KR20140082847A - 4-아미노카바졸 화합물 및 그 용도 - Google Patents

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Abstract

하기 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물:
Figure pct00043

식중, Ar1 내지 Ar4는, 치환 또는 미치환의, 아릴, 티에닐, 피리딜, 벤조티에닐, 다이벤조티에닐, 다이벤조퓨라닐, 4-카바졸릴, 다이벤조티에닐페닐, 다이벤조퓨라닐페닐 또는 9-카바졸릴페닐기; R1 내지 R7은, 치환 또는 미치환의, 아릴, 헤테로아릴, 헤테로아릴페닐 또는, 알킬, 알콕시, 사이아노기, 수소원자 또는 할로겐 원자; n은 0 내지 2의 정수; X는 치환 또는 미치환의, (n+1)가의, 방향족 탄화수소기, 헤테로방향족기 또는 헤테로아릴 페닐기를 나타낸다. 상기 4-아미노카바졸 화합물은, 발광효율이 높고, 내구성이 우수한 유기 EL소자를 제공한다.

Description

4-아미노카바졸 화합물 및 그 용도{4-AMINOCARBAZOLE COMPOUND AND USE OF SAME}
본 발명은 신규한 4-아미노카바졸 화합물 및 그것을 이용한 유기 EL소자에 관한 것이다.
유기 EL소자는, 유기 박막을 1쌍의 전극 사이에 끼워 유지한 면 발광형 소자로서, 박형 경량, 고시야각, 고속응답성이라고 하는 특징을 지니고, 각종 표시소자에의 응용이 기대되고 있다. 최근에는, 유기 EL소자는, 휴대전화의 디스플레이 등에 있어서 실용화도 시작되고 있다.
유기 EL소자는, 양극으로 주입된 정공과, 음극으로 주입된 전자가 발광층에서 재결합할 때 발하는 광을 이용하는 소자이며, 그 구조는 정공 수송층, 발광층, 전자수송층 등을 적층한 다층적층형이 주류이다. 여기에서, 정공 수송층이나 전자 수송층과 같은 전하 수송층은, 그것 자체는 발광하지 않지만, 발광층에의 전하 주입을 쉽게 하고, 또한, 발광층에 주입된 전하나 발광층에서 생성한 여기자의 에너지를 가두는 역할을 하고 있다. 따라서, 전하 수송층은 유기 EL소자의 저구동 전압화 및 발광효율을 향상시키기 위하여 대단히 중요하다.
정공 수송 재료에는, 적당한 이온화 전위와 정공 수송능을 지니는 아민 화합물이 이용되고, 예를 들어, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐]바이페닐(이하, "NPD"라 약칭함)이 잘 알려져 있다. 그러나, NPD를 정공 수송층에 이용한 소자의 구동 전압, 발광효율은 충분히 양호한 것은 아니고, 새로운 재료의 개발이 요구되고 있다. 또, 최근에는 발광층에 인광재료를 이용한 유기 EL소자의 개발도 진행되고 있다. 인광을 이용한 소자에서는, 3중항 준위가 높은 정공 수송 재료가 요구되고 있다. 3중항 준위라고 하는 점에서도 NPD는 충분하지 않고, 예를 들어, 녹색의 발광을 지니는 인광재료와 NPD를 조합시킨 유기 EL소자에서는, 발광효율이 저하되는 것이 보고되어 있다 (예를 들어, 비특허문헌 1 참조).
이러한 배경으로부터, 최근에는 분자 내에 카바졸환을 도입한 재료가 보고되어 있다. 구체적으로는, 3-아미노카바졸 화합물(예를 들어, 특허문헌 1,2 참조) 및 2-아미노카바졸 화합물(예를 들어, 특허문헌 3,4 참조)을 들 수 있다.
그러나, 발명자들의 측정에 의하면, 3-아미노카바졸 화합물은, NPD에 비해서 높은 3중항 준위를 지니지만, 그 이온화 전위는 NPD와 비교해서 낮았다. 3-아미노카바졸 화합물의 이온화 전위가 낮은 원인은, 카바졸환의 9번 위치의 질소원자에 의해서, 아미노기가 활성화되어 있는 것에 유래하기 때문인 것으로 여겨진다.
재료의 이온화 전위는, 유기 EL소자의 특성에 영향을 미치는 중요한 물성값이며, 특히, 발광층과 인접하는 정공 수송층에 이용할 경우, 유기 EL소자의 발광효율에 크게 영향을 미친다. 예를 들어, 이온화 전위가 낮은 재료를 발광층과 인접하는 정공 수송층에 이용한 경우, 발광 재료와의 엑시플렉스(exciplex) 형성에 의해, 유기 EL소자의 발광효율이 저하한다(예를 들어, 비특허문헌 2 참조). 따라서, 3-아미노카바졸 화합물을 정공 수송층에 이용한 유기 EL소자에서는, 충분히 높은 발광효율을 얻을 수 없었다.
한편, 2-아미노카바졸 화합물은, NPD와 동등 또는 NPD보다 높은 이온화 전위 및 NPD보다 높은 3중항 준위를 지닌다. 이 때문에, 녹색 인광재료를 이용한 소자에 있어서, 2-아미노카바졸 화합물은, NPD보다 높은 발광효율을 나타내지만, 더욱 높은 발광효율을 나타내는 화합물의 개발이 요망되고 있었다.
JP 2006-28176 A JP 2006-298898 A KR 2009-0129799 A KR 2011-001349 A
비특허문헌 1: Journal of Applied Physics, 2004, vol. 95, P7798 비특허문헌 2: Journal of Physical Chemistry C, 2008, vol. 112, P7735
본 발명은 상기 배경기술을 감안해서 이루어진 것으로, 그 목적은, 적당한 이온화 전위 및 높은 3중항 준위를 지니고, 발광효율이 우수한 화합물을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 하기 일반식 1로 표시되는 신규한 4-아미노카바졸 화합물이 적당한 이온화 전위 및 높은 3중항 준위를 지니는 것, 그리고 소자 발광효율(전류효율)이 우수한 것을 찾아내고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다:
Figure pct00001
일반식 1 중, Ar1 내지 Ar4는, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 티에닐기, 피리딜기, 벤조티에닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 4-카바졸릴기, 다이벤조티에닐페닐기, 다이벤조퓨라닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타낸다.
R1 내지 R7은, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기 또는 탄소수 9 내지 26의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨), 또는, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 사이아노기, 수소원자 또는 할로겐 원자를 나타낸다.
n은 0 내지 2의 정수를 나타낸다.
X는 탄소수 6 내지 17의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 헤테로방향족기 또는 탄소수 9 내지 26의 (n+1)가의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타낸다.
즉, 본 발명은, 이하에 나타낸 바와 같은 4-아미노카바졸 화합물, 및 그 용도에 관한 것이다:
[1] 하기 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물:
Figure pct00002
일반식 1 중, Ar1 내지 Ar4는, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 티에닐기, 피리딜기, 벤조티에닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 4-카바졸릴기, 다이벤조티에닐페닐기, 다이벤조퓨라닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타낸다.
R1 내지 R7은, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기 또는 탄소수 9 내지 26의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨), 또는, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 사이아노기, 수소원자 또는 할로겐 원자를 나타낸다.
n은 0 내지 2의 정수를 나타낸다.
X는 탄소수 6 내지 17의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 헤테로방향족기 또는 탄소수 9 내지 26의 (n+1)가의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타낸다.
[2] R1 내지 R7이, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 사이아노기, 수소원자 또는 할로겐 원자인 상기 [1]항에 기재된 4-아미노카바졸 화합물.
[3] R1 내지 R7이, 각각 독립적으로, 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기, 바이페닐릴기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 메틸기, 메톡시기 또는 수소원자인 상기 [1] 또는 [2]항에 기재된 4-아미노카바졸 화합물.
[4] R1 내지 R7이, 각각 독립적으로, 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기 또는 수소원자인 상기 [1] 내지 [3]항 중 어느 한 항에 기재된 4-아미노카바졸 화합물.
[5] R4, R5, R6 및 R7이 수소원자인 상기 [1] 내지 [4]항 중 어느 한 항에 기재된 4-아미노카바졸 화합물.
[6] R1, R2, R4, R5, R6 및 R7이 수소원자인 상기 [1] 내지 [5]항 중 어느 한 항에 기재된 4-아미노카바졸 화합물.
[7] Ar1 내지 Ar4가, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 4-카바졸릴기, 다이벤조퓨라닐페닐기, 다이벤조티에닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기,및 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)인 상기 [1] 내지 [6]항 중 어느 한 항에 기재된 4-아미노카바졸 화합물.
[8] Ar1 내지 Ar4가, 각각 독립적으로, 페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 다이벤조퓨라닐페닐기, 다이벤조티에닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨), 또는, 4-카바졸릴기(메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기,및 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)인 상기 [1] 내지 [7]항 중 어느 한 항에 기재된 4-아미노카바졸 화합물.
[9] Ar1 내지 Ar4가, 각각 독립적으로, 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 9,9'-다이메틸플루오레닐기, 11,11'-다이메틸벤조[a]플루오레닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 다이벤조티에닐페닐기, 4-(9-카바졸릴)페닐기, 9-페닐카바졸-4-일기, 9-바이페닐릴카바졸-4-일기, 9-퀴놀릴카바졸-4-일기 또는 9-다이벤조티에닐카바졸-4-일기인 상기 [1] 내지 [8]항 중 어느 한 항에 기재된 4-아미노카바졸 화합물.
[10] X가, (n+1)가의 벤젠, (n+1)가의 바이페닐, (n+1)가의 나프탈렌, (n+1)가의 페난트렌, (n+1)가의 플루오렌, (n+1)가의 나프틸벤젠, (n+1)가의 피리딘, (n+1)가의 피리미딘, (n+1)가의 1,3,5-트라이아진, (n+1)가의 퀴놀린, (n+1)가의 다이벤조티오펜, (n+1)가의 다이벤조퓨란, (n+1)가의 피리딜벤젠, (n+1)가의 이미다졸릴벤젠, (n+1)가의 벤조이미다졸릴벤젠 및 (n+1)가의 벤조티아졸릴벤젠(이들 방향환은, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)로부터 선택된 1종인 상기 [1] 내지 [9]항 중 어느 한 항에 기재된 4-아미노카바졸 화합물.
[11] X가, (n+1)가의 벤젠, (n+1)가의 바이페닐, (n+1)가의 퀴놀린, (n+1)가의 다이벤조티오펜, (n+1)가의 1,3,5-트라이아진 및 (n+1)가의 피리딜페닐(이들 방향환은, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 사이아노기, 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)로부터 선택된 1종인 상기 [1] 내지 [10]항 중 어느 한 항에 기재된 4-아미노카바졸 화합물.
[12] X가, (n+1)가의 벤젠, (n+1)가의 바이페닐, (n+1)가의 퀴놀린, (n+1)가의 다이벤조티오펜, (n+1)가의 2,4-다이페닐-1,3,5-트라이아진 또는 (n+1)가의 피리딜벤젠인 상기 [1] 내지 [11]항 중 어느 한 항에 기재된 4-아미노카바졸 화합물.
[13] n=0 또는 1인 상기 [1] 내지 [12]항 중 어느 한 항에 기재된 4-아미노카바졸 화합물.
[14] 하기 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물을 포함하는, 발광층, 정공 수송층 및 정공 주입층 중에서 선택된 적어도 하나의 층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 EL소자:
Figure pct00003
일반식 1에 있어서, Ar1 내지 Ar4는, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 티에닐기, 퓨라닐기, 피리딜기, 벤조티에닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 4-카바졸릴기, 다이벤조티에닐페닐기, 다이벤조퓨라닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타낸다.
R1 내지 R7은, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기 또는 탄소수 9 내지 26의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨), 또는, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 사이아노기, 수소원자 또는 할로겐 원자를 나타낸다.
n은 0 내지 2의 정수를 나타낸다.
X는 탄소수 6 내지 17의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 헤테로방향족기 또는 탄소수 9 내지 26의 (n+1)가의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타낸다.
[15] 하기 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물을 포함하는 정공 수송 재료 또는 정공 주입 재료:
Figure pct00004
일반식 1 중, Ar1 내지 Ar4는, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 티에닐기, 피리딜기, 벤조티에닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 4-카바졸릴기, 다이벤조티에닐페닐기, 다이벤조퓨라닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타낸다.
R1 내지 R7은, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기 또는 탄소수 9 내지 26의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨), 또는, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 사이아노기, 수소원자 또는 할로겐 원자를 나타낸다.
n은 0 내지 2의 정수를 나타낸다.
X는 탄소수 6 내지 17의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 헤테로방향족기 또는 탄소수 9 내지 26의 (n+1)가의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타낸다.
본 발명의 4-아미노카바졸 화합물을 함유하는 적어도 1개의 층을 구비하는 인광 발광성 또는 형광 발광성 유기 EL소자는, 종래 공지의 카바졸환을 도입한 재료를 포함하는 유기 EL소자에 비해서, 높은 발광효율(전류효율)을 나타내고, 또한 구동 전압이 낮다고 하는 현저한 효과를 기대할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르면, 휘도가 높고, 소비 전력이 적은 인광 발광성 또는 형광 발광성 유기 EL소자를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명에 관하여 상세히 설명한다.
본 발명의 하기 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물에 있어서,
Figure pct00005
Ar1 내지 Ar4는, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 티에닐기, 피리딜기, 벤조티에닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 4-카바졸릴기, 다이벤조티에닐페닐기, 다이벤조퓨라닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기를 나타낸다.
또, 이들은, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1개의 치환기를 지니고 있어도 된다.
Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 프로필기, 아이소프로필기, 부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 스테아릴기, 사이클로프로필기, 사이클로헥실기 등을 들 수 있다.
Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 프로폭시기, 아이소프로폭시기, n-뷰톡시기, sec-뷰톡시기, tert-뷰톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 스테아릴옥시기 등을 들 수 있다.
Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 트라이플루오로메틸기, 트라이클로로메틸기, 2-플루오로에틸기 등을 들 수 있다.
Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 트라이플루오로메톡시기, 트라이클로로메톡시기, 2-플루오로에톡시기 등을 들 수 있다.
Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 페닐기, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 2-메톡시페닐기, 3-메톡시페닐기, 4-메톡시페닐기, 2-사이아노페닐기, 3-사이아노페닐기, 4-사이아노페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트릴기, 벤조플루오레닐기 등을 들 수 있다.
Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 페녹시기, 2-메틸페녹시기, 3-메틸페녹시기, 4-메틸페녹시기, 2-메톡시페녹시기, 3-메톡시페녹시기, 4-메톡시페녹시기, 2-사이아노페녹시기, 3-사이아노페녹시기, 4-사이아노페녹시기, 4-메틸페닐옥시기, 3-메틸페닐옥시기, 4-바이페닐릴옥시기, 3-바이페닐옥시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기 등을 들 수 있다.
Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기로서는, 산소원자, 질소원자 및 황원자 중 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하는 방향족기이며, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 티아졸릴기, 아이소티아졸릴기, 옥사졸릴기, 아이소옥사졸릴기, 피리딜기, 2-메틸피리딜기, 3-메틸피리딜기, 4-메틸피리딜기, 2-메톡시피리딜기, 3-메톡시피리딜기, 4-메톡시피리딜기, 2-사이아노피리딜기, 3-사이아노피리딜기, 4-사이아노피리딜기, 피리미딜기, 피라질기, 1,3,5-트라이아질기, 벤조이미다졸릴기, 인다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조아이소티아졸릴기, 2,1,3-벤조티아다이아졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조아이소옥사졸릴기, 2,1,3-벤조옥사다이아졸릴기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 퀴녹살릴기, 퀴나졸릴기, 피롤릴기, 퓨릴기, 티에닐기, 인돌릴기, 벤조티에닐기 등을 들 수 있다.
Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기로서는, 특별히 한정되는 것이 아니지만, 예를 들어, 트라이메틸실릴기, 트라이에틸실릴기, 트라이뷰틸실릴기 등을 들 수 있다.
Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 트라이페닐실릴기, 트라이(4-메틸페닐)실릴기, 트라이(3-메틸페닐)실릴기, 트라이(4-메틸페닐)실릴기, 트라이(4-바이페닐릴)실릴기 등을 들 수 있다.
Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 할로겐 원자로서는, 불소, 염소, 브롬 또는 요오드를 들 수 있다.
Ar1 내지 Ar4의 구체예로서는, 페닐기, 4-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 2-메틸페닐기, 4-에틸페닐기, 3-에틸페닐기, 2-에틸페닐기, 4-n-프로필페닐기, 4-아이소프로필페닐기, 2-아이소프로필페닐기, 4-n-뷰틸페닐기, 4-아이소뷰틸페닐기, 4-sec-뷰틸페닐기, 4-tert-뷰틸페닐기, 4-n-펜틸페닐기, 4-아이소펜틸페닐기, 4-네오펜틸페닐기, 4-n-헥실페닐기, 4-n-옥틸페닐기, 4-n-데실페닐기, 4-n-도데실페닐기, 4-사이클로펜틸페닐기, 4-사이클로헥실페닐기, 4-트라이틸페닐기, 3-트라이틸페닐기, 4-트라이페닐실릴페닐기, 3-트라이페닐실릴페닐기, 2,4-다이메틸페닐기, 2,5-다이메틸페닐기, 3,4-다이메틸페닐기, 3,5-다이메틸페닐기, 2,6-다이메틸페닐기, 2,3,5-트라이메틸페닐기, 2,3,6-트라이메틸페닐기, 3,4,5-트라이메틸페닐기, 4-메톡시페닐기, 3-메톡시페닐기, 2-메톡시페닐기, 4-에톡시페닐기, 3-에톡시페닐기, 2-에톡시페닐기, 4-n-프로폭시페닐기, 3-n-프로폭시페닐기, 4-아이소프로폭시페닐기, 2-아이소프로폭시페닐기, 4-n-뷰톡시페닐기, 4-아이소뷰톡시페닐기, 2-sec-뷰톡시페닐기, 4-n-펜틸옥시페닐기, 4-아이소펜틸옥시페닐기, 2-아이소펜틸옥시페닐기, 4-네오펜틸옥시페닐기, 2-네오펜틸옥시페닐기, 4-n-헥실옥시페닐기, 2-(2-에틸뷰틸)옥시페닐기, 4-n-옥틸옥시페닐기, 4-n-데실옥시페닐기, 4-n-도데실옥시페닐기, 4-n-테트라데실옥시페닐기, 4-사이클로헥실옥시페닐기, 2-사이클로헥실옥시페닐기, 4-페녹시페닐기, 3-페녹시페닐기, 2-메틸-4-메톡시페닐기, 2-메틸-5-메톡시페닐기, 3-메틸-4-메톡시페닐기, 3-메틸-5-메톡시페닐기, 3-에틸-5-메톡시페닐기, 2-메톡시-4-메틸페닐기, 3-메톡시-4-메틸페닐기, 2,4-다이메톡시페닐기, 2,5-다이메톡시페닐기, 2,6-다이메톡시페닐기, 3,4-다이메톡시페닐기, 3,5-다이메톡시페닐기, 3,5-다이에톡시페닐기, 3,5-다이-n-뷰톡시페닐기, 2-메톡시-4-에톡시페닐기, 2-메톡시-6-에톡시페닐기, 3,4,5-트라이메톡시페닐기, 4-사이아노페닐기, 3-사이아노페닐기, 4-플루오로페닐기, 3-플루오로페닐기, 2-플루오로페닐기, 2,3-다이플루오로페닐기, 2,4-다이플루오로페닐기, 2,5-다이플루오로페닐기, 2,6-다이플루오로페닐기, 3,4-다이플루오로페닐기, 3,5-다이플루오로페닐기, 4-바이페닐릴기, 3-바이페닐릴기, 2-바이페닐릴기, 2-메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 3-메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2'-메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 3'-메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 4'-메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2,6-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2,2'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2,3'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2,4'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 3,2'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2', 3'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2', 4'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2', 5'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2', 6'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, p-터페닐기, m-터페닐기, o-터페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 2-메틸나프탈렌-1-일기, 4-메틸나프탈렌-1-일기, 6-메틸나프탈렌-2-일기, 4-(1-나프틸)페닐기, 4-(2-나프틸)페닐기, 3-(1-나프틸)페닐기, 3-(2-나프틸)페닐기, 3-메틸-4-(1-나프틸)페닐기, 3-메틸-4-(2-나프틸)페닐기, 4-(2-메틸나프탈렌-1-일)페닐기, 3-(2-메틸나프탈렌-1-일)페닐기, 4-페닐나프탈렌-1-일기, 4-(2-메틸페닐)나프탈렌-1-일기, 4-(3-메틸페닐)나프탈렌-1-일기, 4-(4-메틸페닐)나프탈렌-1-일기, 6-페닐나프탈렌-2-일기, 4-(2-메틸페닐)나프탈렌-2-일기, 4-(3-메틸페닐)나프탈렌-2-일기, 4-(4-메틸페닐)나프탈렌-2-일기, 2-플루오레닐기, 9,9-다이메틸-2-플루오레닐기, 9,9-다이에틸-2-플루오레닐기, 9,9-다이-n-프로필-2-플루오레닐기, 9,9-다이-n-옥틸-2-플루오레닐기, 9,9-다이페닐-2-플루오레닐기, 9,9'-스피로비플루오레닐기, 9-페난트릴기, 2-페난트릴기, 벤조플루오레닐기, 2-피리딜기, 3-메틸-2-피리딜기, 4-메틸-2-피리딜기, 5-메틸-2-피리딜기, 6-메틸-2-피리딜기, 3-피리딜기, 4-메틸-3-피리딜기, 4-피리딜기, 2,2'-바이피리딘-3-일기, 2,2'-바이피리딘-4-일기, 2,2'-바이피리딘-5-일기, 2,3'-바이피리딘-3-일기, 2,3'-바이피리딘-4-일기, 2,3'-바이피리딘-5-일기, 2-티에닐기, 3-티에닐기, 2-퓨라닐기, 3-퓨라닐기, 2-벤조티에닐기, 3-벤조티에닐기, 2-다이벤조티에닐기, 4-다이벤조티에닐기, 2-다이벤조퓨라닐기, 4-다이벤조퓨라닐기, 4-(2-피리딜)페닐기, 4-(3-피리딜)페닐기, 4-(4-피리딜)페닐기, 3-(2-피리딜)페닐기, 3-(3-피리딜)페닐기, 3-(4-피리딜)페닐기, 4-(2-메틸벤조이미다졸-1-일)페닐기, 4-(1-메틸벤조이미다졸-2-일)페닐기, 3-(2-메틸벤조이미다졸-1-일)페닐기, 3-(1-메틸벤조이미다졸-2-일)페닐기, 4-(2-티에닐)페닐기, 4-(2-퓨라닐)페닐기, 4-(2-다이벤조티에닐)페닐기, 3-(2-다이벤조티에닐)페닐기, 4-(4-다이벤조티에닐)페닐기, 3-(4-다이벤조티에닐)페닐기, 4-(2-다이벤조퓨라닐)페닐기, 3-(2-다이벤조퓨라닐)페닐기, 4-(4-다이벤조퓨라닐)페닐기, 3-(4-다이벤조퓨라닐)페닐기, 5-페닐티오펜-2-일기, 5-페닐피리딘-2-일기, 4-페닐피리딘-2-일기, 5-페닐피리딘-3-일기, 4-(9-카바졸릴)페닐기, 3-(9-카바졸릴)페닐기 등을 예시할 수 있다.
Ar1 내지 Ar4는 이들 구체예로 한정되는 것은 아니다.
일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물의 3중항 준위가 높은 것 및/또는 정공 수송 특성이 양호한 점에서, Ar1 내지 Ar4로서는, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 4-카바졸릴기, 다이벤조퓨라닐페닐기, 다이벤조티에닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄, 또는 환상의 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기,및 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1개의 치환기를 지니고 있어도 됨)인 것이 바람직하다.
페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 다이벤조퓨라닐페닐기, 다이벤조티에닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1개의 치환기를 지니고 있어도 됨), 또는, 4-카바졸릴기(메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기,및 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1개의 치환기를 1종이상 지니고 있어도 된다)인 것이 보다 바람직하다.
페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 9,9'-다이메틸플루오레닐기, 11,11'-다이메틸벤조[a]플루오레닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 다이벤조티에닐페닐기, 4-(9-카바졸릴)페닐기, 9-페닐카바졸-4-일기, 9-바이페닐릴카바졸-4-일기, 9-퀴놀릴카바졸-4-일기, 9-다이벤조티에닐카바졸-4-일기인 것이 더욱 바람직하다.
일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물에 있어서, R1 내지 R7은, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 9 내지 26의 헤테로아릴 페닐기, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 사이아노기, 수소원자 또는 할로겐 원자를 나타낸다.
또, 상기 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기,및 탄소수 9 내지 26의 헤테로아릴 페닐기에 대해서는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1개의 치환기를 지니고 있어도 된다.
R1 내지 R7이 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 Ar1 내지 Ar4에 있어서 나타낸 탄소수 6 내지 30의 아릴기와 같은 치환기를 들 수 있다.
R1 내지 R7이 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 9 내지 26의 헤테로아릴기는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어, 산소원자, 질소원자 및 황원자 중 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하는 방향족기를 들 수 있다. 그 구체예로서는, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 티아졸릴기, 아이소티아졸릴기, 옥사졸릴기, 아이소옥사졸릴기, 피리딜기, 2-메틸피리딜기, 3-메틸피리딜기, 4-메틸피리딜기, 2-메톡시피리딜기, 3-메톡시피리딜기, 4-메톡시피리딜기, 2-사이아노피리딜기, 3-사이아노피리딜기, 4-사이아노피리딜기, 피리미딜기, 피라질기, 1,3,5-트라이아질기, 벤조이미다졸릴기, 인다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조아이소티아졸릴기, 2,1,3-벤조티아다이아졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조아이소옥사졸릴기, 2,1,3-벤조옥사다이아졸릴기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 퀴녹살릴기, 퀴나졸릴기, 아크리디닐기, 1,10-페난트롤릴기, 피롤릴기, 퓨릴기, 티에닐기, 인돌릴기, 벤조티에닐기, 4-카바졸릴기, 9-카바졸릴기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기 등을 들 수 있다.
R1 내지 R7이 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 9 내지 26의 헤테로아릴 페닐기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 피리딜페닐기, 이미다졸릴페닐기, 벤조이미다졸릴페닐기, 벤조티아졸릴페닐기, 트라이아질페닐기, 피로릴페닐기, 퓨라닐페닐기, 다이벤조퓨라닐페닐기 또는 다이벤조티에닐페닐기 등을 예시할 수 있다.
R1 내지 R7이 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 Ar1 내지 Ar4에 있어서 나타낸 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기와 같은 치환기를 들 수 있다.
R1 내지 R7이 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 Ar1 내지 Ar4에 있어서 나타낸 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기와 같은 치환기를 들 수 있다.
R1 내지 R7이 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 Ar1 내지 Ar4에 있어서 나타낸 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기와 같은 치환기를 들 수 있다.
R1 내지 R7이 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 Ar1 내지 Ar4에 있어서 나타낸 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기와 같은 치환기를 들 수 있다.
