) 을 함유하는 세정제 조성물.Amines having an acid dissociation constant pKa of 9.0 or more and / or quaternary ammonium hydroxides (component U) in an aqueous solution at 25 ° C and dimethyl sulfoxide (DMSO) (component S), glycol ether (component T) (Component V).
〈29〉〈11〉내지〈25〉중 어느 하나에 기재된 회로 기판의 제조 방법의 공정 (6) 에 있어서의 세정제 조성물로서의,〈28〉에 기재된 세정제 조성물의 사용.<29> Use of the detergent composition according to <28> as a detergent composition in the step (6) of the method for producing a circuit board according to any one of <11> to <25>.
〈30〉〈26〉또는〈28〉의 세정제 조성물을 사용하여 회로 기판을 세정하는 것을 포함하는, 회로 기판의 세정 방법.A method of cleaning a circuit board, comprising cleaning the circuit board using the detergent composition of any of the preceding claims.
〈31〉〈14〉내지〈25〉중 어느 하나에 기재된 제조 방법에 사용하기 위한 키트로서, 공정 (5) 에서 사용하는〈26〉에 기재된 세정제 조성물과, 공정 (6) 에서 사용하는〈28〉에 기재된 세정제 조성물을 포함하는 키트.<31> A kit for use in the production method according to any one of <14> to <25>, wherein the detergent composition according to <26> used in the step (5) ≪ RTI ID = 0.0 > 1, < / RTI >
〈32〉〈26〉에 기재된 세정제 조성물의 회로 기판의 제조에 있어서의 세정제로서의 사용.<32> Use of the detergent composition according to <26> as a cleaning agent in the production of a circuit board.
실시예Example
이하의 실시예는 본 개시의 예시를 목적으로 하고, 본 개시를 어떠한 의미에서도 제한할 의도는 없다. 실시예 중, ％ 는 특별히 지정하지 않는 한 질량％ 이다.The following examples are for the purpose of illustrating the disclosure and are not intended to limit the disclosure in any way. In the examples, percentages are by mass unless otherwise specified.
〈실시예 1 ∼ 30 및 비교예 1 ∼ 12〉≪ Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 12 >
하기의 수지 마스크층용 세정제 조성물, 회로 기판을 사용하여, 땜납 범프가 형성된 회로 기판을 제조하였다.Using the following cleaning agent composition for a resin mask layer and a circuit board, a circuit board on which solder bumps were formed was produced.
[수지 마스크층용 세정제 조성물의 조제][Preparation of cleaning agent composition for resin mask layer]
테트라메틸암모늄하이드록사이드 1 질량부, 모노에탄올아민 5 질량부, 포름산암모늄 1 질량부, 디에틸렌글리콜부틸에테르 12 질량부, 디메틸술포옥사이드 4 질량부, 물 77 질량부 (합계 100 질량부) 로 배합하고, 그것을 균일하게 혼합함으로써 실시예 1 의 수지 마스크층용 세정제 조성물을 조제하였다. pH 는 10.9 였다. 또한, pH 는 25 ℃ 에 있어서의 연마액 조성물의 pH 로, pH 미터를 사용하여 측정할 수 있으며, 전극을 연마액 조성물에 침지한 후 40 분 후의 수치이다 (이하, 동일).1 part by mass of tetramethylammonium hydroxide, 5 parts by mass of monoethanolamine, 1 part by mass of ammonium formate, 12 parts by mass of diethylene glycol butyl ether, 4 parts by mass of dimethylsulfoxide, and 77 parts by mass of water (100 parts by mass in total) And the mixture was uniformly mixed to prepare a cleaning agent composition for a resin mask layer of Example 1. The pH was 10.9. The pH can be measured using a pH meter at the pH of the polishing liquid composition at 25 占 폚, and is a value after 40 minutes from immersing the electrode in the polishing liquid composition (the same applies hereinafter).
표 1 및 표 2 에 나타낸 실시예 1 의 수지 마스크층용 세정제 조성물의 조성 대신에 실시예 2 ∼ 30, 비교예 1 ∼ 12 의 수지 마스크층용 세정제 조성물을 실시예 1 과 마찬가지로 조제하였다.The cleaning agent compositions for resin mask layers of Examples 2 to 30 and Comparative Examples 1 to 12 were prepared in the same manner as in Example 1, instead of the composition of the cleaning agent composition for resin mask layer of Example 1 shown in Tables 1 and 2.
[회로 기판][Circuit board]
땜납 범프의 형성에 사용한 회로 기판은 두께 300 ㎛, 사이즈 15 ㎜ × 15 ㎜ 의 유리 에폭시 기판이었다. 이 기판은 직경 25 ㎛ 의 구리 표면의 전극을, 50 ㎛ 의 피치로 1 칩당 3600 개 갖고 있었다. 기판 표면의 전극 주위는 전극보다 높은 높이 15 ㎛ 의 솔더 레지스트로 둘러싸여 있었다.The circuit board used for forming the solder bumps was a glass epoxy substrate having a thickness of 300 mu m and a size of 15 mm x 15 mm. The substrate had 3600 electrodes per one chip at a pitch of 50 占 퐉 on a copper surface having a diameter of 25 占 퐉. The periphery of the electrode on the surface of the substrate was surrounded by the solder resist having a height of 15 탆 higher than the electrode.
