JP2023151616A - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】単一の電子部品内に設けられた第１スイッチと第２スイッチとの間のアイソレーションの低下を抑制する。【解決手段】高周波モジュール１は、第１スイッチ１３と、第２スイッチ１４と、制御回路１６と、第１フィルタ１１１と、第２フィルタ１１２と、第３フィルタ１２１と、第４フィルタ１２２と、アンテナ端子と、を備える。第１スイッチ１３は、第１選択端子と第２選択端子とを選択的に第１共通端子に接続可能である。第２スイッチ１４は、第３選択端子と第４選択端子とを選択的に第２共通端子に接続可能である。第１スイッチ１３と第２スイッチ１４と制御回路１６とは、単一の電子部品（第１電子部品２０１）内に設けられている。制御回路１６は、電子部品内で第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に位置する。【選択図】図１

Description

本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、複数のスイッチと複数のフィルタとを備える高周波モジュール、及び高周波モジュールを備える通信装置に関する。

特許文献１には、基板と、基板に設けられたフィルタ部と、基板に設けられたスイッチＩＣと、を備えるフロントエンドモジュールが記載されている。フィルタ部は、複数のフィルタを有する。スイッチＩＣは、複数のスイッチを有する。

国際公開第２０１８／１１０３９３号

特許文献１に記載のフロントエンドモジュール（高周波モジュール）では、スイッチＩＣ（電子部品）内における複数のスイッチ（第１スイッチ及び第２スイッチ）の位置によっては、複数のスイッチ間のアイソレーションが低下する場合がある。

本発明の目的は、単一の電子部品内に設けられた第１スイッチと第２スイッチとの間のアイソレーションの低下を抑制することが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。

本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１スイッチと、第２スイッチと、制御回路と、第１フィルタと、第２フィルタと、第３フィルタと、第４フィルタと、アンテナ端子と、を備える。前記第１スイッチは、第１共通端子、第１選択端子及び第２選択端子を有する。前記第２スイッチは、第２共通端子、第３選択端子及び第４選択端子を有する。前記制御回路は、前記第１スイッチ及び前記第２スイッチを制御する。前記第１フィルタは、前記第１スイッチの前記第１選択端子に接続されている。前記第２フィルタは、前記第２スイッチの前記第３選択端子に接続されている。前記第３フィルタは、前記第１スイッチの前記第２選択端子に接続されている。前記第４フィルタは、前記第２スイッチの前記第４選択端子に接続されている。前記アンテナ端子は、前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第３フィルタ及び前記第４フィルタに接続されている。前記第１スイッチは、前記第１選択端子と前記第２選択端子とを選択的に前記第１共通端子に接続可能である。前記第２スイッチは、前記第３選択端子と前記第４選択端子とを選択的に前記第２共通端子に接続可能である。前記第１スイッチと前記第２スイッチと前記制御回路とは、単一の電子部品内に設けられている。前記制御回路は、前記電子部品内で前記第１スイッチと前記第２スイッチとの間に位置する。

本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。

本発明の一態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、単一の電子部品内に設けられた第１スイッチと第２スイッチとの間のアイソレーションの低下を抑制することが可能となる。

図１は、実施形態１に係る高周波モジュールの平面図である。 図２は、同上の高周波モジュールに関し、図１のＸ１－Ｘ１線断面図である。 図３は、同上の高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。 図４は、同上の高周波モジュールに関し、電子部品間の接続例を表す概念図である。 図５は、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュールに関し、電子部品間の接続例を表す概念図である。 図６は、実施形態１の変形例２に係る高周波モジュールに関し、電子部品間の接続例を表す概念図である。 図７は、実施形態２に係る高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。 図８は、実施形態３に係る高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。 図９は、同上の高周波モジュールに関し、電子部品間の接続例を表す概念図である。 図１０は、実施形態４に係る高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。 図１１は、同上の高周波モジュールに関し、電子部品間の接続例を表す概念図である。 図１２は、実施形態５に係る高周波モジュールの平面図である。 図１３は、同上の高周波モジュールに関し、実装基板の第２主面と、実装基板の第２主面に配置された電子部品及び複数の外部接続端子と、を実装基板の第１主面側から透視した平面図である。 図１４は、同上の高周波モジュールに関し、図１２のＸ２－Ｘ２線断面図である。 図１５は、同上の高周波モジュールに関し、電子部品間の接続例を表す概念図である。 図１６は、実施形態５の変形例１に係る高周波モジュールに関し、電子部品間の接続例を表す概念図である。 図１７は、実施形態５の変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。 図１８は、実施形態６に係る高周波モジュールの回路構成図である。 図１９は、同上の高周波モジュールの要部の回路図である。

以下、実施形態１～６に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において参照する図１、図２、図４～図６、図９、図１１～図１７は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態１）
（１）高周波モジュール
まず、実施形態１に係る高周波モジュール１の構成について、図３を参照して説明する。以下では、後述の第２高周波モジュール２及び第３高周波モジュール３と区別するために、高周波モジュール１を「第１高周波モジュール１」という場合もある。

高周波モジュール１は、図３に示すように、例えば、通信装置１００に用いられる。通信装置１００は、例えば、スマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置１００は、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等、及び、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）規格、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（Third Generation Partnership Project） ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティとは、複数の周波数帯域の電波を同時に使用する通信に用いられる技術をいう。

通信装置１００は、複数の通信バンドの通信を行う。より詳細には、通信装置１００は、複数の通信バンドの送信信号の送信、及び、複数の通信バンドの受信信号の受信を行う。

複数の通信バンドの送信信号及び受信信号の一部は、ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）の信号である。ＦＤＤは、無線通信における送信と受信とに異なる周波数帯域を割り当てて、送信及び受信を行う無線通信技術である。なお、複数の通信バンドの送信信号及び受信信号は、ＦＤＤの信号に限定されず、ＴＤＤ（Time Division Duplex）の信号であってもよい。ＴＤＤは、無線通信における送信と受信とに同一の周波数帯域を割り当てて、送信と受信とを時間ごとに切り替えて行う無線通信技術である。

（２）高周波モジュールの回路構成
次に、実施形態１に係る高周波モジュール１の回路構成について、図３及び図４を参照して説明する。

実施形態１に係る高周波モジュール１は、図３に示すように、複数（図示例では２つ）のマルチプレクサ１１，１２と、第１スイッチ１３と、第２スイッチ１４と、第３スイッチ１５と、を備える。また、実施形態１に係る高周波モジュール１は、複数（図示例では２つ）の制御回路１６，１７（図１参照）を更に備える。また、実施形態１に係る高周波モジュール１は、複数（図示例では３つ）の外部接続端子８を更に備える。

（２．１）マルチプレクサ
マルチプレクサ１１は、図３に示すように、第１フィルタ１１１と、第２フィルタ１１２と、を含む。第１フィルタ１１１は、例えば、第１通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させる送受信フィルタである。すなわち、第１フィルタ１１１は、第１通信バンドを通過帯域に含む帯域通過フィルタである。第２フィルタ１１２は、例えば、第１通信バンドの送信信号及び受信信号を減衰させる（阻止する）送受信フィルタである。すなわち、第２フィルタ１１２は、第１通信バンドを阻止帯域に含む帯域阻止フィルタである。したがって、第２フィルタ１１２は、少なくとも第２通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させることが可能となる。第２通信バンドは、第１通信バンドとは異なる通信バンドである。

第１フィルタ１１１は、後述のアンテナ端子８１と第１信号端子８２とを結ぶ第１信号経路Ｔ１に設けられている。より詳細には、第１フィルタ１１１は、第１信号経路Ｔ１における第１スイッチ１３の選択端子１３１と第３スイッチ１５の選択端子１５１との間に設けられている。第１フィルタ１１１は、第１入出力端子１０１及び第２入出力端子１０２を有する。第１フィルタ１１１の第１入出力端子１０１は、第１スイッチ１３の選択端子１３１に接続されている。第１フィルタ１１１の第２入出力端子１０２は、第３スイッチ１５の選択端子１５１に接続されている。第１フィルタ１１１は、後述の第２高周波モジュール２のパワーアンプ２３で増幅された高周波信号のうち、第１通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。また、第１フィルタ１１１は、アンテナ端子８１から入力された高周波信号のうち、第１通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。

第２フィルタ１１２は、後述のアンテナ端子８１と第２信号端子８３とを結ぶ第２信号経路Ｔ２に設けられている。より詳細には、第２フィルタ１１２は、第２信号経路Ｔ２における第２スイッチ１４の選択端子１４１と第３スイッチ１５の選択端子１５１との間に設けられている。第２フィルタ１１２は、第１入出力端子１０３及び第２入出力端子１０４を有する。第２フィルタ１１２の第１入出力端子１０３は、第２スイッチ１４の選択端子１４１に接続されている。第２フィルタ１１２の第２入出力端子１０４は、第３スイッチ１５の選択端子１５１に接続されている。第２フィルタ１１２は、後述の第３高周波モジュール３のパワーアンプ３３で増幅された高周波信号のうち、第１通信バンドの送信帯域の送信信号を減衰させ、第２通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。また、第２フィルタ１１２は、アンテナ端子８１から入力された高周波信号のうち、第１通信バンドの受信帯域の受信信号を減衰させ、第２通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。

マルチプレクサ１２は、図３に示すように、第３フィルタ１２１と、第４フィルタ１２２と、を含む。第３フィルタ１２１は、例えば、第３通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させる送受信フィルタである。すなわち、第３フィルタ１２１は、第３通信バンドを通過帯域に含む帯域通過フィルタである。第４フィルタ１２２は、例えば、第４通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させる送受信フィルタである。すなわち、第４フィルタ１２２は、第４通信バンドを通過帯域に含む帯域通過フィルタである。

第３フィルタ１２１は、アンテナ端子８１と第１信号端子８２とを結ぶ第３信号経路Ｔ３に設けられている。より詳細には、第３フィルタ１２１は、第３信号経路Ｔ３における第１スイッチ１３の選択端子１３２と第３スイッチ１５の選択端子１５２との間に設けられている。第３フィルタ１２１は、第１入出力端子１０５及び第２入出力端子１０６を有する。第３フィルタ１２１の第１入出力端子１０５は、第１スイッチ１３の選択端子１３２に接続されている。第３フィルタ１２１の第２入出力端子１０６は、第３スイッチ１５の選択端子１５２に接続されている。第３フィルタ１２１は、第２高周波モジュール２のパワーアンプ２３で増幅された高周波信号のうち、第３通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。また、第３フィルタ１２１は、アンテナ端子８１から入力された高周波信号のうち、第３通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。

第４フィルタ１２２は、アンテナ端子８１と第２信号端子８３とを結ぶ第４信号経路Ｔ４に設けられている。より詳細には、第４フィルタ１２２は、第４信号経路Ｔ４における第２スイッチ１４の選択端子１４２と第３スイッチ１５の選択端子１５２との間に設けられている。第４フィルタ１２２は、第１入出力端子１０７及び第２入出力端子１０８を有する。第４フィルタ１２２の第１入出力端子１０７は、第２スイッチ１４の選択端子１４２に接続されている。第４フィルタ１２２の第２入出力端子１０８は、第３スイッチ１５の選択端子１５２に接続されている。第４フィルタ１２２は、第３高周波モジュール３のパワーアンプ３３で増幅された高周波信号のうち、第４通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。また、第４フィルタ１２２は、アンテナ端子８１から入力された高周波信号のうち、第４通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。

ここで、本実施形態では、第１フィルタ１１１の通過帯域の一部と第３フィルタ１２１の通過帯域の一部とが重なる。なお、第１フィルタ１１１の通過帯域の全部と第３フィルタ１２１の通過帯域の一部とが重なっていてもよいし、第１フィルタ１１１の通過帯域の一部と第３フィルタ１２１の通過帯域の全部とが重なっていてもよいし、第１フィルタ１１１の通過帯域の全部と第３フィルタ１２１の通過帯域の全部とが重なっていてもよい。要するに、「第１フィルタ１１１の通過帯域と第３フィルタ１２１の通過帯域とが重なる」とは、第１フィルタ１１１の通過帯域の少なくとも一部と第３フィルタ１２１の通過帯域の少なくとも一部とが重なることをいう。

また、本実施形態では、第１フィルタ１１１の通過帯域の全部と第２フィルタ１１２の阻止帯域の全部とが重なる。なお、第１フィルタ１１１の通過帯域の全部と第２フィルタ１１２の阻止帯域の一部とが重なっていてもよいし、第１フィルタ１１１の通過帯域の一部と第２フィルタ１１２の阻止帯域の全部とが重なっていてもよいし、第１フィルタ１１１の通過帯域の一部と第２フィルタ１１２の阻止帯域の一部とが重なっていてもよい。要するに、「第１フィルタ１１１の通過帯域と第２フィルタ１１２の阻止帯域とが重なる」とは、第１フィルタ１１１の通過帯域の少なくとも一部と第２フィルタ１１２の阻止帯域の少なくとも一部とが重なることをいう。

（２．２）第１スイッチ
第１スイッチ１３は、第１フィルタ１１１及び第３フィルタ１２１の中から後述の第２高周波モジュール２に接続されるフィルタを切り替える。すなわち、第１スイッチ１３は、第２高周波モジュール２に接続される経路（第１信号経路Ｔ１及び第３信号経路Ｔ３）を切り替えるためのスイッチである。第１スイッチ１３は、共通端子１３０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１３１，１３２と、を有する。共通端子１３０は、第１信号端子８２に接続されている。選択端子１３１は、第１フィルタ１１１に接続されている。選択端子１３２は、第３フィルタ１２１に接続されている。

第１スイッチ１３は、共通端子１３０と複数の選択端子１３１，１３２との接続状態を切り替える。第１スイッチ１３は、例えば、後述の制御回路１６（図１参照）によって制御される。第１スイッチ１３は、制御回路１６からの制御信号に従って、共通端子１３０と複数の選択端子１３１，１３２の少なくとも１つとを電気的に接続させる。ここで、本実施形態では、共通端子１３０が第１共通端子であり、選択端子１３１が第１選択端子であり、選択端子１３２が第２選択端子である。

（２．３）第２スイッチ
第２スイッチ１４は、第２フィルタ１１２及び第４フィルタ１２２の中から後述の第３高周波モジュール３に接続されるフィルタを切り替える。すなわち、第２スイッチ１４は、第３高周波モジュール３に接続される経路（第２信号経路Ｔ２及び第４信号経路Ｔ４）を切り替えるためのスイッチである。第２スイッチ１４は、共通端子１４０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１４１，１４２と、を有する。共通端子１４０は、第２信号端子８３に接続されている。選択端子１４１は、第２フィルタ１１２に接続されている。選択端子１４２は、第４フィルタ１２２に接続されている。

