KR20150013668A - 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 적어도 열가소성 층 (3)을 사이에 두고 서로 전면적으로 결합되어 있는 기판 (1)과 외측 패널 (2)을 포함하며, 광전지층 시스템 (6)이 열가소성 층 (3) 내에 매립되어 있고, 기판 (1)이 1종 이상의 중합체를 함유하는 것인, 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널에 관한 것이다.
Description
본 발명은 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널, 그의 제조 방법 및 용도에 관한 것이다.
광전지 모듈을 차량의 루프 패널 내로 일체화시킬 수 있다는 것은 알려져 있다. 그러한 루프 패널은, 예를 들어, DE 3713854 A1, DE 4006756 A1, DE 4105389 C1 및 US 20120097218 A1에 알려져 있다.
일체형 광전지 모듈을 갖는 통상의 루프 패널은 전형적으로는 두 장의 유리 패널로 제조되고 이들 사이에 광전지 모듈이 배열되어 있는 복합 패널로서 구현된다. 그러한 루프 패널은 고중량이라는 단점이 있다. 또한, 일체형 광전지 모듈을 갖는 많은 다른 종류의 통상의 루프 패널, 특히 결정질 규소를 기재로 하는 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널은 단지 좁은 면적에만 광전지 모듈이 제공될 수 있고, 단지 작은 곡률만이 가능할 수 있다는 단점이 있다.
본 발명의 목적은 일체형 광전지 모듈을 갖는 개선된 루프 패널을 제공하는 것이다. 그러한 루프 패널은 저중량이어야 한다. 또한, 루프 패널의 대부분의 면적에 광전지 모듈을 제공할 수 있어야 하며, 루프 패널에 강한 곡률을 제공할 수 있어야 한다. 또한, 루프 패널은 제조하기가 간편하고 경제적이어야 한다.
본 발명의 목적은 본 발명에 따라서 독립 청구항 1에 따른 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널에 의해 달성된다. 바람직한 실시양태는 종속 청구항에 청구되어 있다.
본 발명에 따른 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널은 적어도 열가소성 층에 의해 서로 라미네이트 방식으로 결합되어 있는 기판과 외측 패널을 포함하며, 광전지층 시스템은 열가소성 층 내에 매립되어 있고, 기판은 1종 이상의 중합체를 함유하는 것이다.
본 발명에 따른 루프 패널은, 예컨대, 지붕 영역에서 차량의 내부의 외부 환경과의 경계를 확정짓기 위한 것이다. 본 발명에 따라서, 외측 패널은 외부 환경을 향한다. 기판은 내부를 향한다. 태양광은 외측 패널을 통해 루프 패널에 입사하여, 열가소성 층 내의 광전지층 시스템에 다다른다.
본 발명의 장점은 1종 이상의 중합체를 함유하는 본 발명에 따른 기판에 있다. 선행 기술에 따르면, 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널은 전형적으로 라미네이션에 의해 서로 결합되어 있는 두 장의 유리 패널을 포함한다. 이에 비하여, 본 발명에 따른 중합체 기판에 의해서는 루프 패널의 현저한 중량 감소가 얻어진다. 본 발명에 따른 루프 패널은 중합체 기판을 사용했음에도 불구하고, 예컨대, 자동차에 사용될 수 있을 정도로 충분한 안정성을 갖는 것으로 입증되었다. 본 발명에 따른 루프 패널은 또한 통상의 루프 패널 보다 제조하기가 경제적이다. 광전지층 시스템이 열가소성 층 내에 전면적으로 배열될 수 있고, 곡률이 큰 루프 패널이 실현될 수 있다.
기판과 외측 패널의 서로 마주하고 있지 않은 쪽 표면들은 바람직하게는 루프 패널의 외부 표면을 형성한다. 이는 기판과 외측 패널의 서로 마주하고 있지 않은 쪽 표면에 더 이상의 다른 요소, 예를 들어, 더 이상의 패널이 배열되지 않는다는 것을 의미한다. 특히, 루프 패널의 충분한 안정성을 얻기 위해 중합체 기판의 외측 패널 반대쪽 표면에 또 다른 유리 패널을 배열할 필요가 없다. 특별한 장점은 낮은 중량의 루프 패널이라는 점에 있다. 그러나, 기판과 외측 패널의 서로 마주하고 있지 않은 쪽 표면에는 코팅이 있을 수 있다. 중합체 기판은, 예컨대, UV 차단층이나 스크래칭에 의한 손상으로부터 보호하는 층과 같은 보호 코팅을 가질 수 있다.
기판은 바람직하게는 플라스틱으로 이루어진다. 기판은 특히 예를 들어 유리 패널에서와 같이 유리를 함유하지 않는다. 특히, 광전지층 시스템의 내측에는 유리 패널이 배치되지는 않는다. 이는 본 발명에 따른 루프 패널이 그에 의해 경계지워진 내부에 광전지층 시스템 보다 더 가까운 거리에 있는 유리 패널을 함유하지 않는다는 것을 의미한다.
본 발명의 유리한 실시양태에서, 기판은 강성 패널로서 구현된다. 기판은, 예를 들어, 적어도 폴리에틸렌 (PE), 폴리카르보네이트 (PC), 폴리프로필렌 (PP), 폴리스티렌 (PS), 폴리부타디엔, 폴리니트릴, 폴리에스테르, 폴리우레탄 (PU), 폴리메틸 메타크릴레이트 (PMMA), 폴리비닐 클로라이드 (PVC), 폴리아크릴레이트, 폴리아미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌 (ABS), 스티렌 아크릴로니트릴 (SAN), 아크릴로니트릴 스티렌 아크릴에스테르 (ASA) 및/또는 그들의 공중합체 또는 혼합물을 함유할 수 있다. 기판은 바람직하게는 1종 이상의 열가소성 중합체를 함유한다. 기판은 특히 바람직하게는 적어도 폴리카르보네이트 (PC) 및/또는 폴리메틸 메타크릴레이트 (PMMA)를 함유한다. 이는 기판의 가공, 강도 및 기계적 및 화학적 내성과 관련하여 특히 유리하다. 기판의 두께는 바람직하게는 0.8 mm 내지 25 mm, 특히 바람직하게는 0.8 mm 내지 4 mm, 예를 들어, 2.1 mm이다. 강성 패널로서 구현되는 기판의 특별한 장점은 본 발명에 따른 루프 패널의 안정성에 있다.
본 발명의 또 다른 유리한 실시양태에서, 기판은 가요성 필름으로서 구현된다. 가요성 필름의 두께는 바람직하게는 0.02 mm 내지 2 mm, 특히 바람직하게는 0.1 mm 내지 1.5 mm, 예를 들어, 0.4 mm 내지 1.5 mm, 가장 특히 바람직하게는 0.15 mm 내지 0.8 mm, 특히 0.45 mm 내지 0.8 mm이다. 특히 유리한 점은 본 발명에 따른 루프 패널의 낮은 중량 및 낮은 생산 비용에 있다. 가요성 필름은 바람직하게는 1종 이상의 열가소성 중합체를 함유한다. 열가소성 중합체는 바람직하게는 불소로 치환된다. 이는 기판의 화학적 및 기계적 안정성과 관련하여 특히 유리하다. 기판은 매우 특히 바람직하게는 적어도 폴리비닐 플루오라이드 및/또는 폴리비닐리덴 플루오라이드를 함유한다. 마찬가지로 바람직한 것은 에틸렌 테트라플루오로에틸렌 (ETFE) 및/또는 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE)이다. 이는 화학적 및 기계적 내성 뿐만 아니라 기판 상의 열가소성 층의 접착력과 관련하여 특히 유리하다. 기판은 또한 그들의 혼합물 또는 공중합체를 함유할 수 있다.
