KR20140139541A - 연마용 조성물 및 반도체 기판의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

연마용 조성물은, pH7 이상이며, 실리콘 기판을 연마하는 용도에 사용된다. 연마용 조성물은 지립 및 수용성 고분자를 함유한다. 수용성 고분자는, 특성값 P가 50 이상 100 이하인 제1 단량체 단위와, 특성값 P가 -100 이상 50 미만인 제2 단량체 단위로 구성되는 공중합체이며, 여기서, 특성값 P는, 특정한 표준 시험 A에 의해 구해지는 실리콘 기판에 대한 습윤성 계수 S1로부터 특정한 표준 시험 B에 의해 구해지는 지립에 대한 흡착 계수 S2를 뺀 차이다.

Description

연마용 조성물 및 반도체 기판의 제조 방법 {ABRASIVE COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE}
본 발명은 연마용 조성물 및 반도체 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
실리콘 기판의 표면을 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물로서, 수용성 고분자를 함유하는 연마용 조성물이 알려져 있다. 수용성 고분자에는, 지립에 흡착되어 지립의 분산 상태를 안정화시킴으로써, 실리콘 기판의 연마면의 헤이즈 레벨을 저감시키는 기능을 갖는 것이나, 실리콘 기판의 연마면에 흡착되어 연마면의 습윤성을 높이는 기능을 갖는 것이 있다.
특허문헌 1에는, 폴리비닐알코올(PVA)에 비닐피롤리돈(VP)이 그래프트 중합한 PVA-폴리비닐피롤리돈(PVP) 공중합체를 함유하는 연마용 조성물을, 기판 상에 형성된 금속막을 연마하는 용도에 사용하는 것이 개시되어 있다. 특허문헌 1의 연마용 조성물에 의하면, 금속막의 연마 시에 있어서, 낮은 에칭 속도를 유지하면서, 높은 연마 속도를 얻을 수 있다. 그러나, 특허문헌 1에는, PVA-PVP 공중합체를 함유하는 연마용 조성물을 실리콘 기판의 연마에 사용하는 것에 대해 개시되어 있지 않다.
일본 특허 공개 제2009-147267호 공보
상기한 바와 같이, 실리콘 기판을 연마하는 용도에 사용되는 연마용 조성물은, 실리콘 기판의 연마면의 헤이즈 레벨의 저감이나, 동 연마면의 습윤성의 향상을 목적으로 하여 다양한 수용성 고분자를 함유하고 있다. 그러나, 실리콘 기판의 연마에 사용되는 종래의 연마용 조성물에 함유되는 수용성 고분자는, 실리콘 기판의 연마면의 헤이즈 레벨의 저감과 동 연마면의 습윤성의 향상을 동시에 달성할 수 있는 것은 아니었다.
본 발명자들은, 수용성 고분자로서, 실리콘 기판에 대한 습윤성 부여 특성이 우수한 제1 단량체 단위와, 지립에 대한 흡착 특성이 우수한 제2 단량체 단위로 구성되는 공중합체를 채용함으로써, 실리콘 기판의 연마면의 헤이즈 레벨을 저감시키면서, 동 연마면의 습윤성을 향상시킬 수 있는 것을 발견하였다.
본 발명은 상기한 지식에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 실리콘 기판의 연마면의 습윤성을 높임과 함께, 동 연마면의 헤이즈 레벨을 저감시킬 수 있는 연마용 조성물 및 반도체 기판의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에서는, 실리콘 기판을 연마하는 용도에 사용되는 pH7 이상의 연마용 조성물이 제공된다. 상기 연마용 조성물은 지립 및 수용성 고분자를 함유하고, 상기 수용성 고분자는, 특성값 P가 50 이상 100 이하인 제1 단량체 단위와, 특성값 P가 -100 이상 50 미만인 제2 단량체 단위로 구성되는 공중합체이며, 여기서, 특성값 P는, 실리콘 기판에 대한 습윤성 계수 S1로부터 지립에 대한 흡착 계수 S2를 뺀 차이다. 습윤성 계수 S1 및 흡착 계수 S2는, 각각 하기 표준 시험 A 및 B에 의해 구해진다.
[표준 시험 A]
(a1) 시험 대상으로 하는 단량체 단위만을 포함하는 평균 중합도 800 이상 1200 이하의 단독 중합체를 테스트 중합체로서 준비한다.
(a2) 정사각형의 실리콘 칩(1변이 32㎜, 전도형이 P형, 결정 방위가 <100>, 저항률이 0.1Ω·㎝ 이상 100Ω·㎝ 이하)을 불화수소산 용액에 침지하여, 실리콘 칩 표면의 산화막을 제거한다.
(a3) 실리콘 칩을 수직으로 세운 상태에서, 테스트 중합체의 0.02％ 수용액 중에 실리콘 칩을 30초간 침지한다.
(a4) 실리콘 칩을 테스트 중합체의 수용액으로부터 끌어올린 후, 실리콘 칩의 한쪽의 대각선이 수직 방향을 향하도록 배치한다. 5초간 정치(靜置)한 후, 실리콘 칩의 최상점(상측의 정점)으로부터 실리콘 칩 표면에 잔류하는 액면까지의 최단 거리 X[㎜]를 측정한다.
(a5) 측정된 최단 거리 X로부터, 하기 식에 기초하여 테스트 중합체를 구성하는 단량체 단위의 습윤성 계수 S1을 산출한다.
습윤성 계수 S1＝{(실리콘 칩의 대각선의 길이[㎜])-(최단 거리 X[㎜])}/(실리콘 칩의 대각선의 길이[㎜])×100
[표준 시험 B]
(b1) 시험 대상으로 하는 단량체 단위만을 포함하는 평균 중합도 800 이상 1200 이하의 단독 중합체를 테스트 중합체로서 준비한다.
(b2) 평균 1차 입자 직경이 35㎚인 콜로이달실리카 10질량％, 암모니아 0.2질량％ 및 테스트 중합체 0.02질량％를 포함하는 수용액을 조제한다. 그 수용액을 12시간 정치하여 콜로이달실리카에 테스트 중합체를 흡착시킨다.
(b3) 상기 수용액에 물을 첨가하여 체적 환산으로 소정의 희석 배율로 희석한다. 희석한 수용액을 원심 분리함으로써, 콜로이달실리카 및 콜로이달실리카에 흡착된 테스트 중합체를 침강시킨다.
(b4) 원심 분리 처리 후의 수용액의 상청액에 있어서의 테스트 중합체의 농도 Y[질량％]를 측정한다.
(b5) 측정된 테스트 중합체의 농도 Y로부터, 하기 식에 기초하여 테스트 중합체를 구성하는 단량체 단위의 흡착 계수 S2를 산출한다.
흡착 계수 S2＝{0.02-(농도 Y)×(희석 배율)}/0.02×100
공중합체는, 블록 공중합체 또는 그래프트 공중합체인 것이 바람직하다.
공중합체를 구성하는 1개 이상의 단량체 단위는, 에틸렌성 불포화 화합물 유래의 단량체 단위인 것이 바람직하다.
제1 단량체 단위는, 에틸렌옥시드기, 카르복시기, 술포기, 아미노기, 수산기, 아미드기, 이미드기, 니트릴기, 에테르기, 에스테르기 및 이들 염으로부터 선택되는 적어도 1개의 구조를 갖는 것이 바람직하다.
