KR101830684B1 - 박막형 적층구조를 이용한 cigs 태양전지모듈 및 그 제조방법 - Google Patents
박막형 적층구조를 이용한 cigs 태양전지모듈 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101830684B1 KR101830684B1 KR1020150139973A KR20150139973A KR101830684B1 KR 101830684 B1 KR101830684 B1 KR 101830684B1 KR 1020150139973 A KR1020150139973 A KR 1020150139973A KR 20150139973 A KR20150139973 A KR 20150139973A KR 101830684 B1 KR101830684 B1 KR 101830684B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- solar cell
- cell module
- delete delete
- laminating
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 23
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 22
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 19
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 17
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 claims description 9
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N ethyl but-3-enoate Chemical compound CCOC(=O)CC=C BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N gallium(ii) selenide Chemical compound [Se]=[Ga] QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/049—Protective back sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 박막형 적층구조 및 식각기술을 이용한 태양전지모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로, 습기의 침투를 차단하는 배리어층을 추가하고, 태양전지모듈의 표면에 식각기술을 이용하여 난반사를 유도하여 태양광의 반사율을 감소시킴으로써 태양전지모듈의 발전효율을 증가시킬 수 있다.
Description
본 발명은 태양전지모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 박막형 적층구조 및 식각기술을 이용한 CIGS 태양전지모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.
석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 여러 가지 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중, 반도체 소자의 p-n 접합을 이용한 태양전지는 태양광 에너지를 직접 전기 에너지로 변화시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다.
태양전지는 소재에 따라 결정질 또는 비정질 실리콘 태양전지, 화합물 태양전지, 염료감응 태양전지 등으로 구분될 수 있는데, 현재 결정질 실리콘 태양전지가 가장 널리 활용되고 있다. 그러나 결정질 실리콘 태양전지는 발전효율에 비해 생산 단가가 높은 단점이 있는바, 이를 극복하기 위해 생산 단가가 저렴한 박막형 태양전지(Thin film solar cell)에 대한 관심이 고조되고 있으며, 그 중에서도 광전 변환 효율이 상대적으로 높은 I-III-VI족 화합물로 형성된 태양전지에 대한 연구가 증가하고 있다.
I-III-VI족 화합물로 형성된 태양전지는 박막으로서 플렉서블 태양광패널을 형성할 수 있다. 다만, 태양광패널은 물리적, 화학적 충격에 약하여 이를 보호하기 위한 기술개발이 필요하고, 발전효율을 더욱 증가시키는 기술개발이 필요하다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래 박막형 태양전지가 가지는 문제점을 해소하기 위해 창출된 것으로, 내구성 및 내화학성을 강화하고 태양전지의 발전 효율을 증가시키는 박막형 적층구조를 이용한 CIGS 태양전지모듈 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 태양전지모듈은 전기에너지를 생산하는 에너지생산부, 상기 에너지생산부 위에 적층되는 중간봉지재층, 상기 중간봉지재층 위에 적층되고 상기 에너지발생부 쪽으로 습기가 침투되는 것을 차단하는 배리어층, 상기 배리어층 위에 적층되는 전면봉지재층, 및 상기 전면봉지재층 위에 적층되고 외부의 물리적 또는 화학적 충격으로부터 내부를 보호하는 프런트시트층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈에 