KR20140099330A - 이동 스테이지 - Google Patents

Abstract

[과제] 분위기 조정된 처리실 내에서 사용되는 가스 부상을 이용한 이동 스테이지의 이동에 의한 미립 분진의 감아올림을 방지한다.
[해결수단] 조정된 분위기 하에서 피처리체(반도체 기판(100))의 처리를 행하는 처리실(2) 내에 설치되는 이동 스테이지(3)에 있어서, 피처리체가 배치되는 스테이지 본체(30)와, 스테이지 본체(30)를 가스압에 의해 비접촉으로 지지하는 가스 지지부를 갖고, 가스 지지부는 적어도 처리실(2)의 가로면 또는/및 세로면에 면해서 상기 면에 가스가 분출되는 1개 또는 복수개의 가스 패드(35)를 갖고, 가스 패드(35)의 주위에 미립 분진 흡인구(42)가 형성되며, 미립 분진 흡인구(42)에 연통해서 상기 처리실 밖으로 신장되는 흡인가스 배기라인(흡인가스 배기관(43))이 설치된다.

Description

이동 스테이지{MOVING STAGE}

본 발명은 조정된 분위기 하에서 피처리체의 처리를 행하는 처리실 내에 설치되고, 피처리체를 지지해서 이동하는 이동 스테이지에 관한 것이다.

클린룸 내에 있어서의 반도체 제품의 제조, 검사 라인에 있어서 물체의 이동에 사용하는 슬라이드 기구에서는 정밀한 반송 정밀도가 요구된다. 정밀한 반송 정밀도를 갖는 기구의 하나로서 에어 지지에 의한 슬라이드 기구가 알려져 있다. 또한, 슬라이드 기구에서는 가능한 한 발진성(發塵性)이 적은 기구가 요구되고 있다.

특허문헌 1에서는 구름 베어링과, 그 구름 베어링에 끼워진 가이드 봉으로 이루어지는 슬라이드 기구에 있어서, 중심부에 축방향으로 관통하는 중공부를 갖고, 또한 표면보다 그 중공부를 향해 그 구름 베어링의 내부의 미립자를 배출하는 배출구멍을 갖는 가이드 봉으로 구성된 미립자 배출구멍이 형성된 슬라이드 기구가 제안되어 있다. 이 기구에서는 구름 베어링으로 기계적인 마모에 의해 발생하는 미립자를 배출구멍으로부터 흡수, 배출할 수 있게 하고 있다.

일본 특허 공고 평 5-82482호 공보

그런데 에어 지지에 의한 슬라이드 기구는 기계적인 접촉을 수반하지 않는 슬라이드 기구이다. 따라서, 에어 지지에 의한 기구 그 자체로부터의 발진은 없다. 그러나, 에어 지지의 기구와 근접하는 면이나 에어 지지 근방에 미립자가 존재하면, 분출하는 기체에 의해 미립자가 감아올려져 버리는 문제가 있다. 특히 슬라이드 기구에 포함되는 부상용의 에어 패드는 화강암이나 가이드 등의 수평한 평면에 에어를 분출하고, 상기 평면 상을 부상해서 주행하는 것이다. 수평한 면에는 미립자의 먼지 등이 퇴적하기 쉽기 때문에, 상술한 바와 같은 에어 분출에 의한 「감아올림」이 특히 생기기 쉽다. 미립자의 감아올림은 처리 대상인 반도체 제품의 성능에 악영향을 주어 버린다. 반도체 제조가 요구하는 청정도는 반도체 성능의 고도화에 따라 보다 높은 것이 요구되고 있다. 특히, 레이저 조사에 의해 어닐 처리를 하는 반도체 제조장치에서는 미립 분진이 반도체의 용융, 응고와 함께 반도체에 도입되어 반도체의 품질을 저하시킨다. 따라서, 상술한 바와 같은 미립자의 감아올림은 최대한 배제하는 것이 요구되고 있다.