第２スイッチ１４は、共通端子１４０と複数の選択端子１４１，１４２との接続状態を切り替える。第２スイッチ１４は、例えば、後述の制御回路１６（図１参照）によって制御される。第２スイッチ１４は、制御回路１６からの制御信号に従って、共通端子１４０と複数の選択端子１４１，１４２の少なくとも１つとを電気的に接続させる。ここで、本実施形態では、共通端子１４０が第２共通端子であり、選択端子１４１が第３選択端子であり、選択端子１４２が第４選択端子である。

（２．４）第３スイッチ
第３スイッチ１５は、複数のフィルタ（第１フィルタ１１１、第２フィルタ１１２、第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２）の中からアンテナ端子８１に接続されるフィルタを切り替える。すなわち、第３スイッチ１５は、後述のアンテナ１０に接続される経路（第１～第４信号経路Ｔ１～Ｔ４）を切り替えるためのスイッチである。第３スイッチ１５は、共通端子１５０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１５１，１５２と、を有する。共通端子１５０は、アンテナ端子８１に接続されている。選択端子１５１は、マルチプレクサ１１（第１フィルタ１１１及び第２フィルタ１１２）に接続されている。選択端子１５２は、マルチプレクサ１２（第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２）に接続されている。

第３スイッチ１５は、共通端子１５０と複数の選択端子１５１，１５２との接続状態を切り替える。第３スイッチ１５は、例えば、後述の制御回路１７（図１参照）によって制御される。第３スイッチ１５は、制御回路１７からの制御信号に従って、共通端子１５０と複数の選択端子１５１，１５２の少なくとも１つとを電気的に接続させる。

（２．５）制御回路
制御回路１６は、第１スイッチ１３及び第２スイッチ１４を制御する。制御回路１６は、図４に示すように、複数（図示例では３つ）のグランド端子１６１と、複数（図示例では２つ）の制御端子１６２と、を有する。複数のグランド端子１６１は、後述の第２方向Ｄ２２に沿って等間隔に並んでいる。複数の制御端子１６２は、第２方向Ｄ２２に沿って等間隔に並んでいる。制御回路１６は、第１スイッチ１３に対する制御信号を一方の制御端子１６２から出力する。また、制御回路１６は、第２スイッチ１４に対する制御信号を他方の制御端子１６２から出力する。

制御回路１７は、第３スイッチ１５を制御する。制御回路１７は、図４に示すように、複数（図示例では３つ）のグランド端子１７１と、複数（図示例では２つ）の制御端子１７２と、を有する。複数のグランド端子１７１は、第２方向Ｄ２２に沿って等間隔に並んでいる。複数の制御端子１７２は、第２方向Ｄ２２に沿って等間隔に並んでいる。制御回路１７は、第３スイッチ１５に対する制御信号を一方の制御端子１７２から出力する。

（２．６）外部接続端子
複数の外部接続端子８は、図３に示すように、外部回路（例えば、第２高周波モジュール２及び第３高周波モジュール３）と電気的に接続するための端子である。複数の外部接続端子８は、アンテナ端子８１と、第１信号端子８２と、第２信号端子８３と、複数のグランド端子（図示せず）と、を含む。

アンテナ端子８１は、アンテナ１０に接続される。高周波モジュール１内において、アンテナ端子８１は、第３スイッチ１５の共通端子１５０に接続されている。また、アンテナ端子８１は、第３スイッチ１５を介して、第１フィルタ１１１、第２フィルタ１１２、第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２に接続される。

第１信号端子８２は、外部回路（例えば、第２高周波モジュール２）からの送信信号を第１高周波モジュール１に入力するための端子である。また、第１信号端子８２は、アンテナ端子８１を介して第１高周波モジュール１に入力された受信信号を外部回路（例えば、第２高周波モジュール２）へ出力するための端子である。高周波モジュール１内において、第１信号端子８２は、第１スイッチ１３の共通端子１３０に接続されている。また、第１信号端子８２は、第１スイッチ１３を介して、第１フィルタ１１１及び第３フィルタ１２１に接続される。

第２信号端子８３は、外部回路（例えば、第３高周波モジュール３）からの送信信号を第１高周波モジュール１に入力するための端子である。また、第２信号端子８３は、アンテナ端子８１を介して第１高周波モジュール１に入力された受信信号を外部回路（例えば、第３高周波モジュール３）へ出力するための端子である。高周波モジュール１内において、第２信号端子８３は、第２スイッチ１４の共通端子１４０に接続されている。また、第２信号端子８３は、第２スイッチ１４を介して、第２フィルタ１１２及び第４フィルタ１２２に接続される。

複数のグランド端子は、通信装置１００が備える外部基板（図示せず）のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。高周波モジュール１内において、複数のグランド端子は、実装基板４のグランド層（図示せず）に接続されている。グランド層は、高周波モジュール１の回路グランドである。

（３）高周波モジュールの構造
次に、実施形態１に係る高周波モジュール１の構造について、図１及び図２を参照して説明する。

高周波モジュール１は、図１及び図２に示すように、実装基板４と、第１電子部品２０１と、第２電子部品２０２と、第３電子部品２０３と、第４電子部品２０４と、第５電子部品２０５と、複数（図示例では５つ）の外部接続端子８と、を備える。また、高周波モジュール１は、樹脂層５と、金属電極層６０と、を更に備える。

高周波モジュール１は、外部基板（図示せず）に電気的に接続可能である。外部基板は、例えば、携帯電話及び通信機器等の通信装置１００（図３参照）のマザー基板に相当する。なお、高周波モジュール１が外部基板に電気的に接続可能であるとは、高周波モジュール１が外部基板上に直接的に実装される場合だけでなく、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合も含む。また、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合とは、高周波モジュール１が、外部基板上に実装された他の高周波モジュール上に実装される場合等である。

（３．１）実装基板
実装基板４は、図２に示すように、第１主面４１及び第２主面４２を有する。第１主面４１及び第２主面４２は、実装基板４の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する。第２主面４２は、高周波モジュール１が外部基板に設けられたときに、外部基板における実装基板４側の主面と対向する。また、実装基板４は、図２に示すように、外周面４３を更に有する。外周面４３は、実装基板４において、第１主面４１と第２主面４２とをつないでいる４つの側面を含む。

実装基板４は、複数の誘電体層が積層された多層基板である。実装基板４は、複数の導電層と、複数のビア導体（貫通電極を含む）と、を有する。複数の導電層は、グランド電位のグランド層を含む。複数のビア導体は、第１主面４１に実装されている素子（後述の第１～第５電子部品２０１～２０５を含む）と実装基板４の導電層との電気的接続に用いられる。また、複数のビア導体は、実装基板４の導電層と複数の外部接続端子８との電気的接続に用いられる。

実装基板４の第１主面４１には、第１～第５電子部品２０１～２０５が配置されている。実装基板４の第２主面４２には、複数の外部接続端子８が配置されている。すなわち、本実施形態では、実装基板４の第１主面４１が実装基板の主面である。

（３．２）第１電子部品
第１電子部品２０１は、図１及び図２に示すように、実装基板４の第１主面４１に配置されている。図２の例では、第１電子部品２０１は、実装基板４の第１主面４１に実装されている。なお、第１電子部品２０１において、第１電子部品２０１の一部が実装基板４の第１主面４１に実装されており、第１電子部品２０１の残りが実装基板４に内装されていてもよい。要するに、第１電子部品２０１は、実装基板４において第２主面４２よりも第１主面４１側に位置しており、かつ、第１主面４１に実装されている部分を少なくとも有する。第１電子部品２０１は、図１に示すように、第１スイッチ１３と、第２スイッチ１４と、制御回路１６と、を含むＩＣチップである。

（３．３）第２電子部品
第２電子部品２０２は、図１及び図２に示すように、実装基板４の第１主面４１に配置されている。図２の例では、第２電子部品２０２は、実装基板４の第１主面４１に実装されている。なお、第２電子部品２０２において、第２電子部品２０２の一部が実装基板４の第１主面４１に実装されており、第２電子部品２０２の残りが実装基板４に内装されていてもよい。要するに、第２電子部品２０２は、実装基板４において第２主面４２よりも第１主面４１側に位置しており、かつ、第１主面４１に実装されている部分を少なくとも有する。第２電子部品２０２は、図１に示すように、第１フィルタ１１１と、第２フィルタ１１２と、を含む。

第１フィルタ１１１及び第２フィルタ１１２の各々は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。さらに、第１フィルタ１１１及び第２フィルタ１１２の各々は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。

（３．４）第３電子部品
第３電子部品２０３は、図１及び図２に示すように、実装基板４の第１主面４１に配置されている。図２の例では、第３電子部品２０３は、実装基板４の第１主面４１に実装されている。なお、第３電子部品２０３において、第３電子部品２０３の一部が実装基板４の第１主面４１に実装されており、第３電子部品２０３の残りが実装基板４に内装されていてもよい。要するに、第３電子部品２０３は、実装基板４において第２主面４２よりも第１主面４１側に位置しており、かつ、第１主面４１に実装されている部分を少なくとも有する。第３電子部品２０３は、図１に示すように、第３フィルタ１２１と、第４フィルタ１２２と、を含む。

第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２の各々は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。さらに、第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２の各々は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。

（３．５）第４電子部品
第４電子部品２０４は、図１及び図２に示すように、実装基板４の第１主面４１に配置されている。図２の例では、第４電子部品２０４は、実装基板４の第１主面４１に実装されている。なお、第４電子部品２０４において、第４電子部品２０４の一部が実装基板４の第１主面４１に実装されており、第４電子部品２０４の残りが実装基板４に内装されていてもよい。要するに、第４電子部品２０４は、実装基板４において第２主面４２よりも第１主面４１側に位置しており、かつ、第１主面４１に実装されている部分を少なくとも有する。第４電子部品２０４は、図１に示すように、第３スイッチ１５と、制御回路１７と、を含むＩＣチップである。

（３．６）第５電子部品
第５電子部品２０５は、図１に示すように、実装基板４の第１主面４１に配置されている。第５電子部品２０５は、実装基板４の第１主面４１に実装されている。なお、第５電子部品２０５において、第５電子部品２０５の一部が実装基板４の第１主面４１に実装されており、第５電子部品２０５の残りが実装基板４に内装されていてもよい。要するに、第５電子部品２０５は、実装基板４において第２主面４２よりも第１主面４１側に位置しており、かつ、第１主面４１に実装されている部分を少なくとも有する。第５電子部品２０５は、例えば、マルチプレクサ１１とアンテナ端子８１との間の経路に設けられた整合回路（図示せず）を構成するインダクタである。整合回路は、アンテナ端子８１とマルチプレクサ１１とのインピーダンス整合をとるための回路である。インダクタは、例えば、チップインダクタである。

（３．７）外部接続端子
複数の外部接続端子８は、実装基板４と外部基板（図示せず）とを電気的に接続するための端子である。

複数の外部接続端子８は、図２に示すように、実装基板４の第２主面４２に配置されている。「外部接続端子８が実装基板４の第２主面４２に配置されている」とは、外部接続端子８が実装基板４の第２主面４２に機械的に接続されていることと、外部接続端子８が実装基板４（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。複数の外部接続端子８の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）であり、その表面にニッケルや金のメッキ膜などを形成している。実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、複数の外部接続端子８の各々は、矩形状である。

（３．８）樹脂層
樹脂層５は、図２に示すように、実装基板４の第１主面４１に配置されている。樹脂層５は、第１～第５電子部品２０１～２０５を覆っている。より詳細には、樹脂層５は、第１～第５電子部品２０１～２０５の各々の外周面、及び実装基板４側とは反対側の主面を覆っている。第１電子部品２０１の外周面は、第１電子部品２０１において、実装基板４側とは反対側の主面と実装基板４側の主面とをつないでいる４つの側面を含む。また、第２～第５電子部品２０２～２０５の各々の外周面も同様である。樹脂層５は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。樹脂層５は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

（３．９）金属電極層
金属電極層（シールド層）６０は、図２に示すように、樹脂層５を覆っている。金属電極層６０は、導電性を有する。高周波モジュール１では、金属電極層６０は、高周波モジュール１の内外の電磁シールドを目的として設けられているシールド層である。金属電極層６０は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、多層構造に限らず、１つの金属層であってもよい。１つの金属層は、１又は複数種の金属を含む。金属電極層６０は、樹脂層５における実装基板４側とは反対側の主面５１と、樹脂層５の外周面５３と、実装基板４の外周面４３と、を覆っている。金属電極層６０は、実装基板４のグランド層（図示せず）の外周面の少なくとも一部と接触している。これにより、金属電極層６０の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。

（４）高周波モジュールの各構成要素の詳細構造
次に、実施形態１に係る高周波モジュール１の各構成要素の詳細構造について、図１及び図２を参照して説明する。

（４．１）実装基板
実装基板４は、例えば、複数の誘電体層（図示せず）及び複数の導電層（図示せず）を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板４の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板４の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１では、複数のグランド端子とグランド層とが、実装基板４のビア導体等を介して電気的に接続されている。実装基板４は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板４は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板であってもよい。

また、実装基板４は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板４の第１主面４１であり、第２面が実装基板４の第２主面４２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

実装基板４の第１主面４１及び第２主面４２は、実装基板４の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板４の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板４における第１主面４１は、例えば、実装基板４の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、実装基板４の厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板４における第２主面４２は、例えば、実装基板４の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、実装基板４の厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板４の第１主面４１及び第２主面４２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、実装基板４は、長方形状であるが、例えば、正方形状であってもよい。

（４．２）第１電子部品
第１電子部品２０１は、上述したように、第１スイッチ１３と、第２スイッチ１４と、制御回路１６と、を含むＩＣチップである。第１電子部品２０１を構成するＩＣチップは、例えば、Ｓｉ系ＩＣチップである。実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品２０１の外縁は、四角形状である。第１電子部品２０１は、実装基板４の第１主面４１にフリップチップ実装されている。

（４．３）第２電子部品
第２電子部品２０２は、上述したように、第１フィルタ１１１と、第２フィルタ１１２と、を含む。実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２電子部品２０２の外縁は、四角形状である。第２電子部品２０２は、実装基板４の第１主面４１にフリップチップ実装されている。

（４．４）第３電子部品
第３電子部品２０３は、上述したように、第３フィルタ１２１と、第４フィルタ１２２と、を含む。実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第３電子部品２０３の外縁は、四角形状である。第３電子部品２０３は、実装基板４の第１主面４１にフリップチップ実装されている。

（４．５）第４電子部品
第４電子部品２０４は、上述したように、第３スイッチ１５と、制御回路１７と、を含むＩＣチップである。第４電子部品２０４を構成するＩＣチップは、例えば、Ｓｉ系ＩＣチップである。実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第４電子部品２０４の外縁は、四角形状である。第４電子部品２０４は、実装基板４の第１主面４１にフリップチップ実装されている。

（４．６）第５電子部品
第５電子部品２０５は、上述の整合回路を構成するチップインダクタである。実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第５電子部品２０５の外縁は、四角形状である。第５電子部品２０５は、例えば、実装基板４の第１主面４１に実装されている。