제2 단량체 단위는 복소환을 갖는 것이 바람직하고, 복소환은 락탐기인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 형태에서는, 상기 연마용 조성물을 사용하여 실리콘 기판을 연마하는 연마 공정을 포함하는 반도체 기판의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 연마용 조성물에 의하면, 실리콘 기판의 연마면의 습윤성을 높임과 함께, 동 연마면의 헤이즈 레벨을 저감시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 연마용 조성물을 사용한 반도체 기판의 제조 방법에 의하면, 안정된 품질의 연마 제품을 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태를 설명한다.
연마용 조성물은, 지립 및 수용성 고분자를 함유하고, 바람직하게는 염기성 화합물, 킬레이트제 및 계면 활성제를 더 함유한다. 연마용 조성물은 지립 및 수용성 고분자 등의 각 성분을 물에 혼합하여 조제된다.
연마용 조성물은, pH7 이상이며, 실리콘 기판의 표면을 연마하는 용도로 사용된다. 실리콘 기판의 연마 공정에는, 예를 들어 실리콘 단결정 잉곳으로부터 슬라이스된 원반 형상의 실리콘 기판의 표면을 평탄화하는 예비 연마 공정(1차 연마 및 2차 연마)과, 예비 연마 공정 후의 실리콘 기판의 표면에 존재하는 미세한 요철을 더 제거하여 경면화하는 최종 연마 공정이 포함된다. 연마용 조성물은 실리콘 기판을 예비 연마하는 용도로도, 최종 연마하는 용도로도 적절하게 사용할 수 있다. 연마용 조성물을 사용하여 표면이 연마된 실리콘 기판은 반도체 기판의 제조에 적절하게 사용할 수 있다.
(지립)
지립은, 실리콘 기판의 표면을 물리적으로 연마하는 작용을 한다.
지립의 예로서는, 무기 입자, 유기 입자 및 유기 무기 복합 입자를 들 수 있다. 무기 입자의 구체예로서는, 예를 들어 실리카, 알루미나, 세리아, 티타니아 등의 금속 산화물을 포함하는 입자, 및 질화규소 입자, 탄화규소 입자 및 질화붕소 입자를 들 수 있다. 유기 입자의 구체예로서는, 예를 들어 폴리메타크릴산메틸(PMMA) 입자를 들 수 있다.
이러한 구체예 중에서도 실리카가 바람직하다. 실리카의 구체예로서는, 콜로이달실리카, 퓸드실리카 및 졸겔법 실리카를 들 수 있다. 실리콘 기판의 연마면에 발생하는 스크래치를 감소시킨다고 하는 관점에 있어서, 콜로이달실리카 및 퓸드실리카가 바람직하고, 특히 콜로이달실리카가 바람직하다. 이들 실리카는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
실리카의 진비중은, 1.5 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.6 이상이며, 더욱 바람직하게는 1.7 이상이다. 실리카의 진비중의 증대에 따라, 실리콘 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어진다. 실리카의 진비중은, 바람직하게는 2.2 이하이다. 실리카의 진비중의 감소에 따라, 실리콘 기판의 연마면에 발생하는 스크래치가 감소한다. 실리카의 진비중은, 건조시킨 실리카 입자의 중량과, 이 실리카 입자를 체적 기지의 에탄올에 침지한 후의 총 중량으로부터 산출된다.
지립의 평균 1차 입자 직경은 5㎚ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10㎚ 이상이며, 더욱 바람직하게는 20㎚ 이상이다. 지립의 평균 1차 입자 직경의 증대에 따라, 실리콘 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어진다. 지립의 평균 1차 입자 직경은 100㎚ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50㎚ 이하이고, 더욱 바람직하게는 40㎚ 이하이다. 지립의 평균 1차 입자 직경의 감소에 따라, 연마용 조성물의 안정성이 향상된다.
지립의 평균 1차 입자 직경의 값은, 예를 들어 BET법에 의해 측정되는 비표면적으로부터 산출된다. 지립의 비표면적의 측정은, 예를 들어 마이크로메리틱스사제의 "Flow SorbII 2300"을 사용하여 행할 수 있다.
지립의 평균 2차 입자 직경은 10㎚ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20㎚ 이상이다. 지립의 평균 2차 입자 직경의 증대에 따라, 실리콘 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어진다. 지립의 평균 2차 입자 직경은 200㎚ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 150㎚ 이하이다. 지립의 평균 2차 입자 직경의 감소에 따라, 연마용 조성물의 안정성이 향상된다. 지립의 평균 2차 입자 직경은, 예를 들어 오츠카 전자사제의 FPAR-1000을 사용한 동적 광산란법에 의해 측정할 수 있다.
지립의 긴 직경/짧은 직경비의 평균값은 1.0 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.05 이상이며, 더욱 바람직하게는 1.1 이상이다. 상기 긴 직경/짧은 직경비의 평균값의 증대에 따라, 실리콘 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어진다. 지립의 긴 직경/짧은 직경비의 평균값은 3.0 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2.0 이하이고, 더욱 바람직하게는 1.5 이하이다. 상기 긴 직경/짧은 직경비의 평균값의 감소에 따라, 실리콘 기판의 연마면에 발생하는 스크래치가 감소한다.
연마용 조성물에 함유되는 지립의 총 수에 대해, 상기 긴 직경/짧은 직경비가 1.5 이상인 입자의 수의 비율은, 10％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20％ 이상이다. 상기 긴 직경/짧은 직경비가 1.5 이상인 입자의 비율의 증대에 따라, 실리콘 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어진다. 상기 긴 직경/짧은 직경비가 1.5 이상인 입자의 비율은, 90％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 80％ 이하이다. 상기 긴 직경/짧은 직경비가 1.5 이상인 지립의 비율의 감소에 따라, 실리콘 기판의 연마면의 헤이즈 레벨이 감소한다.
상기 긴 직경/짧은 직경비는, 지립의 형상에 관한 값이며, 예를 들어 지립의 전자 현미경 화상을 사용하여 구할 수 있다. 구체적으로는, 소정 개수(예를 들어 200개)의 지립의 주사형 전자 현미경 화상에 있어서, 각각의 지립에 대해 최소 외접 직사각형을 그린다. 이어서, 각 최소 외접 직사각형에 대해, 그 긴 변의 길이(긴 직경의 값)를 짧은 변의 길이(짧은 직경의 값)로 나눔으로써, 긴 직경/짧은 직경비가 산출된다. 또한, 그러한 평균값을 산출함으로써, 긴 직경/짧은 직경비의 평균값을 구할 수 있다.
연마용 조성물 중의 지립의 함유량은 0.1질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.15질량％ 이상이다. 지립 함유량의 증대에 따라, 실리콘 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어진다. 연마용 조성물 중의 지립 함유량은 10질량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 8질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 6질량％ 이하이고, 한층 더 바람직하게는 3질량％ 이하이고, 가장 바람직하게는 1질량％ 이하이다. 지립 함유량의 감소에 따라, 연마용 조성물의 안정성이 향상된다.
(수용성 고분자)
연마용 조성물은 수용성 고분자로서 특정한 공중합체를 함유한다. 상기 공중합체는 연마 시나 린스 처리 시 등의 실리콘 기판의 표면 처리 시에 있어서, 연마면의 습윤성을 높임과 함께 연마면의 헤이즈 레벨을 저감시킨다.
상기 공중합체는, 그 단량체 단위(구성 단위)로서, 실리콘 기판에 대한 습윤성 부여 특성이 우수한 제1 단량체 단위와, 지립에 대한 흡착 특성이 우수한 제2 단량체 단위를 포함한다. 구체적으로는, 상기 공중합체는, 특성값 P가 50 이상 100 이하인 제1 단량체 단위와, 특성값 P가 -100 이상 50 미만인 제2 단량체 단위로 구성되는 공중합체이다. 여기서, 특성값 P는, 실리콘 기판에 대한 습윤성 계수 S1로부터 지립에 대한 흡착 계수 S2를 뺀 차이다.