R1 내지 R7이 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 Ar1 내지 Ar4에 있어서 나타낸 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기와 같은 치환기를 들 수 있다.
R1 내지 R7이 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 Ar1 내지 Ar4에 있어서 나타낸 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기와 같은 치환기를 들 수 있다.
R1 내지 R7이 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 Ar1 내지 Ar4에 있어서 나타낸 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기와 같은 치환기를 들 수 있다.
R1 내지 R7이 치환기로서 지녀도 되는 할로겐 원자로서는, 상기 Ar1 내지 Ar4에 있어서 나타낸 할로겐 원자와 같은 원자를 들 수 있다.
일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물의 3중항 준위가 높은 점 및/또는 정공 수송 특성이 양호한 점에서, R1 내지 R7은, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 사이아노기, 수소원자 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하다. 또한, 공업적인 원료 입수의 용이성을 고려하면, R1 내지 R7은, 각각 독립적으로, 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기, 바이페닐릴기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 메틸기, 메톡시기 또는 수소원자인 것이 보다 바람직하다. R1 내지 R7은, 각각 독립적으로, 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기 또는 수소원자인 것이 더욱 바람직하다.
또, 공업적 제조 방법을 감안한 경우, R4, R5, R6 및 R7이 수소원자인 것이 한층 바람직하며, R1, R2, R4, R5, R6 및 R7이 수소원자인 것이 더 한층 바람직하다
일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물에 있어서, n은 0 내지 2의 정수를 나타낸다. 이 중, 3중항 준위가 높고, 정공 수송 특성이 양호한 점에서, n=0 또는 1인 것이 바람직하며, n=0인 것이 보다 바람직하다.
일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물에 있어서, X는 탄소수 6 내지 17의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 헤테로방향족기 또는 탄소수 9 내지 26의 (n+1)가의 헤테로아릴 페닐기를 나타낸다.
또, 이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1개의 치환기를 지니고 있어도 된다.
X에 있어서의 탄소수 6 내지 17의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 페닐기, 페닐렌기, 벤젠트라이일기, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 메틸벤젠다이일기, 메틸벤젠트라이일기, 2-메톡시페닐기, 3-메톡시페닐기, 4-메톡시페닐기, 메톡시벤젠다이일기, 메톡시벤젠트라이일기, 2-사이아노페닐기, 3-사이아노페닐기, 사이아노벤젠다이일기, 사이아노벤젠트라이일기, 바이페닐릴기, 바이페닐릴렌기, 바이페닐트라이일기, 나프틸기, 나프틸렌기, 나프탈렌트라이일기, 플루오레닐기, 플루오렌다이일기, 플루오렌트라이일기, 벤조플루오레닐기, 벤조플루오렌다이일기, 벤조플루오렌트라이일기, 페난트릴기, 페난트렌다이일기, 페난트렌트라이일기 등을 들 수 있다.
X에 있어서의 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 헤테로방향족기는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 산소원자, 질소원자 및 황원자 중 적어도 하나의 헤테로원자를 함유한다 (n+1)가의 헤테로방향족기를 나타낸다. 그 구체예로서는, 이미다졸릴기, 이미다졸다이일기, 이미다졸트라이일기, 피라졸릴기, 피라졸다이일기, 피라졸트라이일기, 티아졸릴기, 티아졸다이일기, 티아졸트라이일기, 아이소티아졸릴기, 아이소티아졸다이일기, 아이소티아졸트라이일기, 옥사졸릴기, 옥사졸다이일기, 옥사졸트라이일기, 아이소옥사졸릴기, 아이소옥사졸다이일기, 아이소옥사졸트라이일기, 피리딜기, 피리딘다이일기, 피리딘트라이일기, 2-메틸피리딜기, 3-메틸피리딜기, 4-메틸피리딜기, 메틸피리딘다이일기, 메틸피리딘트라이일기, 2-메톡시피리딜기, 3-메톡시피리딜기, 4-메톡시피리딜기, 메톡시피리딘다이일기, 메톡시피리딘트라이일기, 2-사이아노피리딜기, 3-사이아노피리딜기, 4-사이아노피리딜기, 사이아노피리딘다이일기, 사이아노피리딘트라이일기, 피리미딜기, 피리미딘다이일기, 피리미딘트라이일기, 피라질기, 피라진다이일기, 피라진트라이일기, 1,3,5-트라이아질기, 1,3,5-트라이아진다이일기, 1,3,5-트라이아진트라이일기, 벤조이미다졸릴기, 벤조이미다졸다이일기, 벤조이미다졸트라이일기, 인다졸릴기, 인다졸다이일기, 인다졸트라이일기, 벤조티아졸릴기, 벤조티아졸다이일기, 벤조티아졸트라이일기, 벤조아이소티아졸릴기, 벤조아이소티아졸다이일기, 벤조아이소티아졸트라이일기, 2,1,3-벤조티아다이아졸릴기, 2,1,3-벤조티아다이아졸다이일기, 2,1,3-벤조티아다이아졸트라이일기, 벤조옥사졸릴기, 벤조옥사졸다이일기, 벤조옥사졸트라이일기, 벤조아이소옥사졸릴기, 벤조아이소옥사졸다이일기, 벤조아이소옥사졸다이일기, 2,1,3-벤조옥사다이아졸릴기, 2,1,3-벤조옥사다이아졸다이일기, 2,1,3-벤조옥사다이아졸트라이일기, 퀴놀릴기, 퀴놀린다이일기, 퀴놀린트라이일기, 아이소퀴놀릴기, 아이소퀴놀린다이일기, 아이소퀴놀린트라이일기, 퀴녹살릴기, 퀴녹살린다이일기, 퀴녹살린트라이일기, 퀴나졸릴기, 퀴나졸린다이일기, 퀴나졸린트라이일기, 아크리디닐기, 아크리딘다이일기, 아크리딘트라이일기, 1,10-페난트롤릴기, 1,10-페난트롤린다이일기, 1,10-페난트롤린트라이일기, 피롤릴기, 피롤다이일기, 피롤트라이일기, 퓨릴기, 퓨란다이일기, 퓨란트라이일기, 티에닐기, 티오펜다이일기, 티오펜트라이일기, 인돌릴기, 인돌다이일기, 인돌트라이일기, 벤조티에닐기, 벤조티오펜다이일기, 벤조티오펜트라이일기, 4-카바졸릴기, 카바졸다이일기, 카바졸트라이일기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조티오펜다이일기, 다이벤조티오펜트라이일기, 다이벤조퓨라닐기, 다이벤조퓨란다이일기, 다이벤조퓨란트라이일기 등을 들 수 있다.
X에 있어서의 탄소수 9 내지 26의 (n+1)가의 헤테로아릴 페닐기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 피리딜페닐릴기, 피리딜페닐다이일기, 피리딜페닐트라이일기, 이미다졸릴페닐릴기, 이미다졸릴페닐다이일기, 이미다졸릴페닐트라이일기, 벤조이미다졸릴페닐릴기, 벤조이미다졸릴페닐다이일기, 벤조이미다졸릴페닐트라이일기, 벤조티아졸릴페닐릴기, 벤조티아졸릴페닐다이일기, 벤조티아졸릴페닐트라이일기, 트라이아질페닐릴기, 트라이아질페닐다이일기, 트라이아질페닐트라이일기, 피로릴페닐릴기, 피로릴페닐다이일기, 피로릴페닐트라이일기, 퓨라닐페닐릴기, 퓨라닐페닐다이일기, 퓨라닐페닐트라이일기, 다이벤조퓨라닐페닐릴기, 다이벤조퓨라닐페닐다이일기, 다이벤조퓨라닐페닐트라이일기, 다이벤조티에닐페닐릴기, 다이벤조티에닐페닐다이일기 또는 다이벤조티에닐페닐트라이일기 등을 예시할 수 있다.
X가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, Ar1 내지 Ar4에 있어서의 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기와 같은 치환기를 들 수 있다.
X가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, Ar1 내지 Ar4에 있어서의 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기와 같은 치환기를 들 수 있다.
X가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, Ar1 내지 Ar4에 있어서의 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기와 같은 치환기를 들 수 있다.
X가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, Ar1 내지 Ar4에 있어서의 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기와 같은 치환기를 들 수 있다.
X가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 6 내지 12의 아릴기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 페닐기, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 2-메톡시페닐기, 3-메톡시페닐기, 4-메톡시페닐기, 2-사이아노페닐기, 3-사이아노페닐기, 바이페닐릴기, 나프틸기 등을 들 수 있다.
X가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기와 같은 치환기를 들 수 있다.
X가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 R1 내지 R7이 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기와 같은 치환기를 들 수 있다.
X가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기와 같은 치환기를 들 수 있다.
X가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 상기 Ar1 내지 Ar4가 치환기로서 지녀도 되는 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기와 같은 치환기를 들 수 있다.
X의 구체예로서는, 페닐기, 4-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 2-메틸페닐기, 4-에틸페닐기, 3-에틸페닐기, 2-에틸페닐기, 4-n-프로필페닐기, 4-아이소프로필페닐기, 2-아이소프로필페닐기, 4-n-뷰틸페닐기, 4-아이소뷰틸페닐기, 4-sec-뷰틸페닐기, 4-tert-뷰틸페닐기, 4-n-펜틸페닐기, 4-아이소펜틸페닐기, 4-네오펜틸페닐기, 4-n-헥실페닐기, 4-n-옥틸페닐기, 4-n-데실페닐기, 4-n-도데실페닐기, 4-사이클로펜틸페닐기, 4-사이클로헥실페닐기, 4-트라이틸페닐기, 3-트라이틸페닐기, 4-트라이페닐실릴페닐기, 3-트라이페닐실릴페닐기, 2,4-다이메틸페닐기, 2,5-다이메틸페닐기, 3,4-다이메틸페닐기, 3,5-다이메틸페닐기, 2,6-다이메틸페닐기, 2,3,5-트라이메틸페닐기, 2,3,6-트라이메틸페닐기, 3,4,5-트라이메틸페닐기, 4-메톡시페닐기, 3-메톡시페닐기, 2-메톡시페닐기, 4-에톡시페닐기, 3-에톡시페닐기, 2-에톡시페닐기, 4-n-프로폭시페닐기, 3-n-프로폭시페닐기, 4-아이소프로폭시페닐기, 2-아이소프로폭시페닐기, 4-n-뷰톡시페닐기, 4-아이소뷰톡시페닐기, 2-sec-뷰톡시페닐기, 4-n-펜틸옥시페닐기, 4-아이소펜틸옥시페닐기, 2-아이소펜틸옥시페닐기, 4-네오펜틸옥시페닐기, 2-네오펜틸옥시페닐기, 4-n-헥실옥시페닐기, 2-(2-에틸뷰틸)옥시페닐기, 4-n-옥틸옥시페닐기, 4-n-데실옥시페닐기, 4-n-도데실옥시페닐기, 4-n-테트라데실옥시페닐기, 4-사이클로헥실옥시페닐기, 2-사이클로헥실옥시페닐기, 4-페녹시페닐기, 3-페녹시페닐기, 2-메틸-4-메톡시페닐기, 2-메틸-5-메톡시페닐기, 3-메틸-4-메톡시페닐기, 3-메틸-5-메톡시페닐기, 3-에틸-5-메톡시페닐기, 2-메톡시-4-메틸페닐기, 3-메톡시-4-메틸페닐기, 2,4-다이메톡시페닐기, 2,5-다이메톡시페닐기, 2,6-다이메톡시페닐기, 3,4-다이메톡시페닐기, 3,5-다이메톡시페닐기, 3,5-다이에톡시페닐기, 3,5-다이-n-뷰톡시페닐기, 2-메톡시-4-에톡시페닐기, 2-메톡시6-에톡시페닐기, 3,4,5-트라이메톡시페닐기, 4-사이아노페닐기, 3-사이아노페닐기, 4-플루오로페닐기, 3-플루오로페닐기, 2-플루오로페닐기, 2,3-다이플루오로페닐기, 2,4-다이플루오로페닐기, 2,5-다이플루오로페닐기, 2,6-다이플루오로페닐기, 3,4-다이플루오로페닐기, 3,5-다이플루오로페닐기, 4-바이페닐릴기, 3-바이페닐릴기, 2-바이페닐릴기, 2-메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 3-메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2'-메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 3'-메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 4'-메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2,6-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2,2'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2,3'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2,4'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 3,2'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2',3'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2',4'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2',5'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 