KR101796112B1 - Cleaning composition for soldering flux residues - Google Patents

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김익범
강병걸
양우찬
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와이엠티 주식회사
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Abstract

Provided is a cleaner composition for soldering flux residues comprising a non-ionic surfactant, a complexing agent, an inorganic phosphate compound, a corrosion inhibitor and water. Additionally, provided is a method for removing a solder flux that removes the flux by making the composition be in contact with the solder flux. The composition of the present invention can remove flux residues without causing corrosion of copper, gold, silver, tin, lead, and alloys thereof, which are metal materials of a solder region, by containing each component in an appropriate amount.

Description

땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물{Cleaning composition for soldering flux residues}[0001] The present invention relates to a cleaning composition for soldering flux residues,

본 명세서에 개시된 기술은 땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물에 관한 것으로 보다 상세하게는 작업환경이 개선되고 부식을 유발하지 않으면서 세정력이 뛰어난 땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물이 제공된다.The technique disclosed herein relates to a solder flux residue cleaner composition, and more particularly to a solder flux residue cleaner composition that provides improved cleaning performance without an improved working environment and no corrosion.

전자 제품의 내부에는 회로가 형성된 인쇄 회로 기판에 각종 능동, 수동 소자 부품을 땜납을 통해 실장되어 있다. 특히 소형 경량화의 다양한 기능을 요구하는 전자 제품의 경우 부품 실장 밀집도가 높아지면서 땜납 실장 되어지는 부품 간의 간격이 협소화 되는 추세이다. 땜납에 사용되는 땜납 페이스트는 크게 땜납 분말과 플럭스로 이루어지며, 플럭스의 기능은 땜납 시 땜납 페이스트의 도포성을 향상시키고, 땜납되는 회로 기판 상의 산화물을 제거하여 인쇄 회로 기판 상에 능동, 수동 소자 부품의 접합성을 향상시키는 역할을 한다. 플럭스의 주요 성분은 로진 또는 로진계 유도체, 유기산, 활성화제 및 용제로 구성되어 있으며, 땜납 실장이 완료된 후 부품 실장면 주위에 본연의 기능을 완수한 플럭스 성분이 고착되게 된다. 고착된 플럭스에는 플럭스 성분뿐만 아니라, 소량의 땜납 분말도 포함 되어 있어 땜납 실장 후 플럭스 세정을 실시하지 않을 경우, 전자 제품 사용 과정에서 플럭스 성분을 매질로 하여 땜납 분말에 의한 진행성 단락을 유발할 수 있으므로 반드시 플럭스 세정이 필요하다.Various active and passive component parts are mounted on a printed circuit board on which circuitry is formed by soldering. Particularly, in the case of electronic products requiring various functions such as miniaturization and weight reduction, the density of component mounting increases, and the interval between components to be soldered is narrowed. The solder paste used for soldering is largely composed of solder powder and flux. The function of the flux is to improve the applicability of the solder paste upon soldering and to remove the oxide on the circuit board to be soldered, Thereby improving the bonding property of the resin. The main component of the flux is composed of rosin or rosin derivatives, organic acid, activator and solvent. After the solder is mounted, flux components that have fulfilled the original function are fixed around the part assembly scene. Since the flux adhered includes not only the flux component but also a small amount of solder powder, if the flux cleaning is not performed after the solder mounting, the flux component may be used as a medium in the process of using the electronic product, Flux cleaning is required.

이와 같은 플럭스 세정을 위하여, 대한민국 공개특허 10-2008-0062129(공개일자 2008년 07월 03일)에는 비이온성 계면활성제, 수용성 용제, 물, 탄화수소계 오일 및 부식방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 준수계 세정제 조성물을 개시하고 있으나, 인화성 물질의 용제 함유량이 40%를 초과하는 위험물로 별도의 위험물 사용을 위한 예방 시설이 필요할 수 있다. 그리고, 대한민국 공개특허 10-2011-0137131(공개일자 2011년 12월 22일)에는 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물로 유기아민 화합물, 자일렌, 케톤계 화합물 및 부식방지제를 일정한 함량으로 포함하는 세정제 조성물을 개시하고 있으나, 비등점이 낮은 인화성 물질의 용제 함유량이 40%를 초과하는 위험물이며, 특히 자일렌과 같은 발암성 물질을 함유하고 있어 인체에 치명적인 문제를 유발할 수 있다.In order to perform such flux cleaning, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2008-0062129 (published on July 03, 2008) discloses a method for cleaning the surface of a substrate, which is characterized by including a nonionic surfactant, a water-soluble solvent, water, Based detergent composition, but a dangerous substance having a solvent content of flammable substance exceeding 40% may require a preventive facility for use of another dangerous substance. Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2011-0137131 (published on December 22, 2011) discloses a detergent composition comprising a certain amount of an organic amine compound, xylene, a ketone compound and a corrosion inhibitor as a detergent composition for removing solder flux However, it is a dangerous substance having a solvent content of a flammable substance having a low boiling point of more than 40%. In particular, it contains a carcinogenic substance such as xylene, which can cause a fatal problem to the human body.

본 발명은 인화점을 갖는 유기 용제를 사용하지 않으면서도 땜납 플럭스 잔류물 제거 능력이 탁월한 플럭스 세정제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 다른 목적은 플럭스 잔류물 세정 과정에서 땜납 영역의 금속 재질인 구리, 금, 은, 주석, 납 및 이들의 합금의 부식을 유발하지 않는 세정제 조성물을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a flux cleaning composition having excellent solder flux residue removal ability without using an organic solvent having a flash point. Another object of the present invention is to provide a detergent composition that does not cause corrosion of copper, gold, silver, tin, lead, and alloys thereof, which are metal materials of the solder region in the flux residue cleaning process.