상기 습윤성 계수 S1은, 단량체 단위의 실리콘 기판에 대한 습윤성 부여 특성의 크기를 나타내는 지표값이며, 이하의 표준 시험 A에 의해 구해지는 값을 말한다. 상기 흡착 계수 S2는, 단량체 단위의 지립에 대한 흡착 특성의 크기를 나타내는 지표값이며, 이하의 표준 시험 B에 의해 구해지는 값을 말한다.
[표준 시험 A]
(a1) 시험 대상으로 하는 단량체 단위만을 포함하는 평균 중합도 800 이상 1200 이하의 단독 중합체를 테스트 중합체로서 준비한다.
(a2) 정사각형의 실리콘 칩(1변이 32㎜, 전도형이 P형, 결정 방위가 <100>, 저항률이 0.1Ω·㎝ 이상 100Ω·㎝ 이하)을 불화수소산 용액에 침지하여, 실리콘 칩 표면의 산화막을 제거한다.
(a3) 실리콘 칩을 수직으로 세운 상태에서, 테스트 중합체의 0.02％ 수용액 중에 실리콘 칩을 30초간 침지한다.
(a4) 실리콘 칩을 테스트 중합체의 수용액으로부터 끌어올린 후, 실리콘 칩의 한쪽의 대각선이 수직 방향을 향하도록 배치한다. 5초간 정치한 후, 실리콘 칩의 최상점(상측의 정점)으로부터 실리콘 칩 표면에 잔류하는 액면까지의 최단 거리 X[㎜]를 측정한다.
(a5) 측정된 최단 거리 X로부터, 하기 식에 기초하여 테스트 중합체를 구성하는 단량체 단위의 습윤성 계수 S1을 산출한다.
습윤성 계수 S1＝{(실리콘 칩의 대각선의 길이[㎜])-(최단 거리 X[㎜])}/(실리콘 칩의 대각선의 길이[㎜])×100
[표준 시험 B]
(b1) 시험 대상으로 하는 단량체 단위만을 포함하는 평균 중합도 800 이상 1200 이하의 단독 중합체를 테스트 중합체로서 준비한다.
(b2) 평균 1차 입자 직경이 35㎚인 콜로이달실리카 10질량％, 암모니아 0.2질량％ 및 테스트 중합체 0.02질량％를 포함하는 수용액을 조제한다. 그 수용액을 12시간 정치하여 콜로이달실리카에 테스트 중합체를 흡착시킨다.
(b3) 상기 수용액에 물을 첨가하여 체적 환산으로 소정의 희석 배율로 희석한다. 희석한 수용액을 원심 분리함으로써, 콜로이달실리카 및 콜로이달실리카에 흡착한 테스트 중합체를 침강시킨다.
(b4) 원심 분리 처리 후의 수용액의 상청액에 있어서의 테스트 중합체의 농도 Y[질량％]를 측정한다. 테스트 중합체의 농도 Y는, 예를 들어 상청액에 포함되는 전체 탄소량(TOC)에 기초하여 구할 수 있다.
(b5) 측정된 테스트 중합체의 농도 Y로부터, 하기 식에 기초하여 테스트 중합체를 구성하는 단량체 단위의 흡착 계수 S2를 산출한다.
흡착 계수 S2＝{0.02-(농도 Y)×(희석 배율)}/0.02×100
이어서, 상기 공중합체를 구성하는 제1 단량체 단위 및 제2 단량체 단위의 상세에 대해 기재한다.
제1 단량체 단위는, 습윤성 계수 S1로부터 흡착 계수 S2를 뺀 차인 특성값 P(＝S1-S2)가 50 이상 100 이하이다. 제1 단량체 단위의 습윤성 계수 S1은, 50 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 70 이상이며, 더욱 바람직하게는 80 이상이며, 가장 바람직하게는 90 이상이다.
제1 단량체 단위는, 에틸렌옥시드기, 카르복시기, 술포기, 아미노기, 수산기, 아미드기, 이미드기, 니트릴기, 에테르기, 에스테르기 및 이들 염으로부터 선택되는 적어도 1개의 구조를 갖는 단량체 단위인 것이 바람직하고, 특히 비닐알코올이나 아크릴산 등의 에틸렌성 불포화 화합물 유래의 단량체 단위인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 비닐알코올 유래의 단량체 단위가 특히 바람직하다.
제1 단량체 단위는, 1종류의 단량체 단위만을 포함하는 것이어도 되고, 2종류 이상의 단량체 단위를 포함하는 것이어도 된다. 제1 단량체 단위가 2종류 이상의 단량체 단위를 포함하는 경우, 적어도 1종류의 단량체 단위는 에틸렌성 불포화 화합물 유래의 단량체 단위인 것이 바람직하고, 제1 단량체 단위의 모두가 에틸렌성 불포화 화합물 유래의 단량체 단위인 것이 보다 바람직하다.
제2 단량체 단위는, 습윤성 계수 S1로부터 흡착 계수 S2를 뺀 차인 특성값 P(＝S1-S2)가 -100 이상 50 미만이다. 제2 단량체 단위의 흡착 계수 S2는, 50 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 70 이상이며, 더욱 바람직하게는 80 이상이며, 가장 바람직하게는 90 이상이다.
제2 단량체 단위는, 락탐기 등의 복소환을 갖는 단량체 단위인 것이 바람직하고, 특히 N-비닐-2-피롤리돈이나 N-비닐-ε-카프로락탐 등의 에틸렌성 불포화 화합물 유래의 단량체 단위인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, N-비닐-2-피롤리돈 유래의 단량체 단위가 특히 바람직하다.
제2 단량체 단위는, 1종류의 단량체 단위만을 포함하는 것이어도 되고, 2종류 이상의 단량체 단위를 포함하는 것이어도 된다. 제2 단량체 단위가 2종류 이상의 단량체 단위를 포함하는 경우, 적어도 1종류의 단량체 단위는 에틸렌성 불포화 화합물 유래의 단량체 단위인 것이 바람직하고, 제2 단량체 단위의 모두가 에틸렌성 불포화 화합물 유래의 단량체 단위인 것이 보다 바람직하다.
상기 공중합체의 구체예로서는, 예를 들어 비닐알코올 유래의 제1 단량체 단위와 N-비닐-2-피롤리돈 유래의 제2 단량체 단위를 포함하는 PVA-PVP 공중합체를 들 수 있다.
상기 공중합체는, 제1 단량체 단위 및 제2 단량체 단위로 구성되는 랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 블록 공중합체 및 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 된다. 이들 중에서도, 제1 단량체 단위의 실리콘 기판에 대한 습윤성 부여 특성 및 제2 단량체 단위의 지립에 대한 흡착 특성이 보다 현저하게 발현되는 점에서, 제1 단량체 단위를 주성분으로 하여 구성되는 제1 중합체와, 제2 단량체 단위를 주성분으로 하여 구성되는 제2 중합체를 갖는 블록 공중합체 또는 그래프트 공중합체인 것이 바람직하다.
구체적으로는, 상기 공중합체가 블록 공중합체인 경우, 제1 단량체 단위를 주성분으로 하여 구성되는 제1 중합체(제1 블록 사슬)와, 제2 단량체 단위를 주성분으로 하여 구성되는 제2 중합체(제2 블록 사슬)를 포함하는 블록 공중합체인 것이 바람직하다.
