KR102323027B1 - Method for manufacturing soldered circuit board, method for manufacturing circuit board having electronic component mounted thereon, and cleaning agent composition for flux - Google Patents

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Abstract

회로 기판 상의 일부의 전극에 땜납을 고화시키지 않고 다른 일부의 전극에 땜납을 고화시키는 공정 후, 땜납을 고화시키고 있지 않은 상기 전극의 변색을 억제할 수 있는, 땜납이 고화된 회로 기판의 제공.
하기 공정 (1) ∼ (4) 를 포함하는 회로 기판의 제조 방법.
(1) 지지 기재의 제 1 영역 및 제 2 영역에 회로를 형성하는 전극을 갖는 회로 기판의 금속 도전부를 금속 처리제 A 로 처리하는 공정.
(2) 공정 (1) 에서 얻어진 회로 기판의 제 1 영역의 전극에 플럭스 B 및 땜납을 사용하여 땜납을 고화시키는 공정.
(3) 공정 (2) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 플럭스 잔사를, 글리콜에테르, 알칸올아민인, 및 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물을 함유하는 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정.
(4) 공정 (3) 에 이어서, 회로 기판의 제 2 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.

Figure 112015043977549-pat00012
A circuit board with solidified solder capable of suppressing discoloration of the electrode that has not solidified the solder after the step of solidifying the solder on the other part of the electrode without solidifying the solder on the part of the electrode on the circuit board.
A manufacturing method of a circuit board comprising the following steps (1) to (4).
(1) The process of processing the metal conductive part of the circuit board which has an electrode which forms a circuit in the 1st area|region and 2nd area|region of a support base material with the metal treatment agent A.
(2) A step of solidifying the solder by using the flux B and the solder for the electrodes in the first region of the circuit board obtained in the step (1).
(3) The process of washing|cleaning the flux residue of the circuit board obtained in the process (2) using the cleaning agent C containing the imidazole compound represented by glycol ether and an alkanolamine, and the following general formula (I).
(4) A step of solidifying the solder on the electrode in the second region of the circuit board following the step (3).
Figure 112015043977549-pat00012

Description

땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법 및 플럭스용 세정제 조성물{METHOD FOR MANUFACTURING SOLDERED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR MANUFACTURING CIRCUIT BOARD HAVING ELECTRONIC COMPONENT MOUNTED THEREON, AND CLEANING AGENT COMPOSITION FOR FLUX}TECHNICAL FIELD [0002] A method for manufacturing a circuit board in which solder is solidified, a method for manufacturing a circuit board on which electronic components are mounted, and a cleaning composition for fluxes TECHNICAL FIELD [0002] }

본 발명은 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법 및 플럭스용 세정제 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a circuit board in which solder is solidified, a method for manufacturing a circuit board on which electronic components are mounted, and a cleaning composition for a flux.

반도체 패키지 등의 전자 기판의 회로를 형성하는 전극은 제조 비용을 저감하기 위해서 구리, 구리 합금 등의 금속이 사용되고 있다.Metals, such as copper and a copper alloy, are used for the electrode which forms the circuit of electronic board|substrates, such as a semiconductor package, in order to reduce manufacturing cost.

한편, 프린트 배선판의 실장 방법으로서 실장 밀도를 향상시킨 표면 실장이 널리 채용되고 있다. 이와 같은 표면 실장 방법의 일례로서 양면 표면 실장이 있다. 양면 표면 실장에서는, 프린트 배선판의 양면에 땜납을 고화시키기 위해서, 2 회 이상의 프린트 배선판을 가열하는 공정과 2 회 이상의 프린트 배선판을 세정하는 공정이 필요하다. 또, 프린트 배선판의 동일 면에 있어서도 복수 형성되어 있는 금속제 도전부 중에서 일부의 금속제 도전부가 납땜 처리되고, 플럭스 잔사의 세정 후, 나머지의 금속제 도전부가 납땜 처리되는 경우도 있다. 이와 같이, 동일한 프린트 배선판이어도 모든 금속제 도전부를 동시에 납땜 처리하는 것은 아니고, 복수 회에 걸쳐서 땜납 처리되는 경우도 있다. 프린트 배선판의 회로부를 구성하는 전극의 구리, 구리 합금 등의 금속 표면은 가열됨으로써 산화 피막의 형성이 촉진되고 변색을 일으켜, 그 도전부 표면의 납땜성을 양호하게 유지하지 못하는 경우가 있다.On the other hand, as a mounting method of a printed wiring board, the surface mounting which improved the mounting density is employ|adopted widely. An example of such a surface mounting method is double-sided surface mounting. In double-sided surface mounting, in order to solidify solder on both surfaces of a printed wiring board, the process of heating a printed wiring board 2 times or more, and the process of washing|cleaning a printed wiring board 2 times or more are required. Moreover, also in the same surface of a printed wiring board, among the metal conductive parts formed in plurality, some metal conductive parts may be brazed, and the remaining metal conductive parts may be brazed after washing|cleaning of a flux residue. In this way, even if it is the same printed wiring board, not all the metal conductive parts are soldered simultaneously, but the soldering process may be carried out over a plurality of times. The metal surface, such as copper, copper alloy, etc. of the electrode which comprises the circuit part of a printed wiring board is heated, formation of an oxide film is accelerated|stimulated and causes discoloration, and the solderability of the surface of the conductive part may not be maintained well.

이 문제에 대해서 전극의 표면을 수용성 프리플럭스 (pre-flux) 로 처리 (Organic Solderability Preservative : OSP 처리) 하는 방법이 있다. 예를 들어, 일본 공개특허공보 2007-308776호에는, 도전부의 표면에 대한 땜납의 젖음성이 양호해지는 금속의 표면 처리제 (금속 처리제) 로서 이미다졸 화합물과 글루콘산 화합물을 함유하는 금속 처리제가 개시되어 있다.For this problem, there is a method of treating the surface of the electrode with a water-soluble pre-flux (Organic Solderability Preservative: OSP treatment). For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-308776 discloses a metal treatment agent containing an imidazole compound and a gluconic acid compound as a surface treatment agent (metal treatment agent) for a metal that improves the wettability of the solder to the surface of the conductive part. .

또, 종래부터의 로진계 플럭스에 대해서 수계의 세정제로 세정할 수 있는 수용성 플럭스가 개발되어 있다. 예를 들어, 일본 공개특허공보 2000-42786호에는, 유기산과 다가 알코올의 에스테르를 주성분으로 하는, 성형 땜납을 사용하는 리플로 납땜용 수용성 플럭스가 개시되어 있다.In addition, water-soluble fluxes that can be washed with water-based detergents have been developed with respect to conventional rosin-based fluxes. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-42786 discloses a water-soluble flux for reflow soldering using a molded solder containing as a main component an ester of an organic acid and a polyhydric alcohol.

일본 공개특허공보 2009-298940호에는, 글리콜에테르와, 알칸올아민과, 알킬벤젠술폰산을 함유하는 플럭스 세정제가 개시되어 있다.Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-298940 discloses a flux detergent containing glycol ether, alkanolamine, and alkylbenzenesulfonic acid.

납땜된 전자 부품 등의 플럭스 잔사를 세정하지 않고 그 전자 부품을 장기적으로 사용하면, 마이그레이션 등이 발생되어 전극 간에서의 쇼트나 접착 불량을 일으키는 경우가 있다. 반도체 장치의 집적화·고밀도화에 수반하여 땜납 범프를 사용한 반도체 칩의 실장 방법은 많이 채용되고 있고, 또한, 추가로 고도의 신뢰성이 요구되고 있다. 따라서, 플럭스 잔사의 세정의 반도체 장치의 제조에 있어서의 중요성은 더욱 높아지고 있다. 예를 들어, 반도체 패키지 기판 등의 제조 공정에 있어서는, 땜납 범프 형성을 위해서 금속 처리제에 의해서 전극 표면의 보호가 미리 행해지고, 계속해서, 전극 상에 대한 플럭스 또는 땜납 페이스트의 도포 및 땜납의 배치, 가열, 그리고 플럭스 잔사 제거를 위한 세정이 행해진다. 그러나, 회로 기판 상의 일부의 전극에 땜납 범프를 형성하고, 또한, 일부의 전극에 땜납 범프를 형성하지 않은 경우, 땜납 범프를 형성하지 않은 전극 상의 금속 처리제가 플럭스 잔사 세정시에 제거되는 경우가 있다. 이로써, 땜납 범프를 형성하지 않은 전극은 땜납 범프 형성 공정까지의 동안에서 산화되고, 변색되어, 땜납 범프 형성시에 있어서의 땜납 젖음성이 나빠져 접속 신뢰성을 확보할 수 없게 된다는 문제가 있다.If the electronic components are used for a long period of time without cleaning the flux residues such as soldered electronic components, migration or the like may occur, resulting in a short circuit between the electrodes or poor adhesion in some cases. With the integration and densification of semiconductor devices, many semiconductor chip mounting methods using solder bumps are employed, and further high reliability is demanded. Accordingly, the importance of cleaning the flux residues in the manufacture of semiconductor devices is increasing. For example, in a manufacturing process of a semiconductor package substrate, etc., the electrode surface is previously protected with a metal treatment agent to form a solder bump, and then a flux or solder paste is applied on the electrode, and solder is placed and heated. , and cleaning to remove flux residues is performed. However, when solder bumps are formed on some electrodes on the circuit board and solder bumps are not formed on some electrodes, the metal treatment agent on the electrodes on which the solder bumps are not formed may be removed at the time of cleaning the flux residue. . As a result, there is a problem that the electrode on which the solder bumps are not formed is oxidized and discolored during the solder bump formation process, so that the solder wettability at the time of the solder bump formation deteriorates and connection reliability cannot be secured.

본 개시에 있어서 「땜납을 고화시킨다」란, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 전자 부품을 납땜하는 것 (납땜 처리) 및/또는 땜납 범프를 형성하는 것을 말한다. 「땜납이 고화되지 않는다」란, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극이 있음에도 불구하고, 전자 부품을 납땜 처리하지 않은 것 및/또는 땜납 범프를 형성하지 않은 것을 말한다.In this indication, "solder is solidified" means soldering an electronic component (solder process) and/or forming a solder bump in one or some embodiment. "Solder does not solidify" means that an electronic component is not soldered and/or a solder bump is not formed in spite of the presence of an electrode in one or more embodiments.

본 개시는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 회로 기판 상의 일부의 전극에 땜납을 고화시키지 않고 다른 일부의 전극에 땜납을 고화시키는 공정을 포함하고, 상기 공정 후, 땜납을 고화시키고 있지 않은 상기 전극의 변색을 억제할 수 있는 세정제 조성물을 사용하는, 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법 및 플럭스용 세정제 조성물을 제공한다. In one or a plurality of embodiments, the present disclosure includes a step of solidifying solder on a part of the electrode without solidifying the solder on a part of the electrode on the circuit board, and after the process, the electrode on which the solder is not solidified Provided are a method for manufacturing a circuit board in which solder is solidified, a method for manufacturing a circuit board on which an electronic component is mounted, and a cleaning composition for flux using a cleaning composition capable of suppressing discoloration.

본 발명은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 하기 공정 (1) ∼ (4) 를 포함하는 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다.In one or some embodiment, this invention relates to the manufacturing method of the circuit board with which the solder solidified containing the following process (1)-(4).

(1) 지지 기재의 제 1 영역 및 제 2 영역에 회로를 형성하는 전극을 갖는 회로 기판의 적어도 제 1 영역의 전극을, 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제 A 로 처리하는 공정.(1) Process of treating the electrode of at least 1st area|region of the circuit board which has an electrode which forms a circuit in the 1st area|region and 2nd area|region of a support base material with the metal treatment agent A containing an imidazole compound.

(2) 공정 (1) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 제 1 영역의 전극에 플럭스 B 의 도포 및 땜납의 배치를 한 후, 회로 기판을 땜납의 액상선 온도 이상의 온도로 가열하여 땜납을 용융시키고, 제 1 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.(2) After applying the flux B and arranging the solder to the electrodes in the first region of the circuit board obtained in the step (1), the circuit board is heated to a temperature equal to or higher than the liquidus temperature of the solder to melt the solder, A process of solidifying the solder on the electrode in region 1.

(3) 공정 (2) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 플럭스 잔사를 글리콜에테르인 성분 a 와, 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하의 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물인 성분 c 를 함유하는 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정.(3) The flux residue of the circuit board obtained in the step (2) contains the component a which is glycol ether, the component b which is an alkanolamine, and 0.005 mass% or more and 4.0 mass% or less of imidazole represented by the following general formula (I). A step of washing using a cleaning agent C containing the component c, which is a compound.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112015043977549-pat00001
Figure 112015043977549-pat00001

(식 (I) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.) (In formula (I), R 1 , R 2 and R 3 each represent at least one selected from a hydrogen atom and a hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms.)

(4) 공정 (3) 에 이어서, 회로 기판의 제 2 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.(4) A step of solidifying the solder on the electrode in the second region of the circuit board following the step (3).

본 발명은 그 밖의 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 적어도 1 개의 전자 부품을 회로 기판 상에 탑재하는 공정을 포함하고, 상기 회로 기판의 적어도 1 개가 본 개시에 관련된 제조 방법에 의해서 제조된 회로 기판인, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다. In one or a plurality of other embodiments, the present invention includes a step of mounting at least one electronic component on a circuit board, wherein at least one of the circuit board is a circuit board manufactured by the manufacturing method according to the present disclosure It relates to a method for manufacturing a circuit board on which phosphorus and electronic components are mounted.

본 발명은 그 밖의 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 글리콜에테르인 성분 a 와, 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하의 상기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물인 성분 c 를 함유하는 플럭스용 세정제 조성물에 관한 것이다.In one or a plurality of other embodiments, the present invention is an imidazole compound represented by the general formula (I) in an amount of 0.005 mass % or more and 4.0 mass % or less, with a component a that is a glycol ether, a component b that is an alkanolamine, and It relates to a cleaning composition for fluxes containing component c.

본 개시에 관련된 제조 방법에 의하면, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 땜납이 고화되어 있지 않은 전극에 있어서의 변색을 억제할 수 있다. 전극의 변색을 억제할 수 있으면, 납땜성이 양호해져 접속 신뢰성이 향상된다. 본 개시에 관련된 제조 방법에 의하면, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 변색 억제에 더하여, 추가로 그 전극 상에 대한 플럭스의 젖음성을 향상시킬 수 있고, 이로써 납땜 상태가 더욱 양호해져 접속 신뢰성을 추가로 향상시킬 수 있다.According to the manufacturing method which concerns on this indication, in one or some embodiment, the discoloration in the electrode in which solder is not solidified can be suppressed. When discoloration of an electrode can be suppressed, solderability will become favorable and connection reliability will improve. According to the manufacturing method according to the present disclosure, in one or more embodiments, in addition to suppressing discoloration of the electrode, it is possible to further improve the wettability of the flux on the electrode, thereby further improving the soldering state and connecting reliability. can be further improved.

도 1 은 회로 기판의 제조 플로의 일례를 개략적으로 설명한 도면.
도 2 는 실시예에서 사용한, 일방의 주면 상에 복수의 영역을 갖는 회로 기판의 일례의 개략을 설명한 도면.
1 is a diagram schematically illustrating an example of a manufacturing flow of a circuit board;
Fig. 2 is a diagram schematically illustrating an example of a circuit board having a plurality of regions on one main surface used in the embodiment;

반도체 패키지 기판의 제조 공정은 복수 회의 땜납 범프 형성 공정을 포함하는 경우가 있다. 한정되지 않은 일례인 도 1 에 나타내는 플로에서는, 일방의 주면 상에 제 1 영역의 전극을 구비하고, 타방의 주면 상에 제 2 영역의 전극을 구비하는 회로 기판에 대해서, 공정 (1) 에 있어서 금속 처리제 A 를 사용하여 전극의 표면 처리를 행하고, 공정 (2) 에 있어서 제 1 영역에 땜납 범프를 형성하고, 공정 (4) 에 있어서 제 2 영역에 땜납 범프를 형성하고 있다. 공정 (3) 에서는 공정 (2) 에서 발생된 제 1 영역의 플럭스 잔사를 세정하는데, 이 때 공정 (1) 에서 실시한 제 2 영역의 전극의 표면 처리가 손상되고, 시간 경과, 가열 처리 및 세정 등에 의해서 변색하는 경우가 있다. 이로써 공정 (4) 에 있어서의 납땜 상태가 악화되어 접속 신뢰성이 저해되는 경우가 있다. 본 개시는 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (3) 의 세정에 특정 이미다졸 화합물을 함유하는 플럭스용 세정제 조성물을 사용하면, 땜납 범프가 형성되어 있지 않은 제 2 영역의 전극 변색을 억제할 수 있다는 지견에 기초한다. 또한, 본 개시는 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (3) 의 세정에 특정 이미다졸 화합물을 함유하는 플럭스용 세정제 조성물을 사용하면, 제 2 영역의 전극 변색 억제에 추가하여, 제 2 영역의 전극에 있어서의 땜납의 젖음성을 향상시킬 수 있다는 지견에 기초한다.The manufacturing process of a semiconductor package board|substrate may include the solder bump formation process several times. In the flow shown in FIG. 1 which is an example which is not limited, about the circuit board provided with the electrode of a 1st area|region on one main surface, and provided with the electrode of a 2nd area|region on the other main surface, in a process (1) The electrode is surface-treated using the metal treatment agent A, and solder bumps are formed in the first region in the step (2), and the solder bumps are formed in the second region in the step (4). In the step (3), the flux residues in the first region generated in the step (2) are cleaned. At this time, the surface treatment of the electrode in the second region performed in the step (1) is damaged, and time passes, heat treatment and cleaning, etc. It may be discolored by Thereby, the soldering state in a process (4) deteriorates, and connection reliability may be impaired. In one or some embodiment which is not limited to this indication, when the cleaning composition for flux containing a specific imidazole compound is used for the washing|cleaning of a process (3), the electrode discoloration of the 2nd area|region in which the solder bump is not formed. based on the knowledge that it can suppress In addition, in one or a plurality of embodiments that are not limited by the present disclosure, when a cleaning composition for flux containing a specific imidazole compound is used for cleaning in step (3), in addition to suppressing discoloration of the electrode in the second region, It is based on the knowledge that the wettability of the solder in the electrode of a 2nd area|region can be improved.

