KR20140044820A - 유체 및 가스의 간접적인 자기 처리 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
유체들/가스들의 간접적인 자기 처리를 위한 방법 및 장치가 제공되며, 거기에서 일정한 차원, 형상, 및 플럭스 밀도를 갖는 자기장 또는 전기장은 직접적으로 자화된 유체/가스를 얻기 위해 제1단계에서 작동 유체/가스에 적용된다. 그 후, 직접적으로 자화된 유체/가스는 제2단계에서 직접적으로 자화된 유체/가스와 통상적인 비-자화된 작동 유체/가스 사이의 미리 결정된 혼합 비율 및 혼합 방법에 따라 직접적으로 자화된 유체/가스와 통상적인 비-자화된 유체/가스를 혼합함으로써 통상적인 비-자화된 유체/가스를 간접적으로 자화시키기 위해 자화제 또는 자기 처리 작용제로서 사용된다. 그 후, 결과적인 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스가 적절한 용도로 직접 사용되거나 또는 차후 사용을 위해 저장 탱크에 저장된다. 본 발명에 가능한 적용은 물 처리, 탄화수소 연료 처리와 같은 유체/가스의 직접적인 자기 처리의 이전의 모든 적용을 포함하지만, 그러나 이것에 제한되지 않는다.
Description
본 발명은 유체 및/또는 가스의 자기 처리(magnetic treatment)의 분야에 관한 것으로서, 특히 직접적으로 자화된(magnetized) 유체/가스 및 통상적인(normal) 비-자화된 유체/가스 보다 더 좋은 성능을 갖는 새로운 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스를 얻기 위해, 주로 직접적으로 자화된 유체/가스[일정한 형상(geometry) 및 플럭스(flux) 밀도의 직접적인 자기장 또는 전자기장을 사용하여 처리된 유체/가스]와 통상적인 비-자화된 유체/가스 사이의 혼합에 기초하는, 유체 및 가스의 간접적인 자기 처리를 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
자기유체역학(magnetohydrodynamics)(MHD)(magnetofluiddynamics 또는 hydromagnetics)은 자기장의 영향 하에서 유체를 전기적으로 도전하는 역학을 연구하는 과학 분야(discipline)이다. MHD 는 자기장을 의미하는 "마그네토(magneto)", 그리고 액체를 의미하는 "하이드로(hydro)", 및 운동 또는 움직임을 의미하는 "역학(dynamics)"으로부터 유래되었다. MHD 의 분야는 1942년에 하네스 알프벤(Hannes Alfven)에 의해 시작되었으며, 이로 인해 그는 1970년에 노벨 물리학상을 받았다.
MHD 의 아이디어는 움직이는 전기-도전성 유체에서 자기장이 전류를 유도하는 것이며, 이것은 유체상에 기계적 힘을 생성하고, 또한 자기장 자체를 변화시킨다. MHD 를 서술하는 방정식의 세트(set)는 유체 역학의 친숙한 나비에르-스톡스(Navier-Stocks) 방정식과 전자기학의 막스웰(Maxwell)의 방정식의 조합이다. 리서치 연구는 자기유체역학 효과가 유체 및 가스의 자기 처리에 책임이 있다고 지적하고 있다.
유체 및 가스의 자기 처리의 이전의 모든 적용은, 움직이는 유체 또는 가스상의 다양한 플럭스 밀도 및 가변형 형상의 자기장 또는 전자기장의 직접적인 적용에 촛점을 맞추었으며, 거기에서 유체 또는 가스의 전체 또는 총량(totality)은 처리되기 위해 자기장 또는 전자기장을 직접적으로 통과해야만 한다. 이 직접적인 처리 사실(fact)은 이것이 자기 처리 장치의 설치의 초기 상태에서만 효과적인 처리로 이어지고 그리고 일반적으로 차후 단계에서는 비효과적인 처리로 이어지기 때문에, 자기 처리의 제한된 대중성(popularity)에 대해 은폐된 장애물이다.
따라서, 본 발명의 목적은 유체 및 가스의 직접적인 자기 처리의 결점을 극복하는, 유체 및 가스의 간접적인 자기 처리를 위한 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
유체 또는 가스의 간접적인 처리의 방법이 제공되며, 상기 방법은 제1유체 또는 가스를 제공하는 단계; 직접적으로 자화된 유체/가스를 얻기 위해 제1유체 또는 가스상에 일정한 플럭스 밀도 및 형상의 직접적인 자기장 또는 전자기장을 적용하는 단계; 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 제공하는 단계; 및 처리되며 또한 직접적으로 자화된 제1유체/가스 및 통상적인 비-자화된 제2유체/가스 보다 더욱 효과적인 혼합된 또는 간접적으로-자화된 제3유체/가스를 얻기 위해, 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 통상적인 비-자화된 제2유체/가스와 혼합하는 단계를 포함한다.
이것은 본 발명에 따라, 제1유체/가스는 직접적인 자기 또는 전자기 처리를 받는 직접적으로 자화된 유체/가스이고, 제2유체/가스는 임의의 직접적인 자기장 또는 전자기장을 통과하지 않는 통상적인 비-자화된 유체/가스인 것을 의미한다. 혼합된 또는 간접적으로-자화된 제3유체/가스에 있어서, 통상적인 비-자화된 제2유체/가스는 직접적으로 자화된 제1유체/가스로부터 간접적으로 처리되며, 또한 혼합된 또는 간접적으로-자화된 제3유체/가스는 간접적인 방식으로 완전히 처리된다. 달리 말하면, 직접적으로 자화된 제1유체/가스는 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 자화시키기 위한 자화제(magnetizer) 또는 자기 처리 작용제(agent)로서 작용한다.