본 발명의 일 측면에 의하면, 비이온계 계면활성제, 착화제, 무기계 인산 화합물, 부식방지제 및 물을 포함하는 땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물이 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a solder flux residue cleaner composition comprising a nonionic surfactant, a complexing agent, an inorganic phosphate compound, a corrosion inhibitor, and water.

일 구현예에 의하면, 상기 땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물에는 전체 조성물에 대하여 상기 비이온계 계면활성제 1~20wt%, 착화제 1~20wt%, 무기계 인산 화합물 1~10wt%, 부식방지제 1~5wt% 및 물 45~85wt%이 함유될 수 있다.According to one embodiment, the solder flux residue cleaner composition comprises 1 to 20 wt% of the nonionic surfactant, 1 to 20 wt% of a complexing agent, 1 to 10 wt% of an inorganic phosphate compound, 1 to 5 wt% of a corrosion inhibitor, And 45 to 85 wt% of water.

일 구현예에 의하면, 상기 비이온계 계면활성제는 폴리옥시에틸렌 모노메틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 모노아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일 에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 트리데실 에테르, 폴리옥시에틸렌 옥틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 글리세린 에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.According to one embodiment, the nonionic surfactant is selected from the group consisting of polyoxyethylene monomethyl ether, polyoxyethylene monoaryl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene Stearyl ether, polyoxyethylene tridecyl ether, polyoxyethylene octyl ether, polyoxyethylene glycerin ether, and the like.

일 구현예에 의하면, 상기 착화제는 카르복실산계 착화제, 아미노산계 착화제, 포스폰산계 착화제, 인산계 착화제, 아미노 카르복실산계 착화제 및 히드록시 카르복실산계 착화제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.According to one embodiment, the complexing agent is selected from the group consisting of a carboxylic acid-based complexing agent, an amino acid-based complexing agent, a phosphonic acid-based complexing agent, a phosphoric acid-based complexing agent, an aminocarboxylic acid-based complexing agent and a hydroxycarboxylic acid- It may be more than one kind.

일 구현예에 의하면, 상기 무기계 인산 화합물은 일가 금속과 인산이 반응하여 이루어진 염으로서, 일염기성(monobasic), 이염기성(dibasic), 또는 삼염기성(tribasic) 염인 것일 수 있다.According to one embodiment, the inorganic phosphoric acid compound may be a monobasic, dibasic, or tribasic salt formed by reacting a monovalent metal with phosphoric acid.

일 구현예에 의하면, 상기 부식방지제는 아졸기를 갖는 유기화합물, 방향족 하이드록시 화합물, 당 알콜 화합물, 머캅토기를 갖는 함황 화합물 및 아미노산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 것일 수 있다.According to one embodiment, the corrosion inhibitor may be at least one selected from the group consisting of an organic compound having an azole group, an aromatic hydroxy compound, a sugar alcohol compound, a sulfur compound having a mercapto group, and an amino acid.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 상술한 조성물을 땜납 플럭스에 접촉시킴으로써 상기 플럭스를 제거하는 땜납 플럭스의 제거방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of removing solder flux that removes the flux by contacting the composition with a solder flux.

일 구현예에 의하면, 상기 플럭스의 제거는 20~80℃의 온도에서 1~30분간 수행될 수 있다.According to one embodiment, the removal of the flux may be performed at a temperature of 20 to 80 ° C for 1 to 30 minutes.

본 발명에서 제공하는 땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물을 사용하면, 땜납 후 플럭스 잔류물을 완전히 제거할 수 있다.Using the solder flux residue cleaner composition provided in the present invention, the flux residue after soldering can be completely removed.

또한 본 발명의 조성물은 인화성 유기 용제를 포함하지 않으면서도 플럭스 잔류물을 세정함으로써 작업 환경을 개선한다.The composition of the present invention also improves the working environment by cleaning the flux residue without containing a flammable organic solvent.

또한 본 발명의 조성물은 각 성분들을 적정 함량으로 포함함으로써, 땜납 영역의 금속 재질인 구리, 금, 은, 주석, 납 및 이들의 합금의 부식을 유발하지 않으면서 플럭스 잔류물을 제거할 수 있다.Further, the composition of the present invention can remove flux residues without causing corrosion of copper, gold, silver, tin, lead, and alloys thereof, which are the metal materials of the solder region, by containing each component in an appropriate amount.

도 1은 플럭스 세정 전의 인쇄회로기판을 나타낸다.
도 2는 도 1의 플립칩 패키징 솔더볼 실장된 인쇄회로기판을 실시예 1의 세정제 조성물을 이용하여 세정한 후의 이미지를 나타낸다.
도 3은 비교예 2의 조성물로 도 1의 인쇄회로기판에 대해 플럭스 세정 후의 솔더볼 이미지를 나타낸다.
도 4는 실시예 1의 조성물로 도 1의 인쇄회로기판을 세정한 후의 솔더볼 이미지를 나타낸다.
1 shows a printed circuit board before flux cleaning.
Fig. 2 shows an image of the printed circuit board mounted with the flip chip packaging solder ball of Fig. 1 after cleaning using the cleaning composition of Example 1. Fig.
Fig. 3 shows a solder ball image after flux cleaning on the printed circuit board of Fig. 1 with the composition of Comparative Example 2. Fig.
4 shows the solder ball image after cleaning the printed circuit board of Fig. 1 with the composition of Example 1. Fig.