특허문헌 1에서는, 구름 베어링에서 발생하는 미립자를 배출하도록 구성되어 있지만, 구름 베어링에서 발생한 미립자가 베어링 내에 체류하면서 이동함으로써 가이드 봉에 형성된 미립자 배출구로부터 미립자가 흡수·배출된다. 이 때문에 미립자의 흡수·배출 효율이 충분하지는 않다. 또한, 에어를 분출함으로써 에어 패드 근방에서 발생하는 미립의 분진은 에어 패드 근방에 체류해서 에어 패드와 함께 이동하는 것이 아니라 분위기 중에 확산되므로, 특허문헌 1에 나타내지는 구성에서는 에어 패드에서 발생하는 미립의 분진을 효과적으로 흡수, 배출을 할 수는 없다.

본 발명은 상기 사정을 배경으로 해서 이루어진 것으로서, 에어 지지부 근방에서 발생하는 미립자의 분진을 효과적으로 분위기 밖으로 배출할 수 있는 이동 스테이지를 제공하는 것을 목적으로 한다.

즉, 본 발명의 이동 스테이지 중 제 1 본 발명은 조정된 분위기 하에서 피처리체의 처리를 행하는 처리실 내에 설치되는 이동 스테이지에 있어서,

상기 피처리체가 배치되는 스테이지 본체와,

상기 스테이지 본체를 가스압에 의해 비접촉으로 지지하는 가스 지지부를 갖고,

상기 가스 지지부는 적어도 상기 처리실의 가로면 또는/및 세로면에 면해서 상기 면에 가스가 분출되는 1개 또는 복수개의 가스 패드를 갖고,

상기 가스 패드의 주위에 미립 분진 흡인구가 형성되고, 상기 미립 분진 흡인구에 연통해서 상기 처리실 밖으로 신장하는 흡인가스 배기라인이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.

제 2 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1 본 발명에 있어서, 상기 가스 지지부가 상기 스테이지 본체에 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.

제 3 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1 또는 제 2 본 발명에 있어서, 상기 가스 지지부가 상기 스테이지 본체를 안내하는 가이드에 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.

제 4 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 3 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 미립 분진 흡인구는 상기 가스 패드의 주위를 따라 복수개가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

제 5 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 4 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 미립 분진 흡인구는 상기 가스 패드의 주위 전체에 걸쳐서 연속한 개구를 갖는 것을 특징으로 한다.

제 6 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 5 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 미립 분진 흡인구는 100㎜ 이하의 범위에서 상기 가스 패드의 분출 끝면보다 분출 방향 후방에 위치하고 있는 것을 특징으로 한다.

제 7 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 6 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 가스 패드를 둘러싸고 가스 패드의 둘레 가장자리를 대략 따르는 외측 가장자리를 갖는 패드 커버를 갖고, 그 패드 커버에 상기 미립 분진 흡인구를 가지며, 그 패드 커버 내 공간을 통해서 상기 미립 분진 흡인구와 상기 흡인가스 배기라인이 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.

제 8 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 7 본 발명에 있어서, 상기 미립 분진 흡인구는 상기 패드 커버와 상기 가스 패드 사이의 간극에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

제 9 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 8 본 발명에 있어서, 상기 간극의 크기가 100㎜ 이하의 범위 내인 것을 특징으로 한다.

제 10 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 9 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 가스 지지부는 상기 스테이지 본체를 축부에 대하여 비접촉으로 지지하는 가스 베어링을 갖는 것을 특징으로 한다.

제 11 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 10 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 미립 분진 흡인구의 가스 총 흡인량과 상기 가스 지지부의 가스 분출 총량의 차분이 소정량 범위로 조정되어 있는 것을 특징으로 한다.

제 12 본 발명의 이동 스테이지는 상기 제 1∼제 11 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 반도체를 피처리체로 하는 반도체 제조 처리실 내에 설치되는 것을 특징으로 한다.