즉, 본 개시는 일 양태에 있어서, 하기 공정 (1) ∼ (4) 를 포함하는, 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법 (이하, 「본 개시에 관련된 제조 방법」이라고도 한다) 에 관한 것이다.That is, in one aspect, this indication relates to the manufacturing method (henceforth "the manufacturing method which concerns on this indication") including the following process (1)-(4) of the circuit board with solidified solder.

(1) 지지 기재의 제 1 영역 및 제 2 영역에 회로를 형성하는 전극을 갖는 회로 기판의 적어도 제 1 영역의 전극을, 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제 A 로 처리하는 공정.(1) Process of treating the electrode of at least 1st area|region of the circuit board which has an electrode which forms a circuit in the 1st area|region and 2nd area|region of a support base material with the metal treatment agent A containing an imidazole compound.

(2) 공정 (1) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 제 1 영역의 전극에 플럭스 B 의 도포 및 땜납의 배치를 한 후, 회로 기판을 땜납의 액상선 온도 이상의 온도로 가열하여 땜납을 용융시키고, 제 1 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.(2) After applying the flux B and arranging the solder to the electrodes in the first region of the circuit board obtained in the step (1), the circuit board is heated to a temperature equal to or higher than the liquidus temperature of the solder to melt the solder, A process of solidifying the solder on the electrode in region 1.

(3) 공정 (2) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 플럭스 잔사를, 글리콜에테르인 성분 a 와, 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하의 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물인 성분 c 를 함유하는 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정.(3) The flux residue of the circuit board obtained in the step (2), the component a which is a glycol ether, the component b which is an alkanolamine, and 0.005 mass % or more and 4.0 mass % or less of an image represented by the following general formula (I) A step of washing using a detergent C containing component c, which is a dazole compound.

[화학식 2] [Formula 2]

Figure 112015043977549-pat00002
Figure 112015043977549-pat00002

(식 (I) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.) (In formula (I), R 1 , R 2 and R 3 each represent at least one selected from the group consisting of a hydrogen atom and a hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms.)

(4) 공정 (3) 에 이어서, 회로 기판의 제 2 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.(4) A step of solidifying the solder on the electrode in the second region of the circuit board following the step (3).

본 개시에 있어서의 지지 기재의 제 1 영역의 전극 및 제 2 영역의 전극이란, 반도체 패키지 기판의 제조 공정에 있어서, 각각 상이한 공정에서 땜납의 고화가 이루어지는 영역의 전극을 의미한다. 즉, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 본 개시에 있어서 「전극의 영역」이란, 1 회의 땜납 고화의 공정에서, 땜납이 고화되는 전극의 범위를 말한다.The electrode of the 1st area|region and the electrode of the 2nd area|region of a support base material in this indication means the electrode of the area|region where solder is solidified in each different process in the manufacturing process of a semiconductor package substrate. That is, in one or more embodiment, in this indication, "region of an electrode" means the range of an electrode in which solder is solidified in one solder solidification process.

제 1 영역의 전극 및 제 2 영역의 전극으로는, 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 양면 실장 기판에 있어서의 표면의 전극 및 이면의 전극을 각각 들 수 있다 (도 1 참조). 그 밖의 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 제 1 영역의 전극 및 제 2 영역의 전극으로는 편면 실장 기판의 동일 주면 상에 있어서의 2 개의 영역에 있어서의 전극을 들 수 있다 (도 2 참조). 회로 기판은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일 주면 상에 3 개 이상의 전극 영역을 구비해도 되고, 또, 2 개의 주면 상에 각각 단독 또는 복수의 영역을 구비하고 있어도 된다. 본 개시에 있어서, 제 1 영역, 제 2 영역, 제 3 영역 등에 있어서의 서수사는 각각의 영역을 구별하기 위한 것으로서 특별히 제한은 없다. 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 상기 서수사는 땜납이 고화되는 차례를 의미하는 경우가 있다.Examples of the electrode in the first region and the electrode in the second region include a front electrode and a back electrode in a double-sided mounting substrate in one or more non-limited embodiments (see FIG. 1 ). In one or a plurality of other non-limiting embodiments, the electrode in the first region and the electrode in the second region include electrodes in two regions on the same main surface of the single-sided mounting substrate (Fig. see 2). In one or some embodiment, a circuit board may be equipped with three or more electrode areas on the same main surface, and may be equipped with each single or some area|region on two main surfaces. In the present disclosure, the ordinal number in the first region, the second region, the third region, etc. is for distinguishing each region, and there is no particular limitation. In one or more embodiments, the ordinal may mean the order in which the solder is solidified.

본 개시에 관련된 제조 방법으로부터, 땜납이 고화되지 않은 전극에 있어서의 변색을 억제할 수 있는 메커니즘의 자세한 것은 분명하지 않지만, 아래와 같이 추측된다. 공정 (3) 에 있어서, 세정제 C 중의 글리콜에테르 (성분 a) 와 알칸올아민 (성분 b) 이 플럭스 B 의 세정에 작용하는 바, 세정제 C 가 이미다졸 화합물 (성분 c) 을 함유하지 않는 경우, 전극을 보호하는 금속 처리제 A 가 린스시에 씻겨나가, 열처리 후에 산화에 의해서 변색을 일으킨다고 생각된다. 그리고, 세정제 C 가 특정량의 이미다졸 화합물 (성분 c) 을 함유하는 경우에는, 이미다졸 화합물이 전극 표면에 흡착되어 보호막을 형성하고, 산화에 의한 전극의 변색을 억제한다고 생각된다. 단, 본 개시는 이 메커니즘에 한정하여 해석되지 않아도 된다.Although the detail of the mechanism which can suppress the discoloration in the electrode which solder has not solidified from the manufacturing method which concerns on this indication is not clear, it is guessed as follows. In the step (3), since the glycol ether (component a) and the alkanolamine (component b) in the cleaning agent C act to wash the flux B, when the cleaning agent C does not contain the imidazole compound (component c), It is thought that the metal processing agent A which protects an electrode washes off at the time of rinsing, and produces discoloration by oxidation after heat processing. And when the cleaning agent C contains a specific amount of the imidazole compound (component c), the imidazole compound is adsorbed to the electrode surface to form a protective film, and it is thought that the discoloration of the electrode by oxidation is suppressed. However, the present disclosure does not need to be interpreted as being limited to this mechanism.

[세정제 C][Cleaning agent C]

본 개시에 있어서, 세정제 C 는 플럭스 잔사를 세정하기 위한 세정제 조성물로서, 글리콜에테르 (성분 a) 와, 알칸올아민 (성분 b) 과, 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하의 상기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물 (성분 c) 을 함유하는 플럭스용 세정제 조성물이다. 세정 대상의 플럭스로는 세정성이 발휘되는 점에서 로진계 플럭스가 바람직하다.In the present disclosure, the cleaning agent C is a cleaning composition for cleaning flux residues, comprising glycol ether (component a), alkanolamine (component b), and 0.005 mass% or more and 4.0 mass% or less of the above general formula (I) It is a cleaning composition for flux containing the imidazole compound (component c) represented by As the flux to be cleaned, a rosin-based flux is preferable from the viewpoint of exhibiting cleaning properties.

[세정제 C 의 성분 a][Component a of cleaning agent C]

본 개시에 있어서의 세정제 C 중의 성분 a 는 글리콜에테르이다. 성분 a 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성의 관점에서 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 일 또는 복수의 화합물로 이루어지는 것이 바람직하다.The component a in the detergent C in this indication is a glycol ether. Component a, in one or more embodiments, preferably consists of one or more compounds represented by the following general formula (II) from the viewpoint of cleaning properties against flux residues.

[화학식 3] [Formula 3]

R-O-(CH2CH2O)n-H (Ⅱ) RO-(CH 2 CH 2 O) n -H (II)

(식 (Ⅱ) 중, R 은 탄소수 3 ∼ 8 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 2 또는 3 을 나타낸다.) (In formula (II), R represents a hydrocarbon group having 3 to 8 carbon atoms, and n represents 2 or 3.)

상기 일반식 (Ⅱ) 에 있어서, R 은 탄소수 3 ∼ 8 의 탄화수소기이고, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성의 관점에서 탄소수 3 ∼ 6 의 탄화수소기인 것이 바람직하다. 탄화수소기는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성의 관점에서 바람직하게는 알킬기, 알케닐기 및 아릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이고, 보다 바람직하게는 알킬기이다. R 은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 프로필기, 부틸기, 펜틸기 및 헥실기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다. 부가 몰수 n 은 플럭스 잔사에 대한 세정성의 관점에서 2 또는 3 이다.In the general formula (II), R is a hydrocarbon group having 3 to 8 carbon atoms, and in one or more embodiments, it is preferably a hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms from the viewpoint of cleaning properties for flux residues. In one or a plurality of embodiments, the hydrocarbon group is preferably at least one selected from the group consisting of an alkyl group, an alkenyl group and an aryl group from the viewpoint of cleaning properties with respect to the flux residue, and more preferably an alkyl group. R is at least 1 sort(s) selected from the group which consists of a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group in one or some embodiment. The added mole number n is 2 or 3 from the viewpoint of cleaning properties for the flux residue.

성분 a 로는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르 ; 디에틸렌글리콜모노알릴에테르 등의 디에틸렌글리콜모노알케닐에테르 ; 디에틸렌글리콜모노벤질에테르 등의 디에틸렌글리콜모노아르알킬에테르 ; 트리에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소부틸에테르 등의 트리에틸렌글리콜모노알킬에테르 ; 트리에틸렌글리콜모노알릴에테르 등의 트리에틸렌글리콜모노알케닐에테르 ; 테트라에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 테트라에틸렌글리콜모노알킬에테르 ; 펜타에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 펜타에틸렌글리콜모노알킬에테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다. 이 중에서도, 성분 a 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 및 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 및 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 더욱 바람직하다.Component a is, in one or more embodiments, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoisobutyl from the viewpoint of improving cleaning properties for flux residues. diethylene glycol monoalkyl ethers such as ether and diethylene glycol monohexyl ether; diethylene glycol monoalkenyl ethers such as diethylene glycol monoallyl ether; diethylene glycol monoaralkyl ethers such as diethylene glycol monobenzyl ether; triethylene glycol monoalkyl ethers such as triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, and triethylene glycol monoisobutyl ether; triethylene glycol monoalkenyl ethers such as triethylene glycol monoallyl ether; tetraethylene glycol monoalkyl ethers such as tetraethylene glycol monobutyl ether; At least one selected from the group consisting of pentaethylene glycol monoalkyl ethers such as pentaethylene glycol monobutyl ether is preferable. Among these, component a is selected from the group consisting of diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monohexyl ether and triethylene glycol monobutyl ether from the same viewpoint in one or more embodiments. At least one kind is more preferable, and at least one kind selected from the group consisting of diethylene glycol monobutyl ether and triethylene glycol monobutyl ether is still more preferable.

본 개시에 있어서의 세정제 C 중의 성분 a 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상 및 전극의 변색 억제 관점에서 바람직하게는 80.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 85.0 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 85.5 질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 86.4 질량% 이상이다. 세정제 C 중의 성분 a 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 바람직하게는 90.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 89.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 88.5 질량% 이하이다. 세정제 C 중의 성분 a 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 80.0 질량% 이상 90.0 질량% 이하로서, 바람직하게는 85.0 질량% 이상 89.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 85.5 질량% 이상 89.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 86.4 질량% 이상 88.5 질량% 이하이다.The content of component a in the cleaning agent C in the present disclosure is preferably 80.0 mass% or more, more preferably 85.0% by mass or more, from the viewpoint of improving the cleaning properties of the flux residue and suppressing discoloration of the electrode in one or more embodiments. It is mass % or more, More preferably, it is 85.5 mass % or more, More preferably, it is 86.4 mass % or more. Content of the component a in the washing|cleaning agent C is one or some embodiment. From the same viewpoint, Preferably it is 90.0 mass % or less, More preferably, it is 89.0 mass % or less, More preferably, it is 88.5 mass % or less. Content of the component a in the detergent C is 80.0 mass % or more and 90.0 mass % or less from the same viewpoint in one or some embodiment, Preferably it is 85.0 mass % or more and 89.0 mass % or less, More preferably, it is 85.5 mass %. It is 89.0 mass % or more, More preferably, it is 86.4 mass % or more and 88.5 mass % or less.

성분 a 는 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 적어도 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 (식 (Ⅱ) 에 있어서, R 이 부틸기, n = 2) 를 함유하는 것이 바람직하다. 본 개시에 있어서, 부틸기는 특별히 언급이 없는 경우 n-부틸기를 말한다.Component a preferably contains at least diethylene glycol monobutyl ether (in formula (II), R is a butyl group, and n=2) in one or more non-limiting embodiments. In the present disclosure, the butyl group refers to an n-butyl group unless otherwise specified.

일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 a 중의 함유량은 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상 및 전극의 변색 억제 관점에서 바람직하게는 50.0 질량% 이상이고, 보다 바람직하게는 60.0 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70.0 질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 80.0 질량% 이상이다. 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 a 중의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 바람직하게는 98.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 95.0 질량% 이하이다.In one or more embodiments, the content of diethylene glycol monobutyl ether in component a is preferably 50.0 mass % or more, more preferably 60.0 mass % or more, from the viewpoint of improving cleaning properties with respect to flux residues and suppressing discoloration of the electrode. % or more, more preferably 70.0 mass% or more, and still more preferably 80.0 mass% or more. Content in the component a of diethylene glycol monobutyl ether becomes like this in one or some embodiment. From the same viewpoint, Preferably it is 98.0 mass % or less, More preferably, it is 95.0 mass % or less.

본 개시에 있어서의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 세정제 C 중의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상 및 전극의 변색 억제의 관점에서 바람직하게는 50.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 60.0 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70.0 질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 75.0 질량% 이상이다. 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 세정제 C 중의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 바람직하게는 90.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 88.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 85.0 질량% 이하이다.In one or more embodiments, the content of diethylene glycol monobutyl ether in the detergent C in the present disclosure is preferably 50.0 mass% or more from the viewpoint of improving the cleaning properties of the flux residue and suppressing discoloration of the electrode, More preferably, it is 60.0 mass % or more, More preferably, it is 70.0 mass % or more, More preferably, it is 75.0 mass % or more. Content in the detergent C of diethylene glycol monobutyl ether in one or some embodiment WHEREIN: From the same viewpoint, Preferably it is 90.0 mass % or less, More preferably, it is 88.0 mass % or less, More preferably, it is 85.0 mass % or less. am.

본 개시에 있어서의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 성분 a 중의 함유량 (디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르가 복수 종류인 경우에는 그 복수 종류의 글리콜에테르의 합계 함유량) 은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사의 세정성 향상 관점에서 바람직하게는 50.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 40.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 30.0 질량% 이하, 보다 더 바람직하게는 20.0 질량% 이하이다.The content in component a of glycol ethers other than diethylene glycol monobutyl ether in the present disclosure (when there are multiple types of glycol ethers other than diethylene glycol monobutyl ether, the total content of the plural types of glycol ethers) is one Or in some embodiments, preferably 50.0 mass% or less, more preferably 40.0 mass% or less, still more preferably 30.0 mass% or less, even more preferably 20.0 mass% or less, from the viewpoint of improving the cleaning property of the flux residue. is below.

본 개시에 있어서의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 세정제 C 중의 함유량 (디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르가 복수 종류인 경우에는 그 복수 종류의 글리콜에테르의 합계 함유량) 은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사의 세정성 향상 관점에서 바람직하게는 1.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 3.0 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 4.0 질량% 이상이고, 그리고 바람직하게는 40 질량% 이하, 보다 바람직하게는 30.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 16.0 질량% 이하이다.The content in the detergent C of glycol ethers other than diethylene glycol monobutyl ether in the present disclosure (when there are multiple types of glycol ethers other than diethylene glycol monobutyl ether, the total content of the plural types of glycol ethers) is one Or, in the plurality of embodiments, preferably 1.0 mass% or more, more preferably 3.0 mass% or more, still more preferably 4.0 mass% or more, and preferably 40 mass% or more, from the viewpoint of improving the cleaning property of the flux residue. Hereinafter, more preferably, it is 30.0 mass % or less, More preferably, it is 16.0 mass % or less.

[세정제 C 의 성분 b][Component b of cleaning agent C]

본 개시에 있어서의 세정제 C 중의 성분 b 는 알칸올아민이다. 성분 b 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성의 관점에서 하기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 일 또는 복수의 화합물로 이루어지는 것이 바람직하다.The component b in the detergent C in this indication is an alkanolamine. Component b, in one or more embodiments, is preferably composed of one or more compounds represented by the following general formula (III) from the viewpoint of cleaning properties against flux residues.

[화학식 4] [Formula 4]

Figure 112015043977549-pat00003
Figure 112015043977549-pat00003

(식 (Ⅲ) 중, R4 는 수소원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R5 는 수소원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R6 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.) (In formula (III), R 4 represents at least one selected from the group consisting of a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group and an aminoethyl group, and R 5 is a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group and an ethyl group. At least 1 type selected from the group which consists of is represented, and R<6> represents at least 1 type chosen from the group which consists of a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group.)