상기 공중합체가 그래프트 공중합체인 경우, 제1 단량체 단위를 주성분으로 하여 구성되는 제1 중합체(주쇄)에, 제2 단량체 단위를 주성분으로 하여 구성되는 제2 중합체(측쇄)가 그래프트되어 있는 그래프트 공중합체, 또는 제2 단량체 단위를 주성분으로 하는 제2 중합체(주쇄)에, 제1 단량체 단위를 주성분으로 하는 제1 중합체(측쇄)가 그래프트되어 있는 그래프트 공중합체인 것이 바람직하다.
상기 제1 중합체에 있어서의 제1 단량체 단위의 비율은, 50％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 70％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이며, 가장 바람직하게는 100％이다. 상기 제1 중합체로서는, 비닐알코올 유래의 제1 단량체 단위를 주성분으로 하여 구성되는 중합체가 바람직하고, PVA 중합체가 보다 바람직하다.
상기 제2 중합체에 있어서의 제2 단량체 단위의 비율은, 50％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 70％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이며, 가장 바람직하게는 100％이다. 상기 제2 중합체로서는, N-비닐-2-피롤리돈 유래의 제2 단량체 단위를 주성분으로 하여 구성되는 중합체가 바람직하고, PVP 중합체가 보다 바람직하다.
따라서, 블록 공중합체로서는, PVA 중합체를 제1 블록 사슬로 함과 함께 PVP 중합체를 제2 블록 사슬로 하는 PVA-PVP 블록 공중합체가 특히 바람직하다. 그래프트 공중합체로서는, PVA 중합체를 주쇄로 함과 함께 PVP 중합체를 측쇄로 하는 PVA-PVP 그래프트 공중합체, 또는 PVP 중합체를 주쇄로 함과 함께 PVA 중합체를 측쇄로 하는 PVP-PVA 그래프트 공중합체가 특히 바람직하고, PVA 중합체를 주쇄로 함과 함께 PVP 중합체를 측쇄로 하는 PVA-PVP 그래프트 공중합체가 가장 바람직하다.
상기 공중합체 전체의 중량 평균 분자량은, 폴리에틸렌옥시드 환산으로, 2000 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10000 이상이며, 더욱 바람직하게는 15000 이상이다. 상기 공중합체 전체의 중량 평균 분자량의 증대에 따라, 실리콘 기판의 연마면의 습윤성이 높아진다. 상기 공중합체 전체의 중량 평균 분자량은, 2000000 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1500000 이하이고, 더욱 바람직하게는 1000000 이하이고, 가장 바람직하게는 500000 이하이다. 상기 공중합체 전체의 중량 평균 분자량의 감소에 따라, 연마용 조성물의 안정성이 향상된다.
상기 공중합체가 블록 공중합체인 경우, 제1 단량체 단위 또는 제2 단량체 단위를 포함하는 각 블록 사슬의 중량 평균 분자량은, 폴리에틸렌옥시드 환산으로, 1000 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10000 이상이며, 더욱 바람직하게는 15000 이상이며, 가장 바람직하게는 20000 이상이다. 또한, 각 블록 사슬의 중량 평균 분자량은, 1000000 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 500000 이하이고, 가장 바람직하게는 300000 이하이다.
상기 공중합체가 그래프트 공중합체인 경우, 제1 단량체 단위 및 제2 단량체 단위 중 한쪽을 포함하는 주쇄의 중량 평균 분자량은, 폴리에틸렌옥시드 환산으로, 1000 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5000 이상이며, 더욱 바람직하게는 10000 이상이며, 한층 더 바람직하게는 15000 이상이다. 또한, 주쇄의 중량 평균 분자량은, 1000000 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 500000 이하이고, 더욱 바람직하게는 300000 이하이고, 한층 더 바람직하게는 200000 이하이고, 가장 바람직하게는 100000 이하이다.
제1 단량체 단위 및 제2 단량체 단위 중 다른 쪽을 포함하는 측쇄의 중량 평균 분자량은, 폴리에틸렌옥시드 환산으로, 1000 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10000 이상이며, 더욱 바람직하게는 15000 이상이다. 또한, 측쇄의 중량 평균 분자량은, 1000000 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 500000 이하이고, 더욱 바람직하게는 300000 이하이고, 한층 더 바람직하게는 200000 이하이고, 가장 바람직하게는 100000 이하이다.
연마용 조성물 중의 상기 공중합체의 함유량은, 0.002질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.004질량％ 이상이다. 상기 공중합체의 함유량의 증대에 따라, 실리콘 기판의 연마면의 헤이즈 레벨이 저감함과 함께 동 연마면의 습윤성이 향상된다. 연마용 조성물 중의 상기 공중합체의 함유량은, 0.5질량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.05질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.03질량％ 이하이고, 가장 바람직하게는 0.02질량％ 이하이다. 상기 공중합체의 함유량의 감소에 따라, 연마용 조성물의 안정성이 향상된다.
(물)
물은 다른 성분의 분산매 또는 용매로 된다. 물은, 연마용 조성물에 함유되는 다른 성분의 작용을 저해하지 않는 것이 바람직하다. 이와 같은 물의 예로서, 예를 들어 전이 금속 이온의 합계 함유량이 100ppb 이하의 물을 들 수 있다. 물의 순도는, 예를 들어 이온 교환 수지를 사용하는 불순물 이온의 제거, 필터에 의한 이물질의 제거, 증류 등에 의해 높일 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 이온 교환수, 순수, 초순수, 증류수 등을 사용하는 것이 바람직하다.
(pH)
연마용 조성물의 pH는 7.0 이상이며, 바람직하게는 8.0 이상이며, 더욱 바람직하게는 9.0 이상이며, 가장 바람직하게는 10.0 이상이다. 연마용 조성물의 pH의 증대에 따라, 실리콘 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어진다. 연마용 조성물의 pH는 12.0 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 11.0 이하이고, 가장 바람직하게는 10.5 이하이다. 연마용 조성물의 pH의 감소에 따라, 실리콘 기판의 형상이 유지되기 쉬워진다.
(염기성 화합물)
연마용 조성물은 염기성 화합물을 함유해도 된다. 염기성 화합물은, 실리콘 기판의 연마면을 화학적으로 연마하는 작용을 한다(케미컬 에칭). 이에 의해, 실리콘 기판을 연마할 때의 연마 속도를 향상시키는 것이 용이하게 된다.
염기성 화합물의 구체예로서는, 알칼리 금속의 수산화물 또는 염, 수산화제4급암모늄 또는 그의 염, 암모니아, 아민 등을 들 수 있다. 알칼리 금속으로서는, 칼륨, 나트륨 등을 들 수 있다. 염으로서는, 탄산염, 탄산수소염, 황산염, 아세트산염 등을 들 수 있다. 제4급암모늄으로서는, 테트라메틸암모늄, 테트라에틸암모늄, 테트라부틸암모늄 등을 들 수 있다. 알칼리 금속의 수산화물 또는 염의 구체예로서는, 수산화칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 황산칼륨, 아세트산칼륨, 염화칼륨 등을 들 수 있다. 수산화제4급암모늄 또는 그의 염의 구체예로서는, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 수산화테트라부틸암모늄 등을 들 수 있다. 아민의 구체예로서는, 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌디아민, 모노에탄올아민, N-(β-아미노에틸)에탄올아민, 헥사메틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 무수피페라진, 피페라진6수화물, 1-(2-아미노에틸)피페라진, N-메틸피페라진, 구아니딘 등을 들 수 있다. 이들 염기성 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
염기성 화합물 중에서도, 암모니아, 암모늄염, 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속염 및 제4급암모늄수산화물로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 염기성 화합물 중에서도, 암모니아, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산암모늄, 탄산수소칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨 및 탄산나트륨으로부터 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하다. 염기성 화합물 중에서도, 암모니아, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화테트라메틸암모늄 및 수산화테트라에틸암모늄으로부터 선택되는 적어도 1종이 더욱 바람직하고, 한층 더 바람직하게는 암모니아 및 수산화테트라메틸암모늄 중 적어도 한쪽이며, 가장 바람직하게는 암모니아이다.