이하 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 일 구현예에 따른 땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물은 땜납을 이용하여 납땜이 수행된 전자부품, 반도체 부품 등의 정밀부품을 세정하기 위한 것이다. 상기 땜납은 금속 성분 및 플럭스 성분을 포함할 수 있다. 상기 금속 성분으로서는, 구리, 금, 은, 주석, 납 및 이들의 합금을 들 수 있으며, 바람직하게는 상시 땜납은 무연 땜납이다. 예를 들면 상기 무연 땜납의 금속 성분은 예를 들면, 주석―은, 주석―구리, 주석―은―구리 등의 합금을 들 수 있다. 상기 플럭스 성분으로서 비제한적으로 베이스 수지, 활성제 및 용제를 포함하는 플럭스를 들 수 있다. 상기 베이스 수지는 예를 들면 로진, 로진 유도체 등일 수 있고, 상기 활성제는 예를 들면 유기산, 할로겐화물 등일 수 있으며, 상기 용제는 예를 들면 알코올일 수 있다.The solder flux residue cleaner composition according to one embodiment of the present invention is for cleaning precision parts such as electronic parts, semiconductor parts, etc., which are soldered using solder. The solder may include a metal component and a flux component. Examples of the metal component include copper, gold, silver, tin, lead, and alloys thereof. Preferably, the solder is lead-free solder at all times. For example, the metal component of the lead-free solder includes alloys such as tin-silver, tin-copper, and tin-silver-copper. The flux component includes, but is not limited to, a flux including a base resin, an activator, and a solvent. The base resin may be, for example, rosin, a rosin derivative or the like, and the activator may be, for example, an organic acid, a halide, or the like, and the solvent may be, for example, alcohol.

상기 전자부품으로서는, 예를 들면 프린트 기판 등을 들 수 있다. 상기 반도체 부품으로서는, 예를 들면 반도체 패키지 등을 들 수 있다.Examples of the electronic component include a printed board and the like. Examples of the semiconductor component include a semiconductor package and the like.

본 명세서에 있어서, 땜납 플럭스란 땜납의 플럭스 성분을 의미하지만, 본 발명에 있어서 제거대상이 되는 땜납 플럭스에는 납땜 후 잔존한 플럭스 성분 이외에, 땜납에 포함되는 금속과 플럭스 성분의 반응생성물, 상기 금속이나 상기 반응생성물 유래의 오염물질 등도 포함된다.In this specification, the term "solder flux" refers to the flux component of the solder. However, in the present invention, the solder flux to be removed may contain, in addition to the flux component remaining after soldering, a reaction product of a metal and a flux component contained in the solder, And contaminants derived from the reaction product.

상기 반응생성물로서는, 예를 들면 난용성 주석염 등을 들 수 있다. 특히, 본 발명의 세정제 조성물 및 세척제는 상기 난용성 주석염의 제거 및 재부착 방지에 뛰어난 효과를 발휘한다.Examples of the reaction product include insoluble tin salts and the like. Particularly, the detergent composition and the cleaning agent of the present invention exert an excellent effect on the removal and reattachment of the insoluble tin salt.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상술한 바와 같은 땜납 플럭스 잔류물 세정을 위해 비이온계 계면활성제, 착화제, 무기계 인산 화합물, 부식방지제 및 물을 포함하는 땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물이 제공된다.According to one embodiment of the present invention, there is provided a solder flux residue cleaner composition comprising a nonionic surface active agent, a complexing agent, an inorganic phosphoric acid compound, a corrosion inhibitor and water for cleaning the solder flux residue as described above.

상기 비이온계 계면활성제는 헹굼성을 향상시키는 역할을 하며, 폴리옥시알킬렌 알킬 페닐 에테르, 폴리옥시알킬렌 알킬 에테르, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시 프로필렌 블록 폴리머, 폴리에틸렌 글리콜 지방산 에스테르 또는 폴리옥시 에틸렌 솔비탄 지방산 에스테르 등일 수 있다.The nonionic surfactant serves to improve the rinsability and may be a polyoxyalkylene alkylphenyl ether, a polyoxyalkylene alkyl ether, a polyoxyethylene polyoxypropylene block polymer, a polyethylene glycol fatty acid ester, or a polyoxyethylene sorbitan Fatty acid esters, and the like.

구체적으로, 상기 비이온계 계면활성제는 폴리옥시에틸렌 모노메틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 모노아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일 에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 트리데실 에테르, 폴리옥시에틸렌 옥틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 글리세린 에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. 상기 비이온계 계면활성제는 전체 조성물에 대하여 1~20wt% 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 1wt% 미만인 경우 플럭스 잔류물 제거 능력이 미흡할 수 있고, 20wt%를 초과하는 경우 피세정물 세정 후 헹굼성이 나빠질 수 있다.Specifically, the nonionic surfactant is selected from the group consisting of polyoxyethylene monomethyl ether, polyoxyethylene monoaryl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene stearyl ether , Polyoxyethylene tridecyl ether, polyoxyethylene octyl ether, polyoxyethylene glycerin ether, and the like. The nonionic surfactant is preferably contained in an amount of 1 to 20 wt% based on the total composition. If the content is less than 1 wt%, the ability to remove the flux residue may be insufficient. If the content is more than 20 wt%, the rinsing property may deteriorate after cleaning the object to be cleaned.

상기 착화제는 금속이온에 배위하는 능력을 가진 금속 착화제일 수 있으며, 카르복실산계 착화제, 아미노산계 착화제, 포스폰산계 착화제, 인산계 착화제, 아미노 카르복실산계 착화제 및 히드록시 카르복실산계 착화제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.The complexing agent may be a metal complexing agent capable of coordinating to a metal ion, and may be a complexing agent such as a carboxylic acid complexing agent, an amino acid complexing agent, a phosphonic acid complexing agent, a phosphoric acid complexing agent, an aminocarboxylic acid complexing agent, And a complex acid-based complexing agent.