[땜납 범프가 형성된 회로 기판의 제조][Fabrication of circuit board on which solder bumps were formed]
실시예 1 ∼ 30 및 비교예 1 ∼ 12 에서는, 하기 공정 (1) ∼ 공정 (5b) 에 따라 땜납 범프가 형성된 회로 기판을 제조하였다.In Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 12, a circuit board on which solder bumps were formed was manufactured according to the following steps (1) to (5b).
공정 (1) 회로 기판에 형성된 솔더 레지스트 (타이요 잉크 : AUS410) 상에 레지스트 필름 (듀퐁 : WB-5030) 을 붙여, 수지 마스크층을 형성하였다.(1) A resist film (DuPont: WB-5030) was stuck on a solder resist (TAYO INK: AUS410) formed on a circuit board to form a resin mask layer.
공정 (2) 노광ㆍ현상 처리에 의해 회로 기판의 전극 상의 수지 마스크층 및 솔더 레지스트에 개구부를 형성하였다.Step (2) An opening was formed in the resin mask layer and the solder resist on the electrode of the circuit board by exposure and development processing.
공정 (3) 시판되는 땜납 페이스트 (에코솔더 M705-GRN360-K2-V (센쥬 금속 공업 제조, 땜납 금속 (Sn-3Ag-0.5Cu) 과 플럭스 (로진산, 첨가제 및 용제의 혼합물) 의 혼합물, 액상선 온도 217 ℃) 를 도포하였다.(3) A mixture of solder metal (Sn-3Ag-0.5Cu) and flux (rosin acid, additive and solvent mixture) manufactured by Senju Metal Industries Co., Ltd., liquid phase Line temperature: 217 占 폚).
공정 (4) 250 ℃ 의 핫 플레이트 상에서 1 분간 가열하고, 리플로우시켜 회로 기판의 전극 상에 땜납 범프를 형성하였다. 그 회로 기판을 가로세로 1 ㎝ 로 절단하여 테스트 피스로 하였다.Step (4) The substrate was heated on a 250 占 폚 hot plate for 1 minute and reflowed to form solder bumps on the electrode of the circuit board. The circuit board was cut into a length of 1 cm and a test piece.
공정 (5) 온도 60 ℃ 로 유지된 100 g 의 수지 마스크층용 세정제 조성물을 넣은 200 ㎖ 비커 내에 그 가로세로 1 ㎝ 의 테스트 피스를 3 분간 침지하고 세정을 하여 비커로부터 테스트 피스를 꺼냈다.(5) A test piece of 1 cm in length and 1 cm was immersed in a 200 ml beaker containing 100 g of the cleaning agent composition for a resin mask layer maintained at a temperature of 60 캜 for 3 minutes, and the test piece was taken out from the beaker.
공정 (5a) 테스트 피스를 온도 60 ℃ 로 유지된 이온 교환수에 5 분 침지하고 린스를 하여 테스트 피스를 꺼냈다.Step (5a) The test piece was immersed in ion-exchanged water maintained at a temperature of 60 占 폚 for 5 minutes and rinsed to take out the test piece.
공정 (5b) 테스트 피스를 온도 85 ℃ 에서 15 분간 송풍 저온 건조기로 건조시켰다.Step (5b) The test piece was dried at 85 캜 for 15 minutes by a blowing air dryer.
실시예 1 ∼ 30 및 비교예 1 ∼ 12 의 테스트 피스에 있어서의 수지 마스크층의 제거성에 대하여 하기의 조건에서 평가하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다.The removability of the resin mask layer in the test pieces of Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 12 was evaluated under the following conditions. The results are shown in Table 2.
〈수지 마스크 제거성 평가〉<Evaluation of removability of resin mask>
회로 기판의 제조 후의 테스트 피스를 광학 현미경으로 관찰 (배율 : 900 배) 하여 가로세로 1 ㎝ 의 테스트 피스로부터 5 시야 선택하고, 광학 현미경의 면적 측정 모드로 기판 상에 잔존하는 수지 마스크의 면적을 계산하여 세정률을 산출하였다. 제거율의 계산 방법ㆍ측정에 사용한 광학 현미경은 하기에 나타낸다. 실시예 1 ∼ 30 및 비교예 1 ∼ 12 는 범프 주변 이외의 지점에서 평가하였다. 또한, 범프 주변 이외의 지점은 세정하기 어려워 차이가 나타나기 쉬운 지점이다.The test piece after the manufacture of the circuit board was observed with an optical microscope (magnification: 900 times), and the area of the resin mask remaining on the substrate in the area measuring mode of the optical microscope was calculated And the cleaning rate was calculated. Method of calculating removal rate ㆍ The optical microscope used for the measurement is shown below. Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 12 were evaluated at points other than the vicinity of the bumps. In addition, points other than the periphery of the bump are difficult to clean and are points where a difference easily appears.