성분 b 의 알칸올아민으로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 모노에탄올아민, 디에탄올아민과, 이것들의 알킬화물 및 이것들의 아미노알킬화물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 성분 b 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 모노메틸모노에탄올아민, 모노메틸디에탄올아민, 디메틸모노에탄올아민, 모노에틸모노에탄올아민, 모노에틸디에탄올아민, 모노프로필디에탄올아민 및 모노아미노에틸이소프로판올아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 디에탄올아민, 모노에틸모노에탄올아민, 모노메틸디에탄올아민 및 모노아미노에틸이소프로판올아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 모노에틸모노에탄올아민 및 모노메틸디에탄올아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하다.As an alkanolamine of component b, in one or some embodiment, at least 1 sort(s) selected from the group which consists of monoethanolamine, a diethanolamine, these alkylates, and these aminoalkylates is mentioned . Component b is, in one or more embodiments, monoethanolamine, diethanolamine, monomethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine, dimethylmonoethanolamine, monoethylmonoethanolamine, from the viewpoint of improving cleaning properties for flux residues. At least one selected from the group consisting of ethanolamine, monoethyldiethanolamine, monopropyldiethanolamine and monoaminoethylisopropanolamine is preferable, and diethanolamine, monoethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine and monoamino At least one kind selected from the group consisting of ethylisopropanolamine is more preferable, and at least one kind selected from the group consisting of monoethylmonoethanolamine and monomethyldiethanolamine is more preferable.

세정제 C 중의 성분 b 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 바람직하게는 0.3 질량% 이상이고, 보다 바람직하게는 0.5 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 질량% 이상이다. 세정제 C 중의 성분 b 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 바람직하고 5.0 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 4.5 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 4.0 질량% 이하, 더욱 보다 바람직하게는 3.5 질량% 이하이다. 세정제 C 중의 성분 b 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 바람직하게는 0.3 질량% 이상 5.0 질량% 이하로서, 보다 바람직하게는 0.5 질량% 이상 4.5 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1.0 질량% 이상 4.0 질량% 이하, 더욱 보다 바람직하게는 1.0 질량% 이상 3.5 질량% 이하이다. 상기 서술한 바와 같이, 성분 b 로는 상기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 일 또는 복수의 화합물을 사용할 수 있다. 성분 b 에 해당하는 화합물은 다른 성분 (예를 들어 후술하는 성분 d 의 염) 으로부터 발생되는 것도 포함한다.The content of the component b in the cleaning agent C is, in one or more embodiments, preferably 0.3 mass% or more, more preferably 0.5 mass% or more, still more preferably from the viewpoint of improving the cleaning property with respect to the flux residue. It is 1.0 mass % or more. Content of the component b in the detergent C is one or some embodiment WHEREIN: From the same viewpoint, it is preferable, and is 5.0 mass % or less, More preferably, it is 4.5 mass % or less, More preferably, it is 4.0 mass % or less, More preferably, it is 4.0 mass % or less. Preferably, it is 3.5 mass % or less. Content of the component b in the detergent C is from the same viewpoint in one or more embodiment, Preferably it is 0.3 mass % or more and 5.0 mass % or less, More preferably, it is 0.5 mass % or more and 4.5 mass % or less, More preferably is 1.0 mass% or more and 4.0 mass% or less, and more preferably 1.0 mass% or more and 3.5 mass% or less. As described above, as the component b, one or a plurality of compounds represented by the general formula (III) can be used. Compounds corresponding to component b include those generated from other components (eg, salts of component d described later).

[세정제 C 의 성분 c][Component c of cleaning agent C]

본 개시에 있어서의 세정제 C 중의 성분 c 는 전극의 변색 억제의 관점에서 상기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물이고, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 상기 일반식 (I) 로 나타내는 일 또는 복수의 이미다졸 화합물로 이루어진다.Component c in the cleaning agent C in the present disclosure is an imidazole compound represented by the general formula (I) from the viewpoint of suppressing discoloration of the electrode, and in one or a plurality of embodiments, one represented by the general formula (I) or It consists of a plurality of imidazole compounds.

상기 일반식 (I) 의 R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다. 상기 일반식 (I) 중에 나타내는 R1 은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 수소원자, 치환 혹은 무치환의 탄소수 5 ∼ 22 의 아릴기, 치환 혹은 무치환의 탄소수 1 ∼ 22 의 알킬기 및 치환 혹은 무치환의 탄소수 1 ∼ 22 의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 알킬기 및 알케닐기는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 직사슬형 혹은 분기 사슬형이다. R 1 , R 2 and R 3 in the general formula (I) represent at least one selected from a hydrogen atom and a hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms, respectively. R 1 represented in the general formula (I) is, in one or more embodiments, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 5 to 22 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, and substituted Or it is preferable that it is at least 1 sort(s) chosen from an unsubstituted C1-C22 alkenyl group. The alkyl group and the alkenyl group as used herein are linear or branched in one or more embodiments.

상기 일반식 (I) 중에 나타내는 R2 및 R3 은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 서로 독립적으로 동일하거나 또는 상이하고, 수소원자, 치환 혹은 무치환의 탄소수 5 ∼ 22 의 아릴기 및 치환 혹은 무치환의 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다. R 2 and R 3 represented in the general formula (I), in one or more embodiments, are the same or different from each other independently of each other, and are a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C5-C22 aryl group, and a substituted Or it is preferable that it is at least 1 sort(s) chosen from an unsubstituted C1-C8 alkyl group.

상기의 치환이란 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 일 또는 복수의 할로겐 원자에 의한 치환, 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기에 의한 치환을 들 수 있다.In one or more embodiment of said substitution, substitution by one or a plurality of halogen atoms or substitution by a C1-C6 alkyl group is mentioned.

단, 상기 일반식 (I) 중에 나타내는 R1, R2 및 R3 이 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동시에 아릴기인 경우를 제외한다.However, in one or more embodiment, the case where R<1> , R<2> and R<3> shown in the said General formula (I) is an aryl group simultaneously is excluded.

성분 c 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 변색 억제 관점에서 이미다졸, 메틸이미다졸, 탄소수 11 의 알킬기로 치환된 이미다졸, 메틸에틸이미다졸 및 페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다.Component c is selected from the group consisting of imidazole, methylimidazole, imidazole substituted with an alkyl group having 11 carbon atoms, methylethylimidazole and phenylimidazole from the viewpoint of suppressing discoloration of the electrode in one or more embodiments At least one species is preferred.

구체적으로는, 성분 c 로는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-프로필이미다졸, 2-이소프로필이미다졸, 2-부틸이미다졸, 2-t-부틸이미다졸, 2-펜틸이미다졸, 2-헥실이미다졸, 2-헵틸이미다졸, 2-옥틸이미다졸, 2-노닐이미다졸, 2-데실이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-도데실이미다졸, 2-트리데실이미다졸, 2-테트라데실이미다졸, 2-펜타데실이미다졸, 2-헥사데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-(1-메틸펜틸)이미다졸, 2-(1-에틸펜틸)이미다졸, 2-(1-헵틸데실)이미다졸, 2-(5-헥세닐)이미다졸, 2-(9-옥테닐)이미다졸, 2-(8-헵타데세닐)이미다졸, 2-(4-클로로부틸)이미다졸, 2-(9-하이드록시노닐)이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-운데실-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-(1-나프틸)이미다졸, 2-(1-나프틸) -4-메틸이미다졸, 2-(2-나프틸)이미다졸, 2-(2-나프틸)-4-메틸이미다졸, 2-메틸-4-페닐이미다졸, 4-페닐이미다졸, 4-메틸이미다졸, 4-이소프로필이미다졸, 4-옥틸이미다졸, 2,4,5-트리메틸이미다졸, 4,5-디메틸-2-옥틸이미다졸, 2-운데실-4-메틸-5-브로모 이미다졸 및 4,5-디클로로-2-에틸이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다.Specifically, as component c, in one or more embodiments, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-propylimidazole, 2-isopropylimidazole, 2- Butylimidazole, 2-t-butylimidazole, 2-pentylimidazole, 2-hexylimidazole, 2-heptylimidazole, 2-octylimidazole, 2-nonylimidazole, 2 -decylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-dodecylimidazole, 2-tridecylimidazole, 2-tetradecylimidazole, 2-pentadecylimidazole, 2-hexadecyl Imidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-(1-methylpentyl)imidazole, 2-(1-ethylpentyl)imidazole, 2-(1-heptyldecyl)imidazole, 2-(5- Hexenyl)imidazole, 2-(9-octenyl)imidazole, 2-(8-heptadecenyl)imidazole, 2-(4-chlorobutyl)imidazole, 2-(9-hydroxynonyl)imidazole Dazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-undecyl-4-methylimidazole, 2-heptadecyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4- Methylimidazole, 2-(1-naphthyl)imidazole, 2-(1-naphthyl)-4-methylimidazole, 2-(2-naphthyl)imidazole, 2-(2-naphthyl) )-4-methylimidazole, 2-methyl-4-phenylimidazole, 4-phenylimidazole, 4-methylimidazole, 4-isopropylimidazole, 4-octylimidazole, 2 ,4,5-trimethylimidazole, 4,5-dimethyl-2-octylimidazole, 2-undecyl-4-methyl-5-bromoimidazole and 4,5-dichloro-2-ethylimida It is at least 1 type selected from the group which consists of sol.

성분 c 로서 전극의 변색 억제 관점에서 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 및 4-페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 및 4-페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 및 2-페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 더욱 바람직하고, 2-메틸이미다졸 및 2-에틸-4-메틸이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 더 바람직하다.As component c, imidazole, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylimida from the viewpoint of inhibiting discoloration of the electrode At least one selected from the group consisting of sol and 4-phenylimidazole is preferable, and imidazole, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2- At least one selected from the group consisting of phenylimidazole and 4-phenylimidazole is more preferable, and from the group consisting of 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole and 2-phenylimidazole At least one selected from the group consisting of 2-methylimidazole and 2-ethyl-4-methylimidazole is more preferred than at least one selected from the group consisting of 2-methylimidazole and 2-ethyl-4-methylimidazole.

세정제 C 중의 성분 c 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 변색 억제의 관점에서 0.005 질량% 이상이고, 바람직하게는 0.01 질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05 질량% 이상이다. 세정제 C 중의 성분 c 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 변색 억제 관점에서 4.0 질량% 이하이고, 바람직하게는 3.5 질량% 이하, 보다 바람직하게는 3.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 2.0 질량% 이하이다. 세정제 C 중의 성분 c 의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 변색 억제 관점에서 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하로서, 바람직하게는 0.01 질량% 이상 3.5 질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.01 질량% 이상 3.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.05 질량% 이상 2.0 질량% 이하이다. 상기 서술한 바와 같이, 성분 c 로는 상기 일반식 (I) 로 나타내는 일 또는 복수의 이미다졸 화합물을 사용할 수 있다.Content of the component c in the cleaning agent C is 0.005 mass % or more from a viewpoint of discoloration suppression of an electrode in one or some embodiment, Preferably it is 0.01 mass % or more, More preferably, it is 0.05 mass % or more. Content of the component c in the cleaning agent C is 4.0 mass % or less from a viewpoint of discoloration suppression of an electrode in one or some embodiment, Preferably it is 3.5 mass % or less, More preferably, it is 3.0 mass % or less, More preferably is 2.0 mass% or less. Content of the component c in the detergent C is 0.005 mass % or more and 4.0 mass % or less from a viewpoint of discoloration suppression of an electrode in one or some embodiment, Preferably it is 0.01 mass % or more and 3.5 mass % or less, More preferably 0.01 mass % or more and 3.0 mass % or less, More preferably, they are 0.05 mass % or more and 2.0 mass % or less. As described above, as the component c, one or a plurality of imidazole compounds represented by the general formula (I) can be used.

[세정제 C 의 물][Water of cleaning agent C]

세정제 C 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 물을 함유한다. 물은 증류수, 이온 교환수, 또는 초순수 등이 사용될 수 있다. 세정제 C 중의 물의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 인화성을 저감하는 관점에서 바람직하게는 5.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 5.5 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 6.5 질량% 이상이다. 세정제 C 중의 물의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 바람직하게는 12.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 11.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10.0 질량% 이하이다. 세정제 C 중의 물의 함유량은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성을 향상시키고 인화성을 저감하는 관점에서 바람직하게는 5.0 질량% 이상 12.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 5.5 질량% 이상 11.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 6.5 질량% 이상 10.0 질량% 이하이다.Detergent C contains water in one or more embodiments. Distilled water, ion-exchanged water, or ultrapure water may be used as the water. Content of the water in the washing|cleaning agent C becomes like this from a viewpoint of reducing flammability in one or some embodiment. Preferably it is 5.0 mass % or more, More preferably, it is 5.5 mass % or more, More preferably, it is 6.5 mass % or more. The content of water in the detergent C is, in one or more embodiments, preferably 12.0 mass% or less, more preferably 11.0 mass% or less, still more preferably 10.0 mass% or less, from the viewpoint of improving the cleaning property with respect to the flux residue. is below. The content of water in the detergent C is preferably 5.0 mass% or more and 12.0 mass% or less, more preferably 5.5 mass% or more, from the viewpoint of improving the cleaning property to the flux residue and reducing the flammability in one or more embodiments. It is 11.0 mass % or more, More preferably, it is 6.5 mass % or more and 10.0 mass % or less.

[세정제 C 의 성분 d][Component d of cleaning agent C]

세정제 C 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 벤젠술폰산 (알킬벤젠술폰산) 및 그 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 성분 d 를 함유해도 된다. 알킬벤젠술폰산 중에 복수의 알킬기를 가져도 되고, 그 경우에는 복수의 알킬기의 합계 탄소수는 1 ∼ 6 이다. 성분 d 에 있어서의 알킬기의 탄소수는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 관점에서 1 ∼ 6 이며, 1 ∼ 4 가 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 보다 더 바람직하다. 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 알킬벤젠술폰산의 염으로는, 세정제 조성물로서 허용되는 관점에서 나트륨, 칼륨 등의 알칼리 금속염, 암모늄염 및 유기 아민염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 반도체 품질의 안정성 관점에서 암모늄염 및 유기 아민염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 더욱 바람직하다. 유기 아민염이 성분 b 의 알칸올아민염이어도 된다.In one or more embodiments, the detergent C is at least one component selected from the group consisting of benzenesulfonic acid (alkylbenzenesulfonic acid) having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and salts thereof from the viewpoint of improving the cleaning properties of the flux residue. d may be included. You may have a some alkyl group in alkylbenzenesulfonic acid, and total carbon number of a some alkyl group is 1-6 in that case. The number of carbon atoms of the alkyl group in the component d is 1 to 6, preferably 1 to 4, more preferably 1 to 3, from the viewpoint of improving the cleaning power to the flux residue in one or more embodiments. or 2 is more preferable, and 1 is even more preferable. The salt of alkylbenzenesulfonic acid having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferably at least one selected from the group consisting of alkali metal salts such as sodium and potassium, ammonium salts and organic amine salts from the viewpoint of being acceptable as a cleaning composition, and semiconductor quality At least one selected from the group consisting of ammonium salts and organic amine salts is more preferable from the viewpoint of stability. The organic amine salt may be the alkanolamine salt of component b.

성분 d 로는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 관점에서 톨루엔술폰산, 자일렌술폰산, 에틸벤젠술폰산, 프로필벤젠술폰산, 이소프로필벤젠술폰산, 부틸벤젠술폰산, 펜틸벤젠술폰산, 헥실벤젠술폰산, 2,4-디메틸벤젠술폰산, 디프로필벤젠술폰산, 및 이것들의 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 이것들의 알킬기의 치환 위치는 오르토 위치, 메타 위치, 파라 위치의 어느 것이어도 된다. 성분 d 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 동일한 관점에서 p-톨루엔술폰산, 자일렌술폰산, 에틸벤젠술폰산, 부틸벤젠술폰산, 및 이것들의 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, p-톨루엔술폰산이 더욱 바람직하다.Component d is, in one or more embodiments, toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, ethylbenzenesulfonic acid, propylbenzenesulfonic acid, isopropylbenzenesulfonic acid, butylbenzenesulfonic acid, pentylbenzenesulfonic acid, At least 1 sort(s) chosen from the group which consists of hexylbenzenesulfonic acid, 2, 4- dimethylbenzenesulfonic acid, dipropylbenzenesulfonic acid, and these salts is mentioned. Any of the ortho position, the meta position, and the para position may be sufficient as the substitution position of these alkyl groups. Component d is more preferably at least one selected from the group consisting of p-toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, ethylbenzenesulfonic acid, butylbenzenesulfonic acid, and salts thereof from the same viewpoint in one or more embodiments, p -Toluenesulfonic acid is more preferable.

세정제 C 중의 성분 d 의 함유량 (성분 d 가 염인 경우의 세정제 C 중의 성분 d 의 함유량은 산형 (酸型) 으로 환산한 함유량) 은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 0.3 질량% 이상 5.0 질량% 이하이고, 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 관점에서 바람직하게는 0.4 질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5 질량% 이상이며, 그리고, 동일한 관점에서 바람직하게는 4.5 질량% 이하, 보다 바람직하게는 4.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3.0 질량% 이하이다. 성분 d 는 일 또는 복수의 알킬벤젠술폰산 및/또는 그 염을 사용할 수 있다.Content of the component d in the detergent C (content of the component d in the detergent C in case component d is a salt converted into the acid form) In one or some embodiment, 0.3 mass % or more and 5.0 mass % or less, preferably 0.4 mass % or more, more preferably 0.5 mass % or more, from the viewpoint of improving the cleaning power against flux residues, and from the same viewpoint, preferably 4.5 mass % or less, more preferably 4.0 mass % or more % or less, more preferably 3.0 mass% or less. Component d may use one or more alkylbenzenesulfonic acids and/or salts thereof.

세정제 C 에 있어서 성분 a, b 및 c 의 질량비 (성분 a/성분 b/성분 c) 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 세정제 조성물의 취급성 및 플럭스 잔사에 대한 세정력의 향상 관점에서 바람직하게는 90 ∼ 98/0.5 ∼ 4/0.05 ∼ 4 이다. 단, 성분 a, 성분 b, 성분 c 의 합계는 100.0 이다.In the detergent C, the mass ratio of components a, b, and c (component a/component b/component c) is, in one or more embodiments, preferably from the viewpoint of improving handleability of the cleaning composition and cleaning power against flux residues. is 90 to 98/0.5 to 4/0.05 to 4. However, the sum of component a, component b, and component c is 100.0.