(발명의 효과)

본 발명에 의하면 가스 패드의 주위에 배치한 미립 분진 흡인구에 의해 가스 패드로부터 분출된 가스에 의해 발생하는 미립 분진이 효과적으로 흡인되고, 처리실 밖으로 배출되어 피처리체에 대한 미립 분진에 의한 폐해를 회피할 수 있다. 또한, 이동 스테이지가 반복 이동함으로써 분출 근방에 있는 미립 분진이 제거되어 처리실 내를 청정하게 하는 효과도 있다.

도 1은 본 발명의 일실시형태의 이동 스테이지를 구비하는 반도체 제조장치를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일실시형태의 이동 스테이지의 가스 패드를 구비하는 일부 구성을 나타내는 개략도이다.
도 3은 실시형태의 가스 패드와 패드 커버를 확대해서 나타내는 도면(a)과, 종래의 가스 패드를 나타내는 도면(b)과, 실시형태의 가스 패드와 패드 커버의 측면을 나타내는 간략한 도면(c)과, 실시형태의 가스 패드와 패드 커버의 저면을 나타내는 간략한 도면(d)이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태의 가스 패드와 미립 분진 흡인구를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시형태의 가스 패드와 미립 분진 흡인구를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태의 가스 패드와 미립 분진 흡인구를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시형태의 가스 패드와 미립 분진 흡인구를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시형태의 가스 패드와 미립 분진 흡인구를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시형태의 가스 패드와 미립 분진 흡인구를 나타내는 도면이다.

이하에, 본 발명의 일실시형태의 이동 스테이지에 대해서 첨부 도면에 의거하여 설명한다.

반도체 제조장치(1)는 피처리체인 반도체 기판(100)에 레이저광을 상대적으로 주사하면서 조사해서 어닐 처리가 된 반도체를 얻는 것이다. 어닐 처리는, 예를 들면 비정질 반도체의 결정화나, 반도체의 불순물 활성화 처리 등을 목적으로 한다.

반도체 제조장치(1)는 밀폐된 처리실(2)을 구비하고 있고, 처리실(2)은 불활성 가스 등의 적당한 분위기로 조정된다. 본 발명으로서는 분위기의 내용이 특별하게 한정되는 것은 아니고, 불활성 가스 분위기, 진공 분위기, 온도나 습도의 조정이 이루어진 것이 예시된다. 또한, 분위기 조정을 행하는 수단은 기지의 것으로 구성할 수 있고, 이 실시형태에서는 설명 및 도시를 생략하고 있다. 처리실(2)의 정반(20)은 화강암으로 구성되어 있고, 정반(20)의 상면이 바닥면으로 된다.

처리실(2) 내에는 X축 가이드(10, 10)가 양측에 평행하게 배치되어 있고, 그 X축 가이드(10, 10) 사이에 Y축 가이드(11)가 도시하지 않은 가스 베어링에 의해 X축 방향으로 이동 가능하게 가설되어 있다.

Y축 가이드(11)에는 이동 스테이지(3)가 가스 베어링에 의한 에어 슬라이드 베어링(31)에 의해 이동 가능하게 설치되어 있다. 이동 스테이지(3)는 반도체 기판(100)을 적재하는 스테이지 본체(30)를 갖고 있고, 스테이지 본체(30)는 상부측에 적재대(32)를 갖고, 그 적재대(32)에 반도체 기판(100)을 승강 가능하게 하는 기구가 설치되어 있다.

스테이지 본체(30)는 그 하면측에 Y축 방향의 양측과, Y축 가이드(11)를 사이에 둔 양측의 4개소에, 하부 프레임(33)을 통해서 각각 가스 패드(35)가 부착되어 있다.