제거율 = (5 시야의 합계 면적 － 세정 후 기판 상의 수지 마스크 잔류물 면적) ÷ 5 시야의 합계 면적 × 100Removal rate = (total area of 5 fields - area of resin mask residue on substrate after cleaning) / total area of 5 field of view x 100
측정 기기 : KEYENCE 제조의 디지털 마이크로스코프 VHX-2000Measuring instrument: Digital microscope manufactured by KEYENCE VHX-2000
〈주석의 용해성〉<Solubility of tin>
실시예 1 ∼ 30 및 비교예 1 ∼ 12 의 수지 마스크층용 세정제 조성물 중 20 g 에, 와코 쥰야쿠 공업 제조의 주석 (입상) 1.8 g 을 50 ℃ 에서 20 분간 교반하면서 침지하고, 세정제 조성물 중에 용출된 주석의 농도를 측정하였다. 주석의 농도가 높을수록 땜납 부식성이 높은 것을 나타낸다.1.8 g of tin (granular phase) manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was immersed in 20 g of the cleaning agent composition for resin mask layers of Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 12 while stirring at 50 캜 for 20 minutes, The tin concentration was measured. The higher the tin concentration, the higher the solder corrosion resistance.
주석의 농도 측정은 이하의 방법으로 실시하였다.The concentration of tin was measured in the following manner.
세정제 조성물에 대하여 ICP 발광 분석 장치 (퍼킨 엘머사 제조, Optima 5300) 로 주석의 발광 강도를 측정하여, Sn 에칭량을 정량한다.The luminescent intensity of the tin is measured with an ICP emission spectrometer (manufactured by Perkin Elmer Co., Ltd., Optima 5300) to determine the amount of Sn etching.
제 4 급 암모늄Component A:
Quaternary ammonium
성분 B :
수용성 아민
Component B:
Water-soluble amine
성분 C :
산
또는
산의 암모늄염
Component C:
mountain
or
Ammonium salt of acid
그 밖의 성분Component E:
Other components
유기 용매Component F:
Organic solvent
표 2 에 나타내는 바와 같이, 공정 (5) 에서 실시예 1 ∼ 30 의 수지 마스크층용 세정제 조성물을 사용하면, 비교예 1 ∼ 12 에 비해 수지 마스크층이 양호하게 세정 제거됨과 함께, 땜납의 부식을 억제할 수 있었다.As shown in Table 2, when the cleaning agent compositions for resin mask layers of Examples 1 to 30 were used in the step (5), the resin mask layer was cleaned and removed well as in Comparative Examples 1 to 12, and the corrosion of the solder was suppressed Could.
〈땜납 SEM 관찰〉<Solder SEM observation>
실시예 10 및 비교예 1 의 수지 마스크층용 세정제 조성물 중에, 센쥬 금속 공업 제조, 땜납 (Sn-3Ag-0.5Cu, 직경 80 um) 이 장착된 기판을 50 ℃ 에서 20 분간 침지하였다. 세정 조성물 침지 전후의 땜납 표면을 FE-SEM (히타치 하이테크 제조, S-4000) 으로 900 배로 확대하여, 공식 (孔食) 등의 부식의 유무를 관찰하였다. 관찰 사진을 도 2 에 나타냈다. 실시예 10 에 침지한 경우, 땜납 표면의 변화를 볼 수 없었다. 비교예 1 에 침지한 경우, 땜납 표면에 공식이 관찰되었다.A substrate having a solder (Sn-3Ag-0.5Cu, diameter: 80 μm) manufactured by Senju Metal Industries Co., Ltd. was immersed in the cleaning agent composition for resin mask layer of Example 10 and Comparative Example 1 at 50 ° C for 20 minutes. The surface of the solder before and after immersing the cleaning composition was enlarged 900 times by FE-SEM (Hitachi High-Tech Co., Ltd., S-4000), and the presence or absence of corrosion such as pitting corrosion was observed. An observation photograph is shown in Fig. When immersed in Example 10, no change in the surface of the solder was observed. When immersed in Comparative Example 1, a formula was observed on the surface of the solder.
〈실시예 31 ∼ 48 및 비교예 13 ∼ 26〉≪ Examples 31 to 48 and Comparative Examples 13 to 26 >
[땜납 범프가 형성된 회로 기판의 제조][Fabrication of circuit board on which solder bumps were formed]
실시예 24 의 수지 마스크층용 세정제 조성물 (실시예 31 ∼ 39, 비교예 13 ∼ 19), 및 실시예 9 의 수지 마스크층용 세정제 조성물 (실시예 40 ∼ 48, 비교예 20 ∼ 26) 을 사용하여, 하기 공정 (1) ∼ 공정 (6b) 에 따라 땜납 범프가 형성된 회로 기판을 제조하였다. 또한, 땜납 범프의 형성에 사용한 회로 기판은 상기 서술한 것과 동일한 것을 사용하였다.Using the cleaning agent compositions for resin mask layers (Examples 31 to 39, Comparative Examples 13 to 19) of Example 24 and the cleaning agent compositions for resin mask layers of Example 9 (Examples 40 to 48 and Comparative Examples 20 to 26) A circuit board on which solder bumps were formed was manufactured according to the following steps (1) to (6b). The same circuit substrate as that described above was used for forming the solder bumps.