2',6'-다이메틸-1,1'-바이페닐-4-일기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 2-메틸나프탈렌-1-일기, 4-메틸나프탈렌-1-일기, 6-메틸나프탈렌-2-일기, 4-(1-나프틸)페닐기, 4-(2-나프틸)페닐기, 3-(1-나프틸)페닐기, 3-(2-나프틸)페닐기, 3-메틸-4-(1-나프틸)페닐기, 3-메틸-4-(2-나프틸)페닐기, 4-(2-메틸나프탈렌-1-일)페닐기, 3-(2-메틸나프탈렌-1-일)페닐기, 4-페닐나프탈렌-1-일기, 4-(2-메틸페닐)나프탈렌-1-일기, 4-(3-메틸페닐)나프탈렌-1-일기, 4-(4-메틸페닐)나프탈렌-1-일기, 6-페닐나프탈렌-2-일기, 4-(2-메틸페닐)나프탈렌-2-일기, 4-(3-메틸페닐)나프탈렌-2-일기, 4-(4-메틸페닐)나프탈렌-2-일기, 2-플루오레닐기, 9,9-다이메틸-2-플루오레닐기, 9,9-다이에틸-2-플루오레닐기, 9,9-다이-n-프로필2-플루오레닐기, 9,9-다이-n-옥틸-2-플루오레닐기, 9,9-다이페닐-2-플루오레닐기, 9-페난트릴기, 2-페난트릴기, 벤조플루오레닐기, 1-이미다졸릴기, 2-페닐-1-이미다졸릴기, 2-페닐-3,4-다이메틸-1-이미다졸릴기, 2,3,4-트라이페닐-1-이미다졸릴기, 2-(2-나프틸)-3,4-다이메틸-1-이미다졸릴기, 2-(2-나프틸)-3,4-다이페닐-1-이미다졸릴기, 1-메틸-2-이미다졸릴기, 1-에틸-2-이미다졸릴기, 1-페닐-2-이미다졸릴기, 1-메틸-4-페닐-2-이미다졸릴기, 1-메틸-4,5-다이메틸-2-이미다졸릴기, 1-메틸-4,5-다이페닐-2-이미다졸릴기, 1-페닐-4,5-다이메틸-2-이미다졸릴기, 1-페닐-4,5-다이페닐-2-이미다졸릴기, 1-페닐-4,5-다이바이페닐릴-2-이미다졸릴기, 1-메틸-3-피라졸릴기, 1-페닐-3-피라졸릴기, 1-메틸-4-피라졸릴기, 1-페닐-4-피라졸릴기, 1-메틸-5-피라졸릴기, 1-페닐-5-피라졸릴기, 2-티아졸릴기, 4-티아졸릴기, 5-티아졸릴기, 3-아이소티아졸릴기, 4-아이소티아졸릴기, 5-아이소티아졸릴기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 3-아이소옥사졸릴기, 4-아이소옥사졸릴기, 5-아이소옥사졸릴기, 2-피리딜기, 3-메틸-2-피리딜기, 4-메틸-2-피리딜기, 5-메틸-2-피리딜기, 6-메틸-2-피리딜기, 3-피리딜기, 4-메틸-3-피리딜기, 4-피리딜기, 2-피리미딜기, 2,2'-바이피리딘-3-일기, 2,2'-바이피리딘-4-일기, 2,2'-바이피리딘-5-일기, 2,3'-바이피리딘-3-일기, 2,3'-바이피리딘-4-일기, 2,3'-바이피리딘-5-일기, 5-피리미딜기, 피라질기, 1,3,5-트라이아질기, 4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진-2-일기, 1-벤조이미다졸릴기, 2-메틸-1-벤조이미다졸릴기, 2-페닐-1-벤조이미다졸릴기, 1-메틸-2-벤조이미다졸릴기, 1-페닐-2-벤조이미다졸릴기, 1-메틸-5-벤조이미다졸릴기, 1,2-다이메틸-5-벤조이미다졸릴기, 1-메틸-2-페닐-5-벤조이미다졸릴기, 1-페닐-5-벤조이미다졸릴기, 1,2-다이페닐-5-벤조이미다졸릴기, 1-메틸-6-벤조이미다졸릴기, 1,2-다이메틸-6-벤조이미다졸릴기, 1-메틸-2-페닐-6-벤조이미다졸릴기, 1-페닐-6-벤조이미다졸릴기, 1,2-다이페닐-6-벤조이미다졸릴기, 1-메틸-3-인다졸릴기, 1-페닐-3-인다졸릴기, 2-벤조티아졸릴기, 4-벤조티아졸릴기, 5-벤조티아졸릴기, 6-벤조티아졸릴기, 7-벤조티아졸릴기, 3-벤조아이소티아졸릴기, 4-벤조아이소티아졸릴기, 5-벤조아이소티아졸릴기, 6-벤조아이소티아졸릴기, 7-벤조아이소티아졸릴기, 2,1,3-벤조티아다이아졸-4-일기, 2,1,3-벤조티아다이아졸-5-일기, 2-벤조옥사졸릴기, 4-벤조옥사졸릴기, 5-벤조옥사졸릴기, 6-벤조옥사졸릴기, 7-벤조옥사졸릴기, 3-벤조아이소옥사졸릴기, 4-벤조아이소옥사졸릴기, 5-벤조아이소옥사졸릴기, 6-벤조아이소옥사졸릴기, 7-벤조아이소옥사졸릴기, 2,1,3-벤조옥사다이아졸릴-4-일기, 2,1,3-벤조옥사다이아졸릴-5-일기, 2-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살릴기, 3-페닐-2-퀴녹살릴기, 6-퀴녹살릴기, 2,3-다이메틸-6-퀴녹살릴기, 2,3-다이페닐-6-퀴녹살릴기, 2-퀴나졸릴기, 4-퀴나졸릴기, 2-아크리디닐기, 9-아크리디닐기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2-티에닐기, 3-티에닐기, 2-퓨라닐기, 3-퓨라닐기, 1-메틸인돌-2-일기, 1-페닐인돌-2-일기, 2-벤조티에닐기, 2-다이벤조티에닐기, 4-다이벤조티에닐기, 2-다이벤조퓨라닐기, 4-다이벤조퓨라닐기, 4-(2-피리딜)페닐기, 4-(3-피리딜)페닐기, 4-(4-피리딜)페닐기, 3-(2-피리딜)페닐기, 3-(3-피리딜)페닐기, 3-(4-피리딜)페닐기, 4-(2-페닐이미다졸-1-일)페닐기, 4-(1-페닐이미다졸-2-일)페닐기, 4-(2,3,4-트라이페닐이미다졸-1-일)페닐기, 4-(1-메틸-4,5-다이페닐이미다졸-2-일)페닐기, 4-(2-메틸벤조이미다졸-1-일)페닐기, 4-(2-페닐벤조이미다졸-1-일)페닐기, 4-(1-메틸벤조이미다졸-2-일)페닐기, 4-(2-페닐벤조이미다졸-1-일)페닐기, 3-(2-메틸벤조이미다졸-1-일)페닐기, 3-(2-페닐벤조이미다졸-1-일)페닐기, 3-(1-메틸벤조이미다졸-2-일)페닐기, 3-(2-페닐벤조이미다졸-1-일)페닐기, 4-(3,5-다이페닐트라이아진-1-일)페닐기, 4-(2-티에닐)페닐기, 4-(2-퓨라닐)페닐기, 5-페닐티오펜-2-일기, 5-페닐피리딘-2-일기, 4-페닐피리딘-2-일기, 5-페닐피리딘-3-일기, 4-(9-카바졸릴)페닐기, 3-(9-카바졸릴)페닐기 등(및 이들 기의 2가, 3가 방향족기를 포함함)을 예시할 수 있다, X는 이들로 한정되는 것은 아니다.
일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물에 있어서, 양호한 소자 특성을 얻을 수 있는 점에서, X는, (n+1)가의 벤젠, (n+1)가의 바이페닐, (n+1)가의 나프탈렌, (n+1)가의 페난트렌, (n+1)가의 플루오렌, (n+1)가의 나프틸벤젠, (n+1)가의 피리딘, (n+1)가의 피리미딘, (n+1)가의 1,3,5-트라이아진, (n+1)가의 퀴놀린, (n+1)가의 다이벤조티오펜, (n+1)가의 다이벤조퓨란, (n+1)가의 피리딜벤젠, (n+1)가의 이미다졸릴벤젠, (n+1)가의 벤조이미다졸릴벤젠 및 (n+1)가의 벤조티아졸릴벤젠(이들 방향환은, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1개의 치환기를 지니고 있어도 됨)으로부터 선택되는 것이 바람직하다. (n+1)가의 벤젠, (n+1)가의 바이페닐, (n+1)가의 퀴놀린, (n+1)가의 다이벤조티오펜, (n+1)가의 2,4-다이페닐-1,3,5-트라이아진 또는 (n+1)가의 피리딜페닐벤젠인 것이 더욱 바람직하다. 페닐기, 퀴놀릴기, 다이벤조티에닐기, 2,4-다이페닐-1,3,5-트라이아지닐기, 피리딜페닐기인 것이 한층 바람직하다.
배경기술에서 기술한 바와 같이, 인광을 지니는 발광 재료를 이용한 유기 EL소자에 있어서, 높은 발광효율을 얻기 위해서는, 정공 수송 재료의 3중항 준위가 발광 재료의 3중항 준위보다도 높을 필요가 있다.
예를 들면, 녹색의 인광 발광을 지니는 대표적인 재료인 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(이하, "Ir(ppy)3"이라 약칭함)과 조합시켜서 사용할 경우, 해당 재료의 3중항 준위가 2.42eV인 점에서(비특허문헌 1), 상기 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물의 3중항 준위는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 2.43eV 이상인 것이 바람직하다. 2.50eV 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또, 청색의 인광 발광을 지니는 대표적인 재료인 비스[2-(4,6-다이플루오로페닐)피리디나토-N,C']이리듐(III)피콜리레이트(이하, "FIrpic"라 약칭함)와 조합시켜서 사용할 경우, 해당 재료의 3중항 준위가 2.65eV인 점에서(Applied Physics Letters, 2003, vol. 82, p2422), 상기 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물의 3중항 준위는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 2.66eV 이상인 것이 바람직하며, 2.70eV 이상인 것이 더욱 바람직하다.
이하에, 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물의 바람직한 구체예의 구조식을 예시하지만, 이들 구체예로 한정되는 것은 아니다.
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
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Figure pct00031
상기 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물은, 예를 들어, 4번 위치가 할로겐화된 9H-카바졸 화합물을 원료로서 이용해서, 공지의 방법(Tetrahedron Letters, 1998, vol. 39, p2367)에 의해 합성할 수 있다. 구체적으로는, 하기 루트 a 및 루트 b에 의해 합성할 수 있다.
루트 a
루트 a는 하기 반응 공정을 포함한다. 일반식 (2)로 표시되는, 4번 위치가 할로겐화된 9H-카바졸 화합물과, 일반식 (3)으로 표시되는 할로겐 원자를 지니는 화합물을, 염기의 존재 하, 구리 촉매 또는 팔라듐 촉매를 이용해서 반응시켜, 일반식 (4)로 표시되는 4-할로겐화-9-치환 카바졸 화합물을 얻는다. 또한, 얻어진 일반식 (4)로 표시되는 4-할로겐화-9-치환 카바졸 화합물과, 일반식 (5)로 표시되는 2급 아민 화합물 또는 일반식 (6)으로 표시되는 1급 아민 화합물을, 염기의 존재 하, 구리 촉매 또는 팔라듐 촉매를 이용해서 반응시킨다.
Figure pct00032
일반식 (2) 내지 (6)에 있어서, Ar1 내지 Ar4, R1 내지 R7, X 및 n은 상기 와 동일한 의미이며, A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 할로겐 원자[요오드, 브롬, 염소 또는 불소]를 나타낸다.
루트 b
루트 b는 하기 반응 공정을 포함한다. 일반식 (2)로 표시되는 4번 위치가 할로겐화된 9H-카바졸 화합물과, 일반식 (7)로 표시되는 할로겐화 화합물을, 염기의 존재 하, 구리 촉매 또는 팔라듐 촉매를 이용해서 반응시켜, 일반식 (8)로 표시되는 4번 위치 및 9번 위치의 치환기 X가 할로겐화된 카바졸 화합물을 얻는다. 또한, 염기의 존재 하, 구리 촉매 또는 팔라듐 촉매를 이용해서 2급 아민 화합물을 반응시킨다.
Figure pct00033
일반식 (2), (5), (7), (8)에 있어서, Ar1 내지 Ar4, R1 내지 R7 및 X는 상기 와 동일한 의미이며, A, B, C 및 D는 각각 독립적으로 할로겐 원자[요오드, 브롬, 염소 또는 불소]를 나타낸다. m은 0 내지 2의 정수를 나타낸다.
일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물의 합성 방법은, 루트 a 및 루트 b로 한정되는 것은 아니고, 다른 루트에 의해 합성하는 것도 가능하다.
본 발명의 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물은, 유기 EL소자의 발광층, 정공 수송층 또는 정공 주입층의 구성 재료로서 사용할 수 있다.
특히, 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물은, 형광 발광 재료 또는 인광 발광 재료를 발광층에 이용한 소자에 있어서, 적어도 1개의 정공 주입층, 정공 수송층 또는 발광층의 구성 재료로서 바람직하게 이용할 수 있다.
일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물을 유기 EL소자의 정공 주입층 및/또는 정공 수송층으로서 사용할 때의 발광층에는, 종래부터 사용되고 있는 공지의 형광 또는 인광 발광 재료를 사용할 수 있다. 발광층은 1종류의 발광 재료만으로 형성되어 있어도 되고, 호스트 재료 중에 1종류 이상의 발광 재료가 도핑되어 있어도 된다.
일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물로 이루어진 정공 주입층 및/또는 정공 수송층을 형성할 때에는, 필요에 따라서 2종류 이상의 재료를 함유 또는 적층시켜도 되고, 예를 들어, 산화몰리브덴 등의 산화물, 7,7,8,8-테트라사이아노퀴노다이메탄, 2,3,5,6-테트라 플루오로-7,7,8,8-테트라사이아노퀴노다이메탄, 헥사사이아노헥사아자트라이페닐렌 등의 공지의 전자수용성 재료를 함유 또는 적층시켜도 된다.
또한, 본 발명의 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물은 유기 EL소자의 발광층으로서도 사용할 수 있다. 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물을 유기 EL소자의 발광층으로서 사용할 경우에는, 4-아미노카바졸 화합물을 단독으로 사용하거나, 공지의 발광 호스트 재료에 도핑해서 사용하거나, 또는 공지의 발광 도펀트를 도핑해서 사용할 수 있다.
일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물을 함유하는 정공 주입층, 정공 수송층 또는 발광층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어, 진공증착법, 스핀 코팅법, 주조법 등의 공지의 방법을 적용할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의거해서 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
1H-NMR 및 13C-NMR 측정은, 바리안사(Varian, Inc.) 제품인 Gemini 200을 이용해서 행하였다.