연마용 조성물 중의 염기성 화합물의 함유량은, 0.001질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.002질량％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 0.003질량％ 이상이다. 염기성 화합물의 함유량의 증대에 따라, 실리콘 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어진다. 연마용 조성물 중의 염기성 화합물의 함유량은, 1.0질량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.2질량％ 이하이고, 가장 바람직하게는 0.1질량％ 이하이다. 염기성 화합물의 함유량의 감소에 따라, 실리콘 기판의 형상이 유지되기 쉬워진다.
(킬레이트제)
연마용 조성물은 킬레이트제를 함유해도 된다. 킬레이트제는, 연마계 중의 금속 불순물 성분을 포착하여 착체를 형성함으로써 실리콘 기판의 금속 오염을 억제하는 작용을 한다.
킬레이트제의 구체예로서는, 예를 들어 아미노카르본산계 킬레이트제 및 유기 포스폰산계 킬레이트제를 들 수 있다. 아미노카르본산계 킬레이트제의 구체예로서는, 에틸렌디아민4아세트산, 에틸렌디아민4아세트산나트륨, 니트릴로3아세트산, 니트릴로3아세트산나트륨, 니트릴로3아세트산암모늄, 히드록시에틸에틸렌디아민3아세트산, 히드록시에틸에틸렌디아민3아세트산나트륨, 디에틸렌트리아민5아세트산, 디에틸렌트리아민5아세트산나트륨, 트리에틸렌테트라민6아세트산, 트리에틸렌테트라민6아세트산나트륨을 들 수 있다. 유기 포스폰산계 킬레이트제의 구체예로서는, 2-아미노에틸포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 아미노트리(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산), 에탄-1,1-디포스폰산, 에탄-1,1,2-트리포스폰산, 에탄-1-히드록시-1,1-디포스폰산, 에탄-1-히드록시-1,1,2-트리포스폰산, 에탄-1,2-디카르복시-1,2-디포스폰산, 메탄히드록시포스폰산, 2-포스포노부탄-1,2-디카르복실산, 1-포스포노부탄-2,3,4-트리카르복실산, α-메틸포스포노숙신산 등을 들 수 있다.
(계면 활성제)
연마용 조성물은 계면 활성제를 함유해도 된다. 계면 활성제는, 실리콘 기판의 연마면의 거칠기를 억제하는 작용을 한다. 이에 의해, 연마면의 헤이즈 레벨을 저감시키는 것이 용이하게 된다. 특히, 연마용 조성물이 염기성 화합물을 함유하는 경우에는, 염기성 화합물에 의한 케미컬 에칭에 의해 실리콘 기판의 연마면에 거칠기가 발생하기 쉬워진다. 이로 인해, 염기성 화합물과 계면 활성제의 병용은 특히 유효하다.
계면 활성제의 중량 평균 분자량은 10000 미만인 것이 바람직하다. 음이온성 또는 비이온성의 계면 활성제를 사용할 수 있고, 그 중에서 비이온성 계면 활성제가 적절하게 사용된다. 비이온성 계면 활성제는, 기포성이 낮으므로, 연마용 조성물의 제조 시나 사용 시의 취급이 용이하게 된다. 또한, 비이온성 계면 활성제를 사용한 경우, 연마용 조성물의 pH 조정이 용이하게 된다.
비이온성 계면 활성제의 구체예로서는, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 옥시알킬렌 중합체나, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌글리세릴에테르지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄지방산에스테르 등의 폴리옥시알킬렌 부가물 등이나, 복수종의 옥시알킬렌의 공중합체(디블록형, 트리블록형, 랜덤형, 교호형)를 들 수 있다.
구체적으로는, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌 공중합체, 폴리옥시에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌프로필에테르, 폴리옥시에틸렌부틸에테르, 폴리옥시에틸렌펜틸에테르, 폴리옥시에틸렌헥실에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸에테르, 폴리옥시에틸렌-2-에틸헥실에테르, 폴리옥시에틸렌노닐에테르, 폴리옥시에틸렌데실에테르, 폴리옥시에틸렌이소데실에테르, 폴리옥시에틸렌트리데실에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌이소스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌페닐에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌도데실페닐에테르, 폴리옥시에틸렌스티렌화페닐에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴아민, 폴리옥시에틸렌스테아릴아민, 폴리옥시에틸렌올레일아민, 폴리옥시에틸렌스테아릴아미드, 폴리옥시에틸렌올레일아미드, 폴리옥시에틸렌모노라우르산에스테르, 폴리옥시에틸렌모노스테아르산에스테르, 폴리옥시에틸렌디스테아르산에스테르, 폴리옥시에틸렌모노올레산에스테르, 폴리옥시에틸렌디올레산에스테르, 모노라우르산폴리옥시에틸렌소르비탄, 모노팔미트산폴리옥시에틸렌소르비탄, 모노스테아르산폴리옥시에틸렌소르비탄, 모노올레산폴리옥시에틸렌소르비탄, 트리올레산폴리옥시에틸렌소르비탄, 테트라올레산폴리옥시에틸렌소르비트, 폴리옥시에틸렌피마자유, 폴리옥시에틸렌 경화 피마자유 등을 들 수 있다. 이들 계면 활성제 중에서도, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 특히 폴리옥시에틸렌데실에테르가 적절하게 사용된다.
계면 활성제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(그 외 성분)
연마용 조성물은, 필요에 따라 연마용 조성물에 일반적으로 함유되어 있는 공지의 첨가제, 예를 들어 방부제나 곰팡이 방지제 등을 더 함유해도 된다. 방부제 및 곰팡이 방지제의 구체예로서는, 이소티아졸린계 화합물, 파라옥시벤조산에스테르류, 페녹시에탄올 등을 들 수 있다.
단, 연마용 조성물은, 실리콘 기판의 표면을 연마하는 용도로 사용되는 것인 점에서, 과산화수소, 질산, 과요오드산칼륨, 차아염소산, 오존수 등의 산화제나, 알킬아민, 아미노산, 이민, 아졸, 머캅탄, 글루코오스 및 셀룰로오스 등의 피막 형성제를 함유하지 않는 것이 바람직하다.
상기한 연마용 조성물을 사용하여 실리콘 기판의 표면을 연마하는 연마 공정에 있어서는, 실리콘 기판의 표면에 연마용 조성물을 공급하면서, 동 표면에 연마 패드를 압박하여 실리콘 기판 및 연마 패드를 회전시킨다. 이때, 연마 패드와 실리콘 기판 표면 사이의 마찰에 의한 물리적 작용 및 연마용 조성물 중의 지립과 실리콘 기판 표면과의 사이의 마찰에 의한 물리적 작용에 의해 실리콘 기판의 표면은 연마된다. 연마용 조성물이 염기성 화합물을 함유하는 경우에는, 상기 물리적 작용 외에, 염기성 화합물에 의한 화학적 작용에 의해서도 실리콘 기판의 표면은 연마된다.
다음으로 본 실시 형태의 연마용 조성물의 작용에 대해 기재한다.