（５）通信装置
次に、実施形態１に係る通信装置１００の回路構成について、図３を参照して説明する。

実施形態１に係る通信装置１００は、図３に示すように、第１～第３高周波モジュール１～３と、アンテナ１０と、信号処理回路９と、を備える。信号処理回路９は、第１高周波モジュール１に接続されている。より詳細には、信号処理回路９は、第２高周波モジュール２及び第３高周波モジュール３を介して第１高周波モジュール１に接続されている。

（５．１）アンテナ
アンテナ１０は、第１高周波モジュール１のアンテナ端子８１に接続される。アンテナ１０は、第１高周波モジュール１から出力された送信信号を電波にて放射する送信機能と、受信信号を電波として外部から受信して第１高周波モジュール１へ出力する受信機能と、を有する。

（５．２）第２高周波モジュール
第２高周波モジュール２は、図３に示すように、マルチプレクサ２１と、スイッチ２２と、パワーアンプ２３と、ローノイズアンプ２４と、第１～第３信号端子２５１～２５３と、を備える。

マルチプレクサ２１は、複数（図示例では３つ）のフィルタ２１１～２１３を含む。フィルタ２１１は、例えば、第１通信バンド及び第３通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる送信フィルタである。フィルタ２１２は、例えば、第１通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる受信フィルタである。フィルタ２１３は、例えば、第３通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる受信フィルタである。フィルタ２１１は、スイッチ２２とパワーアンプ２３との間の信号経路に設けられている。フィルタ２１２，２１３は、スイッチ２２とローノイズアンプ２４との間の信号経路に設けられている。

スイッチ２２は、複数のフィルタ２１１～２１３の中から第１高周波モジュール１に接続されるフィルタを切り替える。すなわち、スイッチ２２は、第１高周波モジュール１に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。スイッチ２２は、共通端子２２０と、複数（図示例では３つ）の選択端子２２１～２２３と、を有する。共通端子２２０は、第１信号端子２５１に接続されている。選択端子２２１は、フィルタ２１１に接続されている。選択端子２２２は、フィルタ２１２に接続されている。選択端子２２３は、フィルタ２１３に接続されている。

スイッチ２２は、共通端子２２０と複数の選択端子２２１～２２３との接続状態を切り替える。スイッチ２２は、例えば、信号処理回路９によって制御される。スイッチ２２は、信号処理回路９のＲＦ信号処理回路９１からの制御信号に従って、共通端子２２０と複数の選択端子２２１～２２３の少なくとも１つとを電気的に接続させる。

パワーアンプ２３は、送信信号を増幅する増幅器である。パワーアンプ２３は、フィルタ２１１と第２信号端子２５２との間に設けられている。パワーアンプ２３は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。パワーアンプ２３の入力端子は、第２信号端子２５２を介して外部回路（例えば、信号処理回路９）に接続される。パワーアンプ２３の出力端子は、フィルタ２１１に接続されている。パワーアンプ２３は、例えば、コントローラ（図示せず）によって制御される。

ローノイズアンプ２４は、受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。ローノイズアンプ２４は、フィルタ２１２，２１３と第３信号端子２５３との間に設けられている。ローノイズアンプ２４は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。ローノイズアンプ２４の入力端子は、フィルタ２１２，２１３に接続されている。ローノイズアンプ２４の出力端子は、第３信号端子２５３を介して外部回路（例えば、信号処理回路９）に接続される。

第１信号端子２５１は、第１高周波モジュール１と電気的に接続するための端子である。第１信号端子２５１は、第１高周波モジュール１の第１信号端子８２に接続される。第２高周波モジュール２内において、第１信号端子２５１は、スイッチ２２の共通端子２２０に接続されている。

第２信号端子２５２及び第３信号端子２５３は、信号処理回路９と電気的に接続するための端子である。第２高周波モジュール２内において、第２信号端子２５２は、パワーアンプ２３の入力端子に接続されている。第２高周波モジュール２内において、第３信号端子２５３は、ローノイズアンプ２４の出力端子に接続されている。

（５．３）第３高周波モジュール
第３高周波モジュール３は、図３に示すように、マルチプレクサ３１と、スイッチ３２と、パワーアンプ３３と、ローノイズアンプ３４と、第１～第３信号端子３５１～３５３と、を備える。

マルチプレクサ３１は、複数（図示例では３つ）のフィルタ３１１～３１３を含む。フィルタ３１１は、例えば、第２通信バンド及び第４通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる送信フィルタである。フィルタ３１２は、例えば、第２通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる受信フィルタである。フィルタ３１３は、例えば、第４通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる受信フィルタである。フィルタ３１１は、スイッチ３２とパワーアンプ３３との間の信号経路に設けられている。フィルタ３１２，３１３は、スイッチ３２とローノイズアンプ３４との間の信号経路に設けられている。

スイッチ３２は、複数のフィルタ３１１～３１３の中から第１高周波モジュール１に接続されるフィルタを切り替える。すなわち、スイッチ３２は、第１高周波モジュール１に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。スイッチ３２は、共通端子３２０と、複数（図示例では３つ）の選択端子３２１～３２３と、を有する。共通端子３２０は、第１信号端子３５１に接続されている。選択端子３２１は、フィルタ３１１に接続されている。選択端子３２２は、フィルタ３１２に接続されている。選択端子３２３は、フィルタ３１３に接続されている。

スイッチ３２は、共通端子３２０と複数の選択端子３２１～３２３との接続状態を切り替える。スイッチ３２は、例えば、信号処理回路９によって制御される。スイッチ３２は、信号処理回路９のＲＦ信号処理回路９１からの制御信号に従って、共通端子３２０と複数の選択端子３２１～３２３の少なくとも１つとを電気的に接続させる。

パワーアンプ３３は、送信信号を増幅する増幅器である。パワーアンプ３３は、フィルタ３１１と第２信号端子３５２との間に設けられている。パワーアンプ３３は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。パワーアンプ３３の入力端子は、第２信号端子３５２を介して外部回路（例えば、信号処理回路９）に接続される。パワーアンプ３３の出力端子は、フィルタ３１１に接続されている。パワーアンプ３３は、例えば、コントローラ（図示せず）によって制御される。

ローノイズアンプ３４は、受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。ローノイズアンプ３４は、フィルタ３１２，３１３と第３信号端子３５３との間に設けられている。ローノイズアンプ３４は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。ローノイズアンプ３４の入力端子は、フィルタ３１２，３１３に接続されている。ローノイズアンプ３４の出力端子は、第３信号端子３５３を介して外部回路（例えば、信号処理回路９）に接続される。

第１信号端子３５１は、第１高周波モジュール１と電気的に接続するための端子である。第１信号端子３５１は、第１高周波モジュール１の第２信号端子８３に接続される。第３高周波モジュール３内において、第１信号端子３５１は、スイッチ３２の共通端子３２０に接続されている。

第２信号端子３５２及び第３信号端子３５３は、信号処理回路９と電気的に接続するための端子である。第３高周波モジュール３内において、第２信号端子３５２は、パワーアンプ３３の入力端子に接続されている。第３高周波モジュール３内において、第３信号端子３５３は、ローノイズアンプ３４の出力端子に接続されている。

（５．４）信号処理回路
信号処理回路９は、ＲＦ信号処理回路９１と、ベースバンド信号処理回路９２と、を含む。

ＲＦ信号処理回路９１は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）である。ＲＦ信号処理回路９１は、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路９１は、ベースバンド信号処理回路９２から出力された高周波信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を第２高周波モジュール２及び第３高周波モジュール３に出力する。また、ＲＦ信号処理回路９１は、第２高周波モジュール２及び第３高周波モジュール３から出力された高周波信号に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路９２に出力する。

ベースバンド信号処理回路９２は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路９２は、信号処理回路９の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路９２で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のための画像信号として使用され、又は、通話のための音声信号として使用される。

（６）レイアウト
（６．１）高周波モジュール
まず、高周波モジュール１のレイアウトについて、図１を参照して説明する。

実装基板４の第１主面４１には、上述したように、第１～第５電子部品２０１～２０５が配置されている。

第２電子部品２０２と第３電子部品２０３とは、第１方向Ｄ２１に並んでいる。より詳細には、第２電子部品２０２と第３電子部品２０３とは、第１方向Ｄ２１において隣接している。「第２電子部品２０２と第３電子部品２０３とが隣接している」とは、第２電子部品２０２と第３電子部品２０３との間に他の回路素子がなく、第２電子部品２０２と第３電子部品２０３とが隣り合っていることを意味する。第１方向Ｄ２１は、実装基板４の厚さ方向Ｄ１（図２参照）と直交する方向であって、実装基板４の短手方向（図１の上下方向）に沿った方向である。

第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第１電子部品２０１とは、第１方向Ｄ２１と交差する第２方向Ｄ２２に並んでいる。より詳細には、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第１電子部品２０１とは、第２方向Ｄ２２において隣接している。「第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第１電子部品２０１とが隣接している」とは、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第１電子部品２０１との間に他の回路素子がなく、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第１電子部品２０１とが隣り合っていることを意味する。第２方向Ｄ２２は、実装基板４の長手方向（図１の左右方向）に沿った方向である。本実施形態では、第１方向Ｄ２１と第２方向Ｄ２２とが直交する。

第４電子部品２０４は、第２方向Ｄ２２において、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３に対して第１電子部品２０１側とは反対側に位置している。すなわち、第４電子部品２０４は、第２方向Ｄ２２において、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と隣接している。「第４電子部品２０４と第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３とが隣接している」とは、第４電子部品２０４と第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３との間に他の回路素子がなく、第４電子部品２０４と第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３とが隣り合っていることを意味する。

第１電子部品２０１、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３及び第４電子部品２０４は、第２方向Ｄ２２において、右側から、第１電子部品２０１、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３、第４電子部品２０４の順に並んでいる。要するに、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３は、第２方向Ｄ２２において、第１電子部品２０１と第４電子部品２０４との間に位置している。

また、第４電子部品２０４と第５電子部品２０５とは、第１方向Ｄ２１に並んでいる。すなわち、第４電子部品２０４と第５電子部品２０５とは、第２方向Ｄ２２において隣接している。「第４電子部品２０４と第５電子部品２０５とが隣接している」とは、第４電子部品２０４と第５電子部品２０５との間に他の回路素子がなく、第４電子部品２０４と第５電子部品２０５とが隣り合っていることを意味する。

（６．２）第１電子部品
次に、第１電子部品２０１内における第１スイッチ１３、第２スイッチ１４及び制御回路１６のレイアウトについて、図１を参照して説明する。

第１スイッチ１３、第２スイッチ１４及び制御回路１６は、第１電子部品２０１内において、第１方向Ｄ２１に並んでいる。より詳細には、第１スイッチ１３、第２スイッチ１４及び制御回路１６は、第１方向Ｄ２１において、上側から、第１スイッチ１３、制御回路１６、第２スイッチ１４の順に並んでいる。すなわち、制御回路１６は、第１方向Ｄ２１において第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に位置している。

（７）接続例
次に、第１電子部品２０１、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３の接続例について、図４を参照して説明する。

第１電子部品２０１に含まれている第１スイッチ１３と第２電子部品２０２に含まれている第１フィルタ１１１とは、第１配線パターン部４４１により接続されている。より詳細には、第１スイッチ１３の選択端子１３１と第１フィルタ１１１の第１入出力端子１０１とが、実装基板４の第１主面４１上もしくは実装基板４の内部に形成した第１配線パターン部４４１により接続されている。

第１電子部品２０１に含まれている第２スイッチ１４と第２電子部品２０２に含まれている第２フィルタ１１２とは、第２配線パターン部４４２により接続されている。より詳細には、第２スイッチ１４の選択端子１４１と第２フィルタ１１２の第１入出力端子１０３とが、実装基板４の第１主面４１上もしくは実装基板４の内部に形成した第２配線パターン部４４２により接続されている。

第１電子部品２０１に含まれている第１スイッチ１３と第３電子部品２０３に含まれている第３フィルタ１２１とは、第３配線パターン部４４３により接続されている。より詳細には、第１スイッチ１３の選択端子１３２と第３フィルタ１２１の第１入出力端子１０５とが、実装基板４の第１主面４１上もしくは実装基板４の内部に形成した第３配線パターン部４４３により接続されている。

第１電子部品２０１に含まれている第２スイッチ１４と第３電子部品２０３に含まれている第４フィルタ１２２とは、第４配線パターン部４４４により接続されている。より詳細には、第２スイッチ１４の選択端子１４２と第４フィルタ１２２の第１入出力端子１０７とが、実装基板４の第１主面４１上もしくは実装基板４の内部に形成した第４配線パターン部４４４により接続されている。ここで、第２配線パターン部４４２と第３配線パターン部４４３とは、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において交差しているが、実装基板４の厚さ方向Ｄ１（図４の紙面に垂直な方向）において離れており、接触していない。

ここで、図４の例では、第１スイッチ１３の共通端子１３０と選択端子１３１とが接続されており、第１スイッチ１３と第１フィルタ１１１とを接続する第１配線パターン部４４１がアクティブな状態にある。また、図４の例では、第２スイッチ１４の共通端子１４０と選択端子１４１とが接続されており、第２スイッチ１４と第２フィルタ１１２とを接続する第２配線パターン部４４２がアクティブな状態にある。すなわち、図４の例では、同時通信による複数の信号は、第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２を通過する。それぞれがアクティブな状態にある第１配線パターン部４４１と第２配線パターン部４４２とは交差していない。また、第３配線パターン部４４３は、第２配線パターン部４４２と交差しているが、第１配線パターン部４４１とは交差していない。また、第４配線パターン部４４４は、第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２のいずれとも交差していない。

また、図４の例では、第１電子部品２０１内において、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に位置する制御回路１６は、複数（図示例では３つ）のグランド端子１６１を有する。複数のグランド端子１６１は、第１方向Ｄ２１（第１スイッチ１３、第２スイッチ１４及び制御回路１６が並ぶ方向）において、第２スイッチ１４側に位置している。すなわち、複数のグランド端子１６１は、第１方向Ｄ２１において第２スイッチ１４と制御回路１６との間に位置している。

（８）効果
実施形態１に係る高周波モジュール１では、第１電子部品２０１内において、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に制御回路１６が位置している。このため、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４とを物理的に離すことが可能となり、その結果、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間のアイソレーションの低下を抑制することが可能となる。これにより、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間の信号の回り込みを抑制することが可能となり、その結果、信号間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、第２スイッチ１４と制御回路１６との間にグランド端子１６１が位置している。このため、グランド端子１６１のシールド効果によって、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間のアイソレーションの低下を更に抑制することが可能となる。