[세정제 C 의 그 밖의 성분][Other components of cleaning agent C]

세정제 C 중의 그 밖의 성분으로서 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 필요에 따라서, 통상적으로 세정제에 사용되는 하이드록시에틸아미노아세트산, 하이드록시에틸이미노2아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산 또는 이것들의 염 등의 아미노카르복실산염계로 대표되는 킬레이트제, 방부제, 녹방지제, 살균제, 항균제, 실리콘계 소포제, 산화 방지제, 야자지방산메틸이나 아세트산벤질 등의 에스테르 혹은 알코올류 등을 적절히 사용할 수 있다.As other components in the detergent C, hydroxyethylaminoacetic acid, hydroxyethyliminodiacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, salts thereof, etc., which are normally used in detergents as needed, within the scope not impairing the effects of the present invention. A chelating agent typified by the aminocarboxylate of aminocarboxylate, a preservative, a rust inhibitor, a bactericide, an antibacterial agent, a silicone antifoaming agent, an antioxidant, an ester or alcohol such as methyl palm fatty acid or benzyl acetate can be appropriately used.

[세정제 C 의 조제 방법][Method for preparing cleaning agent C]

본 개시에 관련된 세정제 조성물은 그 조제 방법에 특별히 제한이 없고, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 성분 a, 성분 b, 성분 c 및 물, 더욱 요약하면 성분 d 나 그 밖의 성분을 혼합함으로써 조제할 수 있다. 세정제 C 는 첨가 작업, 저장 및 수송의 관점에서 농축액으로서 제조 및 보관하고, 사용시에 성분 a, 성분 b 및 성분 c 가 전술한 세정시의 세정액 중의 함유량이 되도록 물로 희석하여 사용할 수 있다. 농축 배율로는 첨가 작업 및 보존 안정성의 관점에서 바람직하게는 50 배 이상, 보다 바람직하게는 67 배 이상, 더욱 바람직하게는 90 배 이상이고, 그리고, 저장 및 수송의 관점에서 바람직하게는 200 배 이하, 보다 바람직하게는 150 배 이하, 더욱 바람직하게는 110 배 이하이다. 희석할 물의 양의 계량을 용이하게 하는 관점에서, 예를 들어 100 배 농축액을 들 수 있다. 본 개시에 있어서, 세정제 C 의 100 배 농축액의 형태로서 개시된 세정제는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 세정시에 바람직하게는 1/50 ∼ 1/200 의 농도, 보다 바람직하게는 1/67 ∼ 1/150 의 농도, 더욱 바람직하게는 1/90 ∼ 1/110 의 농도, 보다 더 바람직하게는 1/100 의 농도로 희석되어 세정제 C 로서 사용될 수 있다. 희석용의 물은 증류수, 이온 교환수, 순수 및 초순수 등이 사용될 수 있다. 본 개시에 있어서 「세정시」란 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 세정을 행할 때를 말한다. 본 개시에 있어서 농축액의 세정제 조성물의 「세정시」란 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 희석된 상태를 말한다.The cleaning composition according to the present disclosure is not particularly limited in its preparation method, and in one or more embodiments, it can be prepared by mixing component a, component b, component c, and water, more briefly, component d or other components. can The cleaning agent C can be prepared and stored as a concentrate from the viewpoint of addition operation, storage and transport, and diluted with water so that the components a, component b and component c become the contents in the cleaning liquid at the time of cleaning described above at the time of use. The concentration magnification is preferably 50 times or more, more preferably 67 times or more, still more preferably 90 times or more from the viewpoint of addition operation and storage stability, and preferably 200 times or less from the viewpoint of storage and transport. , more preferably 150 times or less, still more preferably 110 times or less. From the viewpoint of facilitating the measurement of the amount of water to be diluted, for example, a 100-fold concentrated solution is exemplified. In the present disclosure, the cleaning agent disclosed in the form of a 100-fold concentrate of the cleaning agent C, in one or more embodiments, preferably has a concentration of 1/50 to 1/200, more preferably 1/67 at the time of cleaning. It can be diluted to a concentration of - 1/150, more preferably of 1/90 - 1/110, even more preferably of 1/100 and used as the detergent C. Dilution water may be distilled water, ion-exchanged water, pure water or ultrapure water. In this indication, "at the time of washing|cleaning" means the time of washing|cleaning in one or some embodiment. In this indication, "at the time of washing|cleaning" of the cleaning composition of a concentrate means the state diluted in one or some embodiment.

[세정제 C 의 pH][pH of cleaning agent C]

본 개시에 관련된 세정제 조성물의 pH 는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 점에서 바람직하게는 pH 8 이상 pH 14 이하이고, 추가로 부식을 억제하는 관점에서 보다 바람직하게는 pH 8 이상 pH 12 이하, 더욱 바람직하게는 pH 8 이상 pH 10 이하, 보다 더 바람직하게는 pH 8 이상 pH 9 이하이다. pH 는 필요에 따라서 질산, 황산 등의 무기산, 옥시카르복실산, 다가 카르복실산, 아미노폴리카르복실산, 아미노산 등의 성분 d 이외의 유기산, 이것들의 금속염 및 암모늄염이나, 암모니아, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 아민 등의 성분 b 이외의 염기성 물질을 적절히 소망량을 배합함으로써 조정할 수 있다.The pH of the cleaning composition according to the present disclosure is, in one or more embodiments, preferably pH 8 or more and pH 14 or less, from the viewpoint of improving the cleaning power against flux residues, and more preferably from the viewpoint of suppressing corrosion. Preferably, it is pH 8 or more and pH 12 or less, More preferably, it is pH 8 or more and pH 10 or less, Even more preferably, it is pH 8 or more and pH 9 or less. The pH is, if necessary, inorganic acids such as nitric acid and sulfuric acid, organic acids other than component d such as oxycarboxylic acid, polyhydric carboxylic acid, aminopolycarboxylic acid, and amino acid, metal salts and ammonium salts thereof, ammonia, sodium hydroxide, and hydroxide Basic substances other than component b, such as potassium and an amine, can be adjusted by mix|blending a desired amount suitably.

상기 서술한 세정제 C 를 사용하여 실시되는, 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법의 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 대해서, 도 1 을 참조하여 설명한다.One or some embodiment which is not limited of the manufacturing method of the circuit board in which solder was solidified which is implemented using the cleaning agent C mentioned above is demonstrated with reference to FIG.

[공정 (1)][Process (1)]

공정 (1) 은 일방의 주면 상에 제 1 영역의 전극을 구비하고, 타방의 주면 상에 제 2 영역의 전극을 구비하는 회로 기판의 적어도 제 1 영역의 전극을, 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제 A 로 처리하는 공정이다 (도 1 참조).Step (1) is a metal containing an imidazole compound for at least a first region electrode of a circuit board comprising an electrode of a first region on one main surface and an electrode of a second region on the other main surface. It is a process processed with the processing agent A (refer FIG. 1).

공정 (1) 에서 사용하는 회로 기판은, 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 반도체 패키지에 있어서 인터포저로서 사용되는 기판을 포함한다. 공정 (1) 에서 사용하는 「지지 기재의 제 1 영역 및 제 2 영역에 회로를 형성하는 전극을 갖는 회로 기판」은, 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 플립 칩 실장에 사용하는 회로 기판이다. 공정 (1) 에서 사용하는 회로 기판은, 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 땜납 범프가 형성되어야 할 전극의 영역을 복수 구비하는 회로 기판이다.The circuit board used in the process (1) includes the board|substrate used as an interposer in a semiconductor package in one or some embodiment which is not limited. The "circuit board having electrodes which form a circuit in the 1st area|region and 2nd area|region of a support base material" used in the process (1) is not limited, In one or some embodiment, the circuit board used for flip-chip mounting. am. The circuit board used in the process (1) is a circuit board provided with two or more regions of the electrode in which a solder bump should be formed in one or some embodiment which is not limited.

공정 (1) 에서 사용하는 회로 기판의 전극의 금속으로는, 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 구리, 구리 합금을 들 수 있다. 회로 기판의 전극은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 땜납이 고화되는 부위이다.As a metal of the electrode of the circuit board used at a process (1), copper and a copper alloy are mentioned in one or some embodiment which is not limited. An electrode of a circuit board is a site|part where solder is solidified in one or some embodiment.

[공정 (1) 의 금속 처리제 A][Metal treatment agent A in step (1)]

공정 (1) 의 금속 처리제 A 는 이미다졸 화합물을 함유하는 금속의 표면 처리제이다. 금속 처리제 A 로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 공지된 표면 처리제 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2007-308776호에 개시된 것) 및 향후 개발되는 것을 사용할 수 있다. 금속 처리제 A 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 금속의 산화를 억제할 수 있는 화성 피막을 금속 표면에 형성할 수 있는 처리제이다. 공정 (1) 은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 금속 표면의 수용성 프리플럭스 처리이다.The metal treatment agent A of the step (1) is a metal surface treatment agent containing an imidazole compound. As metal treatment agent A, a well-known surface treatment agent (For example, the thing disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-308776) and future developed can be used in one or some embodiment. The metal processing agent A is a processing agent which can form in the metal surface the chemical conversion film which can suppress oxidation of a metal in one or some embodiment. Step (1) is water-soluble preflux treatment of the metal surface in one or more embodiments.

금속 처리제 A 로는 이미다졸 화합물을 함유하는 것이다. 금속 처리제 A 중의 이미다졸 화합물의 함유량은 바람직하게는 0.01 질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1 질량% 이상이고, 그리고 바람직하게는 10 질량% 이하, 보다 바람직하게는 5 질량% 이하이다.The metal processing agent A contains an imidazole compound. Content of the imidazole compound in metal processing agent A becomes like this. Preferably it is 0.01 mass % or more, More preferably, it is 0.1 mass % or more, Preferably it is 10 mass % or less, More preferably, it is 5 mass % or less.

금속 처리제 A 에 함유되는 이미다졸 화합물로는, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 및 4-페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 및 4-페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 및 2-페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 더욱 보다 바람직하고, 2-메틸이미다졸 및 2-에틸-4-메틸이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 더욱 보다 바람직하다.Examples of the imidazole compound contained in the metal treatment agent A include imidazole, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 4-methylimidazole, and 2- At least one selected from the group consisting of phenylimidazole and 4-phenylimidazole is preferable, and imidazole, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, and 2-ethyl-4-methylimidazole , at least one selected from the group consisting of 2-phenylimidazole and 4-phenylimidazole is more preferable, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole and 2-phenylimidazole At least one kind selected from the group consisting of is still more preferable, and at least one kind selected from the group consisting of 2-methylimidazole and 2-ethyl-4-methylimidazole is even more preferable.

금속 처리제 A 는 이미다졸 화합물을 물에 용해 (수용액화) 시키는 관점에서, 유기산 또는 무기산을 함유하는 것이 바람직하다. 유기산으로는 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 글리옥실산, 피루브산, 아세토아세트산, 레불린산, 헵탄산, 카프릴산, 카프르산, 라우르산, 글리콜산, 글리세린산, 락트산, 아크릴산, 메톡시아세트산, 에톡시아세트산, 프로폭시아세트산, 부톡시아세트산, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산, 2-[2-(2-에톡시에톡시)에톡시]아세트산, 2-{2-[2-(2-에톡시에톡시)에톡시]에톡시}아세트산, 3-메톡시프로피온산, 3-에톡시프로피온산, 3-프로폭시프로피온산, 3-부톡시프로피온산, 벤조산, 파라니트로벤조산, 파라톨루엔술폰산, 살리실산, 피크르산, 옥살산, 숙신산, 말레산, 푸마르산, 타르타르산, 아디프산 등을 들 수 있다. 무기산으로는 염산, 인산, 황산, 질산 등을 들 수 있다. 산의 함유량은 금속 처리제 A 중 바람직하게는 0.1 질량% 이상, 보다 바람직하게는 1 질량% 이상이고, 바람직하게는 50 질량% 이하, 보다 바람직하게는 30 질량% 이하이다. 유기산 또는 무기산은 염의 형태로 사용할 수 있다. 유기산 또는 무기산의 염으로는, 예를 들어 암모늄염 및 금속염을 들 수 있다. 금속염으로는 나트륨염, 아연염, 철염, 알루미늄염 등을 들 수 있다.It is preferable that the metal processing agent A contains an organic acid or an inorganic acid from a viewpoint of making an imidazole compound melt|dissolve (aqueous solution) in water. Organic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, glyoxylic acid, pyruvic acid, acetoacetic acid, levulinic acid, heptanoic acid, caprylic acid, capric acid, lauric acid, glycolic acid, glyceric acid, lactic acid, acrylic acid, and methyl acid. Toxyacetic acid, ethoxyacetic acid, propoxyacetic acid, butoxyacetic acid, 2-(2-methoxyethoxy)acetic acid, 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]acetic acid, 2-{2- [2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethoxy}acetic acid, 3-methoxypropionic acid, 3-ethoxypropionic acid, 3-propoxypropionic acid, 3-butoxypropionic acid, benzoic acid, paranitrobenzoic acid, para toluenesulfonic acid, salicylic acid, picric acid, oxalic acid, succinic acid, maleic acid, fumaric acid, tartaric acid, adipic acid, and the like. Examples of the inorganic acid include hydrochloric acid, phosphoric acid, sulfuric acid, and nitric acid. Content of an acid becomes like this. Preferably it is 0.1 mass % or more in metal processing agent A, More preferably, it is 1 mass % or more, Preferably it is 50 mass % or less, More preferably, it is 30 mass % or less. Organic or inorganic acids may be used in the form of salts. As a salt of an organic acid or an inorganic acid, an ammonium salt and a metal salt are mentioned, for example. Examples of the metal salt include sodium salt, zinc salt, iron salt, and aluminum salt.

또한 금속 처리제 A 는 가용화제로서 유기 용매 등을 함유할 수 있다. 유기 용매로는 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 저급 알코올 ; 아세톤 등의 케톤류 ; N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드류 ; 에틸렌글리콜 등의 글리콜에테르류 ; 등의 물과 자유롭게 혼화되는 것을 들 수 있다.Moreover, the metal treatment agent A can contain an organic solvent etc. as a solubilizer. As an organic solvent, Lower alcohols, such as methanol, ethanol, and isopropyl alcohol; Ketones, such as acetone; amides such as N,N-dimethylformamide; glycol ethers such as ethylene glycol; and those that are freely miscible with water such as these.

[금속 처리제 A 에 의한 처리 방법][Processing method with metal treatment agent A]

공정 (1) 에 있어서의 금속 처리제 A 에 의한 회로 기판의 처리 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 금속 처리제 A 를 회로 기판의 전극에 접촉시키는 것을 포함한다. 전극에 대한 금속 처리제 A 의 접촉 조건으로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 회로 기판의 전극에 액온 10 ∼ 70 ℃ 의 금속 처리제 A 를 1 초 ∼ 10 분의 접촉 시간에서 접촉시키는 양태를 들 수 있다. 접촉 방법으로는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 침지, 분무, 도포 등의 방법을 들 수 있다.In one or some embodiment, the processing method of the circuit board by the metal processing agent A in a process (1) includes making the metal processing agent A contact the electrode of a circuit board. As contact conditions of the metal processing agent A with respect to an electrode, in one or some embodiment, the aspect made to contact the metal processing agent A with a liquid temperature of 10-70 degreeC with the contact time of 1 second - 10 minutes to the electrode of a circuit board is mentioned can As a contact method, methods, such as immersion, spraying, and application|coating, are mentioned in one or some embodiment.

[공정 (2)][Process (2)]

공정 (2) 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (1) 에서 얻어진 회로 기판의 제 1 영역의 전극에 플럭스 B 를 도포하고, 땜납을 배치한 후, 회로 기판을 땜납의 액상선 온도 이상의 온도로 가열하여 땜납층을 용융시키고, 제 1 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정이다 (도 1 참조).In the step (2), in one or more embodiments, the flux B is applied to the electrodes in the first region of the circuit board obtained in the step (1), the solder is placed, and the circuit board is heated above the liquidus temperature of the solder. This is a step of melting the solder layer by heating to a temperature and solidifying the solder on the electrode in the first region (see Fig. 1).

공정 (2) 에서 사용하는 플럭스 B 및 땜납에 대해서는, 땜납과 플럭스 B 의 혼합물인 크림납 (땜납 페이스트) 이어도 되고, 플럭스 B 를 전극에 인쇄/도포하여 각상 (角狀) 이나 구상으로 성형한 땜납을 전극 상에 탑재하는 양태로 사용해도 된다. 본 개시에 있어서의 땜납은 종래의 일반적인 주석-납 공정 땜납 합금도 사용할 수 있는데, 주석-은계, 주석-구리계, 주석-은-구리계 등의 납프리 땜납 합금을 사용하는 것이 바람직하다.The flux B and the solder used in the step (2) may be cream solder (solder paste), which is a mixture of solder and flux B, or solder formed by printing/applying flux B to an electrode to form a square or spherical shape. You may use it in the aspect which mounts on an electrode. As the solder in the present disclosure, a conventional general tin-lead eutectic solder alloy can also be used, but it is preferable to use a lead-free solder alloy such as a tin-silver type, a tin-copper type, or a tin-silver-copper type.

[공정 (2) 의 플럭스 B][Flux B in process (2)]

공정 (2) 에서 사용하는 플럭스 B 에 대해서는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 접속 신뢰성의 관점에서 플럭스 잔사를 세정할 수 있는 것이 바람직하다. 플럭스 잔사를 세정하는 데에는 세정용 플럭스가 좋고, 세정용 플럭스이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 세정용 플럭스로는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공지된 것 또는 향후 개발되는 것을 사용할 수 있다. 세정용 플럭스에 대해서는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 일본 공개특허공보 평9-1388호에 개시되어 있는 것을 사용할 수 있다. 플럭스 B 를 사용한 땜납 범프의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다.Regarding the flux B used in the step (2), in one or more embodiments, it is preferable that the flux residue can be washed from the viewpoint of connection reliability of the electrodes. A cleaning flux is good for cleaning the flux residue, and there is no particular limitation as long as it is a cleaning flux. As the cleaning flux, in one or more embodiments, a known or future developed flux may be used. As the cleaning flux, one disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-1388 can be used in one or more embodiments. The formation method of the solder bump using the flux B is not specifically limited, A well-known method is employable.

