KR20140095984A - 모듈 기판 및 모듈 - Google Patents

모듈 기판 및 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20140095984A
KR20140095984A KR1020140007728A KR20140007728A KR20140095984A KR 20140095984 A KR20140095984 A KR 20140095984A KR 1020140007728 A KR1020140007728 A KR 1020140007728A KR 20140007728 A KR20140007728 A KR 20140007728A KR 20140095984 A KR20140095984 A KR 20140095984A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
band
duplexers
duplexer
bands
module
Prior art date
Application number
KR1020140007728A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101622452B1 (ko
Inventor
나오유끼 다사까
도오루 다께자끼
겐 사사끼
Original Assignee
다이요 유덴 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이요 유덴 가부시키가이샤 filed Critical 다이요 유덴 가부시키가이샤
Publication of KR20140095984A publication Critical patent/KR20140095984A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101622452B1 publication Critical patent/KR101622452B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H7/463—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2250/00—Indexing scheme relating to dual- or multi-band filters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

복수의 듀플렉서를 구비한 모듈에 있어서, 소형화 및 저비용화의 양립을 도모한다.
복수의 배선층(32a 내지 32i)을 포함하는 다층 배선 기판(30)과, 다층 배선 기판(30)에 내장되어, 배선층(32)과 전기적으로 접속된 복수의 내장 듀플렉서(20)를 구비하고, 복수의 내장 듀플렉서(20)는 밴드 1, 밴드 2, 밴드 5, 밴드 8 중 적어도 2개의 밴드에 대응하는 2개의 듀플렉서를 포함하는 것을 특징으로 하는 모듈 기판(100) 및 그 모듈 기판(100)을 구비한 모듈.

Description

모듈 기판 및 모듈{MODULE SUBSTRATE AND MODULE}
본 발명은 전자 부품이 다층 배선 기판에 내장된 모듈 기판 및 그 모듈 기판을 사용한 모듈에 관한 것이다.
휴대 전화 등의 이동 통신 기기에 있어서는, 소정 주파수의 신호를 송신 또는 수신하기 위해서, 필터나 듀플렉서 등의 전자 부품이 사용된다. 특허문헌 1에는, 이동 통신 기기의 소형화를 위해서, 다층 배선 기판 내에 SAW(Surface Acoustic Wave) 필터를 내장한 모듈이 개시되어 있다. 또한, 복수의 주파수대(밴드)를 사용하여 신호의 송신 및 수신을 행하기 위해서, 복수의 듀플렉서를 구비한 모듈이 알려져 있다.
일본 특허 공개 제2006-203652호 공보
이동체 통신에서는, 사용되는 주파수의 규격이 국가마다 다른 경우가 있다. 이로 인해, 복수의 듀플렉서를 구비한 모듈에 있어서, 소형화를 위해 듀플렉서를 다층 배선 기판에 내장하는 경우, 국가마다 탑재해야 할 듀플렉서가 다르기 때문에, 전자 부품의 내장 공정을 국가마다 나누어서 행할 필요가 있다. 이로 인해, 제조 프로세스가 복잡하게 되고, 제조 비용이 증대해 버린다고 하는 과제가 있었다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 복수의 듀플렉서를 구비한 모듈에 있어서, 소형화 및 저비용화의 양립을 도모하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 복수의 배선층을 포함하는 다층 배선 기판과, 상기 다층 배선 기판에 내장되며, 상기 배선층과 전기적으로 접속된 복수의 내장 듀플렉서를 구비하고, 상기 복수의 내장 듀플렉서는 밴드 1, 밴드 2, 밴드 5, 밴드 8 중 적어도 2개의 밴드에 대응하는 2개의 듀플렉서를 포함하는 것을 특징으로 하는 모듈 기판이다.