있어서, 상기 에너지생산부는 태양전지모듈의 기저를 이루는 백시트층, 상기 백시트층 위에 적층되는 후면봉지재층, 상기 후면봉지재층 위에 적층되고 태양에너지를 전기에너지로 변환하는 태양광패널층을 포함하는 것도 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈에 있어서, 상기 태양광패널층은 플렉서블 CIGS 태양광패널을 포함하는 것도 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈에 있어서, 상기 배리어층은 폴리아세탈 수지를 성분으로 하는 것도 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈에 있어서, 상기 프런트시트층은 폴리아세탈 수지를 성분으로 하는 것도 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈에 있어서, 상기 프런트시트층은 식각된 것도 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈에 있어서, 상기 프런트시트층은 반구형으로 식각된 것도 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈에 있어서, 상기 프런트시트층은 역피라미드형으로 식각된 것도 가능하다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 태양전지모듈 제조방법은, 상기 백시트층 위에 상기 후면봉지재층을 적층시키는 단계, 상기 후면봉지재층 위에 상기 태양광패널층을 적층시키는 단계, 상기 태양광패널층 위에 상기 중간봉지재층을 적층시키는 단계, 상기 중간봉지재층 위에 상기 배리어층을 적층시키는 단계, 상기 배리어층 위에 상기 전면봉지재층을 적층시키는 단계, 상기 전면봉지재층 위에 상기 프런트시트층을 적층시키는 단계, 및 상기 프런트시트층까지 적층된 적층모듈을 라미네이션하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈 제조방법에 있어서, 상기 태양광패널층 적층단계에서는 복수개의 태양광패널 안착부가 형성된 위치결정틀을 상기 후면봉지재층 위에 가설하는 단계, 복수개의 태양광패널을 상기 위치결정틀의 안착부에 안착시키고 가접합하는 단계, 상기 백시트층 및 상기 후면봉지재층에 전원홀을 형성하고, 상기 전원홀을 마감재로 밀폐하는 단계, 상기 위치결정틀을 제거하는 단계, 상기 복수개의 태양광패널들 및 전원홀을 부스바(busbar)로 연결하는 단계, 및 상기 부스바를 부스바마감재를 이용하여 마감하는 단계를 포함하는 것도 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈 제조방법에 있어서, 상기 라미네이션 단계에서는 챔버 내에서 섭씨 140도 이상 150도 이하의 온도로 가열된 열판 위에 상기 적층모듈을 올려놓고 챔버 내의 공기를 진공펌프로 배출시켜 상기 적층모듈의 각 층을 서로 흡착시키는 단계, 상기 흡착단계 후 설정시간에 맞추어 90kPa 이상 110kP 이하의 압력에 도달하도록 프레스압력을 점진적으로 증가시켜 가압하는 단계, 및 상기 프레스압력조건을 설정시간동안 유지하여 양생하는 단계를 포함하는 것도 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈 제조방법에 있어서, 상기 가압단계에서는 설정시간이 50초 이상 70초 이하인 것도 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈 제조방법에 있어서, 상기 양생단계에서는 설정시간이 540초 이상 660초 이하인 것도 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지모듈 제조방법에 있어서, 상기 라미네이션 단계는 상기 프런트시트층 표면에 난반사 유도를 위한 식각을 하는 단계를 더 포함하는 것도 가능하다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 태양전지모듈 및 태양전지모듈 제조방법에 의하면, 배리어층으로 습기의 침투를 차단하여 태양전지모듈의 내구성 및 내화학성을 강화할 수 있고, 식각기술에 의한 난반사 유도로 태양전지모듈의 발전효율이 증가하는 효과가 있다.
도 1은 태양전지 박막의 적층구조를 나타낸 단면도,
도 2는 반구형으로 식각된 프런트시트층의 형태를 나타낸 단면도,
도 3은 역피라미드형으로 식각된 프런트시트층의 형태를 나타낸 단면도,
도 4는 태양광패널 적층단계를 설명하기 위한 위치결정틀 사진,
도 5는 태양광패널이 적층된 상태의 사진,
도 6은 라미네이션 단계를 설명하기 위한 개념도이다.
도 2는 반구형으로 식각된 프런트시트층의 형태를 나타낸 단면도,
도 3은 역피라미드형으로 식각된 프런트시트층의 형태를 나타낸 단면도,
도 4는 태양광패널 적층단계를 설명하기 위한 위치결정틀 사진,
도 5는 태양광패널이 적층된 상태의 사진,
도 6은 라미네이션 단계를 설명하기 위한 개념도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지모듈은 에너지생산부(100), 중간봉지재층(200), 배리어층(300), 전면봉지재층(400), 및 프런트시트층(500)을 포함한다.