공정 (1) 회로 기판에 형성된 솔더 레지스트 (타이요 잉크 : AUS410) 상에 레지스트 필름 (듀퐁 : WB-5030) 을 붙여, 수지 마스크층을 형성하였다.(1) A resist film (DuPont: WB-5030) was stuck on a solder resist (TAYO INK: AUS410) formed on a circuit board to form a resin mask layer.
공정 (2) 노광ㆍ현상 처리에 의해 회로 기판의 전극 상의 수지 마스크층 및 솔더 레지스트에 개구부를 형성하였다.Step (2) An opening was formed in the resin mask layer and the solder resist on the electrode of the circuit board by exposure and development processing.
공정 (3) 시판되는 땜납 페이스트 (에코솔더 M705-GRN360-K2-V (센쥬 금속 제조, 땜납 금속 (Sn-3Ag-0.5Cu) 과 플럭스 (로진산, 첨가제 및 용제의 혼합물) 의 혼합물, 액상선 온도 217 ℃) 를 도포하였다.(3) A mixture of commercially available solder paste (Eco Solder M705-GRN360-K2-V (solder metal, solder metal (Sn-3Ag-0.5Cu) and flux (rosin acid, additive and solvent mixture) Temperature 217 占 폚).
공정 (4) 250 ℃ 의 핫 플레이트 상에서 1 분간 가열하고, 리플로우시켜 회로 기판의 전극 상에 땜납 범프를 형성하였다. 그 회로 기판을 가로세로 1 ㎝ 로 절단하여 테스트 피스로 하였다.Step (4) The substrate was heated on a 250 占 폚 hot plate for 1 minute and reflowed to form solder bumps on the electrode of the circuit board. The circuit board was cut into a length of 1 cm and a test piece.
공정 (5) 온도 60 ℃ 로 유지된 100 g 의 수지 마스크층용 세정제 조성물을 넣은 200 ㎖ 비커 내에 그 가로세로 1 ㎝ 의 테스트 피스를 3 분간 침지하고 세정을 하여 비커로부터 테스트 피스를 꺼냈다.(5) A test piece of 1 cm in length and 1 cm was immersed in a 200 ml beaker containing 100 g of the cleaning agent composition for a resin mask layer maintained at a temperature of 60 캜 for 3 minutes, and the test piece was taken out from the beaker.
공정 (5a) 테스트 피스를 온도 60 ℃ 로 유지된 이온 교환수에 5 분 침지하고 린스를 하여 테스트 피스를 꺼냈다.Step (5a) The test piece was immersed in ion-exchanged water maintained at a temperature of 60 占 폚 for 5 minutes and rinsed to take out the test piece.
공정 (5b) 테스트 피스를 온도 85 ℃ 에서 15 분간 송풍 저온 건조기로 건조시켰다.Step (5b) The test piece was dried at 85 캜 for 15 minutes by a blowing air dryer.
공정 (6) 온도 60 ℃ 로 유지된 100 g 의 세정제 조성물을 넣은 200 ㎖ 비커 내에 그 가로세로 1 ㎝ 의 테스트 피스를 1 분간 침지하고 세정을 하여 비커로부터 테스트 피스를 꺼냈다.(6) A test piece of 1 cm in length and 1 cm was immersed in a 200 ml beaker containing 100 g of the detergent composition maintained at a temperature of 60 ° C for 1 minute, and the test piece was taken out from the beaker.
공정 (6a) 테스트 피스를 온도 60 ℃ 로 유지된 이온 교환수에 5 분 침지하하고 린스를 하여 테스트 피스를 꺼냈다.Step (6a) The test pieces were soaked in ion-exchanged water maintained at a temperature of 60 ° C for 5 minutes and rinsed to take out the test pieces.
공정 (6b) 테스트 피스를 온도 85 ℃ 에서 15 분간 송풍 저온 건조기로 건조시켰다.Step (6b) The test piece was dried at 85 캜 for 15 minutes by a blowing air dryer.