상기 구성에 있어서, 상기 복수의 배선층 중, 상기 다층 배선 기판의 표면에 형성된 배선층은 밴드 3, 밴드 4, 밴드 7, 밴드 13, 밴드 17, 밴드 20 중 적어도 1개의 외부 부착 듀플렉서를 실장 가능한 단자부를 갖는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 복수의 내장 듀플렉서는, 밴드 1 및 밴드 5, 밴드 1 및 밴드 8, 밴드 2 및 밴드 5, 밴드 2 및 밴드 8 중 어느 하나의 조합에 대응하는 듀플렉서를 포함하는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 복수의 내장 듀플렉서는, 밴드 1, 밴드 2, 밴드 5, 밴드 8 중 적어도 3개의 밴드에 대응하는 듀플렉서를 포함하는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 3개의 밴드에 대응하는 듀플렉서는, 3개의 밴드 중 주파수대가 가장 가까운 2개의 밴드에 대응하는 2개의 듀플렉서 사이에, 나머지 1개의 밴드에 대응하는 듀플렉서가 배치되어 있는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 복수의 내장 듀플렉서는, 밴드 1 및 밴드 2 및 밴드 5, 밴드 1 및 밴드 2 및 밴드 8, 밴드 1 및 밴드 5 및 밴드 8, 밴드 2 및 밴드 5 및 밴드 8 중 어느 하나의 조합에 대응하는 듀플렉서를 포함하는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 복수의 내장 듀플렉서는, 밴드 1, 밴드 2, 밴드 5, 밴드 8의 4개의 밴드에 대응하는 듀플렉서를 포함하는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 4개의 밴드에 대응하는 듀플렉서는, 밴드 1 및 밴드 2에 대응하는 듀플렉서 사이에, 밴드 5 및 밴드 8에 대응하는 듀플렉서 중 1개가 배치됨과 함께, 밴드 5 및 밴드 8에 대응하는 듀플렉서 사이에, 밴드 1 및 밴드 2에 대응하는 듀플렉서 중 1개가 배치되어 있는 구성으로 할 수 있다.
본 발명은 상기 어느 하나에 기재된 모듈 기판을 구비한 모듈이다.
본 발명에 따르면, 복수의 듀플렉서를 구비한 모듈에 있어서, 소형화 및 저비용화의 양립을 도모할 수 있다.
도 1은 실시예 1에 관한 모듈의 회로도이다.
도 2는 실시예 1에 관한 모듈의 단면 모식도이다.
도 3은 실시예 1에 관한 듀플렉서의 배치 관계를 도시하는 모식도이다.
도 4는 실시예 1의 변형예에 관한 모듈의 단면 모식도이다.
도 5는 실시예 1의 변형예에 관한 모듈의 각 층의 평면 모식도(그 중 1)이다.
도 6은 실시예 1의 변형예에 관한 모듈의 각 층의 평면 모식도(그 중 2)이다.
도 7은 실시예 2에 관한 듀플렉서의 배치 관계를 도시하는 모식도이다.
도 8은 실시예 3에 관한 듀플렉서의 배치 관계를 도시하는 모식도이다.
[실시예 1]
도 1은 실시예 1에 관한 모듈(100)의 회로도이다. 모듈(100)은 안테나(10), 스위치 회로(12) 및 고주파 회로(14)를 각각 구비한다. 스위치 회로(12)와 고주파 회로(14) 사이에는, 각 주파수대(밴드)마다, 복수의 듀플렉서(20)가 실장되어 있다. 복수의 듀플렉서(20)는 각각 송신 필터(20a) 및 수신 필터(20b)를 포함한다. 송신 필터(20a)와 고주파 회로(14) 사이에는, 송신 신호를 증폭하기 위한 파워 증폭기(22)가 접속되어 있다. 수신 필터(20b)는 고주파 회로(14)에 있어서의 로우 노이즈 증폭기(LNA)(24)에 접속되어 있다. 복수의 밴드 중, GSM(등록 상표) Tx 신호 및 HB/LB 신호의 출력 단자는, 듀플렉서(20)를 통하지 않고, 고주파 회로(14)에 대하여 파워 증폭기 유닛(26) 및 송신 필터(28)를 통해서 접속되어 있다. 스위치 회로(12)는 원하는 밴드 사이에서 접속 전환을 행한다. 이에 의해, 공통의 안테나(10)를 통해서, 복수의 밴드의 신호를 송수신하는 것이 가능해지고 있다.
실시예 1에 관한 모듈(100)에 있어서, 대응 가능한 밴드는 이하와 같다.