상기 카르복실산계 착화제의 예로 말론산, 호박산, 글루타르산, 아디프산, 이타콘산, 아세틸살리실산, 프탈산, 트리멜리트산, 시클로펜탄테트라카르복실산 등을 들 수 있다. 상기 아미노산계 킬레이트제의 예로 알라닌, 리신, 아르기닌, 아스파라긴, 티로신 등을 들 수 있다. 상기 포스폰산계 킬레이트제의 예로 에틸포스폰산, 옥틸포스폰산 등 알킬포스폰산류, 히드록시에탄디포스폰산, 니트릴로트리스메틸렌포스폰산, N,N,N',N'―테트라키스(포스포노메틸)에틸렌디아민 등을 들 수 있다. 상기 인산계 킬레이트의 예로 오르토인산, 피로인산, 트리인산, 폴리인산 등을 들 수 있다. 상기 아미노카르복실산계 킬레이트제로서는, 예를 들면 에틸렌디아민테트라초산(EDTA), 시클로헥산디아민테트라초산(CDTA), 니트틸로3초산(NTA), 디에틸렌트리아민5초산(DTPA), 이미노디초산(IDA), N―(2―히드록시에틸)이미노2초산(HIMDA), 히드록시에틸에틸렌디아민3초산(HEDTA) 등을 들 수 있다. 상기 히드록시카르복실산계 킬레이트제의 예로 사과산, 구연산, 이소구연산, 글리콜산, 글루콘산, 살리실산, 주석산, 유산 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid-based complexing agent include malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, itaconic acid, acetylsalicylic acid, phthalic acid, trimellitic acid and cyclopentanetetracarboxylic acid. Examples of the amino acid chelating agent include alanine, lysine, arginine, asparagine, tyrosine, and the like. Examples of the phosphonic acid chelating agent include alkylphosphonic acids such as ethylphosphonic acid and octylphosphonic acid, hydroxyethanediphosphonic acid, nitrilotrismethylenephosphonic acid, N, N, N ', N'-tetrakis Methyl) ethylenediamine, and the like. Examples of the phosphate chelate include orthophosphoric acid, pyrophosphoric acid, triphosphoric acid and polyphosphoric acid. Examples of the aminocarboxylic acid chelating agent include ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), cyclohexanediamine tetraacetic acid (CDTA), nitrilotriacetic acid (NTA), diethylenetriamine 5-acetic acid (DTPA) Acetic acid (IDA), N- (2-hydroxyethyl) imino 2-acetic acid (HIMDA), and hydroxyethylethylenediamine 3-acetic acid (HEDTA). Examples of the hydroxycarboxylic acid chelating agent include malic acid, citric acid, isoquinic acid, glycolic acid, gluconic acid, salicylic acid, tartaric acid, and lactic acid.

상기 예시의 착화제는, 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염 등의 염이어도 좋고, 가수분해 가능한 에스테르 유도체이어도 좋다.The complexing agent in the above example may be a salt such as a sodium salt, a potassium salt, an ammonium salt or the like, or a hydrolyzable ester derivative.

본 발명에 있어서 상기 착화제로서, 히드록시카르복실산계 착화제, 카르복실산계 착화제 및 인산계 착화제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 착화제를 이용하는 것이 바람직하다. 특히, 무연 납땜의 땜납 공정 시에 반응 생성하는 난용성의 주석염에 대한 용해성 또는 난용성 주석염의 분산성이 양호한 점에서 상기 착화제는 에틸렌디아민 테트라아세틱 2나트륨염, 에틸렌디아민 테트라아세틱 4나트륨염, 디에틸렌 테트라민 1나트륨염, 디에틸렌 테트라민 3나트륨염, 디에틸렌 테트라민 5나트륨염으로 이루어지는 군으로부터 1종 이상 선택되는 것이 바람직하다.As the complexing agent in the present invention, it is preferable to use at least one complexing agent selected from the group consisting of a hydroxycarboxylic acid-based complexing agent, a carboxylic acid-based complexing agent and a phosphoric acid-based complexing agent. Particularly, in view of good solubility in a poorly soluble tin salt or dispersibility of a poorly soluble tin salt which are generated in a soldering process of a lead-free solder, the complexing agent is an ethylene diamine tetraacetic acid disodium salt, ethylenediamine tetraacetic acid 4 Sodium salt, diethylenetetramine monosodium salt, diethylenetetramine trisodium salt, and diethylenetetramine pentasodium salt is preferable.

상기 착화제는 전체 조성물에 대하여 1~20wt% 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 1wt% 미만인 경우 플럭스 잔류물에 포함된 땜납 분말 성분의 주석 착화가 미흡할 수 있으며, 20wt%를 초과한 경우 폐수 처리에 따른 비용 발생이 증가할 수 있다.The complexing agent is preferably contained in an amount of 1 to 20 wt% based on the total composition. If the content is less than 1 wt%, tin ignition of the solder powder component contained in the flux residue may be insufficient, and if it exceeds 20 wt%, the cost incurred by wastewater treatment may increase.

상기 무기계 인산 화합물은 플럭스 잔류물 세정 보조역할을 한다. 인산화합물은 무기계 화합물 중에서 탈지력이 우수한 물질로 널리 알려져 있으며, 세정하고자 하는 오염물의 분산 및 재부착을 억제하는 역할이 매우 뛰어나다. 또한 약알카리(pH 7~9) 영역의 pH를 갖으며, 금속에 대한 부식 방지 역할도 일부 수행한다. The inorganic phosphoric acid compound serves as a cleaning aid for flux residues. Phosphoric acid compounds are widely known among inorganic compounds as being excellent in degreasing power and have a very excellent role of suppressing dispersion and reattachment of contaminants to be washed. It also has a pH range of weakly alkaline (pH 7 ~ 9), and it also plays a role of preventing corrosion to metal.

상기 무기계 인산 화합물은 일가 금속과 인산이 반응하여 이루어진 염으로서, 일염기성(monobasic), 이염기성(dibasic), 또는 삼염기성(tribasic) 염이 될 수 있다.The inorganic phosphoric acid compound is a salt formed by reacting a monovalent metal with phosphoric acid, and may be a monobasic, dibasic, or tribasic salt.