[공정 (6) 의 세정제 조성물의 조제][Preparation of detergent composition of step (6)
디메틸술폭사이드 40 질량부, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 40 질량부, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 5 질량부 및 물 15 질량부 (합계 100 질량부) 로 배합하고, 그것을 균일하게 혼합함으로써, 실시예 31 의 공정 (6) 의 세정제 조성물을 조제하였다. 또, 실시예 32 ∼ 48 및 비교예 13 ∼ 26 의 공정 (6) 의 세정제 조성물은 표 3 및 4 에 기재된 조성이 되도록 각 성분을 소정의 질량부로 배합한 것 이외에는 실시예 31 과 마찬가지로 조제하였다. 또한, 실시예 31 ∼ 39 (표 3) 와 실시예 40 ∼ 48 (표 4) 은 각각 동일 조성의 공정 (6) 의 세정제 조성물이고, 비교예 13 ∼ 19 (표 3) 와 비교예 20 ∼ 26 (표 4) 은 각각 동일 조성의 공정 (6) 의 세정제 조성물이다. 그 세정제 조성물의 pH 를 표 3 및 4 에 나타낸다. 이들 표에서 pH 의 란이 「＞ 14」라고 되어 있는 것은 pH 가 14 를 초과하는 것이다.40 parts by mass of dimethylsulfoxide, 40 parts by mass of diethylene glycol monobutyl ether, 5 parts by mass of tetramethylammonium hydroxide and 15 parts by mass (total 100 parts by mass) of water, and mixing them uniformly, (6) was prepared. The cleaning composition of the step (6) of Examples 32 to 48 and Comparative Examples 13 to 26 was prepared in the same manner as in Example 31 except that each component was blended in a predetermined mass part so as to have the compositions shown in Tables 3 and 4. Examples 31 to 39 (Table 3) and Examples 40 to 48 (Table 4) are the cleaning agent compositions of the step (6) of the same composition, and Comparative Examples 13 to 19 (Table 3) and Comparative Examples 20 to 26 (Table 4) are the cleaning composition of step (6) of the same composition, respectively. The pH of the detergent composition is shown in Tables 3 and 4. In these tables, the pH column indicates " 14 " in which the pH exceeds 14.
실시예 31 ∼ 48 및 비교예 13 ∼ 26 의 테스트 피스에 있어서의 수지 마스크층의 제거성에 대하여, 상기 서술과 동일한 조건에서 평가하였다. 그 결과를 표 3 및 4 에 나타낸다.The removability of the resin mask layer in the test pieces of Examples 31 to 48 and Comparative Examples 13 to 26 was evaluated under the same conditions as described above. The results are shown in Tables 3 and 4.
표 3 및 4 에 나타내는 바와 같이, 공정 (6) 에서 실시예 31 ∼ 48 의 세정제 조성물을 사용하면, 비교예 13 ∼ 26 에 비해 수지 마스크층이 양호하게 세정 제거되었다.As shown in Tables 3 and 4, when the cleaning composition of Examples 31 to 48 was used in the step (6), the resin mask layer was cleaned and removed in a satisfactory manner as compared with Comparative Examples 13 to 26.
Claims (16)
공정 (1) : 납땜부가 형성된 기판 표면에 대해 수지 마스크층을 형성하는 공정.
공정 (2) : 상기 수지 마스크층에 상기 납땜부가 노출되도록 개구부를 형성하는 공정.
공정 (3) : 상기 개구부에 땜납 범프 형성 재료를 충전하는 공정.
공정 (4) : 가열하여 상기 땜납 범프 형성 재료를 용융시켜 상기 납땜부에 땜납 범프를 고정시키는 공정.
공정 (5) : 공정 (4) 에서 얻어진 기판을, 세정제 조성물을 사용하여 세정하는 공정으로서, 상기 세정제 조성물이, 세정제 조성물 100 질량부 중, 하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 A) 을 0.5 질량부 이상 3.0 질량부 이하 함유하고, 수용성 아민 (성분 B) 을 3.0 질량부 이상 14.0 질량부 이하 함유하고, 산 또는 그 암모늄염 (성분 C) 을 0.3 질량부 이상 2.5 질량부 이하 함유하고, 물 (성분 D) 을 50.0 질량부 이상 95.0 질량부 이하 함유하는 공정.
(식 중, R1, R2, R3 은 각각 동일 또는 상이한 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, R4 는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 하이드록실기 치환 알킬기이다)A process for producing a circuit board comprising the following steps (1) to (5).
Step (1): A step of forming a resin mask layer on the substrate surface on which the soldering portion is formed.
Step (2): a step of forming an opening portion in the resin mask layer so that the soldering portion is exposed.
Step (3): A step of filling the openings with the solder bump forming material.
Step (4): a step of heating the solder bump forming material to melt the solder bump forming material to fix the solder bump to the soldering portion.
Step (5): A step of cleaning the substrate obtained in the step (4) with a detergent composition, wherein the detergent composition is a quaternary ammonium hydroxide represented by the following formula (I) (Component B) in an amount of not less than 3.0 parts by mass and not more than 14.0 parts by mass, and contains an acid or an ammonium salt thereof (Component C) in an amount of not less than 0.3 parts by mass and not more than 2.5 parts by mass , And water (component D) in an amount of not less than 50.0 parts by mass and not more than 95.0 parts by mass.
(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same or different alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, and R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a hydroxyl group-substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
상기 산 또는 그 암모늄염 (성분 C) 이 포름산암모늄, 아세트산암모늄, 옥살산암모늄, 숙신산암모늄, 시트르산암모늄, 탄산암모늄, 황산암모늄, 질산암모늄 및 인산암모늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상인 회로 기판의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the acid or its ammonium salt (component C) is at least one selected from the group consisting of ammonium formate, ammonium acetate, ammonium oxalate, ammonium succinate, ammonium citrate, ammonium carbonate, ammonium sulfate, ammonium nitrate and ammonium phosphate .