Figure pat00001
상기 표에 기재된 밴드 중, 밴드 1(Tx: 1920 내지 1980㎒, Rx: 2110 내지 2170㎒), 밴드 2(Tx: 1850 내지 1910㎒, Rx: 1930 내지 1990㎒), 밴드 5(Tx: 824 내지 849㎒, Rx: 869 내지 894㎒), 밴드 8(Tx: 880 내지 915㎒, Rx: 925 내지 960㎒)의 4개의 밴드는, 전세계의 많은 지역에 있어서 사용되고 있는 밴드이다(이하, 상기 4개의 밴드를 「범용 밴드」라고 칭함).
이에 반해, 밴드 4(Tx: 1710 내지 1755㎒, Rx: 2110 내지 2155㎒)는 현재 북미에서만 사용되고 있는 밴드이고, 밴드 7(Tx: 2500 내지 2570㎒, Rx: 2620 내지 2690㎒)은 현재 유럽(EU)에서만 사용되고 있는 밴드이다. 또한, 밴드 3(Tx: 1710 내지 1785㎒, Rx: 1805 내지 1880㎒)은 아시아·태평양 지역(APEC) 및 유럽(EU)에 적합한 규격이다. 이와 같이, 표 1에 기재된 밴드 중, 4개의 범용 밴드를 제외한 다른 밴드는, 모두 특정한 지역에서만 사용되는 밴드이다(이하, 이들 밴드를 「지역별 밴드」라고 칭함).
도 2는 실시예 1에 관한 모듈(100)의 단면 모식도이다. 모듈(100)은 다층 배선 기판(30)과, 여기에 내장된 전자 부품(40)을 구비한다. 다층 배선 기판(30)은 절연층(32a 내지 32h)과, 배선층(34a 내지 34i)을 포함한다. 절연층(32a 내지 32h) 중, 중앙부인 32c 내지 32f는 전자 부품이 내장되는 코어층으로 되어 있다. 또한, 배선층(34a 내지 34i) 중, 34a 및 34i는 다층 배선 기판(30)의 표면에 형성된 표면 배선층이며, 34b 내지 34h는 절연층(32a 내지 32h) 사이에 형성된 내부 배선층이다. 각 배선층(34)끼리는 절연층(32)을 관통하는 비아 배선(36)에 의해 접속되어 있다.
전자 부품(40)은 도 1에서 나타내는 듀플렉서(20)를 포함한다. 실시예 1에서는, 코어층(32c 내지 32f)이 다층 배선 기판으로 되어 있으며, 다른 영역에도 전자 부품(50)이 매립되어 있다. 전자 부품(50)으로서는, 예를 들어 칩 내장형 각종수동 소자(인덕터, 캐패시터, 저항 등) 및 능동 소자(스위치 회로 등)를 사용할 수 있다. 내장된 전자 부품(40 및 50)은 각각 내부 배선층(14h) 등과 전기적으로 접속되어 있다(본 비교예에서는, 전자 부품(40 및 50)의 상하 양면으로부터 전기적 접속을 도모하는 것이 가능해진다).
다층 배선 기판(30)의 표면에는, 전자 부품(60, 62)이 실장되어 있다. 전자 부품(60)은 전자 부품(50)과 마찬가지로, 예를 들어 칩(chip)화된 각종 전자 소자이다. 또한, 전자 부품(60)의 일부는, 전자 부품(40)과 마찬가지로, 1개 이상의 듀플렉서를 포함해도 된다. 전자 부품(62)은 파워 증폭기(도 1의 참조 부호 22에 상응함)이며, 표면 배선층(34a) 위에 실장됨과 함께, 다른 표면 배선층(34a)과 본딩와이어(64)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
여기서, 전술한 바와 같이, 국가마다 사용 가능한 밴드는 다르다. 이에 반해, 내장된 전자 부품(40)에 포함되는 듀플렉서만으로 대응을 행하는 경우, 전자 부품(40)에 포함되는 듀플렉서의 종류를 국가마다 다시 만들 필요가 있다. 또한, 전자 부품(40)의 매립 공정도, 국가마다 나누어서 행할 필요가 있다. 그러나, 전자 부품을 내장하는 공정은, 전자 부품을 표면에 실장하는 경우에 비해 복잡하며, 그 공정을 국가마다 나누어서 행하는 경우, 제조 비용이 증가해 버린다고 하는 과제가 있다.