가스 패드(35)는 하면측에 가스 분출부(도시하지 않음)를 갖고, 가스 분사부에 연통하는 가스 공급관(36)이 접속되어 있다. 가스 분사부로서는, 예를 들면 오리피스형이나 크로스형 등을 들 수 있다. 본 실시형태로서는 가스 분사부가 특정한 구조에 한정되는 것은 아니고, 기지의 구성을 사용할 수 있다. 가스 공급관(36)은 처리실(2)의 외부 등에 설치한 도시하지 않은 가스 공급부에 접속된다. 가스 공급부, 가스 공급관(36)을 통해서 가스 패드(35)의 가스 분사부에 가스가 공급되고, 이 가스가 가스 분사부를 통해서 가스 패드(35)의 하면으로부터 분사됨으로써 스테이지 본체(30)를 정반(20)의 상면에 대하여 부상시킬 수 있다. 정반(20)의 상면은 본 발명의 가로면에 상당한다. 또한, 이 실시형태에서는 가스 패드(35)의 형상을 저면으로부터 볼 때 원형상의 것으로 했지만, 본 발명으로서는 가스 패드(35)의 형상이 특정한 것에 한정되는 것은 아니다.

또한, 이 실시형태에서는 가스 패드(35)의 하면이 정반(20)에 면하고 있는 것으로서 설명을 하고 있지만, 가스 패드(35)의 하면이 정반(20)이 아니라 가이드면 등의 가로면에 면하도록 배치되는 것이라도 좋다.

또한, 이 실시형태에서는 가스 패드(35)가 스테이지 본체(30)에 부착되어 있는 것으로서 설명을 하고 있지만, 가스 패드(35)가 스테이지 본체(30)에 다른 가스 지지부를 통해서 연결되고, 스테이지 본체(30)와 연동 가능한 부재, 예를 들면 가이드 등에 설치되어 있는 것이라도 좋다.

가스 패드(35)로부터의 가스 분출에 의해 가스 부상하는 스테이지 본체(30)는, 비접촉의 상태에서 가스 지지되어서 도시하지 않은 구동부(예를 들면, 리니어 모터 등)에 의해 Y축 가이드(11)를 따라 Y축 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 스테이지 본체(30)는 Y축 가이드(11)와 함께 비접촉의 상태에서 가스 지지되어서, 도시하지 않은 구동부(예를 들면, 리니어 모터 등)에 의해 X축 가이드(10)를 따라 X축 방향으로 이동할 수 있다.

따라서, X축 가이드(10)에 대한 Y축 가이드(11)의 가스 베어링, Y축 가이드(11)에 있어서의 가스 슬라이드 베어링(31)은 가스 패드(35)와 함께 본 발명의 가스 지지부를 구성한다. 또한, 가스 지지부에 사용하는 가스의 종별은 본 발명으로서는 특별하게 한정되는 것은 아니고, 적합하게는 분위기 가스를 사용할 수 있다.

또한, 가스 패드(35)의 주위에는 도 2, 도 3(a)에 나타낸 바와 같이 미립 분진 흡인구가 형성되어 있다(도 1에서는 생략하고 있다). 이하, 설명한다.

또한, 도 3(b)은 종래의 가스 패드(35)를 나타내는 것이며, 미립 분진 흡인구는 형성되어 있지 않다.

본 실시형태에서는 가스 패드(35)를 덮는 패드 커버(40)가 설치되어 있다. 패드 커버(40)는 가스 패드(35)의 상부 및 둘레측부를 덮는 것이다. 패드 커버(40)에는 흡인가스 배기관(41)이 접속되어 있고, 패드 커버(40) 내의 가스를 흡인가스 배기관(41)을 통해서 흡인해 배기할 수 있다. 흡인가스 배기관(41)은 그대로, 또는 다른 배기로 등을 통해서 처리실(2) 밖으로 신장되어 있고, 적당한 흡인 구동부에 접속된다. 흡인 구동부는 본 발명으로서는 특정한 구성에 한정되는 것은 아니고, 진공 펌프나 공장 내의 흡인라인 등을 이용하는 것이라도 좋다. 흡인가스 배기관은 본 발명의 흡인가스 배기라인에 상당한다.