また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、それぞれがアクティブな状態にある第１配線パターン部４４１と第２配線パターン部４４２とは交差しておらず、さらに第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２の両方に交差する配線パターン部も存在しない。このため、配線パターン部による信号の回り込みを抑制することが可能となる。

また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、第２電子部品２０２と第３電子部品２０３とは、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１方向Ｄ２１に並んでいる。また、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第１電子部品２０１とは、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２方向Ｄ２２に並んでいる。このため、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第１電子部品２０１との間の配線長を短くすることが可能となり、その結果、配線長による信号の損失を低減することが可能となる。

また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、第４電子部品２０４は、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３に対して第１電子部品２０１側とは反対側に位置する。このため、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第４電子部品２０４との間の配線長を短くすることが可能となり、その結果、配線長による信号の損失を低減することが可能となる。

また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、通過帯域の一部が重なっている第１フィルタ１１１と第３フィルタ１２１とを別々の電子部品（第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３）内に設けている。このため、第１フィルタ１１１と第３フィルタ１２１との間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

（９）変形例
（９．１）変形例１
実施形態１では、第２電子部品２０２内に第１フィルタ１１１及び第２フィルタ１１２が設けられ、第３電子部品２０３内に第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２が設けられている。これに対して、図５に示すように、第２電子部品２０２ａ内に第１フィルタ１１１及び第３フィルタ１２１が設けられ、第３電子部品２０３ａ内に第２フィルタ１１２及び第４フィルタ１２２が設けられていてもよい。以下、変形例１に係る高周波モジュール１ａについて、図５を参照して説明する。なお、変形例１に係る高周波モジュール１ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、図５に示すように、第１～第５電子部品２０１～２０５が実装基板４の第１主面４１に配置されている。第２電子部品２０２ａと第３電子部品２０３ａとは、第１方向Ｄ２１に並んでいる。第２電子部品２０２ａ及び第３電子部品２０３ａと第１電子部品２０１とは、第２方向Ｄ２２に並んでいる。第４電子部品２０４は、第２方向Ｄ２２において、第２電子部品２０２ａ及び第３電子部品２０３ａに対して第１電子部品２０１側とは反対側に位置している。第４電子部品２０４と第５電子部品２０５とは、第１方向Ｄ２１に並んでいる。

変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、図５に示すように、第１フィルタ１１１と第３フィルタ１２１とが第２電子部品２０２ａ内に設けられている。また、変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、第２フィルタ１１２と第４フィルタ１２２とが第３電子部品２０３ａ内に設けられている。これにより、第１配線パターン部４４１、第２配線パターン部４４２、第３配線パターン部４４３及び第４配線パターン部４４４のいずれもが交差しないように、各配線パターン部を配線することが可能となる。

（９．２）変形例２
実施形態１では、第１フィルタ１１１及び第２フィルタ１１２が第２電子部品２０２内に設けられ、第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２が第３電子部品２０３内に設けられている。これに対して、図６に示すように、第１フィルタ１１１、第２フィルタ１１２、第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２が第２電子部品２０２ｂ内に設けられていてもよい。以下、変形例２に係る高周波モジュール１ｂについて、図６を参照して説明する。なお、変形例２に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

変形例２に係る高周波モジュール１ｂでは、図６に示すように、第１電子部品２０１、第２電子部品２０２ｂ、第４電子部品２０４及び第５電子部品２０５が実装基板４の第１主面４１に配置されている。第１電子部品２０１と第２電子部品２０２ｂとは、第２方向Ｄ２２に並んでいる。第４電子部品２０４は、第２方向Ｄ２２において、第２電子部品２０２ｂに対して第１電子部品２０１側とは反対側に位置している。第４電子部品２０４と第５電子部品２０５とは、第１方向Ｄ２１に並んでいる。

変形例２に係る高周波モジュール１ｂでは、図６に示すように、第１フィルタ１１１、第２フィルタ１１２、第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２が第２電子部品２０２ｂ内に設けられている。このため、実施形態１に係る高周波モジュール１及び変形例１に係る高周波モジュール１ａに比べて、高周波モジュール１ｂの小型化を図ることが可能となる。

（実施形態２）
実施形態２に係る高周波モジュール１ｃ及び通信装置１００ｃについて、図７を参照して説明する。実施形態２に係る高周波モジュール１ｃ及び通信装置１００ｃに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置１００（図１及び図３参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係る高周波モジュール１ｃでは、図７に示すように、第３スイッチ１５が省略され、マルチプレクサ１１が第１アンテナ１０ａに接続され、マルチプレクサ１２が第２アンテナ１０ｂに接続される点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。

（１）構成
実施形態２に係る通信装置１００ｃは、図７に示すように、第１～第３高周波モジュール１ｃ，２，３と、第１アンテナ１０ａ及び第２アンテナ１０ｂと、信号処理回路９と、を備える。

実施形態２に係る高周波モジュール１ｃは、図７に示すように、複数（図示例では２つ）のマルチプレクサ１１，１２と、第１スイッチ１３と、第２スイッチ１４と、を備える。また、実施形態２に係る高周波モジュール１ｃは、複数の制御回路１６，１７（図１参照）を更に備える。また、実施形態２に係る高周波モジュール１ｃは、複数（図示例では４つ）の外部接続端子８ｃを更に備える。複数の外部接続端子８ｃは、第１アンテナ端子８１ａと、第２アンテナ端子８１ｂと、第１信号端子８２と、第２信号端子８３と、を含む。

第１フィルタ１１１及び第２フィルタ１１２は、第１アンテナ端子８１ａに接続されている。また、第１フィルタ１１１及び第２フィルタ１１２は、第１アンテナ端子８１ａを介して第１アンテナ１０ａに接続される。第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２は、第２アンテナ端子８１ｂに接続されている。また、第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２は、第２アンテナ端子８１ｂを介して第２アンテナ１０ｂに接続される。

（２）効果
実施形態２に係る高周波モジュール１ｃでは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、単一の第１電子部品２０１内において、制御回路１６が第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に位置している。このため、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４とを物理的に離すことが可能となり、その結果、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間のアイソレーションの低下を抑制することが可能となる。これにより、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間の信号の回り込みを抑制することが可能となり、その結果、信号間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

また、実施形態２に係る高周波モジュール１ｃでは、第３スイッチ１５を省略することで、高周波モジュール１ｃの小型化を図ることが可能となる。

（実施形態３）
実施形態３に係る高周波モジュール１ｄ及び通信装置１００ｄについて、図８及び図９を参照して説明する。実施形態３に係る高周波モジュール１ｄ及び通信装置１００ｄに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置１００（図１及び図３参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態３に係る高周波モジュール１ｄは、マルチプレクサ１８を備える点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｄでは、第１スイッチ１３ｄが３つ目の選択端子１３３を有する点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｄでは、第２スイッチ１４ｄが３つ目の選択端子１４３を有する点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｄでは、第３スイッチ１５ｄが３つ目の選択端子１５３を有する点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。

（１）構成
実施形態３に係る通信装置１００ｄは、図８に示すように、第１～第３高周波モジュール１ｄ，２，３と、アンテナ１０と、信号処理回路９と、を備える。

実施形態３に係る高周波モジュール１ｄは、図８に示すように、複数（図示例では３つ）のマルチプレクサ１１，１２，１８と、第１スイッチ１３ｄと、第２スイッチ１４ｄと、第３スイッチ１５ｄと、を備える。また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｄは、複数の制御回路１６，１７（図９参照）を更に備える。また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｄは、複数（図示例では３つ）の外部接続端子８を更に備える。

第１スイッチ１３ｄは、共通端子１３０と、複数（図示例では３つ）の選択端子１３１～１３３と、を有する。第２スイッチ１４ｄは、共通端子１４０と、複数（図示例では３つ）の選択端子１４１～１４３と、を有する。第３スイッチ１５ｄは、共通端子１５０と、複数（図示例では３つ）の選択端子１５１～１５３と、を有する。

マルチプレクサ１１は、第１フィルタ１１１と、第２フィルタ１１２と、を含む。第１フィルタ１１１は、第１入出力端子１０１及び第２入出力端子１０２を有する。第１フィルタ１１１の第１入出力端子１０１は、第１スイッチ１３ｄの選択端子１３１に接続されている。第１フィルタ１１１の第２入出力端子１０２は、第３スイッチ１５ｄの選択端子１５１に接続されている。第２フィルタ１１２は、第１入出力端子１０３及び第２入出力端子１０４を有する。第２フィルタ１１２の第１入出力端子１０３は、第２スイッチ１４ｄの選択端子１４１に接続されている。第２フィルタ１１２の第２入出力端子１０４は、第３スイッチ１５ｄの選択端子１５１に接続されている。

マルチプレクサ１２は、第３フィルタ１２１と、第４フィルタ１２２と、を含む。第３フィルタ１２１は、第１入出力端子１０５及び第２入出力端子１０６を有する。第３フィルタ１２１の第１入出力端子１０５は、第１スイッチ１３ｄの選択端子１３２に接続されている。第３フィルタ１２１の第２入出力端子１０６は、第３スイッチ１５ｄの選択端子１５２に接続されている。第４フィルタ１２２は、第１入出力端子１０７及び第２入出力端子１０８を有する。第４フィルタ１２２の第１入出力端子１０７は、第２スイッチ１４ｄの選択端子１４２に接続されている。第４フィルタ１２２の第２入出力端子１０８は、第３スイッチ１５ｄの選択端子１５２に接続されている。

マルチプレクサ１８は、第５フィルタ１８１と、第６フィルタ１８２と、を含む。第５フィルタ１８１は、第１入出力端子１１４及び第２入出力端子１１５を有する。第５フィルタ１８１の第１入出力端子１１４は、第１スイッチ１３ｄの選択端子１３３に接続されている。第５フィルタ１８１の第２入出力端子１１５は、第３スイッチ１５ｄの選択端子１５３に接続されている。第６フィルタ１８２は、第１入出力端子１１６及び第２入出力端子１１７を有する。第６フィルタ１８２の第１入出力端子１１６は、第２スイッチ１４ｄの選択端子１４３に接続されている。第６フィルタ１８２の第２入出力端子１１７は、第３スイッチ１５ｄの選択端子１５３に接続されている。

第５フィルタ１８１は、例えば、第５通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させる送受信フィルタである。第６フィルタ１８２は、例えば、第６通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させる送受信フィルタである。

第１スイッチ１３ｄの共通端子１３０は、第１信号端子８２を介して外部回路（例えば、第２高周波モジュール２）に接続される。第２スイッチ１４ｄの共通端子１４０は、第２信号端子８３を介して外部回路（例えば、第３高周波モジュール３）に接続される。第３スイッチ１５ｄの共通端子１５０は、アンテナ端子８１を介してアンテナ１０に接続される。

（２）レイアウト
実施形態３に係る高周波モジュール１ｄでは、第１電子部品２０１ｄ、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３、第４電子部品２０４ｄ、第５電子部品２０５及び第６電子部品２０６が実装基板４の第１主面４１に配置されている。

第１電子部品２０１ｄは、第１スイッチ１３ｄ、第２スイッチ１４ｄ及び制御回路１６を含む。第１電子部品２０１ｄ内において、制御回路１６は、第１スイッチ１３ｄと第２スイッチ１４ｄとの間に位置している。第２電子部品２０２は、第１フィルタ１１１と、第２フィルタ１１２と、を含む。第３電子部品２０３は、第３フィルタ１２１と、第４フィルタ１２２と、を含む。第４電子部品２０４ｄは、第３スイッチ１５ｄと、制御回路１７と、を含む。第６電子部品２０６は、第５フィルタ１８１と、第６フィルタ１８２と、を含む。

第２電子部品２０２と第３電子部品２０３と第６電子部品２０６とは、第１方向Ｄ２１に並んでいる。より詳細には、第２電子部品２０２と第３電子部品２０３と第６電子部品２０６とは、第１方向Ｄ２１において、上側から、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３、第６電子部品２０６の順に並んでいる。第２電子部品２０２、第３電子部品２０３及び第６電子部品２０６と第１電子部品２０１ｄとは、第２方向Ｄ２２に並んでいる。第４電子部品２０４ｄは、第２方向Ｄ２２において、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３及び第６電子部品２０６に対して、第１電子部品２０１ｄ側とは反対側に位置している。すなわち、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３及び第６電子部品２０６は、第２方向Ｄ２２において、第１電子部品２０１ｄと第４電子部品２０４ｄとの間に位置している。また、第４電子部品２０４ｄと第５電子部品２０５とは、第１方向Ｄ２１に並んでいる。

（３）接続例
第１フィルタ１１１の第１入出力端子１０１と第１スイッチ１３ｄの選択端子１３１とは、第１配線パターン部４４１により接続されている。第２フィルタ１１２の第１入出力端子１０３と第２スイッチ１４ｄの選択端子１４１とは、第２配線パターン部４４２により接続されている。第３フィルタ１２１の第１入出力端子１０５と第１スイッチ１３ｄの選択端子１３２とは、第３配線パターン部４４３により接続されている。第４フィルタ１２２の第１入出力端子１０７と第２スイッチ１４ｄの選択端子１４２とは、第４配線パターン部４４４により接続されている。第５フィルタ１８１の第１入出力端子１１４と第１スイッチ１３ｄの選択端子１３３とは、第５配線パターン部４４５により接続されている。第６フィルタ１８２の第１入出力端子１１６と第２スイッチ１４ｄの選択端子１４３とは、第６配線パターン部４４６により接続されている。

ここで、図９の例では、第１スイッチ１３ｄの共通端子１３０と選択端子１３１とが接続され、第２スイッチ１４ｄの共通端子１４０と選択端子１４１とが接続されている。したがって、図９の例では、第１配線パターン４４１と第２配線パターン部４４２とがアクティブな状態にある。すなわち、図９の例では、同時通信による複数の信号は、第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２を通過する。それぞれがアクティブな状態にある第１配線パターン部４４１と第２配線パターン部４４２とは、交差していない。また、第３配線パターン部４４３及び第５配線パターン部４４５の各々は、第２配線パターン部４４２と交差しているが、第１配線パターン部４４１とは交差していない。また、第４配線パターン部４４４及び第６配線パターン部４４６の各々は、第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２のいずれとも交差していない。

（４）効果
実施形態３に係る高周波モジュール１ｄでは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、単一の第１電子部品２０１ｄ内において、制御回路１６が第１スイッチ１３ｄと第２スイッチ１４ｄとの間に位置している。このため、第１スイッチ１３ｄと第２スイッチ１４ｄとを物理的に離すことが可能となり、その結果、第１スイッチ１３ｄと第２スイッチ１４ｄとの間のアイソレーションの低下を抑制することが可能となる。これにより、第１スイッチ１３ｄと第２スイッチ１４ｄとの間の信号の回り込みを抑制することが可能となり、その結果、信号間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｄでは、それぞれがアクティブな状態にある第１配線パターン部４４１と第２配線パターン部４４２とが交差しておらず、さらに第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２の両方に交差する配線パターン部も存在しない。このため、第１スイッチ１３ｄと第２スイッチ１４ｄとの間のアイソレーションの低下を更に抑制することが可能となる。