따라서, 실시예 1에 관한 모듈(100)에서는, 복수의 듀플렉서 중 범용 밴드에 대응하는 듀플렉서만을 내장하고, 다른 지역별 밴드에 대응하는 듀플렉서에 대해서는 다층 배선 기판(30)의 표면에 실장하는 구성으로 한다. 구체적으로는 이하와 같다.
도 3은 실시예 1에 관한 듀플렉서의 배치 관계를 도시하는 모식도이다. 다층 배선 기판(30)의 표면에는, 표면 실장의 전자 부품(60)에 포함되는 듀플렉서(이하, 「외부 부착 듀플렉서」라고 칭함)가 실장되어 있다. 다층 배선 기판(30)의 내부에는, 내장된 전자 부품(40)에 포함되는 듀플렉서(이하, 「내장 듀플렉서」라고 칭함)가 실장되어 있다.
외부 부착 듀플렉서(60)는 지역별 밴드(밴드 3, 밴드 4, 밴드 7, 밴드 13, 밴드 17, 밴드 20 중 적어도 1개)에 대응하는 듀플렉서이다. 외부 부착 듀플렉서(60)는 상기 지역별 밴드 중 2이상의 밴드에 대응하는 듀플렉서여도 된다. 이 경우, 통과 대역이 다른 2이상의 듀플렉서를, 동일한 칩 위에 형성해도 되고, 별개의 칩 위에 형성해도 된다. 따라서, 도 3에서는 외부 부착 듀플렉서(60)의 수는 1개이지만, 실제로는 복수여도 된다(후술하는 도 7, 도 8에 있어서도 마찬가지임).
실시예 1에서는, 내장 듀플렉서로서 2개의 듀플렉서(40a, 40b)를 실장하는 예에 대하여 설명한다. 내장 듀플렉서(40a 및 40b)에는 범용 밴드(밴드 1, 밴드 2, 밴드 5, 밴드 8) 중에서 2개의 밴드를 선택하여 할당된다. 여기서, 도 3의 (a) 내지 도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 범용 밴드로부터 2개의 밴드를 선택하는 경우의 조합은, 밴드 1 및 밴드 5, 밴드 1 및 밴드 8, 밴드 2 및 밴드 5, 밴드 2 및 밴드 8 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 이것은, 통과 대역이 가까운 듀플렉서끼리(표 1 참조)에서는, 신호의 간섭이 발생하기 쉽기 때문에, 2개의 듀플렉서를 배열하는 경우에는 통과 대역이 이격된 듀플렉서를 배열하는 것이 바람직하기 때문이다.
이상과 같이, 실시예 1에 관한 모듈에 따르면, 복수의 듀플렉서 중, 대부분의 국가에서 공통의 범용 밴드에 대응하는 듀플렉서만을 내장하고, 국가마다 다른 지역별 밴드에 대응하는 듀플렉서는 외부 부착으로 하는 구성으로 되어 있다. 보다 상세하게는, 배선층(34) 중 표면 배선층(34a)이, 외부 부착 듀플렉서(60)를 실장 가능한 단자부를 갖는 구성으로 되어 있으며, 외부 부착 듀플렉서(60)는 그 단자부에 전기적으로 접속된다. 이에 의해, 제조 단계에 있어서는, 최초로 다층 배선 기판(30) 및 내장 듀플렉서(20)를 포함하는 모듈 기판을 대량 제조하고, 그 후의 공정에 있어서, 국가마다의 사양에 맞춰서 외부 부착 듀플렉서(60)를 실장하면 된다. 이에 의해, 듀플렉서를 내장하는 구성을 유지하면서, 모듈 기판의 제조 공정을 공통화할 수 있기 때문에, 소형화 및 저비용화의 양립을 도모할 수 있다. 또한, 세계 각국에서 널리 사용 가능한 모듈을 제공할 수 있다.
실시예 1에서는, 다층 배선 기판(30)으로서, 코어층(32c 내지 32f)에도 배선층(34c 내지 34f)을 형성 가능한 구성으로 했지만, 다른 구성을 사용하는 것도 가능하다.