패드 커버(40)는 가스 패드(35)의 둘레 가장자리를 따른 외측 가장자리를 갖고 있고, 또한 가스 패드(35)보다 외측 가장자리가 외측에 위치하고 있다. 이 형태에서는 패드 커버(40)는 저면이 개구되고, 상부가 폐쇄된 원통 용기 형상을 갖고 있다. 이것에 의해 가스 패드(35)의 외면과 패드 커버(40)의 하단측 내면 사이에 링 형상의 간극이 형성된다. 이 간극이 미립 분진 흡인구(42)를 구성한다.

또한, 패드 커버(40)의 하단은 도 3(c)에 나타내는 바와 같이 가스 패드(35)의 하단보다 약간 상측에 위치하고 있는 것이 바람직하다. 이것은 가스 패드(35)가 정반(20)에 설치되었을 때에 패드 커버(40)가 정반(20)에 접촉해서 손상을 주는 것을 회피하기 위해서이다. 정반(20)은 정밀한 평면도를 갖도록 제조되어 있고, 손상의 발생은 제조장치로서의 기능을 손상할 우려가 있다.

패드 커버(40)의 하단면과 가스 패드(35)의 하단의 높이의 차(ΔH)는, 본 발명으로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 이 실시형태에서는 100㎜ 이하의 범위를 나타낼 수 있다. 높이의 차가 작으면 가스 패드(35)가 정반(20)에 설치되었을 때에 접촉할 우려가 있다. 한편, 너무 높이의 차가 크면 가스 패드(35)의 하면으로부터 누출되는 가스를 효과적으로 흡인하는 작용이 감소하고, 따라서 가스 분사에 의해 발생하는 미립 분진의 흡인 효율이 저하한다. 또한, 분출면에 보다 가까운 위치에서 흡인한다고 하는 점에서는 상기 ΔH를 10㎜ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.

또한, 패드 커버(40)는 도 3의 (c), (d)에 나타내는 바와 같이, 가스 패드(35)의 둘레 가장자리보다 큰 외측 가장자리를 갖고, 그 결과 간극(G)의 미립 분진 흡인구(42)가 형성된다. 이 간극(G)이 작으면 상기 미립 분진이 가스 패드(35)의 외측으로 확산했을 때에 흡인 효율이 충분하지 않게 된다. 한편, 상기 간극이 크면 흡인 압력이 충분하게 얻어지지 않아 미립 분진의 흡인 효율이 저하한다. 이들 관점으로부터 패드 커버(40)와 가스 패드(35)의 면방향의 간극(G)은 100㎜ 이하의 범위가 바람직하다. 단, 본 발명으로서는 그 간격량이 특정한 범위에 한정되는 것은 아니다. 간극(G)을 작게 해서 흡인 속도를 높이고 싶은 경우에는 간극(G)을 50㎜ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.

이동 스테이지(3)는 상기한 바와 같이 가스 공급관(36)으로부터 가스를 공급해서 가스 패드(35)의 하면으로부터 가스를 분사함으로써 가스 패드(35)를 정반(20)에 대하여 부상시킨다. 이것에 의해 스테이지 본체(30)가 정반(20)에 대하여 부상한다. 또한, 가스 슬라이드 베어링(31)에 가스를 공급해서 가스 베어링에 의해 비접촉으로 이동 스테이지(3)를 축지지한다. 이 상태에서 리니어 모터 등에 의해 스테이지 본체(30)를 Y축 가이드(11)를 따라 비접촉으로 지지하면서 Y축 방향으로 이동시킬 수 있다. 이동 속도는 특별하게 한정되지 않지만, 예를 들면 레이저 어닐 처리에서는 3∼50㎜/초의 이동 속도가 주어진다.