본 발명의 의미에 있어서, 유체 및/또는 가스를 지칭하는 "직접적으로 자화된" 또는 "직접적으로 처리된" 또는 간단히 "처리된" 이라는 용어는 유체(들) 및/또는 가스(들)가 일정한 형상 및 플럭스 밀도의 직접적인 자기장 또는 전자기장을 사용하여 각각 처리 또는 자화되는 것을 특별히 의미하며, 이것은 예를 들어 상기 각각의 필드(field)를 생산하는 장치 또는 유닛에 의해 제공될 수 있다. 또한, 유체 및/또는 가스를 지칭하는 "통상적인 비-자화된" 또는 "통상적인"이라는 용어는 각각의 유체(들) 및/또는 가스(들)가 자화되지 않거나 또는 임의의 직접적인 자기장 또는 전자기장을 통과하지 않음을 각각 특별히 의미한다. 추가로, 유체 및/또는 가스를 지칭하는 "혼합된" 또는 "간접적으로-자화된"이라는 용어는 자화제 또는 자기 처리 작용제로서 작용하는 직접적으로 자화된 유체/가스에 의해 간접적인 방식으로 자기적으로 처리되는 유체(들) 및/또는 가스(들)를 특별히 의미한다. 이 외에도, "간접적인 자기 유체/가스 처리"라는 용어는 직접적인 자기장 또는 전자기장의 물체(object)가 되지 않지만("직접적으로 자화된" 유체 및/또는 가스에 대한 경우처럼), 그러나 "직접적으로 자화된" 유체 및/또는 가스에 의해 자화됨으로써(예를 들어, 함께 혼합됨으로써) 통상적인 유체 및/또는 가스가 처리 또는 자화되는 것을 특별히 의미한다.
직접적으로 자화된 제1유체/가스와 통상적인 비-자화된 제2유체/가스 사이의 혼합은 미리 결정된 혼합 비율에 따라 실시되고, 거기에서 혼합물의 대부분은 통상적인 비-자화된 제2유체/가스인 것이 바람직하다.
직접적으로 자화된 유체/가스의 생산을 위해 사용된 처리 유닛은 코일 및 제어된 전류 소스(source)를 사용하는 영구 자석 셋업(setup)이거나 또는 전자기 셋업일 수 있는 것이 바람직하다. 처리 유닛의 자기장 또는 전자기장은 임의의 형상(Bx, By, 및 Bz 의 원하는 플럭스 밀도값에 따른 1차원, 2차원, 또는 3차원 자기장)일 수 있으며, 자기장의 본성(nature)은 흡인(attraction) 형태 또는 반발(repulsion) 형태일 수 있다(영구 자석 셋업의 경우). 자기장과 유체/가스의 방향 사이의 요구되는 각도는 90, 0, 180도와 같은 임의의 각도 또는 임의의 다른 요구된 각도일 수 있다.
일정한 플럭스 밀도 및 형상의 자기장 또는 전자기장을 처리 유닛 내의 직접적으로 자화된 유체/가스상에 적용하는 프로세스는, 유체/가스가 순환(circulation)될 동안 실시되는 것이 바람직하다.
직접적으로 자화된 유체/가스의 생산 프로세스는 첫번째로, 통상적인 비-자화된 유체/가스를 통상적인 유체 주(main) 공급 탱크로부터 처리 용기에 채우는 단계; 및 두번째로, 그 흐름을 처리 용기로 다시 출력하는 처리 유닛을 통해 제어된 흐름의 순환 프로세스를 수행하는 단계를 포함하는, "인라인(inline) 전-처리(pre-treatment) 및 후-처리(post-treatment) 센서 구성"을 사용하여 달성될 수 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 있어서, 분석 목적을 위해 처리 유닛 전 및 후의 시간으로 직접적으로 자화된 유체/가스의 물리적 및 화학적 양의 변화를 추적하기 위해, 그 센서 데이터를 제어 박스로 전송하는 요구된 센서의 그룹(적용 및 유체 의존성일 수 있는)이 처리 유닛 전 및 후에 설치된다.
대안적으로, 직접적으로 자화된 유체/가스의 생산 프로세스는 첫번째로, 통상적인 비-자화된 유체/가스를 통상적인 유체 주 공급 탱크로부터 처리 용기에 채우는 단계; 및 두번째로, 그 흐름을 처리 용기로 다시 출력하는 처리 유닛을 통해 제어된 흐름의 순환 프로세스를 수행하는 단계를 포함하는, "인-탱크(in-tank) 센서 구성"을 사용하여 달성될 수도 있다. 이 구성에 있어서, 처리 탱크의 유체/가스를 위한 시간으로 직접적으로 자화된 유체/가스의 물리적 및 화학적 양의 변화를 추적하기 위해, 그 센서 데이터를 제어 박스로 전송하는 요구된 센서의 그룹(적용 및 유체 의존성일 수 있는)이 처리 용기에 설치된다.
대안적으로, 직접적으로 자화된 유체/가스의 생산 프로세스는 첫번째로, 통상적인 비-자화된 유체/가스를 통상적인 유체 주 공급 탱크로부터 처리 용기에 채우는 단계; 및 두번째로, 처리 용기가 처리 유닛을 통한 제어된 제1흐름 및 처리 용기로부터 직접 제어된 제2흐름을 동시에 수용하는 제어된 흐름의 순환 프로세스를 수행하는 단계를 포함하는, "병렬(parallel) 흐름 구성"을 사용하여 달성될 수도 있다.
대안적으로, 직접적으로 자화된 유체/가스의 생산 프로세스는 첫번째로, 통상적인 비-자화된 유체/가스를 통상적인 유체 주 공급 탱크로부터 통상적인 유체 용기에 채우는 단계; 및 두번째로, 처리 유닛을 통한 제어된 흐름을 수용하는 제2처리 용기로의 제어된 흐름을 수행하는, "단일-사이클(single-cycle) 구성"을 사용하여 달성될 수도 있다.
혼합 프로세스는 첫번째로, 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 혼합 용기의 바닥에 침적(deposit)하는 단계; 및 두번째로, 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 직접적으로 자화된 제1유체/가스의 상부에 침적하는 단계를 포함하는, 바닥 구성을 사용하여 달성될 수 있는 것이 바람직하다. 이 프로세스는 여러 번 반복될 수도 있다(대안적인 바닥 구성).