도 4는 실시예 1의 변형예에 관한 모듈의 단면 모식도이다. 실시예 1(도 2)과 공통되는 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이고, 상세한 설명을 생략한다. 본 변형예에서는, 다층 배선 기판(30)의 코어층(32c 내지 32f)의 일부에, 구리판(38)이 매립되어 있다. 구리판(38)은 접지층으로서 기능함과 함께, 방열용 패턴으로서도 기능한다. 코어층(32c 내지 32f)에는, 비교예 1과 같은 내부 배선층(34d 내지 34g)이 형성되어 있지 않고, 대신에 구리판(38)이 없는 부분을 단숨에 관통하는 스루홀(39)이 형성되어 있다.
도 5 및 도 6은 다층 배선 기판(30)에서의 각 층의 평면도이다. 각 층에서, 배선층(34) 또는 구리판(38)이 존재하는 영역을 해치(hatch)로 나타낸다. 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이, 내장 듀플렉서(40)는 코어층(32c 내지 32f)의 구리판(38)에 형성된 직사각 형상의 구멍에 매립되어 있다. 이와 같이, 다층 배선 기판(30)의 코어층(32c 내지 32f)에 구리판(38)을 매립함으로써, 외부 노이즈에 강하고, 방열성이 우수한 전자 모듈을 얻을 수 있다.
[실시예 2]
실시예 2는 내장 듀플렉서의 수를 3개로 한 예이다.
도 7은 실시예 2에 관한 듀플렉서의 배치 관계를 도시하는 모식도이며, 실시예 1에서의 도 3에 대응하는 것이다. 다층 배선 기판(30)의 표면에는, 지역별 밴드에 대응하는 외부 부착 듀플렉서(60)가 실장되어 있고, 다층 배선 기판(30)의 내부에는, 범용 밴드에 대응하는 내장 듀플렉서(40a 내지 40c)가 실장되어 있다. 본 실시예에서는 범용 밴드(밴드 1, 밴드 2, 밴드 5, 밴드 8) 중에서 3개의 밴드를 선택하여 할당하고 있다.
여기서, 도 7의 (a) 내지 도 7의 (d)에 도시한 바와 같이, 범용 밴드로부터 3개의 밴드를 선택하는 경우에는, 통과 대역이 가까운 듀플렉서끼리(밴드 1 및 밴드 2, 밴드 5 및 밴드 8)를 양단에 배치하고, 그 사이에 통과 대역이 이격된 나머지의 듀플렉서를 배치한다. 즉, 밴드 1 및 밴드 2의 중앙에는, 밴드 5 또는 밴드 8 중 어느 하나를 배치하고(도 7의 (a) 및 (c)), 밴드 5 및 밴드 8의 중앙에는, 밴드 1 또는 밴드 2 중 어느 하나를 배치하는(도 7의 (b) 및 (d)) 것이 바람직하다. 이에 의해, 통과 대역이 가까운 듀플렉서끼리에 의한 신호의 간섭을 억제할 수 있다.
실시예 2에 관한 모듈에서도, 실시예 1과 마찬가지로, 복수의 듀플렉서를 구비한 모듈에서, 소형화 및 저비용화의 양립을 도모할 수 있다. 또한, 도 7에서는 다층 배선 기판(30)의 표면에 실장되는 외부 부착 듀플렉서(60)의 개수를 1개로 하고 있지만, 외부 부착 듀플렉서(60)는 복수 실장되어 있어도 된다.
[실시예 3]
실시예 3은 내장 듀플렉서의 수를 4개로 한 예이다.
도 8은 실시예 3에 관한 듀플렉서의 배치 관계를 도시하는 모식도이며, 실시예 1의 도 3 및 실시예 2의 도 7에 대응하는 것이다. 다층 배선 기판(30)의 표면에는, 지역별 밴드에 대응하는 외부 부착 듀플렉서(60)가 실장되어 있고, 다층 배선 기판(30)의 내부에는, 범용 밴드에 대응하는 내장 듀플렉서(40a 내지 40d)가 실장되어 있다. 본 실시예에서는, 범용 밴드(밴드 1, 밴드 2, 밴드 5, 밴드 8)의 모두에 대응하는 듀플렉서를 총 4개 배치하고 있다.