X축 방향으로 이동시킬 때에는 마찬가지로 가스 패드(35)에 의해 스테이지 본체(30)를 부상시킴과 아울러, Y축 가이드(11)를 에어 베어링에 의해 비접촉으로 지지하고, 리니어 모터 등에 의해 이동 스테이지(3)를 Y축 가이드(11)와 함께 X축 방향으로 이동시킬 수 있다.

또한, 상기 X축 방향 또는 Y축 방향의 이동시에는 흡인가스 배기관(41)을 통해서 패드 커버(40) 내의 가스를 흡인하여 처리실(2) 밖으로 배출한다. 정반(20) 상에는, 도 3(a)에 나타낸 바와 같이 미립 분진(50)이 체류하고 있다. 이 상면에서 가스 패드(35)가 이동하면, 가스 패드(35)로부터 분사되는 가스에 의해 가스 패드(35) 하방의 미립 분진(50)이 감겨올라간다. 단, 감겨올라간 미립 분진(50)은 미립 분진 흡인구(42)로부터 흡인되어서 패드 커버(40) 내에 도입되고, 또한 흡인가스 배기관(41)에 의해 흡인되기 때문에, 즉시 또한 효율적으로 미립 분진(50)을 흡인해서 처리실(2) 밖으로 배기할 수 있고, 처리실(2) 내의 분위기 중에 미립 분진(50)이 감도는 것을 방지할 수 있다.

또한, 이동 스테이지(3)의 이동을 반복하면 정반(20) 상에 체류하는 미립 분진(50)의 양을 점차로 저감시키는 것도 가능하다.

상기한 가스 패드(35)에 있어서의 가스 분출량과 미립 분진 흡인구(42)에 있어서의 가스 흡인량은 단위시간당으로 동등하게 해도 좋고, 또한 어느 하나의 양을 많게 해도 좋지만, 그 차가 소정의 범위 내가 되도록 조정하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 처리실(2) 내의 분위기에 주는 영향을 작게 할 수 있다. 또한, 분위기 조정용의 가스 흡인을 별도 가질 경우에는, 그 가스 흡인량에 알맞도록 가스 패드(35)에 있어서의 가스 분출량과 미립 분진 흡인구(42)에 있어서의 가스 흡인량의 차분을 소정 범위 내에 수용하는 것이 바람직하다.

상기 실시형태에서는 가스 패드(35)를 덮는 패드 커버(40)를 설치했지만, 패드 커버(40)를 설치하지 않고 미립 분진의 흡인·배출을 행하는 것도 가능하다.

도 4는 가스 패드(35)의 주위 근방에 미립 분진 흡인구(42)를 갖는 흡인가스 배기관(43)을 설치한 것이다. 미립 분진 흡인구(42)는 가스 패드(35)의 외주 가장자리 저부의 약간 외측을 향하고 있다. 흡인가스 배기관(43)은 가스 패드(35)와 함께 이동하기 때문에 가스 패드(35)와 미립 분진 흡인구(42)의 위치 관계는 바뀌지 않는다.

미립 분진 흡인구(42)는, 도 4에 나타낸 바와 같이 1개를 배치해도 좋고, 또한, 도 5에 나타낸 바와 같이 가스 패드(35)의 주위에 복수개의 미립 분진 흡인구(42)를 배치해도 좋다. 복수개의 미립 분진 흡인구(42)를 배치할 경우, 둘레 방향에 있어서 등간격으로 배치할 수 있고, 또한 둘레 방향 위치에 있어서의 감아올림의 정도를 고려하여 감아올림이 현저한 방향으로 수많이 배치하는 등, 편재시켜서 배치해도 좋다.

또한, 미립 분진 흡인구의 형상은 본 발명으로서는 특별히 한정되는 것은 아니다.