연마용 조성물은, 상술한 바와 같이, 특성값 P가 50 이상 100 이하인 제1 단량체 단위와, 특성값 P가 -100 이상 50 미만인 제2 단량체 단위로 구성되는 공중합체를 함유한다. 특성값 P가 큰 단량체 단위(제1 단량체 단위)와 특성값 P가 작은 단량체 단위(제2 단량체 단위)가 상기 공중합체의 하나의 분자 중에 공존함으로써, 연마면에 대한 습윤성 부여 특성과 지립에 대한 흡착 특성을 동시에 발현할 수 있다. 본 발명자들은, 이들 특성을 갖는 수용성 고분자의 사용이 실리콘 기판의 연마면의 헤이즈 레벨 저감과 습윤성 향상을 모두 실현하는 조건인 것을 발견하였다.
상기 공중합체는, 지립에 대한 흡착 특성이 우수한 제2 단량체 단위를 포함하는 부분에 있어서 지립에 적절하게 흡착하고, 연마용 조성물 중에 있어서의 지립의 분산 안정성을 높인다. 지립의 분산 안정성이 높아짐으로써, 실리콘 기판의 연마면의 헤이즈 레벨이 저감한다. 또한, 상기 공중합체는, 실리콘 기판에 대한 습윤성 부여 특성이 우수한 제1 단량체 단위를 포함하는 부분에 있어서 실리콘 기판의 연마면에 적절하게 흡착됨으로써, 동 연마면의 습윤성을 향상시킨다.
실제로는, 상기 공중합체는, 연마용 조성물의 제조 시에 있어서, 최초로 지립에 흡착된다. 그 후, 연마 시에 있어서의 지립과 실리콘 기판의 접촉을 통해, 지립에 흡착된 상기 공중합체는 실리콘 기판의 연마면에 이행(흡착)함으로써, 동 연마면에 습윤성을 부여한다. 본 발명에 있어서는, 상기 공중합체의 습윤성 부여 특성을 확실하게 발현할 수 있도록, 제1 단량체 단위의 특성값 P를 50 이상이라고 하는 높은 범위로 설정하고 있다.
이상 상세하게 설명한 실시 형태에 따르면, 다음과 같은 효과가 발휘된다.
(1) 연마용 조성물 중의 상기 공중합체의 작용에 의해, 실리콘 기판의 연마면 습윤성을 높임과 함께, 동 연마면의 헤이즈 레벨을 저감시킬 수 있다.
(2) 연마용 조성물 중의 공중합체는, 바람직하게는 제1 단량체 단위를 주성분으로 하여 구성되는 제1 중합체와, 제2 단량체 단위를 주성분으로 하여 구성되는 제2 중합체를 갖는 블록 공중합체 또는 그래프트 공중합체이다. 이 경우에는, 제1 단량체 단위의 실리콘 기판에 대한 습윤성 부여 특성 및 제2 단량체 단위의 지립에 대한 흡착 특성을 보다 현저하게 발현시킬 수 있다.
(3) 반도체 기판의 제조 방법은, 상기 연마용 조성물을 사용하여 실리콘 기판을 연마하는 연마 공정을 포함한다. 이에 의해, 연마면의 습윤성이 높고, 헤이즈 레벨이 저감된 실리콘 기판이 형성되고, 동 실리콘 기판으로부터 품질이 높은 반도체 기판을 제조할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태는 다음과 같이 변경되어도 된다.
·연마용 조성물은, 상기 공중합체 외에, 다른 수용성 고분자를 더 함유해도 된다.
·연마용 조성물은, 1제형이어도 되고, 2제형을 포함하는 다제형이어도 된다.
·연마용 조성물은, 제조 시 및 판매 시에는 농축된 상태이어도 된다. 즉, 연마용 조성물은, 연마용 조성물의 원액의 형태로 제조 및 판매되어도 된다.
·연마용 조성물은, 연마용 조성물의 원액을 물로 희석함으로써 조제되어도 된다. 이 경우의 희석 배율은, 바람직하게는 2배 이상이며, 보다 바람직하게는 5배 이상이며, 더욱 바람직하게는 10배 이상이다. 상기 희석 배율이 증대됨에 따라, 연마용 조성물의 원액의 수송 비용이 저렴해짐과 함께, 보관 장소를 절약할 수 있다. 상기 희석 배율은, 바람직하게는 100배 이하이고, 보다 바람직하게는 50배 이하이고, 더욱 바람직하게는 40배 이하이다. 상기 희석 배율이 감소함에 따라, 연마용 조성물의 원액의 안정성이 향상된다.
·연마용 조성물에 함유되는 각 성분은 제조의 직전에 필터에 의해 여과 처리된 것이어도 된다. 또한, 연마용 조성물은, 사용의 직전에 필터에 의해 여과 처리하여 사용되는 것이어도 된다. 여과 처리가 실시됨으로써, 연마용 조성물 중의 조대 이물질이 제거되어 품질이 향상된다.
상기 여과 처리에 사용하는 필터의 재질 및 구조는 특별히 한정되는 것은 아니다. 필터의 재질로서는, 예를 들어 셀룰로오스, 나일론, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리프로필렌, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리카르보네이트, 글래스 등을 들 수 있다. 필터의 구조로서는, 예를 들어 뎁스 필터, 플리트 필터, 멤브레인 필터 등을 들 수 있다.
·연마용 조성물을 사용한 연마 공정에서 사용되는 연마 패드는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 부직포 타입, 스웨이드 타입, 지립을 포함하는 것, 지립을 포함하지 않는 것 중 어느 것을 사용해도 된다.
·연마용 조성물을 사용하여 실리콘 기판을 연마할 때에 한번 연마에 사용된 연마용 조성물을 회수하여, 실리콘 기판의 연마에 다시 사용해도 된다. 연마용 조성물을 재사용하는 방법으로서는, 예를 들어, 연마 장치로부터 배출되는 사용이 종료된 연마용 조성물을 탱크 내에 일단 회수하고, 탱크 내로부터 다시 연마 장치 내로 순환시켜 사용하는 방법을 들 수 있다. 연마용 조성물을 재사용함으로써, 폐액으로 되는 연마용 조성물의 배출량을 삭감하고, 연마용 조성물의 사용량을 저감시킬 수 있다. 이것은, 환경 부하를 저감시킬 수 있는 점 및 실리콘 기판의 연마에 드는 비용을 억제할 수 있는 점에 있어서 유용하다.
연마용 조성물을 재사용하면, 지립 등의 성분이 연마에 의해 소비되어, 손실된다. 이로 인해, 지립 등의 각 성분의 감소분을 연마용 조성물에 보충하는 것이 바람직하다. 보충하는 성분은, 개별로 연마용 조성물에 첨가되어도 되고, 탱크의 크기나 연마 조건 등에 따라, 2 이상의 성분을 임의의 농도로 포함한 혼합물로서 연마용 조성물에 첨가되어도 된다. 재사용되는 연마용 조성물에 대해 각 성분의 감소분을 보충함으로써, 연마용 조성물의 조성이 유지되어, 연마용 조성물의 기능을 지속적으로 발휘시킬 수 있다.
실시예
실시예 및 비교예를 들어 상기 실시 형태를 더욱 구체적으로 설명한다.
(연마용 조성물의 조제)
지립으로서의 평균 1차 입자 직경 35㎚의 콜로이달실리카, 수용성 고분자, 염기성 화합물로서의 암모니아 및 이온 교환수를 배합하여, 실시예 1∼5 및 비교예 1∼5의 연마용 조성물을 조제하였다. 수용성 고분자로서는, PVA-PVP 그래프트 공중합체(실시예 1∼5, 비교예 5), PVA 단독 중합체(비교예 1), PVP 단독 중합체(비교예 2), PVA 단독 중합체 및 PVP 단독 중합체의 등량 혼합물(비교예 3), 부분 양이온화 PVA 단독 중합체(비교예 4)를 각각 사용하였다. 또한, 비교예 5에서는 염산을 더 첨가함으로써 pH를 7 미만으로 조정하였다. 각 실시예 및 비교예의 연마용 조성물의 공통 조성을 표 1에 나타내었다.