대안적으로, 혼합 프로세스는 첫번째로, 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 혼합 용기의 바닥에 침적하는 단계; 및 두번째로, 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 통상적인 비-자화된 제2유체/가스의 상부에 침적하는 단계를 포함하는, 상부 구성을 사용하여 달성될 수도 있다. 이 프로세스는 여러 번 반복될 수도 있다(대안적인 상부 구성).
대안적으로, 혼합 프로세스는 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 수용하기 위해 제1용기를 제공하는 단계; 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 수용하기 위해 제2용기를 제공하는 단계; 및 직접적으로 자화된 제1유체/가스의 제어된 제1흐름 및 통상적인 비-자화된 제2유체/가스의 제어된 제2흐름을 동시에 수용하기 위해, 제1 및 제2용기와 관련된 혼합된 또는 간접적으로-자화된 제3유체/가스를 수용하기 위해 제3용기를 제공하는 단계를 포함하는, 병렬 흐름 2-탱크(two-tank) 구성을 사용하여 달성될 수도 있다.
대안적으로, 혼합 프로세스는 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 순간적으로 산출(yield)하도록 일정한 플럭스 밀도 및 형상의 자기장 또는 전자기장을 통상적인 비-자화된 제2유체/가스상에 적용하기 위해 인라인 자기 처리 유닛을 제공하는 단계; 및 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스를 위해 처리 유닛 및 제2용기와 관련하여 통상적인 비-자화된 유체/가스를 위해 제1용기를 제공하는 단계를 포함하며, 상기 처리 유닛은 제1용기로부터 통상적인 비-자화된 제2유체/가스의 제어된 흐름을 수용하고 또한 자기장 또는 전자기장을 제2유체/가스상에 적용하며, 또한 상기 제2용기는 처리 유닛로부터 직접적으로 자화된 제1유체/가스의 제어된 제1흐름 및 제1용기로부터 통상적인 비-자화된 제2액체의 제어된 제2흐름을 동시에 수용하는, 병렬 흐름 1-탱크(one-tank) 구성을 사용하여 달성될 수도 있다.
대안적으로, 혼합 프로세스는 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 수용하기 위해 제1용기를 제공하는 단계; 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 수용하기 위해 소형의 제2용기를 제공하는 단계; 및 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스를 수용하기 위해 제3용기를 제공하는 단계를 포함하며, 상기 소형의 제2용기는 제1용기로부터 통상적인 비-자화된 제2유체/가스의 제어된 흐름을 수용하고 또한 직접적으로 자화된 제1 및 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 포함하는 제3용기를 위해 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스의 흐름을 출력하는, 직렬(series) 흐름 1-탱크 구성을 사용하여 달성될 수도 있다.
본 발명의 다른 면(aspect)으로서, 도1 에 도시된 바와 같은 인라인 전-처리 및 후-처리 센서 구성, 도2 에 도시된 바와 같은 인-탱크 센서 구성, 도3 에 도시된 바와 같은 병렬 흐름 구성, 도4 에 도시된 바와 같은 단일-사이클 구성을 포함하는 직접적으로 자화된 유체/가스의 생산을 위한 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 면으로서, 도5 에 도시된 바와 같은 바닥 구성, 도6 에 도시된 바와 같은 대안적인 바닥 구성, 도7 에 도시된 바와 같은 상부 구성, 도8 에 도시된 바와 같은 대안적인 상부 구성, 도9 에 도시된 바와 같은 병렬 흐름 2-탱크 구성, 도10 에 도시된 바와 같은 병렬 흐름 1-탱크 구성, 도11 에 도시된 바와 같은 직렬 흐름 1-탱크 구성을 포함하는 혼합 프로세스를 위한 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 면으로서, 유체/가스를 처리하는 방법이 제공되며, 상기 방법은 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 자화시키기 위해 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 자화제 또는 자기 처리 작용제로서 사용하는 단계를 포함한다.
통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 자화시키기 위해 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 자화제 또는 자기 처리 작용제로서 사용하는 단계는 미리 결정된 혼합 비율에 따라 제1 및 제2유체/가스를 혼합하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 특징 및 장점은 첨부된 도면과 짝을 이룬 하기의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
도1 은 인라인 전-처리 및 후-처리 센서 구성을 사용하는 직접적으로 자화된 유체/가스의 예시적인 생산 프로세스를 도시하고 있다.
도2 는 인-탱크 센서 구성을 사용하는 직접적으로 자화된 유체/가스의 예시적인 생산 프로세스를 도시하고 있다.
도3 은 병렬 흐름 구성을 사용하는 직접적으로 자화된 유체/가스의 예시적인 생산 프로세스를 도시하고 있다.
도4 는 단일-사이클 구성을 사용하는 직접적으로 자화된 유체/가스의 예시적인 생산 프로세스를 도시하고 있다.
도5 는 바닥 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도6 은 대안적인 바닥 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도7 은 상부 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도8 은 대안적인 상부 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도9 는 병렬 흐름 2-탱크 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도10 은 병렬 흐름 1-탱크 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도11 은 직렬 흐름 1-탱크 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도12 는 가변적인 전자기장을 발생시키기 위한 예시적인 코일 셋업을 도시하고 있다.
도13 은 가변적인 전자기장을 발생시키기 위한 예시적인 영구 자석 셋업을 도시하고 있다.
도14 는 영구 자석 셋업을 위한 예시적인 유압(hydraulic) 회로를 도시하고 있다.
도15 는 스테퍼(stepper) 모터를 사용하는 영구 자석 셋업의 예시적인 자석 회전을 도시하고 있다.
도16 은 영구 자석 셋업의 예시적인 자기장 극성(polarity) 수동 플립핑(flipping)을 도시하고 있다.