（実施形態４）
実施形態４に係る高周波モジュール１ｅ及び通信装置１００ｅについて、図１０及び図１１を参照して説明する。実施形態４に係る高周波モジュール１ｅ及び通信装置１００ｅに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置１００（図１及び図３参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態４に係る高周波モジュール１ｅは、第７フィルタ１１３、第８フィルタ１２３及び第４スイッチ１９を備える点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。また、実施形態４に係る高周波モジュール１ｅでは、第３信号端子８４を備える点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。また、実施形態４に係る通信装置１００ｅは、第４高周波モジュール６を備える点で、実施形態１に係る通信装置１００と相違する。

（１）構成
実施形態４に係る通信装置１００ｅは、図１０に示すように、第１～第４高周波モジュール１ｄ，２，３，６と、アンテナ１０と、信号処理回路９と、を備える。

（１．１）第１高周波モジュール
実施形態４に係る高周波モジュール１ｅは、図１０に示すように、複数（図示例では２つ）のマルチプレクサ１１ｅ，１２ｅと、第１スイッチ１３と、第２スイッチ１４と、第３スイッチ１５と、第４スイッチ１９と、を備える。また、実施形態４に係る高周波モジュール１ｅは、複数の制御回路１６，１７（図１１参照）を更に備える。また、実施形態４に係る高周波モジュール１ｅは、複数（図示例では４つ）の外部接続端子８ｅを更に備える。複数の外部接続端子８ｅは、アンテナ端子８１と、第１信号端子８２と、第２信号端子８３と、第３信号端子８４と、を含む。

第１スイッチ１３は、共通端子１３０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１３１，１３２と、を有する。第２スイッチ１４は、共通端子１４０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１４１，１４２と、を有する。第３スイッチ１５は、共通端子１５０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１５１，１５２と、を有する。第４スイッチ１９は、共通端子１９０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１９１，１９２と、を有する。

マルチプレクサ１１ｅは、第１フィルタ１１１と、第２フィルタ１１２と、第７フィルタ１１３と、を含む。第１フィルタ１１１は、第１入出力端子１０１及び第２入出力端子１０２を有する。第１フィルタ１１１の第１入出力端子１０１は、第１スイッチ１３の選択端子１３１に接続されている。第１フィルタ１１１の第２入出力端子１０２は、第３スイッチ１５の選択端子１５１に接続されている。第２フィルタ１１２は、第１入出力端子１０３及び第２入出力端子１０４を有する。第２フィルタ１１２の第１入出力端子１０３は、第２スイッチ１４の選択端子１４１に接続されている。第２フィルタ１１２の第２入出力端子１０４は、第３スイッチ１５の選択端子１５１に接続されている。第７フィルタ１１３は、第１入出力端子１１８及び第２入出力端子１１９を有する。第７フィルタ１１３の第１入出力端子１１８は、第４スイッチ１９の選択端子１９１に接続されている。第７フィルタ１１３の第２入出力端子１１９は、第３スイッチ１５の選択端子１５１に接続されている。

マルチプレクサ１２ｅは、第３フィルタ１２１と、第４フィルタ１２２と、第８フィルタ１２３と、を含む。第３フィルタ１２１は、第１入出力端子１０５及び第２入出力端子１０６を有する。第３フィルタ１２１の第１入出力端子１０５は、第１スイッチ１３の選択端子１３２に接続されている。第３フィルタ１２１の第２入出力端子１０６は、第３スイッチ１５の選択端子１５２に接続されている。第４フィルタ１２２は、第１入出力端子１０７及び第２入出力端子１０８を有する。第４フィルタ１２２の第１入出力端子１０７は、第２スイッチ１４の選択端子１４２に接続されている。第４フィルタ１２２の第２入出力端子１０８は、第３スイッチ１５の選択端子１５２に接続されている。第８フィルタ１２３は、第１入出力端子１２０及び第２入出力端子１２８を有する。第８フィルタ１２３の第１入出力端子１２０は、第４スイッチ１９の選択端子１９２に接続されている。第８フィルタ１２３の第２入出力端子１２８は、第３スイッチ１５の選択端子１５２に接続されている。

第１スイッチ１３の共通端子１３０は、第１信号端子８２を介して外部回路（例えば、第２高周波モジュール２）に接続される。第２スイッチ１４の共通端子１４０は、第２信号端子８３を介して外部回路（例えば、第３高周波モジュール３）に接続される。第３スイッチ１５の共通端子１５０は、アンテナ端子８１を介してアンテナ１０に接続される。第４スイッチ１９の共通端子１９０は、第３信号端子８４を介して外部回路（例えば、第４高周波モジュール６）に接続される。

（１．２）第４高周波モジュール
第４高周波モジュール６は、図１０に示すように、マルチプレクサ６１と、スイッチ６２と、パワーアンプ６３と、ローノイズアンプ６４と、第１～第３信号端子６５１～６５３と、を備える。

マルチプレクサ６１は、複数（図示例では３つ）のフィルタ６１１～６１３を含む。フィルタ６１１は、例えば、第７通信バンド及び第８通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる送信フィルタである。フィルタ６１２は、例えば、第７通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる受信フィルタである。フィルタ６１３は、例えば、第８通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる受信フィルタである。フィルタ６１１は、スイッチ６２とパワーアンプ６３との間の信号経路に設けられている。フィルタ６１２，６１３は、スイッチ６２とローノイズアンプ６４との間の信号経路に設けられている。

スイッチ６２は、複数のフィルタ６１１～６１３の中から第１高周波モジュール１ｅに接続されるフィルタを切り替える。すなわち、スイッチ６２は、第１高周波モジュール１ｅに接続される経路を切り替えるためのスイッチである。スイッチ６２は、共通端子６２０と、複数（図示例では３つ）の選択端子６２１～６２３と、を有する。共通端子６２０は、第１信号端子６５１に接続されている。選択端子６２１は、フィルタ６１１に接続されている。選択端子６２２は、フィルタ６１２に接続されている。選択端子６２３は、フィルタ６１３に接続されている。

スイッチ６２は、共通端子６２０と複数の選択端子６２１～６２３との接続状態を切り替える。スイッチ６２は、例えば、信号処理回路９によって制御される。スイッチ６２は、信号処理回路９のＲＦ信号処理回路９１からの制御信号に従って、共通端子６２０と複数の選択端子６２１～６２３の少なくとも１つとを電気的に接続させる。

パワーアンプ６３は、送信信号を増幅する増幅器である。パワーアンプ６３は、フィルタ６１１と第２信号端子６５２との間に設けられている。パワーアンプ６３は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。パワーアンプ６３の入力端子は、第２信号端子６５２を介して外部回路（例えば、信号処理回路９）に接続される。パワーアンプ６３の出力端子は、フィルタ６１１に接続されている。パワーアンプ６３は、例えば、コントローラ（図示せず）によって制御される。

ローノイズアンプ６４は、受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。ローノイズアンプ６４は、フィルタ６１２，６１３と第３信号端子６５３との間に設けられている。ローノイズアンプ６４は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。ローノイズアンプ６４の入力端子は、フィルタ６１２，６１３に接続されている。ローノイズアンプ６４の出力端子は、第３信号端子６５３を介して外部回路（例えば、信号処理回路９）に接続される。

第１信号端子６５１は、第１高周波モジュール１ｅと電気的に接続するための端子である。第１信号端子６５１は、第１高周波モジュール１ｅの第３信号端子８４に接続される。第４高周波モジュール６内において、第１信号端子６５１は、スイッチ６２の共通端子６２０に接続されている。

第２信号端子６５２及び第３信号端子６５３は、信号処理回路９と電気的に接続するための端子である。第４高周波モジュール６内において、第２信号端子６５２は、パワーアンプ６３の入力端子に接続されている。第４高周波モジュール６内において、第３信号端子６５３は、ローノイズアンプ６４の出力端子に接続されている。

（２）レイアウト
実施形態４に係る高周波モジュール１ｅでは、第１電子部品２０１ｅ、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３、第４電子部品２０４、第５電子部品２０５及び第７電子部品２０７が実装基板４の第１主面４１に配置されている。

第１電子部品２０１ｅは、第１スイッチ１３、第２スイッチ１４、第４スイッチ１９及び制御回路１６を含む。第１電子部品２０１ｅ内において、制御回路１６は、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に位置している。すなわち、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４と第４スイッチ１９と制御回路１６とは、第１電子部品２０１ｅ内において、上側から、第１スイッチ１３、制御回路１６、第２スイッチ１４、第４スイッチ１９の順に並んでいる。第２電子部品２０２は、第１フィルタ１１１と、第２フィルタ１１２と、を含む。第３電子部品２０３は、第３フィルタ１２１と、第４フィルタ１２２と、を含む。第４電子部品２０４は、第３スイッチ１５と、制御回路１７と、を含む。第７電子部品２０７は、第７フィルタ１１３と、第８フィルタ１２３と、を含む。

第２電子部品２０２と第３電子部品２０３と第７電子部品２０７とは、第１方向Ｄ２１に並んでいる。より詳細には、第２電子部品２０２と第３電子部品２０３と第７電子部品２０７とは、第１方向Ｄ２１において、上側から、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３、第７電子部品２０７の順に並んでいる。第２電子部品２０２、第３電子部品２０３及び第７電子部品２０７と第１電子部品２０１ｅとは、第２方向Ｄ２２に並んでいる。第４電子部品２０４は、第２方向Ｄ２２において、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３及び第７電子部品２０７に対して、第１電子部品２０１ｅ側とは反対側に位置している。すなわち、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３及び第７電子部品２０７は、第２方向Ｄ２２において、第１電子部品２０１ｅと第４電子部品２０４との間に位置している。また、第４電子部品２０４と第５電子部品２０５とは、第１方向Ｄ２１に並んでいる。

（３）接続例
第１フィルタ１１１の第１入出力端子１０１と第１スイッチ１３の選択端子１３１とは、第１配線パターン部４４１により接続されている。第２フィルタ１１２の第１入出力端子１０３と第２スイッチ１４の選択端子１４１とは、第２配線パターン部４４２により接続されている。第３フィルタ１２１の第１入出力端子１０５と第１スイッチ１３の選択端子１３２とは、第３配線パターン部４４３により接続されている。第４フィルタ１２２の第１入出力端子１０７と第２スイッチ１４の選択端子１４２とは、第４配線パターン部４４４により接続されている。第７フィルタ１１３の第１入出力端子１１８と第４スイッチ１９の選択端子１９１とは、第５配線パターン部４４５により接続されている。第８フィルタ１２３の第１入出力端子１２０と第４スイッチ１９の選択端子１９２とは、第６配線パターン部４４６により接続されている。

ここで、図１１の例では、第１スイッチ１３の共通端子１３０と選択端子１３１とが接続され、第２スイッチ１４の共通端子１４０と選択端子１４１とが接続され、第４スイッチ１９の共通端子１９０と選択端子１９１とが接続されている。したがって、図１１の例では、第１配線パターン４４１と第２配線パターン部４４２と第５配線パターン部４４５とがアクティブな状態にある。すなわち、図１１の例では、同時通信による複数の信号は、第１配線パターン部４４１、第２配線パターン部４４２及び第５配線パターン部４４５を通過する。第１配線パターン部４４１と第２配線パターン部４４２とは交差しておらず、第１配線パターン部４４１と第５配線パターン部４４５とは交差しておらず、第２配線パターン部４４２と第５配線パターン部４４５とは交差していない。また、第３配線パターン部４４３は、第２配線パターン部４４２と交差しているが、第１配線パターン部４４１及び第５配線パターン部４４５とは交差していない。また、第４配線パターン部４４４及び第６配線パターン部４４６の各々は、第１配線パターン部４４１、第２配線パターン部４４２及び第５配線パターン部４４５のいずれにも交差していない。

（４）効果
実施形態４に係る高周波モジュール１ｅでは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、単一の第１電子部品２０１ｅ内において、制御回路１６が第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に位置している。このため、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４とを物理的に離すことが可能となり、その結果、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間のアイソレーションの低下を抑制することが可能となる。これにより、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間の信号の回り込みを抑制することが可能となり、その結果、信号間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

また、実施形態４に係る高周波モジュール１ｅでは、それぞれがアクティブな状態にある第１配線パターン部４４１と第２配線パターン部４４２とが交差しておらず、さらに第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２に交差する配線パターン部も存在しない。このため、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間のアイソレーションの低下を更に抑制することが可能となる。

さらに、実施形態４に係る高周波モジュール１ｅでは、それぞれがアクティブな状態にある第１配線パターン部４４１と第５配線パターン部４４５とが交差しておらず、さらに第１配線パターン部４４１及び第５配線パターン部４４５に交差する配線パターン部も存在しない。このため、第１スイッチ１３と第４スイッチ１９との間のアイソレーションの低下を抑制することも可能となる。

さらに、実施形態４に係る高周波モジュール１ｅでは、それぞれがアクティブな状態にある第２配線パターン部４４２と第５配線パターン部４４５とが交差しておらず、さらに第２配線パターン部４４２及び第５配線パターン部４４５に交差する配線パターン部も存在しない。このため、第２スイッチ１４と第４スイッチ１９との間のアイソレーションの低下を抑制することも可能となる。

ところで、実施形態４に係る高周波モジュール１ｅでは、制御回路１６が第１スイッチ１３、第２スイッチ１４及び第４スイッチ１９を制御しているが、例えば、第４スイッチ１９を制御する制御回路が制御回路１６とは別に設けられていてもよい。この場合、上記制御回路は、第２スイッチ１４と第４スイッチ１９との間に配置されていることが好ましい。これにより、第２スイッチ１４と第４スイッチ１９との間のアイソレーションの低下を抑制することが可能となる。

（実施形態５）
実施形態５に係る高周波モジュール１ｆについて、図１２～図１５を参照して説明する。実施形態５に係る高周波モジュール１ｆに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１（図１～図３参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態５に係る高周波モジュール１ｆは、図１２～図１４に示すように、第１電子部品２０１及び第４電子部品２０４が実装基板４の第２主面４２に配置されている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。すなわち、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆでは、実装基板４の第１主面４１及び第２主面４２の両方に電子部品が配置されている。

（１）構成
実施形態５に係る高周波モジュール１ｆは、図１２～図１４に示すように、実装基板４と、第１電子部品２０１と、第２電子部品２０２と、第３電子部品２０３と、第４電子部品２０４と、第５電子部品２０５と、を備える。また、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆは、樹脂層５（以下、「第１樹脂層５」ともいう）と、金属電極層６０と、第２樹脂層７と、複数の外部接続端子８と、を更に備える。複数の外部接続端子８の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続端子８の各々は、柱状電極である。実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、複数の外部接続端子８の各々は、円形状である。