본 발명의 유리한 실시양태에서, 외측 패널은 유리, 바람직하게는 판유리, 플로트 유리, 석영 유리, 보로실리케이트 유리 또는 소다 석회 유리를 함유한다. 이는 본 발명에 따른 루프 패널의 안정성, 및 우박 (hail) 또는 진눈깨비 (sleet)와 같은 침강물로부터의 손상과 같은 외부 영향으로부터 광전지층 시스템을 보호하는 것과 관련하여 특히 유리하다. 외측 패널은 예비응력처리되지 않거나, 부분적으로 예비응력처리되거나, 예비응력처리되거나 또는 경화된, 예를 들어, 열적 또는 화학적으로 경화된 것일 수 있다.
본 발명의 또 다른 유리한 실시양태에서, 외측 패널은 1종 이상의 중합체, 바람직하게는 열가소성 중합체를 함유한다. 외측 패널은, 예를 들어, 적어도 폴리에틸렌 (PE), 폴리카르보네이트 (PC), 폴리프로필렌 (PP), 폴리스티렌 (PS), 폴리부타디엔, 폴리니트릴, 폴리에스테르, 폴리우레탄 (PU), 폴리메틸 메타크릴레이트 (PMMA), 폴리비닐 클로라이드 (PVC), 폴리아크릴레이트, 폴리아미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌 (ABS), 스티렌 아크릴로니트릴 (SAN), 아크릴로니트릴 스티렌 아크릴에스테르 (ASA), 및/또는 그들의 공중합체 또는 혼합물, 바람직하게는 폴리카르보네이트 (PC) 및/또는 폴리메틸 메타크릴레이트 (PMMA)를 함유할 수 있다. 중합체성 외측 패널을 사용함으로써 루프 패널의 중량은 더욱 감소될 수 있다.
외측 패널이 중합체성 외측 패널로서 구현되는 경우, 기판은 바람직한 실시양태에서 가요성 필름으로서 구현된다. 따라서, 매우 낮은 중량의 루프 패널이 실현될 수 있다.
외측 패널의 두께는 바람직하게는 1.0 mm 내지 12 mm, 특히 바람직하게는 1.4 mm 내지 5 mm, 예를 들어, 2.1 mm이다. 기판이 가요성 필름으로서 구현되는 경우, 외측 패널의 두께는 바람직하게는 2.8 mm 내지 5 mm이다. 따라서, 루프 패널에 유리한 안정성이 얻어진다.
열가소성 층은 1종 이상의 열가소성 중합체, 바람직하게는 에틸렌 비닐 아세테이트 (EVA), 폴리비닐 부티랄 (PVB), 폴리우레탄 (PU), 폴리에틸렌 (PE), 및/또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET)를 함유한다. 그러나, 열가소성 층은 또한, 예를 들어, 적어도 폴리프로필렌, 폴리카르보네이트, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐 클로라이드, 폴리아세테이트 수지, 캐스팅 수지, 아크릴레이트, 플루오르화 에틸렌 프로필렌, 폴리비닐 플루오라이드, 및/또는 에틸렌 테트라플루오로에틸렌을 함유할 수 있다. 열가소성 층은 두께가 바람직하게는 0.5 mm 내지 5 mm, 특히 바람직하게는 1 mm 내지 3 mm, 가장 특히 바람직하게는 1 mm 내지 2 mm이다.
열가소성 층은 바람직하게는 적어도 하나의 제1 열가소성 필름 및 적어도 하나의 제2 열가소성 필름으로부터 형성되며, 그 사이에 광전지층 시스템이 배열된다. 각 열가소성 필름의 두께는 바람직하게는 0.25 mm 내지 1 mm, 특히 바람직하게는 0.45 mm 내지 0.85 mm이다. 제1 및 제2 열가소성 필름은 동일하거나 상이한 재료로 이루어질 수 있다.
그러나, 열가소성 층은 또한 2개 초과의 필름으로 형성될 수 있다. 다른 필름은, 예컨대, 보호층으로서 또는 루프 패널의 제조 전 광전지층 시스템의 캐리어층으로서 작용할 수 있다.
열가소성 층의 둘레 가장자리의, 예컨대, 폭 3 mm 내지 50 mm의 영역에는 광전지층 시스템이 제공되지 않는 것이 바람직하다. 이러한 가장자리 영역에서, 제1 및 제2 열가소성 필름은 바람직하게는 직접적으로 또는, 예컨대, 다른 중합체 층과 같은 다른 층을 사이에 두고 서로 결합된다. 광전지층 구조는 이와 같이 열가소성 층 내부에 내구적으로 안정하게 또한 외부 환경과 접촉함이 없이 매립되어, 외부의 영향, 특히 부식 및 기계적 손상으로부터 유리하게 보호된다.
본 발명에 따른 루프 패널은 어떠한 3차원 형상이라도 가질 수 있다. 루프 패널은 평판형이거나 하나 또는 복수 개의 공간적 방향으로 약간 또는 상당히 곡면화될 수 있다. 곡면 루프 패널의 곡률 반경은, 예를 들어, 50 mm 내지 1200 mm일 수 있다. 곡률 반경은 루프 패널 전체를 통해 일정할 필요는 없다. 상당히 또는 보다 덜 곡면화된 영역이 있을 수 있다. 평면 영역 및 곡면화된 영역도 있을 수 있다. 통상의 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널에서, 곡률 반경은 전형적으로 700 mm 내지 1000 mm이다. 이와는 대조적으로, 본 발명에 따른 열가소성 층 내에 매립된 광전지층 시스템 및 본 발명에 따른 중합체성 기판에 의해, 적어도 한 영역에서 곡률 반경이 600 mm 내지 900 mm, 바람직하게는 600 내지 650 mm인 루프 패널이 실현될 수 있다.
본 발명에 따른 루프 패널의 면적은 광범위하게 변화할 수 있으며, 따라서, 개개의 경우의 요건에 이상적으로 부합될 수 있다. 루프 패널의 면적은, 예를 들어, 100 cm2 내지 5 m2, 바람직하게는 0.5 m2 내지 2 m2일 수 있다.
루프 패널에 있어서, 태양광이 내부로 직접 입사하는 것을 피하기 위하여 가시광의 투과율 감소가 빈번하게 요구된다. 투과율은, 예를 들어, 50% 미만, 20% 미만, 더 작게는 10% 미만일 수 있다. 이는 전형적으로는 틴트 (tinted) 및/또는 착색된 외측 및/또는 내측 패널에 의해 또는 라미네이트 내의 틴트 필름에 의해 달성된다. 루프 패널의 내부에 전면적으로 배열된 광흡수 광전지층 시스템에 의해, 루프 패널을 통한 가시광의 투과율은 유리하게 감소되어, 외측 패널, 기판 및 열가소성 층은 투명하고 맑은 것으로 구현될 수 있다. 그러한 투명한 외측 패널, 기판 및 열가소성 층은 제조하기가 간편하고 보다 더 경제적이며, 결과적으로, 예컨대, 외측 패널 상에 도포된 기능성 코팅의 부식 위험의 감소를 가져온다. 광전지층 시스템의 영역에서 루프 패널을 통한 가시광의 투과율은 바람직하게는 50% 미만이다.
광전지층 시스템은 복사 에너지를 전기 에너지로 전환시키는데 필요한 전하 캐리어 분리 작용을 한다. 광전지층 시스템은 바람직하게는 박막 시스템이다. 이는 단지 수 마이크로미터 두께의 층 시스템을 포함한다. 특히 유리한 점은 본 발명에 따른 열가소성 층의 얇은 두께 및 높은 가요성에 있다. 열가소성 층의 높은 가요성은, 특히, 보다 강하게 곡면화된 루프 패널이 실현될 수 있다는 장점을 갖는다.