(공중합체를 구성하는 각 단량체 단위의 특성값 P의 측정)
각 실시예에서 사용한 PVA-PVP 그래프트 공중합체는, 표 3에 나타내는 비닐알코올 유래의 단량체 단위와 N-비닐-2-피롤리돈 유래의 단량체 단위를 포함하는 공중합체이다. 이들 양 단량체 단위에 대해, 표준 시험 A에 의해 습윤성 계수 S1을 구함과 함께, 표준 시험 B에 의해 흡착 계수 S2를 구하였다. 그리고, 얻어진 습윤성 계수 S1 및 흡착 계수 S2로부터 특성값 P를 산출하였다. 그 결과를 표 3의 "제1 단량체 단위"란 및 "제2 단량체 단위"란에 나타내었다.
표준 시험 A 및 B에 의해 습윤성 계수 S1 및 흡착 계수 S2를 구하는 구체적 방법, 및 특성값 P를 산출하는 구체적 방법은, 양 단량체 단위에서 공통이다. 그로 인해, 여기서는 비닐알코올 유래의 단량체 단위에 대해서만 기재한다.
[표준 시험 A]
(a1) 비닐알코올 유래의 단량체 단위만을 포함하는 평균 중합도 1000의 단독 중합체(PVA 단독 중합체)를 테스트 중합체로서 준비하였다.
(a2) 정사각형의 실리콘 칩(1변이 32㎜, 전도형이 P형, 결정 방위가 <100>, 저항률이 0.1Ω·㎝ 이상 100Ω·㎝ 이하)을 3％ 불화수소산 용액에 30초간 침지하여, 실리콘 칩 표면의 산화막을 제거하였다.
(a3) 실리콘 칩을 수직으로 세운 상태에서, 테스트 중합체의 0.02％ 수용액 중에 실리콘 칩을 30초간 침지하였다.
(a4) 실리콘 칩을 테스트 중합체의 수용액으로부터 끌어올린 후, 실리콘 칩의 한쪽의 대각선이 수직 방향을 향하도록 배치하였다. 5초간 정치한 후, 실리콘 칩의 최상점(상측의 정점)으로부터 실리콘 칩 표면에 잔류하는 액면까지의 최단 거리 X를 측정하였다. 그 결과, 최단 거리 X는 10㎜이었다.
(a5) 측정된 최단 거리 X(10㎜)로부터 하기 식에 기초하여 습윤성 계수 S1을 산출한 바, 습윤성 계수 S1은 "78"이었다.
습윤성 계수 S1＝{(실리콘 칩의 대각선의 길이[㎜])-(최단 거리 X[㎜])}/(실리콘 칩의 대각선의 길이[㎜])×100＝(45-10)/45×100＝78
[표준 시험 B]
(b1) 비닐알코올 유래의 단량체 단위만을 포함하는 평균 중합도 1000의 단독 중합체(PVA 단독 중합체)를 테스트 중합체로서 준비하였다.
(b2) BET법으로 측정되는 평균 1차 입자 직경이 35㎚인 콜로이달실리카(후소 화학 공업사제 PL-3) 10질량％, 암모니아 0.2질량％ 및 테스트 중합체 0.02질량％를 포함하는 수용액 200g을 조제하였다. 그 수용액을 12시간 정치하여 콜로이달실리카에 테스트 중합체를 흡착시켰다.
(b3) 상기 수용액에 물을 첨가하여 체적 환산으로 20배로 희석하였다. 희석한 수용액을 원심 분리(20000rpm, 30분)함으로써, 콜로이달실리카 및 콜로이달실리카에 흡착한 테스트 중합체를 침강시켰다.
(b4) 원심 분리 처리 후의 수용액의 상청액을 채취하고, 상청액에 있어서의 테스트 중합체의 농도 Y를 구하였다. 구체적으로는, 기지 농도의 테스트 중합체를 함유하는 표준 시료를 사용하여, 테스트 중합체의 농도와 전체 탄소량의 관계를 나타내는 검량선을 미리 작성해 두고, 상청액에 대해 측정한 전체 탄소량의 측정값과 상기 검량선을 비교함으로써 테스트 중합체의 농도 Y를 구하였다. 그 결과, 상청액에 있어서의 테스트 중합체의 농도 Y는 0.001질량％이었다.
(b5) 측정된 테스트 중합체의 농도 Y(0.001질량％)로부터 하기 식에 기초하여 흡착 계수 S2를 산출한 바, 흡착 계수 S2는 "0"이었다.
흡착 계수 S2＝{0.02-(농도 Y)×(희석 배율)}/0.02×100＝{0.02-0.001×20}/0.02×100＝0
[특성값 P의 산출]
표준 시험 A 및 B의 결과, 비닐알코올 유래의 단량체 단위의 습윤성 계수 S1은 "78"임과 동시에, 흡착 계수 S2는 "0"이었다. 따라서, 습윤성 계수 S1로부터 흡착 계수 S2를 뺀 차인 특성값 P는, "78(＝78-0)"로 된다. 즉, 비닐알코올 유래의 단량체 단위는, 특성값 P가 50 이상 100 이하인 점에서 제1 단량체 단위로 된다.
(연마 시험)
이어서, 각 실시예 및 비교예의 연마용 조성물을 사용하여, 예비 연마 후의 실리콘 기판의 표면을 표 2에 기재된 조건으로 연마하였다. 사용한 실리콘 기판은, 직경이 300㎜, 전도형이 P형, 결정 방위가 <100>, 저항률이 0.1Ω·㎝ 이상 100Ω·㎝ 이하이고, 주식회사 후지미 인코포레이티드제의 연마 슬러리(상품명 GLANZOX 1103)를 사용하여 예비 연마한 것이다. 연마 후의 실리콘 기판에 대해 연마면의 습윤성 및 헤이즈 레벨을 평가하였다.
(습윤성)
연마 후의 실리콘 기판의 연마면의 습윤성을 A∼E로 평가하였다. 그 결과를 표 3 및 4의 "습윤성"란에 나타내었다. 또한, 습윤성의 평가 기준은 이하와 같다.
A:연마면에 있어서의 기판 단부로부터의 발수 부분의 거리가 10㎜ 미만인 경우.
B:연마면에 있어서의 기판 단부로부터의 발수 부분의 거리가 10㎜ 이상 15㎜ 미만인 경우.
C:연마면에 있어서의 기판 단부로부터의 발수 부분의 거리가 15㎜ 이상 20㎜ 미만인 경우.
D:연마면에 있어서의 기판 단부로부터의 발수 부분의 거리가 20㎜ 이상 25㎜ 미만인 경우.
E:연마면에 있어서의 기판 단부로부터의 발수 부분의 거리가 25㎜ 이상인 경우.
(헤이즈 레벨)
케이엘에이·텐코사제의 웨이퍼 검사 장치 "Surfscan SP2"를 사용하여, 동 장치의 DWO 모드에서 연마 후의 실리콘 기판의 연마면을 계측하였을 때에 얻어지는 측정값에 기초하여, 동 연마면의 헤이즈 레벨을 A∼E로 평가하였다. 그 결과를 표 3 및 4의 " 헤이즈 레벨"란에 나타내었다. 헤이즈 레벨의 평가 기준은 이하와 같다.
A:상기 측정값이 0.13ppm 미만인 경우.
B:상기 측정값이 0.13ppm 이상 0.14ppm 미만인 경우.
C:상기 측정값이 0.14ppm 이상 0.15ppm 미만인 경우.