도17 은 자기장의 영향 하에서 예시적인 가능한 파이프 구성을 도시하고 있다.
도18 은 적용 경우에 사용된 흡인 모드를 사용하는 영구 자석 셋업의 예시적인 3차원 플럭스 밀도를 도시하고 있다.
도19 는 적용 경우에 사용된 반발 모드를 사용하는 영구 자석 셋업의 예시적인 3차원 플럭스 밀도를 도시하고 있다.
도2 는 인-탱크 센서 구성을 사용하는 직접적으로 자화된 유체/가스의 예시적인 생산 프로세스를 도시하고 있다.
도3 은 병렬 흐름 구성을 사용하는 직접적으로 자화된 유체/가스의 예시적인 생산 프로세스를 도시하고 있다.
도4 는 단일-사이클 구성을 사용하는 직접적으로 자화된 유체/가스의 예시적인 생산 프로세스를 도시하고 있다.
도5 는 바닥 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도6 은 대안적인 바닥 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도7 은 상부 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도8 은 대안적인 상부 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도9 는 병렬 흐름 2-탱크 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도10 은 병렬 흐름 1-탱크 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도11 은 직렬 흐름 1-탱크 구성을 사용하는 예시적인 혼합 프로세스를 도시하고 있다.
도12 는 가변적인 전자기장을 발생시키기 위한 예시적인 코일 셋업을 도시하고 있다.
도13 은 가변적인 전자기장을 발생시키기 위한 예시적인 영구 자석 셋업을 도시하고 있다.
도14 는 영구 자석 셋업을 위한 예시적인 유압(hydraulic) 회로를 도시하고 있다.
도15 는 스테퍼(stepper) 모터를 사용하는 영구 자석 셋업의 예시적인 자석 회전을 도시하고 있다.
도16 은 영구 자석 셋업의 예시적인 자기장 극성(polarity) 수동 플립핑(flipping)을 도시하고 있다.
도17 은 자기장의 영향 하에서 예시적인 가능한 파이프 구성을 도시하고 있다.
도18 은 적용 경우에 사용된 흡인 모드를 사용하는 영구 자석 셋업의 예시적인 3차원 플럭스 밀도를 도시하고 있다.
도19 는 적용 경우에 사용된 반발 모드를 사용하는 영구 자석 셋업의 예시적인 3차원 플럭스 밀도를 도시하고 있다.
본 발명의 제1면에 따라, 통상적인 유체/가스가 직접적인 자기장 또는 전자기장의 물체가 되지 않고 자기적으로 처리되는 간접적인 자기 유체/가스 처리를 위한 방법이 예로서 제공된다.
간접적인 자기 유체/가스 처리의 방법은 하기의 단계들 중 하나, 그 이상, 또는 모두를 포함할 수 있다.
1. 하기에 의해 직접적으로 자화된 제1유체/가스 생산.
a. 하기의 요구사항 중 하나, 그 이상, 또는 모두에 따라 작동 유체/가스상에 직접적인 자기장 또는 전기장을 적용하는 단계.
ⅰ. 자기장의 요구된 형상. 우리는 1차원, 2차원, 3차원 자기장을 적용할 수 있다.
ⅱ. 플럭스 밀도(Bx, By, Bz)의 요구된 값.
ⅲ. 흡인 형태이거나 또는 반발 형태인 자기장의 본성. 이것은 영구 자석의 경우에만 적용된다.
ⅳ. 각도가 90, 0, 180도 또는 임의의 다른 요구된 각도일 수 있는, 자기장과 유체/가스 흐름 사이의 요구되는 각도.
ⅴ. 작동 유체/가스의 요구된 온도, 압력, 및 용적.
b. 선택된 처리 구성(도1 내지 4 에 도시된 바와 같은)에 따라 요구된 순환 시간 동안 자기장 또는 전자기장의 영향 하에서 작동 유체/가스의 순환. 순환 프로세스는 자기장 또는 전자기장을 가로질러 작동 유체/가스의 적어도 1회 통과일 수 있으며 또한 몇일까지 갈 수도 있다.
2. 선택된 혼합 구성(도5 내지 11 에 도시된 바와 같은)에 따라 직접적으로 자화된 제1유체/가스(Vt)의 용적과 통상적인 비-자화된 제2유체/가스(Vn) 사이에서 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 통상적인 비-자화된 제2유체/가스와 요구된 혼합 비율로 혼합. 혼합 프로세스는 하기의 형태들 중 하나일 수 있다.
a. 혼합 용기에 한번에 하나의 타입의 유체의 추가. 이 프로세스는 하 기의 구성들 중 하나를 취할 수 있다.
ⅰ. 바닥 구성. 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 혼합 용기의 바닥에 추가하고 그 후 도5 에 도시된 바와 같이 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 상부에 추가.
ⅱ. 대안적인 바닥 구성. 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 혼합 용기의 바닥에 추가하고 그 후 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 상부에 추가. 그 후, 도6 에 도시된 바와 같이 이 프로세스를 여러 번 반복한다.
ⅲ. 상부 구성. 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 혼합 용기의 바닥에 추가하고 그 후 도7 에 도시된 바와 같이 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 상부에 추가.