第１樹脂層５は、図１４に示すように、実装基板４の第１主面４１に配置されている。第１樹脂層５は、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３及び第５電子部品２０５を覆っている。より詳細には、第１樹脂層５は、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３及び第５電子部品２０５の各々の外周面、並びに、実装基板４側とは反対側の主面を覆っている。第１樹脂層５は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第１樹脂層５は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

第２樹脂層７は、図１４に示すように、実装基板４の第２主面４２に配置されている。第２樹脂層７は、第１電子部品２０１及び第４電子部品２０４を覆っている。より詳細には、第２樹脂層７は、第１電子部品２０１及び第４電子部品２０４の各々の外周面、並びに、実装基板４側とは反対側の主面を覆っている。第２樹脂層７は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第２樹脂層７は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層７の材料は、第１樹脂層５の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

第２樹脂層７は、実装基板４の第２主面４２に配置されている第１電子部品２０１及び第４電子部品２０４の各々における実装基板４側とは反対側の主面を露出させるように形成されていてもよい。

（２）レイアウト
実施形態５に係る高周波モジュール１ｆでは、図１２及び図１４に示すように、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３及び第５電子部品２０５は、実装基板４の第１主面４１に配置されている。第２電子部品２０２は、第１フィルタ１１１と、第２フィルタ１１２と、を含む。第３電子部品２０３は、第３フィルタ１２１と、第４フィルタ１２２と、を含む。第２電子部品２０２と第３電子部品２０３とは、第１方向Ｄ２１に並んでいる。第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第５電子部品２０５とは、第２方向Ｄ２２に並んでいる。

実施形態５に係る高周波モジュール１ｆでは、図１３及び図１４に示すように、第１電子部品２０１及び第４電子部品２０４は、実装基板４の第２主面４２に配置されている。第１電子部品２０１は、第１スイッチ１３と、第２スイッチ１４と、第１スイッチ１３及び第２スイッチ１４を制御する制御回路１６と、を含む。第１電子部品２０１内において、制御回路１６は、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に位置している。すなわち、第１電子部品２０１では、第１方向Ｄ２１において、上側から、第１スイッチ１３、制御回路１６、第２スイッチ１４の順に並んでいる。第４電子部品２０４は、第３スイッチ１５と、第３スイッチ１５を制御する制御回路１７と、を含む。第１電子部品２０１と第４電子部品２０４とは、第２方向Ｄ２２に並んでいる。

（３）接続例
第１フィルタ１１１の第１入出力端子１０１と第１スイッチ１３の選択端子１３１とは、第１配線パターン部４４１により接続されている。第２フィルタ１１２の第１入出力端子１０３と第２スイッチ１４の選択端子１４１とは、第２配線パターン部４４２により接続されている。第３フィルタ１２１の第１入出力端子１０５と第１スイッチ１３の選択端子１３２とは、第３配線パターン部４４３により接続されている。第４フィルタ１２２の第１入出力端子１０７と第２スイッチ１４の選択端子１４２とは、第４配線パターン部４４４により接続されている。

ここで、図１５の例では、第１スイッチ１３の共通端子１３０と選択端子１３１とが接続され、第２スイッチ１４の共通端子１４０と選択端子１４１とが接続されている。したがって、図１５の例では、第１配線パターン４４１と第２配線パターン部４４２とがアクティブな状態にある。すなわち、図１５の例では、同時通信による複数の信号は、第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２を通過する。第１配線パターン部４４１と第２配線パターン部４４２とは交差していない。また、第３配線パターン部４４３は、第２配線パターン部４４２と交差しているが、第１配線パターン部４４１とは交差していない。また、第４配線パターン部４４４は、第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２のいずれにも交差していない。

また、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆでは、図１５に示すように、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品２０１の一部と第２電子部品２０２の一部とが重なっている。なお、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品２０１の全部と第２電子部品２０２の一部とが重なっていてもよいし、第１電子部品２０１の一部と第２電子部品２０２の全部とが重なっていてもよいし、第１電子部品２０１の全部と第２電子部品２０２の全部とが重なっていてもよい。要するに、「実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品２０１と第２電子部品２０２とが重なっている」とは、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品２０１の少なくとも一部と第２電子部品２０２の少なくとも一部とが重なっていることをいう。

また、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆでは、図１５に示すように、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第４電子部品２０４の一部と第２電子部品２０２の一部とが重なっている。なお、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第４電子部品２０４の全部と第２電子部品２０２の一部とが重なっていてもよいし、第４電子部品２０４の一部と第２電子部品２０２の全部とが重なっていてもよいし、第４電子部品２０４の全部と第２電子部品２０２の全部とが重なっていてもよい。要するに、「実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第４電子部品２０４と第２電子部品２０２とが重なっている」とは、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第４電子部品２０４の少なくとも一部と第２電子部品２０２の少なくとも一部とが重なっていることをいう。

また、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆでは、図１５に示すように、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品２０１の一部と第３電子部品２０３の一部とが重なっている。なお、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品２０１の全部と第３電子部品２０３の一部とが重なっていてもよいし、第１電子部品２０１の一部と第３電子部品２０３の全部とが重なっていてもよいし、第１電子部品２０１の全部と第３電子部品２０３の全部とが重なっていてもよい。要するに、「実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品２０１と第３電子部品２０３とが重なっている」とは、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品２０１の少なくとも一部と第３電子部品２０３の少なくとも一部とが重なっていることをいう。

また、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆでは、図１５に示すように、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第４電子部品２０４の一部と第３電子部品２０３の一部とが重なっている。なお、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第４電子部品２０４の全部と第３電子部品２０３の一部とが重なっていてもよいし、第４電子部品２０４の一部と第３電子部品２０３の全部とが重なっていてもよいし、第４電子部品２０４の全部と第３電子部品２０３の全部とが重なっていてもよい。要するに、「実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第４電子部品２０４と第３電子部品２０３とが重なっている」とは、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第４電子部品２０４の少なくとも一部と第３電子部品２０３の少なくとも一部とが重なっていることをいう。

（４）効果
実施形態５に係る高周波モジュール１ｆでは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、単一の第１電子部品２０１内において、制御回路１６が第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に位置している。このため、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４とを物理的に離すことが可能となり、その結果、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間のアイソレーションの低下を抑制することが可能となる。これにより、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間の信号の回り込みを抑制することが可能となり、その結果、信号間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

また、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆでは、アクティブな状態にある第１配線パターン部４４１と第２配線パターン部４４２とが交差しておらず、さらに第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２の両方に交差する配線パターン部も存在しない。このため、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間のアイソレーションの低下を更に抑制することが可能となる。

また、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆでは、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第１電子部品２０１とが重なっている。これにより、第１電子部品２０１と第２電子部品２０２との間の配線長、及び、第１電子部品２０１と第３電子部品２０３との間の配線長を短くすることが可能となり、その結果、配線長による信号ロスを低減することが可能となる。

また、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆでは、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第４電子部品２０４とが重なっている。これにより、第４電子部品２０４と第２電子部品２０２との間の配線長、及び、第４電子部品２０４と第３電子部品２０３との間の配線長を短くすることが可能となり、その結果、配線長による信号ロスを低減することが可能となる。

（５）変形例
（５．１）変形例１
実施形態５では、第２電子部品２０２内に第１フィルタ１１１及び第２フィルタ１１２が設けられ、第３電子部品２０３内に第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２が設けられている。これに対して、図１６に示すように、第２電子部品２０２ａ内に第１フィルタ１１１及び第３フィルタ１２１が設けられ、第３電子部品２０３ａ内に第２フィルタ１１２及び第４フィルタ１２２が設けられていてもよい。以下、変形例１に係る高周波モジュール１ｇについて、図１６を参照して説明する。なお、変形例１に係る高周波モジュール１ｇに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

（５．１．１）構成及びレイアウト
変形例１に係る高周波モジュール１ｇでは、第２電子部品２０２ａ、第３電子部品２０３ａ及び第５電子部品２０５（図１２参照）は、実装基板４の第１主面４１に配置されている。また、変形例１に係る高周波モジュール１ｇでは、図１６に示すように、第１電子部品２０１及び第４電子部品２０４は、実装基板４の第２主面４２に配置されている。

第１電子部品２０１は、第１スイッチ１３と、第２スイッチ１４と、第１スイッチ１３及び第２スイッチ１４を制御する制御回路１６と、を含む。第１電子部品２０１内において、制御回路１６は、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に位置している。すなわち、第１電子部品２０１では、第１方向Ｄ２１において、上側から、第１スイッチ１３、制御回路１６、第２スイッチ１４の順に並んでいる。

第２電子部品２０２ａは、第１フィルタ１１１と、第３フィルタ１２１と、を含む。第３電子部品２０３ａは、第２フィルタ１１２と、第４フィルタ１２２と、を含む。第４電子部品２０４は、第３スイッチ１５と、第３スイッチ１５を制御する制御回路１７と、を含む。

（５．１．２）接続例
第１フィルタ１１１の第１入出力端子１０１と第１スイッチ１３の選択端子１３１とは、第１配線パターン部４４１により接続されている。第２フィルタ１１２の第１入出力端子１０３と第２スイッチ１４の選択端子１４１とは、第２配線パターン部４４２により接続されている。第３フィルタ１２１の第１入出力端子１０５と第１スイッチ１３の選択端子１３２とは、第３配線パターン部４４３により接続されている。第４フィルタ１２２の第１入出力端子１０７と第２スイッチ１４の選択端子１４２とは、第４配線パターン部４４４により接続されている。

ここで、図１６の例では、第１スイッチ１３の共通端子１３０と選択端子１３１とが接続され、第２スイッチ１４の共通端子１４０と選択端子１４１とが接続されている。したがって、図１６の例では、第１配線パターン４４１と第２配線パターン部４４２とがアクティブな状態にある。すなわち、図１６の例では、同時通信による複数の信号は、第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２を通過する。第１配線パターン部４４１と第２配線パターン部４４２とは交差していない。また、第３配線パターン部４４３及び第４配線パターン部４４４の各々は、第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２のいずれにも交差していない。

また、変形例１に係る高周波モジュール１ｇでは、図１６に示すように、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品２０１の一部と第２電子部品２０２の一部とが重なっている。また、変形例１に係る高周波モジュール１ｇでは、図１６に示すように、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第４電子部品２０４の一部と第２電子部品２０２の一部とが重なっている。また、変形例１に係る高周波モジュール１ｇでは、図１６に示すように、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品２０１の一部と第３電子部品２０３の一部とが重なっている。また、変形例１に係る高周波モジュール１ｇでは、図１６に示すように、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第４電子部品２０４の一部と第３電子部品２０３の一部とが重なっている。

（５．１．３）効果
変形例１に係る高周波モジュール１ｇでは、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆと同様、単一の第１電子部品２０１内において、制御回路１６が第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に位置している。このため、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４とを物理的に離すことが可能となり、その結果、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間のアイソレーションの低下を抑制することが可能となる。これにより、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間の信号の回り込みを抑制することが可能となり、その結果、信号間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

また、変形例１に係る高周波モジュール１ｇでは、アクティブな状態にある第１配線パターン部４４１と第２配線パターン部４４２とが交差しておらず、さらに第１配線パターン部４４１及び第２配線パターン部４４２の両方に交差する配線パターン部も存在しない。このため、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間のアイソレーションの低下を更に抑制することが可能となる。

また、変形例１に係る高周波モジュール１ｇでは、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第１電子部品２０１とが重なっている。これにより、第１電子部品２０１と第２電子部品２０２との間の配線長、及び、第１電子部品２０１と第３電子部品２０３との間の配線長を短くすることが可能となり、その結果、配線長による信号ロスを低減することが可能となる。

また、変形例１に係る高周波モジュール１ｇでは、実装基板４の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２電子部品２０２及び第３電子部品２０３と第４電子部品２０４とが重なっている。これにより、第４電子部品２０４と第２電子部品２０２との間の配線長、及び、第４電子部品２０４と第３電子部品２０３との間の配線長を短くすることが可能となり、その結果、配線長による信号ロスを低減することが可能となる。

（５．２）変形例２
以下、変形例２に係る高周波モジュール１ｈについて、図１７を参照して説明する。なお、変形例２に係る高周波モジュール１ｈに関し、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆと同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

変形例２に係る高周波モジュール１ｈでは、複数の外部接続端子８がボールバンプである点で、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆと相違する。また、変形例２に係る高周波モジュール１ｈは、実施形態５に係る第２樹脂層７を備えていない点で、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆと相違する。変形例２に係る高周波モジュール１ｈは、実装基板４の第２主面４２に実装されている第１電子部品２０１及び第４電子部品２０４の各々と実装基板４の第２主面４２との間の隙間に設けられたアンダーフィル部を備えていてもよい。

複数の外部接続端子８の各々を構成するボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。

複数の外部接続端子８は、ボールバンプにより構成された外部接続端子８と、柱状電極により構成された外部接続端子８と、が混在してもよい。

変形例２に係る高周波モジュール１ｈは、実施形態５に係る高周波モジュール１ｆと同様の効果を奏する。

（実施形態６）
実施形態６に係る高周波モジュール１ｉについて、図１８及び図１９を参照して説明する。実施形態６に係る高周波モジュール１ｉに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１（図３参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態６に係る高周波モジュール１ｉでは、第２フィルタ１１２ｉがハイブリッドフィルタである点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。また、実施形態６に係る高周波モジュール１ｉは、デュプレクサ４５を備える点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。

（１）構成
実施形態６に係る高周波モジュール１ｉは、図１８に示すように、複数（図示例では２つ）のマルチプレクサ１１，１２と、第１スイッチ１３と、第２スイッチ１４と、第３スイッチ１５と、複数（図示例では２つ）の制御回路１６，１７と、を備える。また、実施形態６に係る高周波モジュール１ｉは、複数（図示例では４つ）の外部接続端子８を更に備える。また、実施形態６に係る高周波モジュール１ｉは、デュプレクサ４５を更に備える。マルチプレクサ１１は、第１フィルタ１１１と、第２フィルタ１１２ｉの一部である弾性波フィルタ１１０と、を含む。

第２フィルタ１１２ｉは、図１８に示すように、弾性波フィルタ１１０と、インダクタＬ５と、キャパシタＣ５と、を含むハイブリッドフィルタである。弾性波フィルタ１１０は、図１９に示すように、少なくとも１つ（図示例では３つ）の弾性波共振子１２４を有する。

弾性波フィルタ１１０は、例えば、π型フィルタである。弾性波フィルタ１１０は、３つの弾性波共振子１２４を有する。３つの弾性波共振子１２４は、１つの直列腕共振子Ｓ１１と、２つの並列腕共振子Ｐ１１，Ｐ１２と、を含む。直列腕共振子Ｓ１１は、第２スイッチ１４の選択端子１４２と第３スイッチ１５の選択端子１５２とを結ぶ直列腕経路１２５上に設けられている。並列腕共振子Ｐ１１は、直列腕経路１２５における第３スイッチ１５の選択端子１５２と直列腕共振子Ｓ１１との間の経路と、グランドとの間の並列腕経路１２６に設けられている。並列腕共振子Ｐ１２は、直列腕経路１２５における第３スイッチ１５の選択端子１５２と直列腕共振子Ｓ１１との間の経路と、グランドとの間の並列腕経路１２７に設けられている。