상기 에너지생산부(100)는 태양광에너지를 전기에너지로 변환하는 기능을 하고, 백시트층(110), 후면봉지재층(120), 태양광패널층(130)을 포함한다.
상기 백시트층(110)은 태양전지모듈의 기저를 이루고, 외부의 물리적 또는 화학적 충격으로부터 태양광패널을 보호하며, 태양전지모듈에서 발생된 직류전원을 정션박스(junction box) 등으로 보내는 전원홀이 형성된다.
상기 태양광패널층(130)은 상기 백시트층(110) 위에 상기 후면봉지재층(120)을 매개로 하여 접착된다. 상기 태양광패널층(130)은 박막 태양광패널을 통하여 태양광에너지를 전기에너지로 변환시킨다. 박막 태양전지의 예로는 비정질 실리콘(a-Si), CIGS(구리ㆍ인듐ㆍ갈륨ㆍ셀레늄), CdTe(카드뮴텔루라이드) 등이 있다. 본 발명에서 상기 태양광패널층은 플렉서블 CIGS 태양광패널이 사용된다. CIGS 박막은 실리콘(Si)에 비하여 광 흡수계수가 매우 높고, 결정질 실리콘 태양전지 두께의 1/100 수준으로 원 소재 소비량이 현저히 낮아, 생산 비용의 절감이 가능하다.
상기 배리어층(300)은 상기 태양광패널층(130) 위에 상기 중간봉지재층(200)을 매개로 하여 접착되고, 상기 에너지생산부(100) 쪽으로 습기가 침투되는 것을 차단한다. 종래의 태양전지모듈은 백시트층, 제1 봉지층, 태양광패널층, 제2봉지층, 프런트시트층으로 적층된 5층 구조를 가지고 있다. 5층 구조는 고정된 장소에 사용될 경우에는 습기의 침투에 취약한 문제가 있었다. 습기가 침투하면 전극에 녹이 발생하고, 저항이 커져 열이 발생하는 이른바 '핫스팟' 현상이 나타난다. 복수개의 전지 가운데 한 장에만 이런 현상이 나타나도 직렬로 연결된 전체 전지는 이 한 장의 효율과 같아진다. 따라서 본 발명에서는 습기의 침투를 차단하는 상기 배리어층(300)을 적층하여 7층 구조를 형성하고, 그로인해 습기의 침투를 차단함으로써 태양전지의 효율 및 수명을 증가시키도록 하였다.
상기 배리어층(300)은 폴리아세탈(poly acetal) 수지를 성분으로 한다. 폴리아세탈 수지는 강도, 내마모성이 우수함과 더불어 내흡습성이 우수하여 습기의 침투를 차단할 수 있다.
상기 프런트시트층(500)은 상기 배리어층(300) 위에 상기 전면봉지재층(400)을 매개로 하여 접착되고, 태양전지모듈의 최상부에 적층되어 외부에서의 물리적 충격 및 화학적 충격으로부터 내부의 태양광패널을 보호하는 역할을 한다. 또한, 태양광을 투과시켜 태양광패널로 흡수되도록 하는 역할을 한다. 따라서 높은 태양광 투과율 및 내마모성, 높은 강도, 내흡습성, 내화학성 등이 요구된다.
상기 프런트시트층(500)은 폴리아세탈(poly acetal) 수지를 성분으로 한다. 폴리아세탈 수지는 강도, 내마모성이 우수함과 더불어 내흡습성이 우수하여 습기의 침투를 차단할 수 있다. 상기 프런트시트층(500) 및 상기 배리어층(300)을 모두 폴리아세탈 수지를 성분으로 적층할 경우에는 내흡습성을 극대화할 수 있다.