플럭스 B 로는 바람직하게는 세정용 플럭스이고, 보다 바람직하게는 세정용 로진계 플럭스이다. 플럭스 B 는 송지 (松脂) 를 주성분으로 함유하는 것으로서, 바람직하게는 송지의 함유량이 50 질량% 이상인 것이다. 플럭스 B 로는 구체적으로는 송지 및 피롤리돈 화합물을 함유하는 플럭스를 들 수 있다. 플럭스 B 중의 송지의 함유량은 바람직하게는 50 질량% 이상이고, 그리고 바람직하게는 97 질량% 이하이다. 피롤리돈 화합물로는 피롤리돈, 및 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기 또는 페닐기를 갖는 2 치환 피롤리돈으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다. 플럭스 B 중의 피롤리돈 화합물의 함유량은 바람직하게는 3 질량%, 보다 바람직하게는 5 질량% 이상이고, 그리고 바람직하게는 40 질량% 이하, 보다 바람직하게는 20 질량% 이하이다. The flux B is preferably a cleaning flux, and more preferably a cleaning rosin-based flux. The flux B contains pine resin as a main component, and preferably has a content of pine resin of 50 mass% or more. Specific examples of the flux B include a flux containing pine resin and a pyrrolidone compound. The content of pine resin in the flux B is preferably 50 mass% or more, and preferably 97 mass% or less. The pyrrolidone compound is preferably at least one selected from the group consisting of pyrrolidone and disubstituted pyrrolidone having an alkyl group or phenyl group having 1 to 10 carbon atoms. The content of the pyrrolidone compound in the flux B is preferably 3 mass%, more preferably 5 mass% or more, and preferably 40 mass% or less, more preferably 20 mass% or less.

플럭스 B 는 용제로서 에스테르를 함유할 수 있다. 플럭스 B 중의 에스테르의 함유량은 바람직하게는 30 질량% 이하, 보다 바람직하게는 10 질량% 이하이다. 에스테르로는 세바크산에스테르, 프탈산에스테르, 아비에틴산에스테르 및 스테아르산에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다.Flux B may contain an ester as a solvent. The content of the ester in the flux B is preferably 30 mass% or less, more preferably 10 mass% or less. As ester, at least 1 sort(s) selected from the group which consists of sebacate ester, phthalic acid ester, abietic acid ester, and stearic acid ester is mentioned.

[공정 (3)][Process (3)]

공정 (3) 은 공정 (2) 에 있어서 얻어진 회로 기판에 부착된 플럭스 잔사를 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정이다. 세정제 C 는 상기 서술한 것이다. 공정 (3) 은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (2) 의 땜납을 고화시킬 때 발생되는 플럭스 잔사를 세정제 C 로 세정하는 공정이다 (도 1 참조). 도 1 에 나타내는 바와 같이, 공정 (3) 의 세정시에는 제 2 영역의 전극에는 땜납이 고화되어 있지 않다. 종래의 플럭스용 세정제 조성물을 사용하면, 공정 (3) 의 세정 후, 땜납이 고화되어 있지 않은 전극이 세정 후의 시간 경과와 함께 혹은 세정 후의 열처리에 의해서 산화 및/또는 변색된다는 문제가 있었다. 세정제 C 를 사용하면, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 땜납이 고화되어 있지 않은 전극의 변색을 억제할 수 있다.The process (3) is a process of washing|cleaning the flux residue adhering to the circuit board obtained in the process (2) using the cleaning agent C. The cleaning agent C was mentioned above. The process (3) is a process of washing|cleaning with the cleaning agent C the flux residue which is generated when the solder of the process (2) is solidified in one or more embodiment (refer FIG. 1). As shown in Fig. 1, the solder is not solidified on the electrode in the second region during the cleaning in the step (3). When the conventional cleaning agent composition for flux is used, after cleaning in the step (3), there is a problem that the electrode in which the solder is not solidified is oxidized and/or discolored with the passage of time after cleaning or by heat treatment after cleaning. If the cleaning agent C is used, discoloration of the electrode in which the solder is not solidified can be suppressed in one or more embodiments.

따라서, 본 개시는 그 밖의 양태에 있어서 세정제 C 에 관한 것이다. 즉, 본 개시는 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제로 처리되고, 땜납이 고화되어 있지 않은 전극과 함께, 세정용 플럭스를 사용하여 땜납이 고화된 전극을 구비하고, 또한 플럭스 잔사를 갖는 회로 기판을 세정하기 위한 플럭스용 세정제 조성물로서, 글리콜에테르 (성분 a) 와, 알칸올아민 (성분 b) 과, 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하의 상기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물 (성분 c) 을 함유하는 플럭스용 세정제 조성물이다.Accordingly, the present disclosure relates to detergent C in another aspect. That is, the present disclosure provides a circuit board comprising an electrode treated with a metal treatment agent containing an imidazole compound and having no solidified solder, and an electrode having solidified solder using a cleaning flux, and also having a flux residue. As a cleaning composition for a flux for cleaning, glycol ether (component a), alkanolamine (component b), and an imidazole compound represented by the general formula (I) of 0.005 mass% or more and 4.0 mass% or less (component c) A detergent composition for flux containing

[세정제 C 에 의한 세정 방법][Cleaning method with cleaning agent C]

공정 (3) 에 있어서의 세정제 C 를 사용한 세정 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 피세정물 (공정 (2) 에서 얻어진 회로 기판) 을 세정제 C 에 접촉시키는 것을 포함한다. 피세정물에 세정제 C 를 접촉시키는 방법, 즉 피세정물을 세정제 C 로 세정하는 방법으로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 초음파 세정 장치의 욕조 내에서 접촉시키는 방법이나, 세정제 C 를 스프레이상으로 사출하여 접촉시키는 방법 (샤워 방식) 등을 들 수 있다. 세정제 C 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 희석하지 않고 그대로 세정에 사용할 수 있다. 본 개시의 세정 방법은 세정제 C 에 피세정물을 접촉시킨 후, 물로 린스하고 건조시키는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The washing|cleaning method using the washing|cleaning agent C in a process (3) includes making the washing|cleaning agent C contact a to-be-cleaned object (circuit board obtained at the process (2)) in one or some embodiment. As a method of bringing the cleaning agent C into contact with the object to be cleaned, that is, the method of cleaning the object to be cleaned with the cleaning agent C, in one or more embodiments, the method of contacting the object to be cleaned in the bathtub of the ultrasonic cleaning device, or spraying the cleaning agent C The method of injecting into an upper part and making it contact (shower method) etc. are mentioned. In one or some embodiment, the cleaning agent C can be used for washing|cleaning as it is without dilution. It is preferable that the cleaning method of the present disclosure includes a step of rinsing with water and drying after contacting the cleaning agent C with the object to be cleaned.

따라서, 본 개시는 그 밖의 양태에 있어서 세정제 C 를 사용한 세정 방법에 관한 것이다. 즉, 본 개시는 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제로 처리되어, 땜납이 고화되어 있지 않은 전극과 함께, 세정용 플럭스를 사용하여 땜납이 고화된 전극을 구비하고, 또한 플럭스 잔사를 갖는 회로 기판의 세정 방법으로서, 상기 회로 기판과, 글리콜에테르 (성분 a), 알칸올아민 (성분 b), 및 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하의 상기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물 (성분 c) 을 함유하는 플럭스용 세정제 조성물 (세정제 C) 을 접촉시키는 것을 포함하는 세정 방법이다.Therefore, this indication relates to the washing|cleaning method using the washing|cleaning agent C in another aspect. That is, the present disclosure relates to an electrode treated with a metal treatment agent containing an imidazole compound, and having an electrode in which solder is not solidified, and an electrode in which solder is solidified using a cleaning flux, and further comprising a circuit board having a flux residue. As a cleaning method, the above circuit board, glycol ether (component a), alkanolamine (component b), and 0.005 mass% or more and 4.0 mass% or less of the imidazole compound (component c) represented by the general formula (I) It is a washing|cleaning method including making the containing cleaning composition for fluxes (cleaning agent C) contact.

[공정 (4)][Process (4)]

공정 (4) 는 공정 (3) 에 이어서 회로 기판의 제 2 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정이다. 공정 (4) 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (3) 의 세정에 의해서 변색이 억제된 전극에 땜납 범프를 형성하는 공정이다. 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (4) 에서 땜납을 고화시킴으로써, 땜납을 고화시켜야 할 전극에 땜납을 고화시킨 회로 기판을 제조할 수 있다 (도 1 참조).The step (4) is a step of solidifying the solder on the electrodes of the second region of the circuit board following the step (3). The step (4) is a step of forming a solder bump on the electrode whose discoloration is suppressed by the washing of the step (3) in one or more embodiments. In one or more embodiments, by solidifying the solder in the step (4), it is possible to manufacture a circuit board in which the solder is solidified on the electrode to which the solder is to be solidified (see FIG. 1 ).

공정 (4) 의 땜납 고화에는 플럭스를 사용하는 것이 바람직하다. 사용하는 플럭스 (플럭스 D) 로는 상기 플럭스 B 를 사용해도 되지만, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 접속 신뢰성 관점에서 플럭스 잔사를 세정할 수 있는 플럭스를 사용하는 것이 바람직하다. 플럭스 잔사를 세정하는 플럭스로는 세정용 플럭스가 바람직하고, 추가로 환경 부하를 고려하면, 수계의 세정제로 플럭스 잔사를 세정할 수 있는 수용성 플럭스가 보다 바람직하다. 수용성 플럭스로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 유기산과 다가 알코올의 에스테르를 함유하는 수용성 플럭스를 들 수 있다. 수용성 플럭스는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공지된 것 또는 향후 개발되는 것을 사용할 수 있다. 수용성 플럭스는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 일본 공개특허공보 2000-42786호의 실시예 6 에 개시된 것을 사용할 수 있다. 플럭스 D 를 사용한 땜납을 고화시키는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다.It is preferable to use a flux for solidification of the solder in step (4). The flux B may be used as the flux (flux D) to be used, but in one or more embodiments, it is preferable to use a flux capable of cleaning the flux residues from the viewpoint of connection reliability of the electrodes. As the flux for cleaning the flux residue, a cleaning flux is preferable, and in consideration of the environmental load, a water-soluble flux capable of cleaning the flux residue with a water-based cleaning agent is more preferable. Examples of the water-soluble flux include, in one or more embodiments, a water-soluble flux containing an ester of an organic acid and a polyhydric alcohol. The water-soluble flux may, in one or more embodiments, be known or developed in the future. As the water-soluble flux, the one disclosed in Example 6 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-42786 may be used in one or a plurality of embodiments. The method of solidifying the solder using the flux D is not specifically limited, A well-known method is employable.

플럭스 D 의 에스테르를 구성하는 유기산으로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 카프르산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 리놀산 및 올레산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 플럭스 D 의 에스테르를 구성하는 다가 알코올로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 부탄디올, 글리세롤 및 폴리글리세롤로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 구체적으로는, 플럭스 D 로서 라우르산폴리글리세린에스테르, 올레산글리세린에스테르, 소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌글리세린지방산에스테르 등을 사용해도 된다.Examples of the organic acid constituting the ester of flux D include, in one or more embodiments, at least one selected from the group consisting of capric acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, linoleic acid and oleic acid. can Examples of the polyhydric alcohol constituting the ester of the flux D include at least one selected from the group consisting of butanediol, glycerol, and polyglycerol in one or more embodiments. Specifically, as the flux D, lauric acid polyglycerin ester, oleic acid glycerin ester, sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene glycerin fatty acid ester, or the like may be used.

플럭스 D 는 용매로서 물, 유기 용매나 다른 첨가제를 함유할 수 있다.Flux D may contain water, organic solvents or other additives as solvents.

공정 (4) 에서 사용하는 플럭스 D 및 땜납에 대해서는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 땜납과 플럭스 D 의 혼합물인 크림납 (땜납 페이스트) 이어도 되고, 플럭스 D 를 전극에 인쇄하여 땜납을 그 부분에 탑재하는 양태이어도 된다. 땜납은 상기 서술한 것을 사용할 수 있다.As for the flux D and the solder used in the step (4), cream solder (solder paste) that is a mixture of the solder and the flux D in one or more embodiments may be used, and the flux D is printed on the electrode to apply the solder to the part. It may be an aspect to be mounted on. The solder mentioned above can be used.

[공정 (E)][Process (E)]

공정 (4) 를 거친 회로 기판에, 땜납 범프를 형성해야 할 전극이 남지 않은 경우, 본 개시에 관련된 제조 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 추가로 세정 공정 (E) 를 포함한다. 즉, 공정 (E) 는 공정 (4) 에서 얻어진 회로 기판의 플럭스 잔사를 세정제 E 로 세정하는 공정이다.When the electrode which should form a solder bump does not remain in the circuit board which passed through the process (4), the manufacturing method which concerns on this indication further includes a washing|cleaning process (E) in one or some embodiment. That is, the process (E) is a process of washing|cleaning the flux residue of the circuit board obtained by the process (4) with the cleaning agent E.

공정 (E) 에 있어서의 세정제 E 로는, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서 물 및 준(準)수계 용제를 들 수 있다. 준수계 용제로는, 한정되지 않은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 물-알코올 혼합 용제, 리모넨-물 혼합 용제, 글리콜에테르-물 혼합 용제 등을 들 수 있다. 세정제 E 를 사용한 세정은 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 상기 서술한 세정제 C 를 사용한 세정과 동일하게 실시할 수 있다.As the washing|cleaning agent E in a process (E), water and a semi-aqueous solvent are mentioned in one or some embodiment. As a semi-aqueous solvent, in one or some embodiment which is not limited, a water-alcohol mixed solvent, a limonene-water mixed solvent, a glycol ether-water mixed solvent, etc. are mentioned. The washing|cleaning using the washing|cleaning agent E can be performed similarly to washing|cleaning using the washing|cleaning agent C mentioned above in one or some embodiment.

[공정 (5)][Process (5)]

공정 (4) 를 거친 후의 회로 기판에, 땜납을 고화시키는 전극 (땜납이 고화되어 있지 않은 전극) 을 포함하는 영역 (예를 들어, 제 3 영역, 제 4 영역 등) 이 남아 있을 경우, 즉 본 개시에 관련된 제법으로 제조하는 대상인 회로 기판이 3 개 이상의 땜납을 고화시키는 전극을 포함하는 구획 (영역) 을 갖고 있을 경우, 본 개시에 관련된 제조 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (3) 및 공정 (4) 를 반복하는 공정 (5) 을 포함할 수 있다. 공정 (5) 는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (4) 를 거친 후의 회로 기판의 플럭스 잔사를 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정과, 세정 후의 회로 기판 상의 제 3 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정을 포함한다. 공정 (5) 에 있어서의 조작은 상기 서술한 공정 (3) 및 공정 (4) 에 있어서의 조작과 동일하게 행할 수 있다. 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 공정 (5) 에 있어서의 조작은 회로 기판 상에 땜납을 고화시켜야 할 전극을 포함하는 영역이 없어질 때까지 반복될 수 있다. 그 후, 상기 서술한 세정 공정 (E) 으로 이행한다.When a region (for example, a third region, a fourth region, etc.) including an electrode that solidifies the solder (the electrode on which the solder is not solidified) remains on the circuit board after the step (4), that is, the present When the circuit board to be manufactured by the manufacturing method according to the disclosure has a compartment (region) including three or more electrodes for solidifying solder, the manufacturing method according to the present disclosure includes, in one or a plurality of embodiments, 3) and step (5) of repeating step (4) may be included. In one or more embodiments, the step (5) is a step of cleaning the flux residue of the circuit board after the step (4) using a cleaning agent C, and soldering the electrodes in the third region on the circuit board after cleaning. a solidifying step. The operation in the step (5) can be performed similarly to the operation in the steps (3) and (4) described above. In one or more embodiments, the operation in step (5) may be repeated until there is no region on the circuit board including the electrode in which the solder is to be solidified. Then, it transfers to the washing|cleaning process (E) mentioned above.

[전자 부품의 제조 방법][Method for manufacturing electronic components]

본 개시는 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 적어도 1 개의 전자 부품을 회로 기판 상에 탑재하는 공정을 포함하고, 상기 회로 기판의 적어도 1 개가 본 개시에 관련된 제조 방법에 의해서 제조된 회로 기판인, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 전자 부품으로는, 예를 들어 반도체 칩, 칩 저항기, 칩 콘덴서, 커넥터 저항체, 칩 코일 혹은 각종 센서 등을 들 수 있다. 전자 부품이 탑재된 회로 기판은 반도체 칩이 탑재되지 않은 반도체 패키지, 반도체 칩이 탑재된 반도체 패키지 및 반도체 장치를 포함한다. 본 개시에 관련된 제조 방법에 의해서 제조된 회로 기판은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 전극의 변색이 억제되어 접속 신뢰성이 향상되어 있기 때문에, 본 개시의 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 신뢰성의 높은 전자 부품이 탑재된 회로 기판을 제조할 수 있게 한다.In one or more embodiments, the present disclosure includes a step of mounting at least one electronic component on a circuit board, wherein at least one of the circuit boards is a circuit board manufactured by a manufacturing method according to the present disclosure, It relates to a method of manufacturing a circuit board on which an electronic component is mounted. As an electronic component, a semiconductor chip, a chip resistor, a chip capacitor, a connector resistor, a chip coil, or various sensors etc. are mentioned, for example. A circuit board on which an electronic component is mounted includes a semiconductor package on which a semiconductor chip is not mounted, a semiconductor package on which a semiconductor chip is mounted, and a semiconductor device. The circuit board manufactured by the manufacturing method which concerns on this indication in one or some embodiment WHEREIN: Since discoloration of an electrode is suppressed and connection reliability is improved, the manufacturing method of the circuit board on which the electronic component of this indication was mounted. Silver enables, in one or more embodiments, to manufacture circuit boards on which highly reliable electronic components are mounted.