상기 무기계 인산염 화합물은 포타슘 포스페이트 모노베이직, 포타슘 포스페이트 디베이직, 트리포타슘 포스페이트, 포타슘 포스페이트 트리베이직, 포타슘 파이로포스페이트, 소디움 포스페이트 디베이직, 소디움 포스페이트 디하이드레이트, 소디움 포스페이트 트리베이직, 소디움 포스페이트 모노하이드레이트, 소디움 포스페이트 데카하이드레이트 및 소디움 파이로포스페이트로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 1종 이상일 수 있다. 상기 무기계 인산염 화합물은 전체 조성물에 대하여 1~10wt% 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 1wt% 미만인 경우 플럭스 잔류물 제거 능력이 미흡할 수 있으며, 10wt%를 초과한 경우 세정성을 이미 초과하여 경제성 측면에서 부적절할 수 있다.The inorganic phosphate compound is selected from the group consisting of potassium phosphate monobasic, potassium phosphate diabase, triphosphate phosphate, potassium phosphate tribase, potassium pyrophosphate, sodium phosphate diacid, sodium phosphate dihydrate, sodium phosphate tribase, sodium phosphate monohydrate, sodium Phosphate decahydrate, and sodium pyrophosphate. In the present invention, The inorganic phosphate compound is preferably contained in an amount of 1 to 10 wt% with respect to the total composition. If the content is less than 1 wt%, the ability to remove the flux residue may be insufficient, and if it exceeds 10 wt%, the cleaning property may already be exceeded, which may be inadequate in terms of economy.

상기 부식방지제는 회로 기판에 사용되는 금속(주석, 납 및 은)의 부식을 방지하며, 특히 회로 기판상에 형성된 알루미늄 등의 금속 배선의 부식을 방지하는 역할을 한다. 알루미늄 등의 금속 배선이 부식되면 배선폭이 줄어들어 전류량이 감소되거나, 단선되어 회로의 성능을 저하시킬 수 있다.The corrosion inhibitor prevents corrosion of metals (tin, lead, and silver) used in a circuit board and particularly prevents corrosion of metal wiring such as aluminum formed on a circuit board. If metal wiring such as aluminum is corroded, the wiring width may be reduced and the amount of current may be reduced or the performance of the circuit may be deteriorated.

상기 부식방지제는 아졸기를 갖는 유기화합물, 방향족 하이드록시 화합물, 당 알콜 화합물, 머캅토기를 갖는 함황 화합물 및 아미노산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 것이 사용될 수 있다. 구체적으로 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 4-메틸이미다졸, 5-하이드록시메틸-4-메틸이미다졸 및 3-아미노디아졸 등의 아졸기를 갖는 유기화합물; 카테콜, 레소시놀 및 퀴놀린 등의 방향족 히드록시 화합물; 솔비톨, 마니톨, 트레오졸 및 자일리톨 등의 당 알콜 화합물; 디티오디글리세롤[S(CH2CH(OH)CH2(OH)2], 비스(2,3-디히드록시프로필티오)에틸렌[CH2CH2(SCH2CH(OH)CH2(OH)2], 2-메르캅토에탄올[HSCH2CH2(OH)], 3-메르캅토-1-프로판올[HSCH2CH2CH2OH], 티오글리세롤[HSCH2CH(OH)CH2(OH)], 티오글리콜산[HSCH2CO2H], 티오아세트산 및 티오살리실릭산 등의 머캅토기를 갖는 함황 화합물, 알라닌, 글루탐산, 아스파르트산, 트레오닌, 글리신, 페닐알라닌, 발린, 류신, 세린, 리신, 아르기닌, 히스티딘, 티로신, 트립토판, 프롤린 등의 아미노산일 수 있다.The corrosion inhibitor may be at least one selected from the group consisting of an organic compound having an azole group, an aromatic hydroxy compound, a sugar alcohol compound, a sulfur compound having a mercapto group, and an amino acid. Specifically, organic compounds having an azole group such as benzotriazole, tolythriazole, 4-methylimidazole, 5-hydroxymethyl-4-methylimidazole and 3-aminodiazole; Aromatic hydroxy compounds such as catechol, resorcinol and quinoline; Sugar alcohol compounds such as sorbitol, mannitol, thiazole and xylitol; Dt audio glycerol [S (CH 2 CH (OH ) CH 2 (OH) 2], bis (2,3-dihydroxypropyl thio) ethylene [CH 2 CH 2 (SCH 2 CH (OH) CH 2 (OH) 2, 2-mercaptoethanol [HSCH 2 CH 2 (OH) ], 3- mercapto-1-propanol [HSCH 2 CH 2 CH 2 OH], thioglycerol [HSCH 2 CH (OH) CH 2 (OH) , Sulfur compounds having a mercapto group such as thioglycolic acid [HSCH 2 CO 2 H], thioacetic acid and thiosalicylic acid, alanine, glutamic acid, aspartic acid, threonine, glycine, phenylalanine, valine, leucine, serine, lysine, Arginine, histidine, tyrosine, tryptophan, proline, and the like.

이중 세정하고자 하는 인쇄회로기판은 주석-은, 주석-구리, 주석-은-구리 등의 합금으로 솔더링이 되어 있으며, 상기 합금의 주성분인 주석에 대한 부식 방지 측면을 고려하면 아미노산을 사용하는 것이 바람직하다. The printed circuit board to be cleaned is soldered with an alloy such as tin-silver, tin-copper, tin-silver-copper, etc. In consideration of corrosion prevention of tin, which is a main component of the alloy, Do.