FDMS 측정은, 히다치세이사큐쇼(Hitachi Ltd.) 제품인 M-80B를 이용해서 행하였다. 3중항 준위는, 히타치 하이 테크놀러지즈사(Hitachi High-Technologies Corporation.) 제품인 F2500형 분광 형광광도계를 사용해서 평가하였다.
이온화 전위는, 호쿠토덴코사(Hokuto Denko Co., Ltd.) 제품인 HA-501 및 HB-104을 사용한 사이클릭 볼탐메트리(cyclic voltammetry)에 의해 평가하였다.
유리전이온도의 측정은, 맥 사이언스사(Mac Science Co., Ltd.) 제품인 DSC-3100을 이용해서, 10℃/분의 승온조건 하에 행하였다.
유기 EL소자의 발광 특성은, 제작한 소자에 직류 전류를 인가하고, 탑콘사(Topcon Co., Ltd.) 제품인의 LUMINANCEMETER(BM-9)의 휘도계를 이용해서 평가하였다.
Figure pct00034
합성예 1(2-나이트로-6-클로로바이페닐[식 (9)]의 합성)
질소 기류 하, 1ℓ의 3구 플라스크에, 2,3-다이클로로나이트로벤젠 75.0g(390.6m㏖), 페닐보론산 47.6g(390.6m㏖), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 9.0g(7.8m㏖), 테트라하이드로퓨란 250㎖, 40중량%의 인산 3칼륨 수용액 518g(976.5m㏖)을 첨가하고, 8시간 가열 환류시켰다. 실온까지 냉각시킨 후, 수층과 유기층을 분액시키고, 유기층을 포화 염화암모니아 수용액과 포화 염화나트륨 수용액으로 세정한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 고체를 에탄올로 재결정시켜, 2-나이트로-6-클로로바이페닐의 엷은 황색 침상 결정을 62.8g 단리하였다(수율 68%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(CDCl3); 7.66-7.74(m,2H), 7.41-7.45(m,4H), 7.22-7.27(m,2H)
13C-NMR(CDCl3); 135.71, 134.68, 133.91, 133.29, 128.91, 128.71, 128.68, 128.55, 128.46, 121.96
합성예 2(4-클로로카바졸 [식 (10)]의 합성)
질소 기류 하, 500㎖의 가지형 플라스크에 합성예 1에서 얻어진 2-나이트로-6-클로로바이페닐 60.0g(257.4m㏖)을 주입하고, 140℃로 가열 후, 아인산 트라이에틸 106g을 2시간에 걸쳐서 적하하였다. 적하 후, 140℃에서 더욱 2시간 교반하고, 감압 하에 아인산 트라이에틸을 증류 제거하였다. 잔사에 톨루엔을 더해, 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔)에 의해 정제시킴으로써, 4-클로로카바졸의 백색 분말을 18.9g(93.72m㏖) 단리하였다(수율 36%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(아세톤-d6); 10.71(br-s,1H), 8.52(d,1H), 7.15-7.59(m,6H)
13C-NMR(아세톤-d6); 141.80, 140.71, 128.37, 126.76, 126.61, 122.99, 122.33, 120.57, 119.88, 119.75, 111.45, 110.15
합성예 3(4-클로로-9-(4-바이페닐릴)카바졸의 합성)
질소 기류 하, 200㎖의 3구 플라스크에 합성예 2에서 얻어진 4-클로로카바졸 10.0g(49.5m㏖), 4-브로모바이페닐 11.6g(52.0m㏖), 탄산 칼륨 9.5g(69.4m㏖), o-자일렌 100㎖, 아세트산 팔라듐 111㎎(0.49m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 349㎎(1.73m㏖)을 첨가해서 130℃에서 14시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수 50㎖를 첨가하고, 유기층을 분리하였다. 유기층을 순수, 포화 식염수로 세정한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조하고, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 분말을 에탄올로 세정하고, 4-클로로-9-(4-바이페닐릴)카바졸의 엷은 갈색 분말을 12.5g(35.4m㏖) 단리하였다(수율 71%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(CDCl3); 8.68(d,1H), 7.80(d,2H), 7.67(d,2H), 7.22-7.59(m,11H)
13C-NMR(CDCl3); 142.04, 141.05, 140.83, 140.08, 136.29, 128.97, 128.79, 128.58, 127.74, 127.61, 127.14, 126.48, 126.13, 123.13, 122.32, 120.75, 120.62, 120.33, 109.65, 108.20
합성예 4 (4-클로로-9-(3-퀴놀릴)카바졸의 합성)
질소 기류 하, 100㎖의 3구 플라스크에 합성예 2에서 얻어진 4-클로로카바졸 5.0g(24.7m㏖), 3-브로모퀴놀린 5.1g(24.7m㏖), 탄산 칼륨 4.7g(34.7m㏖), o-자일렌 25㎖, 아세트산 팔라듐 276㎎(1.23m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 869㎎(4.3m㏖)을 첨가해서 140℃에서 24시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수 20㎖를 첨가하고, 유기층을 분리하였다. 유기층을 물, 포화 식염수로 세정한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조하고, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=3:1))에 의해 정제시켜, 4-클로로-9-(3-퀴놀릴)카바졸의 다갈색 유리질 고체를 4.6g(14.0m㏖) 단리하였다(수율 56%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(CDCl3); 9.09(s,1H), 8.70(d,1H), 8.31(s,1H), 8.26(d,1H), 7.90(d,1H), 7.82(d,1H), 7.66(t,1H), 7.22-7.51(m,6H)
13C-NMR(CDCl3); 183.45, 149.59, 147.23, 142.06, 141.07, 133.38, 130.84, 130.27, 129.59, 129.02, 128.18, 127.78, 126.83, 126.48, 123.35, 122.61, 121.41, 120.95, 109.16, 107.73
합성예 5 (4-클로로-9-(2-다이벤조티에닐)카바졸의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에 합성예 2에서 얻어진 4-클로로카바졸 2.6g(12.9m㏖), 2-브로모다이벤조티오펜 3.4g(12.9m㏖), 탄산 칼륨 3.5g(25.9m㏖), o-자일렌 13㎖, 아세트산 팔라듐 29㎎(0.12m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 91㎎(0.45m㏖)을 첨가해서 140℃에서 18시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수 10㎖를 첨가하고, 유기층을 분리하였다. 유기층을 물, 포화 식염수로 세정한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조하고, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 4-클로로-9-(2-다이벤조티에닐)카바졸의 다갈색 유리질 고체를 3.5g(9.1m㏖) 단리하였다(수율 70%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(CDCl3); 8.71(d,1H), 8.27(d,1H), 8.04-8.16(m,3H), 7.83-7.94(m,2H), 7.25-7.61(m,7H)
합성예 6 (4-클로로-9- [4-(2-피리딜)페닐]카바졸의 합성)
질소 기류 하, 100㎖의 3구 플라스크에 합성예 2에서 얻어진 4-클로로카바졸 5.0g(24.7m㏖), 4-(2-피리딜)브로모벤젠 6.0g(26.0m㏖), 탄산 칼륨 4.7g(34.7m㏖), o-자일렌 25㎖, 아세트산 팔라듐 55㎎(0.24m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 174㎎(0.86m㏖)을 첨가해서 140℃에서 14시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수 20㎖를 첨가하고, 유기층을 분리하였다. 유기층을 물, 포화 식염수로 세정한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조하고, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=2:1))에 의해 정제시켜, 4-클로로-9- [4-(2-피리딜)페닐]카바졸의 다갈색 유리질 고체를 4.5g(12.7m㏖) 단리하였다(수율 51%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(CDCl3); 8.66-8.75(m,2H), 8.20(d,2H), 7.77(d,2H), 7.61(d,2H), 7.22-7.46(m,7H)
13C-NMR(CDCl3); 156.33, 149.84, 141.92, 140.93, 138.93, 137.76, 136.92, 128.79, 128.49, 127.50, 126.53, 126.19, 123.15, 122.50, 122.39, 120.86, 120.69, 120.56, 120.42, 109.65, 108.20
합성예 7 (4-클로로-9-(4-클로로페닐)카바졸의 합성)
질소 기류 하, 100㎖의 3구 플라스크에, 합성예 2에서 얻어진 4-클로로카바졸 5.0g(24.7m㏖), p-브로모클로로벤젠 5.1g(27.2m㏖), 탄산 칼륨 4.7g(34.7m㏖), o-자일렌 50㎖, 아세트산 팔라듐 55㎎(0.24m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 174㎎(0.86m㏖)을 첨가해서 130℃에서 24시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수 30㎖를 첨가하고, 유기층을 분리하였다. 유기층을 물, 포화 식염수로 세정한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조하고, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산)에 의해 정제시켜, 4-클로로-9-(4-클로로페닐)카바졸의 백색고체를 4.4g(14.1m㏖) 단리하였다(수율 56%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(CDCl3); 8.64(d,1H), 7.53(d,2H), 7.15-7.45(m,8H)
13C-NMR(CDCl3); 141.86, 140.87, 135.73, 133.62, 130.25, 128.88, 128.69, 126.61, 126.26, 123.20, 122.38, 120.98, 120.69, 120.56, 109.36, 107.93
합성예 8 (4-클로로-9-페닐카바졸의 합성)
질소 기류 하, 200㎖의 3구 플라스크에, 합성예 2에서 얻어진 4-클로로카바졸 17.0g(84.3m㏖), 브로모벤젠 15.8g(101.1m㏖), 탄산 칼륨19.5g(141.6m㏖), o-자일렌 85㎖, 아세트산 팔라듐 227㎎(1.0m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 714㎎(3.5m㏖)을 첨가해서 130℃에서 24시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수 60㎖를 첨가하고, 유기층을 분리하였다. 유기층을 물, 포화 식염수로 세정한 후, 무수 황산마그네슘으로 건조하고, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산)에 의해 정제시켜, 무색 오일 형태의 4-클로로-9-페닐카바졸을 14.3g(51.6m㏖) 단리하였다(수율 61%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(CDCl3); 8.67(d,1H), 7.23-7.65(m,11H)
13C-NMR(CDCl3); 142.04, 141.05, 137.15, 129.94, 128.73, 127.93, 127.39, 126.41, 126.06, 123.07, 122.21, 120.64, 120.51, 120.23, 109.56, 108.11
합성예 9 (4-클로로-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진-2-일)카바졸의 합성)
질소 기류 하, 100㎖의 3구 플라스크에, 수소화나트륨(유성, 60%) 0.53g(13.4m㏖)을 주입하고, 탈수다이메틸폼아마이드 15㎖를 첨가해서 교반하였다. 슬러리 형태의 용액에, 탈수다이메틸폼아마이드 15㎖에 용해시킨 4-클로로카바졸 2.2g(11.2m㏖)을 적하하고, 30분 교반하였다. 또한, 반응액에 탈수 다이메틸폼아마이드 40㎖에 용해시킨 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진 3.0g(11.2m㏖)을 적하하였다. 실온에서 2시간 교반 후, 메탄올 10㎖, 순수 100㎖를 첨가하여, 반응을 정지하였다. 순수 첨가 시 석출된 백색 분말을 회수하고, 순수와 에탄올로 세정하였다. 얻어진 분말을 o-자일렌으로 재결정시켜, 4-클로로-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진-2-일)카바졸의 백색결정을 3.1g(7.2m㏖) 단리하였다(수율 64%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(CDCl3); 8.72(d,1H), 8.71(d,4H), 7.91-8.01(m,2H), 7.37-7.65(m,10H)
합성예 10 (4-클로로-6-페닐-9-바이페닐릴카바졸의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 3에서 수득한 4-클로로-9-(4-바이페닐릴)카바졸 1.8g(5.2m㏖)을 주입하고, 다이메틸폼아마이드 10㎖, N-브로모숙신이미드 0.93g(5.2m㏖)을 첨가하였다. 실온에서 2시간 교반하고, 순수 10㎖를 더해 석출한 백색 분말을 여과에 의해 취하였다. 분말을 순수 및 메탄올로 세정하고, 감압 하에서 건조하였다. 백색 분말 형태의 생성물은, 원료인 4-클로로-9-(4-바이페닐릴)카바졸과 4-클로로-6-브로모-9-(4-바이페닐릴)카바졸 및 4-클로로-3,6-다이브로모-9-(4-바이페닐릴)카바졸의 혼합물이었다(4-클로로-6-브로모-9-(4-바이페닐릴)카바졸의 순도는 72%였다). 질소 기류 하, 상기 혼합물 0.90g을 10㎖의 3구 플라스크에 주입하고, 페닐보론산 0.26g(2.1m㏖), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 0.11g(0.09m㏖), 테트라하이드로퓨란 5㎖, 20중량%의 탄산 칼륨 수용액 2.5g(4.8m㏖)을 첨가, 14시간 가열 환류시켰다. 실온까지 냉각시킨 후, 수층과 유기층을 분액시키고, 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 무수 황산마그네슘으로 유기층을 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하고, 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산)에 의해 정제시켜, 4-클로로-6-페닐-9-(4-바이페닐릴)카바졸의 백색 분말을 0.51g(1.0m㏖) 단리하였다(수율 19%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(CDCl3); 8.39(s,1H), 7.23-7.82(m,19H)
합성예 11(N-(4-브로모페닐)-N-바이페닐릴아민의 합성)
질소 기류 하, 100㎖의 3구 플라스크에, N-페닐-N-바이페닐릴아민 15.0g(61.1m㏖)을 주입하고, 다이메틸폼아마이드 100㎖, N-브로모숙신이미드 10.8g(61.1m㏖)을 첨가하고, 실온에서 2시간 교반하였다. 톨루엔 10㎖, 순수 10㎖를 가하고, 수층과 유기층으로 분액시켰다. 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하고, 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 고체를 톨루엔으로 재결정시키고, N-(4-브로모페닐)-N-바이페닐릴아민의 회색 분말을 13.4g(41.4m㏖) 단리하였다(수율 67%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(아세톤-d6); 7.55-7.64(m,5H), 7.27-7.45(m,5H), 7.21(d,2H), 7.11(d,2H)
13C-NMR(아세톤-d6); 143.18, 142.61, 140.76, 133.40, 132.08, 128.88, 127.74, 126.62, 126.26, 118.90, 118.05, 111.33
합성예 12(N-바이페닐릴-N-(m-터페닐)아민의 합성)
질소 기류 하, 300㎖의 3구 플라스크에 합성예 11에서 얻어진 N-(4-브로모페닐)-N-바이페닐릴아민 12.0g(37.1m㏖), 3-바이페닐릴보론산 7.7g(38.9m㏖), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 2.1g(1.8m㏖), 톨루엔 60㎖, 에탄올 10㎖, 40중량%의 인산 3칼륨수용액 49g(92.8m㏖)을 첨가하고, 5시간 가열 환류시켰다. 실온까지 냉각시킨 후, 수층과 유기층을 분액시키고, 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 무수 황산마그네슘으로 유기층을 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하고, 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:1))에 의해 정제시켜, N-바이페닐릴-N-(m-터페닐)아민의 엷은 황색 분말을 10.2g(25.6m㏖) 단리하였다(수율 69%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(아세톤-d6); 7.89(s,1H), 7.37-7.73(m,17H), 7.26-7.32(m,5H)
13C-NMR(아세톤-d6); 143.29, 143.09, 141.68, 141.53, 140.85, 132.93, 132.78, 129.43, 128.91, 128.84, 127.91, 127.70, 127.45, 127.12, 126.51, 126.20, 125.29, 125.18, 124.92, 117.73, 117.65, 117.59
합성예 13(N-바이페닐-N-(4-(4-다이벤조티에닐)페닐)아민의 합성)
질소 기류 하, 300ml의 3구 플라스크에 합성예 11에서 얻어진 N-(4-브로모페닐)-N-바이페닐릴아민 7.0g(21.6m㏖), 다이벤조티오펜-4-보론산 5.9g(25.9m㏖), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐 1.2g(1.0m㏖), 톨루엔 35㎖, 에탄올 5㎖, 40중량%의 인산 3칼륨 수용액 28g(54.1m㏖)을 첨가하고, 3시간 가열 환류시켰다. 실온까지 냉각시킨 후, 수층과 유기층을 분액시키고, 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 무수 황산마그네슘으로 유기층을 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하고, 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:1))에 의해 정제시켜, N-바이페닐릴-N-(4-(4-다이벤조티에닐)페닐)아민의 엷은 황색 분말을 5.2g(12.1m㏖) 단리하였다(수율 56%).