상기 서술한 실시형태에 관련된 것으로서, 본 개시는 추가로 이하의 조성물, 제조 방법 혹은 용도를 개시한다.As it relates to embodiment mentioned above, this indication further discloses the following composition, manufacturing method, or use.

<1> 하기 공정 (1) ∼ (4) 를 포함하는, 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법.<1> The manufacturing method of the circuit board in which solder was solidified including the following processes (1)-(4).

(1) 지지 기재의 제 1 영역 및 제 2 영역에 회로를 형성하는 전극을 갖는 회로 기판의 적어도 제 1 영역의 전극을, 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제 A 로 처리하는 공정.(1) Process of treating the electrode of at least 1st area|region of the circuit board which has an electrode which forms a circuit in the 1st area|region and 2nd area|region of a support base material with the metal treatment agent A containing an imidazole compound.

(2) 공정 (1) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 제 1 영역의 전극에 플럭스 B 의 도포 및 땜납의 배치를 한 후, 회로 기판을 땜납의 액상선 온도 이상의 온도로 가열하여 땜납을 용융시키고, 제 1 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.(2) After applying the flux B and arranging the solder to the electrodes in the first region of the circuit board obtained in the step (1), the circuit board is heated to a temperature equal to or higher than the liquidus temperature of the solder to melt the solder, A process of solidifying the solder on the electrode in region 1.

(3) 공정 (2) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 플럭스 잔사를, 글리콜에테르인 성분 a 와, 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하의 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물인 성분 c 를 함유하는 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정.(3) The flux residue of the circuit board obtained in the step (2), the component a which is a glycol ether, the component b which is an alkanolamine, and 0.005 mass % or more and 4.0 mass % or less of an image represented by the following general formula (I) A step of washing using a detergent C containing component c, which is a dazole compound.

[화학식 5] [Formula 5]

Figure 112015043977549-pat00004
Figure 112015043977549-pat00004

(식 (I) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.) (In formula (I), R 1 , R 2 and R 3 each represent at least one selected from the group consisting of a hydrogen atom and a hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms.)

(4) 공정 (3) 에 이어서, 회로 기판의 제 2 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.(4) A step of solidifying the solder on the electrode in the second region of the circuit board following the step (3).

<2> 공정 (2) 에 있어서의 플럭스 B 가 세정용 플럭스인 <1> 에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<2> The method for manufacturing a circuit board according to <1>, wherein the flux B in the step (2) is a cleaning flux.

<3> 공정 (3) 에 있어서의 세정제 C 중의 성분 a 가 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물인 <1> 또는 <2> 에 기재된 회로 기판의 제조 방법.The manufacturing method of the circuit board as described in <1> or <2> whose component a in the cleaning agent C in <3> process (3) is a compound represented by the following general formula (II).

[화학식 6] [Formula 6]

R-O-(CH2CH2O)n-H (Ⅱ) RO-(CH 2 CH 2 O) n -H (II)

(식 (Ⅱ) 중, R 은 탄소수 3 ∼ 8 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 2 또는 3 을 나타낸다.) (In formula (II), R represents a hydrocarbon group having 3 to 8 carbon atoms, and n represents 2 or 3.)

<4> 세정제 C 중의 성분 a 의 함유량이 바람직하게는 80.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 85.0 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 85.5 질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 86.4 질량% 이상인 <1> 내지 <3> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<4> The content of the component a in the <4> detergent C is preferably 80.0 mass% or more, more preferably 85.0 mass% or more, still more preferably 85.5 mass% or more, still more preferably 86.4 mass% or more <1> to <3> The manufacturing method of the circuit board in any one of.

<5> 세정제 C 중의 성분 a 의 함유량이 바람직하게는 90.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 89.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 88.5 질량% 이하인 <1> 내지 <4> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.The content of the component a in the <5> cleaning agent C is preferably 90.0 mass% or less, more preferably 89.0 mass% or less, still more preferably 88.5 mass% or less of the circuit board according to any one of <1> to <4>. manufacturing method.

<6> 세정제 C 중의 성분 a 의 함유량이 바람직하게는 85.0 질량% 이상 89.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 85.5 질량% 이상 89.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 86.4 질량% 이상 88.5 질량% 이하인 <1> 내지 <5> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<6> The content of the component a in the cleaning agent C is preferably 85.0 mass% or more and 89.0 mass% or less, more preferably 85.5 mass% or more and 89.0 mass% or less, still more preferably 86.4 mass% or more and 88.5 mass% or less <1 The manufacturing method of the circuit board in any one of > to <5>.

<7> 세정제 C 중의 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 a 중의 함유량이 바람직하게는 50.0 질량% 이상이고, 보다 바람직하게는 60.0 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70.0 질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 80.0 질량% 이상인 <1> 내지 <6> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.Component a in <7> detergent C contains diethylene glycol monobutyl ether, and content in component a of diethylene glycol monobutyl ether is preferably 50.0 mass% or more, more preferably 60.0 mass% or more, further Preferably it is 70.0 mass % or more, More preferably, it is 80.0 mass % or more, The manufacturing method of the circuit board in any one of <1>-<6>.

<8> 세정제 C 중의 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 a 중의 함유량이 바람직하게는 98.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 95.0 질량% 이하인 <1> 내지 <7> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<8> The component a in the detergent C contains diethylene glycol monobutyl ether, and the content in the component a of the diethylene glycol monobutyl ether is preferably 98.0 mass% or less, more preferably 95.0 mass% or less <1> The manufacturing method of the circuit board in any one of thru|or <7>.

<9> 세정제 C 중의 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 세정제 C 중의 함유량이 바람직하게는 50.0 질량% 이상이고, 보다 바람직하게는 60.0 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70.0 질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 75.0 질량% 이상인 <1> 내지 <8> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<9> The component a in the detergent C contains diethylene glycol monobutyl ether, and the content of the diethylene glycol monobutyl ether in the detergent C is preferably 50.0 mass% or more, more preferably 60.0 mass% or more, further Preferably it is 70.0 mass % or more, More preferably, it is 75.0 mass % or more, The manufacturing method of the circuit board in any one of <1>-<8>.

<10> 세정제 C 중의 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 세정제 C 중의 함유량이 바람직하게는 90.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 88.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 85.0 질량% 이하인 <1> 내지 <9> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<10> The component a in the detergent C contains diethylene glycol monobutyl ether, and the content of the diethylene glycol monobutyl ether in the detergent C is preferably 90.0 mass% or less, more preferably 88.0 mass% or less, still more preferably The manufacturing method of the circuit board in any one of <1>-<9> which is preferably 85.0 mass % or less.

<11> 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 성분 a 중의 함유량이 바람직하게는 50.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 40.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 30.0 질량% 이하, 보다 더 바람직하게는 20.0 질량% 이하인 <1> 내지 <10> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<11> The content of glycol ethers other than diethylene glycol monobutyl ether in component a is preferably 50.0 mass% or less, more preferably 40.0 mass% or less, still more preferably 30.0 mass% or less, still more preferably The manufacturing method of the circuit board in any one of <1>-<10> which is 20.0 mass % or less.

<12> 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 세정제 C 중의 함유량이 바람직하게는 1.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 3.0 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 4.0 질량% 이상인 <1> 내지 <11> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<12> Content in the detergent C of glycol ethers other than diethylene glycol monobutyl ether becomes like this. Preferably it is 1.0 mass % or more, More preferably, it is 3.0 mass % or more, More preferably, it is 4.0 mass % or more <1> to <11. > The manufacturing method of the circuit board in any one of.

<13> 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 세정제 C 중의 함유량이 바람직하게는 40 질량% 이하, 보다 바람직하게는 30.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 16.0 질량% 이하인 <1> 내지 <12> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<13> The content in the detergent C of glycol ethers other than diethylene glycol monobutyl ether is preferably 40 mass% or less, more preferably 30.0 mass% or less, still more preferably 16.0 mass% or less <1> to <12 > The manufacturing method of the circuit board in any one of.

<14> 세정제 C 중의 성분 b 가 하기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물인 <1> 내지 <13> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<14> The method for manufacturing a circuit board according to any one of <1> to <13>, wherein the component b in the cleaning agent C is a compound represented by the following general formula (III).

[화학식 7] [Formula 7]

Figure 112015043977549-pat00005
Figure 112015043977549-pat00005

(식 (Ⅲ) 중, R4 는 수소원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R5 는 수소원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R6 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.) (In formula (III), R 4 represents at least one selected from the group consisting of a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group and an aminoethyl group, and R 5 is a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group and an ethyl group. At least 1 type selected from the group which consists of is represented, and R<6> represents at least 1 type chosen from the group which consists of a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group.)

<15> 세정제 C 중의 성분 b 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량% 이상이고, 보다 바람직하게는 0.5 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 질량% 이상인 <1> 내지 <14> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.Content of component b in <15> cleaning agent C becomes like this. Preferably it is 0.3 mass % or more, More preferably, it is 0.5 mass % or more, More preferably, it is 1.0 mass % or more, The circuit board in any one of <1>-<14>. manufacturing method.

<16> 세정제 C 중의 성분 b 의 함유량이, 바람직하게는 5.0 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 4.5 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 4.0 질량% 이하, 더욱 보다 바람직하게는 3.5 질량% 이하인 <1> 내지 <15> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<16> Content of the component b in the detergent C becomes like this. Preferably it is 5.0 mass % or less, More preferably, it is 4.5 mass % or less, More preferably, it is 4.0 mass % or less, More preferably, it is 3.5 mass % or less <1. The manufacturing method of the circuit board in any one of > to <15>.

<17> 세정제 C 중의 성분 b 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량% 이상 5.0 질량% 이하로서, 보다 바람직하게는 0.5 질량% 이상 4.5 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1.0 질량% 이상 4.0 질량% 이하, 더욱 보다 바람직하게는 1.0 질량% 이상 3.5 질량% 이하인 <1> 내지 <16> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<17> The content of the component b in the detergent C is preferably 0.3 mass% or more and 5.0 mass% or less, more preferably 0.5 mass% or more and 4.5 mass% or less, still more preferably 1.0 mass% or more and 4.0 mass% or less; Still more preferably, they are 1.0 mass % or more and 3.5 mass % or less, The manufacturing method of the circuit board in any one of <1>-<16>.

<18> 공정 (3) 에 있어서의, 세정제 C 중의 성분 c 가 이미다졸, 메틸이미다졸, 탄소수 11 의 알킬기로 치환된 이미다졸, 메틸에틸이미다졸 및 페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 <1> 내지 <17> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<18> In the step (3), component c in the detergent C is selected from the group consisting of imidazole, methylimidazole, imidazole substituted with an alkyl group having 11 carbon atoms, methylethylimidazole and phenylimidazole The manufacturing method of the circuit board in any one of <1>-<17> which is at least 1 type.

<19> 세정제 C 중의 성분 c 의 함유량이 0.005 질량% 이상이고, 바람직하게는 0.01 질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05 질량% 이상인 <1> 내지 <18> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.Content of component c in <19> cleaning agent C is 0.005 mass % or more, Preferably it is 0.01 mass % or more, More preferably, it is 0.05 mass % or more, The manufacturing method of the circuit board in any one of <1>-<18>.

<20> 세정제 C 중의 성분 c 의 함유량이 4.0 질량% 이하이고, 바람직하게는 3.5 질량% 이하, 보다 바람직하게는 3.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 2.0 질량% 이하인 <1> 내지 <19> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<20> Among <1> to <19> whose content of component c in the detergent C is 4.0 mass % or less, Preferably it is 3.5 mass % or less, More preferably, it is 3.0 mass % or less, More preferably, it is 2.0 mass % or less. The manufacturing method of the circuit board as described in any one.

<21> 세정제 C 중의 성분 c 의 함유량이 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하로서, 바람직하게는 0.01 질량% 이상 3.5 질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.01 질량% 이상 3.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.05 질량% 이상 2.0 질량% 이하인 <1> 내지 <20> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<21> Content of component c in detergent C is 0.005 mass % or more and 4.0 mass % or less, Preferably it is 0.01 mass % or more and 3.5 mass % or less, More preferably, 0.01 mass % or more and 3.0 mass % or less, More preferably, The manufacturing method of the circuit board in any one of <1>-<20> which are 0.05 mass % or more and 2.0 mass % or less.

<22> 세정제 C 중의 물의 함유량이 바람직하게는 5.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 5.5 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 6.5 질량% 이상인 <1> 내지 <21> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<22> Content of the water in the cleaning agent C becomes like this. Preferably it is 5.0 mass % or more, More preferably, it is 5.5 mass % or more, More preferably, it is 6.5 mass % or more, The manufacturing method of the circuit board in any one of <1>-<21>. .

<23> 세정제 C 중의 물의 함유량이 바람직하게는 12.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 11.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10.0 질량% 이하인 <1> 내지 <22> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<23> Content of the water in the cleaning agent C becomes like this. Preferably it is 12.0 mass % or less, More preferably, it is 11.0 mass % or less, More preferably, it is 10.0 mass % or less, The manufacturing method of the circuit board in any one of <1>-<22>. .

<24> 세정제 C 중의 물의 함유량이 바람직하게는 5.0 질량% 이상 12.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 5.5 질량% 이상 11.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 6.5 질량% 이상 10.0 질량% 이하인 <1> 내지 <23> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<24> The content of water in the cleaning agent C is preferably 5.0 mass% or more and 12.0 mass% or less, more preferably 5.5 mass% or more and 11.0 mass% or less, and still more preferably <1> to 6.5 mass% or more and 10.0 mass% or less. The manufacturing method of the circuit board in any one of <23>.

<25> 공정 (3) 에 있어서의, 세정제 C 가, 추가로 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 벤젠술폰산 및 그 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 (성분 d) 을 함유하는 <1> 내지 <24> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<1> to which the detergent C in the <25> process (3) contains at least 1 sort(s) (component d) further selected from the group which consists of benzenesulfonic acid and its salt which has a C1-C6 alkyl group further The manufacturing method of the circuit board in any one of <24>.

<26> 세정제 C 중의 성분 d 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량% 이상 5.0 질량% 이하인 <25> 에 기재된 회로 기판의 제조 방법.Content of the component d in the <26> cleaning agent C becomes like this. The manufacturing method of the circuit board as described in <25> whose content is preferably 0.3 mass % or more and 5.0 mass % or less.

<27> 세정제 C 중의 성분 d 의 함유량이 바람직하게는 0.4 질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5 질량% 이상인 <25> 또는 <26> 에 기재된 회로 기판의 제조 방법.Content of the component d in <27> cleaning agent C becomes like this. Preferably it is 0.4 mass % or more, More preferably, it is 0.5 mass % or more, The manufacturing method of the circuit board as described in <25> or <26>.

<28> 세정제 C 중의 성분 d 의 함유량이 바람직하게는 4.5 질량% 이하, 보다 바람직하게는 4.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3.0 질량% 이하인 <25> 내지 <27> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<28> The content of the component d in the cleaning agent C is preferably 4.5 mass% or less, more preferably 4.0 mass% or less, still more preferably 3.0 mass% or less of the circuit board according to any one of <25> to <27>. manufacturing method.

<29> 세정제 C 중의 성분 a, b 및 c 의 질량비를 나타내는 성분 a/성분 b/성분 c 가 바람직하게는 90 ∼ 98/0.5 ∼ 4/0.05 ∼ 4 인 <1> 내지 <28> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.In <29> any of <1> to <28> whose component a/component b/component c which shows the mass ratio of the components a, b and c in the <29> cleaning agent C is 90-98/0.5-4/0.05-4 preferably A method for manufacturing a circuit board as described.

<30> 공정 (4) 에 있어서의 땜납 고화에 땜납 플럭스를 사용하고, 당해 플럭스가 수용성 플럭스인 <1> 내지 <29> 중 어느 것에 기재된 회로 기판의 제조 방법.<30> The method for manufacturing a circuit board according to any one of <1> to <29>, wherein a solder flux is used for solidification of the solder in the step (4), and the flux is a water-soluble flux.

<31> 적어도 1 개의 전자 부품을 회로 기판 상에 탑재하는 공정을 포함하고, 상기 회로 기판의 적어도 1 개가 <1> 내지 <30> 중 어느 것에 기재된 제조 방법에 의해서 제조된 회로 기판인, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법.<31> An electronic component comprising a step of mounting at least one electronic component on a circuit board, wherein at least one of the circuit board is a circuit board manufactured by the manufacturing method according to any one of <1> to <30> A method for manufacturing this mounted circuit board.

<32> 글리콜에테르인 성분 a 와, 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하의 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물인 성분 c 를 함유하는 플럭스용 세정제 조성물.<32> A detergent composition for flux comprising a component a that is a glycol ether, a component b that is an alkanolamine, and a component c that is an imidazole compound represented by the following general formula (I) in an amount of 0.005 mass% or more and 4.0 mass% or less.

[화학식 8] [Formula 8]

Figure 112015043977549-pat00006
Figure 112015043977549-pat00006

(식 (I) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.) (In formula (I), R 1 , R 2 and R 3 each represent at least one selected from the group consisting of a hydrogen atom and a hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms.)

<33> 성분 a 가 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물인 <32> 에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<33> The cleaning composition for flux according to <32>, wherein the component a is a compound represented by the following general formula (II).

[화학식 9] [Formula 9]

R-O-(CH2CH2O)n-H (Ⅱ) RO-(CH 2 CH 2 O) n -H (II)

(식 (Ⅱ) 중, R 은 탄소수 3 ∼ 8 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 2 또는 3 을 나타낸다.) (In formula (II), R represents a hydrocarbon group having 3 to 8 carbon atoms, and n represents 2 or 3.)

<34> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 a 의 함유량이 바람직하게는 80.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 85.0 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 85.5 질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 86.4 질량% 이상인 <32> 또는 <33> 에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<34> The content of component a in the cleaning composition for flux is preferably 80.0 mass% or more, more preferably 85.0 mass% or more, still more preferably 85.5 mass% or more, still more preferably 86.4 mass% or more <32 The cleaning composition for flux according to > or <33>.