광전지층 시스템은 바람직하게는 전면 전극층과 후면 전극층 사이에 적어도 하나의 광기전 활성 흡수체층을 포함한다. 전면 전극층은 흡수체층의 외측 패널을 향한 쪽에 배열되어 있다. 후면 전극층은 흡수체층의 기판을 향한 쪽에 배열되어 있다.
광기전 활성 흡수체층은 바람직하게는 하나 이상의 p-형 반도체층을 포함한다. p-형 반도체층은, 예를 들어, 무정형, 미세형태형 또는 다결정형 규소, 카드뮴 텔루라이드 (CdTe), 카드뮴 셀레나이드 (CdSe), 갈륨 아르세나이드 (GaAs), 또는 반도체성 유기 중합체 또는 올리고머를 함유할 수 있다.
본 발명의 특히 바람직한 실시양태에서, p-형 반도체층은 칼코피라이트계 반도체로서, 예를 들어, 구리-인듐-디셀레나이드 (CuInSe2)와 같은 구리-인듐-황/셀레늄(CIS)계 화합물, 또는 Cu(InGa)(SSe)2와 같은 구리-인듐-갈륨-황/셀레늄(CIGS)계 화합물을 함유한다. CI(G)S-계 반도체층은 태양광 스펙트럼에 최적화된 밴드 갭에 기인한 특히 높은 흡수율로 차별화된다. 이는 광전지층 시스템의 전력과 관련하여 특히 유리하다. 또한, 칼라 캐스트 (color cast)가 없는 루프 패널의 균일한 어두운 외관은 CI(G)S-계 흡수체층에 의해 달성된다. 흡수체층은 금속, 바람직하게는 나트륨으로 도핑될 수 있다. 광기전 활성 흡수체층의 층 두께는 바람직하게는 500 nm 내지 5 μm, 특히 바람직하게는 1 μm 내지 3 μm이다.
본 발명의 또 다른 특히 바람직한 실시양태에서, 흡수체층은 반도체성 유기 중합체 또는 올리고머를 함유한다. 그러한 층 시스템의 경우에, 투명도는 유리하게도 조절될 수 있으며, 특히 활성 흡수체층의 층 두께, 재료 뿐만 아니라 후면 전극의 재료의 선택을 통해 조절될 수 있다. 이와 같이, 어두운 외관이 그와 같은 층 시스템에 의해 실현될 수 있어 유리하다.
후면 전극층은, 예를 들어, 1종 이상의 금속, 바람직하게는 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐, 니켈, 티타늄, 크롬 및/또는 탄탈룸을 함유할 수 있다. 후면 전극층의 층 두께는 바람직하게는 300 nm 내지 600 nm이다.
전면 전극층은 흡수체층이 감수성인 스펙트럼 범위에서 투명하다. 전면 전극층은, 예를 들어, n-형 반도체, 바람직하게는 알루미늄-도핑된 산화아연 또는 산화인듐주석을 함유할 수 있다. 전면 전극층의 층 두께는 바람직하게는 500 nm 내지 2 μm이다.
전극층은 또한 은, 금, 구리, 니켈, 크롬, 텅스텐, 산화주석, 이산화규소, 질화규소 및/또는 이들의 조합 및 혼합물을 함유할 수 있다.
전극층은 또한 상이한 개별 층의 층 스택을 포함할 수 있다. 그러한 층 스택은 예를 들어, 이온이 광기전 활성 흡수체층 내로 확산하는 것을 방지하기 위하여, 예를 들어, 질화규소로 된 확산 차단층을 함유할 수 있다.
광전지층 시스템은, 물론 당업자에 공지된 다른 개별 층들을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 흡수체층과 전극층 사이에서 전자 특성을 조절하기 위한 버퍼층을 포함할 수 있다.
본 발명의 유리한 실시양태에서, 광전지층 시스템은 후면 전극층, 흡수체층 및 전면 전극층을 그 자체로 공지된 방법으로 적절히 패터닝 및 연결하여 개개의 광기전 활성 영역, 소위 태양광 전지로 분할될 수 있다. 그와 같이 분할된 광전지층 시스템은, 예를 들어, EP 2200097 A1에 알려져 있다. 분할은 레이저 라이팅 (writing), 및 예를 들어 드로싱 (drossing) 또는 스크래칭 (scratching)에 의한 머쉬닝 (machining)과 같은 적절한 패터닝 기술을 사용한 절개에 의해 이루어진다. 개개의 태양광 전지는 후면 전극의 영역을 통하여 일체로 된 형태로 서로 직렬로 연결된다.
열가소성 층은 바람직하게는 광전지층 시스템의 전기적 접촉을 위해, 소위 "버스바 (busbar)"로 그 자체로 알려진 집전체 (collecting conductor)를 포함한다. 버스바는 전면 및/또는 후면 전극층에 도전성으로 접속되어 있다. 버스바는 유리하게는 밴드 또는 스트립으로서 구현된다. 버스바는 바람직하게는 1종 이상의 금속 또는 1종 이상의 금속 합금을 함유하거나 1종의 금속 또는 금속 합금으로 이루어진다. 원칙적으로, 필름으로 가공될 수 있는 어떠한 도전성 재료나 버스바로 사용될 수 있다. 버스바로 사용하기에 특히 적절한 재료는, 예를 들어, 알루미늄, 구리, 주석화 구리, 금, 은, 또는 주석 및 그들의 합금이다. 버스바는, 예를 들어, 두께가 0.03 mm 내지 0.3 mm이고, 폭이 2 mm 내지 16 mm이다. 버스바는 제1 열가소성 필름 및 제2 열가소성 필름이 결합되어 열가소성 층을 형성하기 전에 그 사이에 배치될 수 있다. 버스바는 필름의 접착에 의해 의도된 위치에 유지된다. 또한, 버스바와 각 전극층 사이의 도전성 접속은, 예를 들어, 용접, 결합, 땜납, 클램핑, 또는 도전성 접착제를 사용한 접착에 의해 이루어질 수 있다.
버스바는 열가소성 층의 측면 가장자리를 벗어나 연장될 수 있으며, 열가소성 층 바깥쪽에서 적절한 케이블에 의해 전기 접촉된다. 또한, 버스바의 전기적 접촉은 적절한 케이블, 바람직하게는 포일 (foil) 전도체와 같은 판형 전도체에 의해 열가소성 층 내에서 이루어질 수 있다. 이를 위해, 케이블은 제1 및 제2 열가소성 필름의 결합 전에 버스바에 연결되어, 열가소성 층 내부의 버스바로부터 열가소성 층의 측면 가장자리를 벗어나서까지 연장된다.
광전지층 시스템은 물리적으로 서로 분리되어 있는 서브섹션으로 분할될 수 있다. 이는 광전지층 시스템의 개별 층 중 어느 것에도 의하지 않고, 즉, 추가의 접속 부재를 사용하지 않고 서로 직접 연결된 서브섹션을 포함한다. 그러한 서브섹션은 길이 및 폭이 바람직하게는 100 mm 내지 2000 mm, 특히 바람직하게는 500 mm 내지 1000 mm이다. 두 개의 인접한 서브섹션 사이의 거리는 바람직하게는 1 mm 내지 100 mm, 특히 바람직하게는 10 mm 내지 50 mm이다. 서브섹션은, 예를 들어, 장방형 표면을 가질 수 있으며, 서로 평행한 열의 형태로 배열될 수 있다. 개개의 서브섹션은 바람직하게는 의도된 용도에 따라서 도전성 접속 부재에 의해 서로 병렬 및/또는 직렬로 연결된다. 도전성 접속 부재는, 예를 들어, 1종 이상의 금속 또는 1종 이상의 금속 합금을 함유하는 밴드 또는 스트립으로서 구현된다. 도전성 접속 부재는 바람직하게는 적어도 알루미늄, 구리, 주석화 구리, 금, 은 또는 주석 및 그들의 합금을 함유한다. 도전성 접속 부재의 두께는 바람직하게는 0.03 mm 내지 0.3 mm이다. 광전지층 시스템의 서브섹션은 또한 그룹으로 분할될 수 있으며, 한 그룹 내의 서브섹션들은 각각 서로 직렬로 연결되어 있고, 그룹들은, 예컨대, 공통의 버스바에 접속되어 서로 병렬로 연결되어 있다.