ⅳ. 대안적인 상부 구성. 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 혼합 용기의 바닥에 추가하고 그 후 직접적으로 자화된 유체/가스를 상부에 추가. 그 후, 도8 에 도시된 바와 같이 이 프로세스를 여러 번 반복한다.
b. 병렬 흐름 2-탱크 구성. 이 시나리오에 있어서, 우리는 직접적으로 자화된 유체/가스를 위한 하나의 탱크, 통상적인 비-자화된 유체/가스를 위한 제2탱크, 및 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스를 위한 제3탱크를 갖는다. 도9 에 도시된 바와 같이 직접적으로 자화된 유체/가스와 통상적인 비-자화된 유체/가스 사이의 동시적인 혼합 비율을 제어하는 2개의 비례제어 밸브(proportional valve)가, 제1 및 제2탱크 출력부에 위치된다.
c. 병렬 흐름 1-탱크 구성. 이 시나리에 있어서, 우리는 통상적인 비-자화된 유체/가스를 위한 하나의 탱크, 및 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스를 위한 제2탱크를 갖는다. 2개의 출력 파이프가 병렬 방식으로 제1탱크로부터 나온다. 제1파이프는 자기 처리 유닛을 통과하며, 또한 처리 유닛의 출력물(직접적으로 자화된 유체/가스)이 제2혼합 탱크에서 혼합된다. 직접적으로 자화된 유체/가스와 통상적인 비-자화된 유체/가스 사이의 동시적인 혼합 비율을 제어하는 2개의 비례제어 밸브가, 제1탱크 출력부에 위치된다. 실제로, 이것은 우리가 직접적으로 자화된 또는 처리된 유체/가스를 위한 저장 탱크를 갖지 않는 경우이며, 유체/가스는 제2탱크에서 통상적인 비-자화된 유체/가스와 혼합되기 전에 처리 유닛을 통해 순간적으로 처리된다. 자기 처리 유닛 내의 흐름은 도10 에 도시된 바와 같이 처리 중 그것으로부터 나오는 출력 흐름 비율과는 상이한 내부 흐름 비율을 가질 수 있음을 인식해야 한다.
d. 직렬 흐름 1-탱크 구성. 여기에서 직접적으로 자화된 유체/가스와 통상적인 비-자화된 유체/가스 사이의 동시적인 직렬 혼합이 수행된다. 이 시나리에 있어서, 우리는 직접적으로 자화된 유체/가스를 위한 하나의 탱크, 통상적인 비-자화된 유체/가스를 위한 제2탱크, 및 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스를 위한 제3탱크를 갖는다. 통상적인 비-자화된 유체/가스는 비례제어 밸브에 의해 제어되는 탱크로부터 흐르며 또한 처리된 탱크의 출력 흐름이 적용에 즉시 사용되거나 또는 혼합된 제3탱크에 저장될 수 있는 처리된 탱크를 통과한다. 이 경우에 있어서, 처리된 탱크의 용적 및 비례제어 밸브 개방(opening) 비율은 도11 에 도시된 바와 같이 제어 매개변수들이다.
3. 적절한 적용에 있어서 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스 사용. 이 경우에 있어서, 우리는 2개의 시나리오를 갖고 있다. 첫번째 시나리오에 있어서, 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스는 차후 사용을 위해 혼합 탱크에 저장되는 반면에; 두번째 시나리오에 있어서, 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스는 혼합 탱크에 저장되지 않고 적용에 즉시 사용된다.
이미 언급한 처리 프로세스는 유체/가스 의존형 및 적용 의존형인 하기의 제어 매개변수들 중 하나, 그 이상, 또는 모두를 갖는 것을 인식해야 한다.
1. 직접적으로 자화된 유체/가스의 직접적인 전기장 또는 전자기장 처리 매개변수들.
a. 자기장의 차원 및 형상(1차원, 2차원, 3차원).
b. 주어진 차원에 의존하는 플럭스 밀도(Bx, By, Bz)의 원하는 값.
c. 흡인 형태이거나 또는 반발 형태인 자기장의 본성(영구 자석 셋업의 경우).
d. 각도가 90도(수직 방향), 0도(동일한 방향), 180도(반대 방향), 또는 임의의 다른 요구된 각도일 수 있는, 자기장과 유체/가스 흐름 사이의 요구된 각도.
e. 직접적으로 자화된 유체/가스의 요구된 용적.
f. 직접적으로 자화된 유체/가스의 요구된 온도 및 압력.
g. 필드의 영향 하에서 유체/가스의 흐름 비율.
h. 유체/가스에 대한 자기장의 요구된 순환 시간 또는 적용 시간.
i. 자기 처리 하의 파이프의 형상 및 그 내측 횡방향 부분.
2. 혼합 프로세스 매개변수들.
a. 통상적인 비-자화된 유체/가스의 용적.
b. 직접적으로 자화된 유체/가스의 용적.
c. 통상적인 비-자화된 유체/가스 및 직접적으로 자화된 유체/가스의 요구된 온도 및 압력.
d. 사용될 때마다 비례제어 밸브 개방에 의해 제어되는 2개의 유체들 사이의 혼합 비율.
e. 통상적인 비-자화된 유체/가스 및 직접적으로 자화된 유체/가스를 위한 혼합 흐름 비율.
본 발명의 주요한 특징들은 하기들 중 하나, 그 이상, 또는 모두를 포함할 수 있다.
1. 통상적인 비-자화된 유체/가스를 위한 자화제 또는 자기 처리 작용제로서 직접적으로 자화된 또는 처리된 유체/가스의 사용.
2. 통상적인 비-자화된 유체/가스를 위한 처리 방법론(methodology)으로서 직접적으로 자화된 유체/가스에 저장된 자기장의 사용.
3. 직접적으로 자화된 유체/가스의 준비 시 일정한 플럭스 밀도의 1차원, 2차원, 또는 3차원 자기 형상의 사용. 영구 자석 셋업의 경우에 있어서, 자기 셋업 사이의 거리, 자기 셋업의 형상, 및 자기 셋업 사이의 흡인력 또는 반발력에 따라, 3차원 플럭스 밀도까지 발생될 수 있다.
4. 직접적으로 자화된 유체/가스의 준비 시 임의의 자기 또는 전자기 셋업의 사용. 이것은 사용된 자석의 타입(NdFeb, 또는 임의의 다른 자기 물질), 자석의 형태(직사각형, 원통형, 또는 임의의 다른 형태), 사용된 자석의 개수, 셋업의 3차원 구성, 및 셋업에 관해 다른 관련된 매개변수들을 포함한다.
5. 직접적으로 자화된 유체/가스의 준비 시 수(few) 가우스(gauss)로부터 테슬라(Tesla) 범위에 속하는 플럭스 밀도(Bx, By, Bz)의 사용.
