KR20140092243A - 처리 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

처리 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140092243A
KR20140092243A KR20140001710A KR20140001710A KR20140092243A KR 20140092243 A KR20140092243 A KR 20140092243A KR 20140001710 A KR20140001710 A KR 20140001710A KR 20140001710 A KR20140001710 A KR 20140001710A KR 20140092243 A KR20140092243 A KR 20140092243A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chuck
substrate
wafer
stage
robot
Prior art date
Application number
KR20140001710A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101699120B1 (ko
Inventor
신이치 히라노
고헤이 야마다
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20140092243A publication Critical patent/KR20140092243A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101699120B1 publication Critical patent/KR101699120B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/34—Accessory or component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)

Abstract

본 발명의 스테이지에 설치된 척에 의해 흡착된 기판을 처리하는 처리 장치는, 기판을 척에 반송하는 반송 유닛과, 척에 의해 흡착된 기판의 휘어짐을 감소시키도록 기판을 가압할 수 있는 가압 부재 및 척면을 클리닝할 수 있는 클리닝 부재를 스테이지에 선택적으로 반송하는 로봇과, 가압 부재를 유지하는 로봇이 기판의 휘어짐을 교정하기 위한 가압 처리를 실행하게 하고, 클리닝 부재를 유지하는 로봇이 척면의 클리닝 처리를 실행하게 하는 컨트롤러를 포함한다.

Description

처리 장치 및 디바이스 제조 방법{PROCESSING APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 처리 장치 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 이용되는 노광 장치는, 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지에 대하여 공급/회수하는 웨이퍼 반송 핸드, 프리얼라인먼트(pre-alignment) 스테이지, 웨이퍼 스테이지, 웨이퍼 척의 이물질 제거 부재를 반송하는 반송 로봇을 포함한다. 프리얼라인먼트 스테이지는, 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지로 이동시키기 전에 노치 또는 오리엔테이션 플랫을 사용해서 웨이퍼를 위치 정렬한다. 웨이퍼 스테이지는 웨이퍼를 진공 흡착에 의해 유지해서 반송한다. 웨이퍼 척에 의해 진공 흡착되어서 웨이퍼 스테이지에 유지된 웨이퍼의 표면 형상은 포커스 센서를 이용해서 측정된다. 그 형상에 기초하여 포커스 위치에 웨이퍼 표면이 배치되고, 노광이 행해진다.
현재, 종래의 거의 정방형의 노광 영역을 웨이퍼 상에 축소해서 투영함으로써 셀 투영을 행하는 스테퍼와, 구형의 슬릿 형상 내에 형성된 노광 영역을 이용해서 레티클과 웨이퍼를 상대적으로 고속 주사하여 대형 화면에 정확하게 노광하는 스캐너가 노광 장치로서 사용되고 있다. 레티클과 웨이퍼의 각 샷의 얼라인먼트는, 레티클 상의 회로 패턴과 동시에 웨이퍼에 노광 및 전사된 각 샷에 대응하는 얼라인먼트 마크의 위치를 광학적으로 검출하고, 검출 결과에 근거해서 웨이퍼를 레티클에 대해서 위치 결정함으로써 행해진다. 통상적으로, AGA(Advanced Global Alignment)가 행하여진다. AGA는, 복수의 얼라인먼트 마크의 위치 정보에 의한 통계적 추정 계산에 기초하여, 웨이퍼 스테이지를 노광 위치로 이동시키는 얼라인먼트 방식이다. AGA 계측에 이용되는 얼라인먼트 마크의 선택은 웨이퍼의 형상과 독립적으로 일정하다.
반도체 디바이스의 고집적화에 수반하여, 배선의 미세화 및 다층화가 진행되고 있다. 배선층의 다층화된 구조에 의해, 반도체 제조 공정의 후에, 성막 중에 발생한 막 왜곡이 축적되어 웨이퍼 전체가 휘어지게 하는 현상을 야기한다. 반도체 칩의 적층 기술인 TSV(Through Silicon Via) 공정에서는, 관통 전극의 금속(예를 들면, 구리)과 주위의 실리콘의 열 팽창 계수의 차이에 의해 실리콘과 관통 전극 금속 사이에 왜곡이 발생한다. 이 왜곡에 의해 웨이퍼에 휘어짐이 발생할 수도 있다. 이러한 웨이퍼의 휘어짐량에 대응하지 못하면, 웨이퍼 척의 진공 흡착에 에러가 발생하여, 시퀀스가 정지할 수도 있다. 웨이퍼가 휘어진 경우, 웨이퍼 척 상의 웨이퍼에 국소적인 왜곡이 발생하여 AGA 계측 또는 스캔 노광에 영향을 미친다.
일본 특허 공개 제2001-284434호 공보는 웨이퍼의 휘어짐을 교정하도록 구성된 외주 가압 부재를 포함하는 웨이퍼 반송 로봇을 개시하고 있다. 일본 특허 공개 제2003-234392호 공보 또한 웨이퍼의 휘어짐을 교정하도록 구성된 가압 플레이트를 포함하는 웨이퍼 반송 기구를 개시하고 있다.
그러나, 일본 특허 공개 제2001-284434호 공보 및 일본 특허 공개 제2003-234392호 공보에 개시된 장치에서는, 웨이퍼 반송 로봇에 웨이퍼의 휘어짐을 교정하도록 구성된 외주 가압 부재 또는 가압 플레이트가 설치되어 있기 때문에, 로봇에 의해 반송되는 대상물의 중량이 증가한다. 따라서, 흡착 에러가 없을 경우, 웨이퍼를 고속, 고정밀도로 반송하는 것이 어렵다. 또한, 외주 가압 부재 또는 가압 플레이트에 의해 웨이퍼의 휘어짐을 교정해서 흡착 에러에 대응하는 경우, 후속 웨이퍼가 준비될 수 없다. 따라서, 로트 처리에 긴 시간이 걸린다.
일본 특허 공개 제2001-284434호 공보 일본 특허 공개 제2003-234392호 공보
본 발명은 척의 기판 흡착 불량의 회복과 높은 스루풋을 동시에 달성하는 기술을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 스테이지에 설치된 척에 의해 흡착된 기판을 처리하는 처리 장치로서, 상기 기판을 상기 척에 반송하는 반송 유닛과, 상기 척에 의해 흡착된 상기 기판의 휘어짐을 감소시키도록 상기 기판을 가압할 수 있는 가압 부재 및 척면(chuck surface)을 클리닝할 수 있는 클리닝 부재를 상기 스테이지에 선택적으로 반송하는 로봇과, 상기 가압 부재를 유지하는 상기 로봇이 상기 기판의 휘어짐을 교정하기 위한 가압 처리를 실행하게 하고, 상기 클리닝 부재를 유지하는 상기 로봇이 상기 척면의 클리닝 처리를 실행하게 하는 컨트롤러를 포함하는 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참조하여 아래의 예시적인 실시예의 설명으로부터 명확해 질 것이다.
도 1은 노광 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 2는 제1 실시예에 따른 웨이퍼의 반송, 흡착 불량을 회복시키도록 구성된 부재의 반송에 관한 부분을 설명하기 위한 상측으로부터 본 장치의 개략도.
도 3은 웨이퍼가 3 핀으로 전달되는 상태를 설명하는 개략도.
도 4는 가압 플레이트의 반송 및 가압 플레이트에 의한 흡착 불량 회복 처리를 설명하는 개략도.
도 5a 및 도 5b는 제1 실시예에 따른 가압 플레이트의 반송을 설명하는 개략도.
도 6a 및 도 6b는 제1 실시예에 따른 이물질 제거 부재의 반송을 설명하는 개략도.
도 7은 제1 실시예에 따른 웨이퍼 스테이지 상의 처리, 웨이퍼 회수 처리, 웨이퍼 준비 처리의 흐름을 나타낸 플로우차트.