<35> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 a 의 함유량이 바람직하게는 90.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 89.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 88.5 질량% 이하인 <32> 내지 <34> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<35> The flux according to any one of <32> to <34>, wherein the content of component a in the cleaning composition for flux is preferably 90.0 mass% or less, more preferably 89.0 mass% or less, and still more preferably 88.5 mass% or less. cleaning composition for use.

<36> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 a 의 함유량이 바람직하게는 85.0 질량% 이상 89.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 85.5 질량% 이상 89.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 86.4 질량% 이상 88.5 질량% 이하인 <32> 내지 <35> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<36> The content of component a in the cleaning composition for flux is preferably 85.0 mass% or more and 89.0 mass% or less, more preferably 85.5 mass% or more and 89.0 mass% or less, still more preferably 86.4 mass% or more and 88.5 mass% or less. The cleaning composition for flux according to any one of <32> to <35>.

<37> 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 a 중의 함유량이 바람직하게는 50.0 질량% 이상이고, 보다 바람직하게는 60.0 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70.0 질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 80.0 질량% 이상인 <32> 내지 <36> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<37> Component a contains diethylene glycol monobutyl ether, and the content of diethylene glycol monobutyl ether in component a is preferably 50.0 mass % or more, more preferably 60.0 mass % or more, still more preferably The detergent composition for flux according to any one of <32> to <36>, wherein the cleaning composition is 70.0 mass% or more, and still more preferably 80.0 mass% or more.

<38> 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 a 중의 함유량이 바람직하게는 98.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 95.0 질량% 이하인 <32> 내지 <37> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<38> <32> to <37> wherein the component a contains diethylene glycol monobutyl ether, and the content of the diethylene glycol monobutyl ether in the component a is preferably 98.0 mass% or less, more preferably 95.0 mass% or less > The cleaning composition for flux according to any one of the above.

<39> 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 플럭스용 세정제 조성물 중의 함유량이 바람직하게는 50.0 질량% 이상이고, 보다 바람직하게는 60.0 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70.0 질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 75.0 질량% 이상인 <32> 내지 <38> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<39> Component a contains diethylene glycol monobutyl ether, and the content of diethylene glycol monobutyl ether in the detergent composition for flux is preferably 50.0 mass% or more, more preferably 60.0 mass% or more, still more preferably The detergent composition for flux according to any one of <32> to <38>, preferably 70.0 mass% or more, and still more preferably 75.0 mass% or more.

<40> 성분 a 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 플럭스용 세정제 조성물 중의 함유량이 바람직하게는 90.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 88.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 85.0 질량% 이하인 <32> 내지 <39> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<40> Component a contains diethylene glycol monobutyl ether, and the content of diethylene glycol monobutyl ether in the detergent composition for flux is preferably 90.0 mass% or less, more preferably 88.0 mass% or less, still more preferably The detergent composition for flux according to any one of <32> to <39>, wherein is 85.0 mass% or less.

<41> 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 성분 a 중 함유량이 바람직하게는 50.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 40.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 30.0 질량% 이하, 보다 더 바람직하게는 20.0 질량% 이하인 <32> 내지 <40> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<41> The content in the component a of glycol ethers other than diethylene glycol monobutyl ether is preferably 50.0 mass% or less, more preferably 40.0 mass% or less, still more preferably 30.0 mass% or less, still more preferably The cleaning composition for flux according to any one of <32> to <40>, which is 20.0 mass% or less.

<42> 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 플럭스용 세정제 조성물 중의 함유량이 바람직하게는 1.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 3.0 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 4.0 질량% 이상인 <32> 내지 <41> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<42> The content of glycol ethers other than diethylene glycol monobutyl ether in the detergent composition for flux is preferably 1.0 mass % or more, more preferably 3.0 mass % or more, still more preferably 4.0 mass % or more <32> to The cleaning composition for flux according to any one of <41>.

<43> 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 글리콜에테르의 플럭스용 세정제 조성물 중의 함유량이 바람직하게는 40 질량% 이하, 보다 바람직하게는 30.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 16.0 질량% 이하인 <32> 내지 <42> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<43> The content of glycol ethers other than diethylene glycol monobutyl ether in the detergent composition for flux is preferably 40 mass% or less, more preferably 30.0 mass% or less, still more preferably 16.0 mass% or less <32> to The cleaning composition for flux according to any one of <42>.

<44> 성분 b 가 하기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 화합물인 <32> 내지 <43> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<44> The cleaning composition for flux according to any one of <32> to <43>, wherein the component b is a compound represented by the following general formula (III).

[화학식 10] [Formula 10]

Figure 112015043977549-pat00007
Figure 112015043977549-pat00007

(식 (Ⅲ) 중, R4 는 수소원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R5 는 수소원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R6 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.) (In formula (III), R 4 represents at least one selected from the group consisting of a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group and an aminoethyl group, and R 5 is a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group and an ethyl group. At least 1 type selected from the group which consists of is represented, and R<6> represents at least 1 type chosen from the group which consists of a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group.)

<45> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 b 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량% 이상이고, 보다 바람직하게는 0.5 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 질량% 이상인 <32> 내지 <44> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<45> The content of component b in the cleaning composition for flux is preferably 0.3 mass% or more, more preferably 0.5 mass% or more, still more preferably 1.0 mass% or more, according to any one of <32> to <44>. A cleaning composition for flux.

<46> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 b 의 함유량이, 바람직하게는 5.0 질량% 이하이고, 보다 바람직하게는 4.5 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 4.0 질량% 이하, 더욱 보다 바람직하게는 3.5 질량% 이하인 <32> 내지 <45> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<46> The content of component b in the cleaning composition for flux is preferably 5.0 mass% or less, more preferably 4.5 mass% or less, still more preferably 4.0 mass% or less, even more preferably 3.5 mass% or less. The cleaning composition for flux according to any one of <32> to <45>.

<47> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 b 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량% 이상 5.0 질량% 이하로서, 보다 바람직하게는 0.5 질량% 이상 4.5 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1.0 질량% 이상 4.0 질량% 이하, 더욱 보다 바람직하게는 1.0 질량% 이상 3.5 질량% 이하인 <32> 내지 <46> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<47> The content of component b in the cleaning composition for flux is preferably 0.3 mass% or more and 5.0 mass% or less, more preferably 0.5 mass% or more and 4.5 mass% or less, still more preferably 1.0 mass% or more and 4.0 mass% or less. Hereinafter, the cleaning composition for flux according to any one of <32> to <46>, further more preferably 1.0 mass% or more and 3.5 mass% or less.

<48> 성분 c 가 이미다졸, 메틸이미다졸, 탄소수 11 의 알킬기로 치환된 이미다졸, 메틸에틸이미다졸 및 페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 <32> 내지 <47> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<48> of <32> to <47>, wherein component c is at least one selected from the group consisting of imidazole, methylimidazole, imidazole substituted with an alkyl group having 11 carbon atoms, methylethylimidazole and phenylimidazole The cleaning composition for flux according to any one of them.

<49> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 c 의 함유량이 0.005 질량% 이상이고, 바람직하게는 0.01 질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05 질량% 이상인 <32> 내지 <48> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<49> The detergent composition for flux according to any one of <32> to <48>, wherein the content of component c in the detergent composition for flux is 0.005 mass% or more, preferably 0.01 mass% or more, and more preferably 0.05 mass% or more. .

<50> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 c 의 함유량이 4.0 질량% 이하이고, 바람직하게는 3.5 질량% 이하, 보다 바람직하게는 3.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 2.0 질량% 이하인 <32> 내지 <49> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<50> The content of component c in the cleaning composition for flux is 4.0 mass% or less, preferably 3.5 mass% or less, more preferably 3.0 mass% or less, still more preferably 2.0 mass% or less <32> to <49 > The cleaning composition for flux according to any one of the above.

<51> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 c 의 함유량이 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하로서, 바람직하게는 0.01 질량% 이상 3.5 질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.01 질량% 이상 3.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.05 질량% 이상 2.0 질량% 이하인 <32> 내지 <50> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<51> The content of component c in the cleaning composition for flux is 0.005 mass% or more and 4.0 mass% or less, preferably 0.01 mass% or more and 3.5 mass% or less, more preferably 0.01 mass% or more and 3.0 mass% or less, further preferably The detergent composition for flux according to any one of <32> to <50>, which is preferably 0.05 mass% or more and 2.0 mass% or less.

<52> 추가로 물을 함유하고, 플럭스용 세정제 조성물 중의 물의 함유량이 바람직하게는 5.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 5.5 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 6.5 질량% 이상인 <32> 내지 <51> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<52> <32> to <51> which further contains water, and the content of water in the cleaning composition for flux is preferably 5.0 mass% or more, more preferably 5.5 mass% or more, still more preferably 6.5 mass% or more The cleaning composition for flux according to any one of the preceding claims.

<53> 추가로 물을 함유하고, 플럭스용 세정제 조성물 중의 물의 함유량이 바람직하게는 12.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 11.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10.0 질량% 이하인 <32> 내지 <52> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<53> <32> to <52> which further contains water, and the content of water in the cleaning composition for flux is preferably 12.0 mass% or less, more preferably 11.0 mass% or less, still more preferably 10.0 mass% or less The cleaning composition for flux according to any one of the preceding claims.

<54> 플럭스용 세정제 조성물 중의 물의 함유량이 바람직하게는 5.0 질량% 이상 12.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 5.5 질량% 이상 11.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 6.5 질량% 이상 10.0 질량% 이하인 <32> 내지 <53> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<54> The content of water in the cleaning composition for flux is preferably 5.0 mass% or more and 12.0 mass% or less, more preferably 5.5 mass% or more and 11.0 mass% or less, still more preferably 6.5 mass% or more and 10.0 mass% or less <32 The cleaning composition for flux according to any one of > to <53>.

<55> 추가로 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 벤젠술폰산 및 그 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 성분 d 를 함유하는 <32> 내지 <54> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<55> The detergent composition for flux according to any one of <32> to <54>, further comprising a component d which is at least one selected from the group consisting of benzenesulfonic acid having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and a salt thereof.

<56> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 d 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량% 이상 5.0 질량% 이하인 <55> 에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<56> The cleaning composition for flux according to <55>, wherein the content of the component d in the cleaning composition for flux is preferably 0.3 mass% or more and 5.0 mass% or less.

<57> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 d 의 함유량이 바람직하게는 0.4 질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5 질량% 이상인 <55> 또는 <56> 에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<57> The cleaning composition for flux according to <55> or <56>, wherein the content of component d in the cleaning composition for flux is preferably 0.4 mass% or more, and more preferably 0.5 mass% or more.

<58> 플럭스용 세정제 조성물 중의 성분 d 의 함유량이 바람직하게는 4.5 질량% 이하, 보다 바람직하게는 4.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3.0 질량% 이하인 <55> 내지 <57> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물. <58> The flux according to any one of <55> to <57>, wherein the content of component d in the cleaning composition for flux is preferably 4.5 mass% or less, more preferably 4.0 mass% or less, and still more preferably 3.0 mass% or less. cleaning composition for use.

<59> 성분 a, b 및 c 의 질량비를 나타내는 성분 a/성분 b/성분 c 가 바람직하게는 90 ∼ 98/0.5 ∼ 4/0.05 ∼ 4 인 <32> 내지 <58> 중 어느 것에 기재된 플럭스용 세정제 조성물.<59> For the flux according to any one of <32> to <58>, wherein the component a/component b/component c representing the mass ratio of the components a, b and c is preferably 90 to 98/0.5 to 4/0.05 to 4. detergent composition.

[실시예] [Example]

1. 기판의 프리플럭스 처리1. Pre-flux treatment of the substrate

시험 기판의 전극에 대해서, 하기 공정 및 조건에서 금속 처리제 A 를 사용하여 프리플럭스 처리를 행하였다.About the electrode of a test board|substrate, the preflux process was performed using the metal processing agent A in the following process and conditions.

[시험 기판][Test board]

시험 기판으로는 도 2 에 나타내는 회로 기판 (1) 을 사용하였다. 회로 기판 (1) 은 일 주면 상에 제 1 영역 A 의 구리 전극 (2) 과, 제 2 영역 B 의 구리 전극 (3) 과, 배선 (4) 을 구비하는 기판이다. 제 1 영역 A 의 전극 (2) 은 Land 가 0.36 ㎜, 피치가 1.0 ㎜ 이다.The circuit board 1 shown in FIG. 2 was used as a test board|substrate. The circuit board 1 is a board|substrate provided with the copper electrode 2 of the 1st area|region A, the copper electrode 3 of the 2nd area|region B, and the wiring 4 on one main surface. The electrode 2 of the first region A has a Land of 0.36 mm and a pitch of 1.0 mm.

[공정 (1) : 프리플럭스 처리][Process (1): pre-flux treatment]

프리플럭스 처리는 하기 공정 (a) ∼ 공정 (d) 를 포함하는 순서로 실시하였다.The preflux treatment was performed in the order including the following steps (a) to (d).

(a) 탈지 공정(a) degreasing process

시험 기판을 탈지액 (시코쿠 화성 공업 주식회사 제조, 상품명 : 터프 클리너 W40G) 에 20 ∼ 30 ℃ 에서 30 초간 침지한 후, 기판을 꺼내어 1 분간 수세하였다.After immersing a test board|substrate in the degreasing liquid (The Shikoku Chemical Industry Co., Ltd. make, brand name: Tough Cleaner W40G) at 20-30 degreeC for 30 second, the board|substrate was taken out and it washed with water for 1 minute.

(b) 소프트 에칭 공정(b) soft etching process

상기 기판을 소프트 에칭액 (시코쿠 화성 공업 주식회사 제조, 상품명 : 터프 클리너 GB-1400, 황산-과산화수소계 타입) 에 30 ℃ 에서 30 초간 침지한 후, 기판을 꺼내어 1 분간 수세하였다.The substrate was immersed in a soft etching solution (manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., trade name: Tough Cleaner GB-1400, sulfuric acid-hydrogen peroxide type) at 30°C for 30 seconds, and then the substrate was taken out and washed with water for 1 minute.

(c) 산세정 공정(c) pickling process

상기 기판을 산세정액 (5 % 황산 수용액) 에 20 ∼ 30 ℃ 에서 30 초간 침지한 후, 꺼내어 1 분간 수세하였다. 그 후, 에어 나이프로 기판을 탈수하였다.After immersing the said board|substrate in the acid washing liquid (5% sulfuric acid aqueous solution) at 20-30 degreeC for 30 second, it took out and washed with water for 1 minute. Thereafter, the substrate was dehydrated with an air knife.

(d) 프리플럭스 처리 공정(d) pre-flux treatment process

상기 기판을 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제 A (수용성 프리플럭스, 시코쿠 화성 공업 주식회사 제조, 상품명 : 터프 에이스 F2(LX)PK) 에 40 ℃ 에서 30 ∼ 90 초간 침지한 후, 기판을 꺼내어 1 분간 수세하였다. 이어서, 에어 나이프로 기판을 탈수한 후, 100 ℃ 에서 1 분간 건조시켰다. 구리 표면 상에 두께 약 0.1 ∼ 0.3 ㎛ 의 화성 피막을 형성시켰다.After immersing the said board|substrate in the metal treatment agent A (water-soluble preflux, Shikoku Chemical Industry Co., Ltd. product name: Tough Ace F2(LX)PK) containing an imidazole compound at 40 degreeC for 30 to 90 second, take out a board|substrate and 1 minute was washed. Then, after dehydrating a board|substrate with an air knife, it dried at 100 degreeC for 1 minute. A chemical conversion film having a thickness of about 0.1 to 0.3 µm was formed on the copper surface.

상기와 같이 수용성 프리플럭스에 의한 화성 피막을 형성하는 처리를 행한 시험 기판 (이하, 「프리플럭스 처리한 시험 기판」) 을 사용하여, 이하의 시험을 행하였다.The following tests were performed using the test board|substrate (henceforth "preflux-processed test board|substrate") which performed the process for forming the chemical conversion film by water-soluble preflux as mentioned above.

2. 세정용 플럭스를 사용한 땜납 범프의 형성 및 세정2. Formation and cleaning of solder bumps using cleaning flux

[공정 (2) : 제 1 영역 A 에 있어서의 땜납 범프의 형성][Step (2): Formation of solder bumps in the first region A]

프리플럭스 처리한 시험 기판의 제 1 영역 A 의 전극 (2) 의 구리 패드에, 스텐실 마스크를 이용하여, 세정용 플럭스 B (센쥬 금속 공업사 제조, 상품명 : 델타 락스 MB-T100) 를 100 ㎛ 두께로 인쇄하고, Sn-3Ag-0.5Cu (각 수치는 질량%) 조성의 300 ㎛ 의 땜납 볼을 플럭스 인쇄 지점에 탑재하고, 리플로로를 사용하여 승온 속도를 2.5 ℃/sec, 피크 온도를 250 ℃ 에서 리플로하였다 (산소 농도는 100 ppm).Using a stencil mask, cleaning flux B (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd., trade name: Delta Lax MB-T100) was applied to the copper pad of the electrode 2 in the first region A of the prefluxed test substrate to a thickness of 100 μm. After printing, a 300 μm solder ball having a composition of Sn-3Ag-0.5Cu (each numerical value is mass%) was mounted at a flux printing point, using reflow to increase the temperature at a rate of 2.5°C/sec and a peak temperature of 250°C. was reflowed (oxygen concentration was 100 ppm).

[세정제 C 의 조제][Preparation of cleaning agent C]

하기 표 1 에 나타내는 글리콜에테르 (성분 a), 알칸올아민 (성분 b), 이미다졸 화합물 (성분 c), 물과, 필요에 따라서 알킬벤젠술폰산 및/또는 그 염 (성분 d) 그리고 그 밖의 성분을 표 1 에 나타내는 함유량이 되도록 혼합하여 세정제 C (실시예 1 ∼ 17 및 비교예 1 ∼ 8) 를 조제하였다.Glycol ether (component a) shown in Table 1 below, alkanolamine (component b), imidazole compound (component c), water and, if necessary, alkylbenzenesulfonic acid and/or its salt (component d) and other components was mixed so that it might become content shown in Table 1, and the washing|cleaning agent C (Examples 1-17 and Comparative Examples 1-8) was prepared.