상기 수용성 아민 (성분 B) 이 하기 식 (Ⅱ) 로 나타내는 아민인 회로 기판의 제조 방법.
(식 중, R5 는 각각 동일 또는 상이하고 수소 원자, 수산기, 탄소수 1 ∼ 6 의 탄화수소기, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 또는, 탄소수 1 ∼ 6 의 아미노알킬기이고, R6, R7 은 각각 동일 또는 상이하고 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 탄화수소기, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 또는, 탄소수 1 ∼ 6 의 아미노알킬기이고, R5, R6, R7 은 동시에 수소 원자는 되지 않는다)The method according to claim 1,
Wherein the water-soluble amine (component B) is an amine represented by the following formula (II).
(Wherein R 5 is the same or different and is a hydrogen atom, a hydroxyl group, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 6 and R 7 Is a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 5 , R 6 and R 7 , Not)
상기 공정 (5) 의 세정을 pH 10.0 이상, 14.0 이하에서 실시하는 회로 기판의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the cleaning of the step (5) is carried out at pH 10.0 to 14.0.
상기 공정 (4) 에 있어서의 가열 온도가 200 ℃ 이상, 260 ℃ 이하인 회로 기판의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the heating temperature in the step (4) is 200 占 폚 or more and 260 占 폚 or less.
상기 공정 (4) 에 있어서의 가열 온도가 상기 땜납 범프 형성 재료의 액상선 온도 이상 260 ℃ 이하의 온도인 회로 기판의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the heating temperature in the step (4) is not lower than the liquidus temperature of the solder bump forming material at 260 占 폚 or lower.
추가로, 하기의 공정 (6) 을 포함하는 회로 기판의 제조 방법.
공정 (6) : 공정 (5) 에서 얻어진 기판을, 디메틸술폭사이드 (DMSO) (성분 S), 글리콜에테르 (성분 T), 25 ℃ 의 수용액에 있어서의 산 해리 정수 pKa 가 9.0 이상인 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 및 물 (성분 V) 을 함유하는 세정제 조성물을 사용하여 세정하는 공정.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The method of manufacturing a circuit board according to claim 6, further comprising the following step (6).
Step (6): The substrate obtained in the step (5) is treated with dimethylsulfoxide (DMSO) (component S), glycol ether (component T), an amine having an acid dissociation constant pKa of 9.0 or more in an aqueous solution at 25 캜 and / A cleaning agent composition containing quaternary ammonium hydroxide (component U) and water (component V).
공정 (6) 의 세정제 조성물의 글리콜에테르 (성분 T) 가 하기 식 (Ⅲ) 으로 나타내는 글리콜에테르인 회로 기판의 제조 방법.
R8O(AO)nR9 (Ⅲ)
(식 중, R8 은 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 15 의 아릴기, R9 는 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, AO 는 탄소수 2 또는 3 의 알킬렌옥시기, n 은 평균 부가 몰수로서 1 ∼ 4 이다)8. The method of claim 7,
Wherein the glycol ether (component T) of the detergent composition of the step (6) is a glycol ether represented by the following formula (III).
R 8 O (AO) n R 9 (III)
(Wherein, R 8 is aryl group or having 6 to 15 of carbon number of 1 to 6 groups, R 9 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, AO is an alkylene group having 2 or 3, n is added average 1 to 4 as the number of moles)
공정 (6) 의 세정제 조성물의 아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 이 하기 식 (Ⅳ) 로 나타내는 아민, 및/또는, 하기 식 (Ⅴ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄수산화물인 회로 기판의 제조 방법.
(R10)3N (Ⅳ)
(식 중, R10 은 각각 동일 또는 상이하고 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 탄화수소기, 탄소수 1 ∼ 6 의 하이드록시알킬기, 또는, 탄소수 1 ∼ 6 의 아미노알킬기이고, 3 개의 R10 은 동시에 수소 원자는 되지 않는다)
[(R11)3-N-R12]+OH- (Ⅴ)
(식 중, R11 은 각각 동일 또는 상이한 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, R12 는 1 ∼ 3 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 하이드록시알킬기이다)8. The method of claim 7,
Wherein the amine and / or the quaternary ammonium hydroxide (component U) of the detergent composition of the step (6) is an amine represented by the following formula (IV) and / or a quaternary ammonium hydroxide represented by the following formula ≪ / RTI >
(R < 10 >) 3 N (IV)
(Wherein, R 10 are each the same or different amino represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms hydrocarbon group, having from 1 to 6 hydroxy alkyl group, or 1 to 6 carbon atoms in the three R 10 are simultaneously hydrogen Atoms are not)
[(R 11 ) 3 -NR 12 ] + OH - (V)
(Wherein R 11 is the same or different alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, R 12 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms)
공정 (6) 의 세정제 조성물이, 그 세정제 조성물 100 질량부에 대해,
디메틸술폭사이드 (성분 S) 를 10.0 질량부 이상 50.0 질량부 이하,
글리콜에테르 (성분 T) 를 30.0 질량부 이상 70.0 질량부 이하,
아민 및/또는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 U) 을 0.5 질량부 이상 20.0 질량부 이하, 및
물 (성분 V) 을 3.0 질량부 이상 20.0 질량부 이하 함유하는 회로 기판의 제조 방법.8. The method of claim 7,
When the detergent composition of the step (6) contains, per 100 parts by mass of the detergent composition,
Dimethylsulfoxide (component S) in an amount of 10.0 parts by mass or more and 50.0 parts by mass or less,
The glycol ether (component T) is added in an amount of 30.0 parts by mass or more and 70.0 parts by mass or less,
Amine and / or quaternary ammonium hydroxide (component U) in an amount of not less than 0.5 parts by mass nor more than 20.0 parts by mass,
And water (component V) in an amount of 3.0 parts by mass or more and 20.0 parts by mass or less.