광전지층 시스템의 면적은 바람직하게는 본 발명에 따른 루프 패널 면적의 50% 내지 100%, 예를 들어, 50% 내지 90%이다. 이는 일체형 광전지 모듈의 전력 뿐만 아니라 루프 패널의 균일한 외관과 관련하여 특히 유리하다. 광전지층 시스템의 면적은, 예를 들어, 0.1 m2 내지 5 m2, 바람직하게는 0.5 m2 내지 2 m2일 수 있다.
바람직한 실시양태에서, 일체형 광전지 모듈은 달성가능한 비 최대출력 PMPP가 10 W/m2 내지 300 W/m2, 특히 바람직하게는 50 W/m2 내지 150 W/m2이다. 전력은 광전지 모듈에 대한 일반적인 표준 시험 조건 (선량 1000 W/m2, 온도 25 ℃, 선 스펙트럼 AM 1.5 글로벌)하에 측정된다.
본 발명의 목적은 또한 적어도
(a) 광전지층 시스템을 열가소성 층 내로 도입하는 단계,
(b) 열가소성 층을 1종 이상의 중합체를 함유하는 기판과 외측 패널 사이에 라미네이트 방식으로 배열하는 단계, 및
(c) 기판을 외측 패널에 열, 진공 및/또는 압력의 작용하에 열가소성 층을 사이에 두고 결합시키는 단계를 포함하는, 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널의 제조 방법에 의해 달성된다.
열가소성 층은 바람직하게는 적어도 하나의 제1 열가소성 필름 및 적어도 하나의 제2 열가소성 필름으로 형성되며, 광전지층 시스템은 제1 및 제2 열가소성 필름 사이에 라미네이트 방식으로 도입된다.
광전지층 시스템은 제1 또는 제2 열가소성 필름의 표면 상으로 직접 침착될 수 있다. 또한, 광전지층 시스템이 예를 들어, 캐리어 필름 상에 침착된 다음, 이것이 제1 및 제2 열가소성 필름 사이에 배치될 수 있다. 다른 층, 예컨대, 접착-촉진층 또는 기타 캐리어 필름이 제1 및 제2 열가소성 필름 사이에 배열될 수 있다.
예컨대, 제1 또는 제2 열가소성 필름 또는 캐리어 필름의 표면 상의 열가소성층 시스템의 침착은 바람직하게는 음극 스퍼터링, 증착 또는 화학적 증착 (CVD)에 의해 이루어진다.
본 발명에 따른 방법의 하나의 실시양태에서, 기판 또는 외측 패널이 먼저 제조된다. 적어도 제1 열가소성 필름이 기판 또는 외측 패널의 한 쪽 표면에 배열된다. 광전지층 시스템이 캐리어 필름 상에 제공되는 경우, 이 캐리어 필름이 제1 열가소성 필름 상에 라미네이트 방식으로 배열된다. 그 다음, 적어도 제2 열가소성 필름이 제1 열가소성 필름 또는 캐리어 필름 상에 라미네이트 방식으로 배열된다. 이 실시양태에서, 단계 (b)에서, 외측 패널 또는 기판이 제2 열가소성 필름 상에 라미네이트 방식으로 배열되며, 이에 의해 광전지층 시스템이 있는 열가소성 층이 기판과 외측 패널 사이에 배열된다.
또 다른 실시양태에서, 열가소성 필름 중의 하나가 기판 또는 커버 패널 위에 배열되기 전에 광전지층 시스템이 적어도 제1 및 제2 열가소성 필름 사이에 배열된다. 제1 및 제2 열가소성 필름은 광전지층 시스템을 사이에 두고 전면적으로 결합되어 프리-라미네이팅된 열가소성 층을 형성한다. 결합은 바람직하게는 열, 압력 및/또는 진공의 작용하에 이루어진다. 공정 단계 (b)에서, 광전지층 시스템이 매립되어 있는 사전 조립된 프리-라미네이트(pre-laminate)가 기판과 커버 패널 사이에 배열된다.
그러한 프리-라미네이트의 장점은 본 발명에 따른 루프 패널의 간편하고 경제적인 제조에 있다. 프리-라미네이트는 기판을 외측 패널에 결합시키기 전에 제조될 수 있다. 이어서, 루프 패널을 제조하는 통상적인 방법이 사용될 수 있으며, 여기서 통상적으로 기판을 외측 패널에 접착시키는 열가소성 중간층이 프리-라미네이트로 대체된다. 또한, 프리-라미네이트의 내부의 광전지 시스템은 유리하게는 손상, 특히 부식으로부터 보호된다. 결과적으로, 프리-라미네이트는 루프 패널을 실제로 제조하기 전에 다량으로도 확실히 제조될 수 있으며, 이는 경제적인 이유에서 바람직할 수 있다. 프리-라미네이트는 기판 및 외측 패널에 직접적으로 또는 다른 열가소성 필름을 통해 결합될 수 있다.
바람직하게는, 전기 접촉을 위한 후면 및/또는 전면 전극층은 광전지층 시스템의 적용 후 제1 및 제2 열가소성 층의 결합 전에, 예컨대, 버스바 및/또는 포일 전도체에 도전성으로 접속된다.
기판이 강성 패널로서 구현되는 경우, 기판을 외측 패널에 결합시키는 것은 그 자체로 공지된 복합 패널의 제조 방법으로 열가소성 층을 통해 이루어질 수 있다. 예를 들어, 소위 "오토클레이브 방법"이 약 10 bar 내지 15 bar의 승압과 130 ℃ 내지 145 ℃의 온도에서 약 2시간 동안 수행될 수 있다. 그 자체로 공지된 진공 백 또는 진공 링 (ring) 방법은, 예컨대, 약 200 mbar 및 130 ℃ 내지 145 ℃에서 수행된다.
외측 패널, 열가소성 층 및 기판은 캘린더 중 적어도 한 쌍의 롤러 사이에서 압착되어 본 발명에 따른 루프 패널을 형성할 수 있다. 이러한 유형의 시스템은 라미네이트 창유리를 제조하는데 알려져 있으며, 통상적으로 압착 장치 상류에 적어도 하나의 가열 터널을 갖는다. 압착 과정 중의 온도는, 예를 들어, 40 ℃ 내지 150 ℃이다. 캘린더링과 오토클레이빙 방법의 조합이 실시하기에 특히 효과적인 것으로 나타났다.
또한, 진공 라미네이터가 사용될 수 있다. 이들은 하나 또는 복수 개의 가열 및 탈기 챔버로 이루어지며, 이 안에서 외측 패널과 기판이, 예를 들어, 0.01 mbar 내지 800 mbar의 감압 및 80 ℃ 내지 170 ℃의 온도에서 약 60분 이내에 라미네이트될 수 있다.