상기 후면봉지재층(120), 상기 중간봉지재층(200), 및 상기 전면봉지재층(400)은 다양한 재질이 사용될 수 있으나, EVA(ethyl vinyl acetate) 소재가 사용되는 것이 바람직하다. EVA 소재는 접착력이 우수하고, 부드럽고 유연성이 뛰어나 충격흡수에 강하며, 태양광 투과율이 높아 태양전지모듈의 발전효율을 증가시킨다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 프런트시트층(500)은 그 표면이 식각(etching)된 것을 포함한다. 태양광이 입사할 때, 상기 프런트시트층(500)에서 굴절 및 반사가 이루어지고, 태양광의 입사각 및 프런트시트의 종류에 따라서 반사율이 달라지며, 반사율이 높을수록 태양전지모듈의 발전효율은 저하된다. 따라서 본 발명은 상기 프런트시트층(500)의 표면을 식각하여 태양광이 반사되어도 반사된 빛이 다시 상기 프런트시트층(500) 내부로 향하게 함으로써 입사된 태양광의 반사율을 낮추고, 태양전지모듈의 발전효율을 증가시킨다.
도 2의 (a) 및 (b)를 참조하면, 상기 프런트시트층(500)은 반구형으로 식각된다. 반구형태의 식각은 등방성 식각으로 식각속도가 빠르고, 생산성이 높다.
도 6의 (a)를 참조하여 상기 태양전지모듈의 제조방법을 상세히 설명하면, 먼저 상기 백시트층(110)을 위치시키고, 상기 백시트층(110) 위에 상기 후면봉지재층(120)을 적층시킨다. 그 다음으로, 상기 태양광패널층(130)을 적층시키는 단계를 수행한 후, 상기 태양광패널층(130) 위에 상기 중간봉지재층(200), 상기 배리어층(300), 상기 배리어층(300), 상기 전면봉지재층(400), 및 상기 프런트시트층(500)을 순서대로 적층시킨다. 마지막으로, 상기 프런트시트층(500)까지 적층된 적층모듈(600)을 라미네이션(lamination)한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 태양광패널층 적층단계는 위치결정틀 가설단계, 태양광패널 안착단계, 전원홀 형성단계, 위치결정틀 제거단계, 연결단계, 및 마감단계를 포함한다.
상기 위치결정틀 가설단계에서는 상기 태양광패널(133)의 간격을 일정하게 유지하기 위하여 복수개의 안착부(132)가 형성된 위치결정틀(131)을 제작하여, 상기 위치 결정틀(131)을 상기 후면봉지재층(120) 위에 얹어 놓는다.
상기 태양광패널 안착단계에서는 복수개의 태양광패널(133)을 상기 위치결정틀의 안착부(132)에 안착시키고 열전달패들 등을 사용하여 상기 후면봉지재층(120)에 가접합한다.
상기 전원홀 형성단계에서는 상기 백시트층(110) 및 상기 후면봉지재층(120)에 펀치 등을 사용하여 전원홀(134)을 형성하고, 상기 전원홀(134)을 실리콘도트 등의 마감재로 밀폐한다. 상기 전원홀(134)을 통하여 태양전지모듈과 전선을 연결하여 태양전지모듈에서 생성되는 전기에너지를 외부로 공급할 수 있다.
상기 위치결정틀 제거단계에서는 상기 후면봉지재층(120) 위에 가설되었던 상기 위치결정틀(131)을 제거한다.
상기 연결단계에서는 상기 복수개의 태양광패널(133)들 및 상기 전원홀(134)을 부스바(busbar)(135)로 연결한다. 상기 부스바(135)는 전기에너지를 전달할 수 있는 전도체로서, 상기 복수개의 태양광패널(133)에서 생성되는 전기에너지를 상기 전원홀(134)로 공급하는 통로역할을 한다.
상기 마감단계는 상기 부스바(135)를 부스바커버테이프 등의 부스바마감재를 사용하여 마감한다. 부스바마감재는 전기 절연성질을 가지고 있으므로, 전기에너지의 손실을 막는다.
도 6을 참조하면, 상기 라미네이션 단계는 흡착단계, 가압단계, 양생단계, 및 식각단계를 포함한다.