화합물의 동정은, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
1H-NMR(아세톤-d6); 8.22-8.32(m,2H), 7.90-7.95(m,1H), 7.77(s,1H), 7.27-7.70(m,17H)
13C-NMR(아세톤-d6); 143.78, 142.81, 140.82, 139.41, 137.98, 137.03, 136.37, 135.98, 133.22, 132.15, 129.17, 128.88, 127.76, 127.08, 126.66, 126.59, 126.26, 125.58, 124.70, 122.72, 122.01, 120.20, 118.09, 117.19
실시예 1(화합물 (A5)의 합성)
질소 기류 하, 100㎖의 3구 플라스크에, 합성예 3에서 얻어진 4-클로로-9-(4-바이페닐릴)카바졸 3.5g(9.9m㏖), N-페닐-N-바이페닐릴아민 2.4g(9.9m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 1.3g(13.8m㏖), o-자일렌 35㎖, 아세트산 팔라듐 22㎎(0.09m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 69㎎(0.34m㏖)을 첨가해서 140℃에서 12시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 25㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 화합물 (A5)의 백색 유리질 고체를 3.4g(6.0m㏖) 단리하였다(수율 60%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 562
1H-NMR(CDCl3); 7.89(d,1H), 7.80(d,2H), 7.61-7.70(m,3H), 7.21-7.55(m,22H), 6.99-7.10(m,2H)
13C-NMR(CDCl3); 146.71, 142.79, 141.02, 140.93, 140.71, 140.60, 140.19, 136.68, 134.50, 129.01, 128.71, 128.57, 127.82, 127.71, 127.17, 126.99, 126.68, 126.59, 125.93, 123.16, 122.03, 121.66, 121.31, 120.78, 120.31, 109.39, 107.69
실시예 2(화합물 (A8)의 합성)
질소 기류 하, 100㎖의 3구 플라스크에, 합성예 3에서 얻어진 4-클로로-9-(4-바이페닐릴)카바졸 3.5g(9.9m㏖), N,N-비스(4-바이페닐릴)아민 3.1g(9.9m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 1.3g(13.8m㏖), o-자일렌 35㎖, 아세트산 팔라듐 22㎎(0.09m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 69㎎(0.34m㏖)을 첨가해서 140℃에서 12시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 20㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 화합물 (A8)의 엷은 황색 유리질 고체를 3.4g(5.3m㏖) 단리하였다(수율 53%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 638
1H-NMR(CDCl3); 7.88(d,1H), 7.81(d,2H), 7.66(t,4H), 7.20-7.56(m,25H), 6.99-7.10(m,2H)
13C-NMR(CDCl3); 146.49, 142.57, 140.81, 140.72, 140.50, 140.39, 139.99, 136.47, 134.29, 128.78, 128.49, 128.36, 127.61, 127.50, 126.97, 126.77, 126.46, 126.38, 125.71, 122.96, 121.81, 121.46, 121.11, 120.58, 120.08, 109.19, 107.49
실시예 3(화합물 (A15)의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 3에서 얻어진 4-클로로-9-(4-바이페닐릴)카바졸 4.6g(13.0m㏖), N-(p-톨릴)-N-(9,9'-다이메틸플루오렌-2-일)아민 4.2g(14.3m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 1.7g(18.2m㏖), o-자일렌 25㎖, 아세트산 팔라듐 58㎎(0.26m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 184㎎(0.91m㏖)을 첨가해서 140℃에서 10시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 20㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 화합물 (A15)의 엷은 황색 유리질 고체를 6.0g(9.9m㏖) 단리하였다(수율 75%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정에 의해 행하였다.
8 FDMS: 616
1H-NMR(CDCl3); 7.84(d,1H), 6.99-7.68(m,26H), 2.26(s,3H), 1.39(s,6H)
실시예 4(화합물 (A278)의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 3에서 얻어진 4-클로로-9-(4-바이페닐릴)카바졸 4.0g(11.3m㏖), N-(2-다이벤조퓨라닐)-N-페닐아민 3.2g(12.4m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 1.5g(15.8m㏖), o-자일렌 20㎖, 아세트산 팔라듐 50㎎(0.22m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 155㎎(0.77m㏖)을 첨가해서 140℃에서 12시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 15㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 화합물 (A278)의 백색 유리질 고체를 4.6g(8.0m㏖) 단리하였다(수율 71%).
화합물의 동정은, FDMS 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 576
실시예 5(화합물 (A286)의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 8에서 얻어진 4-클로로-9-페닐카바졸 0.48g(1.7m㏖), 합성예 12에서 얻어진 N-바이페닐릴-N-(m-터페닐)아민 0.70g(1.7m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 0.23g(2.4m㏖), o-자일렌 10㎖, 아세트산 팔라듐 8㎎(0.03m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 24㎎(0.12m㏖)을 첨가해서 140℃에서 14시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 10㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 화합물 (A286)의 엷은 황색 유리질 고체를 0.77g(1.2m㏖) 단리하였다(수율 71%).
화합물의 동정은, FDMS 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 638
실시예 6(화합물 (A289)의 합성)
질소 기류 하, 100㎖의 3구 플라스크에, 합성예 8에서 얻어진 4-클로로-9-페닐카바졸 4.0g(14.4m㏖), N-페닐-N-(11,11'-다이메틸벤조[a]플루오렌-9-일)아민 4.8g(14.4m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 1.9g(20.1m㏖), o-자일렌 30㎖, 아세트산 팔라듐 64㎎(0.28m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 197㎎(0.98m㏖)을 첨가해서 140℃에서 12시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 10㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 화합물 (A289)의 엷은 황색 유리질 고체를 5.4g(9.5m㏖) 단리하였다(수율 66%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 576
1H-NMR(CDCl3); 8.15(d,1H), 7.89(d,1H), 7.78-7.83(m,3H), 7.20-7.60(m,17H), 7.06(d,2H), 6.91-7.99(m,2H), 1.65(s,6H)
13C-NMR(CDCl3); 156.31, 147.34, 146.62, 146.24, 142.28, 141.15, 140.38, 137.12, 136.24, 133.18, 132.92, 129.39, 129.32, 129.15, 128.71, 127.91, 127.19, 127.01, 126.31, 125.42, 125.16, 123.79, 123.35, 122.71, 121.11, 120.40, 119.89, 119.79, 119.45, 118.04, 116.04, 108.68, 106.61, 48.14, 25.93
실시예 7(화합물 (A292)의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 8에서 얻어진 4-클로로-9-페닐카바졸 0.72g(2.6m㏖), 합성예 13에서 얻어진 N-바이페닐릴-N-(4-(4-다이벤조티에닐)페닐)아민 1.2g(2.8m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 0.35g(3.6m㏖), o-자일렌 10㎖, 아세트산 팔라듐 17㎎(0.07m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 55㎎(0.27m㏖)을 첨가해서 140℃에서 14시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 10㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 화합물 (A292)의 엷은 황색 유리질 고체를 1.2g(1.9m㏖) 단리하였다(수율 74%).
화합물의 동정은, FDMS 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 668
실시예 8(화합물 (A124)의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 9에서 얻어진 4-클로로-9-(4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진-2-일)카바졸 3.0g(6.9m㏖), N,N-비스(4-바이페닐릴)아민 2.2g(6.9m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 0.93g(9.7m㏖), o-자일렌 20㎖, 아세트산 팔라듐 31㎎(0.13m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 97㎎(0.48m㏖)을 첨가해서 140℃에서 8시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 10㎖ 첨가하고 교반하였다. 석출한 다갈색 분말을 여과에 의해 취하고, 순수와 에탄올로 세정하였다. 다갈색 분말을 감압 하에서 건조 후, o-자일렌으로 재결정시켜, 화합물 (A124)의 회색 분말을 2.9g(4.0m㏖) 단리하였다(수율 59%).
화합물의 동정은, FDMS 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 717
실시예 9(화합물 (A139)의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 5에서 얻어진 4-클로로-9-(2-다이벤조티에닐)카바졸 4.0g(10.4m㏖), N,N-비스(4-바이페닐릴)아민 3.3g(10.4m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 1.4g(14.6m㏖), o-자일렌 20㎖, 아세트산 팔라듐 70㎎(0.31m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 221㎎(1.0m㏖)을 첨가해서 140℃에서 6시간 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 화합물 (A139)의 엷은 황색 유리질 고체를 4.2g(6.3m㏖) 단리하였다(수율 60%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 668
1H-NMR(CDCl3); 8.34(s,1H), 8.07(t,2H), 7.90(d,2H), 7.64 (d,1H), 7.24-7.56(m,24H), 7.00-7.12(m,2H)
13C-NMR(CDCl3); 147.30, 143.82, 141.95, 141.66, 141.29, 140.87, 139.41, 137.72, 135.62, 135.12, 134.90, 129.30, 128.40, 128.02, 127.63, 127.72, 127.17, 126.77, 126.57, 125.36, 124.77, 123.79, 123.66, 122.63, 122.51, 122.19, 121.88, 121.35, 121.30, 120.91, 109.87, 108.13
실시예 10(화합물 (A148)의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 5에서 얻어진 4-클로로-9-(2-다이벤조티에닐)카바졸 4.0g(10.4m㏖), N-페닐-N-(2-다이벤조티에닐)아민 3.1g(11.4m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 1.4g(14.6m㏖), o-자일렌 20㎖, 아세트산 팔라듐 70㎎(0.31m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 221㎎(1.0m㏖)을 첨가해서 140℃에서 10시간 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 화합물 (A148)의 백색 유리질 고체를 4.4g(7.2m㏖) 단리하였다(수율 70%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 622
1H-NMR(CDCl3); 8.34(s,1H), 8.07(t,2H), 7.98(s,1H), 7.86-7.92(m,3H), 7.78(d,1H), 7.63-7.69(m,2H), 6.91-7.53(m,16H)
13C-NMR(CDCl3); 147.46, 144.73, 142.70, 141.13, 140.82, 139.75, 138.25, 136.59, 136.18, 134.85, 134.52, 133.82, 132.69, 128.79, 126.88, 126.48, 126.13, 125.67, 125.36, 124.23, 123.64, 123.57, 122.89, 122.79, 122.60, 122.54, 122.34, 121.39, 121.31, 121.13, 121.08, 120.69, 120.56, 120.25, 119.85, 119.70, 115.07, 108.72, 106.66
실시예 11(화합물 (A153)의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 5에서 얻어진 4-클로로-9-(2-다이벤조티에닐)카바졸 4.0g(10.4m㏖), N-페닐-N-(4-(9-카바졸릴)페닐)아민 3.8g(11.4m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 1.4g(14.6m㏖), o-자일렌 20㎖, 아세트산 팔라듐 70㎎(0.31m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 221㎎(1.0m㏖)을 첨가해서 140℃에서 12시간 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 화합물 (A153)의 백색 유리질 고체를 5.2g(7.6m㏖) 단리하였다(수율 74%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 681
1H-NMR(CDCl3); 8.34(d,1H), 8.03-8.12(m,4H), 7.90(d,2H), 7.65(d,1H), 6.99-7.50(m,23H)
13C-NMR(CDCl3); 146.69, 146.36, 142.74, 140.91, 140.71, 140.54, 139.77, 138.34, 136.62, 134.50, 133.77, 130.05, 128.93, 127.60, 126.92, 126.57, 125.67, 125.54, 125.29, 124.24, 123.69, 122.61, 122.56, 122.36, 122.28, 121.39, 121.30, 121.06, 120.67, 120.29, 119.94, 119.72, 119.12, 109.37, 108.86, 107.07
실시예 12(화합물 (A318)의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 10에서 얻어진 4-클로로-6-페닐-9-바이페닐릴카바졸 500㎎(1.1m㏖), N-페닐-N-(2-다이벤조티에닐)아민 302㎎(1.1m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 147㎎(1.5m㏖), o-자일렌 10㎖, 아세트산 팔라듐 7㎎(0.03m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 21㎎(0.10m㏖)을 첨가해서 140℃에서 10시간 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 화합물 (A318)의 백색 유리질 고체를 411㎎(0.61m㏖) 단리하였다(수율 56%).