기판이 가요성 필름으로 구성되는 경우, 특히 유리한 실시양태에서 기판을 외측 패널에 결합시키는 것은 후술하는 바와 같은 방법으로 열가소성 층을 통하여 이루어진다. 공정 단계 (b) 전, 후 또는 동시 및 공정 단계 (c) 전에, 분리 필름을 기판의 외측 패널 반대쪽 표면에 배열하고, 지지 패널을 분리 필름의 기판 반대쪽 표면에 배열한다. 지지 패널은 바람직하게는 강성 패널이고, 바람직하게는 유리, 특히 바람직하게는 판유리, 플로트 유리, 석영 유리, 보로실리케이트 유리 또는 소다 석회 유리, 또는 플라스틱, 바람직하게는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카르보네이트, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리비닐 클로라이드 및/또는 그들의 혼합물을 포함한다. 지지 패널의 두께는 바람직하게는 1.0 mm 내지 25 mm, 특히 바람직하게는 1.4 mm 내지 5 mm이다. 지지 패널의 기판을 향하고 있는 쪽 표면은 외측 패널의 기판을 향하고 있는 쪽 표면의 곡률과 동일하여야 한다. 이와 같이, 지지 패널은 크기 및 형태에 있어서, 원칙적으로 외측 패널에 결합되어 복합 패널을 형성하기에 적절한 것으로 선택된다. 분리 필름은 지지 패널과 기판 사이의 영구적인 접착을 방지하는데 적절한 재료로부터 제조된다. 분리 필름은 바람직하게는 1종 이상의 폴리테트라할로겐 에틸렌, 특히 바람직하게는 적어도 폴리테트라플루오로에틸렌 및/또는 폴리클로로트리플루오로에틸렌을 함유한다. 이는 분리 필름의 접착-방지 특성과 관련하여 특히 유리하다. 분리 필름의 두께는 바람직하게는 0.01 mm 내지 10 mm, 특히 바람직하게는 0.1 mm 내지 2.5 mm, 예를 들어, 0.1 mm 내지 1 mm이다.
외측 패널, 열가소성 층, 기판, 분리 필름 및 지지 패널로 이루어진 스택에, 예컨대, 상기한 바와 같은 그 자체로 공지된 복합 패널의 제조 방법을 간편한 방식으로 수행할 수 있다. 이와 같이, 외측 패널과 기판 사이에 영구적으로 안정한 결합이 열가소성 층을 통해 제공된다. 분리 필름의 접착-방지 작용에 의해, 지지 패널은 이후에 간편한 방식으로 제거될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면은 육상, 공중 또는 수상 운송 수단, 바람직하게는, 기차, 노면 전차, 선박, 및 버스, 트럭과 같은 자동차, 특히 승용차에 있어서 본 발명에 따른 루프 패널의 용도를 포함한다. 일체형 광전지 모듈을 사용하여 얻은 전기 에너지에 의해, 예를 들어, 전기차량의 배터리가 냉각되거나, 차량 주차 중 승객 좌석이 냉각되거나, 차량의 2차 배터리가 충전되거나, 차량 주차 중 발열창이 작동될 수 있다.
본 발명은 도면 및 예시적 실시양태와 관련하여 이하 상세히 설명된다. 도면은 개략적으로 도시한 것으로, 축적에 따른 것이 아니다. 도면은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다:
도 1은 본 발명에 따른 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널의 하나의 실시양태의 단면도이다.
도 2는 도 1의 Z 부분의 확대도이다.
도 3은 본 발명에 따른 루프 패널의 제조 전 기판, 열가소성 층, 외측 패널, 분리 필름 및 지지 패널의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 방법의 예시적 실시양태를 설명한 흐름도이다.
도 1은 본 발명에 따른 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널의 하나의 실시양태의 단면도이다.
도 2는 도 1의 Z 부분의 확대도이다.
도 3은 본 발명에 따른 루프 패널의 제조 전 기판, 열가소성 층, 외측 패널, 분리 필름 및 지지 패널의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 방법의 예시적 실시양태를 설명한 흐름도이다.
도 1 및 도 2는 각각 본 발명에 따른 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널을 상세히 도시한 것이다. 루프 패널은 열가소성 층 (3)에 의해 서로 결합되어 있는 기판 (1)과 외측 패널 (2)을 포함한다. 루프 패널은 자동차의 루프 패널이다. 외측 패널 (2)은 열에 의해 예비응력처리된 소다 석회 유리이고, 두께가 3 mm이다. 기판 (1)은 폴리비닐 플루오라이드 (듀폰 테들라 (DuPont Tedlar)®)로 이루어지고, 두께가 0.8 mm이다. 외측 패널 (2)과 기판 (1)의 서로 마주하고 있지 않은 표면들은 루프 패널의 외부 표면들이 된다. 설치된 위치에서, 외측 패널 (2)의 기판 (1) 반대쪽 표면은 외부 환경을 향하고, 기판 (1)의 외측 패널 (2) 반대쪽 표면은 차량 내부를 향한다. 루프 패널은 자동차 루프 패널에 있어서 통상적인 바와 같이 곡면으로 형성되어 있다. 루프 패널은 폭이 110 cm이고, 길이가 130 cm이다.
열가소성 층 (3)은 하나의 제1 열가소성 필름 (4) 및 하나의 제2 열가소성 필름 (5)으로 형성된다. 제1 및 제2 열가소성 필름 (4, 5)은 에틸렌 비닐 아세테이트 (EVA)로 이루어지며, 각 경우에 두께는 각각 약 0.7 mm이다. 열가소성 필름 (4, 5)은 명확하게 하기 위해 개략적으로 도시되어 있다. 루프 패널의 라미네이션 후에 열가소성 필름 (4, 5) 사이의 전이는, 특히 열가소성 필름 (4, 5)이 동일한 물질로 이루어진 경우, 명확한 경계로 나타나야 할 필요는 없다. 광전지층 시스템 (6)은 제1 열가소성 필름 (4)과 제2 열가소성 필름 (5) 사이에 배열된다. 광전지층 시스템 (6)은 열가소성 층 (3)의 측면 가장자리까지 연장되지는 않는다. 폭이 대략 50 mm인 열가소성 층 (3)의 둘레 가장자리 영역에는 광전지층 시스템 (6)이 제공되지 않는다. 이 가장자리 영역에서, 제1 및 제2 열가소성 필름 (4, 5)은 서로 직접 결합된다. 광전지층 시스템 (6)은 이와 같이 열가소성 층 (3) 내부에서 환경적 영향, 특히 부식으로부터 보호되어 유리하다. 광전지층 시스템 (6)의 전체 면적은 약 1.2 m2이다. 따라서, 광전지층 시스템 (6)의 면적은 루프 패널 면적의 약 84%이다.
광전지층 시스템 (6)은 몰리브덴을 함유하며, 층 두께가 약 300 nm인 후면 전극층 (10)을 포함한다. 광전지층 시스템 (6)은 또한 나트륨-도핑된 Cu(InGa)(SSe)2을 함유하며, 층 두께가 약 2 μm인 광기전 활성 흡수체층 (11)을 함유한다. 광전지층 시스템 (6)은 또한 알루미늄-도핑된 산화아연 (AZO)을 함유하며, 층 두께가 약 1 μm인 전면 전극층 (12)을 함유한다. 단일의 카드뮴 술파이드 (CdS) 층 및 단일의 진성 산화아연 (i-ZnO) 층을 함유하는 버퍼층 (도시되어 있지 않음)이 전면 전극층 (12)과 흡수체층 (11) 사이에 배열되어 있다. 버퍼층은 흡수체층 (11)과 전면 전극층 (12) 사이에서 전자를 조절하는 작용을 한다.