도 6의 (b)를 참조하면, 상기 흡착단계에서는 챔버(1) 내에서 섭씨 140도 이상 150도 이하의 온도로 가열된 열판(3) 위에 상기 적층모듈(600)을 올려놓고, 상기 챔버(1) 내의 공기를 진공펌프(도면미기재)로 배출시켜 상기 적층모듈(600)의 각 층을 서로 흡착시킨다. 상기 흡착단계를 통하여 상기 적층모듈(600)의 각 층사이에 잔류하고 있는 기체를 제거함으로써 버블(bubble)현상을 막는다.
도 6의 (c)를 참조하면, 상기 가압단계에서는 설정시간에 맞추어 라미네이터 상부(4)에 형성된 가압판(5)의 프레스압력이 90kPa 이상 110kPa 이하에 도달하도록 상기 라미네이터 상부(4)가 점진적으로 내려온다. 상기 라미네이터 상부(4)가 점진적으로 가압하지 않을 경우에는 상기 적층모듈(600)에 충격을 주어 태양전지모듈의 성능을 저하시킨다. 이때, 상기 설정시간을 50초 이상 70초 이하로 설정한다. 상기 설정시간이 50초 미만일 경우에는 필름의 수축문제가 발생할 수 있으며, 상기 설정시간이 70초 초과일 경우에는 접착력이 약화되어 박리의 가능성이 있다.
상기 양생단계에서는 섭씨 140도 이상 150도 이하의 상기 열판(3)의 온도 및 90kPa 이상 110kPa 이하의 상기 가압판(5)의 프레스압력을 설정시간동안 유지한다. 상기 적층모듈(600)은 상기 양생단계를 통하여 압착된다. 상기 설정시간은 540초 이상 660초 이하로 설정한다. 설정시간이 540초 미만일 경우에는 충분한 양생이 이루어지지 않아 박리가 발생할 수 있다. 설정시간이 660초 초과일 경우에는 필름수축이 발생할 수 있다.
상기 식각단계에서는 상기 양생단계가 종료된 상기 프런트시트층(500)의 표면을 식각하여 태양전지모듈의 발전효율을 높힌다. 이때 상기 식각의 방식은 건식식각과 습식식각이 있다. 본 발명에서는 정밀한 형태의 식각을 위하여 건식식각방식을 사용한다.
도 3의 (a) 및 (b)에는 본 발명의 상기 프런트시트층(500)에 대한 다른 실시예가 도시되어 있다. 본 실시예에서는 상기 프런트시트층(500)은 역피라미드형으로 식각된다. 역피라미드형 식각은 상기 프런트시트층(500) 표면과의 경사가 연속적으로 변하는 반구형과 달리 그 경사를 일정하여 전반사가 일어날 확률이 낮으므로 태양전지모듈의 발전효율이 증가한다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명은 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
100 ; 에너지생산부
110 ; 백시트층
120 ; 후면봉지재층
130 ; 태양광패널층
131 ; 위치결정틀
132 ; 안착부
133 ; 태양광패널
134 ; 전원홀
135 ; 부스바
200 ; 중간봉지재층
300 ; 배리어층
400 ; 전면봉지재층
500 ; 프런트시트층
600 ; 적층모듈
110 ; 백시트층
120 ; 후면봉지재층
130 ; 태양광패널층
131 ; 위치결정틀
132 ; 안착부
133 ; 태양광패널
134 ; 전원홀
135 ; 부스바
200 ; 중간봉지재층
300 ; 배리어층
400 ; 전면봉지재층
500 ; 프런트시트층
600 ; 적층모듈
Claims (14)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 태양전지모듈을 제조하는 방법에 있어서,
백시트층 위에 후면봉지재층을 적층시키는 단계;
상기 후면봉지재층 위에 태양광패널층을 적층시키는 단계;
상기 태양광패널층 위에 중간봉지재층을 적층시키는 단계;
상기 중간봉지재층 위에 배리어층을 적층시키는 단계;
상기 배리어층 위에 전면봉지재층을 적층시키는 단계;
상기 전면봉지재층 위에 프런트시트층을 적층시키는 단계;
상기 프런트시트층까지 적층된 적층모듈을 라미네이션하는 단계; 및
상기 프런트시트층 표면에 난반사를 유도하여 반사된 빛을 다시 입사시키기 위한 식각을 하는 단계;를 포함하여 이루어지고,
상기 태양광패널층 적층단계에서는 복수개의 태양광패널 안착부가 형성된 위치결정틀을 상기 후면봉지재층 위에 가설하는 단계; 복수개의 태양광패널을 상기 위치결정틀의 안착부에 안착시키고 가접합하는 단계; 상기 백시트층 및 상기 후면봉지재층에 전원홀을 형성하고, 상기 전원홀을 마감재로 밀폐하는 단계; 상기 위치결정틀을 제거하는 단계; 상기 복수개의 태양광패널들 및 전원홀을 부스바(busbar)로 연결하는 단계; 및 상기 부스바를 부스바마감재를 이용하여 마감하는 단계; 를 포함하여 이루어지며,
상기 라미네이션 단계에서는 챔버 내에서 섭씨 140도 이상 150도 이하의 온도로 가열된 열판 위에 상기 적층모듈을 올려놓고, 챔버 내의 공기를 진공펌프로 배출시켜 상기 적층모듈의 각 층사이에 잔류하고 있는 기체를 제거하여 상기 적층모듈의 각 층을 서로 흡착시키는 단계;