공정 (6) 의 세정제 조성물에 있어서의 디메틸술폭사이드 (성분 S) 와 글리콜에테르 (성분 T) 의 질량비 [(S)/(T)] 가 0.15 이상, 2.00 이하인 회로 기판의 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the mass ratio [(S) / (T)] of dimethylsulfoxide (component S) and glycol ether (component T) in the detergent composition of step (6) is 0.15 or more and 2.00 or less.
상기 공정 (5) 와 상기 공정 (6) 사이에 헹굼 처리의 공정을 포함하는 회로 기판의 제조 방법.8. The method of claim 7,
And a step of rinsing treatment between the step (5) and the step (6).
하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 제 4 급 암모늄수산화물 (성분 A) 을 0.5 질량부 이상 3.0 질량부 이하 함유하고,
수용성 아민 (성분 B) 을 3.0 질량부 이상 14.0 질량부 이하 함유하고,
산 또는 그 암모늄염 (성분 C) 을 0.3 질량부 이상 2.5 질량부 이하 함유하고,
물 (성분 D) 을 50.0 질량부 이상 95.0 질량부 이하 함유하는 세정제 조성물.
(식 중, R1, R2, R3 은 각각 동일 또는 상이한 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, R4 는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 하이드록실기 치환 알킬기이다)Among 100 parts by mass of the detergent composition,
(Component A) represented by the following formula (I) in an amount of not less than 0.5 parts by mass and not more than 3.0 parts by mass,
A water-soluble amine (component B) in an amount of not less than 3.0 parts by mass and not more than 14.0 parts by mass,
An acid or an ammonium salt thereof (component C) in an amount of not less than 0.3 parts by mass and not more than 2.5 parts by mass,
And water (component D) in an amount of 50.0 parts by mass or more and 95.0 parts by mass or less.
(Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same or different alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, and R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a hydroxyl group-substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190106755A (en) * | 2018-03-07 | 2019-09-18 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | Photoresist stripper |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6808714B2 (en) * | 2015-08-03 | 2021-01-06 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド | Cleaning composition |
| JP6670100B2 (en) * | 2015-12-25 | 2020-03-18 | 花王株式会社 | Cleaning composition for removing resin mask |
| JP6824719B2 (en) * | 2015-12-28 | 2021-02-03 | 花王株式会社 | Cleaning agent composition for removing negative resin mask |
| JP2017119782A (en) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 花王株式会社 | Detergent composition for water-soluble flux |
| TWI685718B (en) * | 2016-06-20 | 2020-02-21 | 日商三菱製紙股份有限公司 | Method for forming solder resist pattern |
| JP6860276B2 (en) | 2016-09-09 | 2021-04-14 | 花王株式会社 | Cleaning agent composition for peeling resin mask |
| JP6924690B2 (en) * | 2017-12-21 | 2021-08-25 | 花王株式会社 | Resin mask peeling cleaning method |
| CN111712590B (en) * | 2018-04-26 | 2022-03-25 | 栗田工业株式会社 | Stabilization of compositions comprising quaternary trialkylalkanolamine hydroxides |
| KR102029127B1 (en) * | 2019-02-08 | 2019-10-07 | 영창케미칼 주식회사 | A new method for forming a silicon or silicon compound pattern in a semiconductor manufacturing process |
| WO2020262448A1 (en) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 花王株式会社 | Cleaning method |
| CN112764330B (en) * | 2021-01-08 | 2022-08-02 | 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 | PFA photoresist regeneration stripping liquid and preparation method and application thereof |
| CN113437204A (en) * | 2021-05-18 | 2021-09-24 | 深圳市隆利科技股份有限公司 | Lamp panel preparation method |
| CN115475797B (en) * | 2022-09-30 | 2024-04-05 | 肇庆绿宝石电子科技股份有限公司 | Laminated capacitor and manufacturing method thereof, carrier strip cleaning liquid and preparation method thereof |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001343759A (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nichigo Morton Co Ltd | Peeling liquid for cured film of photopolymerizable composition |
| JP2002062668A (en) | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Method for removing photoresist |
| JP2007224165A (en) | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Kaken Tec Kk | Double servicing detergent and cleaning method for object to be cleaned |
| US20090120457A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Surface Chemistry Discoveries, Inc. | Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices |
| JP2011502281A (en) * | 2007-10-31 | 2011-01-20 | イー．ケー．シー．テクノロジー．インコーポレーテッド | Photoresist stripping compound |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3705896A1 (en) * | 1986-02-24 | 1987-08-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | METHOD FOR PRODUCING A PHOTORESIST PATTERN ON A SUBSTRATE SURFACE AND A FOAM REMOVER SUITABLE FOR THIS |
| JP3424687B2 (en) * | 1993-05-21 | 2003-07-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Method for producing quaternary ammonium hydroxide aqueous solution |
| JP4283952B2 (en) * | 1999-10-12 | 2009-06-24 | 多摩化学工業株式会社 | Cleaning liquid composition for non-ferrous metal cleaning |