상기 부식 방지제는 1~5wt% 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 1wt% 미만인 경우 주석 또는 주석 합금에 대한 부식 방지 효과가 미흡할 수 있으며, 5wt%를 초과한 경우 부식 방지제가 석출되어 피세정물에 재부착 오염을 시킬 수 있다.The corrosion inhibitor is preferably contained in an amount of 1 to 5 wt%. If the content is less than 1 wt%, the effect of preventing corrosion of the tin or tin alloy may be insufficient. If the content exceeds 5 wt%, the corrosion inhibitor may precipitate and re-adhere to the object to be cleaned.

한편 상기 비이온성 계면활성제, 상기 착화제, 상기 무기계 인산염 화합물 및 상기 부식방지제는 물에 용해되어 사용된다. 상기 조성물이 수용액 형태로 사용됨으로써, 비이온성 계면활성제, 착화제, 무기계 인산염 화합물 및 부식방지제가 안정하고 균일한 형태로 물에 용해되어 존재할 수 있으며, 화재 등의 위험성에서도 매우 안전할 수 있다. 물은 전체 조성물에 대해 45~85wt%가 혼합될 수 있다. 물의 양이 상기 범위 미만이면 상기 첨가제 성분들이 완전히 용해되지 않고 일부 석출이 발생할 수 있고, 상기 범위 초과이면 상기 첨가제 성분을 적정량 포함할 수 없다. On the other hand, the nonionic surfactant, the complexing agent, the inorganic phosphate compound and the corrosion inhibitor are dissolved in water and used. By using the above composition in the form of an aqueous solution, nonionic surfactant, complexing agent, inorganic phosphate compound and corrosion inhibitor can be dissolved in water in a stable and uniform form and can be very safe even in the case of fire. Water may be mixed in an amount of 45-85 wt% relative to the total composition. If the amount of water is less than the above range, the additive components may not completely dissolve and some precipitation may occur. If the amount is less than the above range, the additive component may not be contained in an appropriate amount.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상술한 세정제 조성물을 이용하여 땜납의 플럭스를 제거하는 방법이 제공된다. 상기 제거방법은 예를 들어, 플럭스가 포함된 회로기판을 세정제 조성물에 침적시키거나, 세정제 조성물을 회로기판에 스프레이하거나, 플럭스가 포함된 회로기판을 세정제 조성물 또는 그 수용액에 접촉시킨 후 브러싱하는 방법 등이 있을 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a method of removing flux of solder using the above-described detergent composition is provided. The removal method may be, for example, a method of immersing a circuit board containing a flux in a detergent composition, spraying a detergent composition onto a circuit board, or brushing after a circuit board containing a flux is contacted with a detergent composition or an aqueous solution thereof And so on.

본 발명의 세정제 조성물의 사용 조건(온도, 시간 등)은 특별히 한정되지 않으며, 각 성분의 함량, 농도 및 제거되어야 하는 플럭스의 종류와 농도 등에 따라 적절히 선택될 수 있다. 예를 들면, 피세정물을 세정할 때의 상기 조성물의 온도는, 제거해야 할 플럭스를 적합하게 세정제거할 수 있도록 적절히 설정하는 것이 바람직하다. 상기 세정제 조성물의 온도는 통상 20~80℃ 정도이다. 상기 조성물의 온도를 20℃ 이상으로 함으로써 상기 수용액에 대한 플럭스의 용해성을 향상시킬 수 있다. 또한 상기 조성물의 온도를 80℃ 이하로 함으로써 물의 증발을 억제할 수 있다. 이들로부터 수용액의 온도의 바람직한 범위는 40~70℃ 정도이다.The conditions of use (temperature, time, etc.) of the detergent composition of the present invention are not particularly limited and can be appropriately selected depending on the content and concentration of each component, the kind and concentration of the flux to be removed, and the like. For example, the temperature of the composition at the time of cleaning the object to be cleaned is preferably set appropriately so that the flux to be removed can be suitably washed and removed. The temperature of the detergent composition is usually about 20 to 80 占 폚. By setting the temperature of the composition at 20 占 폚 or higher, the solubility of the flux in the aqueous solution can be improved. In addition, evaporation of water can be suppressed by setting the temperature of the composition to 80 캜 or lower. From these, the preferable range of the temperature of the aqueous solution is about 40 to 70 占 폚.

상기 수용액을 제거해야 할 플럭스에 접촉시키는 시간은, 상기 수용액의 온도 등에 따라 적절히 설정할 수 있다. 예를 들면, 60℃ 정도의 상기 수용액을 이용하여 침지법에 의해 전자부품상의 땜납 플럭스를 제거하는 경우, 상기 전자부품을 약 1∼30분간 정도 상기 수용액에 침지시킴으로써 상기 전자부품상의 플럭스를 양호하게 제거할 수 있다. 또 다른 예를 들면, 플럭스 잔류물이 있는 인쇄회로기판을 상기 조성물에 45~55℃에서 5~10분간 초음파 침적시켜 플럭스 잔류물을 세정할 수도 있다.The time for bringing the aqueous solution into contact with the flux to be removed can be appropriately set in accordance with the temperature of the aqueous solution and the like. For example, when the solder flux on the electronic component is removed by the dipping method using the above aqueous solution at about 60 캜, the flux on the electronic component is satisfactorily improved by immersing the electronic component in the aqueous solution for about 1 to 30 minutes Can be removed. As another example, a printed circuit board with flux residue may be ultrasonically immersed in the composition at 45-55 < 0 > C for 5-10 minutes to clean the flux residue.

본 발명의 세정제 조성물이 사용된 후, 필요에 따라 물 또는 알코올계 용매로 추가 세정하는 린스 공정이 수행될 수 있다.After the detergent composition of the present invention is used, a rinsing process may be performed in which a water or alcohol-based solvent is further washed, if necessary.

이하 본 발명을 다양한 실시예를 통해 보다 상세히 설명하고자 하나, 본 발명의 기술적 사상이 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the following Examples. However, the technical spirit of the present invention is not limited by the following Examples.