インダクタＬ５は、図１８に示すように、第３スイッチ１５の選択端子１５３と第２フィルタ１１２との間に接続されている。より詳細には、インダクタＬ５は、第２フィルタ１１２に直列に接続されている。キャパシタＣ５は、第２フィルタ１１２に直列に接続されているインダクタＬ５に並列に接続されている。すなわち、「ハイブリッドフィルタ」とは、少なくとも１つの弾性波共振子を有する弾性波フィルタと、少なくとも１つのキャパシタと、少なくとも１つのインダクタと、を含むフィルタである。ハイブリットフィルタの通過帯域幅は、弾性波フィルタ１１０が有する少なくとも１つの弾性波共振子１２４の通過帯域幅よりも広い。

デュプレクサ４５は、図１８に示すように、複数（図示例では３つ）のインダクタＬ１～Ｌ３と、複数（図示例では４つ）のキャパシタＣ１～Ｃ４と、を含む。

インダクタＬ１は、アンテナ端子８１と第３スイッチ１５の共通端子１５０との間に接続されている。インダクタＬ２及びキャパシタＣ１の直列回路は、インダクタＬ１と第３スイッチ１５の共通端子１５０との接続点と、グランドとの間に接続されている。２つのキャパシタＣ２，Ｃ３の直列回路は、インダクタＬ１とアンテナ端子８１との接続点と、第３信号端子８４との間に接続されている。また、キャパシタＣ４及びインダクタＬ３の直列回路は、２つのキャパシタＣ２，Ｃ３の接続点と、グランドとの間に接続されている。

実施形態６に係る高周波モジュール１ｉでは、第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２と第３スイッチ１５の選択端子１５１との間にインダクタＬ４が接続されている。また、実施形態６に係る高周波モジュール１ｉでは、第２スイッチ１４の共通端子１４０と第２信号端子８３との間にインダクタＬ６が接続されている。また、実施形態６に係る高周波モジュール１ｉでは、インダクタＬ６と第２信号端子８３との接続点と、グランドとの間に、インダクタＬ７及びキャパシタＣ６の直列回路が接続されている。

ここで、第１フィルタ１１１は、例えば、第１通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させる送受信フィルタである。第１通信バンドは、例えば、ＷｉＦｉ（登録商標）の２．４ＧＨｚ帯（２４００ＭＨｚ－２４８３ＭＨｚ）におけるチャンネル１～１３である。第２フィルタ１１２ｉは、例えば、第１通信バンドの送信信号及び受信信号を減衰させると共に、第２通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させる送受信フィルタである。第２通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１（２４９６ＭＨｚ－２６９０ＭＨｚ）である。

また、第３フィルタ１２１は、例えば、第３通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させる送受信フィルタである。第３通信バンドは、例えば、ＷｉＦｉ（登録商標）の２．４ＧＨｚ帯におけるチャンネル１～６である。第４フィルタ１２２は、例えば、第４通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させる送受信フィルタである。第４通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ５３（２４８３．５ＭＨｚ－２５００ＭＨｚ）である。

（２）レイアウト
実施形態６に係る高周波モジュール１ｉでは、第１スイッチ１３、第２スイッチ１４、並びに、第１スイッチ１３及び第２スイッチ１４を制御する制御回路１６は、単一の第１電子部品２０１内に設けられている。より詳細には、第１電子部品２０１内において、制御回路１６は、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に位置している。

また、実施形態６に係る高周波モジュール１ｉでは、第１フィルタ１１１、第２フィルタ１１２ｉを構成する弾性波フィルタ１１０、第３フィルタ１２１及び第４フィルタ１２２は、単一の第２電子部品２０２ｉ内に設けられている。また、実施形態６に係る高周波モジュール１ｉでは、第３スイッチ１５、及び、第３スイッチ１５を制御する制御回路１７は、単一の第４電子部品２０４内に設けられている。

（３）効果
実施形態６に係る高周波モジュール１ｉでは、第１電子部品２０１内において、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間に制御回路１６が位置している。このため、第１電子部品２０１内において、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４とを物理的に離すことが可能となり、その結果、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間のアイソレーションの低下を抑制することが可能となる。これにより、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４との間の信号の回り込みを抑制することが可能となり、その結果、信号間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

（変形例）
以下、実施形態１～６の変形例について説明する。

実施形態１～６に係る高周波モジュール１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ，１ｈ，１ｉは、金属電極層６０を備えているが、金属電極層６０は省略されてもよい。

実施形態１～６に係る第１フィルタ１１１、第２フィルタ１１２、第３フィルタ１２１、第４フィルタ１２２、第５フィルタ１８１、第６フィルタ１８２、第７フィルタ１１３及び第８フィルタ１２３の各々は、表面弾性波フィルタに限らず、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタであってもよい。ＢＡＷフィルタにおける共振子は、例えば、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）又はＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）である。

実施形態１～６に係る第１フィルタ１１１、第２フィルタ１１２、第３フィルタ１２１、第４フィルタ１２２、第５フィルタ１８１、第６フィルタ１８２、第７フィルタ１１３及び第８フィルタ１２３の各々は、ラダー型フィルタに限らず、例えば、縦結合共振子型弾性表面波フィルタでもよい。

また、上述の弾性波フィルタは、表面弾性波又はバルク弾性波を利用する弾性波フィルタであるが、これに限らず、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。

また、実施形態１に係る通信装置１００は、高周波モジュール１の代わりに、高周波モジュール１ａ，１ｂ，１ｆ，１ｇ，１ｈのいずれかを備えてもよい。

本明細書において、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に直接実装されている場合だけでなく、基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、第１主面側の空間に要素が配置されている場合を含む。つまり、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に、他の回路素子又は電極等を介して実装されている場合を含む。要素は、例えば、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３及び第５電子部品２０５であるが、第２電子部品２０２、第３電子部品２０３及び第５電子部品２０５に限定されない。基板は、例えば、実装基板４である。基板が実装基板４である場合、第１主面は第１主面４１であり、第２主面は第２主面４２である。

本明細書において、「要素は、基板の第２主面に配置されている」は、要素が基板の第２主面上に直接実装されている場合だけでなく、基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、第２主面側の空間に要素が配置されている場合を含む。つまり、「要素は、基板の第２主面に配置されている」は、要素が基板の第２主面上に、他の回路素子又は電極等を介して実装されている場合を含む。要素は、例えば、第１電子部品２０１及び第４電子部品２０４であるが、第１電子部品２０１及び第４電子部品２０４に限定されない。基板は、例えば、実装基板４である。基板が実装基板４である場合、第１主面は第１主面４１であり、第２主面は第２主面４２である。

（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。

第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ～１ｉ）は、第１スイッチ（１３；１３ｄ）と、第２スイッチ（１４；１４ｄ）と、制御回路（１６）と、第１フィルタ（１１１）と、第２フィルタ（１１２）と、第３フィルタ（１２１）と、第４フィルタ（１２２）と、アンテナ端子（８１）と、を備える。第１スイッチ（１３；１３ｄ）は、第１共通端子（１３０）、第１選択端子（１３１）及び第２選択端子（１３２）を有する。第２スイッチ（１４；１４ｄ）は、第２共通端子（１４０）、第３選択端子（１４１）及び第４選択端子（１４２）を有する。制御回路（１６）は、第１スイッチ（１３；１３ｄ）及び第２スイッチ（１４；１４ｄ）を制御する。第１フィルタ（１１１）は、第１スイッチ（１３；１３ｄ）の第１選択端子（１３１）に接続されている。第２フィルタ（１１２）は、第２スイッチ（１４；１４ｄ）の第３選択端子（１４１）に接続されている。第３フィルタ（１２１）は、第１スイッチ（１３；１３ｄ）の第２選択端子（１３２）に接続されている。第４フィルタ（１２２）は、第２スイッチ（１４；１４ｄ）の第４選択端子（１４２）に接続されている。アンテナ端子（８１）は、第１フィルタ（１１１）、第２フィルタ（１１２）、第３フィルタ（１２１）及び第４フィルタ（１２２）に接続されている。第１スイッチ（１３；１３ｄ）は、第１選択端子（１３１）と第２選択端子（１３２）とを選択的に第１共通端子（１３０）に接続可能である。第２スイッチ（１４；１４ｄ）は、第３選択端子（１４１）と第４選択端子（１４２）とを選択的に第２共通端子（１４０）に接続可能である。第１スイッチ（１３；１３ｄ）と第２スイッチ（１４；１４ｄ）と制御回路（１６）とは、単一の電子部品（２０１；２０１ｄ；２０１ｅ）内に設けられている。制御回路（１６）は、電子部品（２０１；２０１ｄ；２０１ｅ）内で第１スイッチ（１３；１３ｄ）と第２スイッチ（１４；１４ｄ）との間に位置する。

この態様によれば、単一の電子部品（２０１；２０１ｄ；２０１ｅ）内に設けられた第１スイッチ（１３；１３ｄ）と第２スイッチ（１４；１４ｄ）との間のアイソレーションの低下を抑制することが可能となる。

第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ～１ｉ）は、第１の態様において、複数のグランド端子（１６１）を更に備える。複数のグランド端子（１６１）は、電子部品（２０１；２０１ｄ）に設けられている。複数のグランド端子（１６１）は、第１スイッチ（１３；１３ｄ）、第２スイッチ（１４；１４ｄ）及び制御回路（１６）が並ぶ方向（例えば、第１方向Ｄ２１）において、第１スイッチ（１３；１３ｄ）と制御回路（１６）との間、及び、第２スイッチ（１４；１４ｄ）と制御回路（１６）との間の少なくとも一方に位置する。

この態様によれば、グランドのシールド効果によって、第１スイッチ（１３；１３ｄ）と第２スイッチ（１４；１４ｄ）との間のアイソレーションの低下を更に抑制することが可能となる。

第３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ～１ｉ）は、第１又は第２の態様において、実装基板（４）を更に備える。実装基板（４）は、第１配線パターン部（４４１）と、第２配線パターン部（４４２）と、第３配線パターン部（４４３）と、第４配線パターン部（４４４）と、を含む。第１配線パターン部（４４１）は、第１フィルタ（１１１）と第１スイッチ（１３；１３ｄ）の第１選択端子（１３１）とを接続する。第２配線パターン部（４４２）は、第２フィルタ（１１２）と第２スイッチ（１４；１４ｄ）の第３選択端子（１４１）とを接続する。第３配線パターン部（４４３）は、第３フィルタ（１２１）と第１スイッチ（１３；１３ｄ）の第２選択端子（１３２）とを接続する。第４配線パターン部（４４４）は、第４フィルタ（１２２）と第２スイッチ（１４；１４ｄ）の第４選択端子（１４２）とを接続する。実装基板（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１配線パターン部（４４１）、第２配線パターン部（４４２）、第３配線パターン部（４４３）及び第４配線パターン部（４４４）のうち同時通信による複数の信号が通過する複数の配線パターン部同士が交差しない、及び、第１配線パターン部（４４１）、第２配線パターン部（４４２）、第３配線パターン部（４４３）及び第４配線パターン部（４４４）のうち複数の配線パターン部とは異なる１以上の配線パターン部が複数の配線パターン部に交差しない。

この態様によれば、配線パターン部（４４１～４４４）による信号の回り込みを抑制することが可能となる。

第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ～１ｅ）では、第３の態様において、実装基板（４）は、主面（４１）を有する。第１フィルタ（１１１）と第２フィルタ（１１２）とは、電子部品（２０１；２０１ｄ；２０１ｅ）である第１電子部品（２０１；２０１ｄ；２０１ｅ）とは異なる単一の第２電子部品（２０２；２０２ａ；２０２ｂ）内に設けられている。第３フィルタ（１２１）と第４フィルタ（１２２）とは、第１電子部品（２０１；２０１ｄ；２０１ｅ）及び第２電子部品（２０２；２０２ａ；２０２ｂ）とは異なる単一の第３電子部品（２０３；２０３ａ）内に設けられている。第１電子部品（２０１；２０１ｄ；２０１ｅ）、第２電子部品（２０２；２０２ａ；２０２ｂ）及び第３電子部品（２０３；２０３ａ）は、実装基板（４）の主面（４１）に配置されている。第２電子部品（２０２；２０２ａ；２０２ｂ）と第３電子部品（２０３；２０３ａ）とは、実装基板（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１方向（Ｄ２１）に並んでいる。第２電子部品（２０２；２０２ａ；２０２ｂ）及び第３電子部品（２０３；２０３ａ）と第１電子部品（２０３；２０３ａ）とは、実装基板（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１方向（Ｄ２１）と交差する第２方向（Ｄ２２）に並んでいる。

この態様によれば、配線長による信号の損失を低減することが可能となる。

第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ～１ｅ）は、第４の態様において、第３スイッチ（１５；１５ｄ）を更に備える。第３スイッチ（１５；１５ｄ）は、第１フィルタ（１１１）、第２フィルタ（１１２）、第３フィルタ（１２１）及び第４フィルタ（１２２）とアンテナ端子（８１）との間に接続されている。第３スイッチ（１５；１５ｄ）は、第１電子部品（２０１；２０１ｄ；２０１ｅ）、第２電子部品（２０２；２０２ａ；２０２ｂ）及び第３電子部品（２０３；２０３ａ）とは異なる第４電子部品（２０４；２０４ｄ）内に設けられている。第４電子部品（２０４；２０４ｄ）は、実装基板（４）の主面（４１）に配置されている。第４電子部品（２０４；２０４ｄ）は、実装基板（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第２電子部品（２０２；２０２ａ；２０２ｂ）及び第３電子部品（２０３；２０３ａ）に対して第１電子部品（２０１；２０１ｄ；２０１ｅ）側とは反対側に位置する。

この態様によれば、配線長による信号の損失を更に低減することが可能となる。

第６の態様に係る高周波モジュール（１ｂ）では、第３の態様において、第１フィルタ（１１１）と第２フィルタ（１１２）と第３フィルタ（１２１）と第４フィルタ（１２２）とは、電子部品（２０１）である第１電子部品（２０１）とは異なる単一の第２電子部品（２０２ｂ）内に設けられている。