6. 직접적으로 자화된 유체/가스의 준비 시 영구 자석의 경우 흡인 형태이거나 또는 반발 형태인 자기장의 사용.
7. 전자기장 셋업의 경우 전류 제어 시스템은 가변형 레지스터와 직렬인 DC 전류 소스 또는 DC 전압 소스일 수 있다. AC 소스를 사용하는 경우에 있어서, 이것을 DC 로 변환하고 또한 그 후 2개의 이전의 시나리오 중 하나를 적용하기 위해 컨버터(converter)가 사용될 수 있다.
8. 직접적으로 자화된 유체/가스의 온도, 압력, 및 용적(레벨)은 직접적으로 자화된 유체/가스의 발생 및 혼합 프로세스 중에 조정 및 제어된다.
9. 통상적인 비-자화된 유체/가스 및 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스의 온도, 압력, 및 용적(레벨)은 혼합 프로세스 중 그리고 저장 상태에서 조정 및 제어된다.
10. 도면에 사용된 어디에서도 가열 또는 냉각 요소는 요구 시 유체/가스의 온도를 정확히 제어하는 가열 및/또는 냉각 시스템을 의미한다.
11. 직접적으로 자화된 유체/가스의 준비 중, 작동 유체/가스를 위한 흐름 제어 시스템은 자기장의 영향 하에서 움직이는 유체/가스의 흐름 비율을 제어하는데 사용될 수 있다.
12. 본 발명의 모든 제어 매개변수들은 처리의 두 상태(직접적으로 자화된 유체/가스의 발생 및 혼합 프로세스)에 사용될 수 있는 인라인 센서 데이터에 따라 제어될 수 있다. 이들 센서는 유체/가스 의존형 및 적용 의존형이다. 예를 들어, 연료 처리의 경우에 있어서, 우리는 유체/가스의 물리적 매개변수들의 변화를 관찰하기 위해 인라인 점도 및 밀도 센서를 사용하였다. 작용 유체/가스가 물이라면, 우리는 인라인 PH 및 TDS 센서 또는 임의의 다른 센서를 사용할 수 있다.
13. 각도가 90, 0, 180도, 또는 자기장의 소스 및 유체/가스가 흐르고 있는 파이프의 형태에 의존하는 다른 각도일 수 있는, 자기장과 유체/가스 흐름 사이의 각도에 관해 가장 통상적으로 사용되는 작동 모드의 사용.
14. 직접적으로 자화된 유체/가스의 준비 시 자기장은 영구 자석 셋업(예를 들어, 도13 내지 16, 그러나, 이것에 제한되지 않는다) 또는 dc 전류가 코일을 통과하는 전자기장(예를 들어, 도12, 그러나 이것에 제한되지 않는다)을 사용하여 발생될 수 있다.
15. 거리 가변형 영구 자석 셋업의 경우에 있어서, 2개의 자석들 사이의 거리를 제어하는 작동 메카니즘은 유압, 공압(pneumatic), 전기 작동기 또는 임의의 다른 가능한 메카니즘일 수 있다.
16. 유체/가스가 직선형, 수직-수평형, 나선형 3차원(스프링과 같은) 형상들 또는 도17 에 도시된 바와 같이 임의의 다른 형상일 수 있는 자기장의 영향 하에서 흐르는 파이프의 형상.
17. 직접적으로 자화된 유체/가스의 준비 중 자기장의 영향 하의 유체/가스 흐름은, 수직 흐름의 경우 중력(gravitational force)의 영향 하에 있을 수 있거나 또는 수평 흐름일 수 있다.
18. 도17 에 도시된 바와 같이 자기장의 영향 하에서 파이프의 내측 코어의 원형, 정사각형, 또는 직사각형 단면의 사용.
19. 유체/가스가 자기장의 영향 하에서 흐르고 있는 파이프의 직경은 마이크로 레벨 또는 매크로(macro) 레벨일 수 있으며, 또는 피코(Pico) 크기로부터 센티미터 크기까지 임의의 값을 취할 수 있다.
20. 직접적으로 자화된 유체/가스는 하나의 순환 시간(자기장의 1회 통과)을 사용하여 발생될 수 있으며, 또는 일정한 시간의 주기 동안 연속적으로 순화될 수 있다.
21. 직접적으로 자화된 유체/가스와 통상적인 비-자화된 유체/가스 사이의 혼합 비율은 일반적으로 작동 유체/가스, 작동 유체/가스의 작동 온도 및 압력, 3차원 공간의 플럭스 밀도, 유체/가스 흐름과 적용된 플럭스 사이의 각도, 순환 시간, 및 적용에 의존한다.
22. 직접적으로 자화된 유체/가스 및 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스는 차후 사용을 위해 그 저장 중 일정한 주기 동안 일정한 압력 및 온도로 유지될 수 있다. 이 프로세스는 두 유체들/가스들의 자기 메모리를 제어한다.
23. 통상적인 비-자화된 유체/가스 및 직접적으로 자화된 유체/가스는 일반적으로 동일한 화학 구조를 갖지만, 그러나 일부 적용에 있어서 이것들은 상이한 화학 구조를 가질 수 있다.
24. 본 발명에 가능한 적용은 농업용 목적을 위한 물 처리, 스케일링(scaling)을 위한 물 처리, 염분(salinity) 감소를 위한 물 처리, 공사(construction)를 위한 물 처리, 연료 처리, 디젤 처리, 가솔린 처리, 등유(kerosene) 처리, 연료 오일 처리, 제트 연료 처리, 및 현존하는 다른 모든 처리 방법과 같은 유체/가스의 직접적인 자기 처리의 종래의 모든 적용을 포함하지만, 그러나 이것에 제한되지 않는다.
적용 케이스
본 발명에 따른 방법 및 장치는 디젤 연료의 처리에 작용되었다. 이 예에 있어서, 각각의 자석을 위해 15*10*6 ㎝ 크기의 한 쌍의 직사각형 NdFeb 자석 셋업이 도13 내지 16 에 도시된 자기 처리 셋업에 사용되었다. 도18 은 흡인 경우에 대해 자석들 사이의 내측 거리의 함수로서 자석의 폭 및 길이를 가로지른 중앙 지점에서의 자기 플럭스 밀도(Bx, By, Bz)를 도시하고 있다. 도19 는 반발 경우에 대해 자석들 사이의 내측 거리의 함수로서 자석의 폭 및 길이를 가로지른 중앙 지점에서의 자기 플럭스 밀도(Bx, By, Bz)를 도시하고 있다. 처리 목적을 위해, 자석들은 흡인 경우로 작동되었으며 그리고 2 ㎝ 거리로 분리되었다. 먼저, 디젤이 36 시간 동안 처리되었으며, 그리고 그 후 이 직접적으로 자화된 디젤은 다양한 혼합 비율에 따라 통상적인 디젤과 혼합되었다. 혼합된 또는 간접적으로-자화된 디젤의 열함량(heat content) 및 대응하는 점도 및 밀도의 결과가 표1에 도시되었다. 혼합 비율은 용적에 의하며, 또한 전체 샘플 용적은 1 리터이다.
적용 케이스의 위의 설명이 많은 특이성(specificity)을 포함하지 있지만, 이것들은 본 발명의 범위에 대한 제한으로서 해석되지 않으며 단순히 본 발명의 현재의 바람직한 실시예의 대표적인 것이다. 위에 서술된 본 발명의 실시예(들)는 단지 예시적인 것으로 의도된다. 따라서, 본 발명의 범위는 오로지 첨부된 청구범위의 범위에 의해서만 제한되는 것으로 의도된다.
| 샘플명 | 혼합 절차 | 열함량(cal/g) | 동적 점도 | 정적 점도 | 밀도 |
| 통상적인 비-자화된 디젤 |
단독의 통상적인 비-자화된 |
10504 |
4.4326 |
5.2925 |
0.8375 |
| 자기 처리된 디젤 |
단독 처리된 |
10487 |
3.3581 |
4.0311 |
0.8331 |
| 60% 자기 처리된 디젤 |
통상적인 비-자화된 디젤의 상부에 처리된 디젤 | 10752 |
5.2446 |
6.219 |
0.8433 |
| 50% 자기 처리된 디젤 |
통상적인 비-자화된 디젤의 상부에 처리된 디젤 |
10777 |
5.2044 |
6.1702 |
0.8435 |
| 40% 자기 처리된 디젤 |
통상적인 비-자화된 디젤의 상부에 처리된 디젤 |
10802 |
5.1473 |
6.1042 |
0.8432 |
| 30% 자기 처리된 디젤 |
통상적인 비-자화된 디젤의 상부에 처리된 디젤 |
10827 |
5.0594 |
6.002 |
0.843 |
| 2% 자기 처리된 디젤 |
통상적인 비-자화된 디젤의 상부에 처리된 디젤 |
10852 |
4.7976 |
5.7043 |
0.8411 |
| 1% 자기 처리된 디젤 |
통상적인 비-자화된 디젤의 상부에 처리된 디젤 |
10841 |
4.8053 |
5.7178 |
0.8404 |
| 0.2% 자기 처리된 디젤 |
통상적인 비-자화된 디젤의 상부에 처리된 디젤 |
11123 |
4.7722 |
5.675 |
0.8409 |
| 0.1% 자기 처리된 디젤 |
통상적인 비-자화된 디젤의 상부에 처리된 디젤 |
10810 |
4.7976 |
5.7038 |
0.8411 |
| 0.02% 자기 처리된 디젤 |
통상적인 비-자화된 디젤의 상부에 처리된 디젤 |
10962 |
4.776 |
5.679 |
0.841 |
| 0.01% 자기 처리된 디젤 |
통상적인 비-자화된 디젤의 상부에 처리된 디젤 |
10817 |
4.4498 |
5.3113 |
0.8378 |
Claims (19)
- 유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법으로서:
통상적인 비-자화된 유체/가스를 제공하는 단계, 및 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 얻기 위해 일정한 플럭스 밀도 및 형상의 직접적인 자기장 또는 전자기장을 통상적인 유체/가스상에 적용하는 단계;
통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 제공하는 단계; 및
자기적으로 처리되며 또한 직접적으로 자화된 제1유체/가스 및 통상적인 비-자화된 제2유체/가스 보다 더욱 효과적인 혼합된 또는 간접적으로-자화된 제3유체/가스를 얻기 위해, 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 통상적인 비-자화된 제2유체/가스와 혼합하는 단계를 포함하는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항에 있어서,
제1유체/가스는 직접적인 자기 또는 전자기 처리를 받는 직접적으로 자화된 유체/가스이고, 제2유체/가스는 임의의 직접적인 자기장/전자기장을 통과하지 않는 통상적인 비-자화된 유체/가스이며, 혼합된 또는 간접적으로-자화된 제3유체/가스에 있어서, 통상적인 비-자화된 제2유체/가스는 직접적으로 자화된 제1유체/가스로부터 간접적으로 자기적으로 처리되며, 또한 혼합된 또는 간접적으로-자화된 제3유체/가스는 간접적인 방식으로 완전히 처리되는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
직접적으로 자화된 유체/가스의 생산을 위한 처리 유닛은 코일(들) 및 제어된 전류/전압 소스(들)를 사용하는 영구 자석 셋업이거나 또는 전자기 셋업일 수 있으며, 처리 유닛의 자기장 또는 전자기장은 임의의 차원 및 형상(1차원, 2차원, 3차원 자기장)일 수 있으며; 플럭스 밀도(Bx, By, Bz)는 수 가우스 내지 테슬라의 범위에 속할 수 있으며; 자기장의 본성은 흡인 형태 또는 반발 형태일 수 있으며(영구 자석 셋업의 경우); 및 자기장과 유체/가스 흐름 사이의 요구된 각도는 90, 0, 180도 또는 임의의 다른 요구된 각도일 수 있는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
일정한 플럭스 밀도 및 형상의 자기장 또는 전자기장을 처리 유닛내의 직접적으로 자화된 유체/가스상에 적용하는 프로세스는 유체/가스가 순환될 동안 실시되는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
직접적으로 자화된 유체/가스의 생산 프로세스는
a. 첫번째로, 통상적인 비-자화된 유체/가스를 처리 용기에 채우는 단계; 및
b. 두번째로, 그 흐름을 처리 용기로 다시 출력하는 처리 유닛을 통해 제어된 흐름의 순환 프로세스를 수행하는 단계를 포함하는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
직접적으로 자화된 유체/가스의 생산 프로세스는
a. 첫번째로, 통상적인 비-자화된 유체/가스를 처리 용기에 채우는 단계; 및
b. 두번째로, 처리 용기가 처리 유닛을 통한 제어된 제1흐름 및 처리 용기로부터 직접 제어된 제2흐름을 동시에 수용하는, 제어된 흐름의 순환 프로세스를 수행하는 단계를 포함하는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
직접적으로 자화된 유체/가스의 생산 프로세스는
a. 첫번째로, 통상적인 비-자화된 유체/가스를 통상적인 유체 용기에 채우는 단계; 및
b. 두번째로, 처리 유닛을 통해 제어된 흐름을 수용하는 제2처리 용기로의 제어된 흐름을 수행하는 단계를 포함하는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
직접적으로 자화된 제1유체/가스와 통상적인 비-자화된 제2유체/가스 사이의 혼합 프로세스는 미리 결정된 혼합 비율에 따라 실시되는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
혼합은
a. 첫번째로, 혼합 용기의 바닥에 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 침적하는 단계; 및
b. 두번째로, 직접적으로 자화된 제1유체/가스의 상부에 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 침적하는 단계를 포함하며,
c. 이 프로세스는 1회 실행되거나 또는 여러 번 반복될 수 있는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
혼합은
a. 첫번째로, 혼합 용기의 바닥에 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 침적하는 단계; 및
b. 두번째로, 통상적인 비-자화된 제2유체/가스의 상부에 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 침적하는 단계를 포함하며,
c. 이 프로세스는 1회 실행되거나 또는 여러 번 반복될 수 있는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
혼합은
a. 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 수용하기 위해 제1용기를 제공하는 단계;
b. 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 수용하기 위해 제2용기를 제공하는 단계; 및
c. 직접적으로 자화된 제1유체/가스의 제어된 제1흐름 및 통상적인 비-자화된 제2유체/가스의 제어된 제2흐름을 동시에 수용하기 위해, 제1 및 제2용기와 관련된 혼합된 또는 간접적으로-자화된 제3유체/가스를 수용하기 위해 제3용기를 제공하는 단계를 포함하는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
혼합은
a. 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 순간적으로 산출하도록, 청구항 3 에 청구된 바와 같은 일정한 플럭스 밀도 및 형상의 자기장 또는 전자기장을 통상적인 비-자화된 제2유체/가스상에 적용하기 위해, 인라인 자기 처리 유닛을 제공하는 단계; 및
b. 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스를 위해 처리 유닛 및 제2용기와 관련하여 통상적인 비-자화된 유체/가스를 위해 제1용기를 제공하는 단계를 포함하며,
상기 처리 유닛은 제1용기로부터 통상적인 비-자화된 제2유체/가스의 제어된 흐름을 수용하고, 또한 자기장 또는 전자기장을 제2유체/가스상에 적용하며, 또한 상기 제2용기는 처리 유닛로부터 직접적으로 자화된 제1유체/가스의 제어된 제1흐름 및 제1용기로부터 통상적인 비-자화된 제2액체의 제어된 제2흐름을 동시에 수용하는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
혼합은
a. 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 수용하기 위해 제1용기를 제공하는 단계;
b. 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 수용하기 위해 소형의 제2용기를 제공하는 단계; 및
c. 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스를 수용하기 위해 제3용기를 제공하는 단계를 포함하며,
상기 소형의 제2용기는 제1용기로부터 통상적인 비-자화된 제2유체/가스의 제어된 흐름을 수용하고 또한 직접적으로 자화된 제1 및 통상적인 비-자화된 제2유체/가스를 포함하는 제3용기를 위해 혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스의 흐름을 출력하는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법은 통상적인 비-자화된 유체/가스를 자화시키기 위해 직접적으로 자화된 제1유체/가스를 자화제 또는 자기 처리 작용제로서 사용하는 단계를 포함하는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
통상적인 비-자화된 유체/가스를 자화시키기 위해 자화제 또는 자기 처리 작용제로서 직접적으로 자화된 제1유체/가스의 사용은, 미리 결정된 혼합 비율에 따라 제1 및 제2유체/가스를 혼합하는 단계를 포함하는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
직접적으로 자화된 유체/가스는 혼합 프로세스에서 즉시 사용되거나, 또는 혼합 프로세에서 차후 사용을 위해 단기 또는 장기 저장을 위해 저장되는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스는 의도된 적용에서 즉시 사용되거나, 또는 의도된 적용에서 차후 사용을 위해 단기 또는 장기 주기 동안 저장되는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
직접적으로 자화된 제1유체/가스 및 통상적인 비-자화된 제2유체/가스는 유사한 화학 구조를 갖거나, 또는 미세하게 상이한 화학 구조를 가질 수 있는
유체 및/또는 가스의 간접적인 자기 처리 방법. - 유체/가스의 간접적인 자기 처리 방법으로서:
혼합된 또는 간접적으로-자화된 유체/가스는 통상적인 비-자화된 유체/가스를 혼합 비율에 따라 1회 이상 자화시키기 위해 자화제 또는 자기 처리 작용제로서 사용되는
유체/가스의 간접적인 자기 처리 방법.
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