여기에서, 도 8의 (a) 내지 도 8의 (d)에 도시한 바와 같이, 범용 밴드로서 4개의 밴드를 사용하는 경우에는, 통과 대역이 가까운 듀플렉서끼리(밴드 1 및 밴드 2, 밴드 5 및 밴드 8)가 인접하지 않도록 배치를 행하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 밴드 1 및 밴드 2에 대응하는 듀플렉서 사이에, 밴드 5 및 밴드 8에 대응하는 듀플렉서 중 1개가 배치됨과 함께, 밴드 5 및 밴드 8에 대응하는 듀플렉서 사이에, 밴드 1 및 밴드 2에 대응하는 듀플렉서 중 1개가 배치되도록 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 통과 대역이 가까운 듀플렉서끼리에 의한 신호의 간섭을 억제할 수 있다.
실시예 3에 관한 모듈에서도, 실시예 1과 마찬가지로, 복수의 듀플렉서를 구비한 모듈에서, 소형화 및 저비용화의 양립을 도모할 수 있다. 또한, 도 7에서는, 다층 배선 기판(30)의 표면에 실장되는 외부 부착 듀플렉서(60)의 개수를 1개로 하고 있지만, 외부 부착 듀플렉서(60)는 복수 실장되어 있어도 된다.
실시예 1 내지 3에서 설명한 듀플렉서로서는, 예를 들어 탄성파 디바이스를 사용할 수 있다. 탄성파 디바이스로서는, 예를 들어 탄성 표면파(SAW)를 사용하는 공진기 또는 벌크파를 사용하는 압전 박막 공진기(FBAR)를 들 수 있지만, 그 밖에도, 러브(Love)파, 경계파 및 Lamb파를 사용하는 탄성파 디바이스를 채용할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명했지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시예에 한정되는 것은 아니고, 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서, 다양한 변형·변경이 가능하다.
10 : 안테나
12 : 스위치 회로
14 : 고주파 회로
20 : 듀플렉서
20a : 송신 필터
20b : 수신 필터
22 : 파워 증폭기
24 : 로우 노이즈 증폭기(LNA)
26 : 파워 증폭기 유닛
28 : 송신 필터
30 : 다층 배선 기판
32 : 절연층
34 : 배선층
36 : 비아 배선
40 : 전자 부품(내장 듀플렉서)
50 : 전자 부품
60 : 전자 부품(외부 부착 듀플렉서)
62 : 전자 부품(파워 증폭기)
64 : 본딩와이어

Claims (9)

  1. 복수의 배선층을 포함하는 다층 배선 기판과,
    상기 다층 배선 기판에 내장되며, 상기 배선층과 전기적으로 접속된 복수의 내장 듀플렉서
    를 구비하고,
    상기 복수의 내장 듀플렉서는, 밴드 1, 밴드 2, 밴드 5, 밴드 8 중 적어도 2개의 밴드에 대응하는 듀플렉서를 포함하는 것을 특징으로 하는 모듈 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 배선층 중, 상기 다층 배선 기판의 표면에 형성된 배선층은, 밴드 3, 밴드 4, 밴드 7, 밴드 13, 밴드 17, 밴드 20 중 적어도 1개의 외부 부착 듀플렉서를 실장 가능한 단자부를 갖는 것을 특징으로 하는 모듈 기판.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 내장 듀플렉서는, 밴드 1 및 밴드 5, 밴드 1 및 밴드 8, 밴드 2 및 밴드 5, 밴드 2 및 밴드 8 중 어느 하나의 조합에 대응하는 듀플렉서를 포함하는 것을 특징으로 하는 모듈 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 내장 듀플렉서는, 밴드 1, 밴드 2, 밴드 5, 밴드 8 중 적어도 3개의 밴드에 대응하는 듀플렉서를 포함하는 것을 특징으로 하는 모듈 기판.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 3개의 밴드에 대응하는 듀플렉서는, 3개의 밴드 중 주파수대가 가장 가까운 2개의 밴드에 대응하는 2개의 듀플렉서 사이에, 나머지 1개의 밴드에 대응하는 듀플렉서가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 모듈 기판.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 내장 듀플렉서는, 밴드 1 및 밴드 2 및 밴드 5, 밴드 1 및 밴드 2 및 밴드 8, 밴드 1 및 밴드 5 및 밴드 8, 밴드 2 및 밴드 5 및 밴드 8 중 어느 하나의 조합에 대응하는 듀플렉서를 포함하는 것을 특징으로 하는 모듈 기판.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 내장 듀플렉서는, 밴드 1, 밴드 2, 밴드 5, 밴드 8의 4개의 밴드에 대응하는 듀플렉서를 포함하는 것을 특징으로 하는 모듈 기판.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 4개의 밴드에 대응하는 듀플렉서는, 밴드 1 및 밴드 2에 대응하는 듀플렉서 사이에, 밴드 5 및 밴드 8에 대응하는 듀플렉서 중 1개가 배치됨과 함께, 밴드 5 및 밴드 8에 대응하는 듀플렉서 사이에, 밴드 1 및 밴드 2에 대응하는 듀플렉서 중 1개가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 모듈 기판.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 모듈 기판을 구비한 모듈.