화합물의 동정은, FDMS 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 668
실시예 13(화합물 (B1)의 합성)
질소 기류 하, 200㎖의 3구 플라스크에, 합성예 3에서 얻어진 4-클로로-9-(4-바이페닐릴)카바졸 7.0g(19.8m㏖), 아닐린 0.87g(9.4m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 5.3g(55.4m㏖), o-자일렌 70㎖, 아세트산 팔라듐 44㎎(0.19m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 139㎎(0.69m㏖)을 첨가해서 140℃에서 12시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 40㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매(체적비=1:2))에 의해 정제시켜, 화합물 (B1)의 백색 유리질 고체를 5.0g(6.8m㏖) 단리하였다(수율 72%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 727
1H-NMR(CDCl3); 7.78-7.83(m,6H), 7.62-7.69(m,8H), 7.08-7.51(m,18H), 6.77-6.98(m,5H)
13C-NMR(CDCl3); 143.32, 142.11, 141.51, 141.07, 140.81, 137.41, 129.92, 129.55, 129.09, 128.38, 128.27, 127.76, 127.39, 126.18, 124.22, 122.52, 120.69, 120.32, 109.83, 107.74
실시예 14(화합물 (B2)의 합성)
질소 기류 하, 200㎖의 3구 플라스크에, 합성예 3에서 얻어진 4-클로로-9-(4-바이페닐릴)카바졸 7.0g(19.8m㏖), 4-메틸아닐린 1.0g(9.4m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 5.3g(55.4m㏖), o-자일렌 70㎖, 아세트산 팔라듐 88㎎(0.39m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 279㎎(1.38m㏖)을 첨가해서 140℃에서 14시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 40㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매)에 의해 정제시켜, 화합물 (B2)의 엷은 황색 유리질 고체를 2.9g(3.9m㏖) 단리하였다(수율 42%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 741
1H-NMR(CDCl3); 7.77-7.85(m,6H), 7.61-7.69(m,8H), 7.24-7.51(m,14H), 7.05(t,2H), 6.81-6.95(m,6H), 2.20(s,3H)
13C-NMR(CDCl3); 146.02, 142.74, 142.17, 140.87, 140.41, 140.25, 136.86, 129.83, 128.97, 128.47, 127.80, 127.67, 127.16, 126.70, 125.43, 123.79, 122.07, 120.03, 119.56, 109.14, 106.74, 20.82
실시예 15(화합물 (B27)의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 4에서 얻어진 4-클로로-9-(3-퀴놀릴)카바졸 4.0g(12.1m㏖), 4-메틸아닐린 652㎎(6.0m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 1.6g(17.0m㏖), o-자일렌 20㎖, 아세트산 팔라듐 27㎎(0.12m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 85㎎(0.42m㏖)을 첨가해서 140℃에서 17시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 15㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 아세트산 에틸의 혼합 용매)에 의해 정제시켜, 화합물 (B27)의 다갈색 유리질 고체를 2.6g(3.7m㏖) 단리하였다(수율 61%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 691
1H-NMR(CDCl3); 9.18(s,2H), 8.35(s,2H), 8.25(d,2H), 7.86 (d,4H), 7.78(d,2H), 7.61(t,2H), 7.18-7.36(m,8H), 7.06(d,2H), 6.85-6.98(m,6H), 2.22(s,3H)
13C-NMR(CDCl3); 149.95, 147.15, 145.91, 142.78, 142.41, 140.91, 133.36, 131.37, 130.10, 129.94, 129.63, 128.31, 127.82, 127.67, 127.08, 125.82, 123.93, 122.32, 120.73, 120.00, 119.76, 108.72, 106.23, 20.88
실시예 16(화합물 (B30)의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 5에서 얻어진 4-클로로-9-(2-다이벤조티에닐)카바졸 2.7g(7.0m㏖), 아닐린 297㎎(3.2m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 947㎎(9.8m㏖), o-자일렌 13㎖, 아세트산 팔라듐 15㎎(0.07m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 49㎎(0.24m㏖)을 첨가해서 140℃에서 20시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 10㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매)에 의해 정제시켜, 화합물 (B30)의 백색 분말을 0.9g(1.1m㏖) 단리하였다(수율 35%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 787
1H-NMR(CDCl3); 8.33(s,2H), 7.99-8.08(m,4H), 7.84-7.88 (m,4H), 7.64(d,2H), 7.10-7.50(m,16H), 6.79-6.99(m,5H)
13C-NMR(CDCl3); 148.05, 143.20, 141.66, 141.38, 140.27, 138.71, 137.10, 135.07, 134.46, 129.37, 127.39, 126.90, 126.31, 125.69, 124.74, 124.15, 123.68, 123.05, 121.92, 120.86, 120.16, 119.67, 109.16, 107.03
실시예 17(화합물 (B36)의 합성)
질소 기류 하, 50㎖의 3구 플라스크에, 합성예 6에서 얻어진 4-클로로-9- [4-(2-피리딜)페닐]카바졸 4.0g(11.2m㏖), 아닐린 477㎎(5.1m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 1.5g(15.8m㏖), o-자일렌 25㎖, 아세트산 팔라듐 25㎎(0.11m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 79㎎(0.39m㏖)을 첨가해서 140℃에서 10시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 15㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 아세트산 에틸의 혼합 용매)에 의해 정제시켜, 화합물 (B36)의 다갈색 유리질 고체를 2.5g(3.4m㏖) 단리하였다(수율 66%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 729
1H-NMR(CDCl3); 8.71(d,2H), 8.20(d,4H), 7.83(d,2H), 7.66-7.75 (m,8H), 7.40(d,2H), 7.07-7.32(m,12H), 6.77-6.98(m,5H)
13C-NMR(CDCl3); 156.45, 149.84, 148.03, 142.59, 141.59, 140.80, 138.60, 138.29, 136.93, 129.37, 128.44, 127.67, 126.92, 125.69, 123.66, 122.45, 122.03, 120.56, 120.25, 120.06, 119.81, 109.28, 107.20
실시예 18(화합물 (C5)의 합성)
질소 기류 하, 100㎖의 3구 플라스크에, 합성예 7에서 얻어진 4-클로로-9-(4-클로로페닐)카바졸 3.0g(9.6m㏖), N-(4-메틸페닐)-N-바이페닐릴아민 5.2g(20.2m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 2.5g(26.9m㏖), o-자일렌 50㎖, 아세트산 팔라듐 43㎎(0.19m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 135㎎(0.67m㏖)을 첨가해서 140℃에서 12시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 30㎖ 첨가하고 교반하였다. 수층과 유기층을 분액시키고, 또한 유기층을 순수와 포화 염화나트륨 수용액으로 세정하였다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조 후, 감압 하에 용매를 증류 제거하였다. 잔사를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매)에 의해 정제시켜, 화합물 (C5)의 무색 유리질 고체를 4.7g(6.2m㏖) 단리하였다(수율 64%).
화합물의 동정은, FDMS, 1H-NMR 측정, 13C-NMR 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 757
1H-NMR(CDCl3); 7.84(d,1H), 7.48-7.58(m,6H), 7.20-7.37 (m,18H), 6.96-7.15(m,12H), 2.34(s,3H), 2.26(s,3H)
13C-NMR(CDCl3); 147.35, 147.30, 146.93, 144.97, 144.74, 143.01, 141.37, 141.15, 140.83, 140.58, 135.65, 133.84, 133.49, 132.03, 131.00, 130.34, 129.90, 128.82, 128.68, 128.20, 128.00, 127.69, 126.97, 126.73, 126.52, 125.75, 124.24, 123.55, 123.18, 123.05, 121.57, 120.84, 120.45, 120.00, 109.38, 107.36, 21.13, 20.99
실시예 19(화합물 (C11)의 합성)
질소 기류 하, 200㎖의 3구 플라스크에, 합성예 7에서 얻어진 4-클로로-9-(4-클로로페닐)카바졸 6.0g(19.2m㏖), N,N-비스(4-바이페닐릴)아민 13.0g(40.5m㏖), 나트륨-tert-뷰톡사이드 5.1g(54.0m㏖), o-자일렌 60㎖, 아세트산 팔라듐 86㎎(0.38m㏖), 트라이(tert-뷰틸)포스핀 272㎎(1.3m㏖)을 첨가해서 140℃에서 14시간 교반하였다. 실온까지 냉각 후, 순수를 40㎖ 첨가하고 교반하였다. 석출된 다갈색 분말을 여과에 의해 취하고, 순수와 에탄올로 세정하였다. 다갈색 분말을 감압 하에 건조 후, o-자일렌으로 재결정시켜, 화합물 (C11)의 엷은 황색 분말을 10.5g(11.9m㏖) 단리하였다(수율 62%).
화합물의 동정은, FDMS 측정에 의해 행하였다.
FDMS: 882
실시예 20(화합물 (A8)의 3중항 준위 평가)
화합물 (A8)을 2-메틸테트라하이드로퓨란에 0.0001 ㏖/ℓ의 농도로 용해시킨 용액을 조정하고, 액체질소냉각 하에서 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 480㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 21(화합물 (A15)의 3중항 준위 평가)
화합물 (A15)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 482㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 22(화합물 (A278)의 3중항 준위 평가)
화합물 (A278)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 448㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 23(화합물 (A286)의 3중항 준위 평가)
화합물 (A286)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 486㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 24(화합물 (A292)의 3중항 준위 평가)
화합물 (A292)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 483㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 25(화합물 (A124)의 3중항 준위 평가)
화합물 (A124)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 479㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 26(화합물 (A139)의 3중항 준위 평가)
화합물 (A139)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 480㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 27(화합물 (A148)의 3중항 준위 평가)
화합물 (A148)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 449㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 28(화합물 (A153)의 3중항 준위 평가)
화합물 (A153)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 445㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 29(화합물 (A318)의 3중항 준위 평가)
화합물 (A318)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 457㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 30(화합물 (B1)의 3중항 준위 평가)
화합물 (B1)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 450㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 31(화합물 (B2)의 3중항 준위 평가)
화합물 (B2)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 450㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 32(화합물 (B30)의 3중항 준위 평가)
화합물 (B30)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 442㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
실시예 33(화합물 (B36)의 3중항 준위 평가)
화합물 (B36)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 452㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
비교예 1(NPD의 3중항 준위 평가)
NPD에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 525㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00035
참고예 1(화합물 (c)의 3중항 준위 평가)
화합물 (c)에 대해서, 실시예 20과 마찬가지 방법으로 인광 스펙트럼을 측정하였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장은 490㎚였다. 인광 스펙트럼의 최대 파장으로부터 추정된 3중항 준위를 표 1에 나타낸다.
본 발명의 화합물은, NPD 및 화합물 (c)보다도 높은 3중항 준위를 지니고 있었다
Figure pct00036
실시예 34(화합물 (A5)의 이온화 전위의 평가)
과염소산테트라뷰틸암모늄의 농도가 0.1 ㏖/ℓ인 무수다이클로로메탄 용액에 화합물 (A5)를 0.001 ㏖/ℓ의 농도로 용해시켜, 사이클릭 볼탐메트리에서 이온화 전위를 측정하였다. 작용 전극에는 유리상 탄소(glassy carbon), 반대의 전극에 백금선, 참조 전극에 AgNO3의 아세토나이트릴 용액에 침지한 은선을 이용하였다. 표준물질로서 페로센을 이용해서, 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (A5)의 이온화 전위는 0.43V 대 Fc/Fc+였다. 이 값은, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)과 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 35(화합물 (A8)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (A8)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (A8)의 이온화 전위는 0.44V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 36(화합물 (A15)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (A15)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (A15)의 이온화 전위는 0.40V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 37(화합물 (A278)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (A278)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (A278)의 이온화 전위는 0.45V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 38(화합물 (A286)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (A286)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (A286)의 이온화 전위는 0.44V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 39(화합물 (A289)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (A289)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (A289)의 이온화 전위는 0.39V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 40(화합물 (A292)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (A292)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (A292)의 이온화 전위는 0.43V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 41(화합물 (A124)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (A124)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (A124)의 이온화 전위는 0.44V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 42(화합물 (A139)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (A139)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (A139)의 이온화 전위는 0.45V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 43(화합물 (A148)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (A148)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (A148)의 이온화 전위는 0.45V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 44(화합물 (A153)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (A153)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (A153)의 이온화 전위는 0.47V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 45(화합물 (A318)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (A318)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (A318)의 이온화 전위는 0.44V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 46(화합물 (B1)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (B1)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (B1)의 이온화 전위는 0.48V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 47(화합물 (B2)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (B2)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (B2)의 이온화 전위는 0.46V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 48(화합물 (B27)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (B27)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (B27)의 이온화 전위는 0.48V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 49(화합물 (B30)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (B30)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (B30)의 이온화 전위는 0.48V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 50(화합물 (B36)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (B36)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (B36)의 이온화 전위는 0.48V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)과 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 51(화합물 (C5)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (C5)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (C5)의 이온화 전위는 0.40V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
실시예 52(화합물 (C11)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 화합물 (C11)의 이온화 전위를 평가하였다. 페로센의 산화 환원 전위를 기준로 한 때의 화합물 (C11)의 이온화 전위는 0.45V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교해서 약간 높아, 정공 수송 재료로서 바람직한 이온화 전위였다.