| JP3371098B2 (en) * | 1999-11-04 | 2003-01-27 | 花王株式会社 | Detergent composition |
| JP3738996B2 (en) * | 2002-10-10 | 2006-01-25 | 東京応化工業株式会社 | Cleaning liquid for photolithography and substrate processing method |
| US20030138737A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-24 | Kazumasa Wakiya | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same |
| JP3516446B2 (en) * | 2002-04-26 | 2004-04-05 | 東京応化工業株式会社 | Photoresist stripping method |
| TW545099B (en) * | 2002-06-17 | 2003-08-01 | Via Tech Inc | Bump forming technology with high resolution |
| CN100529014C (en) * | 2002-10-22 | 2009-08-19 | Ekc技术公司 | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices |
| JP4270544B2 (en) * | 2003-03-06 | 2009-06-03 | 花王株式会社 | Release agent composition |
| WO2005076332A1 (en) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Substrate cleaning liquid for semiconductor device and cleaning method |
| JP4855667B2 (en) * | 2004-10-15 | 2012-01-18 | ハリマ化成株式会社 | Method for removing resin mask layer and method for producing substrate with solder bumps |
| SG162725A1 (en) * | 2005-05-26 | 2010-07-29 | Advanced Tech Materials | Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use |
| JP4633619B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-02-16 | 花王株式会社 | Liquid detergent composition |
| CN101071778A (en) * | 2006-05-08 | 2007-11-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Method for making solder bump |
| CN100561697C (en) * | 2006-12-22 | 2009-11-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | A kind of manufacture method of solder bump |
| JP5062562B2 (en) * | 2007-09-04 | 2012-10-31 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | Chemical solution and substrate processing method using the same |
| JP2009075285A (en) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | Stripper for semiconductor device and stripping method |
| KR101488265B1 (en) * | 2007-09-28 | 2015-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | Composition for stripping and stripping method |
| JP5466836B2 (en) * | 2008-06-13 | 2014-04-09 | 花王株式会社 | Cleaning composition for flux |
| KR20110063632A (en) * | 2008-08-05 | 2011-06-13 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | Residue removing liquid composition and method for cleaning semiconductor element using same |
| JP5548390B2 (en) * | 2009-05-29 | 2014-07-16 | 花王株式会社 | Liquid detergent composition |
| US8765653B2 (en) * | 2009-07-07 | 2014-07-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations and method for post-CMP cleaning |
| US8110535B2 (en) * | 2009-08-05 | 2012-02-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same |
| JP5646882B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-12-24 | 富士フイルム株式会社 | Cleaning composition, cleaning method, and manufacturing method of semiconductor device |
| JP5404459B2 (en) * | 2010-02-08 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | Lithographic cleaning liquid and wiring forming method |
| JP5513196B2 (en) * | 2010-03-25 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | Cleaning composition and method for manufacturing semiconductor device |
| CN102141743A (en) * | 2010-08-25 | 2011-08-03 | 上海飞凯光电材料股份有限公司 | Photoresist peeling solution composition with metal protection |
| JP2014529641A (en) * | 2011-08-09 | 2014-11-13 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | Aqueous alkaline composition and method for treating the surface of a silicon substrate |
| CN102981379A (en) * | 2012-12-19 | 2013-03-20 | 青岛华电高压电气有限公司 | Cleaning agent composition for photoresist |
| KR101420571B1 (en) * | 2013-07-05 | 2014-07-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | Remover composition for dryfilm resist and removing method using the same |
-
2014
- 2014-09-10 CN CN201410458834.7A patent/CN104427781B/en active Active
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- 2014-09-11 KR KR1020140119918A patent/KR102257405B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001343759A (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nichigo Morton Co Ltd | Peeling liquid for cured film of photopolymerizable composition |
| JP2002062668A (en) | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Method for removing photoresist |
| JP2007224165A (en) | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Kaken Tec Kk | Double servicing detergent and cleaning method for object to be cleaned |
| JP2011502281A (en) * | 2007-10-31 | 2011-01-20 | イー．ケー．シー．テクノロジー．インコーポレーテッド | Photoresist stripping compound |
| US20090120457A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Surface Chemistry Discoveries, Inc. | Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190106755A (en) * | 2018-03-07 | 2019-09-18 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | Photoresist stripper |
Also Published As
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