광전지층 시스템 (6)은 서브섹션 (7)들로 분할되어 있다. 서브섹션 (7)들은 물리적으로 서로 분리되어 있으며, 다시 말해서, 광전지층 시스템 (6)의 어떠한 개별 층에 의해서도 서로 직접적으로 연결되어 있지 않다. 광전지층 시스템 (6)은 각각 3개의 서브섹션 (7)을 갖는 3개의 열이 서로 평행하게 배열되어 있는, 총 9개의 서브섹션 (7)을 갖는다. 도 1은 이러한 열 중의 하나의 단면도이다. 이와 같은 열 각각의 서브섹션 (7)들은 서로 직렬 연결되어 있다. 연결은 인접한 각 서브섹션 (7)을 도전성 접속 부재 (8)를 통하여 전극층 (10, 12) 사이에서 적절히 전기 접속하여 이루어진다. 도전성 접속 부재 (8)는 알루미늄으로 된 두께 0.2 mm의 스트립으로 구성된다. 인접하는 서브섹션 (7) 사이의 거리는 대략 5 mm이다. 직렬 연결된 서브섹션 (7) 중 도시된 열의 바깥 쪽의 2개의 서브섹션 (7)은 각각 버스바 (도시되어 있지 않음)에 연결된다. 각 경우에, 열가소성 층 (3)의 측면 가장자리를 벗어나 연장되며, 외부로 전기 접속하는 작용을 하는 포일 전도체 (도시되어 있지 않음)가 버스바에 연결된다. 서로 직렬로 연결되어 있는 이들 서브섹션 (7)으로 된 세 개의 열들 각각은 동일한 버스바에 연결되며, 다른 말로 해서, 열들은 병렬로 연결되어 있다.
광전지층 시스템 (6)의 서브섹션 (7) 각각은, 그 자체로 공지된 박막 광전지 모듈의 제조 방법에 의해, 이른바 "태양광 전지 (9)"로 불리우는 개개의 광기전 활성 영역으로 분할되어 있다. 하나의 서브섹션 (7) 내의 태양광 전지 (9) 각각은 모놀리식으로 일체화된 형태로, 후면 전극층 (10)의 영역 및 후면 전극층 (10)으로 가이드되는 전면 전극층 (12)의 영역을 통해 서로 직렬 연결된다.
도 3은 본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시양태에서, 결합에 의해 루프 패널을 형성하기 전 본 발명에 따른 루프 패널의 부품들의 단면도이다. 기판 (1); 제1 열가소성 필름 (4), 광전지층 시스템 (6) 및 제2 열가소성 필름 (5)으로 된 열가소성 층 (3); 및 외측 패널 (2)이 서로 포개어져 라미네이트 방식으로 배열되어 있다. 임의로는, 열가소성 필름 (4, 5) 및 광전지층 시스템 (6)은 이미 미리 라미네이트된(pre-laminated) 열가소성 층 (3)으로 존재할 수 있다. 기판 (1), 열가소성 층 (3), 광전지층 시스템 (6), 및 외측 패널 (2)은 도 1의 루프 패널과 같은 형태로 구성되어 있다. 지지 패널 (14)이 기판 (1)의 외측 패널 (2) 반대쪽 표면 상에 배열되어 있다. 지지 패널 (14)은 소다 석회 유리로 되며, 크기 및 형태에 있어서 외측 패널 (2)와 동일하게 실시된다. 분리 필름 (13)이 지지 패널 (14)과 기판 (1) 사이에 배열되어 있다. 분리 필름 (13)은 폴리테트라플루오로에틸렌으로 이루어지며, 두께가 1 mm이다. 분리 필름 (13)은 기판 (1)의 표면 전체를 덮는다. 따라서, 분리 필름 (13)의 면적은 적어도 기판 (1)의 표면과 같은 크기일 수 있지만, 도시된 예에서와 같이 더 클 수 있으며, 기판 (1)의 측면 가장자리를 벗어나 연장될 수 있다.
지지 패널 (14)로 인하여, 본 발명에 따른 루프 패널은 기판 (1)이 가요성 필름으로서 구현되는 경우라도 간편한 방법으로 제조될 수 있다. 기판 (1)과 루프 패널 (2)을 열가소성 층 (3)을 통하여 결합시키기 위하여, 지지 패널 (14), 분리 필름 (13), 기판 (1), 열가소성 층 (3) 및 외측 패널 (2)로 이루어진 스택에 그 자체로 공지된 복합 유리 제조 방법을 간편하게 수행할 수 있다. 이와 같이, 외측 패널 (2)과 기판 (1) 사이의 내구적인 안정한 결합은 열가소성 층 (3)을 통하여 달성된다. 분리 필름 (13)은 지지 패널 (14)과 기판 (1) 사이의 접착을 방해한다. 루프 패널을 제조한 후에, 지지 패널 (14)과 분리 필름 (13)은 간편한 방식으로 제거될 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널의 제조 방법의 실시양태를 예시적으로 도시한 것이다.
본 발명에 따른 중합체 기판 (1)을 사용함으로써, 종래의 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널와 비교하여, 중량은 상당히 감소되지만, 여전히 예를 들어 자동차 등에서 루프 패널로 사용하기에 충분한 안정성을 갖는 루프 패널을 실현할 수 있다는 것이 입증되었다. 광전지층 시스템 (6)이 있는 열가소성 층 (3)의 가요성을 이용하여, 곡률 반경이 큰 루프 패널도 실현될 수 있다. 또한, 광전지층 구조 (6)는 열가소성 층 (3) 내에 전면적으로 배열될 수 있다. 본 발명의 이와 같은 장점은 당업자에 의해 예측될 수 없었던 놀라운 것이었다.
(1) 기판
(2) 외측 패널
(3) 열가소성 층
(4) 제1 열가소성 필름
(5) 제2 열가소성 필름
(6) 광전지층 시스템
(7) 광전지층 시스템 (6)의 서브섹션
(8) 도전성 접속 부재
(9) 태양광 전지
(10) 후면 전극층
(11) 흡수체층
(12) 전면 전극층
(13) 분리 필름
(14) 지지 패널
Z 루프 패널의 부분
(2) 외측 패널
(3) 열가소성 층
(4) 제1 열가소성 필름
(5) 제2 열가소성 필름
(6) 광전지층 시스템
(7) 광전지층 시스템 (6)의 서브섹션
(8) 도전성 접속 부재
(9) 태양광 전지
(10) 후면 전극층
(11) 흡수체층
(12) 전면 전극층
(13) 분리 필름
(14) 지지 패널
Z 루프 패널의 부분
Claims (15)
- 적어도 열가소성 층 (3)을 사이에 두고 서로 라미네이트 방식으로 (laminarily) 결합되어 있는 기판 (1)과 외측 패널 (2)을 포함하며, 광전지층 시스템 (6)이 열가소성 층 (3) 내에 매립되어 있고, 기판 (1)이 1종 이상의 중합체를 함유하는 것인, 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널.
- 제1항에 있어서, 기판 (1)이 가요성 포일로서 구현되고, 바람직하게는 0.02 mm 내지 2 mm, 특히 바람직하게는 0.1 mm 내지 1.5 mm, 가장 특히 바람직하게는 0.15 mm 내지 0.8 mm의 두께를 갖는 것인 루프 패널.
- 제2항에 있어서, 기판 (1)이 적어도 폴리비닐 플루오라이드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 에틸렌 테트라플루오로에틸렌 및/또는 폴리테트라플루오로에틸렌을 함유하는 것인 루프 패널.