도 6은 슬릿 형상의 미립 분진 흡인구(44)를 갖는 노즐 형상의 흡인부(45)를 갖는 형태를 나타내는 것이다. 미립 분진 흡인구(44)는 가스 패드(35)의 외주 가장자리 저부의 약간 외측을 향하고 있다. 흡인부(45)에는 흡인가스 배기관(46)이 접속되고, 미립 분진 흡인구(44)를 통해서 가스 패드(35)의 주위에 감아올려진 미립 분진이 흡인, 배출된다. 흡인가스 배기관(46)은 가스 패드(35)와 함께 이동하여 가스 패드(35)와 미립 분진 흡인구(44)의 위치 관계는 바뀌지 않는다.

또한, 슬릿 형상의 미립 분진 흡인구는 가스 패드(35)의 둘레 가장자리 형상을 따른 것으로 할 수 있다. 도 7(a)은 가스 패드(35)의 둘레 가장자리 형상을 따라서 복수의 슬릿 형상의 미립 분진 흡인구(47)를 배치한 것이며, 도 7(b)은 가스 패드(35)의 둘레 가장자리 형상을 따라 전체 둘레에 걸치는 슬릿 형상의 미립 분진 흡인구(48)를 배치한 것이다.

상기 실시형태에서는 처리실(2)의 가로면(상기에서는 정반(20) 상면의 수평면)에 대하여, 가스 패드(35)의 가스 분사면을 하면으로 해서 가스 지지하는 것에 대하여 설명했지만, 처리실(2)의 세로면에 대하여 가스 지지하는 가스 패드에 있어서도 미립 분진 흡인구를 형성하여 가스 분사에 의해 감아올려지는 미립 분진을 흡인해서 처리실(2) 밖으로 배출하도록 하여도 좋다. 이 예를, 도 8, 도 9에 의거하여 설명한다. 또한, 처리실(2)의 가로면, 세로면은 수평 방향, 수직 방향에 대하여 경사져 있는 것이라도 좋다.

이 예에서는 가스를 분사해서 비접촉으로 가스 지지하는 가스 패드(37)가 분사면을 정반(20)에 형성한 측면(21)에 면해서 위치하고 있고, 그 분사면으로부터 측면(21) 방향으로 가스를 분사함으로써 가로 방향에 있어서 비접촉으로 가스 지지를 행할 수 있다. 이 경우, 가스 부상을 행하는 가스 패드 등의 가스 지지부를 갖는 것이라도 좋고, 상기 실시형태에서 설명한 가스 패드(35)를 구비하는 것도 가능하다.

도 8의 예에서는, 가스 패드(37)의 주위에 흡인가스 배기관(50)을 배치하고, 그 선단을 미립 분진 흡인구(51)로 한 것이다. 가스 패드(37)에는 가스 지지용으로 가스 공급관(38)이 접속되어 있다.

도 8에서는 1개의 미립 분진 흡인구(51)만을 나타내고 있지만, 복수개를 가스 패드(37)의 주위를 따라 배치할 수 있다. 또한, 복수개를 배치할 경우, 둘레 방향으로 등간격으로 배치해도 좋고, 방향에 따라서 미립 분진의 감아올림 정도가 다른 경우에는 배치 위치를 편재시켜도 좋다.

도 9의 예에서는, 가스 패드(37)의 주위에 패드 커버(52)를 배치한 것이다. 패드 커버(52)에는 흡인가스 배기관(53)이 접속되어 있고, 패드 커버(52) 내의 흡인이 가능하게 되고 있다. 흡인가스 배기관(53)은 직접 또는 다른 배기라인 등을 통해서 처리실(2)의 외부로 신장되어 있다. 흡인가스 배기관(53)은 본 발명의 흡인가스 배기라인에 상당한다.

패드 커버(52)는 가스 패드(37)의 전체 둘레를 둘러싸고, 가스 패드(37)의 분사면보다 분사 방향으로 후방에 선단을 갖고 있다. 분사면과 패드 커버(37)의 선단 위치의 거리는 상기 패드 커버(40)와 마찬가지로 100㎜ 이하의 범위가 바람직하고, 10㎜ 이하가 더욱 바람직하다.