상기 흡착단계 후, 적층모듈에 가해지는 충격을 줄여주고 박리되는 현상을 방지하도록 50초 이상 70초 이하의 설정시간에 맞추어 90kPa 이상 110kPa 이하의 압력에 도달하도록 프레스압력을 점진적으로 증가시켜 가압하는 단계; 및
적층모듈에 가해지는 충격을 줄여주고 박리되는 현상을 방지하도록 상기 프레스압력조건을 540초 이상 660초 이하의 설정시간동안 유지하여 양생하는 단계;를 포함하여 이루어지고,
상기 태양전지모듈은 전기에너지를 생산하는 에너지생산부; 상기 에너지생산부 위에 적층되는 중간봉지재층; 상기 중간봉지재층 위에 적층되고, 상기 에너지생산부 쪽으로 습기가 침투되는 것을 차단하도록 폴리아세탈 수지를 성분으로 이루어지는 배리어층; 상기 배리어층 위에 적층되는 전면봉지재층; 및 상기 전면봉지재층 위에 적층되고, 외부의 물리적 또는 화학적 충격으로부터 내부를 보호하는 프런트시트층;을 포함하여 이루어지되,
상기 프런트시트층은 습기의 침투를 차단하도록 폴리아세탈 수지를 성분으로 하되, 반사된 빛이 다시 입사되도록 표면이 반구형으로 식각되며,
상기 에너지생산부는 태양전지모듈의 기저를 이루는 백시트층; 상기 백시트층 위에 적층되는 후면봉지재층; 및 상기 후면봉지재층 위에 적층되고, 태양광에너지를 전기에너지로 변환하도록 플렉서블 CIGS 태양광패널로 형성되는 태양광패널층;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150139973A KR101830684B1 (ko) | 2015-10-05 | 2015-10-05 | 박막형 적층구조를 이용한 cigs 태양전지모듈 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150139973A KR101830684B1 (ko) | 2015-10-05 | 2015-10-05 | 박막형 적층구조를 이용한 cigs 태양전지모듈 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170040687A KR20170040687A (ko) | 2017-04-13 |
KR101830684B1 true KR101830684B1 (ko) | 2018-03-29 |
Family
ID=58580002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150139973A KR101830684B1 (ko) | 2015-10-05 | 2015-10-05 | 박막형 적층구조를 이용한 cigs 태양전지모듈 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101830684B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024123384A3 (en) * | 2022-03-28 | 2024-07-18 | Toledo Solar Inc. | Photovoltaic module with an alternative electrically insulative back sheet and method of making the same |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101971368B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2019-04-23 | (주)솔라플렉스 | 플렉시블 cigs 박막 태양전지를 활용한 태양광 도로용 태양광 모듈 |
KR101971367B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2019-04-23 | (주)솔라플렉스 | 단결정 실리콘 태양전지를 활용한 태양광 도로용 고효율 태양광 모듈 |
KR102246385B1 (ko) * | 2018-06-19 | 2021-05-03 | (주) 코스텍 | 부스바의 제조장치 및 제조방법 |
KR102283683B1 (ko) | 2021-04-28 | 2021-08-02 | 주식회사 바인딩 | 창호 설치가 가능하도록 투과가 가능한 cigs 태양광 모듈 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100031997A1 (en) | 2008-08-11 | 2010-02-11 | Basol Bulent M | Flexible thin film photovoltaic modules and manufacturing the same |
JP2014086735A (ja) | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Lg Electronics Inc | 太陽電池モジュール |
-
2015