[실시예][Example]

본 발명의 플럭스 잔류물 형성을 위해 하기와 같은 조건으로 솔더링을 실시하였다.Soldering was performed under the following conditions to form the flux residue of the present invention.

땜납 페이스트 : 알파메탈 社 'ALPHA UP-78'Solder Paste: Alpha Metal 'ALPHA UP-78'

솔더볼 : 덕산하이메탈 社 SAC-305 0.3mm 볼 Solderball: Duksan Hi-Metal Co., Ltd. SAC-305 0.3mm Ball

상기 자재를 인쇄회로기판에 도포 또는 실장 후 250℃ 열처리하여 플러스(flux) 잔류물을 형성하였다.The above material was coated or mounted on a printed circuit board and heat treated at 250 캜 to form a flux residue.

도 1은 플럭스 세정 전의 인쇄회로기판을 나타낸다. 도 1의 (a)는 플립칩 패키징 솔더볼 실장 후의 인쇄회로기판의 이미지이고, (b)는 (a)의 확대 이미지, (c)는 커넥터 실장 후의 인쇄회로기판의 이미지를 나타낸다. 도 1을 참조하면, (b)에서 솔더볼 실장 과정에서 리플로우(Reflow) 후 솔더볼에 함유되어 있는 플럭스 성분이 솔더볼 주변에 띠 형태로 존재함을 알 수 있다. 또한 메탈 마스크를 이용하여 솔더 페이스트를 스크린 인쇄하고 커넥서 실장 과정에서 리플로우(Reflow) 후 솔더 페이스트에 함유되어 있는 플럭스 성분이 커넥서 리드(lead) 사이 사이에 유출, 고착되어 있음을 알 수 있다. 1 shows a printed circuit board before flux cleaning. 1 (a) is an image of a printed circuit board after the flip chip packaging solder ball is mounted, (b) is an enlarged view of (a), and FIG. 1 (c) shows an image of the printed circuit board after connector mounting. Referring to FIG. 1, in (b), the flux component contained in the solder ball exists in the form of a band around the solder ball after reflow in the solder ball mounting process. It can also be seen that the solder paste is screen printed using a metal mask and that the flux components contained in the solder paste are leaked and adhered between the copper leads after reflow in the connector mounting process .

이후 형성된 플럭스 잔류물에 대하여 아래와 같이 세정을 실시하여 표 1에 비교하였다.The flux residues formed thereafter were cleaned as follows and compared in Table 1.

< 세정 조건 : 50℃, 초음파 침적, 5분 세정, 숫자는 wt% > &Lt; Washing condition: 50 占 폚, ultrasonic immersion, washing for 5 minutes, number is wt% 구분division 조 성(wt%)Composition (wt%) 세정 결과Cleaning result 계면
활성제
Interface
Activator
착화제Complexing agent 인산
화합물
Phosphoric acid
compound
부식
방지제
corrosion
Inhibitor
water 플럭스 제거 능력Flux removal capability 땜남
부식성
The
causticity
헹굼성Rinseability
땜납페이스트Solder paste 솔더볼Solder ball 실시예1Example 1 S1 10S1 10 C1 10C1 10 P1 5P1 5 I1 3I1 3 100wt%까지Up to 100wt% 실시예2Example 2 S1 15S1 15 C1 5C1 5 P1 5P1 5 I2 3I2 3 100wt%까지Up to 100wt% 실시예3Example 3 S2 10S2 10 C1 5C1 5 P1 5P1 5 I1 3I1 3 100wt%까지Up to 100wt% 실시예4Example 4 S2 10S2 10 C1 10C1 10 P2 5P2 5 I1 3I1 3 100wt%까지Up to 100wt% 실시예5Example 5 S1 5S1 5 C1 10C1 10 P2 10P2 10 I1 3I1 3 100wt%까지Up to 100wt% 실시예6Example 6 S1 10S1 10 C2 10C2 10 P2 5P2 5 I2 3I2 3 100wt%까지Up to 100wt% 비교예1Comparative Example 1 S1 25S1 25 C1 10C1 10 P1 5P1 5 I1 3I1 3 100wt%까지Up to 100wt% XX 비교예2Comparative Example 2 S1 10S1 10 C1 10C1 10 P1 5P1 5 -- 100wt%까지Up to 100wt% XX 비교예3Comparative Example 3 -- C1 10C1 10 P1 5P1 5 I1 3I1 3 100wt%까지Up to 100wt% XX XX

-. S1 : 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르-. S1: polyoxyethylene lauryl ether

-. S2 : 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르-. S2: polyoxyethylene stearyl ether

-. C1 : 에틸렌디아민 테트라아세틱 2나트륨염-. C1: Ethylenediamine tetraacetic di-sodium salt

-. C2 : 디에틸렌 테트라민 3나트륨염-. C2: diethylenetetramine trisodium salt

-. P1: 트리포타슘 포스페이트-. P1: tri-potassium phosphate

-. P2: 포타슘 파이로포스페이트-. P2: Potassium pyrophosphate

-. I1 : 알라닌-. I1: alanine

-. I2 : 글루탐산-. I2: Glutamic acid

* 평가 : ◎ 매우 우수, ○ 우수, △ 보통, X 부적합* Evaluation: ◎ Excellent, ○ Excellent, △ Normal, X Not suitable

도 2는 도 1의 플립칩 패키징 솔더볼 실장된 인쇄회로기판을 실시예 1의 세정제 조성물을 이용하여 세정한 후의 이미지를 나타낸다. 도 2의 (a)는 세정 후의 인쇄회로기판의 이미지, (b)는 (a)의 확대 이미지, (c)는 커넥터 실장된 인쇄회로기판의 세정 후의 이미지를 나타낸다. 도 2를 참조하면, 솔더볼 주변(b) 및 커넥터 리드(lead) 사이 사이에 고착되어 있던 플럭스(c)가 모두 완전히 세정 제거되었음을 알 수 있다. Fig. 2 shows an image of the printed circuit board mounted with the flip chip packaging solder ball of Fig. 1 after cleaning using the cleaning composition of Example 1. Fig. Fig. 2 (a) shows an image of the printed circuit board after cleaning, Fig. 2 (b) shows an enlarged image of Fig. 2 (a), and Fig. 2 (c) shows an image of the printed circuit board after cleaning. Referring to FIG. 2, it can be seen that the flux (c) fixed between the solder ball periphery (b) and the connector leads is completely cleaned and removed.