또한, 패드 커버(52)는 가스 패드(37)의 외측 가장자리보다 외측에 위치하고 있고, 그 간극에 의해 미립 분진 흡인구(54)가 구성되어 있다. 상기 간극의 크기는 상기 패드 커버(40)와 마찬가지로 100㎜ 이하의 범위가 바람직하고, 50㎜ 이하가 더욱 바람직하다.

이상, 본 발명에 대해서 상기 실시형태에 의거하여 설명을 행했지만, 본 발명은 상기 실시형태의 설명에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한은 적당한 변경이 가능하다.

1 : 반도체 제조장치 2 : 처리실
3 : 이동 스테이지 30 : 스테이지 본체
31 : 가스 슬라이드 베어링 35 : 가스 패드
36 : 가스 공급관 37 :가스 패드
38 : 가스 공급관 40 : 패드 커버
41 : 흡인가스 배기관 42 : 미립 분진 흡인구
43 : 흡인가스 배기관 44 : 미립 분진 흡인구
45 : 흡인부 46 : 흡인가스 배기관
47 : 미립 분진 흡인구 48 : 미립 분진 흡인구
50 : 흡인가스 배기관 51 : 미립 분진 흡인구
52 : 패드 커버 53 : 흡인가스 배기관
54 : 미립 분진 흡인구

Claims (12)

1. 조조정된 분위기 하에서 피처리체의 처리를 행하는 처리실 내에 설치되는 이동 스테이지에 있어서,
   상기 피처리체가 배치되는 스테이지 본체와,
   상기 스테이지 본체를 가스압에 의해 비접촉으로 지지하는 가스 지지부를 갖고,
   상기 가스 지지부는 적어도 상기 처리실의 가로면 또는/및 세로면에 면해서 상기 면에 가스가 분출되는 1개 또는 복수개의 가스 패드를 갖고,
   상기 가스 패드의 주위에 미립 분진 흡인구가 형성되며, 상기 미립 분진 흡인구에 연통해서 상기 처리실 밖으로 신장되는 흡인가스 배기라인이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 이동 스테이지.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 가스 지지부는 상기 스테이지 본체에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 이동 스테이지.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 가스 지지부는 상기 스테이지 본체를 안내하는 가이드에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 이동 스테이지.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 미립 분진 흡인구는 상기 가스 패드의 주위를 따라 복수개가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이동 스테이지.
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 미립 분진 흡인구는 상기 가스 패드의 주위 전체에 걸쳐서 연속된 개구를 갖는 것을 특징으로 하는 이동 스테이지.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 미립 분진 흡인구는 100㎜ 이하의 범위에서 상기 가스 패드의 분출 끝면보다 분출 방향 후방에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 이동 스테이지.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 가스 패드를 둘러싸고 가스 패드의 둘레 가장자리를 대략 따른 외측 가장자리를 갖는 패드 커버를 갖고, 그 패드 커버에 상기 미립 분진 흡인구를 가지며, 상기 패드 커버 내 공간을 통해서 상기 미립 분진 흡인구와 상기 흡인가스 배기라인이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 이동 스테이지.
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 미립 분진 흡인구는 상기 패드 커버와 상기 가스 패드 사이의 간극에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이동 스테이지.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 간극의 크기는 10㎜ 이하의 범위 내인 것을 특징으로 하는 이동 스테이지.
10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 지지부는 상기 스테이지 본체를 축부에 대하여 비접촉으로 지지하는 가스 베어링을 갖는 것을 특징으로 하는 이동 스테이지.
11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미립 분진 흡인구의 가스 총 흡인량과 상기 가스 지지부의 가스 분출 총량의 차분이 소정량 범위로 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 이동 스테이지.
12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    반도체를 피처리체로 하는 반도체 제조 처리실 내에 설치되는 것을 특징으로 하는 이동 스테이지.

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