Figure pct00037
비교예 2(화합물 (a)의 이온화 전위의 평가)
실시예 34와 마찬가지 방법으로 카바졸환의 3번 위치에 아미노기가 결합된 화합물 (a)의 이온화 전위를 평가하였다. 화합물 (a)의 이온화 전위는 0.13V 대 Fc/Fc+이며, 종래부터 정공 수송 재료로서 알려져 있는 NPD의 이온화 전위(0.31V 대 Fc/Fc+)와 비교하면 낮아, 정공 수송 재료로서는 바람직하지 못한 이온화 전위였다.
실시예 53(화합물 (A139)의 유리전이온도 측정)
화합물(A139) 5㎎을 Al 팬에 넣고, 질소 분위기 하, 10℃/분의 승온조건으로 유리전이온도를 측정하였다. 표준시료에는 Al2O3를 사용하였다. 화합물 (A139)의 유리전이온도는 143℃이며, NPD(96℃) 및 화합물 (b)(100℃)와 비교해서 박막 상태의 안정성이 높은 것을 알 수 있었다.
실시예 54(화합물 (A148)의 유리전이온도 측정)
실시예 53과 마찬가지 방법으로 화합물 (A148)의 유리전이온도를 측정하였다. 화합물 (A148)의 유리전이온도는 142℃이며, NPD(96℃) 및 화합물 (b)(100℃)와 비교해서 박막 상태의 안정성이 높은 것을 알 수 있었다.
실시예 55(화합물 (A153)의 유리전이온도 측정)
실시예 53과 마찬가지 방법으로 화합물 (A153)의 유리전이온도를 측정하였다. 화합물 (A153)의 유리전이온도는 150℃이며, NPD(96℃) 및 화합물 (b)(100℃)와 비교해서 박막 상태의 안정성이 높은 것을 알 수 있었다.
실시예 56(화합물 (B1)의 유리전이온도 측정)
실시예 53과 마찬가지 방법으로 화합물 (B1)의 유리전이온도를 측정하였다. 화합물 (B1)의 유리전이온도는 169℃이며, NPD(96℃) 및 화합물 (b)(100℃)와 비교해서 박막 상태의 안정성이 높은 것을 알 수 있었다.
실시예 57(화합물 (B30)의 유리전이온도 측정)
실시예 53과 마찬가지 방법으로 화합물 (B30)의 유리전이온도를 측정하였다. 화합물 (B30)의 유리전이온도는 191℃이며, NPD(96℃) 및 화합물 (b)(100℃)와 비교해서 박막 상태의 안정성이 높은 것을 알 수 있었다.
실시예 58(화합물 (A5)의 소자 평가)
두께 200㎚의 ITO 투명전극(양극)을 적층한 유리 기판을 아세톤 및 순수에 의한 초음파 세정, 아이소프로필 알코올에 의한 비등 세정을 행하였다. 또 자외선 오존 세정을 행하고, 진공증착 장치에 설치 후, 5×10-4㎩ 이하가 될 때까지 진공 펌프로 배기하였다. 우선, ITO 투명전극 상에 구리 프탈로사이아닌을 증착 속도 0.1㎚/초로 증착하여, 10㎚의 정공 주입층으로 하였다. 이어서, NPD를 증착 속도 0.3㎚/초로 25㎚ 증착하고, 그 후, 화합물 (A5)를 증착 속도 0.1㎚/초로 5㎚ 증착해서 2층의 정공 수송층으로 하였다. 계속해서, 인광 도펀트 재료인 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(Ir(ppy)3)과 호스트 재료인 4,4'-비스(N-카바졸릴)바이페닐(CBP)을 중량비가 1:11.5가 되도록 증착 속도 0.25㎚/초로 공증착하여, 30㎚의 발광층으로 하였다.
다음에, BAlq(비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(p-페닐페놀라토)알루미늄)를 증착 속도 0.3㎚/초로 증착하고, 5㎚의 여기자 블록층으로 한 후, 또한 Alq3(트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄)를 0.3㎚/초로 증착하여, 45㎚의 전자수송층으로 하였다. 계속해서, 전자주입층으로서 불화리튬을 증착 속도 0.01㎚/초로 0.5㎚ 증착하고, 또한 알루미늄을 증착 속도 0.25㎚/초로 100㎚ 증착해서 음극을 형성하였다. 질소 분위기 하, 밀봉용의 유리판을 UV 경화 수지로 접착하여, 평가용의 유기 EL소자로 하였다.
이와 같이 제작한 소자에 20 ㎃/㎠의 전류를 인가하여, 구동 전압 및 전류효율을 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
실시예 59(화합물 (A8)의 소자 평가)
화합물 (A5)를 화합물 (A8)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
실시예 60(화합물 (A15)의 소자 평가)
화합물 (A5)를 화합물 (A15)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
실시예 61(화합물 (A278)의 소자 평가)
화합물 (A5)를 화합물 (A278)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
실시예 62(화합물 (A139)의 소자 평가)
화합물 (A5)를 화합물 (A139)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
실시예 63(화합물 (A148)의 소자 평가)
화합물 (A5)를 화합물 (A148)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
실시예 64(화합물 (A153)의 소자 평가)
화합물 (A5)를 화합물 (A153)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
실시예 65(화합물 (B2)의 소자 평가)
화합물 (A5)를 화합물 (B2)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
실시예 66(화합물 (B27)의 소자 평가)
화합물 (A5)를 화합물 (B27)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
실시예 67(화합물 (B30)의 소자 평가)
화합물 (A5)를 화합물 (B30)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
실시예 68(화합물 (B36)의 소자 평가)
화합물 (A5)를 화합물 (B36)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
실시예 69(화합물 (C5)의 소자 평가)
화합물 (A5)를 화합물 (C5)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
비교예 3
화합물 (A5)를 NPD로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 결과를 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
비교예 4
화합물 (A5)를 화합물 (a)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
Figure pct00038
참고예 2
화합물 (A5)를 화합물 (b)로 변경한 이외에는 실시예 58과 마찬가지 조작을 행하여 유기 EL소자를 제작하였다. 20 ㎃/㎠의 전류를 인가한 때의 구동 전압 및 전류효율을 표 2에 나타낸다.
본 발명의 4-아미노카바졸 화합물은 NPD, 화합물 (a) 및 화합물 (b)에 비해서 높은 전류효율(발광효율)을 나타냈다. 또한, 4-아미노카바졸 화합물을 이용한 소자에서는, 구동 전압을 낮게 억제할 수 있었다.
Figure pct00039
본 발명의 4-아미노카바졸 화합물을 포함하는 적어도 1개의 층을 구비하는 인광 발광성 또는 형광 발광성의 유기 EL소자는, 종래 공지의 카바졸환을 도입한 재료를 포함하는 유기 EL소자에 비해서, 높은 발광효율(전류효율)을 나타내고, 더욱 구동 전압이 낮다고 하는 현저한 효과를 나타냈다. 따라서, 본 발명의 4-아미노카바졸 화합물은, 휘도가 높고, 소비 전력이 적은 인광 발광성 또는 형광 발광성의 유기 EL소자를 제공할 수 있다.

Claims (15)

  1. 하기 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물:
    Figure pct00040

    일반식 1 중, Ar1 내지 Ar4는, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 티에닐기, 피리딜기, 벤조티에닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 4-카바졸릴기, 다이벤조티에닐페닐기, 다이벤조퓨라닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타내고;
    R1 내지 R7은, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기 또는 탄소수 9 내지 26의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨), 또는, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 사이아노기, 수소원자 또는 할로겐 원자를 나타내며;
    n은 0 내지 2의 정수를 나타내고;
    X는 탄소수 6 내지 17의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 헤테로방향족기 또는 탄소수 9 내지 26의 (n+1)가의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, R1 내지 R7이, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 사이아노기, 수소원자 또는 할로겐 원자인 것인 4-아미노카바졸 화합물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, R1 내지 R7이, 각각 독립적으로, 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기, 바이페닐릴기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 메틸기, 메톡시기 또는 수소원자인 것인 4-아미노카바졸 화합물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, R1 내지 R7이, 각각 독립적으로, 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기 또는 수소원자인 것인 4-아미노카바졸 화합물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, R4, R5, R6 및 R7이 수소원자인 것인 4-아미노카바졸 화합물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, R1, R2, R4, R5, R6 및 R7이 수소원자인 것인 4-아미노카바졸 화합물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, Ar1 내지 Ar4가, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 4-카바졸릴기, 다이벤조퓨라닐페닐기, 다이벤조티에닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기,및 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)인 것인 4-아미노카바졸 화합물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, Ar1 내지 Ar4가, 각각 독립적으로, 페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 다이벤조퓨라닐페닐기, 다이벤조티에닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기를 나타내되, 이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨), 또는, 4-카바졸릴기(메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기,및 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 되는 것인 4-아미노카바졸 화합물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, Ar1 내지 Ar4가, 각각 독립적으로, 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기, 바이페닐릴기, 터페닐릴기, 9,9'-다이메틸플루오레닐기, 11,11'-다이메틸벤조[a]플루오레닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 다이벤조티에닐페닐기, 4-(9-카바졸릴)페닐기, 9-페닐카바졸-4-일기, 9-바이페닐릴카바졸-4-일기, 9-퀴놀릴카바졸-4-일기 또는 9-다이벤조티에닐카바졸-4-일기인 것인 4-아미노카바졸 화합물.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, X가, (n+1)가의 벤젠, (n+1)가의 바이페닐, (n+1)가의 나프탈렌, (n+1)가의 페난트렌, (n+1)가의 플루오렌, (n+1)가의 나프틸벤젠, (n+1)가의 피리딘, (n+1)가의 피리미딘, (n+1)가의 1,3,5-트라이아진, (n+1)가의 퀴놀린, (n+1)가의 다이벤조티오펜, (n+1)가의 다이벤조퓨란, (n+1)가의 피리딜벤젠, (n+1)가의 이미다졸릴벤젠, (n+1)가의 벤조이미다졸릴벤젠 및 (n+1)가의 벤조티아졸릴벤젠으로부터 선택된 1종이되, 이들 방향환은, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 되는 것인 4-아미노카바졸 화합물.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, X가, (n+1)가의 벤젠, (n+1)가의 바이페닐, (n+1)가의 퀴놀린, (n+1)가의 다이벤조티오펜, (n+1)가의 1,3,5-트라이아진 및 (n+1)가의 피리딜벤젠으로부터 선택된 1종이되, 이들 방향환은, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 사이아노기, 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 되는 것인 4-아미노카바졸 화합물.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, X가, (n+1)가의 벤젠, (n+1)가의 바이페닐, (n+1)가의 퀴놀린, (n+1)가의 다이벤조티오펜, (n+1)가의 2,4-다이페닐-1,3,5-트라이아진 또는 (n+1)가의 피리딜벤젠인 것인 4-아미노카바졸 화합물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, n이 0 또는 1인 것인 4-아미노카바졸 화합물.
  14. 발광층, 정공 수송층 및 정공 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 층을 구비하되, 상기 적어도 하나의 층은 하기 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL소자:
    Figure pct00041

    일반식 1에 있어서, Ar1 내지 Ar4는, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 티에닐기, 피리딜기, 벤조티에닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 4-카바졸릴기, 다이벤조티에닐페닐기, 다이벤조퓨라닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타내고;
    R1 내지 R7은, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기 또는 탄소수 9 내지 26의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨), 또는, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 사이아노기, 수소원자 또는 할로겐 원자를 나타내며;
    n은 0 내지 2의 정수를 나타내고;
    X는 탄소수 6 내지 17의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 헤테로방향족기 또는 탄소수 9 내지 26의 (n+1)가의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타낸다.
  15. 하기 일반식 1로 표시되는 4-아미노카바졸 화합물을 포함하는 정공 수송 재료 또는 정공 주입 재료:
    Figure pct00042

    일반식 1 중, Ar1 내지 Ar4는, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 티에닐기, 피리딜기, 벤조티에닐기, 다이벤조티에닐기, 다이벤조퓨라닐기, 4-카바졸릴기, 다이벤조티에닐페닐기, 다이벤조퓨라닐페닐기 또는 9-카바졸릴페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 11의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타내고;
    R1 내지 R7은, 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기 또는 탄소수 9 내지 26의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨), 또는, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 사이아노기, 수소원자 또는 할로겐 원자를 나타내며;
    n은 0 내지 2의 정수를 나타내고;
    X는 탄소수 6 내지 17의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 헤테로방향족기 또는 탄소수 9 내지 26의 (n+1)가의 헤테로아릴 페닐기(이들 기는, 각각 독립적으로, 메틸기, 에틸기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, 탄소수 3 내지 18의 직쇄, 분지쇄 또는 환 형상의 알콕시기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 할로겐화 알콕시기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 트라이알킬실릴기, 탄소수 18 내지 40의 트라이아릴실릴기, 사이아노기 및 할로겐 원자로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환기를 지니고 있어도 됨)를 나타낸다.
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