도 8은 제2 실시예에 따른 웨이퍼의 반송, 웨이퍼 흡착 불량을 회복시키도록 구성된 부재의 반송에 관한 부분을 설명하기 위한 상측에서 본 장치의 개략도.
도 9는 흡착 불량을 회복시키도록 구성된 부재의 보관 상태를 나타내는 개략도.
도 10a 및 도 10b는 제2 실시예에 따른 가압 플레이트의 반송을 설명하는 개략도.
도 11a 및 도 11b는 제2 실시예에 따른 이물질 제거 부재의 반송을 설명하는 개략도.
도 12는 제2 실시예에 따른 웨이퍼 스테이지 상의 처리, 웨이퍼 회수 처리, 웨이퍼 준비 처리의 흐름을 나타낸 플로우차트.
도 13은 제3 실시예에 따른 웨이퍼 스테이지 상의 처리, 웨이퍼 회수 처리, 웨이퍼 준비 처리의 흐름을 나타낸 플로우차트.
도 14는 웨이퍼 척을 교환하는 서브프로세스를 설명하는 플로우차트.
도 15는 제4 실시예에 따른 웨이퍼 스테이지 상의 처리, 웨이퍼 회수 처리, 웨이퍼 준비 처리의 흐름을 나타낸 플로우차트.
도 16은 흡착 불량의 연속하여 발생한 경우의 서브프로세스를 설명하는 플로우차트.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해서 설명한다. 본 발명은 스테이지에 포함된 척에 의해 흡착된 기판을 처리하는 처리 장치에 적용 가능하다. 기판에 대한 노광 처리를 행하는 노광 장치를 설명한다. 척은 기판을 진공 흡착하는 진공 척에 한하지 않고, 기판을 정전 흡착하는 정전 척일 수도 있다.
[노광 장치]
도 1은 노광 장치의 개략 구성을 나타낸다. 도 1에 도시된 바와 같이, 노광 장치는 조명계(1), 레티클(2)을 유지하는 레티클 스테이지(3), 레티클 위치 계측 디바이스(4), 투영 광학계(투영 노광 렌즈)(5), 웨이퍼(기판)(9)를 유지하는 웨이퍼 스테이지(스테이지)(6)를 포함한다. 노광 장치는 레이저 간섭계(7), 웨이퍼를 진공 흡착하는 웨이퍼 척(척)(8), 웨이퍼 척(8)의 하부에 배치된 웨이퍼 Z 구동 기구(도시되지 않음), 웨이퍼(9)의 포커스 위치를 계측하는 오토 포커스 유닛(10)을 더 포함한다. 조명계(1)는 광원 및 셔터를 포함한다. 레티클(2)에는 회로 패턴이 그려진다. 레티클 위치 계측 디바이스(4)는 레티클 스테이지(3) 상의 레티클(2)의 위치를 계측한다. 노광 대상인 웨이퍼(9)가 위에 배치된 웨이퍼 스테이지(6)는 X-Y 평면 내에서 X 및 Y의 2 방향으로 이동한다. 레이저 간섭계(7)는 웨이퍼 스테이지(6)의 위치를 계측한다. 웨이퍼 Z 구동 기구는 웨이퍼 척(8)의 하부에 마련되어져, 노광 시의 포커스 조절(포커싱)을 위해, 위에 배치된 웨이퍼(9)를 수직 방향(Z 방향)으로 이동시킨다.
[제1 실시예]
도 2는 웨이퍼(9)의 반송, 웨이퍼 척(8)에 의한 웨이퍼(9)의 흡착 불량을 회복시키도록 구성된 부재의 반송에 관련하여 상측으로부터 본 장치의 개략도이다. 노광 장치는 도어(31)를 구비한 챔버(30), 웨이퍼 척(8), 3 핀(11), 웨이퍼 스테이지(6), 웨이퍼 반입 스테이션(16), 웨이퍼 반출 스테이션(17), 컨트롤러(15), 프리얼라인먼트 유닛(13)을 포함한다. 또한, 노광 장치는 웨이퍼 반송 로봇 핸드(14), 웨이퍼 피딩(feeding) 핸드(12), 로봇 핸드(23)를 포함한다. 챔버(30)는 노광 환경을 소정 온도 및 습도로 유지한다. 웨이퍼 척(8)은 투영 노광 렌즈(5)의 하부에서 웨이퍼(9)를 진공 흡착한다. 3 핀(11)은 웨이퍼 척(8)에 웨이퍼(9)를 전달하기 위해 수직으로 구동된다. 웨이퍼 스테이지(6)는 웨이퍼(9), 웨이퍼 척(8), 3 핀(11)을 X-Y 평면 내에서 X 및 Y의 2 방향으로 일체적으로 이동시킨다. 노광 처리를 거치지 않은 웨이퍼(9)는 챔버(30)의 외부로부터 반입되어 웨이퍼 반입 스테이션(16)에 배치된다. 노광 처리를 거친 웨이퍼(9)는 웨이퍼 반출 스테이션(17)에 배치되어서 챔버(30)의 외부로 반출된다. 컨트롤러(15)는 노광 장치를 제어하는 컴퓨터이며, 유저 인터페이스(32)에 전기적으로 접속된다. 프리얼라인먼트 유닛(13)은 노광 처리에 앞서 웨이퍼(9)의 프리얼라인먼트(전처리)를 행한다.
웨이퍼 반송 로봇 핸드(14)는 웨이퍼 반입 스테이션(16)에 반입된 웨이퍼(9)를 프리얼라인먼트 유닛(13)으로 반송하고, 또한, 노광 처리되어 3 핀(11) 위에 배치된 웨이퍼(9)를 웨이퍼 반출 스테이션(17)으로 반송한다. 웨이퍼 피딩 핸드(12)는 프리얼라인먼트 유닛(13)에 의해 프리얼라인먼트된 웨이퍼(9)를 3 핀(11)으로 반송한다. 로봇 핸드(23)는 웨이퍼 척(8)의 흡착 불량을 회복시키도록 구성된 부재를 웨이퍼 스테이지(6)로 반송한다. 웨이퍼 피딩 핸드(12)는 기판을 척으로 반송하는 반송 유닛을 구성한다. 로봇 핸드(23)는 흡착 불량을 회복시키도록 구성된 부재를 스테이지로 반송하는 로봇을 구성한다.
웨이퍼 척(8)과 3 핀(11) 사이에서의 웨이퍼(9)의 전달은, 3 핀(11)을 수직으로 이동시키는 구조, 또는, 3 핀(11)을 정지시키고 웨이퍼 척(8)을 수직으로 이동시키는 구조에 의해 행해질 수 있다. 컨트롤러(15)는 1대의 컴퓨터 또는 복수의 컴퓨터로부터 구성될 수도 있다.
다음으로, 웨이퍼(9)의 전달 위치, 웨이퍼 척(8)의 흡착 불량 회복 처리를 실행하는 위치에 대해서 설명한다. 웨이퍼 전달 위치(19)에서, 웨이퍼 피딩 핸드(12)는 웨이퍼(9)를 웨이퍼 스테이지(6)에 배치된 3 핀(11)에 전달한다. 웨이퍼 회수 위치(18)에서, 웨이퍼 반송 로봇 핸드(14)는 웨이퍼(9)를 웨이퍼 스테이지(6)에 배치된 3 핀(11)으로부터 받는다. 로봇 핸드(23)는 가압 플레이트(가압 부재)(24)를 회복 처리 위치(20)로 반송하고, 가압 플레이트(24)에 의해 웨이퍼(9)의 휘어짐을 저감(교정)함으로써, 흡착 불량 회복 처리를 실행한다. 웨이퍼 회수 위치(18), 웨이퍼 전달 위치(19) 및 회복 처리 위치(20)는 단순히 각각의 처리가 실행되는 웨이퍼 스테이지(6)의 위치를 나타낸다.
도 3은 웨이퍼 피딩 핸드(12)가 웨이퍼 척(8)과 일체적으로 구성된 3 핀(11)에 웨이퍼(9)를 전달하게 하는 처리에 있어서 횡방향으로부터 본 움직임을 시계열적으로 나타내는 개략도이다. 상태 3A에서는, 웨이퍼(9)를 유지하는 웨이퍼 피딩 핸드(12)는 3 핀(11)의 상방의 웨이퍼 전달 위치(19)로 이동한다. 상태 3B에서는, 웨이퍼 전달 위치(19)에서 웨이퍼(9)를 유지하는 웨이퍼 피딩 핸드(12)가 하강하고, 3 핀(11)에 웨이퍼(9)를 전달한다. 상태 3C에서는, 웨이퍼(9)를 3 핀(11)에 전달한 웨이퍼 피딩 핸드(12)가 퇴피한다. 상태 3D에서는, 웨이퍼 피딩 핸드(12)의 퇴피가 완료하고, 웨이퍼(9)의 웨이퍼 척(8)으로의 전달이 완료한다.
도 4는 로봇 핸드(23)가 흡착의 불량을 회복시키도록 구성된 부재 중 하나인 가압 플레이트(24)를 회복 처리 위치(20)로 반송하고, 회복 처리를 실행하는 상태에 있어서 횡방향으로부터 본 움직임을 시계열적으로 나타내는 개략도다. 도 4의 상태 4A에서는, 도 3의 상태 3D에서 웨이퍼(9)의 웨이퍼 척(8)으로의 전달이 완료한 후에, 웨이퍼 척(8)과 3 핀(11)의 높이 차이가 상대적으로 감소되고, 웨이퍼 척(8)이 웨이퍼(9)를 받아들인다. 웨이퍼(9)의 전달은, 3 핀(11)이 고정된 채로 웨이퍼 척(8)이 상승하는 모드, 또는, 웨이퍼 척(8)이 고정된 채로 3 핀(11)이 하강하는 모드에서 행해질 수 있다. 전달이 종료하면, 웨이퍼 척(8)은 웨이퍼(9)를 흡착한다. 컨트롤러(15)는, 예를 들면, 웨이퍼 척(8)의 흡착력이 허용 범위 내에 놓이는지 여부를 판정해서 흡착 불량이 발생하였는지 여부를 판정한다. 상태 4B에서는, 흡착 불량이 발생했다는 판정시에, 컨트롤러(15)는 흡착 불량 회복 처리를 실행하기 위해 웨이퍼 스테이지(6)를 회복 처리 위치(20)로 이동시키고, 로봇 핸드(23)는 가압 플레이트(24)를 준비한다. 웨이퍼 스테이지(6)가 회복 처리 위치(20)로 이동하면, 웨이퍼(9)는 웨이퍼 척(8)으로부터 3 핀(11)으로 전달된다. 3 핀(11)이 웨이퍼(9)를 흡착 유지한 후에, 웨이퍼 스테이지(6)는 이동한다. 통상적으로, 장치는 웨이퍼 척(8)에 의한 흡착의 불량이 발생한 것으로 판정된 경우에도 3 핀(11)이 웨이퍼를 흡착 유지할 수 있도록 설계된다.
상태 4C에서는, 로봇 핸드(23)는 가압 플레이트(24)를 회복 처리 위치(20)로 이동시킨다. 이동이 완료 후, 웨이퍼 척(8)이 상승한다. 상태 4D에서는, 가압 플레이트(24)와 웨이퍼 척(8) 사이에 웨이퍼(9)가 끼워지고, 웨이퍼(9)의 휘어짐이 교정된다. 웨이퍼(9)의 휘어짐이 교정되면, 웨이퍼 척(8)이 정상적인 흡착을 행할 수 있다고 판단되고, 웨이퍼 척(8)이 하강한다. 상태 4E에서는, 웨이퍼 척(8)이 웨이퍼(9)를 정상적으로 흡착 유지하고, 로봇 핸드(23)가 가압 플레이트(24)를 대기 위치로 퇴피시킨다.
도 5a 및 도 5b는 로봇 핸드(23)가 가압 플레이트(24)를 회복 처리 위치(20)로 반송하고, 웨이퍼(9)의 휘어짐을 교정함으로써 흡착 불량 회복 처리를 실행하는 상태에 있어서 상측으로부터 본 움직임을 시계열적으로 도시하는 개략도이다. 도 5a는 오퍼레이터가 도어(31)를 통해서 로봇 핸드(23)에 가압 플레이트(24)를 세트하고 대기하는 상태를 나타낸다. 컨트롤러(15)는 웨이퍼 전달 위치(19)에 배치된 웨이퍼 스테이지(6)의 웨이퍼 척(8)에 의한 웨이퍼(9)의 흡착의 불량이 발생하였는지 여부를 판정한다. 도 5b의 상태에서는, 흡착 불량이 발생하였다는 판정에 기초하여, 컨트롤러(15)는 가압 플레이트(24)를 유지하는 로봇 핸드(23) 및 웨이퍼 스테이지(6)를 회복 처리 위치(20)로 이동시킨다. 회복 처리 위치(20)에서, 도 4를 참조하여 설명한 흡착 불량 회복 처리를 실행한다. 회복 처리가 종료되면, 오퍼레이터가 도어(31)를 통해서 로봇 핸드(23)로부터 가압 플레이트(24)를 회수할 수 있거나, 또는 로봇 핸드(23)가 가압 플레이트(24)를 유지한 채로 도 5a의 위치에서 대기할 수 있다. 흡착 불량 회복 처리를 연속해서, 또는 빈번하게 실행하는 경우, 로봇 핸드(23)가 가압 플레이트(24)를 유지한 채 대기 위치에서 대기할 수 있는 것은 물론이다.
도 6a 및 도 6b는 로봇 핸드(23)가 웨이퍼 척(8)의 척면 상에 존재하는 이물질을 제거하도록 구성된 이물질 제거 부재(25)를 회복 처리 위치(20)로 반송하고, 웨이퍼 척(8)으로부터 이물질을 제거하는 상태에서 상부로부터 본 움직임을 시계열적으로 나타내는 개략도이다. 이물질 제거 부재(25)는 웨이퍼 척(8)의 척면을 클리닝하는 클리닝 부재이다. 이물질 제거 부재(25)는 웨이퍼 척(8)의 흡착 불량을 회복시키도록 구성된 부재 중 하나이다. 이물질 제거 부재(25)는, 예를 들면, 이물질을 분쇄해서 웨이퍼 척(8)의 진공 흡착 구멍으로부터 제거하는 플레이트, 또는 점착 기구를 사용하여 이물질을 제거하는 부재로부터 형성된다. 도 6a는 오퍼레이터가 도어(31)를 통해서 로봇 핸드(23)에 이물질 제거 부재(25)를 세트하고 대기하는 상태를 도시한다. 도 6b의 상태에서는, 컨트롤러(15)는, 이물질 제거 부재(25)를 유지하는 로봇 핸드(23) 및 웨이퍼 스테이지(6)를 회복 처리 위치(20)로 이동시킨다. 회복 처리 위치(20)에서, 정지한 이물질 제거 부재(25)와 접촉한 채 웨이퍼 스테이지(6)는 X 및 Y 방향으로 이동함으로써, 웨이퍼 척(8)에 부착하고 있는 이물질을 제거한다. 웨이퍼 척(8)으로부터 이물질을 제거한 후, 오퍼레이터는 도어(31)를 통해서 로봇 핸드(23)로부터 이물질 제거 부재(25)를 회수할 수 있거나, 또는 로봇 핸드(23)가 이물질 제거 부재(25)를 유지한 채, 도 6a에 도시된 바와 같이 대기 위치에서 대기할 수 있다. 이물질을 연속적으로 또는 빈번히 제거하는 경우에는, 로봇 핸드(23)가 이물질 제거 부재(25)를 유지한 채 대기 위치에서 대기함으로써 신속하게 이물질을 제거할 수 있는 것은 물론이다.
도 7은 흡착 불량 회복 처리로서 가압 플레이트(24)를 이용해서 웨이퍼(9)의 휘어짐이 교정될 경우, 웨이퍼 스테이지(6) 상의 처리, 웨이퍼(9)의 회수 처리, 웨이퍼(9)의 준비 처리의 흐름을 나타낸 플로우차트이다. 플로우차트의 좌측 부분은 웨이퍼 스테이지(6) 상의 처리, 웨이퍼(9)의 회수 처리의 흐름을 나타내고, 플로우차트의 우측 부분은 웨이퍼(9)의 준비 처리의 흐름을 나타낸다. 본 실시예는, 웨이퍼 스테이지(6) 상의 처리 및 웨이퍼(9)의 회수 처리가 웨이퍼(9)의 준비 처리와 부분적으로 병행되어 행해지기 때문에 스루풋의 면에서 유리하다. 단계 S101에서, 웨이퍼 피딩 핸드(12)는 제1 웨이퍼(9)를 프리얼라인먼트 유닛(PA)(13)으로부터 취득한다. 웨이퍼 반송 로봇 핸드(14)는 챔버(30)의 외부로부터 웨이퍼 반입 스테이션(16)에 반입된 웨이퍼(9)를 사전에 프리얼라인먼트 유닛(13)으로 반송하고, 프리얼라인먼트 유닛(13) 내에 웨이퍼(9)를 대기하게 한다.
단계 S102에서, 웨이퍼 피딩 핸드(12)는 제1 웨이퍼(9)를 프리얼라인먼트 유닛(13)으로부터 웨이퍼 전달 위치(19)까지 반송한다. 이때, 웨이퍼 스테이지(6)도 웨이퍼 전달 위치(19)에 위치하도록 컨트롤러(15)에 의해 이동된다. 단계 S103에서, 도 3의 상태 3B 및 3C에 의해 나타난 바와 같이, 웨이퍼 전달 위치(19)에서 제1 웨이퍼(9)를 갖는 웨이퍼 피딩 핸드(12)가 하강하여, 3 핀에 웨이퍼(9)를 전달한다. 단계 S104에서, 도 3의 상태 3D에 의해 나타난 바와 같이, 웨이퍼 피딩 핸드(12)는 웨이퍼 전달 위치(19)로부터 퇴피한다.
단계 S201에서, 컨트롤러(15)는 웨이퍼(9)를 3 핀(11)으로부터 웨이퍼 척(8)으로 전달한다. 단계 S201 이후의 공정과 단계 S104 이후의 공정은 병행하여 실시된다. 단계 S105에 있어서, 컨트롤러(15)는 처리될 후속 웨이퍼(9)가 존재하는지 여부를 판단한다. 후속 웨이퍼가 존재하지 않을 경우, 웨이퍼의 준비 처리는 종료하고, 처리는 단계 S109에서 종료한다. 후속 웨이퍼(9)가 존재하는 경우에는, 처리는 단계 S106으로 진행한다.
단계 S106에서, 웨이퍼 피딩 핸드(12)는 후속 웨이퍼(9)를 프리얼라인먼트 유닛(13)(PA)으로부터 취득한다. 웨이퍼 반송 로봇 핸드(14)는 챔버(30) 외부로부터 웨이퍼 반입 스테이션(16)에 반입된 후속 웨이퍼(9)를 사전에 프리얼라인먼트 유닛(13)으로 반송하고, 웨이퍼(9)를 프리얼라인먼트 유닛(13)에 대기하도록 한다. 단계 S107에서, 웨이퍼 피딩 핸드(12)는 후속 웨이퍼(9)를 프리얼라인먼트 유닛(13)으로부터 웨이퍼 전달 위치(19)까지 반송한다. 웨이퍼(9)를 반송하는 웨이퍼 피딩 핸드(12)와 흡착 불량을 회복시키도록 구성된 부재를 반송하는 로봇 핸드(23)는 별도로 구성된다. 따라서, 웨이퍼의 준비 처리 중 단계 S104 내지 S107의 공정은 흡착 불량 회복 처리와 병행해서 실시할 수 있다. 이러한 이유로, 회복 처리를 행할 필요가 있는 경우라도, 생산성의 저하를 최소화할 수 있다.
단계 S202에서, 웨이퍼 척(8)은 3 핀(11)으로부터 전달된 웨이퍼(9)를 흡착한다. 단계 S203에서, 컨트롤러(15)는 웨이퍼 척에 의한 웨이퍼(9)의 진공 흡착이 정상인지 여부, 즉 진공 흡착 불량(흡착 에러)의 유무를 판단한다. 흡착이 정상이라고 판정한 경우에는, 처리는 단계 S207로 진행된다. 흡착 에러가 발생했다고 판정한 경우에는, 처리는 단계 S204로 진행된다. 단계 S204에서, 컨트롤러(15)는 흡착 불량 회복 처리를 실행하는 모드가 세트되었는지 여부를 나타내는 정보를 참조한다. 모드가 회복 처리 모드인 경우, 처리는 단계 S205로 진행한다. 모드가 회복 처리 모드가 아닌 경우, 처리는 단계 S209로 진행한다. 흡착 불량 회복 처리를 실행하는 모드가 세트되었는지 여부를 나타내는 정보는, 오퍼레이터에 의해 유저 인터페이스(32)로부터 입력되고, 컨트롤러(15) 내에 저장된다. 예를 들면, 노광 처리를 행할 로트의 웨이퍼(9)가 휘어지지 않은 것이 미리 알려진 경우, 오퍼레이터는 해당 로트의 웨이퍼(9)에 대하여 회복 처리 모드가 적용되지 않는 것을 나타내는 정보를 입력한다.
단계 S205에서, 컨트롤러(15)는 가압 플레이트(24)에 의한 흡착 불량 회복 처리의 실행 횟수가 소정 횟수에 도달하였는지 여부를 판정한다. 회복 처리 실행 횟수가 소정 횟수 미만인 경우에, 처리는 단계 S206로 진행한다. 회복 처리 실행 횟수가 소정 횟수 이상인 경우에, 처리는 단계 S209로 진행한다. 가압 플레이트(24)에 의한 흡착 불량 회복 처리의 실행 횟수의 상한을 규정하는 소정 횟수는, 노광 처리 대상의 웨이퍼(9)의 노광 처리 전의 휘어짐의 상태에 근거해서 오퍼레이터에 의해 변경될 수 있다. 오퍼레이터는 소정 횟수의 정보를 유저 인터페이스(32) 또는 네트워크를 통해 접속된 외부 컴퓨터(도시되지 않음)로부터 입력할 수 있다. 소정 횟수는, 예를 들면, 휘어짐량이 큰 웨이퍼의 로트의 노광 처리를 행하는 경우에는 많게 설정되고, 휘어짐량이 작은 웨이퍼의 로토의 노광 처리를 행하는 경우는 적게 설정된다. 이것은, 가압 플레이트(24)에 의한 처리의 불필요한 실행을 억제하거나, 가압 플레이트(24)의 처리에 의해 회복될 수 있는 흡착 불량을 구제하는 것이 가능해지도록 한다.
단계 S206에서, 컨트롤러(15)는 도 4를 참조하여 설명한 방법을 이용하여 가압 플레이트(24)에 의한 흡착 불량 회복 처리를 실행하다. 단계 S207에서, 컨트롤러(15)는 노광 처리를 실행한다. 단계 S208에서, 웨이퍼 반송 로봇 핸드(14)는 노광된 웨이퍼(9)를 웨이퍼 스테이지(6)로부터 회수하고, 웨이퍼 반출 스테이션(17)에 반송한다. 웨이퍼 반출 스테이션(17)에 반송된 웨이퍼(9)는 디벨로퍼(developer)(도시되지 않음)에 의해 챔버(30) 외부로 반출된다. 단계 S209에서, 컨트롤러(15)는 처리를 계속하는 것이 불가능하다고 판단하고, 로트 처리를 중단한다. 컨트롤러(15)는, 로트 처리를 중단하는 경우, 적어도 유저 인터페이스(32) 또는 네트워크를 통해 접속된 외부 컴퓨터(도시되지 않음)에 로트 처리의 중단에 관한 정보를 출력한다.
제1 실시예에서 전술한 바와 같이, 웨이퍼(9)를 반송하는 핸드(12, 14)와, 가압 플레이트(24)를 반송하는 로봇 핸드(23)는 별도로 구성된다. 이것은, 웨이퍼 피딩 핸드(12) 및 웨이퍼 반송 로봇 핸드(14)를 경량으로 할 수 있다. 따라서, 흡착 불량 회복 처리를 행하지 않을 경우, 고속, 고정밀도로 웨이퍼(9)를 웨이퍼 스테이지(6)에 반송할 수 있다. 또한, 가압 플레이트(24)에 의한 흡착 불량 회복 처리가 실행되고 있는 경우에도, 웨이퍼 반송 로봇 핸드(14)를 이용해서 후속 웨이퍼(9)의 준비를 행할 수 있다. 따라서, 로트 처리 시간의 지연을 최소화할 수 있다. 또한, 로봇 핸드(23)는 가압 플레이트(24) 및 이물질 제거 부재(25)의 제거/부착 및 반송의 기능을 가진다. 노광 장치의 풋 프린트에 있어서의 어떠한 증가도 방지되고, 새로운 반송 로봇의 준비가 필요하지 않으므로, 비용의 증가를 피할 수 있다.
[제2 실시예]
제2 실시예를 설명한다. 제2 실시예에서도, 제1 실시예와 마찬가지로 도 1 및 3에 도시된 구성이 적용 가능하다. 도 8은 웨이퍼(9)의 반송 및 흡착 불량을 회복시키도록 구성된 부재의 반송에 관련하여 상측에서 본 장치의 개략도이다. 제2 실시예는, 도 2에 도시된 제1 실시예와는, 리젝트 캐리어(21), 스토커(stocker)(22)가 제공된다는 점에서 상이하다. 리젝트 캐리어(21)는 노광 처리 중에 이상이 발생한 웨이퍼(9)를, 정상적으로 노광 처리된 웨이퍼(9)와는 별도로 보관한다. 또한, 리젝트 캐리어(21)는 장치의 유지 보수를 위한 특수한 웨이퍼를 보관하는 데에 이용된다. 스토커(22)는 흡착 불량을 회복시키도록 구성된 부재에 대응하는 가압 플레이트(24), 이물질 제거 부재(25), 교환 가능한 웨이퍼 척(26)을 보관한다. 가압 플레이트(24), 이물질 제거 부재(25), 교환 가능한 웨이퍼 척(26)은, 사전에 도어(31)를 통해서 로봇 핸드(23)에 의해 스토커(22) 내에 반입되어 보관된다.
도 9는 스토커(제1 보관 유닛)(22)의 횡방향으로부터 본 개략도이다. 스토커(22)는 하부 측으로부터 순차적으로 slot 1, slot 2, slot 3, slot 4의 합계 4개의 보관 유닛을 포함한다. 슬롯의 수는 4에 한정되지 않는다. 도 9에서, slot 1은 비어 있으며 안에 아무것도 배치되어 있지 않다. slot 2에는 교환 가능한 웨이퍼 척(제2 척)(26)이 보관되고, slot 3에는 이물질 제거 부재(25)가 보관되고, slot4에는 가압 플레이트(24)가 보관된다. 유지 유닛(27)은, 로봇 핸드(23)가 가압 플레이트(24)를 유지해서 반송하는 가압 플레이트(24)의 일부이다. 마찬가지로, 유지 유닛(28)은, 로봇 핸드(23)가 이물질 제거 부재(25)를 유지해서 반송하는 이물질 제거 부재(25)의 일부이다. 구멍(29a, 29b)은, 로봇 핸드(23)가 교환 가능한 웨이퍼 척(26)을 유지해서 반송하는, 웨이퍼 척(26)에 형성된 로봇 핸드(23)의 삽입 구멍이다.
도 10a 및 도 10b는 로봇 핸드(23)가 가압 플레이트(24)를 회복 처리 위치(20)로 반송하고, 웨이퍼(9)의 휘어짐을 교정해서 흡착 불량을 회복하는 상태에 있어서 상측으로부터 본 움직임을 시계열적으로 도시하는 개략도이다. 도 10a에서, 로봇 핸드(23)를 이용해서 스토커(22)에 가압 플레이트(24)가 반입되어 배치되어 있다. 로봇 핸드(23)는 스토커(22)로부터 가압 플레이트(24)를 취득하고, 대기한다. 컨트롤러(15)는, 웨이퍼 스테이지(6)가 웨이퍼 전달 위치(19)에서 웨이퍼(9)를 유지하고 있는 상태로 웨이퍼 척(8)에 의한 웨이퍼(9)의 진공 흡착의 상태를 판정한다. 흡착 불량의 유무를 판정하기 전에, 로봇 핸드(23)는 가압 플레이트(24)를 스토커(22)로부터 취득하고 대기한다. 로봇 핸드(23)는 흡착 불량의 유무를 판정한 후에 가압 플레이트(24)를 취득할 수도 있다. 그러나, 본 경우에는, 가압 플레이트(24)를 취득하는 데에 요하는 시간만큼, 흡착 불량의 유무의 판정으로부터의 복귀의 시간이 지연된다.
도 10b에서, 진공 흡착 상태 판정의 결과로서 흡착 불량이 발생한 것으로 판정한 경우, 컨트롤러(15)는 가압 플레이트(24)를 유지하는 로봇 핸드(23) 및 웨이퍼 스테이지(6)에 회복 처리 위치(20)로 이동할 것을 지시한다. 회복 처리 위치(20)에서, 도 4를 참조하여 설명한 가압 플레이트(24)를 이용해서 웨이퍼(9)의 휘어짐을 교정한다. 흡착 불량 회복 처리가 종료되면, 로봇 핸드(23)는 가압 플레이트(24)를 스토커(22) 내에 보관할 수 있거나, 또는 가압 플레이트(24)를 유지한 채 스토커(22) 부근의 대기 위치에서 대기할 수 있다. 가압 플레이트(24)에 의한 웨이퍼(9)의 휘어짐의 교정 처리를 연속해서 또는 빈번하게 실행하는 경우, 로봇 핸드(23)가 가압 플레이트(24)를 유지한 채 대기하여 신속하게 흡착 불량 회복 처리를 실행할 수 있는 것은 물론이다.
도 11a 및 도 11b는 로봇 핸드(23)가 이물질 제거 부재(25)를 회복 처리 위치(20)로 반송하고, 웨이퍼 척(8)으로부터 이물질을 제거하는 상태에 있어서 상측으로부터 본 움직임을 시계열적으로 나타내는 개략도이다. 도 11a에서, 로봇 핸드(23)를 이용해서 스토커(22)에 이물질 제거 부재(25)가 반입되어 보관된다. 컨트롤러(15)는, 웨이퍼 척(8) 상의 이물질이 제거될 필요가 있다고 판단한 경우, 로봇 핸드(23)가 스토커(22)로부터 이물질 제거 부재(25)를 취득하게 한다. 도 11b에서, 컨트롤러(15)는 이물질 제거 부재(25)를 유지하는 로봇 핸드(23) 및 웨이퍼 스테이지(6)가 회복 처리 위치(20)로 이동할 것을 지시한다. 회복 처리 위치(20)에서, 웨이퍼 스테이지(6)는 정지한 이물질 제거 부재(25)와 접촉한 채 X 및 Y 방향으로 이동하여, 웨이퍼 척(8)에 부착되고 있는 이물질의 제거를 실행한다. 이물질 제거 처리가 종료하면, 로봇 핸드(23)가 이물질 제거 부재(25)를 스토커(22)에 반송해서 보관할 수 있거나, 또는 이물질 제거 부재(25)를 유지한 채 도 10a에 도시된 대기 위치에서 대기할 수 있다.
도 12는 가압 플레이트에 의한 웨이퍼 휘어짐 교정과, 웨이퍼 척 상의 이물질 제거(척 클리닝)를 포함하는 흡착 불량 회복 처리를 포함하는 웨이퍼 스테이지 상의 처리, 웨이퍼 회수 처리, 웨이퍼 준비 처리의 흐름을 나타낸 플로우차트이다. 도 12에 도시된 처리는 단계 S301 내지 S305를 제외하고 도 7과 동일하므로 그 설명을 생략한다. 단계 S301에서, 컨트롤러(15)는 동일 로트의 처리 중에 이미 척 클리닝을 실시하였는지 여부를 판정한다. 이미 척 클리닝을 실시한 경우에는 처리는 단계 S209로 진행한다. 아직 척 클리닝을 실시하지 않은 경우에는 처리는 단계 S302로 진행한다.
단계 S302에서, 웨이퍼 반송 로봇 핸드(14)는 웨이퍼 척(8) 위에 배치된 웨이퍼(9)를 취득하고, 리젝트 캐리어(21)(제2 보관 유닛)에 웨이퍼(9)를 반송하고, 그 웨이퍼를 안에 보관한다. 단계 S303에서, 로봇 핸드(23)는 유지하고 있는 가압 플레이트(24)를 스토커(22)에 반송하고, 가압 플레이트(24)를 안에 보관하고, 대신에 이물질 제거 부재(25)를 취득한다.
단계 S304에서, 이물질 제거 처리를 실시한다. 이물질 제거 처리는, 정지한 이물질 제거 부재(25)에 접촉한 채 웨이퍼 스테이지(6)가 X 및 Y 방향으로 이동하게 함으로써 웨이퍼 척(8)에 부착되고 있는 이물질을 제거하도록 행해질 수 있다. 이와 달리, 이물질 제거 부재(25)는 접촉한 채로 X 및 Y 방향으로 이동하고, 웨이퍼 스테이지(6)는 정지한 채로 있을 수도 있다. 단계 S305에서, 웨이퍼 반송 로봇 핸드(14)는 단계 S302에서 리젝트 캐리어(21)에 보관된 웨이퍼(9)를 취득하고, 웨이퍼 척(8) 위에 웨이퍼(9)를 재배치한다.
제1 실시예에서 전술한 바와 같이, 가압 플레이트(24)에 의한 소정 횟수의 흡착 불량 회복 처리에 의해서 흡착 불량이 회복될 수 없는 경우, 이물질 제거 부재(25)를 이용하여 웨이퍼 척(8) 상의 이물질을 제거할 수 있다. 따라서, 흡착 불량의 원인이 웨이퍼 척(8) 측에 있는 경우에도 흡착 불량을 회복할 수 있다. 본 제2 실시예에서는, 동일 로트의 처리 중에, 이미 척 클리닝이 실시되었는지 여부를 판정한다. 다른 로트에 대해서도, 연속해서 노광 처리를 수행하는 경우에는, 연속하는 처리될 매수의 웨이퍼에 대하여, 이미 척 클리닝이 실시되었는지 여부를 판단할 수도 있다.
[제3 실시예]
제3 실시예를 설명한다. 구성은, 도 13 및 도 14를 제외하고 제2 실시예와 동일하므로, 그 설명을 생략한다. 또한, 도 13의 플로우차트는 단계 S400의 웨이퍼 척 교환 서브프로세스 이외는, 도 12와 동일하므로, 단계 S400 이외의 처리의 설명을 생략한다. 도 13은 흡착 불량 회복 처리가 웨이퍼 척(8)의 교환 처리를 포함하는 경우의 플로우차트이다. 단계 S204에서, 컨트롤러(15)는 가압 플레이트(24)에 의한 흡착 불량 회복 처리를 실행하는 모드가 설정되었는지 여부를 나타내는 정보를 확인한다. 단계 S204에서, 가압 플레이트(24)에 의한 흡착 불량 회복 처리를 실행하는 모드가 설정되지 않았다고 판정한 경우, 또는, 단계 S301에서, 이미 척 클리닝이 실시되었다고 판정한 경우, 컨트롤러(15)는 단계 S400에서 웨이퍼 척 교환 서브프로세스를 실행한다.
도 14는 웨이퍼 척(8)을 교환하는 서브프로세스를 설명하는 플로우차트이다. 단계 S400에서, 서브프로세스를 개시한다. 단계 S401에서, 컨트롤러(15)는 동일 로트의 처리 중에 이미 웨이퍼 척 교환이 실시되었는지 여부를 판단한다. 이미 웨이퍼 척 교환을 실시한 경우, 컨트롤러(15)는 단계 S400의 서브프로세스를 종료한다. 웨이퍼 척 교환을 아직 실시되지 않은 경우, 처리는 단계 S402로 진행한다. 단계 S402에서, 웨이퍼 반송 로봇 핸드(14)는 웨이퍼 척(8) 위에 배치된 웨이퍼(9)를 취득하고, 웨이퍼를 리젝트 캐리어(21)로 반송하고, 그 웨이퍼를 안에 보관한다. 단계 S403에서, 로봇 핸드(23)는 웨이퍼 척(8)을 웨이퍼 스테이지(6)로부터 취득하고, 도 9의 비어 있는 슬롯인 slot 1에 웨이퍼 척을 반송하고, 그 웨이퍼 척을 안에 보관한다. 다음으로, 로봇 핸드(23)는, 도 9의 slot 2로부터 미사용의 교환 가능한 웨이퍼 척(제2 척)(26)을 취득하고, 그 웨이퍼 척을 웨이퍼 스테이지(6)에 반송하고, 그 웨이퍼 척을 배치한다. 단계 S404에서, 웨이퍼 반송 로봇 핸드(14)는, 단계 S402에서 리젝트 캐리어(21)에 보관된 웨이퍼(9)를 취득하고, 그 웨이퍼(9)를 웨이퍼 척(8) 위에 재배치한다. 처리는 도 12의 단계 S203으로 돌아간다.
[제4 실시예]
제4 실시예를 설명한다. 제4 실시예는 도 15 및 도 16 이외에는 제2 실시예와 동일하므로 그 설명을 생략한다. 또한, 도 15는 단계 S500의 서브프로세스를 제외하고는 도 13과 동일하므로, 단계 S500 이외의 처리의 설명도 생략한다. 도 15는 로트 내의 웨이퍼에 에러가 연속해서 발생한 경우의 연속 웨이퍼 에러 처리의 서브프로세스의 상세한 내용을 설명하는 플로우차트이다. 동일 로트에서 웨이퍼 척(8)으로부터 이물질을 제거하는 척 클리닝이 실시되지 않은 경우, 단계 S500의 서브프로세스가 실행된다.
도 16은 단계 S500의 서브프로세스를 설명하는 플로우차트이다. 단계 S501에서, 컨트롤러(15)는, 흡착 불량이 연속해서 발생한 웨이퍼(9)의 매수가 미리 설정된 소정 매수에 도달하였는지 여부를 판정한다. 소정 매수는, 척 클리닝의 실행을 트리거하기 위해 동일 로트 내에서 연속하여 흡착 불량으로 판정된 웨이퍼(9)의 매수를 지정하는 파라미터이다. 소정 매수 이상의 웨이퍼(9)에서 연속해서 흡착 불량이 발생한 경우, 웨이퍼 척(8)에 이물질이 부착하고 있는 것이 흡착 불량의 원인으로 추정될 수 있다. 즉, 소정 매수 이상의 웨이퍼(9)에서 연속해서 흡착 불량이 발생한 경우, 웨이퍼 척(8)을 즉시 클리닝함으로써 흡착 불량을 회복할 수 있다. 미리 저장된 소정 매수의 정보는 유저 인터페이스(32) 또는 네트워크를 통해서 접속된 외부 컴퓨터(도시되지 않음)로부터 입력된다.
단계 S501에서, 흡착 불량이 연속해서 발생한 웨이퍼(9)의 매수가 소정 매수에 도달하지 않은 경우, 처리는 단계 S502로 진행한다. 웨이퍼(9)의 매수가 소정 매수에 도달한 경우, 처리는 단계 S302로 진행한다. 단계 S502에서, 웨이퍼 반송 로봇 핸드(14)는, 웨이퍼 척(8) 상에 배치된 웨이퍼(9)를 취득하고, 그 웨이퍼를 리젝트 캐리어(21)에 반송하고, 그 웨이퍼를 안에 보관한다. 단계 S503에서, 흡착 불량이 발생한 대상 웨이퍼(9)가 리젝트 캐리어(21)에 반송되어 보관된 것을 나타내는 정보가, 적어도 유저 인터페이스(32) 또는 네트워크를 통해 접속된 외부 컴퓨터(도시되지 않음)에 표시되거나 통지된다. 단계 S503의 처리 후, 처리는 단계 S108로 진행한다.
제4 실시예에서는, 흡착 불량이 연속해서 발생한 웨이퍼(9)의 매수를 판정 기준으로서 미리 설정할 수 있다. 따라서, 흡착 불량의 발생 원인이 웨이퍼(9)의 이면에 부착하는 이물질일 경우와, 발생 원인이 웨이퍼 척(8)에 부착하는 이물질일 경우 사이에서 흡착 불량 회복 처리를 변경하는 것이 가능하다. 흡착 불량의 발생 원인에 따라 회복 처리를 변경할 수 있으면, 회복 처리에 요하는 시간을 단축할 수 있다. 예를 들면, 1매의 특정한 웨이퍼(9)의 이면에 부착된 이물질을 원인으로 흡착 불량이 발생한 경우, 그 웨이퍼(9)만을 불량 웨이퍼로서 리젝트 캐리어(21)에 퇴피시키고, 후속 웨이퍼(9)를 원활하게 처리함으로써, 불필요한 척 클리닝을 회피할 수 있다. 한편, 다수의 웨이퍼(9)에서 연속해서 흡착 불량이 발생한 경우, 웨이퍼 척(8)에 이물질이 부착할 가능성이 높다. 이러한 경우, 척 클리닝을 실시함으로써 로트 처리를 계속할 수 있다.
(디바이스 제조 방법)
다음으로, 디바이스(반도체 디바이스, 액정 표시 디바이스 등)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 반도체 디바이스는, 웨이퍼에 집적 회로를 형성하는 전처리와, 전처리에 의한 웨이퍼 상에 형성된 집적 회로 칩을 제품으로서 완성시키는 후처리에 의해 제조된다. 전처리는, 전술한 노광 장치를 사용해서 감광제가 도포된 웨이퍼를 노광하는 공정과, 웨이퍼를 현상하는 공정을 포함한다. 후처리는, 어셈블리 공정(다이싱 및 본딩)과, 패키징 공정(봉입)을 포함한다. 액정 표시 디바이스는 투명 전극을 형성하는 공정에 의해 제조된다. 투명 전극을 형성하는 공정은, 투명 도전막이 증착된 글래스 기판에 감광제를 도포하는 공정과, 전술한 노광 장치를 사용해서 감광제가 도포된 글래스 기판을 노광하는 공정과, 글래스 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 본 실시예의 디바이스 제조 방법에 따르면, 종래보다도 양질의 디바이스를 제조할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예에 대해서 설명하였다. 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상 및 범주 내에서 다양한 변경 및 변형이 이루어질 수 있다.
본 발명이 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시예에 한정되지 않음을 이해하여야 할 것이다. 이하의 특허청구범위의 범위는 모든 변경 및 등가 구조와 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석과 일치하여야 할 것이다.

Claims (15)

  1. 스테이지에 설치된 척에 의해 흡착된 기판을 처리하는 처리 장치이며,
    상기 기판을 상기 척에 반송하도록 구성된 반송 유닛과,
    상기 척에 의해 흡착된 상기 기판의 휘어짐을 감소시키도록 상기 기판을 가압할 수 있는 가압 부재 및 척면(chuck surface)을 클리닝할 수 있는 클리닝 부재를 상기 스테이지에 선택적으로 반송하도록 구성된 로봇과,
    상기 가압 부재를 유지하는 상기 로봇이 상기 기판의 휘어짐을 교정하기 위한 가압 처리를 실행하게 하고, 상기 클리닝 부재를 유지하는 상기 로봇이 상기 척면의 클리닝 처리를 실행하게 하도록 구성된 컨트롤러를 포함하는, 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 처리에 앞서 전처리가 행해지고,
    상기 척에 의한 상기 기판의 흡착의 불량이 발생한 경우, 상기 로봇은 상기 가압 부재를 상기 스테이지에 반송하고, 상기 스테이지에 반송된 상기 가압 부재는 상기 척에 의해 흡착된 상기 기판을 가압하고, 상기 반송 유닛은 다음에 상기 처리를 행할 기판을 상기 전처리가 행해지는 위치에 반송하는, 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 척에 의해 흡착된 상기 기판의 휘어짐이 허용 범위 내에 있는 것이 판명되고, 상기 척에 의한 상기 기판의 흡착의 불량이 발생한 경우, 상기 기판은 상기 가압 부재에 의해 가압되지 않고서 상기 반송 유닛에 의해 상기 척으로부터 제거되고, 상기 로봇은 상기 클리닝 부재를 상기 스테이지에 반송하고, 상기 스테이지에 반송된 상기 클리닝 부재는 상기 척면을 클리닝하는, 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 가압 부재가 미리정해진 횟수의 가압을 행한 후에도, 상기 기판의 흡착의 불량이 발생한 경우, 상기 반송 유닛은 상기 기판을 상기 척으로부터 제거하고, 상기 로봇은 상기 클리닝 부재를 상기 스테이지에 반송하고, 상기 스테이지에 반송된 상기 클리닝 부재는 상기 척면을 클리닝하는, 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 가압 부재가 가압을 행한 후에도, 상기 척에 의한 흡착의 불량이 미리정해진 매수의 기판에서 연속해서 발생한 경우, 상기 로봇은 상기 클리닝 부재를 상기 스테이지에 반송하고, 상기 스테이지에 반송된 상기 클리닝 부재는 상기 척면을 클리닝하는, 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 로봇은 상기 가압 부재, 상기 클리닝 부재, 및 교환 가능한 제2 척을 상기 스테이지에 선택적으로 반송하는, 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 클리닝 부재가 상기 척면을 클리닝한 후에도, 상기 척에 의한 흡착의 불량이 발생한 경우, 상기 로봇은 상기 척을 상기 스테이지로부터 제거하고, 상기 제2 척을 상기 스테이지에 반송하고, 상기 제2 척을 상기 스테이지에 설치하는, 처리 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 가압 부재, 상기 클리닝 부재 및 상기 제2 척을 보관하도록 구성된 제1 보관 유닛을 더 포함하고,
    상기 로봇은 상기 가압 부재, 상기 클리닝 부재 및 상기 제2 척 중 하나를 상기 제1 보관 유닛으로부터 상기 스테이지까지 반송하는, 처리 장치.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 척으로부터 제거된 상기 기판을 보관하도록 구성된 제2 보관 유닛을 더 포함하고,
    상기 클리닝 부재가 상기 척면을 클리닝한 후, 상기 반송 유닛은 상기 제2 보관 유닛에 보관된 상기 기판을 클리닝된 상기 척까지 반송하는, 처리 장치.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 척으로부터 제거된 상기 기판을 보관하도록 구성된 제2 보관 유닛을 더 포함하고,
    상기 클리닝 부재가 상기 척면을 클리닝한 후, 상기 반송 유닛은 상기 제2 보관 유닛에 보관된 상기 기판을 클리닝된 상기 척까지 반송하는, 처리 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 척으로부터 제거된 상기 기판을 보관하도록 구성된 제2 보관 유닛을 더 포함하고,
    상기 로봇이 상기 제2 척을 상기 스테이지에 설치한 후, 상기 반송 유닛은 상기 제2 보관 유닛에 보관된 상기 기판을 상기 제2 척까지 반송하는, 처리 장치.
  12. 제2항에 있어서,
    상기 전처리로서 상기 기판을 프리얼라인먼트하도록 구성된 프리얼라인먼트 유닛을 더 포함하는, 처리 장치.
  13. 스테이지에 설치된 척에 의해 흡착된 기판을 처리하는 처리 장치이며,
    상기 기판을 상기 척에 반송하도록 구성된 반송 유닛과,
    상기 척에 의해 흡착된 상기 기판의 휘어짐을 감소시키도록 상기 기판을 가압할 수 있는 가압 부재 및 교환 가능한 제2 척을 상기 스테이지에 선택적으로 반송하도록 구성된 로봇과,
    상기 가압 부재를 유지하는 상기 로봇이 상기 기판의 휘어짐을 교정하기 위한 가압 처리를 실행하게 하고, 상기 제2 척을 유지하는 상기 로봇이 상기 스테이지 상에서 상기 척과 상기 제2 척의 교환을 실행하게 하도록 구성된 컨트롤러를 포함하는, 처리 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 처리는 상기 기판을 노광하는 노광 처리를 포함하는, 처리 장치.
  15. 디바이스 제조 방법이며,
    스테이지에 설치된 척에 의해 흡착된 기판의 노광 처리를 행하는 노광 장치를 이용하여 기판을 노광하는 단계와,
    노광된 상기 기판을 현상하는 단계와,
    현상된 상기 기판을 가공하여 상기 디바이스를 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 노광 장치는,
    상기 기판을 상기 척에 반송하도록 구성된 반송 유닛과,
    상기 척에 의해 흡착된 상기 기판의 휘어짐을 감소시키도록 상기 기판을 가압할 수 있는 가압 부재 및 척면을 클리닝할 수 있는 클리닝 부재를 상기 스테이지에 선택적으로 반송하도록 구성된 로봇과,
    상기 가압 부재를 유지하는 상기 로봇이 상기 기판의 휘어짐을 교정하기 위한 교정 처리를 실행하게 하고, 상기 클리닝 부재를 유지하는 상기 로봇이 상기 척면의 클리닝 처리를 실행하게 하도록 구성된 컨트롤러를 포함하는, 디바이스 제조 방법.
KR1020140001710A 2013-01-15 2014-01-07 처리 장치, 디바이스 제조 방법, 및 처리 방법 KR101699120B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-004956 2013-01-15
JP2013004956A JP6122299B2 (ja) 2013-01-15 2013-01-15 処理装置、処理方法、及びデバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140092243A true KR20140092243A (ko) 2014-07-23
KR101699120B1 KR101699120B1 (ko) 2017-01-23

Family

ID=51165399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140001710A KR101699120B1 (ko) 2013-01-15 2014-01-07 처리 장치, 디바이스 제조 방법, 및 처리 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9972522B2 (ko)
JP (1) JP6122299B2 (ko)
KR (1) KR101699120B1 (ko)
TW (1) TWI550755B (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
KR102532040B1 (ko) * 2015-04-09 2023-05-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 이물 제거 장치, 이물 제거 방법, 박리 장치, 이물 검출 방법 및 이물 검출 장치
JP6732419B2 (ja) * 2015-09-02 2020-07-29 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6357187B2 (ja) * 2016-03-31 2018-07-11 キヤノン株式会社 搬送装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
JP2018113344A (ja) * 2017-01-12 2018-07-19 株式会社アルバック 基板搬送方法及び基板搬送装置
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
CN107170696B (zh) * 2017-04-21 2020-03-31 青岛杰生电气有限公司 晶圆生长控制装置和方法
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
CN111383979B (zh) * 2018-12-27 2023-03-03 上海微电子装备（集团）股份有限公司 翘曲片的预对准装置及方法
KR20220079626A (ko) * 2019-11-07 2022-06-13 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 리소그래피 장치의 부분을 세정하기 위한 시스템

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284434A (ja) 2000-03-29 2001-10-12 Lintec Corp 半導体ウェハの移載装置
KR20010113001A (ko) * 2000-06-15 2001-12-24 시마무라 테루오 노광장치, 기판처리장치 및 리소그래피 시스템, 및디바이스 제조방법
JP2003234392A (ja) 2001-12-03 2003-08-22 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ搬送方法およびこれを用いた半導体ウエハ搬送装置
JP2004207399A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Canon Inc 基板保持装置
KR20050009133A (ko) * 2003-07-11 2005-01-24 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 반송방법 및 반송장치
JP2010034427A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Canon Inc 処理装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3167089B2 (ja) * 1994-12-27 2001-05-14 キヤノン株式会社 露光装置及び方法
JP3586817B2 (ja) * 1995-12-26 2004-11-10 株式会社オーク製作所 画像形成用露光装置とワーク位置決め方法
JP3441956B2 (ja) * 1998-02-16 2003-09-02 キヤノン株式会社 露光装置、クリーニング用砥石およびデバイス製造方法
JP2005033119A (ja) * 2003-07-11 2005-02-03 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ搬送方法および搬送装置
JP5190433B2 (ja) * 2009-10-27 2013-04-24 日東電工株式会社 配線回路基板の検査方法、配線回路基板の製造方法および配線回路基板の検査装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284434A (ja) 2000-03-29 2001-10-12 Lintec Corp 半導体ウェハの移載装置
KR20010113001A (ko) * 2000-06-15 2001-12-24 시마무라 테루오 노광장치, 기판처리장치 및 리소그래피 시스템, 및디바이스 제조방법
JP2003234392A (ja) 2001-12-03 2003-08-22 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ搬送方法およびこれを用いた半導体ウエハ搬送装置
JP2004207399A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Canon Inc 基板保持装置
KR20050009133A (ko) * 2003-07-11 2005-01-24 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 반송방법 및 반송장치
JP2010034427A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Canon Inc 処理装置及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101699120B1 (ko) 2017-01-23
US20140199635A1 (en) 2014-07-17
JP2014138041A (ja) 2014-07-28
TWI550755B (zh) 2016-09-21
JP6122299B2 (ja) 2017-04-26
US9972522B2 (en) 2018-05-15
TW201428873A (zh) 2014-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101699120B1 (ko) 처리 장치, 디바이스 제조 방법, 및 처리 방법
TWI598975B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR101790447B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20060216025A1 (en) Exposure apparatus
WO2018012300A1 (ja) 積層基板製造方法、積層基板製造装置、積層基板製造システム、および基板処理装置
US20080068580A1 (en) Substrate-retaining unit
TWI801437B (zh) 積層基板之製造方法、積層基板之製造裝置、及記錄有積層基板之製造程序之電腦可讀取媒介
JP5743437B2 (ja) 露光装置、露光方法、搬送方法及びデバイスの製造方法
TWI509733B (zh) 基板處理裝置、微影裝置及物品的製造方法
JP5899153B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6002112B2 (ja) 基板の欠陥分析装置、基板処理システム、基板の欠陥分析方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US9123760B2 (en) Processing apparatus and device manufacturing method
KR20190008102A (ko) 기판 위치 조정 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템
TW201944458A (zh) 位置對準方法及位置對準裝置
JP2010166008A (ja) 基板搬送システム、露光装置およびデバイス製造方法
JP4617385B2 (ja) 基板保持機構およびそれを用いた露光装置並びにデバイス製造方法
KR20180109045A (ko) 노광 장치
CN112005359B (zh) 基板处理系统和基板处理方法
JP2012185400A (ja) 収納容器、デバイス製造装置及びデバイス製造方法
JP4381290B2 (ja) 基板処理装置
WO2024062801A1 (ja) 成膜装置及び成膜方法
WO2015040915A1 (ja) 搬入出装置および搬入出方法
JP5724182B2 (ja) 基板処理装置および積層半導体装置製造方法
JP2017227726A (ja) 基板処理方法、基板処理装置、及び物品製造方法
JPH07142348A (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200107

Year of fee payment: 4