- 2015-10-05 KR KR1020150139973A patent/KR101830684B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100031997A1 (en) | 2008-08-11 | 2010-02-11 | Basol Bulent M | Flexible thin film photovoltaic modules and manufacturing the same |
JP2014086735A (ja) | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Lg Electronics Inc | 太陽電池モジュール |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024123384A3 (en) * | 2022-03-28 | 2024-07-18 | Toledo Solar Inc. | Photovoltaic module with an alternative electrically insulative back sheet and method of making the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170040687A (ko) | 2017-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101215694B1 (ko) | 태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈의 제조 방법 | |
KR101830684B1 (ko) | 박막형 적층구조를 이용한 cigs 태양전지모듈 및 그 제조방법 | |
US7238878B2 (en) | Photovoltaic module with light reflecting backskin | |
JP6328105B2 (ja) | 光起電力モジュールが組み込まれたルーフパネル | |
US20080000517A1 (en) | Photovoltaic module with light reflecting backskin | |
US20090260675A1 (en) | Encapsulation of solar modules | |
US20120152327A1 (en) | Method of manufacturing solar modules | |
EP2232563A1 (en) | Photoluminescent backing sheet for photovoltaic modules | |
US20120080078A1 (en) | Photovoltaic modules and methods of manufacturing | |
US20120080065A1 (en) | Thin Film Photovoltaic Modules with Structural Bonds | |
JP2011517096A5 (ko) | ||
KR102658247B1 (ko) | Bipv 적용 가능한 고출력 슁글드 태양광 모듈 및 그 제조 방법 | |
US9991405B2 (en) | Solar module with aligning encapsulant | |
US20100319754A1 (en) | Photovoltaic module configuration | |
KR20220085436A (ko) | 건물 입면용 고출력 슁글드 건자재 일체형 태양광 모듈 및 그 제조 방법 | |
CA2948560A1 (en) | Semi-flexible solar module using crystaline solar cells and method for fabrication thereof | |
AU2018101273A4 (en) | Photovoltaic Building Material Sealed with a Solar Module | |
US20170025559A1 (en) | Photovoltaic element with optically functional conversion layer for improving the conversion of the incident light and method for producing said photovoltaic element | |
US20120024339A1 (en) | Photovoltaic Module Including Transparent Sheet With Channel | |
JP5340312B2 (ja) | 光電変換モジュール | |
WO2019163779A1 (ja) | 太陽電池モジュール | |
KR102478448B1 (ko) | 유연 태양광 모듈, 이의 텍스처링 방법 및 이의 텍스처링 장치 | |
CN202049976U (zh) | 薄膜光伏器件 | |
WO2021095217A1 (ja) | 太陽電池パネル、太陽電池モジュール、太陽電池パネルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
KR20240023842A (ko) | 투광성이 우수한 유연 태양광 모듈 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |