KR20140056215A - 질소 함유 방향족 복소환 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 - Google Patents

질소 함유 방향족 복소환 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20140056215A
KR20140056215A KR1020147001091A KR20147001091A KR20140056215A KR 20140056215 A KR20140056215 A KR 20140056215A KR 1020147001091 A KR1020147001091 A KR 1020147001091A KR 20147001091 A KR20147001091 A KR 20147001091A KR 20140056215 A KR20140056215 A KR 20140056215A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
ring
formula
aromatic heterocyclic
carbon atoms
Prior art date
Application number
KR1020147001091A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102113468B1 (ko
Inventor
도모키 가토
노부히로 야부노우치
다카히로 후지야마
Original Assignee
이데미쓰 고산 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 filed Critical 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
Publication of KR20140056215A publication Critical patent/KR20140056215A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102113468B1 publication Critical patent/KR102113468B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/02—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings
    • C07D405/04—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/02—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings
    • C07D405/10—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/14—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D457/00—Heterocyclic compounds containing indolo [4, 3-f, g] quinoline ring systems, e.g. derivatives of ergoline, of the formula:, e.g. lysergic acid
    • C07D457/04—Heterocyclic compounds containing indolo [4, 3-f, g] quinoline ring systems, e.g. derivatives of ergoline, of the formula:, e.g. lysergic acid with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached in position 8
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D487/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D491/04—Ortho-condensed systems
    • C07D491/044—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring
    • C07D491/048—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring the oxygen-containing ring being five-membered
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B69/00—Dyes not provided for by a single group of this subclass
    • C09B69/008—Dyes containing a substituent, which contains a silicium atom
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1033—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine

Abstract

헤테로 원자를 가져도 좋은 인데노카바졸 골격, 또는 헤테로 원자를 가져도 좋은 인데노인돌 골격 중의 질소 원자가, 다이벤조퓨란 또는 다이벤조싸이오펜과 직접적 또는 간접적으로 연결되어 있는 질소 함유 방향족 복소환 유도체, 및 그것을 이용한 유기 EL 소자에 의해, 발광 효율이 높고, 장수명인 유기 EL 소자를 실현하는 유기 EL 재료를 제공한다.

Description

질소 함유 방향족 복소환 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자{NITROGENATED AROMATIC HETEROCYCLIC DERIVATIVE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT USING SAME}
본 발명은 질소 함유 방향족 복소환 유도체 및 유기 전기발광 소자(이하, 유기 EL 소자로 칭하는 경우도 있다)에 관한 것이다.
유기 전기발광(EL) 소자는, 고체 발광형의 저렴한 대면적 풀컬러 표시 소자로서의 용도가 유망시되어, 많은 개발이 행해지고 있다. 일반적으로 유기 EL 소자는 발광층 및 당해 층을 낀 한 쌍의 대향 전극으로부터 구성되어 있다. 양 전극 사이에 전압이 인가되면, 음극측으로부터 전자, 양극측으로부터 정공이 발광층으로 주입되고, 주입된 전자와 정공이 발광층에서 재결합되어 여기 상태를 생성하여, 여기 상태가 기저 상태에 되돌아갈 때에 에너지를 광으로서 방출한다.
또한, 유기 EL 소자의 발광층에 인광성 유기 재료를 이용하는 인광형 유기 EL 소자가 제안되어 있다. 이 인광형 유기 EL 소자는, 인광성 유기 재료의 1중항 여기 상태와 3중항 여기 상태를 이용함으로써 높은 발광 효율이 달성된다. 유기 EL 소자 내에서 전자와 정공이 재결합하는 때는, 스핀 다중도의 차이로부터 1중항 여기자와 3중항 여기자가 1:3의 비율로 생성된다고 생각되고 있기 때문에, 인광성의 발광 재료를 이용하면, 형광성 발광 재료만을 사용한 소자의 3 내지 4배의 발광 효율의 달성이 생각된다.
초기의 유기 EL 소자는, 구동 전압이 높고, 발광 효율 및 내구성이 불충분하며, 이들 문제에 대하여 다양한 기술적 개량이 이루어져 왔다.
유기 EL 소자의 발광 효율의 향상 및 장수명화는 디스플레이의 소비 전력의 저하, 내구성의 향상에 이어지는 중요한 과제이며, 한층더 개량이 요구되고 있다. 더불어, 인광성의 발광 재료를 이용한 유기 EL 소자의 발광 효율이나 소자 수명을 향상시키기 위해서 다양한 검토가 이루어져 있다.
이러한 유기 EL 재료로서, 종래부터, 높은 3중항 에너지를 나타내는 카바졸 유도체는, 특히 인광 호스트 재료로서 이용되고 있었다. 한편, 카바졸 유도체는, 이온화 포텐셜(Ip)을 낮게 하여, 주입성을 향상시키는 성질을 갖기 때문에, 인광 호스트에 인접하는 정공 수송 재료로서 이용하는 것이 검토되어 왔다.
이러한 카바졸 유도체의 분자 구조를 더욱 변경한 것으로서, 특허문헌 1은 인데노인돌 골격을 갖는 유도체를 개시하고 있다. 또한, 특허문헌 2는 인데노카바졸 골격을 갖는 유도체를 개시하고 있다. 또한, 특허문헌 3은 인돌로카바졸 골격을 갖는 유도체를 개시하고 있다.
일본 특허공개 제2010-40829호 공보 WO2010/114267 WO2011/049063
그러나, 본 발명자들이 검토한 바, 카바졸 유도체는 전자 수송성이 상대적으로 높기 때문에, 수송 기능의 조정이 충분하지 않고, 재결합 영역이 정공 수송층측으로 치우치는 결과, 효율이나 수명에 있어서 문제가 있다는 것을 발견했다.
본 발명은 상기 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로서, 발광 효율이 높고, 장수명인 유기 EL 소자를 실현하는 유기 EL 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 헤테로 원자를 가져도 좋은 인데노인돌 골격이나 인데노카바졸 골격의 질소 원자와, 헤테로 원자를 가져도 좋은 플루오렌 골격의 벤젠환 상의 환 형성 탄소가 결합하고 있는 질소 함유 방향족 복소환 유도체에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 발견해내어, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 하기 1 내지 23을 제공하는 것이다.
1. 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시되는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
[화학식 1-1]
Figure pct00001
[화학식 1-2]
Figure pct00002
[화학식 1a]
Figure pct00003
[화학식 1b]
Figure pct00004
[화학식 1-1 및 1-2에서,
환 A는 상기 화학식 1a 또는 1b로 표시되고, 환 형성 탄소 C1과 C2, C3과 C4, C4와 C5, 또는 C5와 C6을 인접 환과 공유한다.
X는 NR5, CR6R7, SiR6R7, 산소 원자, 황 원자를 나타낸다.
W 및 Z는 각각 독립적으로, 단일 결합, CR6R7, SiR6R7, 산소 원자, 황 원자를 나타낸다.
L1은 단일 결합, 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 환 형성 원자수 5 내지 30의 헤테로아릴렌기를 나타낸다.
R1 내지 R7은 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 15의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 15의 사이클로알킬기, 치환 또는 미치환된 실릴기, 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타내거나, 2개의 R1 내지 R7끼리가 서로 결합하여 환을 형성하는 포화 또는 불포화된 2가의 기를 나타낸다.
a, c 및 d는 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수를 나타낸다.
b는 0 내지 3의 정수를 나타낸다.
e는 0 내지 2의 정수를 나타낸다.
Q는 하기 화학식 1c로 표시되는 구조이다.]
[화학식 1c]
Figure pct00005
[화학식 1c에서,
Y는 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다.
L2는 단일 결합, 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기 또는 환 형성 원자수 5 내지 30의 헤테로아릴렌기를 나타낸다. 단, L2가 화학식 1c로 표시되는 구조의 2위치의 탄소와 결합하고 있는 경우, L2는 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기 또는 환 형성 원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기를 나타낸다.
R8 및 R9는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 15의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 15의 사이클로알킬기, 치환 또는 미치환된 실릴기, 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타내거나, 인접한 2개의 R8 내지 R9끼리가 서로 결합하여 환을 형성하는 포화 또는 불포화된 2가의 기를 나타낸다.
f는 0 내지 3의 정수를 나타낸다.
g는 0 내지 4의 정수를 나타낸다.]
2. 상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서의 W가 단일 결합을 나타내고, 또한, 상기 화학식 1a 및 1b에서의 Z가 단일 결합을 나타내는, 상기 1에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
3. 하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표시되는, 상기 2에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
[화학식 2-1]
Figure pct00006
[화학식 2-2]
Figure pct00007
[화학식 2-1 및 2-2에서, R1, R3, R4, a, d, e, X 및 Q는 상기와 같은 의미이다.]
4. 하기 화학식 3-1 또는 3-2로 표시되는, 상기 2에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
[화학식 3-1]
Figure pct00008
[화학식 3-2]
Figure pct00009
[화학식 3-1 및 3-2에서, R1, R3, R4, a, d, e, X 및 Q는 상기와 같은 의미이다.]
5. 하기 화학식 4-1로 표시되는, 상기 2에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
[화학식 4-1]
Figure pct00010
[화학식 4-1에서, R1, R3, R4, a, d, e, X 및 Q는 상기와 같은 의미이다.]
6. 하기 화학식 5-1 또는 5-2로 표시되는, 상기 2에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
[화학식 5-1]
Figure pct00011
[화학식 5-2]
Figure pct00012
[화학식 5-1 및 5-2에서, R1, R2, a, c, X 및 Q는 상기와 같은 의미이다.]
7. 상기 L2가 단일 결합으로 표시되는, 상기 1 내지 6 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
8. 상기 L2가 하기 화학식 7a 내지 7c 중 어느 하나로 표시되는, 상기 1 내지 6 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
[화학식 7a]
Figure pct00013
[화학식 7b]
Figure pct00014
[화학식 7c]
Figure pct00015
[화학식 7a 내지 7c에서,
R11 내지 R13은 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 15의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 15의 사이클로알킬기, 치환 또는 미치환된 실릴기, 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 20의 헤테로아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타내거나, 인접한 2개의 R11 내지 R13끼리가 서로 결합하여 환을 형성하는 포화 또는 불포화된 2가의 기를 나타낸다.
R14 및 R15는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 15의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 15의 사이클로알킬기, 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 20의 헤테로아릴기를 나타낸다.
k1 내지 k3은 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수를 나타낸다.]
9. 상기 X가 상기 NR5를 나타내는, 상기 1 내지 8 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
10. 상기 X가 산소 원자를 나타내는, 상기 1 내지 8 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
11. 상기 X가 황 원자를 나타내는, 상기 1 내지 8 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
12. 상기 X가 상기 CR6R7을 나타내는, 상기 1 내지 8 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
13. 상기 X가 상기 SiR6R7을 나타내는, 상기 1 내지 8 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
14. 상기 Y가 산소 원자를 나타내는, 상기 1 내지 13 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
15. 상기 Y가 황 원자를 나타내는, 상기 1 내지 13 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
16. 상기 화학식 1c에서, 상기 L2가 화학식 1c로 표시되는 구조의 4위치의 탄소와 결합하고 있는, 상기 1 내지 15 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
17. 유기 전기발광 소자용 재료인, 상기 1 내지 16 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
18. 유기 전기발광 소자용 정공 수송 재료인, 상기 1 내지 16 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
19. 양극과 음극의 사이에 발광층을 포함하는 복수의 유기 박막층을 구비한 유기 전기발광 소자로서, 상기 1 내지 16 중 어느 하나에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체를 함유하는 유기 박막층을 적어도 1층 이상 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전기발광 소자.
20. 상기 유기 박막층으로서 적어도 정공 수송층을 갖고, 상기 질소 함유 방향족 복소환 유도체가 당해 정공 수송층에 함유되어 있는, 상기 19에 기재된 유기 전기발광 소자.
21. 상기 발광층이 추가로 인광 발광성 재료를 함유하는, 상기 19 또는 20에 기재된 유기 전기발광 소자.
22. 상기 인광 발광성 재료가 이리듐(Ir), 오스뮴(Os) 또는 백금(Pt) 금속의 오쏘메탈화 착체인, 상기 21에 기재된 유기 전기발광 소자.
23. 상기 정공 수송층에, 하기 화학식 A로 표시되는 화합물을 함유하는 층이 접합되어 있는, 상기 20 내지 22 중 어느 하나에 기재된 유기 전기발광 소자.
[화학식 A]
Figure pct00016
(상기 화학식 A 중, R21 내지 R26은 서로 동일하여도 상이하여도 좋고, 각각 독립적으로 사이아노기, -CONH2, 카복실기 또는 -COOR27(R27은 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기)를 나타낸다. 단, R21 및 R22, R23 및 R24, 및 R25 및 R26의 1 또는 2 이상의 쌍이 함께 이루어져 -CO-O-CO-로 표시되는 기를 나타내어도 좋다.)
본 발명에 의하면, 발광 효율이 높고, 장수명인 유기 EL 소자 및 그것을 실현하는 유기 EL 재료를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 유기 EL 소자의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
본 명세서에서, 「치환 또는 미치환된 탄소수 a 내지 b의 X기」라는 표현에서의 「탄소수 a 내지 b」는, X기가 미치환된 경우의 탄소수를 나타내는 것이며, X기가 치환되어 있는 경우의 치환기의 탄소수는 포함시키지 않는다.
본 명세서에서, 「수소 원자」란, 중성자 수가 다른 동위체, 즉, 경수소(protium), 중수소(deuterium) 및 삼중수소(tritium)를 포함한다.
(질소 함유 방향족 복소환 유도체)
본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체는, 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시된다.
[화학식 1-1]
Figure pct00017
[화학식 1-2]
Figure pct00018
[화학식 1a]
Figure pct00019
[화학식 1b]
Figure pct00020
[화학식 1-1 및 1-2에서,
환 A는 환 형성 탄소 C1과 C2, C3과 C4, C4와 C5, 또는 C5와 C6을 인접 환과 공유하는 상기 화학식 1a 또는 1b로 표시되는 구조이다.
X는 NR5, CR6R7, SiR6R7, 산소 원자, 황 원자를 나타낸다.
W 및 Z는 각각 독립적으로, 단일 결합, CR6R7, SiR6R7, 산소 원자, 황 원자를 나타낸다.
L1은 단일 결합, 환 형성 탄소수 6 내지 30(바람직하게는 6 내지 18)의 아릴렌기, 환 형성 원자수 5 내지 30(바람직하게는 5 내지 18)의 헤테로아릴렌기를 나타낸다.
R1 내지 R7은 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 15(바람직하게는 1 내지 5)의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 15(바람직하게는 5 내지 12)의 사이클로알킬기, 치환 또는 미치환된 실릴기, 환 형성 탄소수 6 내지 30(바람직하게는 6 내지 18)의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 30(바람직하게는 5 내지 18)의 헤테로아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타내거나, 2개의 R1 내지 R7끼리가 서로 결합하여 환을 형성하는 포화 또는 불포화된 2가의 기를 나타낸다.
a, c 및 d는 각각 독립적으로, 0 내지 4(바람직하게는 0 내지 2)의 정수를 나타낸다.
b는 0 내지 3(바람직하게는 0 내지 2)의 정수를 나타낸다.
e는 0 내지 2(바람직하게는 0 또는 1)의 정수를 나타낸다.
Q는 하기 화학식 1c로 표시되는 구조이다.]
[화학식 1c]
Figure pct00021
[화학식 1c에서,
Y는 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다.
L2는 단일 결합, 환 형성 탄소수 6 내지 30(바람직하게는 6 내지 18)의 아릴렌기 또는 환 형성 원자수 5 내지 30(바람직하게는 5 내지 18)의 헤테로아릴렌기를 나타낸다. 단, L2가 화학식 1c로 표시되는 구조의 2위치의 탄소와 결합하고 있는 경우, L2는 환 형성 탄소수 6 내지 30(바람직하게는 6 내지 18)의 아릴렌기 또는 환 형성 원자수 5 내지 30(바람직하게는 5 내지 18)의 헤테로아릴기를 나타낸다.
R8 및 R9는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 15(바람직하게는 1 내지 5)의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 15(바람직하게는 5 내지 12)의 사이클로알킬기, 치환 또는 미치환된 실릴기, 환 형성 탄소수 6 내지 30(바람직하게는 6 내지 18)의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 30(바람직하게는 5 내지 18)의 헤테로아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타내거나, 인접한 2개의 R8 내지 R9끼리가 서로 결합하여 환을 형성하는 포화 또는 불포화된 2가의 기를 나타낸다.
f는 0 내지 3(바람직하게는 0 내지 2)의 정수를 나타낸다.
g는 0 내지 4(바람직하게는 0 내지 2)의 정수를 나타낸다.]
상기 L1 및 L2가 나타내는 아릴렌기의 예로서는, 벤젠, 나프탈렌, 페난트렌, 바이페닐, 터페닐(이성체를 포함함), 쿼터페닐(이성체를 포함함), 플루오란텐, 트라이페닐렌, 9,9-다이메틸플루오렌, 벤조[c]페난트렌, 벤조[a]트라이페닐렌, 나프토[1,2-c]페난트렌, 나프토[1,2-a]트라이페닐렌, 다이벤조[a,c]트라이페닐렌 및 벤조[b]플루오란텐으로부터 선택되는 방향족 화합물의 2가의 잔기를 들 수 있고, 바람직하게는 1,4-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 나프탈렌-2,6-다이일기, 나프탈렌-2,7-다이일기, 9,9-다이메틸플루오렌-2,7-다이일기이다.
상기 R1 내지 R9가 나타내는 알킬기의 예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트라이데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-뷰틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 메틸기, t-뷰틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기이다.
상기 R1 내지 R9가 나타내는 사이클로알킬기의 예로서는, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로옥틸기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기이다.
상기 R1 내지 R9가 나타내는 치환 실릴기의 예로서는, -SiH2R, -SiHR2 또는 -SiR3(단, R은 상기 알킬기이며, 2 또는 3개의 R은 동일하여도 상이하여도 좋다)으로 표시되는 기를 들 수 있고, 바람직하게는 트라이메틸실릴기, 트라이에틸실릴기, t-뷰틸다이메틸실릴기이다.
상기 R1 내지 R9가 나타내는 아릴기의 예로서는, 페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 플루오란텐일기, 트라이페닐렌일기, 9,9-다이메틸플루오렌일기, 벤조[c]페난트렌일기, 벤조[a]트라이페닐렌일기, 나프토[1,2-c]페난트렌일기, 나프토[1,2-a]트라이페닐렌일기, 다이벤조[a,c]트라이페닐렌일기, 벤조[b]플루오란텐일기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 페닐기, 4-바이페닐기, 3-바이페닐기, 5'-m-터페닐기, 1-나프틸기, 9,9-다이메틸플루오렌-2-일기, 2-나프틸기, 9-페난트렌일기이다.
상기 R1 내지 R9가 나타내는 헤테로아릴기로서는, 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자로부터 선택되는 적어도 1개의 헤테로 원자를 포함하는 것이 바람직하고, 그 구체예로서는, 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 피리다진일기, 피리미딘일기, 피라진일기, 트라이아진일기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 싸이아졸릴기, 피라졸릴기, 아이소옥사졸릴기, 아이소싸이아졸릴기, 옥사다이아졸릴기, 싸이아다이아졸릴기, 트라이아졸릴기, 인돌릴기, 아이소인돌릴기, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 벤조싸이오페닐기, 인돌리진일기, 퀴놀리진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 신놀릴기, 프탈라진일기, 퀴나졸린일기, 퀴녹살린일기, 벤즈이미다졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈싸이아졸릴기, 인다졸릴기, 벤즈아이속사졸릴기, 벤즈아이소싸이아졸릴기, 카바졸릴기, 다이벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오페닐기, 페난트리딘일기, 아크리딘일기, 페난트롤린일기, 페나진일기, 페노싸이아진일기, 페녹사진일기 및 잔텐일기를 들 수 있고, 바람직하게는 퓨릴기, 싸이엔일기, 벤조퓨란일기, 벤조싸이오페닐기, 다이벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오페닐기이다.
인접하는 R1 내지 R9끼리가 서로 결합하여 형성하는 2가의 기로서는 뷰테인-1,4-다이일기, 1,3-뷰타다이엔-1,4-다이일기 등을 들 수 있다.
상기 W 및 Z로서는, 단일 결합이 바람직하다.
상기 L2로서는, 단일 결합 또는 하기 화학식 7a 내지 7c 중 어느 하나로 표시되는 것이 바람직하다.
[화학식 7a]
Figure pct00022
[화학식 7b]
Figure pct00023
[화학식 7c]
Figure pct00024
[화학식 7a 내지 7c에서,
R11 내지 R13은 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 15의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 15의 사이클로알킬기, 치환 또는 미치환된 실릴기, 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 20의 헤테로아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타내거나, 인접한 2개의 R11 내지 R13끼리가 서로 결합하여 환을 형성하는 포화 또는 불포화된 2가의 기를 나타낸다.
R14 및 R15는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 15의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 15의 사이클로알킬기, 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 20의 헤테로아릴기를 나타낸다.
k1 내지 k3은 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수를 나타낸다.]
또한, 상기 화학식 1c에서는, 상기 L2가 화학식 1c로 표시되는 구조의 4위치의 탄소와 결합하고 있는 것이 바람직하다. 한편, 당해 4위치의 탄소는 화학식 1c 중에 도시되어 있다.
본 발명에 따른 질소 함유 방향족 복소환 유도체는, 하기 화학식 2-1, 2-2, 3-1, 3-2, 4-1, 5-1 및 5-2 중 어느 하나로 표시되는 것이 바람직하고, 특히 바람직한 것은 2-1, 2-2, 3-2 및 5-2 중 어느 하나로 표시되는 것이다.
Figure pct00025
화학식 2-1, 2-2, 3-1, 3-2, 4-1, 5-1 및 5-2에서, R1, R2, R3, R4, a, b, c, d, e, X 및 Q는 상기와 같은 의미이다.
상기 및 후술하는 「치환 또는 미치환」이라는 경우의 임의의 치환기로서는 불소 원자, 사이아노기, 탄소수 1 내지 20(바람직하게는 1 내지 5)의 알킬기, 탄소수 3 내지 20(바람직하게는 5 내지 12)의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20(바람직하게는 1 내지 5)의 알콕시기, 탄소수 1 내지 20(바람직하게는 1 내지 5)의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 20(바람직하게는 1 내지 5)의 할로알콕시기, 탄소수 1 내지 10(바람직하게는 1 내지 5)의 알킬실릴기, 환 형성 탄소수 6 내지 30(바람직하게는 6 내지 18)의 아릴기, 환 형성 탄소수 6 내지 30(바람직하게는 6 내지 18)의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 30(바람직하게는 6 내지 18)의 아릴실릴기, 탄소수 7 내지 30(바람직하게는 7 내지 20)의 아르알킬기, 및 환 형성 원자수 5 내지 30(바람직하게는 5 내지 18)의 헤테로아릴기를 들 수 있다.
이하에 질소 함유 방향족 복소환 유도체의 구체예를 기재하지만, 본 발명의 화합물은 하기 화합물에 한정되지 않는다.
Figure pct00026
Figure pct00027
Figure pct00028
Figure pct00029
Figure pct00030
Figure pct00031
Figure pct00032
Figure pct00033
Figure pct00034
(유기 EL 소자)
다음으로, 본 발명의 유기 EL 소자에 대하여 설명한다.
본 발명의 유기 EL 소자는 음극과 양극의 사이에 발광층을 포함하는 복수의 유기 박막층을 갖고, 이 유기 박막층 중의 적어도 1층이 전술한 본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체가, 본 발명의 유기 EL 소자의 유기 박막층 중의 적어도 1층에 함유됨으로써 유기 EL 소자의 고발광 효율화, 장수명화가 기대될 수 있다.
본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체가 포함되는 유기 박막층의 예로서는, 정공 수송층, 발광층, 스페이스층 및 장벽층 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체는, 특히, 정공 수송층에 포함되는 것이 바람직하다. 또한, 발광층은 형광 발광 재료나 인광 발광 재료를 함유하는 것이 바람직하고, 특히 인광 발광 재료를 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 소자는, 형광 또는 인광 발광형의 단색 발광 소자이어도, 형광/인광 하이브리드형의 백색 발광 소자이어도 좋고, 단독의 발광 유닛을 갖는 심플형이어도, 복수의 발광 유닛을 갖는 탠덤형이어도 좋다. 여기서, 「발광 유닛」이란, 1층 이상의 유기층을 포함하고, 그 중의 1층이 발광층이며, 주입된 정공과 전자가 재결합함으로써 발광할 수 있는 최소 단위를 말한다.
따라서, 심플형 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는, 이하의 소자 구성을 들 수 있다.
(1) 양극/발광 유닛/음극
또한, 상기 발광 유닛은, 인광 발광층이나 형광 발광층을 복수 갖는 적층형이어도 좋고, 그 경우, 각 발광층의 사이에, 인광 발광층에서 생성된 여기자가 형광 발광층으로 확산하는 것을 방지할 목적으로, 스페이스층을 갖고 있어도 좋다. 발광 유닛의 대표적인 층 구성을 이하에 나타낸다.
(a) 정공 수송층/발광층(/전자 수송층)
(b) 정공 수송층/제 1 인광 발광층/제 2 인광 발광층(/전자 수송층)
(c) 정공 수송층/인광 발광층/스페이스층/형광 발광층(/전자 수송층)
(d) 정공 수송층/제 1 인광 발광층/제 2 인광 발광층/스페이스층/형광 발광층(/전자 수송층)
(e) 정공 수송층/제 1 인광 발광층/스페이스층/제 2 인광 발광층/스페이스층/형광 발광층(/전자 수송층)
(f) 정공 수송층/인광 발광층/스페이스층/제 1 형광 발광층/제 2 형광 발광층(/전자 수송층)
상기 각 인광 또는 형광 발광층은, 각각 서로 다른 발광색을 나타내는 것으로 할 수 있다. 구체적으로는, 상기 적층 발광층(d)에서, 정공 수송층/제 1 인광 발광층(적색 발광)/제 2 인광 발광층(녹색 발광)/스페이스층/형광 발광층(청색 발광)/전자 수송층으로 한 층 구성을 들 수 있다.
한편, 각 발광층과 정공 수송층 또는 스페이스층의 사이에는, 적절히, 전자 장벽층을 설치하여도 좋다. 또한, 각 발광층과 전자 수송층의 사이에는, 적절히, 정공 장벽층을 설치하여도 좋다. 전자 장벽층이나 정공 장벽층을 설치함으로써 전자 또는 정공을 발광층 내에 가두어, 발광층에서의 전하의 재결합 확률을 높이고, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
탠덤형 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는, 이하의 소자 구성을 들 수 있다.
(2) 양극/제 1 발광 유닛/중간층/제 2 발광 유닛/음극
여기서, 상기 제 1 발광 유닛 및 제 2 발광 유닛으로서는, 예컨대, 각각 독립적으로 전술한 발광 유닛과 마찬가지의 것을 선택할 수 있다.
상기 중간층은, 일반적으로, 중간 전극, 중간 도전층, 전하 발생층, 전자 인발층, 접속층, 중간 절연층으로도 칭하고, 제 1 발광 유닛에 전자를, 제 2 발광 유닛에 정공을 공급하는 공지된 재료 구성을 이용할 수 있다.
도 1에, 본 발명의 유기 EL 소자의 일례의 개략 구성을 나타낸다. 유기 EL 소자(1)는, 기판(2), 양극(3), 음극(4) 및 당해 양극(3)과 음극(4)의 사이에 배치된 발광 유닛(10)을 갖는다. 발광 유닛(10)은, 인광 호스트 재료와 인광 도펀트를 포함하는 적어도 하나의 인광 발광층을 포함하는 발광층(5)을 갖는다. 발광층(5)과 양극(3)의 사이에 정공 수송층(6) 등, 발광층(5)과 음극(4)의 사이에 전자 수송층(7) 등을 형성하여도 좋다. 또한, 발광층(5)의 양극(3)측에 전자 장벽층을, 발광층(5)의 음극(4)측에 정공 장벽층을, 각각 설치하여도 좋다. 이에 의해, 전자나 정공을 발광층(5)에 가두어, 발광층(5)에서의 여기자의 생성 확률을 높일 수 있다.
한편, 본 명세서에서, 형광 도펀트와 조합된 호스트를 형광 호스트로 칭하고, 인광 도펀트와 조합된 호스트를 인광 호스트로 칭한다. 형광 호스트와 인광 호스트는 분자 구조에 의해서만 구분되는 것은 아니다. 즉, 인광 호스트란, 인광 도펀트를 함유하는 인광 발광층을 구성하는 재료를 의미하며, 형광 발광층을 구성하는 재료로서 이용할 수 없는 것을 의미하고 있는 것은 아니다. 형광 호스트에 대해서도 마찬가지이다.
(기판)
본 발명의 유기 EL 소자는 투광성 기판 상에 제작한다. 투광성 기판은 유기 EL 소자를 지지하는 기판이며, 400nm 내지 700nm의 가시 영역의 광의 투과율 50% 이상에서 평활한 기판이 바람직하다. 구체적으로는, 유리판, 폴리머판 등을 들 수 있다. 유리판으로서는, 특히 소다석회 유리, 바륨·스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노규산 유리, 붕규산 유리, 바륨붕규산 유리, 석영 등을 원료로서 이용하여 이루어지는 것을 들 수 있다. 또한, 폴리머판으로서는, 폴리카보네이트, 아크릴, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에터설파이드, 폴리설폰 등을 원료로서 이용하여 이루어지는 것을 들 수 있다.
(양극)
유기 EL 소자의 양극은, 정공을 정공 수송층 또는 발광층으로 주입하는 역할을 담당하는 것이며, 4.5eV 이상의 일함수를 갖는 것을 이용하는 것이 효과적이다. 양극 재료의 구체예로서는, 산화인듐주석 합금(ITO), 산화주석(NESA), 산화인듐아연 산화물, 금, 은, 백금, 구리 등을 들 수 있다. 양극은 이들의 전극 물질을 증착법이나 스퍼터링법 등의 방법으로 박막을 형성시킴으로써 제작할 수 있다. 발광층으로부터의 발광을 양극으로부터 취출하는 경우, 양극의 가시 영역의 광의 투과율을 10%보다 크게 하는 것이 바람직하다. 또한, 양극의 시트 저항은, 수백Ω/□ 이하가 바람직하다. 양극의 막 두께는, 재료에도 의존하지만, 통상 10nm 내지 1㎛, 바람직하게는 10nm 내지 200nm의 범위로 선택된다.
(음극)
음극은 전자 주입층, 전자 수송층 또는 발광층에 전자를 주입하는 역할을 담당하는 것이며, 일함수가 작은 재료에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 음극 재료는 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 인듐, 알루미늄, 마그네슘, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 알루미늄-리튬 합금, 알루미늄-스칸듐-리튬 합금, 마그네슘-은 합금 등이 사용될 수 있다. 음극도, 양극과 마찬가지로, 증착법이나 스퍼터링법 등의 방법으로 박막을 형성시킴으로써 제작할 수 있다. 또한, 필요에 따라, 음극측에서 발광을 취출하여도 좋다.
(발광층)
발광 기능을 갖는 유기층으로서, 도핑 시스템을 채용하는 경우, 호스트 재료와 도펀트 재료를 포함하고 있다. 이때, 호스트 재료는, 주로 전자와 정공의 재결합을 촉진시키고, 여기자를 발광층 내에 가두는 기능을 갖고, 도펀트 재료는, 재결합으로 수득된 여기자를 효율적으로 발광시키는 기능을 갖는다.
인광 소자의 경우, 호스트 재료는 주로 도펀트로 생성된 여기자를 발광층 내에 가두는 기능을 갖는다.
여기서, 상기 발광층은, 예컨대, 전자 수송성의 호스트와 정공 수송성의 호스트를 조합하는 등을 하여, 발광층 내의 캐리어 밸런스를 조정하는 더블 호스트(호스트·코호스트라고도 함)를 채용하여도 좋다.
또한, 양자 수율이 높은 도펀트 재료를 2종류 이상 넣음으로써, 각각의 도펀트가 발광하는 더블 도펀트를 채용하여도 좋다. 구체적으로는, 호스트, 적색 도펀트 및 녹색 도펀트를 공증착함으로써, 발광층을 공통화하여 황색 발광을 실현하는 태양을 들 수 있다.
상기 발광층은, 복수의 발광층을 적층한 적층체로 함으로써 발광층 계면에 전자와 정공을 축적시켜, 재결합 영역을 발광층 계면에 집중시켜, 양자 효율을 향상시킬 수 있다.
발광층으로의 정공의 주입 용이성과 전자의 주입 용이성은 상이하여도 좋고, 또한, 발광층 중에서의 정공과 전자의 이동도로 표시되는 정공 수송능과 전자 수송능이 상이하여도 좋다.
발광층은, 예컨대 증착법, 스핀 코팅법, LB법 등의 공지된 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 수지 등의 결착제와 재료 화합물을 용제에 녹인 용액을 스핀 코팅법 등에 의해 박막화함으로써도, 발광층을 형성할 수 있다.
발광층은 분자 퇴적막인 것이 바람직하다. 분자 퇴적막이란, 기상 상태의 재료 화합물로부터 침착되어 형성된 박막이나, 용액 상태 또는 액상 상태의 재료 화합물로부터 고체화되어 형성된 막인 것이며, 통상 이 분자 퇴적막은, LB법에 의해 형성된 박막(분자 누적막)과는 응집 구조, 고차 구조의 차이나, 그것에 기인하는 기능적인 차이에 의해 구분할 수 있다.
발광층을 형성하는 인광 도펀트(인광 발광 재료)는 3중항 여기 상태로부터 발광할 수 있는 화합물이며, 3중항 여기 상태로부터 발광하는 한 특별히 한정되지 않지만, Ir, Pt, Os, Au, Cu, Re 및 Ru로부터 선택되는 적어도 하나의 금속과 리간드를 포함하는 유기 금속 착체인 것이 바람직하다. 상기 리간드는, 오쏘메탈 결합을 갖는 것이 바람직하다. 인광 양자 수율이 높고, 발광 소자의 외부 양자 효율을 보다 향상시킬 수 있다고 하는 점에서, Ir, Os 및 Pt로부터 선택되는 금속 원자를 함유하는 금속 착체가 바람직하고, 이리듐 착체, 오스뮴 착체, 백금 착체 등의 금속 착체가 보다 바람직하고, 이리듐 착체 및 백금 착체가 더욱 바람직하고, 오쏘메탈화 이리듐 착체가 특히 바람직하다.
인광 도펀트의 발광층에서의 함유량은 특별히 제한은 없고 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있지만, 예컨대, 0.1 내지 70질량%가 바람직하고, 1 내지 30질량%가 보다 바람직하다. 인광 도펀트의 함유량이 0.1질량% 이상이면 충분한 발광이 수득되고, 70질량% 이하이면 농도 소광을 회피할 수 있다.
바람직한 유기 금속 착체의 구체예를 이하에 나타낸다.
Figure pct00035
Figure pct00036
Figure pct00037
Figure pct00038
인광 호스트는, 인광 도펀트의 3중항 에너지를 효율적으로 발광층 내에 가둠으로써, 인광 도펀트를 효율적으로 발광시키는 기능을 갖는 화합물이다. 본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체는 인광 호스트로서 유용하지만, 본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체 이외의 화합물도, 인광 호스트로서, 상기 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체와 그 이외의 화합물을 동일한 발광층 내의 인광 호스트 재료로서 병용하여도 좋고, 복수의 발광층이 있는 경우에는, 그 중의 하나의 발광층의 인광 호스트 재료로서 본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체를 이용하고, 다른 하나의 발광층의 인광 호스트 재료로서 본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체 이외의 화합물을 이용하여도 좋다. 또한, 본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체는 발광층 이외의 유기층에도 사용할 수 있는 것이며, 그 경우에는 발광층의 인광 호스트로서, 본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체 이외의 화합물을 이용하여도 좋다.
본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체 이외의 화합물에서, 인광 호스트로서 바람직한 화합물의 구체예로서는, 카바졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알케인 유도체, 피라졸린 유도체, 피라졸론 유도체, 페닐렌다이아마인 유도체, 아릴아마인 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 스타이릴안트라센 유도체, 플루오렌온 유도체, 하이드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라잔 유도체, 방향족 제 3 아마인 화합물, 스타이릴아마인 화합물, 방향족 다이메틸리덴계 화합물, 포피린계 화합물, 안트라퀴노다이메테인 유도체, 안트론 유도체, 다이페닐퀴논 유도체, 싸이오피란다이옥사이드 유도체, 카보다이이미드 유도체, 플루오렌일리덴메테인 유도체, 다이스타이릴피라딘 유도체, 나프탈렌페릴렌 등의 복소환 테트라카복실산 무수물, 프탈로사이아닌 유도체, 8-퀴놀린올 유도체의 금속 착체나 메탈프탈로사이아닌, 벤조옥사졸이나 벤조싸이아졸을 리간드로 하는 금속 착체로 대표되는 각종 금속 착체 폴리실레인계 화합물, 폴리(N-바이닐카바졸) 유도체, 아닐린계 공중합체, 싸이오펜올리고머, 폴리싸이오펜 등의 도전성 고분자 올리고머, 폴리싸이오펜 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리페닐렌바이닐렌 유도체, 폴리플루오렌 유도체 등의 고분자 화합물 등을 들 수 있다. 인광 호스트는 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 병용하여도 좋다. 구체예로서는, 이하와 같은 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00039
발광층의 막 두께는, 바람직하게는 5 내지 50nm, 보다 바람직하게는 7 내지 50nm, 더욱 바람직하게는 10 내지 50nm이다. 5nm 이상이면 발광층의 형성이 용이하고, 50nm 이하이면 구동 전압의 상승이 회피될 수 있다.
(전자 공여성 도펀트)
본 발명의 유기 EL 소자는, 음극과 발광 유닛의 계면 영역에 전자 공여성 도펀트를 갖는 것도 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 유기 EL 소자에서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 도모된다. 여기서, 전자 공여성 도펀트란, 일함수 3.8eV 이하의 금속을 함유하는 것을 말하며, 그의 구체예로서는, 알칼리 금속, 알칼리 금속 착체, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토류 금속, 알칼리 토류 금속 착체, 알칼리 토류 금속 화합물, 희토류 금속, 희토류 금속 착체, 및 희토류 금속 화합물 등으로부터 선택된 적어도 1종류를 들 수 있다.
알칼리 금속으로서는, Na(일함수: 2.36eV), K(일함수: 2.28eV), Rb(일함수: 2.16eV), Cs(일함수: 1.95eV) 등을 들 수 있고, 일함수가 2.9eV 이하인 것이 특히 바람직하다. 이들 중 바람직하게는 K, Rb, Cs, 더욱 바람직하게는 Rb 또는 Cs이며, 가장 바람직하게는 Cs이다. 알칼리 토류 금속으로서는, Ca(일함수: 2.9eV), Sr(일함수: 2.0eV 내지 2.5eV), Ba(일함수: 2.52eV) 등을 들 수 있고, 일함수가 2.9eV 이하인 것이 특히 바람직하다. 희토류 금속으로서는, Sc, Y, Ce, Tb, Yb 등을 들 수 있고, 일함수가 2.9eV 이하인 것이 특히 바람직하다.
알칼리 금속 화합물로서는, Li2O, Cs2O, K2O 등의 알칼리 산화물, LiF, NaF, CsF, KF 등의 알칼리 할로젠화물 등을 들 수 있고, LiF, Li2O, NaF가 바람직하다. 알칼리 토류 금속 화합물로서는, BaO, SrO, CaO 및 이들을 혼합한 BaxSr1 -xO(0<x<1), BaxCa1-xO(0<x<1) 등을 들 수 있고, BaO, SrO, CaO가 바람직하다. 희토류 금속 화합물로서는, YbF3, ScF3, ScO3, Y2O3, Ce2O3, GdF3, TbF3 등을 들 수 있고, YbF3, ScF3, TbF3이 바람직하다.
알칼리 금속 착체, 알칼리 토류 금속 착체, 희토류 금속 착체로서는, 각각 금속 이온으로서 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 금속 이온, 희토류 금속 이온의 적어도 하나 함유하는 것이면 특별히 한정은 없다. 또한, 리간드에는 퀴놀린올, 벤조퀴놀린올, 아크리딘올, 페난트리딘올, 하이드록시페닐옥사졸, 하이드록시페닐싸이아졸, 하이드록시다이아릴옥사다이아졸, 하이드록시다이아릴싸이아다이아졸, 하이드록시페닐피리딘, 하이드록시페닐벤조이미다졸, 하이드록시벤조트라이아졸, 하이드록시플루보레인, 바이피리딜, 페난트롤린, 프탈로사이아닌, 포피린, 사이클로펜타다이엔, β-다이케톤류, 아조메타인류 및 그들의 유도체 등이 바람직하지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
전자 공여성 도펀트의 첨가 형태로서는, 계면 영역에 층상 또는 도상(島狀)으로 형성하면 바람직하다. 형성 방법으로서는, 저항 가열 증착법에 의해 전자 공여성 도펀트를 증착하면서, 계면 영역을 형성하는 유기 화합물(발광 재료나 전자 주입 재료)을 동시에 증착시키고, 유기 화합물에 전자 공여성 도펀트를 분산시키는 방법이 바람직하다. 분산 농도는 몰비로 유기 화합물:전자 공여성 도펀트=100:1 내지 1:100, 바람직하게는 5:1 내지 1:5이다.
전자 공여성 도펀트를 층상으로 형성하는 경우는, 계면의 유기층인 발광 재료나 전자 주입 재료를 층상으로 형성한 후에, 환원 도펀트를 단독으로 저항 가열 증착법에 의해 증착하고, 바람직하게는 층의 두께 0.1nm 내지 15nm로 형성한다. 전자 공여성 도펀트를 도상으로 형성하는 경우는, 계면의 유기층인 발광 재료나 전자 주입 재료를 도상으로 형성한 후에, 전자 공여성 도펀트를 단독으로 저항 가열 증착법에 의해 증착하고, 바람직하게는 섬의 두께 0.05nm 내지 1nm로 형성한다.
본 발명의 유기 EL 소자에서의 주성분과 전자 공여성 도펀트의 비율은, 몰비로 주성분:전자 공여성 도펀트=5:1 내지 1:5이면 바람직하고, 2:1 내지 1:2이면 더욱 바람직하다.
(전자 수송층)
발광층과 음극의 사이에 형성되는 유기층으로서, 전자를 음극으로부터 발광층으로 수송하는 기능을 갖는다. 전자 수송층이 복수층으로 구성되는 경우, 음극에 가까운 유기층을 전자 주입층으로 정의하는 경우가 있다. 전자 주입층은, 음극으로부터 전자를 효율적으로 유기층 유닛으로 주입하는 기능을 갖는다.
전자 수송층에 이용하는 전자 수송성 재료로서는, 분자 내에 헤테로 원자를 1개 이상 함유하는 방향족 헤테로환 화합물이 바람직하게 이용되고, 특히 질소 함유 환 유도체가 바람직하다. 또한, 질소 함유 환 유도체로서는, 질소 함유 6원환 또는 5원환 골격을 갖는 방향족 환, 또는 질소 함유 6원환 또는 5원환 골격을 갖는 축합 방향족 환 화합물이 바람직하다.
이 질소 함유 환 유도체로서는, 예컨대, 하기 화학식 A로 표시되는 질소 함유 환 금속 킬레이트 착체가 바람직하다.
[화학식 A]
Figure pct00040
화학식 A에서의 R2 내지 R7은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 하이드록실기, 아미노기, 탄소수 1 내지 40의 탄화수소기, 탄소수 1 내지 40의 알콕시기, 탄소수 6 내지 50의 아릴옥시기, 알콕시카보닐기, 또는 환 형성 탄소수 5 내지 50의 방향족 복소환기이며, 이들은 치환되어 있어도 좋다.
할로젠 원자로서는, 예컨대, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있다.
치환되어 있어도 좋은 아미노기의 예로서는, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 아르알킬아미노기를 들 수 있다.
알킬아미노기 및 아르알킬아미노기는 -NQ1Q2로 표시된다. Q1 및 Q2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 20의 아르알킬기를 나타낸다. Q1 및 Q2의 한쪽은 수소 원자이어도 좋다.
아릴아미노기는 -NAr1Ar2로 표시되고, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 50의 비축합 방향족 탄화수소기 및 축합 방향족 탄화수소기를 나타낸다. Ar1 및 Ar2의 한쪽은 수소 원자이어도 좋다.
탄소수 1 내지 40의 탄화수소기는 알킬기, 알켄일기, 사이클로알킬기, 아릴기 및 아르알킬기를 포함한다.
알콕시카보닐기는 -COOY'로 표시되고, Y'는 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 나타낸다.
M은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는 인듐(In)이며, In이면 바람직하다.
L은 하기 화학식 A' 또는 A"로 표시되는 기이다.
[화학식 A']
Figure pct00041
[화학식 A"]
Figure pct00042
화학식 A' 중 R8 내지 R12는 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환 또는 미치환된 탄소수 1 내지 40의 탄화수소기이며, 서로 인접하는 기가 환상 구조를 형성하고 있어도 좋다. 또한, 상기 화학식 A" 중 R13 내지 R27은 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환 또는 미치환된 탄소수 1 내지 40의 탄화수소기이며, 서로 인접하는 기가 환상 구조를 형성하고 있어도 좋다.
화학식 A' 및 화학식 A"의 R8 내지 R12 및 R13 내지 R27이 나타내는 탄소수 1 내지 40의 탄화수소기는, 상기 화학식 A 중의 R2 내지 R7이 나타내는 탄화수소기와 마찬가지이다. 또한, R8 내지 R12 및 R13 내지 R27의 서로 인접하는 기가 환상 구조를 형성한 경우의 2가의 기로서는, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 다이페닐메테인-2,2'-다이일기, 다이페닐에테인-3,3'-다이일기, 다이페닐프로페인-4,4'-다이일기 등을 들 수 있다.
전자 수송층에 이용되는 전자 전달성 화합물로서는, 8-하이드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체, 옥사다이아졸 유도체, 질소 함유 복소환 유도체가 적합하다. 상기 8-하이드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체의 구체예로서는, 옥신(일반적으로 8-퀴놀린올 또는 8-하이드록시퀴놀린)의 킬레이트를 포함하는 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물, 예컨대 트리스(8-퀴놀린올)알루미늄을 이용할 수 있다. 그리고, 옥사다이아졸 유도체로서는, 하기의 것을 들 수 있다.
Figure pct00043
상기 화학식에서, Ar17, Ar18, Ar19, Ar21, Ar22 및 Ar25는 각각 치환 또는 미치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기를 나타내고, Ar17과 Ar18, Ar19와 Ar21, Ar22와 Ar25는 서로 동일하여도 상이하여도 좋다. 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기로서는, 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 안트라닐기, 페릴렌일기, 피렌일기 등을 들 수 있다. 이들의 치환기로서는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 또는 사이아노기 등을 들 수 있다.
Ar20, Ar23 및 Ar24는 각각 치환 또는 미치환된 탄소수 6 내지 50의 2가의 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기를 나타내고, Ar23과 Ar24는 서로 동일하여도 상이하여도 좋다. 2가의 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기로서는, 페닐렌기, 나프틸렌기, 바이페닐렌기, 안트라닐렌기, 페릴렌일렌기, 피렌일렌기 등을 들 수 있다. 이들의 치환기로서는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기 또는 사이아노기 등을 들 수 있다.
이들의 전자 전달성 화합물은, 박막 형성성이 양호한 것이 바람직하게 이용된다. 그리고, 이들 전자 전달성 화합물의 구체예로서는, 하기의 것을 들 수 있다.
Figure pct00044
전자 전달성 화합물로서의 질소 함유 복소환 유도체는, 이하의 화학식을 갖는 유기 화합물로 이루어지는 질소 함유 복소환 유도체이며, 금속 착체가 아닌 질소 함유 화합물을 들 수 있다. 예컨대, 하기 화학식 B에 나타내는 골격을 함유하는 5원환 또는 6원환이나, 하기 화학식 C에 나타내는 구조의 것을 들 수 있다.
[화학식 B]
Figure pct00045
[화학식 C]
Figure pct00046
상기 화학식 C 중 X는 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 질소 함유 헤테로환을 형성 가능한 원자군을 나타낸다.
질소 함유 복소환 유도체는, 더욱 바람직하게는 5원환 또는 6원환으로 이루어지는 질소 함유 방향 다환족을 갖는 유기 화합물이다. 또한, 이러한 복수 질소 원자를 갖는 질소 함유 방향 다환족의 경우는, 상기 화학식 B와 C 또는 상기 화학식 B와 하기 화학식 D를 조합시킨 골격을 갖는 질소 함유 방향 다환 유기 화합물이 바람직하다.
[화학식 D]
Figure pct00047
상기 질소 함유 방향 다환 유기 화합물의 질소 함유기는, 예컨대, 이하의 화학식으로 표시되는 질소 함유 복소환기로부터 선택된다.
Figure pct00048
상기 각 화학식 중 R은 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 40의 방향족 복소환기 또는 축합 방향족 복소환기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기이며, n은 0 내지 5의 정수이며, n이 2 이상의 정수인 때, 복수의 R은 서로 동일 또는 상이하여도 좋다.
또한, 바람직한 구체적인 화합물로서, 하기 화학식으로 표시되는 질소 함유 복소환 유도체를 들 수 있다.
HAr-L1-Ar1-Ar2
상기 화학식 중 HAr은 치환 또는 미치환된 탄소수 3 내지 40의 질소 함유 복소환기이며, L1은 단일 결합, 치환 또는 미치환된 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 미치환된 탄소수 3 내지 40의 방향족 복소환기 또는 축합 방향족 복소환기이며, Ar1은 치환 또는 미치환된 탄소수 6 내지 40의 2가의 방향족 탄화수소기이며, Ar2는 치환 또는 미치환된 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 미치환된 탄소수 3 내지 40의 방향족 복소환기 또는 축합 방향족 복소환기이다.
HAr은, 예컨대, 하기의 군으로부터 선택된다.
Figure pct00049
L1은, 예컨대, 하기의 군으로부터 선택된다.
Figure pct00050
Ar1은, 예컨대, 하기의 아릴안트라닐기로부터 선택된다.
Figure pct00051
상기 화학식 중 R1 내지 R14는 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 6 내지 40의 아릴옥시기, 치환 또는 미치환된 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 미치환된 탄소수 3 내지 40의 방향족 복소환기 또는 축합 방향족 복소환기이며, Ar3은 치환 또는 미치환된 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 미치환된 탄소수 3 내지 40의 방향족 복소환기 또는 축합 방향족 복소환기이다. 또한, R1 내지 R8은 어느 것이든 수소 원자인 질소 함유 복소환 유도체이어도 좋다.
Ar2는, 예컨대, 하기의 군으로부터 선택된다.
Figure pct00052
전자 전달성 화합물로서의 질소 함유 방향 다환 유기 화합물에는, 이 밖에, 하기의 화합물도 적합하게 이용된다.
Figure pct00053
상기 화학식 중 R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 또는 미치환된 탄소수 1 내지 20의 지방족기, 치환 또는 미치환된 탄소수 3 내지 20의 지방족식환기, 치환 또는 미치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 환기, 치환 또는 미치환된 탄소수 3 내지 50의 복소환기를 나타내고, X1, X2는 각각 독립적으로, 산소 원자, 황 원자 또는 다이사이아노메틸렌기를 나타낸다.
또한, 전자 전달성 화합물로서, 하기의 화합물도 적합하게 이용된다.
Figure pct00054
상기 화학식 중 R1, R2, R3 및 R4는 서로 동일 또는 상이한 기이며, 하기 화학식으로 표시되는 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기이다.
Figure pct00055
상기 화학식 중 R5, R6, R7, R8 및 R9는 서로 동일 또는 상이한 기이며, 수소 원자, 포화 또는 불포화된 탄소수 1 내지 20의 알콕실기, 포화 또는 불포화된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 아미노기, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬아미노기이다. R5, R6, R7, R8 및 R9의 적어도 하나는 수소 원자 이외의 기이다.
또한, 전자 전달성 화합물은, 당해 질소 함유 복소환기 또는 질소 함유 복소환 유도체를 포함하는 고분자 화합물이어도 좋다.
본 발명의 유기 EL 소자의 전자 수송층은, 하기 화학식 60 내지 62로 표시되는 질소 함유 복소환 유도체를 1종 이상 포함하는 것이 특히 바람직하다.
[화학식 60]
Figure pct00056
[화학식 61]
Figure pct00057
[화학식 62]
Figure pct00058
(상기 화학식 중 Z1, Z2 및 Z3은 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자이다.
R1 및 R2는 각각 독립적으로, 치환 또는 미치환된 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 미치환된 환 형성 원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 미치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 미치환된 탄소수 1 내지 20의 할로알킬기, 또는 치환 또는 미치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기이다.
n은 0 내지 5의 정수이며, n이 2 이상의 정수인 때, 복수의 R1은 서로 동일하여도 상이하여도 좋다. 또한, 인접하는 2개의 R1끼리가 서로 결합하여, 치환 또는 미치환된 탄화수소 환을 형성하고 있어도 좋다.
Ar1은 치환 또는 미치환된 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 미치환된 환 형성 원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기이다.
Ar2는 수소 원자, 치환 또는 미치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 미치환된 탄소수 1 내지 20의 할로알킬기, 치환 또는 미치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 미치환된 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 치환 또는 미치환된 환 형성 원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기이다.
단, Ar1, Ar2의 어느 한쪽은, 치환 또는 미치환된 환 형성 탄소수 10 내지 50의 축합 방향족 탄화수소 환기, 또는 치환 또는 미치환된 환 형성 원자수 9 내지 50의 축합 방향족 복소환기이다.
Ar3은 치환 또는 미치환된 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 미치환된 환 형성 원자수 5 내지 50의 헤테로아릴렌기이다.
L1, L2 및 L3은 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 미치환된 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 미치환된 환 형성 원자수 9 내지 50의 2가의 축합 방향족 복소환기이다.)
환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기로서는, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 나프타센일기, 크라이센일기, 피렌일기, 바이페닐기, 터페닐기, 톨릴기, 플루오란텐일기, 플루오렌일기 등을 들 수 있다.
환 형성 원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기로서는, 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 시롤릴기, 피리딜기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 벤조프릴기, 이미다졸릴기, 피리미딜기, 카바졸릴기, 셀레노페닐기, 옥사다이아졸릴기, 트라이아졸릴기, 피라진일기, 피리다진일기, 트라이아진일기, 퀴녹살린일기, 아크리딘일기, 이미다조[1,2-a]피리딘일기, 이미다조[1,2-a]피리미딘일기 등을 들 수 있다.
탄소수 1 내지 20의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다.
탄소수 1 내지 20의 할로알킬기로서는, 상기 알킬기의 1 또는 2 이상의 수소 원자를 불소, 염소, 요오드 및 브롬으로부터 선택되는 적어도 하나의 할로젠 원자로 치환하여 수득되는 기를 들 수 있다.
탄소수 1 내지 20의 알콕시기로서는, 상기 알킬기를 알킬 부위로서 갖는 기를 들 수 있다.
환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기로서는, 상기 아릴기로부터 수소 원자 1개를 제거하여 수득되는 기를 들 수 있다.
환 형성 원자수 9 내지 50의 2가의 축합 방향족 복소환기로서는, 상기 헤테로아릴기로서 기재된 축합 방향족 복소환기로부터 수소 원자 1개를 제거하여 수득되는 기를 들 수 있다.
전자 수송층의 막 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1nm 내지 100nm이다.
또한, 전자 수송층에 인접하여 설치할 수 있는 전자 주입층의 구성 성분으로서, 질소 함유 환 유도체 외에 무기 화합물로서, 절연체 또는 반도체를 사용하는 것이 바람직하다. 전자 주입층이 절연체나 반도체로 구성되어 있으면, 전류의 누출을 유효하게 방지하여, 전자 주입성을 향상시킬 수 있다.
이러한 절연체로서는, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토류 금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로젠화물 및 알칼리 토류 금속의 할로젠화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 전자 주입층이 이들의 알칼리 금속 칼코게나이드 등으로 구성되어 있으면, 전자 주입성을 더욱 향상시킬 수 있다는 점에서 바람직하다. 구체적으로, 바람직한 알칼리 금속 칼코게나이드로서는, 예컨대, Li2O, K2O, Na2S, Na2Se 및 Na2O를 들 수 있고, 바람직한 알칼리 토류 금속 칼코게나이드로서는, 예컨대, CaO, BaO, SrO, BeO, BaS 및 CaSe를 들 수 있다. 또한, 바람직한 알칼리 금속의 할로젠화물로서는, 예컨대, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl 및 NaCl 등을 들 수 있다. 또한, 바람직한 알칼리 토류 금속의 할로젠화물로서는, 예컨대, CaF2, BaF2, SrF2, MgF2 및 BeF2 등의 불화물이나, 불화물 이외의 할로젠화물을 들 수 있다.
또한, 반도체로서는, Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb 및 Zn의 적어도 하나의 원소를 포함하는 산화물, 질화물 또는 산화질화물 등의 1종 단독 또는 2종 이상의 조합을 들 수 있다. 또한, 전자 주입층을 구성하는 무기 화합물이 미(微)결정 또는 비결정질의 절연성 박막인 것이 바람직하다. 전자 주입층이 이들의 절연성 박막으로 구성되어 있으면, 보다 균질한 박막이 형성되기 때문에, 다크 스폿 등의 화소 결함을 감소시킬 수 있다. 한편, 이러한 무기 화합물로서는, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토류 금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로젠화물 및 알칼리 토류 금속의 할로젠화물 등을 들 수 있다.
이러한 절연체 또는 반도체를 사용하는 경우, 그 층의 바람직한 두께는, 0.1nm 내지 15nm 정도이다. 또한, 본 발명에서의 전자 주입층은, 전술한 전자 공여성 도펀트를 함유하고 있어도 바람직하다.
(정공 수송층)
발광층과 양극의 사이에 형성되는 유기층으로서, 정공을 양극으로부터 발광층으로 수송하는 기능을 갖는다. 정공 수송층이 복수층으로 구성되는 경우, 양극에 가까운 유기층을 정공 주입층으로 정의하는 경우가 있다. 정공 주입층은, 양극으로부터 정공을 효율적으로 유기층 유닛으로 주입하는 기능을 갖는다.
정공 수송층을 형성하는 다른 재료로서는, 방향족 아마인 화합물, 예컨대, 하기 화학식 I로 표시되는 방향족 아마인 유도체가 적합하게 사용된다.
[화학식 I]
Figure pct00059
상기 화학식 I에서, Ar1 내지 Ar4는 치환 또는 미치환된 환 형성 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기, 치환 또는 미치환된 환 형성 원자수 5 내지 50의 방향족 복소환기 또는 축합 방향족 복소환기, 또는 그들 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기와 방향족 복소환기 또는 축합 방향족 복소환기가 결합된 기를 나타낸다.
또한, 상기 화학식 I에서, L은 치환 또는 미치환된 환 형성 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소기 또는 축합 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 미치환된 환 형성 원자수 5 내지 50의 방향족 복소환기 또는 축합 방향족 복소환기를 나타낸다.
화학식 I의 화합물의 구체예를 이하에 기재한다.
Figure pct00060
또한, 하기 화학식 II의 방향족 아마인도 정공 수송층의 형성에 적합하게 이용된다.
[화학식 II]
Figure pct00061
상기 화학식 II에서, Ar1 내지 Ar3의 정의는 상기 화학식 I의 Ar1 내지 Ar4의 정의와 마찬가지이다. 이하에 화학식 II의 화합물의 구체예를 기재하지만 이들에 한정되는 것은 아니다.
Figure pct00062
본 발명의 유기 EL 소자의 정공 수송층은 제 1 정공 수송층(양극측)과 제 2 정공 수송층(음극측)의 2층 구조로 하여도 좋다.
정공 수송층의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 10 내지 200nm인 것이 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 소자에서는, 정공 수송층 또는 제 1 정공 수송층의 양극측에 전자 수용성 화합물을 함유하는 층을 접합하여도 좋다. 이에 의해 구동 전압의 저하 및 제조 비용의 저감이 기대된다.
상기 전자 수용성 화합물로서는 하기 화학식 A로 표시되는 화합물이 바람직하다.
[화학식 A]
Figure pct00063
(상기 화학식 A 중, R21 내지 R26은 서로 동일하여도 상이하여도 좋고, 각각 독립적으로 사이아노기, -CONH2, 카복실기 또는 -COOR27(R27은 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기)를 나타낸다. 단, R21 및 R22, R23 및 R24, 및 R25 및 R26의 1 또는 2 이상의 쌍이 함께 이루어져 -CO-O-CO-로 표시되는 기를 나타내어도 좋다.)
R27로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등을 들 수 있다.
전자 수용성 화합물을 함유하는 층의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 5 내지 20nm인 것이 바람직하다.
(n/p 도핑)
전술한 정공 수송층이나 전자 수송층에서는, 특허 제3695714호 명세서에 기재되어 있는 것과 같이, 도너성 재료의 도핑(n)이나 억셉터성 재료의 도핑(p)에 의해 캐리어 주입능을 조정할 수 있다.
n 도핑의 대표예로서는, 전자 수송 재료에 Li이나 Cs 등의 금속을 도핑하는 방법을 들 수 있고, p 도핑의 대표예로서는, 정공 수송 재료에 F4TCNQ 등의 억셉터 재료를 도핑하는 방법을 들 수 있다.
(스페이스층)
상기 스페이스층이란, 예컨대, 형광 발광층과 인광 발광층을 적층하는 경우에, 인광 발광층에서 생성되는 여기자를 형광 발광층으로 확산시키지 않거나, 캐리어 밸런스를 조정할 목적으로, 형광 발광층과 인광 발광층의 사이에 설치되는 층이다. 또한, 스페이스층은 복수의 인광 발광층의 사이에 설치할 수도 있다.
스페이스층은 발광층 사이에 설치되기 때문에, 전자 수송성과 정공 수송성을 겸비하는 재료인 것이 바람직하다. 또한, 인접하는 인광 발광층 내의 3중항 에너지의 확산을 방지하기 위해, 3중항 에너지가 2.6eV 이상인 것이 바람직하다. 스페이스층에 이용되는 재료로서는, 전술한 정공 수송층에 이용되는 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.
(장벽층)
본 발명의 유기 EL 소자는, 발광층에 인접하는 부분에, 전자 장벽층, 정공 장벽층, 트리플렛 장벽층이라고 한 장벽층을 갖는 것이 바람직하다. 여기서, 전자 장벽층이란, 발광층으로부터 정공 수송층으로 전자가 새는 것을 방지하는 층이며, 정공 장벽층이란, 발광층으로부터 전자 수송층으로 정공이 새는 것을 방지하는 층이다.
트리플렛 장벽층은, 후술하는 것과 같이, 발광층에서 생성되는 3중항 여기자가 주변의 층으로 확산되는 것을 방지하고, 3중항 여기자를 발광층 내에 가둠으로써 3중항 여기자의 발광 도펀트 이외의 전자 수송층의 분자 상에서의 에너지 실활을 억제하는 기능을 갖는다.
트리플렛 장벽층을 설치하는 경우, 발광층 중의 인광 발광성 도펀트의 3중항 에너지를 ET d, 트리플렛 장벽층으로서 이용하는 화합물의 3중항 에너지를 ET TB라고 하면, ET d<ET TB의 에너지 대소 관계이면, 에너지 관계 상, 인광 발광성 도펀트의 3중항 여기자가 가두어지고(다른 분자로 이동할 수 없어지고), 당해 도펀트 상에서 발광하는 것 이외의 에너지 실활 경로가 단절되어, 고효율로 발광할 수 있는 것으로 추측된다. 단, ET d<ET TB의 관계가 성립하는 경우에도 이 에너지 차이 ΔET=ET TB-ET d가 작은 경우에는, 실제의 소자 구동 환경인 실온 정도의 환경 하에서는, 주변의 열 에너지에 의해 흡열적으로 이 에너지 차이 ΔET를 극복하여 3중항 여기자가 다른 분자로 이동하는 것이 가능하다고 생각된다. 특히 인광 발광의 경우는 형광 발광에 비하여 여기자 수명이 길기 때문에, 상대적으로 흡열적 여기자 이동 과정의 영향이 나타나기 쉬워진다. 실온의 열 에너지에 대하여 이 에너지 차이 ΔET는 클수록 바람직하고, 0.1eV 이상이면 더욱 바람직하고, 0.2eV 이상이면 특히 바람직하다.
본 발명에서의 3중항 에너지란, 이하와 같이 하여 측정된다.
우선, 시료를 EPA 용매(다이에틸에터:아이소펜테인:에탄올=5:5:2(용적비))에 10μmol/L로 용해시켜, 인광 측정용 시료로 한다. 이 인광 측정용 시료를 석영 셀에 넣고, 온도 77K에서 여기광을 조사하여, 방사되는 인광의 인광 스펙트럼을 측정한다. 이것을 기초로 환산식 ET(eV)=1239.85/λedge에 의해서 구한 값으로 정의한다. 「λedge」란, 종축에 인광 강도, 횡축에 파장을 취하여, 인광 스펙트럼을 나타내었을 때에, 인광 스펙트럼의 단파장측의 상승부에 대하여 접선을 그어, 그 접선과 횡축의 교점의 파장값(단위: nm)을 의미한다.
발광층의 호스트 재료로서는, Ab-Ah≤0.1eV가 되는 것이 바람직하다. 여기서, Ab는 장벽층 재료의 어피니티를 나타내고, Ah는 발광층 호스트 재료의 어피니티를 나타낸다.
본 발명에서의 어피니티 Af(전자 친화력)란, 재료의 분자에 전자를 하나 제공했을 때에 방출 또는 흡수되는 에너지를 말하며, 방출의 경우는 양(+), 흡수의 경우는 음(-)으로 정의한다. 어피니티 Af는 이온화 포텐셜 Ip와 광학 에너지 갭 Eg(S)에 의해 다음과 같이 규정한다.
Af= Ip-Eg(S)
여기서, 이온화 포텐셜 Ip는, 각 재료의 화합물로부터 전자를 제거하여 이온화하기 위해 필요한 에너지를 의미하며, 본 발명에서는 대기 중 광전자 분광 장치(AC-3, 리켄계기주식회사제)로 측정한 양의 부호를 가지는 값이다. 광학 에너지 갭 Eg(S)은, 전도 레벨과 가전자 레벨의 차이를 말하며, 본 발명에서는 각 재료의 다이클로로메테인 희박 용액의 자외·가시광 흡수 스펙트럼의 장파장측 접선과 베이스 라인(흡수 0)의 교점의 파장값을 에너지로 환산하여 구한 양의 부호를 갖는 값이다.
또한, 트리플렛 장벽층을 구성하는 재료의 전자 이동도는, 전계 강도 0.04 내지 0.5MV/cm의 범위에서, 10-6cm2/Vs 이상인 것이 바람직하다. 유기 재료의 전자 이동도의 측정 방법으로서는, 타임 오브 플라이트(Time of Flight)법 등 몇 개의 방법이 알려져 있지만, 여기에서는 임피던스 분광법으로 결정되는 전자 이동도를 말한다.
전자 주입층은, 전계 강도 0.04 내지 0.5MV/cm의 범위에서, 10-6cm2/Vs 이상인 것이 바람직하다. 이에 의해 음극으로부터의 전자 수송층으로의 전자 주입이 촉진되고, 나아가서는 인접하는 장벽층, 발광층으로의 전자 주입도 촉진되어, 보다 저전압에서의 구동을 가능하게 하기 때문이다.
실시예
다음으로, 실시예를 이용하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
중간체 합성예 1-1(중간체 1-1의 합성)
아르곤 분위기 하에, 2-브로모-9,9-다이메틸플루오렌 55g(201.3mmol)에 요오드 23g(90.6mmol), 과요오드산 이수화물 9.4g(41.2mmol), 물 42ml, 아세트산 360ml, 및 황산 11ml을 가하고, 65℃에서 30분 교반한 후, 90℃에서 6시간 교반했다.
반응 종료 후에 반응물을 얼음물에 주입하고, 석출한 결정을 여과하여 취했다. 물로 세정 후, 메탄올로 세정함으로써 61g의 백색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 1-1로 동정했다(수율 76%).
Figure pct00064
중간체 합성예 1-2(중간체 1-2의 합성)
질소 분위기 하에, 다이벤조퓨란 150g(0.89mol)에 아세트산 1000ml를 가하여 가열 용해시켰다. 또한, 브롬 188g(1.18mol)을 적하하여 가한 후, 실온에서 20시간 교반했다. 석출한 결정을 여과하여 취하고, 아세트산, 물로 순차로 세정했다. 조(粗) 생성물을 메탄올에 의해 수회 재결정을 반복하고, 66.8g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 1-2로 동정했다(수율 30%).
Figure pct00065
중간체 합성예 1-3(중간체 1-3의 합성)
아르곤 분위기 하에, 중간체 1-2 24.7g(100.0mmol)에 탈수 THF 400ml를 가하여, -40℃로 냉각했다. 또한, 1.6M 농도의 n-뷰틸리튬헥세인 용액 63ml(100.0mmol)을 서서히 가했다. 반응 용액을 0℃까지 가온하면서 1시간 교반한 후, 반응 용액을 다시 -78℃까지 냉각하고, 붕산트라이메틸 26.0g(250.0mmol)의 탈수 THF의 50ml 용액을 적하하여 가했다. 적하 후, 반응 용액을 실온에서 5시간 교반했다. 1N 염산 200ml를 가하고, 1시간 교반 후, 수층을 제거했다. 유기층을 MgSO4로 건조시키고, 용매를 감압 증류 제거했다. 수득된 고체를 톨루엔으로 세정하고, 15.2g의 백색 결정을 수득했다(수율 72%).
Figure pct00066
중간체 합성예 1-4(중간체 1-4의 합성)
아르곤 분위기 하에, 4-아이오도브로모벤젠 28.3g(100.0mmol), 중간체 1-3 22.3g(105.0mmol), Pd[PPh3]4 2.31g(2.00mmol)에 톨루엔 150ml, 다이메톡시에테인 150ml, 2M Na2CO3 수용액 150ml(300.0mmol)를 가하여, 10시간 가열 환류 교반했다.
반응 종료 후, 시료를 분액 깔때기로 옮기고 다이클로로메테인으로 추출했다. 유기층을 MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하고, 24.2g의 백색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 1-4로 동정했다(수율 75%).
Figure pct00067
중간체 합성예 1-5(중간체 1-5의 합성)
아르곤 분위기 하에, 4-아이오도브로모벤젠 28.3g(100.0mmol), 다이벤조퓨란-4-보론산 22.3g(105.0mmol), Pd[PPh3]4 2.31g(2.00mmol)에 톨루엔 150ml, 다이메톡시에테인 150ml, 2M Na2CO3 수용액 150ml(300.0mmol)를 가하여, 10시간 가열 환류 교반했다.
반응 종료 후, 시료를 분액 깔때기로 옮기고 다이클로로메테인으로 추출했다. 유기층을 MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하고, 26.2g의 백색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 1-5로 동정했다(수율 81%).
Figure pct00068
중간체 합성예 1-6(중간체 1-6의 합성)
합성예 1-5에서, 4-아이오도브로모벤젠 대신에 중간체-1을 39.9g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 35.7g의 백색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 1-6으로 동정했다(수율 81%).
Figure pct00069
중간체 합성예 1-7(중간체 1-7의 합성)
9-페닐카바졸 17.7g(72.7mmol), 요오드화칼륨 6.03g(36.3mmol), 요오드산칼륨 7.78g(36.4mmol)에, 황산 5.9ml 및 에탄올 70ml를 가하여, 75℃에서 2시간 교반했다. 냉각 후, 물, 아세트산에틸을 가하여 분액, 추출한 후, 중조수, 물을 이용하여 유기층을 세정하고, 농축시키고, 수득된 조 생성물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 21.8g의 백색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 1-7로 동정했다(수율 81%).
Figure pct00070
중간체 합성예 1-8(중간체 1-8의 합성)
아르곤 분위기 하에, 중간체 1-7 13.1g(35.5mmol)에 탈수 톨루엔 50ml, 탈수 에터 50ml를 가하여, -45℃로 냉각하고, 1.58M 농도의 n-뷰틸리튬헥세인 용액 25ml(39.5mmol)를 적하하여, 교반하면서 1시간에 걸쳐 -5℃까지 승온시켰다. 다시 -45℃까지 냉각하고, 붕산트라이아이소프로필 25ml(109.0mmol)를 서서히 적하하고 나서 2시간 반응시켰다.
실온으로 되돌린 후, 10% 희염산 용액을 가하여 교반하고, 유기층을 추출했다. 포화 식염수로 세정한 후, MgSO4로 건조시키고, 여별 후, 농축했다. 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하고, 수득된 개체를 n-헥세인으로 세정하여, 7.1g의 백색 고체를 수득했다(수율 70%).
Figure pct00071
중간체 합성예 1-9(중간체 1-9의 합성)
아르곤 분위기 하에, 다이벤조퓨란 78.0g(0.46mol)에 탈수 테트라하이드로퓨란 600ml를 가하여, -30℃로 냉각하고, 1.65M 농도의 n-뷰틸리튬헥세인 용액 300ml(0.50mol)를 적하하여, 교반하면서 1시간에 걸쳐 실온까지 승온시켰다. 실온에서 5시간 교반 후, -60℃까지 냉각하고, 1,2-다이브로모에테인 60ml(0.70mol)를 1시간에 걸쳐 적하했다.
실온에서 15시간 교반한 후, 얼음물 1000ml에 부어, 다이클로로메테인으로 추출했다. 유기층을 포화 식염수로 세정한 후, MgSO4로 건조시키고, 여과, 농축했다. 농축 잔사를 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하고, 테트라하이드로퓨란/메탄올로 세정하여, 70g의 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 1-9로 동정했다(수율 62%).
Figure pct00072
중간체 합성예 2-1(중간체 2-1의 합성)
아르곤 분위기 하에, 인돌로[2,3-a]카바졸(Synlett p.42-48(2005)에 기재된 방법에 따라서 합성했다.) 15.0g(58.5mmol), 아이오도벤젠 11.9g(58.5mmol), 요오드화구리 11.2g(58.5mmol), trans-1,2-사이클로헥세인다이아마인 20.0g(175.5mmol), 인산삼칼륨 37.3g(175.5mmol)에 탈수 1,4-다이옥세인 90ml를 가하여, 24시간 가열 환류 교반했다. 반응 용액을 감압 하에서 농축하여 수득된 잔사에, 톨루엔 500ml를 가하여 120℃로 가열하고, 불용물을 여별했다. 여액을 감압 하에서 농축하여 수득된 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제함으로써 10.0g의 백색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 2-1로 동정했다(수율 51%).
Figure pct00073
중간체 합성예 2-2(중간체 2-2의 합성)
3,3-메틸렌다이인돌 25.0g(101.5mmol), 오쏘폼산트라이에틸 15.1g(101.5mmol)에 메탄올 400ml를 가한 용액에, 진한 황산 1.4ml를 가하여, 5시간 가열 환류 교반했다. 반응 용액을 얼음물욕에서 냉각하고, 석출물을 여과하여 취했다. 여과하여 취한 고체를 메탄올 500ml에서 세정함으로써 19.0g의 다갈색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 2-2로 동정했다(수율 73%).
Figure pct00074
중간체 합성예 2-3(중간체 2-3의 합성)
아르곤 분위기 하에, 중간체 2-2 5.1g(20.0mmol), 아이오도벤젠 4.1g(20.0mmol), 요오드화구리 3.8g(20.0mmol), trans-1,2-사이클로헥세인다이아마인 6.9g(60.0mmol), 인산삼칼륨 12.7g(60.0mmol)에 탈수 1,4-다이옥세인 50ml를 가하여, 48시간 가열 환류 교반했다. 반응 용액을 감압 하에서 농축하여 수득된 잔사에 톨루엔 1000ml를 가하고 120℃로 가열하여, 불용물을 여별했다. 여액을 감압 하에서 농축하여 수득된 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제함으로써 1.7g의 다갈색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 2-3으로 동정했다(수율 26%).
Figure pct00075
중간체 합성예 2-4(중간체 2-4의 합성)
아르곤 분위기 하에, 2-브로모나이트로벤젠 25.0g(123.8mmol), 4-다이벤조퓨란보론산 31.5g(148.5mmol)에, 2M Na2CO3 수용액 124ml(248mmol), DME(250ml), 톨루엔(250ml), Pd[PPh3]4 7.2g(6.2mmol)을 가하여, 12시간 가열 환류 교반했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔때기로 옮기고, 물(500ml)을 가하여, 다이클로로메테인으로써 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 24.0g의 백색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 2-4로 동정했다(수율 67%).
Figure pct00076
중간체 합성예 2-5(중간체 2-5의 합성)
아르곤 분위기 하에, 중간체 2-4 24.0g(83.0mmol), 트라이페닐포스핀 54.4g(207.4mmol)에 다이메틸아세토아마이드(166ml)를 가하여, 20시간 가열 환류 교반했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔때기로 옮기고, 물(400ml)을 가하여, 다이클로로메테인으로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 14.5g의 백색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 2-5로 동정했다(수율 68%).
Figure pct00077
중간체 합성예 2-6(중간체 2-6의 합성)
합성예 2-4에서, 4-다이벤조퓨란보론산 대신에 4-다이벤조싸이오펜보론산을 33.9g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 28.4g의 백색 분말을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 중간체 2-6으로 동정했다(수율 75%).
Figure pct00078
중간체 합성예 2-7(중간체 2-7의 합성)
합성예 2-5에서, 중간체 2-4 대신에 중간체 2-5를 25.3g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 14.7g의 백색 분말을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 중간체 2-7로 동정했다(수율 65%).
Figure pct00079
중간체 합성예 2-8(중간체 2-8의 합성)
1-인단온 18.7g(142.0mmol), 염화페닐하이드라지늄 20.5g(142.0mmol)을 에탄올 400ml에 가한 용액에, 진한 황산 2.0ml를 가하여, 8시간 가열 환류 교반했다. 반응 용액을 방냉(放冷)하여, 석출물을 여과 수집했다. 여과하여 취한 고체를 메탄올 500ml로 세정했다. 조 생성물을 재결정함으로써 17.5g의 백색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 2-8로 동정했다(수율 60%).
Figure pct00080
중간체 합성예 2-9(중간체 2-9의 합성)
1-인단온 18.7g(142.0mmol), 4-브로모페닐하이드라진 염산염 31.7g(142.0mmol)을 에탄올 400ml에 가한 용액에, 진한 황산 2.0ml를 가하여, 8시간 가열 환류 교반했다. 반응 용액을 방냉하여, 석출물을 여과 수집했다. 여과 수집한 고체를 메탄올 500ml로 세정했다. 조 생성물을 재결정함으로써 21.7g의 백색 고체로서 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체 2-9로 동정했다(수율 54%).
Figure pct00081
합성 실시예 1(방향족 복소환 유도체(H1)의 제조)
아르곤 분위기 하에, 중간체 1-5 3.2g(10.0mmol), 중간체 2-1 3.3g(10.0mmol), Pd2(dba)3 0.14g(0.15mmol), P(tBu)3HBF4 0.087g(0.3mmol), t-뷰톡시나트륨 1.9g(20.0mmol)에, 무수 자일렌 50ml를 가하여 8시간 가열 환류했다.
반응 종료 후, 반응액을 50℃로 냉각하고, 셀라이트 및 실리카 겔을 통해서 여과를 행하여, 여액을 농축했다. 수득된 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 백색 고체를 수득했다. 조 생성물을 톨루엔으로 재결정하여, 2.9g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H1)로 동정했다(수율 50%).
Figure pct00082
합성 실시예 2(방향족 복소환 유도체(H2)의 제조)
합성 실시예 1에서, 중간체 1-5 대신에 중간체 1-4를 3.2g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.0g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H2)로 동정했다(수율 52%).
Figure pct00083
합성 실시예 3(방향족 복소환 유도체(H3)의 제조)
합성 실시예 1에서, 중간체 1-5 대신에 중간체 1-6을 4.4g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.7g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H3)로 동정했다(수율 54%).
Figure pct00084
합성 실시예 4(방향족 복소환 유도체(H4)의 제조)
합성 실시예 1에서, 중간체 2-1 대신에 중간체 2-3을 3.3g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.0g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H4)로 동정했다(수율 50%).
Figure pct00085
합성 실시예 5(방향족 복소환 유도체(H5)의 제조)
합성 실시예 1에서, 중간체 1-5 대신에 중간체 1-4를 3.2g, 중간체 2-1 대신에 중간체 2-3을 3.3g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 2.9g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H5)로 동정했다(수율 50%).
Figure pct00086
합성 실시예 6(방향족 복소환 유도체(H6)의 제조)
합성 실시예 1에서, 중간체 1-5 대신에 중간체 1-6을 4.4g, 중간체 2-1 대신에 중간체 2-3을 3.3g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.2g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H6)로 동정했다(수율 46%).
Figure pct00087
합성 실시예 7(방향족 복소환 유도체(H7)의 제조)
합성 실시예 1에서, 중간체 1-5 대신에 중간체 1-6을 4.4g, 중간체 2-1 대신에 중간체 2-5를 2.6g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.1g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H7)로 동정했다(수율 50%).
Figure pct00088
합성 실시예 8(방향족 복소환 유도체(H8)의 제조)
합성 실시예 1에서, 중간체 1-5 대신에 중간체 1-6을 4.4g, 중간체 2-1 대신에 중간체 2-7을 2.7g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 3.0 g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H8)로 동정했다(수율 47%).
Figure pct00089
합성 실시예 9(방향족 복소환 유도체(H9)의 제조)
아르곤 분위기 하에, 중간체 1-6 8.8g(20.0mmol), 중간체 2-8 4.1g(20.0mmol), 요오드화구리 3.8g(20.0mmol), trans-1,2-사이클로헥세인다이아마인 6.9g(60.0mmol), 인산삼칼륨 12.7g(60.0mmol)에 탈수 1,4-다이옥세인 50ml를 가하여, 48시간 가열 환류 교반했다. 반응 용액을 감압 하에서 농축하여 수득된 잔사에, 톨루엔 1000ml를 가하여 120℃로 가열하고, 불용물을 여별했다. 여액을 감압 하에서 농축하여 수득된 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제함으로써 6.0g의 백색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체(9-a)로 동정했다.
t-뷰톡시칼륨 5.6g(50.0mmol)을 탈수 THF(300ml)에 가하여, 0℃로 냉각하고, 추가로 상기에서 수득된 백색 개체 5.6g(10.0mmol)을 가하여, 0℃에서 1시간 교반했다. 추가로 요오드화메틸 7.1g(50.0mmol)을 서서히 가한 후, 실온에서 4시간 교반했다.
반응 종료 후, 반응 용액에 물(100ml)을 가하여, 다이클로로메테인으로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 농축 잔사를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 백색 고체를 수득했다. 조 생성물을 톨루엔으로 재결정하여, 3.5g의 백색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H9)로 동정했다(수율 59%).
Figure pct00090
합성 실시예 10(방향족 복소환 유도체(H10)의 제조)
합성 실시예 9에서, 중간체 1-6 대신에 중간체 1-5를 6.5g, 중간체 2-8 대신에 중간체 2-9를 5.7g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 6.1g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 중간체(10-a)로 동정했다.
아르곤 분위기 하에, 중간체 9-a 5.5g(10.0mmol), 중간체 1-8 3.4g(12.0mmol)에, 2M Na2CO3 수용액 10ml(20.0mmol), DME(20ml), 톨루엔(20ml), Pd[PPh3]4 0.58g(0.5mmol)을 가하여, 12시간 가열 환류 교반했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔때기로 옮기고, 물(50ml)을 가하여, 다이클로로메테인으로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 백색 고체를 수득했다. 조 생성물을 톨루엔으로 재결정하여, 3.3g의 백색 고체를 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H10)로 동정했다(수율 45%).
Figure pct00091
합성 실시예 11(방향족 복소환 유도체(H11)의 제조)
합성 실시예 1에서, 중간체 1-5 대신에 중간체 1-9를 2.5g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 1.5g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H11)로 동정했다(수율 30%).
Figure pct00092
합성 실시예 12(방향족 복소환 유도체(H12)의 제조)
합성 실시예 1에서, 중간체 1-5 대신에 중간체 1-9를 2.5g, 중간체 2-1 대신에 중간체 2-3을 3.3g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 1.7g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H12)로 동정했다(수율 34%).
Figure pct00093
합성 실시예 13(방향족 복소환 유도체(H13)의 제조)
합성 실시예 10에서, 중간체 1-5 대신에 중간체 1-9를 4.9g 이용한 것 이외는 마찬가지로 반응을 행한 바, 1.9g의 백색 결정을 수득했다. FD-MS의 분석에 의해, 하기 방향족 복소환 유도체(H11)로 동정했다(수율 30%).
Figure pct00094
실시예 1(유기 EL 소자의 제작)
25mm×75mm×1.1mm의 ITO 투명 전극 라인 부착 유리 기판(지오마틱사제)을 아이소프로필알코올 중에서 5분간 초음파 세정하고, 또한, 30분간 UV(Ultraviolet) 오존 세정했다.
세정 후의 투명 전극 라인 부착 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극 라인이 형성되어 있는 면 상에 상기 투명 전극을 덮도록 하여 하기 전자 수용성 화합물(A)을 증착하여, 막 두께 5nm의 A막을 성막했다. 이 A막 상에, 제 1 정공 수송 재료로서 하기 방향족 아민 유도체(X1)를 증착하여, 막 두께 157nm의 제 1 정공 수송층을 성막했다. 제 1 정공 수송층의 성막에 계속하여, 제 2 정공 수송 재료로서 상기 합성 실시예 1에서 수득한 방향족 복소환 유도체(H1)를 증착하여, 막 두께 10nm의 제 2 정공 수송층을 성막했다.
이 정공 수송층 상에, 인광용 호스트인 화합물(B)과 인광용 도펀트인 Ir(ppy)3을 두께 40nm로 공증착하여, 인광 발광층을 수득했다. Ir(ppy)3의 농도는 10질량%였다.
계속해서, 이 인광 발광층 상에, 두께 20nm의 화합물(C), 두께 1nm의 LiF, 두께 80nm의 금속 Al을 순차로 적층하여, 음극을 형성했다. 한편, 전자 주입성 전극인 LiF는 1Å/min의 성막 속도로 형성했다.
Figure pct00095
(유기 EL 소자의 발광 성능 평가)
이상과 같이 제작한 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 발광시키고, 휘도(L), 전류 밀도를 측정하여, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 전류 효율(L/J), 구동 전압(V)을 구했다. 또한, 초기 휘도 20000cd/m2에서의 소자 수명을 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 2 내지 13
실시예 1에서, 제 2 정공 수송 재료로서 방향족 복소환 유도체(H1) 대신에, 표 1에 기재된 방향족 복소환 유도체를 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작했다. 수득된 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 발광시키고, 휘도(L), 전류 밀도를 측정하여, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 전류 효율(L/J), 구동 전압(V)을 구했다. 또한, 초기 휘도 20000cd/m2에서의 소자 수명을 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
비교예 1 내지 6
실시예 1에서, 제 2 정공 수송 재료로서 방향족 복소환 유도체(H1) 대신에, 하기 비교 화합물 1 내지 6을 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작했다. 수득된 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 발광시키고, 휘도(L), 전류 밀도를 측정하여, 전류 밀도 10mA/cm2에서의 전류 효율(L/J), 구동 전압(V)을 구했다. 또한, 초기 휘도 20000cd/m2에서의 소자 수명을 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00096
Figure pct00097
실시예 1과 실시예 2의 대비나, 실시예 4와 실시예 5의 대비로부터, 화학식 1c로 표시되는 구조의 4위치에 L2가 결합하는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.
실시예 1과 실시예 3의 대비나, 실시예 4와 실시예 6의 대비로부터, L2가 페닐렌인 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.
실시예 7 및 8과, 실시예 9 또는 실시예 10의 대비로부터, X가 CR6R7인 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.
실시예 9 내지 13의 대비로부터, L2가 페닐렌 또는 단일 결합인 것이 바람직하고, 단일 결합인 것이 특히 바람직하고, 또한 X가 CR6R7인 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.
표 1로부터 분명한 것과 같이, 본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체는 장수명이며, 고효율에서의 구동이 가능한 유기 EL 소자를 실현하는 재료로서 유용하다.
이상 상세하게 설명한 것과 같이, 본 발명의 질소 함유 방향족 복소환 유도체를 유기 EL 소자에 이용하면, 발광 효율이 높고, 또한 수명이 긴 유기 EL 소자가 수득된다. 이 때문에, 본 발명의 유기 EL 소자는 각종 전자 기기의 광원 등으로서 매우 유용하다.

Claims (23)

  1. 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시되는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
    [화학식 1-1]
    Figure pct00098

    [화학식 1-2]
    Figure pct00099

    [화학식 1a]
    Figure pct00100

    [화학식 1b]

    [화학식 1-1 및 1-2에서,
    환 A는 상기 화학식 1a 또는 1b로 표시되고, 환 형성 탄소 C1과 C2, C3과 C4, C4와 C5, 또는 C5와 C6을 인접 환과 공유한다.
    X는 NR5, CR6R7, SiR6R7, 산소 원자, 황 원자를 나타낸다.
    W 및 Z는 각각 독립적으로, 단일 결합, CR6R7, SiR6R7, 산소 원자, 황 원자를 나타낸다.
    L1은 단일 결합, 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 환 형성 원자수 5 내지 30의 헤테로아릴렌기를 나타낸다.
    R1 내지 R7은 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 15의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 15의 사이클로알킬기, 치환 또는 미치환된 실릴기, 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타내거나, 2개의 R1 내지 R7끼리가 서로 결합하여 환을 형성하는 포화 또는 불포화된 2가의 기를 나타낸다.
    a, c 및 d는 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수를 나타낸다.
    b는 0 내지 3의 정수를 나타낸다.
    e는 0 내지 2의 정수를 나타낸다.
    Q는 하기 화학식 1c로 표시되는 구조이다.]
    [화학식 1c]
    Figure pct00102

    [화학식 1c에서,
    Y는 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다.
    L2는 단일 결합, 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기 또는 환 형성 원자수 5 내지 30의 헤테로아릴렌기를 나타낸다. 단, L2가 화학식 1c로 표시되는 구조의 2위치의 탄소와 결합하고 있는 경우, L2는 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기 또는 환 형성 원자수 5 내지 30의 헤테로아릴렌기를 나타낸다.
    R8 및 R9는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 15의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 15의 사이클로알킬기, 치환 또는 미치환된 실릴기, 환 형성 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 30의 헤테로아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타내거나, 인접한 2개의 R8 내지 R9끼리가 서로 결합하여 환을 형성하는 포화 또는 불포화된 2가의 기를 나타낸다.
    f는 0 내지 3의 정수를 나타낸다.
    g는 0 내지 4의 정수를 나타낸다.]
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서의 W가 단일 결합을 나타내고, 또한, 상기 화학식 1a 및 1b에서의 Z가 단일 결합을 나타내는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
  3. 제 2 항에 있어서,
    하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표시되는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
    [화학식 2-1]
    Figure pct00103

    [화학식 2-2]
    Figure pct00104

    [화학식 2-1 및 2-2에서, R1, R3, R4, a, d, e, X 및 Q는 상기와 같은 의미이다.]
  4. 제 2 항에 있어서,
    하기 화학식 3-1 또는 3-2로 표시되는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
    [화학식 3-1]
    Figure pct00105

    [화학식 3-2]
    Figure pct00106

    [화학식 3-1 및 3-2에서, R1, R3, R4, a, d, e, X 및 Q는 상기와 같은 의미이다.]
  5. 제 2 항에 있어서,
    하기 화학식 4-1로 표시되는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
    [화학식 4-1]
    Figure pct00107

    [화학식 4-1에서, R1, R3, R4, a, d, e, X 및 Q는 상기와 같은 의미이다.]
  6. 제 2 항에 있어서,
    하기 화학식 5-1 또는 5-2로 표시되는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
    [화학식 5-1]
    Figure pct00108

    [화학식 5-2]
    Figure pct00109

    [화학식 5-1 및 5-2에서, R1, R2, a, c, X 및 Q는 상기와 같은 의미이다.]
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L2가 단일 결합으로 표시되는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L2가 하기 화학식 7a 내지 7c 중 어느 하나로 표시되는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
    [화학식 7a]
    Figure pct00110

    [화학식 7b]
    Figure pct00111

    [화학식 7c]
    Figure pct00112

    [화학식 7a 내지 7c에서,
    R11 내지 R13은 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 15의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 15의 사이클로알킬기, 치환 또는 미치환된 실릴기, 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 20의 헤테로아릴기, 할로젠 원자 또는 사이아노기를 나타내거나, 인접한 2개의 R11 내지 R13끼리가 서로 결합하여 환을 형성하는 포화 또는 불포화된 2가의 기를 나타낸다.
    R14 및 R15는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 15의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 15의 사이클로알킬기, 환 형성 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 환 형성 원자수 5 내지 20의 헤테로아릴기를 나타낸다.
    k1 내지 k3은 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수를 나타낸다.]
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 X가 상기 NR5를 나타내는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
  10. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 X가 산소 원자를 나타내는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
  11. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 X가 황 원자를 나타내는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
  12. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 X가 상기 CR6R7을 나타내는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
  13. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 X가 상기 SiR6R7을 나타내는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Y가 산소 원자를 나타내는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
  15. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Y가 황 원자를 나타내는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화학식 1c에서, 상기 L2가 화학식 1c로 표시되는 구조의 4위치의 탄소와 결합하고 있는 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
  17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유기 전기발광 소자용 재료인 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
  18. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유기 전기발광 소자용 정공 수송 재료인 질소 함유 방향족 복소환 유도체.
  19. 양극과 음극의 사이에 발광층을 포함하는 복수의 유기 박막층을 구비한 유기 전기발광 소자로서, 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 기재된 질소 함유 방향족 복소환 유도체를 함유하는 유기 박막층을 적어도 1층 이상 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전기발광 소자.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 유기 박막층으로서 적어도 정공 수송층을 갖고, 상기 질소 함유 방향족 복소환 유도체가 당해 정공 수송층에 함유되어 있는 유기 전기발광 소자.
  21. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
    상기 발광층이 추가로 인광 발광성 재료를 함유하는 유기 전기발광 소자.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 인광 발광성 재료가 이리듐(Ir), 오스뮴(Os) 또는 백금(Pt) 금속의 오쏘메탈화 착체인 유기 전기발광 소자.
  23. 제 20 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정공 수송층에, 하기 화학식 A로 표시되는 화합물을 함유하는 층이 접합되어 있는 유기 전기발광 소자.
    [화학식 A]
    Figure pct00113

    (상기 화학식 A 중, R21 내지 R26은 서로 동일하여도 상이하여도 좋고, 각각 독립적으로 사이아노기, -CONH2, 카복실기 또는 -COOR27(R27은 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기)를 나타낸다. 단, R21 및 R22, R23 및 R24, 및 R25 및 R26의 1 또는 2 이상의 쌍이 함께 이루어져 -CO-O-CO-로 표시되는 기를 나타내어도 좋다.)
KR1020147001091A 2011-07-15 2012-07-11 질소 함유 방향족 복소환 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 KR102113468B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011156833 2011-07-15
JPJP-P-2011-156833 2011-07-15
JPJP-P-2011-168775 2011-08-01
JP2011168775A JP5938175B2 (ja) 2011-07-15 2011-08-01 含窒素芳香族複素環誘導体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
PCT/JP2012/067689 WO2013011891A1 (ja) 2011-07-15 2012-07-11 含窒素芳香族複素環誘導体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140056215A true KR20140056215A (ko) 2014-05-09
KR102113468B1 KR102113468B1 (ko) 2020-05-21

Family

ID=47558069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147001091A KR102113468B1 (ko) 2011-07-15 2012-07-11 질소 함유 방향족 복소환 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자

Country Status (7)

Country Link
US (2) US10043977B2 (ko)
EP (1) EP2738166A4 (ko)
JP (1) JP5938175B2 (ko)
KR (1) KR102113468B1 (ko)
CN (1) CN103649080A (ko)
TW (1) TW201307352A (ko)
WO (1) WO2013011891A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160041018A (ko) * 2014-10-06 2016-04-15 희성소재 (주) 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20170040306A (ko) * 2014-07-29 2017-04-12 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 유기 전계발광 소자
KR20170052521A (ko) * 2014-08-15 2017-05-12 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5692011B2 (ja) * 2011-11-08 2015-04-01 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、並びに照明装置
KR101704150B1 (ko) 2011-12-05 2017-02-07 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자용 재료 및 유기 전기발광 소자
KR20130127563A (ko) * 2012-05-02 2013-11-25 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
US10892422B2 (en) * 2013-01-18 2021-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound for organic optoelectronic device, organic light emitting diode including the same, and display including the organic light emitting diode
WO2014196556A1 (ja) 2013-06-06 2014-12-11 保土谷化学工業株式会社 インデノインドール誘導体および有機エレクトロルミネッセンス素子
CN103333097A (zh) * 2013-06-18 2013-10-02 重庆大学 一种二吲哚甲烷衍生物的合成方法
KR101577112B1 (ko) 2013-09-03 2015-12-14 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102195338B1 (ko) * 2013-12-13 2020-12-24 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR101626889B1 (ko) * 2013-12-27 2016-06-03 희성소재 (주) 인돌계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
US20160351823A1 (en) * 2014-02-18 2016-12-01 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Benzofuroindole derivative and organic electroluminescence device
US10424742B2 (en) 2014-08-20 2019-09-24 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Organic electroluminescent device
WO2016068585A1 (ko) * 2014-10-27 2016-05-06 주식회사 엘지화학 유기 전계 발광 소자
US10497876B2 (en) * 2014-12-24 2019-12-03 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US9793493B2 (en) * 2014-12-30 2017-10-17 Luminescence Technology Corp. Organic material and organic electroluminescent device using the same
US10505119B2 (en) * 2015-01-08 2019-12-10 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Organic electroluminescence device
CN104557875A (zh) * 2015-01-21 2015-04-29 石家庄诚志永华显示材料有限公司 茚并吲哚环状化合物与在有机发光二极管中的应用
JP6715781B2 (ja) * 2015-02-03 2020-07-01 保土谷化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2016133097A1 (ja) * 2015-02-16 2016-08-25 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
WO2016181705A1 (ja) * 2015-05-11 2016-11-17 日本放送協会 有機薄膜および有機薄膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池、薄膜トランジスタ、塗料組成物
US10079347B2 (en) * 2015-06-22 2018-09-18 Feng-wen Yen Compounds for organic electroluminescence device
JP6198785B2 (ja) * 2015-08-04 2017-09-20 ▲いく▼▲雷▼光電科技股▲分▼有限公司 有機エレクトロルミネッセントデバイス用リン光材
KR20170032532A (ko) * 2015-09-14 2017-03-23 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
JP6804869B2 (ja) * 2016-05-19 2020-12-23 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
CN110235269A (zh) 2017-02-03 2019-09-13 日立化成株式会社 有机电子材料及其利用
TWI787279B (zh) 2017-06-23 2022-12-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 有機化合物、發光元件、發光裝置、電子裝置及照明設備
EP3617210A1 (en) * 2018-08-31 2020-03-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Polycyclic compound, and an organic electroluminescence device comprising the polycyclic compound
EP4310931A1 (en) 2021-03-18 2024-01-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd Organic electroluminescent element, compound, and electronic device
CN113999196B (zh) * 2021-11-05 2023-04-28 中钢集团南京新材料研究院有限公司 一种4-(2-硝基苯基)二苯并[b,d]呋喃的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010040829A (ja) 2008-08-06 2010-02-18 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置
WO2010114267A2 (ko) 2009-03-30 2010-10-07 덕산하이메탈(주) 유기전기소자 및 그 화합물, 단말
KR20110018340A (ko) * 2008-06-05 2011-02-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 할로젠 화합물, 다환계 화합물 및 그것을 사용한 유기 전기발광 소자
WO2011049063A1 (ja) 2009-10-23 2011-04-28 新日鐵化学株式会社 有機電界発光素子
KR20120125368A (ko) * 2010-02-12 2012-11-14 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7560175B2 (en) 1999-12-31 2009-07-14 Lg Chem, Ltd. Electroluminescent devices with low work function anode
DE10058578C2 (de) 2000-11-20 2002-11-28 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
CN101687837A (zh) 2007-08-06 2010-03-31 出光兴产株式会社 芳族胺衍生物以及使用该衍生物的有机电致发光元件
KR101497754B1 (ko) * 2008-03-05 2015-03-02 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 고분자 화합물 및 그것을 이용한 유기 전계 발광 소자
EP2284920B1 (en) 2008-05-08 2015-07-29 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Compound for organic electric field light-emitting element and organic electric field light-emitting element
CN102046613B (zh) * 2008-05-29 2015-01-21 出光兴产株式会社 芳胺衍生物及使用该芳胺衍生物的有机电致发光元件
US8049411B2 (en) 2008-06-05 2011-11-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
US8318323B2 (en) 2008-06-05 2012-11-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Polycyclic compounds and organic electroluminescence device employing the same
KR101500796B1 (ko) * 2008-06-05 2015-03-09 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 할로젠 화합물, 다환계 화합물 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
US8057919B2 (en) * 2008-06-05 2011-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
JP5238025B2 (ja) * 2008-06-05 2013-07-17 出光興産株式会社 多環系化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101511072B1 (ko) * 2009-03-20 2015-04-10 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광소자
DE102009023155A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP3176241A1 (en) * 2009-12-07 2017-06-07 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Organic light-emitting material and organic light-emitting element
US9260433B2 (en) * 2009-12-28 2016-02-16 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Organic electroluminescent device
KR101771529B1 (ko) 2010-04-09 2017-09-06 에스에프씨 주식회사 이형고리 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR101637061B1 (ko) * 2010-04-28 2016-07-06 유니버셜 디스플레이 코포레이션 예비혼합된 물질의 증착
WO2012039561A1 (en) * 2010-09-20 2012-03-29 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
JP5747555B2 (ja) * 2011-02-24 2015-07-15 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR20120132962A (ko) * 2011-05-30 2012-12-10 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20120136618A (ko) * 2011-06-09 2012-12-20 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110018340A (ko) * 2008-06-05 2011-02-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 할로젠 화합물, 다환계 화합물 및 그것을 사용한 유기 전기발광 소자
JP2010040829A (ja) 2008-08-06 2010-02-18 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置
WO2010114267A2 (ko) 2009-03-30 2010-10-07 덕산하이메탈(주) 유기전기소자 및 그 화합물, 단말
WO2011049063A1 (ja) 2009-10-23 2011-04-28 新日鐵化学株式会社 有機電界発光素子
KR20120125368A (ko) * 2010-02-12 2012-11-14 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170040306A (ko) * 2014-07-29 2017-04-12 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 유기 전계발광 소자
KR20170052521A (ko) * 2014-08-15 2017-05-12 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기
KR20160041018A (ko) * 2014-10-06 2016-04-15 희성소재 (주) 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
CN103649080A (zh) 2014-03-19
EP2738166A1 (en) 2014-06-04
US20190013475A1 (en) 2019-01-10
US10043977B2 (en) 2018-08-07
JP5938175B2 (ja) 2016-06-22
US20140167026A1 (en) 2014-06-19
KR102113468B1 (ko) 2020-05-21
EP2738166A4 (en) 2014-12-31
JP2013040105A (ja) 2013-02-28
TW201307352A (zh) 2013-02-16
WO2013011891A1 (ja) 2013-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5938175B2 (ja) 含窒素芳香族複素環誘導体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101720395B1 (ko) 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
TWI594992B (zh) Aromatic amine derivatives and organic electroluminescent devices
EP3010055B1 (en) Material for organic electroluminescent elements, organic electroluminescent element using same, and electronic device
TWI591154B (zh) Biscarbazole derivatives and organic electroluminescent devices using the same
KR101838833B1 (ko) 축합 플루오란텐 화합물, 이것을 이용한 유기 전기발광 소자용 재료, 및 이것을 이용한 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
KR101588941B1 (ko) 비스카바졸 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
EP2690093A1 (en) Bis-carbazole derivative and organic electroluminescent element using same
TW201410670A (zh) 有機電激發光元件用材料、及使用其之有機電激發光元件
TW201302703A (zh) 有機電致發光元件
TW201439277A (zh) 有機電場發光化合物及包含該化合物之有機電場發光裝置
TW201343637A (zh) 有機電致發光元件用材料及有機電致發光元件
KR20150126340A (ko) 함질소 헤테로환 유도체, 이것을 이용한 유기 전기발광 소자용 재료, 및 이것을 이용한 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
WO2017141876A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2014054263A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right