[공정 (3) : 플럭스 B 잔사의 세정][Step (3): Cleaning of Flux B Residue]

리플로 후의 땜납 범프를 하기 조건에서 세정하고, 플럭스 세정성을 확인하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.The solder bumps after reflow were washed under the following conditions, and flux cleaning properties were confirmed. The results are shown in Table 1.

세정 방법 : 세정제 C 에 침지 → 프리린스 → 린스 → 마무리 린스 → 에어 퍼지 → 건조 → 판정Cleaning method: Immersion in detergent C → Pre-rinse → Rinse → Finish rinse → Air purge → Dry → Judgment

액온도 = 모두 60 ℃ Liquid temperature = all 60℃

물리력 = 모두 초음파, 40 ㎑, 400 WPhysical force = all ultrasonic, 40 kHz, 400 W

세정 시간 = 각 공정 1 min 택트Cleaning time = 1 min for each process

에어 퍼지 = 0.3 ㎫, N2, 25 ℃, 15 secAir purge = 0.3 MPa, N2, 25 °C, 15 sec

세정성의 판정은, 세정 전의 플럭스 잔사가 부착되어 있는 주변의 면적을, 주식회사 키엔스 제조의 DIGITAL MICROSCOPE VHX-2000 을 사용하여 200 배로 관찰하고, 세정 전 및 세정 후의 플럭스 잔사의 면적을 부속된 색의 식별에 의한 면적 산출 모드로 구하여 플럭스 잔사 세정율을 산출하였다.Determination of cleaning properties was performed by observing the area around the flux residue before cleaning at 200 times using a DIGITAL MICROSCOPE VHX-2000 manufactured by Keyence Co., Ltd. The flux residue cleaning rate was calculated by using the area calculation mode by .

[판정 기준][Criteria]

A : 완전 세정 (세정율 100 %) A: Complete cleaning (cleaning rate 100%)

B : 세정율 98 ∼ 100 % 미만B: less than 98 to 100% cleaning rate

C : 세정율 95 ∼ 98 % 미만C: Less than 95 to 98% of cleaning rate

D : 세정율 95 % 미만D: less than 95% cleaning rate

3. 제 2 영역 B 의 구리 전극 (3) 에 있어서의 세정 후의 변색성3. Discoloration property after washing|cleaning in the copper electrode 3 of 2nd area|region B

상기 2 의 세정 후의 기판 상의, 땜납 범프를 형성하지 않았던 제 2 영역 B 의 구리 전극 (3) 의 변색을, 상기 세정 직후 및 175 ℃ 에서 6 시간 대기 베이킹 (열처리) 후에 육안으로 각각 판정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.The discoloration of the copper electrode 3 of the second region B on the substrate after the cleaning of the above 2, in which the solder bump was not formed, was visually determined immediately after the cleaning and after the atmospheric baking (heat treatment) at 175° C. for 6 hours. The results are shown in Table 1.

[판정 기준][Criteria]

A : 색 불균일이 없고, 변색이 없다.A: There is no color unevenness, and there is no discoloration.

B : 색 불균일이 없고, 변색이 보인다.B: There is no color unevenness, and discoloration is seen.

C : 변색이 보이고, 일부가 갈색화되어 있다. C: Discoloration is seen, and a part is browned.

D : 전체가 갈색화되어 있다.D: The whole is browned.

4. 제 2 영역 B 의 구리 전극 (3) 에 있어서의 땜납의 젖음성4. Wettability of the solder in the copper electrode 3 in the second region B

[공정 (4) : 제 2 영역 B 에 있어서의 땜납 범프의 형성][Step (4): Formation of solder bumps in the second region B]

상기 2 의 세정 후의 기판 상의, 땜납 범프를 형성하지 않았던 제 2 영역 B 의 구리 전극 (3) 에 스텐실 마스크를 사용하여 수용성 플럭스 (플럭스 D) 를 100 ㎛ 두께로 인쇄하고, Sn-3Ag-0.5Cu 조성의 직경 300 ㎛ 의 땜납 볼을 플럭스 인쇄 지점에 탑재하고, 리플로로를 사용하여 승온 속도를 2.5 ℃/sec, 피크 온도를 250 ℃ 에서 리플로하였다. 이 때의 리플로로 내의 산소 농도는 100 ppm 이었다.Using a stencil mask, a water-soluble flux (flux D) was printed to a thickness of 100 μm on the copper electrode 3 in the second region B where the solder bump was not formed on the substrate after the cleaning in step 2, and Sn-3Ag-0.5Cu A solder ball having a composition having a diameter of 300 µm was mounted on a flux printing point, and the reflow was used to reflow at a temperature increase rate of 2.5°C/sec and a peak temperature of 250°C. The oxygen concentration in the reflow furnace at this time was 100 ppm.

수용성 플럭스 (플럭스 D) 로서 일본 공개특허공보 2000-42786호의 실시예 6 에서 사용되는 수용성 플럭스 (라우르산 폴리글리세롤에스테르 : 99 중량%, 세바크산 : 1 중량%) 를 사용하였다. 수용성 플럭스로는 시판되는 수용성 플럭스 (센쥬 금속 공업사 제조, 상품명 : 스파클 플럭스 WF-6317) 도 사용할 수 있다.As the water-soluble flux (flux D), the water-soluble flux (lauric acid polyglycerol ester: 99% by weight, sebacic acid: 1% by weight) used in Example 6 of JP-A-2000-42786 was used. As the water-soluble flux, a commercially available water-soluble flux (manufactured by Senju Metal Industries, Ltd., trade name: Sparkle Flux WF-6317) can also be used.

[젖음성의 판정][judgment of wettability]

리플로 후의 땜납이 확산된 종횡의 길이를 주식회사 키엔스 제조의 DIGITAL MICROSCOPE VHX-500 을 사용하여 측정하고 (N = 12), 비교예 3 의 경우와 비교하여 확산 면적의 저하율을 산출하고, 하기 기준으로 판정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.The length and width of the solder diffused after reflow was measured using a DIGITAL MICROSCOPE VHX-500 manufactured by Keyence Co., Ltd. (N = 12), and the rate of decrease in the diffusion area was calculated as compared with that of Comparative Example 3, and based on the following criteria: judged. The results are shown in Table 1.

[판정 기준][Criteria]

A : 확대 면적이 동일 ∼ 1 % 미만의 저하A: The magnified area is the same - less than 1% fall

B : 확대 면적이 1 % ∼ 3 % 미만의 저하B: A fall of less than 1% to 3% of an enlarged area

C : 확대 면적이 3 % ∼ 5 % 미만의 저하C: A fall of 3% to less than 5% of an enlarged area

D : 확대 면적이 5 % 이상 저하D: The enlarged area decreases by 5% or more

Figure 112015043977549-pat00008
Figure 112015043977549-pat00008

표 1 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 17 의 세정제 C 를 사용한 경우, 비교예 1 ∼ 8 에 비하여, 땜납 범프를 형성하지 않은 제 2 영역 B 의 전극 3 의 열처리 후의 변색을 현저하게 억제할 수 있었다. 또, 실시예 1 ∼ 5, 7, 8 및 10 ∼ 17 의 세정제 C 를 사용한 경우, 실시예 6 및 9 에 비하여 땜납의 젖음성이 향상되어 있었다. 반도체 패키지 기판의 제조에서는, 플럭스의 인쇄/도포, 땜납 범프 형성을 위한 가열 및 잔류된 플럭스 제거를 위한 세정을 포함하는 사이클이 복수 회 반복되는 경우가 있고, 이러한 경우에는 다음의 땜납 범프 형성시의 땜납의 젖음성이 접속 신뢰성에 더욱 영향을 준다고 할 수 있다.As shown in Table 1, when the cleaning agent C of Examples 1 to 17 was used, as compared to Comparative Examples 1 to 8, discoloration after heat treatment of the electrode 3 of the second region B in which the solder bump was not formed can be significantly suppressed. there was. Moreover, when the cleaning agent C of Examples 1-5, 7, 8, and 10-17 was used, the wettability of the solder was improved compared with Examples 6 and 9. In the manufacture of a semiconductor package substrate, a cycle including printing/applying of a flux, heating for forming solder bumps, and cleaning for removing residual flux may be repeated multiple times. It can be said that the wettability of the solder further affects the connection reliability.

Claims (18)

하기 공정 (1) ∼ (4) 를 포함하는, 땜납이 고화된, 회로 기판의 제조 방법.
(1) 지지 기재의 제 1 영역 및 제 2 영역에 회로를 형성하는 전극을 갖는 회로 기판의 적어도 제 1 영역의 전극을, 이미다졸 화합물을 함유하는 금속 처리제 A 로 처리하는 공정.
(2) 공정 (1) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 제 1 영역의 전극에 플럭스 B 의 도포 및 땜납의 배치를 한 후, 회로 기판을 땜납의 액상선 온도 이상의 온도로 가열하여 땜납을 용융시키고, 제 1 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.
(3) 공정 (2) 에 있어서 얻어진 회로 기판의 플럭스 잔사를, 글리콜에테르인 성분 a 와, 하기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하의 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물인 성분 c 를 함유하는 세정제 C 를 사용하여 세정하는 공정.
Figure 112021047986584-pat00009

식 (I) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.
Figure 112021047986584-pat00015

식 (Ⅲ) 중, R4 는 수소원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R5 는 수소원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R6 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.
(4) 공정 (3) 에 이어서, 회로 기판의 제 2 영역의 전극에 땜납을 고화시키는 공정.
A method for manufacturing a circuit board in which solder is solidified, comprising the following steps (1) to (4).
(1) The process of treating the electrode of at least 1st area|region of the circuit board which has an electrode which forms a circuit in the 1st area|region and 2nd area|region of a support base material with the metal treatment agent A containing an imidazole compound.
(2) After applying the flux B and arranging the solder to the electrodes in the first region of the circuit board obtained in the step (1), the circuit board is heated to a temperature equal to or higher than the liquidus temperature of the solder to melt the solder, A process of solidifying solder on the electrode in region 1.
(3) The flux residue of the circuit board obtained in the step (2), the component a which is glycol ether, the component b which is an alkanolamine represented by the following general formula (III), and 0.005 mass% or more and 4.0 mass% or less of the following The process of washing|cleaning using the washing|cleaning agent C containing the component c which is an imidazole compound represented by general formula (I).
Figure 112021047986584-pat00009

In formula (I), R<1> , R<2>, and R<3> respectively represent at least 1 sort(s) chosen from the group which consists of a hydrogen atom and a C1-C22 hydrocarbon group.
Figure 112021047986584-pat00015

In formula (III), R 4 represents at least one selected from the group consisting of a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group and an aminoethyl group, and R 5 is a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group and an ethyl group. At least 1 type selected from the group is represented, and R 6 represents at least 1 type selected from the group which consists of a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group.
(4) A step of solidifying the solder on the electrode in the second region of the circuit board following the step (3).
제 1 항에 있어서,
공정 (2) 에 있어서의, 플럭스 B 가 세정용 플럭스인, 회로 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The method for manufacturing a circuit board, wherein the flux B in the step (2) is a flux for cleaning.
제 1 항에 있어서,
공정 (3) 에 있어서의, 세정제 C 중의 성분 a 가 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물인, 회로 기판의 제조 방법.
R-O-(CH2CH2O)n-H (Ⅱ)
식 (Ⅱ) 중, R 은 탄소수 3 ∼ 8 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 2 또는 3 을 나타낸다.
The method of claim 1,
The manufacturing method of a circuit board whose component a in the cleaning agent C in a process (3) is a compound represented by the following general formula (II).
RO-(CH 2 CH 2 O) n -H (II)
In formula (II), R represents a C3-C8 hydrocarbon group, and n represents 2 or 3.
제 1 항에 있어서,
공정 (3) 에 있어서의, 세정제 C 중의 성분 c 가 이미다졸, 메틸이미다졸, 탄소수 11 의 알킬기로 치환된 이미다졸, 메틸에틸이미다졸 및 페닐이미다졸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, 회로 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
Component c in the detergent C in the step (3) is at least one selected from the group consisting of imidazole, methylimidazole, imidazole substituted with an alkyl group having 11 carbon atoms, methylethylimidazole and phenylimidazole , a method of manufacturing a circuit board.
제 1 항에 있어서,
전극의 금속이 구리 또는 구리 합금인, 회로 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The method of manufacturing a circuit board, wherein the metal of the electrode is copper or a copper alloy.
제 1 항에 있어서,
세정제 C 중의 성분 a, b 및 c 의 질량비를 나타내는 성분 a/성분 b/성분 c 가 90 ∼ 98/0.5 ∼ 4/0.05 ∼ 4 이고, 성분 a, 성분 b, 성분 c 의 합계가 100.0 인, 회로 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The circuit in which component a/component b/component c which shows mass ratio of component a in detergent C, b and c is 90-98/0.5-4/0.05-4, and the sum total of component a, component b, and component c is 100.0 A method of manufacturing a substrate.
제 1 항에 있어서,
세정제 C 중의 성분 a 의 함유량이 85.0 질량% 이상 89.0 질량% 이하인, 회로 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The manufacturing method of the circuit board whose content of the component a in the cleaning agent C is 85.0 mass % or more and 89.0 mass % or less.
제 1 항에 있어서,
세정제 C 중의 성분 b 의 함유량이 0.3 질량% 이상 5.0 질량% 이하인, 회로 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The manufacturing method of the circuit board whose content of the component b in the cleaning agent C is 0.3 mass % or more and 5.0 mass % or less.
제 1 항에 있어서,
공정 (3) 에 있어서의, 세정제 C 가 추가로 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 벤젠술폰산 및 그 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 성분 d 를 함유하는, 회로 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The manufacturing method of a circuit board in which the cleaning agent C in a process (3) contains the component d which is at least 1 sort(s) selected from the group which further consists of benzenesulfonic acid which has a C1-C6 alkyl group, and its salt.
제 9 항에 있어서,
세정제 C 중의 성분 d 의 함유량이 0.3 질량% 이상 5.0 질량% 이하인, 회로 기판의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
The manufacturing method of the circuit board whose content of the component d in the cleaning agent C is 0.3 mass % or more and 5.0 mass % or less.
제 1 항에 있어서,
세정제 C 가 물을 함유하고, 세정제 C 중의 물의 함유량이 5.0 질량% 이상 12.0 질량% 이하인, 회로 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The manufacturing method of the circuit board whose cleaning agent C contains water, and content of the water in the cleaning agent C is 5.0 mass % or more and 12.0 mass % or less.
제 1 항에 있어서,
금속 처리제 A 중의 이미다졸 화합물의 함유량이 0.01 질량% 이상 10 질량% 이하인, 회로 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The manufacturing method of the circuit board whose content of the imidazole compound in the metal processing agent A is 0.01 mass % or more and 10 mass % or less.
제 1 항에 있어서,
공정 (1) 에 있어서, 회로 기판의 전극에 액온 10 ∼ 70 ℃ 의 금속 처리제 A 를 1 초 ∼ 10 분의 접촉 시간에서 접촉시키는, 회로 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
Process (1) WHEREIN: The manufacturing method of a circuit board in which the metal processing agent A with a liquid temperature of 10-70 degreeC is made to contact with the electrode of a circuit board in the contact time of 1 second - 10 minutes.
제 1 항에 있어서,
공정 (4) 에 있어서의 땜납 고화에 플럭스를 사용하고, 당해 플럭스가 수용성 플럭스인, 회로 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
A method for manufacturing a circuit board, wherein a flux is used for solidification of the solder in the step (4), and the flux is a water-soluble flux.
제 1 항에 있어서,
공정 (4) 에서 얻어진 회로 기판을 세정제 E 로 세정하는 공정을 추가로 갖는, 회로 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The manufacturing method of a circuit board which further has the process of wash|cleaning the circuit board obtained by the process (4) with the cleaning agent E.
적어도 1 개의 전자 부품을 회로 기판 상에 탑재하는 공정을 포함하고, 상기 회로 기판의 적어도 1 개가, 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의해서 제조된 회로 기판인, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법.An electronic component comprising a step of mounting at least one electronic component on a circuit board, wherein at least one of the circuit board is a circuit board manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 15 A method for manufacturing this mounted circuit board. 글리콜에테르인 성분 a 와, 하기 일반식 (Ⅲ) 으로 나타내는 알칸올아민인 성분 b 와, 0.005 질량% 이상 4.0 질량% 이하의 하기 일반식 (I) 로 나타내는 이미다졸 화합물 성분 c 를 함유하는, 플럭스용 세정제 조성물.
Figure 112021047986584-pat00011

식 (I) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 수소원자 및 탄소수 1 ∼ 22 의 탄화수소기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.
Figure 112021047986584-pat00016

식 (Ⅲ) 중, R4 는 수소원자, 메틸기, 에틸기 및 아미노에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R5 는 수소원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 및 에틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R6 은 하이드록시에틸기 및 하이드록시프로필기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다.
A flux containing component a which is a glycol ether, component b which is an alkanolamine represented by the following general formula (III), and an imidazole compound component c represented by the following general formula (I) in 0.005 mass% or more and 4.0 mass% or less cleaning composition for use.
Figure 112021047986584-pat00011

In formula (I), R<1> , R<2>, and R<3> respectively represent at least 1 sort(s) chosen from the group which consists of a hydrogen atom and a C1-C22 hydrocarbon group.
Figure 112021047986584-pat00016

In formula (III), R 4 represents at least one selected from the group consisting of a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group and an aminoethyl group, and R 5 is a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group and an ethyl group. At least 1 type selected from the group is represented, and R 6 represents at least 1 type selected from the group which consists of a hydroxyethyl group and a hydroxypropyl group.
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