- 제1항에 있어서, 기판 (1)이 강성 패널로서 구현되고, 바람직하게는 0.8 mm 내지 25 mm, 특히 바람직하게는 0.8 mm 내지 4 mm의 두께를 갖고, 바람직하게는 적어도 폴리카르보네이트 및/또는 폴리메틸 메타크릴레이트를 함유하는 것인 루프 패널.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 광전지층 시스템 (6)이 전면 전극층 (12) 및 후면 전극층 (10) 사이에 적어도 하나의 광기전 활성 흡수체층 (11)을 가지며, 광기전 활성 흡수체층 (11)이 적어도 무정형, 미세형태형 (micromorphous) 또는 다결정형 규소, 카드뮴 텔루라이드 (CdTe), 카드뮴 셀레나이드 (CdSe), 갈륨 아르세나이드 (GaAs), 반도체성 유기 중합체 또는 올리고머 또는 구리 인듐 (갈륨) 황/셀레늄 (CI(G)S), 바람직하게는 반도체성 유기 중합체 또는 올리고머 또는 구리 인듐 (갈륨) 황/셀레늄 (CI(G)S)을 함유하는 것인 루프 패널.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 외측 패널 (2)이 유리, 바람직하게는 판유리, 플로트 유리, 석영 유리, 보로실리케이트 유리 또는 소다 석회 유리, 또는 적어도 중합체, 바람직하게는 폴리카르보네이트 및/또는 폴리메틸 메타크릴레이트를 함유하고, 바람직하게는 1.0 mm 내지 12 mm, 특히 바람직하게는 1.4 mm 내지 5 mm의 두께를 갖는 것인 루프 패널.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 광전지층 시스템 (6)이 도전성 접속 부재 (8) 및/또는 버스바 (busbar)를 통하여 서로 직렬 및/또는 병렬 연결되어 있는 서브섹션 (7)으로 분할되어 있는 것인 루프 패널.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 광전지층 시스템 (6)의 면적이 루프 패널 면적의 50% 내지 100%인 루프 패널.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 열가소성 층 (3)이 적어도 에틸렌 비닐 아세테이트 (EVA), 폴리비닐 부티랄 (PVB), 폴리우레탄 (PU), 폴리에틸렌 (PE) 및/또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET)를 함유하며, 바람직하게는 0.5 mm 내지 5 mm, 특히 바람직하게는 1 mm 내지 3 mm의 두께를 갖는 것인 루프 패널.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 곡면화되어 있으며, 적어도 하나의 영역에서 곡률 반경이 600 mm 내지 900 mm인 루프 패널.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 일체형 광전지 모듈의 비출력 (specific power)이 10 W/m2 내지 300 W/m2, 바람직하게는 50 W/m2 내지 150 W/m2인 것인 루프 패널.
- (a) 광전지층 시스템 (6)을 열가소성 층 (3)내로 도입하는 단계,
(b) 열가소성 층 (3)을 1종 이상의 중합체를 함유하는 기판 (1)과 외측 패널 (2) 사이에 라미네이트 방식으로 배열하는 단계, 및
(c) 기판 (1)을 외측 패널 (2)에 열, 진공 및/또는 압력의 작용하에 열가소성 층 (3)을 사이에 두고 결합시키는 단계
를 적어도 포함하는, 일체형 광전지 모듈을 갖는 루프 패널의 제조 방법. - 제12항에 있어서, 공정 단계 (a)에서, 광전지층 시스템 (6)을 적어도 하나의 제1 열가소성 필름 (4)과 적어도 하나의 제2 열가소성 필름 (5) 사이에 배열시키고, 이어서 열, 진공 및/또는 압력의 작용하에 결합시켜 미리 라미네이트된 (pre-laminated) 열가소성 층 (3)을 형성하는 것인 방법.
- 제12항 또는 제13항에 있어서, 공정 단계 (d) 전에 지지 패널 (14)을 기판 (1)의 외측 패널 (2) 반대쪽 표면 상에 분리 필름 (13)을 사이에 두고 배열시키고, 분리 필름 (13)은 바람직하게는 적어도 1종의 폴리테트라할로겐 에틸렌, 특히 바람직하게는 폴리테트라플루오로에틸렌 및/또는 폴리클로로트리플루오로에틸렌을 함유하며, 바람직하게는 0.01 mm 내지 10 mm의 두께를 갖는 것인 방법.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 루프 패널의, 육상, 공중 또는 수상 운송 수단, 바람직하게는, 기차, 노면 전차, 선박, 및 버스, 트럭과 같은 자동차, 특히 승용차에 있어서의 용도.
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
KR20180018609A (ko) * | 2018-01-29 | 2018-02-21 | 엘지전자 주식회사 | 태양광 발전 모듈 |
KR20190016569A (ko) * | 2016-07-13 | 2019-02-18 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 다중-플라이 복합 층을 갖는 복합 페인 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104364080B (zh) * | 2012-06-05 | 2017-06-23 | 法国圣戈班玻璃厂 | 具有集成光伏模块的顶部片材 |
CN103928549A (zh) * | 2014-04-28 | 2014-07-16 | 杭州勇电照明有限公司 | 浇固式太阳能模块及成型方法 |
CN103928546A (zh) * | 2014-04-28 | 2014-07-16 | 杭州勇电照明有限公司 | 浇注固化式太阳能模块及成型方法 |
CN103928545A (zh) * | 2014-04-28 | 2014-07-16 | 杭州勇电照明有限公司 | 模块式太阳能电池板及成型方法 |
CN105128943B (zh) * | 2015-09-09 | 2018-02-16 | 宁波山迪光能技术有限公司 | 聚碳酸酯封装的太阳能车顶或天窗及其制作方法 |
CN105438270B (zh) * | 2015-12-25 | 2018-08-17 | 吉林大学 | 一种可实现光电转换的车辆顶棚 |
WO2019001471A1 (zh) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | 北京汉能光伏投资有限公司 | 光伏发电车顶 |
JP6779197B2 (ja) * | 2017-12-13 | 2020-11-04 | 株式会社豊田自動織機 | ソーラーパネルの製造方法 |
CN108735840A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-11-02 | 汉能移动能源控股集团有限公司 | 一种太阳能薄膜电池的制造方法 |
US20190378943A1 (en) * | 2018-06-11 | 2019-12-12 | Alta Devices, Inc. | Planarization of photovoltaics |
WO2020037824A1 (zh) * | 2018-08-20 | 2020-02-27 | 汉能移动能源控股集团有限公司 | 太阳能车辆组件及其制备方法和车辆 |
US20220080835A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-17 | Utica Leaseco, Llc | Replaceable solar module for automotive use |
EP4324056A1 (en) * | 2021-04-12 | 2024-02-21 | Conductix, Inc. | Internally sprung shunt |
WO2024193919A1 (de) | 2023-03-17 | 2024-09-26 | Saint-Gobain Glass France | Photovoltaische verbundscheibe mit einer aerogel-lage |
Family Cites Families (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3666614A (en) * | 1969-06-24 | 1972-05-30 | Union Carbide Corp | Glass-polycarbonate resin laminates |
US4663228A (en) | 1983-05-03 | 1987-05-05 | Advanced Glass Systems Corp. | Laminated safety glass |
JPS625671A (ja) | 1985-07-02 | 1987-01-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
DE3538986C3 (de) | 1985-11-02 | 1994-11-24 | Deutsche Aerospace | Verfahren zur Herstellung eines Solargenerators |
JPS62128652U (ko) * | 1986-02-07 | 1987-08-14 | ||
JPS62174916U (ko) | 1986-04-28 | 1987-11-06 | ||
JPS62186447U (ko) | 1986-05-19 | 1987-11-27 | ||
JPS63178357U (ko) | 1987-05-11 | 1988-11-18 | ||
US4860509A (en) | 1987-05-18 | 1989-08-29 | Laaly Heshmat O | Photovoltaic cells in combination with single ply roofing membranes |
DE3727825A1 (de) | 1987-08-20 | 1989-03-02 | Siemens Ag | Serienverschaltetes duennschichtsolarmodul aus kristallinem silizium |
JP2589529B2 (ja) | 1988-02-01 | 1997-03-12 | 日本板硝子株式会社 | 曲面太陽電池モジュールの製造方法 |
AU631354B2 (en) | 1988-05-24 | 1992-11-26 | Asahi Glass Company Limited | Solar cell substrate and solar panel for automobile |
JPH03204979A (ja) | 1989-10-02 | 1991-09-06 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
DE4006756A1 (de) | 1990-03-03 | 1991-09-05 | Webasto Ag Fahrzeugtechnik | Lichtdurchlaessige scheibe fuer kraftfahrzeuge |
DE4105389C1 (ko) | 1991-02-21 | 1992-06-11 | Webasto-Schade Gmbh, 8031 Oberpfaffenhofen, De | |
JPH08236794A (ja) | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
JP3687701B2 (ja) | 1995-05-08 | 2005-08-24 | 株式会社ブリヂストン | 太陽電池モジュール |
JPH0992867A (ja) | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Asahi Glass Co Ltd | 太陽電池モジュールの製造方法 |