도 3은 비교예 2의 조성물로 도 1의 인쇄회로기판에 대해 플럭스 세정 후의 솔더볼 이미지를 나타낸다. 도 3을 참조하면, 부식방지제가 포함되지 않은 세정제 조성물을 사용한 결과 솔더볼 부식이 발생한 것을 관찰할 수 있다.Fig. 3 shows a solder ball image after flux cleaning on the printed circuit board of Fig. 1 with the composition of Comparative Example 2. Fig. Referring to FIG. 3, it can be seen that corrosion of the solder balls occurs as a result of using the detergent composition not containing the corrosion inhibitor.

도 4는 실시예 1의 조성물로 도 1의 인쇄회로기판을 세정한 후의 솔더볼 이미지를 나타낸다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 세정제 조성물을 사용한 결과 솔더볼 부식이 없이 깨끗하게 세정된 것을 확인할 수 있다.4 shows the solder ball image after cleaning the printed circuit board of Fig. 1 with the composition of Example 1. Fig. Referring to FIG. 4, using the cleaning composition of the present invention, it can be confirmed that the solder balls are cleanly cleaned without corrosion.

Claims (8)

비이온계 계면활성제;
카르복실산계 착화제, 아미노산계 착화제, 포스폰산계 착화제, 인산계 착화제 및 아미노 카르복실산계 착화제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 착화제;
무기계 인산 화합물;
부식방지제; 및
물로 구성되되,
상기 부식방지제는 알라닌, 글루탐산, 아스파르트산, 트레오닌, 글리신, 페닐알라닌, 발린, 류신, 세린, 리신, 아르기닌, 히스티딘, 티로신, 트립토판 및 프롤린으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 무연땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물.
Nonionic surfactants;
A complexing agent which is at least one selected from the group consisting of a carboxylic acid-based complexing agent, an amino acid-based complexing agent, a phosphonic acid-based complexing agent, a phosphoric acid-based complexing agent and an aminocarboxylic acid-based complexing agent;
Inorganic phosphate compounds;
Corrosion inhibitors; And
Water,
The corrosion inhibitor is a lead-free solder flux residue comprising at least one member selected from the group consisting of alanine, glutamic acid, aspartic acid, threonine, glycine, phenylalanine, valine, leucine, serine, lysine, arginine, histidine, tyrosine, tryptophan and proline Detergent composition.
제1 항에 있어서,
전체 조성물에 대하여 상기 비이온계 계면활성제 1~20wt%, 착화제 1~20wt%, 무기계 인산 화합물 1~10wt%, 부식방지제 1~5wt% 및 물 45~85wt%이 함유된 무연땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물.
The method according to claim 1,
A lead-free solder flux residue containing 1 to 20 wt% of the nonionic surfactant, 1 to 20 wt% of a complexing agent, 1 to 10 wt% of an inorganic phosphate compound, 1 to 5 wt% of a corrosion inhibitor and 45 to 85 wt% Detergent composition.
제1 항에 있어서,
상기 비이온계 계면활성제는 폴리옥시에틸렌 모노메틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 모노아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일 에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 트리데실 에테르, 폴리옥시에틸렌 옥틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 글리세린 에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 무연땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물.
The method according to claim 1,
The nonionic surfactant may be selected from the group consisting of polyoxyethylene monomethyl ether, polyoxyethylene monoaryl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene stearyl ether, Ethylene decyl ether, ethylene tridecyl ether, polyoxyethylene octyl ether, polyoxyethylene glycerin ether, and the like.
제1 항에 있어서,
상기 착화제는 에틸렌디아민 테트라아세틱 2나트륨염, 에틸렌디아민 테트라아세틱 4나트륨염, 디에틸렌 테트라민 1나트륨염, 디에틸렌 테트라민 3나트륨염 및 디에틸렌 테트라민 5나트륨염으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 무연땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein said complexing agent is selected from the group consisting of ethylenediaminetetraacetic acid disodium salt, ethylenediamine tetraacetic tetrasodium salt, diethylenetetramine monosodium salt, diethylenetetramine trisodium salt and diethylenetetramine pentasodium salt. At least one lead-free solder flux residue cleaner composition.
제1 항에 있어서,
상기 무기계 인산 화합물은 일가 금속과 인산이 반응하여 이루어진 염으로서, 일염기성(monobasic), 이염기성(dibasic), 또는 삼염기성(tribasic) 염인 것인 무연땜납 플럭스 잔류물 세정제 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the inorganic phosphoric acid compound is a salt formed by reacting a monovalent metal with phosphoric acid and is a monobasic, dibasic, or tribasic salt.
삭제delete 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 무연땜납 플럭스에 접촉시킴으로써 상기 플럭스를 제거하는 무연땜납 플럭스의 제거방법.6. A method of removing a lead-free solder flux according to any one of claims 1 to 5, wherein the flux is removed by contacting the lead-free solder flux. 제7 항에 있어서,
상기 플럭스의 제거는 20~80℃의 온도에서 1~30분간 수행되는 것인 무연땜납 플럭스의 제거방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the removal of the flux is performed at a temperature of 20 to 80 DEG C for 1 to 30 minutes.
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