D:상기 측정값이 0.15ppm 이상 0.16ppm 미만인 경우.
E:상기 측정값이 0.16ppm 이상인 경우.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
표 3에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼5에 있어서는, 습윤성 및 헤이즈 레벨의 어느 쪽의 평가에 있어서도 우수한 결과가 얻어졌다. 한편, 표 4에 나타내는 바와 같이, 비교예 1∼5에 있어서는, 습윤성 및 헤이즈 레벨 중 적어도 한쪽이 불충분하였다.

Claims (7)

  1. 실리콘 기판을 연마하는 용도에 사용되는 pH7 이상의 연마용 조성물이며,
    상기 연마용 조성물은 지립 및 수용성 고분자를 함유하고, 상기 수용성 고분자는, 특성값 P가 50 이상 100 이하인 제1 단량체 단위와, 특성값 P가 -100 이상 50 미만인 제2 단량체 단위로 구성되는 공중합체이며, 여기서, 특성값 P는, 하기 표준 시험 A에 의해 구해지는 실리콘 기판에 대한 습윤성 계수 S1로부터 하기 표준 시험 B에 의해 구해지는 지립에 대한 흡착 계수 S2를 뺀 차인 것을 특징으로 하는, 연마용 조성물.
    [표준 시험 A]
    (a1) 시험 대상으로 하는 단량체 단위만을 포함하는 평균 중합도 800 이상 1200 이하의 단독 중합체를 테스트 중합체로서 준비한다.
    (a2) 정사각형의 실리콘 칩(1변이 32㎜, 전도형이 P형, 결정 방위가 <100>, 저항률이 0.1Ω·㎝ 이상 100Ω·㎝ 이하)을 불화수소산 용액에 침지하여, 실리콘 칩 표면의 산화막을 제거한다.
    (a3) 실리콘 칩을 수직으로 세운 상태에서, 테스트 중합체의 0.02％ 수용액 중에 실리콘 칩을 30초간 침지한다.
    (a4) 실리콘 칩을 테스트 중합체의 수용액으로부터 끌어올린 후, 실리콘 칩의 한쪽의 대각선이 수직 방향을 향하도록 배치한다. 5초간 정치한 후, 실리콘 칩의 최상점으로부터 실리콘 칩 표면에 잔류하는 액면까지의 최단 거리 X[㎜]를 측정한다.
    (a5) 측정된 최단 거리 X로부터, 하기 식에 기초하여 테스트 중합체를 구성하는 단량체 단위의 습윤성 계수 S1을 산출한다.
    습윤성 계수 S1＝{(실리콘 칩의 대각선의 길이[㎜])-(최단 거리 X[㎜])}/(실리콘 칩의 대각선의 길이[㎜])×100
    [표준 시험 B]
    (b1) 시험 대상으로 하는 단량체 단위만을 포함하는 평균 중합도 800 이상 1200 이하의 단독 중합체를 테스트 중합체로서 준비한다.
    (b2) 평균 1차 입자 직경이 35㎚인 콜로이달실리카 10질량％, 암모니아 0.2질량％ 및 테스트 중합체 0.02질량％를 포함하는 수용액을 조제한다. 그 수용액을 12시간 정치하여 콜로이달실리카에 테스트 중합체를 흡착시킨다.
    (b3) 상기 수용액에 물을 첨가하여 체적 환산으로 소정의 희석 배율로 희석한다. 희석한 수용액을 원심 분리함으로써, 콜로이달실리카 및 콜로이달실리카에 흡착된 테스트 중합체를 침강시킨다.
    (b4) 원심 분리 처리 후의 수용액의 상청액에 있어서의 테스트 중합체의 농도 Y[질량％]를 측정한다.
    (b5) 측정된 테스트 중합체의 농도 Y로부터, 하기 식에 기초하여 테스트 중합체를 구성하는 단량체 단위의 흡착 계수 S2를 산출한다.
    흡착 계수 S2＝{0.02-(농도 Y)×(희석 배율)}/0.02×100
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공중합체는, 블록 공중합체 또는 그래프트 공중합체인 것을 특징으로 하는, 연마용 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 공중합체를 구성하는 1개 이상의 단량체 단위는, 에틸렌성 불포화 화합물 유래의 단량체 단위인 것을 특징으로 하는, 연마용 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 단량체 단위는, 에틸렌옥시드기, 카르복시기, 술포기, 아미노기, 수산기, 아미드기, 이미드기, 니트릴기, 에테르기, 에스테르기 및 이들 염으로부터 선택되는 적어도 1개의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 연마용 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 단량체 단위는, 복소환을 갖는 것을 특징으로 하는, 연마용 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복소환은 락탐기인 것을 특징으로 하는, 연마용 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여 실리콘 기판을 연마하는 연마 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 기판의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170048513A (ko) * 2014-09-05 2017-05-08 니혼 캐보트 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 슬러리 조성물, 린스 조성물, 기판 연마 방법 및 린스 방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5893706B2 (ja) * 2013-10-25 2016-03-23 花王株式会社 シリコンウェーハ用研磨液組成物
KR102204210B1 (ko) * 2014-06-27 2021-01-18 동우 화인켐 주식회사 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102209686B1 (ko) * 2014-06-27 2021-01-29 동우 화인켐 주식회사 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
CN108713242A (zh) * 2016-03-01 2018-10-26 福吉米株式会社 硅基板的研磨方法及研磨用组合物套组
WO2018043504A1 (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物および研磨用組成物セット
CN110312776B (zh) * 2017-02-17 2021-11-30 福吉米株式会社 研磨用组合物、其制造方法和使用研磨用组合物的研磨方法
JP6879798B2 (ja) * 2017-03-30 2021-06-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物および研磨方法
US10479911B1 (en) 2018-06-05 2019-11-19 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing memory hard disks exhibiting reduced edge roll off
JPWO2020153066A1 (ja) * 2019-01-23 2021-12-02 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング方法、ドライエッチング剤、及びその保存容器
JP2021105145A (ja) 2019-12-27 2021-07-26 ニッタ・デュポン株式会社 研磨用組成物及びシリコンウェーハの研磨方法
JP2022099606A (ja) 2020-12-23 2022-07-05 ニッタ・デュポン株式会社 研磨用組成物及びシリコンウェーハの研磨方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009147267A (ja) 2007-12-18 2009-07-02 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 化学機械研磨用研磨剤
WO2011158718A1 (ja) * 2010-06-18 2011-12-22 日立化成工業株式会社 半導体基板用研磨液及び半導体ウエハの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000256656A (ja) * 1999-03-04 2000-09-19 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
WO2002067309A1 (fr) * 2001-02-20 2002-08-29 Hitachi Chemical Co., Ltd. Pate a polir et procede de polissage d'un substrat
JP4668528B2 (ja) 2003-09-05 2011-04-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US20060135045A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Jinru Bian Polishing compositions for reducing erosion in semiconductor wafers
JP2007214205A (ja) 2006-02-07 2007-08-23 Fujimi Inc 研磨用組成物
US8506359B2 (en) * 2008-02-06 2013-08-13 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method
JP5781287B2 (ja) 2009-10-01 2015-09-16 ニッタ・ハース株式会社 研磨組成物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009147267A (ja) 2007-12-18 2009-07-02 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 化学機械研磨用研磨剤
WO2011158718A1 (ja) * 2010-06-18 2011-12-22 日立化成工業株式会社 半導体基板用研磨液及び半導体ウエハの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170048513A (ko) * 2014-09-05 2017-05-08 니혼 캐보트 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 슬러리 조성물, 린스 조성물, 기판 연마 방법 및 린스 방법

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