KR1020140007728A 2013-01-25 2014-01-22 모듈 기판 및 모듈 KR101622452B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-012164 2013-01-25
JP2013012164A JP6250934B2 (ja) 2013-01-25 2013-01-25 モジュール基板及びモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140095984A true KR20140095984A (ko) 2014-08-04
KR101622452B1 KR101622452B1 (ko) 2016-05-18

Family

ID=50064334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140007728A KR101622452B1 (ko) 2013-01-25 2014-01-22 모듈 기판 및 모듈

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9252739B2 (ko)
EP (1) EP2760132B1 (ko)
JP (1) JP6250934B2 (ko)
KR (1) KR101622452B1 (ko)
CN (1) CN103973332B (ko)
TW (1) TWI511475B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019132941A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 Intel Corporation Hybrid filter having an acoustic wave resonator embedded in a cavity of a package substrate
KR20210012306A (ko) * 2019-07-24 2021-02-03 삼성전자주식회사 능동 소자 어레이를 사용하는 송수신기 및 이를 포함하는 안테나 모듈

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015156079A1 (ja) * 2014-04-08 2015-10-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US10541713B2 (en) * 2015-06-29 2020-01-21 Skyworks Solutions, Inc. Multiplexers having hybrid circuits with resonators
DE102015116224B4 (de) * 2015-09-25 2019-10-24 Snaptrack, Inc. SAW-Filter mit zusätzlichem Pol
WO2018221273A1 (ja) * 2017-06-02 2018-12-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
DE102017129611B4 (de) * 2017-12-12 2021-04-22 RF360 Europe GmbH Elektrische Vorrichtung mit zwei oder mehr Chipkomponenten
JP6777136B2 (ja) * 2018-11-20 2020-10-28 Tdk株式会社 アンテナモジュール
CN109802644B (zh) * 2018-12-20 2021-11-30 天津大学 一种双工器
CN109639255B (zh) * 2018-12-25 2022-07-12 天津大学 一种双工器
EP3855872A1 (en) * 2020-01-22 2021-07-28 Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. Carrier board comprising a metal block
US11350519B2 (en) 2020-01-22 2022-05-31 Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. Power module
US11621228B2 (en) 2020-08-31 2023-04-04 Nxp Usa, Inc. Substrate with thermal vias and sinter-bonded thermal dissipation structure

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002001741A1 (fr) * 2000-06-26 2002-01-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit de repartition a trois frequences, circuit de repartition et dispositif de communication radio
JP3937840B2 (ja) * 2002-01-10 2007-06-27 株式会社日立製作所 高周波モジュール
US6873529B2 (en) * 2002-02-26 2005-03-29 Kyocera Corporation High frequency module
KR20050101195A (ko) * 2003-02-24 2005-10-20 쇼와 덴코 가부시키가이샤 알루미나계 세라믹 재료 및 그 제조 방법
JP4010504B2 (ja) * 2003-06-04 2007-11-21 日立金属株式会社 マルチバンド用送受信機およびそれを用いた無線通信機
TW200520201A (en) * 2003-10-08 2005-06-16 Kyocera Corp High-frequency module and communication apparatus
US20060194690A1 (en) 2004-02-23 2006-08-31 Hideyuki Osuzu Alumina-based ceramic material and production method thereof