DE69824786T2 (de) * | 1997-04-21 | 2005-07-14 | Canon K.K. | Solarzellenmodul und Verfahren zu dessen Herstellung |
CA2406534A1 (en) * | 2000-04-21 | 2002-10-17 | Kaneka Corporation | Curable composition, composition for optical material, optical material, liquid-crystal display, transparent conductive film, and process for producing the same |
JP2002083992A (ja) | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Nissan Motor Co Ltd | 太陽電池パネルおよびその製造方法 |
JP2002231990A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Nissan Motor Co Ltd | 太陽電池パネル |
WO2003005457A1 (en) | 2001-07-04 | 2003-01-16 | Ebara Corporation | Solar cell module and method of manufacturing the same |
JP2003031824A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール |
US6870087B1 (en) | 2001-09-14 | 2005-03-22 | Patrick Gallagher | Assembly method and apparatus for photovoltaic module |
CN100481524C (zh) * | 2003-09-10 | 2009-04-22 | 大日本印刷株式会社 | 太阳能电池组件用填充材料层、太阳能电池组件 |
JP2006013413A (ja) | 2003-09-10 | 2006-01-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池モジュール用充填材層、太陽電池モジュール、ならびに再生太陽電池素子および再生透明前面基板の製造方法 |
US20080283115A1 (en) | 2004-01-28 | 2008-11-20 | Yuko Fukawa | Solar Battery Module and Photovoltaic Generation Device |
US20080223429A1 (en) | 2004-08-09 | 2008-09-18 | The Australian National University | Solar Cell (Sliver) Sub-Module Formation |
JP2006165169A (ja) | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Canon Inc | 太陽電池モジュール、その製造方法及び、その施工方法 |
US20070012353A1 (en) * | 2005-03-16 | 2007-01-18 | Vhf Technologies Sa | Electric energy generating modules with a two-dimensional profile and method of fabricating the same |
JP5127123B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2013-01-23 | ダイキン工業株式会社 | 太陽電池のバックシート |
US20070295390A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-12-27 | Nanosolar, Inc. | Individually encapsulated solar cells and solar cell strings having a substantially inorganic protective layer |
CN101192630B (zh) * | 2006-11-30 | 2012-05-02 | 比亚迪股份有限公司 | 太阳能电池天窗及其制造方法 |
CN101192632A (zh) | 2006-12-01 | 2008-06-04 | 中国科学院半导体研究所 | 聚光太阳电池单元 |
US7531740B2 (en) * | 2006-12-22 | 2009-05-12 | Lumeta, Inc. | Photovoltaic module for roofs |
DE102007037891B4 (de) | 2007-08-10 | 2014-05-08 | Webasto Ag | Verfahren zur Herstellung eines gekrümmten Glasdeckels oder eines gekrümmten Glasfestelements für ein Fahrzeugdach |
JP2009130193A (ja) | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Toyota Motor Corp | 太陽電池モジュール |
AT506129B1 (de) | 2007-12-11 | 2009-10-15 | Heic Hornbachner En Innovation | Gekrümmte photovoltaik-module und verfahren zu deren herstellung |
EP2248186A2 (en) | 2008-02-19 | 2010-11-10 | CertainTeed Corporation | Structured photovoltaic roofing elements, systems and kits |
DE102008030927A1 (de) | 2008-07-02 | 2009-10-22 | Robert Bürkle GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Laminieren von im Wesentlichen plattenförmigen Werkstücken unter Druck- und Wärmeeinwirkung |
JP2010021500A (ja) | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電力供給システム |
EP2315693A1 (de) | 2008-08-12 | 2011-05-04 | Webasto AG | Fahrzeugflächenbauteil mit solarzellenanordnung |
WO2010019829A1 (en) | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Robert Stancel | Impact resistant thin-glass solar modules |
JP5448728B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2014-03-19 | 京セラ株式会社 | 太陽電池モジュールのラミネータ及びこれにより製造された太陽電池モジュール |
EP2200097A1 (en) | 2008-12-16 | 2010-06-23 | Saint-Gobain Glass France S.A. | Method of manufacturing a photovoltaic device and system for patterning an object |
WO2010101811A1 (en) | 2009-03-03 | 2010-09-10 | Arkema France | Acrylic photovoltaic module backsheet |
JP4877353B2 (ja) | 2009-04-02 | 2012-02-15 | トヨタ自動車株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
US20110139225A1 (en) * | 2009-06-23 | 2011-06-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Shaped photovoltaic module |
JP2011046697A (ja) | 2009-07-30 | 2011-03-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 新規ホスフィン化合物,およびこれを用いた電極バッファー材料ならびに光電変換素子 |
DE102009039246A1 (de) | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Sunfilm Ag | Vorrichtung, System mit mindestens zwei solcher Vorrichtungen und Verfahren zur Bestückung einer Photovoltaikanlage |
EP2308679A1 (de) | 2009-10-06 | 2011-04-13 | Bayer MaterialScience AG | Solarmodule mit Polycarbonatblend-Folie als Rückseitenfolie |
JP2011151334A (ja) * | 2009-12-26 | 2011-08-04 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュールの製造方法 |
JP5682122B2 (ja) | 2010-03-05 | 2015-03-11 | トヨタ自動車株式会社 | 太陽電池モジュール |
EP2395567B1 (en) * | 2010-06-10 | 2018-10-03 | Solarwave AB | A method for producing a solar cell module |
JP5494334B2 (ja) * | 2010-07-28 | 2014-05-14 | マツダ株式会社 | 車載太陽電池パネルの取付構造 |
US9312417B2 (en) * | 2010-10-22 | 2016-04-12 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic modules, and/or methods of making the same |
JP5421890B2 (ja) | 2010-11-09 | 2014-02-19 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
US10295712B2 (en) * | 2012-04-19 | 2019-05-21 | Honeywell International Inc. | Backsheets for photovoltaic modules using infrared reflective pigments |
CN104364080B (zh) | 2012-06-05 | 2017-06-23 | 法国圣戈班玻璃厂 | 具有集成光伏模块的顶部片材 |
-
2013
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190016569A (ko) * | 2016-07-13 | 2019-02-18 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 다중-플라이 복합 층을 갖는 복합 페인 및 그 제조 방법 |
KR20180018609A (ko) * | 2018-01-29 | 2018-02-21 | 엘지전자 주식회사 | 태양광 발전 모듈 |
KR101879336B1 (ko) * | 2018-01-29 | 2018-07-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양광 발전 모듈 |
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