この態様によれば、高周波モジュール（１ｂ）の小型化を図ることが可能となる。

第７の態様に係る高周波モジュール（１ｆ～１ｈ）では、第３の態様において、実装基板（４）は、互いに対向する第１主面（４１）及び第２主面（４２）を有する。第１フィルタ（１１１）と第２フィルタ（１１２）とは、電子部品（２０１）である第１電子部品（２０１）とは異なる単一の第２電子部品（２０２）内に設けられている。第３フィルタ（１２１）と第４フィルタ（１２２）とは、第１電子部品（２０１）及び第２電子部品（２０２）とは異なる単一の第３電子部品（２０３）内に設けられている。第２電子部品（２０２）及び第３電子部品（２０３）は、実装基板（４）の第１主面（４１）に配置されている。第１電子部品（２０１）は、実装基板（４）の第２主面（４２）に配置されている。

この態様によれば、配線パターン部（４４１～４４４）による信号の回り込みを抑制することが可能となる。

第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ～１ｉ）では、第４～第７の態様のいずれか１つにおいて、第１フィルタ（１１１）は、帯域通過フィルタである。第３フィルタ（１２１）は、帯域通過フィルタである。第１フィルタ（１１１）の通過帯域と第３フィルタ（１２１）の通過帯域とが重なる。

この態様によれば、第１フィルタ（１１１）と第３フィルタ（１２１）との間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

第９の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ～１ｉ）では、第４～第８の態様のいずれか１つにおいて、第１フィルタ（１１１）は、帯域通過フィルタである。第２フィルタ（１１２）は、帯域阻止フィルタである。第１フィルタ（１１１）の通過帯域と第２フィルタ（１１２）の阻止帯域とが重なる。

第１０の態様に係る高周波モジュール（１ｇ）では、第３の態様において、実装基板（４）は、互いに対向する第１主面（４１）及び第２主面（４２）を有する。第１フィルタ（１１１）と第３フィルタ（１２１）とは、電子部品（２０１）である第１電子部品（２０１）とは異なる単一の第２電子部品（２０２ａ）内に設けられている。第２フィルタ（１１２）と第４フィルタ（１２２）とは、第１電子部品（２０１）及び第２電子部品（２０２ａ）とは異なる単一の第３電子部品（２０３ａ）内に設けられている。第２電子部品（２０２ａ）及び第３電子部品（２０３ａ）は、実装基板（４）の第１主面（４１）に配置されている。第１電子部品（２０１）は、実装基板（４）の第２主面（４２）に配置されている。

この態様によれば、配線パターン部（４４１～４４４）が交差しないように配線パターン部（４４１～４４４）を配置することが可能となる。

第１１の態様に係る高周波モジュール（１ｇ）では、第１０の態様において、第２電子部品（２０２ａ）及び第３電子部品（２０３ａ）の少なくとも一方は、実装基板（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１電子部品（２０１）と重なる。

この態様によれば、配線長による信号の損失を低減することが可能となる。

第１２の態様に係る高周波モジュール（１ｇ）は、第１０又は第１１の態様において、第３スイッチ（１５）を更に備える。第３スイッチ（１５）は、第１フィルタ（１１１）、第２フィルタ（１１２）、第３フィルタ（１２１）及び第４フィルタ（１２２）とアンテナ端子（８１）との間に接続されている。第３スイッチ（１５）は、第１電子部品（２０１）、第２電子部品（２０２）及び第３電子部品（２０３ａ）とは異なる第４電子部品（２０４）内に設けられている。第４電子部品（２０４）は、実装基板（４）の第２主面（４２）に配置されている。第２電子部品（２０２ａ）及び第３電子部品（２０３ａ）の少なくとも一方は、実装基板（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第４電子部品（２０４）と重なる。

この態様によれば、配線長による信号の損失を低減することが可能となる。

第１３の態様に係る高周波モジュール（１ｉ）では、第１～第１２の態様のいずれか１つにおいて、第１フィルタ（１１１）、第２フィルタ（１１２ｉ）、第３フィルタ（１２１）及び第４フィルタ（１２２）の少なくとも１つは、ハイブリッドフィルタである。ハイブリッドフィルタは、１以上の弾性波共振子（１２４）を有する弾性波フィルタ（１１０）、インダクタ（Ｌ５）及びキャパシタ（Ｃ５）を含む。

この態様によれば、通過帯域幅を広くすることが可能となる。

第１４の態様に係る通信装置（１００；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、第１～第１３の態様のいずれか１つの高周波モジュール（１；１ａ～１ｉ）と、信号処理回路（９）と、を備える。信号処理回路（９）は、高周波モジュール（１；１ａ～１ｉ）に接続されている。

この態様によれば、単一の電子部品（２０１；２０１ｄ；２０１ｅ）内に設けられた第１スイッチ（１３；１３ｄ）と第２スイッチ（１４；１４ｄ）との間のアイソレーションの低下を抑制することが可能となる。

１，１ａ～１ｉ 高周波モジュール
２ 第２高周波モジュール
３ 第３高周波モジュール
４ 実装基板
５ 樹脂層
６ 第４高周波モジュール
７ 第２樹脂層
８ 外部接続端子
９ 信号処理回路
１０，１０ａ，１０ｂ アンテナ
１１，１１ｅ マルチプレクサ
１２，１２ｅ マルチプレクサ
１３，１３ｄ 第１スイッチ
１４，１４ｄ 第２スイッチ
１５，１５ｄ 第３スイッチ
１６ 制御回路
１７ 制御回路
１８ マルチプレクサ
１９ 第４スイッチ
２１ マルチプレクサ
２２ スイッチ
２３ パワーアンプ
２４ ローノイズアンプ
３１ マルチプレクサ
３２ スイッチ
３３ パワーアンプ
３４ ローノイズアンプ
４１ 第１主面
４２ 第２主面
４３ 外周面
４５ デュプレクサ
５１ 主面
５３ 外周面
６０ 金属電極層
６１ マルチプレクサ
６２ スイッチ
６３ パワーアンプ
６４ ローノイズアンプ
７３ 外周面
８１，８１ａ，８１ｂ アンテナ端子
８２ 第１信号端子
８３ 第２信号端子
８４ 第３信号端子
９１ ＲＦ信号処理回路
９２ ベースバンド信号処理回路
１００，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ 通信装置
１０１，１０３，１０５，１０７ 第１入出力端子
１０２，１０４，１０６，１０８ 第２入出力端子
１１０ 弾性波フィルタ
１１１ 第１フィルタ
１１２
１１２ｉ 第２フィルタ
１１３ 第７フィルタ
１１４，１１６，１１８，１２０ 第１入出力端子
１１５，１１７，１１９，１２１ 第２入出力端子
１２１ 第３フィルタ
１２２ 第４フィルタ
１２３ 第８フィルタ
１２４ 弾性波共振子
１２５ 直列腕経路
１２６，１２７ 並列腕経路
１３０ 共通端子（第１共通端子）
１３１ 選択端子（第１選択端子）
１３２ 選択端子（第２選択端子）
１３３ 選択端子
１４０ 共通端子（第２共通端子）
１４１ 選択端子（第３選択端子）
１４２ 選択端子（第４選択端子）
１４３ 選択端子
１５０ 共通端子
１５１～１５３ 選択端子
１６１ グランド端子
１６２ 制御端子
１７１ グランド端子
１７２ 制御端子
１８１ 第５フィルタ
１８２ 第６フィルタ
１９０ 共通端子
１９１，１９２ 選択端子
２０１，２０１ｄ，２０１ｅ 第１電子部品（電子部品）
２０２，２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｉ 第２電子部品
２０３，２０３ａ 第３電子部品
２０４，２０４ｄ 第４電子部品
２０５ 第５電子部品
２０６ 第６電子部品
２０７ 第７電子部品
２１１～２１３ フィルタ
２２０ 共通端子
２２１～２２３ 選択端子
２５１ 第１信号端子
２５２ 第２信号端子
２５３ 第３信号端子
３１１～３１３ フィルタ
３２０ 共通端子
３２１～３２３ 選択端子
３５１ 第１信号端子
３５２ 第２信号端子
３５３ 第３信号端子
４４１ 第１配線パターン部
４４２ 第２配線パターン部
４４３ 第３配線パターン部
４４４ 第４配線パターン部
４４５ 第５配線パターン部
４４６ 第６配線パターン部
６１１～６１３ フィルタ
６２０ 共通端子
６２１～６２３ 選択端子
６５１ 第１信号端子
６５２ 第２信号端子
６５３ 第３信号端子
Ｃ１～Ｃ６ キャパシタ
Ｄ１ 厚さ方向
Ｄ２１ 第１方向
Ｄ２２ 第２方向
Ｌ１～Ｌ７ インダクタ
Ｐ１１，Ｐ１２ 並列腕共振子
Ｓ１１ 直列腕共振子
Ｔ１ 第１信号経路
Ｔ２ 第２信号経路
Ｔ３ 第３信号経路
Ｔ４ 第４信号経路

Claims (14)

1. 第１共通端子、第１選択端子及び第２選択端子を有する第１スイッチと、
   第２共通端子、第３選択端子及び第４選択端子を有する第２スイッチと、
   前記第１スイッチ及び前記第２スイッチを制御する制御回路と、
   前記第１スイッチの前記第１選択端子に接続されている第１フィルタと、
   前記第２スイッチの前記第３選択端子に接続されている第２フィルタと、
   前記第１スイッチの前記第２選択端子に接続されている第３フィルタと、
   前記第２スイッチの前記第４選択端子に接続されている第４フィルタと、
   前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第３フィルタ及び前記第４フィルタに接続されているアンテナ端子と、を備え、
   前記第１スイッチは、前記第１選択端子と前記第２選択端子とを選択的に前記第１共通端子に接続可能であり、
   前記第２スイッチは、前記第３選択端子と前記第４選択端子とを選択的に前記第２共通端子に接続可能であり、
   前記第１スイッチと前記第２スイッチと前記制御回路とは、単一の電子部品内に設けられており、
   前記制御回路は、前記電子部品内で前記第１スイッチと前記第２スイッチとの間に位置する、
   高周波モジュール。
2. 前記電子部品に設けられている複数のグランド端子を更に備え、
   前記複数のグランド端子は、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ及び前記制御回路が並ぶ方向において、前記第１スイッチと前記制御回路との間、及び、前記第２スイッチと前記制御回路との間の少なくとも一方に位置する、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 実装基板を更に備え、
   前記実装基板は、
   前記第１フィルタと前記第１スイッチの前記第１選択端子とを接続する第１配線パターン部と、
   前記第２フィルタと前記第２スイッチの前記第３選択端子とを接続する第２配線パターン部と、
   前記第３フィルタと前記第１スイッチの前記第２選択端子とを接続する第３配線パターン部と、
   前記第４フィルタと前記第２スイッチの前記第４選択端子とを接続する第４配線パターン部と、を含み、
   前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、前記第１配線パターン部、前記第２配線パターン部、前記第３配線パターン部及び前記第４配線パターン部のうち同時通信による複数の信号が通過する複数の配線パターン部同士が交差しない、及び、前記第１配線パターン部、前記第２配線パターン部、前記第３配線パターン部及び前記第４配線パターン部のうち前記複数の配線パターン部とは異なる１以上の配線パターン部が前記複数の配線パターン部に交差しない、
   請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
4. 前記実装基板は、主面を有し、
   前記第１フィルタと前記第２フィルタとは、前記電子部品である第１電子部品とは異なる単一の第２電子部品内に設けられており、
   前記第３フィルタと前記第４フィルタとは、前記第１電子部品及び前記第２電子部品とは異なる単一の第３電子部品内に設けられており、
   前記第１電子部品、前記第２電子部品及び前記第３電子部品は、前記実装基板の前記主面に配置されており、
   前記第２電子部品と前記第３電子部品とは、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、第１方向に並んでおり、
   前記第２電子部品及び前記第３電子部品と前記第１電子部品とは、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記第１方向と交差する第２方向に並んでいる、
   請求項３に記載の高周波モジュール。
5. 前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第３フィルタ及び前記第４フィルタと前記アンテナ端子との間に接続されている第３スイッチを更に備え、
   前記第３スイッチは、前記第１電子部品、前記第２電子部品及び前記第３電子部品とは異なる第４電子部品内に設けられており、
   前記第４電子部品は、前記実装基板の前記主面に配置されており、
   前記第４電子部品は、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記第２電子部品及び前記第３電子部品に対して前記第１電子部品側とは反対側に位置する、
   請求項４に記載の高周波モジュール。
6. 前記第１フィルタと前記第２フィルタと前記第３フィルタと前記第４フィルタとは、前記電子部品である第１電子部品とは異なる単一の第２電子部品内に設けられている、
   請求項３に記載の高周波モジュール。
7. 前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、
   前記第１フィルタと前記第２フィルタとは、前記電子部品である第１電子部品とは異なる単一の第２電子部品内に設けられており、
   前記第３フィルタと前記第４フィルタとは、前記第１電子部品及び前記第２電子部品とは異なる単一の第３電子部品内に設けられており、
   前記第２電子部品及び前記第３電子部品は、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、
   前記第１電子部品は、前記実装基板の前記第２主面に配置されている、
   請求項３に記載の高周波モジュール。
8. 前記第１フィルタは、帯域通過フィルタであり、
   前記第３フィルタは、帯域通過フィルタであり、
   前記第１フィルタの通過帯域と前記第３フィルタの通過帯域とが重なる、
   請求項４～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
9. 前記第１フィルタは、帯域通過フィルタであり、
   前記第２フィルタは、帯域阻止フィルタであり、
   前記第１フィルタの通過帯域と前記第２フィルタの阻止帯域とが重なる、
   請求項４～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
10. 前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、
    前記第１フィルタと前記第３フィルタとは、前記電子部品である第１電子部品とは異なる単一の第２電子部品内に設けられており、
    前記第２フィルタと前記第４フィルタとは、前記第１電子部品及び前記第２電子部品とは異なる単一の第３電子部品内に設けられており、
    前記第２電子部品及び前記第３電子部品は、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、
    前記第１電子部品は、前記実装基板の前記第２主面に配置されている、
    請求項３に記載の高周波モジュール。
11. 前記第２電子部品及び前記第３電子部品の少なくとも一方は、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記第１電子部品と重なる、
    請求項１０に記載の高周波モジュール。
12. 前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第３フィルタ及び前記第４フィルタと前記アンテナ端子との間に接続されている第３スイッチを更に備え、
    前記第３スイッチは、前記第１電子部品、前記第２電子部品及び前記第３電子部品とは異なる第４電子部品内に設けられており、
    前記第４電子部品は、前記実装基板の前記第２主面に配置されており、
    前記第２電子部品及び前記第３電子部品の少なくとも一方は、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記第４電子部品と重なる、
    請求項１０又は１１に記載の高周波モジュール。
13. 前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第３フィルタ及び前記第４フィルタの少なくとも１つのフィルタを含むハイブリッドフィルタを更に備え、
    前記少なくとも１つのフィルタは、１以上の弾性波共振子を有する弾性波フィルタであり、
    前記ハイブリッドフィルタは、インダクタ及びキャパシタを更に含む、
    請求項１～１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
14. 請求項１～１３のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
    前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
    通信装置。

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