US6974724B2 (en) * 2004-04-28 2005-12-13 Nokia Corporation Shielded laminated structure with embedded chips
JP4423210B2 (ja) 2005-01-21 2010-03-03 京セラ株式会社 高周波モジュール及びそれを用いた通信機器
JP2006211057A (ja) 2005-01-25 2006-08-10 Oki Electric Ind Co Ltd トリプレクサ
JP5034453B2 (ja) * 2006-11-16 2012-09-26 株式会社デンソー 電子部品内蔵型多層基板
WO2010032389A1 (ja) * 2008-09-18 2010-03-25 株式会社 村田製作所 デュプレクサモジュール
KR101522994B1 (ko) 2010-12-16 2015-05-26 한국전자통신연구원 Ｆｂａｒ 듀플렉서 모듈 및 그 제조 방법
WO2012093539A1 (ja) * 2011-01-06 2012-07-12 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2012105373A1 (ja) * 2011-02-04 2012-08-09 株式会社村田製作所 デュプレクサモジュール
JP5648736B2 (ja) * 2011-03-02 2015-01-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US9608749B2 (en) 2011-03-25 2017-03-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-band wireless communication device with multiplexer and method of multiplexing multi-band wireless signals
JP5178899B2 (ja) * 2011-05-27 2013-04-10 太陽誘電株式会社 多層基板
JP5143972B1 (ja) * 2012-08-16 2013-02-13 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
JP5117632B1 (ja) * 2012-08-21 2013-01-16 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019132941A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 Intel Corporation Hybrid filter having an acoustic wave resonator embedded in a cavity of a package substrate
KR20210012306A (ko) * 2019-07-24 2021-02-03 삼성전자주식회사 능동 소자 어레이를 사용하는 송수신기 및 이를 포함하는 안테나 모듈
US11955997B2 (en) 2019-07-24 2024-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Transceiver using active device array and antenna module including the same

Also Published As

Publication number Publication date
US9252739B2 (en) 2016-02-02
EP2760132A1 (en) 2014-07-30
TW201433104A (zh) 2014-08-16
EP2760132B1 (en) 2019-09-11
US20140210569A1 (en) 2014-07-31
CN103973332B (zh) 2016-08-31
KR101622452B1 (ko) 2016-05-18
TWI511475B (zh) 2015-12-01
JP6250934B2 (ja) 2017-12-20
CN103973332A (zh) 2014-08-06
JP2014143643A (ja) 2014-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101622452B1 (ko) 모듈 기판 및 모듈
US9178491B2 (en) Circuit module including duplexer
JP5451645B2 (ja) デュプレクサモジュール
US9484608B2 (en) Switch module
JP5807675B2 (ja) 回路モジュール
US9413413B2 (en) High-frequency module
CN112789723A (zh) 电路模块和通信装置
US9153875B2 (en) High-frequency module
JP2014154941A (ja) モジュール
US7904031B2 (en) High-frequency module for transmitting and receiving transmission-reception signals of at least three communication systems using a single antenna
JP4025654B2 (ja) 高周波モジュール
JP2006203470A (ja) 高周波モジュール及び無線通信機器
JP2006211144A (ja) 高周波モジュール及び無線通信機器
KR20090000380A (ko) 프론트 앤드 모듈 및 그 제조 방법
JP2005136887A (ja) 高周波モジュール及び無線通信機器
JP4177282B2 (ja) アンテナ切換モジュール
JP5420102B1 (ja) 高周波回路モジュール
JP5420101B1 (ja) 高周波回路モジュール
JP2004260498A (ja) 積層複合電子部品
KR20110037471A (ko) 듀얼밴드 이동통신 단말기용 쿼드플렉서
JP2023151616A (ja) 高周波モジュール及び通信装置
KR100882102B1 (ko) Ｇｓｍ 프론트 엔드 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant